DE112020005527T5

DE112020005527T5 - Anzeigefeld und Verfahren zur Herstellung eines Anzeigefeldes, Verfahren zur Erfassung der Lochgenauigkeit und Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE112020005527T5
Application number: DE112020005527.2T
Authority: DE
Inventors: Zhiwen CHU; Xiangdan Dong; Yulong Wei
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date: 2020-04-09
Filing date: 2020-04-09
Publication date: 2022-09-01
Also published as: CN113785402A; US11901246B2; CN113785402B; US20230134605A1; WO2021203351A1

Abstract

Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf das Gebiet der Anzeigen und auf ein Anzeigefeld, ein Verfahren zur Herstellung eines Anzeigefeldes, ein Verfahren zur Erfassung der Lochgenauigkeit und eine Anzeigevorrichtung. Das Anzeigefeld umfasst ein Durchgangsloch, einen Isolationsbereich und einen Anzeigebereich, wobei der Isolationsbereich das Durchgangsloch umgibt und zwischen dem Durchgangsloch und dem Anzeigebereich liegt, und wobei der Isolationsbereich mindestens zwei grafische Markierungen zum Erfassen der Lochgenauigkeit des Durchgangslochs umfasst, und die mindestens zwei grafischen Markierungen um das Durchgangsloch herum in Abständen angeordnet sind. Durch die Anordnung der grafischen Markierungen in dem Isolationsbereich des Anzeigefeldes befindet sich der Isolationsbereich zwischen dem Durchgangsloch und dem Anzeigebereich, d.h. die grafischen Markierungen befinden sich um das Durchgangsloch herum. Da die grafischen Markierungen klare Muster aufweisen, ist es bei der Erfassung der Lochgenauigkeit für einen optischen Detektor praktisch, die grafischen Markierungen zu positionieren und außerdem die Abstände zwischen jeder grafischen Markierung und einem Rand des Durchgangslochs zu bestimmen. Auf diese Weise werden die Abstände zwischen jeder grafischen Markierung und dem Durchgangsloch genauer ermittelt, was die Genauigkeit der ermittelten Lochgenauigkeit verbessern kann.

Description

GEBIET DER TECHNIK
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf das Gebiet der Anzeigen und insbesondere auf ein Anzeigefeld, ein Verfahren zur Herstellung eines Anzeigefeldes, ein Verfahren zur Erfassung der Lochgenauigkeit und eine Anzeigevorrichtung.
STAND DER TECHNIK
In den letzten Jahren hat mit der allmählichen Popularisierung von Anzeigegeräten mit schmalen Rändern insbesondere die Mobiltelefonindustrie begonnen, in die Ära des Vollbildschirme einzutreten. Das Anzeigegerät, wie z.B. ein Mobiltelefon oder ein Tablet-Computer, muss im Allgemeinen mit einer Kamera, einem Sensor oder anderen Geräten ausgestattet sein. Um einen Vollbildschirm zu erreichen, kann durchgehendes Loch in die Position des Anzeigefeldes gesetzt werden, die der Kamera, dem Sensor und anderen Geräten entspricht, um so die Anordnung dieser Geräte zu erleichtern.
ZUSAMMENFASSUNG
Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung stellen ein Anzeigefeld und ein Verfahren zur Herstellung eines Anzeigefeldes, ein Verfahren zur Erfassung der Lochgenauigkeit und eine Anzeigevorrichtung bereit, die die Lochgenauigkeit des Anzeigefeldes genauer erfassen kann. Die technischen Lösungen sind wie folgt.
In einem Aspekt wird ein Anzeigefeld bereitgestellt. Das Anzeigefeld umfasst ein Durchgangsloch, einen Isolationsbereich und einen Anzeigebereich, wobei der Isolationsbereich das Durchgangsloch umgibt und zwischen dem Durchgangsloch und dem Anzeigebereich liegt, und wobei der Isolationsbereich mindestens zwei grafische Markierungen zum Erfassen der Lochgenauigkeit des Durchgangslochs umfasst, und die mindestens zwei grafischen Markierungen um das Durchgangsloch herum in Abständen angeordnet sind.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst das Anzeigefeld ferner ein Basissubstrat, eine Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht und eine Dünnfilmtransistor-Array-Schicht, die nacheinander gestapelt sind;
wobei sich die grafischen Markierungen in der Dünnfilmtransistor-Array-Schicht im Isolationsbereich befinden.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst die Dünnfilmtransistor-Array-Schicht eine aktive Schicht, eine Gate-Isolierschicht, eine Gate-Schicht, eine Isolierschicht und eine Source-Drain-Schicht, die nacheinander auf der Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht gestapelt sind; und
die grafischen Markierungen befinden sich in der aktiven Schicht oder in der Gate-Schicht.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung haben die grafischen Markierungen eine „T“-Form oder eine „X“-Form.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung haben die grafischen Markierungen eine „T“-Form und die „T“-Form ist mit einem ersten Verbindungsabschnitt und einem zweiten Verbindungsabschnitt versehen, wobei der erste Verbindungsabschnitt senkrecht zu dem zweiten Verbindungsabschnitt ist, der erste Verbindungsabschnitt mit einem mittleren Teil des zweiten Verbindungsabschnitts verbunden ist, der zweite Verbindungsabschnitt zwischen dem ersten Verbindungsabschnitt und dem Durchgangsloch liegt, und wobei gerade Linien, an denen die ersten Verbindungsabschnitte der mindestens zwei grafischen Markierungen angeordnet sind, sich in einem Punkt schneiden.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung liegt die Anzahl der grafischen Markierungen im Bereich von zwei bis sechs, und die grafischen Markierungen sind im Isolationsbereich gleichmäßig in Abständen angeordnet.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beträgt die Anzahl der grafischen Markierungen vier, die vier grafischen Markierungen sind in zwei Paaren aufgeteilt, und eine Verbindungslinie des einen Paares grafischer Markierungen und eine Verbindungslinie des anderen Paares von grafischen Markierungen halbieren einander senkrecht.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung sind die vier grafischen Marken in einer kreisförmigen Anordnung um einen Mittelpunkt herum verteilt.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist der Isolationsbereich mit mindestens einem Kreis von Isolationssäulen versehen, jeder Kreis von Isolationssäulen ist um das Durchgangsloch herum angeordnet, und die grafischen Markierungen befinden sich zwischen dem Kreis der Isolationssäulen, der dem Durchgangsloch am nächsten ist, und dem Durchgangsloch.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst der mindestens eine Kreis von Isolationssäulen vier Kreise von Isolationssäulen, die vier Kreise von Isolationssäulen sind in Abständen angeordnet, und die Kreise, in denen die vier Kreise von Isolationssäulen jeweils angeordnet sind, sind konzentrisch.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist der Isolationsbereich mit zwei Kreisen von Isolationssäulen versehen, jeder Kreis von Isolationssäulen ist um das Durchgangsloch herum angeordnet, und die grafischen Markierungen befinden sich zwischen den beiden Kreisen von Isolationssäulen.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst der Kreis von Isolationssäulen, der näher an dem Durchgangsloch in den beiden Kreisen von Isolationssäulen liegt, fünf Kreise von Isolationsuntersäulen, die fünf Kreise von Isolationsuntersäulen sind in Abständen angeordnet, und die Kreise, in denen die fünf Kreise von Isolationsuntersäulen jeweils angeordnet sind, sind konzentrisch, und eine Breite der Isolationsuntersäule in einer radialen Richtung kleiner ist als eine Breite der Isolationssäule in der radialen Richtung, und ein Abstand zwischen zwei benachbarten Kreisen von Isolationsuntersäulen kleiner ist als ein Abstand von zwei benachbarten Kreisen von Isolationssäulen.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist der Isolationsbereich mit mindestens einem Kreis von Abstandshaltern versehen, der mindestens eine Kreis von Abstandshaltern ist um das Durchgangsloch herum angeordnet, und der mindestens eine Kreis von Abstandshaltern befindet sich zwischen den beiden Kreisen von Isolationssäulen.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist der Isolationsbereich mit zwei Kreisen von Abstandshaltern versehen, Projektionen der grafischen Markierungen auf einer ersten Ebene überlappt zumindest teilweise mit Projektionen der beide Kreise von Abstandshaltern auf der ersten Ebene, und die erste Ebene ist eine Ebene, in der sich eine Oberfläche des Anzeigefeldes befindet.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst die Gate-Schicht des Anzeigefeldes eine Gateleitung, eine erste Signalleitung, eine zweite Signalleitung und eine erste Stromquellensignalleitung, und die Source-Drain-Schicht des Anzeigefeldes umfasst eine zweite Stromquellensignalleitung und eine Datenleitung; und
in dem Isolationsbereich sind die Gateleitung, die erste Signalleitung, die zweite Signalleitung, die erste Stromquellensignalleitung, die zweite Stromquellensignalleitung und die Datenleitung alle um das Durchgangsloch herum angeordnet.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst der Isolationsbereich ferner einen blockförmigen Abstandshalter, wobei eine Projektion des blockförmigen Abstandshalters auf eine erste Ebene zumindest teilweise mit einer Projektion der Gateleitung des Isolationsbereichs auf die erste Ebene überlappt, und die erste Ebene eine Ebene ist, in der sich eine Oberfläche des Anzeigefeldes befindet.
In einem anderen Aspekt wird ein Verfahren zur Herstellung eines Anzeigefeldes bereitgestellt. Das Verfahren umfasst:
Herstellen von mindestens zwei grafischen Markierungen in einem Isolationsbereich, wobei die mindestens zwei grafischen Markierungen in Abständen angeordnet sind; und
Vorsehen eines Durchgangslochs in dem Anzeigefeld, wobei der Isolationsbereich das Durchgangsloch umgibt und zwischen dem Durchgangsloch und einem Anzeigebereich liegt, und wobei die mindestens zwei grafischen Markierungen zur Erfassung der Lochgenauigkeit des Durchgangslochs vorgesehen sind.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beträgt die Anzahl der grafischen Markierungen vier, die vier grafischen Markierungen sind symmetrisch um das Durchgangsloch beabstandet zueinander angeordnet und in zwei Paaren aufgeteilt, und eine Verbindungslinie eines Paares von grafischen Markierungen und eine Verbindungslinie des anderen Paares von grafischen Markierungen halbieren sich senkrecht zueinander.
In einem weiteren Aspekt wird ein Verfahren zum Erfassen der Lochgenauigkeit eines Anzeigefeldes bereitgestellt. Das Verfahren umfasst:
Aufnehmen eines Bildes des Anzeigefeldes mit einem optischen Detektor, wobei das Anzeigefeld ein Durchgangsloch, einen Isolationsbereich und einen Anzeigebereich umfasst, wobei der Isolationsbereich um das Durchgangsloch herum angeordnet ist, wobei der Isolationsbereich zwischen dem Durchgangsloch und dem Anzeigebereich angeordnet ist, wobei der Isolationsbereich mindestens zwei grafische Markierungen zum Erfassen der Lochgenauigkeit des Durchgangslochs umfasst, und die mindestens zwei grafischen Markierungen um das Durchgangsloch herum in Abständen angeordnet sind, und wobei das Bild die grafischen Markierungen und das Durchgangsloch umfasst;
Bestimmen von Mindestabständen zwischen einem Rand des Durchgangslochs und jeder der grafischen Markierungen auf dem Bild; und
Bestimmen der Lochgenauigkeit entsprechend den Mindestabständen zwischen dem Rand des Durchgangslochs und jeder der grafischen Markierungen.
In einem weiteren Aspekt wird eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt. Die Anzeigevorrichtung umfasst das in einem der obigen beschriebene Anzeigefeld.
Die technischen Lösungen gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können zumindest die folgenden vorteilhaften Effekte erzielen.
Durch die Anordnung der grafischen Markierungen in dem Isolationsbereich des Anzeigefeldes befindet sich der Isolationsbereich zwischen dem Durchgangsloch und dem Anzeigebereich, d.h. die grafischen Markierungen befinden sich um das Durchgangsloch herum. Da die grafischen Markierungen klare Muster aufweisen, ist es bei der Erfassung der Lochgenauigkeit für einen optischen Detektor praktisch, die grafischen Markierungen zu positionieren und außerdem die Abstände zwischen jeder grafischen Markierung und einem Rand des Durchgangslochs zu bestimmen. Auf diese Weise werden die Abstände zwischen jeder grafischen Markierung und dem Durchgangsloch genauer ermittelt, was die Genauigkeit der ermittelten Lochgenauigkeit verbessern kann.
Figurenliste
Um die technischen Lösungen in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung deutlicher zu beschreiben, werden im Folgenden kurz die begleitenden Zeichnungen vorgestellt, die für die Beschreibung der Ausführungsformen erforderlich sind. Offensichtlich zeigen die begleitenden Zeichnungen in der folgenden Beschreibung nur einige Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, und Personen, die über gewöhnliche Fachkenntnisse verfügen, können auch andere Zeichnungen aus diesen begleitenden Zeichnungen ohne kreative Bemühungen ableiten.

1 ist ein schematisches Strukturdiagramm eines Teils eines Anzeigefeldes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
2 ist eine Draufsicht auf eine „T“-förmige grafische Markierung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
3 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Anzeigefeldes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
4 ist eine schematische Querschnittsansicht eines OLED-Anzeigefeldes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
5 ist ein schematisches Diagramm einiger Filmschichtstrukturen, die in einer Dünnfilmtransistor-Array-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung überlagert sind;
6 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer aktiven Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
7 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer ersten Gate-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
8 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer zweiten Gate-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
9 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Source-Drain-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
10 ist eine schematische Querschnittsansicht eines OLED-Anzeigefeldes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
11 ist ein schematisches Strukturdiagramm eines Isolationsbereichs eines Anzeigefeldes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
12 ist ein schematisches Strukturdiagramm eines weiteren Isolationsbereichs eines Anzeigefeldes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
13 ist ein schematisches Strukturdiagramm eines weiteren Isolationsbereichs eines Anzeigefeldes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
14 ist ein schematisches Strukturdiagramm eines weiteren Isolationsbereichs eines Anzeigefeldes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
15 ist ein schematisches Strukturdiagramm eines Teils eines Anzeigefeldes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
16 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zur Herstellung eines Anzeigefeldes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt; und
17 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Erfassen der Lochgenauigkeit eines Anzeigefeldes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.

BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Um die Aufgabe, technischen Lösungen und Vorteile der vorliegenden Offenbarung deutlicher zu machen, werden die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung im Folgenden unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen näher beschrieben.
Eine organische lichtemittierende Anzeige (Organic Light Emitting Display, kurz: OLED) umfasst normalerweise eine OLED-Komponente, die empfindlich gegenüber Wasserdampf und Sauerstoff ist, so dass eine Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht in der OLED-Komponente erforderlich ist. Bei OLED-Anzeigefelden mit einem Durchgangsloch können jedoch bei der Aufdampfung des OLED-Anzeigefeldes leicht Wasserdampf und Sauerstoff durch das Durchgangsloch in die OLED-Komponente eindringen, was sich auf die Leistung und Lebensdauer der OLED-Komponente auswirkt. Daher werden mehrere Kreise von Isolationssäulen um das Durchgangsloch herum angeordnet. Die Isolationssäulen durchdringen alle Filmschichten oberhalb der Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht, um die Eindringkanäle für Wasserdampf und Sauerstoff zu blockieren.
Nach dem Vorsehen eines Lochs in dem Anzeigefeld wird die Lochgenauigkeit ermittelt. Wenn die Lochgenauigkeit gering ist, d.h. die Position des Durchgangslochs abweicht oder die Größe des Durchgangslochs falsch ist, muss das Anzeigefeld verworfen werden. Im Stand der Technik werden die Abstände von einem Rand des Durchgangslochs zu den Isolationssäulen mit einem optischen Detektor erfasst, um die Lochgenauigkeit zu bestimmen.
Allerdings sind die Isolationssäulen in dem Anzeigefeld in einer Vielzahl von Kreisen angeordnet, und der Abstand zwischen zwei benachbarten Kreisen von Isolationssäulen ist relativ kurz. Wenn der optische Detektor die Abstände von dem Rand des Durchgangslochs zu den Isolationssäulen erfasst, ist es schwierig festzustellen, zu welchem Kreis von Isolationssäulen der gemessene Abstand gehört, und daher ist das Ergebnis der Bestimmung der Lochgenauigkeit ungenau.
1 ist ein schematisches Strukturdiagramm eines Teils eines Anzeigefeldes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Bezugnehmend auf 1 umfasst das Anzeigefeld ein Durchgangsloch 1 (Hole), einen Isolationsbereich 2 und einen Anzeigebereich 3. Der Isolationsbereich 2 umgibt das Durchgangsloch 1 und liegt zwischen dem Durchgangsloch 1 und dem Anzeigebereich 3. Der Isolierbereich 2 umfasst mindestens zwei grafische Markierungen 4 zur Erfassung der Lochgenauigkeit des Durchgangslochs 1. Die mindestens zwei grafischen Markierungen 4 sind um das Durchgangsloch 1 herum in Abständen angeordnet.
In der Ausführungsform sind die grafischen Markierungen 4 in dem Isolationsbereich 2 des Anzeigefeldes angeordnet, und der Isolationsbereich 2 befindet sich zwischen dem Durchgangsloch 1 und dem Anzeigebereich 3. Das heißt, die grafischen Markierungen 4 sind um das Durchgangsloch 1 herum angeordnet. Da die grafischen Markierungen 4 klare Muster aufweisen, ist es für einen optischen Detektor praktisch, die grafischen Markierungen 4 zu positionieren und die Abstände zwischen jeder der grafischen Markierungen 4 und dem Durchgangsloch 1 zu bestimmen, wenn die Lochgenauigkeit ermittelt wird. Auf diese Weise sind die zwischen den grafischen Markierungen 4 und dem Durchgangsloch 1 ermittelten Abstände genauer, was die Genauigkeit der ermittelten Lochgenauigkeit verbessern kann.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Position des Durchgangslochs 1 der Position von Vorrichtungen wie einer Kamera und eines Sensors entsprechen und wird zum Anordnen dieser Vorrichtungen verwendet, um das Bildschirmzu-Körper-Verhältnis des Anzeigefeldes zu erhöhen, wodurch ein Vollbildschirmdesign realisiert wird.
Wie in 1 gezeigt, kann das Durchgangsloch 1 ein kreisförmiges Durchgangsloch zum Anordnen und Installieren von Vorrichtungen wie etwa Kameras und Sensoren sein. In anderen Ausführungsformen kann das Durchgangsloch 1 auch in anderen Formen gemäß der Form der Vorrichtung festgelegt werden. Wie in 1 gezeigt, ist hier nur ein Durchgangsloch 1 in dem Anzeigefeld angeordnet. In anderen Ausführungsformen können zwei oder mehr Durchgangslöcher 1 angeordnet sein. Die spezifische Anzahl von Durchgangslöchern 1 kann gemäß der Anzahl von anzuordnenden Vorrichtungen eingestellt werden.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird der Anzeigebereich 3 verwendet, um den Bildschirm anzuzeigen. Der Anzeigebereich 3 kann auch als aktiver Anzeigebereich (Active Area, kurz: AA) bezeichnet werden.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann der Anzeigebereich 3 mit drei Typen von Pixeleinheiten versehen sein, nämlich: rote (Red, R) Pixeleinheiten, grüne (Green, G) Pixeleinheiten, blaue (Blue, B) Pixeleinheiten, auf die Bezug genommen wird als RGB-Pixeleinheiten. In anderen Ausführungsformen kann der Anzeigebereich 3 ferner mit weißen (White, W) Pixeleinheiten versehen sein, um RGBW-Pixeleinheiten zu bilden.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird der Isolationsbereich 2 verwendet, um das Durchgangsloch 1 und den Anzeigebereich 3 zu isolieren, um zu vermeiden, dass das Licht des Anzeigebereichs 3 aus dem Durchgangsloch 1 austritt und den Anzeigeeffekt des Anzeigefeldes beeinträchtigt. Gleichzeitig kann der Isolationsbereich auch eine Rolle bei der Wasser- und Sauerstoffdichtheit spielen, indem er mit Isolationssäulen versehen wird. Da der Isolationsbereich 2 keinen Anzeigeeffekt hat, beeinflussen die grafischen Markierungen 4 den Anzeigeeffekt des Anzeigebereichs 3 nicht, wenn sie im Isolationsbereich 2 angeordnet sind.
Wie in 1 gezeigt, ist, da der Isolationsbereich 2 zwischen dem Durchgangsloch 1 und dem Anzeigebereich 3 angeordnet ist, der Isolationsbereich 2 im Allgemeinen ein ringförmiger Bereich in dem Fall, dass das Durchgangsloch 1 ein kreisförmiges Durchgangsloch ist.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann der optische Detektor ein Bild des Anzeigefeldes aufnehmen, wenn er die Lochgenauigkeit detektiert. Das Bild enthält die grafischen Markierungen 4 und das Durchgangsloch 1. Der optische Detektor positioniert die grafischen Markierungen 4 und das Durchgangsloch 1 im Bild. Es wird angenommen, dass 1 ist ein aufgenommenes Bild. Der optische Detektor kann eine optische Positionierungsmarkierung 5 in dem Durchgangsloch 1 bilden. Der optische Detektor positionieren das Durchgangsloch 1 mit Hilfe der optischen Positionierungsmarkierung 5 und einen Mindestabstand zwischen jeder grafischen Markierung 4 und dem Durchgangsloch 1 bestimmen. Der Mindestabstand wird als der Abstand zwischen der grafischen Markierung 4 und dem Durchgangsloch 1 angenommen. Dann werden Differenzwerte bestimmt, indem jeder Mindestabstand mit Soll-Abstand verglichen wird. Wenn der Differenzwert zwischen dem Mindestabstand und dem Soll-Abstand innerhalb eines Bereichs von ±A Mikrometer (µm) liegt, ist das Anzeigefeld für die Verwendung qualifiziert. Wenn der Differenzwert zwischen dem Mindestabstand und Soll-Abstand nicht innerhalb des Bereichs von ± A Mikrometer liegt, ist die Lochgenauigkeit des Anzeigefeldes gering, was die Empfindlichkeit der Vorrichtung im Durchgangsloch 1 beeinträchtigt und das Anzeigefeld ist für die Inbetriebnahme nicht geeignet.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ±A als ein Fehlerbereich bezeichnet werden. Der Wert von A kann gemäß der Größe des Anzeigefeldes und der Größe des Durchgangslochs 1 bestimmt werden, was in der vorliegenden Offenbarung nicht beschränkt ist.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können die grafischen Markierungen 4 „T“-Form oder „X“-Form darstellen.
Da die „T“-förmigen und „X“-förmigen grafischen Markierungen 4 in der Ausführungsform klare Grenzlinien aufweisen, und wenn der optischen Detektor ein Bild des Anzeigefeldes aufnimmt, ist es einfach, die grafischen Markierungen 4 und das Durchgangsloch 1 im Bild zu positionieren, so dass der Abstand zwischen den grafischen Markierungen 4 und dem Durchgangsloch 1 bestimmt werden kann, wodurch die erfassten Abstände zwischen den grafischen Markierungen 4 und dem Durchgangsloch 1 genauer werden und die Erfassung der Lochgenauigkeit verbessert werden kann.
In einer beispielhaften Ausführungsform haben die grafischen Markierungen 4 eine „T“-Form. 2 ist eine Draufsicht einer „T“-förmigen grafischen Markierung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 2, ist die „T“-Form mit einem ersten Verbindungsabschnitt 41 und einem zweiten Verbindungsabschnitt 42 versehen. Der erste Verbindungsabschnitt 41 und der zweite Verbindungsabschnitt 42 sind senkrecht zueinander. Der erste Verbindungsabschnitt 41 ist mit einem mittleren Teil des zweiten Verbindungsabschnitts 42 verbunden. Wie in 1 gezeigt, befindet sich der zweite Verbindungsabschnitt 42 zwischen dem ersten Verbindungsabschnitt 41 und dem Durchgangsloch 1. Gerade Linien, an denen der erste Verbindungsabschnitt 41 der mindestens zwei grafischen Markierungen 4 angeordnet sind, schneiden sich in einem Punkt.
In der Ausführungsform ist der zweite Verbindungsabschnitt 42 zwischen dem ersten Verbindungsabschnitt 41 und dem Durchgangsloch 1 angeordnet. Wenn der optische Detektor die Lochgenauigkeit erfasst, kann es zunächst die Position der „T“förmigen grafischen Markierung identifiziert werden. Die Position des Durchgangslochs 1 kann auf der Grundlage der Anordnung der Positionen des ersten Verbindungsteils 41 und des zweiten Verbindungsteils 42 in der „T“-förmigen grafischen Markierung schneller identifiziert werden. Dann kann der Abstand von der Seite zum Durchgangsloch 1 erfasst werden, um die Genauigkeit der Erfassung der Lochgenauigkeit sicherzustellen.
Um die Identifizierung des optischen Detektors zu erleichtern, kann die Länge des zweiten Verbindungsabschnitts 42 größer sein als die Länge des ersten Verbindungsabschnitts 41, wie in 1 und 2 gezeigt.
In einer Ausführungsform liegt die Anzahl der grafischen Markierungen 4 im Bereich von zwei bis sechs. Die grafischen Markierungen 4 sind im Isolationsbereich 2 gleichmäßig in Abständen angeordnet.
In der Ausführungsform sind zwei bis sechs grafische Markierungen 4 gleichmäßig um das Durchgangsloch 1 in Abständen angeordnet. Der Abstand zwischen dem Rand des Durchgangslochs 1 und jeder grafischen Markierung 4 kann durch den optischen Detektor erfasst werden. Die Lochgenauigkeit des Anzeigefeldes kann gemäß den Abständen von grafischen Markierungen 4 zu dem Durchgangsloch 1 bestimmt werden, was die Genauigkeit der Erfassung erhöht.
Beispielhaft beträgt die Anzahl der grafischen Markierungen 4 vier. Die vier grafischen Markierungen 4 sind in zwei Paaren aufgeteilt. Eine Verbindungslinie eines Paars grafischer Markierungen und eine Verbindungslinie des anderen Paars grafischer Markierungen halbieren einander senkrecht.
Da die Formen der vier grafischen Markierungen gleich sind, kann die Verbindungslinie eines Paars grafischer Markierungen eine Verbindungslinie der gleichen Punkte von zwei grafischen Markierungen in dem einen Paar grafischer Markierungen sein.
In der Ausführungsform ist die Anzahl der grafischen Markierungen 4 auf vier eingestellt, wodurch nicht nur die oben erwähnten Wirkungen sichergestellt werden können, sondern auch die Anzahl der grafischen Markierungen gering gehalten werden kann. Auf diese Weise wird die Berechnungsarbeit des optischen Detektors verringert, wenn die Abstände zwischen den grafischen Markierungen 4 und dem Durchgangsloch 1 erfasst werden, wodurch die Erfassungseffizienz verbessert wird.
Ferner kann die Länge der Verbindungslinie eines Paares von grafischen Markierungen gleich oder verschieden von der Länge der Verbindungslinie des anderen Paares von grafischen Markierungen sein.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können, wenn mehrere grafische Markierungen 4 in dem Isolationsbereich 2 angeordnet sind, die Formen der mehreren grafischen Markierungen 4 gleich oder unterschiedlich sein, was in der vorliegenden Offenbarung nicht beschränkt ist.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung sind die vier grafischen Markierungen 4 in einer kreisförmigen Anordnung um einen Mittelpunkt herum verteilt. Die kreisförmige Anordnungsverteilung von vier grafischen Markierungen bedeutet, dass die vier Grafischen Markierungen kreisförmig um den Mittelpunkt verteilt sind, jede der Grafischen Markierungen dieselbe Größe und Form hat und die relative Position zwischen den Grafischen Markierungen 4 und dem Durchgangsloch 1 gleich sind. Wenn also eine beliebige grafische Markierung 4 um einen bestimmten Winkel um die Mitte gedreht wird, kann sie vollständig mit einer anderen grafischen Markierung 4 überlappen. Auf diese Weise ist es bequem, die Positionen der anderen grafischen Markierungen 4 zu bestimmen, wenn eine der grafischen Markierungen während der Detektion bestimmt worden.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist, wenn das Durchgangsloch 1 kreisförmig ist und die Position des Durchgangslochs 1 genau ist, der Mittelpunkt genau die Mitte des kreisförmigen Durchgangslochs.
3 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Anzeigefeldes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 3, umfasst das Anzeigefeld ein Basissubstrat 10, eine Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht 20 und eine Dünnfilmtransistor(Thin Film Transistor, kurz: TFT)-Array-Schicht 30, die sequentiell gestapelt sind.
Beispielhaft kann das Basissubstrat 10 ein Glassubstrat sein. Das Glassubstrat kann die Festigkeit des Basissubstrats 10 sicherstellen. Da Glas eine gute Lichtdurchlässigkeit aufweist, können die Muster der grafischen Markierungen 4 deutlicher von der Seite des Basissubstrats 10 erfasst werden, wenn der optische Detektor das Bild von dem Anzeigefeld aufnimmt, was für den optischen Detektor praktisch ist, um die grafischen Markierungen 4 zu positionieren, so dass die erfassten Abstände zwischen den grafischen Markierungen 4 und dem Durchgangsloch 1 genauer sind, wodurch die Erfassung der Lochgenauigkeit verbessert wird.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann das Anzeigefeld ein OLED-Anzeigefeld sein. Das OLED-Anzeigefeld umfasst normalerweise OLED-Komponente, die gegenüber Wasserdampf und Sauerstoff empfindlich ist. Wenn das OLED-Anzeigefeld aufdampft wird, kann die Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht 20 verhindern, dass Wasserdampf und Sauerstoff, die während der Aufdampfung erzeugt werden, leicht in die OLED-Komponente eindringen und die Leistung und Lebensdauer der OLED-Komponente beeinträchtigen.
Wie in 3 gezeigt, kann die Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht 20 eine erste wasser- und sauerstoffdichte Teilschicht 201 und eine zweite wasser- und sauerstoffdichte Teilschicht 202 umfassen. Die erste wasser- und sauerstoffdichte Teilschicht 201 kann ein Polyimid (Polyimide, kurz: PI ) Schicht. Die zweite wasser- und sauerstoffdichte Unterschicht 202 kann eine anorganische Filmschicht sein, wie etwa eine Siliziumnitridschicht, eine Siliziumoxidschicht oder eine Aluminiumoxidschicht.
In der Ausführungsform hat Polyimid eine gute chemische Stabilität, hervorragende mechanische Eigenschaften und eine hohe Isolierung und kann Wasserdampf und Sauerstoff blockieren, um zu verhindern, dass Wasserdampf und Sauerstoff die Leistung und Lebensdauer der OLED-Komponente beeinträchtigen. In ähnlicher Weise kann die anorganische Filmschicht auch die OLED-Komponente schützen. In der vorliegenden Offenbarung wird die Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht 20 als eine Laminierung einer Pl-Schicht und einer anorganischen Filmschicht bereitgestellt, was die wasser- und sauerstoffabweisende Wirkung der Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht 20 verbessern kann.
In einer beispielhaften Ausführungsform kann die Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht 20 eine erste wasser- und sauerstoffdichte Teilschicht 201, eine zweite wasser- und sauerstoffdichte Teilschicht 202 und eine Laminierung aus der ersten wasser- und sauerstoffdichten Teilschicht 201 und der zweiten wasser- und sauerstoffdichten Teilschicht 202.
In der Ausführungsform können mehrere Laminierungen der ersten wasser- und sauerstoffdichten Teilschichten 201 und der zweiten wasser- und sauerstoffdichten Teilschichten 202 bereitgestellt werden, um die wasser- und sauerstoffdichte Wirkung der Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht zu verbessern.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst das Anzeigefeld mehrere Subpixeleinheiten. Jede der Subpixeleinheiten umfasst mindestens zwei Dünnfilmtransistoren, beispielsweise sieben Dünnfilmtransistoren. Die Dünnfilmtransistoren sind mit einer integrierten Schaltung (Integrated Circuit, kurz: IC) verbunden. Die Dünnfilmtransistoren werden von der integrierten Schaltung gesteuert, um die Helligkeit der organischen lichtemittierenden Schicht anzusteuern, damit das Anzeigefeld funktioniert. Die Dünnfilmtransistoren, die in der Vielzahl von Subpixeleinheiten enthalten sind, bilden die Dünnfilmtransistor-Array-Schicht 30.
In einer beispielhaften Ausführungsform befinden sich die grafischen Markierungen 4 in der Dünnfilmtransistor-Array-Schicht 30 des Isolationsbereichs 2.
In der Ausführungsform ist die Dünnschichttransistor-Array-Schicht 30 die Schicht, die dem Basissubstrat 10 am nächsten liegt, abgesehen von der Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht 20. Da das Basissubstrat 10 transparent ist, desto näher liegen die grafischen Markierungen 4 auf dem Basissubstrat 10 sind, desto klarer sind die Bilder der grafischen Markierungen 4, die von dem optischen Detektor erfasst werden, und desto einfacher ist es, die grafischen Markierungen 4 zu positionieren. Durch die Anordnung der grafischen Markierungen 4 in einer Filmschicht nahe dem Basissubstrat 10 wird die erfassten Abstände zwischen den grafischen Markierungen 4 und dem Durchgangsloch 1 genauer, wodurch die Erfassung der Lochgenauigkeit verbessert wird.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung sind die grafischen Markierungen 4 in der Dünnfilmtransistor-Array-Schicht 30 im Isolationsbereich 2 anstelle der Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht 20 vorgesehen, wodurch verhindert wird, dass die Herstellung der grafischen Markierungen 4 die wasser- und sauerstoffdichte Wirkung der Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht 20 beeinflussen.
Wie in 3 gezeigt, umfasst die Dünnfilmtransistor-Array-Schicht 30 eine aktive Schicht 301, eine Gate-Isolierschicht (Gate Insulator, kurz: Gl) 302, eine Gate-Schicht 303, eine Isolierschicht 304 und eine Source-Drain-Schicht (Source Drain,kurz: SD) 305, die sequentiell auf der Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht 20 gestapelt sind. Die grafischen Markierungen 4 befinden sich in der aktiven Schicht 301 oder der Gate-Schicht 303 des Isolationsbereichs 2.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung befinden sich sowohl die aktive Schicht 301 als auch die Gate-Schicht 303 in der Nähe des Basissubstrats 10. Die grafischen Markierungen 4 sind in einer Filmschicht in der Nähe des Basissubstrats 10 angeordnet, also die Grafik Markierungen 4 in dem aufgenommenen Bild sind klarer, und die erfassten Abstände zwischen den grafischen Markierungen 4 und dem Durchgangsloch 1 sind genauer, wodurch die Erfassung der Lochgenauigkeit verbessert wird.
4 ist eine schematische Querschnittsansicht eines OLED-Anzeigefeldes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Der Unterschied zwischen den in 4 gezeigten OLED-Anzeigefeld und 3 besteht darin, dass die Dünnfilmtransistor-Array-Schicht 30 eine andere Struktur aufweist. Wie in 4 gezeigt, umfasst die Dünnfilmtransistor-Array-Schicht 30 eine aktive Schicht 301, eine erste Gate-Isolierschicht 321, eine erste Gate-Schicht 331, eine zweite Gate-Isolierschicht 322, eine zweite Gate-Schicht 332, eine Isolierschicht 304 und eine Source-Drain-Schicht 305, die sequentiell auf der Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht 20 gestapelt sind.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können, wenn zwei Gate-Schichten in dem OLED-Anzeigefeld vorgesehen sind, die grafischen Markierungen 4 in einer Filmschicht der Dünnfilmtransistor-Array-Schicht 30 in der Nähe des Basissubstrats 10 wie beispielsweise in der aktive Schicht 301 oder der erste Gate-Schicht 331 liegen, mit Ausnahme von die Isolierschicht, dadurch sicherstellt, dass sich die grafischen Markierungen 4 in einer Filmschicht in der Nähe des Basissubstrats 10 befinden, wodurch die Erfassung der Lochgenauigkeit verbessert wird.
Unter Bezugnahme auf 3 und 4, umfasst das OLED-Anzeigefeld ferner eine erste Planarisierungsschicht (Planarization, kurz: PLN) 40, eine Anodenschicht 50, eine Pixeldefinitionsschicht (Pixel Definition Layer, kurz: PDL) 60, eine organische lichtemittierende Schicht 70 und eine Kathodenschicht 80, die auf der Dünnfilm transistor-Array-Schicht 30 liegen.
In dem in 4 gezeigten OLED-Anzeigefeld, befindet sich die zweite Gate-Isolierschicht 322 zwischen der ersten Gate-Schicht 331 und der zweiten Gate-Schicht 332. Die zweite Gate-Schicht 332 ist von der ersten Gate-Schicht 331 durch die zweite Gate-Isolierschicht 322 beabstandet, um sicherzustellen, dass die zweite Gate-Schicht 332 und die erste Gate-Schicht 331 in Abständen angeordnet sind und Signale unabhängig voneinander übertragen kann. Die Isolierschicht 304 befindet sich zwischen der zweiten Gate-Schicht 332 und der Source-Drain-Schicht 305, um sicherzustellen, dass die zweite Gate-Schicht 332 und die Source-Drain-Schicht 305 unabhängig voneinander Signale übertragen können. Die erste Planarisierungsschicht 40 ist zwischen der Source-Drain-Schicht 305 und der Anodenschicht 50 vorgesehen, um sicherzustellen, dass die Source-Drain-Schicht 305 unabhängig Signale übertragen kann.
Beispielhaft kann die aktive Schicht 301 eine Schicht aus Niedertemperatur-Polysilizium (Low Temperature Poly-Silicon, kurz: LTPS) sein. LTPS hat eine hohe Mobilität und gute Stabilität, die die Anforderungen von hochauflösenden Displays erfüllen können.
Beispielhaft können die erste Gate-Isolierschicht 321, die zweite Gate-Isolierschicht 322 und die Isolierschicht 304 anorganische Isolierschichten sein, wie z.B. Siliziumnitrid-(chemische Formel: SiN)-Isolierschichten, oder sie können organische Isolierschichten, wie beispielsweise eine Ringharz-Isolierschicht, sein. Da das Siliziumnitrid und das Ringharz gute Isolationseigenschaften aufweisen, können die Isolationseigenschaften der ersten Gate-Isolationsschicht 321, der zweiten Gate-Isolationsschicht 322 und der Isolationsschicht 304 sichergestellt werden.
Beispielhaft kann die erste Planarisierungsschicht 40 das OLED-Anzeigefeld ebener machen, um das Anordnen der Anodenschicht 50 zu erleichtern. Die erste Planarisierungsschicht 40 kann eine Harzschicht (Resin) sein. Harz hat Isolationseigenschaften, so dass die Isolationseigenschaften der ersten Planarisierungsschicht 40 sichergestellt werden können.
Beispielhaft können die zweite Gate-Schicht 332, die erste Gate-Schicht 331 und die Source-Drain-Schicht 305 Metallschichten oder Indium-Zinn-Oxid (chemische Formel: ITO)-Schichten sein, die die Stabilität der elektrischen Signalübertragung der zweiten Gate-Schicht 332, der ersten Gate-Schicht 331 und der Source-Drain-Schicht 305 gewährleisten können.
Beispielhaft kann die Anodenschicht 50 eine Metallschicht sein. Die Kathodenschicht 80 kann eine Indiumzinnoxidschicht sein. Dadurch kann die Leitfähigkeit der Anodenschicht 50 und der Kathodenschicht 80 sichergestellt werden.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird die Pixeldefinitionsschicht 60 zur Trennung der einzelnen Subpixeleinheiten der organischen lichtemittierenden Anzeige verwendet. Das heißt, die Pixeldefinitionsschicht 60 bildet eine Vielzahl von Subpixelbereichen in dem Anzeigebereich 3 durch ihre eigene Rillenstruktur.
Beispielhaft ist die organische lichtemittierende Schicht 70 mit lichtemittierenden Einheiten versehen, die in den Rillen der Pixeldefinitionsschicht 60 verteilt sind. Die organische lichtemittierende Schicht 70 kann eine Hohlraumtransportschicht, eine lichtemittierende Schicht und eine Elektronentransportschicht, die gestapelt sind, umfassen.
Wie in 3 und 4 gezeigt, umfasst das Anzeigefeld ferner eine zweite Planarisierungsschicht 90 und eine Verkapselungsschicht 100, die nacheinander auf der Kathodenschicht 80 gestapelt sind.
In der Ausführungsform befindet sich die zweite Planarisierungsschicht 90 zwischen der Kathodenschicht 80 und der Verkapselungsschicht 100. Die zweite Planarisierungsschicht 90 trennt die Kathodenschicht 80 von der Verkapselungsschicht 100, um zu vermeiden, dass die Kapselungsschicht 100 die elektrische Signalübertragung der Kathodenschicht 80 beeinträchtigt. Unterdessen kann die zweite Planarisierungsschicht 90 auch das OLED-Anzeigefeld ebener machen, um zu vermeiden, dass die Nicht-Planarisierung des OLED-Anzeigefeldes den Anzeigeeffekt des OLED-Anzeigefeldes beeinträchtigt. Die Verkapselungsschicht 100 kapselt die Struktur innerhalb des Anzeigefeldes ein, um die Integrität des Anzeigefeldes sicherzustellen.
Beispielhaft kann die zweite Planarisierungsschicht 90 eine Harzschicht sein. Harz hat eine Isolationseigenschaft, die die Isolationseigenschaft der zweiten Planarisierungsschicht 90 sicherstellt.
Beispielhaft kann die Verkapselungsschicht 100 in Form einer Dünnfilmverkapselung (Thin-Film Encapsulation, kurz: TFE) verkapselt sein, um die Verkapselungswirkung sicherzustellen.
5 ist ein schematisches Diagramm einiger Filmstrukturen, die in der Dünnfilmtransistor-Array-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung überlagert sind. Unter Bezugnahme auf 5 sind hauptsächlich eine aktive Schicht 301, eine erste Gate-Schicht 331, eine zweite Gate-Schicht 332 und eine Source-Drain-Schicht 305 enthalten. Die Strukturen der aktiven Schicht 301, der ersten Gate-Schicht 331, der zweiten Gate-Schicht 332 und der Source-Drain-Schicht 305 in 5 wird nachfolgend im Zusammenhang mit den 6 - 9 beschrieben.
6 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer aktiven Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 6, zeigt 6 die Struktur der aktiven Schicht im Anzeigebereich. In dem Isolationsbereich kann die aktive Schicht zusätzlich zu der in 2 gezeigten grafischen Struktur auch die oben erwähnten grafischen Markierungen enthalten.
7 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer ersten Gate-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Wie in 7 gezeigt, kann die erste Gate-Schicht 331 eine Gateleitung 3311, eine Gate-Elektrode 3312, eine erste Kondensatorplatte 3313 und eine erste Signalleitung 3314. Im Anzeigebereich sind in derselben Pixelreihe nur die Gate-Leitung 3311 und das Gate-Elektrode 3312 verbunden.
In OLED-Anzeigefelden ist eine Pixelschaltung im Allgemeinen eine Schaltung mit mehreren Dünnfilmtransistoren (T) + Kondensatoren (C), wie beispielsweise 7T1C oder 6T1C. In Schaltungen wie 7T1C müssen zusätzlich zur Bereitstellung von GATE-, VDD-, DATA- und anderen Signalen auch Spannungssignale wie RESET(Reset), REF(Referenz), Vint(Initial) bereitgestellt werden. Die zuvor erwähnte erste Signalleitung 3314 kann zur Bereitstellung der Spannungssignale verwendet werden.
7 zeigt die Struktur der ersten Gate-Schicht im Anzeigebereich. In dem Isolationsbereich kann die erste Gate-Schicht zusätzlich zu der in 7 gezeigten grafischen Struktur, auch die zuvor erwähnten grafischen Markierungen 4 enthalten. Sowohl der Anzeigebereich als auch der Isolationsbereich werden in einer einzigen grafischen Bearbeitung gebildet. Im Gegensatz zur herkömmlichen Bearbeitung ist die für diese grafische Bearbeitung verwendete Maske jedoch im Isolationsbereich mit einem Muster versehen, das der oben erwähnten grafischen Markierung 4 entspricht.
8 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer zweiten Gate-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Wie in 8 gezeigt, umfasst die zweite Gate-Schicht 332 eine zweite Kondensatorplatte 3321, eine zweite Signalleitung 3322, eine dritte Kondensatorplatte 3323 und eine erste Stromquellensignalleitung 3324. Die erste Kondensatorplatte 3313 und die zweite Kondensatorplatte 3321 bilden zusammen einen Speicherkondensator (Cst). Der Speicherkondensator kann ein Kondensator C in einer Schaltung wie 7T1C sein. Die dritte Kondensatorplatte 3323 kann mit der aktiven Schicht 301 einen Kondensator bilden. Der Kondensator kann verwendet werden, um einen Dünnfilmtransistor in der 7T1C-Schaltung zu stabilisieren. Die zweite Signalleitung 3322 kann zur Bereitstellung von Spannungssignalen wie RESET, REF, Vint usw. verwendet werden. Die erste Stromquellensignalleitung 3324 kann eine Reihe von zweiten Kondensatorplatten 3321 in Reihe schalten, sodass diese zweiten Kondensatorplatten 3321 auch Teil der ersten Stromquellensignalleitung 3324 werden, wodurch der Widerstand der ersten Stromquellensignalleitung 3324 reduziert wird.
9 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Source-Drain-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Wie in 9 gezeigt, umfasst die SD-Schicht 305 eine zweite Stromquellensignalleitung 351, eine Datenleitung 352 und eine Source-Drain-Elektrode 353. Die erste Stromquellensignalleitung 3324 und die zweite Stromquellensignalleitung 351 sind Stromquellensignalleitungen, die gekreuzt angeordnet sind, wodurch eine gitterartige Stromquellensignalleitung im Feld gebildet wird.
10 ist eine schematische Querschnittsansicht eines OLED-Anzeigefeldes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Der Unterschied zwischen den in 10 und 4 gezeigten OLED-Anzeigefeld besteht darin, dass die Dünnfilmtransistor-Array-Schicht 30 eine andere Struktur aufweist. Wie in 10 gezeigt, umfasst die Dünnfilmtransistor-Array-Schicht 30 eine aktive Schicht 301, eine erste Gate-Isolierschicht 321, eine erste Gate-Schicht 331, eine zweite Gate-Isolierschicht 322, eine zweite Gate-Schicht 332, eine erste Isolierschicht 341, eine erste Source-Drain-Schicht 354, eine zweite Isolierschicht 342 und eine zweite Source-Drain-Schicht 355, die nacheinander auf der Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht 205 gestapelt sind.
In der in 10 gezeigten Struktur werden die ursprünglich in einer Source-Drain-Schicht angeordneten Strukturen nun auf zwei Source-Drain-Schichten verteilt. Beispielsweise kann die zweite Stromquellensignalleitung 351 in der ersten Source-Drain-Schicht 354 angeordnet werden, und die Datenleitung 352 und die Source-Drain-Elektrode 353 können in der zweiten Source-Drain-Schicht 355 angeordnet werden. Durch die Anordnung der zweiten Leistungssignalleitung 351 und der Source-Drain-Elektrode 353 in einer anderen Schicht als die Datenleitung 352 kann ein Teil der Datenleitung 352 im Isolationsbereich 2 auf die zweite Source-Drain-Schicht 355 gesprungen werden, um die Durchgangsloch 1 zu umgehen, wodurch die Fläche um das Durchgangsloch 1 zum Führen verringert werden kann, das heißt, die Fläche des Isolationsbereichs 2 verringert und die Fläche des Anzeigebereichs vergrößert werden kann.
11 ist ein schematisches Strukturdiagramm eines Teils eines Isolationsbereichs in einem Anzeigefeld gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Wie in 11 gezeigt, ist der Isolationsbereich 2 mit mindestens einem Kreis von Isolationssäulen 21 versehen. Jeder Kreis von Isolationssäulen 21 ist um das Durchgangsloch 1 herum angeordnet. Die grafischen Markierungen 4 befinden sich zwischen dem Kreis von Isolationssäulen 21, der dem Durchgangsloch 1 am nächsten liegt, und dem Durchgangsloch 1. Die Isolationssäulen 21 können auf der Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht 20 angeordnet sein und alle Filmschichten über der Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht 20 durchdringen.
In der Ausführungsform ist es bei eines OLED-Anzeigefeldes mit Durchgangslöchern leicht für lichtemittierende Materialien, Wasserdampf und Sauerstoff, aus den Durchgangslöchern in die OLED-Komponente einzudringen, wenn das OLED-Anzeigefeld aufdampft wird, wodurch die Leistung und Lebensdauer der OLED-Komponente beeinträchtigt werden. Daher können mehrere Kreise von Isolationssäulen 21 um das Durchgangsloch 1 herum angeordnet werden, und die Isolationssäulen 21 durchdringen alle Filmschichten über der Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht 20, um die Eindringkanäle von lichtemittierenden Materialien, Wasserdampf und Sauerstoff zu blockieren, um zu vermeiden, dass lichtemittierende Materialien, Wasserdampf und Sauerstoff durch das Durchgangsloch 1 in die OLED-Komponente eindringen und die Leistung und Lebensdauer der OLED-Komponente beeinträchtigen.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung sind die Isolationssäulen 21 um die grafischen Markierungen 4 herum angeordnet. Die grafischen Markierungen 4 sind zwischen den Isolationssäulen 21 und dem Durchgangsloch 1 angeordnet, um die Position der grafischen Markierungen 4 zu begrenzen, um zu vermeiden, dass die grafischen Markierungen 4 zu weit von dem Durchgangsloch 1 entfernt ist und den durch den optischen Detektor erfassten Abstand zwischen den grafischen Markierungen 4 und dem Durchgangsloch 1 beeinflussen und somit die Erfassung der Lochgenauigkeit zu beeinträchtigen.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können die Isolationssäulen 21 aus Metallmaterial hergestellt sein. Das Metall hat eine hohe Festigkeit, die die Festigkeit der Isolationssäulen sicherstellen kann, um zu vermeiden, dass die Isolationssäulen brechen (crack) und die Funktion der Isolationssäulen beeinträchtigen, d.h. um zu vermeiden, dass Wasserdampf und Sauerstoff aus dem Durchgangsloch 1 in die OLED-Komponente eintreten und die Leistung der OLED-Komponente beeinflussen, wodurch der Anzeigeeffekt beeinflusst wird.
12 ist ein schematisches Strukturdiagramm eines Teils eines weiteren Isolationsbereichs in einem Anzeigefeld gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 12 umfasst der mindestens eine Kreis von Isolationssäulen 21 vier Kreise von Isolationssäulen. Die vier Kreise von Isolationssäulen sind in Abständen angeordnet. Die Mittelpunkte der Kreisen, in denen sich die vier Kreise der Isolationssäulen befinden, fallen zusammen.
In der Ausführungsform sind vier Kreise von Isolationssäulen angeordnet, um die Isolationswirkung der Isolationssäulen 21 sicherzustellen, um eine Beeinträchtigung der Leistung und Lebensdauer der OLED-Komponente zu vermeiden.
13 ist ein schematisches Strukturdiagramm eines Teils eines weiteren Isolationsbereichs eines Anzeigefeldes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 13 ist der Isolationsbereich 2 mit zwei Kreisen von Isolationssäulen 21 versehen. Jeder Kreis von Isolationssäulen 21 ist um das Durchgangsloch 1 herum angeordnet. Die grafischen Markierungen 4 befinden sich zwischen den zwei Kreisen von Isolationssäulen 21.
Im Stand der Technik werden die Abstände von dem Rand des Durchgangslochs 1 zu den Isolationssäulen 21 durch den optischen Detektor erfasst, um die Lochgenauigkeit zu bestimmen. In der vorliegenden Offenbarung sind die grafischen Markierungen 4 zwischen den zwei Kreisen von Isolationssäulen 21 angeordnet, um den Bereich der grafischen Markierungen 4 weiter einzuschränken, so dass die Abstände zwischen den grafischen Markierungen 4 und dem Durchgangsloch 1 vergleichbar mit den zuvor erfassten Abstände zwischen dem Durchgangsloch 1 und der Isolationssäulen 21 sind. In diesem Fall sind die Änderungen am Erfassungsprozess gering und es ist kein neuer Detektor erforderlich, was bequemer ist. Da der Abstand zwischen den zwei Kreisen von Isolationssäulen 21 groß ist, ist es darüber hinaus einfach, die grafischen Markierungen 4 anzuordnen.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung fällt die Mitte des Kreises, wo sich die grafischen Markierungen 4 befinden, mit der Mitte des Kreises zusammen, wo sich die Isolationssäulen 21 befinden, was das Bestimmen der Positionen der grafischen Markierungen 4 erleichtert.
14 ist ein schematisches Strukturdiagramm noch eines weiteren Isolationsbereichs eines Anzeigefeldes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 14, umfasst der Kreis von Isolationssäulen 21, der näher an dem Durchgangsloch 1 in den beiden Kreisen von Isolationssäulen 21 liegt, fünf Kreise von Isolationsuntersäulen 211, wobei die fünf Kreise von Isolationsuntersäulen 211 in Abständen angeordnet sind, und die Kreise, in denen die fünf Kreise von Isolationsuntersäulen 211 jeweils angeordnet sind, konzentrisch sind. Eine Breite der Isolationsuntersäule 211 in einer radialen Richtung ist geringer als eine Breite der Isolationssäule 21 in der radialen Richtung, und ein Abstand zwischen zwei benachbarten Kreisen von Isolationsuntersäulen 211 geringer als ein Abstand von zwei benachbarten Kreisen von Isolationssäulen 21 ist.
In dieser Ausführungsform sind die Isolationssäulen in der Nähe der Durchgangsloch 1 als fünf Kreise von Isolationsuntersäulen 211 angeordnet. Da alle diese fünf Kreise von Isolationsuntersäulen 211 eine Isolationswirkung haben, die Isolationswirkung der Isolationssäulen in der Nähe des Durchgangslochs 1 können verstärkt werden, wodurch verhindert wird, dass lichtemittierende Materialien, Wasserdampf und Sauerstoff leicht aus dem Durchgangsloch 1 in die OLED-Komponente eindringen.
Wie in 14 gezeigt, ist der Isolationsbereich 2 mit mindestens einem Kreis von Abstandshaltern 22 versehen. Der mindestens eine Kreis von Abstandshaltern 22 ist um das Durchgangsloch herum angeordnet. Der mindestens eine Kreis von Abstandshaltern (Photo Spacer, kurz: PS) 22 befindet sich zwischen zwei Kreisen von Isolationssäulen 21.
In der Ausführungsform sind Abstandshalter 22 in dem Isolationsbereich 2 bereitgestellt. Die Abstandshalter 22 spielen einerseits eine tragende Rolle, wie zum Beispiel das Abstützen des Anzeigesubstrats und der Abdeckplatte, und können andererseits zur Steuerung des Zellenabstandes des Anzeigefeldes.
Gleichzeitig kann der Abstandshalter 22 auch ein Verkapselungsmaterial in der Verkapselungsschicht blockieren, um zu vermeiden, dass das Verkapselungsmaterial aus dem Durchgangsloch 1 überläuft, wenn die Verkapselungsschicht hergestellt wird.
Wie in 14 gezeigt, ist der Isolationsbereich 2 mit zwei Kreisen von Abstandshaltern 22 versehen. Projektionen der grafischen Markierungen 4 auf einer ersten Ebene überlappen zumindest teilweise mit Projektionen der zwei Kreise von Abstandshaltern 22 auf der ersten Ebene. Die erste Ebene ist die Ebene, in der die Oberfläche des Anzeigefeldes liegt.
In der Ausführungsform sind zwei Kreise von Abstandshaltern 22 angeordnet, um die Isolationswirkung der Abstandshalter 22 sicherzustellen. Gleichzeitig überlappen die Projektionen der grafischen Markierungen 4 zumindest teilweise mit Projektionen der zwei Kreise von Abstandshaltern 22 auf der ersten Ebene, um sicherzustellen, dass sich die grafischen Markierungen 4 zwischen den beiden Kreisen von Isolationssäulen 21 befinden.
15 ist ein schematisches Strukturdiagramm eines Teils eines Anzeigefeldes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 15 können auch blockförmige Abstandshalter 22 im Isolationsbereich angeordnet sein. Die Abstandshalter 22 können auch verwendet werden, um die Verkapselungsschicht 100 zu stützen, um so die Planarisierung des Anzeigefeldes sicherzustellen.
Wie in 15 gezeigt, überlappen die Projektion des blockförmigen Abstandshalters 22 auf der ersten Ebene zumindest teilweise mit der Projektion der Gateleitungen im Isolationsbereich auf der ersten Ebene.
Wie in 15 gezeigt, umfast das Anzeigefeld ferner eine Vielzahl von Adaptern 6. Die Adapter 6 befinden sich in dem Anzeigebereich. Die Adapter 6 befinden sich in der Nähe des Isolationsbereichs 2. Der Adapter 6 fungiert beispielsweise als Brücke, indem er die Datenleitung der ersten Source-Drain-Schicht von der ersten Source-Drain-Schicht zur zweiten Source-Drain-Schicht überspringt.
Wie in 15 gezeigt, können die oben erwähnten Gateleitungen 3311 und Datenleitungen 352, wenn sie durch das Durchgangsloch 1 verlaufen, um das Durchgangsloch 1 herum geführt werden, um sicherzustellen, dass sie nicht durch den Isolationsbereich 2 getrennt werden.
Wie in 15 gezeigt, befinden sich die zweite Stromquellensignalleitung 351 und die Datenleitung 352, die in der vertikalen Richtung ausgerichtet sind, in der Source-Drain-Schicht, und die Gateleitung 3311, die erste Signalleitung 3314, die zweite Signalleitung 3322 und das erste Stromquellensignalleitung 3324, die in der horizontalen Richtung ausgerichtet, befinden sich in der Gate-Schicht.
Wenn in der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zwei Source-Drain-Schichten angeordnet sind, befinden sich die zweite Stromquellensignalleitung 351 und die Datenleitung 352 jeweils in unterschiedlichen Source-Drain-Schichten. Wenn die zweite Stromquellensignalleitung 351 und die Datenleitung 352 um den Isolationsbereich herum angeordnet sind, kann die Fläche der zweiten Stromquellensignalleitung 351 und der Datenleitung 352, die um den Isolationsbereich gebogen sind, verringert werden, wodurch die Herstellungsschwierigkeiten verringert werden. Gleichzeitig kann, wie oben beschrieben, ein Teil der Datenleitung auch auf die zweite Source-Drain-Schicht gesprungen, wodurch die Fläche zum Führen in dem Isolationsbereich 2 weiter verringert wird.
Wie in 15 gezeigt, ist der Bereich zwischen dem Durchgangsloch 1 und dem äußersten bogenförmigen Weg, der um das Durchgangsloch 1 herum angeordnet ist, der Isolationsbereich 2.
Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung stellen auch ein Verfahren zum Herstellen eines Anzeigefelds bereit. 16 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen eines Anzeigefelds gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt. Unter Bezugnahme auf 16 umfasst das Verfahren die folgenden Schritte.
In Schritt S10 werden mindestens zwei grafische Markierungen in einem Isolationsbereich hergestellt, wobei die mindestens zwei grafischen Markierungen in Abständen angeordnet sind.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst das Verfahren zum Herstellen eines Anzeigefelds die folgenden Schritte.
Im ersten Schritt wird ein Basissubstrat bereitgestellt. Das Basissubstrat kann ein Glassubstrat sein, um die Festigkeit und Lichtdurchlässigkeit des Basissubstrats sicherzustellen.
Im zweiten Schritt wird auf dem Basissubstrat eine Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht hergestellt. Die Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht kann eine Laminierung umfassen, die aus einer Polyimidschicht und einer anorganischen Filmschicht gebildet ist, um die wasser- und sauerstoffdichte Wirkung sicherzustellen.
Im dritten Schritt wird eine Dünnfilmtransistor-Array-Schicht auf der Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht gebildet. Die grafische Markierungen können in der Dünnfilmtransistor-Array-Schicht in dem Isolationsbereich angeordnet sein. Die spezifische Struktur der grafischen Markierung kann auf die obige Beschreibung verwiesen werden.
Dieser Schritt kann umfassen: sequentielles Bilden einer aktiven Schicht, einer Gate-Isolierschicht, einer Gate-Schicht, einer Isolierschicht und einer Source-Drain-Schicht auf der Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht. Beispielsweise können die grafischen Markierungen in der aktiven Schicht oder der Gate-Schicht in dem Isolationsbereich angeordnet sein.
Im vierten Schritt werden eine erste Planarisierungsschicht, eine Anodenschicht, eine Pixeldefinitionsschicht, eine organische lichtemittierende Schicht, eine Kathodenschicht, eine zweite Planarisierungsschicht und eine Verkapselungsschicht nacheinander auf dem Dünnfilmtransistor-Array-Schicht gebildet.
In Schritt S20 wird ein Durchgangsloch in dem Anzeigefeld vorgesehen. Der Isolationsbereich befindet sich um das Durchgangsloch herum und der Isolationsbereich befindet sich zwischen dem Durchgangsloch und dem Anzeigebereich. Mindestens zwei grafische Markierungen werden verwendet, um die Lochgenauigkeit des Durchgangslochs zu erfassen.
Beispielhaft kann das Durchgangsloch mit Hilfe eines Laserverfahrens vorgesehen werden, so dass das wie in 3 gezeigte Anzeigefeld bilden kann.
Beispielhaft kann die Anzahl der grafischen Markierungen vier beträgen. Die vier grafischen Markierungen sind in zwei Paaren aufgeteilt. Eine Verbindungslinie eines Paars grafischer Markierungen und eine Verbindungslinie des anderen Paars grafischer Markierungen halbieren einander senkrecht. Die Lochgenauigkeit des Anzeigefeldes wird anhand der Abständen zwischen den vier grafischen Markierungen und dem Durchgangsloch bestimmt, wodurch die Genauigkeit der später Erfassung der Lochgenauigkeit erhöht.
Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung stellen auch ein Verfahren zum Erfassen der Lochgenauigkeit eines Anzeigefeldes bereit. 17 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Erfassen der Lochgenauigkeit eines Anzeigefeldes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt. Unter Bezugnahme auf 17 umfasst das Verfahren die folgenden Schritte.
In Schritt S1 wird ein Bild des Anzeigefeldes durch einen optischen Detektor aufgenommen. Das Anzeigefeld umfasst ein Durchgangsloch, einen Isolationsbereich und einen Anzeigebereich. Der Isolationsbereich liegt zwischen dem Durchgangsloch und dem Anzeigebereich. Der Isolationsbereich umfasst mindestens zwei grafische Markierungen zum Erfassen der Lochgenauigkeit des Durchgangslochs. Die mindestens zwei grafischen Markierungen sind um das Durchgangsloch herum in Abständen angeordnet. Das vom optischen Detektor aufgenommene Bild enthält die grafischen Markierungen und das Durchgangsloch.
Beispielhaft kann der optische Detektor beim Erfassen der Lochgenauigkeit das Bild des Anzeigefeldes von der Seite des Basissubstrats aufnehmen. Das Basissubstrat ist transparent und schirmt die grafischen Markierungen und das Durchgangsloch nicht ab, was die Klarheit des Bildes sicherstellt.
In Schritt S2 werden Mindestabstände zwischen einem Rand des Durchgangslochs und jeder der grafischen Markierungen auf dem Bild bestimmt.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung werden die grafischen Markierungen und das Durchgangsloch im Bild positioniert, dann wird der Mindestabstand zwischen den grafischen Markierungen und dem Rand des Durchgangslochs bestimmt. Dieser Mindestabstand wird als Abstand zwischen der grafischen Markierung und dem Durchgangsloch angenommen.
Beispielhaft wird, wenn mehrere Grafischen Markierungen in dem Anzeigefeld angeordnet sind, der Mindestabstand von jeder Grafischen Markierung zum Rand des Durchgangslochs bestimmt.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Erkennung der Position erfolgen, indem zunächst Bilder mit der grafischen Markierung für das Modelltraining verwendet werden und dann das trainierte Modell für die Erkennung verwendet wird, wodurch sichergestellt wird, dass der optische Detektor die Position der grafischen Markierung genau erkennen kann.
In Schritt S3 wird die Lochgenauigkeit gemäß den Mindestabständen zwischen dem Rand des Durchgangslochs und jeder der grafischen Markierungen bestimmt.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung werden Differenzwerte bestimmt, indem jeder der obigen Mindestabstände mit einem Soll-Abstand verglichen wird. Wenn der Differenzwert zwischen dem Mindestabstand und dem Soll-Abstand innerhalb eines Fehlerbereichs liegt, erfüllt die Lochgenauigkeit die Anforderungen und das Anzeigefeld ist zur Verwendung geeignet. Wenn der Differenzwert zwischen dem Mindestabstand und dem Soll-Abstand nicht innerhalb des Fehlerbereichs liegt, ist die Lochgenauigkeit des Anzeigefeldes gering, was die Empfindlichkeit der Vorrichtungen im Durchgangsloch 1 beeinträchtigt, und das Anzeigefeld ist für die Inbetriebnahme nicht geeignet.
Beispielhaft werden Differenzwerte bestimmt, indem jeder der obigen Mindestabstände mit einem Soll-Abstand verglichen wird. Nur wenn alle Differenzwerte zwischen jedem Mindestabstand und dem Soll-Abstand innerhalb des Fehlerbereichs liegen, erfüllt die Lochgenauigkeit die Anforderungen, dadurch die Erkennungsgenauigkeit verbessert wird.
Grafische Markierungen sind um das Durchgangsloch des Anzeigefeldes herum angeordnet. Da die grafischen Markierungen klare Muster aufweisen, ist es für einen optischen Detektor bequem, die grafischen Markierungen zu positionieren, wenn Lochgenauigkeit erfasst wird. Der optische Detektor kann Abstände zwischen jeder grafischen Markierung und dem Durchgangsloch erfassen, so dass der zwischen der grafischen Markierung und dem Durchgangsloch erfasste Abstand genauer ist, was die Genauigkeit der erfassten Lochgenauigkeit verbessert.
Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung stellen auch eine Anzeigevorrichtung bereit, die ein in einer der obigen Ausführungsformen beschriebene Anzeigefeld umfasst.
In der konkreten Umsetzung kann die Anzeigevorrichtung, die durch die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, ein Mobiltelefon, ein Tablet-Computer, ein Fernsehgerät, ein Monitor, ein Laptop, ein digitaler Fotorahmen, ein Navigationsgerät oder ein anderes Produkt oder eine Komponente mit einer Anzeigefunktion sein.
Die vorstehenden Ausführungen stellen nur die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung dar und sollen die vorliegende Offenbarung nicht einschränken. Jegliche Modifikationen, gleichwertige Ersetzungen, Verbesserungen und dergleichen, die im Rahmen des Geistes und der Grundsätze der vorliegenden Offenbarung vorgenommen wird, soll in den Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung eingeschlossen sein.

Claims

Anzeigefeld, dadurch gekennzeichnet, dass das Anzeigefeld ein Durchgangsloch, einen Isolationsbereich und einen Anzeigebereich umfasst, wobei der Isolationsbereich das Durchgangsloch umgibt und zwischen dem Durchgangsloch und dem Anzeigebereich liegt, und wobei der Isolationsbereich mindestens zwei grafische Markierungen zum Erfassen der Lochgenauigkeit des Durchgangslochs umfasst, und die mindestens zwei grafischen Markierungen um das Durchgangsloch herum in Abständen angeordnet sind.
Anzeigefeld nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Anzeigefeld ein Basissubstrat, eine Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht und eine Dünnfilmtransistor-Array-Schicht umfasst, die nacheinander gestapelt sind; wobei sich die grafischen Markierungen in der Dünnfilmtransistor-Array-Schicht in dem Isolationsbereich befinden.
Anzeigefeld nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Dünnfilmtransistor-Array-Schicht eine aktive Schicht, eine Gate-Isolierschicht, eine Gate-Schicht, eine Isolierschicht und eine Source-Drain-Schicht umfasst, die nacheinander auf der Wasser-Sauerstoff-Sperrschicht gestapelt sind; wobei sich die grafischen Markierungen in der aktiven Schicht oder in der Gate-Schicht befinden.
Anzeigefeld nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die grafischen Markierungen eine „T“-Form oder eine „X“-Form haben.
Anzeigefeld nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die grafischen Markierungen eine „T“-Form haben, die mit einem ersten Verbindungsabschnitt und einem zweiten Verbindungsabschnitt versehen ist, wobei der erste Verbindungsabschnitt senkrecht zum zweiten Verbindungsabschnitt ist, der erste Verbindungsabschnitt mit einem mittleren Teil des zweiten Verbindungsabschnitts verbunden ist, der zweite Verbindungsabschnitt zwischen dem ersten Verbindungsabschnitt und dem Durchgangsloch liegt und gerade Linien, auf denen sich die ersten Verbindungsabschnitte der mindestens zwei grafischen Markierungen befinden, sich in einem Punkt schneiden.
Anzeigefeld nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Anzahl der grafischen Markierungen im Bereich von zwei bis sechs liegt und die grafischen Markierungen in dem Isolationsbereich gleichmäßig in Abständen angeordnet sind.
Anzeigefeld nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Anzahl der grafischen Markierungen vier beträgt, und die vier grafischen Markierungen in zwei Paaren aufgeteilt sind, wobei eine Verbindungslinie eines Paares von grafischen Markierungen und eine Verbindungslinie des anderen Paares von grafischen Markierungen einander senkrecht halbieren.
Anzeigefeld nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die vier grafischen Marken in einer kreisförmigen Anordnung um einen Mittelpunkt herum verteilt sind.
Anzeigefeld nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Isolationsbereich mit mindestens einem Kreis von Isolationssäulen versehen ist, wobei jeder Kreis von Isolationssäulen um das Durchgangsloch herum angeordnet ist und die grafischen Markierungen zwischen dem Kreis der Isolationssäulen, der dem Durchgangsloch am nächsten ist, und dem Durchgangsloch liegen.
Anzeigefeld nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine Kreis von Isolationssäulen vier Kreise von Isolationssäulen umfasst, wobei die vier Kreise von Isolationssäulen in Abständen angeordnet sind und die Kreise, in denen die vier Kreise von Isolationssäulen jeweils angeordnet sind, konzentrisch sind.
Anzeigefeld nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, der Isolationsbereich mit zwei Kreisen von Isolationssäulen versehen ist, wobei jeder Kreis von Isolationssäulen um das Durchgangsloch herum angeordnet ist und die grafischen Markierungen zwischen den beiden Kreisen von Isolationssäulen liegen.
Anzeigefeld nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Kreis von Isolationssäulen, der näher an dem Durchgangsloch in den beiden Kreisen von Isolationssäulen liegt, fünf Kreise von Isolationsuntersäulen umfasst, wobei die fünf Kreise von Isolationsuntersäulen in Abständen angeordnet sind, und die Kreise, in denen die fünf Kreise von Isolationsuntersäulen jeweils angeordnet sind, konzentrisch sind, und wobei eine Breite der Isolationsuntersäule in einer radialen Richtung geringer als eine Breite der Isolationssäule in der radialen Richtung ist, und ein Abstand zwischen zwei benachbarten Kreisen von Isolationsuntersäulen geringer als ein Abstand von zwei benachbarten Kreisen von Isolationssäulen ist.
Anzeigefeld nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Isolationsbereich mit mindestens einem Kreis von Abstandshaltern versehen ist, wobei der mindestens eine Kreis von Abstandshaltern um das Durchgangsloch herum angeordnet ist und der mindestens eine Kreis von Abstandshaltern zwischen den beiden Kreisen von Isolationssäulen liegt.
Anzeigefeld nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Isolationsbereich mit zwei Kreisen von Abstandshaltern versehen ist, wobei Projektionen der grafischen Markierungen auf einer ersten Ebene zumindest teilweise mit Projektionen der beide Kreise von Abstandshaltern auf der ersten Ebene überlappt, und die erste Ebene eine Ebene ist, in der sich eine Oberfläche des Anzeigefeldes befindet.
Anzeigefeld nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Gate-Schicht des Anzeigefeldes eine Gateleitung, eine erste Signalleitung, eine zweite Signalleitung und eine erste Stromquellensignalleitung umfasst, und die Source-Drain-Schicht des Anzeigefeldes eine zweite Stromquellensignalleitung und eine Datenleitung umfasst; und wobei in dem Isolationsbereich die Gateleitung, die erste Signalleitung, die zweite Signalleitung, die erste Stromquellensignalleitung, die zweite Stromquellensignalleitung und die Datenleitung alle um das Durchgangsloch herum angeordnet sind.
Anzeigefeld nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Isolationsbereich ferner einen blockförmigen Abstandshalter umfasst, wobei eine Projektion des blockförmigen Abstandshalters auf eine erste Ebene zumindest teilweise mit einer Projektion der Gateleitung des Isolationsbereichs auf die erste Ebene überlappt, und die erste Ebene eine Ebene ist, in der sich eine Oberfläche des Anzeigefeldes befindet.
Verfahren zur Herstellung eines Anzeigefeldes, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren umfasst: Herstellen von mindestens zwei grafischen Markierungen in einem Isolationsbereich, wobei die mindestens zwei grafischen Markierungen in Abständen angeordnet sind; und Vorsehen eines Durchgangslochs in dem Anzeigefeld, wobei der Isolationsbereich das Durchgangsloch umgibt und zwischen dem Durchgangsloch und einem Anzeigebereich liegt, und wobei die mindestens zwei grafischen Markierungen zur Erfassung der Lochgenauigkeit des Durchgangslochs vorgesehen sind.
Verfahren zur Herstellung eines Anzeigefeldes nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Anzahl der grafischen Markierungen vier beträgt, die vier grafischen Markierungen in zwei Paaren aufgeteilt sind und eine Verbindungslinie eines Paares von grafischen Markierungen und eine Verbindungslinie des anderen Paares von grafischen Markierungen einander senkrecht halbieren.
Verfahren zum Erfassen der Lochgenauigkeit eines Anzeigefeldes, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren umfasst: Aufnehmen eines Bildes des Anzeigefeldes mit einem optischen Detektor, wobei das Anzeigefeld ein Durchgangsloch, einen Isolationsbereich und einen Anzeigebereich umfasst, wobei der Isolationsbereich um das Durchgangsloch herum angeordnet ist, wobei der Isolationsbereich zwischen dem Durchgangsloch und dem Anzeigebereich angeordnet ist, wobei der Isolationsbereich mindestens zwei grafische Markierungen zum Erfassen der Lochgenauigkeit des Durchgangslochs umfasst, und die mindestens zwei grafischen Markierungen um das Durchgangsloch herum in Abständen angeordnet sind, und wobei das vom optischen Detektor aufgenommene Bild die grafischen Markierungen und das Durchgangsloch umfasst; Bestimmen von Mindestabständen zwischen einem Rand des Durchgangslochs und jeder der grafischen Markierungen auf dem Bild; und Bestimmen der Lochgenauigkeit entsprechend den Mindestabständen zwischen dem Rand des Durchgangslochs und jeder der grafischen Markierungen.
Anzeigevorrichtung mit eines Anzeigefeldes nach einem der Ansprüche 1 bis 16.