DE112019007051T5 - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung - Google Patents

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Abstract

Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung weist auf: einen Schritt zur Materialvorbereitung, um eine Metallschicht (23) auf einer vorderseitigen Oberfläche eines stabförmigen Unterbaustabkörpers (22) auszubilden, die einem Halbleiterlaserstab (3) zugewandt ist, auf dem eine vorderseitige Elektrode (15a) und eine rückseitige Elektrode (15b) ausgebildet sind, um einen Unterbaustab (21) vorzubereiten, auf dem der Halbleiterlaserstab (3) montiert werden soll; einen Schritt zur Installation mit Montagevorrichtung, um den Unterbaustab (21) und den Halbleiterlaserstab (3), die in einer Vielzahl angeordnet sind, auf einer Montagevorrichtung (40) zur Installation abwechselnd gestapelt zu installieren; einen Bonding-Schritt, um die Metallschicht (23) und die rückseitige Elektrode (15b) miteinander zu verbinden, indem die Temperatur der Montagevorrichtung (40) zur Installation erhöht wird; und einen Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms, um einen Schutzfilm (19) auf gespaltenen Endflächen (14) des Halbleiterlaserstabs (3) in einer Vorrichtung (60) zum Ausbilden eines Schutzfilms unter Verwendung der Montagevorrichtung (40) zur Installation, in der der Unterbaustab (21) und der Halbleiterlaserstab (3), die in einer Vielzahl vorgesehen sind, installiert sind, nach dem Bonding-Schritt auszubilden.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Anmeldung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung, bei dem ein Schutzfilm auf einer Endfläche des Halbeiterlasers ausgebildet wird.
  • Hintergrundtechnik
  • Auf einen Halbleiterlaser, in dem ein optischer Resonator parallel zum Halbleitersubstrat ausgebildet ist und der Licht von seiner gespaltenen Endfläche emittiert, wird als kantenemittierender Laser verwiesen. Da der Reflexionsgrad des kantenemittierenden Lasers für eine Laseroszillation eingestellt werden muss, muss ein Schutzfilm, der aus einem Oxidfilm wie etwa Al2O3, SiO2 oder einem Nitridfilm wie etwa SiN oder dergleichen besteht, auf der gespaltenen Endfläche ausgebildet werden. Ein Halbleiterlaser weist einen oder mehrere lichtemittierende Bereiche, wo Laserlicht emittiert wird, auf.
  • Um einen Schutzfilm auf den gespaltenen Endflächen eines Halbleiterlaserstabs, der ein stabförmiger Halbleiterlaser ist, auszubilden, ist es notwendig, den Halbleiterlaserstab in einer Montagevorrichtung zu installieren. Falls nur eine Vielzahl von Halbleiterlaserstäben in der Montagevorrichtung installiert wird, wird auf jeden Stab eine Spannung ausgeübt, und außerdem bewirkt ein Temperaturanstieg während der Ausbildung des Schutzfilms, das die Elektroden benachbarter Halbleiterlaserstäbe aneinander gebondet bzw. miteinander verbunden werden. Falls die Halbleiterlaserstäbe aneinander gebondet werden, können die Halbleiterlaserstäbe, nachdem der Schutzfilm ausgebildet ist, nicht getrennt werden. Um dieses Problem zu lösen, werden Abstandshalter zwischen den benachbarten Halbleiterlaserstäben bei der Installation der Halbleiterlaserstäbe eingefügt (siehe 5 von Patentdokument 1). Bei dem in 5 von Patentdokument 1 dargestellten Verfahren zur Ausbildung eines Schutzfilms wird die Vielzahl von Halbleiterlaserstäben an einer aus einem Trägergestell und einer Befestigungsvorrichtung bestehenden Montagevorrichtung zur Installation befestigt, wobei Abstandshaltern entsprechende Ausrichtungsvorrichtungen mit Elektrodenoberflächen der Halbleiterlaserstäbe in Kontakt gebracht werden. Da die Temperatur während der Ausbildung eines Schutzfilms ansteigt, werden auch in diesem Fall Zwischenräume zwischen den Halbleiterlaserstäben und den Abstandshaltern erzeugt und dringen Schutzfilmteilchen in diese Zwischenräume ein und haften an den Elektrodenoberflächen der Halbleiterlaserstäbe.
  • Im Allgemeinen wird, nachdem der Schutzfilm auf den gespaltenen Endflächen des Halbleiterlaserstabs ausgebildet ist, der Halbleiterlaserstab für jeden der lichtemittierenden Bereiche als ein Halbleiterlaser geschnitten und wird der Halbleiterlaser unter Verwendung eines Lots an einem Unterbau befestigt und montiert. Wenn jedoch der Schutzfilm an der Elektrodenoberfläche des Halbleiterlasers haftet, wird die Benetzbarkeit des Lots schlecht, was eine nicht verbundene Fläche zwischen dem Unterbau und der Elektrodenoberfläche (Elektrodenoberfläche auf der Rückseite) des Halbleiterlasers, die dem Unterbau zugewandt ist, zur Folge hat. Falls es eine nicht verbundene Fläche zwischen dem Unterbau und dem Halbleiterlaser gibt, wird die Wärmeableitung der während einer Ansteuerung des Halbleiterlasers erzeugten Wärme reduziert und verschlechtert sich somit der Halbleiterlaser. Im Halbleiterlaser ist die Elektrodenoberfläche (Elektrodenoberfläche auf der Vorderseite) auf der Seite, die der dem Unterbau zugewandten Oberfläche gegenüberliegt, durch Drähte oder dergleichen mit einer externen Elektrode etc. verbunden.
  • Patentdokument 1 offenbart ein Verfahren, um zu verhindern, dass der Schutzfilm an der Oberfläche einer Elektrode haftet, die auf einem Unterbau ausgebildet ist, worauf ein Halbleiterlaser montiert wird. In dem in 3 von Patentdokument 1 dargestellten Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms wird, nachdem die Endflächen des Halbleiterlasers durch Spaltung ausgebildet sind, der Halbleiterlaser für jeden lichtemittierenden Bereich in Halbleiterlaserchips getrennt, werden die Elektrodenoberfläche auf der Rückseite des Halbleiterlaserchips und der Die-Bonding-Teilbereich des Unterbaus befestigt und werden die Elektrode auf der Vorderseite des Halbleiterlasers und die erste vorderseitige Elektrode des Unterbaus mit Draht gebondet. Danach werden die Unterbauten auf einem Metallträger nebeneinander angeordnet, wird die mit dem Die-Bonding-Teilbereich des Unterbaus verbundene zweite vorderseitige Elektrode mit einer wärmebeständigen Folie bedeckt und wird mittels einer Sputter-Vorrichtung oder einer Vorrichtung zur Gasphasenabscheidung ein Schutzfilm auf den gespaltenen Endflächen des Halbleiterlasers ausgebildet.
  • Zitatliste
  • Patentdokument
  • Patentdokument 1: offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. H8-18150 (3, 5)
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Durch die Erfindung zu lösende Probleme
  • Die Endfläche des kantenemittierenden Lasers wird durch Spalten gebildet; da aber die Spaltung im Allgemeinen an der Luft durchgeführt wird, beginnt unmittelbar nach der Spaltung eine natürliche Oxidation der gespaltenen Endfläche. Insbesondere ist bekannt, dass für kantenemittierende Laser, die aus einem auf GaAs und AlGaAs basierenden Material geschaffen sind, die Oxidation der gespaltenen Endfläche bewirkt, das viele Grenzflächenzustände an der Grenzfläche zwischen dem danach zu bildenden Schutzfilm und der gespaltenen Endfläche auftreten. Das Vorhandensein der Grenzflächenzustände verringert die Bandlücke des emittierenden Bereichs (Bereichs der aktiven Schicht), und somit wird das Laserlicht absorbiert und wird Wärme erzeugt. Wenn die Temperatur nahe der gespaltenen Endfläche ansteigt, verringert sich ferner die Bandlücke des emittierenden Bereichs (Bereichs der aktiven Schicht), was eine positive Rückkopplung verursacht, die die Menge an absorbiertem Licht erhöht. Infolgedessen tritt eine Verschlechterung aufgrund einer katastrophalen optischen Schädigung (COD) auf, die letztendlich zum Schmelzen der gespaltenen Endfläche führt.
  • In dem in 3 des Patentdokuments 1 dargestellten Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms kann, da die Elektrodenoberfläche auf der Rückseite des Halbleiterlasers an den Die-Bonding-Teilbereich des Unterbaus gebondet wird, bevor der Schutzfilm ausgebildet wird, und die zweite vorderseitige Elektrode des Unterbaus mit der wärmebeständigen Folie bedeckt wird, verhindert werden, dass der Schutzfilm an dem Die-Bonding-Teilbereich des Unterbaus und der mit dem Die-Bonding-Teilbereich verbundenen zweiten Elektrodenoberfläche haftet. Da das in 3 des Patentdokuments 1 dargestellte Verfahren jedoch viele Schritte zwischen der Ausbildung der gespaltenen Endflächen und der Ausbildung eines Schutzfilms erfordert, schreitet eine Oxidation der gespaltenen Endflächen fort. Deshalb weist das in 3 des Patentdokuments 1 dargestellte Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms insofern ein Problem auf, als, nachdem der Schutzfilm ausgebildet ist, viele Grenzflächenzustände an der Grenzfläche zwischen der gespaltenen Endfläche und dem Schutzfilm auftreten, was zu einer durch die Endfläche hervorgerufenen Elementverschlechterung wie etwa eine COD-Verschlechterung führt.
  • Die in der vorliegenden Anmeldung offenbarte Technologie zielt darauf ab, ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung bereitzustellen, das verhindern kann, dass der Schutzfilm an der Elektrodenoberfläche des Halbleiterlasers auf der Seite haftet, die an den Unterbau gebondet werden soll, wenn der Schutzfilm auf den gespaltenen Endflächen ausgebildet wird, und den Schutzfilm auf den gespaltenen Endflächen des Halbleiterlasers mit einem im Vergleich mit dem herkömmlichen Verfahren reduzierten natürlichen Oxidfilm ausbilden kann.
  • Mittel zum Lösen der Probleme
  • Ein Beispiel eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung, das in der Beschreibung der vorliegenden Anmeldung offenbart wird, ist ein Verfahren zum Herstellen der Halbleiterlaservorrichtung, worin ein Schutzfilm auf gespaltenen Endflächen eines Halbleiterlaserstabs, der ein stabförmiger Halbleiterlaser ist, ausgebildet wird. Der Halbleiterlaserstab weist eine vorderseitige Elektrode auf, die auf einer von den gespaltenen Endflächen verschiedenen Oberfläche ausgebildet ist, und weist eine rückseitige Elektrode auf, die auf einer der einen Oberfläche gegenüberliegenden Oberfläche ausgebildet ist. Das Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung umfasst: einen Schritt zur Materialvorbereitung, um eine Metallschicht auf einer vorderseitigen Oberfläche eines stabförmigen Unterbaustabkörpers auszubilden, die dem Halbleiterlaserstab zugewandt sein soll, um einen stabförmigen Unterbaustab vorzubereiten, auf dem der Halbleiterlaserstab montiert werden soll; einen Schritt zur Installation mit Montagevorrichtung, um den Unterbaustab und den Halbleiterlaserstab, die in einer Vielzahl angeordnet sind, abwechselnd gestapelt auf einer Montagevorrichtung zur Installation so zu installieren, dass die Metallschicht des Unterbaustabs und die rückseitige Elektrode des Halbleiterlaserstabs einander zugewandt sind; einen Bonding-Schritt, um die Metallschicht und die rückseitige Elektrode miteinander zu verbinden bzw. zu bonden, indem die Temperatur der Montagevorrichtung zur Installation erhöht wird, in der der Unterbaustab und der Halbleiterlaserstab, die in einer Vielzahl angeordnet sind, installiert sind; und einen Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms, um den Schutzfilm auf den gespaltenen Endflächen des Halbleiterlaserstabs in einer Vorrichtung zum Ausbilden eines Schutzfilms unter Verwendung der Montagevorrichtung zur Installation, in der der Unterbaustab und der Halbleiterlaserstab, die in einer Vielzahl angeordnet sind, installiert sind, nach dem Bonding-Schritt auszubilden.
  • Effekt der Erfindung
  • In einem Beispiel des Verfahrens zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung, das in der Beschreibung der vorliegenden Anmeldung offenbart wird, werden der Unterbaustab und der Halbleiterlaserstab, die in einer Vielzahl angeordnet werden, abwechselnd gestapelt und auf der Montagevorrichtung zur Installation installiert, und, nachdem die Metallschicht des Unterbaustabs und die rückseitige Elektrode des Halbleiterlaserstabs gebondet bzw. miteinander verbunden sind, wird der Schutzfilm auf den gespaltenen Endflächen des Halbleiterlaserstabs ausgebildet, so dass, wenn der Schutzfilm auf den gespaltenen Endflächen des Halbleiterlasers ausgebildet wird, eine Anhaftung des Schutzfilms an der Elektrodenoberfläche des Halbleiterlasers auf der Seite, wo der Unterbau gebondet wird, verhindert werden kann und der Schutzfilm auf den gespaltenen Endflächen des Halbleiterlasers ausgebildet werden kann, worin der natürliche Oxidfilm mehr als im herkömmlichen Verfahren reduziert wird.
  • Figurenliste
    • 1 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, das ein Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für einen Halbleiterlaser und ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung gemäß einer Ausführungsform 1 umfasst.
    • 2 ist ein Diagramm, das eine Halbleiterlaservorrichtung gemäß der Ausführungsform 1 darstellt.
    • 3 ist ein Diagramm, das eine Halbleiterlaservorrichtung gemäß der Ausführungsform 1 darstellt.
    • 4 ist eine Ansicht aus der Vogelperspektive eines Halbleiterlaserstabs gemäß der Ausführungsform 1.
    • 5 ist eine Querschnittsansicht des Halbleiterlaserstabs von 4 senkrecht zur y-Richtung.
    • 6 ist Ansicht aus der Vogelperspektive des Halbleiterlaserstabs von 2 mit dem darauf ausgebildeten Schutzfilm.
    • 7 ist eine Querschnittsansicht des Halbleiterlaserstabs von 4 senkrecht zur x-Richtung.
    • 8 ist eine Querschnittsansicht des Halbleiterlaserstabs von 6 senkrecht zur x-Richtung.
    • 9 ist eine Ansicht aus der Vogelperspektive eines Unterbaustabs von 2.
    • 10 ist eine Querschnittsansicht des Unterbaustabs von 9 senkrecht zur x-Richtung.
    • 11 ist ein Diagramm, das ein Verfahren zum Installieren des Halbleiterlaserstabs von 4 und des Unterbaustabs von 9 in einer Montagevorrichtung zur Installation veranschaulicht.
    • 12 ist ein Diagramm, das das Verfahren zum Installieren des Halbleiterlaserstabs von 4 und des Unterbaustabs von 9 in der Montagevorrichtung zur Installation veranschaulicht.
    • 13 ist ein Diagramm, das ein Verfahren zum Installieren des Halbleiterlaserstabs von 4 und des Unterbaustabs von 9 in der Montagevorrichtung zur Installation veranschaulicht.
    • 14 ist ein Diagramm, das die Montagevorrichtung zur Installation gemäß der Ausführungsform 1 darstellt.
    • 15 ist eine Seitenansicht der Montagevorrichtung zur Installation von 14 in der x-Richtung.
    • 16 ist ein Diagramm, das einen Bonding-Schritt gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht.
    • 17 ist ein Diagramm, das einen Bonding-Schritt gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht.
    • 18 ist ein Diagramm, das einen Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht.
    • 19 ist ein Diagramm, das einen Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht.
    • 20 ist ein Diagramm, das eine Halbleiterlaservorrichtung gemäß einer Ausführungsform 2 veranschaulicht.
    • 21 ist ein Diagramm, das eine Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 2 veranschaulicht.
    • 22 ist eine Ansicht aus der Vogelperspektive eines Unterbaustabs von 20.
    • 23 ist eine Querschnittsansicht des Unterbaustabs von 22 senkrecht zur x-Richtung.
    • 24 ist ein Diagramm, das ein Verfahren zum Installieren des Halbleiterlaserstabs und des Unterbaustabs von 22 in der Montagevorrichtung zur Installation veranschaulicht.
    • 25 ist ein Diagramm, das das Verfahren zum Installieren des Halbleiterlaserstabs und des Unterbaustabs von 22 in der Montagevorrichtung zur Installation veranschaulicht.
    • 26 ist ein Diagramm, das das Verfahren zum Installieren des Halbleiterlaserstabs und des Unterbaustabs von 22 in der Montagevorrichtung zur Installation veranschaulicht.
    • 27 ist ein Diagramm, das einen Bonding-Schritt gemäß der Ausführungsform 2 veranschaulicht.
    • 28 ist ein Diagramm, das einen Bonding-Schritt gemäß der Ausführungsform 2 veranschaulicht.
    • 29 ist ein Diagramm, das einen Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms gemäß der Ausführungsform 2 veranschaulicht.
    • 30 ist ein Diagramm, das einen Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms gemäß der Ausführungsform 2 veranschaulicht.
    • 31 ist ein Diagramm, das eine Halbleiterlaservorrichtung gemäß einer Ausführungsform 3 veranschaulicht.
    • 32 ist ein Diagramm, das eine Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 3 veranschaulicht.
    • 33 ist eine Ansicht aus der Vogelperspektive eines Halbleiterlaserstabs gemäß der Ausführungsform 3.
    • 34 ist eine Querschnittsansicht des Halbleiterlaserstabs von 33 senkrecht zur y-Richtung.
    • 35 ist ein Diagramm, das eine Oberflächenelektrodenschicht von 34 darstellt.
    • 36 ist eine Ansicht aus der Vogelperspektive eines Unterbaustabs von 31.
    • 37 ist ein Diagramm, das eine Metallschicht auf der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabs von 36 darstellt.
  • Modi zum Ausführen der Erfindung
  • Ausführungsform 1
  • Ein Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für einen Halbleiterlaser, ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung, ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, eine Halbleiterlaservorrichtung 20 und eine Halbleitervorrichtung 50 gemäß einer Ausführungsform 1 werden mit Verweis auf die Zeichnungen beschrieben. Die gleichen oder entsprechenden Komponenten sind mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet, und eine wiederholte Beschreibung kann unterlassen werden. 1 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, das ein Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für einen Halbleiterlaser und ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung gemäß der Ausführungsform 1 einschließt. 2 ist ein Diagramm, das eine Halbleiterlaservorrichtung gemäß der Ausführungsform 1 darstellt, und 3 ist ein Diagramm, das eine Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 1 darstellt. 4 ist eine Ansicht aus der Vogelperspektive eines Halbleiterlaserstabs gemäß der Ausführungsform 1, und 5 ist eine Querschnittsansicht des Halbleiterlaserstabs von 4 senkrecht zur y-Richtung. 6 ist eine Ansicht aus der Vogelperspektive des Halbleiterlaserstabs von 2 mit einem darauf ausgebildeten Schutzfilm. 7 ist eine Querschnittsansicht des Halbleiterlaserstabs von 4 senkrecht zur x-Richtung, und 8 ist eine Querschnittsansicht des Halbleiterlaserstabs von 6 senkrecht zur x-Richtung. 9 ist eine Ansicht aus der Vogelperspektive eines Unterbaustabs von 2, und 10 ist eine Querschnittsansicht des Unterbaustabs von 9 senkrecht zur x-Richtung. 11, 12 und 13 sind jeweils Diagramme, die ein Verfahren zum Installieren des Halbleiterlaserstabs von 4 und des Unterbaustabs von 9 in einer Montagevorrichtung zur Installation veranschaulichen. 14 ist ein Diagramm, das die Montagevorrichtung zur Installation gemäß der Ausführungsform 1 darstellt, und 15 ist eine Seitenansicht der Montagevorrichtung zur Installation von 14 in der x-Richtung. 16 und 17 sind jeweils Diagramme, die einen Bonding-Schritt gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulichen. 18 und 19 sind jeweils Diagramme, die einen Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulichen.
  • Eine Halbleiterlaservorrichtung 20 umfasst einen Halbleiterlaserstab 33, der ein stabförmiger Halbleiterlaser mit einem auf gespaltenen Endflächen 14 ausgebildeten Schutzfilm 19 ist, und einen Unterbaustab 21, der ein stabförmiger Unterbau mit einem Hauptkörper und einer Metallschicht 23 ist. Der Hauptkörper des Unterbaustabs 21 ist ein Unterbaustabkörper 22. Der Halbleiterlaserstab 33 weist einen Halbleiterstrukturteil 16, in dem eine Vielzahl lichtemittierender Bereiche 18 ausgebildet ist. eine Elektrode 15a auf einer Oberflächenseite, die auf einer Oberfläche des Halbleiterstrukturteils 16 (oder der Oberfläche, die der dem Unterbaustab 21 zugewandten Oberfläche gegenüberliegt) ausgebildet ist, eine rückseitige Elektrode 15b, die auf der rückseitigen Oberfläche des Halbleiterstrukturteils 16 (der Oberfläche, die dem Unterbauteilstab 21 zugewandt ist) ausgebildet ist, und einen auf den gespaltenen Endflächen 14 ausgebildeten Schutzfilm 19 auf. Jede der vorderseitigen Elektrode 15a und der rückseitigen Elektrode 15b ist auf einer von den gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterstrukturteils 16 verschiedenen Oberfläche ausgebildet. Die Bezugsziffer 3 bezeichnet den Halbleiterlaserstab, der keinen auf den gespaltenen Endflächen 14 ausgebildeten Schutzfilm 19 aufweist. Die Halbleitervorrichtung 50 umfasst den Halbleiterlaserstab 33 und den Unterbaustab 21, die die Halbleiterlaservorrichtung 20 bilden, und einen Block 51 mit einem Blockhauptkörper 52 und einer Metallschicht 53. Die Metallschicht 53 besteht aus Gold oder dergleichen. Die Metallschicht 53 ist auf der Oberfläche des Blockhauptkörpers 52 (der dem Unterbaustab 21 zugewandten Oberfläche) ausgebildet, und die Halbleiterlaservorrichtung 20 wird auf dem Block 51 montiert, indem sie mit einem Lot 24, das ein Hartlotmaterial ist, daran befestigt wird. Das Koordinatensystem der Halbleiterlaservorrichtung 20 und der Halbleitervorrichtung 50 wird hier beschrieben. Die longitudinale Richtung und die laterale Richtung des Halbleiterlaserstabs 3 oder 33 sind auf die x-Richtung bzw. die y-Richtung festgelegt, und die Richtung von der rückseitigen Elektrode 15b zur vorderseitigen Elektrode 15a des Halbleiterlaserstabs 3 oder 33 ist auf die z-Richtung festgelegt.
  • Unter Bezugnahme auf 1 werden ein Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser, ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung beschrieben. In Schritt S001 werden der Unterbaustab 21 und der Halbleiterlaserstab 3, die in einer Stabform ausgebildet sind, vorbereitet (Schritt zur Materialvorbereitung). In Schritt S002 werden der Halbleiterlaserstab 3 und der Unterbaustab 21, die in einer Vielzahl angeordnet werden, auf einer Montagevorrichtung 40 zur Installation abwechselnd gestapelt und installiert (Schritt zur Installation mit Montagevorrichtung). In Schritt S003 wird die Montagevorrichtung 40 zur Installation, in der der Halbleiterlaserstab 3 und der Unterbaustab 21 befestigt sind, in einer Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche installiert, um den Schutzfilm 19 auszubilden, und der Halbleiterlaserstab 3 und der Unterbaustab 21 werden verbunden bzw. gebondet (Bonding-Schritt). In Schritt S004 wird der Schutzfilm 19 auf den gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterlaserstabs 3 in der Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche ausgebildet (Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms). In Schritt S005 wird die Montagevorrichtung 40 zur Installation aus der Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche entnommen, und die Halbleiterlaservorrichtung 20 mit dem Halbleiterlaserstab 33 mit dem auf den gespaltenen Endflächen 14 ausgebildeten Schutzfilm 19 wird einzeln aus der Montagevorrichtung 40 zur Installation entnommen (Schritt zum Entladen einer Halbleiterlaservorrichtung). Schritt S001 bis Schritt S005 sind ein Verfahren zum Herstellen der Halbleiterlaservorrichtung 20, das heißt das Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung. Wenn ein Produkt unter Verwendung der Halbleiterlaservorrichtung 20 hergestellt wird, wird, da es nachfolgende Schritte gibt, auf das Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung von Schritt S001 bis zum Schritt S005 als Schritt zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung verwiesen. Im Schritt S006 wird die hergestellte Halbleiterlaservorrichtung 20 an dem Block 51 befestigt und darauf montiert, um die Halbleitervorrichtung 50 herzustellen (Schritt zur Blockmontage). Schritt S001 bis Schritt S006 sind ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, um die Halbleitervorrichtung 50 herzustellen. Schritt S002 bis zum Schritt S004 sind ein Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser. Man beachte, dass das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung den Schritt zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und den Schritt zur Blockmontage umfasst.
  • Als Nächstes wird jeder Schritt von Schritt S001 bis Schritt S006 im Detail beschrieben. Der Schritt zur Materialvorbereitung von Schritt S001 umfasst einen Schritt zur Vorbereitung eines Unterbaustabs, um den in einer Stabform ausgebildeten Unterbaustab 21 vorzubereiten, und einen Schritt zur Vorbereitung eines Laserstabs, um den in Stabform ausgebildeten Halbleiterlaserstab 3 vorzubereiten. Im Schritt zur Vorbereitung eines Unterbaustabs wird der Unterbaustabkörper 22, der ein plattenartiges Halbleitersubstrat aus AIN, SiC oder dergleichen ist, das in eine Stabform getrennt ist, hergestellt, und die Metallschicht 23 aus Au (Gold) oder dergleichen wird auf einer Oberfläche (einer vorderseitigen Oberfläche), an die die rückseitige Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 3 gebondet werden soll, unter Verwendung einer Vorrichtung zur Gasphasenabscheidung, einer Sputter-Vorrichtung, einer Plattierungstechnik oder dergleichen ausgebildet. Die Metallschicht 23 ist eine Metallschicht, die an die rückseitige Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 3 gebondet werden soll, und muss ein Metall sein, das mittels Diffusion mit dem Metall verbunden werden kann. Im Fall des mittels Diffusion gebondeten Metalls zwischen unterschiedlichen Metallen kann die Metallschicht 23 aus Ag (Silber), Pt (Platin) oder dergleichen bestehen. Im Allgemeinen besteht die rückseitige Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 33 aus Gold, und in diesem Fall besteht die Metallschicht 23 vorzugsweise aus Gold.
  • Im Allgemeinen ist es nicht vorzuziehen, eine hohe Temperatur auf den Halbleiterlaser anzuwenden, und die hohe Temperatur verursacht eine Elementverschlechterung. Im Fall eines Gold-Bondens, bei dem Gold an Gold gebondet wird, hat man festgestellt, dass die zum Bonden erforderliche Temperatur niedrig ist und in einem Hochvakuum 150 bis 200°C beträgt. Ein Beispiel des Gold-Bondens bei 150°C in Luft ist dargestellt (siehe Journal of the Japan Society for Precision Engineering, Bd. 79, Nr. 8, (2013), S.719-724). Dieser Temperaturbereich beeinflusst den Halbleiterlaser nicht nachteilig. In der Ausführungsform 1 wird die Metallschicht 23 nicht auf der Oberfläche (rückseitigen Oberfläche) des Unterbaustabs 21, die nicht an den Halbleiterlaserstab 3 gebondet werden soll, ausgebildet. Infolgedessen werden, selbst wenn der Schutzfilm an einer Endfläche in einem Zustand ausgebildet wird, in dem der Halbleiterlaserstab 3 und der Unterbaustab 21, die in einer Vielzahl angeordnet sind, miteinander in Kontakt sind (siehe 13), die rückseitige Oberfläche des Unterbaustabs 21 und die vorderseitige Elektrode 15a des Halbleiterlaserstabs 33 nämlich nicht gebondet bzw. miteinander verbunden, werden die Halbleiterlaservorrichtungen 20 nicht aneinander gebondet und wird der Arbeitsvorgang zum Entnehmen der Halbleiterlaservorrichtung 20 aus der Montagevorrichtung 40 zur Installation einfach.
  • Im Schritt zur Vorbereitung des Laserstabs werden unter Verwendung einer Vorrichtung zur metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) oder Molekularstrahlepitaxie (MBE) epitaktische Schichten, die die Halbleiterlaserstruktur bilden, auf einem aus GaAs, InP etc. bestehenden Halbleitersubstrat gestapelt. Dann werden unter Verwendung einer Fotolithografietechnik, Ätztechnik und Technik zur Implantation von Störstellen etc. Streifenbereiche ausgebildet. Danach wird unter Verwendung einer Vorrichtung zur Gasphasenabscheidung, einer Sputter-Vorrichtung, einer Vorrichtung zur chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) etc. ein Passivierungsfilm wie etwa SiN, SiO2 etc. gebildet. Um Strom zur Ansteuerung des Halbleiterlasers effizient in den Streifenbereich zu injizieren, wird das Halbleitersubstrat abgedünnt, um den Halbleiterstrukturteil 16 zu bilden. Danach wird ein Wafer mit den lichtemittierenden Bereichen 18 des Halbleiterlasers für mehrere tausend Elemente hergestellt, wobei der Halbleiterstrukturteil 16 mit Elektroden versehen wird, die unter Verwendung einer Vorrichtung zur Gasphasenabscheidung und einer Sputter-Vorrichtung auf der Oberfläche der gestapelten Struktur und auf der rückseitigen Oberfläche des Halbleitersubstrats ausgebildet werden. Wie in 4 dargestellt ist, wird als Nächstes der hergestellte Wafer entlang der Kristallachsenrichtung gespalten, um die gespaltenen Endflächen 14 zu bilden, welche die Endflächen des Halbleiterlasers sind, und in eine Stabform getrennt, um den Halbleiterlaserstab 3 herzustellen. Die vorderseitige Elektrode 15a hat beispielsweise eine geschichtete Struktur aus Ti (Titan)/Pt/Au. Das Metall der äußersten Oberfläche ist Au (Gold). Die rückseitige Elektrode 15b ist nur Gold oder weist eine geschichtete Struktur auf, in der das Metall der äußersten Oberfläche Gold ist. Es vorzuziehen, dass das Metall der äußersten Oberfläche der Filme, die sowohl die vorderseitige Elektrode 15a als auch die rückseitige Elektrode 15b bilden, Gold ist.
  • Als Nächstes wird der Schritt zur Installation mit Montagevorrichtung von Schritt S002 durchgeführt. Der Halbleiterlaserstab 3 und der Unterbaustab 21, die vorbereitet sind, sollen in der Montagevorrichtung 40 zur Installation installiert werden. Die Montagevorrichtung 40 zur Installation umfasst eine Befestigungsplatte 42, ein Öffnungselement 41 mit einer Öffnung 43, einen Schieber 46 und einen Deckel 44. Beispielsweise wird ein Öffnungselement 41 (erstes Öffnungselement) an mittels Befestigungsschrauben 39 an der Befestigungsplatte 42 befestigt. Das andere Öffnungselement 41 (zweites Öffnungselement) wird mittels der Befestigungsschrauben 39 an der Befestigungsplatte 42 befestigt, nachdem der Halbleiterlaserstab 3 und der Unterbaustab 21 auf der Befestigungsplatte 42 angeordnet sind. Wie in 13 dargestellt ist, sind der Halbleiterlaserstab 3 und der Unterbaustab 21 auf der Befestigungsplatte 42 so sequentiell zu stapeln und anzuordnen, dass der Unterbaustab 21 in Bezug auf die Befestigungsplatte 42 an der Unterseite liegt. Wie in 11 dargestellt ist, wird zunächst der Unterbaustab 21 mit dem Öffnungselement 41 in Kontakt gebracht und auf der Befestigungsplatte 42 platziert. Als Nächstes wird, wie in 12 dargestellt ist, der Halbleiterlaserstab 3 mit dem Öffnungselement 41 in Kontakt gebracht und auf dem Unterbaustab 21 so platziert, dass dessen rückseitige Elektrode 15b mit der Metallschicht 23 des Unterbaustabs 21 in Kontakt gebracht wird. Die Installation eines Zwischenkörpers 34, in dem der Unterbaustab 21 und der Halbleiterlaserstab 3, die die Halbleiterlaservorrichtung 20 bilden, gestapelt werden, ist abgeschlossen. Wie in 15 dargestellt ist, wird eine Vielzahl der Zwischenkörper 34 auf den oben beschriebenen Zwischenkörper 34 sequentiell gestapelt. 15 zeigt ein Beispiel, in dem vier Zwischenkörper 34 in der Montagevorrichtung 40 zur Installation installiert sind. Das Material der Montagevorrichtung 40 zur Installation, die den Schieber 46 enthält, ist vorzugsweise rostfreier Stahl (SUS).
  • Ein Verfahren, um den nächsten Zwischenkörper 34 auf dem unteren Zwischenkörper 34 zu platzieren, wird im Detail beschrieben. Wie in 13 dargestellt ist, wird der Unterbaustab 21 mit dem Öffnungselement 41 in Kontakt gebracht und wird auf dem Halbleiterlaserstab 3 so platziert, dass die rückseitige Oberfläche (die der Metallschicht 23 gegenüberliegende Oberfläche) des Unterbaustabs 21 mit der vorderseitigen Elektrode 15a des Halbleiterlaserstabs 3 im Zwischenkörper 34 der unteren Schicht in Kontakt gebracht wird. Als Nächstes wird der Halbleiterlaserstab 3 mit dem Öffnungselement 41 in Kontakt gebracht und so auf dem Unterbaustab 21 platziert, dass dessen rückseitige Elektrode 15b mit der Metallschicht 23 des Unterbaustabs 21 in Kontakt gebracht wird. 13 zeigt ein Beispiel, bei dem drei Zwischenkörper 34, in denen jeweils der Unterbaustab 21 und der Halbleiterlaserstab 3 gestapelt sind, auf der Befestigungsplatte 42 der Montagevorrichtung 40 zur Installation installiert sind. Die rückseitige Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 3 ist mit der auf dem Unterbaustab 21 ausgebildeten Metallschicht 23 in Kontakt. Die vorderseitige Elektrode 15a des Halbleiterlaserstabs 3 ist mit der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabs 21 in Kontakt, auf der die Metallschicht 23 nicht ausgebildet ist, oder in Kontakt mit dem Schieber 46; die vorderseitige Elektrode 15a soll nämlich nicht mit der auf dem Unterbaustab 21 ausgebildeten Metallschicht 23 in Kontakt sein.
  • Nachdem eine Vielzahl der Zwischenkörper 34 auf der Befestigungsplatte 42 installiert ist, wird das andere Öffnungselement 41 auf der Befestigungsplatte 42 so angeordnet, dass die Zwischenkörper 34, die jeweils den Unterbaustab 21 und den Halbleiterlaserstab 3 aufweisen, zusammen mit dem befestigten Öffnungselement 41 sandwichartig angeordnet sind, und durch die Befestigungsschrauben 39 vorläufig an der Befestigungsplatte 42 befestigt. Zu dieser Zeit wird, wenn beide Enden der gespaltenen Endfläche 14 des Halbleiterlaserstabs 3, nämlich beide Enden in der longitudinalen Richtung (beide Enden in der x-Richtung) nicht außerhalb der Öffnung 43 des Öffnungselements 41 angeordnet sind, die Anordnung so eingestellt, dass beide Enden der gespaltenen Endfläche 14 des Halbleiterlaserstabs 3 außerhalb der Öffnung 43 des Öffnungselements 41 liegen. Danach wird der Schieber 46 als Pressvorrichtung auf dem obersten Zwischenkörper 34 platziert und wird der Deckel 44 auf der Befestigungsplatte 42 platziert, um so die longitudinalen Endflächen (Endflächen in der x-Richtung) einer Vielzahl der Zwischenkörper 43 und die Oberfläche des Schiebers 46 zu bedecken. Ein Bolzen 48 wird in ein im Öffnungselement 41 ausgebildetes Loch 38 eingesetzt, und der Deckel 44 wird mittels einer Mutter 49 an den beiden Öffnungselementen 41 befestigt. Danach wird das andere Öffnungselement 41, das vorläufig befestigt ist, an der Befestigungsplatte 42 befestigt, wird die Befestigungsschraube 39 in das im Deckel 44 ausgebildete Schraubenloch 37 geschraubt und ist somit eine Vielzahl der Zwischenkörper 34 zwischen der Befestigungsplatte 42 und dem Schieber 46 sandwichartig angeordnet und befestigt.
  • Im Schritt der Installation mit Montagevorrichtung werden der Unterbaustab 21 und der Halbleiterlaserstab 3, die in einer Vielzahl angeordnet werden, auf einer Montagevorrichtung 40 zur Installation so angeordnet, dass eine gespaltene Endfläche 14 und die andere gespaltene Endfläche 14 des Halbleiterlaserstabs 3 aus den Öffnungen 43 eines Öffnungselements 41 (erstes Öffnungselement) bzw. des anderen Öffnungselements 41 (zweites Öffnungselement) freiliegen, und werden der Unterbaustab 21 und der Halbleiterlaserstab 3, die in einer Vielzahl angeordnet sind, in einem Zustand, in dem sie durch den Schieber 46 gegen die Befestigungsplatte 42 gedrückt werden, auf der Montagevorrichtung 40 zur Installation installiert und befestigt. Der durch den Schieber 46 ausgeübte Druck, um den Zwischenkörper 34 zu drücken, muss für metallisches Verbinden bzw. Bonden zwischen dem Halbleiterlaserstab 3 und dem Unterbaustab 21 ausreichend sein. Der Halbleiterlaserstab 3 und der Unterbaustab 21 werden in einem Zustand befestigt, in dem sie unter Verwendung des Schiebers 46 in der Montagevorrichtung 40 zur Installation gepresst werden, und der Schritt zur Installation mit Montagevorrichtung ist dann abgeschlossen. Der Druck, um die Zwischenkörper 34 zu pressen, beträgt zum Beispiel 70 gf.cm.
  • Die Montagevorrichtung 40 zur Installation, in der der Halbleiterlaserstab 3 und der Unterbaustab 21, die in einer Vielzahl angeordnet sind, platziert werden, wird in der Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche installiert, und der Bonding-Schritt von Schritt S003 und der Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms von Schritt S004 werden durchgeführt. Die Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche ist beispielsweise eine Sputter-Vorrichtung, eine Vorrichtung zur Gasphasenabscheidung, eine CVD-Vorrichtung, eine MBE-Vorrichtung oder dergleichen. 16 zeigt drei Zwischenkörper 34a, 34b und 34c, die in der Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche installiert sind. Bezugsziffer 34 wird zusammenfassend für den Zwischenkörper verwendet, und 34a, 34b und 34c werden zur Unterscheidung genutzt. Ähnlich wird Bezugsziffer 3 zusammenfassend für den Halbleiterlaserstab 3 verwendet und werden 3a, 3b und 3c zur Unterscheidung genutzt. Bezugsziffer 21 wird zusammenfassend für den Unterbau verwendet, und 21a, 21b und 21c werden zur Unterscheidung genutzt. 16 stellt eine Querschnittsansicht senkrecht zur x-Richtung in den drei Zwischenkörpern 34a, 34b und 34c dar, welche jeweils den Halbleiterlaserstab 3 aufweisen, wobei die gespaltenen Endflächen 14 auf den rechten und linken Seiten in der y-Richtung angeordnet sind. Die (nicht dargestellten) Öffnungselemente 41 sind auf den rechten und linken Seiten der Zwischenkörper 34a, 34b und 34c, nämlich auf der negativen und positiven Seite in der y-Richtung, angeordnet, und der (nicht dargestellte) Schieber 46 ist auf der Oberfläche auf der Seite in der positiven z-Richtung des Zwischenkörpers 34c angeordnet. Der Zwischenkörper 34a weist den Unterbaustab 21a und den Halbleiterlaserstab 3a auf. Ähnlich weist der Zwischenkörper 34b den Unterbaustab 21b und den Halbleiterlaserstab 3b auf, und der Zwischenkörper 34c weist den Unterbaustab 21c und den Halbleiterlaserstab 3c auf.
  • Nachdem die Montagevorrichtung 40 zur Installation, in der der Halbleiterlaserstab 3 und der Unterbaustab 21, die in einer Vielzahl angeordnet sind, platziert sind, in der Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche installiert ist, wird das Innere der Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche vorzugsweise unter Vakuum bzw. Unterdruck gesetzt, um eine Oxidation der gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterlaserstabs 3 zu verhindern und eine Anhaftung einer Verunreinigung wie etwa Kohlenstoff (C) zu verhindern. Danach wird die Temperatur innerhalb der Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche, das heißt innerhalb der Kammer zum Ausbilden eines Schutzfilms (Hauptkammer), erhöht und werden die auf dem Unterbaustab 21 ausgebildete Metallschicht 23 und die rückseitige Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 3 wie in 17 gezeigt gebondet bzw. miteinander verbunden. Falls die Oberfläche der rückseitigen Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 3 Gold ist und die Metallschicht 23 des Unterbaustabs 21 Gold ist, sind der Unterbaustab 21 und der Halbleiterlaserstab 3 durch das Gold zu bonden. Beispielsweise beträgt die Temperatur beim metallischen Bonden, das heißt die im Bonding-Schritt dargebotene Temperatur, 150 bis 200°C. Die Temperatur beim metallischen Bonden ist vorzugsweise geringer als die Temperatur zum Ausbilden eines Schutzfilms, um den Schutzfilm 19 auszubilden, und ist die Temperatur, bei der die Metallschicht 23 des Unterbaus 21 an das Oberflächenmetall der rückseitigen Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 3 gebondet wird. Im Zwischenkörper 34, in dem der Halbleiterlaserstab 3 und der Unterbaustab 21 gebondet sind, das heißt im Zwischenkörper 34, für den ein Bonding-Schritt abgeschlossen ist, sind ein Metall-Bonding-Teilbereich 61, in dem die Metallschicht 23 des Unterbaustabs 21 und die rückseitige Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 3 gebondet sind, ausgebildet. Man beachte, dass 17 einen Zustand darstellt, in dem es aufgrund einer thermischen Ausdehnung der drei Zwischenkörper 34a, 34b und 34c kleine Zwischenräume zwischen den einander benachbarten Zwischenkörpern gibt. In 17 ist die Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche weggelassen und sind die Spalte sind übertrieben dargestellt. Auch in 18 und 19 ist die Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche weggelassen und sind die Zwischenräume übertrieben dargestellt.
  • Wie in 18 dargestellt ist, wird als Nächstes nach dem Bonding-Schritt die Temperatur im Inneren der Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche in die Temperatur zum Ausbilden eines Schutzfilms geändert und lässt man Schutzfilmteilchen 8 von der Öffnung 43 des Öffnungselements 41 aus an eine der gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterlaserstabs 3 anhaften, um den Schutzfilm 19 auszubilden. Der Schutzfilm 19 besteht aus beispielsweise einem Oxidfilm wie etwa Al2O3 oder SiO2 oder einem Nitridfilm wie etwa SiN oder dergleichen. Wenn der Schutzfilm ausgebildet wird, wird die Temperatur zum Ausbilden eines Schutzfilms höher eingestellt als die Raumtemperatur, um eine Zusammensetzung des Schutzfilms 19 zu steuern und dessen Filmqualität zu verbessern. Beispielsweise beträgt die Temperatur zum Ausbilden eines Schutzfilms 100 bis 150°C.
  • Nachdem der Schutzfilm 19 auf einer der gespaltenen Endflächen 14 ausgebildet ist, wie in 19 dargestellt ist, wird die Montagevorrichtung 40 zur Installation durch einen (nicht dargestellten) Drehmechanismus der Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche um 180° gedreht und wird der Schutzfilm 19 ausgebildet, indem man die Schutzfilmteilchen an der anderen Seite der gespaltenen Endflächen 14 anhaften lässt. Das heißt, im Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms wird, nachdem der Schutzfilm 19 auf einer der gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterlaserstabs 3 ausgebildet ist, die Orientierung der Montagevorrichtung 40 zur Installation so geändert, dass die Schutzfilmteilchen 8, welche Materialteilchen des Schutzfilms 19 sind, die andere der gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterlaserstabs 3 erreichen, ohne die Montagevorrichtung 40 zur Installation zu demontieren, und somit wird der Schutzfilm 19 auf der anderen Seite der gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterlaserstabs 3 gebildet. 18 und 19 zeigen ein Beispiel, in dem sich die Schutzfilmteilchen 8 von rechts nach links bewegen. Außerdem sind drei Zwischenkörper 34a, 34b und 34c dargestellt, in denen kleine Zwischenräume zwischen den einander benachbarten Zwischenkörpern aufgrund deren thermischer Ausdehnung ausgebildet sind. Da die rückseitige Oberfläche des Unterbaustabs 21 und die vorderseitige Elektrode 15a des Halbleiterlaserstabs 3 uneben sind und die Montagevorrichtung 40 zur Installation die Bewegung der Zwischenkörper 34a, 34b, 34c in der x-Richtung, der y-Richtung und der z-Richtung einschränkt, wobei der Schieber 46 sie drückt, besteht eine sehr geringe Wahrscheinlichkeit, dass der Zwischenraum von der gestapelten Endfläche 14 auf der stromaufwärts gelegenen Seite (positive Seite in der y-Richtung) zur gespaltenen Endfläche 14 auf der stromabwärts gelegenen Seite (negative Seite in der y-Richtung), welche die Richtung ist, in der sich die Schutzfilmeteilchen 8 bewegen, ausgedehnt bzw. vergrößert wird.
  • Der Drehmechanismus kann in einer in der Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche vorgesehenen Nebenkammer angeordnet sein. Nachdem die Montagevorrichtung 40 zur Installation einmal zur Nebenkammer zurückgeführt und umgedreht und dann wieder in der Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche installiert ist, wird in diesem Fall der Schutzfilm 19 ausgebildet. In dem Fall, in dem der Drehmechanismus in der Hauptkammer, wo der Schutzfilm 19 ausgebildet werden soll, oder in der Nebenkammer der Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche installiert ist, ist die Montagevorrichtung 40 zur Installation nicht der Atmosphäre ausgesetzt, sodass der auf den gespaltenen Endflächen 14 zu bildende natürliche Oxidfilm signifikant reduziert werden kann. Wenn die Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche keinen Drehmechanismus aufweist, wird, nachdem der Schutzfilm 19 auf einer der gespaltenen Endflächen 14 ausgebildet ist, die Montagevorrichtung 40 zur Installation aus der Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche herausgenommen und durch eine Fördervorrichtung oder dergleichen umgedreht und, nachdem die Montagevorrichtung 40 zur Installation wieder in der Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche installiert ist, ist der Schutzfilm 19 auf der anderen der gespaltenen Endflächen 14 auszubilden. Selbst wenn die Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche während des Schritts zum Ausbilden eines Schutzfilms herausgenommen wird, kann die Menge des natürlichen Oxidfilms, der auf den gespaltenen Endflächen 14 zu bilden ist, im Vergleich mit dem Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche des Patentdokuments 1 reduziert werden, bei dem der Schutzfilm auf den gespaltenen Endflächen nach den Schritten des Die-Bonding an den Unterbau, des Draht-Bonding und des Abdeckens mit einer wärmebeständigen Folie zu bilden ist, nachdem die gespaltenen Endflächen auf den Halbleiterlasern ausgebildet sind.
  • Man beachte, dass ein Beispiel beschrieben wird, in dem die Montagevorrichtung 40 zur Installation umgedreht wird, sie nämlich um 180 Grad gedreht wird, aber 180 Grad keine Einschränkung darstellt. In dem Fall, in dem die Quelle der Schutzfilmteilchen 8, um den Schutzfilm 19 auszubilden, nur eine ist, muss die gespaltene Endfläche 14 der Quelle der Schutzfilmteilchen 8 zugewandt sein und muss beispielsweise der Winkel zwischen einer senkrechten Linie senkrecht zur gespaltenen Endfläche 14 und der Linie, die die Quelle und die Mitte der gespaltenen Endfläche 14 in der longitudinalen Richtung verbindet, innerhalb von 30 Grad liegen. In dem Fall, in dem die Schutzfilmteilchen 8 von zwei Quellen erzeugt werden, ist die Öffnung 43 der Montagevorrichtung 40 zur Installation, aus der die gespaltene Endfläche 14 ohne den ausgebildeten Schutzfilm 19 freiliegt, in Richtung der anderen Quelle gerichtet.
  • Wenn ein Halbleiterlaserstab wie in 5 des Patentdokuments 1 dargestellt an einer Montagevorrichtung befestigt wird, wird im Allgemeinen ein Abstandshalter zwischen den Halbleiterlaserstäben eingefügt. Während der Ausbildung des Schutzfilms wird aufgrund der Differenz der thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiterlaserstabs, des Abstandshalters und dergleichen als Folge des Temperaturanstiegs bei der Ausbildung eines Schutzfilms ein Spalt zwischen dem Halbleiterlaserstab und dem Abstandshalter erzeugt und dringen die Schutzfilmteilchen in den Zwischenraum ein und haften an der Elektrodenoberfläche des Halbleiterlaserstabs. Bei der Ausbildung eines Schutzfilms auf einer Endfläche von Halbleiterlasern der Ausführungsform 1 ist jedoch, selbst wenn die Temperatur des Teilbereichs, wo der Metall-Bonding-Teilbereich 61 ausgebildet wird, auf die Temperatur zur Ausbildung des Schutzfilms ansteigt, der Metall-Bonding-Teilbereich 61 schon ausgebildet und wird kein Zwischenraum zwischen dem Halbleiterlaserstab 3 und dem Unterbaustab 21, die gebondet bzw. miteinander verbunden sind, erzeugt. Daher können die Schutzfilmteilchen 8 an keiner der Oberflächen haften, wo die Metallschicht 23 des Unterbaustabs 21 und die rückseitige Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 3 gebondet sind.
  • Im Allgemeinen werden der Halbleiterlaserstab und der Unterbaustab mit einem Lot, das ein Hartlötmaterial ist, gebondet. Bei der Ausbildung des Schutzfilms auf einer Endfläche eines Halbleiterlasers der Ausführungsform 1 sind jedoch die Metallschicht 23 des Unterbaustabs 21 und die rückseitige Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 33 ohne Verwendung eines Lots metallisch gebondet bzw. verbunden. Falls die Halbleiterlaservorrichtung 20 der Ausführungsform 1 mit Gold gebondet wird, das heißt, falls die Metallschicht 23 des Unterbaustabs 21 Gold ist, ist die Oberfläche der rückseitigen Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 33 Gold und ist der Metall-Bonding-Teilbereich 61 ein Gold-Bonding-Teilbereich. Da die Wärmeleitfähigkeit von Gold höher als jene von Lot ist, kann durch Ansteuerung des Halbleiterlaserstabs erzeugte Wärme zum Unterbaustab 21 effizient abgeführt werden. Die Wärmeleitfähigkeit von Gold (Au) beträgt 315 w/m-K und jene eines Lots aus Gold-Zinn (AuSn) beträgt 57 w/m·K.
  • Obgleich das Beispiel beschrieben ist, bei dem der Bonding-Schritt in der Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche durchgeführt wird, kann der Bonding-Schritt in einer anderen Vorrichtung durchgeführt werden. Jedoch ist es im Hinblick auf die Verarbeitbarkeit und Kosten effizienter, den Bonding-Schritt in der Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche durchzuführen.
  • Im Anschluss an den Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms von Schritt S004 wird ein Schritt zum Entladen einer Halbleitervorrichtung von Schritt S005 durchgeführt. Eine Montagevorrichtung 40 zur Installation wird aus der Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche entnommen, und die Halbleiterlaservorrichtung 20, die den Halbleiterlaserstab 33 mit dem auf den gespaltenen Endflächen 14 ausgebildeten Schutzfilm 19 aufweist, wird aus der Montagevorrichtung 40 zur Installation einzeln herausgenommen. Danach wird ein Schritt zur Blockmontage von Schritt S006 durchgeführt. Lot oder dergleichen wird auf der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabs 21 der Halbleiterlaservorrichtung 20 aufgebracht, und die Halbleiterlaservorrichtung 20 wird auf dem Block 51 montiert. Die Halbleiterlaservorrichtung 20 wird mit einem Hartlötmaterial wie etwa dem Lot 24 an die Metallschicht 53 des Blocks 51 gebondet. Man beachte, dass die Halbleiterlaservorrichtung 20 auf dem Block 51 montiert werden kann, nachdem das Hartlötmaterial wie etwa das Lot 24 auf die Metallschicht 53 des Blocks 51 aufgebracht wurde.
  • Im Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsform 1 werden der Halbleiterlaserstab 3 und der Unterbaustab 21 metallisch gebondet bzw. verbunden, bevor der Schutzfilm 19 auf den gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterlaserstabs 3 ausgebildet wird, sodass kein Zwischenraum zwischen der Metallschicht 23 des Unterbaustabs 21 und der rückseitigen Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 3 erzeugt wird, wenn der Schutzfilm 19 gebildet wird, und daher haften die Schutzfilmteilchen 8 an keiner der Oberflächen, wo die Metallschicht 23 des Unterbaustabs 21 und die rückseitige Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 3 miteinander verbunden werden. In der Halbleiterlaservorrichtung 20 und der Halbleitervorrichtung 50 der Ausführungsform 1 kann, da die Schutzfilmteilchen 8 an keiner der Oberflächen haften, wo die Metallschicht 23 des Unterbaustabs 21 und die rückseitige Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 3 gebondet sind, die durch die Ansteuerung der Halbleiterlaservorrichtung 20 und der Halbleitervorrichtung 50 erzeugte Wärme effizient zum Unterbaustab 21 abgeleitet werden und kann die durch die Endfläche verursachte Elementverschlechterung, wie etwa die COD-Verschlechterung, unterdrückt werden.
  • In dem Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsform 1 können der Bonding-Schritt, bei dem der Halbleiterlaserstab 3 und der Unterbaustab 21 metallisch gebondet werden, und der Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms, bei dem der Schutzfilm 19 auf den gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterlaserstabs 3 ausgebildet wird, in der gleichen Vorrichtung durchgeführt werden und können die Schritte vom Ausbilden der gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterlaserstabs 3 unter Verwendung einer Spalttechnik bis zum Ausbilden des Schutzfilms 19 in einigen Stunden durchgeführt werden. Daher kann im Vergleich mit dem herkömmlichen Verfahren in dem Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsform 1, da die Zeit, während der die gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterlaserstabs 3 der Atmosphäre ausgesetzt ist, kurz ist, der natürliche Oxidfilm auf den gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterlaserstabs 3, der eine der Ursachen der Verschlechterung der Halbleiterlaservorrichtung 20 und der Halbleitervorrichtung 50 ist, reduziert werden.
  • Bei dem in 3 des Patentdokuments 1 dargestellten Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms ist es, da ein Halbleiterlaserchip auf einem Unterbau befestigt und montiert wird und der Halbleiterlaser und Unterbau durch einen Draht verbunden und dann in einer Montagevorrichtung (Montagevorrichtung zur Installation) installiert werden, die zum Ausbilden des Schutzfilms genutzt wird, notwendig, die Elektrodenoberfläche des Unterbaus mit einer wärmebeständigen Folie zu schützen, und somit taucht insofern ein Problem auf, als die Arbeitsschritte kompliziert werden und die Verarbeitbarkeit schlecht ist. Im Gegensatz dazu können bei dem Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsform 1 der Schritt zur Installation mit Montagevorrichtung von Schritt S002, der Bonding-Schritt von Schritt S003 und der Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms von Schritt S004 unter Verwendung des stabförmigen Halbleiterlaserstabs 3 und des Unterbaustabs 21 durchgeführt werden. Im Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung der Ausführungsform 1 können nach dem Schritt des Verfahrens zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Schritt zum Entnehmen einer Halbleiterlaservorrichtung von Schritt S005 und der Schritt zur Blockmontage von Schritt S006 unter Verwendung des Halbleiterlaserstabs 3 und des Unterbaustabs 21, die miteinander verbunden sind, durchgeführt werden. Das heißt, im Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für einen Halbleiterlaser der Ausführungsform 1 können der Halbleiterlaserstab 3 und der Unterbaustab 21 in kurzer Zeit in der Montagevorrichtung 40 zur Installation installiert werden, ohne den Die-Bonding-Schritt, den Draht-Bonding-Schritt und den Schritt zum Abdecken mit einer wärmebeständigen Folie in dem in 3 des Patentdokuments 1 dargestellten Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms durchzuführen, und danach können sie, wobei der Halbleiterlaserstab 3 und der Unterbaustab 21 in der Montagevorrichtung 40 zur Installation installiert gehalten werden, im Bonding-Schritt miteinander verbunden bzw. gebondet werden und kann der Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms des Halbleiterlaserstabs 3 durchgeführt werden. Daher ist das Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsform 1 hinsichtlich der Verarbeitbarkeit gegenüber dem in 3 des Patentdokuments 1 dargestellten Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms überlegen.
  • In der Halbleiterlaservorrichtung 20 und der Halbleitervorrichtung 50 der Ausführungsform 1 kann, da die rückseitige Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 3 und die Metallschicht 23 des Unterbaustabs 21 jeweils eine Metalloberfläche aufweisen, auf der keine Struktur ausgebildet ist, die Bondingfläche zwischen der rückseitigen Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 3 und der Metallschicht 23 des Unterbaustabs 21 breit ausgestaltet werden und kann die Wärmeableitung vom Halbleiterlaserstab 3 zum Unterbaustab 21 gesteigert werden.
  • Da das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und das Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung der Ausführungsform 1 das Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsform 1 einschließen, werden die gleichen Effekte wie jene des Verfahrens zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsform 1 erhalten. In der Halbleiterlaservorrichtung 20 der Ausführungsform 1 ist es, da der Schutzfilm 19 auf den gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterlaserstabs 3 mit dem reduzierten natürlichen Oxidfilm ausgebildet wird, möglich, die durch die Endfläche verursachte Elementverschlechterung wie etwa eine COD-Verschlechterung zu unterdrücken. In der Halbleiterlaservorrichtung 20 der Ausführungsform 1 kann ferner, da die Schutzfilmteilchen 8 nicht zwischen der rückseitigen Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 3 und der Metallschicht 23 des Unterbaustabs 21 haften, durch Ansteuerung der Halbleiterlaservorrichtung 20 erzeugte Wärme effizient zum Unterbaustab 21 abgeleitet werden und kann eine durch die Endoberfläche verursachte Elementverschlechterung wie etwa eine COD-Verschlechterung unterdrückt werden. Da die Halbleitervorrichtung 50 der Ausführungsform 1 die Halbleiterlaservorrichtung 20 der Ausführungsform 1 enthält, können die gleichen Effekte wie jene der Halbleiterlaservorrichtung 20 der Ausführungsform 1 erhalten werden.
  • Wie oben beschrieben wurde, ist das Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung der Ausführungsform 1 ein Verfahren zum Herstellen der Halbleiterlaservorrichtung, bei dem der Schutzfilm 19 auf den gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterlaserstabs 3, der ein stabförmiger Halbleiterlaser ist, gebildet wird. Im Halbleiterlaserstab 3 ist die vorderseitige Elektrode 15a auf einer von den gespaltenen Endflächen 14 verschiedenen Oberfläche ausgebildet und ist die rückseitige Elektrode 15b auf der der einen Oberfläche gegenüberliegenden Oberfläche ausgebildet. Das Verfahren umfasst: den Schritt zur Materialvorbereitung, um die Metallschicht 23 auf der vorderseitigen Oberfläche des stabförmigen Unterbaustabkörpers 22 auszubilden, die dem Halbleiterlaserstab 3 zugewandt ist, um den stabförmigen Unterbaustab 21 vorzubereiten, auf den der Halbleiterlaserstab 3 montiert werden soll; den Schritt zur Installation mit Montagevorrichtung, um den Unterbaustab 21 und den Halbleiterlaserstab 3, die in einer Vielzahl angeordnet sind, abwechselnd gestapelt auf der Montagevorrichtung 40 zur Installation so zu installieren, dass die Metallschicht 23 des Unterbaustabs 21 und die rückseitige Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 3 einander zugewandt sind; den Bonding-Schritt, um die Metallschicht 23 und die rückseitige Elektrode 15b zu bonden bzw. miteinander zu verbinden, indem die Temperatur der Montagevorrichtung 40 zur Installation, auf der der Unterbaustab 21 und der Halbleiterlaserstab 3, die in einer Vielzahl angeordnet sind, installiert sind, erhöht wird; und den Film zum Ausbilden eines Schutzfilms, um den Schutzfilm 19 auf den gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterlaserstabs 3 in der Vorrichtung zum Ausbilden eines Schutzfilms (Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche) unter Verwendung der Montagevorrichtung 40 zur Installation, in der der Unterbaustab 21 und der Halbleiterlaserstab 3, die in einer Vielzahl angeordnet sind, installiert sind, nach dem Bonding-Schritt auszubilden. In dem Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsform 1 werden der Unterbaustab 21 und der Halbleiterlaserstab 3, die in einer Vielzahl angeordnet sind, auf der Montagevorrichtung 40 zur Installation abwechselnd gestapelt und installiert, und, nachdem die Metallschicht 23 des Unterbaustabs 21 und die rückseitige Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 3 miteinander verbunden sind, wird der Schutzfilm 19 auf den gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterlaserstabs 3 ausgebildet, sodass, wenn der Schutzfilm auf den gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterlasers (des Halbleiterlaserstabs 3) ausgebildet wird, eine Anhaftung des Schutzfilms 19 an der Elektrodenoberfläche (Oberfläche der rückseitigen Elektrode 15b) des Halbleiterlasers (des Halbleiterlaserstabs 3) auf der Seite, wo der Unterbau (Unterbaustab 21) gebondet ist, verhindert werden kann und der Schutzfilm 19 auf den gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterlasers (Halbleiterlaserstabs 3) gebildet werden kann, wobei der natürliche Oxidfilm mehr als im herkömmlichen Verfahren reduziert ist.
  • Ausführungsform 2
  • 20 ist ein Diagramm, das eine Halbleiterlaservorrichtung gemäß einer Ausführungsform 2 darstellt, und 21 ist ein Diagramm, das eine Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 2 darstellt. 22 ist eine Ansicht aus der Vogelperspektive eines Unterbaustabs von 20, und 23 ist eine Querschnittsansicht des Unterbaustabs von 22 senkrecht zur x-Richtung. 24, 25 und 26 sind jeweils Diagramme, die ein Verfahren zum Installieren des Halbleiterlaserstabs und des Unterbaustabs von 22 in der Montagevorrichtung zur Installation veranschaulichen. 27 und 28 sind jeweils Diagramme, die einen Bonding-Schritt gemäß der Ausführungsform 2 veranschaulichen. 29 und 30 sind jeweils Diagramme, die einen Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms gemäß der Ausführungsform 2 veranschaulichen. Die Halbleiterlaservorrichtung 20 und die Halbleitervorrichtung 50 der Ausführungsform 2 unterscheiden sich von der Halbleiterlaservorrichtung 20 und der Halbleitervorrichtung 50 der Ausführungsform 1 dadurch, dass ein Lot 25 auf der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabkörpers 22 im Unterbaustab 21 ausgebildet ist. Von der Ausführungsform 1 verschiedene Teilbereiche werden vorwiegend beschrieben. In 28, 29 und 39 ist die Vorrichtung 60 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche weggelassen und sind Zwischenräume übertrieben dargestellt.
  • In dem Schritt zur Materialvorbereitung von Schritt S001 wird der Unterbaustab 21 mit dem Lot 25, das auf der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabkörpers 22 ausgebildet ist, vorbereitet. In dem Schritt zur Vorbereitung des Unterbaustabs im Schritt zur Materialvorbereitung wird der Unterbaustabkörper 22, der ein plattenartiges Halbleitersubstrat wie etwa AIN oder SiC ist, das in eine Stabform getrennt ist, hergestellt und wird die Metallschicht 23 auf einer Oberfläche (vorderseitigen Oberfläche), an die die rückseitige Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 3 gebondet werden soll, unter Verwendung einer Vorrichtung zur Gasphasenabscheidung, einer Sputter-Vorrichtung, einer Plattierungstechnik oder dergleichen ausgebildet. Als Nächstes wird das Lot 25, das aus Zinn-Kupfer (SnCu), Zinn-Silber-Kupfer (SnAgCu) oder dergleichen besteht, auf der rückseitigen Oberfläche, die auf der der Metallschicht 23 des Unterbaustabkörpers 22 gegenüberliegenden Seite liegt, unter Verwendung einer Vorrichtung zur Gasphasenabscheidung, einer Sputter-Vorrichtung oder dergleichen gebildet.
  • Das auf dem Unterbaustabkörper 22 auszubildende Lot 25 muss hier aus einem Material ausgewählt werden, das bei der Prozessierungstemperatur des Bonding-Schritts von Schritt S003 nicht schmilzt. Beispielsweise ist der Schmelzpunkt des SnCu-Lots 230°C. Falls beispielsweise das Metall der äußersten Oberfläche der Filme, die die vorderseitige Elektrode 15a und die rückseitige Elektrode 15b bilden, Gold ist und die Metallschicht 23 Gold ist, werden der Unterbaustab 21 und der Halbleiterlaserstab 3 mit Gold gebondet bzw. miteinander verbunden. Wenn die Prozessierungstemperatur, bei der der Unterbaustab 21 und der Halbleiterlaserstab 3 mit Gold gebondet werden, 150 bis 200°C beträgt, schmilzt das aus SnCu, SnAgCu oder dergleichen bestehende Lot 25 nicht. Beispielsweise ist der Schmelzpunkt von SnAgCu 219°C. Da im Lot 25 Gold nicht enthalten ist, kann ferner das Lot 25 nicht an die vorderseitige Elektrode 15a des Halbleiterlaserstabs 3 gebondet werden. Die vorderseitige Elektrode 15a des Halbleiterlaserstabs 3 im Zwischenkörper 34b unter dem Zwischenkörper 34c kann nicht an das Lot 25 des Unterbaustabs 21c im Zwischenkörper 34c gebondet werden. Das heißt, die vorderseitige Elektrode 15a des Halbleiterlaserstabs 3 in einem Zwischenkörper 34 unter einem anderen Zwischenkörper 34 kann nicht an das Lot 25 des Unterbaustabs 21 im anderen Zwischenkörper 34 gebondet werden.
  • Der Schritt zur Vorbereitung des Laserstabs im Schritt zur Materialvorbereitung, der Schritt zur Installation mit Montagevorrichtung von Schritt S002, der Bonding-Schritt von Schritt S003, der Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms von Schritt S004 und der Schritt zum Entnehmen einer Halbleiterlaservorrichtung von Schritt S005 sind die Gleichen wie jene in der Ausführungsform 1. Man beachte, dass im Schritt zur Installation mit Montagevorrichtung von Schritt S002 die rückseitige Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 3 mit der auf dem Unterbaustab 21 ausgebildeten Metallschicht 23 in Kontakt gebracht wird, wie in 26 dargestellt ist. Ferner ist die vorderseitige Elektrode 15a des Halbleiterlaserstabs 3 in Kontakt mit dem Lot 25 der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabs 21 und kommt somit nicht in Kontakt mit der auf dem Unterbaustab 21 ausgebildeten Metallschicht 23.
  • Der Schritt zur Blockmontage von Schritt S006 unterscheidet sich von jenem in der Ausführungsform 1. In der Halbleiterlaservorrichtung 20, in der die Schritte bis zum Schritt zum Entladen einer Halbleiterlaservorrichtung von Schritt S005 ausgeführt werden, wird im Schritt zur Blockmontage von Schritt S006, da das Lot 25 auf der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabs 21 ausgebildet ist, die Halbleiterlaservorrichtung 20 auf dem Block 51 montiert, während das Lot 25 geschmolzen wird. Wenn das Lot 25 gekühlt und verfestigt ist, ist die Halbleiterlaservorrichtung 20 am Block 50 befestigt. Das Lot 25 kann beispielsweise mit einer Lötpistole etc. oder durch Erhitzen des Blocks 51 auf die Temperatur, die höher als die Schmelztemperatur des Lots 25 ist, geschmolzen werden.
  • Im Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsform 2 werden die Halbleiterlaserstab 3 und der Unterbaustab 21 metallisch gebondet, bevor der Schutzfilm 19 auf den gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterlaserstabs 3 ausgebildet wird, und können der Bonding-Schritt und der Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms in der gleichen Vorrichtung ausgeführt werden und können die gleichen Effekte wie im Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsform 1 erhalten werden. Im Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 2 wird ein Hartlötmaterial wie etwa das Lot 25, das für den Schritt zur Blockmontage notwendig ist, auf der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabs 21 ausgebildet, die nicht an den Halbleiterlaserstab 3 gebondet wird, so dass es nicht notwendig ist, Lot oder dergleichen getrennt bereitzustellen, und die Arbeitseffizienz im Vergleich mit dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung der Ausführungsform 1 verbessert wird.
  • Da das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und das Verfahren einer Halbleiterlaservorrichtung der Ausführungsform 2 das Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsform 2 einschließen, werden die gleichen Effekte wie jene des Verfahrens zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsform 2 erhalten. Die Halbleiterlaservorrichtung 20 der Ausführungsform 2 hat die gleiche Struktur wie jene der Halbleiterlaservorrichtung 20 der Ausführungsform 1, außer dass das Lot 25 auf der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabs 21 ausgebildet ist, so dass die gleichen Effekte wie jene der Halbleiterlaservorrichtung 20 der Ausführungsform 1 erhalten werden. Da die Halbleitervorrichtung 50 der Ausführungsform 2 die Halbleiterlaservorrichtung 20 der Ausführungsform 2 enthält, werden die gleichen Effekte wie jene der Halbleiterlaservorrichtung 20 der Ausführungsform 2 erhalten.
  • Ausführungsform 3
  • 31 ist ein Diagramm, das eine Halbleiterlaservorrichtung gemäß einer Ausführungsform 3 darstellt, und 32 ist ein Diagramm, das eine Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 3 darstellt. 33 ist eine Ansicht aus der Vogelperspektive eines Halbleiterlaserstabs gemäß der Ausführungsform 3, und 34 ist eine Querschnittsansicht des Halbleiterlaserstabs von 33 senkrecht zur y-Richtung. 35 ist ein Diagramm, das eine Oberflächenelektrodenschicht von 34 darstellt. 36 ist eine Ansicht aus der Vogelperspektive des Unterbaustabs von 31, und 37 ist ein Diagramm, das eine Metallschicht auf der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabs von 36 darstellt. Die Halbleitervorrichtung 20 und die Halbleitervorrichtung 50 der Ausführungsform 3 sind von der Halbleiterlaservorrichtung 20 und der Halbleitervorrichtung 50 der Ausführungsform 2 insofern verschieden, als die vorderseitige Elektrode des Halbleiterlaserstabs 33 eine strukturierte vorderseitige Elektrode 26 ist und eine strukturierte Metallschicht 27 auf der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabs 21 ausgebildet ist. Von den Ausführungsformen 1 und 2 verschiedene Teilbereiche werden vorwiegend beschrieben.
  • Im Allgemeinen sind die vorderseitige Elektrode 15a und die rückseitige Elektrode 15b in dem Halbleiterlaserstab 33, der mit einer Vielzahl der lichtemittierenden Bereiche 18 versehen ist, zum Zweck einer effizienten Trennung in einen einzelnen, mit einem lichtemittierenden Bereich 18 versehenen Halbleiterlaser, und um die Positionen der lichtemittierenden Bereiche etc. zu erkennen, strukturiert. Wie in 34 und 35 dargestellt ist, weist der Halbleiterlaserstab 33 der Ausführungsform 3 die vorderseitige Elektrode 26 mit einer ersten Elektrodenschicht 11 und einer auf der Oberfläche der ersten Elektrodenschicht 11 ausgebildeten strukturierten zweiten Elektrodenschicht 10 und die rückseitige Elektrode 15b, die nicht strukturiert ist, auf. Die zweite Elektrodenschicht 10 ist eine getrennte Elektrodenschicht, die die von der rückseitigen Elektrode 15b entfernte Schicht der Oberfläche ist und für jeden der lichtemittierenden Bereiche 18 getrennt ist. Die erste Elektrode 11 weist eine geschichtete Struktur aus beispielsweise Ti/Pt auf, und die zweite Elektrodenschicht 10 ist Gold. Die rückseitige Elektrode 15b ist nur Gold oder weist eine geschichtete Struktur auf, in der die äußerste Oberfläche Gold ist. Es ist vorzuziehen, dass das Metall der äußersten Oberfläche der Filme, die die vorderseitige Elektrode 15a und die rückseitige Elektrode 15b bilden, Gold ist. Ein Isolierfilm 9 ist auf der Oberfläche der ersten Elektrodenschicht 11 ausgebildet, auf der die strukturierte zweite Elektrodenschicht 10 nicht ausgebildet ist. Man beachte, dass in 31 bis 33 der Isolierfilm 9 auf der Oberfläche des Halbleiterlaserstabs 3 oder 33 weggelassen ist.
  • Wie in 36 und 37 dargestellt ist, weist der Unterbaustab 21 der Ausführungsform 3 die Metallschicht 23, die nicht strukturiert ist, und eine strukturierte Metallschicht 27 auf. Die Metallschicht 23 ist die Gleiche wie jene in der Ausführungsform 1. Wenn die äußerste Oberfläche der rückseitigen Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 33 Gold ist, ist die Metallschicht 23 vorzugsweise Gold. Die strukturierte Metallschicht 27 weist eine Vielzahl getrennter Metallstrukturen 12 auf. Ein nichtmetallischer Bereich 13 ist zwischen den benachbarten Metallstrukturen 12 ausgebildet. Der nichtmetallische Bereich 13 ist beispielsweise die freigelegte rückseitige Oberfläche des Unterbaustabkörpers 22. Die Metallschicht 27 ist Gold oder dergleichen. In der strukturierten Metallschicht 27 sind hier die Metallstrukturen 12 so ausgebildet, dass die zweite Elektrodenschicht 10 der vorderseitigen Elektrode 26, die auf dem Halbleiterlaserstab 3 strukturiert ist, und die Metallstrukturen 12 der strukturierten Metallschicht 27 auf der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabs 21 nicht miteinander in Kontakt kommen, wenn der Halbleiterlaserstab 3 und der Unterbaustab 21 in der Montagevorrichtung 40 zur Installation installiert werden.
  • Das Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsform 3 unterscheidet sich von dem Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsformen 1 und 2 im Schritt zur Materialvorbereitung. Im Schritt zur Vorbereitung des Unterbaustabs im Schritt zur Materialvorbereitung von Schritt S001 wird die strukturierte Metallschicht 27 auf der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabs 21, die nicht an den Block 51 gebondet werden soll, unter Verwendung einer Fotolithografietechnik, einer Technik zum Ausbilden einer Metallschicht und einer Ätztechnik gebildet. Die Technik zum Ausbilden einer Metallschicht ist eine Technik, um eine Metallschicht unter Verwendung einer Vorrichtung zur Gasphasenabscheidung, einer Sputter-Vorrichtung oder dergleichen auszubilden, oder eine Plattierungstechnik. Die Ätztechnik ist eine Technik zum Ätzen eines Teils einer Metallschicht durch Trockenätzen oder Nassätzen.
  • Im Schritt zur Vorbereitung des Laserstabs in dem Schritt zur Materialvorbereitung von Schritt S001 wird die Oberflächenelektrode 26, die die erste Elektrodenschicht 11 und die auf der Oberfläche der ersten Elektrodenschicht 11 ausgebildete strukturierte zweite Elektrodenschicht 10 aufweist, auf der Oberfläche des Halbleiterstrukturteils 16 gebildet. Die strukturierte zweite Elektrodenschicht 10 wird unter Verwendung einer Fotolithografietechnik, einer Technik zum Ausbilden einer Metallschicht und einer Ätztechnik gebildet. Der Schritt zur Installation mit Montagevorrichtung von Schritt S002, der Bonding-Schritt von Schritt S003, der Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms von Schritt S004 und der Schritt zum Entladen einer Halbleiterlaservorrichtung von Schritt S005 sind die Gleichen wie jene in der Ausführungsform 1. Im Schritt zur Installation mit Montagevorrichtung von Schritt S002 werden die Zwischenkörper 34 so angeordnet, dass die zweite Elektrodenschicht 10 der vorderseitigen Elektrode 26, die auf dem Halbleiterlaserstab 3 strukturiert ist, mit den Metallstrukturen 12 der Metallschicht 27, die auf der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabs 21 strukturiert ist, nicht in Kontakt kommt.
  • Im Schritt zur Blockmontage von Schritt S006 werden, nachdem die Halbleiterlaservorrichtung 20 im Block 51 angeordnet ist, die Metallschicht 27 der Halbleiterlaservorrichtung 20 und die Metallschicht 53 des Blocks 51 erhitzt und aneinander gebondet, um dadurch die Halbleiterlaservorrichtung 20 auf dem Block 51 zu befestigen und zu montieren. Wenn sowohl die Metallschicht 27 als auch die Metallschicht 53 Gold sind, sind die Metallschicht 27 der Halbleiterlaservorrichtung 20 und die Metallschicht 53 des Blocks 51 mit Gold zu bonden. Beispielsweise beträgt die Heiztemperatur im Schritt zur Blockmontage 150 bis 200°C.
  • Im Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsform 2 wird ein Fall betrachtet, bei dem die oberste Oberfläche der vorderseitigen Elektrode 15a des Halbleiterlaserstabs 3, die nicht strukturiert ist, Gold ist und das auf der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabs 21 ausgebildete Metall vom Lot 25 in Gold, das nicht strukturiert ist, geändert wird. In diesem Fall wird im Bonding-Schritt von Schritt S003 insofern ein Problem auftreten, als ein Gold-Bonden in einem anderen Teilbereich als dem gewünschten Teilbereich, nämlich dem Teilbereich zwischen dem Gold auf der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabs 21 und der unstrukturierten vorderseitigen Elektrode 15a des Halbleiterlaserstabs 3 eines anderen Zwischenkörpers 34 auftritt und somit die Zwischenkörper 24 im Schritt zum Entladen einer Halbleiterlaservorrichtung von Schritt S005 aufgrund der Zwischenkörper 34, die nach dem Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms von Schritt S004 aneinander gebondet sind, nicht getrennt werden können. Wie im Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche eines Halbleiterlasers der Ausführungsform 3 kann jedoch, wenn die vorderseitige Elektrode des Halbleiterlaserstabs 3 oder 33 die strukturierte vorderseitige Elektrode 26 ist und die strukturierte Metallschicht 27 auf der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabs 21 ausgebildet ist, die Halbleiterlaservorrichtung 20, die den Halbleiterlaserstab 33 mit dem auf den gespaltenen Endflächen 14 ausgebildeten Schutzfilm 19 aufweist, einzeln aus der Montagevorrichtung 40 zur Installation entnommen werden.
  • In dem Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsform 3 ist die vorderseitige Elektrode des Halbleiterlaserstabs 3 die strukturierte vorderseitige Elektrode 26 und ist die strukturierte Metallschicht 27 auf der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabs 21 ausgebildet, und in dem Schritt zur Installation mit Montagevorrichtung von Schritt S002 werden die Zwischenkörper 34 so angeordnet, dass die zweite Elektrodenschicht 10 der strukturierten vorderseitigen Elektrode 26 im Halbleiterlaserstab 3 und die Metallstrukturen 12 der strukturierten Metallschicht 27 auf der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabs 21 nicht miteinander in Kontakt kommen. Daher kann im Bonding-Schritt von Schritt S003 der Metall-Bonding-Teilbereich 61 durch das Gold-Bonden oder dergleichen nur in dem gewünschten Teilbereich, nämlich dem Teilbereich zwischen der rückseitigen Elektrode 15b des Halbleiterlaserstabs 3 und der Metallschicht 23 des Unterbaustabs 21, gebildet werden und wird der Metall-Bonding-Teilbereich durch das Gold-Bonden oder dergleichen in dem anderen Teilbereich nicht ausgebildet.
  • In dem Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsform 3 werden der Halbleiterlaserstab 3 und der Unterbaustab 21 metallisch gebondet, bevor der Schutzfilm 19 auf den gespaltenen Endflächen 14 des Halbleiterlaserstabs 3 ausgebildet wird, und können der Bonding-Schritt und der Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms in der gleichen Vorrichtung durchgeführt werden, und somit können die gleichen Effekte wie im Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsform 1 erhalten werden. Das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung der Ausführungsform 3 unterscheidet sich vom Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung der Ausführungsform 2 dadurch, dass die Halbleiterlaservorrichtung 20 und der Block 51 im Schritt zur Blockmontage von Schritt S006 unter Verwendung des Gold-Bonding montiert werden können. Da Gold eine höhere Wärmeleitfähigkeit als Lot aufweist, kann eine Wärmeableitung zwischen dem Unterbaustab 21 und dem Block 51 verbessert werden. Im Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung der Ausführungsform 3 kann, da die Halbleiterlaservorrichtung 20 auf dem Block 51 unter Verwendung des Gold-Bonding montiert werden kann, eine Wärmeableitung zwischen der Halbleiterlaservorrichtung 20 und dem Block 51 im Vergleich mit dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung der Ausführungsform 2 verbessert werden. Daher kann die Halbleitervorrichtung 50 der Ausführungsform 3 eine Wärmeableitung zwischen der Halbleiterlaservorrichtung 20 und dem Block 51 im Vergleich mit der Halbleitervorrichtung 50 der Ausführungsform 2 verbessern. Man beachte, dass, obgleich die Bonding-Fläche zwischen der strukturierten Metallschicht 27 der Halbleiterlaservorrichtung 20 und der Metallschicht 53 des Blocks 51 kleiner als die Bonding-Fläche zwischen dem Lot 26 der Halbleiterlaservorrichtung 20 und der Metallschicht 53 des Blocks 51 in der Halbleitervorrichtung 50 der Ausführungsform 2 ist, kein Problem bei der Wärmeableitung besteht, da der Abstand vom Halbleiterlaserstab 3 zum Block 51 der Dicke des Unterbaustabs 21 entspricht.
  • Da das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und das Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung der Ausführungsform 3 das Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsform 3 einschließen, werden die gleichen Effekte wie jene des Verfahrens zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche für den Halbleiterlaser der Ausführungsform 3 erhalten. Da die Halbleiterlaservorrichtung 20 der Ausführungsform 3 die gleiche Struktur wie jene der Halbleiterlaservorrichtung 20 der Ausführungsform 1 aufweist, außer dass die strukturierte Metallschicht 27 auf der rückseitigen Oberfläche des Unterbaustabs 21 ausgebildet ist und die strukturierte vorderseitige Elektrode 26 auf der vorderseitigen Oberfläche des Halbleiterlaserstabs 33 ausgebildet ist, werden die gleichen Effekte wie jene der Halbleiterlaservorrichtung 20 der Ausführungsform 1 erhalten. Da die Halbleitervorrichtung 50 der Ausführungsform 3 die Halbleiterlaservorrichtung 20 der Ausführungsform 3 enthält, werden die gleichen Effekte wie jene der Halbleiterlaservorrichtung 20 der Ausführungsform 3 erhalten.
  • Man beachte, dass, obgleich die Halbleiterlaservorrichtung 20 so beschrieben ist, dass sie eine Vielzahl der lichtemittierenden Bereiche 18 aufweist, die Halbleiterlaservorrichtung 20 in jeden der lichtemittierenden Bereiche 18 getrennt werden kann. Das heißt, nach dem Schritt zum Entladen einer Halbleiterlaservorrichtung von Schritt S005 kann die Halbleiterlaservorrichtung 20, das heißt der Halbleiterlaserstab 33 und der Unterbaustab 21, für jeden der lichtemittierenden Bereiche 18 geschnitten werden, um die Halbleiterlaservorrichtung 20 in einem kleinen Stück mit einem einzigen lichtemittierenden Bereich 18 herzustellen. Selbst in diesem Fall weist die Halbleiterlaservorrichtung 20 in einem kleinen Stück die gleichen Effekte wie die Halbleiterlaservorrichtung 20 mit dem Halbleiterlaserstab 3 und dem Unterbaustab 21 auf, die stabförmig sind.
  • Man beachte, dass, obgleich verschiedene beispielhafte Ausführungsformen und Beispiele in der vorliegenden Anmeldung beschrieben sind, verschiedene Merkmale, Aspekte und Funktionen, die in einer oder mehreren Ausführungsformen beschrieben wurden, einer bestimmten Ausführungsform nicht eigen bzw. inhärent sind und allein oder in ihren verschiedenen Kombinationen auf jede Ausführungsform anwendbar sein können. Dementsprechend fasst man zahllose Variationen, die nicht veranschaulicht sind, innerhalb des Umfangs der hierin offenbarten Technik ins Auge. Beispielsweise sind der Fall, bei dem zumindest eine Komponente modifiziert, hinzugefügt oder weggelassen wird, und der Fall, bei dem zumindest eine Komponente extrahiert und mit einer Komponente in einer anderen Ausführungsform kombiniert wird, eingeschlossen.
  • Bezugszeichenliste
    • 3, 3a, 3b, 3c
    Halbleiterlaserstab,
    8
    Schutzfilmteilchen (Materialteilchen),
    10
    zweite Elektrodenschicht (getrennte Elektrodenschicht),
    12
    Metallstruktur,
    14
    gespaltene Endfläche,
    15a
    vorderseitige Elektrode,
    15b
    rückseitige Elektrode,
    18
    lichtemittierender Bereich,
    19
    Schutzfilm,
    20
    Halbleiterlaservorrichtung,
    21, 21a, 21b, 21c
    Unterbaustab,
    22
    Unterbaustabkörper,
    23
    Metallschicht,
    25
    Lot,
    26
    vorderseitige Elektrode,
    33
    Halbleiterlaserstab,
    40
    Montagevorrichtung zur Installation,
    41
    Öffnungselement (erstes Öffnungselement, zweites Öffnungselement),
    42
    Befestigungsplatte,
    43
    Öffnung,
    46
    Schieber,
    50
    Halbleitervorrichtung,
    60
    Vorrichtung zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer Endfläche (Vorrichtung zum Ausbilden eines Schutzfilms
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP H818150 [0006]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • Journal of the Japan Society for Precision Engineering, Bd. 79, Nr. 8, (2013), S.719-724 [0016]

Claims (8)

  1. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung, um eine Halbleiterlaservorrichtung herzustellen, bei dem ein Schutzfilm auf gespaltenen Endflächen eines Halbleiterlaserstabs, der ein stabförmiger Halbleiterlaser ist, ausgebildet wird, wobei das Verfahren aufweist: einen Schritt zur Materialvorbereitung, um eine Metallschicht auf einer vorderseitigen Oberfläche eines stabförmigen Unterbaustabkörpers auszubilden, die dem Halbleiterlaserstab zugewandt sein soll, um einen stabförmigen Unterbaustab vorzubereiten, auf dem der Halbleiterlaserstab montiert werden soll, wobei der Halbleiterlaserstab eine vorderseitige Elektrode aufweist, die auf einer von den gespaltenen Endflächen verschiedenen Oberfläche ausgebildet ist, und eine rückseitige Elektrode aufweist, die auf einer der einen Oberfläche gegenüberliegenden Oberfläche ausgebildet ist; einen Schritt zur Installation mit Montagevorrichtung, um den Unterbaustab und den Halbleiterlaserstab, die in einer Vielzahl angeordnet sind, abwechselnd gestapelt auf einer Montagevorrichtung zur Installation so zu installieren, dass die Metallschicht des Unterbaustabs und die rückseitige Elektrode des Halbleiterlaserstabs einander zugewandt sind; einen Bonding-Schritt, um die Metallschicht und die rückseitige Elektrode zu bonden, indem eine Temperatur der Montagevorrichtung zur Installation erhöht wird, in der der Unterbaustab und der Halbleiterlaserstab, die in einer Vielzahl angeordnet sind, installiert sind; und einen Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms, um den Schutzfilm auf den gespaltenen Endflächen des Halbleiterlaserstabs in einer Vorrichtung zum Ausbilden eines Schutzfilms unter Verwendung der Montagevorrichtung zur Installation, in der der Unterbaustab und der Halbleiterlaserstab, die in einer Vielzahl angeordnet sind, installiert sind, nach dem Bonding-Schritt auszubilden.
  2. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Bonding-Schritt in der Vorrichtung zum Ausbilden eines Schutzfilms durchgeführt wird.
  3. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei im Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms, nachdem der Schutzfilm auf einer der gespaltenen Endflächen des Halbleiterlaserstabs ausgebildet ist, der Schutzfilm auf der anderen der gespaltenen Endflächen des Halbleiterlaserstabs ohne Demontage der Montagevorrichtung zur Installation gebildet wird.
  4. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei im Schritt zum Ausbilden eines Schutzfilms, nachdem der Schutzfilm auf einer der gespaltenen Endflächen des Halbleiterlaserstabs ausgebildet ist, der Schutzfilm auf der anderen der gespaltenen Endflächen des Halbleiterlaserstabs gebildet wird, indem eine Orientierung der Montagevorrichtung zur Installation so geändert wird, dass Materialteilchen des Schutzfilms die andere der gespaltenen Endflächen des Halbleiterlaserstabs erreichen.
  5. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Metallschicht Gold ist und eine äußerste Oberfläche der rückseitigen Elektrode, die der Metallschicht zugewandt ist, Gold ist.
  6. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei im Schritt zur Materialvorbereitung ein Lot auf einer Oberfläche des Unterbaustabs auf einer der Metallschicht gegenüberliegenden Seite ausgebildet wird.
  7. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Halbleiterlaserstab eine Vielzahl lichtemittierender Bereiche aufweist, die vorderseitige Elektrode eine getrennte Elektrodenschicht, die für jeden der lichtemittierenden Bereiche getrennt ist, in einer von der rückseitigen Elektrode entfernt gelegenen Oberfläche aufweist und im Schritt zur Materialvorbereitung eine Metallstruktur, die so getrennt ist, dass sie mit der getrennten Elektrodenschicht beim Schritt zur Installation mit Montagevorrichtung nicht in Kontakt ist, auf der Oberfläche des Unterbaustabs auf der der Metallschicht gegenüberliegenden Seite ausgebildet wird.
  8. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Montagevorrichtung zur Installation eine Befestigungsplatte, ein erstes Öffnungselement und ein zweites Öffnungselement, die an der Befestigungsplatte befestigt sind und Öffnungen aufweisen, und einen Schieber aufweist, der den Unterbaustab und den Halbleiterlaserstab, die in einer Vielzahl angeordnet sind, drückt, und im Schritt zur Installation mit Montagevorrichtung der Unterbaustab und der Halbleiterlaserstab, die in einer Vielzahl vorliegen, auf der Montagevorrichtung zur Installation so angeordnet werden, dass eine der gespaltenen Endflächen und die andere der gespaltenen Endflächen im Halbleiterlaserstab aus den Öffnungen des ersten Öffnungselements bzw. des zweiten Öffnungselements freigelegt sind und der Unterbaustab und der Halbleiterlaserstab, die in einer Vielzahl vorliegen, in einem Zustand, in dem sie durch den Schieber gegen die Befestigungsplatte gedrückt werden, auf der Montagevorrichtung zur Installation befestigt und installiert werden.
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