JPH05211374A - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
光半導体装置の製造方法Info
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- JPH05211374A JPH05211374A JP5692A JP5692A JPH05211374A JP H05211374 A JPH05211374 A JP H05211374A JP 5692 A JP5692 A JP 5692A JP 5692 A JP5692 A JP 5692A JP H05211374 A JPH05211374 A JP H05211374A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- light emitting
- heat sink
- face
- coating film
- Prior art date
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- Withdrawn
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
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Abstract
(57)【要約】
【目的】発光素子ペレットの発光部端面にコーティング
膜を形成するときに、コーティング膜がペレット側面に
回わり込むことによって起こるペレットはがれ，ボンデ
ィングワイヤー付着を排除することを目的とする。 【構成】ヒートシンク２に発光ペレット３を搭載し、ペ
レット上面電極からヒートシンク主面上のペレット搭載
部位と電気的に絶縁された部位８にワイヤーボンディン
グを行った後にペレット発光部端面９にコーティング膜
を形成する。
膜を形成するときに、コーティング膜がペレット側面に
回わり込むことによって起こるペレットはがれ，ボンデ
ィングワイヤー付着を排除することを目的とする。 【構成】ヒートシンク２に発光ペレット３を搭載し、ペ
レット上面電極からヒートシンク主面上のペレット搭載
部位と電気的に絶縁された部位８にワイヤーボンディン
グを行った後にペレット発光部端面９にコーティング膜
を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光半導体装置に関し、特
に発光素子の組立製造方法に関する。
に発光素子の組立製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ及び発光ダイオードは発光
部の保護及び発光部端面での反射率を調整するために、
発光部端面に酸化膜（ＳｉＯ2 ）や窒化膜（ＳｉＮx ）
を単層で、あるいは組合せにより多層で膜をコーティン
グするのが一般的である。このとき、半導体レーザの場
合、発光部端面だけに膜をコーティングするために、シ
リコン等のバーでバー状の半導体レーザペレットを挟み
治具で固定し、半導体レーザペレットの発光部端面のみ
を露出させ、スパッタ装置等により膜をコーティングす
る。そして、コーティング完了後個々のペレットに分離
し、ヒートシンクに搭載しソルダー等により融着固定
し、さらにパッケージに前記ヒートシンクを同じくソル
ダー等により融着固定し、ワイヤーボンディングを行う
のが一般的である。
部の保護及び発光部端面での反射率を調整するために、
発光部端面に酸化膜（ＳｉＯ2 ）や窒化膜（ＳｉＮx ）
を単層で、あるいは組合せにより多層で膜をコーティン
グするのが一般的である。このとき、半導体レーザの場
合、発光部端面だけに膜をコーティングするために、シ
リコン等のバーでバー状の半導体レーザペレットを挟み
治具で固定し、半導体レーザペレットの発光部端面のみ
を露出させ、スパッタ装置等により膜をコーティングす
る。そして、コーティング完了後個々のペレットに分離
し、ヒートシンクに搭載しソルダー等により融着固定
し、さらにパッケージに前記ヒートシンクを同じくソル
ダー等により融着固定し、ワイヤーボンディングを行う
のが一般的である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この半導体レーザ発光
部端面のコーティング方法は、次の問題点があった。
部端面のコーティング方法は、次の問題点があった。
【０００４】バー状の半導体レーザペレットの発光部端
面にコーティングするとき、シリコン等のバーで挟む
が、シリコンバー端面より発光部端面が突出しすぎる
と、半導体レーザペレット側面まで膜がコーティングさ
れ半導体レーザペレットをソルダーでヒートシンクに融
着するとき、半導体レーザペレットにソルダーが馴染ま
ず、半導体レーザペレットはがれ及び半導体レーザペレ
ットの放熱を損ねる等の問題があった。また、逆にシリ
コンバーが突出すると発光部端面に十分にコーティング
されず膜の色むら、はがれ等の問題があった。しかも、
半導体レーザペレットはインジウム・リン（Ｉｎ−
Ｐ），ガリウム−ヒソ（ＧａＡｓ）等比較的柔らかい結
晶から成るため、シリコンバーに十分荷重を加えること
ができず、シリコンバーと半導体レーザペレットに隙間
ができやすく半導体レーザペレットの側面に膜がまわり
込み、ヒートシンクへのペレットの搭載及びペレット電
極へのワイヤーボンディングに支障を来たすという問題
があった。
面にコーティングするとき、シリコン等のバーで挟む
が、シリコンバー端面より発光部端面が突出しすぎる
と、半導体レーザペレット側面まで膜がコーティングさ
れ半導体レーザペレットをソルダーでヒートシンクに融
着するとき、半導体レーザペレットにソルダーが馴染ま
ず、半導体レーザペレットはがれ及び半導体レーザペレ
ットの放熱を損ねる等の問題があった。また、逆にシリ
コンバーが突出すると発光部端面に十分にコーティング
されず膜の色むら、はがれ等の問題があった。しかも、
半導体レーザペレットはインジウム・リン（Ｉｎ−
Ｐ），ガリウム−ヒソ（ＧａＡｓ）等比較的柔らかい結
晶から成るため、シリコンバーに十分荷重を加えること
ができず、シリコンバーと半導体レーザペレットに隙間
ができやすく半導体レーザペレットの側面に膜がまわり
込み、ヒートシンクへのペレットの搭載及びペレット電
極へのワイヤーボンディングに支障を来たすという問題
があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体装置
は、ヒートシンクに発光素子ペレットを搭載する工程と
該ペレットから該ヒートシンク主面上でペレット搭載部
と電気的に絶縁分離された部位に該発光素子，ペレット
上面電極からワイヤーボンディングを行う工程のすくな
くとも後に発光素子、ペレットの発光部にコーティング
膜を形成している。
は、ヒートシンクに発光素子ペレットを搭載する工程と
該ペレットから該ヒートシンク主面上でペレット搭載部
と電気的に絶縁分離された部位に該発光素子，ペレット
上面電極からワイヤーボンディングを行う工程のすくな
くとも後に発光素子、ペレットの発光部にコーティング
膜を形成している。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の一実施例の模式的斜視図である。
発光素子として半導体レーザを用いた場合の例である。
また、ヒートシンクは高抵抗のシリコンを用いている。
ヒートシンクバー１は高抵抗のシリコンウェハーの主面
及び裏面に電極を蒸着し、次に半導体レーザペレット融
着用のソルダーを金属マスクによりペレット搭載部位５
に部分蒸着し、ダイシングによりバー状に切出しを行
う。また、このとき個々のヒートシンクに分離しやすい
ように溝６も形成する。また、ペレット搭載部位５と電
気的に絶縁した部位８を形成するために、ダイサーで軽
く溝７を形成し、電極の剥離を行う。このようにして形
成したヒートシンクバーに半導体レーザペレット３をヒ
ートシンク搭載部位５にヒートシンク端面とペレット端
面とを揃え、部分的に加熱してソルダーを溶融し半導体
レーザペレット３を固定する。次に、ワイヤーボンダー
で半導体レーザペレット３の上面電極からペレット搭載
部位と電気的に絶縁された部位８へワイヤーボンディン
グ４を行う。こうしてできた、ペレット搭載済，ワイヤ
ーボンディング完了済ヒートシンクバーをスパッタ装置
にセッティングし、ＳｉＯx 膜をペレット発光部端面９
へコーティングする目的でＳｉＯx のスパッタを行う。
このとき、全面にＳｉＯ2 がコーティングされるため、
ヒートシンク２をパッケージに搭載後ヒートシンクから
パッケージリードへワイヤーボンディングを行うため、
ＳｉＯ2 がコーティングされていない部分を形成するた
めに金属マスク等で一部を覆う。コーティング後必要に
応じ電気的・光学的特性チェックを行う。その後溝６に
より個々のヒートシンク２に分離し、パッケージに搭載
し、ソルダーにより固着し、ヒートシンク主面上よりワ
イヤーボンディングを行うことにより、半導体レーザ素
子を製造することができる。
る。図１は、本発明の一実施例の模式的斜視図である。
発光素子として半導体レーザを用いた場合の例である。
また、ヒートシンクは高抵抗のシリコンを用いている。
ヒートシンクバー１は高抵抗のシリコンウェハーの主面
及び裏面に電極を蒸着し、次に半導体レーザペレット融
着用のソルダーを金属マスクによりペレット搭載部位５
に部分蒸着し、ダイシングによりバー状に切出しを行
う。また、このとき個々のヒートシンクに分離しやすい
ように溝６も形成する。また、ペレット搭載部位５と電
気的に絶縁した部位８を形成するために、ダイサーで軽
く溝７を形成し、電極の剥離を行う。このようにして形
成したヒートシンクバーに半導体レーザペレット３をヒ
ートシンク搭載部位５にヒートシンク端面とペレット端
面とを揃え、部分的に加熱してソルダーを溶融し半導体
レーザペレット３を固定する。次に、ワイヤーボンダー
で半導体レーザペレット３の上面電極からペレット搭載
部位と電気的に絶縁された部位８へワイヤーボンディン
グ４を行う。こうしてできた、ペレット搭載済，ワイヤ
ーボンディング完了済ヒートシンクバーをスパッタ装置
にセッティングし、ＳｉＯx 膜をペレット発光部端面９
へコーティングする目的でＳｉＯx のスパッタを行う。
このとき、全面にＳｉＯ2 がコーティングされるため、
ヒートシンク２をパッケージに搭載後ヒートシンクから
パッケージリードへワイヤーボンディングを行うため、
ＳｉＯ2 がコーティングされていない部分を形成するた
めに金属マスク等で一部を覆う。コーティング後必要に
応じ電気的・光学的特性チェックを行う。その後溝６に
より個々のヒートシンク２に分離し、パッケージに搭載
し、ソルダーにより固着し、ヒートシンク主面上よりワ
イヤーボンディングを行うことにより、半導体レーザ素
子を製造することができる。
【０００７】図２は、本発明のもう一つの実施例の平面
図である。ウェハー状のヒンシンク１１にペレット３を
搭載し、ワイヤーボンディング４を行なった後にスパッ
タ装置によりＳｉＯ2 膜をペレット３の発光部端面にコ
ーティングすることを目的にコーティング膜を形成す
る。本実施例では、ウェハー状のヒートシンクを処理す
るため、量産性に富んでいる。
図である。ウェハー状のヒンシンク１１にペレット３を
搭載し、ワイヤーボンディング４を行なった後にスパッ
タ装置によりＳｉＯ2 膜をペレット３の発光部端面にコ
ーティングすることを目的にコーティング膜を形成す
る。本実施例では、ウェハー状のヒートシンクを処理す
るため、量産性に富んでいる。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、発光素子
ペレットの発光部端面にコーティング膜を形成する前
に、ヒートシンクに発光素子ペレットを搭載しワイヤー
ボンディングするのでコーティング膜にペレット主面及
び裏面電極上に回わり込むことによる、ペレットハガレ
及びボンディングワイヤーの付着を排除することができ
るという効果を有する。また、発光素子ペレットの搭
載，ワイヤーボンディング及びコーティング膜の形成の
一連の工程をバー状のヒートシンクまたは、ウェハー状
のヒートシンクの状態で処理することにより量産性に富
むという効果を有する。
ペレットの発光部端面にコーティング膜を形成する前
に、ヒートシンクに発光素子ペレットを搭載しワイヤー
ボンディングするのでコーティング膜にペレット主面及
び裏面電極上に回わり込むことによる、ペレットハガレ
及びボンディングワイヤーの付着を排除することができ
るという効果を有する。また、発光素子ペレットの搭
載，ワイヤーボンディング及びコーティング膜の形成の
一連の工程をバー状のヒートシンクまたは、ウェハー状
のヒートシンクの状態で処理することにより量産性に富
むという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の模式的斜視図。
【図２】もう一つの実施例の平面図。
１ バー状ヒートシンク ２ ヒートシンク ３ 半導体レーザペレット ４ ボンディングワイヤー ５ ペレット搭載部位 ６ ヒートシンク分離用溝 ７ 電極分離用溝 ８ ペレット搭載部位と電気的に絶縁さた部位 ９ ペレット発光部端面 １１ ウェハー状ヒートシンク
Claims (3)
- 【請求項１】 ヒートシンクに発光素子ペレットを搭載
する工程と該発光素子ペレットから該ヒートシンク主面
上でペレット搭載部と電気的に絶縁分離された部位に該
発光素子ペレット上面電極からワイヤーボンディングを
行う工程のすくなくとも後に発光素子ペレットの発光部
にコーティング膜を形成することを特徴とする光半導体
装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の光半導体装置の製造方法
において、ヒートシンクがバー状に２個以上連なった状
態であることを特徴とする光半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の光半導体の製造方法にお
いて、ヒートシンクがウェハース状に連なっていること
を特徴とする光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5692A JPH05211374A (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5692A JPH05211374A (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05211374A true JPH05211374A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=11463567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5692A Withdrawn JPH05211374A (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05211374A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09129976A (ja) * | 1995-11-01 | 1997-05-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザの端面パッシベーション方法 |
| GB2424124A (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-13 | Agilent Technologies Inc | LED mounting assembly |
| US11942758B2 (en) | 2019-03-18 | 2024-03-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device manufacturing method |
-
1992
- 1992-01-06 JP JP5692A patent/JPH05211374A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09129976A (ja) * | 1995-11-01 | 1997-05-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザの端面パッシベーション方法 |
| GB2424124A (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-13 | Agilent Technologies Inc | LED mounting assembly |
| US7262438B2 (en) | 2005-03-08 | 2007-08-28 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | LED mounting having increased heat dissipation |
| GB2424124B (en) * | 2005-03-08 | 2010-10-27 | Agilent Technologies Inc | Led mounting assembly |
| US11942758B2 (en) | 2019-03-18 | 2024-03-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device manufacturing method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |