JPH0818150A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザチップの発光端面にコーティング膜を
形成する際に、コーティング膜がレーザチップの電極に
回り込むのを確実に防止し、しかも量産に適する半導体
レーザの製造方法を提供する。 【構成】 半導体レーザチップ１をサブマウント１０の
ダイボン部１１に固着するとともに、前記半導体レーザ
チップ１の電極２とサブマウント１０のワイボン部１４
をワイヤ２４で接続し、前記サブマウント１０の表面電
極１３を耐熱性のテープ１６で覆った状態で、半導体レ
ーザチップ１の発光端面３にコーティング膜５を形成す
ることにより、コーティング膜５が半導体レーザチップ
の電極２に回り込むことがなく、レーザチップ１のサブ
マウント１０への搭載不良やワイヤボンディング不良を
防止することができる。
形成する際に、コーティング膜がレーザチップの電極に
回り込むのを確実に防止し、しかも量産に適する半導体
レーザの製造方法を提供する。 【構成】 半導体レーザチップ１をサブマウント１０の
ダイボン部１１に固着するとともに、前記半導体レーザ
チップ１の電極２とサブマウント１０のワイボン部１４
をワイヤ２４で接続し、前記サブマウント１０の表面電
極１３を耐熱性のテープ１６で覆った状態で、半導体レ
ーザチップ１の発光端面３にコーティング膜５を形成す
ることにより、コーティング膜５が半導体レーザチップ
の電極２に回り込むことがなく、レーザチップ１のサブ
マウント１０への搭載不良やワイヤボンディング不良を
防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザの製造方
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体レーザチップ（以下レーザ
チップ）１は、図４に示すように、その表裏面に形成さ
れた電極２から、レーザチップ１の内部の活性層に所定
の電流を注入するすることによって、レーザチップ１の
両端のへき開された発光端面３を介してレーザ光４が発
振される。このレーザチップ１には、発光端面３を保護
するとともに、発光端面３のレーザ発振のための反射率
を調整するために、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化膜（Ｓ
ｉＯ2） や窒化膜（ＳｉＮ）からなるコーティング膜５
が形成されている。
チップ）１は、図４に示すように、その表裏面に形成さ
れた電極２から、レーザチップ１の内部の活性層に所定
の電流を注入するすることによって、レーザチップ１の
両端のへき開された発光端面３を介してレーザ光４が発
振される。このレーザチップ１には、発光端面３を保護
するとともに、発光端面３のレーザ発振のための反射率
を調整するために、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化膜（Ｓ
ｉＯ2） や窒化膜（ＳｉＮ）からなるコーティング膜５
が形成されている。
【０００３】ところで、レーザチップ１にコーティング
膜５を形成する方法は、従来より図５に示す方法が知ら
れている。即ち、図５（ａ）に示すように、レーザ素子
が数十から数百個分形成されたウエハに電極２を設け、
このウエハをへき開し、レーザ素子が棒状に横方向に複
数個連なったレーザバー６を形成する。次に、図５
（ｂ）に示すように、レーザバー６の発光端面３を上下
に位置するよう複数個を整列治具７にて整列させ、両端
を固定治具８にて挟圧保持した状態で支持台９に固定す
る。しかる後、上方からスパッタリングあるいは蒸着に
より各レーザバー６の発光端面３に片面ずつコーティン
グ膜５を形成する。
膜５を形成する方法は、従来より図５に示す方法が知ら
れている。即ち、図５（ａ）に示すように、レーザ素子
が数十から数百個分形成されたウエハに電極２を設け、
このウエハをへき開し、レーザ素子が棒状に横方向に複
数個連なったレーザバー６を形成する。次に、図５
（ｂ）に示すように、レーザバー６の発光端面３を上下
に位置するよう複数個を整列治具７にて整列させ、両端
を固定治具８にて挟圧保持した状態で支持台９に固定す
る。しかる後、上方からスパッタリングあるいは蒸着に
より各レーザバー６の発光端面３に片面ずつコーティン
グ膜５を形成する。
【０００４】そして、コーティング膜５を形成した後
は、レーザバー６は個々のレーザチップ１に分割され、
サブマウント１０に半田等を介して固着される。レーザ
チップが搭載されたサブマウント１０は、図６に示すよ
うに、ステム２１に立設したヒートシンク２２に固着さ
れるとともに、レーザチップ１の上面の電極とサブマウ
ント１０とがワイヤ２４にて電気的に接続される。ま
た、サブマウト１０の表面電極と端子ピン２３とが同様
にワイヤ２４にて電気的に接続される。最後にステム２
１をガラス板２５を有するキャップ２６にて封止するこ
とで、レーザユニット２０が完成する。フォトダイオー
ド２７はレーザチップ１から発光されるレーザ光をモニ
ターするために設けられている。
は、レーザバー６は個々のレーザチップ１に分割され、
サブマウント１０に半田等を介して固着される。レーザ
チップが搭載されたサブマウント１０は、図６に示すよ
うに、ステム２１に立設したヒートシンク２２に固着さ
れるとともに、レーザチップ１の上面の電極とサブマウ
ント１０とがワイヤ２４にて電気的に接続される。ま
た、サブマウト１０の表面電極と端子ピン２３とが同様
にワイヤ２４にて電気的に接続される。最後にステム２
１をガラス板２５を有するキャップ２６にて封止するこ
とで、レーザユニット２０が完成する。フォトダイオー
ド２７はレーザチップ１から発光されるレーザ光をモニ
ターするために設けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
コーティング膜５を形成する方法では、レーザバー６を
整列治具７にて挟む際に、整列治具７より発光端面３の
突出している幅が大きいとコーティング膜５が電極２に
回り込むため、レーザチップ１の放熱性を損ねたり、サ
ブマウント１０への固着やワイヤボンディングの妨げと
なるという問題を生じていた。逆に、整列治具７より発
光端面３の突出している幅が小さいとコーティング膜５
が十分な厚さに達しないという問題も生じていた。
コーティング膜５を形成する方法では、レーザバー６を
整列治具７にて挟む際に、整列治具７より発光端面３の
突出している幅が大きいとコーティング膜５が電極２に
回り込むため、レーザチップ１の放熱性を損ねたり、サ
ブマウント１０への固着やワイヤボンディングの妨げと
なるという問題を生じていた。逆に、整列治具７より発
光端面３の突出している幅が小さいとコーティング膜５
が十分な厚さに達しないという問題も生じていた。
【０００６】また、レーザ素子の材料となる化合物半導
体は、通常のＳｉからなる半導体材料に比較して柔軟な
材料であるため、固定治具８の挟持圧を一定以上増大さ
せることができず、その結果、レーザバー６と整列治具
７の間に隙間ができ、この隙間から電極７にコーティン
グ膜が回り込み、上述と同様の問題を生じていた。さら
に、レーザバー６の幅が非常に狭いため、その取扱いも
慎重に行わなければならず、量産するには多くの労力を
要していた。
体は、通常のＳｉからなる半導体材料に比較して柔軟な
材料であるため、固定治具８の挟持圧を一定以上増大さ
せることができず、その結果、レーザバー６と整列治具
７の間に隙間ができ、この隙間から電極７にコーティン
グ膜が回り込み、上述と同様の問題を生じていた。さら
に、レーザバー６の幅が非常に狭いため、その取扱いも
慎重に行わなければならず、量産するには多くの労力を
要していた。
【０００７】本発明の目的は、上述した問題点を除去し
た半導体レーザの製造方法を提供することにある。
た半導体レーザの製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために次のような構成をとる。すなわち、本発
明の半導体レーザの製造方法は、半導体レーザチップを
サブマウントのダイボン部に固着するとともに、前記半
導体レーザチップの上面の電極とサブマウントのワイボ
ン部をワイヤで接続し、前記サブマウントの表面電極を
テープで覆った状態で、半導体レーザチップの発光端面
にコーティング膜を形成することを特徴とするものであ
る。
達成するために次のような構成をとる。すなわち、本発
明の半導体レーザの製造方法は、半導体レーザチップを
サブマウントのダイボン部に固着するとともに、前記半
導体レーザチップの上面の電極とサブマウントのワイボ
ン部をワイヤで接続し、前記サブマウントの表面電極を
テープで覆った状態で、半導体レーザチップの発光端面
にコーティング膜を形成することを特徴とするものであ
る。
【０００９】
【作用及び効果】本発明では、レーザチップをサブマウ
トに固着するとともに、ワイヤボンディングを行った後
に、サブマウントの表面電極をテープ、特に耐熱性のテ
ープにて覆い、この状態で発光端面にコーティング膜を
形成するので、コーティング膜が半導体レーザチップの
電極に回り込むことがなく、レーザチップのサブマウン
トへの搭載不良やワイヤボンディング不良を防止するこ
とができる。
トに固着するとともに、ワイヤボンディングを行った後
に、サブマウントの表面電極をテープ、特に耐熱性のテ
ープにて覆い、この状態で発光端面にコーティング膜を
形成するので、コーティング膜が半導体レーザチップの
電極に回り込むことがなく、レーザチップのサブマウン
トへの搭載不良やワイヤボンディング不良を防止するこ
とができる。
【００１０】また、半導体レーザチップを搭載したサブ
マウントを利用しているので取扱いが容易になる。さら
には、このサブマウントを複数個を表面電極が一列状と
なるように並べて、耐熱性のテープを貼り付けて発光端
面にコーティング膜を形成しているので量産に適してい
る。
マウントを利用しているので取扱いが容易になる。さら
には、このサブマウントを複数個を表面電極が一列状と
なるように並べて、耐熱性のテープを貼り付けて発光端
面にコーティング膜を形成しているので量産に適してい
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１乃至図３を参照
しつつ説明する。尚、従来と同一部分や相当部分には同
一の符号を付している。まず、ＭＢＥ法やＭＯＣＶＤ法
等によりレーザ素子が数十から数百個分形成されたＩｎ
ＰやＧａＡｓ等からなるウエハの表裏面にＡｕを含む合
金から成る電極２を一体に設けた後、このウエハを結晶
方向に沿ってへき開し、図１に示すように、個々のレー
ザチップ１に分割する。
しつつ説明する。尚、従来と同一部分や相当部分には同
一の符号を付している。まず、ＭＢＥ法やＭＯＣＶＤ法
等によりレーザ素子が数十から数百個分形成されたＩｎ
ＰやＧａＡｓ等からなるウエハの表裏面にＡｕを含む合
金から成る電極２を一体に設けた後、このウエハを結晶
方向に沿ってへき開し、図１に示すように、個々のレー
ザチップ１に分割する。
【００１２】次に、図２に示すように、個々の分割され
たレーザチップ１をＳｉから成るサブマウト１０のダイ
ボン部１１に半田等を介して固着し、レーザチップ１の
上面の電極２とワイボン部１４とをワイヤ２４により電
気的に接続する。ここで本発明で使用されるサブマウン
ト１０について説明する。一般にサブマウント１０はＳ
ｉで形成されおり、レーザチップ１を搭載することで特
性検査および取扱いを容易にするために利用されてい
る。サブマウント１０の表面には、レーザチップ１を搭
載するためのダイボン部１１が形成されており、このダ
イボン部１１はアルミ配線１２を介して表面電極１３に
電気的に接続されている。この表面電極１３は、レーザ
チップ１に駆動電圧を供給するため、従来と同様図６に
示すレーザユニット２０の組み立て工程において、ワイ
ヤ２４により端子ピン２３と電気的に接続される。
たレーザチップ１をＳｉから成るサブマウト１０のダイ
ボン部１１に半田等を介して固着し、レーザチップ１の
上面の電極２とワイボン部１４とをワイヤ２４により電
気的に接続する。ここで本発明で使用されるサブマウン
ト１０について説明する。一般にサブマウント１０はＳ
ｉで形成されおり、レーザチップ１を搭載することで特
性検査および取扱いを容易にするために利用されてい
る。サブマウント１０の表面には、レーザチップ１を搭
載するためのダイボン部１１が形成されており、このダ
イボン部１１はアルミ配線１２を介して表面電極１３に
電気的に接続されている。この表面電極１３は、レーザ
チップ１に駆動電圧を供給するため、従来と同様図６に
示すレーザユニット２０の組み立て工程において、ワイ
ヤ２４により端子ピン２３と電気的に接続される。
【００１３】このように、レーザチップ１を搭載し、か
つレーザチップ１の上面の電極２とワイボン部１４とを
ワイヤボンディングしたサブマウント１０を、図３に示
すように、金属性のキャリア１５に複数個を表面電極１
３が一列状になるように並べる。その後、一列状に並ん
だサブマウント１０の各表面電極１３を覆うように耐熱
性のテープ１６、例えばポリイミド系のテープやシリコ
ン系のテープを貼り付ける。この耐熱性テープ１６は、
次のスッパッタリング工程でコーティング膜５を発光端
面３に形成する際に、コーティング膜５が表面電極１３
に付着するのを防止するためのもので、表面電極１３に
コーティング膜５が付着するとワイボンディング不良の
原因となるからである。従って耐熱性テープ１６は表面
電極１３が覆われていれば良く、サブマウント１０全体
を覆う必要はない。
つレーザチップ１の上面の電極２とワイボン部１４とを
ワイヤボンディングしたサブマウント１０を、図３に示
すように、金属性のキャリア１５に複数個を表面電極１
３が一列状になるように並べる。その後、一列状に並ん
だサブマウント１０の各表面電極１３を覆うように耐熱
性のテープ１６、例えばポリイミド系のテープやシリコ
ン系のテープを貼り付ける。この耐熱性テープ１６は、
次のスッパッタリング工程でコーティング膜５を発光端
面３に形成する際に、コーティング膜５が表面電極１３
に付着するのを防止するためのもので、表面電極１３に
コーティング膜５が付着するとワイボンディング不良の
原因となるからである。従って耐熱性テープ１６は表面
電極１３が覆われていれば良く、サブマウント１０全体
を覆う必要はない。
【００１４】サブマウント１０に耐熱性テープ１６を貼
り付けたキャリア１５をスパッタ装置や蒸着装置内にセ
ットし、発光端面３をアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化膜
（ＳｉＯ2 ）や窒化膜（ＳｉＮ）でコーティングする。
このとき、発光端面３以外にも表面電極１３を除き、コ
ーティング膜５がサブマウント１０に付着するが、特に
問題になることはない。
り付けたキャリア１５をスパッタ装置や蒸着装置内にセ
ットし、発光端面３をアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化膜
（ＳｉＯ2 ）や窒化膜（ＳｉＮ）でコーティングする。
このとき、発光端面３以外にも表面電極１３を除き、コ
ーティング膜５がサブマウント１０に付着するが、特に
問題になることはない。
【００１５】発光端面３のコーティングが完了すると耐
熱性テープ１６は剥され、サブマウント１０は検査工程
で特性・光学検査が行われ、その後、サブマウント１０
は組立工程で図６に示すレーザユニットに組み立てられ
る。
熱性テープ１６は剥され、サブマウント１０は検査工程
で特性・光学検査が行われ、その後、サブマウント１０
は組立工程で図６に示すレーザユニットに組み立てられ
る。
【図１】本発明の製造方法の実施例を説明するためのも
ので、ウエハをレーザチップに分割した状態を示す図
面。
ので、ウエハをレーザチップに分割した状態を示す図
面。
【図２】本発明に使用されるサブマウントを示す斜視
図。
図。
【図３】本発明の製造方法の使用状態を示す斜視図。
【図４】コーティング膜が形成されたレーザチップの斜
視図。
視図。
【図５】従来のコーティング膜を形成する方法を説明す
る概略図。
る概略図。
【図６】レーザユニットを示す断面図。
１ レーザチップ ２ 電極 ３ 発光端面 ５ コーティング膜 １０ サブマウント １１ ダイボン部 １２ アルミ配線 １３ 表面電極 １５ キャリア １６ 耐熱性テープ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年７月１９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体レーザチップをサブマウントのダ
イボン部に固着するとともに、前記半導体レーザチップ
の電極とサブマウントのワイボン部をワイヤで接続し、
前記サブマウントの表面電極をテープで覆った状態で、
半導体レーザチップの発光端面にコーティング膜を形成
することを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザの製造方法
において、サブマウントの表面電極部が複数個列状に並
んでいることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6146887A JPH0818150A (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 半導体レーザの製造方法 |
| KR1019950016989A KR100348471B1 (ko) | 1994-06-29 | 1995-06-23 | 반도체레이저의제조방법 |
| US08/495,100 US5612258A (en) | 1994-06-29 | 1995-06-27 | Method of producing a semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6146887A JPH0818150A (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0818150A true JPH0818150A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15417829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6146887A Pending JPH0818150A (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5612258A (ja) |
| JP (1) | JPH0818150A (ja) |
| KR (1) | KR100348471B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020188695A1 (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4050865B2 (ja) * | 1999-12-01 | 2008-02-20 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法及びそれを用いた光ピックアップ |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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