JPH09266348A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法Info
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- JPH09266348A JPH09266348A JP7351996A JP7351996A JPH09266348A JP H09266348 A JPH09266348 A JP H09266348A JP 7351996 A JP7351996 A JP 7351996A JP 7351996 A JP7351996 A JP 7351996A JP H09266348 A JPH09266348 A JP H09266348A
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- semiconductor laser
- plane
- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザへの端面コートを確実に、しか
も効率良く行うための方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザをバー１０１の状態に加工
して整列治具１０２に整列する。ＥＣＲプラズマＣＶＤ
を用いて半導体レーザの端面コート材料を堆積する。こ
の工程で、ランプヒータ１０３を用いて処理面とは反対
側の面から約２００℃に加熱することよって、堆積膜の
電極面への堆積を防止する。
も効率良く行うための方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザをバー１０１の状態に加工
して整列治具１０２に整列する。ＥＣＲプラズマＣＶＤ
を用いて半導体レーザの端面コート材料を堆積する。こ
の工程で、ランプヒータ１０３を用いて処理面とは反対
側の面から約２００℃に加熱することよって、堆積膜の
電極面への堆積を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザの製
造方法に関し、特に、端面コートの方法に関するもので
ある。
造方法に関し、特に、端面コートの方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年光通信、レーザプリンタ、光ディス
クなどの分野で半導体レーザの需要が高まり、ＧａＡｓ
系、およびＩｎＰ系を中心として活発に研究開発が進め
られてきた。
クなどの分野で半導体レーザの需要が高まり、ＧａＡｓ
系、およびＩｎＰ系を中心として活発に研究開発が進め
られてきた。
【０００３】半導体レーザの共振器端面には、その用途
に応じて絶縁膜を堆積して所望の反射率を得るための端
面コートが必要である。その際、半導体レーザチップの
上下の電極面に端面コートのための絶縁膜が堆積するこ
となく、共振器側面に堆積する方法が要求される。この
方法は、特開平４−１８７７６７号公報や特開平５−９
２８０７号公報に示されている。いずれの場合も平板上
や搬送板上に半導体レーザのバーを整列する。
に応じて絶縁膜を堆積して所望の反射率を得るための端
面コートが必要である。その際、半導体レーザチップの
上下の電極面に端面コートのための絶縁膜が堆積するこ
となく、共振器側面に堆積する方法が要求される。この
方法は、特開平４−１８７７６７号公報や特開平５−９
２８０７号公報に示されている。いずれの場合も平板上
や搬送板上に半導体レーザのバーを整列する。
【０００４】整列の方法を、特開平４−１８７７６７号
公報の場合を例のあげて図６を用いて説明する。
公報の場合を例のあげて図６を用いて説明する。
【０００５】図６（ａ）は半導体レーザの光学薄膜被着
治具である。平板状のベースプレート３１上に、ナイフ
エッジ状支持板３２および３３で囲まれた領域に、共振
器端面であるへき開端面を上に向けてバー状態の半導体
レーザを整列する。この状態は図６（ｂ）に示されてい
る。
治具である。平板状のベースプレート３１上に、ナイフ
エッジ状支持板３２および３３で囲まれた領域に、共振
器端面であるへき開端面を上に向けてバー状態の半導体
レーザを整列する。この状態は図６（ｂ）に示されてい
る。
【０００６】この方法では、平板上や搬送板上への半導
体レーザのバーを整列を２度行う必要がある。即ち、片
側の共振器端面が終了後、全ての半導体レーザやスペー
サを分離除去し、反対側の共振器端面が上部となるよう
に整列を繰り返す必要がある。
体レーザのバーを整列を２度行う必要がある。即ち、片
側の共振器端面が終了後、全ての半導体レーザやスペー
サを分離除去し、反対側の共振器端面が上部となるよう
に整列を繰り返す必要がある。
【０００７】特開平５−９２８０７号公報の場合も同様
であり、片側の共振器端面（被コート面）が終了後、再
度、反対側の共振器端面（被コート面）が上部となるよ
うに整列を繰り返す。この方法によって半導体レーザの
両方の共振器端面に所望の反射率を得るための端面コー
トを行おうとしている。
であり、片側の共振器端面（被コート面）が終了後、再
度、反対側の共振器端面（被コート面）が上部となるよ
うに整列を繰り返す。この方法によって半導体レーザの
両方の共振器端面に所望の反射率を得るための端面コー
トを行おうとしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法では平板上や搬送板上に半導体レーザのバーを整列
するために、被コート面側が局所的に加熱される場合、
平板全体が凸状に変形し、レーザバーに隙間が生じて、
半導体レーザチップの上下の電極面に絶縁膜が堆積した
り、共振器端面（被コート面）を下方に向けて堆積する
場合、即ちフェイスダウンの場合、バーが落下する恐れ
が生じる。
方法では平板上や搬送板上に半導体レーザのバーを整列
するために、被コート面側が局所的に加熱される場合、
平板全体が凸状に変形し、レーザバーに隙間が生じて、
半導体レーザチップの上下の電極面に絶縁膜が堆積した
り、共振器端面（被コート面）を下方に向けて堆積する
場合、即ちフェイスダウンの場合、バーが落下する恐れ
が生じる。
【０００９】例えばプラズマを用いた誘電体材料の堆積
の場合、プラズマによる輻射熱によって、被コート側が
加熱され、平板治具全体が凸状に変形する。その状態を
図２（ｂ）に示す。図２（ｂ）のように、治具が凸状に
変形すると、レーザバーとレーザバーとの間に隙間２０
１ができ、この隙間２０１に端面コートの絶縁膜が堆積
されてしまう。
の場合、プラズマによる輻射熱によって、被コート側が
加熱され、平板治具全体が凸状に変形する。その状態を
図２（ｂ）に示す。図２（ｂ）のように、治具が凸状に
変形すると、レーザバーとレーザバーとの間に隙間２０
１ができ、この隙間２０１に端面コートの絶縁膜が堆積
されてしまう。
【００１０】また、上記の方法では、レーザバーの両方
の共振器端面に絶縁膜を形成するためには、平板上や搬
送板上への半導体レーザのバーを整列を２度行う必要が
あり、効率的ではない。
の共振器端面に絶縁膜を形成するためには、平板上や搬
送板上への半導体レーザのバーを整列を２度行う必要が
あり、効率的ではない。
【００１１】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、半導体レーザへの端面コートを確実に、しかも効
率良く行うための方法を提供することを目的とする。
あり、半導体レーザへの端面コートを確実に、しかも効
率良く行うための方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに半導体発光素子の製造方法は、半導体素子を平坦な
面を有する第１の板上に整列して固定し被処理体とする
工程と、該被処理体を処理室内に配置して該半導体素子
を整列した面とは反対側の面から加熱する工程と、該半
導体素子を整列した面上に膜を堆積する工程とを有して
いる。
めに半導体発光素子の製造方法は、半導体素子を平坦な
面を有する第１の板上に整列して固定し被処理体とする
工程と、該被処理体を処理室内に配置して該半導体素子
を整列した面とは反対側の面から加熱する工程と、該半
導体素子を整列した面上に膜を堆積する工程とを有して
いる。
【００１３】また、本発明の半導体発光素子の製造方法
は、少なくとも１個以上の半導体素子を平坦な面を有す
る第１の板上に整列して固定し被処理体とする工程と、
該処理体を処理室内に配置して膜を堆積する工程と、被
処理体上に前記第１の板と同等の機能を有する第２の板
を対向配置して一体化する工程と、一体化した第１の板
および第２の板を上下反転する工程と、第１の板を除去
して第２の処理体とする工程と、該第２の処理体を処理
室内に配置して膜を堆積する工程とを有している。
は、少なくとも１個以上の半導体素子を平坦な面を有す
る第１の板上に整列して固定し被処理体とする工程と、
該処理体を処理室内に配置して膜を堆積する工程と、被
処理体上に前記第１の板と同等の機能を有する第２の板
を対向配置して一体化する工程と、一体化した第１の板
および第２の板を上下反転する工程と、第１の板を除去
して第２の処理体とする工程と、該第２の処理体を処理
室内に配置して膜を堆積する工程とを有している。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
【００１５】（実施の形態１）図１に半導体レーザの端
面コート材料である絶縁膜の堆積方法を示す。レーザバ
ー１０１は治具１０２上に設置されている。ここでは、
レーザバー１０１は、紙面に垂直方向にバー状になって
おり、治具１０２側と治具１０２に対向する面がへき開
面となり、レーザ素子の共振器端面となる。バーの側面
には、電極が形成された電極形成面となっている。
面コート材料である絶縁膜の堆積方法を示す。レーザバ
ー１０１は治具１０２上に設置されている。ここでは、
レーザバー１０１は、紙面に垂直方向にバー状になって
おり、治具１０２側と治具１０２に対向する面がへき開
面となり、レーザ素子の共振器端面となる。バーの側面
には、電極が形成された電極形成面となっている。
【００１６】絶縁膜の堆積には、電子サイクロトロン共
鳴（ＥＣＲ）プラズマＣＶＤを用いる。堆積はバー状に
加工された半導体レーザを下方に向けた状態で行ってい
る。即ちフェイスダウンで行っており、このことによっ
て、パーティクルの試料面への付着や堆積を防止してい
る。ＥＣＲプラズマＣＶＤの処理室内へは、反応ガスで
あるSiH4とプラズマガスである窒素が導入され、圧力は
１ｍＴｏｒｒになっている。この装置を用いて、端面コ
ート材料であるSiNxを堆積する。
鳴（ＥＣＲ）プラズマＣＶＤを用いる。堆積はバー状に
加工された半導体レーザを下方に向けた状態で行ってい
る。即ちフェイスダウンで行っており、このことによっ
て、パーティクルの試料面への付着や堆積を防止してい
る。ＥＣＲプラズマＣＶＤの処理室内へは、反応ガスで
あるSiH4とプラズマガスである窒素が導入され、圧力は
１ｍＴｏｒｒになっている。この装置を用いて、端面コ
ート材料であるSiNxを堆積する。
【００１７】半導体レーザのバー101は整列治具102に整
列されている。裏面からはランプヒータ103などの熱源
によって約２００℃に加熱されている。この温度はＥＣ
Ｒプラズマ104の輻射熱によって試料面が上昇する温度
と、同程度か若しくはそれ以上の温度に設定される。温
度範囲は、約５０℃から約４００℃程度である。この温
度があまりに高いと、半導体レーザの電極に用いている
金属の異常拡散が生じ、信頼性の低下等の不具合を招い
てしまう。よって、温度は４００℃以下が好ましい。
列されている。裏面からはランプヒータ103などの熱源
によって約２００℃に加熱されている。この温度はＥＣ
Ｒプラズマ104の輻射熱によって試料面が上昇する温度
と、同程度か若しくはそれ以上の温度に設定される。温
度範囲は、約５０℃から約４００℃程度である。この温
度があまりに高いと、半導体レーザの電極に用いている
金属の異常拡散が生じ、信頼性の低下等の不具合を招い
てしまう。よって、温度は４００℃以下が好ましい。
【００１８】本発明で用いているレーザバー（被処理
体）は、図３に示すような構成から成る。即ち、レーザ
のバー３０１を、平坦な面を有する整列治具302の上に
整列し、隙間が開かない状態でバネ押さえ303と固定ビ
ス304で固定されている。図３ではバーのみが整列され
る形で書かれているが、レーザバーとレーザバーとの間
にスペーサを挿入してもよい。この方が電極形成面を保
護できるので、好ましい。
体）は、図３に示すような構成から成る。即ち、レーザ
のバー３０１を、平坦な面を有する整列治具302の上に
整列し、隙間が開かない状態でバネ押さえ303と固定ビ
ス304で固定されている。図３ではバーのみが整列され
る形で書かれているが、レーザバーとレーザバーとの間
にスペーサを挿入してもよい。この方が電極形成面を保
護できるので、好ましい。
【００１９】本実施例のように、裏面からの加熱が有る
場合は図２（ａ）に示すように半導体レーザのバー101
とバーとの間に隙間が生じることがない。しかし、裏面
からの加熱が無い場合は図２（ｂ）に示すようにバーの
間に隙間201が生じる。隙間201が生じると、端面コート
材料である絶縁膜が半導体レーザの電極面に堆積してし
まい、導通不良や組立時に金ワイヤーの密着不良等の不
具合を生じる。
場合は図２（ａ）に示すように半導体レーザのバー101
とバーとの間に隙間が生じることがない。しかし、裏面
からの加熱が無い場合は図２（ｂ）に示すようにバーの
間に隙間201が生じる。隙間201が生じると、端面コート
材料である絶縁膜が半導体レーザの電極面に堆積してし
まい、導通不良や組立時に金ワイヤーの密着不良等の不
具合を生じる。
【００２０】裏面加熱は、ランプヒータ等の輻射による
加熱が望ましい。熱源との接触による加熱では、接触不
良等によって治具内での温度分布が生じやすく、場合に
よっては治具が変形してバーとバーの間に隙間が生じた
り、バーが落下したりする。例えばランプヒータは均一
に加熱されるために有効である。
加熱が望ましい。熱源との接触による加熱では、接触不
良等によって治具内での温度分布が生じやすく、場合に
よっては治具が変形してバーとバーの間に隙間が生じた
り、バーが落下したりする。例えばランプヒータは均一
に加熱されるために有効である。
【００２１】裏面からの加熱は、半導体レーザへの端面
コート材料の堆積時に特に効果を発揮するものであり、
このことによって、フェイスダウンでの堆積を容易にし
ている。
コート材料の堆積時に特に効果を発揮するものであり、
このことによって、フェイスダウンでの堆積を容易にし
ている。
【００２２】もちろん特開平４−１８７７６７号公報に
示されているような片刃状ナイフエッジ支持体を有する
ような整列治具ではバーが落下することはない。しか
し、隙間を完全に防止することに関しては十分とはいえ
ない。さらに、以下に示すような整列工程の簡略化には
適していない。
示されているような片刃状ナイフエッジ支持体を有する
ような整列治具ではバーが落下することはない。しか
し、隙間を完全に防止することに関しては十分とはいえ
ない。さらに、以下に示すような整列工程の簡略化には
適していない。
【００２３】以下、本発明のレーザバーの反転方法を説
明する。図４および図５はその手順を示している。
明する。図４および図５はその手順を示している。
【００２４】図４（ａ）は半導体レーザの片側のへき開
面への絶縁膜の堆積が終了した後の状態である。その
後、固定ビス304と押さえ303を除去後（図４（ｂ））、
もうひとつの整列治具402を重ね合わせ（図４
（ｃ））、ビス穴501を利用してビス等で一体化して全
体を矢印の方向に上下反転させる（図５（ａ））。
面への絶縁膜の堆積が終了した後の状態である。その
後、固定ビス304と押さえ303を除去後（図４（ｂ））、
もうひとつの整列治具402を重ね合わせ（図４
（ｃ））、ビス穴501を利用してビス等で一体化して全
体を矢印の方向に上下反転させる（図５（ａ））。
【００２５】その後、１回目の処理に用いた治具302を
除去し（図５（ｂ））、バーとバーの間に隙間が開かな
い状態で押さえ303と固定ビス304でバー全体を固定する
（図５（ｃ））。
除去し（図５（ｂ））、バーとバーの間に隙間が開かな
い状態で押さえ303と固定ビス304でバー全体を固定する
（図５（ｃ））。
【００２６】この方法によって、バー１本１本の整列に
約２０分要していたものが、約５分に短縮でき、生産の
効率化が図れる。特開平５−９２８０７号公報に示され
ているような装置による整列も考えられるが、実際は本
発明のような手段の方が効率よくバーの整列が行えるこ
とがわかった。細かいバーを整列した治具を反転させる
ことは、バーがばらばらになる恐れがあるため通常は行
わないのであるが、実際に図３に示すような治具で実施
してみて効果があることが初めてわかった。
約２０分要していたものが、約５分に短縮でき、生産の
効率化が図れる。特開平５−９２８０７号公報に示され
ているような装置による整列も考えられるが、実際は本
発明のような手段の方が効率よくバーの整列が行えるこ
とがわかった。細かいバーを整列した治具を反転させる
ことは、バーがばらばらになる恐れがあるため通常は行
わないのであるが、実際に図３に示すような治具で実施
してみて効果があることが初めてわかった。
【００２７】
【発明の効果】本発明の半導体発光素子の製造方法で
は、該被処理体を処理室内に配置して該半導体素子を整
列した面とは反対側の面から加熱することにより、バー
状の半導体発光素子の間に隙間が生じることがなく、半
導体発光素子の上下の電極面に絶縁膜が堆積したり、被
コート面を下方に向けて堆積する場合にバーが落下する
といった不具合を生じることがない。
は、該被処理体を処理室内に配置して該半導体素子を整
列した面とは反対側の面から加熱することにより、バー
状の半導体発光素子の間に隙間が生じることがなく、半
導体発光素子の上下の電極面に絶縁膜が堆積したり、被
コート面を下方に向けて堆積する場合にバーが落下する
といった不具合を生じることがない。
【００２８】また、本発明の半導体発光素子の製造方法
は、被処理体上に前記第１の板と同等の機能を有する第
２の板を対向配置して一体化する工程と、一体化した第
１の板および第２の板を上下反転することにより、半導
体発光素子のバーを整列を２度行う必要がなく、効率化
を図れる。
は、被処理体上に前記第１の板と同等の機能を有する第
２の板を対向配置して一体化する工程と、一体化した第
１の板および第２の板を上下反転することにより、半導
体発光素子のバーを整列を２度行う必要がなく、効率化
を図れる。
【図１】本発明の実施の形態に於ける絶縁膜の堆積方法
を示す図
を示す図
【図２】本発明の効果を説明するための図
【図３】本発明の実施の形態に於ける端面コート用治具
示す図
示す図
【図４】本発明の実施の形態に於ける半導体レーザのバ
ーの整列方法示す図
ーの整列方法示す図
【図５】本発明の実施の形態に於ける半導体レーザのバ
ーの整列方法示す図
ーの整列方法示す図
【図６】従来の半導体レーザのバーの整列方法示す図
１０１ バー １０２ 整列治具 １０３ ランプヒータ １０４ プラズマ ２０１ 隙間 ３０１ レーザのバー ３０２ 整列治具 ３０３ 押さえ ３０４ 固定ビス ４０１ ビス穴 ４０２ 第二の整列治具 ５０１ ビス穴 ６３０ 光学薄膜被着治具 ６３１ ベースプレート ６３２ ナイフエッジ状支持板 ６３３ ナイフエッジ状支持板 ６３４ バー状試料群 ６３５ 案内溝 ６３６ スペーサ ６３７ スペーサ ６３８ 加圧用ブロック ６３９ スプリング ６４０ ビス ６４１ 調整ビス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 清武 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 熊渕 康仁 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体素子を平坦な面を有する第１の板
上に整列して固定し被処理体とする工程と、該被処理体
を処理室内に配置して該半導体素子を整列した面とは反
対側の面から加熱する工程と、該半導体素子を整列した
面上に膜を堆積する工程とを有することを特徴とする半
導体素子の作製方法。 - 【請求項２】 前記膜が絶縁膜であることを特徴とする
請求項１に記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項３】 半導体素子が半導体レーザであることを
特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項４】 少なくとも１個以上の半導体素子を平坦
な面を有する第１の板上に整列して固定し被処理体とす
る工程と、該処理体を処理室内に配置して膜を堆積する
工程と、被処理体上に前記第１の板と同等の機能を有す
る第２の板を対向配置して一体化する工程と、一体化し
た第１の板および第２の板を上下反転する工程と、第１
の板を除去して第２の処理体とする工程と、該第２の処
理体を処理室内に配置して膜を堆積する工程とを有する
ことを特徴とする半導体素子の作製方法。 - 【請求項５】 前記膜が絶縁膜であることを特徴とする
請求項４に記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項６】 半導体素子が半導体レーザであることを
特徴とする請求項４に記載の半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7351996A JPH09266348A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7351996A JPH09266348A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 半導体発光素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004103758A Division JP2004266286A (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266348A true JPH09266348A (ja) | 1997-10-07 |
Family
ID=13520584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7351996A Pending JPH09266348A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09266348A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113557642A (zh) * | 2019-03-18 | 2021-10-26 | 三菱电机株式会社 | 半导体激光器装置制造方法 |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP7351996A patent/JPH09266348A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113557642A (zh) * | 2019-03-18 | 2021-10-26 | 三菱电机株式会社 | 半导体激光器装置制造方法 |
| JPWO2020188695A1 (ja) * | 2019-03-18 | 2021-11-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置製造方法 |
| CN113557642B (zh) * | 2019-03-18 | 2024-02-13 | 三菱电机株式会社 | 半导体激光器装置制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040224 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040803 |