DE112018007176T5

DE112018007176T5 - Vorrichtung mit elektronischen Komponenten

Info

Publication number: DE112018007176T5
Application number: DE112018007176.6T
Authority: DE
Inventors: Yoshitaka Kamo
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2018-02-28
Filing date: 2018-02-28
Publication date: 2020-11-05
Also published as: JP6962444B2; JPWO2019167176A1; CN111742377A; KR102458394B1; WO2019167176A1; CN111742377B; KR20200108472A; US20200373441A1; US11374134B2

Abstract

Eine Vorrichtung mit elektronischen Komponenten umfasst ein Gehäuse, das aus einem Bauteil gebildet ist, das bewirkt, dass Strahlung ihre Energie verliert, indem elektrische Ladung erzeugt wird, wenn das Gehäuse der Strahlung ausgesetzt ist, und eine im Gehäuse untergebrachte elektronische Komponente. Das Bauteil ist ein Bauteil einer Halbleitervorrichtung mit einem PN-Übergang. Die elektronische Komponente enthält einen mit einer Stromversorgung verbundenen Stromversorgungsanschluss und einen mit einer Erdung verbundenen Erdungsanschluss. Ein erster Teilbereich des Gehäuses kann mit einem die Stromversorgung mit dem Stromversorgungsanschluss verbindenden elektrischen Pfad verbunden sein, und ein zweiter Teilbereich des Gehäuses kann mit einem die Erdung mit dem Erdungsanschluss verbindenden elektrischen Pfad verbunden sein. Die Vorrichtung mit elektronischen Komponenten enthält ferner eine Steuerungsschaltung einer Stromversorgung, die dafür konfiguriert ist, eine Stromversorgungsspannung, die der elektronischen Komponente von der Stromversorgung bereitgestellt wird, zu reduzieren, wenn ein Strom mit einer Intensität, die gleich einem vorbestimmten Bestimmungswert oder größer als dieser ist, zum Gehäuse fließt.

Description

Gebiet
Diese Patentanmeldung bezieht sich auf eine Vorrichtung mit elektronischen Komponenten.
Hintergrund
Herkömmlicherweise ist wie in beispielsweise JP S63-305100 A beschrieben bekannt, dass ein starres Solarzellenarray ein an einem Satelliten montiertes Gerät vor Strahlung schützt.
Stand der Technik
Patentliteratur
[PTL 1] JP S63-305100 A
Zusammenfassung
Technisches Problem
Der Weltraum oder ein Raum innerhalb eines Kernreaktors, mit dem die herkömmliche Technik zu tun hat, bietet eine Umgebung mit starker Strahlung. Die Entwicklung von Vorrichtungen mit elektronischen Komponenten zur Verwendung in der Umgebung mit starker Strahlung ist bis jetzt im Gange. In den Vorrichtungen mit elektronischen Komponenten zur Verwendung in einer Strahlungsumgebung kann als eine Maßnahme, um zu verhindern, dass die elektronische Komponente durch Strahlung geschädigt wird, beispielsweise eine Schaltungsanordnung, die dafür konfiguriert ist, die Widerstandsfähigkeit gegen Strahlung zu steigern, in jede elektronische Komponente integriert werden. Diese Maßnahme schafft jedoch eine Komplexität, bei der die spezielle Struktur gegen Strahlung bzw. zum Strahlungsschutz jeder elektronischen Komponente hinzugefügt werden muss.
Diese Patentanmeldung wurde gemacht, um das oben beschriebene Problem zu lösen, und deren Aufgabe besteht darin, eine Vorrichtung mit elektronischen Komponenten bereitzustellen, die verbessert ist, um die allgemeine Widerstandsfähigkeit gegen Strahlung der Vorrichtung mit elektronischen Komponenten so einfach wie möglich zu steigern.
Mittel zum Lösen der Probleme
Gemäß dieser Anmeldung enthält eine Vorrichtung mit elektronischen Komponenten ein Gehäuse, das aus einem Bauteil einer Halbleitervorrichtung mit einem PN-Übergang gebildet ist, und eine elektronische Komponente, die im Gehäuse untergebracht ist.
Vorteilhafter Effekt der Erfindung
Da ein Bauteil einer Halbleitervorrichtung mit einem PN-Übergang bewirken kann, dass die Strahlung ihre Energie verliert, können im Innern des Gehäuses vorgesehene elektronische Komponenten zusammen geschützt werden, indem das Gehäuse des Bauteils einer Halbleitervorrichtung mit dem PN-Übergang ausgebildet wird. Eine Gestaltung der Struktur des Gehäuses kann die allgemeine Widerstandsfähigkeit gegen Strahlung der Vorrichtung mit elektronischen Komponenten, ungeachtet davon, ob eine strukturelle Maßnahme in jeder elektronischen Komponente vorgesehen wird, einfach steigern.
Figurenliste
1 ist ein schematisches Diagramm, das eine interne Struktur einer Vorrichtung mit elektronischen Komponenten gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht.

2 ist eine schematische Zeichnung, die eine interne Struktur einer Vorrichtung mit elektronischen Komponenten gemäß einem modifizierten Beispiel der Ausführungsform veranschaulicht.
3 ist eine schematische Zeichnung, die eine interne Struktur einer Vorrichtung mit elektronischen Komponenten gemäß einem modifizierten Beispiel der Ausführungsform veranschaulicht.
4 ist eine schematische Zeichnung, die eine interne Struktur einer Vorrichtung mit elektronischen Komponenten gemäß einem modifizierten Beispiel der Ausführungsform veranschaulicht.

Beschreibung der Ausführungsformen
1 ist ein schematisches Diagramm, das eine interne Struktur einer Vorrichtung 10 mit elektronischen Komponenten gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Die Vorrichtung 10 mit elektronischen Komponenten umfasst ein äußeres Gehäuse 2, ein inneres Gehäuse 4, das im äußeren Gehäuse 2 untergebracht ist, eine Leiterplatte 5, die im inneren Gehäuse 4 untergebracht ist, eine Vielzahl elektronischer Komponenten 6, die auf der Leiterplatte 5 montiert sind, und eine zweite Stromversorgung 3, die innerhalb des äußeren Gehäuses 2 und außerhalb des inneren Gehäuses 4 vorgesehen ist. Eine erste Stromversorgung 1 ist außerhalb des äußeren Gehäuses 2 vorgesehen.
Das äußere Gehäuse 2 bedeckt das innere Gehäuse 4 von der Oberseite, Bodenseite, linken, rechten, vorderen und rückwärtigen Seite aus omnidirektional. Das äußere Gehäuse 2 kann der Form nach als ein Beispiel ein Kubus sein oder kann beliebig ein Polyeder oder eine Kugel sein. Ein erster Teilbereich 2a, der an einer vorbestimmten Position auf dem äußeren Gehäuse 2 vorgesehen ist, ist mit der ersten Stromversorgung 1 verbunden. Ein zweiter Teilbereich 2b, der an einer vorbestimmten Position auf dem äußeren Gehäuse 2 vorgesehen ist, ist mit einer Erdung GND verbunden. In einem Innenraum des inneren Gehäuses 4 sind Stromversorgungsanschlüsse 6a der elektronischen Komponenten 6 mit der zweiten Stromversorgung 3 verbunden. Als ein Verfahren, um die zweite Stromversorgung 3 und die Stromversorgungsanschlüsse 6a miteinander zu verbinden, kann ein Verbindungsverfahren genutzt werden, bei dem die zweite Stromversorgung 3 und die Stromversorgungsanschlüsse 6a über Stromversorgungsdrähte wie etwa eine Stromversorgungsverdrahtung oder Drähte, die auf der Leiterplatte 5 vorgesehen sind, miteinander verbunden werden. Eine Schaltungserdung 5a der Leiterplatte 5 ist über den zweiten Teilbereich 2b des äußeren Gehäuses 2 mit der Erdung GND verbunden. Erdungsanschlüsse 6b der elektronischen Komponenten 6 sind über eine Erdungsverdrahtung auf der Leiterplatte 5 mit der Erdung GND verbunden. Ein Material für das innere Gehäuse 4 kann ein Metall wie etwa Eisen, Aluminium und dergleichen sein.
Die elektronischen Komponenten 6 schließen funktionale Komponenten für verschiedene Anwendungen ein, die in der Umgebung des Weltraums oder der Umgebung mit starker Strahlung verwendet werden sollen. Ein Halbleitersubstrat ist in einem Inneren der elektronischen Komponente 6 integriert, und beispielsweise sind auf dem Halbleitersubstrat ein aktives Halbleiterelement wie etwa ein FET, ein passives Element wie etwa ein Kondensator und eine Verdrahtung vorgesehen.
Wenn Strahlung 40 direkt in die elektronischen Komponenten 6 eintritt, kann die Strahlung 40 durch verschiedene, in den elektronischen Komponenten 6 integrierte Strukturen hindurchgehen, so dass sie das Halbleitersubstrat erreicht. Beispiele der verschiedenen Strukturen umfassen einen Passivierungsfilm, eine Source-Feldplatte, eine Kanalschicht und eine Pufferschicht, die auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet sind. Konkret ist die Strahlung 40 eine Teilchenstrahlung. Die Teilchenstrahlung sind schwere Teilchen, Protonen, Elektronen, Neutronen, Myonen und dergleichen, und diese haben eine Energie von 1 keV bis 100 GeV. Eine Anzahl an Elektronen-Loch-Paaren wird an der Peripherie einer Ortskurve, entlang der die Strahlung 40 hindurchgegangen ist, erzeugt. Würden keine Antistrahlungsmaßnahmen ergriffen, wird der Halbleiter in dem Prozess, in dem die in der elektronischen Komponente 6 erzeugten Elektron-Loch-Paare sich verteilen, driften oder wiedervereinigen, um in der Vorrichtung zu dissipieren, in hohem Maße geschädigt und wird ausfallen oder sich verschlechtern.
In dieser Hinsicht ist das äußere Gehäuse 2 aus einem „Bauteil, das elektrische Ladung erzeugt, wenn es der Strahlung 40 ausgesetzt ist, um zu bewirken, dass die Strahlung 40 ihre Energie verliert“ gebildet. Das äußere Gehäuse 2 kann das innere Gehäuse 4 gegen die Strahlung 40 von dessen Oberseite, Bodenseite, linken, rechten, vorderen und rückwärtigen Seite aus omnidirektional abschirmen. Die elektronischen Komponenten 6 können durch das äußere Gehäuse 2 vor der Strahlung 40 geschützt werden. In dem Fall, dass in Verbindung mit einer Erzeugung der elektronischen Ladung, wenn die Strahlung 40 auf das äußere Gehäuse 2 fällt, ein Kurzschluss zwischen der ersten Stromversorgung 1 und der Erdung GND hervorgerufen wird, fließt ein Strom 11, wie in 1 schematisch gezeigt ist.
Das das äußere Gehäuse 2 bildende Bauteil ist das Bauteil einer Halbleitervorrichtung mit dem PN-Übergang. In diesem Fall kann eine äußere Oberfläche der Vorrichtung 10 mit elektronischen Komponenten von dem Bauteil einer Halbleitervorrichtung mit dem PN-Übergang vollständig bedeckt sein. Wenn die Strahlung 40 auf das Bauteil einer Halbleitervorrichtung mit dem PN-Übergang fällt, verliert die Strahlung 40 ihre Energie, während elektrische Ladung erzeugt wird. Das Bauteil einer Halbleitervorrichtung mit dem PN-Übergang kann ein Solarzellenfeld oder eine Diode sein. Si kann als Halbleitermaterial genutzt werden, und das Bauteil einer Halbleitervorrichtung kann aus einem Verbundhalbleiter wie etwa GaAs geschaffen sein. Si ist insofern vorteilhaft, als verglichen mit einem Verbundhalbleiter Si kostengünstig ist. Da es allgemein üblich ist, dass ein Solarzellenfeld zum Erzeugen elektrischer Leistung auf einem Gerät zur Nutzung im Weltraum vorgesehen wird, kann, wenn zu erwarten ist, dass die Vorrichtung 10 mit elektronischen Komponenten im Weltraum genutzt wird, ein Solarzellenfeld auf dem äußeren Gehäuse 2 zum Erzeugen elektrischer Leistung genutzt werden. Da ein Solarzellenfeld insofern vorteilhaft ist, als ein Solarzellenfeld mit einer großen Oberfläche leicht hergestellt werden kann, ist es auch einfach, dass das äußere Gehäuse 2 in ein Gehäuse mit einer gewissen Ausdehnung ausgebildet wird.
Die Strahlung 40 verliert ihre Energie, während elektrische Ladung in dem Prozess erzeugt wird, in dem die Strahlung 40 durch das unter Verwendung des oben beschriebenen Bauteils hergestellte äußere Gehäuse 2 hindurchgeht. Da eine ernsthafte Schädigung der elektronischen Komponenten 6 durch die Teilchenstrahlung mit hoher Energie eingeschränkt bzw. unterdrückt werden kann, können folglich die innerhalb des äußeren Gehäuses 2 vorgesehenen elektronischen Komponenten 6 geschützt werden.
Eine Bereitstellung des äußeren Gehäuses 2 ist auch insofern vorteilhaft, als die gesamte Widerstandsfähigkeit gegenüber der Strahlung 40 der Vorrichtung 10 mit elektronischen Komponenten gesteigert werden kann, wenn auch eine strukturelle Maßnahme in jeder der elektronischen Komponenten 6 vorgesehen ist. Um diesen Vorteil zu beschreiben, gibt es beispielsweise in dem Fall, in dem die elektronische Komponente 6 eine Vorrichtung aus einem Verbundhalbleiter ist, ein Verfahren als Gegenmaßnahme, in welchem eine spezielle Schaltung einem FET hinzugefügt wird, um die Widerstandsfähigkeit gegen Strahlung zu steigern. Das Verfahren einer Gegenmaßnahme, bei dem eine spezielle Schaltung hinzugefügt wird, kann jedoch eine Gefahr bergen, dass die elektrischen Charakteristiken der elektronischen Komponente 6 reduziert werden, was einen Nachteil zur Folge hat, dass die Betriebssicherheit bzw. Zuverlässigkeit einen Kompromiss mit den elektrischen Charakteristiken verlangt. In dieser Hinsicht können gemäß der Ausführungsform, die hier bisher beschrieben wurde, da die Gegenmaßnahme gegen die Strahlung 40 nicht in jede der elektronischen Komponenten 6 integriert werden muss, elektronische Mehrzweckkomponenten 6 genutzt werden, die keine Gegenmaßnahme gegen Strahlung aufgreifen. Folglich schränkt das Verfahren einer Gegenmaßnahme gemäß der Ausführungsform elektronische Komponenten 6, die im Inneren der Vorrichtung 10 mit elektronischen Komponenten genutzt werden sollen, nicht ein, und daher können verschiedene Arten elektronischer Komponenten 6 darin montiert werden.
Als ein modifiziertes Beispiel kann das innere Gehäuse 4 aus einem Halbleiterbauteil mit einem PN-Übergang wie im oben erwähnten äußeren Gehäuse 2 ausgebildet sein. In diesem Fall kann das äußere Gehäuse 2 aus einem Metallmaterial wie etwa Eisen, Aluminium und dergleichen gebildet sein. Auch in diesem Fall können die im inneren Gehäuse 4 untergebrachten elektronischen Komponenten 6 sicher vor der Strahlung 40 geschützt werden. Eines des äußeren Gehäuses 2 und des inneren Gehäuses 4 oder beide muss oder müssen nur aus dem Bauteil einer Halbleitervorrichtung mit dem PN-Übergang gebildet sein.
2 ist eine schematische Zeichnung, die eine interne Struktur einer Vorrichtung 110 mit elektronischen Komponenten gemäß einem modifizierten Beispiel der Ausführungsform veranschaulicht. In dem modifizierten Beispiel in 2 ist die zweite Stromversorgung 3 in 1 weggelassen, und eine erste Stromversorgung 1 ist über eine Verdrahtung 13 mit Stromversorgungsanschlüssen 6a elektronischer Komponenten 6 verbunden.
Die Stromversorgungsanschlüsse 6a der elektronischen Komponenten 6 sind mit der ersten Stromversorgung 1 verbunden. Ein erster Teilbereich 2a eines äußeren Gehäuses 2 ist mit der Verdrahtung 13 verbunden. Infolgedessen ist der erste Teilbereich 2a mit einem ersten elektrischen Pfad verbunden, der die erste Stromversorgung 1 mit den Stromversorgungsanschlüssen 6a verbindet. Ein zweiter Teilbereich 2b des äußeren Gehäuses 2 ist mit einer Schaltungserdung 5a einer Leiterplatte 5 verbunden. Infolgedessen ist der zweite Teilbereich 2b mit einem zweiten elektrischen Pfad verbunden, der eine Erdung GND mit den Erdungsanschlüssen 6b verbindet.
Ein Teil einer Strahlung 40 kann in ein Inneres des äußeren Gehäuses 2 eindringen, ohne dass deren Energie durch das äußere Gehäuse 2 gedämpft wird. Eine elektrische Parallelverbindung des äußeren Gehäuses 2 und eines inneren Gehäuses 4 kann eine Kurzschlussleitung erzeugen, um einen Kurzschluss in der ersten Stromversorgung 1 und der Erdung GND herbeizuführen, wenn mit der Strahlung 40 bestrahlt wird. Diese Kurzschlussleitung ist dafür ausgelegt, einen Strom I₁ über die erste Stromversorgung 1, den ersten Teilbereich 2a, eine Oberfläche des äußeren Gehäuses 2 und den zweiten Teilbereich 2b zur Erdung GND fließen zu lassen. Da der Strom I₁ wie in 2 gezeigt fließt, wenn als Folge einer Bestrahlung mit der Strahlung 40 ein Kurzschluss zwischen der ersten Stromversorgung 1 und der Erdung GND verursacht wird, kann eine an die elektronischen Komponenten 6 angelegte Spannung reduziert oder auf Null gesetzt werden. Eine ausreichende Unterdrückung einer Stromversorgung zu den elektronischen Komponenten 6 kann eine Situation erzeugen, in der ein Ausfall der elektronischen Komponenten 6 kaum verursacht wird, selbst wenn sie mit der Strahlung 40 bestrahlt werden.
Es kann eine Gefahr bestehen, dass der Betrieb der Vorrichtung 110 mit elektronischen Komponenten sehr häufig unterbrochen wird, wenn ein Kurzschluss auslegungsgemäß als Reaktion auf die Einstrahlung der gesamten Strahlung 40 verursacht wird. Eine Schwelle für eine Strahlungsmenge, die einen Kurzschluss hervorruft, wird dann vorzugsweise so vorgesehen, dass ein Kurzschluss zwischen der ersten Stromversorgung 1 und der Erdung GND bei solch einer Strahlungsmenge, die unter dem Gesichtspunkt eines Schutzes der elektronischen Komponenten 6 akzeptiert werden kann, kaum hervorgerufen wird. Das äußere Gehäuse 2 ist vorzugsweise so aufgebaut, dass eine Stromzufuhr von der ersten Stromversorgung 1 zu den elektronischen Komponenten 6 auf oder unter ein vorbestimmtes Niveau einer Unterdrückung der Stromversorgung reduziert wird, wenn das äußere Gehäuse 2 mit der Strahlung 40 in solch einem Ausmaß, dass die Schwelle einer Strahlungsmenge übersteigt, bestrahlt wird.
3 ist ein schematisches Diagramm, das eine interne Struktur einer Vorrichtung 210 mit elektronischen Komponenten gemäß einem weiteren modifizierten Beispiel der Ausführungsform veranschaulicht. Ein Amperemeter 20 und eine Steuerungsschaltung 22 einer Stromversorgung sind in einem äußeren Gehäuse 2 untergebracht. Die Steuerungsschaltung 22 einer Stromversorgung ist mit einer zweiten Stromversorgung 3 verbunden. Es wird davon ausgegangen, dass eine allgemein genutzte integrierte Schaltung zum Detektieren und Steuern einer Stromversorgungsspannung eingebaut ist. Beispielsweise ermöglicht eine Verwendung eines bekannten Spannungsdetektors mit niedrigem Leistungsverbrauch eine Auswahl einer integrierten Schaltung, die einem Spannungsabfallbetrag des äußeren Gehäuses 2, das heißt einer zu detektierenden Spannung, entspricht. Diese integrierte Schaltung kann eine Reduzierung der Stromversorgungsspannung detektieren und ein Signal, das einen Spannungsabfall meldet, an andere, damit verbundene integrierte Schaltungen senden. Eine Verwendung dieser Teilkomponente kann eine Steuerungsschaltung bilden, die dafür konfiguriert ist, die Spannung der Stromversorgung des äußeren Gehäuses 2 zu überwachen, ein einen Spannungsabfall meldendes Signal an die Stromversorgung der Vorrichtung 110 mit elektronischen Komponenten zu einem Zeitpunkt, zu dem der Spannungsabfall detektiert wird, zu senden und einen Ausfall der elektronischen Komponente zu vermeiden, indem die Spannung der Stromversorgung reduziert wird.
Ein Strom I₁ fließt, wie in 3 gezeigt ist, wenn als Folge einer Bestrahlung mit der Strahlung 40 ein Kurzschluss zwischen der ersten Stromversorgung 1 und der Erdung GND verursacht wird. Die Steuerungsschaltung 22 einer Stromversorgung ist dafür konfiguriert, eine Stromversorgungsspannung, die den elektronischen Komponenten 6 von der zweiten Stromversorgung 3 bereitgestellt wird, zu verringern, wenn ein Strom I₁ mit einer Intensität, die gleich einem vorbestimmten Bestimmungswert oder größer als dieser ist, zum äußeren Gehäuse 2 fließt. Konkret kann das Amperemeter 20 einen Strom I₁ detektieren, der zum äußeren Gehäuse 2 fließt. Die Steuerungsschaltung 22 einer Stromversorgung bestimmt, ob der durch das Amperemeter 20 detektierte Strom I₁ gleich dem Bestimmungswert oder größer als dieser ist. Falls bestimmt wird, dass der detektierte Strom I₁ gleich dem Bestimmungswert oder größer als dieser ist, reduziert die Steuerungsschaltung 22 einer Stromversorgung eine Versorgungsleistung, die den elektronischen Komponenten 6 bereitgestellt wird, auf einen vorher festgelegten vorbestimmten Leistungspegel.
Ein Teil der Strahlung 40 kann in ein Inneres des äußeren Gehäuses 2 eindringen, ohne dass deren Energie durch das äußere Gehäuse 2 gedämpft wird. Eine Bestrahlungssituation des äußeren Gehäuses 2 mit der Strahlung 40 kann detektiert werden, indem ein elektrischer Widerstand des äußeren Gehäuses 2 detektiert wird. Falls das äußere Gehäuse 2 mit der Strahlung 40 in solch einem Umfang bestrahlt wird, der einen zulässigen Bereich übersteigt, kann die Steuerungsschaltung 22 einer Stromversorgung die Spannung der zweiten Stromversorgung 3 verringern, indem eine Widerstandsänderung des äußeren Gehäuses 2 detektiert wird. Infolgedessen können selbst in dem Fall, in dem ein Teil der Strahlung 40, der in ein Inneres des äußeren Gehäuses 2 eindringt, letztendlich die elektronischen Komponenten 6 erreicht, die elektronischen Komponenten 6 sicher geschützt werden, indem eine den elektronischen Komponenten 6 bereitgestellte Stromversorgungsspannung ausreichend reduziert wird. Ein Betrag, um den die Spannung der Stromversorgung 3 reduziert wird, muss nur vorher bestimmt werden, und beispielsweise kann die normale Betriebsspannung dafür ausgelegt sein, dass sie um etwa 20 % reduziert wird.
4 ist ein schematisches Diagramm, das eine interne Struktur einer Vorrichtung 310 mit elektronischen Komponenten gemäß einem modifizierten Beispiel der Ausführungsform veranschaulicht. In der Vorrichtung 310 mit elektronischen Komponenten gemäß der Ausführungsform kann das Gehäuse nur aus dem äußeren Gehäuse 2 aufgebaut sein, wobei das innere Gehäuse 4 weggelassen ist.
Bezugszeichenliste

1: erste Stromversorgung,
2: äußeres Gehäuse,
2a: erster Teilbereich,
2b: zweiter Teilbereich,
3: zweite Stromversorgung,
4: inneres Gehäuse,
5: Leiterplatte,
5a: Schaltungserdung,
6: elektronische Komponenten,
6a: Stromversorgungsanschlüsse,
6b: Erdungsanschlüsse,
10, 110, 210, 310: Vorrichtung mit elektronischen Komponenten,
13: Verdrahtung,
20: Amperemeter,
22: Steuerungsschaltung einer Stromversorgung,
40: Strahlung

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

JP 63305100 A [0002, 0003]

Claims

Vorrichtung mit elektronischen Komponenten, aufweisend: ein Gehäuse, das aus einem Bauteil einer Halbleitervorrichtung mit einem PN-Übergang gebildet ist; und eine elektronische Komponente, die im Gehäuse untergebracht ist.
Vorrichtung mit elektronischen Komponenten nach Anspruch 1, wobei die Vorrichtung mit elektronischen Komponenten so aufgebaut ist, dass die elektronische Komponente einen mit einer Stromversorgung verbundenen Stromversorgungsanschluss und einen mit einer Erdung verbundenen Erdungsanschluss aufweist, ein erster Teilbereich des Gehäuses mit einem ersten elektrischen Pfad verbunden ist, der die Stromversorgung mit dem Stromversorgungsanschluss verbindet; ein zweiter Teilbereich des Gehäuses mit einem zweiten elektrischen Pfad verbunden ist, der die Erdung mit dem Erdungsanschluss verbindet; und eine Kurzschlussleitung erzeugt wird, die einen Strom über die Stromversorgung, den ersten Teilbereich, eine Oberfläche des Gehäuses und den zweiten Teilbereich zur Erdung fließen lässt, wenn das Gehäuse Strahlung ausgesetzt ist.
Vorrichtung mit elektronischen Komponenten nach Anspruch 1, ferner aufweisend: eine Steuerungsschaltung einer Stromversorgung, die mit einer Stromversorgung für die elektronische Komponente verbunden und dafür konfiguriert ist, eine Stromversorgungsspannung, die der elektronischen Komponente von der Stromversorgung bereitgestellt wird, zu reduzieren, wenn ein Strom mit einer Intensität, die gleich einem vorbestimmten Bestimmungswert oder größer als dieser ist, zum Gehäuse fließt.