JP2007158281A - 素子内部光反射型光発電素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来の光発電技術では薄膜化、超薄型化を追求したために、薄膜半導体内へ入射し瞬間に1回のみ光起電力効果が得られていただけで、起電力が非常に低く、負荷の使用範囲が狭く限られていた。光発電素子という単位での発電力が低いことが課題である。
【解決手段】一度入射した入射後の光を高効率良く起電力への変換を行うために、光発電素子のPN型層2,4、若しくは、PIN型層半導体2,3,4に透明半導体を使用し、一度入射した光を素子の壁面、底面1の平らな鏡面7、若しくは、凹凸鏡面8で同じ光を何度も反射、乱反射させP型層からI型層、N型層からI型層へ光を横切らせる。
この光が横切った回数分、起電力を生ずる。この原理によって、発電力を高めた素子内部光反射型光発電素子とした。光を反射させる壁面が必要なため、従来の薄膜化、超薄型化に対し、本発明の光発電素子は厚みがある素子である。
【選択図】図1
【解決手段】一度入射した入射後の光を高効率良く起電力への変換を行うために、光発電素子のPN型層2,4、若しくは、PIN型層半導体2,3,4に透明半導体を使用し、一度入射した光を素子の壁面、底面1の平らな鏡面7、若しくは、凹凸鏡面8で同じ光を何度も反射、乱反射させP型層からI型層、N型層からI型層へ光を横切らせる。
この光が横切った回数分、起電力を生ずる。この原理によって、発電力を高めた素子内部光反射型光発電素子とした。光を反射させる壁面が必要なため、従来の薄膜化、超薄型化に対し、本発明の光発電素子は厚みがある素子である。
【選択図】図1
Description
本発明は同じ光の強さで高効率的に発電をするために、光発電素子に透明半導体を使用し、素子の壁面と底面を平らな鏡面、若しくは、凹凸鏡面にすることにより光の反射、乱反射、鏡面間での光の往復が発生し、入射光が高効率的に電気変換される素子内部光反射型光発電素子に関するものである。
透明な光発電素子(太陽電池)が試作に成功している。(非特許文献1参照)
鏡面については、特許公開されたニッケルメッキの方法もある。(特許文献1参照)
特許公開2000−96252 独立行政法人 産業技術総合研究所 成果普及部門 広報出版部より 2003.6.25発表
従来の光発電技術では薄膜化、超薄型化を追求したために、薄膜半導体内へ一度入射する光によってのみ光起電力効果が得られていただけで、電気変換効率が非常に低く、負荷の使用範囲が狭く限られていた。
本発明は、このような従来の光発電素子では光の電気変換効率が非常に低いという問題点を解決し、光の電気変換効率を高めた光発電素子を考案したもので、以下の構成を有する。
光発電素子を構成しているPN接合、若しくは、PIN接合のP型層、I型層、N型層の全て、若しくはいずれかの層に透明半導体を使用し、この素子側面と底面を平らな鏡面構造、若しくは、凹凸鏡面構造としたことを特徴とする素子内部光反射型光発電素子を考案した。
一度入射した光を反射させ半導体内を同じ光が何度も横切ることにより、電気変換効率を格段に高めた光発電素子である。
薄膜化されているのが現在の素子であるが、本考案は壁面を鏡構造として光を反射させるため、現在の素子よりも厚みのある素子である。
概念図 図1は光発電素子を透明半導体にすることによって、光が入射時の抵抗損失が少なく光発電素子内部の半導体内に入り、エネルギー損失が非常に少なく自由に光が飛び交うことを表している。
一度光発電素子内に飛込んだ光は壁底面の鏡面1の鏡面により光の反射、鏡面間での光の往復、乱反射、が発生し、入射光が何度も光発電素子内を移動する。
光の移動毎に電気変換が起こり、超効率的に電気変換される。
鏡面1の形状は平らな鏡面7、凹凸な鏡面8形状を有している。
従来の技術では一度入射した光が一度電気変換されるだけであった。
本発明は一度入射した光が反射によって何度も電気変換されることが特徴である。
以下、本発明の一実施例について図面を参照して詳細に述べる。
図1において、2、3、4はPIN接合を表し、全て透明半導体を使用する。
2は底面から側面までつながった箱型形状である。
PN接合の場合も全て透明半導体を使用する。
図1の鏡面1は側面と底面を鏡面壁にする。
鏡面1は図3(A)平らな鏡面7、図3(B)凹凸鏡面8の2種類の形状がある。
鏡面1の厚さは1μm〜50μmでニッケルメッキなどで蒸着されている。
I型層3の厚さは0.1mm〜150mmである。
上記実施例では言及しなかったが、例えば円柱型、等の光発電素子の発電効率を効果的にするさまざまな形状も考えられる。
光の高効率電気変換により宇宙ステーションでの電源、車、電車、飛行機などの無公害、地球環境にやさしいエネルギー源として使用する。
会社、工場、各個々の家庭での自家発電など大容量の光発電として幅広いあらゆる産業分野で利用が可能である。
1 鏡面
2 P型層、若しくは、N型層の下部透明半導体
3 I型層の透明半導体
4 P型層、若しくは、N型層の上部透明半導体
5 光発電素子と負荷間の結線
6 負荷
7 平らな鏡面
8 凹凸な鏡面
2 P型層、若しくは、N型層の下部透明半導体
3 I型層の透明半導体
4 P型層、若しくは、N型層の上部透明半導体
5 光発電素子と負荷間の結線
6 負荷
7 平らな鏡面
8 凹凸な鏡面
Claims (3)
- 光発電素子を構成しているPN接合、若しくは、PIN接合のP型層、I型層、N型層の全て、若しくはいずれかの層に透明半導体を使用し、該素子の側面と底面を平らな鏡面構造としたことを特徴とする素子内部光反射型光発電素子。
- 光発電素子を構成しているPN接合、若しくは、PIN接合のP型層、I型層、N型層の全て、若しくはいずれかの層に透明半導体を使用し、該素子の側面と底面を凹凸な鏡面構造としたことを特徴とする素子内部光反射型光発電素子。
- 光発電素子を構成しているPN接合、若しくは、PIN接合のP型層、I型層、N型層の全て、若しくはいずれかの層に透明半導体を使用し、該素子の側面と底面を平らな鏡面、若しくは、凹凸な鏡面構造としたことを特徴とする素子内部光反射型光発電素子。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005379885A JP2007158281A (ja) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | 素子内部光反射型光発電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005379885A JP2007158281A (ja) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | 素子内部光反射型光発電素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007158281A true JP2007158281A (ja) | 2007-06-21 |
Family
ID=38242174
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005379885A Pending JP2007158281A (ja) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | 素子内部光反射型光発電素子 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009277464A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Aruze Corp | 色素増感型太陽電池及び色素増感型太陽電池システム |
WO2017086558A1 (ko) * | 2015-11-19 | 2017-05-26 | 주식회사 금강이엔지 | 반사탭을 통해 집광효율을 증대시킨 태양광 발전장치 |
WO2019167176A1 (ja) * | 2018-02-28 | 2019-09-06 | 三菱電機株式会社 | 電子部品装置 |
-
2005
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