DE102007058003B4 - Halbleiterbauelement, Sensorelement, Verwendung eines Halbleiterbauelements sowie Verfahren zur Abwehr von Lichtangriffen - Google Patents
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Abstract
Halbleiterbauelement mit:- einem Halbleitersubstrat (1),- zumindest einer im Halbleitersubstrat (1) ausgebildeten Halbleiterstruktur (2) und- zumindest einem Sensorelement (3), wobei:- die Halbleiterstruktur (2) zumindest eine Schaltungsanordnung (21, 22, 23, 24) aufweist,- das Sensorelement (3) eine PIN Diode ist und zwei Anschlüsse (61, 62) aufweist,- das Sensorelement (3) in einer Polysiliziumschicht auf einer Oberseite (11) des Halbleitersubstrats (1) angeordnet ist, wobei zwischen der Oberseite (11) des Halbleitersubstrats (1) und der Polysiliziumschicht mit dem Sensorelement (3) eine Isolationsschicht (5) angeordnet ist, wobei zwischen der Isolationsschicht (5) und der Polysiliziumschicht mit dem Sensorelement (3) eine zweite Polysiliziumschicht (7) gefolgt von einer zweiten Isolationsschicht (8) angeordnet ist und die zweite Polysiliziumschicht (7) zur Ansteuerung der Schaltungsanordnung (21, 22, 23, 24) ausgebildet ist; und- das Sensorelement (3) ausgebildet ist, bei Bestrahlung des Halbleiterbauelements mittels Licht ein an den Anschlüssen (61, 62) abgreifbares elektrisches Signal zu erzeugen.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement zur Erkennung von Lichtangriffen, sowie ein Verfahren welches Lichtangriffe erkennt und Gegenmaßnahmen einleitet.
- Die Sicherheit von Schaltungsanordnungen in Halbleiterbauelementen beruht darauf, dass innerhalb der Schaltungsanordnung abgelegte und gespeicherte Daten für einen unautorisierten Zugriff nicht auslesbar sind. Unter anderem sind insbesondere Methoden bekannt, bei denen mit Hilfe von Lichtangriffen auf diese geheimen Daten unautorisiert zugegriffen wird. Durch die Lichtangriffe wird die Funktion der Schaltungsanordnung derart gestört, dass auf die abgelegten und geheimen Daten rückgeschlossen werden kann.
- Als Schaltungsanordnung ist beispielhaft der Speicher einer Chipkarte zu nennen, in dem insbesondere Identifikationsschlüssel, Kreditkartendaten oder ähnliche zu verbergende Daten abgelegt sind.
- Prinzipiell wird die auszuspähende Schaltungsanordnung von ihrem Gehäuse befreit. Die nun freiliegenden Schaltungsanordnungen werden gezielt mit einem hochenergetischen, teilweise synchronisierten und lokal begrenzten Lichtimpuls bestrahlt. Durch diese Bestrahlung werden entweder gezielt Sicherheitsmechanismen der Schaltungsanordnung deaktiviert bzw. zerstört oder gezielt Ladungsträger durch Absorption der Lichtteilchen innerhalb der Schaltungsanordnung freigesetzt. Die freigesetzten Ladungsträger treten in Form von Elektronen-Loch-Paaren auf und werden beispielsweise zur Erzeugung von elektrischen Impulsen in der Schaltungsanordnung verwendet. Diese elektrischen Impulse führen dann zum Durchschalten oder Aktivieren von Teilen der Schaltungsanordnung. In beiden Fällen wird die Funktion der Schaltungsanordnung gestört und als Reaktion auf diese Störungen sind mitunter geheime Daten auslesbar. Dies wird im Folgenden als unautorisierter Zugriff bezeichnet.
- Halbleiterbauelemente zur Erkennung von Lichtangriffen sind beispielsweise bekannt aus den Druckschriften
DE 10 2004 041 907 B3 ,DE 34 09 146 A1 ,US 5 936 261 A ,US 2005 / 0 167 709 A1 US 2005 / 0 017 318 A1 US 2007 / 0 215 969 A1 - Aufgabe der Erfindung ist es, ein Halbleiterbauelement und ein Sensorelement bereitzustellen, die einen unautorisierten Zugriff feststellen und abwehren können. Ferner soll ein verbessertes Verfahren zur Abwehr von Lichtangriffen bereitgestellt werden.
- Zum Lösen der Aufgabe werden bereitgestellt ein Halbleiterbauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1, ein Sensorelement mit den Merkmalen des Anspruchs 9, eine Verwendung eines Halbleiterbauelements mit den Merkmalen des Anspruchs 10 sowie ein Verfahren zur Abwehr von Lichtangriffen mit den Merkmalen des Anspruchs 11.
- Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den jeweiligen Unteransprüchen angegeben.
- Das Halbleiterbauelement ist mit einem Halbleitersubstrat, zumindest einer im Halbleitersubstrat ausgebildeten Halbleiterstruktur und zumindest einem Sensorelement versehen, wobei die Halbleiterstruktur zumindest eine Schaltungsanordnung aufweist, das Sensorelement eine PIN Diode ist und zwei Anschlüsse aufweist, das Sensorelement in einer Polysiliziumschicht auf einer Oberseite des Halbleitersubstrats angeordnet ist, wobei zwischen der Oberseite des Halbleitersubstrats und der Polysiliziumschicht mit dem Sensorelement eine Isolationsschicht angeordnet ist, wobei zwischen der Isolationsschicht und der Polysiliziumschicht mit dem Sensorelement eine zweite Polysiliziumschicht gefolgt von einer zweiten Isolationsschicht angeordnet ist und die zweite Polysiliziumschicht zur Ansteuerung der Schaltungsanordnung ausgebildet ist, und das Sensorelement ausgebildet ist, bei Bestrahlung des Halbleiterbauelements mittels Licht ein an den Anschlüssen abgreifbares elektrisches Signal zu erzeugen.
- Das Verfahren zur Abwehr von Lichtangriffen in einem Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüchen 1 bis 8 weist folgende Verfahrensschritte auf:
- a) Erkennen einer Ladungsverschiebung zwischen den beiden Sensoranschlüssen durch eine Auswerteeinheit,
- b) Erzeugen eines Alarmsignals innerhalb der Auswerteeinheit und
- c) Blockieren und/oder Abschalten des Halbleiterbauelements bei Auftritt des Alarmsignals.
- Nachfolgend wird anhand von Ausführungsbeispielen die Erfindung mit Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert, wobei die Figuren gleicher oder gleich wirkender Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen gezeichnet sind. Die dargestellten Elemente sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß beziehungsweise übertrieben vereinfacht dargestellt sein.
- Es zeigen:
-
1 ein Beispiel eines Halbleiterbauelements mit einem Sensorelement zur Erzeugung eines elektrischen Signals bei Lichtbestrahlung -
2 eine Weiterbildung des in1 dargestellten Halbleiterbauelements -
3 ein Ausführungsbeispiel des Halbleiterbauelements -
4 eine Draufsicht auf ein in3 dargestelltes Halbleiterbauelement -
5 eine alternative Anordnung des Sensorelementes innerhalb des Halbleiterbauelements -
6 ein alternatives Ausführungsbeispiel zum Erkennen und Abwehren von Lichtangriffen -
7 einen Teil eines Stromlaufplans einer Auswerteeinheit zum Abwehren von Lichtangriffen mittels Spannungsüberwachung -
8 in den8a und8b einen Teil eines Stromlaufplans einer Auswerteeinheit zum Abwehren von Lichtangriffen mittels Stromüberwachung -
9 einen Teil eines Stromlaufplans einer Auswerteeinheit zum Abwehren von Lichtangriffen mittels Differenz/ Referenzüberwachung - In
1 ist ein Beispiel eines Halbleiterbauelementes zur Erzeugung eines elektrischen Signals bei Bestrahlung aufgezeigt. Ein Halbleitersubstrat1 beinhaltet eine Halbleiterstruktur2 . In der Halbleiterstruktur sind Schaltungsanordnungen21 ,22 ,23 und24 eingebracht. Auf dem Halbleitersubstrat1 ist ein Sensorelement3 in unmittelbarer Nähe zu Teilen der Schaltungsanordnung21 -24 angeordnet. Das Sensorelement3 ist hierbei als PIN Diode ausgestaltet und weist 2 Anschlüsse61 ,62 auf. - Die Bestrahlung des Halbleiterbauelements erfolgt nun durch eine Lichtquelle, wobei als Lichtquelle ein Licht emittierendes Bauelement verstanden ist, welches elektromagnetische Strahlung emittiert. Diese elektromagnetische Strahlung ist durch ihre Wellenlänge, ihre hochenergetischen Eigenschaften gekennzeichnet. Idealerweise ist die Lichtquelle synchronisiert und bestrahlt einen lokal begrenzten Bereich des Halbleiterbauelements. Diese Lichtquelle ist zumeist ein Laser oder eine vergleichbare Lichtquelle, welche mittels ihrer Kohärenz, ihrer hohen Energie sowie hohen Lichtintensität einen eingangs beschriebenen Lichtangriff verursachen kann.
- Das Sensorelement
3 ist nun derart ausgebildet, bei unautorisiertem Zugriff durch Bestrahlung des Halbleiterbauelements ein elektrisches Signal zu erzeugen. Durch Ausgestalten des Sensorelements als PIN- Diode ist dies erreicht. - Eine PIN- Diode besitzt ähnlich wie eine herkömmliche PN Diode einen p- und einen n- dotierten Bereich. Zusätzlichen wird zwischen diesen beiden Bereichen ein intrinsischen Bereich angeordnet. Ein intrinsischer (oder auch eigenleitender) Bereich ist ein schwach bzw. nicht dotierter Bereich, wodurch sich nur wenig freie Ladungsträger im intrinsischen Bereich befinden und der Bereich sehr hochohmig ist.
- Physikalisch betrachtet werden bei Bestrahlung des Halbleiterbauelementes Lichtquanten absorbiert, wodurch Ladungsträger erzeugt werden. Die freigesetzten Ladungsträger treten in Form von Elektronen-Loch-Paaren auf. Wird ein Halbleiterbauelement oder gezielt Schaltungsanordnungen
21-24 nun mittels Licht bestrahlt, so werden ein Teil der Lichtquanten auf das Sensorelement3 treffen, da sich dieses in unmittelbarer Nähe zu Teilen einer Schaltungsanordnung21-24 befindet. - Vorausgesetzt, dass die Photonenenergie des Lichtes ausreicht, ein Elektronen-Loch-Paar im Sensorelement
3 zu erzeugen, wird zwischen den Anschlüssen der in Sperrrichtung vorgespannten PIN -Diode ein Strom fließen, wenn die Photonen innerhalb der Raumladungszone absorbiert werden. Alternativ kann die PIN -Diode ohne Vorspannung betrieben werden, dann kann zwischen ihren Anschlüssen bei Absorption von Photonen eine Spannung gemessen werden. Die zusätzliche intrinsische Schicht bewirkt dabei eine Verbreiterung der Raumladungszone im Vergleich zu PN-Diode, dadurch wird das zur Absorption von Photonen Volumen und somit die Empfindlichkeit des Sensors erhöht. Eine Raumladungszone ist ein Bereich innerhalb eines Halbleiters, in dem entweder ein Überschuss oder ein Mangel an Ladungsträgern vorherrscht. Die Raumladungszone entsteht durch Diffusion der negativen Ladungsträger in den p- dotierten Bereich bzw. der positiven Ladungsträger in den n- dotierten Bereich. - Als Dotierung wird hier das Einbringen von Fremdatomen in eine Gitterstruktur bezeichnet, wobei vorzugsweise die p-Dotierung mittels Bor oder BF2, die n-Dotierung vorzugsweise mittels Phosphor und Arsen erreicht ist.
- Durch das an der Raumladungszone anliegende Feld werden die Elektronen-Loch-Paare sehr schnell getrennt, wodurch elektrische Signale erzeugt werden. Diese elektrische Signale sind in Form von Strom oder Spannung an den beiden Anschlüssen
61 ,62 zur Verfügung und sind dort abgreifbar. Somit weist das Sensorelement ein verbessertes Zeitverhalten als beispielsweise herkömmliche PN- Substratdioden auf. Diese Substratdioden sind in einem jeweiligen Halbleiterprozess entweder parasitär enthalten oder gezielt eingebracht. Somit erkennt eine PIN- Diode schnelle, kleinen und schwache Bestrahlungsimpulse einer Lichtquelle, wodurch ein effektiverer Schutz bei Lichtangriffen gegeben ist. - In
2 ist eine Weiterbildung des in1 dargestellten Halbleiterbauelements aufgezeigt. Das Halbleiterbauelement weist wiederum ein Halbleitersubstrat1 auf. Innerhalb des Halbleitersubstrats1 befindet sich die Halbleiterstruktur2 . Innerhalb der Halbleiterstruktur2 ist zumindest eine Schaltungsanordnung21 -24 angeordnet. Auf einer ersten Oberseite11 des Halbleitersubstrat1 ist eine erste Isolationsschicht5 angeordnet. Idealerweise ist die Isolationsschicht5 ein Siliziumoxid, idealerweise Siliziumdioxid. Auf der ersten Isolationsschicht5 ist das Sensorelement3 angeordnet, welches wie in1 beschrieben ausgestaltet ist. Hier gekennzeichnet ist ein erster Bereich31 , der den p- dotierten Bereich des Sensorelements3 darstellt, ein zweiter Bereich32 stellt den n- dotierter Bereich des Sensorelements3 dar. Zwischen den Bereichen31 und32 ist der intrinsische Bereich33 angeordnet ist. Der Abstand34 zwischen Bereich31 und32 ist wenige µm lang, idealerweise weniger als 10µm. - Das Sensorelement
3 weist wiederum zusätzlich ersten Sensoranschluss61 sowie einen zweiten Sensoranschluss62 auf. Beide Sensoranschlüsse61 ,62 sind vorzugsweise elektrisch leitfähig ausgestaltet. Der erste Sensoranschluss61 wird beispielsweise als Anode, der zweite Sensoranschluss62 beispielsweise als Kathode bezeichnet. - Das in
2 dargestellte Halbleiterbauelement dient ebenso dem Erkennen von unautorisierten Zugriffen durch Bestrahlung mittels Licht. Vorzugsweise ist das Halbleiterbauelement nach2 ein Logikbauelement aus einem Halbleitertechnologieprozess. - Wie in
2 dargestellt ist es vorteilhaft, diesen Lichtsensor oberhalb eines Halbleitersubstrats anzuordnen. Dadurch befindet sich das Sensorelement3 in unmittelbarer Nähe zu Schaltungsanordnungen21-24 . Bei Lichtangriffen wird somit zumindest ein Teil der Lichtquanten auf das Sensorelement3 treffen und der in1 beschriebenen Effekt zur Erzeugung von elektrischen Impulsen tritt ein, welches in einer nachfolgenden Schaltung siehe7 bis9 in ein Alarmsignal umgewandelt werden kann. - Vorzugsweise ist das Sensorelement
3 eine erste Polysiliziumschicht in einer Halbleitertechnologie. Hierdurch können durch Logikbauelemente nicht genutzte bzw. nicht verwendete Polysiliziumschichten für ein wie in1 beschriebenes Sensorelement3 genutzt werden. Dadurch werden keine zusätzlichen Prozessstrukturen verwendet, was ein kostengünstiges Produzieren dieses Halbleiterbauelements bedeutet. - Wesentlicher Vorteil ist hierbei, dass das Sensorelement
3 in das Halbleiterbauelement integriert ist, wodurch es mit einfachen Mitteln nicht möglich, ist das Sensorelement3 abzukoppeln oder abzutrennen vom Rest der Schaltung. Darüber hinaus ist es für einen Angreifer nicht ersichtlich, dass diese Polysiliziumschicht ein Sensorelement3 ist, da die Struktur des Sensorelements3 für den bloßen Betrachter einem Widerstand ähnelt. Der Angreifer geht somit nicht davon aus, einen Sensorelement3 vorzufinden. - In
3 ist ein Ausführungsbeispiel eines Halbleiterbauelements nach1 aufgezeigt. Im Folgenden wird nur auf die Unterschiede zwischen2 und3 eingegangen. Zusätzlich ist zwischen der ersten Isolationsschicht5 und dem Sensorelement3 eine zweite Polysiliziumschicht7 und eine zweite Isolationsschicht8 angeordnet. Die zweite Polysiliziumschicht7 weist darüber hinaus einen Steueranschluss9 auf. - Wie in
2 ist auch in3 die erste und zweite Isolationsschicht ein Siliziumoxid, bevorzugt ein Siliziumdioxid, was sehr gut zur Isolation zwischen den Polysiliziumschichten3 ,7 und dem Halbleitersubstrat2 dient. In3 befindet sich das Sensorelement3 in einem Hochvoltgebiet eines Halbleiterbauelements. Die zweite Polysiliziumschicht7 ist zur Ansteuerung bzw. Steuerung der Schaltungsanordnungen21 -24 eingebracht, welche im Halbleitersubstrat1 vorgesehen sind. Vorzugsweise ist das Sensorelement3 wie in2 eine erste Polysiliziumschicht innerhalb eines Halbleitertechnologieprozesses, welche idealerweise nicht benutzt oder verwendet wird. Dadurch sind hier ebenfalls die in2 erwähnten Eigenschaften gegeben. - In
2 und3 ist der Bereich34 eingezeichnet, welcher den Abstand zwischen dem p- und dem n-Bereich darstellt. Dieser Bereich ist vorzugsweise einige Mikrometer groß, sodass der Bereich zwischen p und n noch eine Diodencharakteristik hat, und eine Diffusion zwischen beiden Gebieten bei Eintreffen von Bestrahlung mittels Licht von außerhalb des Halbleiterbauelements zu einem Spannungsabfall führt. Je weiter die Bereiche31 und32 entfernt sind, desto intensiver muss die Bestrahlung sein, um einen elektrischen Impuls zu erzeugen. - In den
2 und3 sind neben der eigentlichen Halbleiterstruktur2 noch Isolationsstrukturen4 eingebracht. Diese dienen bevorzugt zur elektromagnetischen Isolation der Halbleiterstruktur2 vor elektrischen Einflüssen, wie Störeinkopplung und dergleichen. Bevorzugt sind zwischen den einzelnen Schaltungsanordnungen21-24 innerhalb der Halbleiterstruktur2 ebenfalls solche Isolationsstrukturen4 angeordnet. Dadurch beeinflussen sich die einzelnen Schaltungsanordnungen21 -24 nur geringfügig, im Idealfall gar nicht. - In
4 ist eine Draufsicht des in3 dargestellten Halbleiterbauelements dargestellt. Wie auch in den2 und3 ist eine Halbleiterstruktur2 in einem Halbleiterbauelement dargestellt. Zur Funktionsweise der in4 dargestellten Halbleiterbauelementanordnung, siehe Figurenbeschreibung2 und3 . - In
5 ist eine alternative Anordnung des Sensorelements3 zwischen mehreren verschiedener Schaltungsanordnungen21 ,22 ,23 und24 innerhalb einer Halbleiterstruktur2 eines Halbleiterbauelements aufgezeigt. Auch hierbei ist die Draufsicht gezeichnet. Das Sensorelement3 ist hierbei von diesen Schaltungsanordnungen21 - 24 und von Isolationsstrukturen4 umgeben. Das Sensorelement ist bevorzugt wie in1 bis3 beschrieben ausgestaltet. - Die Isolationsstrukturen
4 dienen dazu, elektromagnetisch verträglich und zum Teil isolierend die Schaltungsanordnungen21 bis24 vom Rest der Schaltungen abzugrenzen. Die Position des Sensorelements3 ist hierbei derart gewählt, dass es in unmittelbarer Nähe zu den Schaltungsanordnungen21-24 in das Halbleiterbauelement eingebracht ist. Hierdurch werden bei einem Lichtangriff möglichst viele, im Idealfall alle Schaltungsanordnungen21-24 geschützt, auch wenn der Lichtangriff gezielt nur einen Teil einer Schaltungsanordnung21-24 angreift. Vorzugsweise sind die Schaltungsanordnung21 bis24 Standardbibliothekszellen in einer Technologie. Das Sensorelement3 ist wiederum vorzugsweise eine ungenutzte Polysiliziumschicht, wodurch ein einfaches realisieren und platzieren des Sensorelements3 im Halbleiterbauelement möglich. Dies spart Kosten und erzeugt eine effektive Erkennung der Angriffe. Dadurch dass das Sensorelement3 direkt oberhalb einer Schaltungsanordnung21 - 24 platzierbar ist, ist ein Lichtangriff sehr einfach erkennbar. - Nicht dargestellt ist die Platzierung mehrerer Sensorelemente
3 in einem Halbleiterbauelement, wodurch jede Schaltungsanordnung21-24 separat mit einem Sensorelement3 ausgestattet ist. Eine Platzierung im Randgebiet des Halbleiterbauelements ist ebenfalls denkbar. Bevorzugt ist das Sensorelement3 bzw. die Sensorelemente zwischen die Schaltungsanordnungen verschachtelt einzufügen. Sprich, die Sensorelemente sollten zwischen den Schaltungsanordnungen verwoben sein, um effektiv Lichtangriffe erkennen zu können. - In
6 ist nun eine Anordnung aufgezeigt, in der das Erkennen des Lichtangriffes in einer Auswerteeinheit weiter verarbeitet wird. Eine Lichtquelle140 bestrahlt das Sensorelement3 . Mittels der Sensoranschlüsse61 und62 wird ein elektrisches Signal einer Auswerteeinheit120 bereitgestellt. Innerhalb der Auswerteeinheit120 wird das elektrische Signal in eine elektrische Messgröße umgesetzt. Diese Messgröße erzeugt innerhalb der Auswerteeinheit ein Alarmsignal130 , sobald ein Lichtangriff stattfindet. Dieses Alarmsignal130 wird in6 den Schaltungsanordnungen21 bis24 zugeführt. - Wird ein Alarmsignal
130 erzeugt, ist ein Lichtangriff erkannt worden. Bei Auftreten eines Alarmsignals130 werden nun weitere Maßnahmen eingeleitet. In6 wird dieses Alarmsignal6 gezielt den Schaltungsanordnungen zur Verfügung gestellt, die vom Lichtangriff betroffen sind. Diese können nun bei Auftreten des Alarmsignals130 abschalten, blockieren, in einen Reset geführt werden oder falsche Informationen bereitstellen. - In einem nicht dargestellten Fall wird das Alarmsignal
130 einer anderen, nicht vom Lichtangriff betroffenen Schaltungsanordnung zugeführt, welche weitere Maßnahmen, wie Blockade oder Reset oder dergleichen einleitet. - Die Auswerteeinheit
120 wird nachfolgend näher erläutert. - In
7 ist einen Teil eines Stromlaufplans einer Auswerteeinheit zum Abwehren von Lichtangriffen mittels Spannungsüberwachung dargestellt. Es sei hier bereits angemerkt, dass die Auswerteeinheit120 nicht vollständig dargestellt ist, es wird lediglich das Wandeln des elektrischen Signals des Sensorelements3 in einen Messgröße100 aufgezeigt. Das Sensorelement3 ist hierbei als Ersatzschaltbild Diode mit den Anschlüssen61 und62 dargestellt und stellt das elektrische Signal der Auswerteeinheit120 bereit. Die Auswerteeinheit120 weist ein BezugspotentialGND sowie ein VersorgungspotentialVDD auf. Eine Reihenschaltung aus einem StrombegrenzungswiderstandR und dem Sensorelement3 erzeugt nun einen Spannungswert100 , sobald ein elektrisches Signal geliefert ist. Dieser Spannungsmesswert100 kann nun in der in6 dargestellten Auswerteeinheit120 als Messwert herangezogen werden. Dies ist nicht mehr dargestellt. Bei Überschreiten eines bestimmten Spannungsmesswertes100 , beispielsweise einem Volt, ist es möglich ein Alarmsignal130 zu generieren wodurch die in6 beschriebenen weiteren Maßnahmen eingeleitet werden. - In den
8a und8b wird prinzipiell eine Strommessgröße110 erzeugt, die ebenfalls dann erzeugt wird, wenn ein elektrisches Signal über die Sensoranschlüsse61 ,62 der Auswerteeinheit120 zur Verfügung steht. Wie bereits in6 und7 erwähnt, ist die dargestellte Auswerteeinheit120 zur Generierung eines Alarmsignals verwendet. Ähnlich wie in7 wird die Erzeugung des Alarmsignals130 nicht dargestellt. - In der
8a ist das Sensorelement wiederum als Diode dargestellt. Das bei einem Lichtangriff auftretende elektrische Signal wird einem Gate- und Drain- Anschluss eines ersten Feldeffekttransistors (FET)T1 zur Verfügung gestellt. Der Source- Anschluss desT1 ist mit Bezugspotential GND verknüpft. Der Drain- Anschluss vonT1 ist zusätzlich mit einem weiteren Gate- Anschluss eines zweiten TransistorsT2 verbunden. Der Source- Anschluss vonT2 ist ebenfalls auf Bezugspotential GND gelegt. - Bei auftretendem elektrischen Signal erzeugt
T1 einen Spannungsabfall zwischen Drain- und Source- Anschluss vonT1 . Diese Spannung dient als Steuerspannung am Gate- Anschluss desT2 FET. Ein dadurch erzeugter Strom zwischen Drain- und Source- Anschluss vonT2 dient als Strommesswert110 . - Prinzipiell funktioniert die Schaltung nach
8b gleich der Schaltung nach8a . Lediglich die TransistorenT1 undT2 sind nicht als NMOS Transistoren sondern als PMOS TransistorenT1 ,T2 ausgestaltet. -
9 zeigt einen Teil eines Stromlaufplans einer Auswerteeinheit120 zum Abwehren von Lichtangriffen mittels Differenz/ Referenzüberwachung. Hierbei wird ein zweites Sensorelement3 innerhalb der Auswerteeinheit120 versteckt integriert, sodass es für einen Lichtangriff nicht empfänglich ist. Das zweite Sensorelement3 ist idealerweise abgedeckt. Dieses abgedeckte Sensorelement3 ist in9 durch einen Kreis um die Diode dargestellt. Dieses abgedeckte Sensorelement3 erzeugt nun einen konstanten Referenzwert am TransistorT4 durch den StrombegrenzungswiderstandR . Wird wiederum ein Lichtangriff stattfinden, wird am ersten Sensorelement ein elektrisches Signal erzeugt. Die TransistorenT3 undT4 sind als Differenzeingangstransistoren verschaltet. Am Gate-Anschluss desT4 wird der Referenzspannungswert angelegt, der von dem abgedeckten Sensorelement3 erzeugt wird. Am Gate-Anschluss desT3 wird hingegen das elektrische Signal des ersten Sensorelement3 angelegt. Die TransistorenT5 undT6 sind mittels Vorspannung Vbias vorgespannt. Eine Stromquelle Ibias erzeugt den nötigen Strom für das DifferenzeingangspärchenT3 undT4 . - Ein Spannungsmesswert
100 wird zwischen Source vonT5 und Source vonT6 abgegriffen. Bei einem Lichtangriff sind die Gate- Anschlüsse der TransistorenT3 undT4 unterschiedlich, wodurch zwischen den Source- Anschlüssen vonT5 undT6 der Spannungsmesswert100 größer null wird. Dieser Spannungsmesswert kann bei Überschreiten einer bestimmten Höhe, beispielsweise einem Volt, wiederum innerhalb der Auswerteeinheit120 verwendet werden um ein Alarmsignal130 zu generieren. Die Erzeugung des Alarmsignals130 ist wiederum nicht dargestellt. - Die Polysiliziumschichten, die das Sensorelement
3 bilden sind vorzugsweise unsiliziertes Polysilizium welches bei der Herstellung bereits im Prozess integriert ist allerdings durch die Schaltungsanordnung21 -24 nicht verwendet wird. Dadurch sind für die Realisierung des Lichtsensors keine zusätzlichen Prozessschritte erforderlich. Selbstverständlich ist die Kombination mit herkömmlichen Lichtsensoren ebenfalls möglich. In den Hochvolt- und Mittelvoltbereichen kann ein solcher Lichtsensor direkt über der aktiven Schaltung realisiert sein da dort ein zweites Polysilizium normalerweise nicht genutzt wird. In der Anmeldung wird der Ausdruck elektrisches Signal und der Ausdruck elektrischer Impuls gleich verstanden. - Bezugszeichenliste
-
- 1
- Halbleitersubstrat
- 11
- Erste Oberseite des Halbleitersubstrats
- 2
- Halbleiterstruktur
- 21
- Schaltungsanordnung
1 - 22
- Schaltungsanordnung
2 - 23
- Schaltungsanordnung
3 - 24
- Schaltungsanordnung
4 - 3
- Sensorelement, erste Polysiliziumschicht
- 31
- P- dotierter Bereich des Sensorelements,
- 32
- N- dotierter Bereich des Sensorelements,
- 33
- Intrinsischer Bereich des Sensorelements
- 34
- Abstand zwischen P- und N- dotiertem Bereich
- 4
- Isolationsstruktur
- 5
- Erste Isolationsschicht
- 6
- Sensoranschlüsse
- 61
- Erster Sensoranschluss, Anode
- 62
- Zweiter Sensoranschluss, Kathode
- 7
- Zweite Polysiliziumschicht
- 8
- Zweite Isolationsschicht
- 9
- Steueranschluss
- 100
- Spannungsmesswert
- 110
- Strommesswert
- 120
- Auswerteeinheit
- 130
- Alarmsignal
- 140
- Lichtquelle
- IBias
- Vorstrom
- R
- Strombegrenzungswiderstand
- T1-T6
- MOSFET Transistoren
- VDD
- Versorgungspotenzial
- VBias
- Vorspannung
- Gnd
- Bezugspotenzial
Claims (14)
- Halbleiterbauelement mit: - einem Halbleitersubstrat (1), - zumindest einer im Halbleitersubstrat (1) ausgebildeten Halbleiterstruktur (2) und - zumindest einem Sensorelement (3), wobei: - die Halbleiterstruktur (2) zumindest eine Schaltungsanordnung (21, 22, 23, 24) aufweist, - das Sensorelement (3) eine PIN Diode ist und zwei Anschlüsse (61, 62) aufweist, - das Sensorelement (3) in einer Polysiliziumschicht auf einer Oberseite (11) des Halbleitersubstrats (1) angeordnet ist, wobei zwischen der Oberseite (11) des Halbleitersubstrats (1) und der Polysiliziumschicht mit dem Sensorelement (3) eine Isolationsschicht (5) angeordnet ist, wobei zwischen der Isolationsschicht (5) und der Polysiliziumschicht mit dem Sensorelement (3) eine zweite Polysiliziumschicht (7) gefolgt von einer zweiten Isolationsschicht (8) angeordnet ist und die zweite Polysiliziumschicht (7) zur Ansteuerung der Schaltungsanordnung (21, 22, 23, 24) ausgebildet ist; und - das Sensorelement (3) ausgebildet ist, bei Bestrahlung des Halbleiterbauelements mittels Licht ein an den Anschlüssen (61, 62) abgreifbares elektrisches Signal zu erzeugen.
- Ein Halbleiterbauelement nach
Anspruch 1 , wobei das Sensorelement (3) sensitiv für ein Laserlicht ist. - Ein Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Sensorelement (3) eine Dünnfilm- PIN Diode ist.
- Ein Halbleiterbauelement nach
Anspruch 3 , wobei der Abstand (34) zwischen p- dotiertem Bereich (31) und n- dotiertem Bereich (32) des Sensorelementes (3) unter 10 µm beträgt. - Ein Halbleiterbauelement nach
Anspruch 1 , wobei die Polysiliziumschicht: - unsiliziertes Polysilizium ist, - von den Schaltungsanordnungen (21, 22, 23, 24) ungenutzt ist und - während des Herstellungsprozesses in das Halbleiterbauelement eingebracht ist. - Ein Halbleiterbauelement nach
Anspruch 1 oder5 , wobei die zweite Polysiliziumschicht (7) einen Steueranschluss (9) für die Schaltungsanordnung (21, 22, 23, 24) aufweist. - Ein Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei an die Anschlüsse (61, 62) der PIN-Diode eine Vorspannung angelegt ist.
- Ein Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Sensorelement (3) bei Betrachtung von oben optisch einem Widerstand gleicht.
- Sensorelement (3) zur Erkennung von Lichtangriffen auf Schaltungsanordnungen (21, 22, 23, 24) in Halbleiterstrukturen (2), wobei: - das Sensorelement (3) oberhalb der Schaltungsanordnungen (21, 22, 23, 24) innerhalb einer Schicht eines Halbleiterbauelements angeordnet ist, wobei zwischen der Schaltungsanordnung (21, 22, 23, 24) und der Schicht mit dem Sensorelement eine erste Isolationsschicht (5), eine zweite Polysiliziumschicht (7) und eine zweite Isolationsschicht (8) angeordnet sind, wobei die zweite Polysiliziumschicht (7) zur Ansteuerung der Schaltungsanordnung (21, 22, 23, 24) ausgebildet ist, - das Sensorelement eine PIN- Diode ist, - die Raumladungszone des Sensorelements (3) zumindest so groß ist, dass die Energie der Photonen des mittels Lichtangriff eingestrahlten Lichtes innerhalb der Raumladungszone absorbiert wird und - die durch die Absorption verursachten Ladungsverschiebungen als Lichtangriffe erkennbar sind.
- Verwendung eines Halbleiterbauelementes nach einem der
Ansprüche 1 bis8 in einer Chipkarte, wobei das Halbleiterbauelement in einem Chipmodul angeordnet ist und dieses Chipmodul innerhalb des Kartenkörpers der Chipkarte eingebracht ist. - Verfahren zur Abwehr von Lichtangriffen in einem Halbleiterbauelement nach einem der
Ansprüche 1 bis8 mit folgenden Verfahrensschritten: - Erkennen einer Ladungsverschiebung zwischen den beiden Sensoranschlüssen (61, 62) durch eine Auswerteeinheit, - Erzeugen eines Alarmsignals innerhalb der Auswerteeinheit, - Blockieren und/oder Abschalten des Halbleiterbauelements bei Auftritt des Alarmsignals. - Verfahren nach
Anspruch 11 , wobei das Erkennen mittels Spannungsüberwachung durchgeführt wird und das Alarmsignal erzeugt wird, sobald ein Spannungsmesswert überschritten wird. - Verfahren nach
Anspruch 11 , wobei das Erkennen mittels Stromüberwachung durchgeführt wird und das Alarmsignal erzeugt wird, sobald ein Strommesswert überschritten wird. - Verfahren nach
Anspruch 11 , wobei das Erkennen mittels Differenzbildung durchgeführt wird, wobei: - das Sensorelement einen Messwert liefert, - ein zweites Sensorelement derart in das Halbleiterbauelement eingebracht ist, dass es für einen Lichtangriff unsensibel ist, - das zweite Sensorelement einen Referenzwert liefert und - das Alarmsignal erzeugt wird, sobald der Referenzwert von einem Messwert abweicht.
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2980303A1 (fr) * | 2011-09-19 | 2013-03-22 | St Microelectronics Rousset | Detection d'une attaque laser en face arriere d'un dispositif electronique, et support semiconducteur correspondant |
DE102013112552B4 (de) | 2013-11-14 | 2017-05-24 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung und Verfahren zum Sichern einer Schaltungsanordnung gegen wiederholte Lichtangriffe |
Citations (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6050971A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-22 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜ダイオ−ドの製造方法 |
DE3334167A1 (de) * | 1983-09-21 | 1985-04-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiterdiode |
DE3409146A1 (de) | 1984-03-13 | 1985-09-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Optoelektronisches mudul |
US5053992A (en) * | 1990-10-04 | 1991-10-01 | General Instrument Corporation | Prevention of inspection of secret data stored in encapsulated integrated circuit chip |
EP0510434A2 (de) * | 1991-04-26 | 1992-10-28 | Hughes Aircraft Company | Vorrichtung und Verfahren zur Verhinderung der Analyse eines geschützten Stromkreises |
US5248623A (en) * | 1988-02-19 | 1993-09-28 | Nippondenso Co., Ltd. | Method for making a polycrystalline diode having high breakdown |
DE19601390A1 (de) * | 1996-01-16 | 1997-07-17 | Siemens Ag | Mikrochip mit einem diesen ganz oder teilweise umgebenden lichtundurchlässigen Ummantelungsabschnitt |
US5936261A (en) | 1998-11-18 | 1999-08-10 | Hewlett-Packard Company | Elevated image sensor array which includes isolation between the image sensors and a unique interconnection |
EP1128248A1 (de) * | 2000-02-21 | 2001-08-29 | Infineon Technologies AG | Halbleiterchip mit einem lichtempfindlichen Element |
DE10101281C1 (de) * | 2001-01-12 | 2002-06-06 | Infineon Technologies Ag | Schutzschaltung gegen die Möglichkeit des Ausspionierens von Daten bzw. Informationen |
DE10101995A1 (de) * | 2001-01-18 | 2002-07-25 | Philips Corp Intellectual Pty | Schaltungsanordnung und Verfahren zum Schützen mindestens einer Chipanordnung vor Manipulation und/oder vor Mißbrauch |
US6426547B1 (en) * | 2000-12-12 | 2002-07-30 | Information Business Machines Corporation | Lateral polysilicon pin diode and method for so fabricating |
WO2003102510A2 (en) * | 2002-06-04 | 2003-12-11 | Nds Limited | Prevention of tampering in electronic devices |
US6802008B1 (en) * | 1997-05-19 | 2004-10-05 | Rohm Co., Ltd. | IC card and IC chip module |
US20050017318A1 (en) | 2003-07-22 | 2005-01-27 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd | Circuit array substrate and method of manufacturing the same |
DE10345240A1 (de) * | 2003-09-29 | 2005-05-04 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltung mit Strahlungssensoranordnung |
US20050167709A1 (en) | 2002-09-19 | 2005-08-04 | Augusto Carlos J. | Light-sensing device |
DE102004015546A1 (de) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchip mit integrierter Schaltung und Verfahren zum Sichern einer integrierten Halbleiterschaltung |
US6972469B2 (en) * | 2001-06-08 | 2005-12-06 | Infineon Technologies Ag | Lateral PIN diode and method for processing same |
DE102004041626A1 (de) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Infineon Technologies Ag | Chipkarte, und Chipkarten-Sicherungs-Einrichtung |
DE102004041907B3 (de) | 2004-08-30 | 2006-03-23 | Infineon Technologies Ag | Resistive Speicheranordnung, insbesondere CBRAM-Speicher |
US20070215969A1 (en) | 2006-03-01 | 2007-09-20 | Epson Imaging Devices Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
-
2007
- 2007-12-03 DE DE102007058003.9A patent/DE102007058003B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6050971A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-22 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜ダイオ−ドの製造方法 |
DE3334167A1 (de) * | 1983-09-21 | 1985-04-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiterdiode |
DE3409146A1 (de) | 1984-03-13 | 1985-09-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Optoelektronisches mudul |
US5248623A (en) * | 1988-02-19 | 1993-09-28 | Nippondenso Co., Ltd. | Method for making a polycrystalline diode having high breakdown |
US5053992A (en) * | 1990-10-04 | 1991-10-01 | General Instrument Corporation | Prevention of inspection of secret data stored in encapsulated integrated circuit chip |
EP0510434A2 (de) * | 1991-04-26 | 1992-10-28 | Hughes Aircraft Company | Vorrichtung und Verfahren zur Verhinderung der Analyse eines geschützten Stromkreises |
DE19601390A1 (de) * | 1996-01-16 | 1997-07-17 | Siemens Ag | Mikrochip mit einem diesen ganz oder teilweise umgebenden lichtundurchlässigen Ummantelungsabschnitt |
US6802008B1 (en) * | 1997-05-19 | 2004-10-05 | Rohm Co., Ltd. | IC card and IC chip module |
US5936261A (en) | 1998-11-18 | 1999-08-10 | Hewlett-Packard Company | Elevated image sensor array which includes isolation between the image sensors and a unique interconnection |
EP1128248A1 (de) * | 2000-02-21 | 2001-08-29 | Infineon Technologies AG | Halbleiterchip mit einem lichtempfindlichen Element |
US6426547B1 (en) * | 2000-12-12 | 2002-07-30 | Information Business Machines Corporation | Lateral polysilicon pin diode and method for so fabricating |
DE10101281C1 (de) * | 2001-01-12 | 2002-06-06 | Infineon Technologies Ag | Schutzschaltung gegen die Möglichkeit des Ausspionierens von Daten bzw. Informationen |
DE10101995A1 (de) * | 2001-01-18 | 2002-07-25 | Philips Corp Intellectual Pty | Schaltungsanordnung und Verfahren zum Schützen mindestens einer Chipanordnung vor Manipulation und/oder vor Mißbrauch |
US6972469B2 (en) * | 2001-06-08 | 2005-12-06 | Infineon Technologies Ag | Lateral PIN diode and method for processing same |
WO2003102510A2 (en) * | 2002-06-04 | 2003-12-11 | Nds Limited | Prevention of tampering in electronic devices |
US20050167709A1 (en) | 2002-09-19 | 2005-08-04 | Augusto Carlos J. | Light-sensing device |
US20050017318A1 (en) | 2003-07-22 | 2005-01-27 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd | Circuit array substrate and method of manufacturing the same |
DE10345240A1 (de) * | 2003-09-29 | 2005-05-04 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltung mit Strahlungssensoranordnung |
DE102004015546A1 (de) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchip mit integrierter Schaltung und Verfahren zum Sichern einer integrierten Halbleiterschaltung |
DE102004041626A1 (de) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Infineon Technologies Ag | Chipkarte, und Chipkarten-Sicherungs-Einrichtung |
DE102004041907B3 (de) | 2004-08-30 | 2006-03-23 | Infineon Technologies Ag | Resistive Speicheranordnung, insbesondere CBRAM-Speicher |
US20070215969A1 (en) | 2006-03-01 | 2007-09-20 | Epson Imaging Devices Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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