DE112018006991T5 - Halbleitervorrichtung und halbleitervorrichtungs-herstellungsverfahren - Google Patents

Halbleitervorrichtung und halbleitervorrichtungs-herstellungsverfahren Download PDF

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Abstract

[Problem] Um Folgendes bereitzustellen: eine Halbleitervorrichtung, deren Zuverlässigkeit aufrechterhalten werden kann, selbst wenn die Struktur komplex wird; und ein Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren. [Lösung] Eine Halbleitervorrichtung umfasst wenigstens eine Öffnung in einer Hauptfläche einer geschichteten Schichtstruktur. Die ebene Form der Öffnung in der einen Hauptfläche ist mit einem winkelförmigen Bereich bereitgestellt, der von einem weiteren Bereich der ebenen Form vorsteht und der einen Punkt enthält, der sich in einer nach außen gewandten Form biegt.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung.
  • TECHNISCHER HINTERGRUND
  • In den letzten Jahren sind Halbleitervorrichtungen, wie z. B. Arithmetikverarbeitungsvorrichtungen, Speichervorrichtungen und Festkörper-Bildgebungsvorrichtungen, die unter Verwendung von Halbleitern, wie z. B. Silicium, gebildet werden, in der Struktur immer komplizierter geworden. In einer Halbleitervorrichtung ist z. B. eine gestapelte Struktur verwendet worden, bei der mehrere Substrate miteinander verbunden werden und dann eine Durchgangselektrode gebildet wird, die ein Substrat durchdringt, wobei dadurch eine elektrische Verbindung zwischen den mehreren Substraten gebildet wird.
  • In einem Prozess des Herstellens einer Halbleitervorrichtung mit einer komplizierten Struktur kann es erforderlich sein, ein Loch oder einen Schlitz mit einem hohen Seitenverhältnis zu bilden, das bzw. der schwieriger zu bilden ist. Es ist wahrscheinlich, dass das Loch oder der Schlitz mit einem hohen Seitenverhältnis einen Defekt in der Halbleitervorrichtung verursacht, weil eine Ätzzeit zum Zeitpunkt der Bildung wahrscheinlich lang ist und das Einbetten eines Schutzlacks oder dergleichen in einen Boden wahrscheinlich ungleichmäßig ist. Deshalb wird eine Technik zum Unterdrücken des Einflusses untersucht, der auftritt, wenn ein Loch oder ein Schlitz mit einem hohen Seitenverhältnis gebildet wird.
  • Patentdokument 1 im Folgenden offenbart z. B. eine Technik zum Bilden eines Durchgangslochs für eine Durchgangselektrode, die ein Substrat durchdringt, durch das Bereitstellen eines ersten Lochs mit einer Kegelform, in dem der Durchmesser der Öffnung in Richtung auf einen Boden des Lochs schmaler wird, und eines zylindrischen zweiten Lochs, das im Boden des ersten Lochs gebildet wird.
  • LISTE DER ENTGEGENHALTUNGEN
  • PATENTDOKUMENT
  • Patentdokument 1: Japanische Offenlegungsschrift Nr. 2015-182969
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • DURCH DIE ERFINDUNG ZU LÖSENDE PROBLEME
  • Bei der im Patentdokument 1 offenbarten Technik werden jedoch das erste Loch und das zweite Loch in getrennten Prozessen gebildet, was deshalb die Kosten des Prozesses zum Herstellen der Halbleitervorrichtung erhöht. Weiterhin weist das Durchgangsloch, das das erste Loch und das zweite Loch enthält, eine kompliziertere Form und eine Schichtkonfiguration als ein einfaches Durchgangsloch auf, das vertikal gegraben wird. Deshalb gibt es eine Möglichkeit einer Abnahme der Zuverlässigkeit in einer derartigen Halbleitervorrichtung, die mit dem Durchgangsloch, das das erste Loch und das zweite Loch enthält, bereitgestellt ist.
  • Deshalb schlägt die vorliegende Offenbarung eine neue und verbesserte Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung vor, die die Zuverlässigkeit sogar in einem Fall aufrechterhalten können, in dem die Struktur kompliziert ist.
  • LÖSUNGEN FÜR DIE PROBLEME
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung wird eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt, die wenigstens eine oder mehrere Öffnungen in einer Hauptfläche einer gestapelten Schichtstruktur aufweist, wobei eine ebene Form der Öffnung in der Hauptfläche einen winkelförmigen Bereich enthält, der von dem anderen Bereich der ebenen Form vorsteht und einen Biegepunkt in einer äußeren Form enthält.
  • Weiterhin wird gemäß der vorliegenden Offenbarung ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung bereitgestellt, wobei das Verfahren das Bilden wenigstens einer oder mehrerer Öffnungen in einer Hauptfläche einer gestapelten Schichtstruktur enthält, wobei die Öffnung eine ebene Form aufweist, die einen winkelförmigen Bereich enthält, der einen Biegepunkt in einer äußeren Form enthält, wobei der winkelförmige Bereich von dem anderen Bereich der ebenen Form vorsteht.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung kann durch das Unterdrücken mit einer einfacheren Struktur des Auftretens von Defekten aufgrund der in der Hauptfläche der Schichtstruktur der Halbleitervorrichtung ausgebildeten Öffnung die Zuverlässigkeit der Halbleitervorrichtung sogar in dem Fall aufrechterhalten werden, in dem die Struktur kompliziert ist.
  • WIRKUNGEN DER ERFINDUNG
  • Wie oben beschrieben worden ist, ist es gemäß der vorliegenden Offenbarung möglich, eine Halbleitervorrichtung bereitzustellen, die die Zuverlässigkeit selbst in einem Fall aufrechterhalten kann, in dem die Struktur kompliziert ist.
  • Es wird angegeben, dass die oben beschriebene Wirkung nicht notwendigerweise eingeschränkt ist und dass jede der in der vorliegenden Beschreibung beschriebenen Wirkungen oder eine andere Wirkung, die aus der vorliegenden Beschreibung erfasst werden kann, zusätzlich zu der oder anstelle der oben beschriebenen Wirkung ausgeübt werden kann.
  • Figurenliste
    • 1A ist eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel einer Form einer in einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Öffnung veranschaulichen.
    • 1B ist eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht, die ein weiteres Beispiel der Form der in der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Öffnung veranschaulichen.
    • 2 ist eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel einer Form einer in einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel bereitgestellten Öffnung veranschaulichen.
    • 3 ist eine perspektivische Ansicht zum schematischen Beschreiben einer Konfiguration einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 4 ist eine schematische Ansicht, die einen Bereich, in dem eine Öffnung, auf die die Technik gemäß der vorliegenden Offenbarung angewendet wird, in einer in 3 veranschaulichten Festkörper-Bildgebungsvorrichtung ausgebildet ist, veranschaulicht.
    • 5A ist eine Draufsicht, die ein Beispiel einer Form einer in der Halbleitervorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform bereitgestellten Öffnung veranschaulicht.
    • 5B ist eine Draufsicht, die ein Beispiel der Form der in der Halbleitervorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform bereitgestellten Öffnung veranschaulicht.
    • 5C ist eine Draufsicht, die ein Beispiel der Form der in der Halbleitervorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform bereitgestellten Öffnung veranschaulicht.
    • 5D ist eine Draufsicht, die ein Beispiel der Form der in der Halbleitervorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform bereitgestellten Öffnung veranschaulicht.
    • 6A ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel der Form der in der Halbleitervorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform bereitgestellten Öffnung veranschaulicht.
    • 6B ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel der Form der in der Halbleitervorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform bereitgestellten Öffnung veranschaulicht.
    • 7 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel einer Form einer in einer Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Öffnung veranschaulicht.
    • 8A ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel der Form der in der Halbleitervorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform bereitgestellten Öffnung veranschaulicht.
    • 8B ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel der Form der in der Halbleitervorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform bereitgestellten Öffnung veranschaulicht.
    • 9A ist eine Draufsicht, die ein Beispiel der Form der in der Halbleitervorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform bereitgestellten Öffnung veranschaulicht.
    • 9B ist eine Draufsicht, die ein Beispiel der Form der in der Halbleitervorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform bereitgestellten Öffnung veranschaulicht.
    • 9C ist eine Draufsicht, die ein Beispiel der Form der in der Halbleitervorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform bereitgestellten Öffnung veranschaulicht.
    • 9D ist eine Draufsicht, die ein Beispiel der Form der in der Halbleitervorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform bereitgestellten Öffnung veranschaulicht.
  • ART ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
  • Es werden vorteilhafte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bezüglich der beigefügten Zeichnungen ausführlich beschrieben. Es wird angegeben, dass in der vorliegenden Beschreibung und in den Zeichnungen eine redundante Beschreibung von Konfigurationselementen, die im Wesentlichen die gleiche funktionale Konfiguration aufweisen, weggelassen wird, indem dasselbe Bezugszeichen bereitgestellt wird.
  • Es wird angegeben, dass die Beschreibung in der folgenden Reihenfolge gegeben wird.
    1. 1. Erste Ausführungsform
    2. 2. Zweite Ausführungsform
      • 2.1. Konfiguration der Halbleitervorrichtung
      • 2.2. Konfiguration der Öffnung
    3. 3. Dritte Ausführungsform
    4. 4. Vierte Ausführungsform
  • <Erste Ausführungsform>
  • Zuerst wird eine Konfiguration einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bezüglich der 1A und 1B und 2 beschrieben.
  • Obwohl dies nicht veranschaulicht ist, umfasst die Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform z. B. ein Halbleitersubstrat, verschiedene Elemente, die auf dem Halbleitersubstrat bereitgestellt sind, mehrere Isolierschichten, die auf dem Halbleitersubstrat gestapelt sind, und verschiedene Verdrahtungen, die innerhalb der mehreren Isolierschichten bereitgestellt sind und zum elektrischen Verbinden der verschiedenen Elemente.
  • Die Isolierschicht wird unter Verwendung eines Isoliermaterials gebildet und ist als eine gestapelte Schichtstruktur bereitgestellt, die mehrere auf dem Halbleitersubstrat ausgebildete Schichten enthält. Die verschiedenen Verdrahtungen werden unter Verwendung eines leitfähigen Materials gebildet und sind bereitgestellt, so dass sie innerhalb der Isolierschichten eingebettet sind. Die verschiedenen Verdrahtungen, die innerhalb der Isolierschichten bereitgestellt sind, sind durch eine Zwischenschichtelektrode, die bereitgestellt ist, so dass sie die Isolierschichten durchdringt, elektrisch miteinander verbunden. Weiterhin sind in einem Fall, in dem die Halbleitervorrichtung als eine gestapelte Halbleitervorrichtung bereitgestellt ist, in der mehrere Halbleitersubstrate gestapelt ist, die Halbleitersubstrate mit einer Zwischensubstratelektrode bereitgestellt, die die Halbleitersubstrate durchdringt, um die verschiedenen Elemente oder Verdrahtungen, die in den jeweiligen gestapelten Halbleitersubstraten bereitgestellt sind, elektrisch zu verbinden.
  • In einer derartigen Halbleitervorrichtung können die Isolierschichten oder die Halbleitersubstrate eine Öffnung aufweisen, um die Elektrode oder die verschiedenen Verdrahtungen zu bilden oder um einen vorgegebenen Bereich von dem anderen Bereich zu isolieren. In einem Fall, in dem die Öffnung eine Form mit einem hohen Seitenverhältnis aufweist, so dass eine Breite klein ist und eine Tiefe groß ist, kann jedoch die in der Isolierschicht oder in dem Halbleitersubstrat bereitgestellte Öffnung die Zuverlässigkeit der Halbleitervorrichtung beeinflussen, wie im Folgenden beschrieben wird.
  • Hier wird ein Einfluss einer Öffnung auf die Zuverlässigkeit einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel bezüglich 2 beschrieben. 2 ist eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel einer Form einer in einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel bereitgestellten Öffnung veranschaulichen. In 2 ist auf der linken Seite in 2 ein Zustand vor dem Auftragen eines viskosen Fluids veranschaulicht und ist auf der rechten Seite in 2 ein Zustand nach dem Auftragen des viskosen Fluids veranschaulicht.
  • Wie in 2 veranschaulicht ist, wird ein Fall betrachtet, in dem veranlasst wird, dass ein viskoses Fluid 920, wie z. B. ein Schutzlack, auf einer Hauptfläche einer Schichtstruktur 900, die mit einer Öffnung 910 bereitgestellt ist, strömt.
  • In einem Fall, in dem verursacht wird, dass das viskose Fluid 920 auf der Hauptfläche der Schichtstruktur 900, die mit der Öffnung 910 bereitgestellt ist, strömt, kann das viskose Fluid 920, das auf der Hauptfläche strömt, ein Verhalten aufweisen, dass es entweder in ein Inneres der Öffnung 910 strömt oder auf der Hauptfläche unter Umgehung der Öffnung 910 strömt oder durch die Öffnung 910 geht und auf der Öffnung strömt, ohne in das Innere der Öffnung 910 zu strömen.
  • Um zu verursachen, dass das viskose Fluid 920 bis zu einem Boden in die Öffnung 910 strömt, ist es deshalb wichtig, zu verursachen, dass das viskose Fluid 920 bevorzugt in die Öffnung 910 strömt, und die Luft innerhalb der Öffnung 910 unter Verwendung des viskosen Fluids 920 herauszuschieben. Um insbesondere das viskose Fluid 120 ohne eine Lücke in die gesamte Öffnung 910 einzubetten, ist es wichtig, durch das Steuern eines physikalischen Phänomens an einer Grenzfläche des viskosen Fluids 920 und der Luft und einer Kontaktfläche der Öffnung 910 einen Zustand zu erzeugen, in dem das viskose Fluid 920 bevorzugt in die Öffnung 910 strömt.
  • Die Öffnung 910, die in der in 2 veranschaulichten Schichtstruktur 900 bereitgestellt ist, weist jedoch auf der Hauptfläche eine isotrope kreisförmige ebene Form auf. Deshalb wird in der Öffnung 910 mit einer derartigen ebenen Form der Druck, wenn das viskose Fluid 920 strömt, um die Öffnung 910 verteilt.
  • Deshalb weist in 2 das viskose Fluid 920 eine höhere Möglichkeit, auf der Hauptfläche unter Umgehung der Öffnung 910 zu strömen oder die Öffnung 910 zu passieren und auf ihr zu strömen, ohne in die Öffnung 910 zu strömen, als eine Möglichkeit, in die Öffnung 910 zu strömen, auf. In einem derartigen Fall blockiert das viskose Fluid 920 einen oberen Abschnitt der Öffnung 910, bevor es in die gesamte Öffnung 910 ohne eine Lücke einbettet wird, wobei es folglich einen Weg abdichtet, durch den die Luft innerhalb der Öffnung 910 entweicht. Deshalb blockiert das viskose Fluid 920 den oberen Abschnitt der Öffnung 910, während innerhalb der Öffnung 910 ein Hohlraum 930 gelassen wird.
  • In dem Fall, in dem der Hohlraum 930 innerhalb der Öffnung 910 vorhanden ist, gibt es eine Möglichkeit, dass der Innendruck des Hohlraums 930 aufgrund der Ausdehnung der Luft im Hohlraum 930 aufgrund einer Wärmebehandlung oder dergleichen in einem nachfolgenden Schritt eines Herstellungsprozesses ansteigt und in dem gehärteten viskosen Fluid 920 (ein Schutzlack oder dergleichen), das den oberen Abschnitt der Öffnung 910 bedeckt, Risse entstehen oder dass eine unbeabsichtigte Beanspruchung auf die Schichtstruktur 900 ausgeübt wird. Deshalb kann in dem Fall, in dem der große Hohlraum 930 innerhalb der Öffnung 910 vorhanden ist, die Zuverlässigkeit der Halbleitervorrichtung verringert sein.
  • Die Technik gemäß der vorliegenden Offenbarung ist unter Berücksichtigung der obigen Umstände entworfen worden. Die Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann es durch das Bereitstellen der Öffnung in einer ebenen Form, die mit einem winkelförmigen Bereich bereitgestellt ist, in den das viskose Fluid leicht strömt, fördern, dass ein viskoses Fluid, wie z. B. ein Schutzlack, in eine Öffnung strömt, die in einer Hauptfläche einer Schichtstruktur bereitgestellt ist. Im Folgenden wird eine spezifische ebene Form einer Öffnung, in die das viskose Fluid leicht strömt, bezüglich der 1A und 1B beschrieben. Es wird angegeben, dass die in der Hauptfläche der Schichtstruktur bereitgestellte Öffnung als Durchgangselektrode verwendet werden kann, indem in sie ein leitfähiges Material eingebettet wird, das ein Metall oder eine Metallverbindung, wie z. B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Titan (Ti), Wolfram (W) oder Tantal (Ta), enthält, und/oder als Isolierschicht verwendet werden kann, indem in sie ein isolierendes Material, wie z. B. Siliciumoxid (SiOx), Siliciumnitrid (SiNx), Siliciumoxynitrid (SiON) oder ein organisches Harz, oder ein Hohlraum eingebettet wird.
  • 1A ist eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel einer Form einer Öffnung veranschaulichen, die in der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform bereitgestellt ist, und 1B ist eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht, die ein weiteres Beispiel der Form der Öffnung veranschaulichen, die in der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform bereitgestellt ist. In den 1A und 1B ist auf der linken Seite in den 1A und 1B ein Zustand vor dem Auftragen eines viskosen Fluids veranschaulicht und ist auf der rechten Seite in den 1A und 1B ein Zustand nach dem Auftragen des viskosen Fluids veranschaulicht.
  • Wie in den 1A und 1B veranschaulicht ist, enthält die Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine Öffnung 110 in einer Hauptfläche einer gestapelten Schichtstruktur 100. Die Öffnung 110 ist bereitgestellt, so dass sie von dem anderen Bereich 111 vorsteht, und ist in einer ebenen Form einschließlich eines winkelförmigen Bereichs 113, der einen Biegepunkt in einer äußeren Form enthält, bereitgestellt.
  • Spezifisch kann, wie in 1A veranschaulicht ist, die ebene Form der Öffnung 110 eine Tropfenform sein, die durch das Erweitern eines Punkts eines äußeren Umfangs der Kreisform nach außen erhalten wird, so dass der eine Punkt ein Biegepunkt wird. Zu diesem Zeitpunkt entspricht der Bereich, der erweitert ist, so dass er von der Kreisform vorsteht, dem winkelförmigen Bereich 113. Weiterhin kann, wie in 1B veranschaulicht ist, die ebene Form der Öffnung 110 eine Pfeilform in einer Richtung sein, die an einem Ende einer als ein Schaft dienenden Strecke mit einer Pfeilspitze bereitgestellt ist. Zu diesem Zeitpunkt entspricht der Bereich der Pfeilspitze dem winkelförmigen Bereich 113. Das heißt, der winkelförmige Bereich 113 entspricht einem Bereich, der wenigstens einen oder mehrere Biegepunkte enthält, die jeder als ein Scheitelpunkt in der äußeren Form dienen. Der winkelförmige Bereich 113 kann z. B. einer Form entsprechen, die durch das Ausschneiden eines Bereichs, der wenigstens einen oder mehrere Scheitelpunkte enthält, aus einer polygonalen Form erhalten wird.
  • Durch das Bilden der Öffnung 110 in einer derartigen anisotropen ebenen Form, die den winkelförmigen Bereich 113 enthält, kann der Druck, der verursacht wird, wenn ein viskoses Fluid 120 strömt, auf den winkelförmigen Bereich 113 konzentriert werden. Im Ergebnis strömt das viskose Fluid 120 leicht von dem winkelförmigen Bereich 113 in die Öffnung 110. Deshalb ist eine Möglichkeit verringert, dass das viskose Fluid 120 auf der Hauptfläche unter Umgehung der Öffnung 110 strömt oder die Öffnung 110 passiert und auf ihr strömt, ohne in die Öffnung 110 zu strömen. Weil die Öffnung 110 in der Reihenfolge von dem Boden der Öffnung 110 mit dem viskosen Fluid 120 gefüllt werden kann, kann das viskose Fluid 120 in die gesamte Öffnung 110 ohne eine Lücke eingebettet werden, bevor das viskose Fluid 120 einen oberen Abschnitt der Öffnung 110 blockiert.
  • Weiterhin kann die ebene Form der Öffnung 110 einen gekrümmten Bereich 115 enthalten, der auf der anderen Seite gegenüber einer Seite, wo der winkelförmige Bereich 113 bereitgestellt ist, eine Krümmung in einer äußeren Form aufweist.
  • Spezifisch kann in dem Fall, in dem die ebene Form der Öffnung 110 die Tropfenform ist, wie in 1A veranschaulicht ist, ein Abschnitt der Kreisform auf der gegenüberliegenden Seite des winkelförmigen Bereichs 113, der sich so erstreckt, dass er von der Kreisform vorsteht, dem gekrümmten Bereich 115 entsprechen, der eine Krümmung in der äußeren Form enthält. Weiterhin kann in dem Fall, in dem die ebene Form der Öffnung 110 die Pfeilform in einer Richtung ist, wie in 1B veranschaulicht ist, ein Anfangspunkt des Pfeils, der auf der gegenüberliegenden Seite des winkelförmigen Bereichs 113 der Pfeilspitze, die ein Endpunkt des Pfeils ist, vorhanden ist, einem gekrümmten Bereich 115 entsprechen, der die Krümmung in der äußeren Form enthält.
  • Die Öffnung 110 weist die ebene Form, die mit dem gekrümmten Bereich 115 auf der anderen Seite gegenüber der einen Seite bereitgestellt ist, wo der winkelförmige Bereich 113 bereitgestellt ist, auf, wobei dadurch ein Weg ausgebildet ist, durch den die innerhalb der Öffnung 110 vorhandene Luft durch das viskose Fluid 120 herausgeschoben wird und entweicht.
  • Weil die isotrope Außenform des gekrümmten Bereichs 115 den Druck verteilt, wenn das viskose Fluid 120 strömt, strömt die viskose Fluid 120 weniger leicht in die Öffnung 110 im gekrümmten Bereich 115. Durch das Bereitstellen des gekrümmten Bereichs 115 in der ebenen Form der Öffnung 110 ermöglicht es deshalb die Öffnung 110, dass das viskose Fluid 120 selektiv von dem winkelförmigen Bereich 113 in die Öffnung 110 strömt und die innerhalb der Öffnung 110 vorhandene Luft selektiv aus dem gekrümmten Bereich 115 entweicht. Deshalb kann die Öffnung 110 mit der ebenen Form, die den winkelförmigen Bereich 113 und den gekrümmten Bereich 115 enthält, das ohne eine Lücke stabil in die Öffnung 110 eingebettete viskose Fluid 120 aufweisen.
  • Die Technik gemäß der vorliegenden Offenbarung kann ungeachtet dessen, welche Typen der Schichtstruktur 100 z. B. mit der Öffnung 110 und dem in der Öffnung 110 eingebetteten viskosen Fluid 120 bereitgestellt sind, auf jede Schichtstruktur 100 und jedes viskose Fluid 120 angewendet werden.
  • Deshalb repräsentiert die oben beschriebene Schichtstruktur 100 eines der geschichteten Elemente innerhalb der Halbleitervorrichtung. Spezifisch ist die Schichtstruktur 100 eine Schicht oder ein Substrat mit einer Hauptfläche, wobei sie ein bekanntes Halbleitersubstrat, Glassubstrat oder Harzsubstrat oder eine bekannte Halbleiterschicht, Isolierschicht oder Leiterschicht sein kann. Die Schichtstruktur 100 kann z. B. ein Halbleitersubstrat oder eine Halbleiterschicht sein, die Silicium, Germanium, Galliumarsenid (GaAs), Indiumgalliumarsenid (InGaAs), Galliumnitrid (GaN), Siliciumcarbid (SiC) oder dergleichen enthält, oder kann eine Isolierschicht sein, die Siliciumoxid (SiOx), Siliciumnitrid (SiNx), Siliciumoxynitrid (SiON), Aluminiumoxid (Al2O3), Titanoxid (TiO2), Ditantalpentoxid (Ta2O5), Hafniumoxid (HfO2), Zirkonoxid (ZrO2), Rutheniumoxid (RuO2), Lanthanoxid (La2O3) oder dergleichen enthält.
  • Weiterhin repräsentiert das oben beschriebene viskose Fluid 120 ein bekanntes organisches Material oder anorganisches Material, das z. B. ein Fluid sein kann. Das viskose Fluid 120 kann z. B. einer von verschiedenen Schutzlacken (oder Zusammensetzungen, in denen die verschiedenen Schutzlacke gelöst sind), organischen Harzen mit Härtbarkeit oder Plastizität durch Wärme oder Licht, anorganisches Glas, wie z. B. „Spin-on“-Glas (SOG), oder dergleichen sein.
  • <Zweite Ausführungsform>
  • Als Nächstes wird eine Konfiguration einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bezüglich 3 bis 6A und 6B beschrieben.
  • (Konfiguration der Halbleitervorrichtung)
  • Zuerst wird eine Konfiguration einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform bezüglich 3 beschrieben. 3 ist eine perspektivische Ansicht zum schematischen Beschreiben der Konfiguration der Halbleitervorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Wie in 3 veranschaulicht ist, ist die Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine gestapelte Festkörper-Bildgebungsvorrichtung, die durch das Stapeln eines ersten Substrats 10 und eines zweiten Substrats 20 konfiguriert ist.
  • Spezifisch enthält das erste Substrat 10 einen Pixelbereich 11, der mit einer Photodiode (PD) bereitgestellt ist, wobei es eine Funktion implementiert, um Licht, das von einer Rückseite des ersten Substrats 10 einfällt, unter Verwendung der PD des Pixelbereichs 11 photoelektrisch umzusetzen. Das zweite Substrat 20 enthält einen Steuerbereich 23, der mit einer Steuerschaltung bereitgestellt ist, die eine in dem ersten Substrat 10 photoelektrisch umgesetzte Signalladung verarbeitet, einen Speicherbereich 21, der mit einer Speicherschaltung bereitgestellt ist, die die in dem ersten Substrat 10 photoelektrisch umgesetzte Signalladung vorübergehend speichert, und dergleichen. Dadurch implementiert das zweite Substrat 20 eine Funktion, um die im ersten Substrat 10 photoelektrisch umgesetzte Signalladung in ein Bildsignal umzusetzen. Im ersten Substrat 10 und im zweiten Substrat 20 können die Schaltungen auf den jeweiligen Substraten geeigneter konfiguriert sein, um den durch die jeweiligen Substrate implementierten Funktionen zu entsprechen, wodurch die Festkörper-Bildgebungsvorrichtung leichter im hohen Grade funktionalisiert sein kann.
  • Es wird angegeben, dass die im ersten Substrat 10 und im zweiten Substrat 20 bereitgestellten Schaltungen durch eine Zwischensubstratelektrode, die das Halbleitersubstrat, z. B. entweder das erste Substrat 10 oder das zweite Substrat 20, durchdringt, elektrisch miteinander verbunden sind. Die Zwischensubstratelektrode kann z. B. in einem Bereich bereitgestellt sein, der einen Rand des Pixelbereichs 11 umgibt, wobei der Pixelbereich 11 umgangen wird.
  • (Konfiguration der Öffnung)
  • Als Nächstes werden die Formen der Öffnungen, die in der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform bereitgestellt sind, bezüglich 4 bis 6A und 6B beschrieben. 4 ist eine schematische Ansicht, die einen Bereich veranschaulicht, in dem eine Öffnung, auf die die Technik gemäß der vorliegenden Offenbarung angewendet wird, in der in 3 veranschaulichten Festkörper-Bildgebungsvorrichtung ausgebildet ist.
  • Die Öffnung, auf die die Technik gemäß der vorliegenden Offenbarung angewendet wird, kann z. B. in einem Umfangsbereich 13 um den in 4 veranschaulichten Pixelbereich 11 bereitgestellt sein. Spezifisch weist der Umfangsbereich 13 um den Pixelbereich 11 mehrere der Zwischensubstratelektroden zum elektrischen Verbinden der Schaltungen auf, die jeweils im ersten Substrat 10 und im zweiten Substrat 20 in vorgegebenen Intervallen bereitgestellt sind. Die Technik gemäß der vorliegenden Offenbarung kann auf jede der Öffnungen zum Bilden derartiger Zwischensubstratelektroden angewendet werden.
  • Als Nächstes werden die ebenen Formen der Öffnungen zum Bilden der Zwischensubstratelektroden bezüglich der 5A bis 5D beschrieben. Die 5A bis 5D sind Draufsichten, die Beispiele der Formen der Öffnungen veranschaulichen, die in der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform bereitgestellt sind. Es wird angegeben, dass die 5A bis 5D schematische Ansichten sind, die einen vergrößerten Abschnitt des Umfangsbereichs 13 in der Nähe eines Scheitelpunkts des Pixelbereichs 11 in 4 veranschaulichen, wobei ein Pfeil R eine Richtung angibt, in der ein viskoses Fluid 120 strömt.
  • Wie in 5A veranschaulicht ist, kann z. B. eine Öffnung 210A in einer ebenen Form bereitgestellt sein, die einen Hauptbereich 211, in dem die Zwischensubstratelektroden ausgebildet sind, und einen winkelförmigen Bereich 213A, der einen Biegepunkt in einer äußeren Form enthält und bereitgestellt ist, so dass er aus dem Hauptbereich 211 vorsteht, enthält. Spezifisch kann die Öffnung 210A eine Tropfenform aufweisen, die durch das Erweitern eines Punkts eines äußeren Umfangs des kreisförmigen Hauptbereichs 211 nach außen erhalten wird, so dass der eine Punkt der Biegepunkt wird. Zu diesem Zeitpunkt entspricht der Bereich, der sich erstreckt, so dass er von dem kreisförmigen Hauptbereich 211 vorsteht, dem winkelförmigen Bereich 213A.
  • Es wird angegeben, dass der winkelförmige Bereich 213A auf einer Hauptfläche des ersten Substrats 10 auf einer Seite bereitgestellt sein kann, die zu einer Richtung R entgegengesetzt ist, in der das viskose Fluid 120, wie z. B. ein Schutzlack, bezüglich des Hauptbereichs 211 strömt. Mit anderen Worten, der winkelförmige Bereich 213A kann auf der Hauptfläche des ersten Substrats 10 auf einer stromaufwärts gelegenen Seite der Strömung des viskosen Fluids 120 bereitgestellt sein. In einem derartigen Fall kann die Öffnung 210A den winkelförmigen Bereich 213A aufweisen, der auf der Hauptfläche des ersten Substrats 10 in einer Richtung angeordnet ist, aus der das viskose Fluid 120 einströmt, wobei es der winkelförmige Bereich 213A ermöglicht, dass das viskose Fluid 120 leicht in die Öffnung 210A strömt. Deshalb kann es die Öffnung 210A ermöglichen, dass das viskose Fluid 120 leicht dorthin strömt, wobei dadurch die Bildung eines Hohlraums innerhalb der Öffnung 210A zuverlässiger verhindert wird.
  • Wie in 5B veranschaulicht ist, kann z. B. eine Öffnung 210B in einer ebenen Form bereitgestellt sein, die einen Hauptbereich 211, in dem die Zwischensubstratelektroden ausgebildet sind, und einen winkelförmigen Bereich 213B, der einen Biegepunkt in einer äußeren Form enthält und vorgesehen ist, so dass er von dem Hauptbereich 211 vorsteht, enthält. Spezifisch kann die Öffnung 210B eine Form mit einem dreieckigen winkelförmigen Bereich 213B aufweisen, der von einem Abschnitt des äußeren Umfangs des kreisförmigen Hauptbereichs 211 vorsteht.
  • Es wird angegeben, dass der winkelförmige Bereich 213B auf einer Hauptfläche des ersten Substrats 10 auf einer Seite bereitgestellt sein kann, die im Wesentlichen zu einer Richtung R entgegengesetzt ist, in der das viskose Fluid 120, wie z. B. ein Schutzlack, bezüglich des Hauptbereichs 211 strömt. Der winkelförmige Bereich 213B kann z. B. auf der Hauptfläche des ersten Substrats 10 in Richtung auf einen winkelförmigen Bereich bereitgestellt sein, der sich von der Richtung R, in der das viskose Fluid 120, wie z. B. ein Schutzlack, strömt, zu jeder Seite um 90 Grad erstreckt. In einem derartigen Fall kann die Öffnung 210B den winkelförmigen Bereich 213B aufweisen, der auf der Hauptfläche des ersten Substrats 10 auf der Seite der Richtung, aus der das viskose Fluid 120, wie z. B. ein Schutzlack, einströmt, angeordnet ist, wobei es der winkelförmige Bereich 213B ermöglicht, dass das viskose Fluid 120 leicht in die Öffnung 210B strömt. Deshalb kann es die Öffnung 210B ermöglichen, dass das viskose Fluid 120 leicht dorthin strömt, wodurch die Bildung eines Hohlraums innerhalb der Öffnung 210B zuverlässiger verhindert wird.
  • In einem Fall jedoch, in dem die Richtung R, in der das viskose Fluid 120, wie z. B. ein Schutzlack, strömt, nicht fest ist, kann der winkelförmige Bereich 213B so bereitgestellt sein, dass er einer Seite zugewandt ist, die der Seite, wo der Pixelbereich 11 bereitgestellt ist, (d. h., einer Außenseite des ersten Substrats 10) gegenüberliegt. Weil das viskose Fluid 120 von der Außenseite des ersten Substrats 10 strömt, kann das viskose Fluid 120 leicht in die Öffnung 210B strömen, ohne von der Richtung abzuhängen, aus der das viskose Fluid 120 einströmt, indem verursacht wird, dass der winkelförmige Bereich 213B der Außenseite des ersten Substrats 10 zugewandt ist.
  • Wie in 5C veranschaulicht ist, kann z. B. eine Öffnung 210C in einer ebenen Form bereitgestellt sein, die einen Hauptbereich 211, in dem die Zwischensubstratelektroden ausgebildet sind, und einen winkelförmigen Bereich 213C, der einen Biegepunkt in einer äußeren Form enthält und bereitgestellt ist, so dass er von dem Hauptbereich 211 vorsteht, enthält. Spezifisch kann die Öffnung 210C eine Form mit einem linearen winkelförmigen Bereich 213C aufweisen, der von einem Abschnitt des äußeren Umfangs des kreisförmigen Hauptbereichs 211 vorsteht, wobei der lineare winkelförmige Bereich 213C von einer Mitte abzweigt.
  • Der winkelförmige Bereich 213C ist in einer linearen oder ebenen Schlitzform bereitgestellt, die schmaler als der Hauptbereich 211 ist. Weil ein derartiger winkelförmiger Bereich 213C eine größere wirksame Oberfläche als der Hauptbereich 211 aufweist, ist eine Oberflächenspannung, die von der Schichtstruktur 100 auf das viskose Fluid 120 wirkt, groß. Im Ergebnis tritt das Kapillarphänomen in dem winkelförmigen Bereich 213C auf, wobei eine Kraft, die das viskose Fluid 120 in die Öffnung 210C saugt, in einer größeren Weise wirkt. Dadurch kann der winkelförmige Bereich 213C es dem viskosen Fluid 120 ermöglichen, leichter in die Öffnung 210C im Hauptbereich 211 zu strömen, wodurch die Bildung eines Hohlraums innerhalb der Öffnung 210C unterdrückt wird.
  • Es wird angegeben, dass ähnlich zu 5B der winkelförmige Bereich 213C auf einer Hauptfläche des ersten Substrats 10 auf einer Seite bereitgestellt sein kann, die im Wesentlichen zu einer Richtung R entgegengesetzt ist, in der das viskose Fluid 120, wie z. B. ein Schutzlack, bezüglich des Hauptbereichs 211 strömt. Selbst in einem derartigen Fall kann die Öffnung 210C es ermöglichen, dass das viskose Fluid 120 leicht dorthin strömt, wodurch die Bildung eines Hohlraums innerhalb der Öffnung 210C zuverlässiger verhindert wird.
  • Wie in 5D veranschaulicht ist, kann z. B. eine Öffnung 210D in einer ebenen Form bereitgestellt sein, die den Hauptbereich 211, in dem die Zwischensubstratelektroden ausgebildet sind, und einen winkelförmigen Bereich 213D, der die Hauptbereiche 211 verbindet, enthält. Spezifisch kann die Öffnung 210D eine Form aufweisen, die einen linearen winkelförmigen Bereich 213D enthält, der von einem Abschnitt des äußeren Umfangs des kreisförmigen Hauptbereichs 211 vorsteht und mit dem Hauptbereich 211 einer benachbarten Öffnung 210D verbunden ist. Es wird angegeben, dass, um die Hauptbereiche 211 der Öffnungen 210D zu verbinden, der winkelförmige Bereich 213D einen Biegepunkt in der äußeren Form aufweist, um die Hauptbereiche 211 der Öffnungen 210D zu verbinden, die in zueinander orthogonalen Richtungen in dem Umfangsbereich 13 nah bei einem Scheitelpunkt des Pixelbereich 11s angeordnet sind.
  • Der winkelförmige Bereich 213D ist ähnlich zu dem in 5C veranschaulichten winkelförmigen Bereich 213C in einer linearen oder ebenen Schlitzform bereitgestellt, die schmaler als der Hauptbereich 211 ist. Weil ein derartiger winkelförmiger Bereich 213D eine große Oberflächenspannung aufweist, die ähnlich zu dem in 5C veranschaulichten winkelförmigen Bereich 213C von der Schichtstruktur 100 auf das viskose Fluid 120 wirkt. Deshalb kann es der winkelförmige Bereich 213D ermöglichen, dass das viskose Fluid 120 aufgrund des Auftretens des Kapillarphänomens leichter in die Öffnung 210D im Hauptbereich 211 strömt, wodurch die Bildung eines Hohlraums innerhalb der Öffnung 210D weiter unterdrückt wird.
  • Weiterhin kann in einem Fall, in dem das viskose Fluid 120 in eine Öffnung 210D strömt, der winkelförmige Bereich 213D das viskose Fluid 120 von der Öffnung 210D zur benachbarten Öffnung 210D führen, weil der winkelförmige Bereich 213D die Öffnungen 210D verbindet. In einem derartigen Fall, wenn das viskose Fluid 120 in irdendeine der mehreren Öffnungen 210D strömt, strömt das viskose Fluid 120 in alle Öffnungen 210D. Deshalb kann gemäß den Öffnungen 210D, die derartige ebene Formen aufweisen, eine Situation, in der das viskose Fluid 120 nicht innerhalb der Öffnung 210D strömt, in einem Abschnitt der mehreren Öffnungen 210D verhindert werden.
  • Es wird angegeben, dass die Öffnungen 210D schließlich ebene Formen aufweisen müssen, die voneinander elektrisch isoliert sind und voneinander unabhängig sind, weil die Zwischensubstratelektroden schließlich in den Öffnungen 210D bereitgestellt sind. Deshalb kann der winkelförmige Bereich 213D, der die Öffnungen 210D verbindet, z. B. durch das Einbetten eines Isoliermaterials oder durch das Rückätzen in einer ganzen Fläche in einem nachfolgenden Schritt eliminiert werden.
  • Als Nächstes werden die Querschnittsformen der Öffnungen zum Bilden der Zwischensubstratelektroden bezüglich der 6A und 6B beschrieben. Die 6A und 6B sind Querschnittsansichten, die Beispiele der Formen der Öffnungen veranschaulichen, die in der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform bereitgestellt sind.
  • Die in 6A veranschaulichte Querschnittsform einer Öffnung 210 kann z. B. der in 5A veranschaulichten Querschnittsform der Öffnung 210A entsprechen. Spezifisch ist die in 6A veranschaulichte Öffnung 210 in einer Hauptfläche der Schichtstruktur 100 in einer ebenen Form bereitgestellt, die den Hauptbereich 211, in dem die Zwischensubstratelektrode ausgebildet ist, und einen winkelförmigen Bereich 213, der sich erstreckt, so dass er von dem kreisförmigen Hauptbereich 211 vorsteht, enthält.
  • Zu diesem Zeitpunkt kann die Öffnung 210 des winkelförmigen Bereichs 213 bereitgestellt sein, so dass sie eine flache Bildungstiefe bezüglich der Öffnung 210 des Hauptbereichs 211 aufweist. Spezifisch kann die Öffnung 210 des winkelförmigen Bereichs 213 in einer Kegelform bereitgestellt sein, in der die Bildungstiefe in einer Richtung vom Biegepunkt der äußeren Form in Richtung auf die Mitte des Hauptbereichs 211 allmählich größer wird. In dem Fall, in dem die Öffnung 210 des winkelförmigen Bereichs 213 in einer derartigen Kegelform bereitgestellt ist, wird die Oberfläche des winkelförmigen Bereichs 213 groß, wobei folglich der wirksame Kontaktwinkel im winkelförmigen Bereich 213 verringert wird, so dass die Kraft des Einsaugens des viskosen Fluids 120 in das Innere des winkelförmigen Bereichs 213 vergrößert werden kann. Deshalb kann die Öffnung 210, die eine derartige Querschnittsform aufweist, es ermöglichen, dass das viskose Fluid 120 leichter dorthin strömt, wodurch die Bildung eines Hohlraums innerhalb der Öffnung 210 weiter unterdrückt wird.
  • Es wird angegeben, dass die Öffnung 210 mit der in 6A veranschaulichten Querschnittsform durch Trockenätzen der Schichtstruktur 100 gebildet werden kann. Beim Trockenätzen dringt ein Ätzgas weniger leicht in einen Bereich ein, in dem eine zu ätzende Musterform schmal oder klein ist, wobei folglich ein derartiger Bereich weniger leicht als ein Bereich geätzt wird, in dem die zu ätzende Musterform breit ist. Deshalb kann durch das Bilden der Öffnung 210 durch das Trockenätzen die Querschnittsform des winkelförmigen Bereichs 213, der eine schmalere ebene Form als der Hauptbereich 211 aufweist, in die Kegelform geformt werden, wie in 6A veranschaulicht ist.
  • Die in 6B veranschaulichte Querschnittsform der Öffnung 210 kann z. B. der in 5D veranschaulichten Querschnittsform der Öffnung 210D entsprechen. Spezifisch kann die in 6B veranschaulichte Öffnung 210 in der Hauptfläche der Schichtstruktur 100 bereitgestellt sein, die eine ebene Form aufweist, die den Hauptbereich 211, in dem die Zwischensubstratelektroden ausgebildet sind, und den winkelförmigen Bereich 213, der die Hauptbereiche 211 verbindet, enthält.
  • Zu diesem Zeitpunkt kann die Öffnung 210 im winkelförmigen Bereich 213 bereitgestellt sein, so dass sie eine flachere Bildungstiefe als die Öffnung 210 im Hauptbereich 211 aufweist. In dem Fall, in dem die Öffnung 210 im winkelförmigen Bereich 213 mit einer derartigen flachen Bildungstiefe bereitgestellt ist, können die Öffnungen 210 leicht in den ebenen Formen gebildet werden, die voneinander elektrisch isoliert sind und voneinander unabhängig sind, indem der winkelförmige Bereich 213 in einem nachfolgenden Schritt eliminiert wird. Spezifisch kann in dem nachfolgenden Schritt der winkelförmige Bereich 213, der die Öffnungen 210 verbindet, leicht poliert und z. B. durch Rückätzen in der gesamten Oberfläche eliminiert werden.
  • Es wird angegeben, dass die Öffnung 210 mit der in 6B veranschaulichten Querschnittsform ähnlich zur Öffnung 210 mit der in 6A dargestellten Querschnittsform durch Trockenätzen gebildet werden kann. Beim Trockenätzen wird ein Bereich mit einer schmalen Musterform aufgrund der Mikrobelastungswirkung weniger leicht als ein Bereich mit einer breiten Musterform geätzt, so dass die Ätztiefe flach wird. Deshalb kann durch das Bilden der Öffnung 210 durch das Trockenätzen die Querschnittsform des winkelförmigen Bereichs 213 mit einer schmaleren ebenen Form als der Hauptbereich 211 in die Form mit der flachen Bildungstiefe geformt werden, wie in 6B veranschaulicht ist.
  • <Dritte Ausführungsform>
  • Als Nächstes wird eine Konfiguration einer Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bezüglich 7 und 8A und 8B beschrieben.
  • Die Halbleitervorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform ist ähnlich zur zweiten Ausführungsform eine gestapelte Festkörper-Bildgebungsvorrichtung, die in den 3 und 4 veranschaulicht ist. In der Halbleitervorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform kann eine Öffnung, auf die die Technik gemäß der vorliegenden Offenbarung angewendet wird, innerhalb eines in 4 veranschaulichten Pixelbereichs 11 bereitgestellt sein. Spezifisch sind im Pixelbereich 11 mehrere Zwischenschichtelektroden zum Übertragen einer in jedem Pixel photoelektrisch umgesetzten Signalladung zu einer Signalverarbeitungsschaltung in vorgegebenen Intervallen für jedes Pixel oder für jede Mehrzahl von Pixel bereitgestellt. Die Technik gemäß der vorliegenden Offenbarung kann auf jede der Öffnungen zum Bilden derartiger Zwischenschichtelektroden angewendet werden.
  • Hier werden die ebenen Formen der Öffnungen zum Bilden der Zwischenschichtelektroden bezüglich 7 beschrieben. 7 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel einer Form der in der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform bereitgestellten Öffnung veranschaulicht. Es wird angegeben, dass 7 eine schematische Ansicht ist, die einen vergrößerten Abschnitt des Pixelbereichs 11 in 4 veranschaulicht, und dass ein Pfeil R eine Richtung angibt, in der ein viskoses Fluid 120 strömt.
  • Wie in 7 veranschaulicht ist, kann z. B. eine Öffnung 310 in einer ebenen Form bereitgestellt sein, die einen Hauptbereich 311, in dem die Zwischenschichtelektroden ausgebildet sind, und einen winkelförmigen Bereich 313, der von dem Hauptbereich 311 vorsteht und die Hauptbereiche 311 verbindet, enthält.
  • Spezifisch kann die Öffnung 310 eine Form aufweisen, die einen winkelförmigen Bereich 313 enthält, der eine lineare Form, die von einem Abschnitt eines äußeren Umfangs des kreisförmigen Hauptbereichs 311 vorsteht, und eine lineare Form, die von einem Abschnitt des äußeren Umfangs des kreisförmigen Hauptbereichs 311 vorsteht und mit dem Hauptbereich 311 einer benachbarten Öffnung 310 verbunden ist, enthält. Es wird angegeben, dass die winkelförmigen Bereiche 313 z. B. in der Art eines quadratischen Gitters angeordnet sein können, um die Hauptbereiche 311 der Öffnungen 310, die in der Art eines quadratischen Gitters angeordnet sind, zu verbinden. Weiterhin kann in den Öffnungen 310, die am äußersten Umfang der Art eines tetragonalen Gitters angeordnet sind, der winkelförmige Bereich 313 bereitgestellt sein, so dass er von einem Abschnitt des äußeren Umfangs des Hauptbereichs 311 vorsteht.
  • Der winkelförmige Bereich 313 ist in einer linearen oder ebenen Schlitzform bereitgestellt, die schmaler als der Hauptbereich 311 ist. Weil ein derartiger winkelförmiger Bereich 313 eine größere wirksame Oberfläche als der Hauptbereich 311 aufweist, ist eine Oberflächenspannung, die von einer Schichtstruktur 100 auf das viskose Fluid 120 wirkt, groß. Im Ergebnis tritt das Kapillarphänomen in dem winkelförmigen Bereich 313 auf, wobei eine Kraft, die das viskose Fluid 120 in die Öffnung 310 saugt, in einer größeren Weise wirkt. Dadurch kann es der winkelförmige Bereich 313 ermöglichen, dass das viskose Fluid 120 leichter in die Öffnung 310 im Hauptbereich 311 strömt, wobei dadurch die Bildung eines Hohlraums innerhalb der Öffnung 310 unterdrückt wird.
  • Weiterhin kann in einem Fall, in dem das viskose Fluid 120 in eine Öffnung 310 strömt, das viskose Fluid 120 unter Verwendung des winkelförmigen Bereichs 313 von der Öffnung 310 zur benachbarten Öffnung 310 geführt werden, weil der winkelförmige Bereich 313 die Öffnungen 310 verbindet. In einem derartigen Fall kann das viskose Fluid 120, das in den winkelförmigen Bereich 313 geströmt ist, in das Innere der Öffnungen 310 aller durch den winkelförmigen Bereich 313 verbundenen Hauptbereiche 311 geführt werden. Deshalb kann gemäß den Öffnungen 310, die derartige ebenen Formen aufweisen, eine Situation, in der das viskose Fluid 120 nicht innerhalb der Öffnung 310 strömt, in einem Teil der mehreren Öffnungen 310 verhindert werden.
  • Als Nächstes wird jede Querschnittsform der Öffnungen zum Bilden der Zwischenschichtelektroden bezüglich der 8A und 8B beschrieben. Die 8A und 8B sind Querschnittsansichten, die ein Beispiel einer Form einer Öffnung veranschaulichen, die in der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform bereitgestellt ist. In den 8A und 8B ist auf der linken Seite in den 8A und 8B ein Zustand einer Querschnittsansicht der Öffnung vor dem Auftragen eines viskosen Fluids veranschaulicht und ist auf der rechten Seite in den 8A und 8B ein Endzustand der Querschnittsansicht der Öffnung veranschaulicht.
  • Die in den 8A und 8B veranschaulichte Öffnung 310 kann in einer ebenen Form bereitgestellt sein, die den Hauptbereich 311, in dem Zwischenschichtelektroden ausgebildet sind, und den winkelförmigen Bereich 313, der von einem Abschnitt des äußeren Umfangs des kreisförmigen Hauptbereichs 311 vorsteht, in einer Hauptfläche der Schichtstruktur 100 enthält. Der winkelförmige Bereich 313 ist in einer linearen Form bereitgestellt, die mit dem Hauptbereich 311 der benachbarten Öffnung 310 verbunden ist, wobei die Öffnung 310 im winkelförmigen Bereich 313 so bereitgestellt sein kann, dass sie eine flachere Bildungstiefe als die Öffnung 310 im Hauptbereich 311 aufweist.
  • Zu diesem Zeitpunkt kann, wie in 8A veranschaulicht ist, eine vorgegebene Schicht 301, die mit der Öffnung 310 des winkelförmigen Bereichs 313 bereitgestellt ist, in einem anschließenden Schritt eliminiert werden. Dadurch können die Öffnungen 310 ebene Formen aufweisen, die voneinander elektrisch isoliert sind und voneinander unabhängig sind, wodurch die in den Öffnungen 310 ausgebildeten Zwischenschichtelektroden elektrisch voneinander isoliert sein können. Die mit der Öffnung 310 des winkelförmigen Bereichs 313 bereitgestellte vorgegebene Schicht 301 kann z. B. durch Rückätzen in der gesamten Oberfläche oder durch chemischmechanisches Polieren (CMP) eliminiert werden.
  • Weiterhin kann, wie in 8B veranschaulicht ist, in einem anschließenden Schritt ein Isoliermaterial 303 in die Öffnung 310 des winkelförmigen Bereichs 313 eingebettet werden. Dadurch können die in den jeweiligen Öffnungen 310 ausgebildeten Zwischenschichtelektroden elektrisch voneinander isoliert werden. Es wird angegeben, dass natürlich das Isoliermaterial 303 in einen Abschnitt der Öffnung 310 des Hauptbereichs 311 eingebettet werden kann. Das Einbetten des Isoliermaterials in die Öffnung 310 des winkelförmigen Bereichs 313 kann z. B. durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) auf einen selektiven Bereich unter Verwendung einer Maske ausgeführt werden.
  • Es wird angegeben, dass die Öffnung 310 mit der in den 8A und 8B veranschaulichten Querschnittsform durch Trockenätzen der Schichtstruktur 100 gebildet werden kann. Beim Trockenätzen wird ein Bereich mit einer schmalen Musterform aufgrund der Mikrobelastungswirkung weniger leicht als ein Bereich mit einer breiten Musterform geätzt, so dass eine Ätztiefe flach wird. Deshalb kann durch das Bilden der Öffnung 310 durch das Trockenätzen die Querschnittsform des winkelförmigen Bereichs 313 mit einer schmaleren ebenen Form als der Hauptbereich 311 in die Form mit der flachen Bildungstiefe geformt werden, wie in den 8A und 8B veranschaulicht ist.
  • <Vierte Ausführungsform>
  • Als Nächstes wird eine Konfiguration einer Halbleitervorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bezüglich der 9A und 9D beschrieben.
  • Die Halbleitervorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform ist ähnlich zur zweiten und dritten Ausführungsform eine gestapelte Festkörper-Bildgebungsvorrichtung, die in den 3 und 4 veranschaulicht ist. In der Halbleitervorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform kann eine Öffnung, auf die die Technik gemäß der vorliegenden Offenbarung angewendet wird, innerhalb eines in 4 veranschaulichten Pixelbereichs 11 bereitgestellt sein. Spezifisch ist in dem Pixelbereich 11 eine Pixeltrennschicht, die einen Bereich eines Halbleitersubstrats für jedes Pixel trennt, in einer Art eines quadratischen Gitters bereitgestellt. Die Technik gemäß der vorliegenden Offenbarung kann auf jede der Öffnungen zum Bilden einer derartigen Pixeltrennschicht angewendet werden.
  • Hier werden die ebenen Formen der Öffnungen zum Bilden einer Pixeltrennschicht bezüglich der 9A bis 9D beschrieben. Die 9A bis 9D sind Draufsichten, die ein Beispiel einer Form einer Öffnung veranschaulichen, die in der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform bereitgestellt ist. Es wird angegeben, dass die 9A bis 9D schematische Ansichten sind, die einen vergrößerten Abschnitt des Pixelbereichs 11 in 4 veranschaulichen, und dass ein Pfeil R eine Richtung angibt, in der ein viskoses Fluid 120 strömt.
  • Wie in 9A veranschaulicht ist, kann z. B. eine Öffnung 410A in einer ebenen Form bereitgestellt sein, die einen Hauptbereich 411, in dem die Pixeltrennschicht ausgebildet ist, und einen winkelförmigen Bereich 413A, der bereitgestellt ist, so dass er von einem äußersten Umfang des Hauptbereichs 411 nach außen vorsteht, enthält. Spezifisch kann die Öffnung 410A eine Form aufweisen, in der der lineare winkelförmige Bereich 413A in den gleichen Intervallen wie der Hauptbereich 411 von dem äußersten Umfang des in der Art eines quadratischen Gitters angeordneten Hauptbereichs 411 vorsteht.
  • Der winkelförmige Bereich 413A ist in einer schmalen linearen oder Schlitzform ähnlich zum Hauptbereich 411 bereitgestellt. Ein derartiger linearer winkelförmiger Bereich 413A weist eine große Oberflächenspannung auf, die von einer Schichtstruktur 100 auf ein viskoses Fluid 120 wirkt. Deshalb wirkt eine Kraft, die das viskose Fluid 120 in die Öffnung 410A saugt, aufgrund des Auftretens des Kapillarphänomens in einer großen Weise. Deshalb kann es der winkelförmige Bereich 413A ermöglichen, dass das viskose Fluid 120 leichter in die Öffnung 410A strömt, wobei dadurch die Bildung eines Hohlraums innerhalb der Öffnung 410A unterdrückt wird.
  • Weiterhin ist der winkelförmige Bereich 413A so bereitgestellt, dass er einer Seite, die einer Seite, wo der Pixelbereich 11 bereitgestellt ist, gegenüberliegt, (d. h., einer Außenseite eines ersten Substrats 10) zugewandt ist. Gemäß dieser Konfiguration kann der winkelförmige Bereich 413A in einer Richtung angeordnet sein, aus der das viskose Fluid 120 einströmt, wobei es der winkelförmige Bereich 413A bezüglich des viskosen Fluids 120, das von der Außenseite des ersten Substrats 10 (z. B. aus einer Richtung R) strömt, ermöglicht, dass das viskose Fluid 120 leicht in die Öffnung 410A strömt. Deshalb ermöglicht es der winkelförmige Bereich 413A, dass das viskose Fluid 120 leicht in die Öffnung 210B strömt.
  • Wie in 9B veranschaulicht ist, kann z. B. eine Öffnung 410B in einer ebenen Form bereitgestellt sein, die den Hauptbereich 411, in dem die Pixeltrennschicht ausgebildet ist, und einen winkelförmigen Bereich 413B, der bereitgestellt ist, so dass er von dem äußersten Umfang des Hauptbereichs 411 nach außen vorsteht, enthält. Spezifisch kann die Öffnung 410B eine Form aufweisen, in der der lineare winkelförmige Bereich 413B in schmaleren Intervallen als der Hauptbereich 411 von dem äußersten Umfang des in der Art eines quadratischen Gitters angeordneten Hauptbereichs 411 vorsteht.
  • Der winkelförmige Bereich 413B ist in einer schmalen linearen oder Schlitzform ähnlich zum Hauptbereich 411 bereitgestellt. Dadurch kann es der winkelförmige Bereich 413B ähnlich zum in 9A veranschaulichten winkelförmigen Bereich 413A ermöglichen, dass das viskose Fluid 120 leichter in die Öffnung 410B strömt, wobei dadurch die Bildung eines Hohlraums innerhalb der Öffnung 410B unterdrückt wird. Es wird angegeben, dass es der winkelförmige Bereich 413B ermöglicht, dass das viskose Fluid 120 leichter in die Öffnung 410B strömt, weil der winkelförmige Bereich 413B in schmaleren Intervallen als der in 9A veranschaulichte winkelförmige Bereich 413A bereitgestellt ist, wobei dadurch das Auftreten eines Hohlraums innerhalb der Öffnung 410B unterdrückt wird.
  • Wie in 9C veranschaulicht ist, kann z. B. eine Öffnung 410C in einer ebenen Form bereitgestellt sein, die den Hauptbereich 411, in dem die Pixeltrennschicht ausgebildet ist, und einen winkelförmigen Bereich 413C, der bereitgestellt ist, so dass er vom äußersten Umfang des Hauptbereichs 411 nach außen vorsteht, enthält. Spezifisch kann die Öffnung 410C eine Form aufweisen, in der der lineare winkelförmige Bereich 413C in den gleichen Intervallen wie der Hauptbereich 411 und in Richtung auf die Richtung R, in der das viskose Fluid 120 strömt, vom äußersten Umfang des in der Art eines quadratischen Gitters angeordneten Hauptbereichs 411 vorsteht.
  • Der winkelförmige Bereich 413C ist in einer schmalen linearen oder Schlitzform ähnlich zum Hauptbereich 411 bereitgestellt. Dadurch kann es der winkelförmige Bereich 413C ähnlich zum in 9A veranschaulichten winkelförmigen Bereich 413A ermöglichen, dass das viskose Fluid 120 leichter in die Öffnung 410C strömt, wobei dadurch die Bildung eines Hohlraums innerhalb der Öffnung 410C unterdrückt wird. Weiterhin kann die Öffnung 410C den winkelförmigen Bereich 413C aufweisen, der auf der Hauptfläche des ersten Substrats 10 in der Richtung angeordnet ist, aus der das viskose Fluid 120 einströmt, wobei es der winkelförmige Bereich 413C ermöglicht, dass das viskose Fluid 120 leicht in die Öffnung 410C strömt. Deshalb kann es die Öffnung 410C ermöglichen, dass das viskose Fluid 120 leicht dorthin strömt, wobei dadurch die Bildung eines Hohlraums innerhalb der Öffnung 410C zuverlässiger verhindert wird.
  • Wie in 9D veranschaulicht ist, kann z. B. eine Öffnung 410D in einer ebenen Form bereitgestellt sein, die den Hauptbereich 411, in dem die Pixeltrennschicht ausgebildet ist, und einen winkelförmigen Bereich 413D, der bereitgestellt ist, so dass er vom äußersten Umfang des Hauptbereichs 411 nach außen vorsteht, enthält. Spezifisch kann die Öffnung 410D eine Form aufweisen, in der der lineare winkelförmige Bereich 413D mit einem modifizierten Ende in den gleichen Intervallen wie der Hauptbereich 411 vom äußersten Umfang des in der Art eines quadratischen Gitters angeordneten Hauptbereichs 411 vorsteht.
  • Der winkelförmige Bereich 413D ist in einer schmalen linearen oder Schlitzform ähnlich zum Hauptbereich 411 bereitgestellt und ist in einer ebenen Form mit einem kreuzförmigen schmalen Vorsprung am linearen Ende bereitgestellt. Gemäß der ebenen Form weist der winkelförmige Bereich 413D eine größere wirksame Oberfläche in dem kreuzförmigen Vorsprung am Ende auf, wobei er eine größere Oberflächenspannung aufweisen kann, die von der Schichtstruktur 100 auf das viskose Fluid 120 wirkt. Im Ergebnis kann der winkelförmige Bereich 413D aufgrund des Kapillarphänomens das viskose Fluid 120 stark in die Öffnung 410 saugen. Dadurch kann es der winkelförmige Bereich 413D ermöglichen, dass das viskose Fluid 120 leichter in die Öffnung 410 im Hauptbereich 411 strömt, wobei dadurch die Bildung eines Hohlraums innerhalb der Öffnung 410 weiter unterdrückt wird.
  • Obwohl die vorteilhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bezüglich der beigefügten Zeichnungen ausführlich beschrieben worden ist, ist der technische Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung nicht auf derartige Beispiele eingeschränkt. Es ist offensichtlich, dass die Durchschnittsfachleute auf dem technischen Gebiet der vorliegenden Offenbarung verschiedene Änderungen und Modifizierungen innerhalb des Schutzumfangs der in den Ansprüchen beschriebenen technischen Idee entwerfen können, wobei natürlich erkannt wird, dass diese Änderungen und Modifizierungen zum technischen Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung gehören.
  • Die ebene Form der in der Schichtstruktur der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform bereitgestellten Öffnung ist nicht auf die oben beschriebenen spezifischen Formen eingeschränkt. Die ebene Form der in der Schichtstruktur der Halbleitervorrichtung bereitgestellten Öffnung kann innerhalb des Schutzumfangs der in den Ansprüchen beschriebenen technischen Idee geeignet ersetzt oder geändert werden.
  • Weiterhin sind die in der vorliegenden Beschreibung beschriebenen Wirkungen lediglich veranschaulichend oder beispielhaft und sind nicht einschränkend. Das heißt, die Technik gemäß der vorliegenden Offenbarung kann zusammen mit oder anstelle der oben beschriebenen Wirkungen andere Wirkungen aufweisen, die für die Fachleute auf dem Gebiet aus der Beschreibung der vorliegenden Beschreibung offensichtlich sind.
  • Es wird angegeben, dass die folgenden Konfigurationen außerdem zum technischen Umfang der vorliegenden Offenbarung gehören.
    • (1) Eine Halbleitervorrichtung, die Folgendes enthält:
      • wenigstens eine oder mehrere Öffnungen in einer Hauptfläche einer gestapelten Schichtstruktur, wobei
      • eine ebene Form der Öffnung in der Hauptfläche einen winkelförmigen Bereich enthält, der von dem anderen Bereich der ebenen Form vorsteht und einen Biegepunkt in einer äußeren Form enthält.
    • (2) Die Halbleitervorrichtung gemäß (1), wobei die ebene Form der Öffnung in der Hauptfläche ferner einen gekrümmten Bereich enthält, der eine Krümmung in der äußeren Form auf der anderen Seite gegenüber einer Seite enthält, wo der winkelförmige Bereich bereitgestellt ist.
    • (3) Die Halbleitervorrichtung gemäß (1) oder (2), wobei der winkelförmige Bereich eine Form aufweist, die durch das Ausschneiden eines Bereichs, der wenigstens einen oder mehrere Scheitelpunkte enthält, aus einer polygonalen Form erhalten wird.
    • (4) Die Halbleitervorrichtung gemäß (1) oder (2), wobei der winkelförmige Bereich eine lineare Form aufweist, die sich von einem Teilbereich der ebenen Form erstreckt, biegt oder verzweigt.
    • (5) Die Halbleitervorrichtung gemäß (4), wobei mehrere der Öffnungen in der Hauptfläche bereitgestellt sind und die ebenen Formen der Öffnungen in der Hauptfläche im winkelförmigen Bereich miteinander verbunden sind.
    • (6) Die Halbleitervorrichtung gemäß einem von (1) bis (5), wobei die Öffnung in dem winkelförmigen Bereich eine flachere Öffnungstiefe als die Öffnung in dem anderen Bereich der ebenen Form aufweist.
    • (7) Die Halbleitervorrichtung gemäß einem von (1) bis (6), wobei ein leitfähiges Material in ein Inneres der Öffnung eingebettet ist.
    • (8) Die Halbleitervorrichtung gemäß (7), wobei die Halbleitervorrichtung durch das Stapeln mehrerer Substrate konfiguriert wird, wobei jedes eine vorgegebene Funktion aufweist, und das leitfähige Material eine Zwischensubstratelektrode konfiguriert, die die mehreren Substrate elektrisch verbindet.
    • (9) Die Halbleitervorrichtung gemäß (8), wobei die Halbleitervorrichtung eine Festkörper-Bildgebungsvorrichtung ist, und die Zwischensubstratelektrode in einem Bereich bereitgestellt ist, der einen Umfang eines Pixelbereichs der Festkörper-Bildgebungsvorrichtung umgibt.
    • (10) Die Halbleitervorrichtung gemäß (7), wobei das leitfähige Material eine Zwischenschichtelektrode konfiguriert, die mehrere über die Schichtstruktur bereitgestellte Verdrahtungen elektrisch verbindet.
    • (11) Die Halbleitervorrichtung gemäß (10), wobei die Halbleitervorrichtung eine Festkörper-Bildgebungsvorrichtung ist, und die Zwischenschichtelektrode für jedes Pixel oder für jede Mehrzahl von Pixel in einem Pixelbereich der Festkörper-Bildgebungsvorrichtung bereitgestellt ist.
    • (12) Die Halbleitervorrichtung nach einem von (1) bis (6), wobei ein Hohlraum oder ein isolierendes Material in ein Inneres der Öffnung eingebettet ist.
    • (13) Die Halbleitervorrichtung gemäß (12), wobei die ebene Form der Öffnung in der Hauptfläche eine Gitterform ist.
    • (14) Die Halbleitervorrichtung gemäß (13), wobei die Halbleitervorrichtung eine Festkörper-Bildgebungsvorrichtung ist, und die Öffnung bereitgestellt ist, um die Pixel in einem Pixelbereich der Festkörper-Bildgebungsvorrichtung voneinander zu isolieren.
    • (15) Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren Folgendes enthält:
      • Bilden wenigstens einer oder mehrerer Öffnungen in einer Hauptfläche einer gestapelten Schichtstruktur, wobei die Öffnung eine ebene Form aufweist, die einen winkelförmigen Bereich enthält, der einen Biegepunkt in einer äußeren Form enthält, wobei der winkelförmige Bereich von dem anderen Bereich der ebenen Form vorsteht.
    • (16) Das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß (15), wobei das Verfahren ferner Folgendes enthält:
      • Füllen eines Inneren der Öffnung mit einem viskosen Fluid durch Auftragen des viskosen Fluids auf die Hauptfläche der Schichtstruktur, in der die Öffnung gebildet worden ist.
    • (17) Das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß (16), wobei das Verfahren ferner Folgendes enthält:
      • Versehen des viskosen Fluids mit einem Muster; und Ätzen der Schichtstruktur unter Verwendung des mit einem Muster versehenen viskosen Fluids als eine Maske.
    • (18) Das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß (16) oder (17), wobei der winkelförmige Bereich auf einer stromaufwärts gelegenen Seite einer Richtung gebildet wird, in der das viskose Fluid zum Zeitpunkt des Auftragens des viskosen Fluids strömt.
    • (19) Das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß (17) oder (18), wobei das Verfahren ferner Folgendes enthält:
      • Polieren der Schichtstruktur von einer Seite der Hauptfläche, bis der winkelförmige Bereich der Öffnung eliminiert ist, nach dem Ätzen der Schichtstruktur.
    • (20) Das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß (17) oder (18), wobei das Verfahren ferner Folgendes enthält:
      • Einbetten eines isolierenden Materials in den winkelförmigen Bereich der Öffnung nach dem Ätzen der Schichtstruktur.
  • Bezugszeichenliste
    • 10
    Erstes Substrat
    11
    Pixelbereich
    13
    Umfangsbereich
    20
    Zweites Substrat
    21
    Speicherbereich
    23
    Steuerbereich
    100
    Schichtstruktur
    110, 410C, 210, 210A, 210B, 210C, 210D, 310, 410, 410A, 410B, 410D
    Öffnung
    113, 413C, 213, 213A, 213B, 213C, 213D, 313, 413, 413A, 413B, 413D
    Winkelförmiger Bereich
    115
    Gebogener Bereich
    120
    Viskoses Fluid
    211,
    311, 411 Hauptbereich
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2015182969 [0005]

Claims (20)

  1. Halbleitervorrichtung, die Folgendes umfasst: wenigstens eine oder mehrere Öffnungen in einer Hauptfläche einer gestapelten Schichtstruktur, wobei eine ebene Form der Öffnung in der Hauptfläche einen winkelförmigen Bereich enthält, der von dem anderen Bereich der ebenen Form vorsteht und einen Biegepunkt in einer äußeren Form enthält.
  2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die ebene Form der Öffnung in der Hauptfläche ferner einen gekrümmten Bereich enthält, der eine Krümmung in der äußeren Form auf der anderen Seite gegenüber einer Seite enthält, wo der winkelförmige Bereich bereitgestellt ist.
  3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der winkelförmige Bereich eine Form aufweist, die durch das Ausschneiden eines Bereichs, der wenigstens einen oder mehrere Scheitelpunkte enthält, aus einer polygonalen Form erhalten wird.
  4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der winkelförmige Bereich eine lineare Form aufweist, die sich von einem Teilbereich der ebenen Form erstreckt, biegt oder verzweigt.
  5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, wobei mehrere der Öffnungen in der Hauptfläche bereitgestellt sind und die ebenen Formen der Öffnungen in der Hauptfläche im winkelförmigen Bereich miteinander verbunden sind.
  6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Öffnung in dem winkelförmigen Bereich eine flachere Öffnungstiefe als die Öffnung in dem anderen Bereich der ebenen Form aufweist.
  7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei ein leitfähiges Material in ein Inneres der Öffnung eingebettet ist.
  8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, wobei die Halbleitervorrichtung durch das Stapeln mehrerer Substrate konfiguriert wird, wobei jedes eine vorgegebene Funktion aufweist, und das leitfähige Material eine Zwischensubstratelektrode konfiguriert, die die mehreren Substrate elektrisch verbindet.
  9. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 8, wobei die Halbleitervorrichtung eine Festkörper-Bildgebungsvorrichtung ist, und die Zwischensubstratelektrode in einem Bereich bereitgestellt ist, der einen Umfang eines Pixelbereichs der Festkörper-Bildgebungsvorrichtung umgibt.
  10. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, wobei das leitfähige Material eine Zwischenschichtelektrode konfiguriert, die mehrere über die Schichtstruktur bereitgestellte Verdrahtungen elektrisch verbindet.
  11. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10, wobei die Halbleitervorrichtung eine Festkörper-Bildgebungsvorrichtung ist, und die Zwischenschichtelektrode für jedes Pixel oder für jede Mehrzahl von Pixel in einem Pixelbereich der Festkörper-Bildgebungsvorrichtung bereitgestellt ist.
  12. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei ein Hohlraum oder ein isolierendes Material in ein Inneres der Öffnung eingebettet ist.
  13. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 12, wobei die ebene Form der Öffnung in der Hauptfläche eine Gitterform ist.
  14. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 13, wobei die Halbleitervorrichtung eine Festkörper-Bildgebungsvorrichtung ist, und die Öffnung bereitgestellt ist, um die Pixel in einem Pixelbereich der Festkörper-Bildgebungsvorrichtung voneinander zu isolieren.
  15. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Bilden wenigstens einer oder mehrerer Öffnungen in einer Hauptfläche einer gestapelten Schichtstruktur, wobei die Öffnung eine ebene Form aufweist, die einen winkelförmigen Bereich enthält, der einen Biegepunkt in einer äußeren Form enthält, wobei der winkelförmige Bereich von dem anderen Bereich der ebenen Form vorsteht.
  16. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 15, wobei das Verfahren ferner Folgendes umfasst: Füllen eines Inneren der Öffnung mit einem viskosen Fluid durch Auftragen des viskosen Fluids auf die Hauptfläche der Schichtstruktur, in der die Öffnung gebildet worden ist.
  17. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 16, wobei das Verfahren ferner Folgendes umfasst: Versehen des viskosen Fluids mit einem Muster; und Ätzen der Schichtstruktur unter Verwendung des mit einem Muster versehenen viskosen Fluids als eine Maske.
  18. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 16, wobei der winkelförmige Bereich auf einer stromaufwärts gelegenen Seite einer Richtung gebildet wird, in der das viskose Fluid zum Zeitpunkt des Auftragens des viskosen Fluids strömt.
  19. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 17, wobei das Verfahren ferner Folgendes umfasst: Polieren der Schichtstruktur von einer Seite der Hauptfläche, bis der winkelförmige Bereich der Öffnung eliminiert ist, nach dem Ätzen der Schichtstruktur.
  20. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 17, wobei das Verfahren ferner Folgendes umfasst: Einbetten eines isolierenden Materials in den winkelförmigen Bereich der Öffnung nach dem Ätzen der Schichtstruktur.
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