DE112018000685T5 - Mehrsäulen-rasterelektronenmikroskopie-system - Google Patents

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Aron Welk
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John Gerling
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Abstract

Mehrsäulen-Rasterelektronenmikroskopie-(SEM)-System mit einer Säulenanordnung, wobei die Säulenanordnung eine erste Anordnung eines Substratarrays und mindestens eine zweite Anordnung eines Substratarrays umfasst. Das System umfasst ferner einen Aufbau der Quellen, wobei der Aufbau der Quelle zwei oder mehr Beleuchtungsquellen umfasst, die so konfiguriert sind, dass sie zwei oder mehr Elektronenstrahlen erzeugen. Zwei oder mehr Sätze von mehreren Positionierern sind derart konfiguriert, dass sie eine Position einer bestimmten Beleuchtungsquelle der zwei oder mehr Beleuchtungsquellen in mehrere Richtungen anpassen. Das System umfasst ferner einen Tisch, der dazu eingerichtet ist, eine Probe zu sichern, wobei die Säulenanordnung zumindest einen Teil der zwei oder mehren Elektronenstrahlen auf einen Teil der Probe richtet.

Description

  • QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
  • Die vorliegende Anmeldung beansprucht unter 35 U.S.C. § 119 (e) die Priorität der provisorischen US-Patentanmeldung mit der Seriennummer 62/454,715 , angemeldet am 03. Februar 2017 mit dem Titel: „METHOD OF COLUMN QUADRUPOLE OR OCTUPOLE ALIGNMENT, BONDING AND POST-MACHINING“ und der Benennung der Erfinder: Robert Haynes, Aron Welk, und Mehran Nasser Ghodsi; und der der provisorischen US-Patentanmeldung mit der Seriennummer 62/455,955 , angemeldet am 07. Februar 2017 mit dem Titel: „COLUMN MANUFACTURING AND ASSEMBLY“, und der Benennung der Erfinder: Aron Welk, Robert Haynes, Tomas Plettner, und John Gerling, wobei jede der Anmeldungen durch Bezugnahme hierin aufgenommen ist.
  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Anmeldung bezieht sich allgemein auf Wafer- und Fotomasken-/Retikelinspektion und -überprüfung, und insbesondere auf eine Säulenanordnung für ein Mehrsäulen-Rasterelektronenmikroskopie-System zur Verwendung bei Wafer- und Fotomasken- / Retikelinspektion und -überprüfung.
  • HINTERGRUND
  • Die Herstellung von Halbleiterbauelementen, wie z.B. Logik- und Speicherbauelemente, umfasst typischerweise die Herstellung eines Halbleiterbauelements unter Verwendung einer großen Anzahl von Halbleiterherstellungsprozessen, um verschiedene Merkmale und mehrere Ebenen der Halbleiterbauelemente auszubilden. Einige Herstellungsprozesse nutzen Photomasken/Retikel, um auf einem Halbleiterbauelement, wie z.B. einem Wafer, Merkmale zu drucken. Da die Halbleiterbauelemente in der Größe kleiner und kleiner werden, wird es entscheidend sein, verbesserte Geräte für die Inspektion und Überprüfung sowie Verfahren zu entwickeln, um die Auflösung, die Geschwindigkeit und den Durchsatz von Wafern- und Photomasken-/Retikelinspektionssystemen zu erhöhen.
  • Eine Inspektionstechnik umfasst eine auf einen Elektronenstrahl basierende Inspektion, wie z.B. die Rasterelektronenmikroskopie (SEM). In einigen Fällen wird die Rasterelektronenmikroskopie derart durchgeführt, dass ein einzelner Elektronenstrahl in eine Vielzahl von Strahlen aufgeteilt wird, wobei eine einzelne elektronenoptische Säule verwendet wird, um die zahlreichen Strahlen individuell abzustimmen und zu scannen (wie z.B. ein Mehrstrahl-SEM-System). Jedoch verringert das Aufspalten eines Strahls in eine Anzahl N von Strahlen niedrigeren Stroms die Auflösung des Mehrstrahl-SEM-Systems, da die Anzahl N der Strahlen auf globaler Ebene abgestimmt ist und einzelne Bilder nicht optimiert werden können. Zusätzlich führt das Aufspalten eines Strahls in eine Anzahl N von Strahlen zu mehr Scans und Mittelungen, um ein Bild zu erhalten, was die Geschwindigkeit und den Durchsatz des Mehrstrahl-SEM-Systems reduziert. Diese Probleme nehmen mit einer Zunahme der Größe der elektronenoptischen Säule zu.
  • In anderen Fällen wird die Rasterelektronenmikroskopie über ein SEM-System durchgeführt, das eine erhöhte Anzahl von elektronenoptischen Säulen enthält (wie z.B. ein mehrsäuliges SEM-System). Traditionell sind diese elektronenoptischen Säulen einzelne Stapel aus Metall, Keramik-Ringen und Elektromagneten. Diese einzelnen Stapel sind zu groß, um zusammen mit einem idealen Abstand angeordnet zu werden, damit die Optimierung der Wafer-, Fotomasken-/Retikelabtastgeschwindigkeit gesteigert wird. Ferner können die Säulen nicht weiter miniaturisiert werden, um die Packung einer signifikanten Anzahl von elektronenoptischen Säulen in einem nutzbaren Bereich zu ermöglichen, was zu einer Begrenzung der Anzahl der Stapel (z.B. vier Stapel) in dem mehrsäuligen SEM-System führt. Zusätzlich führt das Vorhandensein einzelner Stapel zu Problemen mit der Anpassung der elektronenoptischen Säule, dem Übersprechen zwischen den Säulen und fehlgeleiteter Aufladung.
  • Weiterhin bestehen Größenbeschränkungen, wenn einzelne Komponenten, wie z.B. mehrpolige Strahlablenker (z.B. Quadrupol- oder Oktupol-Strahlablenker), als Elemente für elektronenoptische Säulen hergestellt werden, wobei die elektronenoptischen Säulen kleiner und kleiner werden. Ein Verfahren zur Herstellung mehrpoliger Strahlablenker umfasst die Herstellung von Linsenbohrungen mit einer kritischen Toleranz und radialen Schlitzen in metallischen Kontaktlöchern, die die Säule der mehrpoligen Strahlablenker segmentieren und elektrisch isolieren. Wenn die Größe der elektronenoptischen Säulen abnimmt, werden die mehrpoligen Strahlablenker anfälliger für Herstellungsfehler, die möglicherweise das gesamte Element unbrauchbar machen können, was anschließend die Ausbeute des Herstellungsprozesses reduziert. Ein anderes Verfahren zum Herstellen mehrpoliger Strahlablenker umfasst die Vorfertigung einzelner Säulen des mehrpoligen Strahlablenkers und dann das Verbinden der einzelnen Säulen miteinander, entweder einzeln oder paarweise mittels einer Ausrichtvorrichtung. Dieses Verfahren ist in Bezug auf die Herstellungszeit begrenzt und beschränkt auf die Auswahl einzelner Herstellungsverfahren, wegen der großen Nähe der einzelnen Säulen. Zusätzlich ist das Verfahren anfällig für Fehler in der Beibehaltung der Herstellungstoleranzen, da die Toleranzen von den relativen Plazierungsfehlern der einzelnen Säulen des mehrpoligen Strahlablenkers beeinflusst werden. Ferner erfordert das Beibehalten einer gewünschten kritischen Toleranz beim Ausrichten und Verbinden der einzelnen Säulen des mehrpoligen Strahlablenkers präzise, winzige Werkzeuge. Diese Werkzeuge können eine erhebliche thermische Masse während des Verbindungsprozesses hinzufügen und der für die Werkzeuge benötigte Raum kann den Abstand der nachfolgenden elektronenoptischen Säulen begrenzen.
  • Daher wäre es vorteilhaft, ein System bereitzustellen, das die oben beschriebenen Nachteile vermeidet.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Ein Substratarray ist in Übereinstimmung mit einem oder mehreren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung offenbart. In einer Ausführungsform enthält das Substratarray ein Verbundsubstrat, das aus einer Vielzahl von Substratschichten gebildet wird. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Verbundsubstrat eine Vielzahl von Löchern. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Substratarray eine Vielzahl von elektrischen Komponenten, die innerhalb der Mehrzahl von Substratschichten eingebettet sind. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Substratarray mindestens ein Anschlusspad für Masse, das mit mindestens einer oberen Oberfläche oder einer unteren Oberfläche des Verbundsubstrats verbunden ist. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Substratarray mindestens ein Anschlusspad für Signale, das mit mindestens einer oberen Oberfläche oder der unteren Oberfläche des Verbundsubstrats gekoppelt ist. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Substratarray eine Vielzahl von elektronenoptischen Elementen der Säulenanordnung. In einer anderen Ausführungsform ist die Vielzahl der elektronenoptischen Elemente der Säulenanordnung über einer Vielzahl von Löchern in dem Verbundsubstrat positioniert. In einer anderen Ausführungsform wird jedes der Vielzahl der elektronenoptischen Elemente der Säulenanordnung mit einem bestimmten Anschlusspad für Masse und einem bestimmten Anschlusspad für ein Signal mit mindestens einer oberen Oberfläche oder einer unteren Oberfläche des Verbundsubstrats gekoppelt.
  • Ein Mehrsäulen-Rasterelektronenmikroskopie-(SEM)-System ist in Übereinstimmung mit einem oder mehreren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung offenbart. In einer Ausführungsform umfasst das System einen Aufbau einer Säule. In einer anderen Ausführungsform umfasst der Aufbau der Säule eine erste Anordnung eines Substratarrays. In einer anderen Ausführungsform umfasst der Aufbau der Säule mindestens eine zweite Anordnung eines Substratarrays. In einer anderen Ausführungsform weist mindestens eine der ersten Anordnung des Substratarrays oder die mindestens eine zweite Anordnung des Substratarrays ein Substratarray auf. In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Substratarray ein Verbundsubstrat, das aus einer Vielzahl von Substratschichten gebildet wird. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Verbundsubstrat eine Vielzahl von Löchern. In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Substratarray eine Vielzahl von elektrischen Komponenten, die innerhalb der Vielzahl der Substratschichten eingebettet sind. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Substratarray mindestens ein Anschlusspad für Masse, das mit mindestens einer oberen Oberfläche oder einer unteren Oberfläche des Verbundsubstrats gekoppelt ist. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Substratarray mindestens ein Anschlusspad für ein Signal, das mit mindestens einer oberen Oberfläche oder der unteren Oberfläche des Verbundsubstrats gekoppelt ist. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Substratarray einer Vielzahl von elektronenoptischen Elementen einer Säulenanordnung. In einer anderen Ausführungsform ist die Vielzahl von elektronenoptischen Elementen einer Säulenanordnung über die Vielzahl von Löchern in dem Verbundsubstrat positioniert. In einer weiteren Ausführungsform ist jedes der Vielzahl von elektronenoptischen Elementen der Säulenanordnung mit einem bestimmten Anschlusspad für Masse und mit einem bestimmten Anschlusspad für das Signal auf der oberen Oberfläche oder der unteren Oberfläche des Verbundsubstrats verbunden.
  • In einer weiteren Ausführungsform umfasst das System einen Aufbau einer Quelle. In einer anderen Ausführungsform enthält der Aufbau einer Quelle zwei oder mehr Elektronenstrahlquellen, die konfiguriert sind, um zwei oder mehr Elektronenstrahlen zu erzeugen. In einer anderen Ausführungsform ist jede der zwei oder mehr Elektronenstrahlquellen derart konfiguriert, um einen Elektronenstrahl zu erzeugen. In einer anderen Ausführungsform enthält der Aufbau der Quelle zwei oder mehr Sätze einer Vielzahl von Positionierern. In einer anderen Ausführungsform wird jeder Satz der Vielzahl von Positionierern konfiguriert, um eine Position einer bestimmten Beleuchtungsquelle der zwei oder mehreren Beleuchtungsquellen in eine Vielzahl von Richtungen zu justieren. In einer weiteren Ausführungsform umfasst das System einen Tisch, der konfiguriert ist, um eine Probe zu haltern. In einer anderen Ausführungsform ist der Aufbau der Säule derart konfiguriert, dass zumindest ein Teil der zwei oder mehreren Elektronenstrahlen auf einen Teil der Probe gelenkt wird.
  • Es ist ein Verfahren offenbart, das in Übereinstimmung mit einem oder mehreren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung ist. In einer Ausführungsform kann das Verfahren, ist aber nicht darauf beschränkt, das Ausbilden einer Vielzahl von Substratarrays umfassen. In einer anderen Ausführungsform kann das Ausbilden des Substratarrays aus der Vielzahl von Substratarrays, ist aber nicht darauf beschränkt, die Einbettung einer oder mehrerer Komponenten innerhalb einer Vielzahl von Substratschichten umfassen. In einer anderen Ausführungsform kann das Ausbilden des Substratarrays aus einer Vielzahl von Substratarrays, ist aber nicht darauf beschränkt, das Ausbilden eines Verbundsubstrats aus der Vielzahl von Substratschichten umfassen. In einer anderen Ausführungsform kann das Ausbilden des Substratarrays aus einer Vielzahl von Substratarrays, ist aber nicht darauf beschränkt, das Bohren einer Vielzahl von Löchern in das Verbundsubstrat umfassen. In einer weiteren Ausführungsform kann das Ausbilden des Substratarrays aus einer Vielzahl von Substratarrays, ist aber nicht darauf beschränkt, das Koppeln mindestens eines Anschlusspads für Masse mit mindestens einer oberen Oberfläche oder einer unteren Oberfläche des Verbundsubstrats umfassen. In einer anderen Ausführungsform kann das Ausbilden des Substratarrays aus einer Vielzahl von Substratarrays, ist aber nicht darauf beschränkt, das Koppeln mindestens eines Anschlusspads für ein Signal mit mindestens einer oberen Oberfläche oder einer unteren Oberfläche des Verbundsubstrats umfassen. In einer anderen Ausführungsform kann das Ausbilden des Substratarrays aus einer Vielzahl von Substratarrays, ist aber nicht darauf beschränkt, dass Bonden einer Vielzahl von elektronenoptischen Elementen einer Säulenanordnung mit einem bestimmten Anschlusspad für Masse und einem bestimmten Anschlusspad für das Signal mit mindestens einer der oberen Oberfläche oder der unteren Oberfläche des Verbundsubstrats umfassen. In einer weiteren Ausführungsform wird die Vielzahl der elektronenoptischen Elemente der Säulenanordnung über der Vielzahl von Löchern in dem Verbundsubstrats positioniert.
  • In einer anderen Ausführungsform kann das Verfahren, ist aber nicht darauf beschränkt, das Sortieren der Vielzahl der Substratarrays in eine erste Anordnung von Substratarrays und mindestens eine zweite Anordnung von Substratarrays umfassen. In einer anderen Ausführungsform kann das Verfahren, ist aber nicht darauf beschränkt, das Ausbilden einer Säulenanordnung aus der ersten Anordnung von Substratarrays und der mindestens einen zweiten Anordnung von Substratarrays umfassen.
  • Es versteht sich, dass sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung und die folgende detaillierte Beschreibung beispielhaft und nur erklärend sind und nicht notwendigerweise einschränkend bezüglich der vorliegenden Offenbarung ist. Die beigefügten Zeichnungen, die hierin aufgenommen sind, stellen einen Teil des dargestellten, charakteristischen Gegenstands der Offenbarung dar. Zusammen dienen die Beschreibungen und die Zeichnungen dazu, die Prinzipien der Offenbarung zu erklären.
  • Figurenliste
  • Die zahlreichen Vorteile der Offenbarung können von den Fachleuten auf diesem Gebiet besser unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren verstanden werden, in denen:
    • 1 eine vereinfachte schematische Ansicht eines Mehrsäulen-Rasterelektronenmikroskopie-(SEM)-Systems zeigt, das in Übereinstimmung mit einem oder mehreren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung mit einer Säulenanordnung ausgestattet ist.
    • 2A eine Querschnittansicht eines Aufbau einer Säule für ein mehrsäuliges SEM-System in Übereinstimmung mit einem oder mehreren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung ist.
    • 2B ein Substratarray für einen Aufbau einer Säule in Übereinstimmung mit einem oder mehreren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung ist.
    • 2C eine Querschnittsansicht eines Substratarrays für einen Aufbau einer Säule in Übereinstimmung mit einem oder mehreren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung ist.
    • 3A eine isometrische Ansicht eines teilweise hergestellten, mehrpoligen Strahlablenkers in Übereinstimmung mit einem oder mehreren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung ist.
    • 3B eine Bodenansicht eines teilweise hergestellten, mehrpoligen Strahlablenkers in Übereinstimmung mit einem oder mehreren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung ist.
    • 3C eine Querschnittsansicht eines teilweise hergestellten, mehrpoligen Strahlablenkers in Übereinstimmung mit einem oder mehreren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung ist.
    • 3D ein Substratarray, das mit vollständig hergestellten, mehrpoligen Strahlablenkern in Übereinstimmung mit einem oder mehreren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung ausgestattet ist.
    • 4 ein Verfahren zur Herstellung eines Aufbaus einer Säule für ein Mehrsäulen-SEM-System in Übereinstimmung mit einem oder mehreren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung ist.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Es wird nun im Detail auf den offenbarten Gegenstand Bezug genommen, der in den beigefügten Zeichnungen dargestellt ist.
  • Unter allgemeiner Bezugnahme auf die 1 - 4, wird ein Mehrsäulen-Rasterelektronenmikroskopie-(SEM)-System in Übereinstimmung mit der vorliegenden Offenbarung beschrieben.
  • Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beziehen sich auf ein Mehrsäulen-SEM-System, das den Aufbau einer Säule umfasst. Zusätzliche Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beziehen sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Aufbaus einer Säule. Zusätzliche Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beziehen sich auf Substratarrays für die Verwendung in elektronenoptischen Säulen.
  • Die mehrsäulige Rasterelektronenmikroskopie ist ausführlich unter dem Aktenzeichen des Anmelders KLA P5068 beschrieben, das den Titel: „MULTI-COLUMN SCANNING ELECTRON MICROSCOPY SYSTEM“ trägt, und Robert Haynes et al. als Erfinder benennt, das in seiner Gesamtheit hierin durch Bezugnahme aufgenommen ist.
  • 1 zeigt ein elektronenoptisches System 100 zum Durchführen einer SEM-Bildgebung einer Probe, in Übereinstimmung mit einem oder mehreren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung. In einer Ausführungsform ist das elektronenoptische System 100 ein Mehrsäulen-Rasterelektronenmikroskopie-(SEM)-System. Während sich die vorliegende Offenbarung im Wesentlichen auf eine elektronenoptische Anordnung, die mit einem mehrsäuligen SEM-System verbunden ist, konzentriert, wird hierin festgestellt, dass dies nicht den Umfang der vorliegenden Offenbarung einschränkt und lediglich zu illustrativen Zwecken zur Verfügung gestellt wird. Es wird zusätzlich hierin angemerkt, dass die Ausführungsformen, die durch die vorliegende Offenbarung beschrieben werden, auf jede Konfiguration eines elektronenoptischen Systems für die Mikroskopie und/oder die Bildgebung ausgedehnt werden können.
  • In einer Ausführungsform umfasst das System 100 einen Aufbau 101 einer Quelle. In einer anderen Ausführungsform enthält der Aufbau 101 einer Quelle eine oder mehrere Beleuchtungsstrahlquellen 102. Zum Beispiel können eine oder mehrere Beleuchtungsstrahlenquellen 102 eine oder mehrere Elektronenstrahlquellen 102 umfassen. Als weiteres Beispiel können die eine oder die mehreren Beleuchtungsstrahlquellen 102 eine beliebige, im Stand der Technik bekannte, Beleuchtungsstrahlenquelle umfassen. In einer anderen Ausführungsform können die eine oder die mehreren Elektronenstrahlquellen 102 einen oder mehrere Elektronenstrahlen 103 erzeugen und die einen oder die mehreren Elektronenstrahlen 103 zu einem Satz oder mehreren Sätzen von elektronenoptischen Elementen 104 der Quelle lenken. In einer Ausführungsform werden die eine Quelle oder die mehreren Quellen der Elektronenstrahlen 102 mit einem oder mehreren Sätzen von Positionierern 106 gekoppelt.
  • In einer weiteren Ausführungsform umfasst das System 100 einen Aufbau 110 der Säule mit einer oder mehreren elektronenoptischen Säulen 130. In einer Ausführungsform richten die einen oder mehrere Sätze von elektronenoptischen Elementen 104 der Quelle die einen oder mehreren Elektronenstrahlen 103 durch den Aufbau 110 der Säule.
  • In einer weiteren Ausführungsform umfasst das System 100 einen Tisch 140, der konfiguriert ist, um eine Probe 142 sicher zu halten. In einer anderen Ausführungsform richtet der Aufbau 110 der Säule einen oder mehrere Elektronenstrahlen 103 auf die Probe 142. In einer anderen Ausführungsform umfasst der Aufbau 110 der Säule einen oder mehrere Elektronendetektoren 150, die zum Erfassen eines oder mehrerer von der Oberfläche der Probe 142 emittierter und/oder gestreuter Elektronen 141 als Reaktion auf die Elektronenstrahlen 103 ausgebildet sind.
  • Die eine oder mehrere Elektronenstrahlquellen 102 können jede aus dem Stand der Technik bekannte Elektronenstrahlquelle umfassen, die für die Erzeugung eines oder mehrerer Elektronenstrahlen 103 geeignet ist. Zum Beispiel können die einen oder mehreren Elektronenstrahlquellen 102 mehrere Elektronenstrahlquellen 102 umfassen, die mehrere Elektronenstrahlen 103 erzeugen, wobei jede Elektronenstrahlquelle 102 einen Elektronenstrahl 103 erzeugt. Als weiteres Beispiel können die eine oder die mehreren Elektronenstrahlquellen 102 eine einzige Elektronenstrahlquelle 102 umfassen, die einen einzelnen Elektronenstrahl 103 erzeugt, wobei der einzelne Elektronenstrahl 103 in eine Vielzahl von Elektronenteilstrahlen 103 mittels eines oder mehrerer optischer Elemente (z.B. ein Apertur-Array) aufgeteilt wird.
  • In einer anderen Ausführungsform können die Elektronenstrahlquellen 102 einen oder mehrere Elektronenemitter umfassen. Zum Beispiel können die einen oder mehreren Emitter, sind aber nicht darauf beschränkt, eine oder mehrere Feldemissionskanonen (FEGs) umfassen Zum Beispiel können der eine oder die mehreren FEGs, sind aber nicht darauf beschränkt, einen oder mehrere Emitter vom Schottky-Typ umfassen. Es sei angemerkt, dass der Durchmesser des Emitters vom Schottky-Typ derart ausgewählt werden kann, dass er innerhalb der Teilung des Abstandes der elektronenoptischen Säulen 130 passt, wobei ein ausreichend großer Freiraum für die Ausrichtung der elektronenoptischen Säulen 130 bereitgestellt wird. Zusätzlich können der eine oder die mehreren FEGs, ohne aber darauf beschränkt zu sein, ein oder mehrere Kohlenstoff-Nanoröhrchen (CNT)-Emitter, einen oder mehrere nanostrukturierte Kohlenstofffilm-Emitter und/oder einen oder mehrere Muller-Typ-Emitter umfassen. Als weiteres Beispiel können der eine oder die mehreren Emitter, sind aber nicht darauf beschränkt, einen oder mehrere Fotokatoden-Emitter umfassen. Als weiteres Beispiel können der eine oder die mehreren Emitter, sind aber nicht darauf beschränkt, ein oder mehrere Silizium-Emitter umfassen.
  • In einer Ausführungsform kann der Aufbau 101 der Quelle einen oder mehrere Sätze von Positionierern 106 umfassen, um die Elektronenstrahlquellen 102 zu betätigen. Zum Beispiel kann der Aufbau 101 der Quelle mehrere Sätze von Positionierern 106 umfassen, wobei jeder Satz von Positionierern 106 konfiguriert ist, um eine Elektronenstrahlquelle 102 zu betätigen. Als ein anderes Beispiel kann der Aufbau 101 der Quelle einen einzelnen Satz von Positionierern 106 umfassen, der konfiguriert ist, um mehrere Elektronenstrahlquellen 102 (z.B. konfiguriert zur Betätigung der mehrfachen Elektronenstrahlquellen 102 auf globaler Ebene) zu betätigen. In einer weiteren Ausführungsform sind der eine oder die mehreren Sätze von Positionierern 106 elektrisch mit der einen oder den mehreren Elektronenstrahlquellen 102 gekoppelt. In einer anderen Ausführungsform sind der eine oder die mehreren Sätze von Positionierern 106 mit der einen oder den mehreren Elektronenstrahlquellen 102 mechanisch gekoppelt.
  • In einer anderen Ausführungsform umfasst jeder Satz von Positionierern 106 einen oder mehrere Positionierer 106, die konfiguriert sind, um eine Elektronenstrahlquelle 102 entlang einer oder mehrerer linearer Richtungen (z.B. x-Richtung, y-Richtung und/oder z-Richtung) zu verschieben. Zum Beispiel können drei Positionierer 106 konfiguriert werden, um eine Elektronenstrahlquelle 102 zu verschieben. Beispielsweise können drei Positionierer, sind aber nicht darauf beschränkt, einen ersten Positionierer 106, der konfiguriert ist, die Elektronenstrahlquelle 102 in einer x-Richtung einzustellen, einen zweiten Positionierer 106, der konfiguriert ist, die Elektronenstrahlquelle 102 in einer y-Richtung einzustellen, und einen dritten Positionierer 106, der konfiguriert ist die Elektronenstrahlquelle 102 in einer Z-Richtung einzustellen, umfassen. Es ist hierin anzumerken, dass die Stapelreihenfolge der Positionierer innerhalb eines jeden der einen oder mehreren Sätze von Positionierern rein der Veranschaulichung dient und nicht als Beschränkung der vorliegenden Beschreibung aufzufassen ist.
  • In einer Ausführungsform umfasst die Anordnung 101 der Quelle einen oder mehrere Sätze von elektronenoptischen Elementen 104 der Quelle. Zum Beispiel kann die Anordnung 101 der Quelle einen Satz von elektronenoptischen Elementen 104 der Quelle für jeden der mehreren Elektronenstrahlen 103 umfassen. In einer anderen Ausführungsform umfassen die einen oder mehreren Sätze von elektronenoptischen Elementen 104 der Quelle jedes elektronenoptische Element aus dem Stand der Technik, das zum Fokussieren und/oder zum Richten von zumindest einem Teil der Elektronenstrahlen 103 auf die Anordnung 101 der Quelle geeignet ist. Zum Beispiel können ein oder mehrere Sätze von elektronenoptischen Elementen 104 der Quelle, sind aber nicht darauf beschränkt, eine oder mehr elektronenoptische Linsen (z.B. eine oder mehrere magnetische Kondensorlinsen und/oder eine oder mehrere magnetische Fokussierlinsen) umfassen. Als weiteres Beispiel können der eine oder die mehreren Sätze von elektronenoptischen Elementen 104 der Quelle eine oder mehrere Extraktoren (oder Extraktorelektroden) umfassen. Es ist hierin anzumerken, dass die einen oder mehreren Extraktoren jede im Stand der Technik bekannte Extraktorkonfiguration für den Elektronenstrahl umfassen können. Zum Beispiel können der eine oder die mehreren Extraktoren einen oder mehrere plane Extraktoren umfassen. Darüber hinaus können der eine oder die mehreren Extraktoren ein oder mehrere nicht plane Extraktoren umfassen. Die Verwendung von planen und nicht planen Extraktoren bei Elektronenstrahlquellen wird in dem US-Patent 8,513,619 , erteilt am 20. August 2013 allgemein beschrieben, welches hierin durch Bezugnahme in seiner Gesamtheit aufgenommen ist.
  • In einer anderen Ausführungsform enthält der Aufbau 101 der Quelle keine elektronenoptischen Elemente 104 der Quelle. In dieser Ausführungsform werden der eine oder die mehreren Elektronenstrahlen 103 durch ein oder mehrere elektronenoptische Elemente 210 der Säule, die innerhalb jeder elektronenoptischen Säule 130 des Aufbaus 110 der Säule positioniert sind, fokussiert und/oder gerichtet. Zum Beispiel können die einen oder mehreren elektronenoptischen Elemente 210, sind aber nicht darauf beschränkt, den einen oder die mehreren hier zuvor im Detail beschriebenen Extraktoren umfassen. Daher sollte die obige Beschreibung nicht als Einschränkung des Umfangs der vorliegenden Offenbarung interpretiert werden, sondern ist lediglich eine Veranschaulichung.
  • Der Aufbau 101 der Quelle ist weiter ausführlich unter dem Aktenzeichen des Anmelders KLA P5068 beschrieben, welches zuvor in seiner Gesamtheit aufgenommen wurde.
  • In einer Ausführungsform umfasst das System 100 einen Aufbau 110 der Säule. In einer Ausführungsform umfasst der Aufbau 110 der Säule eine oder mehrere Anordnungen 120 des Substratarrays. In einer anderen Ausführungsform umfassen die eine oder die mehreren Anordnungen 120 der Substratarrays ein oder mehrere Substratarrays 200. In einer anderen Ausführungsform umfasst der Aufbau 110 der Säule eine elektronenoptische Säule 130 für jeden der Elektronenstrahlen 103. In einer anderen Ausführungsform werden die eine oder die mehreren elektronenoptischen Säulen 130 durch Bonden des einen oder der mehreren Sätze der elektronenoptischen Elemente 210 der Säule an das eine oder die mehreren Substratarrays 200 ausgebildet. In einer Ausführungsform richten die eine oder mehreren elektronenoptischen Säulen 130 zumindest einen Teil des einen oder der mehreren Elektronenstrahlen 103 auf die Oberfläche der Probe 142. Es ist anzumerken, dass der Aufbau 110 der Säule, der Aufbau der Substratarrays 120, die elektronenoptischen Säulen 130, die Substratarrays 200 und die elektronenoptischen Elemente 210 der Säule im Detail hierin weiter beschrieben werden.
  • In einer Ausführungsform ist der Tisch 140 konfiguriert, um die Probe 142 sicher zu haltern. In einer anderen Ausführungsform ist der Tisch 140 für die Probe ein betätigbarer Tisch. Zum Beispiel kann der Tisch 140 für die Probe, ohne darauf beschränkt zu sein, einen oder mehrere Translationstische umfassen, die für eine selektive Verschiebung der Probe 142 entlang einer oder mehrerer linearer Richtungen (z.B. x-Richtung, y-Richtung und/oder z-Richtung) geeignet sind. Als weiteres Beispiel kann der Probentisch 140, ist aber nicht darauf beschränkt, eine oder mehrere Rotationstische umfassen, die geeignet sind, die Probe 142 entlang einer Drehrichtung selektiv zu drehen. Als weiteres Beispiel kann der Tisch 140 für die Probe, ohne aber darauf beschränkt zu sein, einen Rotationstisch und einen Translationstisch umfassen, die geeignet sind, eine Probe selektiv entlang einer linearen Richtung zu verschieben und/oder die Probe 142 entlang einer Drehrichtung zu drehen.
  • Die Probe 142 schließt jede Probe eine, die zur Inspektion/Überprüfung mit der Elektronenstrahlmikroskopie geeignet ist. In einer Ausführungsform umfasst die Probe einen Wafer. Zum Beispiel kann die Probe, ohne aber darauf beschränkt zu sein, einen Halbleiterwafer umfassen. Wie in der vorliegende Offenbarung verwendet, bezieht sich der Begriff „Wafer“ auf ein Substrat, das aus einem Halbleiter und/oder einem Nicht-Halbleitermaterial gebildet ist. Zum Beispiel kann ein Halbleiter oder ein Halbleitermaterial, ohne aber darauf beschränkt zu sein, monokristallines Silizium, Galliumarsenid und Indiumphosphid umfassen.
  • In einer anderen Ausführungsform sendet und/oder streut die Probe 142 Elektronen 141 in Reaktion auf die Elektronenstrahlen 103. Zum Beispiel können die Elektronen 141 Sekundärelektronen 141 und/oder rückgestreute Elektronen 141 sein.
  • Bei einer Ausführungsform werden ein oder mehrere Elektronendetektoren 150 innerhalb der einen oder mehreren elektronenoptischen Säulen 130 positioniert, wobei jede elektronenoptische Säule 130 einen oder mehrere Elektronendetektoren 150 umfasst. Der eine oder die mehreren Elektronendetektoren 150 können jede aus dem Stand der Technik bekannte Art einer Elektronendetektoranordnung umfassen, die zum Erfassen der Elektronen 141 geeignet ist. Zum Beispiel umfassen der eine oder die mehreren Detektoren 150, ohne aber darauf beschränkt zu sein, eine oder mehrere einstückige, ringförmige Sekundärelektronendetektoren. Als weiteres Beispiel können die einen oder mehrere Detektoren 150, ohne aber darauf beschränkt zu sein, ein oder mehr mehrteilige, ringförmige Sekundärelektronendetektoren umfassen. Zum Beispiel können der eine oder die mehreren mehrteiligen, ringförmigen Sekundärdetektoren, ohne aber darauf beschränkt zu sein, für sekundär Elektronen ein oder mehrere Quad-Arrays, ein oder mehrere Oktol-Arrays oder Ähnliches umfassen.
  • Als weiteres Beispiel können die Elektronen 141 unter Verwendung von einer oder mehreren Mikrokanalplatten (MCP) gesammelt werden. Es wird hierin darauf hingewiesen, dass die Verwendung von MCP-basierten Detektoren zum Erfassen von Elektronen im Allgemeinen im US-Patent 7,335,895 , erteilt am 26. Februar 2008, beschrieben ist, wobei das US-Patent hierin durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit aufgenommen ist. Als weiteres Beispiel können die Elektronen 141 unter Verwendung von einem oder mehreren Detektoren mit PIN-Übergang oder pn-Übergang gesammelt und abgebildet werden, wie beispielsweise mittels einer Diode oder einem Diodenarray. Als ein weiteres Beispiel können die Elektronen 141 unter Verwendung von einer oder mehreren Lawinenfotodioden (APDs) gesammelt und abgebildet werden.
  • In einer weiteren Ausführungsform umfasst das System 100 eine oder mehrere Komponenten, die erforderlich sind, um eine Photomaske/Retikel anstelle der Probe 142 zu inspizieren.
  • In einer weiteren Ausführungsform umfasst das System 100 eine Vakuumanordnung, um den Aufbau 101 der Quelle vom Aufbau 110 der Säule während des Betriebs des Systems 100 und/oder der Wartung des Aufbaus 110 der Säule zu isolieren. In dieser Hinsicht wird die benötigte Menge an Zeit, um das System 100 wieder in Betrieb zu bringen, reduziert. Es ist hierin anzumerken, dass die Verwendung einer Vakuumanordnung, um ein differentielles Pumpen in einem mehrsäuligen SEM-System zu generieren, allgemein im US-Patent 8,106,358 , das am 31. Januar 2012 erteilt wurde, beschrieben wird, welches hierin durch Bezugnahme in seiner Gesamtheit aufgenommen ist.
  • In einer weiteren Ausführungsform enthält der Aufbau 101 der Quelle keramische Abstandshalter, um die eine oder mehreren Quellen 102 für Elektronenstrahlen von dem jeweiligen Satz von Positionierern 106 und den umgebenden Strukturen des Systems 100 elektrisch und thermisch zu isolieren.
  • In einer weiteren Ausführungsform umfasst das System 100 eine Steuereinheit (nicht gezeigt). In einer Ausführungsform ist die Steuereinheit kommunikativ mit einem oder mehreren der Komponenten des Systems 100 gekoppelt. Zum Beispiel kann die Steuereinheit kommunikativ mit dem Aufbau 200 der Quelle, den Komponenten des Aufbaus 200 der Quelle, dem Aufbau 300 der Säule, der einen oder mehreren elektronenoptischen Säulen 320, den Komponenten der einen oder mehreren elektronenoptischen Säulen 320 (z.B. dem einen oder den mehreren elektronenoptischen Elementen 340 der Säule) und/oder dem Tisch 102 gekoppelt sein. In dieser Hinsicht kann die Steuereinheit eine der Komponenten des Systems 100 anweisen, eine oder mehrere der verschiedenen Funktionen, die zuvor hierin beschrieben wurden, auszuführen. Zum Beispiel, kann die Steuereinheit den einen oder die mehreren Sätze der Positionierer 204, die mit der einen oder den mehreren Elektronenstrahlquellen 202 gekoppelt sind, veranlassen, die eine oder die mehreren Elektronenstrahlquellen 202 in Richtungen, wie z.B. einer x-Richtung, einer y-Richtung, und/oder einer z-Richtung zu verschieben, um eine Falschausrichtung, die durch eine der Komponenten des Aufbaus 200 der Quelle, der Komponenten des Aufbaus 200 der Säule, des Aufbaus 300 der Säule, der einen oder der mehreren elektronenoptischen Säulen 320, der Komponenten, der einen oder der mehreren elektronenoptischen Säulen 320 (wie z.B. der einen oder der mehreren elektronenoptischen Elemente 340) und/oder des Tisches 102 verursacht wird, zu korrigieren.
  • In einer weiteren Ausführungsform umfasst die Steuereinheit einen oder mehrere Prozessoren, die konfiguriert sind, Programmbefehle auszuführen, damit die einen oder die mehreren Prozessoren die in der vorliegenden Offenbarung beschriebenen einen oder mehreren Schritte ausführen. In einer Ausführungsform können der eine oder die mehreren Prozessoren der Steuereinheit in Kommunikation mit einem Speichermedium sein (z.B. ein nicht-flüchtiges Speichermedium), das Programmbefehle enthält, die konfiguriert sind, um einen oder die mehreren Prozessoren der Steuereinheit zu veranlassen, verschiedene der in der gesamten vorliegenden Offenbarung beschriebenen Schritte auszuführen.
  • 2A stellt eine Querschnittsansicht des Aufbaus 110 der Säule, in Übereinstimmung mit einem oder mehreren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung, dar.
  • In einer Ausführungsform umfasst der Aufbau 110 der Säule eine oder mehrere Anordnungen 120 des Substratarrays. Beispielsweise kann der Aufbau 110 der Säule einen ersten Aufbau 120a des Substratarrays und zumindest einen zweiten Aufbau 120b des Substratarrays umfassen. In einer anderen Ausführungsform umfassen die eine oder mehreren Anordnungen 120 des Substratarrays jeweils ein oder mehrere Substratarrays 200. Zum Beispiel kann eine Anordnung 120 des Substratarrays ein Substratarray 200a umfassen. Als weiteres Beispiel kann die Anordnung 120 des Substratarrays ein erstes Substratarray 200a und zumindest ein zweites Substratarray 200b umfassen. In einer anderen Ausführungsform können die Anordnungen 200 der Substratarrays jeweils ein oder mehr Löcher 201 umfassen.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist zumindest ein Abschnitt einer oberen Oberfläche und/oder einer unteren Oberfläche des einen oder der mehreren Substratarrays 200 durch eine Metallschicht abgeschirmt, um eine fehlerhafte Aufladung zwischen dem einen oder der mehreren Substratarrays 200, zwischen dem einen oder der mehreren Substratarrays 200 und einer oder mehrerer Komponenten, die mit dem einen oder der mehreren Substratarray 200 verbunden sind, und/oder zwischen der einen oder den mehreren Komponenten, die mit dem einen oder der mehreren Substratarrays 200 verbunden sind, zu verhindern. In einer anderen Ausführungsform, bei der eine Anordnung 120 der Substratarrays zwei oder mehr Substratarrays 200 umfasst, sind ein oder mehr Metallabschirmungen 212 zwischen den zwei oder mehr Substratarrays 200 positioniert. Zum Beispiel können die eine oder mehreren Metallabschirmungen 212 derart konfigurieren sein, dass ein Übersprechen oder eine fehlerhafte Aufladung zwischen der einen oder der mehreren Anordnungen 120 der Substratarrays und/oder der Komponenten der einen oder der mehreren Anordnungen 120 der Substratarrays im Aufbau 110 der Säule verhindert sind.
  • In einer anderen Ausführungsform können der eine oder die mehreren Sätze der elektronenoptischen Elemente 210 mit den Substratarrays 200 über das eine oder die mehreren Löcher 201 gebondet sein. Zum Beispiel können zumindest einige des einen oder der mehreren Sätze der elektronenoptischen Elemente 210 der Säule ein oder mehrere dreidimensionale elektronenoptische Elemente 210 der Säule umfassen. Als weiteres Beispiel können der eine oder die mehreren Sätze der elektronenoptischen Elemente 210 der Säule, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein, einen oder mehrere Detektoren 130, einen oder mehrere Multipol-Strahlablenker der Kanone, einen oder mehrere Extraktoren, eine oder mehrere magnetischen Kondensorlinsen, eine oder mehrere Kondensorlinsen der Kanone, eine oder mehrere Anoden, einen oder mehrere obere Strahlablenker, einen oder mehrere untere Strahlablenker, eine oder mehrere dynamische Fokuslinsen, und/oder eine oder mehrere magnetische Fokussierlinsen umfassen. Es sei festgestellt, dass die Multipol-Strahlablenker im Detail nachfolgend beschrieben werden.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist ein erstes elektronenoptisches Element 210 der Säule an einer oberen Oberfläche oder einer unteren Oberfläche von zumindest einigen der einen oder mehreren Substratarrays 200 gebondet. In einer anderen Ausführungsform sind ein erstes und eine zweites elektronenoptisches Element 210 der Säule an einer oberen Oberfläche bzw. einer unteren Oberfläche von zumindest einigen der einen oder mehreren Substratarrays 200 gebondet.
  • Es wird hierin darauf hingewiesen, dass das Bonden der elektronenoptischen Elemente an Substratarrays, um einen Aufbau einer Säule zu bilden, im Allgemeinen im US-Patent 7,109,486 beschrieben wird, das am 19. September 2006 erteilt wurde und durch Bezugnahme in seiner Gesamtheit hierin aufgenommen ist.
  • In einer anderen Ausführungsform kann der Aufbau 110 der Säule eine oder mehr elektronenoptische Säulen 130 umfassen. Zum Beispiel kann der Aufbau 110 der Säule eine erste elektronenoptischen Säule 130a und mindestens eine zweite elektronenoptische Säule 130b umfassen. Als weiteres Beispiel kann der Aufbau 110 der Säule, ohne aber darauf beschränkt zu sein, 2 bis 60 elektronenoptische Säulen 130 umfassen. In einer anderen Ausführungsform umfasst der Aufbau 110 der Säule eine elektronenoptische Säule 130 für jeden der einen oder mehreren Elektronenstrahlen 103. In einer Ausführungsform richten die eine oder die mehreren elektronenoptischen Säulen 130 zumindest einen Teil der Elektronenstrahlen 103 auf die Oberfläche der Probe 142.
  • In einer weiteren Ausführungsform werden die eine oder die mehreren elektronenoptischen Säulen 130 mittels eines oder mehrerer Sätze von elektronenoptischen Elementen 210 der Säule gebildet. Zum Beispiel kann eine elektronenoptische Säule 130 aus einem Satz von elektronenoptischen Elementen 210 gebildet werden, wobei diese aber nicht ausschließlich auf ein erstes Element 210a, ein zweites Element 210b, ein drittes Element 210c und zumindest ein viertes Element 210d beschränkt sind. In einer anderen Ausführungsform wird eine elektronenoptische Säule 130 für jeden der einen oder mehreren Elektronenstrahlen 103 aus einem Satz von elektronenoptischen Elementen 210 der Säule gebildet.
  • Die Reihenfolge und Anordnung der einen oder mehreren Sätze von elektronenoptischen Elementen 210 der Säule, die eine oder mehrere elektronenoptische Säulen 130 bilden, ist in weiteren Einzelheiten unter dem Aktenzeichen des Anmelders KLA P5068 beschrieben, das bereits zuvor hierin in seiner Gesamtheit aufgenommen wurde.
  • In einer Ausführungsform werden das eine oder die mehreren Substratarrays 200 in die erste Anordnung 120a des Substratarrays und die mindestens eine zweite Anordnung 120b des Substratarrays gruppieret. In einer anderen Ausführungsform können ein oder mehrere Toleranzeigenschaften der einen oder mehreren Anordnungen der Substratarrays 200 inspiziert werden, bevor diese in die erste Anordnung 120a des Substratarrays und die zumindest eine zweite Anordnung 120b des Substratarrays gruppiert werden. Zum Beispiel kann der Teilungsabstand des einen oder der mehreren Substratarrays 200 für die erforderlichen Toleranzen kontrolliert werden. Beispielsweise kann die Toleranz des Teilungsabstands eine oder mehrere einstellige Merkmalstoleranzen im µ-Bereich umfassen.
  • In einer Ausführungsform werden das eine oder die mehreren Substratarrays 200 der ersten Anordnung 120a der Substratarrays in einem ersten Substratarraystapel angeordnet. In einer anderen Ausführungsform ist der erste Substratarraystapel in einem ersten Rahmen angebracht. In einer anderen Ausführungsform können das eine oder die mehreren Substratarrays 200 der mindestens einen zweiten Anordnung 120b der Substratarrays in zumindest einem zweiten Substratarraystapel angeordnet werden. In einer anderen Ausführungsform ist der zumindest eine zweite Substratarraystapel in mindestens einem zweiten Rahmen angebracht. In einer anderen Ausführungsform sind der erste Rahmen und der mindestens eine zweite Rahmen gekoppelt, um den Aufbau 110 der Säule zu bilden.
  • In einer anderen Ausführungsform können ein oder mehrere Ausrichtungsfehler über einen Ausrichtungsprozess auf Basis eines besten Fits der kleinsten Quadrate reduziert werden, wenn zumindest ein Anordnen der einen oder mehreren Substratarrays 200 der ersten Anordnung 120a des Substratarrays in den ersten Substratarraystapel, ein Anordnen der einen oder mehreren Substratarrays 200 der mindestens einen zweiten Anordnung 120b des Substratarrays in den mindestens einen zweiten Substratarraystapel und/oder ein Zusammenkoppeln des ersten Rahmens und des mindestens einen zweiten Rahmens durchgeführt wird. Zum Beispiel können ein oder mehrere Ausrichtungsfehler, ohne darauf beschränkt zu sein, einen Versatzabstand in einer x-Richtung, einen Versatzabstand in einer y-Richtung, und/oder einen Offset-Rotationswinkel umfassen.
  • In einer Ausführungsform sind der eine oder die mehreren Substratarrays 200 der ersten Anordnung 120a des Substratarrays in einem ersten gebondeten Substratarraystapel angeordnet. In einer anderen Ausführungsform sind der eine oder die mehreren Substratarrays 200 der mindestens einen zweiten Anordnung 120b der Substratarrays in mindestens einem zweiten gebondeten Substratarraystapel angeordnet. In einer anderen Ausführungsform sind der erste gebondete Substratarraystapel und der mindestens eine zweite gebondete Substratarraystapel miteinander verbunden, um den Aufbau 110 der Säule zu bilden.
  • In einer anderen Ausführungsform können ein oder mehrere Ausrichtungsfehler über einen Ausrichtungsprozess auf Basis eines besten Fits der kleinsten Quadrate reduziert werden, wenn zumindest ein Anordnen der einen oder mehreren Substratarrays 200 der ersten Anordnung 120a des Substratarrays in den ersten gebondeten Substratarraystapel 200, ein Anordnen der Substratarrays 200 der mindestens einen zweiten Anordnung 120b des Substratarrays in den mindestens einen zweiten gebondeten Substratarraystapel, und/oder ein Zusammenkoppeln des ersten gebondeten Substratarraystapels und des mindestens einen zweiten gebondeten Substratarraystapels durchgeführt wird. Zum Beispiel können der eine oder die mehreren Ausrichtungsfehler, ohne aber darauf beschränkt zu sein, einen Versatzabstand in einer x-Richtung, einen Versatzabstand in einer y-Richtung, und/oder einen Offset-Rotationswinkel umfassen.
  • In einer Ausführungsform werden das eine oder die mehreren Substratarrays 200 der ersten Anordnung 120a des Substratarrays in einem ersten Substratarraystapel angeordnet. In einer anderen Ausführungsform ist der erste Substratarraystapel in einem Rahmen montiert. In einer anderen Ausführungsform können das eine oder die mehreren Substratarrays 200 der mindestens einen zweiten Anordnung 120b der Substratarrays in zumindest einem zweiten Substratarraystapel angeordnet werden. In einer anderen Ausführungsform ist der zumindest eine zweite Substratarraystapel im gleichen Rahmen montiert.
  • In einer anderen Ausführungsform können ein oder mehrere Ausrichtungsfehler über einen Ausrichtungsprozess auf Basis eines besten Fits der kleinsten Quadrate reduziert werden, wenn zumindest ein Anordnen der einen oder mehreren Substratarrays 200 der ersten Anordnung 120a des Substratarrays in den ersten Substratarraystapel oder ein Anordnen der einen oder mehreren Substratarrays 200 der mindestens einen zweiten Anordnung 120b des Substratarrays in den mindestens einen zweiten Substratarraystapel durchgeführt wird. Zum Beispiel können der eine oder die mehreren Ausrichtungsfehler, ohne aber darauf beschränkt zu sein, einen Versatzabstand in einer x-Richtung, einen Versatzabstand in einer y-Richtung, und/oder einen Offset-Rotationswinkel umfassen.
  • Die 2B und 2C veranschaulichen ein Substratarray 200 des einen oder der mehreren Substratarrays in Übereinstimmung mit einem oder mehreren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung.
  • In einer Ausführungsform umfasst das Substratarray 200 eine Verbundschicht 202 mit einem oder mehreren Löchern 201. In einer anderen Ausführungsform wird die Verbundschicht 202 aus einer oder mehreren Substratschichten gebildet. Zum Beispiel kann die Verbundschicht 202, ohne darauf beschränkt zu sein, eine erste Substratschicht 202a, eine zweite Substratschicht 202b und mindestens eine dritte Substratschicht 202c umfassen. In einer anderen Ausführungsform sind die eine oder die mehreren Substratschichten aus einer mit dem Co-Firing Verfahren hergestellten Keramik hergestellt. In einer anderen Ausführungsform wird die Verbundschicht 202 aus der Vielzahl von Substratschichten über einen Herstellungsprozess gebildet. Beispielsweise kann der Herstellungsprozess, ohne darauf beschränkt zu sein, das Zusammenpressen der Vielzahl von Substratschichten, das Zusammensintern der Vielzahl von Substratschichten und/oder ein Zusammenbinden der Vielzahl von Substratschichten über ein Co-Firing Verfahren umfassen.
  • In einer anderen Ausführungsform umfasst das Substratarray 200 eine oder mehrere elektrische Kontaktschichten 204, die mit der oberen Oberfläche und/oder der unteren Oberfläche der Verbundschicht 202 gekoppelt sind. Beispielsweise kann das Substratarray 200 eine Kontaktschicht 204a mit einem oder mehreren elektrischen Kontakten umfassen, die mit der oberen Oberfläche der Verbundschicht 202 gekoppelt sind. Als weiteres Beispiel kann das Substratarray 200 eine Kontaktschicht 204b mit einem oder mehreren elektrischen Kontakten umfassen, die mit der unteren Oberfläche der Verbundschicht 202 gekoppelt sind. In einer weiteren Ausführungsform umfassen der eine oder die mehreren elektrischen Kontakte ein oder mehrere Anschlusspads für Masse (z.B. Anschlusspads für den Erdkontakt). In einer weiteren Ausführungsform umfassen der eine oder die mehreren elektrischen Kontakte ein oder mehrere Anschlusspads für Signale, wobei das eine oder die mehreren Anschlusspads für Signale elektrisch von dem einen oder den mehreren Anschlusspads für Masse isoliert sind.
  • In einer anderen Ausführungsform können die eine oder die mehreren Kontaktschichten 204 eine metallisierte Beschichtung oder eine Metallplatte umfassen. In einer weiteren Ausführungsform werden die eine oder mehreren Kontaktschichten 204 über einen Herstellungsprozess mit der oberen Oberfläche und/oder die untere Oberfläche der Verbundschicht 202 gekoppelt. Beispielsweise kann die Herstellung, ohne aber darauf beschränkt zu sein, ein Pressverfahren, ein Sinterverfahren, ein Klebeverfahren (zum Beispiel ein Verbinden über ein Epoxy), einen Dickschichtprozess und/oder ein Dünnfilmverfahren umfassen. In einer weiteren Ausführungsform werden die eine oder mehreren Kontaktschichten 204 konfiguriert, um fehlerhafte Aufladung und negative Strahl-Wechselwirkung zu verhindern.
  • In einer anderen Ausführungsform umfasst die Verbundschicht 202 eine oder mehrere elektrische Komponenten 206, die innerhalb der einen oder mehreren Substratschichten eingebettet sind. In einer anderen Ausführungsform können die eine oder mehreren elektrischen Komponenten 206 eine oder mehrere Massebahnen 220, ein oder mehrere Kontaktlöcher 222 für Masse, eine oder mehrere Signalbahnen 230 und/oder ein oder mehrere Kontaktlöcher 232 für das Signal umfassen. In einer anderen Ausführungsform sind die eine oder mehreren elektrischen Komponenten 206 vor dem Bilden der Verbundschicht 202 innerhalb der Vielzahl von Substratschichten eingebettet.
  • In einer anderen Ausführungsform sind die eine oder mehreren Massebahnen 220 elektrisch an das eine oder die mehreren Anschlusspads für Masse in der einen oder den mehreren Kontaktschichten 204 mit dem einen oder den mehreren Kontaktlöchern 222 für Masse gekoppelt. In einer anderen Ausführungsform sind die eine oder mehreren Signalbahnen 230 elektrisch mit dem einen oder den mehreren Anschlusspads für das Signal in der einen oder den mehreren Kontaktschichten 204 mit dem einem oder den mehrere Kontaktlöchern 232 für das Signal gekoppelt.
  • Es sei angemerkt, dass, obwohl beide der einen oder mehreren Kontaktlöcher 222 für Masse und der einen oder mehreren Kontaktlöcher 232 für das Signal innerhalb des gleichen Querschnitts des Substratarrays 200 gezeigt sind, die einen oder mehreren Kontaktlöcher 222 für Masse und die einen oder mehreren Kontaktlöcher 232 für das Signal derart angeordnet sein können, dass ein Querschnitt des Substratarrays 200 entweder nur das eine oder die mehreren Kontaktlöcher 222 für Masse oder das eine oder die mehreren Kontaktlöcher 232 für das Signal umfasst. Es wird zusätzlich angemerkt, dass, obwohl beide, das eine oder die mehreren Anschlusspads für Masse und das eine oder die mehreren Anschlusspads für das Signal in der einen oder den mehreren Kontaktschichten 204 innerhalb des gleichen Querschnitts des Substratarrays 200 gezeigt sind, das eine oder die mehreren Anschlusspads für Masse und das eine oder die mehreren Anschlusspads für das Signal derart angeordnet sein können, dass ein Querschnitt des Substratarrays 200 entweder nur das eine oder die mehreren Anschlusspads für Masse oder das eine oder die mehreren Anschlusspads für das Signal umfasst. Daher sollte die obige Beschreibung nicht als Einschränkung des Umfangs der vorliegenden Offenbarung, sondern lediglich als eine Illustration interpretiert werden.
  • In einer anderen Ausführungsform können die einen oder mehreren elektrischen Komponenten 206 elektrisch mit dem einen oder den mehreren elektrischen Kontaktpads 208 gekoppelt sein. Zum Beispiel können die einen oder mehreren Massebahnen 220 elektrisch mit dem einen oder den mehreren Kontaktpads 208 für Masse gekoppelt werden. Im Wege eines weiteren Beispiels können die einen oder mehreren Signalbahnen 230 elektrisch mit dem einen oder den mehreren Kontaktpads 208 für das Signal gekoppelt sein.
  • In einer anderen Ausführungsform können die einen oder mehreren elektrischen Kontaktpads 208 auf einem Teil der oberen Oberfläche und/oder der unteren Oberfläche der Verbundschicht 202 angeordnet sein, die nicht durch eine Kontaktschicht 204 (wie z.B. einem nicht abgeschirmten Teil des Substratarrays 200) abgeschirmt ist. Es ist jedoch nicht hierin erwähnt, dass ein Großteil der oberen Oberfläche und/oder der unteren Oberfläche der Verbundschicht 202 abgeschirmt sind, um fehlerhafte Aufladung zu verhindern
  • In einer Ausführungsform können ein oder mehrere elektronenoptische Elemente 210 der Säule an das Substratarray 200 gebondet sein. Zum Beispiel können das eine oder die mehreren elektronenoptischen Elemente 210 der Säule an der oberen Oberfläche und/oder der unteren Oberfläche des Substratarrays 200 gebondet sein. Als weiteres Beispiel können das eine oder die mehreren elektronenoptischen Elemente 210 der Säule an der oberen Oberfläche und/oder der unteren Oberfläche mit einem bestimmten Anschlusspad für Masse und einem bestimmten Anschlusspad für das Signal der oberen Oberfläche und/oder der unteren Oberfläche des Substratarrays 200 verbunden werden. In einer Ausführungsform können das eine oder die mehreren elektronenoptischen Elemente 210 der Säule an das Substratarray 200 über einen Bondprozess gebunden werden. Zum Beispiel kann der Bondprozess, ohne darauf beschränkt zu sein, einen Lötprozess, einen Hartlötprozess oder einen Klebeprozess (z.B. ein Verbinden über eine Epoxy) umfassen.
  • In einer anderen Ausführungsform werden zumindest ein Teil des einen oder der mehreren elektronenoptischen Elemente 210 der Säule vollständig hergestellt, bevor diese an das Substratarray 200 gebondet werden. In einer anderen Ausführungsform werden zumindest ein Teil des einen oder der mehreren elektronenoptischen Elemente 210 der Säule teilweise mittels eines ersten Satzes eines Herstellungsprozesses hergestellt, bevor diese an das Substratarray 200 gebondet werden und vollständig mittels eines zweiten Satzes eines Herstellungsprozesses hergestellt werden, nachdem diese an das Substratarray 200 gebondet sind. Es sei hier angemerkt, dass der erste Satz eines Herstellungsprozesses und der zweite Satz des Herstellungsprozesses im Detail weiter beschrieben werden.
  • In einer anderen Ausführungsform können das eine oder die mehreren elektronenoptischen Elemente 210 der Säule inspiziert werden, um individuelle Toleranzen zu erfüllen. Zum Beispiel können die individuellen Toleranzen ein oder mehrere einstellige Toleranzen im µ-Bereich enthalten. Gemäß einer anderen Ausführungsform können das eine oder die mehreren elektronenoptischen Elemente 210 der Säule während des Bondens an das Substratarray 200 mit einem Ausrichtvorgangs ausgerichtet werden. Beispielsweise kann der Ausrichtvorgang, ohne darauf beschränkt zu sein, einen Ausrichtvorgang zum Ausrichten einer Vielzahl von lithographischen Zielmerkmalen oder einen Ausrichtvorgang durch optisches Overlay umfassen.
  • Die 3A bis 3C veranschaulichen einen teilweise gefertigten Multipol-Strahlablenker 210 in Übereinstimmung mit einem oder mehreren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung.
  • In einer Ausführungsform umfasst der Multipol-Strahlablenker 210 einen zylinderförmigen Abschnitt 302 und einen scheibenförmigen Abschnitt 306. Zum Beispiel kann der zylinderförmige Abschnitt 302 in ein Loch eines Substratarrays 200 eingeführt werden, wenn der Multipol-Strahlablenker 210 mit dem Substratarray 200 verbunden wird.
  • In einer anderen Ausführungsform umfasst der Multipol-Strahlablenker 210 ein Loch 304, das durch die Oberseite des zylinderförmigen Abschnitts 302 und die Unterseite des scheibenförmigen Abschnitts 306 gebohrt ist. Zum Beispiel kann das Loch 304 den Durchgang eines Elektronenstrahls 103 durch die Multipol-Strahlablenker 210 erlauben. In einer anderen Ausführungsform besitzt das Loch 304 eine oder mehrere kritische Toleranzen. Zum Beispiel können die eine oder mehreren kritischen Toleranzen, ohne darauf beschränkt zu sein, eine Größe der Bohrung und/oder eine Form der Bohrung umfassen.
  • In einer anderen Ausführungsform umfasst der Multipol-Strahlablenker 210 einen oder mehrere Schlitze 308. Zum Beispiel können der eine oder die mehreren Schlitze 308 teilweise in den Multipol-Strahlablenker 210 geschnitten werden, so dass der eine oder die mehreren Schlitze 308 durch den zylinderförmigen Abschnitt 302 und den scheibenförmigen Abschnitt 306 des Multipol-Strahlablenkers 210 hindurchgreifen, ohne dabei bis zum Rand des scheibenförmigen Abschnitts 306 hindurchzugreifen. Es wird hierin darauf hingewiesen, dass, wenn sich der eine oder die mehreren Schlitze 308 bis zum Rand des scheibenförmigen Abschnitts 306 erstrecken würden, der Multipol-Strahlablenker 210 in mehrere einpolige Strahlablenker segmentiert werden würde.
  • In einer anderen Ausführungsform umfasst der Multipol-Strahlablenker 210 auf einer Außenfläche des scheibenförmigen Abschnitts 306 einen erhabenen Bereich 310. Beispielsweise kann der erhabene Bereich 310 einen inneren Bereich des scheibenförmigen Abschnitts 306 von der oberen Oberfläche oder der unteren Oberfläche des Substratarrays 200 unter einem Abstand, der gleich der Höhe des erhabenen Bereichs 310 ist, absetzten. In einer anderen Ausführungsform weist der Multipol-Strahlablenker 310 eine oder mehrere Nuten 312 in dem erhabenen Bereich 310 auf. Zum Beispiel können die eine oder mehreren Nuten 312 in dem erhabenen Bereich 310 Arbeitsbereiche für einen oder mehrere Herstellungsprozesse nach dem Bonden sein, um für den einen oder die mehreren Herstellungsprozesse nach dem Bonden sicherzustellen, dass eine Beschädigung (oder anderweitig den Betrieb Störendes) des Substratarrays 200 ausgeschlossen ist.
  • 3D veranschaulicht einen Satz von vollständig gefertigten Multipol-Strahlablenkern, die an ein Substratarray 200, in Übereinstimmung mit einem oder mehreren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung, gebondet sind.
  • Bei einer Ausführungsform werden ein oder mehrere teilweise gefertigte Multipol-Strahlablenker 210 mit den Kontaktschichten 304 des Substratarrays 200 verbunden. In einer Ausführungsform erstrecken sich die einen oder mehreren Schlitze 308 bei den einen oder mehreren über ein Schneidverfahren geformten Nuten 312 bis an den Rand des einen oder der mehreren teilweise fertigten Multipol-Strahlablenker 210, wobei der Schneidvorgang den einen oder die mehreren teilweise gefertigten Multipol-Strahlablenker 210 in einpolige Strahlablenker 210a segmentiert, so dass der eine oder die mehreren Multipol-Strahlablenker 210 vollständig hergestellt werden. Zum Beispiel können der eine oder die mehreren teilweise gefertigten Multipol-Strahlablenker 210, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein, 2-12 Schlitze 308 umfassen, welche die teilweise gefertigten Multipol-Strahlablenker 210 in 4-24 einpolige Strahlablenker (dann z.B. in einen Quadrupol-Strahlablenker, einen Oktupol-Strahlablenker und dergleichen resultieren), wenn sich die Schlitze bis an den Rand des Multipol-Strahlablenkers 210 erstrecken, um den einen oder die mehreren Mehrpol-Strahlablenker 210 vollständig herzustellen.
  • Vorteile der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung umfassen die Herstellung und das Ausrichten mehrspuliger SEM-Systeme mit einem verringerten Teilungsabstand und engeren Toleranzen. Die Vorteile der vorliegenden Offenbarung umfassen auch eine Ausbildung einer besseren Anpassung der Anordnung der Substratarrays mittels der Inspektion der Substratarrays und dem Sortieren der Substratarrays auf Basis der Inspektion. Die Vorteile der vorliegenden Offenbarung umfassen auch die Verbesserung der Ausbeute an hergestellten elektronenoptischen Elementen, mittels der teilweisen Herstellung der elektronenoptischen Elemente über einen ersten Satz von Herstellungsprozessen, dem Inspizieren der teilweise hergestellten elektronenoptischen Elemente, dem Sortieren der teilweise hergestellten elektronenoptischen Elemente in abgestimmte Sätze auf Basis der Prüfergebnisse, dem Ausrichten der abgestimmte Sätze von elektronenoptischen Elementen, dem Bonden der teilweise hergestellten elektronenoptischen Elementen an ein Substratarray und das vollständige Herstellen der gebondeten elektronenoptischen Elemente über einen zweiten Satz von Herstellungsprozessen. Die Vorteile der vorliegenden Offenbarung umfassen auch die Vermeidung der Aufladung und die Verringerung des Übersprechens zwischen den Strahlsignalen der mehreren elektronenoptischen Säulen.
  • 4 veranschaulicht ein Prozessablaufdiagramm, das ein Verfahren 400 darstellt, um einen Aufbau 110 einer Säule für ein mehrsäuliges SEM-System 100 herzustellen. Das Verfahren kann auch einen beliebigen anderen Schritt oder beliebige andere Schritte umfassen, die durch ein Ausgangserfassungs-Subsystem und/oder ein Computersubsystem/Computersubsysteme oder ein hierin beschriebenes System oder hierin beschriebene Systeme ausgeführt werden können.
  • In Schritt 402 werden ein oder mehrere Substratarrays 200 gebildet. In einer Ausführungsform umfasst das Bilden des einen oder der mehren Substratarrays 200 das Einbetten einer oder mehrerer elektrischer Komponenten 206 innerhalb einer oder mehrerer Substratschichten 202, wobei zumindest ein Teil der einen oder mehreren Substratschichten 202 aus einer mit dem Co-Firing Verfahren hergestellten Keramik bestehen. In einer anderen Ausführungsform können die einen oder mehreren elektrischen Komponenten 206, eine oder mehrere Massebahnen 220, eine oder mehrere Signalbahnen 230, eine oder mehrere Kontaktlöcher 222 für Masse und/oder eine oder mehrere Kontaktlöcher 232 für das Signal umfassen.
  • In einer anderen Ausführungsform umfasst das Bilden der einen oder mehreren Substratarrays 202 das Bilden eines Verbundsubstrats 204 aus der Vielzahl von Substratschichten. Zum Beispiel kann das Bilden eines Verbundsubstrats aus den Substratschichten, ohne darauf beschränkt zu sein, ein Zusammenpressen der Substratschichten, das Zusammensintern der Substratschichten oder das Zusammenbinden der Substratschichten über ein Co-Firing Verfahren umfassen. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Bilden eines oder mehrerer Substratarrays 200 das Bohren einer Vielzahl von Löchern 201 in das Verbundsubstrat 202.
  • In einer anderen Ausführungsform umfasst das Bilden des einen oder der mehreren Substratarrays 200 das Koppeln einer oder mehrere Kontaktschichten 204 an mindestens eine der oberen Oberfläche oder der unteren Oberfläche des Verbundsubstrats 202, wobei die eine oder mehreren Kontaktschichten 204 eine metallisierte Beschichtung und/oder eine Metallplatte umfassen. Zum Beispiel kann das Koppeln der einen oder mehreren Kontaktschichten 204 ein Pressverfahren, ein Sinterverfahren, ein Klebeverfahren, einen Dickschichtprozess und/oder ein Dünnfilmverfahren umfassen. Zum Beispiel kann das Klebeverfahren, ohne aber darauf beschränkt zu sein, mit einem Verbinden über ein Epoxy durchgeführt werden. In einer anderen Ausführungsform umfassen eine oder mehrere Kontaktschichten 204 ein oder mehrere Anschlusspads für Masse. Zum Beispiel können eine oder mehrere Massebahnen 220 elektrisch mit dem einen oder den mehreren Anschlusspads für Masse mit dem einen oder den mehreren Kontaktlöchern 222 für Masse verbunden werden. In einer anderen Ausführungsform umfassen die Kontaktschichten 204 ein oder mehrere Anschlusspads für das Signal, wobei die einen oder mehreren Anschlusspads für das Signal elektrisch von dem einen oder den mehreren Anschlusspads für Masse isoliert sind. Zum Beispiel können die einen oder mehreren Signalbahnen 230 mit den einen oder mehreren Anschlusspads für das Signal elektrisch über eines oder mehrere Kontaktlöcher 232 für das Signal gekoppelt werden.
  • In einer anderen Ausführungsform umfasst das Bilden des einen oder der mehreren Substratarrays 200 das Positionieren eines jeden der elektronenoptischen Elemente 210 der Säule über einem Loch 201 in dem Verbundsubstrat 202. In einer Ausführungsform umfasst das Ausbilden eines oder mehrerer Substratarrays 200 das Bonden eines oder mehrerer elektronenoptischer Elemente 210 an ein bestimmtes Anschlusspad für Masse des einen oder der mehreren Anschlusspads für Masse und an ein bestimmtes Anschlusspad für das Signal der Masse des einen oder der mehreren Anschlusspads für das Signal an mindestens eine obere Oberfläche oder eine untere Oberfläche des Verbundsubstrats 202. Zum Beispiel kann das Bonden eines jeden oder der mehreren elektronenoptischen Elemente 210 der Säule an ein bestimmtes Anschlusspad für Masse und an ein bestimmtes Anschlusspad für das Signal, ohne darauf beschränkt zu sein, einen Lötprozess, einen Hartlötprozess oder einen Klebeprozess (z.B. ein Verbinden über eine Epoxy) umfassen. Im Zuge einer anderen Ausführungsform kann das Bonden eines jeden oder der mehreren elektronenoptischen Elemente 210 der Säule an ein bestimmtes Anschlusspad für Masse und an ein bestimmtes Anschlusspad für das Signal, ohne darauf beschränkt zu sein, einen Ausrichtvorgang, umfassen, um eine Vielzahl von lithographischen Zielmerkmalen oder einen Ausrichtvorgang durch optisches Overlay durchzuführen.
  • In einer anderen Ausführungsform sind zumindest einige der elektronenoptischen Elemente 210 der Säule vollständig vor dem jeweiligen Bonden an ein bestimmtes Anschlusspad für Masse und ein bestimmtes Anschlusspad für das Signal hergestellt. In einer anderen Ausführungsform werden zumindest einige der elektronenoptischen Elemente 210 der Säule (wie z. B. ein Multipol-Strahlablenker 210) teilweise über einen ersten Satz von Fertigungsprozessen hergestellt, bevor zumindest ein Teil der elektronenoptischen Elemente 210 der Säule an ein bestimmtes Anschlusspad für Masse und ein bestimmtes Anschlusspad für das Signal gebondet wird. Über einen zweiten Satz von Fertigungsprozessen wird zumindest ein Teil der elektronenoptischen Elemente 210 der Säule vollständig hergestellt, nachdem zumindest ein Teil der elektronenoptischen Elemente 210 der Säule mit dem jeweiligen Anschlusspad für Masse und dem jeweiligen Anschlusspad für das Signal verbunden wurde.
  • Beispielsweise kann der erste Satz von Fertigungsprozessen das Bohren eines Lochs 304 auf eine oder mehrere kritische Toleranzen (wie z.B. eine Größe der Bohrung und/oder eine Form der Bohrung) in dem elektronenoptischen Element 210 einer Säule und ein Schneiden eines oder mehrerer Schlitze 308 in das elektronenoptische Element 210 der Säule umfassen. Zum Beispiel können der eine oder die mehreren Schlitze 308 einen ersten Schlitz 308 und zumindest einen zweiten Schlitz 308 umfassen. Ferner können sich der erste Schlitz 308 und der zumindest eine zweite Schlitz 308 nicht bis zum Rand des elektronenoptischen Elements 210 der Säule erstrecken. Als ein anderes Beispiel kann der zweite Satz von Fertigungsprozessen das Schneiden des einen oder der mehreren Schlitze 308 umfassen, um diese bis an den Rand des elektronenoptischen Elements 210 der Säule zu verlängern, so dass die elektronenoptischen Elemente 210 der Säule in eine oder mehrere Strahlablenkerpole (z.B. 2-12 Schlitze segmentieren das elektronenoptische Element 210 der Säule in 4-24 Strahlablenkerpole) segmentiert werden.
  • In Schritt 404 werden die gebildeten Substratarrays 200 in eine erste Anordnung 120a der Substratarrays und mindestens eine zweite Anordnung 120b der Substratarrays sortiert. In einer Ausführungsform werden die gebildeten Substratarrays 200 vor dem Sortieren der ersten Anordnung 120a der Substratarrays und der mindestens einen zweiten Anordnung 120b der Substratarrays 120a inspiziert. In einer anderen Ausführungsform erfolgt die Sortierung der gebildeten Substratarrays 200 auf Basis der Prüfergebnisse.
  • In Schritt 406 wird ein Aufbau 110 der Säule aus der ersten Anordnung 120a der Substratarrays und der mindestens einen zweiten Anordnung 120b der Substratarrays gebildet. In einer Ausführungsform umfasst der Aufbau 110 der Säule eine oder mehrere elektronenoptische Säulen 130, die aus einem oder mehreren elektronenoptischen Elementen 210 der Säule gebildet sind, welche an das eine oder mehrere Substratarrays 200 der ersten Anordnung 120a der Substratarrays und der mindestens einen zweiten Anordnung 120b der Substratarrays, wie hierin zuvor beschrieben, gebondet sind.
  • In einer Ausführungsform umfasst das Ausbilden des Aufbaus 110 der Säule das Anordnen der ersten Anordnung 120a der Substratarrays in einem ersten Substratarraystapel. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Ausbilden des Aufbaus 110 der Säule das Befestigen des ersten Substratarraystapels in einem ersten Rahmen. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Ausbilden des Aufbaus 110 der Säule das Befestigen 200 der mindestens einen zweiten Anordnung 120b der Substratarrays in zumindest einem zweiten Substratarraystapel. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Ausbilden des Aufbaus 110 der Säule eine Montage der mindestens einen zweiten Anordnung 120b der Substratarrays in mindestens einem zweiten Rahmen. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Ausbilden des Aufbaus 110 der Säule ein Koppeln des ersten Rahmens und des mindestens einen zweiten Rahmens. In einer anderen Ausführungsform können ein oder mehrere Ausrichtungsfehler auf Basis eines besten Fits der kleinsten Quadrate reduziert werden, wenn zumindest ein Ausrichten der ersten Anordnung 120a des Substratarrays, zumindest ein Ausrichten der mindestens einen zweiten Anordnung 120b des Substratarrays oder ein Koppeln des ersten Rahmens und des mindestens einen zweiten Rahmens durchgeführt wird. Zum Beispiel können der eine oder die mehreren Ausrichtungsfehler, ohne aber darauf beschränkt zu sein, einen Versatzabstand in einer x-Richtung, einen Versatzabstand in einer y-Richtung, und/oder einen Offset-Rotationswinkel umfassen.
  • In einer Ausführungsform umfasst das Ausbilden des Aufbaus 110 der Säule das Anordnen der ersten Anordnung 120a der Substratarrays in einem ersten gebondeten Substratarraystapel. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Ausbilden des Aufbaus 110 der Säule das Anordnen der mindestens einen zweiten Anordnung 120b der Substratarrays in mindestens einem zweiten, gebondeten Substratarraystapel. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Ausbilden des Aufbaus 110 der Säule das Bonden der ersten Anordnung 120a der Substratarrays und der mindestens einen zweiten Anordnung 120b der Substratarrays. In einer anderen Ausführungsform können ein oder mehrere Ausrichtungsfehler auf Basis eines besten Fits der kleinsten Quadrate reduziert werden, wenn zumindest ein Ausrichten der ersten Anordnung 120a des Substratarrays, zumindest ein Ausrichten der mindestens einen zweiten Anordnung 120b des Substratarrays oder ein Bonden des ersten gebondeten Substratarraystapels und des mindestens einen zweiten gebondeten Substratarraystapels durchgeführt wird. Zum Beispiel können der eine oder die mehreren Ausrichtungsfehler, ohne aber darauf beschränkt zu sein, einen Versatzabstand in einer x-Richtung, einen Versatzabstand in einer y-Richtung, und/oder einen Offset-Rotationswinkel umfassen.
  • In einer Ausführungsform umfasst das Ausbilden des Aufbaus 110 der Säule das Anordnen der ersten Anordnung 120a der Substratarrays in einem ersten Substratarraystapel. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Ausbilden des Aufbaus 110 der Säule das Befestigen des ersten Substratarraystapels in einem Rahmen. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Ausbilden des Aufbaus 110 der Säule das Anordnen der mindestens einen zweiten Anordnung 120b der Substratarrays in zumindest einem zweiten Substratarraystapel. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Ausbilden des Aufbaus 110 der Säule eine Montage der mindestens einen zweiten Anordnung der Substratarrays im gleichen Rahmen. In einer anderen Ausführungsform können ein oder mehrere Ausrichtungsfehler auf Basis eines besten Fits der kleinsten Quadrate reduziert werden, wenn zumindest ein Ausrichten der ersten Anordnung 120a des Substratarrays oder ein Ausrichten der mindestens einen zweiten Anordnung 120b des Substratarrays durchgeführt wird. Zum Beispiel können der eine oder die mehreren Ausrichtungsfehler, ohne aber darauf beschränkt zu sein, einen Versatzabstand in einer x-Richtung, einen Versatzabstand in einer y-Richtung, und/oder einen Offset-Rotationswinkel umfassen.
  • Ein Fachmann wird erkennen, dass die hier beschriebenen Komponenten (z.B. Ablauf), Geräte, Objekte und die damit verbundenen Diskussionen als Beispiele für die begriffliche Klarheit verwendet und dass verschiedene Konfigurationsänderungen in Betracht gezogen werden. Folglich setzen sich die hier verwendeten spezifischen Musterbeispiele in der begleitenden Diskussion fort und sollen repräsentativ für ihre allgemeineren Klassen sein. Im Allgemeinen wird die Verwendung eines spezifischen Exemplars repräsentativ für seine Klasse sein, und die Nicht-Einbeziehung spezifischer Komponenten (z.B. Ablauf), Einheiten und Objekte sollte nicht als einschränkend verstanden werden.
  • In Bezug auf die Verwendung von im Wesentlichen jedem hierin verwendeten Term im Plural und/oder im Singular, können Fachleute auf dem Gebiet aus der Mehrzahl auf die Einzahl und/oder von der Einzahl auf die Mehrzahl schließen, wie für den Kontext und/oder die Anwendung geeignet ist. Die verschiedenen Einzahl/Plural-Permutationen sind hierin aus Gründen der Klarheit ausdrücklich nicht dargelegt.
  • Der hier beschriebene Gegenstand stellt manchmal verschiedene Komponenten dar, die innerhalb andere Komponenten enthalten, oder mit verschiedenen anderen Komponenten verbunden sind. Es ist zu verstehen, dass solche dargestellten Architekturen lediglich beispielhaft sind und dass tatsächlich viele andere Architekturen implementiert werden können, um die gleiche Funktionalität zu erreichen. In einem konzeptionellen Sinn ist jede Anordnung von Komponenten, die dieselbe Funktionalität erzielen, effektiv „zugeordnet“, so dass die gewünschte Funktionalität erreicht werden kann. Daher können zwei beliebige Komponenten, die hierin eine bestimmte Funktionalität erreichen, als „assoziiert mit“ miteinander bezeichnet werden, so dass die gewünschte Funktionalität erreicht wird, und zwar unabhängig von Architekturen oder Zwischenkomponenten. Gleichfalls können assoziierte zwei beliebige Komponenten auch als „funktionsfähig verbunden“ oder als „ funktionsfähig gekoppelt“ miteinander angesehen werden. Spezifische Beispiele für funktionsfähig koppelbar umfassen, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein, zusammenpassbare und/oder physikalisch interagierende Komponenten, und/oder drahtlos interagierende, und/oder drahtlos interagierende Komponenten und/oder logisch interagierende Komponenten.
  • In einigen Fällen können eine oder mehrere Komponenten als „konfiguriert“, „konfigurierbar“, „betriebsfähig sein/betriebsfähig“, „angepasst/anpassungsfähig“, „geeignet“ „konform/konform mit“, usw. bezeichnet werden. Der Fachmann auf dem Gebiet wird erkennen können, dass solche Begriffe (z.B. „konfiguriert“) in der Regel aktive Komponenten und/oder inaktive Komponenten und/oder Komponenten im Standby-Zustand umfassen, soweit nichts anderes bestimmt ist.
  • Während bestimmte Aspekte des vorliegenden Gegenstands hierin gezeigt und beschrieben wurden, wird es dem Fachmann auf dem Gebiet offensichtlich sein, dass, basierend auf den hierin offenbarten Lehren, Änderungen und Modifikationen gemacht werden können, ohne dabei von dem hierin beschriebenen Gegenstand abzuweichen. Ihre breiteren Aspekte, und daher die beigefügten Ansprüche und alle derartigen Änderungen und Modifikationen liegen innerhalb ihres Schutzbereichs, wie sie in dem wahren Geist und Umfang des hierin beschriebenen Gegenstands umfasst werden. Es wird von den Fachmännern auf dem technischen Gebiet in der Regel verstanden, dass hier und insbesondere in den beigefügten Ansprüchen die verwendeten Begriffe im Allgemeinen als „offene“ Begriffe verwendet werden (z.B. der Begriff „umfassend“ sollte interpretiert werden als „einschließlich, aber nicht beschränkt auf,“ der Begriff „aufweisen“ sollte als „mit zumindest aufweisend“ interpretiert werden, der Begriff „beinhaltet“ sollte als „umfasst, aber nicht darauf beschränkt,“ interpretiert werden, etc.). Es wird durch jene Fachleute des Standes der Technik verstanden werden, dass, wenn eine spezifische Nummer einer eingeführten Anspruchsrezitation bestimmt ist, eine solche Absicht explizit in dem Anspruch und in Abwesenheit einer solchen Rezitation keine solche Absicht vorhanden ist. Zum Beispiel, als eine Hilfe zum Verstehen, können in den folgenden beigefügten Ansprüchen die Benutzung der einleitenden Phrasen „mindestens ein“ und „ein oder mehrere“ enthalten sein, um Anspruchsrezitation einzuführen. Jedoch sollte die Verwendung solcher Phrasen nicht dahingehend ausgelegt werden, um zu implizieren, dass die Einführung einer Anspruchsrezitation durch den unbestimmten Artikel „ein“ einen bestimmten Anspruch, der eine solche eingeführte Anspruchsrezitation enthält, einschränkt, selbst wenn der gleiche Anspruch die einleitenden Phrasen „ein oder mehr“ oder „mindestens einen“ und den unbestimmten Artikel, wie beispielsweise „ein“ umfasst (z.B. „ein“ sollte typischerweise interpretiert werden, im Sinne von „mindestens eines“ oder „eines oder mehr“); das gleiche gilt für die Verwendung von bestimmten Artikeln, die zur Einführung von Anspruchsrezitation verwendet werden. Zusätzlich können, selbst wenn eine spezifische Anzahl einer Anspruchsrezitation explizit angegeben ist, die Fachleute auf dem Gebiet erkennen, dass eine solche Rezitation typischerweise dahingehend interpretiert werden sollte, dass mindestens die angegebene Nummer (z.B. die bloße Aufzählung, von „zwei Rezitationen“ ohne andere Modifikatoren, bedeutet typischerweise mindestens zwei Rezitationen, zwei oder mehr Rezitationen) zu verstehen ist. Ferner wird in den Fällen, bei denen ein Ausdruck analog zu „mindestens eines von A, B und C, usw.“ verwendet wird, wird von einem Fachmann auf dem Gebiet im Allgemeinen verstanden (z.B. „ein System mit zumindest eines von A, B und C“ dahingehend verstehen würde, dass die Systeme aber nicht auf Systeme beschränkt sind, die A alleine, B alleine, C alleine, A und B zusammen, A und C zusammen, B und C zusammen und/oder A, B, und C zusammen, etc. haben.). In jenen Fällen, wo eine Konvention analog zu „mindestens eines von A, B oder C, usw.“ verwendet wird, hat im allgemeinen eine solche Konstruktion die Bedeutung, dass ein Fachmann in der Technik diese Konvention verstehen würde (z.B. „ein System, mit mindestens einer von A, B oder C“ verstehen würde, würde jedoch dieses nicht auf Systeme beschränken, die A alleine, B alleine, C alleine, A und B zusammen, A und C zusammen, B und C zusammen und/oder A, B, und C zusammen, etc.). Es wird weiter durch Fachleute innerhalb der Technik verstanden werden, dass typischerweise ein disjunktives Wort und/oder eine Phrase zwei oder mehr alternative Begriffe präsentiert, sei es in der Beschreibung, den Ansprüchen oder den Zeichnungen, so sollten die Möglichkeiten angedacht werden, einen dieser Begriffe, jeden dieser Begriffe, oder beide Begriffe zu verwenden, es sei denn der Kontext schreibt was anderes vor. Beispielsweise wird der Ausdruck „A oder B“ verstanden, dass er üblicherweise die Möglichkeiten „A“ oder „B“ oder „A und B umfasst.
  • In Bezug auf die beigefügten Ansprüche, werden Fachleute auf dem Gebiet es würdigen, dass die darin genannten Verfahrensschritte im Allgemeinen in einer beliebigen Reihenfolge durchgeführt werden können. Auch, obwohl verschiedene Ablaufdiagramme in einer Sequenz oder in Sequenzen dargestellt werden, sollte es verstanden werden, dass die verschiedenen Operationen in anderen Ordnungen durchgeführt werden können, als die Dargestellten, oder sie können gleichzeitig durchgeführt werden. Beispiele für solche alternativen Ordnungen können überlappende, verschachtelte, unterbrochene, neu geordnete, inkrementelle, vorbereitende, ergänzende, gleichzeitige, umgekehrte oder andere abweichende Ordnungen sein, außer der Kontext schreibt etwas anderes vor. Darüber hinaus werden Begriffe wie „als Reaktion auf“, „im Zusammenhang mit“ oder andere Adjektive in der Vergangenheitsform im Allgemeinen nicht dazu verwendet, solche Varianten auszuschließen, außer der Kontext schreibt etwas anderes vor.
  • Es wird angenommen, dass die vorliegende Offenbarung und viele ihrer begleitenden Vorteile durch die vorhergehende Beschreibung verständlich werden, und es wird offensichtlich sein, dass verschiedene Änderungen in Form, Konstruktion und Anordnung der Bauteile durchgeführt werden können, ohne von dem offenbarten Gegenstand abzuweichen oder ohne alle ihre materiellen Vorteile zu opfern. Die beschriebene Form ist lediglich erklärend, und es ist die Absicht der beigefügten Ansprüche, solche Änderungen zu umfassen und einzuschließen. Dementsprechend sollte der Umfang der Erfindung nur durch die beigefügten Ansprüche beschränkt sein.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 62454715 [0001]
    • US 62455955 [0001]
    • US 8513619 [0027]
    • US 7335895 [0035]
    • US 8106358 [0037]
    • US 7109486 [0046]

Claims (40)

  1. Eine Substratanordnung umfasst: ein Verbundsubstrat, das aus einer Vielzahl von Substratschichten gebildet ist, wobei das Verbundsubstrat eine Vielzahl von Löchern aufweist; eine Vielzahl von elektrischen Komponenten, die innerhalb der Vielzahl der Substratschichten eingebettet ist; mindestens ein Anschlusspad für Masse, das mit mindestens einer oberen Oberfläche oder einer unteren Oberfläche des Verbundsubstrats gekoppelt ist; mindestens ein Anschlusspad für ein Signal, das mit mindestens einer oberen Oberfläche oder der unteren Oberfläche des Verbundsubstrats gekoppelt ist; und eine Vielzahl von elektronenoptischen Elementen in einer Säulenanordnung, wobei die Vielzahl von elektronenoptischen Elementen der Säulenanordnung über eine Vielzahl von Löchern des Verbundsubstrats angeordnet ist, wobei jede der Vielzahl von elektronenoptischen Elementen der Säulenanordnung mit einem bestimmten Anschlusspad für Masse und mit einem bestimmten Anschlusspad für ein Signal auf der oberen Oberfläche oder der unteren Oberfläche des Verbundsubstrats verbunden ist.
  2. Die Anordnung nach Anspruch 1, wobei die Vielzahl von elektrischen Komponenten, die innerhalb der Vielzahl von Substratschichten eingebettet ist, wenigstens eine von einer oder mehreren Massebahnen, eine oder mehrere Signalbahnen, ein oder mehrere Kontaktlöcher für Masse oder ein oder mehrere Kontaktlöcher für das Signal umfassen.
  3. Die Anordnung nach Anspruch 2, wobei mindestens eine der einen oder mehreren Massebahnen, oder der einen oder mehreren Signalbahnen oder der einen oder mehreren Kontaktlöcher für Masse oder der einen oder mehreren Kontaktlöcher für das Signal in den Substratschichten vor der Ausbildung des Verbundsubstrats ausgebildet sind.
  4. Die Anordnung nach Anspruch 2, wobei die einen oder mehrere Massebahnen elektrisch mit dem mindestens einen Anschlusspad für Masse über die einen oder mehreren Kontaktlöcher für Masse verbunden sind.
  5. Die Anordnung nach Anspruch 2, wobei die einen oder mehreren Signalbahnen elektrisch mit dem mindestens einen Anschlusspad für das Signal über das eine oder die mehreren Kontaktlöcher für das Signal verbunden sind.
  6. Die Anordnung nach Anspruch 1, wobei das Verbundsubstrat aus der Vielzahl von Substratschichten über wenigstens ein Zusammenpressen der Vielzahl von Substratschichten, ein Zusammensintern der Vielzahl von Substratschichten oder ein Zusammenbonden der Vielzahl von Substratschichten über ein Co-Firing Verfahren gebildet ist.
  7. Die Anordnung nach Anspruch 1, wobei zumindest ein Teil der Vielzahl von Substratschichten aus einer mit dem Co-Firing Verfahren hergestellten Keramik besteht.
  8. Die Anordnung nach Anspruch 1, wobei zumindest einige des mindestens einen Anschlusspads für Masse oder des zumindest einen Anschlusspads für das Signal innerhalb einer metallisierten Beschichtung oder einer Metallplatte liegen.
  9. Die Anordnung nach Anspruch 1, wobei das mindestens eine Anschlusspad für Masse oder das zumindest eine Anschlusspad für das Signal mit mindestens einer der oberen Oberfläche oder der unteren Oberfläche des Verbundsubstrats über wenigstens einen Prozess des Zusammenpressens, einen Prozess des Zusammensinterns, einen Klebeprozess, einen Dickfilm-Prozess oder einen Dünnfilm-Prozess verbunden ist.
  10. Die Anordnung nach Anspruch 1, wobei zumindest einige der Vielzahl der elektronenoptischen Elemente der Säule vor der Verbindung mit einem bestimmten Anschlusspad für Masse und einem bestimmten Anschlusspad für das Signal hergestellt werden.
  11. Die Anordnung nach Anspruch 1, wobei zumindest einige der Vielzahl der elektronenoptischen Elemente der Säule teilweise über einen ersten Satz von Fabrikationsschritten hergestellten werden, bevor zumindest einige der Vielzahl der elektronenoptischen Elemente der Säule mit einem bestimmten Anschlusspad für Masse und einem bestimmten Anschlusspad für das Signal verbunden werden, wobei zumindest einige der Vielzahl der elektronenoptischen Elemente der Säule über einen zweiten Satz von Fabrikationsschritten vollständig hergestellt werden, nachdem zumindest einige der Vielzahl der elektronenoptischen Elemente der Säule mit einem bestimmten Anschlusspad für Masse und einem bestimmten Anschlusspad für das Signal verbunden sind.
  12. Die Anordnung nach Anspruch 11, wobei der erste Satz von Fabrikationsschritten umfasst: einen Bohrvorgang, wobei der Bohrvorgang ein Loch auf Basis von zumindest einer kritischen Toleranz einiger der Vielzahl der elektronenoptischen Elemente der Säule erzeugt; und einen Schneidevorgang, wobei der Schneidevorgang eine Vielzahl von Schlitzen in zumindest einigen der Vielzahl der elektronenoptischen Elemente der Säule erzeugt, wobei die Vielzahl der Schlitze einen ersten Schlitz und zumindest einen zweiten Schlitz umfassen, wobei der erste Schlitz und der mindestens eine zweite Schlitz durch einen Teil des Lochs verlaufen, wobei der erste Schlitz und der mindestens eine zweite Schlitz sich nicht bis an den Rand des elektronenoptischen Elements der Säule erstrecken.
  13. Die Anordnung nach Anspruch 12, wobei die mindestens eine kritische Toleranz mindestens eine Größe der Bohrung oder eine Form der Bohrung umfasst.
  14. Die Anordnung nach Anspruch 12, wobei der zweite Satz der Fabrikationsschritte einen Schneidevorgang umfasst, wobei der Schneidvorgang die Vielzahl der Schlitze bis an den Rand einiger der elektronenoptischen Elemente der Säule erstreckt.
  15. Die Anordnung nach Anspruch 14, wobei die Anzahl der Vielzahl von Strahlablenksäulen von 4 Strahlablenksäulen bis 24 Strahlablenksäulen reicht.
  16. Die Anordnung nach Anspruch 1, wobei ein Bonden der Vielzahl der elektronenoptischen Elemente der Säule an das bestimmte Anschlusspad für Masse und das bestimmte Anschlusspad für das Signal zumindest einen von einem Lötprozess, einen Hartlötprozess oder einen Klebeprozess umfasst.
  17. Die Anordnung nach Anspruch 1, wobei die Vielzahl der elektronenoptischen Elemente der Säule, bevor sie mit dem bestimmten Anschlusspad für Masse und dem bestimmten Anschlusspad für das Signal verbunden sind, inspiziert wird.
  18. Die Anordnung nach Anspruch 1, wobei die Vielzahl der elektronenoptischen Elemente der Säule über einen Ausrichtungsprozess ausgerichtet werden, während sie mit einem bestimmten Anschlusspad für Masse und einem bestimmten Anschlusspad für das Signal verbunden werden, , wobei der Ausrichtungsprozess die Ausrichtung mindestens eines einer Vielzahl von lithographischen Zielmerkmalen oder einen Ausrichtungsprozess mit optischen Overlay umfasst.
  19. Ein Mehrsäulen-Rasterelektronenmikroskopie-(SEM)-System umfasst: einen Aufbau einer Säule, welche umfasst: eine erste Anordnung eines Substratarrays; und zumindest eine zweite Anordnung eines Substratarrays, wobei ein Substratarray von zumindest der ersten Anordnung eines Substratarrays oder der mindestens zweiten Anordnung eines Substratarrays umfasst: ein Verbundsubstrat, das aus einer Vielzahl von Substratschichten gebildet ist, wobei das Verbundsubstrat ein Loch für jeden der zwei oder mehreren Elektronenstrahlen aufweist; eine Vielzahl von elektrischen Komponenten, die innerhalb der Vielzahl der Substratschichten eingebettet ist; mindestens ein Anschlusspad für Masse, das mit mindestens einer oberen Oberfläche oder einer unteren Oberfläche des Verbundsubstrats gekoppelt ist; mindestens ein Anschlusspad für ein Signal, das mit mindestens einer oberen Oberfläche oder der unteren Oberfläche des Verbundsubstrats gekoppelt ist; und eine Vielzahl von elektronenoptischen Elementen einer Säulenanordnung, wobei die Vielzahl von elektronenoptischen Elementen der Säulenanordnung mit dem Verbundsubstrat über die Vielzahl der Löcher des Verbundsubstrats verbunden ist, wobei jede der Vielzahl von elektronenoptischen Elementen der Säulenanordnung mit einem bestimmten Anschlusspad für Masse und mit einem bestimmten Anschlusspad für ein Signal auf der oberen Oberfläche oder der unteren Oberfläche des Verbundsubstrats verbunden ist; ein Aufbau einer Quelle umfasst: zwei oder mehr Elektronenstrahlquellen, die derart gestaltet sind, dass die Strahlen zwei oder mehr Elektronenstrahlen erzeugen, wobei jeder der zwei oder mehr Elektronenstrahlquellen konfiguriert ist, einen Elektronenstrahl aus zwei oder mehr Elektronenstrahlen zu erzeugen; und zwei oder mehr Sätze einer Vielzahl von Positionierern, wobei jeder Satz der Vielzahl von Positionierern konfiguriert ist, um eine Position einer bestimmten Elektronenstrahlquelle der zwei oder mehr Elektronenstrahlquellen in einer Vielzahl von Richtungen anzupassen; und einen Tisch, der konfiguriert ist, um eine Probe sicher zu halten, wobei die Säulenanordnung so konfiguriert ist, dass diese zumindest einen Teil der zwei oder mehreren Elektronenstrahlen auf einen Teil der Probe lenkt.
  20. Das System nach Anspruch 19, wobei der Aufbau der Säule weiterhin umfasst: zwei oder mehr Sätze von elektronenoptischen Elementen der Quelle, wobei jedes der zwei oder mehr Sätze der elektronenoptischen Elemente der Quelle so konfiguriert ist, dass zumindest ein Teil eines Elektronenstrahls der zwei oder mehr Elektronenstrahlen durch die Säulenanordnung geleitet wird.
  21. Das System nach Anspruch 19, umfasst ferner: zwei oder mehr Detektoranordnungen, wobei die zwei oder mehr Detektoranordnungen derart positioniert sind, dass mindestens die von der Oberfläche der Probe ausgesendeten oder gestreuten Elektronen detektiert werden.
  22. Das System nach Anspruch 21, wobei die zwei oder mehr Detektoranordnungen innerhalb des Aufbaus der Säule positioniert sind.
  23. Das System nach Anspruch 19, wobei jedes der zwei oder mehr Elektronenstrahlquellen mindestens eine Schottky-Emissionsvorrichtung, einen Kohlenstoff-Nanoröhrchen (CNT) Emitter, einen nanostrukturierten Kohlenstofffilm-Emitter oder einen Muller-Emitter umfasst.
  24. Das System nach Anspruch 19, wobei die mindestens erste Anordnung des Substratarrays oder die mindestens zweite Anordnung des Substratarrays zwei oder mehr Substratarrays umfasst, wobei wenigstens eine Metallabschirmung zwischen den zwei oder mehr Substratarrays positioniert ist.
  25. Das System nach Anspruch 19, wobei die erste Anordnung des Substratarrays in einem ersten Stapel von Substratarrays angeordnet und in einem ersten Rahmen montiert ist, wobei die zumindest eine zweite Anordnung des Substratarrays in zumindest einem zweiten Stapel von Substratarrays angeordnet und in mindestens einem zweiten Rahmen montiert ist, wobei der erste Rahmen und der mindestens eine zweite Rahmen gekoppelt sind.
  26. Das System in Anspruch 25, wobei mindestens eines des Anordnens der ersten Stapels der Substratarrays, des Anordnens des zweiten Stapels der Substratarrays oder das Koppeln des ersten Rahmens und des mindestens einen zweiten Rahmens ein Ausrichten umfasst, um mindestens eines von einen Versatz in einer x-Richtung, einen Versatz in einer y-Richtung oder einen Versatz in einem Rotationswinkel zu kompensieren.
  27. Das System nach Anspruch 19, wobei die erste Anordnung des Substratarrays in einem ersten gebondeten Stapel von Substratarrays angeordnet ist, wobei die zumindest zweite Anordnung des Substratarrays in zumindest einem zweiten gebondeten Stapel von Substratarrays angeordnet ist, wobei der erste gebondete Stapel von Substratarrays und der mindestens eine zweite gebondete Stapel von Substratarrays verbunden sind.
  28. Das System nach Anspruch 27, wobei mindestens eines des Anordnens der ersten Stapel des Substratarrays, des Anordnens der zumindest zweiten Stapel des Substratarrays oder das Verbinden des ersten gebondeten Stapels von Substratarrays und des mindestens einen zweiten gebondeten Stapels von Substratarrays zumindest ein Ausrichten umfasst, um zumindest eines von einen Versatz in einer x-Richtung, einen Versatz in einer y-Richtung oder einen Versatz in einem Rotationswinkel zu kompensieren.
  29. Das System nach Anspruch 19, wobei die erste Anordnung des Substratarrays in einem ersten Stapel von Substratarrays angeordnet und in einem Rahmen montiert ist, wobei die mindestens eine zweite Anordnung des Substratarrays in zumindest einem zweiten Stapel von Substratarrays angeordnet und im gleichen Rahmen montiert ist.
  30. Das System nach Anspruch 29, wobei mindestens eines des Anordnens der ersten Anordnung der Substratarrays oder des Anordnens des zweiten Stapels der Substratarrays das Ausrichten umfasst, um einen Versatz in einer x-Richtung, einen Versatz in einer y-Richtung oder einen Versatz in einem Rotationswinkel zu kompensieren.
  31. Das System nach Anspruch 19, wobei jeder Satz der Vielzahl von Positionierern derart konfiguriert ist, dass eine Position einer bestimmten Beleuchtungsquelle in einer Vielzahl von Richtungen justierbar ist, wobei die Vielzahl der Richtungen wenigstens eine von einer x-Richtung, einer y-Richtung, oder einer z-Richtung umfasst.
  32. Das System nach Anspruch 19, wobei die Vielzahl von elektrischen Komponenten, die innerhalb der Vielzahl von Substratschichten eingebettet sind, mindestens eine von einer oder mehreren Massebahnen, einer oder mehreren Signalbahnen, einem oder mehreren Kontaktlöchern für Masse, oder einem oder mehreren Kontaktlöchern für das Signal umfasst.
  33. Das System nach Anspruch 32, wobei die mindestens eine oder mehreren Massebahnen, das eine oder die mehreren Kontaktlöchern für Masse, die eine oder mehreren Signalbahnen, oder die einen oder mehreren Kontaktlöchern für das Signal in der Vielzahl von Substratlagen vor der Ausbildung des Verbundsubstrats eingebettet sind.
  34. Das System in Anspruch 32, wobei die eine oder die mehreren Massebahnen an zumindest ein Anschlusspad für Masse mit mindestens einem oder mehreren Kontaktlöchern für Masse elektrisch gekoppelt sind.
  35. Das System nach Anspruch 32, wobei die einen oder mehreren Signalbahnen an zumindest ein Anschlusspad für das Signal mit mindestens einem oder mehreren Kontaktlöchern für das Signal elektrisch gekoppelt sind.
  36. Ein Verfahren, umfasst: ein Ausbilden einer Vielzahl von Substratarrays, wobei das Ausbilden der Substratarrays aus der Vielzahl von Substratarrays umfasst: Einbetten einer oder mehrere Komponenten in einer Vielzahl von Substratschichten; Ausbilden eines ein Verbundsubstrat aus der Vielzahl der Substratschichten; Bohren einer Vielzahl von Löchern in das Verbundsubstrat; Koppeln mindestens eines Anschlusspads für Masse mit mindestens einer oberen Oberfläche oder einer unteren Oberfläche des Verbundsubstrats; Koppeln mindestens eines Anschlusspads für ein Signal mit mindestens einer oberen Oberfläche oder einer unteren Oberfläche des Verbundsubstrats; und Bonden einer Vielzahl von elektronenoptischen Elementen einer Säulenanordnung mit einem bestimmten Anschlusspad für Masse und einem bestimmten Anschlusspad für das Signal, die mit mindestens einer der oberen Oberfläche oder der unteren Oberfläche des Verbundsubstrats gekoppelt werden, wobei jedes der Vielzahl der elektronenoptischen Elementen der Säulenanordnung über der Vielzahl von Löchern in dem Verbundsubstrats positioniert werden; Sortieren der Vielzahl der Substratarrays in eine erste Anordnung von Substratarrays und mindestens eine zweite Anordnung von Substratarrays; und Ausbilden einer Säulenanordnung aus der ersten Anordnung von Substratarrays und der mindestens einen zweiten Anordnung von Substratarrays.
  37. Das Verfahren nach Anspruch 36, wobei zumindest einige der Vielzahl der elektronenoptischen Elemente der Säule teilweise über einen ersten Satz von Fabrikationsschritten hergestellten werden, bevor zumindest einige der Vielzahl der elektronenoptischen Elemente der Säule mit einem bestimmten Anschlusspad für Masse und einem bestimmten Anschlusspad für das Signal verbunden werden, wobei zumindest einige der Vielzahl der elektronenoptischen Elemente der Säule über einen zweiten Satz von Fabrikationsschritten vollständig hergestellt werden, nachdem zumindest einige der Vielzahl der elektronenoptischen Elemente der Säule mit einem bestimmten Anschlusspad für Masse und einem bestimmten Anschlusspad für das Signal verbunden werden.
  38. Das Verfahren nach Anspruch 37, wobei der erste Satz von Fabrikationsschritten umfasst: Bohren eines Lochs, das auf zumindest einer kritischen Toleranz einiger der Vielzahl der elektronenoptischen Elemente der basiert; und Schneiden einer Vielzahl von Schlitzen in zumindest einige der Vielzahl der elektronenoptischen Elemente der Säule, wobei die Vielzahl der Schlitze einen ersten Schlitz und zumindest einen zweiten Schlitz umfassen, wobei der erste Schlitz und der mindestens eine zweite Schlitz durch einen Teil des Lochs verlaufen, wobei der erste Schlitz und der mindestens eine zweite Schlitz sich nicht bis an den Rand des elektronenoptischen Elements der Säule erstrecken.
  39. Das Verfahren nach Anspruch 38, wobei die mindestens eine kritische Toleranz mindestens eine Größe der Bohrung oder eine Form der Bohrung umfasst.
  40. Das Verfahren nach Anspruch 38, wobei der zweite Satz der Fabrikationsschritte einen Schneidevorgang umfasst, der die Vielzahl der Schlitze schneidet, die sich bis an den Rand einiger der elektronenoptischen Elemente der Säule erstrecken.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11373838B2 (en) 2018-10-17 2022-06-28 Kla Corporation Multi-beam electron characterization tool with telecentric illumination
US20200194223A1 (en) * 2018-12-14 2020-06-18 Kla Corporation Joint Electron-Optical Columns for Flood-Charging and Image-Forming in Voltage Contrast Wafer Inspections
US10978270B2 (en) 2018-12-19 2021-04-13 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, interchangeable multi-aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device
SG11202106369RA (en) * 2018-12-31 2021-07-29 Asml Netherlands Bv Multi-beam inspection apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7109486B1 (en) 2004-06-18 2006-09-19 Novelx, Inc. Layered electron beam column and method of use thereof
US7335895B1 (en) 2004-06-18 2008-02-26 Novelx, Inc. Stacked lens structure and method of use thereof for preventing electrical breakdown
US8106358B2 (en) 2009-03-04 2012-01-31 Agilent Technologies, Inc. Layered scanning charged particle microscope with differential pumping aperture
US8513619B1 (en) 2012-05-10 2013-08-20 Kla-Tencor Corporation Non-planar extractor structure for electron source

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4419580A (en) * 1981-06-26 1983-12-06 Control Data Corporation Electron beam array alignment means
US5412539A (en) * 1993-10-18 1995-05-02 Hughes Aircraft Company Multichip module with a mandrel-produced interconnecting decal
JPH09139184A (ja) * 1995-11-15 1997-05-27 Nikon Corp 静電偏向器の製造方法
JP3402998B2 (ja) * 1997-03-18 2003-05-06 株式会社東芝 荷電ビーム描画装置用静電偏向電極の製造方法
US6255601B1 (en) 1997-04-01 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Conductive feedthrough for a ceramic body and method of fabricating same
US9054094B2 (en) 1997-04-08 2015-06-09 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit
US6369385B1 (en) * 1999-05-05 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Integrated microcolumn and scanning probe microscope arrays
US6465783B1 (en) * 1999-06-24 2002-10-15 Nikon Corporation High-throughput specimen-inspection apparatus and methods utilizing multiple parallel charged particle beams and an array of multiple secondary-electron-detectors
JP3763446B2 (ja) * 1999-10-18 2006-04-05 キヤノン株式会社 静電レンズ、電子ビーム描画装置、荷電ビーム応用装置、および、デバイス製造方法
JP3749107B2 (ja) * 1999-11-05 2006-02-22 ファブソリューション株式会社 半導体デバイス検査装置
WO2001039243A1 (en) 1999-11-23 2001-05-31 Ion Diagnostics, Inc. Electron optics for multi-beam electron beam lithography tool
US6414835B1 (en) 2000-03-01 2002-07-02 Medtronic, Inc. Capacitive filtered feedthrough array for an implantable medical device
JP2001284230A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法
KR20030028461A (ko) * 2000-04-04 2003-04-08 주식회사 아도반테스토 다축전자렌즈를 이용한 멀티빔 노광장치, 반도체소자제조방법
JP3485888B2 (ja) * 2000-12-27 2004-01-13 株式会社日立製作所 電子ビーム描画装置及びそれを用いて作製された半導体デバイス
EP1271604A4 (de) * 2001-01-10 2005-05-25 Ebara Corp Untersuchungsvorrichtung und untersuchungs-verfahren mit elektronenstrahl und bauelemente-herstellungsverfahren mit der untersuchungs-vorrichtung
JP4246401B2 (ja) * 2001-01-18 2009-04-02 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置及び電子ビーム偏向装置
US6791083B2 (en) 2002-07-29 2004-09-14 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Image compensation device for a scanning electron microscope
JP2004165076A (ja) * 2002-11-15 2004-06-10 Advantest Corp 偏向器の製造方法、偏向器、及び露光装置
KR100456237B1 (ko) * 2002-11-22 2004-11-09 한국전자통신연구원 마이크로컬럼 전자빔 장치의 편향기 및 그 제작 방법
CN101630623B (zh) * 2003-05-09 2012-02-22 株式会社荏原制作所 基于带电粒子束的检查装置及采用了该检查装置的器件制造方法
EP2579274A1 (de) * 2003-09-05 2013-04-10 Carl Zeiss SMT GmbH Optische Partikelsysteme und Anordnungen und optische Partikelkomponenten für solche Systeme und Anordnungen
US7098456B1 (en) * 2004-08-13 2006-08-29 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus for accurate e-beam metrology
US7598594B2 (en) * 2004-12-20 2009-10-06 Electronics And Telecommunications Research Institute Wafer-scale microcolumn array using low temperature co-fired ceramic substrate
KR100670945B1 (ko) * 2004-12-20 2007-01-17 한국전자통신연구원 Ｌｔｃｃ 기판을 이용한 웨이퍼 규모의 마이크로칼럼어레이
US7394071B2 (en) * 2004-12-20 2008-07-01 Electronics And Telecommunications Research Institute Micro column electron beam apparatus formed in low temperature co-fired ceramic substrate
TWI256660B (en) * 2005-04-22 2006-06-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Carbon nanotube array and method for making the same
US7259373B2 (en) * 2005-07-08 2007-08-21 Nexgensemi Holdings Corporation Apparatus and method for controlled particle beam manufacturing
JP4588602B2 (ja) * 2005-09-30 2010-12-01 株式会社トプコン 静電偏向器の製造方法
DE102008010123A1 (de) * 2007-02-28 2008-09-04 Ims Nanofabrication Ag Vielstrahl-Ablenkarray-Einrichtung für maskenlose Teilchenstrahl-Bearbeitung
US7823440B2 (en) * 2007-08-16 2010-11-02 Micron Technology, Inc. Systems and methods for characterizing thickness and topography of microelectronic workpiece layers
KR101276198B1 (ko) * 2008-05-27 2013-06-18 전자빔기술센터 주식회사 전자 칼럼용 다중극 렌즈
US8198601B2 (en) * 2009-01-28 2012-06-12 Ims Nanofabrication Ag Method for producing a multi-beam deflector array device having electrodes
US8115168B2 (en) 2009-03-04 2012-02-14 Agilent Technologies, Inc. Layered scanning charged particle apparatus package having an embedded heater
TWI497557B (zh) * 2009-04-29 2015-08-21 Mapper Lithography Ip Bv 包含靜電偏轉器的帶電粒子光學系統
EP2251893B1 (de) * 2009-05-14 2014-10-29 IMS Nanofabrication AG Mehrstrahlen-Ablenkarray mit verbundenen Elektroden
US8698006B2 (en) 2009-06-04 2014-04-15 Morgan Advanced Ceramics, Inc. Co-fired metal and ceramic composite feedthrough assemblies for use at least in implantable medical devices and methods for making the same
WO2011051305A1 (en) * 2009-10-26 2011-05-05 Mapper Lithography Ip B.V. Charged particle multi-beamlet lithography system, with modulation device
US8618513B2 (en) 2011-05-23 2013-12-31 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for forming an electrical conduction path through an insulating layer
NL2006868C2 (en) * 2011-05-30 2012-12-03 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle multi-beamlet apparatus.
EP2557584A1 (de) 2011-08-10 2013-02-13 Fei Company Mikroskopiebildgebungsverfahren mit geladenen Teilchen
JP6025378B2 (ja) 2012-04-20 2016-11-16 キヤノン株式会社 電子顕微鏡および試料の観察方法
US9591770B2 (en) 2013-04-26 2017-03-07 Kla-Tencor Corporation Multi-layer ceramic vacuum to atmosphere electric feed through
EP2801997B1 (de) * 2013-05-06 2016-03-09 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Elektronenstrahl-Waferprüfsystem und Verfahren zu dessen Betrieb
US9842724B2 (en) 2015-02-03 2017-12-12 Kla-Tencor Corporation Method and system for imaging of a photomask through a pellicle
US9666407B2 (en) * 2015-02-25 2017-05-30 Industry-University Cooperation Foundation Sunmoon University Electrostatic quadrupole deflector for microcolumn
US9922799B2 (en) * 2015-07-21 2018-03-20 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
US9754759B2 (en) * 2015-11-20 2017-09-05 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, and method of manufacturing an electrostatic multipole device
JP6861508B2 (ja) * 2016-12-08 2021-04-21 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム露光方法及びマルチ荷電粒子ビーム露光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7109486B1 (en) 2004-06-18 2006-09-19 Novelx, Inc. Layered electron beam column and method of use thereof
US7335895B1 (en) 2004-06-18 2008-02-26 Novelx, Inc. Stacked lens structure and method of use thereof for preventing electrical breakdown
US8106358B2 (en) 2009-03-04 2012-01-31 Agilent Technologies, Inc. Layered scanning charged particle microscope with differential pumping aperture
US8513619B1 (en) 2012-05-10 2013-08-20 Kla-Tencor Corporation Non-planar extractor structure for electron source

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