KR20190105242A - 다중 컬럼 스캐닝 전자 현미경 시스템 - Google Patents

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케이엘에이 코포레이션
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Abstract

다중 컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 시스템은 컬럼 어셈블리를 포함하고, 컬럼 어셈블리는 제1 기판 어레이 어셈블리 및 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리를 포함한다. 시스템은 또한 소스 어셈블리를 포함하고, 소스 어셈블리는 두 개 이상의 전자 빔들을 생성하도록 구성된 두 개 이상의 조명 소스들 및 두 개 이상의 조명 소스들 중 특정 조명 소스의 위치를 복수의 방향들로 조정하도록 구성된 두 개 이상의 세트들의 복수의 포지셔너들을 포함한다. 시스템은 또한 샘플을 고정하도록 구성된 스테이지를 포함하고, 컬럼 어셈블리는 두 개 이상의 전자 빔들 중 적어도 일부를 샘플의 일부로 지향시킨다.

Description

다중 컬럼 스캐닝 전자 현미경 시스템
본 출원은 2017년 2월 3일자로 Robert Haynes, Aron Welk 및 Mehran Nasser Ghodsi를 발명자로 하여, METHOD OF COLUMN QUADRUPOLE OR OCTUPOLE ALIGNMENT, BONDING AND POST-MACHINING이라는 명칭으로 출원된 미국 가출원 No. 62/454,715 호; 및 2017년 2월 7일자로 Aron Welk, Robert Haynes, Tomas Plettner 및 John Gerling을 발명자로 하여, COLUMN MANUFACTURINGING AND ASSEMBLY라는 명칭으로 출원된 미국 가출원 No. 62/455,955에 대해 35 USC § 119(e)하의 우선권을 주장하며, 이들 가출원은 각각 그 전체가 본 명세서에서 참조로 포함된다.
본 발명은 일반적으로 웨이퍼 및 포토마스크/레티클 검사 및 검토에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 및 포토마스크/레티클 검사 및 검토 중에 사용하기 위한 다중 컬럼 스캐닝 전자 현미경 시스템(multi-column scanning electron microscopy system) 용 컬럼 어셈블리에 관한 것이다.
로직 및 메모리 디바이스와 같은 반도체 디바이스의 제조는 전형적으로 다양한 피처들 및 다수 레벨들의 반도체 디바이스를 형성하기 위해 다수의 반도체 제조 공정을 사용하여 반도체 디바이스를 처리하는 단계를 포함한다. 일부 제조 공정들은 포토마스크/레티클을 사용하여 웨이퍼와 같은 반도체 디바이스 상에 피처들을 인쇄한다. 반도체 디바이스의 크기가 점점 작아짐에 따라, 웨이퍼 및 포토마스크/레티클 검사 공정의 해상도, 속도 및 처리량을 높이기 위해 향상된 검사 및 검토 디바이스 및 절차를 개발하는 것이 중요해진다.
한 가지 검사 기술은 스캐닝 전자 현미경(scanning electron microscopy; SEM)과 같은 전자 빔 기반 검사를 포함한다. 일부 예에서, 스캐닝 전자 현미경은 단일 전자 빔을 다수의 빔들로 분할하고 단일 전자 광학 컬럼(single electron-optical column)을 이용함으로써 수행되어 다수의 빔들(예를 들어, 다중 빔 SEM 시스템)을 개별적으로 튜닝하고 스캔한다. 그러나, N 개의 빔이 글로벌 레벨(global level)로 튜닝되므로 그리고 개별 이미지가 최적화될 수 없으므로, 빔을 N 개의 더 낮은 전류 빔들로 분할하는 것은 전통적으로 다중 빔 SEM 시스템의 해상도를 감소시킨다. 또한, 빔을 N 개의 빔들로 분할하면 이미지를 얻기 위해 더 많은 스캔과 평균이 필요하게 되며, 이는 다중 빔 SEM 시스템의 속도와 처리량을 감소시킨다. 이러한 문제는 전자 광학 컬럼 어레이 크기가 증가함에 따라 증가한다.
다른 예에서, 스캐닝 전자 현미경은 증가된 수의 전자 광학 컬럼들을 포함하는 SEM 시스템(예를 들어, 다중 컬럼 SEM 시스템)을 통해 수행된다. 전통적으로, 이러한 전자 광학 컬럼은 금속, 세라믹 링 및 전자석의 개별 스택이다. 이러한 개별 스택은 웨이퍼, 포토마스크/레티클 스캔 속도를 최적화하기 위한 이상적인 피치와 함께 배치되기에는 너무 크고, 사용 가능한 영역에 상당한 수의 전자 광학 컬럼들을 패킹할 수 있도록 소형화될 수 없으며, 그 결과 다중 컬럼 SEM 시스템의 스택의 수를 (예를 들면, 네 개의 스택으로) 제한하게 된다. 또한, 개별 스택이 있으면 전자 광학 컬럼 매칭, 컬럼 간 크로스 토크 및 잘못된 충전의 문제를 초래한다.
또한, 전자 광학 컬럼이 점점 작아짐에 따라 전자 광학 컬럼 용 다중 극 빔 편향기(multipole beam deflector)(예를 들어 4극(quadrupole) 또는 8극(octupole) 빔 편향기) 요소와 같은 개별 컴포넌트를 제조할 때 크기 제한이 존재한다. 다중 극 빔 편향기를 제조하는 하나의 방법은 다중 극 빔 편향기의 극들(poles)을 분할하고 전기적으로 격리하는 금속 비아에서 임계 공차 렌즈 보어들(critical tolerance lens bores) 및 방사상 슬롯들(radial slots)의 어레이를 제조하는 단계를 포함한다. 전자 광학 컬럼 크기가 줄어듦에 따라, 다중 극 빔 편향기는 전체 요소를 잠재적으로 사용할 수 없게 만들 수 있는 제조 오차가 더욱 발생하기 쉽고, 이는 제조 공정의 수율을 감소시킨다. 다중 극 빔 편향기를 제조하는 다른 방법은 다중 극 빔 편향기의 개별 극들을 미리 제조한 다음에 개별 극들을 개별적으로 쌍으로 또는 정렬 고정구를 통해 함께 본딩하는 단계를 포함한다. 이러한 방법은 제조 시간 측면에서 제한이며 개별 극들의 근접성으로 인해 제조 방법을 선택하는 것으로 제한된다. 또한, 이러한 방법은, 다중 극 빔 편향기의 개별 극들의 상대적인 배치 오차에 의해 제조 공차가 영향을 받기 때문에, 그 공차를 유지하는 데 있어서 오차가 발생하기 쉽다. 또한, 다중 극 빔 편향기의 개별 극들을 정렬 및 본딩할 때 원하는 임계 공차를 유지하려면 정밀하고 미미한 툴링이 필요하다. 이러한 툴링은 본딩 공정 동안 상당한 열 질량을 추가할 수 있으며, 툴링에 필요한 공간은 후속 전자 광학 컬럼 간격을 제한할 수 있다.
그러므로 위에서 설명한 단점을 해결하는 시스템을 제공하는 것이 유리할 것이다.
본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 기판 어레이가 개시된다. 일 실시예에서, 기판 어레이는 복수의 기판층들로 형성된 복합 기판을 포함한다. 다른 실시예에서, 복합 기판은 복수의 홀들을 포함한다. 다른 실시예에서, 기판 어레이는 복수의 기판층들 내에 임베딩된 복수의 전기 컴포넌트들을 포함한다. 다른 실시예에서, 기판 어레이는 복합 기판의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 결합된 적어도 하나의 접지 본딩 패드를 포함한다. 다른 실시예에서, 기판 어레이는 복합 기판의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 결합된 적어도 하나의 신호 본딩 패드를 포함한다. 다른 실시예에서, 기판 어레이는 복수의 컬럼 전자 광학 요소들을 포함한다. 다른 실시예에서, 복수의 컬럼 전자 광학 요소들은 복합 기판 내의 복수의 홀들 위에 위치된다. 다른 실시예에서, 복수의 컬럼 전자 광학 요소들 각각은 복합 기판의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 결합된 특정 접지 본딩 패드 및 특정 신호 본딩 패드에 본딩된다.
본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 다중 컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 시스템이 개시된다. 일 실시예에서, 시스템은 컬럼 어셈블리를 포함한다. 다른 실시예에서, 컬럼 어셈블리는 제1 기판 어레이 어셈블리를 포함한다. 다른 실시예에서, 컬럼 어셈블리는 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리를 포함한다. 다른 실시예에서, 제1 기판 어레이 어셈블리 또는 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리 중 적어도 하나는 기판 어레이를 포함한다. 다른 실시예에서, 기판 어레이는 복수의 기판층들로 형성된 복합 기판을 포함한다. 다른 실시예에서, 복합 기판은 복수의 홀들을 포함한다. 다른 실시예에서, 기판 어레이는 복수의 기판층들 내에 임베딩된 복수의 전기 컴포넌트들을 포함한다. 다른 실시예에서, 기판 어레이는 복합 기판의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 결합된 적어도 하나의 접지 본딩 패드를 포함한다. 다른 실시 예에서, 기판 어레이는 복합 기판의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 결합 된 적어도 하나의 신호 본딩 패드를 포함한다. 다른 실시예에서, 기판 어레이는 복수의 컬럼 전자 광학 요소들을 포함한다. 다른 실시예에서, 복수의 컬럼 전자 광학 요소들은 복합 기판 내의 복수의 홀들 위에 위치된다. 다른 실시예에서, 복수의 컬럼 전자 광학 요소들 각각은 복합 기판의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 결합된 특정 접지 본딩 패드 및 특정 신호 본딩 패드에 본딩된다.
다른 실시예에서, 시스템은 소스 어셈블리를 포함한다. 다른 실시예에서, 소스 어셈블리는 두 개 이상의 전자 빔들을 생성하도록 구성된 두 개 이상의 전자 빔 소스들을 포함한다. 다른 실시예에서, 두 개 이상의 전자 빔 소스들 각각은 전자 빔을 생성하도록 구성된다. 다른 실시예에서, 소스 어셈블리는 두 개 이상의 세트들의 복수의 포지셔너들(positioners)을 포함한다. 다른 실시예에서, 각각의 세트의 복수의 포지셔너들은 두 개 이상의 조명 소스들 중 특정 조명 소스의 위치를 복수의 방향들로 조정하도록 구성된다. 다른 실시예에서, 시스템은 샘플을 고정하도록 구성된 스테이지를 포함한다. 다른 실시예에서, 컬럼 어셈블리는 두 개 이상의 전자 빔들 중 적어도 일부를 샘플의 일부로 지향시키도록 구성된다.
본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 방법이 개시된다. 일 실시예에서, 방법은, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 복수의 기판 어레이들을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 복수의 기판 어레이들의 기판 어레이를 형성하는 단계는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 복수의 기판층 내에 하나 이상의 컴포넌트를 임베딩하는 단계를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 복수의 기판 어레이들의 기판 어레이를 형성하는 단계는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 복수의 기판층들로 복합 기판을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 복수의 기판 어레이들의 기판 어레이를 형성하는 단계는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 복합 기판에서 복수의 홀들을 보링(boring)하는 단계를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 복수의 기판 어레이들의 기판 어레이를 형성하는 단계는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 적어도 하나의 접지 본딩 패드를 복합 기판의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 결합하는 단계를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 복수의 기판 어레이들의 기판 어레이를 형성하는 단계는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 적어도 하나의 신호 본딩 패드를 복합 기판의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 결합하는 단계를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 복수의 기판 어레이들의 기판 어레이를 형성하는 단계는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 복수의 컬럼 전자 광학 요소들을 복합 기판의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 결합된 특정 접지 본딩 패드 및 특정 신호 본딩 패드에 본딩하는 단계를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 복수의 컬럼 전자 광학 요소들 각각은 복합 기판 내의 복수의 홀들 위에 위치된다.
다른 실시예에서, 방법은, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 복수의 기판 어레이들을 제1 기판 어레이 어셈블리 및 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리로 소팅(sorting)하는 단계를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 방법은, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 제1 기판 어레이 어셈블리 및 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리로 컬럼 어셈블리를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
전술한 일반적인 설명 및 다음의 상세한 설명은 둘 다 예시적이고 설명적인 것일 뿐이지 반드시 본 개시내용을 제한하는 것은 아니라는 것을 이해하여야 한다. 특징에 포함되어 특징의 일부를 구성하는 첨부 도면은 본 개시내용의 주제를 도시한다. 상세한 설명 및 도면은 본 개시내용의 원리를 설명하는 역할을 한다.
본 개시내용의 많은 장점들은 관련 기술분야의 통상의 기술자가 다음의 첨부 도면을 참조함으로써 더 잘 이해될 수 있다:
도 1은 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 컬럼 어셈블리를 구비한 다중 컬럼(multi-column) 스캐닝 전자 현미경(scanning electron microscopy; SEM) 시스템의 간략화된 개략도이다.
도 2a는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 다중 컬럼 SEM 시스템 용 컬럼 어셈블리의 단면도이다.
도 2b는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 컬럼 어셈블리 용 기판 어레이이다.
도 2c는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 컬럼 어셈블리 용 기판 어레이의 단면도이다.
도 3a는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 부분적으로 제조된 다중 극 빔 편향기의 등각도이다. 도 3b는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 부분적으로 제조된 다중 극 빔 편향기의 저면도이다.
도 3c는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 부분적으로 제조된 다중 극 빔 편향기의 단면도이다.
도 3d는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 완전하게(fully) 제조된 다중 극 빔 편향기를 구비하는 기판 어레이이다.
도 4는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 다중 컬럼 SEM 시스템 용 컬럼 어셈블리를 제조하기 위한 방법이다.
이제 첨부 도면에 도시된 개시된 주제에 대해 상세하게 언급될 것이다.
일반적으로 도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 개시내용에 따른 다중 컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 시스템이 설명된다.
본 개시내용의 실시예는 컬럼 어셈블리를 포함하는 다중 컬럼 SEM 시스템에 관한 것이다. 본 개시내용의 추가 실시예는 컬럼 어셈블리를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 개시내용의 추가 실시예는 전자 광학 컬럼에 사용하기 위한 기판 어레이에 관한 것이다.
다중 컬럼 스캐닝 전자 현미경은 Robert Haynes 등을 발명자로 하는 MULTI-COLUMN SCANNING ELECTRON MICROSCOPY SYSTEM이라는 명칭의 변리사 사건 관리 No. KLA P5068에 상세하게 설명되어 있으며, 그 전체 내용은 본 명세서에서 참조로 포함된다.
도 1은 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 샘플의 SEM 이미징을 수행하기 위한 전자 광학 시스템(electron-optical system, 100)을 도시한다. 일 실시예에서, 전자 광학 시스템(100)은 다중 컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 시스템이다. 본 개시내용은 다중 컬럼 SEM 시스템과 연관된 전자 광학 배열체에 주로 초점을 맞추지만, 이것은 본 개시내용의 범위를 제한하는 것을 나타내는 것이 아니고 단지 예시의 목적으로 제공된다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 본 개시내용을 통해 설명된 실시예는 임의의 전자 광학 시스템 구성으로 확장될 수 있다는 것이 또한 본 명세서에서 주목된다. 본 개시내용의 전반에 걸쳐 설명된 실시예는 현미경 및/또는 이미징을 위한 임의의 광학 시스템 구성으로 확장될 수 있다는 것이 또한 본 명세서에서 주목된다.
일 실시예에서, 시스템(100)은 소스 어셈블리(101)를 포함한다. 다른 실시예에서, 소스 어셈블리(101)는 하나 이상의 조명 소스(102)를 포함한다. 예를 들어, 하나 이상의 조명 빔 소스(102)는 하나 이상의 전자 빔 소스(102)를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 조명 빔 소스(102)는 관련 기술분야에서 공지된 임의의 조명 빔 소스를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 전자 빔 소스(102)는 하나 이상의 전자 빔(103)을 생성하고 하나 이상의 전자 빔(103)을 하나 이상의 세트의 소스 전자 광학 요소들(104)로 지향시킨다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 전자 빔 소스(102)는 하나 이상의 세트의 포지셔너들(106)에 연결된다.
다른 실시예에서, 시스템(100)은 하나 이상의 전자 광학 컬럼(130)을 포함하는 컬럼 어셈블리(110)를 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 세트의 소스 전자 광학 요소들(104)은 컬럼 어셈블리(110)를 통해 하나 이상의 전자 빔(103)을 지향시킨다.
다른 실시예에서, 시스템(100)은 샘플(142)을 고정하도록 구성된 스테이지(140)를 포함한다. 다른 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)는 하나 이상의 전자 빔(103)을 샘플(142)의 표면으로 지향시킨다. 다른 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)는 전자 빔(103)에 응답하여 샘플(142)의 표면으로부터 방출되고/방출되거나 산란된 하나 이상의 전자(141)를 검출하기 위한 하나 이상의 전자 검출기(150)를 포함한다.
하나 이상의 전자 빔 소스(102)는 하나 이상의 전자 빔(103)을 생성하기에 적합한 관련 기술분야에서 공지된 임의의 전자 빔 소스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 전자 빔 소스(102)는 다수의 전자 빔들(103)을 생성하기 위한 다수의 전자 빔 소스들(102)을 포함할 수 있으며, 여기서 각각의 전자 빔 소스(102)는 전자 빔(103)을 생성한다. 다른 예로서, 하나 이상의 전자 빔 소스(102)는 단일 전자 빔(103)을 생성하는 단일 전자 빔 소스(102)를 포함할 수 있으며, 여기서 단일 전자 빔(103)은 하나 이상의 조명 소스 광학 요소(예를 들어, 조리개 어레이)를 통해 다수의 전자 빔(103)으로 분할된다.
다른 실시예에서, 전자 빔 소스(102)는 하나 이상의 전자 이미터(electron emitter)를 포함한다. 예를 들어, 하나 이상의 이미터는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 하나 이상의 전계 방출 총(field emission gun; FEG)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 FEG은, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 하나 이상의 쇼트키형 이미터(Schottky-type emitter)를 포함할 수 있다. 쇼트키형 이미터의 직경은 전자 광학 컬럼(130)의 정렬을 위해 충분한 양의 여유(clearance)를 제공하면서, 전자 광학 컬럼(130)의 피치 간격 내에 맞도록 선택될 수 있다는 것이 주목된다. 또한, 하나 이상의 FEG은, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 하나 이상의 탄소 나노튜브(carbon nanotube; CNT) 이미터, 하나 이상의 나노구조 탄소 막 이미터(nanostructured carbon film emitter) 및/또는 하나 이상의 뮬러 타입 이미터(Muller-type emitter)를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 이미터는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 하나 이상의 포토캐소드 이미터(photocathode emitter)를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 이미터는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 하나 이상의 실리콘 이미터(silicon emitter)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 소스 어셈블리(101)는 전자 빔 소스(102)를 작동시키는 하나 이상의 세트의 포지셔너들(106)을 포함한다. 예를 들어, 소스 어셈블리(101)는 다수 세트의 포지셔너들(106)을 포함할 수 있으며, 여기서 각 세트의 포지셔너들(106)은 전자 빔 소스(102)를 작동시키도록 구성된다. 다른 예로서, 소스 어셈블리(101)는 다수의 전자 빔 소스들(102)을 작동시키도록 구성된 (예를 들어, 다수의 전자 빔 소스들(102)을 글로벌 규모로 작동시키도록 구성된) 단일 세트의 포지셔너들(106)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 세트의 포지셔너들(106)은 하나 이상의 전자 빔 소스에 전기적으로 결합된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 세트의 포지셔너들(106)은 하나 이상의 전자 빔 소스(102)에 기계적으로 결합된다.
다른 실시예에서, 각 세트의 포지셔너들(106)은 하나 이상의 선형 방향(예를 들어, x 방향, y 방향 및/또는 z 방향)을 따라 전자 빔 소스(102)를 평행이동시키도록 구성된 하나 이상의 포지셔너(106)를 포함한다. 예를 들어, 세 개의 포지셔너들(106)이 전자 빔 소스(102)를 평행이동시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 세 개의 포지셔너들은 전자 빔 소스(102)를 x 방향으로 조정하도록 구성된 제1 포지셔너(106), 전자 빔 소스(102)를 y 방향으로 조정하도록 구성된 제2 포지셔너(106), 및 전자 빔 소스(102)를 z 방향으로 조정하도록 구성된 제3 포지셔너(106)를 포함할 수 있다. 본 명세서에서, 하나 이상 세트의 포지셔너들 각각 내의 포지셔너들의 적층 순서는 순전히 예시를 위해 제공되며, 본 개시내용의 목적을 제한하는 것으로 이해되지 않아야 한다는 것이 주목된다.
일 실시예에서, 소스 어셈블리(101)는 하나 이상의 세트의 전자 광학 요소들(104)을 포함한다. 예를 들어, 소스 어셈블리(101)는 다수의 전자 빔들(103) 각각 마다 한 세트의 소스 전자 광학 요소들(104)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상 세트의 소스 전자 광학 요소들(104)은 전자 빔(103)의 적어도 일부를 컬럼 어셈블리(110)에 포커싱 및/또는 지향시키기에 적합한 관련 기술분야에서 공지된 임의의 전자 광학 요소를 포함한다. 예를 들어,하나 이상의 세트의 전자 광학 요소들(104)은, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 하나 이상의 전자 광학 렌즈(예를 들어, 하나 이상의 자기 콘덴서 렌즈(magnetic condenser lense) 및/또는 하나 이상의 자기 초점 렌즈(magnetic focus lense))를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 세트의 소스 전자 광학 요소들(104)은 하나 이상의 추출기(또는 추출기 전극들)를 포함할 수 있다. 본 명세서에서, 하나 이상의 추출기는 관련 기술분야에서 공지된 임의의 전자 빔 추출기 구성을 포함할 수 있다는 것이 주목된다. 예를 들어, 하나 이상의 추출기는 하나 이상의 평면 추출기(planar extractors)를 포함할 수 있다. 또한, 하나 이상의 추출기는 하나 이상의 비평면 추출기(non-planar extractors)를 포함할 수 있다. 전자 빔 소스에서 평면 및 비평면 추출기를 사용하는 것은 2013년 8월 20일자로 허여된 U.S. 특허 No. 8,513,619에 일반적으로 기재되어 있으며, 이 특허는 그 전체 내용이 본 명세서에서 참조로 포함된다.
다른 실시예에서, 소스 어셈블리(101)는 아무 소스 전자 광학 요소들(104)도 포함하지 않는다. 이러한 실시예에서, 하나 이상의 전자 빔(103)은 컬럼 어셈블리(110)의 각각의 전자 광학 컬럼(130) 내에 위치된 하나 이상의 컬럼 전자 광학 요소(210)에 의해 포커싱되고 및/또는 지향된다. 예를 들어, 하나 이상의 컬럼 전자 광학 요소(210)는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 본 명세서에서 이미 상세히 설명된 하나 이상의 추출기를 포함할 수 있다. 그러므로 위의 설명은 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 해석되지 않고 단지 예시인 것으로 해석되어야 한다.
소스 어셈블리(101)는 본 명세서에서 이미 그 전체 내용이 참조로서 포함된 변리사 사건 관리 No. KLA P5068에 더 상세하게 설명되어 있다.
일 실시예에서, 시스템(100)은 컬럼 어셈블리(110)를 포함한다. 다른 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)는 하나 이상의 기판 어레이 어셈블리(120)를 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 기판 어레이 어셈블리(120)는 하나 이상의 기판 어레이(200)를 포함한다. 다른 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)는 전자 빔들(103) 각각 마다 하나의 전자 광학 컬럼(130)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 전자 광학 컬럼(130)은 하나 이상의 세트의 컬럼 전자 광학 요소들(210)을 하나 이상의 기판 어레이(200)에 본딩함으로써 형성된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 전자 광학 컬럼(130)은 하나 이상의 전자 빔(103)의 적어도 일부를 샘플(142)의 표면으로 지향시킨다. 컬럼 어셈블리(110), 기판 어레이 어셈블리(120), 전자 광학 컬럼(130), 기판 어레이(200) 및 컬럼 전자 광학 요소(210)가 본 명세서에서 더 상세히 설명된다는 것이 주목된다.
일 실시예에서, 스테이지(140)는 샘플(142)을 고정하도록 구성된다. 다른 실시예에서, 샘플 스테이지(140)는 작동 가능한 스테이지이다. 예를 들어, 샘플 스테이지(140)는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 하나 이상의 선형 방향(예를 들어, x 방향, y 방향 및/또는 z 방향)을 따라 샘플(142)을 선택적으로 평행이동시키기에 적합한 하나 이상의 평행이동 스테이지를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 샘플 스테이지(140)는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 회전 방향을 따라 샘플(142)을 선택적으로 회전시키기에 적합한 하나 이상의 회전 스테이지를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 샘플 스테이지(140)는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 샘플을 선형 방향을 따라 선택적으로 평행이동시키고 및/또는 샘플(142)을 회전 방향을 따라 회전시키기에 적합한 회전 스테이지 및 평행이동 스테이지를 포함할 수 있다.
샘플(142)은 전자빔 현미경으로 검사/검토하기에 적합한 임의의 샘플을 포함한다. 일 실시예에서, 샘플은 웨이퍼를 포함한다. 예를 들어, 샘플은, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 반도체 웨이퍼를 포함할 수 있다. 본 개시내용을 통해 사용되는 것으로, "웨이퍼"라는 용어는 반도체 및/또는 비 반도체 재료로 형성된 기판을 지칭한다. 예를 들어, 반도체 또는 반도체 재료는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 단결정 실리콘, 갈륨 비소 및 인듐 인화물을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 샘플(142)은 전자 빔(103)에 응답하여 전자(141)를 방출 및/또는 산란한다. 예를 들어, 전자(141)는 이차 전자(141) 및/또는 후방 산란 전자(141)일 수 있다.
일 실시예에서, 하나 이상의 전자 검출기(150)는 하나 이상의 전자 광학 컬럼(130) 내에 위치되므로, 각각의 전자 광학 컬럼(130)은 하나 이상의 전자 검출기(150)를 포함하게 된다. 하나 이상의 전자 검출기(150)는 전자(141)를 검출할 수 있는 관련 기술분야에서 공지된 임의의 유형의 전자 검출기 어셈블리를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 검출기(150)는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 하나 이상의 단편의 환형 이차 전자 검출기(single-piece annular secondary electron detector)를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 검출기(150)는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 하나 이상의 다편의 환형 이차 전자 검출기(multi-piece annular secondary electron detector)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 다편의 환형 이차 검출기는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 하나 이상의 이차 전자 쿼드 어레이(secondary electron quad array), 하나 이상의 이차 전자 악튜플 어레이(secondary electron octuplet array) 등을 포함할 수 있다.
다른 예로서, 전자(141)는 하나 이상의 마이크로 채널 플레이트(micro-channel plates; MCP)를 사용하여 수집되고 이미지화될 수 있다. 전자를 검출하기 위해 MCP 기반 검출기를 사용하는 것은 2008년 2월 26일자로 허여된 U.S. 특허 No. 7,335,895에 일반적으로 기재되어 있으며, 이 특허는 그 전체 내용이 본 명세서에 참조로 포함된다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 다른 예로서, 전자(141)는 다이오드 또는 다이오드 어레이와 같은 하나 이상의 PIN 또는 p-n 접합 검출기를 사용하여 수집되고 이미지화될 수 있다. 다른 예로서, 전자(141)는 하나 이상의 애벌런치 포토 다이오드(avalanche photo diode; APD)를 사용하여 수집되고 이미지화될 수 있다.
다른 실시예에서, 시스템(100)은 샘플(142) 대신에 포토마스크/레티클을 검사하는데 필요한 하나 이상의 컴포넌트를 포함한다.
다른 실시예에서, 시스템(100)은 시스템(100)의 동작 동안 및/또는 컬럼 어셈블리(110)의 유지보수 동안 소스 어셈블리(101)를 컬럼 어셈블리(110)로부터 격리시키는 진공 어셈블리를 포함한다. 이와 관련하여, 시스템(100)을 다시 동작 상태로 되돌리는 데 필요한 양의 시간이 감소된다. 본 명세서에서, 다중 컬럼 SEM 시스템에서 차동 펌핑(differential pumping)을 생성하는 진공 어셈블리를 사용하는 것은 2012년 1월 31일자로 허여된 U.S. 특허 No. 8,106,358에 일반적으로 기재되어 있으며, 이 특허는 그 전체 내용이 본 명세서에 참조로 포함된다는 것이 주목된다.
다른 실시예에서, 소스 어셈블리(101)는 하나 이상의 전자 빔 소스(102)를 각 세트의 포지셔너들(106) 및 시스템(100)의 주변 구조로부터 전기적으로 및 열적으로 격리시키는 세라믹 스탠드오프(ceramic standoff)를 포함한다.
다른 실시예에서, 시스템(100)은 제어기(도시되지 않음)를 포함한다. 일 실시예에서, 제어기는 시스템(100)의 하나 이상의 컴포넌트에 통신 가능하게 연결된다. 예를 들어, 제어기는 소스 어셈블리(101), 소스 어셈블리(101)의 컴포넌트들, 컬럼 어셈블리(110), 하나 이상의 전자 광학 컬럼(130), 하나 이상의 전자 광학 컬럼(130)의 컴포넌트들(예를 들어, 하나 이상의 컬럼 전자 광학 요소(210)) 및/또는 스테이지(140)에 통신 가능하게 결합될 수 있다. 이와 관련하여, 제어기는 시스템(100)의 컴포넌트들 중 임의의 컴포넌트에 지시하여 본 명세서에서 이미 설명된 다양한 기능들 중 임의의 하나 이상의 기능을 수행하도록 할 수 있다. 예를 들어, 제어기는 하나 이상의 전자 빔 소스(102)를 x 방향, y 방향 및/또는 z 방향 중 하나 이상의 방향으로 평행이동하도록 하나 이상의 전자 빔 소스(102)에 결합된 하나 이상의 세트의 포지셔너들(106)에게 지시하여 소스 어셈블리(101)의 컴포넌트들, 컬럼 어셈블리(110)의 컴포넌트들, 컬럼 어셈블리(110), 하나 이상의 전자 광학 컬럼(130), 하나 이상의 전자 광학 컬럼(130)의 컴포넌트들(예를 들어, 하나 이상의 컬럼 전자 광학 요소(210)) 및/또는 스테이지(140) 중 어느 것에 의해 생성된 빔 오정렬을 보정하도록 할 수 있다.
다른 실시예에서, 제어기는 하나 이상의 프로세서로 하여금 본 개시내용에서 설명된 하나 이상의 단계를 실행하게 하는데 적합한 프로그램 명령어를 실행하도록 구성된 하나 이상의 프로세서를 포함한다. 일 실시예에서, 제어기의 하나 이상의 프로세서는 제어기의 하나 이상의 프로세서로 하여금 본 개시내용의 전반에 걸쳐 설명된 다양한 단계들을 수행하도록 구성된 프로그램 명령어를 담은 메모리 매체(예를 들어, 비 일시적 저장 매체)와 통신할 수 있다.
도 2a는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 컬럼 어셈블리(110)의 단면도를 도시한다.
일 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)는 하나 이상의 기판 어레이 어셈블리(120)를 포함한다. 예를 들어, 컬럼 어셈블리(110)는 제1 기판 어레이 어셈블리(120a) 및 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리(120b)를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 기판 어레이 어셈블리(120) 각각은 하나 이상의 기판 어레이(200)를 포함한다. 예를 들어, 기판 어레이 어셈블리(120)는 기판 어레이(200a)를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 기판 어레이 어셈블리(120)는 제1 기판 어레이(200a) 및 적어도 제2 기판 어레이(200b)를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 기판 어레이 어셈블리(200) 각각은 하나 이상의 홀(201)을 포함한다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 기판 어레이(200)의 상부 표면 및/또는 하부 표면의 적어도 일부는 하나 이상의 기판 어레이(200) 사이, 하나 이상의 기판 어레이(200)와 하나 이상의 기판 어레이(200)에 본딩된 하나 이상의 컴포넌트 사이, 및/또는 하나 이상의 기판 어레이(200)에 본딩된 하나 이상의 컴포넌트 사이에서 잘못된 충전을 방지하기 위해 금속층에 의해 차폐된다. 다른 실시예에서, 기판 어레이 어셈블리(120)가 두 개 이상의 기판 어레이들(200)을 포함하는 경우, 하나 이상의 금속 실드(212)가 두 개 이상의 기판 어레이들(200) 사이에 위치된다. 예를 들어, 하나 이상의 금속 실드(212)는 하나 이상의 기판 어레이 어셈블리(120) 및/또는 컬럼 어셈블리(110) 내의 하나 이상의 기판 어레이 어셈블리(120)의 컴포넌트들 사이의 크로스 토크 또는 잘못된 충전을 방지하도록 구성될 수 있다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 세트의 컬럼 전자 광학 요소들(210)은 하나 이상의 홀(201)을 통해 기판 어레이(200)에 본딩된다. 예를 들어, 하나 이상의 세트의 컬럼 전자 광학 요소들(210) 중 적어도 일부는 하나 이상의 3차원 컬럼 전자 광학 요소(210)를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 세트의 컬럼 전자 광학 요소들(210)은, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 하나 이상의 검출기(150), 하나 이상의 총 다중 극 빔 편향기(gun multipole beam deflector), 하나 이상의 추출기, 하나 이상의 자기 콘덴서 렌즈, 하나 이상의 총 콘덴서 렌즈(gun condenser lense), 하나 이상의 애노드, 하나 이상의 상부 빔 편향기, 하나 이상의 하부 빔 편향기, 하나 이상의 동적 초점 렌즈, 및/또는 하나 이상의 자기 초점 렌즈를 포함할 수 있다. 다중 극 빔 편향기는 본 명세서에서 더 상세히 설명된다는 것이 주목된다.
다른 실시예에서, 제1 컬럼 전자 광학 요소(210)는 하나 이상의 기판 어레이(200) 중 적어도 일부의 상부 표면 또는 하부 표면에 본딩된다. 다른 실시예에서, 제1 및 제2 컬럼 전자 광학 요소(210)는 하나 이상의 기판 어레이(200) 중 적어도 일부의 상부 표면 및 하부 표면 각각에 본딩된다.
전자 광학 요소를 기판 어레이에 본딩하여 컬럼 어셈블리를 형성하는 것은 2006년 9월 19일자로 허여된 U.S. 특허 No. 7,109,486에 일반적으로 기재되어 있다는 것이 본 명세서에서 주목되며, 이 특허는 그 전체 내용이 본 명세서에 참조로 포함된다.
다른 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)는 하나 이상의 전자 광학 컬럼(130)을 포함한다. 예를 들어, 컬럼 어셈블리(110)는 제1 전자 광학 컬럼(130a) 및 적어도 제2 전자 광학 컬럼(130b)을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 컬럼 어셈블리(110)는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 2 내지 60 개의 전자 광학 컬럼들(130)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)는 하나 이상의 전자 빔(103) 각각 마다 하나의 전자 광학 컬럼(130)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 전자 광학 컬럼(130)은 전자 빔들(103)의 적어도 일부를 샘플(142)의 표면으로 지향시킨다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 전자 광학 컬럼(130)은 하나 이상의 세트의 컬럼 전자 광학 요소들(210)에 의해 형성된다. 예를 들어, 전자 광학 컬럼(130)은, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 제1 요소(210a), 제2 요소(210b), 제3 요소(210c) 및 적어도 제4 요소(210d)를 포함하는 한 세트의 컬럼 전자 광학 요소들(210)에 의해 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 전자 광학 컬럼(130)은 하나 이상의 전자 빔(103) 각각 마다 한 세트의 전자 광학 컬럼들(210)을 포함할 수 있다.
하나 이상의 전자 광학 컬럼(130)을 형성하는 하나 이상의 세트의 컬럼 전자 광학 요소들(210)의 순서 및 배열은 본 명세서에서 이미 그 전체 내용이 참조로 포함된 변리사 사건 관리 No. KLA P5068에 더 상세하게 기재되어 있다.
일 실시예에서, 하나 이상의 기판 어레이(200)는 제1 기판 어레이 어셈블리(120a) 및 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리(120b)로 그룹화된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 기판 어레이 어셈블리(200)의 하나 이상의 공차 특성은 하나 이상의 기판 어레이(200)를 제1 기판 어레이 어셈블리(120) 및 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리(120b)로 그룹화하기 전에 검사된다. 예를 들어, 하나 이상의 기판 어레이(200)의 피치 간격이 요구된 공차에 맞는지에 대해 검사될 수 있다. 예를 들어, 피치 간격 공차는 하나 이상의 한 자릿수 마이크로미터 피처 공차(single-digit micron feature tolerance)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 기판 어레이 어셈블리(120a)의 하나 이상의 기판 어레이(200)는 제1 기판 어레이 스택으로 배열된다. 다른 실시예에서, 제1 기판 어레이 스택은 제1 프레임에 장착된다. 다른 실시예에서, 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리(120b)의 하나 이상의 기판 어레이(200)는 적어도 제2 기판 어레이 스택으로 배열된다. 다른 실시예에서, 적어도 제2 기판 어레이 스택은 적어도 제2 프레임에 장착된다. 다른 실시예에서, 제1 프레임 및 적어도 제2 프레임은 결합되어 컬럼 어셈블리(110)를 형성한다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 정렬 오차는 제1 기판 어레이 어셈블리(120a)의 하나 이상의 기판 어레이(200)를 제1 기판 어레이 스택으로 배열하는 것, 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리(120b)의 하나 이상의 기판 어레이(200)를 적어도 제2 기판 어레이 스택으로 배열하는 것, 및/또는 제1 프레임과 적어도 제2 프레임을 함께 결합하는 것 중 적어도 하나를 수행할 때 최소 제곱 최적 맞춤 정렬 공정(least square best fit alignment process)를 통해 감소된다. 예를 들어, 하나 이상의 정렬 오차는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, x 방향으로의 오프셋 거리, y 방향으로의 오프셋 거리 및/또는 오프셋 회전 각도를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 기판 어레이 어셈블리(120a)의 하나 이상의 기판 어레이(200)는 제1의 본딩된 기판 어레이 스택으로 배열된다. 다른 실시예에서, 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리(120b)의 하나 이상의 기판 어레이(200)는 적어도 제2의 본딩된 기판 어레이 스택으로 배열된다. 다른 실시예에서, 제1의 본딩된 기판 어레이 스택 및 적어도 제2의 본딩된 기판 어레이 스택은 본딩되어 컬럼 어셈블리(110)를 형성한다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 정렬 오차는 제1 기판 어레이 어셈블리(120a)의 하나 이상의 기판 어레이(200)를 제1의 본딩된 기판 어레이 스택으로 배열하는 것, 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리(120b)의 기판 어레이들(200)을 적어도 제2의 본딩된 기판 어레이 스택으로 배열하는 것, 및/또는 제1의 본딩된 기판 어레이 스택과 적어도 제2의 본딩된 기판 어레이 스택을 본딩하는 것 중 적어도 하나를 수행할 때 최소 제곱 최적 맞춤 정렬 공정을 통해 감소된다. 예를 들어, 하나 이상의 정렬 오차는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, x 방향으로의 오프셋 거리, y 방향으로의 오프셋 거리 및/또는 오프셋 회전 각도를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 기판 어레이 어셈블리(120a)의 하나 이상의 기판 어레이(200)는 제1 기판 어레이 스택으로 배열된다. 다른 실시예에서, 제1 기판 어레이 스택은 제1 프레임에 장착된다. 다른 실시예에서, 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리(120b)의 하나 이상의 기판 어레이(200)는 적어도 제2 기판 어레이 스택으로 배열된다. 다른 실시예에서, 적어도 제2 기판 어레이 스택은 동일한 프레임에 장착된다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 정렬 오차는 제1 기판 어레이 어셈블리(120a)의 하나 이상의 기판 어레이(200)를 제1 기판 어레이 스택으로 배열하는 것 또는 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리(120b)의 하나 이상의 기판 어레이(200)를 적어도 제2 기판 어레이 스택으로 배열하는 것 중 적어도 하나를 수행할 때 최소 제곱 최적 맞춤 정렬 공정을 통해 감소된다. 예를 들어, 하나 이상의 정렬 오차는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, x 방향으로의 오프셋 거리, y 방향으로의 오프셋 거리 및/또는 오프셋 회전 각도를 포함할 수 있다.
도 2b 및 도 2c는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 하나 이상의 기판 어레이의 기판 어레이(200)를 도시한다.
일 실시예에서, 기판 어레이(200)는 하나 이상의 홀(201)을 갖는 복합층(202)을 포함한다. 다른 실시예에서, 복합층(202)은 하나 이상의 기판층으로 형성된다. 예를 들어, 복합층(202)은, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 제1 기판층(202a), 제2 기판층(202b) 및 적어도 제3 기판층(202c)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 기판층은 동시 소성된 세라믹(co-fired ceramic)으로 제조된다. 다른 실시예에서, 복합층(200)은 제조 공정을 통해 복수의 기판층들로 형성된다. 예를 들어, 제조 공정은, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 복수의 기판층들을 함께 프레싱(pressing)하고, 복수의 기판층들을 함께 소결하고, 및/또는 동시 소성 공정을 통해 복수의 기판층들을 함께 접합시키는 것(joining)을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 기판 어레이(200)는 복합층(202)의 상부 표면 및/또는 하부 표면 중 하나 이상의 표면에 결합된 하나 이상의 전기 접촉층(electrical contact layer, 204)을 포함한다. 예를 들어, 기판 어레이(200)는 복합층(202)의 상부 표면에 결합된 하나 이상의 전기 접촉부를 갖는 접촉층(204a)을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 기판 어레이(200)는 복합층(202)의 하부 표면에 결합된 하나 이상의 전기 접촉부를 갖는 접촉층(204b)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 전기 접촉부는 하나 이상의 접지 본딩 패드(예를 들어, 접지 접촉 패드)를 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 전기 접촉부는 하나 이상의 신호 본딩 패드(예를 들어, 신호 접촉 패드들)를 포함하며, 여기서 하나 이상의 신호 본딩 패드는 하나 이상의 접지 본딩 패드와 전기적으로 절연된다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 접촉층(204)은 금속화 코팅(metalized coating) 또는 금속 플레이트(metal plate)를 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 접촉층(204)은 제조 공정을 통해 복합층(202)의 상부 표면 및/또는 하부 표면에 결합된다. 예를 들어, 제조는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 프레싱 공정, 소결 공정, 접착 공정(예를 들어, 에폭시를 통한 접합), 후막 공정(thick-film process) 및/또는 박막 공정(thin-film process)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 접촉층(204)은 잘못된 충전 및 음의 빔 상호 작용(negative beam interaction)을 방지하도록 구성된다.
다른 실시예에서, 복합층(202)은 하나 이상의 기판층 내에 임베딩된 하나 이상의 전기 컴포넌트(206)를 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 전기 컴포넌트(206)는 하나 이상의 접지 트레이스(220), 하나 이상의 접지 비아(222), 하나 이상의 신호 트레이스(230) 및/또는 하나 이상의 신호 비아(232)를 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 전기 컴포넌트(206)는 복합층(202)을 형성하기 전에 복수의 기판층들 내에 임베딩된다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 접지 트레이스(220)는 하나 이상의 접지 비아(222)로 하나 이상의 접촉층(204)의 하나 이상의 접지 본딩 패드에 전기적으로 결합된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 신호 트레이스(230)는 하나 이상의 신호 비아(232)로 하나 이상의 접촉층(204)의 하나 이상의 신호 본딩 패드에 전기적으로 결합된다.
하나 이상의 접지 비아(222) 및 하나 이상의 신호 비아(232) 둘 모두 기판 어레이(200)의 동일한 단면 내에 있는 것으로 도시되지만, 하나 이상의 접지 비아(222) 및 하나 이상의 신호 비아(222)는 기판 어레이(200)의 단면에 하나 이상의 접지 비아(222) 또는 하나 이상의 신호 비아(232)만이 포함되도록 배열될 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 하나 이상의 접촉층(204)의 하나 이상의 접지 본딩 패드 및 하나 이상의 신호 본딩 패드 둘 모두가 기판 어레이(200)의 동일한 단면에 있는 것으로 도시되지만, 하나 이상의 접촉층(204)의 하나 이상의 접지 본딩 패드 및 하나 이상의 신호 본딩 패드는 기판 어레이(200)의 단면에 하나 이상의 접지 본딩 패드 또는 하나 이상의 신호 본딩만이 포함되도록 배열될 수 있다는 것이 또한 본 명세서에서 주목된다. 그러므로 위의 설명은 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 해석되지 않고 단지 예시인 것으로 해석되어야 한다.
다른 실시예에서, 하나 이상 전기 컴포넌트(206)는 하나 이상의 전기 접촉 패드(208)에 전기적으로 결합된다. 예를 들어, 하나 이상의 접지 트레이스(220)는 하나 이상의 접지 접촉 패드(208)에 전기적으로 결합될 수 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 신호 트레이스(230)는 하나 이상의 신호 접촉 패드(208)에 전기적으로 결합될 수 있다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 전기 접촉 패드(208)는 접촉층(204)에 의해 차폐되지 않은 복합층(202)의 상부 표면 및/또는 하부 표면의 일부분(예를 들어, 기판 어레이(200)의 차폐되지 않은 부분) 상에 위치된다. 그러나, 여기서 복합층(202)의 상부 표면 및/또는 하부 표면의 대부분이 잘못된 충전을 방지하기 위해 차폐된다는 것이 주목된다.
일 실시예에서, 하나 이상의 컬럼 전자 광학 요소(210)는 기판 어레이(200)에 본딩된다. 예를 들어, 하나 이상의 컬럼 전자 광학 요소(210)는 기판 어레이(200)의 상부 표면 및/또는 하부 표면에 본딩될 수 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 컬럼 전자 광학 요소(210)는 기판 어레이(200)의 상부 표면 및/또는 하부 표면에 결합된 특정 접지 본딩 패드 및 특정 신호 본딩 패드에 본딩될 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 컬럼 전자 광학 요소(210)는 본딩 공정을 통해 기판 어레이(200)에 본딩된다. 예를 들어, 본딩 공정은, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 납땜 공정, 경납땜 공정(brazing process), 접착 공정(예를 들어, 에폭시를 통한 접합)을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 컬럼 전자 광학 요소(210) 중 적어도 일부는 기판 어레이(200)에 본딩되기 전에 완전하게 제조된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 컬럼 전자 광학 요소(210) 중 적어도 일부는 기판 어레이(200)에 본딩되기 전에 제1 세트의 제조 공정들을 통해 부분적으로 제조되고, 기판 어레이(200)에 본딩된 후 제2 세트의 제조 공정들을 통해 완전하게 제조된다. 제1 세트의 제조 공정들 및 제2 세트의 제조 공정들이 본 명세서에서 추가로 상세히 설명되는 것이 주목된다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 컬럼 전자 광학 요소(210)는 개별 공차를 충족시키도록 검사된다. 예를 들어, 개별 공차들은 하나 이상의 한 자릿수 마이크로미터 피처 공차를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 컬럼 전자 광학 요소(210)는 정렬 공정을 통해 기판 어레이(200)에 본딩되는 동안 정렬된다. 예를 들어, 정렬 공정은, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 복수의 리소그래픽 타겟 피처들을 정렬하는 정렬 공정 또는 광학 오버레이 정렬 공정을 포함할 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 부분적으로 제조된 다중 극 빔 편향기를 도시한다.
일 실시예에서, 다중 극 빔 편향기(210)는 배럴 부분(302) 및 디스크 부분(306)을 포함한다. 예를 들어, 배럴 부분(302)은 다중 극 빔 편향기(210)가 기판 어레이(200)에 본딩될 때 기판 어레이(200)의 홀에 삽입될 수 있다.
다른 실시예에서, 다중 극 빔 편향기(210)는 배럴 부분(302)의 상단 및 디스크 부분(306)의 하단을 관통하여 보어링된 홀(304)을 포함한다. 예를 들어, 홀(304)은 전자 빔(103)이 다중 극 빔 편향기(210)를 관통하게 할 수 있다. 다른 실시예에서, 홀(304)은 하나 이상의 임계 공차를 갖는다. 예를 들어, 하나 이상의 임계 공차는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 보어 크기(bore size) 및/또는 보어 형상을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 다중 극 빔 편향기(210)는 하나 이상의 슬롯(308)을 포함한다. 예를 들어, 하나 이상의 슬롯(308)은 다중 극 빔 편향기(210) 내로 부분적으로 절삭될 수 있고, 그래서 하나 이상의 슬롯(308)은 디스크 부분(306)의 에지까지 연장되지 않고 다중 극 빔 편향기(210)의 배럴 부분(302) 및 디스크 부분(306)을 통해 절삭된다. 하나 이상의 슬롯(308)이 디스크 부분(306)의 에지까지 연장되면, 다중 극 빔 편향기(210)는 다수의 개별적인 빔 편향기 극들로 분할될 것이라는 것이 본 명세서에서 주목된다.
다른 실시예에서, 다중 극 빔 편향기(210)는 디스크 부분(306)의 외부 영역 상의 융기 구역(310)을 포함한다. 예를 들어, 융기 구역(310)은 융기 구역(310)의 높이와 동일한 거리에서 기판 어레이(200)의 상부 표면 또는 하부 표면으로부터 디스크 부분(306)의 내부 영역을 오프셋시킬 수 있다. 다른 실시예에서, 다중 극 빔 편향기(210)는 융기 구역(310)의 하나 이상의 그루브(312)를 포함한다. 예를 들어, 융기 구역(310)의 하나 이상의 그루브(312)는 하나 이상의 본딩 후(post-bonding) 제조 공정이 기판 어레이(200)를 손상하지 않도록 (또는 그렇지 않으면 그 동작을 방해하지 않도록), 하나 이상의 본딩 후 제조 공정을 위한 작업 영역일 수 있다.
도 3d는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 기판 어레이(200)에 본딩된 완전하게 제조된 한 세트의 다중 극 빔 편향기를 도시한다.
일 실시예에서, 하나 이상의 부분적으로 제조된 다중 극 빔 편향기(210)는 기판 어레이(200)의 접촉층(204)에 본딩된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 슬롯(308)은 절삭 공정(cutting process)을 통해 하나 이상의 그루브(312)에서 하나 이상의 부분적으로 제조된 다중 극 빔 편향기(210)의 에지까지 연장되며, 여기서 절단 공정은 하나 이상의 부분적으로 제조된 다중 극 빔 편향기(210)를 개별 빔 편향기 극들(210a)으로 분할하여, 하나 이상의 다중 극 빔 편향기(210)를 완전하게 제조한다. 예를 들어, 하나 이상의 부분적으로 제조된 다중 극 빔 편향기(210)는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 다중 극 빔 편향기(210)의 에지까지 연장되어 완전하게 하나 이상의 다중 극 빔 편향기(210)를 제조할 때 부분적으로 제조된 다중 극 빔 편향기(210)를 4 내지 24 개의 개별 빔 편향기 극들로 분할하는(예를 들면, 4극 빔 편향기, 8극 빔 편향기 등을 형성하는) 2 내지 1두 개의 슬롯들(308)을 포함할 수 있다.
본 개시내용의 실시예의 장점은 피치 간격이 줄어들고 공차가 더 엄격해진 다중 컬럼 SEM 시스템을 제조하고 정렬하는 것을 포함한다. 본 개시내용의 장점은 또한 기판 어레이를 검사하고 검사 결과에 기초하여 기판 어레이를 소팅함으로써 더 잘 매칭되는 기판 어레이 어셈블리를 형성하는 것을 포함한다. 본 개시내용의 장점은 또한 제1 세트의 제조 공정들을 통해 전자 광학 요소를 부분적으로 제조하고, 부분적으로 제조된 전자 광학 요소를 검사하고, 검사 결과에 기초하여 부분적으로 제조된 전자 광학 요소를 매칭된 세트로 소팅하고, 부분적으로 제조된 전자 광학 요소들의 매칭된 세트를 정렬하고, 부분적으로 제조된 전자 광학 요소를 기판 어레이에 본딩하며, 본딩된 전자 광학 요소를 제2 세트의 제조 공정들을 통해 완전하게 제조함으로써 제조된 전자 광학 요소의 수율을 개선하는 것을 포함한다. 본 개시내용의 장점은 또한 충전을 방지하고 다수의 전자 광학 컬럼 빔 신호들 사이의 크로스 토크를 감소시키는 것을 포함한다.
도 4는 다중 컬럼 SEM 시스템(100) 용 컬럼 어셈블리(110)를 제조하는 방법(400)을 도시하는 공정 흐름도를 도시한다. 방법은 또한 출력 획득 서브시스템 및/또는 본 명세서에 설명된 컴퓨터 서브시스템(들) 또는 시스템(들)에 의해 수행될 수 있는 임의의 다른 단계(들)을 포함할 수 있다.
단계(402)에서, 하나 이상의 기판 어레이(200)이 형성된다. 일 실시예에서, 하나 이상의 기판 어레이(200)를 형성하는 단계는 하나 이상의 기판층(202) 내에 하나 이상의 전기 컴포넌트(206)를 임베딩하는 단계를 포함하며, 여기서 하나 이상의 기판층(202) 중 적어도 일부는 동시 소성된 세라믹으로 제조된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 전기 컴포넌트(206)는 하나 이상의 접지 트레이스(220), 하나 이상의 신호 트레이스(230), 하나 이상의 접지 비아(222) 및/또는 하나 이상의 신호 비아(232)를 포함한다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 기판 어레이(200)를 형성하는 단계는 복수의 기판층들로 복합 기판(202)을 형성하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 기판층으로 복합 기판을 형성하는 단계는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 기판층들을 함께 프레싱하는 단계, 기판층들을 함께 소결하는 단계, 또는 동시 소성 공정을 통해 기판층들을 함께 접합하는 단계를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 기판 어레이(200)를 형성하는 단계는 복합 기판(202)에 복수의 홀들(201)을 보링하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 기판 어레이(200)를 형성하는 단계는 하나 이상의 접촉층(204)을 복합 기판(202)의 상부 표면 또는 바닥 표면 중 적어도 하나의 표면에 결합하는 단계를 포함하고, 여기서 하나 이상의 접촉층(204)은 금속화 코팅 및/또는 금속 플레이트를 포함한다. 예를 들어, 하나 이상의 접촉층(204)을 결합하는 단계는 프레싱 공정, 소결 공정, 접착 공정, 후막 공정 및/또는 박막 공정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 접착 공정은, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 에폭시를 이용하여 접합하는 것일 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 접촉층(204)은 하나 이상의 접지 본딩 패드를 포함한다. 예를 들어, 하나 이상의 접지 트레이스(220)는 하나 이상의 접지 비아(222)로 하나 이상의 접지 본딩 패드에 전기적으로 결합될 수 있다. 다른 실시예에서, 접촉층들(204)은 하나 이상의 신호 본딩 패드를 포함하며, 여기서 하나 이상의 신호 본딩 패드는 하나 이상의 접지 본딩 패드와 전기적으로 절연된다. 예를 들어, 하나 이상의 신호 트레이스(230)는 하나 이상의 신호 비아(232)로 하나 이상의 신호 본딩 패드에 전기적으로 결합될 수 있다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 기판 어레이(200)를 형성하는 단계는 복합 기판(202)의 홀(201) 위에 하나 이상의 컬럼 전자 광학 요소(210) 각각을 위치시키는 단계를 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 기판 어레이(200)를 형성하는 단계는 하나 이상의 컬럼 전자 광학 요소(210)를 복합 기판(202)의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 결합된 하나 이상의 접지 본딩 패드 중 특정 접지 본딩 패드 및 하나 이상의 신호 본딩 중 특정 신호 본딩 패드에 본딩하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 하나 이상의 컬럼 전자 광학 요소(210) 각각을 특정 접지 본딩 패드 및 특정 신호 본딩 패드에 본딩하는 단계는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 납땜 공정, 경납땜 공정 또는 접착 공정(예를 들어, 에폭시를 통한 접합)을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 컬럼 전자 광학 요소(210) 각각을 특정 접지 본딩 패드 및 특정 신호 본딩 패드에 본딩하는 단계는 정렬 공정, 예컨대, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 복수의 리소그래픽 타겟 피처들을 정렬하는 정렬 공정 또는 광학 오버레이 정렬 공정을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 컬럼 전자 광학 요소들(210) 중 적어도 일부는 특정 접지 본딩 패드 및 특정 신호 본딩 패드에 본딩되기 전에 완전하게 제조된다. 다른 실시예에서, 컬럼 전자 광학 요소들(210) 중 적어도 일부(예를 들어, 다중 극 빔 편향기(210))는 컬럼 전자 광학 요소들(210) 중 적어도 일부를 특정 접지 본딩 패드 및 특정 신호 본딩 패드에 본딩하기 전에 제1 세트의 제조 공정들을 통해 부분적으로 제조되고, 컬럼 전자 광학 요소들(210) 중 적어도 일부를 특정 접지 본딩 패드 및 특정 신호 본딩 패드에 본딩한 후 제2 세트의 제조 공정들을 통해 완전하게 제조된다.
예를 들어, 제1 세트의 제조 공정들은 컬럼 전자 광학 요소(210)에서 하나 이상의 임계 공차(예를 들어, 보어 크기 및/또는 보어 형상)에 기초하여 홀(304)을 보링하는 단계 및 컬럼 전자 광학 요소(210)에서 하나 이상의 슬롯(308)을 절삭하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 슬롯(308)은 제1 슬롯(308) 및 적어도 제2 슬롯(308)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 슬롯(308) 및 적어도 제2 슬롯(308)은 홀(304)의 일부를 관통할 수 있다. 또한, 제1 슬롯(308) 및 적어도 제2 슬롯(308)은 컬럼 전자 광학 요소(210)의 에지까지 연장되지 않을 수 있다. 다른 예로서, 제2 세트의 제조 공정들은 하나 이상의 슬롯(308)을 컬럼 전자 광학 요소(210)의 에지까지 연장되도록 절삭하여, 컬럼 전자 광학 요소(210)가 하나 이상의 빔 편향기 극으로 분할되도록 할 수 있다(예를 들어, 2 내지 1두 개의 슬롯들이 컬럼 전자 광학 요소(210)를 4 내지 24 개의 빔 편향기 극들로 분할한다).
단계(404)에서, 형성된 기판 어레이(200)는 제1 기판 어레이 어셈블리(120a) 및 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리(120b)로 소팅된다. 일 실시예에서, 형성된 기판 어레이(200)는 검사된 다음에 제1 기판 어레이 어셈블리(120a) 및 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리(120b)로 분류된다. 다른 실시예에서, 형성된 기판 어레이(200)의 소팅은 검사 결과에 기초한다.
단계(406)에서, 컬럼 어셈블리(110)는 제1 기판 어레이 어셈블리(120a) 및 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리(120b)로 형성된다. 일 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)는 본 명세서에서 이미 설명한 바와 같은 제1 기판 어레이 어셈블리(120a) 및 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리(120b)의 하나 이상의 기판 어레이(200)에 본딩된 하나 이상의 컬럼 전자 광학 요소(210)로 형성된 하나 이상의 전자 광학 컬럼(130)을 포함한다.
일 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)를 형성하는 단계는 제1 기판 어레이 스택에 제1 기판 어레이 어셈블리(120a)를 배열하는 단계를 포함한다. 다른 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)를 형성하는 단계는 제1 프레임에 제1 기판 어레이 스택을 장착하는 단계를 포함한다. 다른 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)를 형성하는 단계는 적어도 제2 기판 어레이 스택에 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리(120b)를 배열하는 단계를 포함한다. 다른 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)를 형성하는 단계는 적어도 제2 프레임에 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리를 장착하는 단계를 포함한다. 다른 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)를 형성하는 단계는 제1 프레임과 적어도 제2 프레임을 결합하는 단계를 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 정렬 오차는 제1 기판 어레이 어셈블리(120a)를 배열하는 것, 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리(120b)를 배열하는 것, 또는 제1 프레임과 적어도 제2 프레임을 결합하는 것 중 적어도 하나를 수행할 때 최소 제곱 최적 맞춤 정렬 공정을 통해 감소된다. 예를 들어, 하나 이상의 정렬 오차는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, x 방향으로의 오프셋 거리, y 방향으로의 오프셋 거리 및/또는 오프셋 회전 각도를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)를 형성하는 단계는 제1의 본딩된 기판 어레이 스택에 제1 기판 어레이 어셈블리(120a)를 배열하는 단계를 포함한다. 다른 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)를 형성하는 단계는 적어도 제2의 본딩된 기판 어레이 스택에 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리(120b)를 배열하는 단계를 포함한다. 다른 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)를 형성하는 단계는 제1의 본딩된 기판 어레이 스택과 적어도 제2의 본딩된 기판 어레이 스택을 본딩하는 단계를 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 정렬 오차는 제1 기판 어레이 어셈블리(120a)를 배열하는 것, 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리(120b)를 배열하는 것, 또는 제1의 본딩된 기판 어레이 스택과 적어도 제2의 본딩된 기판 어레이 스택을 본딩하는 것 중 적어도 하나를 수행할 때 최소 제곱 최적 맞춤 정렬 공정을 통해 감소된다. 예를 들어, 하나 이상의 정렬 오차는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, x 방향으로의 오프셋 거리, y 방향으로의 오프셋 거리 및/또는 오프셋 회전 각도를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)를 형성하는 단계는 제1 기판 어레이 스택에 제1 기판 어레이 어셈블리(120a)를 배열하는 단계를 포함한다. 다른 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)를 형성하는 단계는 프레임에 제1 기판 어레이 스택을 장착하는 단계를 포함한다. 다른 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)를 형성하는 단계는 적어도 제2 기판 어레이 스택에 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리(120b)를 배열하는 단계를 포함한다. 다른 실시예에서, 컬럼 어셈블리(110)를 형성하는 단계는 동일한 프레임에 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리를 장착하는 단계를 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 정렬 오차는 제1 기판 어레이 어셈블리(120a)를 배열하는 것 또는 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리(120b)를 배열하는 것 중 적어도 하나를 수행할 때 최소 제곱 최적 맞춤 정렬 공정을 통해 감소된다. 예를 들어, 하나 이상의 정렬 오차는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, x 방향으로의 오프셋 거리, y 방향으로의 오프셋 거리 및/또는 오프셋 회전 각도를 포함할 수 있다.
관련 기술분야의 통상의 기술자라면 본 명세서에 설명된 컴포넌트들(예를 들어, 동작들), 디바이스들, 객체들 및 이것들과 함께 논의된 것들은 개념적 명확성을 기하기 위한 예로서 사용된다는 것 및 다양한 구성 수정들이 고려된다는 것을 인식할 것이다. 결과적으로, 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 제시된 특정 예시 및 함께 논의된 것은 이들의 보다 일반적인 부류를 나타내도록 의도된다. 일반적으로, 임의의 특정 예시를 사용한 것은 그 부류를 나타내도록 의도되며, 특정 컴포넌트(예를 들어, 동작), 디바이스 및 객체를 포함시키지 않는다 하여 제한하는 것으로 취급되어서는 안된다.
본 명세서에서 실질적으로 임의의 복수 및/또는 단수 용어를 사용하는 것과 관련하여, 관련 기술분야의 통상의 기술자는 맥락 및/또는 응용에 적합하다면 복수에서 단수로 및/또는 단수에서 복수로 번역할 수 있다. 다양한 단수/복수 순열은 명확성을 기하기 위해 본 명세서에서 명시적으로 언급되지 않는다.
본 명세서에 설명된 주제는 때때로 상이한 다른 컴포넌트 내에 포함되거나, 상이한 다른 컴포넌트와 연결된 상이한 컴포넌트를 도시한다. 이러한 도시된 아키텍처는 단지 예시일 뿐이며, 사실상 동일한 기능성을 달성하는 많은 다른 아키텍처가 구현될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 개념적인 의미에서, 동일한 기능성을 달성하기 위해 임의로 배열된 컴포넌트들은 원하는 기능성이 달성되도록 효과적으로 "연관"된다. 따라서, 특정 기능성을 달성하기 위해 본 명세서에서 결합된 임의의 두 개의 컴포넌트들은 아키텍처 또는 중간 컴포넌트에 관계없이, 원하는 기능성이 달성되도록 서로 "연관된"것으로 보일 수 있다. 마찬가지로, 이렇게 연관된 임의의 두 개의 컴포넌트들은 원하는 기능성을 달성하기 위해 서로 "동작 가능하게 연결된" 또는 "동작 가능하게 결합된"것으로도 또한 간주될 수 있고, 이렇게 연관될 수 있는 임의의 두 개의 컴포넌트들은 원하는 기능성을 달성하기 위해 서로 "동작 가능하게 결합 가능한"것으로도 또한 간주될 수 있다. 동작 가능하게 결합 가능한 특정 예는, 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 물리적으로 짝지어질 수 있고 및/또는 물리적으로 상호 작용하는 컴포넌트 및/또는 무선으로 상호 작용 가능하고 및/또는 무선으로 상호 작용하는 컴포넌트, 및/또는 논리적으로 상호 작용하고 및/또는 논리적으로 상호 작용 가능한 컴포넌트를 포함한다.
일부 예에서, 하나 이상의 컴포넌트는 본 명세서에서 "하도록 구성된", "하도록 구성 가능한", "하도록 동작 가능한/작동하는", "적응된/적응 가능한", "할 수 있는", "순응 가능한/하도록 순응된" 것 등이라고 지칭될 수 있다. 관련 기술분야의 통상의 기술자라면, 맥락상 달리 요구하지 않는 한, 이러한 용어(예를 들어, "하도록 구성된")는 일반적으로 활성 상태 컴포넌트 및/또는 비활성 상태 컴포넌트 및/또는 대기 상태 컴포넌트를 망라할 수 있다는 것을 인식할 것이다.
본 명세서에 설명된 본 주제의 특정 양태가 도시되고 설명되었지만, 관련 기술분야의 통상의 기술자에게는, 본 명세서의 교시에 기초하여, 본 명세서에 설명된 주제 및 주제의 보다 넓은 양태를 벗어나지 않고 변경 및 수정이 이루어질 수 있고, 그래서 그러한 모든 변경 및 수정을 본 명세서에 설명된 주제의 진정한 사상 및 범위 내에 있는 것처럼 첨부된 청구항이 그 범위 내에 포함되어야 한다는 것이 명백해질 것이다. 일반적으로, 본 명세서에서, 특히 첨부된 청구항(예를 들어, 첨부된 청구항의 본문)에서 사용된 용어는 일반적으로 "개방" 용어인 것으로 의도된다(예를 들어, "포함하는"이라는 용어는 "포함하지만 그것으로 제한되지 않는"이라고 해석되어야 하고, "갖는"이라는 용어는 "적어도 갖는"이라고 해석되어야 하고, "포함한다"라는 용어는 "포함하지만 그것으로 제한되지 않는다"라고 해석되어야 한다). 또한, 도입된 청구항의 특정 인용 항수가 의도되면, 그러한 의도는 청구항에 명시적으로 언급될 것이며, 그러한 인용이 없을 시에는 그러한 의도가 존재하지 않는다는 것이 관련 기술분야의 통상의 기술자에 의해 추가로 이해될 것이다. 예를 들어, 이해를 돕기 위한 것으로, 다음의 첨부된 청구항은 청구항 인용을 도입하기 위해 "적어도 하나" 및 "하나 이상"이라는 도입 문구의 사용을 포함할 수 있다. 그러나, 이러한 문구를 사용한다고 하여, 동일한 청구항이 "하나 이상" 또는 "적어도 하나"라는 도입 문구 및 "a" 또는 "an"과 같은 부정 관사(예를 들어, "a" 및/또는 "an"은 전형적으로 "적어도 하나" 또는 "하나 이상"을 의미하는 것으로 해석되어야 함)를 포함할지라도, 부정 관사 "a" 또는 "an"에 의한 청구항 인용의 도입이 그렇게 도입된 청구항 인용을 포함하는 임의의 특정 청구항을 단지 하나의 그러한 인용만을 포함하는 청구항으로 제한한다는 것을 의미하는 것으로 해석되어서는 안되며; 이것은 청구항 인용을 도입하기 위해 사용된 정관사를 사용하는 경우에도 마찬가지이다. 또한, 도입된 청구항의 특정 인용 항수가 명시 적으로 언급되더라도, 관련 기술분야의 통상의 기술자는 이러한 인용이 적어도 인용된 개수를 의미하는 것으로 전형적으로 해석되어야 한다는 것을 인식 할 것이다(예를 들어, 다른 수식어 없이, "두 개 인용"뿐인 인용은 전형적으로 적어도 두 개의 인용 또는 두 개 이상의 인용을 의미한다). 또한, "A, B 및 C 중 적어도 하나 등"과 유사한 관례가 사용되는 경우, 일반적으로 이러한 구성은 관련 기술분야의 통상의 기술자가 그 관례를 이해할 것이라는 의미로 의도된다(예를 들어, "A, B 및 C 중 적어도 하나를 갖는 시스템"은 A만, B만, C만, A와 B를 함께, A와 C를 함께, B와 C를 함께 및/또는 A, B와 C를 함께, 등등을 갖는 시스템을 포함하지만 그것으로 제한되지는 않을 것이다). "A, B 또는 C 중 적어도 하나 등"과 유사한 관례가 사용되는 경우, 일반적으로 이러한 구성은 관련 기술분야의 통상의 기술자가 그 관례를 이해할 것이라는 의미로 의도된다(예를 들어, "A, B 또는 C 중 적어도 하나를 갖는 시스템"은 A만, B만, C만, A와 B를 함께, A와 C를 함께, B와 C를 함께 및/또는 A, B와 C를 함께, 등등을 갖는 시스템을 포함하지만 그것으로 제한되지는 않을 것이다). 전형적으로 두 개 이상의 대안 용어들을 나타내는 이접(disjunctive) 단어 및/또는 문구는, 상세한 설명, 청구 범위 또는 도면에서 든, 맥락 상 달리 지시되지 않는 한, 용어들 중 하나, 용어들 중 어느 하나, 또는 용어들 둘 다를 포함하는 가능성을 고려하는 것으로 이해되어야 한다는 것이 관련 기술분야의 통상의 기술자에 의해 추가로 이해될 것이다. 예를 들어, 문구 "A 또는 B"는 전형적으로 "A" 또는 "B" 또는 "A 및 B"의 가능성을 포함하는 것으로 이해될 것이다.
첨부된 청구 범위와 관련하여, 관련 기술분야의 통상의 기술자는 본 명세서에 언급된 동작이 일반적으로 임의의 순서로 수행될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 또한, 다양한 동작 흐름이 시퀀스(들)로 제시되지만, 다양한 동작들이 도시된 것과 다른 순서로 수행될 수 있거나, 동시에 수행될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 그러한 대안적인 순서의 예는, 맥락 상 달리 지시되지 않는 한, 중첩, 삽입, 중단, 재정렬, 증분, 예비, 보충, 동시, 역 또는 다른 변형 순서를 포함할 수 있다. 또한, "에 반응하는", "에 관련된" 또는 다른 과거 시제 형용사와 같은 용어는, 문맥 상 달리 지시되지 않는 한, 일반적으로 이러한 변형을 배제하는 것으로 의도되지 않는다.
본 개시내용 및 그의 수반되는 많은 장점들은 전술한 설명에 의해 이해될 것이고, 개시된 주제를 벗어나지 않고 또는 그의 모든 물질적 장점들을 희생하지 않으면서 컴포넌트의 형태, 구성 및 배열에서 다양한 변경들이 이루어질 수 있음이 명백해질 것이라고 생각된다. 설명된 형태는 단지 설명에 불과하며, 그러한 변경을 망라하고 포함하는 것이 다음의 청구 범위의 의도인 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 여기에 첨부된 청구 범위에 의해서만 제한되어야 한다.

Claims (40)

  1. 기판 어레이에 있어서,
    복수의 기판층들로 형성된 복합 기판 - 상기 복합 기판은 복수의 홀들을 포함함 -;
    상기 복수의 기판층들 내에 임베딩된 복수의 전기 컴포넌트들;
    상기 복합 기판의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 결합된 적어도 하나의 접지 본딩 패드(ground bonding pad);
    상기 복합 기판의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 결합된 적어도 하나의 신호 본딩 패드; 및
    복수의 컬럼 전자 광학 요소(column electron-optical element)들로서, 상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들은 상기 복합 기판 내의 상기 복수의 홀들 위에 위치되고, 상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들 각각은 상기 복합 기판의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 결합된 특정 접지 본딩 패드 및 특정 신호 본딩 패드에 본딩되는 것인, 상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들을 포함하는, 기판 어레이.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 기판층들 내에 임베딩된 상기 복수의 전기 컴포넌트들은, 하나 이상의 접지 트레이스(ground trace), 하나 이상의 신호 트레이스, 하나 이상의 접지 비아, 또는 하나 이상의 신호 비아 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 어레이.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 하나 이상의 접지 트레이스, 상기 하나 이상의 접지 비아, 상기 하나 이상의 신호 트레이스, 또는 하나 이상의 신호 비아 중 적어도 하나는, 상기 복합 기판을 형성하기 전에 상기 복수의 기판층들 내에 임베딩되는 것인, 어레이.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 하나 이상의 접지 트레이스는, 상기 하나 이상의 접지 비아로 적어도 하나의 접지 본딩 패드에 전기적으로 결합되는 것인, 어레이.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 하나 이상의 신호 트레이스는, 상기 하나 이상의 신호 비아로 적어도 하나의 신호 본딩 패드에 전기적으로 결합되는 것인, 어레이.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복합 기판은, 상기 복수의 기판층들을 함께 프레싱(pressing)하는 것, 상기 복수의 기판층들을 함께 소결하는 것(sintering), 또는 상기 복수의 기판층들을 동시 소성 공정(co-firing process)을 통해 함께 접합시키는 것(joining) 중 적어도 하나를 통해 상기 복수의 기판층으로 형성되는 것인, 어레이.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 기판층들 중 적어도 일부는, 동시 소성된 세라믹으로 구성되는 것인, 어레이.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 접지 본딩 패드 또는 상기 적어도 하나의 신호 본딩 패드 중 적어도 일부는, 금속화 코팅(metalized coating) 또는 금속 플레이트(metal plate) 내에 있는 것인, 어레이.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 접지 본딩 패드 또는 상기 적어도 하나의 신호 본딩 패드는, 프레싱 공정, 소결 공정, 접착 공정, 후막 공정(thick-film process) 또는 박막 공정(thin-film process) 중 적어도 하나를 통해 상기 복합 기판의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 결합되는 것인, 어레이.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들 중 적어도 일부는, 특정 접지 본딩 패드 및 특정 신호 본딩 패드에 본딩되기 전에 완전하게(fully) 제조되는 것인, 어레이.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들 중 적어도 일부는, 상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들 중 적어도 일부를 특정 접지 본딩 패드 및 특정 신호 본딩 패드에 본딩하기 전에 제1 세트의 제조 공정들을 통해 부분적으로 제조되고, 상기 컬럼 전자 광학 요소들 중 적어도 일부는, 상기 컬럼 전자 광학 요소들 중 적어도 일부를 상기 특정 접지 본딩 패드 및 상기 특정 신호 본딩 패드에 본딩한 후 제2 세트의 제조 공정들을 통해 완전하게 제조되는 것인, 어레이.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 세트의 제조 공정들은,
    보링 공정(boring process) - 상기 보링 공정은 적어도 하나의 임계 공차(critical tolerance)에 기초하여 상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들 중 적어도 일부 내에 홀을 생성함 - ; 및
    절삭 공정(cutting process) - 상기 절삭 공정은 상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들 중 적어도 일부 내에 복수의 슬롯들을 생성하고, 상기 복수의 슬롯들은 제1 슬롯 및 적어도 제2 슬롯을 포함하고, 상기 제1 슬롯 및 상기 적어도 제2 슬롯은 상기 홀의 일부를 관통하며, 상기 제1 슬롯 및 상기 적어도 제2 슬롯은 상기 컬럼 전자 광학 요소의 에지까지 연장되지 않는 것인, 어레이.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 임계 공차는, 보어 크기(bore size) 또는 보어 형상 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 어레이.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제2 세트의 제조 공정들은,
    절삭 공정 - 상기 절삭 공정은 상기 복수의 슬롯들을 상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들 중 적어도 일부의 에지까지 연장시킴 - 을 포함하는 것인, 어레이.
  15. 제14항에 있어서,
    복수의 빔 편향기 극(beam deflector pole)들의 수가 4 개의 빔 편향기 극들 내지 24 개의 빔 편향기 극들 범위에 있는 것인, 어레이.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들을 상기 특정 접지 본딩 패드 및 상기 특정 신호 본딩 패드에 본딩하는 것은, 납땜 공정(soldering process), 경납땜 공정(brazing process) 또는 접착 공정 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 어레이.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들은, 상기 특정 접지 본딩 패드 및 상기 특정 신호 본딩 패드에 본딩되기 전에 검사되는 것인, 어레이.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들은 상기 특정 접지 본딩 패드 및 상기 특정 신호 본딩 패드에 결합되는 동안 정렬 공정을 통해 정렬되고, 상기 정렬 공정은 복수의 리소그래픽 타겟 피처들을 정렬하는 것 또는 광학 오버레이 정렬 공정 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 어레이.
  19. 다중 컬럼(multi-column) 스캐닝 전자 현미경(scanning electron microscopy; SEM) 시스템에 있어서,
    컬럼 어셈블리로서,
    제1 기판 어레이 어셈블리; 및
    적어도 제2 기판 어레이 어셈블리를 포함하고,
    상기 제1 기판 어레이 어셈블리 또는 상기 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리 중 적어도 하나의 기판 어레이 어셈블리의 기판 어레이는,
    복수의 기판층들로 형성된 복합 기판 - 상기 복합 기판은 두 개 이상의 전자 빔들 각각 마다 홀을 포함함 - ;
    상기 복수의 기판층들 내에 임베딩된 복수의 전기 컴포넌트들;
    상기 복합 기판의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 결합된 적어도 하나의 접지 본딩 패드;
    상기 복합 기판의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 결합된 적어도 하나의 신호 본딩 패드; 및
    복수의 컬럼 전자 광학 요소들 - 상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들은 상기 복합 기판 내의 복수의 홀들을 통해 상기 복합 기판에 본딩되고, 상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들 각각은 상기 복합 기판의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 결합된 특정 접지 본딩 패드 및 특정 신호 본딩 패드에 본딩됨 - 을 포함하는 것인, 상기 컬럼 어셈블리;
    소스 어셈블리로서,
    두 개 이상의 전자 빔들을 생성하도록 구성된 두 개 이상의 전자 빔 소스들 - 상기 두 개 이상의 전자 빔 소스 각각은 상기 두 개 이상의 전자 빔들의 전자 빔을 생성하도록 구성됨 - ; 및
    두 개 이상의 세트들의 복수의 포지셔너(positioner)들 - 각각의 세트의 복수의 포지셔너들은 상기 두 개 이상의 전자 빔 소스들의 특정 조명 빔 소스의 위치를 복수의 방향들로 조정하도록 구성됨 - 을 포함하는, 상기 소스 어셈블리; 및
    샘플을 고정하도록 구성된 스테이지 - 상기 컬럼 어셈블리는 상기 두 개 이상의 전자 빔들 중 적어도 일부를 상기 샘플의 일부로 지향시키도록 구성됨 - 를 포함하는, 다중 컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 시스템.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 소스 어셈블리는,
    두 개 이상의 세트들의 소스 전자 광학 요소들을 더 포함하고, 상기 두 개 이상의 세트들의 소스 전자 광학 요소들 각각은, 상기 컬럼 어셈블리를 통해 상기 두 개 이상의 전자 빔들의 전자 빔의 적어도 일부를 지향시키도록 구성되는 것인, 시스템.
  21. 제19 항에 있어서,
    두 개 이상의 검출기 어셈블리들을 더 포함하고, 상기 두 개 이상의 검출기 어셈블리들은 상기 샘플의 표면으로부터 방출되거나 산란된 전자들을 검출하도록 배치되는 것인, 시스템.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 두 개 이상의 검출기 어셈블리들은, 상기 컬럼 어셈블리 내에 배치되는 것인, 시스템.
  23. 제19항에 있어서,
    상기 두 개 이상의 전자 빔 소스들 각각은,
    쇼트키 이미터 디바이스(Schottky emitter device), 탄소 나노튜브(carbon nanotube; CNT) 이미터, 나노구조 탄소 막 이미터(nanostructured carbon film emitter) 또는 뮬러 타입 이미터(Muller-type emitter) 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 시스템.
  24. 제19항에 있어서,
    상기 제1 기판 어레이 어셈블리 또는 상기 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리 중 적어도 하나는 두 개 이상의 기판 어레이들을 포함하고, 적어도 하나의 금속 실드가 상기 두 개 이상의 기판 어레이들 사이에 배치되는 것인, 시스템.
  25. 제19항에 있어서,
    상기 제1 기판 어레이 어셈블리는 제1 기판 어레이 스택에 배열되고 제1 프레임에 장착되며, 상기 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리는 적어도 제2 기판 어레이 스택에 배열되고 적어도 제2 프레임에 장착되며, 상기 제1 프레임과 상기 적어도 제2 프레임은 결합되는 것인, 시스템.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 제1 기판 어레이 어셈블리를 배열하는 것, 상기 제2 기판 어레이 스택을 배열하는 것, 또는 상기 제1 프레임과 상기 적어도 제2 프레임을 결합하는 것 중 적어도 하나는, x 방향으로의 오프셋 거리, y 방향으로의 오프셋 거리, 또는 오프셋 회전 각도 중 적어도 하나를 보상하도록 정렬하는 것을 포함하는 것인, 시스템.
  27. 제19항에 있어서,
    상기 제1 기판 어레이 어셈블리는 제1의 본딩된 기판 어레이 스택에 배열되고, 상기 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리는 적어도 제2의 본딩된 기판 어레이 스택에 배치되며, 상기 제1의 본딩된 기판 어레이 스택과 상기 적어도 제2의 본딩된 기판 어레이 스택은 본딩되는 것인, 시스템.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 제1 기판 어레이 어셈블리를 배열하는 것, 상기 적어도 제2 기판 어레이를 배열하는 것, 또는 상기 제1의 본딩된 기판 어레이 스택과 상기 적어도 제2의 본딩된 기판 어레이 스택을 본딩하는 것 중 적어도 하나는, x 방향으로의 오프셋 거리, y 방향으로의 오프셋 거리, 또는 오프셋 회전 각도 중 적어도 하나를 보상하도록 정렬하는 것을 포함하는 것인, 시스템.
  29. 제19항에 있어서,
    상기 제1 기판 어레이 어셈블리는 제1 기판 어레이 스택에 배열되고 프레임에 장착되며, 상기 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리는 적어도 제2 기판 어레이 스택에 배열되고 상기 프레임과 동일한 프레임에 장착되는 것인, 시스템.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 제1 기판 어레이 어셈블리를 배열하는 것 또는 상기 제2 기판 어레이 스택을 배열하는 것 중 적어도 하나는, x 방향으로의 오프셋 거리, y 방향으로의 오프셋 거리, 또는 오프셋 회전 각도 중 적어도 하나를 보상하도록 정렬하는 것을 포함하는 것인, 시스템.
  31. 제19항에 있어서,
    상기 각각의 세트의 복수의 포지셔너들은 특정 조명 소스의 위치를 복수의 방향들로 조정하도록 구성되고, 상기 복수의 방향들은 x 방향, y 방향, 또는 z 방향 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 시스템.
  32. 제19항에 있어서,
    상기 복수의 기판층들 내에 임베딩된 상기 복수의 전기 컴포넌트들은, 하나 이상의 접지 트레이스, 하나 이상의 신호 트레이스, 하나 이상의 접지 비아, 또는 하나 이상의 신호 비아 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 시스템.
  33. 제32항에 있어서,
    상기 하나 이상의 접지 트레이스, 상기 하나 이상의 접지 비아, 상기 하나 이상의 신호 트레이스, 또는 상기 하나 이상의 신호 비아 중 적어도 하나는, 상기 복합 기판을 형성하기 전에 상기 복수의 기판층들 내에 임베딩되는 것인, 시스템.
  34. 제32항에 있어서,
    상기 하나 이상의 접지 트레이스는, 상기 하나 이상의 접지 비아로 적어도 하나의 접지 본딩 패드에 전기적으로 결합되는 것인, 시스템.
  35. 제32항에 있어서,
    상기 하나 이상의 신호 트레이스는, 상기 하나 이상의 신호 비아로 적어도 하나의 신호 본딩 패드에 전기적으로 결합되는 것인, 시스템.
  36. 방법에 있어서,
    복수의 기판 어레이들을 형성하는 단계로서, 상기 복수의 기판 어레이들의 기판 어레이를 형성하는 단계는,
    복수의 기판층들 내에 하나 이상의 컴포넌트를 임베딩하는 단계;
    상기 복수의 기판층들로 복합 기판을 형성하는 단계;
    상기 복합 기판 내에 복수의 홀들을 보링하는 단계;
    상기 복합 기판의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 적어도 하나의 접지 본딩 패드를 결합하는 단계;
    상기 복합 기판의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 적어도 하나의 신호 본딩 패드를 결합하는 단계; 및
    상기 복합 기판의 상부 표면 또는 하부 표면 중 적어도 하나의 표면에 결합된 특정 접지 본딩 패드 및 특정 신호 본딩 패드에 복수의 컬럼 전자 광학 요소들을 본딩하는 단계 - 상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들 각각은 상기 복합 기판 내의 복수의 홀들 위에 배치됨 - 를 포함하는 것인, 상기 복수의 기판 어레이들을 형성하는 단계;
    상기 복수의 기판 어레이들을 제1 기판 어레이 어셈블리 및 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리로 소팅(sorting)하는 단계; 및
    상기 제1 기판 어레이 어셈블리 및 상기 적어도 제2 기판 어레이 어셈블리로 컬럼 어셈블리를 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
  37. 제36항에 있어서,
    상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들 중 적어도 일부는, 상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들 중 적어도 일부를 특정 접지 본딩 패드 및 특정 신호 본딩 패드에 본딩하기 전에 제1 세트의 제조 공정들을 통해 부분적으로 제조되고, 상기 컬럼 전자 광학 요소들 중 적어도 일부는, 상기 컬럼 전자 광학 요소들 중 적어도 일부를 상기 특정 접지 본딩 패드 및 상기 특정 신호 본딩 패드에 본딩한 후 제2 세트의 제조 공정들을 통해 완전하게 제조되는 것인, 방법.
  38. 제37항에 있어서,
    상기 제1 세트의 제조 공정들은,
    적어도 하나의 임계 공차에 기초하여 상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들 중 적어도 일부 내에 홀을 보링하는 단계; 및
    상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들 중 적어도 일부 내에 복수의 슬롯들을 절삭하는 단계 - 상기 복수의 슬롯들은 제1 슬롯 및 적어도 제2 슬롯을 포함하고, 상기 제1 슬롯 및 상기 적어도 제2 슬롯은 상기 홀의 일부를 관통하며, 상기 제1 슬롯 및 상기 적어도 제2 슬롯은 상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들 중 적어도 일부의 에지까지 연장되지 않음 - 를 포함하는 것인, 방법.
  39. 제38항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 임계 공차는, 보어 크기 또는 보어 형상 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 방법.
  40. 제38항에 있어서,
    상기 제2 세트의 제조 공정들은,
    상기 복수의 슬롯들을 상기 복수의 컬럼 전자 광학 요소들 중 적어도 일부의 에지까지 연장되도록 절삭하는 단계를 포함하는 것인, 방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11373838B2 (en) 2018-10-17 2022-06-28 Kla Corporation Multi-beam electron characterization tool with telecentric illumination
US20200194223A1 (en) * 2018-12-14 2020-06-18 Kla Corporation Joint Electron-Optical Columns for Flood-Charging and Image-Forming in Voltage Contrast Wafer Inspections
US10978270B2 (en) 2018-12-19 2021-04-13 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, interchangeable multi-aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device
SG11202106369RA (en) * 2018-12-31 2021-07-29 Asml Netherlands Bv Multi-beam inspection apparatus

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002198294A (ja) * 2000-12-27 2002-07-12 Hitachi Ltd 電子ビーム描画装置及びそれを用いて作製された半導体デバイス
US20030189180A1 (en) * 2000-04-04 2003-10-09 Shinichi Hamaguchi Multi-beam exposure apparatus using a multi- axis electron lens, electron lens convergencing a plurality of electron beam and fabrication method of a semiconductor device
KR20060070398A (ko) * 2004-12-20 2006-06-23 한국전자통신연구원 Ｌｔｃｃ 기판을 이용한 웨이퍼 규모의 마이크로칼럼어레이
US20110266418A1 (en) * 2009-10-26 2011-11-03 Mapper Lithography Ip B.V. Charged particle multi-beamlet lithography system, modulation device , and method of manufacturing thereof
JP2014220241A (ja) * 2013-05-06 2014-11-20 アイシーティー インテグレーテッド サーキット テスティング ゲゼルシャフト フィーア ハルプライタープリーフテヒニック エム ベー ハー 電子ビームウェーハ検査システム及びその作動方法
US20160247659A1 (en) * 2015-02-25 2016-08-25 Tae Sik Oh Electrostatic Quadrupole Deflector for Microcolumn

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4419580A (en) * 1981-06-26 1983-12-06 Control Data Corporation Electron beam array alignment means
US5412539A (en) * 1993-10-18 1995-05-02 Hughes Aircraft Company Multichip module with a mandrel-produced interconnecting decal
JPH09139184A (ja) * 1995-11-15 1997-05-27 Nikon Corp 静電偏向器の製造方法
JP3402998B2 (ja) * 1997-03-18 2003-05-06 株式会社東芝 荷電ビーム描画装置用静電偏向電極の製造方法
US6255601B1 (en) 1997-04-01 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Conductive feedthrough for a ceramic body and method of fabricating same
US9054094B2 (en) 1997-04-08 2015-06-09 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit
US6369385B1 (en) * 1999-05-05 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Integrated microcolumn and scanning probe microscope arrays
US6465783B1 (en) * 1999-06-24 2002-10-15 Nikon Corporation High-throughput specimen-inspection apparatus and methods utilizing multiple parallel charged particle beams and an array of multiple secondary-electron-detectors
JP3763446B2 (ja) * 1999-10-18 2006-04-05 キヤノン株式会社 静電レンズ、電子ビーム描画装置、荷電ビーム応用装置、および、デバイス製造方法
JP3749107B2 (ja) * 1999-11-05 2006-02-22 ファブソリューション株式会社 半導体デバイス検査装置
WO2001039243A1 (en) 1999-11-23 2001-05-31 Ion Diagnostics, Inc. Electron optics for multi-beam electron beam lithography tool
US6414835B1 (en) 2000-03-01 2002-07-02 Medtronic, Inc. Capacitive filtered feedthrough array for an implantable medical device
JP2001284230A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法
EP1271604A4 (en) * 2001-01-10 2005-05-25 Ebara Corp EXAMINATION DEVICE AND INVESTIGATION METHOD WITH ELECTRON BEAM AND COMPONENT MANUFACTURING METHODS WITH THE INVESTIGATION DEVICE
JP4246401B2 (ja) * 2001-01-18 2009-04-02 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置及び電子ビーム偏向装置
US6791083B2 (en) 2002-07-29 2004-09-14 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Image compensation device for a scanning electron microscope
JP2004165076A (ja) * 2002-11-15 2004-06-10 Advantest Corp 偏向器の製造方法、偏向器、及び露光装置
KR100456237B1 (ko) * 2002-11-22 2004-11-09 한국전자통신연구원 마이크로컬럼 전자빔 장치의 편향기 및 그 제작 방법
CN101630623B (zh) * 2003-05-09 2012-02-22 株式会社荏原制作所 基于带电粒子束的检查装置及采用了该检查装置的器件制造方法
EP2579274A1 (en) * 2003-09-05 2013-04-10 Carl Zeiss SMT GmbH Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements
US7045794B1 (en) 2004-06-18 2006-05-16 Novelx, Inc. Stacked lens structure and method of use thereof for preventing electrical breakdown
US7109486B1 (en) 2004-06-18 2006-09-19 Novelx, Inc. Layered electron beam column and method of use thereof
US7098456B1 (en) * 2004-08-13 2006-08-29 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus for accurate e-beam metrology
US7598594B2 (en) * 2004-12-20 2009-10-06 Electronics And Telecommunications Research Institute Wafer-scale microcolumn array using low temperature co-fired ceramic substrate
US7394071B2 (en) * 2004-12-20 2008-07-01 Electronics And Telecommunications Research Institute Micro column electron beam apparatus formed in low temperature co-fired ceramic substrate
TWI256660B (en) * 2005-04-22 2006-06-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Carbon nanotube array and method for making the same
US7259373B2 (en) * 2005-07-08 2007-08-21 Nexgensemi Holdings Corporation Apparatus and method for controlled particle beam manufacturing
JP4588602B2 (ja) * 2005-09-30 2010-12-01 株式会社トプコン 静電偏向器の製造方法
DE102008010123A1 (de) * 2007-02-28 2008-09-04 Ims Nanofabrication Ag Vielstrahl-Ablenkarray-Einrichtung für maskenlose Teilchenstrahl-Bearbeitung
US7823440B2 (en) * 2007-08-16 2010-11-02 Micron Technology, Inc. Systems and methods for characterizing thickness and topography of microelectronic workpiece layers
KR101276198B1 (ko) * 2008-05-27 2013-06-18 전자빔기술센터 주식회사 전자 칼럼용 다중극 렌즈
US8198601B2 (en) * 2009-01-28 2012-06-12 Ims Nanofabrication Ag Method for producing a multi-beam deflector array device having electrodes
US8115168B2 (en) 2009-03-04 2012-02-14 Agilent Technologies, Inc. Layered scanning charged particle apparatus package having an embedded heater
US8106358B2 (en) 2009-03-04 2012-01-31 Agilent Technologies, Inc. Layered scanning charged particle microscope with differential pumping aperture
TWI497557B (zh) * 2009-04-29 2015-08-21 Mapper Lithography Ip Bv 包含靜電偏轉器的帶電粒子光學系統
EP2251893B1 (en) * 2009-05-14 2014-10-29 IMS Nanofabrication AG Multi-beam deflector array means with bonded electrodes
US8698006B2 (en) 2009-06-04 2014-04-15 Morgan Advanced Ceramics, Inc. Co-fired metal and ceramic composite feedthrough assemblies for use at least in implantable medical devices and methods for making the same
US8618513B2 (en) 2011-05-23 2013-12-31 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for forming an electrical conduction path through an insulating layer
NL2006868C2 (en) * 2011-05-30 2012-12-03 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle multi-beamlet apparatus.
EP2557584A1 (en) 2011-08-10 2013-02-13 Fei Company Charged-particle microscopy imaging method
JP6025378B2 (ja) 2012-04-20 2016-11-16 キヤノン株式会社 電子顕微鏡および試料の観察方法
US8513619B1 (en) 2012-05-10 2013-08-20 Kla-Tencor Corporation Non-planar extractor structure for electron source
US9591770B2 (en) 2013-04-26 2017-03-07 Kla-Tencor Corporation Multi-layer ceramic vacuum to atmosphere electric feed through
US9842724B2 (en) 2015-02-03 2017-12-12 Kla-Tencor Corporation Method and system for imaging of a photomask through a pellicle
US9922799B2 (en) * 2015-07-21 2018-03-20 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
US9754759B2 (en) * 2015-11-20 2017-09-05 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, and method of manufacturing an electrostatic multipole device
JP6861508B2 (ja) * 2016-12-08 2021-04-21 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム露光方法及びマルチ荷電粒子ビーム露光装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030189180A1 (en) * 2000-04-04 2003-10-09 Shinichi Hamaguchi Multi-beam exposure apparatus using a multi- axis electron lens, electron lens convergencing a plurality of electron beam and fabrication method of a semiconductor device
JP2002198294A (ja) * 2000-12-27 2002-07-12 Hitachi Ltd 電子ビーム描画装置及びそれを用いて作製された半導体デバイス
KR20060070398A (ko) * 2004-12-20 2006-06-23 한국전자통신연구원 Ｌｔｃｃ 기판을 이용한 웨이퍼 규모의 마이크로칼럼어레이
US20110266418A1 (en) * 2009-10-26 2011-11-03 Mapper Lithography Ip B.V. Charged particle multi-beamlet lithography system, modulation device , and method of manufacturing thereof
JP2014220241A (ja) * 2013-05-06 2014-11-20 アイシーティー インテグレーテッド サーキット テスティング ゲゼルシャフト フィーア ハルプライタープリーフテヒニック エム ベー ハー 電子ビームウェーハ検査システム及びその作動方法
US20160247659A1 (en) * 2015-02-25 2016-08-25 Tae Sik Oh Electrostatic Quadrupole Deflector for Microcolumn

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