JP7344340B2 - マルチカラム走査電子顕微鏡法システム - Google Patents
マルチカラム走査電子顕微鏡法システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP7344340B2 JP7344340B2 JP2022068069A JP2022068069A JP7344340B2 JP 7344340 B2 JP7344340 B2 JP 7344340B2 JP 2022068069 A JP2022068069 A JP 2022068069A JP 2022068069 A JP2022068069 A JP 2022068069A JP 7344340 B2 JP7344340 B2 JP 7344340B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- column
- substrate array
- assembly
- electro
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 title claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 305
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 59
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 51
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 39
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 15
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 5
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 4
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 claims 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 38
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 34
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Chemical group 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 2
- 241000473391 Archosargus rhomboidalis Species 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical group 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/285—Emission microscopes, e.g. field-emission microscopes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1471—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path for centering, aligning or positioning of ray or beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/12—Lenses electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/14—Lenses magnetic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
- H01J37/1474—Scanning means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/14—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/10—Lenses
- H01J2237/12—Lenses electrostatic
- H01J2237/1205—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
本出願は、その各々の全体を本願に引用して援用する、2017年2月3日に出願された、「METHOD OF COLUMN QUADRUPOLE OR OCTUPOLE ALIGNMENT,BONDING AND POST-MACHINING」と題し、ロバート・ハイネス(Robert Haynes)、アロン・ウェルク(Aron Welk)、およびメヘラーン・ナサー・ゴシ(Mehran Nasser Ghodsi)を発明者とする、米国仮特許出願第62/454,715号と、2017年2月7日に出願された、「COLUMN MANUFACTURING AND ASSEMBLY」と題し、アロン・ウェルク(Aron Welk)、ロバート・ハイネス(Robert Haynes)、トーマス・プレットナ(Tomas Plettner)、およびジョン・ガーリング(John Gerling)を発明者とする、米国仮特許出願第62/455,955号とに対する米国特許法第119条(e)項に基づく優先権を主張する。
Claims (19)
- 第1の基板アレイ組立部品、および
少なくとも第2の基板アレイ組立部品
を備えた、カラム組立部品であり、前記第1の基板アレイ組立部品または前記少なくとも第2の基板アレイ組立部品のうちの少なくとも1つの基板アレイが、
複数の基板層から形成された複合基板であり、2つ以上の電子ビームのうちの各電子ビームのための穴を含む複合基板、
前記複数の基板層内に埋め込まれた複数の電気的構成要素、
前記複合基板の上面または底面のうちの少なくとも1つに結合された少なくとも1つのグラウンドコンタクトパッド、
前記複合基板の前記上面または前記底面のうちの少なくとも1つに結合された少なくとも1つの信号コンタクトパッド、および、
前記複合基板内の前記複数の穴の上で、前記複合基板に接合された複数のカラム電子光学素子であり、それぞれが、複合基板の上面または底面のうちの少なくとも1つに結合された特定のグラウンドコンタクトパッドと特定の信号コンタクトパッドとに接合された、複数のカラム電子光学素子
を含む、カラム組立部品と、
2つ以上の電子ビームを生成するように構成された2つ以上の電子ビームソースであり、それぞれが前記2つ以上の電子ビームのうちの一つの電子ビームを生成するように構成された、2つ以上の電子ビームソース、および
複数の位置決め器の2つ以上のセットであり、複数の位置決め器の各セットが、複数の方向で前記2つ以上の電子ビームソースの特定の電子ビームソースの位置を調節するように構成された、複数の位置決め器の2つ以上のセット
を備えた、ソース組立部品と、
サンプルを固定するように構成されたステージであり、前記カラム組立部品が、前記2つ以上の電子ビームの少なくとも一部分を前記サンプルの一部分に向けるように構成された、ステージと、
前記サンプルの表面から放射される電子または散乱される電子を検出するように置かれた2つ以上の検出器組立部品と、
を備え、前記2つ以上の検出器組立部品が、前記カラム組立部品内に置かれることを特徴とするマルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)システム。 - 請求項1に記載のシステムであって、前記ソース組立部品がさらに、
ソース電子光学素子の2つ以上のセットをさらに備え、前記ソース電子光学素子の前記2つ以上のセットの各々が、前記2つ以上の電子ビームのうちの電子ビームの少なくとも一部分を、前記カラム組立部品を通るように向けるように構成されることを特徴とするマルチカラム走査電子顕微鏡法システム。 - 請求項1に記載のシステムであって、前記2つ以上の電子ビームソースの各々が、
ショットキーエミッタデバイス、カーボンナノチューブ(CNT)エミッタ、ナノ構造のカーボンフィルムエミッタ、またはミュラータイプのエミッタのうちの少なくとも1つ
を備えることを特徴とするマルチカラム走査電子顕微鏡法システム。 - 請求項1に記載のシステムであって、前記第1の基板アレイ組立部品または前記少なくとも第2の基板アレイ組立部品のうちの少なくとも1つが、2つ以上の基板アレイを含み、少なくとも1つの金属シールドが、前記2つ以上の基板アレイの間に置かれることを特徴とするマルチカラム走査電子顕微鏡法システム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記第1の基板アレイ組立部品が、第1の基板アレイスタックにおいて配置され、第1のフレームに取り付けられ、前記少なくとも第2の基板アレイ組立部品が、少なくとも第2の基板アレイスタックにおいて配置され、少なくとも第2のフレームに取り付けられ、前記第1のフレームと前記少なくとも第2のフレームとが結合されることを特徴とするマルチカラム走査電子顕微鏡法システム。
- 請求項5に記載のシステムであって、前記第1の基板アレイ組立部品を配置すること、前記第2の基板アレイ組立部品を配置すること、または前記第1のフレームと前記少なくとも第2のフレームとを結合させることのうちの少なくとも1つが、x方向におけるオフセット距離、y方向におけるオフセット距離、またはオフセット回転角度のうちの少なくとも1つを補償するように整列させることを含むことを特徴とするマルチカラム走査電子顕微鏡法システム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記第1の基板アレイ組立部品が、第1の接合された基板アレイスタックにおいて配置され、前記少なくとも第2の基板アレイ組立部品が、少なくとも第2の接合された基板アレイスタックにおいて配置され、前記第1の接合された基板アレイスタックと前記少なくとも第2の接合された基板アレイスタックとが接合されることを特徴とするマルチカラム走査電子顕微鏡法システム。
- 請求項7に記載のシステムであって、前記第1の基板アレイ組立部品を配置すること、前記少なくとも第2の基板アレイ組立部品を配置すること、あるいは前記第1の接合された基板アレイスタックと前記少なくとも第2の接合された基板アレイスタックとを接合することのうちの少なくとも1つが、x方向におけるオフセット距離、y方向におけるオフセット距離、またはオフセット回転角度のうちの少なくとも1つを補償するように整列させることを含むことを特徴とするマルチカラム走査電子顕微鏡法システム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記第1の基板アレイ組立部品が、第1の基板アレイスタックにおいて配置され、フレームに取り付けられ、前記少なくとも第2の基板アレイ組立部品が、少なくとも第2の基板アレイスタックにおいて配置され、同じフレームに取り付けられることを特徴とするマルチカラム走査電子顕微鏡法システム。
- 請求項9に記載のシステムであって、前記第1の基板アレイ組立部品を配置することまたは前記第2の基板アレイ組立部品を配置することのうちの少なくとも1つが、x方向におけるオフセット距離、y方向におけるオフセット距離、またはオフセット回転角度のうちの少なくとも1つを補償するように整列させることを含むことを特徴とするマルチカラム走査電子顕微鏡法システム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記複数の位置決め器の各セットが、複数の方向で特定の照明ソースの位置を調節するように構成され、前記複数の方向が、x方向、y方向、またはz方向のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とするマルチカラム走査電子顕微鏡法システム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記複数の基板層内に埋め込まれた前記複数の電気的構成要素が、1つ以上の接地トレース、1つ以上の信号トレース、1つ以上のグラウンドビア、あるいは1つ以上の信号ビアのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とするマルチカラム走査電子顕微鏡法システム。
- 請求項12に記載のシステムの製造方法であって、前記1つ以上の接地トレース、前記1つ以上のグラウンドビア、前記1つ以上の信号トレース、あるいは前記1つ以上の信号ビアのうちの少なくとも1つが、前記複合基板を形成する前に前記複数の基板層内に埋め込まれることを特徴とするマルチカラム走査電子顕微鏡法システムの製造方法。
- 請求項12に記載のシステムであって、前記1つ以上の接地トレースが、前記1つ以上のグラウンドビアで前記少なくとも1つのグラウンドコンタクトパッドに電気的に結合されることを特徴とするマルチカラム走査電子顕微鏡法システム。
- 請求項12に記載のシステムであって、前記1つ以上の信号トレースが、前記1つ以上の信号ビアで前記少なくとも1つの信号コンタクトパッドに電気的に結合されることを特徴とするマルチカラム走査電子顕微鏡法システム。
- 複数の基板アレイを形成することであって、前記複数の基板アレイを形成することが、
複数の基板層内に1つ以上の構成要素を埋め込むこと、
前記複数の基板層から複合基板を形成すること、
前記複合基板において複数の穴を開けること、
少なくとも1つのグラウンドコンタクトパッドを前記複合基板の上面または底面のうちの少なくとも1つに結合させること、
少なくとも1つの信号コンタクトパッドを前記複合基板の前記上面または前記底面のうちの少なくとも1つに結合させること、および、
前記複合基板の前記上面または前記底面のうちの少なくとも1つに結合された特定のグラウンドコンタクトパッドおよび特定の信号コンタクトパッドに複数のカラム電子光学素子を接合することであり、前記複数のカラム電子光学素子の各々が、前記複合基板内の前記複数の穴の上に置かれる、接合すること
を含む、前記複数の基板アレイを形成することと、
前記複数の基板アレイを第1の基板アレイ組立部品および少なくとも第2の基板アレイ組立部品に分類することと、
前記第1の基板アレイ組立部品および前記少なくとも第2の基板アレイ組立部品からカラム組立部品を形成することと、
を含み、
前記複数のカラム電子光学素子のうちの少なくともいくつかが、前記複数のカラム電子光学素子のうちの前記少なくともいくつかを特定のグラウンドコンタクトパッドおよび特定の信号コンタクトパッドに接合する前に第1のセットの製造プロセスを介して部分的に製造され、前記複数のカラム電子光学素子のうちの前記少なくともいくつかが、前記複数のカラム電子光学素子のうちの前記少なくともいくつかを前記特定のグラウンドコンタクトパッドおよび前記特定の信号コンタクトパッドに接合した後に第2のセットの製造プロセスを介して完全に製造されることを特徴とする方法。 - 請求項16に記載の方法であって、前記第1のセットの製造プロセスが、
前記複数のカラム電子光学素子のうちの前記少なくともいくつかにおいて少なくとも1つの限界公差に基づいて穴を開けることと、
前記複数のカラム電子光学素子のうちの前記少なくともいくつかにおいて複数のスロットを切り取ることであり、前記複数のスロットが、第1のスロットおよび少なくとも第2のスロットを含み、前記第1のスロットおよび前記少なくとも第2のスロットが、前記穴の一部分を通過し、前記第1のスロットおよび前記少なくとも第2のスロットが、前記複数のカラム電子光学素子のうちの前記少なくともいくつかのカラム電子光学素子の端までは延びていない、切り取ることと、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項17に記載の方法であって、前記少なくとも1つの限界公差が、穴のサイズまたは穴の形状のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする方法。
- 請求項17に記載の方法であって、前記第2のセットの製造プロセスが、
前記複数のカラム電子光学素子のうちの前記少なくともいくつかのカラム電子光学素子の前記端まで延びるように前記複数のスロットを切り取ること
を含むことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762454715P | 2017-02-03 | 2017-02-03 | |
US62/454,715 | 2017-02-03 | ||
US201762455955P | 2017-02-07 | 2017-02-07 | |
US62/455,955 | 2017-02-07 | ||
US15/612,862 US10840056B2 (en) | 2017-02-03 | 2017-06-02 | Multi-column scanning electron microscopy system |
US15/612,862 | 2017-06-02 | ||
JP2019542105A JP7193467B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-02-02 | マルチカラム走査電子顕微鏡法システム |
PCT/US2018/016742 WO2018144947A1 (en) | 2017-02-03 | 2018-02-02 | Multi-column scanning electron microscopy system |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019542105A Division JP7193467B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-02-02 | マルチカラム走査電子顕微鏡法システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022092064A JP2022092064A (ja) | 2022-06-21 |
JP7344340B2 true JP7344340B2 (ja) | 2023-09-13 |
Family
ID=63037324
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019542105A Active JP7193467B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-02-02 | マルチカラム走査電子顕微鏡法システム |
JP2022068069A Active JP7344340B2 (ja) | 2017-02-03 | 2022-04-18 | マルチカラム走査電子顕微鏡法システム |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019542105A Active JP7193467B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-02-02 | マルチカラム走査電子顕微鏡法システム |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10840056B2 (ja) |
JP (2) | JP7193467B2 (ja) |
KR (1) | KR102478718B1 (ja) |
CN (2) | CN114678245A (ja) |
DE (1) | DE112018000685T5 (ja) |
IL (3) | IL298328A (ja) |
TW (1) | TWI757418B (ja) |
WO (1) | WO2018144947A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11373838B2 (en) | 2018-10-17 | 2022-06-28 | Kla Corporation | Multi-beam electron characterization tool with telecentric illumination |
US20200194223A1 (en) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | Kla Corporation | Joint Electron-Optical Columns for Flood-Charging and Image-Forming in Voltage Contrast Wafer Inspections |
US10978270B2 (en) | 2018-12-19 | 2021-04-13 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device, interchangeable multi-aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device |
SG11202106369RA (en) * | 2018-12-31 | 2021-07-29 | Asml Netherlands Bv | Multi-beam inspection apparatus |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002543439A (ja) | 1999-05-05 | 2002-12-17 | イーテック・システムズ・インコーポレイテッド | 一体型マイクロカラム・走査型プローブ顕微鏡アレイ |
JP2004165076A (ja) | 2002-11-15 | 2004-06-10 | Advantest Corp | 偏向器の製造方法、偏向器、及び露光装置 |
US20060131698A1 (en) | 2004-12-20 | 2006-06-22 | Jeong Jin W | Wafer-scale microcolumn array using low temperature co-fired ceramic substrate |
Family Cites Families (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4419580A (en) * | 1981-06-26 | 1983-12-06 | Control Data Corporation | Electron beam array alignment means |
US5412539A (en) * | 1993-10-18 | 1995-05-02 | Hughes Aircraft Company | Multichip module with a mandrel-produced interconnecting decal |
JPH09139184A (ja) * | 1995-11-15 | 1997-05-27 | Nikon Corp | 静電偏向器の製造方法 |
JP3402998B2 (ja) * | 1997-03-18 | 2003-05-06 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画装置用静電偏向電極の製造方法 |
US6255601B1 (en) | 1997-04-01 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Conductive feedthrough for a ceramic body and method of fabricating same |
US9054094B2 (en) | 1997-04-08 | 2015-06-09 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit |
US6465783B1 (en) * | 1999-06-24 | 2002-10-15 | Nikon Corporation | High-throughput specimen-inspection apparatus and methods utilizing multiple parallel charged particle beams and an array of multiple secondary-electron-detectors |
JP3763446B2 (ja) * | 1999-10-18 | 2006-04-05 | キヤノン株式会社 | 静電レンズ、電子ビーム描画装置、荷電ビーム応用装置、および、デバイス製造方法 |
JP3749107B2 (ja) * | 1999-11-05 | 2006-02-22 | ファブソリューション株式会社 | 半導体デバイス検査装置 |
WO2001039243A1 (en) | 1999-11-23 | 2001-05-31 | Ion Diagnostics, Inc. | Electron optics for multi-beam electron beam lithography tool |
US6414835B1 (en) | 2000-03-01 | 2002-07-02 | Medtronic, Inc. | Capacitive filtered feedthrough array for an implantable medical device |
JP2001284230A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法 |
KR20030028461A (ko) * | 2000-04-04 | 2003-04-08 | 주식회사 아도반테스토 | 다축전자렌즈를 이용한 멀티빔 노광장치, 반도체소자제조방법 |
JP3485888B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2004-01-13 | 株式会社日立製作所 | 電子ビーム描画装置及びそれを用いて作製された半導体デバイス |
EP1271604A4 (en) * | 2001-01-10 | 2005-05-25 | Ebara Corp | EXAMINATION DEVICE AND INVESTIGATION METHOD WITH ELECTRON BEAM AND COMPONENT MANUFACTURING METHODS WITH THE INVESTIGATION DEVICE |
JP4246401B2 (ja) * | 2001-01-18 | 2009-04-02 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム偏向装置 |
US6791083B2 (en) | 2002-07-29 | 2004-09-14 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Image compensation device for a scanning electron microscope |
KR100456237B1 (ko) * | 2002-11-22 | 2004-11-09 | 한국전자통신연구원 | 마이크로컬럼 전자빔 장치의 편향기 및 그 제작 방법 |
CN101630623B (zh) * | 2003-05-09 | 2012-02-22 | 株式会社荏原制作所 | 基于带电粒子束的检查装置及采用了该检查装置的器件制造方法 |
EP2579274A1 (en) * | 2003-09-05 | 2013-04-10 | Carl Zeiss SMT GmbH | Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements |
US7045794B1 (en) | 2004-06-18 | 2006-05-16 | Novelx, Inc. | Stacked lens structure and method of use thereof for preventing electrical breakdown |
US7109486B1 (en) | 2004-06-18 | 2006-09-19 | Novelx, Inc. | Layered electron beam column and method of use thereof |
US7098456B1 (en) * | 2004-08-13 | 2006-08-29 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and apparatus for accurate e-beam metrology |
KR100670945B1 (ko) * | 2004-12-20 | 2007-01-17 | 한국전자통신연구원 | Ltcc 기판을 이용한 웨이퍼 규모의 마이크로칼럼어레이 |
US7394071B2 (en) * | 2004-12-20 | 2008-07-01 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Micro column electron beam apparatus formed in low temperature co-fired ceramic substrate |
TWI256660B (en) * | 2005-04-22 | 2006-06-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Carbon nanotube array and method for making the same |
US7259373B2 (en) * | 2005-07-08 | 2007-08-21 | Nexgensemi Holdings Corporation | Apparatus and method for controlled particle beam manufacturing |
JP4588602B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2010-12-01 | 株式会社トプコン | 静電偏向器の製造方法 |
DE102008010123A1 (de) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Ims Nanofabrication Ag | Vielstrahl-Ablenkarray-Einrichtung für maskenlose Teilchenstrahl-Bearbeitung |
US7823440B2 (en) * | 2007-08-16 | 2010-11-02 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for characterizing thickness and topography of microelectronic workpiece layers |
KR101276198B1 (ko) * | 2008-05-27 | 2013-06-18 | 전자빔기술센터 주식회사 | 전자 칼럼용 다중극 렌즈 |
US8198601B2 (en) * | 2009-01-28 | 2012-06-12 | Ims Nanofabrication Ag | Method for producing a multi-beam deflector array device having electrodes |
US8115168B2 (en) | 2009-03-04 | 2012-02-14 | Agilent Technologies, Inc. | Layered scanning charged particle apparatus package having an embedded heater |
US8106358B2 (en) | 2009-03-04 | 2012-01-31 | Agilent Technologies, Inc. | Layered scanning charged particle microscope with differential pumping aperture |
TWI497557B (zh) * | 2009-04-29 | 2015-08-21 | Mapper Lithography Ip Bv | 包含靜電偏轉器的帶電粒子光學系統 |
EP2251893B1 (en) * | 2009-05-14 | 2014-10-29 | IMS Nanofabrication AG | Multi-beam deflector array means with bonded electrodes |
US8698006B2 (en) | 2009-06-04 | 2014-04-15 | Morgan Advanced Ceramics, Inc. | Co-fired metal and ceramic composite feedthrough assemblies for use at least in implantable medical devices and methods for making the same |
WO2011051305A1 (en) * | 2009-10-26 | 2011-05-05 | Mapper Lithography Ip B.V. | Charged particle multi-beamlet lithography system, with modulation device |
US8618513B2 (en) | 2011-05-23 | 2013-12-31 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for forming an electrical conduction path through an insulating layer |
NL2006868C2 (en) * | 2011-05-30 | 2012-12-03 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle multi-beamlet apparatus. |
EP2557584A1 (en) | 2011-08-10 | 2013-02-13 | Fei Company | Charged-particle microscopy imaging method |
JP6025378B2 (ja) | 2012-04-20 | 2016-11-16 | キヤノン株式会社 | 電子顕微鏡および試料の観察方法 |
US8513619B1 (en) | 2012-05-10 | 2013-08-20 | Kla-Tencor Corporation | Non-planar extractor structure for electron source |
US9591770B2 (en) | 2013-04-26 | 2017-03-07 | Kla-Tencor Corporation | Multi-layer ceramic vacuum to atmosphere electric feed through |
EP2801997B1 (en) * | 2013-05-06 | 2016-03-09 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Electron beam wafer inspection system and method for operation thereof |
US9842724B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-12-12 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for imaging of a photomask through a pellicle |
US9666407B2 (en) * | 2015-02-25 | 2017-05-30 | Industry-University Cooperation Foundation Sunmoon University | Electrostatic quadrupole deflector for microcolumn |
US9922799B2 (en) * | 2015-07-21 | 2018-03-20 | Hermes Microvision, Inc. | Apparatus of plural charged-particle beams |
US9754759B2 (en) * | 2015-11-20 | 2017-09-05 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, and method of manufacturing an electrostatic multipole device |
JP6861508B2 (ja) * | 2016-12-08 | 2021-04-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム露光方法及びマルチ荷電粒子ビーム露光装置 |
-
2017
- 2017-06-02 US US15/612,862 patent/US10840056B2/en active Active
-
2018
- 2018-02-02 IL IL298328A patent/IL298328A/en unknown
- 2018-02-02 CN CN202210320146.9A patent/CN114678245A/zh active Pending
- 2018-02-02 KR KR1020197025608A patent/KR102478718B1/ko active IP Right Grant
- 2018-02-02 JP JP2019542105A patent/JP7193467B2/ja active Active
- 2018-02-02 IL IL268435A patent/IL268435B2/en unknown
- 2018-02-02 DE DE112018000685.9T patent/DE112018000685T5/de active Pending
- 2018-02-02 CN CN201880015469.9A patent/CN110383416B/zh active Active
- 2018-02-02 WO PCT/US2018/016742 patent/WO2018144947A1/en active Application Filing
- 2018-02-02 IL IL298329A patent/IL298329A/en unknown
- 2018-02-02 TW TW107103721A patent/TWI757418B/zh active
-
2020
- 2020-11-16 US US17/099,476 patent/US20210090844A1/en active Pending
-
2022
- 2022-04-18 JP JP2022068069A patent/JP7344340B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002543439A (ja) | 1999-05-05 | 2002-12-17 | イーテック・システムズ・インコーポレイテッド | 一体型マイクロカラム・走査型プローブ顕微鏡アレイ |
JP2004165076A (ja) | 2002-11-15 | 2004-06-10 | Advantest Corp | 偏向器の製造方法、偏向器、及び露光装置 |
US20060131698A1 (en) | 2004-12-20 | 2006-06-22 | Jeong Jin W | Wafer-scale microcolumn array using low temperature co-fired ceramic substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL298329A (en) | 2023-01-01 |
JP7193467B2 (ja) | 2022-12-20 |
IL268435B2 (en) | 2023-10-01 |
TW201841053A (zh) | 2018-11-16 |
CN110383416A (zh) | 2019-10-25 |
IL268435B1 (en) | 2023-06-01 |
IL298328A (en) | 2023-01-01 |
US10840056B2 (en) | 2020-11-17 |
CN110383416B (zh) | 2022-03-25 |
WO2018144947A1 (en) | 2018-08-09 |
DE112018000685T5 (de) | 2019-10-17 |
US20210090844A1 (en) | 2021-03-25 |
CN114678245A (zh) | 2022-06-28 |
TWI757418B (zh) | 2022-03-11 |
IL268435A (en) | 2019-09-26 |
KR20190105242A (ko) | 2019-09-16 |
US20180226219A1 (en) | 2018-08-09 |
JP2022092064A (ja) | 2022-06-21 |
KR102478718B1 (ko) | 2022-12-16 |
JP2020505747A (ja) | 2020-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7344340B2 (ja) | マルチカラム走査電子顕微鏡法システム | |
US10312052B2 (en) | Multi electron beam inspection apparatus | |
US6734428B2 (en) | Multi-beam multi-column electron beam inspection system | |
US20230326715A1 (en) | Charged particle system, method of processing a sample using a multi-beam of charged particles | |
US20230037583A1 (en) | Aperture assembly, beam manipulator unit, method of manipulating charged particle beams, and charged particle projection apparatus | |
US20230238215A1 (en) | Charged-particle multi-beam column, charged-particle multi-beam column array, inspection method | |
CN1302515C (zh) | 具有内置检测装置的半导体制造装置和使用该制造装置的器件制造方法 | |
US20230096574A1 (en) | Charged particle assessment tool, inspection method | |
EP3869535A1 (en) | Charged particle assessment tool, inspection method | |
US20220392743A1 (en) | Charged particle assessment tool, inspection method | |
EP3869536A1 (en) | Inspection apparatus | |
US20230020745A1 (en) | Stack alignment techniques | |
EP4345861A1 (en) | Charged particle apparatus | |
EP4310885A1 (en) | Electron-optical apparatus and method of obtaining topographical information about a sample surface | |
TW202303664A (zh) | 帶電粒子設備及方法 | |
WO2023110331A1 (en) | Charged-particle optical apparatus and projection method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220418 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230307 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230829 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230901 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7344340 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |