DE112017005004T5

DE112017005004T5 - Festkörperspeicherkomponente

Info

Publication number: DE112017005004T5
Application number: DE112017005004.9T
Authority: DE
Inventors: Jun Zhao; Gowrisankar Darmarla; David A. Daycock; Gordon A. Haller; Sri Sai Sivakumar Vegunta; John B. Matovu; Matthew R. Park; Prakash Rau Mokhna Rau
Original assignee: Intel Corp
Current assignee: Intel Corp
Priority date: 2016-10-01
Filing date: 2017-09-04
Publication date: 2019-06-19
Also published as: US20180307412A1; CN109643719A; US10318170B2; US20190294330A1; WO2018063747A3; KR20190060984A; WO2018063747A2; US9857989B1; KR102550939B1; US11010058B2

Abstract

Es wird eine Festkörperspeichertechnologie offenbart. In einem Beispiel kann eine Festkörperspeicherkomponente eine Vielzahl von Bit-Leitungen, eine Source-Leitung und eine Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen enthalten. Jede nicht funktionelle Speichersäule ist von einer oder beiden der Vielzahl von Bit-Leitungen und der Source-Leitung elektrisch isoliert. In einem anderen Beispiel kann eine Festkörperspeicherkomponente eine Vielzahl von Säulen, die sich in einem Peripherieabschnitt der Festkörperspeicherkomponente befindet, und Speicherzellen neben jeder der Säulen enthalten. Zugehörige Systeme und Verfahren sind ebenso offenbart.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Hier beschriebene Ausführungsformen betreffen im Allgemeinen Computerspeicher und insbesondere Festkörperspeichervorrichtungen.
ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
Eine NAND-Flash-Speichervorrichtung ist eine allgemeine Art von Flash-Speichervorrichtung, die wegen der logischen Form, in der die Grundspeicherzellenkonfiguration angeordnet ist, so genannt wird. Typischerweise ist eine Gruppe von Speicherzellen für einen NAND-Flash-Speicher so angeordnet, dass ein Steuer-Gate jeder Speicherzelle in einer Reihe der Gruppe verbunden ist, um eine Zugangsleitung, wie eine Wortleitung zu bilden. Spalten der Gruppe enthalten Ketten (häufig als NAND Ketten bezeichnet) von Speicherzellen, die in Reihe miteinander, Source zu Drain, zwischen einem Paar von Auswahlleitungen, einer Source-Auswahlleitung und einer Drain-Auswahlleitung, verbunden sind.
Eine „Spalte“ bezieht sich auf eine Gruppe von Speicherzellen, die allgemein an eine lokale Datenleitung, wie eine lokale Bit-Leitung, gekoppelt ist. Sie erfordert keine bestimmte Orientierung oder lineare Beziehung, sondern bezieht sich vielmehr auf die logische Beziehung zwischen Speicherzelle und Datenleitung. Die Source-Auswahlleitung enthält ein Source-Auswahl-Gate an jedem Schnittpunkt zwischen einer NAND Kette und der Source-Auswahlleitung, und die Drain-Auswahlleitung enthält ein Drain-Auswahl-Gate an jedem Schnittpunkt zwischen einer NAND Kette und der Drain-Auswahlleitung. Jedes Source-Auswahl-Gate ist mit einer Source-Leitung verbunden, während jedes Drain-Auswahl-Gate mit einer Datenleitung, wie Spalten-Bit-Leitung, verbunden ist.
Eine Möglichkeit, die Dichte von Speichervorrichtungen zu erhöhen, ist die Bildung gestapelter Speichergruppen, die z.B. häufig als dreidimensionale (3D) Speichergruppen bezeichnet werden. Zum Beispiel kann eine Art von dreidimensionaler Speichergruppe Säulen gestapelter Speicherelemente, wie im Wesentlichen vertikale NAND Ketten, enthalten.
Figurenliste
Erfindungsgemäße Merkmale und Vorteile gehen aus der folgenden ausführlichen Beschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen hervor, die gemeinsam verschiedene erfindungsgemäße Ausführungsformen als Beispiel illustrieren; und wobei:

1 einen Abschnitt einer Festkörperspeicherkomponente gemäß einem Beispiel illustriert;
2 eine Draufsicht einer Speichersäule und einer Speicherzelle der Festkörperspeicherkomponente von 1 illustriert;
3 eine Seitenansicht einer Speichersäule und einer Speicherzelle der Festkörperspeicherkomponente von 1 illustriert;
4 einen Abschnitt einer Festkörperspeicherkomponente gemäß einem anderen Beispiel illustriert;
5A ein allgemeines Layout einer Festkörperspeicherkomponente gemäß einem Beispiel illustriert;
5B ein allgemeines Layout eines Speicherblocks der Festkörperspeicherkomponente von 5A illustriert;
6 eine Querschnittsansicht einer typischen Festkörperspeicherkomponente illustriert;
7 eine Querschnittsansicht einer Festkörperspeicherkomponente gemäß einem Beispiel illustriert;
8A eine Draufsicht einer Speichergruppenabschnitt einer Festkörperspeicherkomponente nach Säulenbildung gemäß einem Beispiel illustriert;
8B ein Bild ist, das Speichergruppenabschnitte von Festkörperspeicherkomponenten nach Säulenbildung vergleicht;
9 eine schematische Darstellung einer beispielhaften Speichervorrichtung ist; und
10 eine schematische Darstellung eines beispielhaften Rechensystems ist.

Es wird nun auf die illustrierten beispielhaften Ausführungsformen Bezug genommen und zu deren Beschreibung wird eine spezielle Wortwahl verwendet. Es ist dennoch klar, dass damit keine Einschränkung des Offenbarungsumfangs oder auf spezielle erfindungsgemäße Ausführungsformen beabsichtigt ist.
BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
Vor Offenbarung und Beschreibung erfindungsgemäßer Ausführungsformen ist klar, dass hier keine Einschränkung auf die besonderen, hier offenbarten Strukturen, Verfahrensschritte oder Materialien beabsichtigt ist, sondern deren Äquivalente auch enthalten sind, wie für Durchschnittsfachleute in den relevanten Gebieten offensichtlich ist. Es sollte auch klar sein, dass die hier verwendete Terminologie nur zur Beschreibung besonderer Beispiele verwendet wird und nicht als Einschränkung auszulegen ist. Dieselben Bezugszeichen in verschiedenen Zeichnungen stellen dasselbe Element dar. Nummern, die in Ablaufdiagrammen und Prozessen angegeben sind, dienen der Deutlichkeit in illustrierenden Schritten und Operationen und geben nicht unbedingt eine besondere Reihenfolge oder Abfolge an. Falls nicht anderes definiert ist, haben alle hier verwendeten technischen und wissenschaftlichen Begriffe dieselbe Bedeutung, die einem Durchschnittsfachmann in dem Gebiet, zu dem diese Offenbarung gehört, klar ist.
Wie in dieser schriftlichen Beschreibung verwendet, enthalten die Singularformen „einer/eine/ein“ und „der/die/das“ eine ausdrückliche Unterstützung des Plurals, falls der Zusammenhang nicht eindeutig anderes verlangt. Somit enthält zum Beispiel eine Bezugnahme auf „eine Schicht“ eine Vielzahl solcher Schichten.
In dieser Offenbarung können „umfasst“, „umfassend“, „beinhaltend“ und „aufweisend“ und dergleichen die Bedeutung haben, die ihnen im US Patentrecht verliehen ist, und „enthält“ „enthaltend“ und dergleichen bedeuten und sind im Allgemeinen als offene Begriffe ausgelegt. Die Begriffe „bestehend aus“ oder „besteht aus“ sind geschlossene Begriffe und enthalten nur die Komponenten, Strukturen, Schritte oder dergleichen, die im Speziellen in Verbindung mit solchen Begriffen angeführt sind, wie auch das, was US Patentrecht entspricht. „Im Wesentlichen bestehend aus “ oder „besteht im Wesentlichen aus“ haben die Bedeutung, die ihnen im US Patentrecht verliehen ist. Insbesondere sind solche Begriffe im Allgemeinen geschlossene Begriffe, mit der Ausnahme, dass eine Eingliederung zusätzlicher Artikel, Materialien, Komponenten, Schritte oder Elemente möglich ist, die die grundlegenden und neuartigen Eigenschaften oder Funktion des Artikels (der Artikel) nicht wesentlich beeinträchtigen, der (die) in Verbindung mit diesen verwendet wird (werden). Zum Beispiel wären Spurenelemente, die in einer Zusammensetzung vorhanden sind, aber die Art oder Eigenschaften der Zusammensetzung nicht beeinträchtigen, zulässig, falls sie in die Wortwahl „im Wesentlichen bestehend aus“ fallen, auch wenn sie nicht ausdrücklich in einer Liste von Artikeln angeführt sind, die einer solchen Terminologie folgt. Wenn in der schriftlichen Beschreibung ein offener Begriff verwendet wird, wie „umfassend“ oder „enthaltend,“ ist klar, dass eine direkte Unterstützung auch für die Wortwahl „im Wesentlichen bestehend aus“ wie auch die Wortwahl „bestehend aus“ gegeben sein soll, als wäre dies ausdrücklich angegeben, und umgekehrt.
Die Begriffe „erster“, „zweiter“, „dritter“, „vierter“ und dergleichen in der Beschreibung und in den Ansprüchen, falls vorhanden, werden zur Unterscheidung zwischen ähnlichen Elementen verwendet und nicht unbedingt zur Beschreibung einer besonderen aufeinanderfolgenden oder chronologischen Reihenfolge. Es ist klar, dass die so verwendeten Begriffe unter geeigneten Umständen untereinander austauschbar sind, sodass die hier beschriebenen Ausführungsformen zum Beispiel zu einem Betrieb in anderen Abfolgen als den illustrierten oder hier beschriebenen imstande sind. Ebenso, falls ein Verfahren hier als eine Reihe von Schritten umfassend beschrieben ist, ist die Reihenfolge solcher Schritte, wie hier gezeigt, nicht unbedingt die einzige Reihenfolge, in der solche Schritte durchgeführt werden können, und gewisse der genannten Schritte können möglicherweise unterlassen werden und/oder gewisse andere, hier nicht beschriebene Schritte können möglicherweise dem Verfahren hinzugefügt werden.
Die Begriffe „links“, „rechts“, „vorne“, „hinten“, „oben“ „unten“, „über“, „unter“ und dergleichen in der Beschreibung und in den Ansprüchen, falls vorhanden, werden für beschreibende Zwecke und nicht unbedingt zur Beschreibung permanenter relativer Positionen verwendet. Es ist klar, dass diese Begriffe unter geeigneten Umständen untereinander austauschbar sind, sodass die hier beschriebenen Ausführungsformen zum Beispiel zu einem Betrieb in anderen Orientierungen als den hier illustrierten oder beschriebenen imstande sind.
Der Begriff „gekoppelt“, wie hier verwendet, ist als direkt oder indirekt in elektrischer oder nicht elektrischer Weise verbunden definiert. Objekte, die hier als „nebeneinander“ beschrieben sind, können in physischem Kontakt miteinander, in unmittelbarer Nähe zueinander oder in demselben allgemeinen Bereich oder einer Fläche sein, wie für den Kontext zutreffend ist, in dem die Phrase verwendet wird.
Wie hier verwendet, beziehen sich vergleichende Begriffe wie „erhöht“, „verringert“, „besser“, „schlechter“, „höher“, „niedriger“, „verstärkt“, „maximiert“ und „minimiert“ und dergleichen auf eine Eigenschaft einer Vorrichtung, Komponente oder Aktivität, die sich messbar von anderen vergleichbaren Vorrichtungen, Komponenten oder Aktivitäten oder von verschiedenen Wiederholungen oder Ausführungsformen derselben Vorrichtung, Eigenschaften im bekannten Stand der Technik unterscheidet. Zum Beispiel kann sich ein Datenbereich, der ein „erhöhtes“ Korruptionsrisiko aufweist, auf einen Bereich einer Speichervorrichtung beziehen, der eine höhere Wahrscheinlichkeit aufweist, Schreibfehler zu haben, als in anderen Bereichen in derselben Speichervorrichtung. Eine Anzahl von Faktoren kann ein solches erhöhtes Risiko verursachen, enthaltend Stelle, Herstellungsprozess, Anzahl von Programmpulsen, die bei der Region angewendet werden, usw.
Wie hier verwendet, bezieht sich der Begriff „im Wesentlichen“ auf das vollständige oder nahezu vollständige Ausmaß oder den Grad einer Aktion, einer Eigenschaft, einer Eigenheit, eines Zustands, einer Struktur, eines Artikels oder eines Ergebnisses. Zum Beispiel würde ein Objekt, das „im Wesentlichen“ umschlossen ist, bedeuten, dass das Objekt entweder vollständig umschlossen oder fast vollständig umschlossen ist. Der exakte zulässige Grad einer Abweichung von einer absoluten Vollständigkeit kann in einigen Fällen vom spezifischen Kontext abhängig sein. Allgemein gesprochen ist jedoch die annähernde Vollständigkeit so, dass dasselbe Gesamtergebnis erhalten wird, als wäre eine absolute oder totale Vollständigkeit enthalten. Die Verwendung von „im Wesentlichen“ ist gleichermaßen anwendbar, wenn sie in einer negativen Konnotation verwendet wird, um sich auf den vollständigen oder nahezu vollständigen Mangel einer Aktion einer Eigenschaft, einer Eigenheit, eines Zustands, einer Struktur, eines Artikels oder eines Ergebnisses zu beziehen. Zum Beispiel würden einer Zusammensetzung, die „im Wesentlichen frei von“ Partikeln ist, entweder Partikel vollständig fehlen oder Partikel so annähernd vollständig fehlen, dass die Wirkung dieselbe wäre, als würden ihr Partikel vollständig fehlen. Mit anderen Worten, eine Zusammensetzung, die „im Wesentlichen frei von“ einem Inhaltsstoff oder einem Element ist, kann tatsächlich noch immer einen solchen Artikel enthalten, solange daraus keine messbare Wirkung entsteht.
Wie hier verwendet, wird der Begriff „etwa“ verwendet, um einem Endpunkt eines Zahlenbereichs Flexibilität zu verleihen, indem vorgesehen ist, dass ein bestimmter Wert „etwas über“ oder „etwas unter“ dem Endpunkt sein kann.
Wie hier verwendet, kann der Einfachheit wegen eine Vielzahl von Artikeln, Strukturelementen, Bestandteilen und/oder Materialien in einer allgemeinen Liste präsentiert sein. Diese Listen sollten jedoch so ausgelegt werden, als ob jedes Element der Liste einzeln als ein separates und einzigartiges Element identifiziert wäre. Daher sollte kein individuelles Element einer solchen Liste ohne Angabe des Gegenteils als ein De facto-Äquivalent eines anderen Elements derselben Liste nur aufgrund ihrer Darstellung in einer gemeinsamen Gruppe ausgelegt werden.
Konzentrationen, Mengen, Größen und andere numerische Daten können hier in einem Bereichsformat angegeben oder dargestellt sein. Es ist klar, dass ein solches Bereichsformat nur der Einfachheit und Kürze wegen verwendet wird und daher flexibel interpretiert werden sollte, dass es nicht nur die Zahlenwerte enthält, die ausdrücklich als die Grenzwerte des Bereichs genannt sind, sondern auch alle Zahlenwerte oder Teilbereiche enthält, die in diesem Bereich enthalten sind, als wäre jeder Zahlenwert und Teilbereich ausdrücklich genannt. Als eine Illustration, ein Zahlenbereich von „etwa 1 bis etwa 5“ sollte so interpretiert werden, als enthielte er nicht nur die ausdrücklich genannten Werte etwa 1 bis etwa 5, sondern auch einzelne Werte und Teilbereiche innerhalb des angegebenen Bereichs. Daher sind in diesem Zahlenbereich einzelne Werte und Teilbereiche innerhalb des angegebenen Bereichs enthalten. Daher sind in diesem Zahlbereich einzelne Werte wie 2, 3, und 4 und Teilbereiche, wie 1 - 3, 2 - 4 und 3 - 5 usw., wie auch 1, 2, 3, 4 und 5 einzeln enthalten.
Dasselbe Prinzip gilt für Bereiche, die nur einen Zahlenwert als ein Minimum oder ein Maximum angeben. Ferner sollte eine solche Interpretation zutreffen, unabhängig von der Breite des Bereichs oder den beschriebenen Eigenschaften.
Eine Bezugnahme in dieser Beschreibung auf „ein Beispiel“ bedeutet, dass ein besonderes Merkmal, eine Struktur oder Eigenschaft, das bzw. die in Verbindung mit dem Beispiel beschrieben ist, in mindestens einer Ausführungsform enthalten ist. Daher beziehen sich die Verwendungen der Phrasen „in einem Beispiel“ an verschiedenen Stellen in dieser Beschreibung nicht unbedingt alle auf dieselbe Ausführungsform. Eine Verwendung der Phrase „in einer Ausführungsform“ oder „in einem Aspekt“ hierin bezieht sich nicht unbedingt auf dieselbe Ausführungsform oder denselben Aspekt.
Darüber hinaus können die beschriebenen Merkmale, Strukturen oder Eigenschaften in jeder geeigneten Weise in einer oder mehreren Ausführungsformen kombiniert werden. In dieser Beschreibung sind zahlreiche spezielle Einzelheiten bereitgestellt, wie Beispiele für Layouts, Abstände, Netzwerkbeispiele usw. Ein Fachmann im relevanten Gebiet wird jedoch erkennen, dass viele Variationen ohne eines oder mehrere der speziellen Einzelheiten oder mit anderen Verfahren, Komponenten, Layouts, Messungen usw. möglich sind. In anderen Fällen sind allgemein bekannte Strukturen, Materialien oder Betriebe nicht dargestellt oder im Detail beschrieben, werden aber als im Umfang der Offenbarung liegend angesehen.
BEISPIELHAFTE AUSFÜHRUNGSFORMEN
Ein anfänglicher Überblick über Technologieausführungsformen ist in der Folge bereitgestellt und dann werden spezielle Technologieausführungsformen in näheren Einzelheiten beschrieben. Diese anfängliche Zusammenfassung soll Lesern helfen, die Technologie rascher zu verstehen, ist aber nicht beabsichtigt, Schlüssel- oder wesentliche Merkmale der Technologie zu identifizieren, noch soll sie den Umfang des beanspruchten Gegenstands einschränken.
Gewisse Prozess in der Herstellung von NAND Flash-Speichervorrichtungen können für eine Ungleichförmigkeit und Fehlausrichtung anfällig sein, die aus der Bildung von Speicherzellenstrukturen in einer Speichergruppe resultieren. Eine solche Fehlausrichtung kann zu einer signifikant verringerten Leistung und Zuverlässigkeit führen. Daher sind Festkörperspeicherkomponenten offenbart, die eine Ungleichförmigkeit und Fehlausrichtung während der Herstellung minimieren oder eliminieren.
Ein beispielhafter Mechanismus, durch den solche Fehlausrichtungsprobleme minimiert oder eliminiert werden können, ist eine Eingliederung nicht funktioneller Speicherstrukturen in die Speicherkomponente. In einem Aspekt sind Speicherstrukturen in einem Peripheriebereich außerhalb der Speichergruppe enthalten, um solche Vorteile bereitzustellen. In einem Beispiel kann eine Festkörperspeicherkomponente eine Vielzahl von Bit-Leitungen, eine Source-Leitung und eine Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen enthalten. Jede nicht funktionelle Speichersäule ist elektrisch von einer oder beiden der Vielzahl von Bit-Leitungen und der Source-Leitung isoliert. In einem anderen Beispiel kann eine Festkörperspeicherkomponente eine Vielzahl von Säulen, die sich in einem Peripherieabschnitt der Festkörperspeicherkomponente befindet, und Speicherzellen neben jeder der Säulen enthalten. Zugehörige Systeme und Verfahren sind auch offenbart.
Unter Bezugnahme auf 1 ist ein Abschnitt einer Festkörperspeicherkomponente 100 illustriert. Im Allgemeinen enthält der Abschnitt der Festkörperspeicherkomponente eine Speichersäule 110 und Speicherzellen 120a-n (d.h. eine Kette 125 von Speicherzellen, wie eine NAND-Kette), die neben der Speichersäule 110 liegen. Es kann jede geeignete Anzahl von Speicherzellen enthalten sein. Die Speichersäule 110 kann als Kanalgebiet für die Speicherzellen 120a-n dienen, die in Reihe gekoppelt sein können. Zum Beispiel kann während des Betriebs einer oder mehrerer der Speicherzellen 120a-n der Kette ein Kanal in der Speichersäule 110 gebildet werden. Die Speichersäule 110 und die Kette von Speicherzellen 120a-n können vertikal orientiert sein, wie in einer dreidimensionalen Speichergruppe. Zum Beispiel ist Speicherzelle 120a auf einer vertikalen Ebene (z.B. nahe der Oberseite der Speichergruppe) angeordnet, die über einer vertikalen Ebene (z.B. nahe dem Boden der Speichergruppe) liegt, in der sich die Speicherzelle 120n befindet. Die Speicherzellen 120a-n können jede geeignete Struktur aufweisen. Eine Speicherzellenstruktur ist für den Kontext und als ein Beispiel bereitgestellt. Daher sollte erkannt werden, dass geeignete Speicherzellenstrukturen von der hier offenbarten Speicherzellenstruktur variieren können.
Jede Speicherzelle 120a-n in diesem Beispiel kann eine Ladungsspeicherstruktur haben (z.B. die ein leitfähiges Floating-Gate, eine dielektrische Ladungsfalle usw. sein kann). Wie zum Beispiel in 2 und 3 dargestellt, die eine Drauf- bzw. Seitenansicht der Speichersäule 120 und einer repräsentativen Speicherzelle 120 illustrieren, kann die Speicherzelle 120 eine Ladungsspeicherstruktur 121 haben. Jede Speicherzelle 120a-n kann auch ein Tunneldielektrikum haben, das zwischen ihrer Ladungsspeicherstruktur und der Säule 110 eingesetzt ist. Zum Beispiel kann die Speicherzelle 120 ein Tunneldielektrikum 113 haben, das zwischen der Ladungsspeicherstruktur 121 und der Säule 110 eingesetzt ist. Zusätzlich kann jede Speicherzelle 120a-n ein Steuer-Gate (z.B. als einen Abschnitt von Zugangsleitungen, wie Wortleitungen, oder an diese gekoppelt) haben. Zum Beispiel kann die Speicherzelle 120 ein Steuer-Gate130 enthalten. Jede Speicherzelle kann ein oder mehrere dielektrische Materialien oder dielektrische Schichten haben, die zwischen ihrer Ladungsspeicherstruktur und dem Steuer-Gate eingesetzt sind. Zum Beispiel kann die Speicherzelle 120 dielektrische Schichten 123 und 124 enthalten, die zwischen der Ladungsspeicherstruktur 121 und dem Steuer-Gate 130 eingesetzt sind.
Jede Speicherzelle 120 kann eine nicht flüchtige Speicherzelle sein und kann eine Ladungsspeicherstruktur 121 haben, wie ein Floating-Gate, das ein Leiter (z.B. Polysilizium) sein kann, eine Ladungsfalle, die eine Dielektrikum sein kann, usw. Nicht eliminierende Beispiele für Dielektrika, die für Ladungsfallen geeignet sind, enthalten Nitride, Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante (high-K), wie Aluminiumoxid (Al₂O₃) mit einer K von etwa 10, mit eingebetteten leitfähigen Partikeln (z.B. Nanodots), wie eingebettete Metallpartikel oder eingebettete Nanokristalle (z.B. Silizium, Germanium oder Metallkristalle), ein siliziumreiches Dielektrikum oder SiON/Si₃N₄.
Unter weiterer Bezugnahme auf 1 kann ein Dielektrikum 140 zwischen aufeinanderfolgend benachbarten Speicherzellen 120a-n in der Kette 125 eingesetzt sein. Zum Beispiel kann ein Dielektrikum 140 zwischen mindestens den Floating-Gates 121, den Dielektrika 123, 124 und den Steuer-Gates 130 aufeinanderfolgend benachbarter Speicherzellen 120a-n eingesetzt sein. Ein Dielektrikum 141 kann zwischen einem Ende (z.B. zwischen Speicherzelle 120a) der Kette 125 und dem Auswahl-Gate 111 eingesetzt sein und ein Dielektrikum 142 kann zwischen einem gegenüberliegenden Ende (z.B. zwischen Speicherzelle 120n) der Kette 125 und dem Auswahl-Gate 112 eingesetzt sein, wie in 1 dargestellt.
In einigen Ausführungsformen, wo die Ladungsspeicherstruktur 121 eine Ladungsfalle ist, können das Tunneldielektrikum 122, die Ladungsspeicherstruktur 121 und die Dielektrika 123, 124 eine fortlaufende Struktur bilden, die sich zwei oder mehr der Speicherzellen 120a-n teilen können (die z.B. diesen gemein sein kann). Zum Beispiel können sich eine solche Struktur alle der Speicherzellen 120a-n teilen oder können diesen gemein sein.
Jede der Speicherzellen 120a-n kann eine Dicke (z.B. eine Kanallänge) 126 haben. Zum Beispiel können die Speicherzellen 120a-n dieselbe Kanallänge haben, unabhängig davon, wo sich die Speicherzellen in Kette 125 befinden. In einigen Ausführungsformen kann sich mindestens eine Kanallänge einer Speicherzelle von einer anderen Kanallänge einer anderen Speicherzelle unterscheiden.
In einigen Ausführungsformen kann die Kette 125 zwischen „Dummy“-Speicherzellen (nicht dargestellt) eingesetzt sein und in Reihe an diese gekoppelt sein, um eine Kette von Speicherzellen zu bilden, die die Kette 125 und „Dummy“-Speicherzellen enthält. Zum Beispiel können eine oder mehrere „Dummy“-Speicherzellen zwischen der Speicherzelle 120a der Kette 125 und dem Auswahl-Gate 111 eingesetzt sein und in Reihe an diese gekoppelt sein und/oder eine oder mehrere „Dummy“-Speicherzellen können zwischen der Speicherzelle 120n der Kette 125 und dem Auswahl-Gate 112 eingesetzt sein und in Reihe an diese gekoppelt sein. Jede „Dummy“-Speicherzelle kann auf ähnliche Weise wie die Speicherzellen 120a-n konfiguriert sein und dieselben Komponenten wie diese haben.
Jede Speicherzelle 120a-n der Kette 125 kann zwischen einem Auswahl-Gate (z.B. einem Drain-Auswahl-Gate) 111 neben (z.B. in Kontakt mit) der Säule 110 und einem Auswahl-Gate (z.B. einem Source-Auswahl-Gate) 112 neben (z.B. in Kontakt mit) der Säule 110 sein und in Reihe an diese gekoppelt sein. Für eine funktionelle Speichersäule ist die Säule 110 elektrisch an eine Datenleitung (z.B. eine Bit-Leitung 116) gekoppelt, wie bei 117 angegeben. somit kann das Auswahl-Gate 111 selektiv die Kette 125 an die Datenleitung (z.B. die Bit-Leitung 116) koppeln. Zusätzlich ist für eine funktionelle Speichersäule die Säule 110 elektrisch an eine Source-Leitung 118 gekoppelt, die mit 119 angegeben ist. Daher kann das Auswahl-Gate 112 die Kette 125 selektiv an die Source-Leitung 118 koppeln. Zum Beispiel kann das Auswahl-Gate 111 in Reihe mit Speicherzelle 120a gekoppelt sein und das Auswahl-Gate 112 kann in Reihe mit Speicherzelle 120n gekoppelt sein. Die Auswahl-Gates 111 und 112 können jeweils ein Gate-Dielektrikum 113 neben (z.B. in Kontakt mit) der Säule 110 und ein Steuer-Gatell4 neben (z.B. in Kontakt mit) einem entsprechenden Gate-Dielektrikum 113 enthalten.
Im Gegensatz dazu, ist eine nicht funktionelle oder „Dummy“-Speichersäule elektrisch von der Datenleitung oder Bit-Leitung 116 isoliert und/oder elektrisch von der Source-Leitung 118 isoliert. Mit anderen Worten, eine nicht funktionelle Speichersäule ist nicht elektrisch an die Datenleitung oder Bit-Leitung 116 bei 117a und/oder 117b gekoppelt und/oder ist nicht elektrisch an die Source-Leitung 118 bei 119a und/oder 119b gekoppelt. Daher kann in einigen Ausführungsformen eine nicht funktionelle Speichersäule einige oder alle der Eigenschaften einer oben beschriebenen funktionellen Speichersäule haben (z.B. dieselbe Konstruktion, dieselben Materialien und Nähe zu Speicherzellen), sich aber in dem Fehlen einer elektrischen Verbindung zu der Daten- oder Bit-Leitung 116 und/oder dem Fehlen einer elektrischen Verbindung zur Source-Leitung 118 unterscheiden. Nicht funktionelle Säulen können jede geeignete Größe aufweisen. In einem Aspekt können nicht funktionelle Säulen eine andere Größe als funktionelle Säulen aufweisen. In einem anderen Aspekt können nicht funktionelle Säulen dieselbe Größe oder etwa dieselbe Größe wie funktionelle Säulen aufweisen.
4 illustriert einen Abschnitt einer Computerspeicherkomponente 200 gemäß einem anderen Beispiel. In diesem Fall können Ketten 225 und 225' von Speicherzellen 220a-n und 220a'-n' jeweils neben (z.B. in Kontakt mit) der Säulen 210 und 210' sein. Wie in der Figur dargestellt, können die Säulen 210, 210' seitlich zueinander oder Seite an Seite gelegen sein. Jede der Ketten 225 und 225' kann Speicherzellen enthalten, die in Reihe gekoppelt sind.
Ein Halbleitersegment 244, das dasselbe Material wie die Säulen 210 210' sein kann, kann physisch die Säule 210 an die Säule 210' koppeln, um eine Halbleiterstruktur 215 zu bilden, die die Säulen 210 und 210' enthält. Das Halbleitersegment 244 kann im Wesentlichen horizontal sein, im Gegensatz zu den Säulen 210, 210', die im Wesentlichen vertikal sein können. Das Halbleitersegment 244 kann ein Leiter 245 sein, der im Allgemeinen aus einem oder mehreren leitfähigen Materialien gebildet sein kann, wie leitfähig dotiertem Polysilizium. Das Halbleitersegment 244 kann die Kette 225 elektrisch in Reihe mit der Kette 225' koppeln, indem eine geeignete Vorspannung an Leiter 245 angelegt wird. Zum Beispiel können Halbleitersegment 244 und Leiter 245 ein Verbinder-Gate 246 bilden, das Kette 225 selektiv in Reihe mit Kette 225' koppelt. Die selektiven gekoppelten Ketten 225 und 225' können einen Abschnitt einer einzelnen Kette von Speicherzellen (z.B. den Speicherzellen 220a-n der Kette 225 und den Speicherzellen 220a'-n' der Kette 225') bilden.
Eine solche Kette von Speicherzellen kann zwischen Auswahl-Gates 211 und 212 und in Reihe mit diesen gekoppelt sein. Zum Beispiel kann jede Speicherzelle 220a-n, 220a'-n' in Reihe mit Auswahl-Gate 211 und dem Auswahl-Gate 212 liegen und in Reihe mit diesen gekoppelt sein. Für funktionelle Speichersäulen sind die Säulen 210, 210' elektrisch an eine Datenleitung (z.B. eine Bit-Leitung 216) gekoppelt, angegeben bei 217. Somit kann das Auswahl-Gate 211 die Ketten 225, 225' selektiv an die Bit-Leitung 216 koppeln. Zusätzlich sind für funktionelle Speichersäulen die Säulen 210, 210' elektrisch an eine Source-Leitung 218 gekoppelt, angegeben bei 219. Somit kann das Auswahl-Gate 212 selektiv die Ketten 225, 225' an die Source-Leitung 218 koppeln. Es ist anzumerken, dass jede Speicherzelle 220a-n der Kette 225 zwischen dem Auswahl-Gate 211 und dem Verbinder-Gate 246 liegt und in Reihe mit diesen gekoppelt sein kann und dass jede Speicherzelle 220a'-n' der Kette 225' zwischen dem Verbinder-Gate 246 und dem Auswahl-Gate 212 liegt und in Reihe mit diesen gekoppelt sein kann.
Im Gegensatz dazu sind nicht funktionelle oder „Dummy“-Speichersäulen elektrisch von der Datenleitung oder Bit-Leitung 216 isoliert und/oder elektrisch von der Source-Leitung 218 isoliert. Mit anderen Worten, nicht funktionelle Speichersäulen sind nicht elektrisch an die Datenleitung oder Bit-Leitung oder sowohl an die Datenleitung als auch Bit-Leitung 216 bei 217a und/oder 217b gekoppelt und/oder sind nicht elektrisch an die Source-Leitung 218 bei 219a und/oder 219b gekoppelt. Somit können in einigen Ausführungsformen nicht funktionelle Speichersäulen einige oder alle der Eigenschaften von oben beschriebenen funktionellen Speichersäulen haben (z.B. dieselbe Konstruktion, dieselben Materialien und Nähe zu Speicherzellen), sich aber im Fehlen einer elektrischen Verbindung zur Daten- oder Bit-Leitung 216 und/oder Fehlen einer elektrischen Verbindung zur Source-Leitung 218 unterscheiden.
Typische Festkörperspeicherkomponenten enthalten nicht nur nicht funktionelle Speichersäulen allein oder in Kombination mit zugehörigen Speicherzellenmerkmalen. In einem Aspekt stellt die Technologie der vorliegenden Offenbarung die Eingliederung nicht funktioneller Speichersäulen und zugehöriger Speicherzellenmerkmale in eine Festkörperspeicherkomponente bereit. Es sollte erkannt werden, dass eine typische Festkörperspeicherkomponente gemäß der vorliegenden Offenbarung nicht funktionelle Säulen, funktionelle Speichersäulen und zugehörige Speicherzellen, Bit-Leitungen usw. enthalten kann, die in 1 und 4 illustriert sind.
Ein Beispiel eines allgemeinen Layouts oder einer Anordnung einer Festkörperspeicherkomponente 300 ist in 5A illustriert. Diese Draufsicht zeigt einen Speichergruppenbereich (d.h. einen allgemeinen oder globalen Speichergruppenbereich, der allgemein bei 304 angegeben ist) und eine Peripherie (d.h. einen globalen Peripherieabschnitt oder -bereich, der allgemein bei 305 angegeben ist). Der allgemeine Speichergruppenbereich 304 ist in Blöcke von Speichergruppen unterteilt oder segmentiert, wobei jeder Block eine lokale oder Blockspeichergruppe und eine Treppe hat. Eine Treppe erleichtert elektrische Verbindungen zu Wortleitungen, die mit Speicherzellen in einer lokalen oder Blockspeichergruppe verbunden sind. Zum Beispiel enthält ein typischer Speicherblock 350 einen lokalen oder Blockspeichergruppenabschnitt oder -bereich 351 und einen Treppenabschnitt oder -bereich 352.
Das allgemeine Layout oder die Anordnung des Speicherblocks 350 ist in 5B dargestellt. Diese Figur zeigt den Speichergruppenabschnitt 351 und den Treppenabschnitt 352 ausführlicher. Zusätzlich zeigt 5B einen lokalen oder Blockperipherieabschnitt 353 um den Speichergruppenabschnitt 351 und den Treppenabschnitt 352. Der lokale oder Blockperipherieabschnitt 353 zwischen Speicherblöcken kann Raum für CMOS-Verbindungen und Routing bereitstellen. Typischerweise befinden sich in dieser Fläche keine Speichersäulen und Speicherzellenmerkmale. Zum Beispiel befinden sich funktionelle Speichersäulen (d.h. Säulen, die mit einer Bit-Leitung und einer Source-Leitung verbunden sind) typischerweise in einem Speichergruppenabschnitt ohne funktionelle oder nicht funktionelle Speichermerkmale in einem Peripherieabschnitt der Speicherkomponente. In einem Aspekt stellt die Technologie der vorliegenden Offenbarung die Bildung und Gegenwart von Speichersäulen und zugehöriger Speicherzellenstrukturen nicht nur im Inneren des lokalen oder Blockspeichergruppenabschnitts 351 bereit, sondern auch außerhalb, wie im lokalen oder Blockperipherieabschnitt 353 und/oder im globalen Peripherieabschnitt oder -bereich 305. Ein Anordnen von Speicherstrukturen (d.h. Speichersäulen) in einem Peripherieabschnitt kann Vorteile beim Herstellen von Festkörperspeicherkomponenten bereitstellen. Zum Beispiel kann die Gegenwart nicht funktioneller Speichermerkmale in einem Peripherieabschnitt einer Speicherkomponente eine Topografiegleichförmigkeit, Ausrichtungstoleranz und Einheitsprozessgleichförmigkeit und -kapazität bereitstellen. Daher können Speicherstrukturen (d.h. Speichersäulen) in einem Peripherieabschnitt zahlreich und durch einen Peripherieabschnitt ausreichend verteilt sein, um die hier besprochenen Vorteile bei der Herstellung zu erreichen. Daher können relativ wenige oder isolierte Speicherstrukturen in einem Peripherieabschnitt unangemessen sein, um Vorteile bei der Herstellung bereitzustellen. Als solches können Vorteile bei der Herstellung erreicht werden, indem genug Speicherstrukturen eingegliedert werden, um eine ausreichende Fläche eines Peripherieabschnitts bei Betrachtung in einer ebenen oder Draufsicht zu bestücken. In einem Aspekt kann eine Fläche eines Peripherieabschnitts (z.B. der lokale oder Blockperipherieabschnitt 353 oder der allgemeine Speichergruppenbereich 304), die mit Speicherstrukturen (d.h. Speichersäulen) bestückt ist, größer sein als 25 %. In einem anderen Aspekt kann eine Fläche eines Peripherieabschnitts (z.B. der lokale oder Blockperipherieabschnitt 353 oder der allgemeine Speichergruppenbereich 304), die mit Speicherstrukturen (d.h. Speichersäulen) bestückt ist, größer sein als 50 %. In noch einem anderen Aspekt kann eine Fläche eines Peripherieabschnitts (z.B. der lokale oder Blockperipherieabschnitt 353 oder der allgemeine Speichergruppenbereich 304), die mit Speicherstrukturen (d.h. Speichersäulen) bestückt ist, größer sein als 75 %. Bei jedem dieser minimalen Peripherieprozentsätze sollte erkannt werden, dass eine maximale Fläche, die mit Speicherstrukturen bestückt ist, eine praktische Einschränkung nicht überschreiten kann, die durch die Geometrie der Speicherstrukturen bestimmt ist. Zum Beispiel können mehrere Speicherstrukturen mit kreisförmigen Flächen in einer Draufsicht nicht 100 % einer rechteckigen oder anderen polygonalen Fläche einnehmen, da es einige unbesetzte Räume zwischen benachbarten Speicherstrukturen geben wird. Da die Vorteile nicht funktioneller Speichermerkmale während der Herstellung umgesetzt werden, können diese Merkmale optional vor Bildung des fertigen Produkts entfernt werden.
In einem fertigen Produkt und/oder bei einer geeigneten Herstellungsstufe, können sich funktionelle Speichersäulen im lokalen oder Blockspeichergruppenabschnitt 351 der Computerspeicherkomponente 300 befinden und nicht funktionelle Speichersäulen (d.h. elektrisch isoliert oder nicht elektrisch mit einer Bit-Leitung und/oder einer Source-Leitung verbunden) können sich in einem Peripherieabschnitt (z.B. der lokale oder Blockperipherieabschnitt 353 und/oder im globalen Peripherieabschnitt oder -bereich 305) der Computerspeicherkomponente 300 befinden. In einigen Ausführungsformen können sich nicht funktionelle Speichersäulen nach Wunsch sogar im lokalen oder Blockspeichergruppenabschnitt 351 der Computerspeicherkomponente 300 befinden, um zum Beispiel einen Raum zu füllen, dem es an Speichermerkmalen im Speichergruppenabschnitt 351 fehlt. In einem Aspekt können funktionelle Speichersäulen und nicht funktionelle Speichersäulen gleichförmig über die Computerspeicherkomponente 300 verteilt sein, enthaltend die Speichergruppenabschnitte und Peripherieabschnitte.
Speichersäulen und Speicherzellen können durch jedes geeignete Verfahren gebildet werden. Zum Beispiel kann eine Säulenöffnung durch Ätzen durch mehrere abwechselnde Schichten oder Ebenen von leitfähigen und dielektrischen Materialien gebildet werden. Leitfähige Schichten können jedes geeignete leitfähige Material, wie Polysilizium, enthalten, das leitfähig dotiert sein kann (z.B. auf eine Leitfähigkeit vom N+ Typ). Dielektrische Schichten können jedes geeignete dielektrische Material enthalten, wie ein Oxid (z.B. Siliziumoxid), ein Oxynitrid (z.B. Siliziumoxynitrid) usw. In einem Aspekt kann ein Vorläufer einer Festkörperspeicherkomponente Säulenöffnungen in einem Peripherieabschnitt wie auch in einem Speichergruppenabschnitt enthalten.
Nach der Bildung der Säulenöffnung, mit oder ohne Bildung von Speicherzellen neben der Säulenöffnung, kann die Säulenöffnung mit einem geeigneten Leiter- oder Halbleitermaterial zur Bildung einer Säule gefüllt werden.
Zur Bildung funktioneller Speichersäulen können Säulen mit zugehörigen Speicherzellen elektrisch an Bit-Leitungen (z.B. bei Stelle 117a oder 117b in 1 oder Stelle 217a oder 217b in 4) und Source-Leitungen (z.B. Stelle 119a oder 119b in 1 oder Stelle 219a oder 219b in 4) gekoppelt werden. Im Allgemeinen kann eine solche elektrische Verbindung durch Bilden einer Öffnung in einer dielektrischen Schicht (z.B. durch Ätzen), die auf einem bestimmten Leiter abgeschieden wird, und anschließendes Abscheiden eines leitfähigen Materials in der Öffnung, die anschließend elektrisch an eine gewünschte Komponente gekoppelt werden kann, hergestellt werden. Zum Beispiel kann die Säule 110 von 1 durch ein leitfähiges Material, das in Öffnungen durch dielektrisches Material an gegenüberliegenden Seiten des Auswahl-Gates 111 an Stellen 117a und 117b abgeschieden wird, elektrisch an die Bit-Leitung 116 gekoppelt werden. Die Säule 110 von 1 kann an die Source-Leitung 118 durch ein leitfähiges Material, das in Öffnungen durch dielektrisches Material an gegenüberliegenden Seiten des Auswahl-Gates 112 an Stellen 119a und 119b abgeschieden wird, elektrisch gekoppelt werden. Ebenso kann die Säule 210 von 4 an die Bit-Leitung 216 durch ein leitfähiges Material, das in Öffnungen durch dielektrisches Material an gegenüberliegenden Seiten des Auswahl-Gates 211 an Stellen 217a und 217b abgeschieden wird, elektrisch gekoppelt werden. Die Säule 210 von 4 kann an die Source-Leitung 218 durch ein leitfähiges Material, das in Öffnungen durch dielektrisches Material an gegenüberliegenden Seiten des Auswahl-Gates 212 an Stellen 219a und 219b abgeschieden wird, elektrisch gekoppelt werden. Das leitfähige Material kann jedes geeignete Material, wie Polysilizium, sein, das leitfähig dotiert werden kann (z.B. auf eine Leitfähigkeit vom N+ Typ).
Zur Bildung nicht funktioneller Säulen werden Säulen mit oder ohne zugehörige Speicherzellen von den Bit-Leitungen (z.B. an Stelle 117a oder 117b in 1 oder Stelle 217a oder 217b in 4) und/oder den Source-Leitungen (z.B. Stelle 119a oder 119b in 1 oder Stelle 219a oder 219b in 4) elektrisch isoliert. Im Allgemeinen kann eine Säule von einer Bit-Leitung und/oder einer Source-Leitung elektrisch isoliert werden, indem eine dielektrische Schicht zwischen der Säule und der Bit-Leitung und/oder der Source-Leitung beibehalten wird. Zum Beispiel kann die Säule 110 von 1 von der Bit-Leitung 116 durch Beibehalten eines dielektrischen Materials (d.h. ohne Öffnung für einen Leiter) an mindestens einer der gegenüberliegenden Seiten des Auswahl-Gates 111 an Stellen 117a und 117b elektrisch isoliert werden. Die Säule 110 von 1 kann von der Source-Leitung 118 durch Beibehalten eines dielektrischen Materials (d.h. ohne Öffnung für einen Leiter) an mindestens einer der gegenüberliegenden Seiten des Auswahl-Gates 112 an Stellen 119a und 119b elektrisch isoliert werden. Ebenso kann die Säule 210 von 4 von der Bit-Leitung 216 durch Beibehalten eines dielektrischen Materials (d.h. ohne Öffnung für einen Leiter) an mindestens einer der gegenüberliegenden Seiten des Auswahl-Gates 211 an Stellen 217a und 217b elektrisch isoliert werden. Die Säule 210 von 4 kann von der Source-Leitung 218 durch Beibehalten eines dielektrischen Materials (d.h. ohne Öffnung für einen Leiter) an mindestens einer der gegenüberliegenden Seiten des Auswahl-Gates 212 an Stellen 219a und 219b elektrisch isoliert werden.
Falls Speicherzellen neben einer Säule (z.B. einer funktionellen oder nicht funktionellen Säule) gebildet werden sollen, kann eine Reihe von Prozessen, enthaltend Ätz- und Abscheidungsprozesse, unter Verwendung der Säulenöffnung für einen Zugang zu Speicherzellenstellen ausgeführt werden. Speicherzellenstrukturen, die gebildet werden können, enthalten Ladungsspeicherstrukturen (z.B. Floating-Gates), Steuer-Gates, Tunneldielektrika, blockierende Dielektrika usw. Viele der Prozesse, die zur Bildung von Speicherzellen verwendet werden, können bewirken, dass die Schichten oder Ebenen leitfähiger und dielektrischer Materialien sich ausdehnen oder wachsen, was als „Ebenenausdehnung“ bezeichnet wird.
Eine solche Ausdehnung ist in 6 illustriert, die eine Querschnittsansicht einer typischen Festkörperspeicherkomponente 400 zeigt. Wie in der Figur dargestellt, enthält die Computerspeicherkomponente 400 einen Speichergruppenabschnitt 451, einen Treppenabschnitt 452 und einen Peripherieabschnitt 453. Der Speichergruppenabschnitt 451 enthält funktionelle Speichersäulen 410. Es befinden sich keine Speichersäulen im Peripherieabschnitt 453. Ein Randbereich des Speichergruppenabschnitts 451 nahe dem Peripherieabschnitt 453 ist bei 454 angegeben. 6 illustriert die unterschiedliche Ausdehnung in einer vertikalen Richtung 406 der verschiedenen Bereiche oder Abschnitte der Computerspeicherkomponente 400 nach Bildung von Säulenöffnungen aufgrund einer Ebenenausdehnung.
Ohne Säulen im Treppenbereich 452 oder Peripherieabschnitt 453 erfahren diese Flächen eine relativ geringe Ausdehnung in der vertikalen Richtung 406 verglichen mit dem Speichergruppenabschnitt 451. Das Ergebnis dieser unterschiedlichen vertikalen Ausdehnung ist eine Oberflächentopografie, die zu einer Ungleichförmigkeit oder ungleichförmigen Schichtdicken führen kann, wie beispielhaft durch die Variationen in der Dicke der obersten Schicht(en) 455 dargestellt (z.B. verbleiben mehr Oxid- und Polyreste in der Peripherie 453 und am Rand 454 der Speichergruppe als im Rest der Gruppe). Es sollte festgehalten werden, dass in 6 abwechselnde Schichten leitfähiger und dielektrischer Materialien an der Oberseite der Speichersäulen 410 zur Bildung eines zweiten „Decks“ von Speichersäulen vorhanden sind, das elektrisch an das untere oder erste Deck von Speichersäulen 410 gekoppelt werden kann. Somit kann die unterschiedliche vertikale Ausdehnung des Speichergruppenabschnitts 451 und des Peripherieabschnitts 453 eine negative Auswirkung auf zahlreiche Prozesse in der Herstellung einer fertigen Computerspeicherkomponente haben.
Übergänge zwischen Säulenmusterbereichen mit hoher und niedriger Dichte können für gewisse Prozesse problematisch sein (z.B. zu einer erhöhten Topografie führen). Wie oben erwähnt, können funktionelle Speichersäulen und nicht funktionelle Speichersäulen gleichförmig über eine Computerspeicherkomponente verteilt sein, die die Speichergruppenabschnitte und Peripherieabschnitte enthält. Eine solche gleichförmige Verteilung kann Übergänge zwischen Säulenmusterbereichen mit hoher und niedriger Dichte minimieren oder eliminieren, wodurch Probleme, die in gewissen Prozessen entstehen können, minimiert oder eliminiert werden können. Es sollte klar sein, dass Säulen gleichförmig verteilt sein können und dennoch aufgrund von Herstellungsanforderungen kleine Bereiche (z.B. zwischen einem Speichergruppenabschnitt und einem Peripherieabschnitt) ohne Säulen haben können.
Zusätzlich zur vertikalen Ausdehnung 406 können die verschiedenen Bereiche oder Abschnitte der Computerspeicherkomponente 400 auch eine Ausdehnung in einer horizontalen Richtung 407 nach Bildung von Säulenöffnungen aufgrund einer Ebenenausdehnung erfahren. Dieser Aspekt einer Ebenenausdehnung wird in der Folge ausführlicher besprochen.
Im Gegensatz zur Ebenenausdehnung einer typischen Festkörperspeicherkomponente in 6 illustriert 7 die Ebenenausdehnung einer Computerspeicherkomponente 500 gemäß einem Beispiel der vorliegenden Offenbarung. Wie bei der typischen Speicherkomponente 400 von 6 enthält die Speicherkomponente 500 von 7 einen Speichergruppenabschnitt 551, einen Treppenabschnitt 552 und einen Peripherieabschnitt 553. Der Speichergruppenabschnitt 551 enthält funktionelle Speichersäulen 510. Ein Randbereich der Speichergruppenabschnitt 551 nahe dem Peripherieabschnitt 553 ist bei 554 angegeben. In diesem Fall enthält die Computerspeicherkomponente 500 Speicherzellen (d.h. nicht funktionelle Speicherzellen 510') im Peripherieabschnitt 553. Das Ergebnis ist eine Verringerung in der unterschiedlichen Ausdehnung in einer vertikalen Richtung 506 (d.h. verringerte Topografie) zwischen dem Speichergruppenabschnitt 551 und dem Peripherieabschnitt 553 aufgrund der Gegenwart von Speichersäulen in beiden Flächen, was bewirkt, dass sich diese Bereiche mit Säulen auf gleiche Weise ausdehnen.
Die Wirkung einer Ebenenausdehnung in einer horizontalen Richtung 507 wird mit Bezugnahme auf 8A behandelt. Ebenenausdehnung hat eine Auswirkung auf Säulen, indem sie bewirkt, dass diese für anschließende Prozesse fehlausgerichtet sind. 8A zeigt eine Draufsicht des Speichergruppenabschnitts 551 nach Bildung der Säulen 510. In dieser Stufe werden für die Bildung funktioneller Speichersäulen Öffnungen 555 in einer dielektrischen Schicht gebildet, die über den Oberseiten der Säulen 510 liegt. Diese Öffnungen werden typischerweise durch Ätzen gebildet, wobei eine Maske verwendet wird, um die Öffnungen zu positionieren. In einer typischen Speicherkomponentenkonfiguration ohne Speicherstrukturen (d.h. Säulen) in einem Peripherieabschnitt bewirkt eine Ebenenausdehnung, dass sich die Säulen horizontal bewegen, sodass eine Fehlausrichtung zwischen den Oberseiten der Säulen und den Maskenöffnungsstellen eintritt. Eine erhöhte Oxidschichtdicke am Rand der Speichergruppe aufgrund einer Topografie, die durch vertikale Ausdehnung erzeugt wird, kann auch eine Fotoausrichtung von Öffnungen erschweren. Das Ergebnis ist eine horizontale Fehlausrichtung zwischen den Säulen und den Öffnungen, die im Dielektrikum gebildet sind, die mit zunehmendem Abstand vom Mittelpunkt einer Speicherkomponente (z.B. einem Speicherblock) oder zum Beispiel einem Wafer in einem Randbereich einer Speichergruppe oder eines Wafers ausgeprägter wird. Dies ist in dem Bild von 8B illustriert, allgemein bei 556 und 557 angegeben. Anschließend an die Bildung der Öffnungen in der dielektrischen Schicht wird leitfähiges Material in den Öffnungen angeordnet, um elektrische Verbindungen mit Bit-Leitungen zu bilden. Aufgrund einer horizontalen Fehlausrichtung können diese Verbindungen leiden oder einen Mangel an Integrität aufweisen. Eine horizontale Fehlausrichtung aufgrund von Ebenenausdehnung hat daher eine negative Auswirkung auf die elektrischen Verbindungen zwischen den Säulen und den Bit-Leitungen. Im Gegensatz zu der Konfiguration einer typischen Speicherkomponente, kann eine Speicherkomponentenkonfiguration gemäß der vorliegenden Offenbarung, die Speicherstrukturen (d.h. Säulen) in einem Peripherieabschnitt enthält, eine horizontale Fehlausrichtung aufgrund von Ebenenausdehnung minimieren. Wie in 8A illustriert, sind die Säulen 510 und die Öffnungen 555 im Dielektrikum ausgerichtet. 8B illustriert dies auch allgemein bei 558. Dies ist auf die Gegenwart von Speichersäulen im Speichergruppenabschnitt und Peripherieabschnitt zurückzuführen, die bewirkt, dass sich Flächen in ähnlicher (d.h. gleichförmiger) Weise ausdehnen, wodurch Ausdehnungsunterschiede zwischen Mittelpunkt und äußeren Bereichen einer Speicherkomponente oder eines Wafers minimiert werden.
Ein Bilden von Speichersäulen (d.h. Speichersäulenöffnungen) in Speichergruppenabschnitten und Peripherieabschnitten kann für jeden Prozess nach Bildung der Säulen (oder Säulenöffnungen) vorteilhaft sein, wie jeden Trocken- oder Nass- (z.B. chemischmechanisches Einebnen (CMP)) Prozess, der in der Herstellung einer Festkörperspeicherkomponente verwendet werden kann. Somit können eine Ungleichförmigkeit und Fehlausrichtung während einer Herstellung einer Festkörperspeicherkomponente durch Bilden von Speichersäulen (d.h. Speichersäulenöffnungen) allein oder in Kombination mit zugehörigen Speicherzellenmerkmalen in einem Speichergruppenabschnitt und in einem Peripherieabschnitt der Festkörperspeicherkomponente minimiert werden.
Obwohl die vorliegende Offenbarung im Kontext einer NAND-Flash-Speichervorrichtung bereitgestellt ist, sollte klar sein, dass gewisse Aspekte der vorliegenden Offenbarung auch bei NOR Flash-Speichervorrichtungen anwendbar sein können.
9 ist eine schematische Darstellung einer Speichervorrichtung 601 gemäß einem Beispiel der vorliegenden Offenbarung. Die Speichervorrichtung kann ein Substrat 660 und eine Festkörperspeicherkomponente 600 enthalten, wie hier offenbart, die betriebsbereit an das Substrat 660 gekoppelt ist. In einem Aspekt kann die Speichervorrichtung 601 jede geeignete elektronische Komponente 661 enthalten, wie eine CPU, eine GPU, eine Speichersteuerung, einen Videodecoder, eine Audiodecoder, einen Videoencoder, einen Kameraprozessor, einen Systemspeicher und/oder ein Modem.
10 illustriert ein beispielhaftes Rechensystem 702. Das Rechensystem 702 kann eine Speichervorrichtung 701 wie hier offenbart, enthalten, die an eine Hauptplatine 770 gekoppelt ist. In einem Aspekt kann das Rechensystem 702 auch einen Prozessor 771, eine Speichervorrichtung 772, einen Funk 773, eine Wärmesenke 774, einen Anschluss 775, einen Schlitz oder jede andere geeignete Vorrichtung oder Komponente enthalten, die betriebsbereit an die Hauptplatine 770 gekoppelt sein kann. Das Rechensystem 702 kann jede Art von Rechensystem, wie einen Desktop-Computer, einen Laptop-Computer, einen Tablet-Computer, ein Smartphone, eine tragbare Vorrichtung, einen Server usw. umfassen. Andere Ausführungsformen müssen nicht alle der Merkmale enthalten, die in 10 spezifiziert sind, und können andere Merkmale enthalten, die nicht in 10 spezifiziert sind.
Schaltkreis, der in elektronischen Komponenten oder Vorrichtungen (z.B. einem Die) einer Speichervorrichtung verwendet werden kann, kann Hardware, Firmware, Programmcode, ausführbaren Code, Computeranweisungen und/oder Software enthalten. Elektronische Komponenten und Vorrichtungen können ein nicht transitorisches computerlesbares Datenspeichermedium enthalten, das ein computerlesbares Datenspeichermedium sein kann, das kein Signal enthält. Im Fall einer Programmcodeausführung auf programmierbaren Computern können die hier genannten Rechenvorrichtungen einen Prozessor, ein Datenspeichermedium, das vom Prozessor lesbar ist (enthaltend flüchtige und nicht flüchtige Speicher- und/oder Datenspeicherelemente), mindestens eine Eingabevorrichtung und mindestens eine Ausgabevorrichtung enthalten. Flüchtige und nicht flüchtige Speicher- und/oder Datenspeicherelemente können ein RAM, EPROM, Flash-Laufwerk, optisches Laufwerk, magnetisches Festplattenlaufwerk, Solid State-Laufwerk oder ein anderes Medium zum Speichern elektronischer Daten sein. Knoten und drahtlose Vorrichtungen können auch ein Sendeempfängermodul, ein Zählermodul, ein Verarbeitungsmodul und/oder ein Taktmodul oder Zeitgebermodul enthalten. Ein oder mehrere Programme, die hier beschriebene Techniken implementieren oder benutzen können, können eine Anwendungsprogrammierungsschnittstelle (API), wiederverwendbare Steuerungen und dergleichen verwenden. Solche Programme können in einer hochwertigen prozeduralen oder objektorientierten Programmiersprache implementiert sein, um mit einem Computersystem zu kommunizieren. Das (die) Programme(e) kann (können) jedoch nach Wunsch in Assembly- oder Maschinensprache implementiert sein. In jedem Fall kann die Sprache eine kompilierte oder interpretierte Sprache und mit Hardware-Implementierungen kombiniert sein.
BEISPIELE
Die folgenden Beispiele betreffen weitere Ausführungsformen.
In einem Beispiel ist eine Festkörperspeicherkomponente bereitgestellt, umfassend eine Vielzahl von Bit-Leitungen, eine Source-Leitung, und eine Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen, wobei jede nicht funktionelle Speichersäule von einer oder beiden der Vielzahl von Bit-Leitungen und der Source-Leitung elektrisch isoliert ist.
In einem Beispiel umfasst eine Festkörperspeicherkomponente eine Vielzahl von funktionellen Speichersäulen, wobei jede funktionelle Speichersäule an eine der Vielzahl von Bit-Leitungen und eine der Source-Leitung elektrisch gekoppelt ist.
In einem Beispiel einer Festkörperspeicherkomponente sind die Vielzahl von funktionellen Speichersäulen und die Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen gleichförmig über die Festkörperspeicherkomponente verteilt.
In einem Beispiel einer Festkörperspeicherkomponente befindet sich die Vielzahl von funktionellen Speichersäulen in einem Speichergruppenabschnitt der Speicherkomponente und die Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen befindet sich in einem Peripherieabschnitt der Festkörperspeicherkomponente.
In einem Beispiel einer Festkörperspeicherkomponente sind die Vielzahl von funktionellen Speichersäulen und die Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen vertikal orientiert.
In einem Beispiel einer Festkörperspeicherkomponente sind Speicherzellen neben jeder der funktionellen Speichersäulen und der nicht funktionellen Speichersäulen.
In einem Beispiel einer Festkörperspeicherkomponente umfasst jede Speicherzelle eine Ladungsspeicherstruktur.
In einem Beispiel einer Festkörperspeicherkomponente ist die Ladungsspeicherstruktur ein Floating-Gate.
In einem Beispiel einer Festkörperspeicherkomponente umfasst jede Speicherzelle ein Steuer-Gate.
In einem Beispiel einer Festkörperspeicherkomponente umfasst jede Speicherzelle ein Tunneldielektrikum neben der funktionellen oder nicht funktionellen Speichersäule, eine Ladungsspeicherstruktur neben dem Tunneldielektrikum, ein blockierendes Dielektrikum neben der Ladungsspeicherstruktur und ein Steuer-Gate neben dem blockierenden Dielektrikum.
In einem Beispiel einer Festkörperspeicherkomponente sind Ketten der Speicherzellen neben den funktionellen Speichersäulen in Reihe gekoppelt.
In einem Beispiel einer Festkörperspeicherkomponente befinden sich mindestens einige der Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen in einem Peripherieabschnitt der Festkörperspeicherkomponente.
In einem Beispiel einer Festkörperspeicherkomponente sind Speicherzellen neben jeder der nicht funktionelle Speichersäulen.
In einem Beispiel ist eine Festkörperspeicherkomponente bereitgestellt, umfassend eine Vielzahl von Säulen, die sich in einem Peripherieabschnitt der Festkörperspeicherkomponente befindet, und Speicherzellen neben jeder der Säulen.
In einem Beispiel einer Festkörperspeicherkomponente umfasst jede Speicherzelle eine Ladungsspeicherstruktur.
In einem Beispiel einer Festkörperspeicherkomponente ist die Ladungsspeicherstruktur ein Floating-Gate.
In einem Beispiel einer Festkörperspeicherkomponente umfasst jede Speicherzelle ein Steuer-Gate.
In einem Beispiel einer Festkörperspeicherkomponente umfasst jede Speicherzelle ein Tunneldielektrikum neben der Säule, eine Ladungsspeicherstruktur neben dem Tunneldielektrikum, ein blockierendes Dielektrikum neben der Ladungsspeicherstruktur und ein Steuer-Gate neben dem blockierenden Dielektrikum.
In einem Beispiel einer Festkörperspeicherkomponente befinden sich einige der Vielzahl von Säulen in einem Speichergruppenabschnitt der Festkörperspeicherkomponente.
In einem Beispiel einer Festkörperspeicherkomponente ist die Vielzahl von Säulen gleichförmig über die Festkörperspeicherkomponente verteilt.
In einem Beispiel einer Festkörperspeicherkomponente sind mindestens einige der Säulen, die sich im Speichergruppenabschnitt befinden elektrisch an eine Bit-Leitung und eine Source-Leitung gekoppelt, und jede der Säulen, die sich im Peripherieabschnitt befinden, ist von mindestens einer der Bit-Leitung und der Source-Leitung elektrisch isoliert.
In einem Beispiel ist eine Speichervorrichtung bereitgestellt, umfassend ein Substrat, eine Festkörperspeicherkomponente, die betriebsbereit an das Substrat gekoppelt ist, wobei die Festkörperspeicherkomponente eine Vielzahl von Bit-Leitungen, eine Source-Leitung und eine Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen hat, wobei jede nicht funktionelle Speichersäule von einer oder beiden der Vielzahl von Bit-Leitungen und der Source-Leitung elektrisch isoliert ist.
In einem Beispiel umfasst eine Speichervorrichtung eine Vielzahl von funktionellen Speichersäulen, wobei jede funktionelle Speichersäule an eine der Vielzahl von Bit-Leitungen und eine der Source-Leitung elektrisch gekoppelt ist.
In einem Beispiel einer Speichervorrichtung sind die Vielzahl von funktionellen Speichersäulen und die Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen gleichförmig über die Festkörperspeicherkomponente verteilt.
In einem Beispiel einer Speichervorrichtung befindet sich die Vielzahl von funktionellen Speichersäulen in einem Speichergruppenabschnitt der Festkörperspeicherkomponente und die Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen befindet sich in einem Peripherieabschnitt der Festkörperspeicherkomponente.
In einem Beispiel einer Speichervorrichtung sind die Vielzahl von funktionellen Speichersäulen und die Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen vertikal orientiert.
In einem Beispiel einer Speichervorrichtung liegen Speicherzellen neben jeder der funktionellen Speichersäulen und der nicht funktionellen Speichersäulen.
In einem Beispiel einer Speichervorrichtung umfasst jede Speicherzelle eine Ladungsspeicherstruktur.
In einem Beispiel einer Speichervorrichtung ist die Ladungsspeicherstruktur ein Floating-Gate.
In einem Beispiel einer Speichervorrichtung umfasst jede Speicherzelle ein Steuer-Gate.
In einem Beispiel einer Speichervorrichtung umfasst jede Speicherzelle ein Tunneldielektrikum neben der funktionellen oder nicht funktionellen Speichersäule, eine Ladungsspeicherstruktur neben dem Tunneldielektrikum, ein blockierendes Dielektrikum neben der Ladungsspeicherstruktur und ein Steuer-Gate neben dem blockierenden Dielektrikum.
In einem Beispiel einer Speichervorrichtung sind Ketten der Speicherzellen neben den funktionellen Speichersäulen in Reihe gekoppelt.
In einem Beispiel, eine Speichervorrichtung umfasst eine CPU, eine GPU, eine Speichersteuerung, einen Videodecoder, einen Audiodecoder, einen Videoencoder, einen Kameraprozessor, einen Systemspeicher, ein Modem oder eine Kombination davon.
In einem Beispiel ist eine Speichervorrichtung bereitgestellt, umfassend ein Substrat, eine Festkörperspeicherkomponente, die betriebsbereit an das Substrat gekoppelt ist, wobei die Festkörperspeicherkomponente eine Vielzahl von Säulen hat, die sich in einem Peripherieabschnitt der Festkörperspeicherkomponente befinden, und Speicherzellen neben jeder der Säulen.
In einem Beispiel einer Speichervorrichtung umfasst jede Speicherzelle eine Ladungsspeicherstruktur.
In einem Beispiel einer Speichervorrichtung ist die Ladungsspeicherstruktur ein Floating-Gate.
In einem Beispiel einer Speichervorrichtung umfasst jede Speicherzelle ein Steuer-Gate.
In einem Beispiel einer Speichervorrichtung umfasst jede Speicherzelle ein Tunneldielektrikum neben der Säule, eine Ladungsspeicherstruktur neben dem Tunneldielektrikum, ein blockierendes Dielektrikum neben der Ladungsspeicherstruktur und ein Steuer-Gate neben dem blockierenden Dielektrikum.
In einem Beispiel einer Speichervorrichtung befinden sich einige der Vielzahl von Säulen in einem Speichergruppenabschnitt der Festkörperspeicherkomponente.
In einem Beispiel einer Speichervorrichtung ist die Vielzahl von Säulen gleichförmig über die Festkörperspeicherkomponente verteilt.
In einem Beispiel einer Speichervorrichtung sind mindestens einige der Säulen, die sich im Speichergruppenabschnitt befinden, elektrisch an eine Bit-Leitung und eine Source-Leitung gekoppelt, und jede der Säulen, die sich im Peripherieabschnitt befinden, ist von mindestens einer der Bit-Leitung und der Source-Leitung elektrisch isoliert.
In einem Beispiel ist eine Rechensystem bereitgestellt, umfassend eine Hauptplatine und eine Speichervorrichtung, die betriebsbereit an die Hauptplatine gekoppelt ist. Die Speichervorrichtung umfasst ein Substrat, eine Festkörperspeicherkomponente, die betriebsbereit an das Substrat gekoppelt ist, wobei die Festkörperspeicherkomponente eine Vielzahl von Bit-Leitungen, eine Source-Leitung und eine Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen hat, wobei jede nicht funktionelle Speichersäule von einer oder beiden der Vielzahl von Bit-Leitungen und der Source-Leitung elektrisch isoliert ist.
In einem Beispiel ist ein Rechensystem bereitgestellt, umfassend eine Hauptplatine und eine Speichervorrichtung, die betriebsbereit an die Hauptplatine gekoppelt ist. Die Speichervorrichtung umfasst ein Substrat, eine Festkörperspeicherkomponente, die betriebsbereit an das Substrat gekoppelt ist, wobei die Festkörperspeicherkomponente eine Vielzahl von Säulen, die sich in einem Peripherieabschnitt der Festkörperspeicherkomponente befindet, und Speicherzellen neben jeder der Säulen hat.
In einem Beispiel eines Rechensystems umfasst das Rechensystem einen Desktop-Computer, einen Laptop, ein Tablet, ein Smartphone, eine tragbare Vorrichtung, einen Server oder eine Kombination davon.
In einem Beispiel eines Rechensystems umfasst das Rechensystem ferner einen Prozessor, eine Speichervorrichtung, eine Wärmesenke, einen Funk, einen Slot, einen Anschluss oder eine Kombination davon, die betriebsbereit an die Hauptplatine gekoppelt sind.
In einem Beispiel ist ein Verfahren zur Herstellung einer Festkörperspeicherkomponente bereitgestellt, umfassend Bilden einer Vielzahl von Speichersäulen, Bilden von Speicherzellen neben jeder der Speichersäulen, und elektrisches Koppeln nur eines Abschnitts der Vielzahl von Speichersäulen an Bit-Leitungen und eine Source-Leitung, so dass ein verbleibender Abschnitt der Vielzahl von Speichersäulen von einer oder beiden der der Bit-Leitungen und der Source-Leitung elektrisch isoliert ist.
In einem Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer Festkörperspeicherkomponente befindet sich der Abschnitt der Vielzahl von Speichersäulen, der von einer oder beiden der Bit-Leitungen und der Source-Leitung elektrisch isoliert ist, in einem Peripherieabschnitt der Festkörperspeicherkomponente.
In einem Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer Festkörperspeicherkomponente befindet sich der Abschnitt der Vielzahl von Speichersäulen, der elektrisch an die Bit-Leitungen und die Source-Leitung gekoppelt ist, in einem Speichergruppenabschnitt der Festkörperspeicherkomponente.
In einem Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer Festkörperspeicherkomponente ist die Vielzahl von Speichersäulen gleichförmig über die Festkörperspeicherkomponente verteilt.
In einem Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer Festkörperspeicherkomponente umfasst ein Bilden von Speicherzellen ein Bilden Ladungsspeicherstrukturen.
In einem Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer Festkörperspeicherkomponente sind die Ladungsspeicherstrukturen Floating-Gates.
In einem Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer Festkörperspeicherkomponente umfasst ein Bilden von Speicherzellen ein Bilden von Steuer-Gates.
In einem Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer Festkörperspeicherkomponente umfasst ein Bilden von Speicherzellen, ein Bilden von Tunneldielektrika neben den Speichersäulen, ein Bilden von Ladungsspeicherstrukturen neben den Tunneldielektrika, ein Bilden von blockierenden Dielektrika neben den Ladungsspeicherstrukturen und ein Bilden von Steuer-Gates neben den blockierenden Dielektrika.
In einem Beispiel ist ein Verfahren zum Minimieren einer Fehlausrichtung während einer Herstellung einer Festkörperspeicherkomponente bereitgestellt, umfassend ein Bilden einer Vielzahl von Speichersäulen in einem Speichergruppenabschnitt der Festkörperspeicherkomponente und Bilden einer Vielzahl von Speichersäulen in einem Peripherieabschnitt der Festkörperspeicherkomponente.
In einem Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer Festkörperspeicherkomponente ist die Vielzahl von Speichersäulen gleichförmig über die Festkörperspeicherkomponente verteilt.
In einem Beispiel umfasst ein Verfahren zur Herstellung einer Festkörperspeicherkomponente ein Bilden von Speicherzellen neben jeder der Speichersäulen.
In einem Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer Festkörperspeicherkomponente umfasst ein Bilden von Speicherzellen ein Bilden von Ladungsspeicherstrukturen.
In einem Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer Festkörperspeicherkomponente sind die Ladungsspeicherstrukturen Floating-Gates.
In einem Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer Festkörperspeicherkomponente umfasst ein Bilden von Speicherzellen ein Bilden von Steuer-Gates.
In einem Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer Festkörperspeicherkomponente umfasst ein Bilden von Speicherzellen ein Bilden von Tunneldielektrika neben den Speichersäulen, Bilden von Ladungsspeicherstrukturen neben den Tunneldielektrika, Bilden von blockierenden Dielektrika neben den Ladungsspeicherstrukturen, und Bilden von Steuer-Gates neben den blockierenden Dielektrika.
Während die vorangehenden Beispiele die speziellen Ausführungsformen in einer oder mehreren besonderen Anwendungen illustrieren, ist für Durchschnittsfachleute auf dem Gebiet offensichtlich, dass zahlreiche Modifizierungen in Form, Nutzung und Einzelheiten von Implementierungen vorgenommen werden können, ohne von den hier angegebenen Prinzipien und Konzepten abzuweichen.

Claims

Festkörperspeicherkomponente, umfassend: eine Vielzahl von Bit-Leitungen; eine Source-Leitung; und eine Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen, wobei jede nicht funktionelle Speichersäule von einer oder beiden der Vielzahl von Bit-Leitungen und der Source-Leitung elektrisch isoliert ist.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 1, ferner umfassend eine Vielzahl von funktionellen Speichersäulen, wobei jede funktionelle Speichersäule an eine der Vielzahl von Bit-Leitungen und eine der Source-Leitung elektrisch gekoppelt ist.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 2, wobei die Vielzahl von funktionellen Speichersäulen und die Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen gleichförmig über die Festkörperspeicherkomponente verteilt sind.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 2, wobei sich die Vielzahl von funktionellen Speichersäulen in einem Speichergruppenabschnitt der Speicherkomponente befindet und die Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen sich in einem Peripherieabschnitt der Festkörperspeicherkomponente befindet.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 2, wobei die Vielzahl von funktionellen Speichersäulen und die Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen vertikal orientiert sind.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 2, wobei Speicherzellen neben jeder der funktionellen Speichersäulen und der nicht funktionellen Speichersäulen sind.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 6, wobei jede Speicherzelle eine Ladungsspeicherstruktur umfasst.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 7, wobei die Ladungsspeicherstruktur ein Floating-Gate ist.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 7, wobei jede Speicherzelle ein Steuer-Gate umfasst.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 6, wobei jede Speicherzelle umfasst: ein Tunneldielektrikum neben der funktionellen oder nicht funktionellen Speichersäule; eine Ladungsspeicherstruktur neben dem Tunneldielektrikum; ein blockierendes Dielektrikum neben der Ladungsspeicherstruktur; und ein Steuer-Gate neben dem blockierenden Dielektrikum.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 6, wobei Ketten der Speicherzellen neben den funktionellen Speichersäulen in Reihe gekoppelt sind.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 1, wobei sich mindestens einige der Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen in einem Peripherieabschnitt der Festkörperspeicherkomponente befinden.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 1, wobei Speicherzellen neben jeder der nicht funktionellen Speichersäulen sind.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 13, wobei jede Speicherzelle eine Ladungsspeicherstruktur umfasst.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 14, wobei die Ladungsspeicherstruktur ein Floating-Gate ist.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 14, wobei jede Speicherzelle ein Steuer-Gate umfasst.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 13, wobei jede Speicherzelle umfasst: ein Tunneldielektrikum neben der nicht funktionellen Speichersäule; eine Ladungsspeicherstruktur neben dem Tunneldielektrikum; ein blockierendes Dielektrikum neben der Ladungsspeicherstruktur; und ein Steuer-Gate neben dem blockierenden Dielektrikum.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 13, wobei Ketten der Speicherzellen neben den funktionellen Speichersäulen in Reihe gekoppelt sind.
Festkörperspeicherkomponente, umfassend: eine Vielzahl von Säulen, die sich in einem Peripherieabschnitt der Festkörperspeicherkomponente befindet; und Speicherzellen neben jeder der Säulen.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 19, wobei jede Speicherzelle eine Ladungsspeicherstruktur umfasst.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 20, wobei die Ladungsspeicherstruktur ein Floating-Gate ist.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 20, wobei jede Speicherzelle ein Steuer-Gate umfasst.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 19, wobei jede Speicherzelle umfasst: ein Tunneldielektrikum neben der Säule; eine Ladungsspeicherstruktur neben dem Tunneldielektrikum; ein blockierendes Dielektrikum neben der Ladungsspeicherstruktur; und ein Steuer-Gate neben dem blockierenden Dielektrikum.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 19, wobei sich einige der Vielzahl von Säulen in einem Speichergruppenabschnitt der Festkörperspeicherkomponente befinden.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 24, wobei die Vielzahl von Säulen gleichförmig über die Festkörperspeicherkomponente verteilt ist.
Festkörperspeicherkomponente nach Anspruch 24, wobei mindestens einige der Säulen, die sich im Speichergruppenabschnitt befinden, elektrisch an eine Bit-Leitung und eine Source-Leitung gekoppelt sind und jede der Säulen, die sich im Peripherieabschnitt befinden, von mindestens einer der Bit-Leitung und der Source-Leitung elektrisch isoliert ist.
Speichervorrichtung, umfassend: ein Substrat; eine Festkörperspeicherkomponente, die betriebsbereit an das Substrat gekoppelt ist, wobei die Festkörperspeicherkomponente aufweist eine Vielzahl von Bit-Leitungen, eine Source-Leitung und eine Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen, wobei jede nicht funktionelle Speichersäule von einer oder beiden der Vielzahl von Bit-Leitungen und der Source-Leitung elektrisch isoliert ist.
Speichervorrichtung nach Anspruch 27, ferner umfassend eine Vielzahl von funktionellen Speichersäulen, wobei jede funktionelle Speichersäule an eine der Vielzahl von Bit-Leitungen und eine der Source-Leitung elektrisch gekoppelt ist.
Speichervorrichtung nach Anspruch 28, wobei die Vielzahl von funktionellen Speichersäulen und die Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen gleichförmig über die Festkörperspeicherkomponente verteilt sind.
Speichervorrichtung nach Anspruch 28, wobei sich die Vielzahl von funktionellen Speichersäulen in einem Speichergruppenabschnitt der Festkörperspeicherkomponente befindet und die Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen sich in einem Peripherieabschnitt der Festkörperspeicherkomponente befindet.
Speichervorrichtung nach Anspruch 28, wobei die Vielzahl von funktionellen Speichersäulen und die Vielzahl von nicht funktionellen Speichersäulen vertikal orientiert sind.
Speichervorrichtung nach Anspruch 28, wobei Speicherzellen neben jeder der funktionellen Speichersäulen und der nicht funktionellen Speichersäulen sind.
Speichervorrichtung nach Anspruch 32, wobei jede Speicherzelle eine Ladungsspeicherstruktur umfasst.
Speichervorrichtung nach Anspruch 33, wobei die Ladungsspeicherstruktur ein Floating-Gate ist.
Speichervorrichtung nach Anspruch 33, wobei jede Speicherzelle ein Steuer-Gate umfasst.
Speichervorrichtung nach Anspruch 32, wobei jede Speicherzelle umfasst: ein Tunneldielektrikum neben der funktionellen oder nicht funktionellen Speichersäule; eine Ladungsspeicherstruktur neben dem Tunneldielektrikum; ein blockierendes Dielektrikum neben der Ladungsspeicherstruktur; und ein Steuer-Gate neben dem blockierenden Dielektrikum.
Speichervorrichtung nach Anspruch 32, wobei Ketten der Speicherzellen neben den funktionellen Speichersäulen in Reihe gekoppelt sind.
Speichervorrichtung nach Anspruch 27, ferner umfassend eine CPU, eine GPU, eine Speichersteuerung, einen Videodecoder, einen Audiodecoder, einen Videoencoder, einen Kameraprozessor, einen Systemspeicher, ein Modem oder eine Kombination davon.
Speichervorrichtung, umfassend: ein Substrat; eine Festkörperspeicherkomponente, die betriebsbereit an das Substrat gekoppelt ist, wobei die Festkörperspeicherkomponente aufweist eine Vielzahl von Säulen, die sich in einem Peripherieabschnitt der Festkörperspeicherkomponente befindet, und Speicherzellen neben jeder der Säulen.
Speichervorrichtung nach Anspruch 39, wobei jede Speicherzelle eine Ladungsspeicherstruktur umfasst.
Speichervorrichtung nach Anspruch 40, wobei die Ladungsspeicherstruktur ein Floating-Gate ist.
Speichervorrichtung nach Anspruch 40, wobei jede Speicherzelle ein Steuer-Gate umfasst.
Speichervorrichtung nach Anspruch 39, wobei jede Speicherzelle umfasst: ein Tunneldielektrikum neben der Säule; eine Ladungsspeicherstruktur neben dem Tunneldielektrikum; ein blockierendes Dielektrikum neben der Ladungsspeicherstruktur; und ein Steuer-Gate neben dem blockierenden Dielektrikum.
Speichervorrichtung nach Anspruch 39, wobei sich einige der Vielzahl von Säulen in einem Speichergruppenabschnitt der Festkörperspeicherkomponente befinden.
Speichervorrichtung nach Anspruch 44, wobei die Vielzahl von Säulen gleichförmig über die Festkörperspeicherkomponente verteilt ist.
Speichervorrichtung nach Anspruch 44, wobei mindestens einige der Säulen, die sich im Speichergruppenabschnitt befinden, elektrisch an eine Bit-Leitung und eine Source-Leitung gekoppelt sind und jede der Säulen, die sich im Peripherieabschnitt befinden, von mindestens einer der Bit-Leitung und der Source-Leitung elektrisch isoliert ist.
Rechensystem, umfassend: eine Hauptplatine; und eine Speichervorrichtung nach einem der Ansprüche 27-46, die betriebsbereit an die Hauptplatine gekoppelt ist.
System nach Anspruch 47, wobei das Rechensystem einen Desktop-Computer, einen Laptop, ein Tablet, ein Smartphone, eine tragbare Vorrichtung, einen Server oder eine Kombination davon umfasst.
System nach Anspruch 47, ferner umfassend einen Prozessor, eine Speichervorrichtung, eine Wärmesenke, einen Funk, einen Slot, einen Anschluss oder eine Kombination davon, die betriebsbereit an die Hauptplatine gekoppelt sind.
Verfahren zur Herstellung einer Festkörperspeicherkomponente, umfassend: Bilden einer Vielzahl von Speichersäulen; Bilden von Speicherzellen neben jeder der Speichersäulen; und elektrisches Koppeln nur eines Abschnitts der Vielzahl von Speichersäulen an Bit-Leitungen und eine Source-Leitung, so dass ein verbleibender Abschnitt der Vielzahl von Speichersäulen von einer oder beiden der der Bit-Leitungen und der Source-Leitung elektrisch isoliert ist.
Verfahren nach Anspruch 50, wobei der Abschnitt der Vielzahl von Speichersäulen, der von einer oder beiden der Bit-Leitungen und der Source-Leitung elektrisch isoliert ist, sich in einem Peripherieabschnitt der Festkörperspeicherkomponente befindet.
Verfahren nach Anspruch 50, wobei der Abschnitt der Vielzahl von Speichersäulen, der elektrisch an die Bit-Leitungen und die Source-Leitung gekoppelt ist, sich in einem Speichergruppenabschnitt der Festkörperspeicherkomponente befindet.
Verfahren nach Anspruch 50, wobei die Vielzahl von Speichersäulen gleichförmig über die Festkörperspeicherkomponente verteilt ist.
Verfahren nach Anspruch 50, wobei ein Bilden von Speicherzellen ein Bilden von Ladungsspeicherstrukturen umfasst.
Verfahren nach Anspruch 54, wobei die Ladungsspeicherstrukturen Floating-Gates sind.
Verfahren nach Anspruch 54, wobei ein Bilden von Speicherzellen ein Bilden von Steuer-Gates umfasst.
Verfahren nach Anspruch 50, wobei ein Bilden von Speicherzellen umfasst: Bilden von Tunneldielektrika neben den Speichersäulen; Bilden von Ladungsspeicherstrukturen neben den Tunneldielektrika; Bilden von blockierenden Dielektrika neben den Ladungsspeicherstrukturen; und Bilden von Steuer-Gates neben den blockierenden Dielektrika.
Verfahren zur Minimierung von struktureller Fehlausrichtung während einer Herstellung einer Festkörperspeicherkomponente, umfassend: Bilden einer Vielzahl von Speichersäulen in einem Speichergruppenabschnitt der Festkörperspeicherkomponente; und Bilden einer Vielzahl von Speichersäulen in einem Peripherieabschnitt der Festkörperspeicherkomponente.
Verfahren nach Anspruch 58, wobei die Vielzahl von Speichersäulen gleichförmig über die Festkörperspeicherkomponente verteilt ist.
Verfahren nach Anspruch 58, ferner umfassend ein Bilden von Speicherzellen neben jeder der Speichersäulen.
Verfahren nach Anspruch 60, wobei ein Bilden von Speicherzellen ein Bilden von Ladungsspeicherstrukturen umfasst.
Verfahren nach Anspruch 61, wobei die Ladungsspeicherstrukturen Floating-Gates sind.
Verfahren nach Anspruch 61, wobei ein Bilden von Speicherzellen ein Bilden von Steuer-Gates umfasst.
Verfahren nach Anspruch 60, wobei ein Bilden von Speicherzellen umfasst: Bilden von Tunneldielektrika neben den Speichersäulen; Bilden von Ladungsspeicherstrukturen neben den Tunneldielektrika; Bilden von blockierenden Dielektrika neben den Ladungsspeicherstrukturen; und Bilden von Steuer-Gates neben den blockierenden Dielektrika.