DE112016003004T5

DE112016003004T5 - Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Fertigung der Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE112016003004T5
Application number: DE112016003004.5T
Authority: DE
Inventors: Toshihiko Iwasaka; Masaru Aoki; Kazunori Inoue; Yusuke Yamagata
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2015-07-01
Filing date: 2016-06-21
Publication date: 2018-03-15
Also published as: WO2017002655A1; CN107735724B; JPWO2017002655A1; US20180052356A1; JP6362781B2; CN107735724A; US10042196B2

Abstract

Die Isolationseigenschaften von Anschlussleitungen auf einem Feldsubstrat können aufrechterhalten werden, ohne Schritte zum Verhindern eines Ausbildens einer Gegenelektrode auf dem Umfangsteilbereich eines Farbfiltersubstrats hinzuzufügen. Ein Anzeigemodul weist eine Isolationsschicht 203, die so ausgebildet ist, dass sie eine Elektrode (201) bedeckt, die auf einer Oberfläche eines Feldsubstrats (200) ausgebildet ist, eine Oxid-Halbleiterschicht, die auf einer Oberfläche eines Farbfiltersubstrats 100 ausgebildet ist, und ein Versiegelungsbauteil 106 auf, welches sich zwischen der Isolationsschicht und der Oxid-Halbleiterschicht befindet, welche einander zugewandt sind, und welches die Isolationsschicht und die Oxid-Halbleiterschicht miteinander verbindet. Eine Fläche, die in einer Draufsicht durch das Versiegelungsbauteil umgeben ist, wird als eine Anzeigefläche genommen. Ein Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht, welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert, ist ein Leiter, und ein Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht, welcher zu dem Bereich außerhalb der Anzeigefläche korrespondiert, ist ein Isolator.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Technik bezieht sich auf ein Anzeigemodul und ein Verfahren zur Fertigung eines Anzeigemoduls.
Stand der Technik
Allgemein sind Flüssigkristallfelder für Flüssigkristallanzeigemodule, welche ein Beispiel für Anzeigemodule sind, mit einem TFT-Feld-Substrat versehen, das Dünnfilmtransistoren (d.h. TFTs) oder Pixelelektroden, die mit TFTs verbunden sind, aufweist. Eine Anzeigefläche wird durch Anordnen solcher TFTs und Pixelelektroden in einer Matrix gebildet. Das TFT-Feld-Substrat weist mit den TFTs verbundene Abtastsignalleitungen und mit den TFTs verbundene Anzeigesignalleitungen auf.
Solch ein TFT-Feld-Substrat weist einen einzelnen Elementabschnitt auf, welcher eine Mehrzahl von Abtastsignalleitungen und Anzeigesignalleitungen aufweist. Anschlüsse zum Eingeben von Signalen an die Abtastsignalleitungen und die Anzeigesignalleitungen sind an der Kante des Elementabschnitts des TFT-Feld-Substrats vorgesehen.
Ein Farbfilter-(d.h. CF-)Substrat ist weiter als ein Gegensubstrat zu dem TFT-Feld-Substrat angeordnet. Das Farbfiltersubstrat weist zum Beispiel eine Gegenelektrode und eine Harzschicht auf.
Das TFT-Feld-Substrat und das Farbfiltersubstrat sind mit einem Versiegelungsbauteil miteinander verbunden. Hierbei ist das Versiegelungsbauteil in einer Rahmenform ausgebildet, sodass es die Anzeigefläche umgibt. Ein Flüssigkristall ist weiter in der Fläche versiegelt, die durch das TFT-Feld-Substrat, das Farbfiltersubstrat und das Versiegelungsbauteil gebildet wird. Dann werden Vorrichtungen wie ein Steuer-IC und eine flexible gedruckte Leiterplatte (d.h. FPC) angebracht, und weiter werden Vorrichtungen wie eine Hintergrundbeleuchtungseinheit angebracht, wodurch ein Flüssigkristallanzeigemodul vervollständigt wird.
Wenn es eine Fremdsubstanz in einer Fläche außerhalb von dem und angrenzend an den Raum gibt, in welchem der Flüssigkristall versiegelt ist, kann eine Isolationsschicht, die ausgebildet ist, um Anschlussleitungen zu bedecken, durch die Fremdsubstanz beschädigt werden. Wenn dies der Fall ist, können Defekte in der Isolationsschicht die Anschlussleitungen erreichen und exponieren. Dies verschlechtert die Isolationseigenschaften der Anschlussleitungen.
Wenn in dieser Situation Feuchtigkeit oder dergleichen, die an der Gegenelektrode auf dem Farbfiltersubstrat haftet, in die Defekte in der Isolationsschicht eindringt, kann ein leitfähiger Schaltkreis zwischen der Gegenelektrode auf dem Farbfiltersubstrat und den Anschlussleitungen auf dem TFT-Feld-Substrat gebildet werden. In diesem Fall können Probleme wie eine Verbindungsauflösung aufgrund von elektrolytischer Korrosion auftreten.
Der Grund der Ausbildung des leitfähigen Schaltkreises zwischen der Gegenelektrode und den Anschlussleitungen kann das Eintreten einer metallischen Fremdsubstanz (d.h. Leiterfremdsubstanz) anstelle von Feuchtigkeit von den Defekten in der Isolationsschicht sein.
Um diesem Problem zu adressieren, werden Strukturen offenbart, in welchen die Anschlussleitungen auf dem TFT-Feld-Substrat mit einer Schutzschicht oder dergleichen bedeckt werden (siehe zum Beispiel Patentdokument 1). Andere Strukturen werden außerdem offenbart, in welchen eine wasserabweisende Schicht oder eine Harzschicht auf der Gegenelektrode des Farbfiltersubstrats ausgebildet wird (siehe zum Beispiel Patentdokumente 2 und 3).
Dokumente des Stands der Technik
Patentdokumente

Patentdokument 1: Offengelegte, japanische Patentanmeldung Nr. 8-95075
Patentdokument 2: Offengelegte, japanische Patentanmeldung Nr. 2006-285105
Patentdokument 3: Offengelegte, japanische Patentanmeldung Nr. 2008-3337

Zusammenfassung
Durch die Erfindung zu lösende Probleme
Selbst wenn die Schutzschichten auf der Gegenelektrode des Farbfiltersubstrats und auf der Isolationsschicht des TFT-Feld-Substrats ausgebildet sind, kann eine Fremdsubstanz oder einer andere Substanz schließlich einen Schaden an den Schutzschichten verursachen, was bewirkt, dass die Anschlussleitungen oder die Gegenelektrode exponiert werden. In diesem Fall werden die Isolationseigenschaften der Anschlussleitungen auch verschlechtert.
Wenn in dieser Situation Feuchtigkeit oder dergleichen, die an der Gegenelektrode auf dem Farbfiltersubstrat haftet, in Defekte in der Isolationsschicht eindringt, kann ein leitfähiger Schaltkreis zwischen der Gegenelektrode auf dem Farbfiltersubstrat und den Anschlussleitungen auf dem TFT-Feld-Substrat gebildet werden. In diesem Fall können Probleme wie eine Verbindungsauflösung aufgrund von elektrolytischer Korrosion auftreten.
Das Farbfiltersubstrat kann auch unter Verwendung eines Verfahrens ausgebildet werden, in welchem vorher eine Maske auf dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats ausgebildet wird, sodass die Gegenelektrode, die aus einer transparenten, leitfähigen Schicht wie einem mit Zinn dotiertem Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (d.h. ITO) besteht, nicht auf dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats aufgebracht wird. Dieses Verfahren erfordert jedoch einen zusätzlichen Schritt zum Verhindern eines Ausbildens der Gegenelektrode auf dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats.
Ein anderes Beispiel des Verfahrens zum Verhindern eines Ausbildens der Gegenelektrode auf dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats ist ein Verfahren, in welchem, nachdem eine transparente, leitfähige Schicht wie ITO auf der gesamten Oberfläche des Farbfiltersubstrats aufgebracht worden ist, ein Abdeckmittel durch Photolithographie auf dem Teilbereich außer dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats ausgebildet wird; die transparente, leitfähige Schicht auf dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats wird unter Verwendung eines Ätzverfahrens entfernt; und schließlich wird das Abdeckmittel entfernt. Dieses Verfahren erfordert jedoch auch einen zusätzlichen Schritt zum Verhindern eines Ausbildens der Gegenelektrode auf dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats.
Die vorliegende Technik dient dem Lösen des Problems, wie vorstehend beschrieben, und bezieht sich auf ein Anzeigemodul, das in der Lage ist, die Isolationseigenschaften der Anschlussleitungen auf dem Feldsubstrat aufrecht zu erhalten, ohne Schritte zum Verhindern eines Ausbildens der Gegenelektrode auf dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats hinzuzufügen, und auf ein Verfahren zur Fertigung eines solchen Anzeigemoduls.
Mittel zum Lösen der Probleme
Ein Anzeigemodul gemäß einem Aspekt der vorliegenden Technik weist ein Feldsubstrat, eine auf einer Oberfläche des Feldsubstrats ausgebildete Elektrode, eine Isolationsschicht, die so ausgebildet ist, dass sie die Elektrode bedeckt, ein Farbfiltersubstrat, eine auf einer Oberfläche des Farbfiltersubstrats ausgebildete Oxid-Halbleiterschicht und ein Versiegelungsbauteil, das sich zwischen der Isolationsschicht und der Oxid-Halbleiterschicht befindet, die einander zugewandt sind, und welches die Isolierungsschicht und die Oxid-Halbleiterschicht miteinander verbindet, auf. Eine Fläche, welche zwischen dem Feldsubstrat und dem Farbfiltersubstrat eingebettet und in einer Draufsicht durch das Versiegelungsbauteil umgeben ist, wird als eine Anzeigefläche genommen. Ein Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht, welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert, ist ein Leiter, und ein Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht, welcher zu einem Bereich außerhalb der Anzeigefläche korrespondiert, ist ein Isolator.
Ein Verfahren zur Fertigung eines Anzeigemoduls gemäß einem Aspekt der vorliegenden Technik weist ein Ausbilden einer Elektrode auf einer Oberfläche eines Feldsubstrats, ein Ausbilden einer Isolationsschicht, welche die Elektrode bedeckt, ein Ausbilden einer Oxid-Halbleiterschicht auf einer Oberfläche eines Farbfiltersubstrats und ein Verbinden der Isolationsschicht und der Oxid-Halbleiterschicht, die einander zugewandt sind, mit einem Versiegelungsbauteil auf. Eine Fläche, welche zwischen dem Feldsubstrat und dem Farbfiltersubstrat eingebettet und in einer Draufsicht durch das Versiegelungsbauteil umgeben ist, wird als eine Anzeigefläche genommen. Ein Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht, welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert, ist ein Leiter, und ein Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht, welcher zu einem Bereich außerhalb der Anzeigefläche korrespondiert, ist ein Isolator.
Wirkungen der Erfindung
Ein Anzeigemodul gemäß einem Aspekt der vorliegenden Technik weist ein Feldsubstrat, eine auf einer Oberfläche des Feldsubstrats ausgebildete Elektrode, eine Isolationsschicht, die so ausgebildet ist, dass sie die Elektrode bedeckt, ein Farbfiltersubstrat, eine auf einer Oberfläche des Farbfiltersubstrats ausgebildete Oxid-Halbleiterschicht und ein Versiegelungsbauteil, welches sich zwischen der Isolationsschicht und der Oxid-Halbleiterschicht befindet, die einander zugewandt sind, und welches die Isolationsschicht und die Oxid-Halbleiterschicht miteinander verbindet, auf. Eine Fläche, welche zwischen dem Feldsubstrat und dem Farbfiltersubstrat eingebettet und in einer Draufsicht durch das Versiegelungsbauteil umgeben ist, wird als eine Anzeigefläche genommen. Ein Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht, welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert, ist ein Leiter, und ein Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht, welcher zu einem Bereich außerhalb der Anzeigefläche korrespondiert, ist ein Isolator.
Mit dieser Anordnung können die Isolationseigenschaften der Elektroden auf dem Feldsubstrat aufrechterhalten werden, ohne Schritte zum Verhindern eines Ausbildens der Gegenelektrode auf dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats hinzuzufügen.
Ein Verfahren zur Fertigung eines Anzeigemoduls gemäß einem Aspekt der vorliegenden Technik weist ein Ausbilden einer Elektrode auf einer Oberfläche eines Feldsubstrats, ein Ausbilden einer Isolationsschicht, welche die Elektrode bedeckt, ein Ausbilden einer Oxid-Halbleiterschicht auf einer Oberfläche eines Farbfiltersubstrats und ein Verbinden der Isolationsschicht und der Oxid-Halbleiterschicht, die einander zugewandt sind, auf. Eine Fläche, welche zwischen dem Feldsubstrat und dem Farbfiltersubstrat eingebettet und in einer Draufsicht durch das Versiegelungsbauteil umgeben ist, wird als eine Anzeigefläche genommen. Ein Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht, welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert, ist ein Leiter, und ein Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht, welcher zu einem Bereich außerhalb der Anzeigefläche korrespondiert, ist ein Isolator.
Mit dieser Anordnung können die Isolationseigenschaften der Elektroden auf dem Feldsubstrat aufrechterhalten werden, ohne Schritte zum Verhindern eines Ausbildens der Gegenelektrode auf dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats hinzuzufügen.
Diese und andere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung ersichtlicher, wenn sie im Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen gesehen wird.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 ist eine Draufsicht, die eine Struktur eines Farbfiltersubstrats gemäß einer Ausführungsform darstellt.
2 stellt das Aussehen von Anschlussleitungen eines TFT-Feld-Substrats gemäß der Ausführungsform dar.
3 ist eine Querschnittsansicht, die die Struktur des Farbfiltersubstrats gemäß der Ausführungsform darstellt.
4 ist eine Querschnittsansicht, die eine Struktur darstellt, die zu einem Teilbereich korrespondiert, der entlang einer Linie Z-Z‘ in 1 bis 3 aufgenommen ist.
5 ist eine Querschnittsansicht, die die Struktur darstellt, die zu dem Teilbereich korrespondiert, der entlang einer Linie Z-Z‘ in 1 bis 3 aufgenommen ist.
6 ist eine Querschnittsansicht, die die Struktur darstellt, die zu dem Teilbereich korrespondiert, der entlang einer Linie Z-Z‘ in 1 bis 3 aufgenommen ist.
7 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben eines Prozesses einer Fertigung eines Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
8 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
9 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
10 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
11 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
12 ist eine Querschnittsansicht, die die Struktur darstellt, die zu dem Teilbereich korrespondiert, der entlang einer Linie Z-Z‘ in 1 bis 3 aufgenommen ist.
13 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben eines Prozesses einer Fertigung eines Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß einer Ausführungsform.
14 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
15 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
16 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
17 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
18 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
19 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
20 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
21 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
22 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
23 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
24 ist eine Querschnittsansicht, die die Struktur darstellt, die zu dem Teilbereich korrespondiert, der entlang einer Linie Z-Z‘ in 1 bis 3 aufgenommen ist.
25 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben eines Prozesses einer Fertigung eines Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß einer Ausführungsform.
26 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
27 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
28 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
29 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
30 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
31 ist eine Querschnittsansicht, die die Struktur darstellt, die zu dem Teilbereich korrespondiert, der entlang einer Linie Z-Z‘ in 1 bis 3 aufgenommen ist.
32 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben eines Prozesses einer Fertigung eines Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß einer Ausführungsform.
33 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
34 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
35 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
36 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
37 ist eine Querschnittsansicht zum Beschreiben des Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der Ausführungsform.
Beschreibung der Ausführungsformen
Ausführungsformen werden nun nachfolgend mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. Die Zeichnungen sind in schematischer Form gezeichnet, und wechselseitige Beziehungen zwischen Größen und Positionen von Bildern, die in unterschiedlichen Zeichnungen dargestellt sind, reflektieren nicht immer tatsächliche Verhältnisse und können geeignet verändert sein. In der nachfolgenden Beschreibung wird ähnlichen Bestandselementen das gleiche Bezugszeichen zugewiesen, und es wird angenommen, dass sie den gleichen Namen und die gleiche Funktion aufweisen. Somit kann eine detaillierte Beschreibung davon in einigen Fällen weggelassen sein.
In der nachfolgenden Beschreibung werden Begriffe wie "obere“, "untere“, "Seite“, "Unterseite“, "Vorderseite“ und "Rückseite“, welche verwendet werden können, um bestimmte Positionen und Richtungen anzuzeigen, nur zum Zweck einer Vereinfachung verwendet, um ein Verständnis des Inhalts der Ausführungsformen zu ermöglichen, und beziehen sich nicht auf Richtungen zu der Zeit der tatsächlichen Implementierung.
<Erste Ausführungsform>
Ein Flüssigkristallanzeigemodul wird nun nachfolgend als ein Beispiel eines Anzeigemoduls gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben.
1 ist eine Draufsicht, die eine Struktur eines Farbfiltersubstrats gemäß der vorliegenden Ausführungsform darstellt. Wie in 1 dargestellt, weist das Farbfiltersubstrat 100 ein Versiegelungsbauteil 106 auf, das darauf angeordnet ist. In diesem Fall wird eine Fläche, welche durch das Versiegelungsbauteil 106 umgeben ist, und in welcher ein Flüssigkristall versiegelt ist, als eine "Anzeigefläche“ genommen, eine Fläche, welche aus der Anzeigefläche und einer Fläche besteht, die von der äußeren Kante der Anzeigefläche bis zum Beispiel zu dem zentralen Teilbereich des Versiegelungsbauteils 106 reicht, wird als eine "Fläche B“ genommen, und eine Fläche außerhalb der Fläche B wird als eine "Fläche A“ genommen. In 1 korrespondiert Z-Z‘ zu einem Teilbereich, welcher von der Substratkante des Farbfiltersubstrats 100 zu der Innenseite der Anzeigefläche reicht.
2 stellt das Aussehen von Anschlussleitungen auf einem TFT-Feld-Substrat gemäß der vorliegenden Ausführungsform dar. Das in 2 dargestellte Versiegelungsbauteil 106 befindet sich in einem solchen Zustand, dass das Versiegelungsbauteil 106 auf dem Farbfiltersubstrat 100 mit dem TFT-Feld-Substrat 200 verbunden ist. Ähnlich korrespondieren die Flächen B und A in 2 zu der Fläche B auf dem Farbfiltersubstrat 100 und der Fläche A außerhalb der Fläche B.
Wie in 2 dargestellt, weist das TFT-Feld-Substrat 200 eine Mehrzahl von Anschlussleitungen 201 auf, die darauf angeordnet sind, die das Versiegelungsbauteil 106 überspannen. Externe Verbindungsanschlüsse 202 sind an den Enden der Anschlussleitungen 201 angeschlossen.
3 ist eine Querschnittsansicht, die die Struktur des Farbfiltersubstrats gemäß der vorliegenden Ausführungsform darstellt. 4 ist eine Querschnittsansicht, die die Struktur darstellt, welche zu einem Teilbereich korrespondiert, der entlang einer Linie Z-Z‘ in 1 bis 3 aufgenommen ist.
Das Farbfiltersubstrat 100, wie Glas, weist Farbmaterialien von RGB (ein rotes Farbmaterial 102, ein grünes Farbmaterial 103 und ein blaues Farbmaterial 104), eine schwarze Matrix 101 (nachfolgend auch als "BM“ bezeichnet), die zwischen jedem Farbmaterial angeordnet ist, und eine Überzugschicht 105 auf, die so ausgebildet ist, dass sie das rote Farbmaterial 102, das grüne Farbmaterial 103, das blaue Farbmaterial 104 und die schwarze Matrix 101 bedeckt, wie in 3 dargestellt. Das rote Farbmaterial 102, das grüne Farbmaterial 103, das blaue Farbmaterial 104, die schwarze Matrix 101 und die Überzugschicht 105 sind in 4 nicht gezeigt.
Eine Gegenelektrode 107 ist auf der Unterseite des Farbfiltersubstrats 100 angebracht, wie in 4 dargestellt. Die Anschlussleitungen 201 sind auf dem TFT-Feld-Substrat 200 ausgebildet, und eine Isolationsschicht 203 ist so ausgebildet, dass sie die Anschlussleitungen 201 bedeckt.
Das Farbfiltersubstrat 100 und das TFT-Feld-Substrat 200 sind mit dem Versiegelungsbauteil 106 miteinander verbunden. Ein Flüssigkristall 1000 ist weiter in dem Raum versiegelt, der durch das Farbfiltersubstrat 100, das TFT-Feld-Substrat 200 und das Versiegelungsbauteil 106 umgeben ist. Dieser Raum korrespondiert zu der Anzeigefläche in 1.
Hierbei sei ein Fall betrachtet, in welchem es eine Fremdsubstanz 1001 in einer Fläche gibt, welche sich außerhalb von dem und angrenzend an den Raum befindet, in welchem das Flüssigkristall 1000 versiegelt ist, d.h. in einer Fläche in der Nähe der Grenze zwischen der Fläche B und der Fläche A, wie in 4 dargestellt.
Wenn es die Fremdsubstanz 1001 an der Position gibt, wie in 4 dargestellt, kann die Isolationsschicht 203, die die Anschlussleitungen 201 bedeckt, durch die Fremdsubstanz 1001 beschädigt werden. Wenn dies der Fall ist, können Defekte in der Isolationsschicht 203 die Anschlussleitungen 201 erreichen und exponieren. Dies verschlechtert die Isolationseigenschaften der Anschlussleitungen 201.
Wenn in dieser Situation Feuchtigkeit 1002 oder dergleichen, die an der Gegenelektrode 107 des Farbfiltersubstrats 100 haftet, in die Defekte in der Isolationsschicht 203 eindringt, kann ein leitfähiger Schaltkreis zwischen der Gegenelektrode 107 auf dem Farbfiltersubstrat 100 und den Anschlussleitungen 201 auf dem TFT-Feld-Substrat 200 gebildet werden, wie in 4 dargestellt. In diesem Fall können Probleme wie eine Verbindungsauflösung aufgrund von elektrolytischer Korrosion auftreten.
Es ist zu beachten, dass die Ursache für das Ausbilden des leitfähigen Schaltkreises zwischen der Gegenelektrode 107 und den Anschlussleitungen 201 das Eindringen einer metallischen Fremdsubstanz (d.h. einer Leiterfremdsubstanz) anstelle von Feuchtigkeit von Defekten in der Isolationsschicht 203 sein kann.
5 ist eine Querschnittsansicht, die die Struktur darstellt, die zu dem Teilbereich korrespondiert, der entlang einer Linie Z-Z‘ in 1 bis 3 aufgenommen ist. Das rote Farbmaterial 102, das grüne Farbmaterial 103, das blaue Farbmaterial 104, die schwarze Matrix 101 und die Überzugschicht 105 sind in 5 nicht gezeigt.
In 5 ist eine Schutzschicht 108, welche die Gegenelektrode 107, das Versiegelungsbauteil 106 und die Isolationsschicht 203 bedeckt, in der Fläche ausgebildet, die sich außerhalb von dem und angrenzend an den Raum befindet, in welchem der Flüssigkristall 1000 versiegelt ist, d.h. in der Fläche in der Nähe der Grenze zwischen der Fläche B und der Fläche A.
Wie in 5 dargestellt, kann, selbst wenn die Schutzschicht 108 auf der Gegenelektrode 107 des Farbfiltersubstrats 100 und der Isolationsschicht 203 des TFT-Feld-Substrats 200 ausgebildet ist, die Fremdsubstanz 1001 oder dergleichen eine Beschädigung an der Schutzschicht 108 verursachen, was bewirkt, dass die Anschlussleitung 201 oder die Gegenelektrode 107 exponiert werden. In diesem Fall werden die Isolationseigenschaften der Anschlussleitung 201 auch verschlechtert.
Wenn in dieser Situation Feuchtigkeit 1002 oder dergleichen, die an der Gegenelektrode 107 des Farbfiltersubstrats 100 haftet, in Defekte in der Isolationsschicht 203 eindringt, kann ein leitfähiger Schaltkreis zwischen der Gegenelektrode 107 auf dem Farbfiltersubstrat 100 und der Anschlussleitung 201 auf dem TFT-Feld-Substrat 200 gebildet werden, wie in 5 dargestellt. In diesem Fall können Probleme wie eine Verbindungsauflösung aufgrund von elektrolytischer Korrosion auftreten.
6 ist eine Querschnittsansicht, die die Struktur darstellt, die zu dem Teilbereich korrespondiert, der entlang einer Linie Z-Z‘ in 1 bis 3 aufgenommen ist. Das rote Farbmaterial 102, das grüne Farbmaterial 103, das blaue Farbmaterial 104, die schwarze Matrix 101 und die Überzugschicht 105 sind in 6 nicht gezeigt.
In 6 befindet sich das Ende einer Gegenelektrode 107a innerhalb des Versiegelungsbauteils 106, sodass die Gegenelektrode 107a nicht in der Fläche außerhalb von dem und angrenzend an den Raum befindet, in welchem der Flüssigkristall 1000 versiegelt ist, d.h. in der Fläche in der Nähe der Grenze zwischen der Fläche B und der Fläche A.
Die in 6 dargestellte Struktur kann unter Verwendung eines Verfahrens ausgebildet werden, in welchem eine Maske vorher auf dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats 100 ausgebildet wird, sodass die Gegenelektrode 107a, die aus einer transparenten, leitfähigen Schicht wie Indiumzinnoxid besteht, nicht auf dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats 100 aufgebracht wird. Dieses Verfahren erfordert jedoch einen zusätzlichen Schritt zum Verhindern eines Ausbildens der Gegenelektrode auf dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats 100.
Ein anderes Beispiel des Verfahrens zum Verhindern eines Ausbildens der Gegenelektrode auf dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats 100 ist ein Verfahren, in welchem, nachdem eine transparente, leitfähige Schicht wie ITO auf der gesamten Oberfläche des Farbfiltersubstrats 100 aufgebracht worden ist, ein Abdeckmittel durch Photolithographie auf dem Teilbereich außer dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats 100 ausgebildet wird; die transparente, leitfähige Schicht auf dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats 100 wird unter Verwendung eines Ätzverfahrens entfernt; und schließlich wird das Abdeckmittel entfernt. Dieses Verfahren erfordert jedoch auch einen zusätzlichen Schritt zum Verhindern eines Ausbildens der Gegenelektrode auf dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats 100. Außerdem wird in diesem Fall ein Unterschied eines Niveaus durch die Endoberfläche der transparenten, leitfähigen Schicht zwischen dem Teilbereich, von welchem die transparente, leitfähige Schicht entfernt wird, und dem Teilbereich, auf welchem die transparente, leitfähige Schicht verbleibt, ausgebildet. Dieser Unterschied eines Niveaus kann Fremdsubstanzen einfangen, die in dem Fertigungsprozess generiert werden. Manchmal können Fremdsubstanzen, die von dem Unterschied eines Niveaus abgelöst werden, Problem wie einen dielektrischen Zusammenbruch in dem TFT-Feld-Substrat 200 verursachen.
<Fertigungsverfahren>
7 bis 11 sind Querschnittsansichten zum Beschreiben eines Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der vorliegenden Ausführungsform.
Zuerst wird das Farbfiltersubstrat 100, wie Glas, wie in 7 dargestellt, präpariert. Dann werden die schwarze Matrix 101, das rote Farbmaterial 102, das grüne Farbmaterial 103 und das blaue Farbmaterial 104 auf dem Farbfiltersubstrat 100 ausgebildet, wie in 8 dargestellt. Die Überzugschicht 105 wird weiter ausgebildet, wenn notwendig, um die schwarze Matrix 101, das rote Farbmaterial 102, das grüne Farbmaterial 103 und das blaue Farbmaterial zu bedecken.
Als Nächstes wird eine Oxid-Halbleiterschicht 107b, welche die Gegenelektrode sein soll, auf der gesamten Oberfläche des Farbfiltersubstrats 100 ausgebildet, wie in 9 dargestellt. Genauer wird ein IGZO (welches ein abgekürzter Name für einen amorphen Halbleiter ist, der aus Indium, Gallium, Zink und Sauerstoff besteht) unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens bis zu einer Dicke von ungefähr 80 nm aufgebracht. Die Oxid-Halbleiterschicht 107b, welche die Gegenelektrode sein soll, weist bevorzugt einen spezifischen Widerstand auf, welcher größer als oder gleich ungefähr 1 × 10² Ω·cm und niedriger als oder gleich ungefähr 1 × 10⁵ Ω·cm ist.
Als Nächstes wird eine H₂-Plasmabehandlung auf der gesamten Oberfläche des Farbfiltersubstrats 100 zum Beispiel unter Verwendung einer Plasmaausrüstung ausgeführt, wie in 10 dargestellt. Diese Behandlung ändert den spezifischen Widerstand der Oxid-Halbleiterschicht 107c, welche die Gegenelektrode sein soll, auf einen Wert, der niedriger als oder gleich ungefähr 1 × 10^–3 Ω·cm ist, und überführt die Oxid-Halbleiterschicht 107c von einem Halbleiter in einen Leiter. Es ist zu beachten, dass die vorstehende H₂-Plasmabehandlung auf mindestens einem Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht ausgeführt werden kann, welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert. Das Gleiche gilt für die nachfolgende Beschreibung.
1 ist eine Draufsicht, die die Struktur des Farbfiltersubstrats gemäß der vorliegenden Ausführungsform darstellt. In 1 wird die Fläche, welche durch das Versiegelungsbauteil 106 umgeben ist und in welcher ein Flüssigkristall versiegelt ist, als die "Anzeigefläche“ genommen, die Fläche, die aus der Anzeigefläche und der Fläche, die von der äußeren Kante der Anzeigefläche bis zum Beispiel zu dem zentralen Teilbereich des Versiegelungsbauteils 106 reicht, besteht, wird als die "Fläche B“ genommen, und die Fläche außerhalb der Fläche B wird als die "Fläche A“ genommen. In 1 korrespondiert Z-Z‘ zu dem Teilbereich, der von der Substratkante des Farbfiltersubstrats 100 bis zu der Innenseite der Anzeigefläche reicht.
2 stellt das Aussehen der Anschlussleitungen des TFT-Feld-Substrats gemäß der vorliegenden Ausführungsform dar. Das Versiegelungsbauteil 106 in 2 befindet sich in einem solchen Zustand, dass das Versiegelungsbauteil 106 auf dem Farbfiltersubstrat 100 mit dem TFT-Feld-Substrat 200 verbunden ist. Ähnlich korrespondieren die Flächen B und A in 2 zu der Fläche B auf dem Farbfiltersubstrat 100 und der Fläche A außerhalb der Fläche B.
Als Nächstes wird die Fläche B, welche einen Teil des Versiegelungsbauteils einschließt, mit einer metallischen Maske 109 abgeschirmt, wie in 11 dargestellt. Dann wird eine Plasmabehandlung unter Verwendung eines Gases, welches mindestens N₂O aufweist, auf der gesamten Oberfläche des Farbfiltersubstrats 100 ausgeführt, wobei zum Beispiel eine Plasmaausrüstung verwendet wird. Es ist zu beachten, dass die vorstehende Plasmabehandlung unter Verwendung des N₂O aufweisenden Gases auf mindestens einem Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht ausgeführt werden kann, welcher zu einem Bereich außerhalb der Anzeigefläche korrespondiert. Das Gleiche gilt für die nachfolgende Beschreibung.
In der Fläche A auf der Substratendseite, welche nicht abgedeckt ist und welche einen Teil des Versieglungsbauteils 106 einschließt, wird die Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche die Gegenelektrode sein soll, von einem Leiter zu einem Isolator überführt. Der spezifische Widerstand der Oxid-Halbleiterschicht 107d zu diesem Zeitpunkt ist größer als oder gleich ungefähr 1 × 10⁷ Ω·cm. Das heißt, die Oxid-Halbleiterschicht 107c in der Fläche B der Gegenelektrode ist ein Leiter, und die Oxid-Halbleiterschicht 107d in der Fläche A außerhalb des Versiegelungsbauteils ist ein Isolator.
Obwohl anschließende Schritte nicht gezeigt sind, kann ein säulenförmiger Abstandhalter zum Ausbilden einer Lücke als Nächstes ausgebildet werden, wenn notwendig. Auf diese Weise wird das Farbfiltersubstrat 100 vervollständigt. Es ist zu beachten, dass der säulenförmige Abstandhalter ein Abstandhalter sein kann, der durch Verbreiten von Partikeln bzw. „spreading of particles“ ausgebildet wird.
Als Nächstes wird eine Harzschicht, wie Polyimid, welche als eine Ausrichtungsschicht dient, auf der Anzeigefläche des Farbfiltersubstrats 100 und auf dem TFT-Feld-Substrat 200 ausgebildet. Dann wird ein Ausrichtungsvorgang für ein Schleifen der Oberflächen der Harzschichten ausgeführt.
Dann werden das TFT-Feld-Substrat 200 und das Farbfiltersubstrat 100 mit dem Versiegelungsbauteil 106 miteinander verbunden, sodass die Substrate einander gegenüberliegen.
Nachdem ein Flüssigkristall in die Anzeigefläche, welche der Raum auf der Innenseite des Versiegelungsbauteils 106 ist, eingespritzt worden ist, werden ein Versiegeln und andere notwendige Vorgänge ausgeführt, um das Flüssigkristallfeld zu vervollständigen.
12 ist eine Querschnittsansicht, die die Struktur darstellt, die zu dem Teilbereich korrespondiert, der entlang einer Linie Z-Z‘ in 1 bis 3 aufgenommen ist. Es ist zu beachten, dass Bestandselemente wie das rote Farbmaterial 102, das grüne Farbmaterial 103, das blaue Farbmaterial 104, die schwarze Matrix 101, die Überzugschicht 105, der säulenförmige Abstandhalter, die Ausrichtungsschicht auf dem TFT-Feld-Substrat 200 und die Ausrichtungsschicht auf dem Farbfiltersubstrat 100 in 12 nicht gezeigt sind.
In 12 zeigt die Oxid-Halbleiterschicht 107c, welche die Gegenelektrode in der Fläche B ist, die Eigenschaften eines Leiters. Die Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche die Gegenelektrode in der Fläche A ist, zeigt die Eigenschaften eines Isolators.
Auf dem Farbfiltersubstrat 100 ist die Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche die Gegenelektrode in der Fläche A ist, eine Isolatorschicht. Somit wird, selbst wenn sich die Isolationseigenschaften der Isolationsschicht 203 auf den Anschlussleitungen 201 des TFT-Feld-Substrats 200 aufgrund dessen verschlechtern, dass die Isolationsschicht 203 durch eine Fremdsubstanz beschädigt wird, und wenn weiter Feuchtigkeit oder dergleichen in den Freiraum der Isolationsschicht 203, die durch die Fremdsubstanz ausgebildete in einer hochfeuchten Umgebung, zwischen den Anschlussleitungen 201 auf dem TFT-Feld-Substrat 200 und der Gegenelektrode auf dem Farbfiltersubstrat 100 kein leitfähiger Schaltkreis gebildet. Es ist somit möglich, das Auftreten von Defekten wie einer Verbindungsauflösung aufgrund von elektrolytischer Korrosion zu verhindern.
Selbst wenn eine metallische Fremdsubstanz (d.h. eine Leiterfremdsubstanz) anstelle von Feuchtigkeit in den Freiraum der Isolationsschicht eindringt, wird aus dem gleichen Grund, d.h. weil die Gegenelektrode eine Isolationsschicht ist, keine Kontinuität hergestellt.
Mit dem in der vorliegenden Ausführungsform dargestellten Verfahren besteht kein Unterschied in einem Niveau zwischen der Oxid-Halbleiterschicht 107c und der Oxid-Halbleiterschicht 107d, wie in 11 dargestellt. Es ist somit möglich, das Auftreten von Problemen zu reduzieren, welche durch das Einfangen einer Fremdsubstanz an dem Niveau-Unterschied und ein Lösen der eingefangenen Fremdsubstanz verursacht wird.
<Zweite Ausführungsform>
Ein anderes Flüssigkristallanzeigemodul wird nun als ein Beispiel eines Anzeigemoduls gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben. Nachfolgend werden Bestandselementen, welche ähnlich zu denjenigen sind, die in der vorstehend beschriebenen Ausführungsform beschrieben sind, die gleichen Bezugszeichen zugewiesen, und eine detaillierte Beschreibung davon wird geeignet weggelassen.
<Fertigungsverfahren>
13 bis 17 sind Querschnittsansichten zum Beschreiben eines Prozesses einer Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der vorliegenden Ausführungsform.
13 bis 15 sind ähnlich zu denjenigen, die in der ersten Ausführungsform beschrieben sind, und deshalb wird eine Beschreibung davon weggelassen.
Als Nächstes wird eine Plasmabehandlung unter Verwendung eines Gases, das zumindest N₂O aufweist, auf der gesamten Oberfläche des Farbfiltersubstrats 100 ausgeführt, wobei zum Beispiel eine Plasmaausrüstung verwendet wird, wie in 16 dargestellt. Diese Behandlung überführt die Eigenschaft der Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche die Gegenelektrode sein soll, von einem Halbleiter zu einem Isolator. Der spezifische Widerstand der Oxid-Halbleiterschicht 107d zu diesem Zeitpunkt ist größer als oder gleich ungefähr 1 × 10⁷ Ω·cm.
1 ist eine Draufsicht, die die Struktur des Farbfiltersubstrats gemäß der vorliegenden Ausführungsform darstellt. In 1 wird die Fläche, welche durch das Versiegelungsbauteil 106 umgeben ist und in welcher ein Flüssigkristall versiegelt ist, als die "Anzeigefläche“ genommen, die Fläche, die aus der Anzeigefläche und der Fläche, die von der äußeren Kante der Anzeigefläche bis zum Beispiel zu dem zentralen Teilbereich des Versiegelungsbauteils 106 reicht, besteht, wird als die "Fläche B“ genommen, und die Fläche außerhalb der Fläche B wird als die "Fläche A“ genommen. In 1 korrespondiert Z-Z‘ zu dem Teilbereich, der von der Substratkante des Farbfiltersubstrats 100 bis zu der Innenseite der Anzeigefläche reicht.
2 stellt das Aussehen der Anschlussleitungen auf dem TFT-Feld-Substrat gemäß der vorliegenden Ausführungsform dar. Das Versiegelungsbauteil 106 in 2 befindet sich in einem solchen Zustand, dass das Versiegelungsbauteil 106 auf dem Farbfiltersubstrat 100 mit dem TFT-Feld-Substrat 200 verbunden ist. Ähnlich korrespondieren die Flächen B und A in 2 zu der Fläche B auf dem Farbfiltersubstrat 100 und der Fläche A außerhalb der Fläche B.
Als Nächstes wird die Fläche A, die zu der Fläche auf der Substratendseite korrespondiert, welche einen Teil des Versiegelungsbauteils 106 einschließt, zum Beispiel mit einer metallischen Maske 109a abgeschirmt, wie in 17 dargestellt. Dann wird zum Beispiel unter Verwendung einer Plasmaausrüstung eine H₂-Plasmabehandlung auf der gesamten Oberfläche des Farbfiltersubstrats 100 ausgeführt.
In der Fläche B, welche nicht abgedeckt ist und welche einen Teil des Versiegelungsbauteils 106 einschließt, wird die Eigenschaft der Oxid-Halbleiterschicht 107c, welche die Gegenelektrode sein soll, von einem Isolator zu einem Leiter überführt. Der spezifische Widerstand der Oxid-Halbleiterschicht 107c zu diesem Zeitpunkt niedriger als oder gleich ungefähr 1 × 10^–3 Ω·cm. Das heißt, die Oxid-Halbleiterschicht 107c in der Fläche B der Gegenelektrode ist ein Leiter, und die Oxid-Halbleiterschicht 107d in der Fläche A außerhalb des Versiegelungsbauteils ist ein Isolator.
Anschließende Schritte sind ähnlich zu denjenigen, die in der ersten Ausführungsform beschrieben sind, und deshalb wird eine Beschreibung davon weggelassen.
Obwohl anschließende Schritte nicht gezeigt sind, kann ein säulenförmiger Abstandhalter zum Bilden einer Lücke ausgebildet werden, wenn notwendig. Auf diese Weise wird das Farbfiltersubstrat 100 vervollständigt. Es ist zu beachten, dass der säulenförmige Abstandhalter ein Abstandhalter sein kann, der durch Verbreiten von Partikeln bzw. „spreading of particles“ ausgebildet wird.
Als Nächstes wird eine Harzschicht, wie Polyimid, die als eine Ausrichtungsschicht dient, auf der Anzeigefläche des Farbfiltersubstrats 100 und auf dem TFT-Feld-Substrat 200 ausgebildet. Dann wird ein Ausrichtungsvorgang für ein Schleifen der Oberflächen der Harzschichten ausgeführt.
Dann werden das TFT-Feld-Substrat 200 und das Farbfiltersubstrat 100 mit dem Versiegelungsbauteil 106 miteinander verbunden, sodass die Substrate einander gegenüberliegen.
Nachdem ein Flüssigkristall in die Anzeigefläche eingespritzt worden ist, welche der Raum auf der Innenseite des Versiegelungsbauteils 106 ist, werden ein Versiegeln und andere notwendige Vorgänge ausgeführt, um das Flüssigkristallfeld zu vervollständigen.
12 ist eine Querschnittsansicht, die die Struktur darstellt, die zu dem Teilbereich korrespondiert, der entlang einer Linie Z-Z‘ in 1 bis 3 aufgenommen ist. Es ist zu beachten, dass Bestandselemente wie das rote Farbmaterial 102, das grüne Farbmaterial 103, das blaue Farbmaterial 104, die schwarze Matrix 101, die Überzugschicht 105, der säulenförmige Abstandhalter, die Ausrichtungsschicht auf dem TFT-Feld-Substrat 200 und die Ausrichtungsschicht auf dem Farbfiltersubstrat 100 in 12 nicht gezeigt sind.
In 12 zeigt die Oxid-Halbleiterschicht 107c, welche die Gegenelektrode in der Fläche B ist, die Eigenschaften eines Leiters. Die Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche die Gegenelektrode in der Fläche A ist, zeigt die Eigenschaften eines Isolators.
Auf dem Farbfiltersubstrat 100 ist die Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche die Gegenelektrode in der Fläche A ist, eine Isolatorschicht. Somit wird, selbst wenn sich die Isolationseigenschaften der Isolationsschicht 203 auf den Anschlussleitungen 201 des TFT-Feld-Substrats 200 aufgrund dessen, dass die Isolationsschicht 203 durch eine Fremdsubstanz beschädigt wird, verschlechtern, und wenn weiter Feuchtigkeit oder dergleichen in den Freiraum der Isolationsschicht 203 eindringt, der durch die Fremdsubstanz in einer Umgebung mit hoher Feuchtigkeit eindringt, kein leitfähiger Schaltkreis zwischen den Anschlussleitungen 201 auf dem TFT-Feld-Substrat 200 und der Gegenelektrode auf dem Farbfiltersubstrat 100 gebildet. Es ist somit möglich, das Auftreten von Defekten wie einer Verbindungsauflösung aufgrund von elektrolytischer Korrosion zu verhindern.
Selbst wenn eine metallische Fremdsubstanz (d.h. eine Leiterfremdsubstanz) anstelle von Feuchtigkeit in den Freiraum der Isolationsschicht eindringt, wird aus dem gleichen Grund, d.h. weil die Gegenelektrode eine Isolationsschicht ist, keine Kontinuität hergestellt.
<Dritte Ausführungsform>
Ein anderes Flüssigkristallanzeigemodul wird nun als ein Beispiel eines Anzeigemoduls gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben. Nachfolgend werden Bestandselementen, die ähnlich zu denjenigen sind, die in der vorstehend beschriebenen Ausführungsform beschrieben sind, die gleichen Bezugszeichen zugewiesen, und eine detaillierte Beschreibung davon wird geeignet weggelassen.
<Fertigungsverfahren>
18 bis 23 sind Querschnittsansichten zum Beschreiben eines Prozesses zur Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der vorliegenden Ausführungsform.
18 bis 21 sind ähnlich zu denjenigen, die in der zweiten Ausführungsform beschrieben sind, und deshalb wird eine Beschreibung davon weggelassen.
1 ist eine Draufsicht, die die Struktur des Farbfiltersubstrats gemäß der vorliegenden Ausführungsform darstellt. In 1 wird die Fläche, welche durch das Versiegelungsbauteil 106 umgeben ist und in welcher ein Flüssigkristall versiegelt ist, als die "Anzeigefläche“ genommen, die Fläche, die aus der Anzeigefläche und der Fläche, die von der äußeren Kante der Anzeigefläche bis zum Beispiel zu dem zentralen Teilbereich des Versiegelungsbauteils 106 reicht, besteht, wird als die "Fläche B“ genommen, und die Fläche außerhalb der Fläche B wird als die "Fläche A“ genommen. In 1 korrespondiert Z-Z‘ zu dem Teilbereich, der von der Substratkante des Farbfiltersubstrats 100 bis zu der Innenseite der Anzeigefläche reicht.
2 stellt das Aussehen der Anschlussleitungen auf dem TFT-Feld-Substrat gemäß der vorliegenden Ausführungsform dar. Das Versiegelungsbauteil 106 in 2 befindet sich in einem solchen Zustand, dass das Versiegelungsbauteil 106 auf dem Farbfiltersubstrat 100 mit dem TFT-Feld-Substrat 200 verbunden ist. Ähnlich korrespondieren die Flächen B und A in 2 zu der Fläche B auf dem Farbfiltersubstrat 100 und der Fläche A außerhalb der Fläche B.
Als Nächstes wird die Fläche A, die zu der Fläche auf der Substratendseite korrespondiert, welche einen Teil des Versiegelungsbauteils 106 einschließt, zum Beispiel mit einer metallischen Maske 109a abgeschirmt, wie in 22 dargestellt. Dann wird eine Siliziumoxid-(SiO-)Schicht bis zu einer Dicke von ungefähr 50 nm zum Beispiel unter Verwendung eines CVD-Verfahrens aufgebracht.
Als ein Ergebnis wird eine Siliziumoxidschicht 110 in der Fläche B ausgebildet, welche nicht abgedeckt ist und einen Teil des Versiegelungsbauteils 106 einschließt.
Als Nächstes wird die gesamte Oberfläche des Farbfiltersubstrats 100 mit Ultraviolettstrahlen (UV) zum Beispiel unter Verwendung einer Niederdruck-Quecksilberlampe bestrahlt, wie in 23 dargestellt. Diese Behandlung überführt nur die Oxid-Halbleiterschicht, die in Kontakt mit der Siliziumoxidschicht 110 ist, von einem Isolator zu einem Leiter. Der spezifische Widerstand zu diesem Zeitpunkt ist niedriger als oder gleich ungefähr 1 × 10^–2 Ω·cm. Das heißt, die Oxid-Halbleiterschicht 107c in der Fläche B der Gegenelektrode ist ein Leiter, und die Oxid-Halbleiterschicht 107d in der Fläche A außerhalb des Versiegelungsbauteils ist ein Isolator. Es ist zu beachten, dass die vorstehende Behandlung für ein Anwenden von Ultraviolettstrahlen (UV) auf mindestens einen Teil der Oxid-Halbleiterschicht ausgeführt werden kann, welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert. Das Gleiche gilt für die nachfolgende Beschreibung.
Obwohl anschließende Schritte nicht gezeigt sind, kann ein säulenförmiger Abstandhalter zum Bilden einer Lücke ausgebildet werden, wenn notwendig. Auf diese Weise wird das Farbfiltersubstrat 100 vervollständigt. Es ist zu beachten, dass der säulenförmige Abstandhalter ein Abstandhalter sein kann, der durch Verbreiten von Partikeln bzw. „spreading of particles“ ausgebildet wird.
Als Nächstes wird eine Harzschicht, wie Polyimid, welche als eine Ausrichtungsschicht dient, auf der Anzeigefläche des Farbfiltersubstrats 100 und auf dem TFT-Feld-Substrat 200 ausgebildet. Dann wird ein Ausrichtungsvorgang für ein Schleifen der Oberflächen der Harzschichten ausgeführt.
Dann werden das TFT-Feld-Substrat 200 und das Farbfiltersubstrat 100 mit dem Versiegelungsbauteil 106 miteinander verbunden, sodass die Substrate einander gegenüberliegen.
Nachdem ein Flüssigkristall in die Anzeigefläche eingespritzt worden ist, welche der Raum auf der Innenseite des Versiegelungsbauteils 106 ist, werden ein Versiegeln und andere notwendige Vorgänge ausgeführt, um das Flüssigkristallfeld zu vervollständigen.
24 ist eine Querschnittsansicht, die die Struktur darstellt, die zu dem Teilbereich korrespondiert, der entlang einer Linie Z-Z‘ in 1 bis 3 aufgenommen ist. Es ist zu beachten, dass Bestandselemente wie das rote Farbmaterial 102, das grüne Farbmaterial 103, das blaue Farbmaterial 104, die schwarze Matrix 101, die Überzugschicht 105, der säulenförmige Abstandhalter, die Ausrichtungsschicht auf dem TFT-Feld-Substrat 200 und die Ausrichtungsschicht auf dem Farbfiltersubstrat 100 in 24 nicht gezeigt sind.
In 24 zeigt die Oxid-Halbleiterschicht 107c, welche die Gegenelektrode in der Fläche B ist, die Eigenschaften eines Leiters. Die Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche die Gegenelektrode in der Fläche A ist, zeigt die Eigenschaften eines Isolators. Weiter ist die Siliziumoxidschicht 110 auf der Oxid-Halbleiterschicht 107c ausgebildet, welche die Gegenelektrode in der Fläche B ist, d.h. auf der Oberfläche der Oxid-Halbleiterschicht 107c auf der Seite gegenüber der Seite, die mit dem Farbfiltersubstrat 100 in Kontakt ist.
Auf dem Farbfiltersubstrat 100 ist die Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche die Gegenelektrode in der Fläche A ist, eine Isolatorschicht. Somit wird, selbst wenn sich die Isolationseigenschaften der Isolationsschicht 203 auf den Anschlussleitungen 201 des TFT-Feld-Substrats 200 aufgrund dessen, dass die Isolationsschicht 203 durch eine Fremdsubstanz beschädigt wird, verschlechtern, und wenn weiter Feuchtigkeit oder dergleichen in den Freiraum der Isolationsschicht 203 eindringt, der durch die Fremdsubstanz in einer Umgebung mit hoher Feuchtigkeit ausgebildet wird, kein leitfähiger Schaltkreis zwischen den Anschlussleitungen 201 auf dem TFT-Feld-Substrat 200 und der Gegenelektrode auf dem Farbfiltersubstrat 100 gebildet. Es ist somit möglich, das Auftreten von Defekten wie einer Verbindungsauflösung aufgrund von elektrolytischer Korrosion zu verhindern.
Selbst wenn eine metallische Fremdsubstanz (d.h. eine Leiterfremdsubstanz) anstelle von Feuchtigkeit in den Freiraum der Isolationsschicht eindringt, wird aus dem gleichen Grund, d.h. weil die Gegenelektrode eine Isolationsschicht ist, keine Kontinuität hergestellt.
<Vierte Ausführungsform>
Ein anderes Flüssigkristallanzeigemodul wird nun als ein Beispiel eines Anzeigemoduls gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben. Nachfolgend werden Bestandselementen, die ähnlich zu denjenigen sind, die in der vorstehend beschriebenen Ausführungsform beschrieben sind, die gleichen Bezugszeichen zugewiesen, und eine detaillierte Beschreibung davon wird geeignet weggelassen.
<Fertigungsverfahren>
Während die dritte Ausführungsform die Struktur beschreibt, in welcher die Siliziumoxidschicht 110 auf der Gegenelektrode ausgebildet wird, beschreibt die vorliegende Ausführungsform eine Struktur, in welcher eine Siliziumoxidschicht 110a unter der Gegenelektrode ausgebildet wird.
25 bis 30 sind Querschnittsansichten zum Beschreiben eines Prozesses zur Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der vorliegenden Ausführungsform.
25 bis 26 sind ähnlich zu denjenigen, die in der dritten Ausführungsform beschrieben sind, und deshalb ist eine Beschreibung davon weggelassen.
1 ist eine Draufsicht, die die Struktur des Farbfiltersubstrats gemäß der vorliegenden Ausführungsform darstellt. In 1 wird die Fläche, welche durch das Versiegelungsbauteil 106 umgeben ist und in welcher ein Flüssigkristall versiegelt ist, als die "Anzeigefläche“ genommen, die Fläche, die aus der Anzeigefläche und der Fläche, die von der äußeren Kante der Anzeigefläche bis zum Beispiel zu dem zentralen Teilbereich des Versiegelungsbauteils 106 reicht, besteht, wird als die "Fläche B“ genommen, und die Fläche außerhalb der Fläche B wird als die "Fläche A“ genommen. In 1 korrespondiert Z-Z‘ zu dem Teilbereich, der von der Substratkante des Farbfiltersubstrats 100 bis zu der Innenseite der Anzeigefläche reicht.
2 stellt das Aussehen der Anschlussleitungen auf dem TFT-Feld-Substrat gemäß der vorliegenden Ausführungsform dar. Das Versiegelungsbauteil 106 in 2 befindet sich in einem solchen Zustand, dass das Versiegelungsbauteil 106 auf dem Farbfiltersubstrat 100 mit dem TFT-Feld-Substrat 200 verbunden ist. Ähnlich korrespondieren die Flächen B und A in 2 zu der Fläche B auf dem Farbfiltersubstrat 100 und der Fläche A außerhalb der Fläche B.
Als Nächstes wird die Fläche A, die zu der Fläche auf der Substratendseite korrespondiert, welche einen Teil des Versiegelungsbauteils 106 einschließt, zum Beispiel mit einer metallischen Maske 109a abgeschirmt, wie in 27 dargestellt. Dann wird eine Siliziumoxid-(SiO-)Schicht bis zu einer Dicke von ungefähr 50 nm zum Beispiel unter Verwendung eines CVD-Verfahrens aufgebracht.
Als ein Ergebnis wird eine Siliziumoxidschicht 110a in der Fläche B ausgebildet, welche nicht abgedeckt ist, und welche einen Teil des Versiegelungsbauteils 106 einschließt.
Als Nächstes wird die Oxid-Halbleiterschicht 107b, welche die Gegenelektrode sein soll, auf der gesamten Oberfläche des Farbfiltersubstrats 100 ausgebildet, wie in 28 dargestellt. Genauer wird ein IGZO unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens bis zu einer Dicke von ungefähr 80 nm aufgebracht. Die Oxid-Halbleiterschicht 107b, welche die Gegenelektrode sein soll, weist bevorzugt einen spezifischen Widerstand auf, welcher größer als oder gleich ungefähr 1 × 10² Ω·cm und niedriger als oder gleich ungefähr 1 × 10⁵ Ω·cm ist.
Als Nächstes wird, wie in 29 dargestellt, eine Plasmabehandlung unter Verwendung eines Gases, welches zumindest N₂O aufweist, auf der gesamten Oberfläche des Farbfiltersubstrats 100 ausgeführt, wobei zum Beispiel eine Plasmaausrüstung verwendet wird. Diese Behandlung ändert den spezifischen Widerstand der Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche die Gegenelektrode sein soll, zu einem Wert, der größer als oder gleich ungefähr 1 × 10⁷ Ω·cm ist und überführt die Eigenschaft der Oxid-Halbleiterschicht von einem Halbleiter zu einem Isolator.
Als Nächstes wird die gesamte Oberfläche des Farbfiltersubstrats 100 zum Beispiel unter Verwendung einer Niederdruck-Quecksilberlampe mit Ultraviolettstrahlen (UV) bestrahlt, wie in 30 dargestellt. Diese Behandlung überführt nur die Gegenelektrode, die in Kontakt mit der Siliziumoxidschicht 110a ist, von einem Isolator zu einem Leiter. Der spezifische Widerstand zu diesem Zeitpunkt ist niedriger als oder gleich ungefähr 1 × 10^–2 Ω·cm. Das heißt, die Oxid-Halbleiterschicht 107c in der Fläche B der Gegenelektrode ist ein Leiter, und die Oxid-Halbleiterschicht 107d in der Fläche A außerhalb des Versiegelungsbauteils ist ein Isolator.
Obwohl anschließende Schritte nicht gezeigt sind, kann ein säulenförmiger Abstandhalter zum Ausbilden einer Lücke ausgebildet werden, wenn notwendig. Auf diese Weise wird das Farbfiltersubstrat 100 vervollständigt. Es ist zu beachten, dass der säulenförmige Abstandhalter ein Abstandhalter sein kann, der durch Verbreiten von Partikeln bzw. „spreading of particles“ ausgebildet wird.
Als Nächstes wird eine Harzschicht, wie Polyimid, die als eine Ausrichtungsschicht dient, auf der Anzeigefläche des Farbfiltersubstrats 100 und auf dem TFT-Feld-Substrat 200 ausgebildet. Dann wird ein Ausrichtungsvorgang für ein Schleifen der Oberflächen der Harzschichten ausgeführt.
Dann werden das TFT-Feld-Substrat 200 und das Farbfiltersubstrat 100 mit dem Versiegelungsbauteil 106 miteinander verbunden, sodass die Substrate einander gegenüberliegen.
Nachdem ein Flüssigkristall in die Anzeigefläche eingespritzt worden ist, welche der Raum auf der Innenseite des Versiegelungsbauteils 106 ist, werden ein Versiegeln und andere notwendige Vorgänge ausgeführt, um das Flüssigkristallfeld zu vervollständigen.
31 ist eine Querschnittsansicht, die die Struktur darstellt, die zu dem Teilbereich korrespondiert, der entlang einer Linie Z-Z‘ in 1 bis 3 aufgenommen ist. Es ist zu beachten, dass Bestandselemente wie das rote Farbmaterial 102, das grüne Farbmaterial 103, das blaue Farbmaterial 104, die schwarze Matrix 101, die Überzugschicht 105, der säulenförmige Abstandhalter, die Ausrichtungsschicht auf dem TFT-Feld-Substrat 200 und die Ausrichtungsschicht auf dem Farbfiltersubstrat 100 in 31 nicht gezeigt sind.
In 31 zeigt die Oxid-Halbleiterschicht 107c, welche die Gegenelektrode in der Fläche B ist, die Eigenschaften eines Leiters. Die Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche die Gegenelektrode in der Fläche A ist, zeigt die Eigenschaften eines Isolators. Weiter ist die Siliziumoxidschicht 110a unter der Oxid-Halbleiterschicht 107c, welche die Gegenelektrode in der Fläche B ist, ausgebildet, d.h. zwischen dem Farbfiltersubstrat 100 und der Oxid-Halbleiterschicht 107c ausgebildet.
Auf dem Farbfiltersubstrat 100 ist die Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche die Gegenelektrode in der Fläche A ist, eine Isolatorschicht. Somit wird, selbst wenn sich die Isolationseigenschaften der Isolationsschicht 203 auf den Anschlussleitungen 201 des TFT-Feld-Substrats 200 aufgrund dessen, dass die Isolationsschicht 203 durch eine Fremdsubstanz beschädigt wird, verschlechtern, und wenn weiter Feuchtigkeit oder dergleichen in den Freiraum der Isolierungsschicht 203 eindringt, der durch die Fremdsubstanz in einer Umgebung mit hoher Feuchtigkeit ausgebildet wird, kein leitfähiger Schaltkreis zwischen den Anschlussleitungen 201 auf dem TFT-Feld-Substrat 200 und der Gegenelektrode auf dem Farbfiltersubstrat 100 gebildet. Es ist somit möglich, das Auftreten von Defekten wie einer Verbindungsauflösung aufgrund von elektrolytischer Korrosion zu verhindern.
Selbst wenn eine metallische Fremdsubstanz (d.h. eine Leiterfremdsubstanz) anstelle von Feuchtigkeit in den Freiraum der Isolationsschicht eindringt, wird aus dem gleichen Grund, d.h. weil die Gegenelektrode eine Isolationsschicht ist, keine Kontinuität hergestellt.
<Fünfte Ausführungsform>
Ein anderes Flüssigkristallanzeigemodul wird nun als ein Beispiel eines Anzeigemoduls gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben. Nachfolgend werden Bestandselementen, die ähnlich zu denjenigen sind, die in der vorstehend beschriebenen Ausführungsform beschrieben sind, die gleichen Bezugszeichen zugewiesen, und eine detaillierte Beschreibung davon wird geeignet weggelassen.
<Fertigungsverfahren>
32 bis 37 sind Querschnittsansichten zum Beschreiben eines Prozesses zur Fertigung des Flüssigkristallanzeigemoduls gemäß der vorliegenden Ausführungsform.
32 bis 35 sind ähnlich zu denjenigen, die in der vierten Ausführungsform beschrieben sind, und deshalb ist eine Beschreibung davon weggelassen.
Als Nächstes wird die gesamte Oberfläche des Farbfiltersubstrats 100 mit Ultraviolettstrahlen (UV) zum Beispiel unter Verwendung einer Niederdruck-Quecksilberlampe bestrahlt, wie in 36 dargestellt. Diese Behandlung überführt nur die Gegenelektrode, die in Kontakt mit der Siliziumoxidschicht 110a ist, von einem Isolator zu einem Leiter. Der spezifische Widerstand zu diesem Zeitpunkt ist niedriger als oder gleich ungefähr 1 × 10^–2 Ω·cm. Das heißt, die Oxid-Halbleiterschicht 107c in der Fläche B der Gegenelektrode ist ein Leiter, und die Oxid-Halbleiterschicht 107b in der Fläche A außerhalb des Versiegelungsbauteils verbleibt als ein Halbleiter.
Als Nächstes wird die Fläche B, welche einen Teil des Versiegelungsbauteils 106 einschließt, zum Beispiel mit einer metallischen Maske 109 abgeschirmt, wie in 37 dargestellt. Dann wird eine Plasmabehandlung unter Verwendung eines Gases, welches zumindest N₂O aufweist, auf der gesamten Oberfläche des Farbfiltersubstrats 100 ausgeführt, wobei zum Beispiel eine Plasmaausrüstung verwendet wird.
In der Fläche A auf der Substratendseite, welche nicht abgedeckt ist und welche einen Teil des Versiegelungsbauteils 106 einschließt, wird die Eigenschaft der Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche die Gegenelektrode sein soll, von einem Halbleiter zu einem Isolator überführt. Der spezifische Widerstand der Oxid-Halbleiterschicht 107d zu diesem Zeitpunkt ist größer als oder gleich ungefähr 1 × 10⁷ Ω·cm. Das heißt, die Oxid-Halbleiterschicht 107c in der Fläche B der Gegenelektrode ist ein Leiter, und die Oxid-Halbleiterschicht 107d in der Fläche A außerhalb des Versiegelungsbauteils ist ein Isolator.
Obwohl anschließende Schritte nicht gezeigt sind, kann ein säulenförmiger Abstandhalter zum Ausbilden einer Lücke ausgebildet werden, wenn notwendig. Auf diese Weise wird das Farbfiltersubstrat 100 vervollständigt. Es ist zu beachten, dass der säulenförmige Abstandhalter ein Abstandhalter sein kann, der durch Verbreiten von Partikeln bzw. „spreading of particles“ ausgebildet wird.
Als Nächstes wird eine Harzschicht, wie Polyimid, welche als eine Ausrichtungsschicht dient, auf der Anzeigefläche des Farbfiltersubstrats 100 und auf dem TFT-Feld-Substrat 200 ausgebildet. Dann wird ein Ausrichtungsvorgang für ein Schleifen der Oberflächen der Harzschichten ausgeführt.
Dann werden das TFT-Feld-Substrat 200 und das Farbfiltersubstrat 100 mit dem Versiegelungsbauteil 106 miteinander verbunden, sodass die Substrate einander gegenüberliegen.
Nachdem ein Flüssigkristall in die Anzeigefläche eingespritzt worden ist, welche der Raum auf der Innenseite des Versiegelungsbauteils 106 ist, werden ein Versiegeln und andere notwendige Vorgänge ausgeführt, um das Flüssigkristallfeld zu vervollständigen.
31 ist eine Querschnittsansicht, die die Struktur darstellt, die zu dem Teilbereich korrespondiert, der entlang einer Linie Z-Z‘ in 1 bis 3 aufgenommen ist. Es ist zu beachten, dass Bestandselemente wie das rote Farbmaterial 102, das grüne Farbmaterial 103, das blaue Farbmaterial 104, die schwarze Matrix 101, die Überzugschicht 105, der säulenförmige Abstandhalter, die Ausrichtungsschicht auf dem TFT-Feld-Substrat 200 und die Ausrichtungsschicht auf dem Farbfiltersubstrat 100 in 31 nicht gezeigt sind.
In 31 zeigt die Oxid-Halbleiterschicht 107c, welche die Gegenelektrode in der Fläche B ist, die Eigenschaften eines Leiters. Die Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche die Gegenelektrode in der Fläche A ist, zeigt die Eigenschaften eines Isolators. Weiter ist die Siliziumoxidschicht 110a unter der Oxid-Halbleiterschicht 107c ausgebildet, welche die Gegenelektrode in der Fläche B ist, d.h. zwischen dem Farbfiltersubstrat 100 und der Oxid-Halbleiterschicht 107c ausgebildet.
Auf dem Farbfiltersubstrat 100 ist die Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche die Gegenelektrode in der Fläche A ist, eine Isolatorschicht. Somit wird, selbst wenn sich die Isolationseigenschaften der Isolationsschicht 203 auf den Anschlussleitungen 201 des TFT-Feld-Substrats 200 aufgrund dessen, dass die Isolationsschicht 203 durch eine Fremdsubstanz beschädigt wird, verschlechtern, und wenn weiter Feuchtigkeit oder dergleichen in den Freiraum der Isolierungsschicht 203 eindringt, der durch die Fremdsubstanz in einer Umgebung mit hoher Feuchtigkeit ausgebildet wird, kein leitfähiger Schaltkreis zwischen den Anschlussleitungen 201 auf dem TFT-Feld-Substrat 200 und der Gegenelektrode auf dem Farbfiltersubstrat 100 gebildet. Es ist somit möglich, das Auftreten von Defekten wie einer Verbindungsauflösung aufgrund von elektrolytischer Korrosion zu verhindern.
Selbst wenn eine metallische Fremdsubstanz (d.h. eine Leiterfremdsubstanz) anstelle von Feuchtigkeit in den Freiraum der Isolationsschicht eindringt, wird aus dem gleichen Grund, d.h. weil die Gegenelektrode eine Isolationsschicht ist, keine Kontinuität hergestellt.
<Vorteilhafte Wirkungen>
Vorteilhafte Wirkungen der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen werden nun nachfolgend beschrieben.
Gemäß den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen weist das Anzeigemodul das TFT-Feld-Substrat 200, welches ein Feld-Substrat ist, die Anschlussleitungen 201, welche als Elektroden dienen, die Isolationsschicht 203, das Farbfiltersubstrat 100, die Oxid-Halbleiterschichten 107c und 107d und das Versiegelungsbauteil 106 auf.
Die Anschlussleitungen 201 sind auf der Oberfläche des TFT-Feld-Substrats 200 ausgebildet. Die Isolationsschicht 203 ist so ausgebildet, dass sie die Anschlussleitungen 201 bedeckt.
Die Oxid-Halbleiterschichten 107c und 107d sind auf der Oberfläche des Farbfiltersubstrats 100 ausgebildet.
Das Versiegelungsbauteil 106 befindet sich zwischen der Isolationsschicht 203 und der Oxid-Halbleiterschicht, welche einander zugewandt sind, und verbindet die Isolationsschicht 203 und die Oxid-Halbleiterschicht miteinander.
Hierbei wird die Fläche, die zwischen dem TFT-Feld-Substrat 200 und dem Farbfiltersubstrat 100 eingebettet ist, und welche in einer Draufsicht durch das Versiegelungsbauteil 106 umgeben ist, als die Anzeigefläche genommen.
Von der Oxid-Halbleiterschicht sind die Oxid-Halbleiterschicht 107c, welche der Teilbereich ist, der zu der Anzeigefläche korrespondiert, und die Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche der Teilbereich ist, der zu dem Bereich außerhalb der Anzeigefläche korrespondiert, ein Isolator.
Mit dieser Anordnung können die Isolationseigenschaften der Anschlussleitungen 201 auf dem TFT-Feld-Substrat 200 aufrechterhalten werden, ohne Schritte zum Verhindern eines Ausbildens der Gegenelektrode auf dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats 100 hinzuzufügen.
Genauer ist von der Oxid-Halbleiterschicht, die auf der Oberfläche des Farbfiltersubstrats 100 ausgebildet ist, die Oxid-Halbleiterschicht 107c, welche ein Teilbereich ist, der zu der Anzeigefläche korrespondiert, ein Leiter, und die Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche ein Teilbereich ist, der zu dem Bereich außerhalb der Anzeigefläche korrespondiert, ist ein Isolator. Somit kann, selbst wenn die Anschlussleitungen 201 aufgrund dessen, dass die Isolationsschicht 203 durch die Fremdsubstanz 1001 außerhalb der Anzeigefläche beschädigt ist, exponiert sind, das Auftreten einer Situation reduziert werden, in welcher ein leitfähiger Schaltkreis aufgrund der Feuchtigkeit 1002 oder dergleichen zwischen der Gegenelektrode auf dem Farbfiltersubstrat 100 und den Anschlussleitungen 201 auf dem TFT-Feld-Substrat 200 gebildet wird. Es ist somit möglich, das Auftreten von Problemen wie einer Verbindungsauflösung aufgrund von elektrolytischer Korrosion zu verhindern.
Außerdem besteht, da der Isolator außerhalb der Anzeigefläche unter Verwendung der Charakteristiken des Oxid-Halbleiters ausgebildet ist, keine Notwendigkeit, Schritte zum Verhindern des Ausbildens der Gegenelektrode auf dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats 100 hinzuzufügen.
Es ist zu beachten, dass Bestandselemente, die in der Beschreibung der vorliegenden Erfindung beschrieben sind, bis auf diejenigen, die vorstehend beschrieben sind, geeignet weggelassen werden können. Das heißt, die vorstehend beschriebenen vorteilhaften Wirkungen können durch nur die vorstehend beschriebenen Bestandselemente implementiert werden. Die vorstehend beschriebenen vorteilhaften Wirkungen können jedoch auch auf ähnliche Weise implementiert werden, selbst wenn mindestens eins der anderen Bestandselemente, die in der Beschreibung der vorliegenden Erfindung beschrieben sind, geeignet zu der vorstehend beschriebenen Anordnung hinzugefügt wird, d.h. selbst wenn andere Bestandselemente in der Beschreibung der vorliegenden Erfindung, welche nicht als die Bestandselemente in der vorstehenden Beschreibung beschrieben sind, zu den vorstehend beschriebenen Bestandselementen hinzugefügt werden.
Gemäß den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen weist das Anzeigemodul die Siliziumoxidschicht 110 auf, die auf der Oberfläche der Oxid-Halbleiterschicht 107c ausgebildet ist, welche der Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht ist, der zu der Anzeigefläche korrespondiert.
Mit dieser Anordnung wird nur die Oxid-Halbleiterschicht 107c, welche in Kontakt mit der Siliziumoxidschicht 110 ist, durch Anwenden von Ultraviolettstrahlen (UV) zu einem Leiter überführt. Das heißt, die Oxid-Halbleiterschicht 107c, welche ein Leiter ist, ist in der Fläche B der Gegenelektrode ausgebildet, und die Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche ein Isolator ist, ist in der Fläche A außerhalb des Versiegelungsbauteils ausgebildet.
Gemäß den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen weist das Anzeigemodul die Siliziumoxidschicht 110a auf, die auf der Oberfläche des Teilbereichs des Farbfiltersubstrats 100 ausgebildet ist, welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert.
Die Oxid-Halbleiterschicht 107c bedeckt die Siliziumoxidschicht 110a. Die Oxid-Halbleiterschicht 107d ist auf der Oberfläche des Farbfiltersubstrats 100 ausgebildet.
Mit dieser Anordnung wird nur die Oxid-Halbleiterschicht 107c, welche in Kontakt mit der Siliziumoxidschicht 110a ist, durch Anwenden von Ultraviolettstrahlen (UV) zu einem Leiter überführt. Das heißt, die Oxid-Halbleiterschicht 107c, welche ein Leiter ist, ist in der Fläche B der Gegenelektrode ausgebildet, und die Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche ein Isolator ist, ist in der Fläche A außerhalbe des Versiegelungsbauteils ausgebildet.
Gemäß den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen werden in dem Verfahren der Fertigung eines Anzeigemoduls die Anschlussleitungen 201 auf der Oberfläche des TFT-Feld-Substrats 200 ausgebildet. Dann wird die Isolationsschicht 203, welche die Anschlussleitungen 201 bedeckt, ausgebildet.
Andererseits wird eine Oxid-Halbleiterschicht auf der Oberfläche des Farbfiltersubstrats 100 ausgebildet. Dann werden die Isolationsschicht 203 und die Oxid-Halbleiterschicht, welche einander zugewandt sind, mit dem Versiegelungsbauteil 106 miteinander verbunden.
Hierbei wird die Fläche, welche zwischen dem TFT-Feld-Substrat 200 und dem Farbfiltersubstrat 100 eingebettet ist, und welche in einer Draufsicht durch das Versiegelungsbauteil 106 umgeben ist, als die Anzeigefläche genommen.
Von der Oxid-Halbleiterschicht ist die Oxid-Halbleiterschicht 107c, welche ein Teilbereich ist, der zu der Anzeigefläche korrespondiert, ein Leiter, und die Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche ein Teilbereich ist, der zu der äußeren Seite der Anzeigefläche korrespondiert, ist ein Isolator.
Mit dieser Anordnung können die Isolationseigenschaften der Anschlussleitungen 201 auf dem TFT-Feld-Substrat 200 aufrechterhalten werden, ohne Schritte zum Verhindern des Ausbildens der Gegenelektrode auf dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats 100 hinzuzufügen.
Genauer ist von der Oxid-Halbleiterschicht, die auf der Oberfläche des Farbfiltersubstrats 100 ausgebildet ist, die Oxid-Halbleiterschicht 107c, welche ein Teilbereich ist, der zu der Anzeigefläche korrespondiert, ein Leiter, und die Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche ein Teilbereich ist, der zu dem Bereich außerhalb der Anzeigefläche korrespondiert, ist ein Isolator. Somit kann, selbst wenn die Anschlussleitungen 201 aufgrund dessen, dass die Isolationsschicht 203 durch die Fremdsubstanz 1001 außerhalb der Anzeigefläche beschädigt ist, exponiert sind, das Auftreten einer Situation reduziert werden, in welcher ein leitfähiger Schaltkreis aufgrund der Feuchtigkeit 1002 oder dergleichen zwischen der Gegenelektrode auf dem Farbfiltersubstrat 100 und den Anschlussleitungen 201 auf dem TFT-Feld-Substrat 200 gebildet wird. Es ist somit möglich, das Auftreten von Problemen wie einer Verbindungsauflösung aufgrund von elektrolytischer Korrosion zu verhindern.
Außerdem besteht, da der Isolator außerhalb der Anzeigefläche unter Verwendung der Charakteristiken des Oxid-Halbleiters ausgebildet ist, keine Notwendigkeit, Schritte zum Verhindern des Ausbildens der Gegenelektrode auf dem Umfangsteilbereich des Farbfiltersubstrats 100 hinzuzufügen.
Es ist zu beachten, dass Bestandselemente, die in der Beschreibung der vorliegenden Erfindung beschrieben sind, bis auf diejenigen, die vorstehend beschrieben sind, geeignet weggelassen werden können. Das heißt, die vorstehend beschriebenen vorteilhaften Wirkungen können durch nur die vorstehend beschriebenen Bestandselemente implementiert werden. Die vorstehend beschriebenen vorteilhaften Wirkungen können jedoch auch auf ähnliche Weise implementiert werden, selbst wenn mindestens eins der anderen Bestandselemente, die in der Beschreibung der vorliegenden Erfindung beschrieben sind, geeignet zu der vorstehend beschriebenen Anordnung hinzugefügt wird, d.h. selbst wenn andere Bestandselemente in der Beschreibung der vorliegenden Erfindung, welche nicht als die Bestandselemente in der vorstehenden Beschreibung beschrieben sind, zu den vorstehend beschriebenen Bestandselementen hinzugefügt werden.
Gemäß den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen wird in dem Verfahren für die Fertigung eines Anzeigemoduls eine Plasmabehandlung unter Verwendung eines Gases, welches Wasserstoff aufweist, auf dem Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht durchgeführt, welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert. Weiter wird eine Plasmabehandlung unter Verwendung eines Gases, welches N₂O aufweist, auf dem Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht ausgeführt, welcher zu dem Bereich außerhalb der Anzeigefläche korrespondiert.
Mit dieser Anordnung wird die Oxid-Halbleiterschicht 107c, welche ein Leiter ist, auf dem Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht ausgebildet, welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert. Weiter wird die Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche ein Isolator ist, auf dem Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht ausgebildet, welcher zu dem Bereich außerhalb der Anzeigefläche korrespondiert.
Gemäß den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen wird in dem Verfahren für die Fertigung eines Anzeigemoduls eine Ultraviolettbehandlung auf dem Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht ausgeführt, welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert. Weiter wird eine Plasmabehandlung unter Verwendung eines Gases, welches N₂O aufweist, auf dem Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht ausgeführt, welcher zu dem Bereich außerhalb der Anzeigefläche korrespondiert.
Mit dieser Anordnung wird die Oxid-Halbleiterschicht 107c, welche ein Leiter ist, auf dem Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht ausgebildet, welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert. Weiter wird die Oxid-Halbleiterschicht 107d, welche ein Isolator ist, auf dem Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht ausgebildet, welcher zu dem Bereich außerhalb der Anzeigefläche korrespondiert.
<Variationen>
Obwohl die vorstehenden Ausführungsformen die Oxid-Halbleiterschicht beschreiben, die als ein Beispiel von Oxid-Halbleitern aus InGaZnO besteht, sind Beispiele von Oxid-Halbleitern nicht auf diejenigen beschränkt, die vorstehend beschrieben sind. Die Beispiele schließen auch InZnO-, InGaO-, InSnO-, InSnZnO-, InGaZnSnO-, InAlZnO-, InHfZnO-, InZrZnO-, InMgZnO- und InYZnO-basierte Oxid-Halbleiterschichten ein, wobei Hf Hafnium ist, Zr Zirconium ist, Mg Magnesium ist und Y Yttrium ist. Selbst in dem Fall einer Verwendung eines dieser Oxid-Halbleitermaterialien können ähnliche vorteilhafte Wirkungen erzielt werden wie in dem Fall der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen, die die InGaZnO-basierte Oxid-Halbleiterschicht verwenden.
Obwohl in der dritten Ausführungsform sie Siliziumoxidschicht unter Verwendung einer metallischen Maske aufgebracht wird, kann die Siliziumoxidschicht so ausgebildet werden, dass ein Abdeckmittel unter Verwendung eines Photolithographieverfahrens ausgebildet wird, und ein Teilbereich der Siliziumoxidschicht, welcher zu der Fläche A korrespondiert, durch Ätzen unter Verwendung eines Trockenätzverfahrens oder eines Nassätzverfahrens entfernt wird.
Obwohl die erste, zweite und dritte Ausführungsform ein Beispiel der Struktur eines typischen Farbfilters als ein Farbfiltersubstrat beschreiben, kann der Farbfilter eine unterschiedliche Struktur aufweisen. Als eine andere Alternative kann das Farbfiltersubstrat keinen Farbfilter aufweisen.
Obwohl die erste, zweite und dritte Ausführungsform ein Beispiel beschreiben, in welchem ein Flüssigkristall in ein Vakuum eingespritzt wird, können andere Verfahren wie Einflößen verwendet werden.
Obwohl die erste, zweite und dritte Ausführungsform einen Fall beschreiben, in welchem die Ausrichtungsschicht ausgebildet und weiter einem Schleifen unterzogen wird, können die anderen Verfahren wie eine Photo-Ausrichtung verwendet werden.
Die N₂O-Plasmabehandlung in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen kann ein Gas verwenden, welches zumindest N₂O aufweist. Die H₂-Plasmabehandlung in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen kann ein Gas verwenden, welches zumindest Wasserstoff aufweist. Zum Beispiel kann Ammoniak (NH₃) verwendet werden.
Obwohl die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen einen Fall beschreiben, in welchem eine Niederdruck-Quecksilberlampe in der Ultraviolett-(UV-)Behandlung verwendet wird, können Ultraviolett-(UV-)Lampen wie ein Ultraviolett-Laser, eine Hochdruck-Quecksilberlampe oder eine Ultrahochdruck-Quecksilberlampe verwendet werden. Zum Beispiel kann eine Lampe verwendet werden, welche ultraviolettes Licht emittiert, das eine Wellenlänge von ungefähr 480 nm oder weniger aufweist.
Obwohl die vorstehend beschriebene Plasmabehandlung eine metallische Maske für eine begrenzte Teilbehandlung verwendet, kann jede Vorrichtung verwendet werden, welche eine begrenzte Teilbehandlung ausführen kann.
Obwohl sich in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen die Grenze zwischen der Fläche A und der Fläche B an der Oberfläche (fast dem Zentrum der Oberfläche) der Oxid-Halbleiterschicht befindet, welche in Kontakt mit dem Versiegelungsbauteil 106 ist, kann sich die Grenze zwischen der Fläche A und der Fläche B an dem äußeren Kantenteilbereich der Anzeigefläche auf der Innenseite des Versiegelungsbauteils befinden. Alternativ kann sich die Grenze zwischen der Fläche A und der Fläche B an jeder Stelle des Versiegelungsbauteils befinden.
Obwohl in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen ein IGZO eine Dicke von ungefähr 80 nm aufweist, kann die Dicke mindestens größer als oder gleich ungefähr 5 nm sein. Wenn ein IGZO eine Dicke von weniger als 5 nm aufweist, wird der Widerstandswert der gesamten Schicht steigen, was es für ein IGZO erschwert, ordentlich als eine Elektrode zu funktionieren.
Andererseits ist der obere Grenzwert der Dicke eines IGZO auf weniger als oder gleich ungefähr 1 µm festgelegt. Wenn die Dicke eines IGZO zu groß ist, wird eine Leistungsfähigkeit sinken. Außerdem wird ein IGZO, das eine zu große Dicke aufweist, eine geringe Durchlässigkeit zeigen. Somit wird die Dicke eines IGZO gemäß der Produktspezifikation geeignet festgelegt. Allgemein ist die Dicke eines IGZO bevorzugt größer als oder gleich ungefähr 10 nm und niedriger als oder gleich ungefähr 500 nm.
Obwohl in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen die Siliziumoxidschicht eine Dicke von ungefähr 50 nm aufweist, kann die Dicke mindestens größer als oder gleich ungefähr 1 nm sein. Wenn die Siliziumoxidschicht eine Dicke von ungefähr weniger als 1 nm aufweist, wird es schwierig, eine gleichmäßige Schicht auszubilden, und es wird nicht möglich, ausreichend vorteilhafte Wirkungen der vorstehenden Ausführungsformen zu erzielen.
Andererseits ist der obere Grenzwert der Dicke der Siliziumoxidschicht auf weniger als oder gleich ungefähr 1 µm festgelegt. Wenn die Dicke der Siliziumoxidschicht zu groß ist, wird die Leistungsfähigkeit sinken. Außerdem wird eine Siliziumoxidschicht, die eine zu große Dicke aufweist, einen Unterschied eines Niveaus der Siliziumoxidschicht, die in der vierten Ausführungsform unter der IGZO-Schicht ausgebildet wird, erhöhen, womit sie die Bedeckung der IGZO-Schicht verschlechtert. Wenn die Siliziumoxidschicht auf der oberen Seite der IGZO-Schicht ausgebildet wird wie in der dritten Ausführungsform, wird die Siliziumoxidschicht, die ein zu große Dicke aufweist, eine Reduzierung des elektrischen Feldes bewirken, das an das Flüssigkristall angelegt wird, womit sie die Anzeigequalität verschlechtert. Entsprechend ist die Dicke der Siliziumoxidschicht allgemein bevorzugt auf weniger als oder gleich ungefähr 500 nm festgelegt.
In der dritten, vierten und fünften Ausführungsform werden Ultraviolettstrahlen (UV) von der Seite des Farbfiltersubstrats gegenüber der Seite, auf welcher sich die Glasoberfläche befindet, angewendet. Ultraviolettstrahlen (UV) können jedoch von der Seite des Farbfiltersubstrats angewendet werden, wo sich die Glasoberfläche befindet. Selbst in diesem Fall bleibt die Wirkung, dass die Oxid-Halbleiterschicht von entweder einem Halbleiter oder einem Isolator zu einem Leiter übergeht, unverändert.
Obwohl die vorstehenden Ausführungsformen auch Merkmale wie Materialien, Eigenschaften der Materialien, Abmessungen, Formen und relative Orte und Positionen von Bestandselementen oder Bedingungen für eine Implementierung beschreiben, sind diese Merkmale alle in allen Aspekten darstellend und sind nicht auf diejenigen beschränkt, die in der Beschreibung der vorliegenden Erfindung beschrieben sind. Somit wird angenommen, dass zahlenmäßige Variationen, welche nicht beschrieben und dargestellt sind, in den Gültigkeitsumfang der Technik der vorliegenden Erfindung fallen. Beispiele schließen Fälle ein, in welchen mindestens ein Bestandselement modifiziert, hinzugefügt oder weggelassen ist, und in welchen mindestens ein Bestandselement in mindestens einer Ausführungsform extrahiert und mit Bestandselementen einer anderen Ausführungsform kombiniert ist.
In den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen kann "ein“ Bestandselement "ein oder mehrere“ Bestandselemente aufweisen, solange kein Widerspruch entsteht. Weiter kann jedes Bestandselement als eine begriffliche Einheit aufgefasst werden, und die vorliegende Erfindung kann Fälle einschließen, in welchen ein Bestandselement eine Mehrzahl von strukturellen Elementen aufweist, in welchen ein Bestandselement zu einem Teil eines strukturellen Elements korrespondiert, und in welchen eine Mehrzahl von Bestandselementen in einem strukturellen Element enthalten ist. Jedes Bestandselement kann strukturelle Elemente aufweisen, die andere Strukturen oder Formen aufweisen, solange seine Funktion unverändert bleibt.
Auf die Beschreibung in der Beschreibung der vorliegenden Erfindung soll für alle Zwecke Bezug genommen werden, die sich auf die Technik der vorliegenden Erfindung beziehen, und nichts in der Beschreibung soll als herkömmliche Technologie angesehen werden.
Wenn in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen Merkmale wie die Namen von Materialien ohne besondere Spezifikation beschrieben werden, können solche Materialien andere Zusätze wie eine Legierung enthalten, solange kein Widerspruch entsteht.
Erklärung der Bezugszeichen

100: Farbfiltersubstrat, 101: schwarze Matrix, 102: rotes Farbmaterial, 103: grünes Farbmaterial, 104: blaues Farbmaterial, 105: Überzugschicht, 106: Versiegelungsbauteil, 107, 107a: Gegenelektrode, 107b, 107c, 107d: Oxid-Halbleiterschicht, 108: Schutzschicht, 109, 109a: metallische Maske, 110, 110a: Siliziumoxidschicht, 200: TFT-Feld-Substrat, 201: Anschlussleitung, 202: externer Verbindungsanschluss, 203: Isolationsschicht, 1000: Flüssigkristall, 1001: Fremdsubstanz, 1002: Feuchtigkeit, A, B: Fläche

Claims

Anzeigemodul, aufweisend: ein Feldsubstrat (200); eine Elektrode (201), die auf einer Oberfläche des Feldsubstrats (200) ausgebildet ist; eine Isolationsschicht (203), die so ausgebildet ist, dass sie die Elektrode (201) bedeckt; ein Farbfiltersubstrat (100); eine Oxid-Halbleiterschicht (107c, 107d), die auf einer Oberfläche des Farbfiltersubstrats (100) ausgebildet ist; und ein Versiegelungsbauteil (106), welches sich zwischen der Isolationsschicht (203) und der Oxid-Halbleiterschicht (107c, 107d) befindet, die einander zugewandt sind, und welches die Isolationsschicht (203) und die Oxid-Halbleiterschicht (107c, 107d) miteinander verbindet, wobei eine Fläche, welche zwischen dem Feldsubstrat (200) und dem Farbfiltersubstrat (100) eingebettet ist und durch das Versiegelungsteil (106) in einer Draufsicht umgeben ist, als eine Anzeigefläche genommen wird, und ein Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht (107c, 107d), welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert, ein Leiter ist, und ein Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht (107c, 107d), welcher zu einem Bereich außerhalb der Anzeigefläche korrespondiert, ein Isolator ist.
Anzeigemodul gemäß Anspruch 1, weiter aufweisend: eine Siliziumoxidschicht (110), die auf einer Oberfläche eines Teilbereichs der Oxid-Halbleiterschicht (107c, 107d) ausgebildet ist, welche zu der Anzeigefläche korrespondiert.
Anzeigemodul gemäß Anspruch 1, weiter aufweisend: eine Siliziumoxidschicht (110a), die auf einer Oberfläche eines Teilbereichs des Farbfiltersubstrats (100) ausgebildet ist, welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert, wobei die Oxid-Halbleiterschicht (107c, 107d) die Siliziumoxidschicht (110a) bedeckt und auf der Oberfläche des Farbfiltersubstrats (100) ausgebildet ist.
Anzeigemodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei sich eine Grenze zwischen dem Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht (107c), welcher ein Leiter ist, und dem Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht (107d), welcher ein Isolator ist, an einer Oberfläche der Oxid-Halbleiterschicht (107c, 107d) befindet, welche in Kontakt mit dem Versiegelungsbauteil (106) ist.
Anzeigemodul gemäß Anspruch 4, wobei sich die Grenze zwischen dem Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht (107c), welcher ein Leiter ist, und dem Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht (107d), welcher ein Isolator ist, an einem Endbereich auf der Anzeigeflächenseite aus der Oberfläche der Oxid-Halbleiterschicht (107c, 107d) befindet, welcher in Kontakt mit dem Versiegelungsbauteil (106) ist.
Anzeigemodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Oxid-Halbleiterschicht (107c, 107d) eine von InGaZnO-, InZnO-, InGaO-, InSnO-, InSnZnO-, InGaZnSnO-, InAlZnO-, InHfZnO-, InZrZnO-, InMgZnO- und InYZnO-basierten Oxid-Halbleiterschichten ist, wobei Hf Hafnium ist, Zr Zirconium ist, Mg Magnesium ist und Y Yttrium ist.
Verfahren zur Fertigung eines Anzeigemoduls, aufweisend: Ausbilden einer Elektrode (201) auf einer Oberfläche eines Feldsubstrats (200); Ausbilden einer Isolationsschicht (203), welche die Elektrode (201) bedeckt; Ausbilden einer Oxid-Halbleiterschicht (107b, 107c, 107d) auf einer Oberfläche eines Farbfiltersubstrats (100); und Verbinden der Isolationsschicht (203) und der Oxid-Halbleiterschicht (107b, 107c, 107d) mit einem Versiegelungsbauteil (106), wobei die Isolationsschicht und die Oxid-Halbleiterschicht einander zugewandt sind, wobei eine Fläche, die zwischen dem Feldsubstrat (200) und dem Farbfiltersubstrat (100) eingebettet und in einer Draufsicht durch das Versiegelungsbauteil (106) umgeben ist, als eine Anzeigefläche genommen wird, und ein Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht (107b, 107c, 107d), welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert, ein Leiter ist, und ein Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht (107b, 107c, 107d), welcher zu einem Bereich außerhalb der Anzeigefläche korrespondiert, ein Isolator ist.
Verfahren zur Fertigung eines Anzeigemoduls gemäß Anspruch 7, wobei eine Plasmabehandlung unter Verwendung eines Gases, welches Wasserstoff aufweist, auf dem Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht (107b, 107c) ausgeführt wird, welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert, und eine Plasmabehandlung unter Verwendung eines Gases, welches N₂O aufweist, auf dem Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht (107b, 107c) ausgeführt wird, welcher zu dem Bereich außerhalb der Anzeigefläche korrespondiert.
Verfahren zur Fertigung eines Anzeigemoduls gemäß Anspruch 7, weiter aufweisend: Ausbilden einer Siliziumoxidschicht (110) auf einer Oberfläche des Teilbereichs der Oxid-Halbleiterschicht (107c, 107d), welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert.
Verfahren zur Fertigung eines Anzeigemoduls gemäß Anspruch 7, weiter aufweisend: Ausbilden einer Siliziumoxidschicht (110a) auf einer Oberfläche eines Teilbereichs des Farbfiltersubstrats (100), welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert, und Ausbilden einer Oxid-Halbleiterschicht (107b, 107c, 107d) auf einer Oberfläche der Siliziumoxidschicht (110a) und auf einer Oberfläche des Farbfiltersubstrats (100).
Verfahren zur Fertigung eines Anzeigemoduls gemäß Anspruch 9 oder 10, weiter aufweisend: Ausführen einer Ultraviolettbehandlung auf dem Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht (107b, 107c), welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert; und Ausführen einer Plasmabehandlung unter Verwendung eines Gases, welches N₂O aufweist, auf dem Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht (107b, 107d), welcher zu dem Bereich außerhalb der Anzeigefläche korrespondiert.
Verfahren zur Fertigung eines Anzeigemoduls gemäß Anspruch 11, wobei die Ultraviolettbehandlung, welche auf dem Teilbereich der Oxid-Halbleiterschicht (107b, 107c) ausgeführt wird, welcher zu der Anzeigefläche korrespondiert, ein Anwenden von ultraviolettem Licht einschließt, das eine Wellenlänge von weniger als oder gleich 480 nm aufweist.
Verfahren zur Fertigung eines Anzeigemoduls gemäß einem der Ansprüche 7 bis 12, wobei die Oxid-Halbleiterschicht (107c, 107d) eine von InGaZnO-, InZnO-, InGaO-, InSnO-, InSnZnO-, InGaZnSnO-, InAlZnO-, InHfZnO-, InZrZnO-, InMgZnO- und InYZnO-basierten Oxid-Halbleiterschichten ist, wobei Hf Hafnium ist, Zr Zirconium ist, Mg Magnesium ist und Y Yttrium ist.