DE112014006446T5 - lsolierendes Substrat und Halbleiteranordnung - Google Patents

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Abstract

Ein wärmehärtendes, doppelseitig klebendes, isolierendes Kunstharz (3) ist an einer Keramikplatte (2) angeordnet. Eine Metallplatte (4) ist an dem wärmehärtenden, doppelseitig klebenden, isolierenden Kunstharz (3) angeordnet und über das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz (3) mit einer Oberseite der Keramikplatte (2) verbunden. Das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz (3) ist kostengünstig und zudem frei von Problemen mit einem Aspekt einer Bauteilversorgung. Da das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz (3) eine Divergenz von linearen Ausdehnungskoeffizienten zwischen der Keramikplatte (2) und der Metallplatte (4) beseitigt, ist es möglich, ein Brechen der Keramikplatte (2) während einer Erwärmung und ein Ablösen der Metallplatte (4) von der Keramikplatte (2) zu verhindern. Da das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz (3) eine Haftfestigkeit aufrechterhalten kann, ist es zudem möglich, die Erzeugung von Löchern zu verhindern. Als ein Ergebnis kann eine Produktzuverlässigkeit verbessert werden. Da das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz (3) während eines Thermoformens aushärtet, ist es zudem möglich, eine Formverarbeitung durchzuführen.

Description

  • Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein isolierendes Substrat, das eine Keramikplatte verwendet, und eine Halbleiteranordnung.
  • Hintergrund
  • Leistungsglieder werden benötigt, um eine Wärmeableitung zu verbessern. Ein stark wärmeableitender Füllstoff wird daher in eine Isolierplatte eingefügt, um eine Wärmeableitungsleistung zu verbessern, was jedoch hohe Materialkosten bedingt und auch ein Problem in einem Aspekt einer Bauteilversorgung hat. Daher wird statt der Isolierplatte eine Keramik verwendet, die eine hohe Wärmeleitfähigkeit hat.
  • Herkömmlich werden eine Metallplatte und eine Keramikplatte, die verschiedene lineare Ausdehnungskoeffizienten haben, durch Thermokompression oder unter Verwendung eines Hartlötmaterials, dessen Hauptbestandteil Silber ist, miteinander verbunden. Jedoch besteht in dem Fall einer Thermokompression die Besorgnis, dass Löcher aufgrund einer unzureichenden Haftfähigkeit während einer Erwärmung bei einer Zuverlässigkeitsprüfung erzeugt werden. Bei dem Fall des Verbindens unter Verwendung eines Hartlötmaterials kann, da eine kontrahierende Kraft einer Metallplatte diejenige einer Keramikplatte während einer Abkühlung übersteigt, die Keramikplatte gebrochen werden oder die Metallplatte von der Keramikplatte abgelöst werden. Zudem beinhalten herkömmliche Verbindungsmethoden ein Problem, dass die Bauteilkosten hoch sind. Im Gegensatz dazu ist eine Technik zum Bereitstellen eines thermoplastischen Polyimids zwischen der Keramikplatte und der Metallplatte offenbart (z. B. vgl. PTL1).
  • Literaturliste
  • Patentliteratur
    • [PTL1] JP 2011-104815 A
  • Zusammenfassung
  • Technisches Problem
  • Allerdings wechselt ein thermoplastisches Kunstharz, wie beispielsweise thermoplastisches Polyimid, während einer Erwärmung und eines Gießens in einen flüssigen Zustand, was ein Problem verursacht, dass eine Formverarbeitung nicht möglich ist.
  • Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um das oben beschriebene Problem zu lösen, und es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein isolierendes Substrat und eine Halbleiteranordnung bereitzustellen, die preiswert, frei von Problemen mit einem Aspekt einer Bauteilversorgung und zum Verbessern einer Produktzuverlässigkeit geeignet sind und eine Formverarbeitung ermöglichen.
  • Lösung des Problems
  • Eine isolierende Substratanordnung gemäß vorliegenden Erfindung umfasst: eine Keramikplatte; ein erstes wärmehärtendes, doppelseitig klebendes, isolierendes Kunstharz an der Keramikplatte; und eine erste Metallplatte an dem ersten wärmehärtenden, doppelseitig klebenden, isolierenden Kunstharz und verbunden mit einer Oberseite der Keramikplatte über das erste wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz.
  • Vorteilhafte Effekte der Erfindung
  • Bei der vorliegenden Erfindung sind die Keramikplatte und die erste Metallplatte über das erste wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz miteinander verbunden. Das erste wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz ist kostengünstig und zudem frei von Problemen mit einem Aspekt einer Bauteilversorgung. Da das erste wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz eine Divergenz von linearen Ausdehnungskoeffizienten zwischen der Keramikplatte und der ersten Metallplatte beseitigt, ist es möglich, ein Brechen der Keramikplatte während einer Erwärmung und ein Ablösen der ersten Metallplatte von der Keramikplatte zu verhindern. Da das erste wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz eine Haftfestigkeit aufrechterhalten kann, ist es zudem möglich, die Erzeugung von Löchern zu verhindern. Als ein Ergebnis kann eine Produktzuverlässigkeit verbessert werden. Da das erste wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz während eines Thermoformens aushärtet, ist es zudem möglich, eine Formverarbeitung durchzuführen.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine perspektivische Darstellung einer Halbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 1 der vorliegenden Erfindung, von der ein Teil herausgeschnitten ist.
  • 2 ist eine Querschnittsdarstellung, die das isolierende Substrat gemäß Ausführungsbeispiel 1 der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 3 ist eine Querschnittsdarstellung, die ein isolierendes Substrat gemäß Ausführungsbeispiel 2 der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 4 ist eine Querschnittsdarstellung, die eine Halbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 3 der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 5 ist eine Querschnittsdarstellung, die eine Halbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 4 der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 6 ist eine Querschnittsdarstellung, die eine Halbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 5 der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Beschreibung von Ausführungsbeispielen
  • Ein isolierendes Substrat und eine Halbleiteranordnung gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung werden mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. Dieselben Komponenten werden mit denselben Symbolen gekennzeichnet, und eine wiederholte Beschreibung davon wird weggelassen.
  • Ausführungsbeispiel 1.
  • 1 ist eine perspektivische Darstellung einer Halbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 1 der vorliegenden Erfindung, von der ein Teil herausgeschnitten ist. Ein isolierendes Substrat 1 ist in einem Abschnitt vorgesehen, der in 1 durch eine unterbrochene Linie umschlossen ist.
  • 2 ist eine Querschnittsdarstellung, die das isolierende Substrat gemäß Ausführungsbeispiel 1 der vorliegenden Erfindung zeigt. Das isolierende Substrat 1 ist ein isolierendes Substrat eines Moduls vom Gehäusetyp. Ein wärmehärtendes, doppelseitig klebendes, isolierendes Kunstharz 3 ist an einer Keramikplatte 2 angeordnet und eine Metallplatte 4 ist an dem wärmehärtenden, doppelseitig klebenden, isolierenden Kunstharz 3 angeordnet. Die Metallplatte 4 ist über das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz 3 mit einer Oberseite der Keramikplatte 2 verbunden.
  • Ein wärmehärtendes, doppelseitig klebendes, isolierendes Kunstharz 5 ist unter der Keramikplatte 2 angeordnet und eine Metallplatte 6 ist unter dem wärmehärtenden, doppelseitig klebenden, isolierenden Kunstharz 5 angeordnet. Die Metallplatte 6 ist über das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz 5 mit einer Unterseite der Keramikplatte 2 verbunden. Eine Basisplatte 7 ist über ein Lot 8 mit einer Unterseite der Metallplatte 6 verbunden.
  • Die wärmehärtenden, doppelseitig klebenden, isolierenden Gießharze 3 und 5 haben klebende Ober- und Unterseiten, die eine Aushärteeigenschaft haben, wenn sie erwärmt werden. Insbesondere wird ein Werkzeugbefestigungsfilm für einen üblichen NAND-Flash-Speicher als die wärmehärtenden, doppelseitig klebenden, isolierenden Kunstharze 3 und 5 verwendet. Der Werkzeugbefestigungsfilm hat eine Struktur, bei der beispielsweise ein Basismaterial, ein klebendes Element, ein leitfähiger Werkzeugbefestigungsfilm und ein Trennpapier in dieser Reihenfolge geschichtet sind.
  • Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel sind die Keramikplatte 2 und die Metallplatte 4 über das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz 3 miteinander verbunden. Das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz 3 ist kostengünstig und zudem frei von Problemen mit einem Aspekt einer Bauteilversorgung. Da das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz 3 eine Divergenz von linearen Ausdehnungskoeffizienten zwischen der Keramikplatte 2 und der Metallplatte 4 beseitigt, ist es möglich, ein Brechen der Keramikplatte 2 während einer Erwärmung und ein Ablösen der Metallplatte 4 von der Keramikplatte 2 zu verhindern. Da das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz 3 eine Haftfestigkeit aufrechterhalten kann, ist es zudem möglich, die Erzeugung von Löchern zu verhindern. Als ein Ergebnis kann eine Produktzuverlässigkeit verbessert werden. Da das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz 3 während eines Thermoformens aushärtet, ist es zudem möglich, eine Formverarbeitung durchzuführen.
  • Zudem sind die Keramikplatte 2 und die Metallplatte 6 über das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz 5 miteinander verbunden, und ein Effekt ähnlich dem oben beschriebenen kann in diesem Teil ebenfalls erhalten werden.
  • Ausführungsbeispiel 2.
  • 3 ist eine Querschnittsdarstellung, die ein isolierendes Substrat gemäß Ausführungsbeispiel 2 der vorliegenden Erfindung zeigt. Ein Lamellenkühler 9 wird statt der Metallplatte 6, der Basisplatte 7 und des Lots 8 von Ausführungsbeispiel 1 verwendet. Der Lamellenkühler 9 ist unter dem wärmehärtenden, doppelseitig klebenden, isolierenden Kunstharz 5 angeordnet und über das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz 5 mit einer Unterseite der Keramikplatte 2 verbunden. Das Ersetzen der Basisplatte 7 von Ausführungsbeispiel 1 durch den Lamellenkühler 9 kann eine Wärmeableitung weiter verbessern.
  • Ausführungsbeispiel 3.
  • 4 ist eine Querschnittsdarstellung, die eine Halbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 3 der vorliegenden Erfindung zeigt. Die Halbleiteranordnung ist ein transfergegossenes IPM (Intelligent Power Modul). Das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz 3 ist an der Keramikplatte 2 angeordnet und eine Leiterplatine 10 ist an dem wärmehärtenden, doppelseitig klebenden, isolierenden Kunstharz 3 angeordnet. Die Leiterplatine 10 ist über das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz 3 mit einer Oberseite der Keramikplatte 2 verbunden. Ein Halbleiterelement 11 ist an der Leiterplatine 10 montiert. Das Halbleiterelement 11 ist über einen Draht 12 mit einem Anschlussleiter 13 verbunden. Ein Kunstharz 14 schließt das Halbleiterelement 11 und den Draht 12 oder dergleichen ein.
  • Ein Ersetzen einer kupferfolierten Isolierplatte des transfergegossenen IPM durch die Keramikplatte 2 kann eine Wärmeableitung verbessern und die Kosten reduzieren. Zusätzlich können Effekte ähnlich denen von Ausführungsbeispiel 1 erreicht werden.
  • Ausführungsbeispiel 4.
  • 5 ist eine Querschnittsdarstellung, die eine Halbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 4 der vorliegenden Erfindung zeigt. Zusätzlich zu der Konfiguration von Ausführungsbeispiel 3 ist das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz 5 unter der Keramikplatte 2 angeordnet und der Lamellenkühler 9 ist unter dem wärmehärtenden, doppelseitig klebenden, isolierenden Kunstharz 5 angeordnet. Der Lamellenkühler 9 ist über das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz 5 mit einer Unterseite der Keramikplatte 2 verbunden. Da das vorliegende Ausführungsbeispiel die Keramikplatte 2 zwischen dem Modul und dem Lamellenkühler 9 vorsieht, ist es möglich, eine Anschlussfähigkeit, eine Wärmeableitung und Isolierungseigenschaften im Vergleich zu Ständen der Technik zu verbessern, die ein Silikonfett zwischen den beiden vorsehen.
  • Ausführungsbeispiel 5.
  • 6 ist eine Querschnittsdarstellung, die eine Halbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 5 der vorliegenden Erfindung zeigt. Die Halbleiteranordnung ist ein transfergegossenes IPM mit einem eingebauten Wärmespreizer. Die Leiterplatine 10 ist an einem metallischen Wärmespreizer 15 angeordnet und das Halbleiterelement 11 ist an der Leiterplatine 10 montiert. Die Leiterplatine 10 und der Anschlussleiter 13 sind über den Draht 12 miteinander verbunden. Ein Anschlussleiter 16 ist mit dem Halbleiterelement 11 verbunden. Ein Kunstharz 14 schließt das Halbleiterelement 11 und den Draht oder dergleichen ein.
  • Das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz 3 ist unter dem Wärmespreizer 15 angeordnet und die Keramikplatte 2 ist unter dem wärmehärtenden, doppelseitig klebenden, isolierenden Kunstharz 3 angeordnet. Die Keramikplatte 2 ist über das wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz 3 mit einer Unterseite des Wärmespreizers 15 verbunden.
  • Somit kann das transfergegossene IPM mit einem eingebauten Wärmespreizer auch Effekte ähnlich zu denen von Ausführungsbeispiel 3 erzielen. Ein Klebeband 17 zum Verhindern eines Brechens von Keramik ist an die Unterseite der Keramikplatte 2 geklebt. Es ist daher möglich, eine Belastung zu reduzieren und die Keramikplatte 2 vor Bruch zu schützen. Das Klebeband 17 zum Verhindern eines Brechens von Keramik hat eine Struktur, bei der beispielsweise ein silikonbasiertes Haftelement 17a und ein Polyimidfilm 17b zusammengeschichtet sind.
  • Es sei angemerkt, dass das Halbleiterelement 11 nicht auf eines eingeschränkt ist, das aus Silicium gebildet ist, jedoch ebenso aus einem Halbleiter mit einer breiten Bandlücke gebildet sein kann, der eine breitere Bandlücke als die von Silicium hat. Der Halbleiter mit der breiten Bandlücke wird aus Siliciumcarbid, einem galliumnitridbasierten Material oder Diamant hergestellt. Ein Leistungshalbleiterelement, das aus solch einem Halbleiter mit breiter Bandlücke gebildet ist, hat eine hohe Spannungsfestigkeit oder eine hohe maximal zulässige Stromdichte und kann daher verkleinert werden. Eine Verwendung solch eines verkleinerten Elements kann die Größe einer Halbleiteranordnung, in die dieses Element eingebaut ist, reduzieren. Da das Element einen hohen Wärmewiderstand hat, kann zudem der Lamellenkühler 9 verkleinert werden und das Wasserkühlsystem kann durch ein Luftkühlsystem ersetzt werden, was es erlaubt, die Halbleiteranordnung weiter zu verkleinern. Da das Element einen geringen Energieverlust und eine hohe Effizienz erzielt, ist es des Weiteren möglich, die Halbleiteranordnung effizienter zu machen.
  • Bezugszeichenliste
  • 1
    isolierendes Substrat
    2
    Keramikplatte
    3
    wärmehärtendes, doppelseitig klebendes, isolierendes Kunstharz (erstes wärmehärtendes, doppelseitig klebendes, isolierendes Kunstharz)
    4
    Metallplatte (erste Metallplatte)
    5
    wärmehärtendes, doppelseitig klebendes, isolierendes Kunstharz (zweites wärmehärtendes, doppelseitig klebendes, isolierendes Kunstharz)
    6
    Metallplatte (zweite Metallplatte)
    7
    Basisplatte
    8
    Lot
    9
    Lamellenkühler
    10
    Leiterplatine
    11
    Halbleiterelement
    12
    Draht
    13
    Anschlussleiter
    14
    Kunstharz
    15
    Wärmespreizer
    16
    Anschlussleiter
    17
    Klebeband zum Verhindern eines Brechens von Keramik

Claims (8)

  1. Isolierendes Substrat mit: • einer Keramikplatte; • einem ersten wärmehärtenden, doppelseitig klebenden, isolierenden Kunstharz an der Keramikplatte; und • einer ersten Metallplatte an dem ersten wärmehärtenden, doppelseitig klebenden, isolierenden Kunstharz und verbunden mit einer Oberseite der Keramikplatte über das erste wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz.
  2. Isolierendes Substrat nach Anspruch 1, weiter aufweisend: ein zweites wärmehärtendes, doppelseitig klebendes, isolierendes Kunstharz unter der Keramikplatte; und eine zweite Metallplatte unter dem zweiten wärmehärtenden, doppelseitig klebenden, isolierenden Kunstharz und verbunden mit einer Unterseite der Keramikplatte über das zweite wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz.
  3. Isolierendes Substrat nach Anspruch 2, weiter aufweisend eine Basisplatte, die über ein Lot mit einer Unterseite der zweiten Metallplatte verbunden ist.
  4. Isolierendes Substrat nach Anspruch 1, weiter aufweisend: ein zweites wärmehärtendes, doppelseitig klebendes, isolierendes Kunstharz unter der Keramikplatte; und einen Lamellenkühler unter dem zweiten wärmehärtenden, doppelseitig klebenden, isolierenden Kunstharz und verbunden mit einer Unterseite der Keramikplatte über das zweite wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz.
  5. Halbleiteranordnung mit: einer Keramikplatte; einem ersten wärmehärtenden, doppelseitig klebenden, isolierenden Kunstharz an der Keramikplatte; einer Leiterplatine an dem ersten wärmehärtenden, doppelseitig klebenden, isolierenden Kunstharz und verbunden mit einer Oberseite der Keramikplatte über das erste wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz; einem Halbleiterelement an der Leitplatine; und einem Kunstharz, das das Halbleiterelement einschließt.
  6. Halbleiteranordnung nach Anspruch 5, weiter aufweisend: ein zweites wärmehärtendes, doppelseitig klebendes, isolierendes Kunstharz unter der Keramikplatte; und einen Lamellenkühler unter dem zweiten wärmehärtenden, doppelseitig klebenden, isolierenden Kunstharz und verbunden mit einer Unterseite der Keramikplatte über das zweite wärmehärtende, doppelseitig klebende, isolierende Kunstharz.
  7. Halbleiteranordnung nach Anspruch 5, weiter aufweisend ein Klebeband zum Verhindern eines Brechens von Keramik, das an eine Unterseite der Keramikplatte geklebt ist.
  8. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei das Halbleiterelement aus einem Halbleiter mit einer breiten Bandlücke gebildet ist.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6825411B2 (ja) * 2017-02-21 2021-02-03 三菱マテリアル株式会社 絶縁回路基板、絶縁回路基板の製造方法
JP6852649B2 (ja) * 2017-10-24 2021-03-31 株式会社オートネットワーク技術研究所 回路構成体及び回路構成体の製造方法
JP6609655B2 (ja) * 2018-03-09 2019-11-20 マクセルホールディングス株式会社 回路部品
WO2019224889A1 (ja) * 2018-05-21 2019-11-28 三菱電機株式会社 電動機及び換気扇
JP7345328B2 (ja) * 2019-09-13 2023-09-15 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4201931C1 (de) 1992-01-24 1993-05-27 Eupec Europaeische Gesellschaft Fuer Leistungshalbleiter Mbh + Co.Kg, 4788 Warstein, De
JPH09186269A (ja) * 1996-01-05 1997-07-15 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH10125826A (ja) * 1996-10-24 1998-05-15 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製法
JP3901427B2 (ja) * 1999-05-27 2007-04-04 松下電器産業株式会社 電子装置とその製造方法およびその製造装置
JP2002050713A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Hitachi Ltd 半導体装置及び電力変換装置
JP2003303940A (ja) * 2002-04-12 2003-10-24 Hitachi Ltd 絶縁回路基板および半導体装置
US7023084B2 (en) * 2003-03-18 2006-04-04 Sumitomo Metal (Smi) Electronics Devices Inc. Plastic packaging with high heat dissipation and method for the same
DE102005063403A1 (de) * 2005-12-23 2007-09-06 Electrovac Ag Kleber oder Bondmaterial
JP4635977B2 (ja) * 2006-08-01 2011-02-23 パナソニック株式会社 放熱性配線基板
JP4710798B2 (ja) * 2006-11-01 2011-06-29 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板及びパワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュール
US9018667B2 (en) * 2008-03-25 2015-04-28 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and dual adhesives
TW200941659A (en) * 2008-03-25 2009-10-01 Bridge Semiconductor Corp Thermally enhanced package with embedded metal slug and patterned circuitry
JP5110049B2 (ja) * 2009-07-16 2012-12-26 株式会社デンソー 電子制御装置
JP2011104815A (ja) 2009-11-13 2011-06-02 Asahi Kasei E-Materials Corp 積層体および積層体の製造方法
TWI462831B (zh) 2010-10-06 2014-12-01 Hitachi Chemical Co Ltd 多層樹脂片及其製造方法、樹脂片層合體及其製造方法、多層樹脂片硬化物、附金屬箔之多層樹脂片、以及半導體裝置
CN102170755B (zh) * 2011-04-25 2012-11-28 衢州威盛精密电子科技有限公司 一种陶瓷手机线路板的生产工艺
JP5630375B2 (ja) * 2011-05-23 2014-11-26 富士電機株式会社 絶縁基板、その製造方法、半導体モジュールおよび半導体装置
JP5924164B2 (ja) * 2012-07-06 2016-05-25 株式会社豊田自動織機 半導体装置
WO2014054609A1 (ja) * 2012-10-04 2014-04-10 株式会社東芝 半導体回路基板およびそれを用いた半導体装置並びに半導体回路基板の製造方法
JP6025967B2 (ja) * 2013-03-28 2016-11-16 パナソニック株式会社 絶縁熱伝導性樹脂組成物
JP6236915B2 (ja) * 2013-06-25 2017-11-29 富士電機株式会社 はんだ付け方法および半導体装置の製造方法

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