JP4710798B2 - パワーモジュール用基板及びパワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュール - Google Patents
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Description
この発明は、大電流、高電圧を制御する半導体装置に用いられるパワーモジュール用基板及びパワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュールに関するものである。
この種のパワーモジュールは、一般に、セラミックス板の一方の面に回路層がろう付けされ、他方の面に金属層がろう付けされたパワーモジュール用基板と、回路層の表面にはんだ接合された半導体チップと、金属層の表面にろう付けされたヒートシンクを備えたものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
従来、パワーモジュール用基板を製作する際には、セラミックス板の一方の面に回路層を、他方の面に金属層をろう付けした後、回路層及び金属層の表面にブラスト処理を施している。このブラスト処理により、回路層の表面に設けられた位置合わせ用のレーザマークの視認性の向上を図るとともに、回路層及び金属層の表面の擦り傷、酸化膜、ろう材のしみ等の除去を行っている。
特開２００４−１７２３７８号公報
ここで、回路層の表面にブラスト処理を行うことにより、回路層の表面は粗くなってしまい、算術平均粗さＲａで０．５〜０．８μｍ程度となっている。このため、回路層の表面にメッキを施して半導体チップをはんだ付けする際に、はんだボイドが発生しやすくなってしまう。また、表面が粗いためにワイヤーボンディング時の密着性が低下してしまう。さらに、回路層の表面にメッキを施した際のメッキ品質が劣化してしまう。
ここで、ブラスト処理を行った後に、エッチング処理を行うことで回路層の表面を平滑にすることが可能である。しかしながら、このエッチング処理によって金属層の表面が平滑になると、ヒートシンクをろう付けする際にろう材の拡がりが不十分となって、ヒートシンクを強固に接合することができなくなってしまう。
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、回路層の表面に半導体チップをはんだ付けにより強固に接合できるとともに、金属層の表面にヒートシンクをろう付けにより強固に接合することができるパワーモジュール用基板及びこのパワーモジュール用基板の製造方法並びにこのパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供することを目的とする。
このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明のパワーモジュール用基板は、セラミックス板の一方の面に回路層が接合され、他方の面に金属層が接合されており、前記回路層の表面に半導体チップがはんだ接合されるとともに前記金属層の表面にヒートシンクがろう付けされるパワーモジュール用基板であって、前記回路層の表面粗さが、前記金属層の表面粗さよりも小さくなるように構成されていることを特徴としている。
この構成のパワーモジュール用基板では、回路層の表面粗さが金属層の表面粗さよりも小さくなるように構成されているので、はんだ付けを行う回路層表面においては、はんだボイドの発生を抑制して半導体チップを強固に接合することができるとともに、ワイヤーボンディング性の向上、メッキ品質の向上を図ることができる。
一方、ろう付けを行う金属層表面においては、ろう材の拡がりが促進され、金属層表面にヒートシンクを強固に接合することができる。
一方、ろう付けを行う金属層表面においては、ろう材の拡がりが促進され、金属層表面にヒートシンクを強固に接合することができる。
ここで、回路層の表面粗さを、算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１）で、Ｒａ≦０．３μｍとし、前記金属層の表面粗さを、算術平均粗さで０．５μｍ≦Ｒａ≦１．５μｍとすることが好ましい。
この場合、回路層の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．３μｍ以下とされているので、従来のブラスト処理を施した際の算術平均粗さ（Ｒａ＝０．５〜０．８μｍ）に比べて表面粗さが小さく、はんだボイドの発生を確実に抑制することができる。
さらに、金属層の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．５μｍ以上とされているので、ろう材の拡がりが確実に促進されてろう付けを確実に行うことができる。一方、金属層の表面粗さが算術平均粗さＲａで１．５μｍ以下とされているので、金属層の厚さを必要以上に厚くする必要がない。
この場合、回路層の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．３μｍ以下とされているので、従来のブラスト処理を施した際の算術平均粗さ（Ｒａ＝０．５〜０．８μｍ）に比べて表面粗さが小さく、はんだボイドの発生を確実に抑制することができる。
さらに、金属層の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．５μｍ以上とされているので、ろう材の拡がりが確実に促進されてろう付けを確実に行うことができる。一方、金属層の表面粗さが算術平均粗さＲａで１．５μｍ以下とされているので、金属層の厚さを必要以上に厚くする必要がない。
また、本発明のパワーモジュール用基板の製造方法は、前述のパワーモジュール用基板の製造方法であって、前記セラミックス板の前記一方の面に前記回路層をろう付けするとともに前記他方の面に前記金属層をろう付けする接合工程と、前記金属層の表面に対してブラスト処理を行うブラスト工程と、前記金属層の表面に付着したブラスト粒子を除去するとともに前記回路層の表面を平滑にするエッチング工程と、を備えていることを特徴としている。
この構成のパワーモジュール用基板の製造方法においては、金属層にブラスト処理を行うブラスト工程を備えているので、金属層の表面を回路層の表面よりも粗くすることができる。また、ブラスト工程の後のエッチング工程で前記回路層が平滑にされるので、回路層の表面粗さを金属層の表面粗さよりも確実に小さくすることができる。また、エッチング工程において、金属層に付着したブラスト粒子を除去することができるので、工程数を少なくして製作コストの削減を図ることができる。
さらに、本発明のパワーモジュールは、前述のパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュールであって、前記回路層の表面に半導体チップがはんだ接合され、前記金属層の表面にヒートシンクがろう付けされていることを特徴としている。
本発明に係るパワーモジュール用基板及びパワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュールによれば、回路層の表面に半導体チップをはんだ付けにより強固に接合できるとともに、金属層の表面にヒートシンクをろう付けにより強固に接合することができる。
以下に、本発明の実施の形態について添付した図面を参照して説明する。図１に本発明の実施形態であるパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを示す。
このパワーモジュール１は、セラミックス板１１の一方の面１１Ａに回路層１２がろう付けされるとともに他方の面１１Ｂに金属層１３がろう付けされたパワーモジュール用基板１０と、回路層１２の表面にはんだ層１４を介して接合された半導体チップ１５と、金属層１３の表面にろう材層１６を介して接合されたヒートシンク１７と、を備えている。
このパワーモジュール１は、セラミックス板１１の一方の面１１Ａに回路層１２がろう付けされるとともに他方の面１１Ｂに金属層１３がろう付けされたパワーモジュール用基板１０と、回路層１２の表面にはんだ層１４を介して接合された半導体チップ１５と、金属層１３の表面にろう材層１６を介して接合されたヒートシンク１７と、を備えている。
パワーモジュール用基板１０に備えられたセラミックス板１１は、例えばＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４若しくはＳｉＣ等で構成されており、回路層１２及び金属層１３はそれぞれ、例えば純Ａｌ若しくはＡｌ合金で構成されている。
また、ヒートシンク１７は、純Ａｌ、純Ｃｕ、Ａｌ合金、Ｃｕ合金で構成されている。また、はんだ層１４は、例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系若しくはＺｎ−Ａｌ系のはんだ材とされている。さらに、ろう材層１６は、例えばＡｌ−Ｓｉ系のろう材とされている。
また、ヒートシンク１７は、純Ａｌ、純Ｃｕ、Ａｌ合金、Ｃｕ合金で構成されている。また、はんだ層１４は、例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系若しくはＺｎ−Ａｌ系のはんだ材とされている。さらに、ろう材層１６は、例えばＡｌ−Ｓｉ系のろう材とされている。
そして、回路層１２の表面粗さは、金属層１３の表面粗さよりも小さくなるように構成されており、具体的には、回路層１２表面の算術平均粗さがＲａ≦０．３μｍ、金属層１３表面の算術平均粗さが０．５μｍ≦Ｒａ≦１．５μｍに設定されている。
以下に、前述のパワーモジュール１の製造方法について説明する。図２から図８に工程図を示す。
まず、Ａｌ板を打ち抜いて回路層１２及び金属層１３を形成する。このうち抜きの際に、回路層１２には配線パターンが形成されている。
次に、図２に示すように、セラミックス板１１の一方の面１１Ａに回路層１２をろう付けにて接合し、セラミックス板１１の他方の面１１Ｂに金属層１３をろう付けにて接合する。ここで、セラミックス板１１と回路層１２及び金属層１３とは、例えば厚さが２〜７０μｍのＡｌ系のろう材箔を用いてろう付けされている。
まず、Ａｌ板を打ち抜いて回路層１２及び金属層１３を形成する。このうち抜きの際に、回路層１２には配線パターンが形成されている。
次に、図２に示すように、セラミックス板１１の一方の面１１Ａに回路層１２をろう付けにて接合し、セラミックス板１１の他方の面１１Ｂに金属層１３をろう付けにて接合する。ここで、セラミックス板１１と回路層１２及び金属層１３とは、例えば厚さが２〜７０μｍのＡｌ系のろう材箔を用いてろう付けされている。
続いて、図３に示すように、金属層１３の表面に、ガンによって炭化けい素（ＳｉＣ）粒子を噴射して、ブラスト処理を行う。
次に、図４に示すように、前記金属層１３の表面に付着したブラスト粒子を除去するとともに、前記回路層１２の表面を平滑にするためにエッチング工程を実施する。このエッチング工程では、アルカリ処理、酸処理、脱水、乾燥を行う。
次に、図４に示すように、前記金属層１３の表面に付着したブラスト粒子を除去するとともに、前記回路層１２の表面を平滑にするためにエッチング工程を実施する。このエッチング工程では、アルカリ処理、酸処理、脱水、乾燥を行う。
このエッチング工程により、金属層１３及び回路層１２の表面は、約１〜１０μｍ程度除去され、金属層１３の表面に付着したブラスト粒子が除去されるとともに、回路層１２表面が平滑になる。
以上のようにして、回路層１２表面の算術平均粗さがＲａ≦０．３μｍ、金属層１３表面の算術平均粗さが０．５μｍ≦Ｒａ≦１．５μｍに調整されたパワーモジュール用基板１０が製作される。
以上のようにして、回路層１２表面の算術平均粗さがＲａ≦０．３μｍ、金属層１３表面の算術平均粗さが０．５μｍ≦Ｒａ≦１．５μｍに調整されたパワーモジュール用基板１０が製作される。
次に、図５に示すように、金属層１３の表面にヒートシンク１７をろう付けする。なお、ろう付けには、例えば厚さが２〜７０μｍのＡｌ系ろう材箔を使用する。これにより、ろう材層１６を介してヒートシンク１７が接合される。
続いて、図６に示すように、ヒートシンク１７が接合された状態で、メッキ浴の中に 浸漬してメッキ処理を実施する。ここで、無電解Ｎｉ−低Ｐメッキ又は電解Ｎｉメッキを行い、図７に示すように、回路層１２の表面にＮｉメッキ層１８を形成する。
続いて、図６に示すように、ヒートシンク１７が接合された状態で、メッキ浴の中に 浸漬してメッキ処理を実施する。ここで、無電解Ｎｉ−低Ｐメッキ又は電解Ｎｉメッキを行い、図７に示すように、回路層１２の表面にＮｉメッキ層１８を形成する。
そして、図８に示すように、Ｎｉメッキ層１８が形成された回路層１２の表面に、例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系若しくはＺｎ−Ａｌ系のはんだ材を用いて、半導体チップ１５がはんだ付けされる。
以上のようにして、ヒートシンク１７を備えたパワーモジュール１が製作される。
以上のようにして、ヒートシンク１７を備えたパワーモジュール１が製作される。
本実施形態であるパワーモジュール用基板１０においては、回路層１２の表面粗さが、金属層１３の表面粗さよりも小さくなるように構成されており、具体的には、回路層１２の表面粗さが算術平均粗さＲａでＲａ≦０．３μｍ、金属層１３の表面粗さが算術平均粗さで０．５μｍ≦Ｒａ≦１．５μｍとされているので、はんだ付けを行う回路層１２表面では、はんだボイドの発生を抑制して半導体チップ１５を強固に接合することができるとともに、ワイヤーボンディング性の向上、メッキ品質の向上を図ることができる。一方、金属層１３表面では、ろう材の拡がりが促進され、金属層１３表面にヒートシンク１７を強固に接合することができる。
また、このパワーモジュール用基板１０は、金属層１３にブラスト処理を行い、その後、エッチング工程で金属層１３及び回路層１２の表面を約１〜１０μｍ程度除去しているので、金属層１３表面が回路層１２表面よりも確実に粗くなる。さらに、エッチング工程において、金属層１３に付着したブラスト粒子を除去することができるので、工程数を少なくして製作コストの削減を図ることができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態では、Ａｌ板を打ち抜くことで配線パターンを有する回路層を形成したが、これに限定されることはなく、ブラスト処理後のエッチング工程の後に、回路層の表面にレジスト膜を形成して再度エッチング処理を行うことで配線パターンを形成してもよい。
例えば、本実施形態では、Ａｌ板を打ち抜くことで配線パターンを有する回路層を形成したが、これに限定されることはなく、ブラスト処理後のエッチング工程の後に、回路層の表面にレジスト膜を形成して再度エッチング処理を行うことで配線パターンを形成してもよい。
また、金属層の表面にブラスト処理を施すことにより、金属層の表面粗さを粗くしたもので説明したが、これに限定されることはなく、予めブラスト処理等によって表面を粗くしたＡｌ板と、予めエッチング処理等により表面を平滑にしたＡｌ板を準備して、これら
をセラミック板にろう付けして、それぞれ金属層、回路層としてもよい。
さらに、ヒートシンク、セラミック板、回路層、金属層等は、実施形態の材質に限定されることはなく、他の材質で構成されていてもよい。
をセラミック板にろう付けして、それぞれ金属層、回路層としてもよい。
さらに、ヒートシンク、セラミック板、回路層、金属層等は、実施形態の材質に限定されることはなく、他の材質で構成されていてもよい。
以下に、本発明の有効性を確認するために行った確認実験の結果について説明する。確認実験は、実施形態の回路層及び金属層を構成したＡｌ板を用いて行った。
〔はんだボイドの評価〕
表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を変化させたＡｌ板を準備し、このＡｌ板表面に無電解Ｎｉ−低Ｐメッキを実施して、厚さ約５μｍのＮｉメッキ層を形成した。そして、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析）を実施し、ＮｉとＮｉ（ＯＨ）２のピーク強度を測定して、ピーク強度の比Ｎｉ／Ｎｉ（ＯＨ）２（以下、Ｎｉピーク比と称す。）を算出した。なお、このＮｉピーク比が大きいほど、はんだボイドの発生が抑えられることが知られている。評価結果を表１に示す。
〔はんだボイドの評価〕
表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を変化させたＡｌ板を準備し、このＡｌ板表面に無電解Ｎｉ−低Ｐメッキを実施して、厚さ約５μｍのＮｉメッキ層を形成した。そして、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析）を実施し、ＮｉとＮｉ（ＯＨ）２のピーク強度を測定して、ピーク強度の比Ｎｉ／Ｎｉ（ＯＨ）２（以下、Ｎｉピーク比と称す。）を算出した。なお、このＮｉピーク比が大きいほど、はんだボイドの発生が抑えられることが知られている。評価結果を表１に示す。
表１に示すように、Ａｌ板の表面の算術平均粗さＲａが０．２６μｍと比較的小さな実施例２では、前記算術平均粗さＲａが０．８４μｍとされた実施例１よりも、Ｎｉピーク比が大きくなっていることが確認された。
〔ろう材拡がりの評価〕
表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を変化させたＡｌ板を準備し、このＡｌ板表面にＡｌ系のろう材としてＡｌ−Ｓｉ系の厚さ１２〜５０μｍのろう材を載置し、温度を約６４０℃に加熱した。その後、ろう材が拡がった面積を測定してろう材の拡がり率を算出した。なお、厚さ１２μｍ．２６μｍ，５０μｍの３種類のろう材について評価した。
ろう材の拡がり率が大きいほど、ろう材を隙間なく配置してろう付けできるため、ろう付け強度が向上することになる。評価結果を表２に示す。
表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を変化させたＡｌ板を準備し、このＡｌ板表面にＡｌ系のろう材としてＡｌ−Ｓｉ系の厚さ１２〜５０μｍのろう材を載置し、温度を約６４０℃に加熱した。その後、ろう材が拡がった面積を測定してろう材の拡がり率を算出した。なお、厚さ１２μｍ．２６μｍ，５０μｍの３種類のろう材について評価した。
ろう材の拡がり率が大きいほど、ろう材を隙間なく配置してろう付けできるため、ろう付け強度が向上することになる。評価結果を表２に示す。
表２に示すように、Ａｌ板の表面の算術平均粗さＲａが０．７７μｍと大きな実施例３では、前記算術平均粗さＲａが０．２６μｍと小さな実施例４と比較して、ろう材の拡がり率が向上していることが確認された。
これらの確認実験の結果、半導体チップをはんだ付けする回路層の表面粗さを小さくするとともに、ヒートシンクをろう付けする金属層の表面粗さを大きくすることが好ましいことが確認された。
１ パワーモジュール
１１ セラミックス板
１２ 回路層
１３ 金属層
１５ 半導体チップ
１７ ヒートシンク
１１ セラミックス板
１２ 回路層
１３ 金属層
１５ 半導体チップ
１７ ヒートシンク
Claims (4)
- セラミックス板の一方の面に回路層が接合され、他方の面に金属層が接合されており、前記回路層の表面に半導体チップがはんだ接合されるとともに前記金属層の表面にヒートシンクがろう付けされるパワーモジュール用基板であって、
前記回路層の表面粗さが、前記金属層の表面粗さよりも小さくなるように構成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。 - 請求項１に記載のパワーモジュール用基板であって、
前記回路層の表面粗さが、算術平均粗さでＲａ≦０．３μｍとされ、前記金属層の表面粗さが、算術平均粗さで０．５μｍ≦Ｒａ≦１．５μｍとされていることを特徴とするパワーモジュール用基板。 - 請求項１または請求項２に記載のパワーモジュール用基板の製造方法であって、
前記セラミックス板の前記一方の面に前記回路層をろう付けするとともに前記他方の面に前記金属層をろう付けする接合工程と、
前記金属層の表面に対してブラスト処理を行うブラスト工程と、
前記金属層の表面に付着したブラスト粒子を除去するとともに前記回路層の表面を平滑にするエッチング工程と、を備えていることを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。 - 請求項１または請求項２に記載のパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュールであって、
前記回路層の表面に半導体チップがはんだ接合され、前記金属層の表面にヒートシンクがろう付けされていることを特徴とするパワーモジュール。
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|---|---|---|---|
| JP2006297506A JP4710798B2 (ja) | 2006-11-01 | 2006-11-01 | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュール |
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| JP2006297506A JP4710798B2 (ja) | 2006-11-01 | 2006-11-01 | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュール |
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