DE112012006096T5 - LCD-Panel und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents

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Abstract

Ein Flüssigkristallanzeige-Panel und ein Verfahren zu dessen Herstellung werden vorgeschlagen. Eine Bodenelektrode einer als Speicherkondensator verwendeten Elektrode ist zwischen einer Abtastleitung und einer Spannungssteuerungsleitung angeordnet. Eine erste Leitungsfläche und eine zweite Leitungsfläche einer anderen als Speicherkondensator verwendeten Elektrode werden von einer transparenten Leitungsschicht gebildet. Da der Speicherkondensator zwischen Abtastleitung und der Spannungssteuerungsleitung gebildet ist, hat eine zweite Sub-Pixel-Elektrode eine vergrößerte Grundrissfläche. Das Öffnungsverhältnis der zweiten Sub-Pixel-Elektrode ist entsprechend erhöht.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Flüssigkristallanzeige(LCD)-Panel und ein Verfahren zur Herstellung desselben, insbesondere ein LCD-Panel, mit dem eine Steigerung des Öffnungsverhältnisses eines Pixels ohne eine Verringerung der Speicherkapazität erreicht werden kann, sowie ein Verfahren zur Herstellung desselben.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • Ein hochentwickelter Monitor mit vielen Funktionen ist ein wichtiges Merkmal für den Einsatz in aktuellen Verbraucher-Elektronikprodukten. Flüssigkristallanzeigen (LCDs), die hochauflösenden Farbmonitore sind, werden in verschiedenen Elektronikprodukten weithin verwendet, wie z. B. als Monitore für Mobiltelefone, Personal Digital Assistants (PDAs), Digitalkameras, Laptop-Computer und Notebook-Computer.
  • Eine Transistor-Flüssigkristallanzeige hat den Vorteil, dass diese eine höhere Bildqualität bietet, den Bauraum verringert, den Stromverbrauch senkt, keine Strahlung emittiert, und so weiter, so dass die Transistor-Flüssigkristallanzeige schrittweise zu einem der Hauptprodukte im Markt geworden ist. Ferner sind gegenwärtig ein hohes Kontrastverhältnis, eine schnelle Ansprechzeit und ein weiter Betrachtungswinkel gewünschte Aspekte von Flüssigkristallanzeigen (LCD).
  • Wenn ein Benutzer Bilder auf einem LCD-Panel unter einem großen Betrachtungswinkel betrachtet, kann es sein, dass der Benutzer die Bilder verzerrt empfindet. Das ist so, weil die auf den Bildern gezeigten Farben von den Originalfarben, die gezeigt werden sollten, abweichen. Um Farbauswaschung zu verhindern, sind verschiedene Pixelstrukturen entwickelt worden. Bezugnehmend auf 1, ist 1 eine Aufbauzeichnung, die einen herkömmlichen Pixel 10 zur Verhinderung von Farbauswaschung zeigt. Der Pixel 10 weist zwei Sub-Pixel Elektroden 11 und 12 auf. Ein Speicherkondensator 17 in dem Pixel 10 ist zwischen der Sub-Pixel Elektrode 12 und einer Spannungssteuerungsleitung 16 angeordnet. Allerdings ist das Öffnungsverhältnis der Sub-Pixel Elektrode 12 durch eine solche Gestaltung betroffen.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein LCD-Panel und ein Verfahren zur Herstellung desselben bereitzustellen. Ein Speicherkondensator wird zwischen einer Abtastleitung und einer Spannungssteuerungsleitung angeordnet, um das Öffnungsverhältnis des Pixels zu erhöhen. Auf diese Weise werden Probleme gelöst, welche in der herkömmlichen Technologie auftreten.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung, weist ein Flüssigkristallanzeigen(LCD)-Panel auf: ein Glassubstrat; eine, von einer ersten Metallschicht gebildete und auf dem Glassubstrat angeordnete Abtastleitung, zum Übertragen eines Abtastsignals; eine, von der ersten Metallschicht gebildete und auf dem Glassubstrat angeordnete, Spannungssteuerungsleitung, zum Übertragen eines Steuersignals; eine, auf der Abtastleitung und der Spannungssteuerungsleitung angeordnete, Isolationsschicht; eine von einer zweiten Metallschicht gebildete und auf der Isolationsschicht angeordnete Datenleitung, zum Übertragen eines Datensignals; eine erste Sub-Pixel Elektrode und eine zweite Sub-Pixel Elektrode, die eine von einer transparenten Leitungsschicht gebildete erste Leitungsfläche aufweisen; einen elektrisch mit der ersten Sub-Pixel-Elektrode verbunden ersten Transistor; einen elektrisch mit der Spannungssteuerungsleitung und dem ersten Transistor verbundenen zweiten Transistor; eine von der ersten Metallschicht gebildete und auf dem Glassubstrat angeordnete gemeinsame Elektrode, zum Übertragen eines gemeinsamen Signals; eine von der transparenten Leitungsschicht gebildete und mit der gemeinsamen Elektrode elektrisch verbundene zweite Leitungsfläche; eine von der zweiten Metallschicht gebildete Bodenelektrode, die in einer Seitenansicht auf der Isolierschicht angeordnet ist, und in einer Draufsicht zwischen der Abtastleitung und der Steuerspannungsleistung angeordnet und elektrisch mit dem zweiten Transistor verbunden ist; einen von der Bodenelektrode und der ersten Leitungsfläche der zweiten Sub-Pixel Elektrode ausgebildeten ersten Speicherkondensator; und einen von der Bodenelektrode und der zweiten Leitungsfläche gebildeten zweiten Kondensator.
  • Nach einem Aspekt der vorliegenden Erfindung, weist das LCD-Panel ferner auf: eine auf der zweiten Metallschicht angeordnete Passivierungsschicht; eine erste Durchkontaktierung durch die Passivierungsschicht, die in der Draufsicht derart zwischen der Abtastleitung und der Spannungssteuerungsleitung angeordnet ist, dass die erste Sub-Pixel Elektrode mit dem ersten Transistor über die erste Durchkontaktierung elektrisch verbunden ist; und eine zweite Durchkontaktierung durch die Passivierungsschicht und die Isolationsschicht, die in der Draufsicht derart zwischen der Spannungssteuerungsleitung und der zweiten Sub-Pixel Elektrode angeordnet ist, dass die gemeinsame Elektrode mit der zweiten Leitungsfläche durch die zweite Durchkontaktierung elektrisch verbunden ist.
  • Nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung, sind eine Projektion des ersten Speicherkondensators und eine Projektion des zweiten Speicherkondensators auf dem Glassubstrat zwischen einer Projektion der Abtastleitung und einer Projektion der Spannungssteuerungsleitung auf dem Glassubstrat angeordnet.
  • Nach noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird die transparente Leitungsschicht aus Indium-Zinn-Oxid (indium tin oxide – ITO) hergestellt.
  • Nach noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung sind in der Draufsicht der erste Transistor, der zweite Transistor, die Abtastleitung, und die Spannungssteuerungsleitung zwischen der ersten Sub-Pixel Elektrode und der zweiten Sub-Pixel Elektrode angeordnet.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung, weist ein Verfahren zur Herstellen eines LCD-Panels die folgenden Schritte auf: Bereitstellen eines Glassubstrats; Bilden einer ersten Metallschicht auf dem Glassubstrat; Ätzen der ersten Metallschicht, um ein Gate eines TFT, eine Spannungssteuerungsleitung, eine gemeinsame Leitung und eine Abtastleitung zu bilden; Bilden einer Isolierschicht auf dem Gate des TFT, der Spannungssteuerungsleitung, der gemeinsamen Leitung und der Abtastleitung; Bilden einer zweiten Metallschicht und Ätzen der zweiten Metallschicht, um einen Source und einen Drain des TFT, eine Datenleitung und eine Bodenelektrode zu bilden, die in einer Draufsicht zwischen der Spannungssteuerungsleitung und der Abtastleitung angeordnet ist; Bilden einer Passivierungsschicht auf der zweiten Metallschicht; Ätzen der Passivierungsschicht um eine erste Durchkontaktierung und eine zweite Durchkontaktierung zu bilden; und Bilden einer transparenten Leitungsschicht und Ätzen der transparenten Leitungsschicht, um eine erste Sub-Pixel Elektrode, eine zweite Sub-Pixel Elektrode und eine zweite Leitungsfläche zu bilden, wobei die erste Sub-Pixel Elektrode mit dem TFT durch die erste Durchkontaktierung elektrisch verbunden ist; die gemeinsame Leitung mit der zweiten Leitungsfläche durch die zweite Durchkontaktierung elektrisch verbunden ist; ein erster Speicherkondensator von der Bodenelektrode und der ersten Leitungsfläche der zweiten Sub-Pixel Elektrode gebildet ist; und ein zweiter Speicherkondensator von der Bodenelektrode und der zweiten Leitungsfläche gebildet ist.
  • Nach einem Aspekt der vorliegenden Erfindung, sind eine Projektion des ersten Speicherkondensators und eine Projektion des zweiten Speicherkondensators auf dem Glassubstrat zwischen einer Projektion der Abtastleitung und einer Projektion der Spannungssteuerungsleitung auf dem Glassubstrat angeordnet.
  • Nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird die transparente Leitungsschicht aus Indium-Zinn-Oxid (ITO) hergestellt.
  • Nach noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung sind der erste Transistor, der zweite Transistor, die Abtastleitung, und die Spannungssteuerungsleitung zwischen der ersten Sub-Pixel Elektrode und der zweiten Sub-Pixel Elektrode angeordnet.
  • Im Gegensatz zu der herkömmlichen Technologie wird nach der vorliegenden Erfindung eine Bodenelektrode einer als Speicherkondensator verwendeten Elektrode zwischen einer Abtastleitung und einer Spannungssteuerungsleitung angeordnet, und eine erste Leitungsfläche und eine zweite Leitungsfläche einer anderen als Speicherkondensator verwendeten Elektrode werden von einer transparenten Leitungsschicht gebildet. Da der Speicherkondensator zwischen der Abtastleitung und der Spannungssteuerungsleitung gebildet wird, hat eine zweite Sub-Pixel Elektrode eine größere Grundrissfläche. Das Öffnungsverhältnis der zweiten Sub-Pixel-Elektrode ist entsprechend erhöht.
  • Diese und andere Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden unter Bezugnahme auf die folgende Beschreibung, die beigefügten Ansprüche und anhängenden Zeichnungen verstanden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Aufbauzeichnung, die einen herkömmlichen Pixel zur Verhinderung von Farbauswaschung zeigt.
  • 2 zeigt eine schematische Darstellung eines LCD-Panels gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 3 ist eine teilweise vergrößerte Darstellung des in 2 dargestellten Bereichs B.
  • 4 bis 7 zeigen schematische Darstellungen der Fertigung des LCD-Panels.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Relative Ortsangaben, wie ”unterhalb”, ”unten”, ”untere”, 'oben”, ”obere” und dergleichen können hierin zur Erleichterung der Beschreibung verwendet werden, um ein Element- oder ein Merkmalverhältnis zu anderen Element(en) oder Merkmal(en) wie in den Figuren dargestellt zu erläutern. Dies ist so zu verstehen, dass die relativen Ortsangaben verschiedene Orientierungen der Vorrichtung während der Verwendung oder dem Betrieb zusätzlich zu der in den Figuren abgebildeten Orientierung umfassen sollen.
  • Bezugnehmend auf 2 und 3, zeigt 2 eine schematische Darstellung eines LCD-Panels 300 gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 3 ist eine teilweise vergrößerte Darstellung des Bereichs B dargestellt in 2. Das LCD-Panel 300 umfasst eine Vielzahl von Datenleitungen, eine Vielzahl von Abtastleitungn, eine Vielzahl von Spannungssteuerungsleitungen, eine Vielzahl von Transistoren und eine Vielzahl von Pixeleinheiten. Jede der Pixeleinheiten umfasst Transistoren 303 und 323, eine erste Sub-Pixel Elektrode 331 und eine zweite Sub-Pixel Elektrode 332. Für ein besseres Verständnis der Darstellung des Ausführungsbeispiels werden nur eine Datenleitung 302, eine Abtastleitung 301, eine gemeinsame Spannungsleitung 305 und eine Spannungssteuerungsleitung 307 in dem Ausführungsbeispiel gezeigt. Ein Gate 371 des ersten Transistors 303 ist mit der Abtastleitung 301 verbunden. Ein Source 373 des ersten Transistors 303 ist mit der Datenleitung 302 verbunden. Ein Gate des zweiten Transistors 323 ist mit der Spannungssteuerungsleitung 307 verbunden. Ein Source des zweiten Transistors 323 ist mit einem Drain 374 des ersten Transistors 303 verbunden. Ein Drain des zweiten Transistors 323 ist mit einer Bodenelektrode 308 verbunden. Außerdem ist der Drain 374 des ersten Transistors 303 mit den ersten und zweiten Sub-Pixel Elektroden 331 und 332 verbunden. Die Spannungssteuerungsleitung 307 wird verwendet, um ein Steuersignal bereitzustellen.
  • Ein Verfahren zum Ansteuern des LCD Panels 300 ist wie folgt: Ein Abtastsignal ausgegeben von einem Gate-Treiber (nicht gezeigt) wird an eine Vielzahl von ersten Transistoren 303 durch die Abtastleitung 301 übertragen, und die Vielzahl von ersten mit der Abtastleitung 301 verbundenen Transistoren 303 wird in der Reihenfolge eingeschaltet. Währenddessen wird ein entsprechendes Datensignal von einem Source-Treiber (nicht gezeigt) ausgegeben und an die Vielzahl von ersten Transistoren 303 über die Datenleitung 302 übertragen. Anschließend durchläuft das Datensignal die Vielzahl von ersten Transistoren 303 und wird an die erste und zweite Sub-Pixel Elektrode 331 und 332 übertragenen, so dass jede der Komponenten die benötigte Spannung bei Vollladung erhält. LCs an den ersten und zweiten Sub-Pixel Elektroden 331 und 332 drehen basierend auf einer Spannungsdifferenz des Datensignals und einer Spannungsdifferenz der gemeinsamen Spannung von der gemeinsamen Spannungsleitung 305. Folglich zeigen die ersten und zweiten Sub-Pixel Elektroden 331 und 332 unterschiedliche Graustufen. Der Gate-Treiber gibt das Abtastsignal zeilenweise an die Vielzahl von Abtastleitungn aus, um die Vielzahl von ersten Transistoren 303 in jeder Reihe anzuschalten. Anschließend lädt/entlädt der Source-Treiber die ersten und zweiten Sub-Pixel Elektroden 331 und 332 in jeder Zeile. Gemäß dieser Sequenz wird ein Bild vollständig auf dem LCD-Panel 300 angezeigt.
  • Ein Fertigungsprozess des LCD-Panels 300 wird wie folgt offenbart. Unter Bezugnahme auf die 4 bis 7, zeigen 4 bis 7 schematische Darstellungen der Fertigung des Flachbildschirm-Panels 300. 4 bis 7 sind auch Querschnittsansichten des Flachbildschirm-Panels 300 entlang der Linien A-A' und C-C' von 3.
  • Bezugnehmend auf 4, dient anfangs ein Glassubstrat 350 als Bodensubstrat. Als nächstes wird eine metallische Dünnfilmabscheidung auf dem Glassubstrat 350 durchgeführt, um eine erste Metallschicht (nicht gezeigt) auf der Oberfläche des Glassubstrats 350 zu bilden. Auch ein erster Fotoätzprozess (photo etching process – PEP) wird unter Verwendung einer ersten Maske durchgeführt, um das Gate 371 des ersten Transistors 303, die gemeinsame Spannungsleitung 305, die Spannungssteuerungsleitung 307 und die Abtastleitung 311 zu ätzen. Die Abtastleitung 301 ist in 4 nicht markiert, jedoch wird der Fachmann erkennen, dass das Gate 371 praktisch ein Teil der Abtastleitung 301 ist.
  • Bezugnehmend auf 3 und 5, wird eine aus Siliziumnitrid (SiNx) gebildete Isolationsschicht 351 abgeschieden und bedeckt das Gate 371, die gemeinsame Spannungsleitung 305, die Spannungssteuerungsleitung 307 und die Abtastleitung 301. Eine amorphe Si(a-Si)-Schicht und eine N+ a-Si-Schicht mit hoher Elektronendotierungskonzentration werden nacheinander auf der Isolationsschicht 351 abgeschieden. Als nächstes bedeckt eine zweite Metallschicht (nicht gezeigt) die a-Si-Schicht und die N+ a-Si-Schicht mit hoher Elektronendotierungskonzentration. Als nächstes wird eine Halbleiterschicht 372 gebildet, nachdem die a-Si-Schicht und die N+ a-Si-Schicht unter Verwendung einer zweiten Maske geätzt wurden. Unterdessen wird die zweite Metallschicht geätzt, um den Source 373, den Drain 374, die Bodenelektrode 308 und die Datenleitung 302 zu bilden. Die Halbleiterschicht 372 weist eine a-Si-Schicht 372a und eine ohmsche Kontaktschicht 372b auf. Die a-Si-Schicht 372a dient als ein Durchgang des ersten Transistors 303. Die ohmsche Kontaktschicht 372b wird zur Verringerung des elektrischen Widerstands verwendet. Die Datenleitung 302 ist in 5 nicht markiert, jedoch ist für den Fachmann zu erkennen, dass der Source 373 praktisch ein Teil der Datenleitung 302 ist.
  • Darüber hinaus werden die a-Si-Schicht, die N+ a-Si-Schicht und die zweite Metallschicht unter Verwendung der zweiten Maske gleichzeitig in der vorliegenden Ausführungsform geätzt. Die Struktur ist in 5 gezeigt. Allerdings werden in einer anderen Ausführungsform unterschiedliche Schritte verwendet. Zunächst werden die a-Si-Schicht und die N+ a-Si-Schicht auf der Isolationsschicht 351 gebildet. Als nächstes werden die a-Si-Schicht und die N+ a-Si-Schicht unter Verwendung der zweiten Maske geätzt, um die Halbleiterschicht 372 zu bilden. Als nächstes wird die zweite Metallschicht auf der Halbleiterschicht 372 und der Isolationsschicht 351 ausgebildet. Schließlich wird die zweite Metallschicht unter Verwendung einer anderen Maske geätzt, um den Source 373, den Drain 374 und die Datenleitung 302 zu bilden.
  • Bezugnehmend auf 3 und 6, wird eine Passivierungsschicht 375 aus SiNx abgeschieden. Als nächstes wird ein dritter Fotoätzprozess (PEP) unter Verwendung einer dritten Maske durchgeführt, um ein Teil der Passivierungsschicht 375 auf dem Drain 374 zu entfernen bis die Oberfläche des Drain 374 freigelegt ist, um eine erste Durchkontaktierung 531, eine zweite Durchkontaktierung 532 und eine dritte Durchkontaktierung 533 zu bilden. Eine Projektion der ersten Durchkontaktierung 531 auf das Glassubstrat 350 ist zwischen einer Projektion der Abtastleitung 301 und einer Projektion der Spannungssteuerungsleitung 307 auf das Glassubstrat 350 angeordnet. Die zweite Durchkontaktierung 532 ist zwischen der Spannungssteuerungsleitung 307 und der zweiten Sub-Pixel Elektrode 332 angeordnet, und reicht durch die Passivierungsschicht 375 und die Isolationsschicht 351. Der zweite Transistor 323 ist in den 4 bis 6 nicht gezeigt, jedoch ist es für den Fachmann erkennbar, dass die Fertigungsreihenfolge des zweiten Transistors 323 identisch mit der des ersten Transistors 303 ist. Nachstehend werden hierzu keine weiteren Details bereitgestellt.
  • Bezugnehmend auf 3 und 7, ist 7 eine Querschnittsansicht des Flachschirm-Panels 300 entlang der Linien A-A 'und C-C' der 3. Eine transparente Leitungsschicht aus Indium-Zinn-Oxid (indium tin oxide – ITO) wird auf der Passivierungsschicht 375 aufgebracht. Als nächstes wird die erste Sub-Pixel Elektrode 331, die zweite Sub-Pixel Elektrode 332 und eine zweite Leitungsfläche 334 gebildet, nachdem die transparente Leitungsschicht unter Verwendung einer vierten Maske geätzt wurde. Die erste Sub-Pixel Elektrode 331 ist über die erste Durchkontaktierung 531 mit dem Drain 374 des ersten Transistors 303 elektrisch verbunden. Die zweite Sub-Pixel Elektrode 332 ist über die dritte Durchkontaktierung 533 mit dem Drain 374 elektrisch verbunden. Die gemeinsame Elektrode 305 ist über die zweite Durchkontaktierung 532 mit der zweiten Leitungsfläche 334 elektrisch verbunden. Die zweite Sub-Pixel Elektrode 332 weist eine erste Leitungsfläche 332a auf, welche eine Spannungssteuerungsleitung 306 überquert. Sowohl die erste Leitungsfläche 332a als auch die zweite Leitungsfläche 334 sind auf der Bodenelektrode 308 angeordnet. Daher wird ein erster Speicherkondensator Cs1 durch die erste Leitungsfläche 332a der zweiten Sub-Pixel Elektrode 332 und die Bodenelektrode 308 gebildet. Ein zweiter Speicherkondensator Cs2 wird durch die zweite Leitungsfläche 334 und die Bodenelektrode 308 gebildet.
  • Bezugnehmend auf 2 sind die ersten, von der Bodenelektrode 308 und der ersten Leitungsfläche 332a der zweiten Sub-Pixel Elektrode 332 gebildeten, Speicherkondensatoren Cs1 und die zweiten, von der Bodenelektrode 308 und der zweiten Leitungsfläche 334 gebildeten, Speicherkondensatoren Cs2 zwischen der Abtastleitung 301 und der Spannungssteuerungsleitung 306 angeordnet. Daher hat die zweite Sub-Pixel Elektrode 332 eine größere Grundrissfläche. Verglichen mit der herkömmlichen Technologie wie in 1 gezeigt, ist das Öffnungsverhältnis der zweiten Sub-Pixel Elektrode 332 mit 69,9% gegenüber 67,17% in der vorliegenden Erfindung erhöht.
  • Während die vorliegende Erfindung in Hinblick auf die praktischsten und bevorzugten Ausführungsformen beschrieben wurde, versteht es sich, dass diese Erfindung nicht auf die offenbarten Ausführungsformen beschränkt ist, sondern verschiedene Anordnungen umfasst, ohne den Schutzbereich der breitesten Auslegung der beigefügten Ansprüche zu verlassen.

Claims (9)

  1. Ein Flüssigkristallanzeige(LCD)-Panel, umfassend: – ein Glassubstrat; – eine, von einer ersten Metallschicht gebildete und auf dem Glassubstrat angeordnete, Abtastleitung, zur Übertragung eines Abtastsignals; – eine, von der ersten Metallschicht gebildete und auf dem Glassubstrat angeordnete, Spannungssteuerungsleitung, zum Übertragen eines Steuersignals; – eine auf der Abtastleitung und der Spannungssteuerungsleitung angeordnete Isolationsschicht, – eine, von einer zweite Metallschicht gebildete und auf der Isolationsschicht angeordnete, Datenleitung, zum Übertragen eines Datensignals; – eine erste Sub-Pixel Elektrode und eine zweite Sub-Pixel Elektrode, die eine erste durch eine transparente Leitungsschicht gebildete Leitungsfläche aufweisen; – einen mit der ersten Sub-Pixel Elektrode elektrisch verbundenen ersten Transistor; – einen mit der Spannungssteuerungsleitung und dem ersten Transistor elektrisch verbundenen zweiten Transistor; – eine, von der ersten Metallschicht ausgebildete und auf dem Glassubstrat angeordnete, gemeinsame Elektrode, zum Übertragen eines gemeinsamen Signals; eine von der transparenten Leitungsschicht gebildete zweite Leitungsfläche, welche mit der gemeinsamen Elektrode elektrisch verbunden ist; – eine von der zweiten Metallschicht gebildete Bodenelektrode, die in einer Seitenansicht auf der Isolationsschicht angeordnet und in einer Draufsicht zwischen der Abtastleitung und der Spannungssteuerungsleitung angeordnet ist, und elektrisch mit dem zweiten Transistor verbunden ist; – einen von der Bodenelektrode und der erste Leitungsfläche der zweiten Sub-Pixel Elektrode gebildeter erster Speicherkondensator; und – einen von der Bodenelektrode und der zweiten Leitungsfläche gebildeter zweiter Kondensator.
  2. Das LCD-Panel nach Anspruch 1, ferner umfassend: – eine auf der zweiten Metallschicht angeordnete Passivierungsschicht; – eine erste Durchkontaktierung durch die Passivierungsschicht, die zwischen der Abtastleitung und der Spannungssteuerungsleitung in der Draufsicht derart angeordnet ist, dass die erste Sub-Pixel Elektrode mit dem ersten Transistor über die ersten Durchkontaktierung elektrisch verbunden ist; und – eine zweite Durchkontaktierung durch die Passivierungsschicht und die Isolationsschicht, die derart zwischen der Spannungssteuerungsleitung und der zweiten Sub-Pixel Elektrode in einer der Draufsicht angeordnet ist, dass die gemeinsame Elektrode elektrisch mit der zweiten Leitungsfläche durch die zweite Durchkontaktierung verbunden ist.
  3. Das LCD-Panel nach Anspruch 2, wobei eine Projektion des ersten Speicherkondensators und eine Projektion des zweiten Speicherkondensators auf das Glassubstrat zwischen einer Projektion der Abtastleitung und einer Projektion der Spannungssteuerungsleitung auf das Glassubstrat angeordnet sind.
  4. Das LCD-Panel nach Anspruch 1, wobei die transparente Leitungsschicht aus Indium-Zinn-Oxid (ITO) hergestellt ist.
  5. Das LCD-Panel nach Anspruch 1, wobei der erste Transistor, der zweite Transistor, die Abtastleitung und die Spannungssteuerungsleitung in der Draufsicht zwischen der ersten Sub-Pixel Elektrode und der zweiten Sub-Pixel Elektrode angeordnet sind.
  6. Ein Verfahren zur Herstellung eines LCD-Panels, umfassend: – Bereitstellen eines Glassubstrats; – Bilden einer ersten Metallschicht auf dem Glassubstrat; – Ätzen der ersten Metallschicht, um ein Gate eines TFT, eine Spannungssteuerungsleitung, eine gemeinsame Leitung und eine Abtastleitung zu bilden; – Bilden einer Isolationsschicht auf dem Gate des TFT, der Spannungssteuerungsleitung, der gemeinsamen Leitung und der Abtastleitung; – Bilden einer zweiten Metallschicht und Ätzen der zweiten Metallschicht, um einen Source und einen Drain des TFT, eine Datenleitung und eine Bodenelektrode zu bilden, die in einer Draufsicht zwischen der Spannungssteuerungsleitung und der Abtastleitung angeordnet ist; – Bilden einer Passivierungsschicht auf der zweiten Metallschicht; – Ätzen der Passivierungsschicht um eine erste und eine zweite Durchkontaktierung zu bilden; und – Bilden einer transparenten Leitungsschicht und Ätzen der transparenten Leitungsschicht, um eine erste Sub-Pixel Elektrode, eine zweite Sub-Pixel Elektrode, und eine zweite Leitungsfläche zu bilden, wobei die erste Sub-Pixel Elektrode mit dem TFT durch die erste Durchkontaktierung elektrisch verbunden ist; die gemeinsame Leitung mit der zweiten Leitungsfläche durch die zweite Durchkontaktierung elektrisch verbunden ist; ein erster Speicherkondensator durch die Bodenelektrode und die erste Leitungsfläche der zweiten Sub-Pixel-Elektrode gebildet wird; und ein zweiter Speicherkondensator durch die Bodenelektrode und die zweite Leitungsfläche gebildet wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei eine Projektion des ersten Speicherkondensators und eine Projektion des zweiten Speicherkondensators auf dem Glassubstrat zwischen einer Projektion der Abtastleitung und einer Projektion der Spannungssteuerungsleitung auf dem Glassubstrat angeordnet sind.
  8. Verfahren nach Anspruch 6, wobei die transparente Leitungsschicht aus Indium-Zinn-Oxid (ITO) hergestellt ist.
  9. Verfahren nach Anspruch 6, wobei der erste Transistor, der zweite Transistor, die Abtastleitung und die Spannungssteuerungsleitung zwischen der ersten Sub-Pixel Elektrode und der zweiten Sub-Pixel Elektrode angeordnet sind.
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