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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Technisches Gebiet
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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und eine Vorrichtung zur Herstellung einer Solarzelle, insbesondere, ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und eine Vorrichtung zur Herstellung einer Solarzelle, bei denen es möglich ist, einen Strukturfehler zu geringen Kosten schnell zu detektieren und auszubessern.
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Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der
japanischen Patentanmeldung Nr. 2008-283166 , eingereicht am 4. November 2008, deren Inhalte hiermit in Gänze durch Referenz einbezogen werden.
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Technischer Hintergrund
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In den vergangenen Jahren wurden Solarzellen mit Blick auf eine effiziente Nutzung von Energie wert verbreiteter genutzt als jemals zuvor.
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Im Besonderen hat eine Solarzelle, in der ein Siliziumeinkristall verwendet wird, einen hohen Energieumwandlungseffizienzgrad pro Flächeneinheit.
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Demgegenüber wird jedoch in der Solarzelle, in der der Siliziumeinkristall verwendet wird, ein Siliziumeinkristallingot in Scheiben geschnitten, und ein geschnittener Siliziumwafer wird in der Solarzelle verwendet. Daher wird eine große Energiemenge aufgewendet, um den Ingot herzustellen, und die Herstellungskosten sind hoch.
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Im Besonderen zur Zeit steigen in dem Fall, in dem eine Solarzelle mit einer großen Fläche realisiert wird, die im Freien oder dergleichen angeordnet wird, die Kosten deutlich, wenn die Solarzelle unter Verwendung eines Siliziumeinkristalls hergestellt wird.
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Dementsprechend ist, als eine kostengünstige Solarzelle, eine Solarzelle weit verbreitet, die kostengünstig hergestellt werden kann und die eine dünne Schicht aus amorphem Silizium verwendet.
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Eine amorphe Siliziumsolarzelle verwendet Halbleiterschichten einer geschichteten Anordnung, die als PIN-Übergang bezeichnet wird, in der eine amorphe Siliziumschicht (I-Typ) zwischen Siliziumschichten des P-Typs und des N-Typs angeordnet ist, wobei die amorphe Siliziumschicht (I-Typ) Elektronen und Löcher erzeugt, wenn sie Licht empfängt.
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Eine Elektrode ist auf beiden Seiten der Halbleiterschichten ausgebildet.
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Die von Sonnenlicht erzeugten Elektronen und Löcher bewegen sich aktiv aufgrund einer Differenz in den elektrischen Potenzialen zwischen Halbleitern des P-Typs und des N-Typs, und eine Differenz in den elektrischen Potenzialen zwischen beiden Seiten der Elektroden wird erzeugt, wenn ihr Transfer fortlaufend wiederholt wird.
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Als eine besondere Anordnung der amorphen Siliziumsolarzelle, wie sie oben beschrieben ist, wird beispielsweise eine Anordnung verwendet, in der eine transparente Elektrode als untere Elektrode durch Ausbilden von TCO (Transparentes Leitendes Oxid) oder dergleichen auf einem Glassubstrat ausgebildet wird, und eine aus amorphem Silizium bestehende Halbleiterschicht und eine obere Elektrode, die durch eine Ag-Dünnschicht oder dergleichen gebildet wird, darauf ausgebildet werden.
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In der amorphen Siliziumsolarzelle, die mit einem photoelektrischen Wandler versehen ist, der aus den vorstehenden oberen und unteren Elektroden und der Halbleiterschicht besteht, ist die Differenz in den elektrischen Potenzialen klein, wenn jede der Schichten, die eine große Fläche aufweisen, durchgehend auf dem Substrat ausgebildet ist, und es besteht das Problem, dass der Widerstand ansteigt.
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Dementsprechend wird die amorphe Siliziumsolarzelle beispielsweise dadurch ausgebildet, dass Kammerelemente ausgebildet werden, um so die photoelektrischen Wandler in einer vorbestimmten Größe zu trennen, und dass benachbarte Kammerelemente elektrisch miteinander verbunden werden.
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Im Besonderen wird eine Anordnung verwendet, bei der eine Rille, die als Ritzlinie bezeichnet wird, unter Verwendung von Laserlicht oder dergleichen auf dem photoelektrischen Wandler, der eine große, durchgehend auf dem Substrat ausgebildete Fläche aufweist, ausgebildet wird, wodurch eine Mehrzahl von Kammerelementen, die in einer längslaufenden rechteckigen Form ausgebildet sind, erhalten werden, und bei der die Kammerelemente elektrisch in Reihe verbunden werden.
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Allerdings ist es bekannt, dass bei einer amorphen Siliziumsolarzelle, die die vorstehende Anordnung aufweist, während eines Herstellungsschrittes einige Strukturdefekte auftreten.
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Z. B. können beim Ausbilden der amorphen Siliziumschicht die obere Elektrode und die untere Elektrode lokal kurzgeschlossen werden, da sich Partikel dazumischen oder kleine Löcher dann auftreten.
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Wenn bei dem oben genannten photoelektrischen Wandler Strukturdefekte auftreten, so dass die obere Elektrode und die untere Elektrode mit der dazwischen angeordneten Halbleiterschicht örtlich lokal kurzgeschlossen werden, verursachen diese Defekte Fehlfunktionen, so dass die Energieerzeugungsspannung oder die photoelektrische Wandlungseffizienz verschlechtert werden.
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Dementsprechend wird in einem Prozess zur Herstellung einer konventionellen amorphen Siliziumsolarzelle durch Detektieren der Strukturdefekte, wie etwa des vorstehenden Kurzschließens oder dergleichen, und durch Entfernen der Bereiche, in denen die Strukturdefekte auftreten, die Fehlfunktion verbessert.
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Ein Verfahren zum Spezifizieren des Kammerelements, an dem ein Strukturdefekt vorhanden ist, durch Anlegen einer Vorspannung an jedes der Kammerelemente, die durch Ritzlinien getrennt sind, in Gänze, und durch Detektieren Joule'scher Wärme, die an kurzgeschlossenen Abschnitten erzeugt wird, unter Verwendung eines Infrarotlichtsensors ist beispielsweise in der ungeprüften
japanischen Patentanmeldung, Erstveröffentlichung Nr. H9-266322 , offenbart.
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Darüber hinaus ist ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle, bei dem das Auftreten eines Defekts, der ein Kurzschließen oder dergleichen an einem Ritzlinien-Ausbildungsbereich verursacht, unterdrückt wird, in der ungeprüften
japanischen Patentanmeldung, Erstveröffentlichung Nr. 2008-66453 , offenbart.
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In Fällen, in denen Bereiche, bei denen Strukturdefekte auf einem Kammerelement auftreten, entfernt werden, ist ein Verfahren allgemein bekannt, eine Rille (Ausbesserungslinie) mit Laserlicht auszubilden, um so den Strukturdefekt zu umschließen, und den Bereich, in dem der Strukturdefekt vorhanden ist, elektrisch von dem Bereich, in dem der Strukturdefekt nicht vorhanden ist, zu trennen, und dadurch Missstände, wie etwa ein Kurzschließen, zu vermeiden.
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Wenn der Strukturdefekt durch die vorstehende Ausbesserungslinie elektrisch getrennt wird, wird das Ausrichten der Position, die mit Laserlicht bestrahlt wird, üblicherweise mit Bezug auf den Endbereich des Substrates, an dem das Kammerelement auszubilden ist, durchgeführt.
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Allerdings ist, in dem Fall, dass der Endbereich des Substrates als Ausrichtungsreferenz der Laserlichtposition gesetzt wird und die Ausbesserungslinie, die elektrisch in den Bereich, in dem der Strukturdefekt vorhanden ist, und den Bereich, in dem der Strukturdefekt nicht vorhanden ist, trennt, ausgebildet wird, wenn eine Ausbesserungslinie auf einer großformatigen Solarzelle ausgebildet wird, ein großformatiger Solarzellen-Transfertisch notwendig, der in der Lage ist, die Solarzelle mit einem hohen Maß an Präzision zu bewegen.
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Ein Transfertisch, auf dem z. B. eine großformatige Solarzelle, die eine Größe von mehr als einem Meter aufweist, gelagert ist, und bei dem eine Bewegungsgenauigkeit von ungefähr einigen 10 μm unterstützt wird, ist extrem teuer, und es bestehen daher Bedenken, dass die Kosten zur Herstellung großformatiger Solarzellen in Massenproduktion signifikant ansteigen.
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Die vorliegende Erfindung wurde im Hinblick auf die oben beschriebene Situation gemacht und hat als eine Aufgabe, ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und eine Vorrichtung zur Herstellung einer Solarzelle bereitzustellen, bei denen ein Bereich, in dem ein Strukturdefekt vorhanden ist, akkurat von einem Bereich, in dem der Strukturdefekt nicht vorhanden ist, getrennt wird, und es möglich ist, den Strukturdefekt zuverlässig zu entfernen, selbst in einem Fall, bei dem ein preiswerter Transfertisch, der einen geringen Grad an Bewegungsgenauigkeit aufweist, verwendet wird.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Um das oben beschriebene Problem zu lösen, stellt die vorliegende Erfindung das nachfolgende Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle bereit.
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D. h., ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung beinhaltet: Ausbilden eines photoelektrischen Wandlers, der eine Mehrzahl von Kammerelementen aufweist, die durch eine Ritzlinie getrennt sind, und bei dem benachbarte Kammerelemente elektrisch verbunden sind; Detektieren eines Strukturdefekts, der in einem Kammerelement vorhanden ist (Defektdetektionsschritt); Spezifizieren einer Position, an der der Strukturdefekt vorhanden ist, als Abstandsdaten, die einen Abstand zwischen dem Strukturdefekt und der Ritzlinie die den Strukturdefekt am nächsten ist angeben (Defektpositionsspezfizierungsschritt); und Entfernen eines Bereichs, in dem der Strukturdefekt vorhanden ist, basierend auf den Abstandsdaten (Ausbesserungsschritt).
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Bei dem Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass, wenn die Position, an der der Strukturdefekt vorhanden ist, spezifiziert wird (Defektpositionsspezifizierungsschritt), ein Bereich, der den Strukturdefekt und die Ritzlinie die dem Strukturdefekt am nächsten ist beinhaltet, aufgenommen wird, wobei ein Bild durch Aufnehmen des Bereichs erhalten wird, und wobei die Position, an der der Strukturdefekt vorhanden ist, basierend auf dem Bild als die Abstandsdaten spezifiziert wird.
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Bei dem Verfahren zur Herstellung der Solarzelle gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass, wenn der Bereich, in dem der Strukturdefekt vorhanden ist, entfernt wird (Ausbesserungsschritt), der Bereich, in dem der Strukturdefekt vorhanden ist, durch Bestrahlung mit Laserlicht basierend auf den Abstandsdaten entfernt wird.
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Um das oben beschriebene Problem zu lösen, stellt die vorliegende Erfindung zusätzlich die nachfolgende Vorrichtung zur Herstellung einer Solarzelle bereit.
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D. h., bei einer Vorrichtung zur Herstellung einer Solarzelle gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung beinhaltet eine Solarzelle einen photoelektrischen Wandler, der eine Mehrzahl von Kammerelementen aufweist, die durch eine Ritzlinie getrennt sind, und bei dem benachbarte Kammerelemente elektrisch verbunden sind. Die Vorrichtung umfasst: einen Defektdetektionsteil, der einen Strukturdefekt, der in dem Kammerelement vorhanden ist, detektiert; einen Defektpositionsspezifizierungsteil, der eine Position, an der der Strukturdefekt vorhanden ist, als Abstandsdaten, die einen Abstand zwischen dem Strukturdefekt und der Ritzlinie die dem Strukturdefekt am nächsten ist angeben, spezifiziert; und einen Ausbesserungsteil, der den Bereich, in dem der Strukturdefekt vorhanden ist, basierend auf den Abstandsdaten entfernt.
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Bei der Vorrichtung zur Herstellung einer Solarzelle gemäß dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass der Defektpositionsspezifizierungsteil ein Bildaufnahmegerät umfasst, das einen Bereich aufnimmt, der den Strukturdefekt und die Ritzlinie die dem Strukturdefekt am nächsten ist beinhaltet.
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Bei der Vorrichtung zu Herstellung einer Solarzelle gemäß dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass der Ausbesserungsteil ein Lasergerät ist.
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Bei der Vorrichtung zu Herstellung einer Solarzelle gemäß dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass der Defektpositionsspezifizierungsteil und der Ausbesserungsteil ein gemeinsames optisches System umfassen.
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Bei der Vorrichtung zu Herstellung einer Solarzelle gemäß dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass der Defektpositionsspezifizierungsteil umfasst: eine Kamera, die durch Aufnehmen des Strukturdefekts und der Ritzlinie ein Bild erhält; und ein optisches System, das ein Aufnahmevergrößerungsverhältnis einstellt, um zu bewirken, dass der Strukturdefekt und die Ritzlinie in dem Bild beinhaltet sind.
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Bei der Vorrichtung zu Herstellung einer Solarzelle gemäß dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass der Defektpositionsspezifizierungsteil und der Ausbesserungsteil ein gemeinsames optisches System umfassen, wobei der Defektpositionsspezifizierungsteil ein Ritzlinienbild, das zu der Ritzlinie korrespondiert und das in dem Bild beinhaltet ist, und ein Strukturdefektbild, das zu dem Strukturdefekt korrespondiert und das in dem Bild beinhaltet ist, verwendet und Positionsdaten und Größendaten des Strukturdefektbildes basierend auf einer Breite des Ritzlinienbildes erstellt, wobei der Ausbesserungsteil ein Lasergerät, das den Strukturdefekt mit Laserlicht bestrahlt, und einen Laserbestrahlungspositionstransferteil, der eine relative Position zwischen dem Strukturdefekt und dem Lasergerät steuert, umfasst, wobei der Ausbesserungsteil eine Position des Laserbestrahlungspositionstransferteils basierend auf den Positionsdaten und den Größendaten des Strukturdefektbildes und dem Laserbestrahlungszielpunkt steuert, und wobei das Lasergerät das Kammerelement mit dem Laserlicht und den Bereich, in dem der Strukturdefekt vorhanden ist, in einer Stellung entfernt, in der eine Position auf dem Kammerelement, die mit dem Laserlicht bestrahlt wird, mit einem Laserbestrahlungszielpunkt auf dem Bild übereinstimmt. Der Laserbestrahlungspositionstransferteil ist z. B. ein X-Y-Koordinatentisch.
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Effekte der Erfindung
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Nach dem Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Position der Ritzlinie basierend auf den Bilddaten, die von dem Bildaufnahmegerät erhalten werden, in einem Bildanalysegerät spezifiziert und es ist möglich, die Position auf dem Kammerelement, die mit Laserlicht bestrahlt wird, akkurat mit Bezug auf Laserlichtbestrahlungspositionsdaten, die im Voraus gespeichert werden, zu bestimmen.
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In einem herkömmlichen Fall ist, da die Bewegung des Tisches, auf dem eine Solarzelle gelagert ist, mit Bezug auf eine Ausrichtungsmarkierung, die an dem Rand des Substrates oder an einem Eckbereich (Endbereich) des Substrates bereitgestellt ist, gesteuert wird, ein extrem teurer Tisch notwendig, der in der Lage ist, die Solarzelle über eine Mikrodistanz, wie etwa einige μm, zu bewegen, nachdem die großformatige Solarzelle, die eine Länge von mehreren Meter aufweist, über z. B. einen Meter bewegt wurde.
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Demgegenüber nimmt, gemäß der vorliegenden Erfindung, das Bildaufnahmegerät, nachdem das Substrat vorläufig so bewegt wurde, dass eine ungefähre Position, an der der Strukturdefekt vorhanden ist, mit der Position des Bildaufnahmegeräts korrespondiert, den Bereich, in dem der Strukturdefekt vorhanden ist, auf, wobei der Abstand zwischen dem Strukturdefekt und der Ritzlinie die dem Strukturdefekt am nächsten ist in dem Bildanalysegerät basierend auf den Bilddaten, die von dem Bildaufnahmegerät erhalten wurden, berechnet wird, und die Position des Tisches gesteuert wird.
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Daher ist es nicht notwendig, einen teuren Tisch zu verwenden, der z. B. mit einem hohen Maß an Präzision in einem werten Bereich von z. B. mehreren μm bis zu mehreren Meter gesteuert werden kann.
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Aus diesem Grund ist es möglich, einen Strukturdefekt unter Verwendung eines preiswerten Tisches akkurat elektrisch zu trennen (entfernen).
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Nach der Vorrichtung zur Herstellung einer Solarzelle gemäß der vorliegenden Erfindung nimmt das Bildaufnahmegerät, nachdem das Substrat vorläufig so bewegt wurde, dass eine ungefähre Position, an der der Strukturdefekt vorhanden ist, mit der Position des Bildaufnahmegeräts korrespondiert, den Bereich, in dem der Strukturdefekt vorhanden ist, auf, wobei der Abstand zwischen dem Strukturdefekt und der Ritzlinie die dem Strukturdefekt am nächsten ist von dem Bildanalysegerät basierend auf Bilddaten, die von dem Bildaufnahmegerät erhalten wurden, berechnet wird und die Position des Tisches gesteuert wird.
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Daher ist es nicht notwendig, einen teuren Tisch zu verwenden, der z. B. mit einem hohen Maß an Präzision gesteuert werden kann.
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Aus diesem Grund ist es möglich, einen Strukturdefekt unter Verwendung eines preiswerten Tisches akkurat elektrisch zu trennen (entfernen).
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist eine vergrößerte perspektivische Ansicht, die ein Beispiel einer amorphen Siliziumsolarzelle zeigt.
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2a ist eine Schnittdarstellung, die ein Beispiel einer amorphen Siliziumsolarzelle zeigt.
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2b ist eine Schnittdarstellung, die ein Beispiel einer amorphen Siliziumsolarzelle zeigt, und ist eine vergrößerte Ansicht, die einen vergrößerten Ausschnitt, der in 2a durch das Bezugszeichen B repräsentiert wird, zeigt.
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3 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle gemäß der vorliegenden Erfindung illustriert.
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4 ist eine Schnittdarstellung, die ein Beispiel eines Strukturdefekts, der in der Solarzelle vorhanden ist, zeigt.
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5 ist ein schematisches Diagramm, das eine Defektpositionsspezifizierungs-Ausbesserungsvorrichtung zeigt.
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6 ist eine Draufsicht, die einen Schritt zum Spezifizieren einer Position des Strukturdefekts illustriert.
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7a ist ein Diagramm, das schematisch ein optisches System, einen Laserlichtpfad und einen Bereich, der mit Laserlicht bestrahlt wird, der Defektpositionsspezifizierungs-Ausbesserungsvorrichtung illustriert.
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7b ist ein Diagramm, das schematisch ein optisches System, einen Laserlichtpfad und einen Bereich, der mit Laserlicht bestrahlt wird, der Defektpositionsspezifizierungs-Ausbesserungsvorrichtung illustriert.
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BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Nachstehend wird die beste Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung einer Solarzelle und einer dafür verwendeten Vorrichtung zur Herstellung einer Solarzelle, die die vorliegende Erfindung betreffen, mit Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
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Das Ausführungsbeispiel wird im Besonderen dazu erläutert, ein angemessenes Verständnis des Umfangs der vorliegenden Erfindung zu gewährleisten.
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Der technische Umfang der Erfindung ist nicht auf die nachstehend beschriebenen Ausführungsformen beschränkt, sondern es können verschiedene Abwandlungen vorgenommen werden, ohne dass der Umfang der Erfindung verlassen wird.
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In den jeweiligen Figuren, die in der nachstehend beschriebenen Erläuterung verwendet werden, sind, um den jeweiligen Elementen in der Zeichnung eine verständliche Größe zu geben, die Dimensionen und die Proportionen der jeweiligen Elemente im Vergleich zu den echten Elementen je nach Bedarf abgewandelt.
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1 ist eine vergrößerte perspektivische Ansicht, die ein Beispiel eines Hauptteils einer amorphen Siliziumsolarzelle zeigt, die durch ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde.
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Zusätzlich ist 2a ein Schnittbild, das eine geschichtete Anordnung der in 1 gezeigten Solarzelle zeigt.
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2b ist eine vergrößerte Ansicht, die einen vergrößerten Ausschnitt, der in 2a durch das Bezugszeichen B repräsentiert wird, zeigt.
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Eine Solarzelle 10 weist einen photoelektrischen Wandler 12 auf, der auf einer ersten Seite 11a (eine der Seiten) eines transparenten Substrates 11 mit einer isolierenden Eigenschaft ausgebildet ist.
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Das Substrat 11 ist aus einem isolierenden Material mit einem hohen Grad an Sonnenlichttransparenz und Haltbarkeit, wie etwa ein Karas (engl. ”karas”) oder ein transparentes Harz, gebildet.
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Sonnenlicht fällt auf einer zweiten Seite 11b (die andere der Seiten) des Substrates 11 ein.
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In dem photoelektrischen Wandler 12 sind eine erste Elektrodenschicht 13 (untere Elektrode), eine Halbleiterschicht 14, und eine zweite Elektrodenschicht 15 (obere Elektrode) in dieser Reihenfolge in Schichten auf dem Substrat 11 übereinander angeordnet.
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Die erste Elektrodenschicht 13 (untere Elektrode) ist aus einem transparenten leitenden Material, z. B. ein Metalloxid (TCO) mit einer optischen Transparenz, wie etwa ITO (Indium Zinnoxid), gebildet.
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Zusätzlich ist die zweite Elektrodenschicht 15 (obere Elektrode) aus einer leitenden Metallschicht, wie etwa Ag oder Cu, gebildet.
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Wie in 2B gezeigt, weist die Halbleiterschicht 14 z. B. eine PIN-Übergangsanordnung auf, in der eine Schicht 16 amorphen Siliziums des I-Typs ausgebildet und zwischen einer Schicht 17 amorphen Siliziums des P-Typs und einer Schicht 18 amorphen Siliziums des N-Typs angeordnet ist.
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Dementsprechend werden, wenn Sonnenlicht auf der Halbleiterschicht 14 einfällt, Elektronen und Löcher erzeugt, wobei die Elektronen und Löcher sich aktiv aufgrund einer Differenz in den elektrischen Potenzialen zwischen der Schicht 17 amorphen Siliziums des P-Typs und der Schicht 18 amorphen Siliziums des N-Typs bewegen, wobei eine Differenz in den elektrischen Potenzialen zwischen der ersten Elektrodenschicht 13 und der zweiten Elektrodenschicht 15 erzeugt wird, wenn ihr Transfer fortlaufend wiederholt wird (photoelektrische Wandlung).
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Der photoelektrische Wandler 12 ist durch Ritzlinien 19 (engt. ”scribing line” oder ”scribe line”) in eine Mehrzahl von Kammerelementen 21, 21, ..., deren äußere Form eine längslaufende rechteckige Form aufweist, geteilt.
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Die Kammerelemente 21, 21, ... sind elektrisch voneinander getrennt und benachbarte Kammerelemente 21, 21, ... sind elektrisch in Reihe miteinander verbunden.
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Bei dieser Anordnung weist der photoelektrische Wandler 12 eine Anordnung auf, bei der alle Kammerelemente 21, 21, ... elektrisch in Reihe verbunden sind.
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Bei dieser Anordnung ist es möglich, einen elektrischen Strom mit einem hohen Maß an Differenz in den elektrischen Potenzialen zu extrahieren.
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Die Ritzlinien 19 werden z. B. dadurch ausgebildet, dass unter Verwendung von Laserlicht oder dergleichen Rillen mit einem vorbestimmten Abstand auf dem photoelektrischen Wandler ausgebildet werden nachdem der photoelektrische Wandler durchgehend auf der ersten Seite 11a des Substrates 11 ausgebildet wurde.
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Zusätzlich ist es bevorzugt, dass eine Schutzschicht (nicht gezeigt), die aus einem Isolationsharz oder dergleichen besteht, des Weiteren auf der zweiten Elektrodenschicht 15 (obere Elektrode) des vorstehenden photoelektrischen Wandlers 12 ausgebildet wird.
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Ein Herstellungsverfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit der vorgenannten Anordnung wird nachstehend beschrieben.
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3 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zur Herstellung der Solarzelle gemäß der vorliegenden Erfindung schrittweise illustriert.
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Bei dem Verfahren werden im besonderen Schritte zwischen einem Schritt des Spezifizierens eines Strukturdefekts und einem Schritt des Ausbesserns des Strukturdefekts im Detail beschrieben.
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Zunächst wird, wie in 1 gezeigt, ein photoelektrischer Wandler 12 auf einer ersten Seite 11a eines transparenten Substrates 11 ausgebildet (photoelektrischer Wandler-Ausbildungsschritt: P1).
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Als eine Anordnung des photoelektrischen Wandlers 12 wird z. B. eine Anordnung verwendet, bei der eine erste Elektrodenschicht 13 (untere Elektrode), eine Halbleiterschicht 14, und eine zweite Elektrodenschicht 15 (obere Elektrode) in dieser Reihenfolge in Schichten auf der ersten Seite 11a des Substrat 11 übereinander angeordnet sind.
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Bei dem Schritt des Ausbildens des photoelektrischen Wandlers 12, der die vorstehende Anordnung aufweist, gibt es, wie in 4 gezeigt, einen Fall, bei dem eine Fehlfunktion, wie etwa ein Strukturdefekt A1, der dadurch erzeugt und verursacht wird, dass Unreinheiten oder dergleichen in die Halbleiterschicht 14 (Verunreinigung) gemischt werden, oder ein Strukturdefekt A2, bei dem mikroskopisch kleine Löcher in der Halbleiterschicht 14 erzeugt werden, erzeugt wird.
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Die vorstehenden Strukturdefekte A1 und A2 bewirken, dass die erste Elektrodenschicht 13 und die zweite Elektronenschicht 15 lokal kurzgeschlossen werden (Leckstelle) und vermindern die Leistungserzeugungseffizienz.
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Als nächstes werden Ritzlinien 19 (Ritzlinie) durch Bestrahlen des photoelektrischen Wandlers 12 mit z. B. einem Laserlicht oder dergleichen ausgebildet, wobei eine Mehrzahl von getrennten Kammerelementen 21, 21, ..., in einer längslaufenden rechteckigen Form ausgebildet werden (Kammerelementausbildungsschritt: P2).
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In der durch die oben beschriebenen Schritte ausgebildeten Solarzelle 10 werden Strukturdefekte, die in den Kammerelementen 21, 21, ... vorhanden sind (Defekte, die durch die oben beschriebenen A1 und A2 verkörpert werden), detektiert (Defektdetektionsschritt: P3).
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In einem Verfahren zum Detektieren der Strukturdefekte, die in den Kammerelementen 21, 21, ... vorhanden sind, wird in dem Defektdetektionsschritt eine vorbestimmte Defektdetektionsvorrichtung verwendet.
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Die Defektdetektionsvorrichtung ist nicht auf bestimmte Typen beschränkt.
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Als ein Beispiel des Defektdetektionsverfahrens wird ein Verfahren angenommen, bei dem Widerstände zwischen benachbarten Kammerelementen 21 und 21 in der längsseitigen Richtung des Kammerelements 21 mit einem vorbestimmten Abstand gemessen werden und ein Bereich, in dem die Widerstände abnehmen, d. h., ein ungefährer Bereich, für den angenommen wird, dass dort ein Defekt, der einen Kurzschluss verursacht, vorhanden ist, spezifiziert wird.
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Zusätzlich wird z. B. ein Verfahren angenommen, bei dem eine Vorspannung an ein Kammerelement in Gänze angelegt wird und ein ungefährer Bereich, in dem ein Strukturdefekt vorhanden ist, durch Detektieren Joule'scher Wärme, die in einem kurzgeschlossenen Bereich (Bereich, in dem ein Strukturdefekt vorhanden ist) erzeugt wird, mit Hilfe eines Infrarotlichtsensors spezifiziert wird.
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Wenn der ungefähre Bereich, in dem ein Strukturdefekt vorhanden ist, unter Verwendung des oben beschriebenen Verfahrens in den Kammerelementen 21, 21, ... bestätigt (gefunden) wird, werden nachfolgend, als ein Vorschritt für das elektrische Trennen des Strukturdefekts unter Verwendung von Laserlicht, genaue Positionen des Strukturdefekts gemessen (Defektpositionsspezifizierungsschritt: P4).
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5 ist ein schematisches Diagramm, das eine Defektpositionsspezifizierungs-Ausbesserungsvorrichtung (Vorrichtung zur Herstellung einer Solarzelle) gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt, die in einem Defektpositionsspezifizierungsschritt oder in einem Ausbesserungsschritt, der der nächste Schritt ist, verwendet wird.
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Die Defektpositionsspezifizierungs-Ausbesserungsvorrichtung 30 beinhaltet einen Tisch (Transfertisch) 31, auf dem die Solarzelle 10 gelagert ist, und ein Bildaufnahmegerät 32 (Kamera), das die Kammerelemente 21, 21, ... der auf dem Tisch 31 gelagerten Solarzelle 10 mit einem hohen Maß an Genauigkeit aufnimmt.
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Ein Bildanalysegerät 34 (Defektpositionsspezifizierungsteil) ist mit dem Bildaufnahmegerät 32 (Defektpositionsspezifizierungsteil) verbunden.
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Zusätzlich ist ein Tischbewegungsmechanismus 35 (Laserbestrahlungspositionsbewegungsteil, Ausbesserungsteil), der die Bewegung des Tisches 31 steuert, mit dem Tisch 31 verbunden.
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Der Tischbewegungsmechanismus 35 steuert die relative Position zwischen dem Strukturdefekt D und einem Lasergerät 33 und bewegt den Tisch 31 mit Bezug auf die Position des Lasergeräts 33.
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Das Bildaufnahmegerät 32 oder das Bildanalysegerät 34 stelle den Defektdetektionsspezifizierungsteil dar.
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Zusätzlich beinhaltet die Defektpositionsspezifizierungs-Ausbesserungsvorrichtung 30 das Lasergerät 33 (Ausbesserungsteil), das den Strukturdefekt Delektrisch von dem Bereich, in dem der Strukturdefekt nicht vorhanden ist, trennt (entfernt).
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Das Lasergerät 33 bestrahlt den Strukturdefekt oder den Bereich nahe dem Strukturdefekt D mit Laserlicht.
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Der Tisch 31 ist ein Gerät, auf dem die Solarzelle 10 gelagert ist, und bewegt die Solarzelle 10 mit einem vorbestimmten Maß an Präzision in Richtung der X- und Y-Achse.
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Das Bildaufnahmegerät 32 beinhaltet eine Kamera, die z. B. mit einem Festkörperbildabtastgerät (CCD) ausgestattet ist.
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Das Lasergerät 33 ist an einer vorbestimmten Position befestigt.
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Das Substrat der Solarzelle 10 wird mit Laserlicht, das von dem Lasergerät 33 erzeugt wird, bestrahlt.
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Als das Lasergerät 33 wird z. B. ein Gerät, das grünes Laserlicht abstrahlt, verwendet.
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Das Bildanalysegerät 34 detektiert die Grenze zwischen dem Kammerelement 21 und der Ritzlinie 19, d. h. eine Kantenlinie E entlang der Längsrichtung des Kammerelements 21, basierend auf Aufnahmedaten, die von dem Bildaufnahmegerät 32 erhalten werden.
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Zusätzlich berechnet das Bildanalysegerät 34 den Abstand zwischen der Kantenlinie E und der Position des Strukturdefekts D in den Aufnahmedaten im Hinblick auf die Auflösung oder das Vergrößerungsverhältnis des Bildes (Aufnahmevergrößerungsverhältnis).
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Außerdem ist ein RAM 36 mit dem Bildanalysegerät 34 verbunden, wobei die Bestrahlungsposition des von dem Lasergerät 33 ausgestrahlten Laserlichts mit Bezug auf den Tisch 31 in dem RAM 36 gespeichert wird.
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In dem Defektpositionsspezifizierungsschritt (P4) wird zunächst der Tisch 31 so bewegt, dass der Aufnahmebereich des Bildaufnahmegeräts 32 mit dem ungefähren Bereich, in dem der Strukturdefekt, der in dem Defektdetektionsschritt (P3) des vorangegangenen Schritts (P4a) detektiert wurde, vorhanden ist, übereinstimmt.
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Das Bildaufnahmegerät 32 nimmt den Bereich, der den in dem Kammerelement 21 vorhandenen Strukturdefekt D und die Ritzlinie 19 die dem Strukturdefekt D am nächsten ist beinhaltet, bei einem vorbestimmten Vergrößerungsverhältnis und einer Auflösung auf und erhält Bilddaten (siehe 6).
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Das auf die oben beschriebene Art und Weise erhaltene Bild (Bereichsbild, Bilddaten) beinhaltet: ein Ritzlinienbild (Bilddaten der Ritzlinie), das zu der auf dem Substrat 11 ausgebildeten Ritzlinie 19 korrespondiert, und ein Strukturdefektbild (Bilddaten des Strukturdefekts), das zu dem in dem photoelektrischen Wandler 12 erzeugten Strukturdefekt D korrespondiert.
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Die das vorstehende Ritzlinienbild und Strukturdefektbild beinhaltenden Bilddaten werden in das Bildanalysegerät 34 eingegeben.
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In dem Bildanalysegerät 34 wird zunächst die Position der Ritzlinie 19 basierend auf den eingegebenen Bilddaten spezifiziert (P4b).
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Bei dem Spezifizieren der Ritzlinie 19 ist es nur notwendig, die Position der Kante E der Ritzlinie 19 basierend auf einer Differenz im Kontrast des Bildes, der z. B. durch den Unterschied in einem Material oder den Unterschied in einer Höhe (Unterschied in der Dicke) zwischen dem Ausbildungsbereich des Kammerelements 21 und dem Bereich der Ritzlinie 19 verursacht wird, zu spezifizieren.
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Als nächstes werden Laserlichtbestrahlungspositionsdaten relativ zu dem Tisch 31, die im Voraus in dem RAM 36 gespeichert wurden, mit Bezug auf das RAM 36 ausgelesen.
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Der Abstand Δt zwischen dem Strukturdefekt D und der Kante E der Ritzlinie 19 wird basierend auf den Bestrahlungspositionsdaten und den Positionsdaten der Kante E der Ritzlinie 19 berechnet (P4c).
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Nachfolgend wird in dem Ausbesserungsschritt (P5) der Tisch 31 basierend auf den in dem Defektpositionsspezifizierungsschritt (P4) erhaltenen Abstandsdaten Δt zwischen dem Strukturdefekt D und der Ritzlinie 19 genau geführt (P5a), so dass die Position, die mit Laserlicht bestrahlt wird, mit der Position, die zu dem Strukturdefekt D benachbart angeordnet ist, übereinstimmt.
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Dementsprechend wird auf das Kammerelement 21 fokussiert und es wird mit Laserlicht von dem Lasergerät 33 bestrahlt und eine Ausbesserungslinie R, die den Strukturdefekt D umschließt, wird ausgebildet (P5b).
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Durch Ausbilden der Ausbesserungslinie R wird der Strukturdefekt D elektrisch von dem anderen Bereich, in dem keine Defekte auftreten, getrennt (entfernt).
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Wenn die Ausbesserungslinie R in der oben beschriebenen Art und Weise ausgebildet wird, ist es möglich, da die Position der Kante E der Ritzlinie 19 und die Position, die mit Laserlicht bestrahlt wird, genau detektiert werden, den Abstand Δm zwischen der Ausbesserungslinie R und der Kante E der Ritzlinie 19 sehr klein zu haften.
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Daher ist es möglich, die Ausbesserungslinie R so auszubilden, dass die Position der Ausbesserungslinie R extrem nahe an der Position der Kante E der Ritzlinie 19 ist.
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Wenn die Ausbesserungslinie R ausgebildet wird, werden die Schichten (photoelektrischer Wandler) von der ersten Elektrodenschicht (untere Elektrode) 13 zu der zweiten Elektrodenschicht (obere Elektrode) 15 entfernt (siehe 2).
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Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Position der Ritzlinie 19 basierend auf den Bilddaten, die von dem Bildaufnahmegerät 32 erhaltenen werden, von dem Bildanalysegerät 34 spezifiziert, und es ist möglich, die Position auf dem Kammerelement 21, die mit Laserlicht bestrahlt wird, mit Bezug auf im Voraus gespeicherte Laserlichtbestrahlungspositionsdaten genau zu bestimmen.
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Daher ist es möglich, Laserlicht auszustrahlen während der sehr klein gehaltene Abstand zwischen der Ausbesserungslinie R und der Kante E der Ritzlinie 19 beibehalten wird, und es ist möglich, die Anzahl der erzeugten Strukturdefekte, die zwischen der Ausbesserungslinie R und der Ritzlinie 19 verbleiben, klein zu halten.
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Aus diesem Grund ist es möglich, zu vermeiden, dass viele Strukturdefekte in dem fertigen Produkt verbleiben.
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In einem herkömmlichen Fall ist, da die Bewegung des Tisches, auf dem eine Solarzelle gelagert ist, mit Bezug auf einen Eckbereich (Endbereich) des Substrates gesteuert wird, ein extrem teurer Tisch notwendig, der in der Lage ist, die Solarzelle über eine Mikrodistanz, wie etwa einige μm, zu bewegen, nachdem die großformatige Solarzelle, die eine Länge von mehreren Meter aufweist, über z. B. einen Meter bewegt wurde.
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Demgegenüber nimmt, gemäß der vorliegenden Erfindung, das Bildaufnahmegerät 32, nachdem das Substrat vorläufig so bewegt wurde, dass eine ungefähre Position, an der der Strukturdefekt vorhanden ist, zu der Position des Bildaufnahmegeräts 32 korrespondiert, den Bereich, in dem der Strukturdefekt vorhanden ist, auf, wobei der Abstand zwischen dem Strukturdefekt D und der Ritzlinie 19 die dem Strukturdefekt D am nächsten ist in dem Bildanalysegerät 34 basierend auf den von dem Bildaufnahmegerät 32 erhaltenen Bilddaten berechnet wird und die Position des Tisches gesteuert wird.
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Daher ist es nicht notwendig, einen teuren Tisch zu verwenden, der z. B. mit einem hohen Maß an Präzision in einem weiten Bereich von z. B. mehreren μm bis zu mehreren Metern gesteuert werden kann.
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Aus diesem Grund ist es möglich, einen Strukturdefekt unter Verwendung eines preiswerten Tisches akkurat elektrisch zu trennen (entfernen).
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Als nächstes wird eine Anordnung der Defektpositionsspezifizierungs-Ausbesserungsvorrichtung 30 im Besonderen beschrieben.
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7A und 7B sind Diagramme, die schematisch ein optisches System der Defektpositionsspezifizierungs-Ausbesserungsvorrichtung 30, einem Pfad des Laserlichts, und einen Bereich, der mit Laserlicht bestrahlt wird, illustrieren.
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Bei der Defektpositionsspezifizierungs-Ausbesserungsvorrichtung 30 die in 7a und 7b gezeigt ist, sind ein Teil des optischen Systems, das die Position des Strukturdefekts D spezifiziert, und ein Teil des optischen Systems, das den Defekt ausbessert, einander gemeinsam.
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D. h., bei der Defektpositionsspezifizierungs-Ausbesserungsvorrichtung 30 haben der Defektpositionsspezifizierungsteil 52 und der Ausbesserungsteil 53 zwischen sich ein gemeinsames optisches System.
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Das optische System der Defektpositionsspezifierungs-Ausbesserungsvorrichtung 30 besteht z. B. aus Linsen 41a und 41b, einem Halbspiegel 42, Spiegeln 43a, 43b und 43c, einem Filter 44, einem Vergrößerungsverhältniseinstellungsteil 45, einem Lasergerät 33, und einem Bildaufnahmegerät 32.
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Zusätzlich besteht der Defektpositionsspezfizierungsteil 52 aus den Linsen 41a und 41b, dem Halbspiegel 42, den Spiegeln 43a und 43b, dem Filter 44, dem Vergrößerungsverhältniseinstellungsteil 45, und dem Bildaufnahmegerät 32.
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Auch besteht der Ausbesserungsteil 53 aus der Linse 41a, dem Halbspiegel 42, dem Spiegel 43c, und dem Lasergerät 33.
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D. h., die Linse 41a und der Halbspiegel 42 sind gemeinsame optische Systeme des Defektpositionsspezifizierungsteils 52 und des Ausbesserungsteils 53.
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Der Vergrößerungsverhältniseinstellungsteil 45 ist ein optisches Systemelement (optisches System), das das Aufnahmevergrößerungsverhältnis einstellt, so dass der Bereich, der den Strukturdefekt D und die Ritzlinie 19 beinhaltet, von dem Bildaufnahmegerät 32 aufgenommen wird.
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Mit anderen Worten, der Vergrößerungsverhältniseinstellungsteil 45 ist ein optisches Systemelement, das das Aufnahmevergrößerungsverhältnis so einstellt, dass das oben beschriebene Ritzlinienbild und das Strukturdefektbild in dem von dem Bildaufnahmegerät 32 erhaltenen Bild (Bereichsbild) beinhaltet sind.
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Als die Anordnung des Vergrößerungsverhältniseinstellungsteils 45 wird eine Anordnung verwendet, bei der z. B. eine Mehrzahl von Linsen auf einem optischen Pfad Q1 angeordnet sind und die das Aufnahmevergrößerungsverhältnis durch Verändern des Abstandes zwischen den Linsen einstellt.
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Zusätzlich kann das Bildaufnahmegerät 32 eine Anordnung beinhalten, die das Aufnahmevergrößerungsverhältnis einstellt.
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Um die Position des Strukturdefekts D zu spezifizieren, durchläuft, wenn der den Strukturdefekt D und die Ritzlinie 19 beinhaltende Bereich aufgenommen wird und das Bild hiervon erhalten wird, ein Bild, das den Strukturdefekt D und die Ritzlinie 19 die dem Strukturdefekt am nächsten liegt beinhaltet, den optischen Pfad Q1 von der Linse 41a über den Halbspiegel 42, den Spiegel 43a, die Linse 41b, den Filter 44, den Spiegel 43b, und den Vergrößerungsverhältniseinstellungsteil 45, und wird hierdurch als ein Bild in dem Bildaufnahmegerät 32 ausgebildet.
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D. h., in dem Defektpositionsspezifizierungsteil 52 wird das Bild, das den Strukturdefekt D und die Ritzlinie 19 die dem Strukturdefekt D am nächsten ist beinhaltet, aufgenommen und das Bild hiervon erhalten.
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Andererseits durchläuft, wenn der Strukturdefekt D repariert wird, das von dem Lasergerät 33 ausgestrahlte Laserlicht den optischen Pfad Q2 über den Spiegel 43c, den Halbspiegel 42, und die Linse 41a, und der Strukturdefekt D wird mit dem Laserlicht bestrahlt.
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D. h., der Strukturdefekt D wird von dem Ausbesserungsteil 53 mit Laserlicht bestrahlt.
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In der oben beschriebenen Art und Weise ist es in der Defektpositionsspezifizierungs-Ausbesserungsvorrichtung 30 bevorzugt, dass ein Teil des optischen Pfades (ein Teil des optischen Systems) bei Verwendung in dem optischen Pfad Q1 und dem optischen Pfad Q2 geteilt wird, und dass ein Element, das das optische System bildet, auf einer Basisplatte angeordnet ist.
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Zusätzlich ist es in dem Ausbesserungsschritt nicht notwendig, ein Element, wie etwa eine Klappe oder dergleichen, während der Bestrahlung mit Laserlicht in dem optischen Pfand Q1 vorzusehen.
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In dem Fall, in dem das Laserlicht z. B. ein grüner Laser ist, ist es möglich, wenn ein Filter 44, der ein Wellenlängenband des grünen (grüne Farbe) Lichts abschneidet, in dem optischen Pfad Q1 bereitgestellt wird, den Strukturdefekt D auszubessern während die Beschaffenheit an dem Ort, an dem der Strukturdefekt D ausgebessert wird, auf dem Bild kontrolliert wird.
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Nach den oben beschriebenen Schnitten sind alle in dem Kammerelement 21 vorhandenen Strukturdefekte D elektrisch getrennt (entfernt), worauf ein Schritt zum Ausbilden einer Schutzschicht (P6) oder dergleichen durchgeführt wird und als Produkt eine Solarzelle erhalten wird.
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Abgewandeltes Beispiel
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Als nächstes wird ein abgewandeltes Beispiel des oben beschriebenen Ausführungsbeispiels im Besonderen beschrieben.
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In dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel stellt das Bildaufnahmegerät 32 das Vergrößerungsverhältnis ein, nimmt den Bereich, der den Strukturdefekt D und die Ritzlinie 19 beinhaltet, auf, und erhält das Bild (Bereichsbild), das das Ritzlinienbild und das Strukturdefektbild beinhaltet.
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In diesem Fall ist ein Referenzabstand unklar in dem Bild.
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In dem abgeänderten Beispiel wird zunächst ein Bildreferenzpunkt in dem Bild (z. B., der Mittelpunkt) gesetzt.
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In anderen Fällen kann der Bildreferenzpunkt im Voraus bestimmt werden, so dass er zu jeder Zeit eine konstante Position im Bild bildet.
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Zusätzlich kann der Bildreferenzpunkt optional in dem Bild bestimmt werden.
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Der Punkt auf dem Substrat, der zu dem Bildreferenzpunkt korrespondiert, wenn das Bild im Aufnahmezeitpunkt erhalten wird, ist ein Substratreferenzpunkt.
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Als nächstes werden mittels einer Bildverarbeitung die Positionen des Ritzlinienbildes und des Strukturdefektbildes und deren Größen in dem Bild berechnet.
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Daher werden Positionsdaten und Größendaten des Strukturdefektbildes in dem Bild und Breitendaten der des Ritzlinienbildes in dem Bild erstellt.
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Die Positionsdaten des Strukturdefektbildes in dem Bild werden mit Bezug auf den Bildreferenzpunkt erstellt.
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Nachfolgend wird unter Verwendung der Breite einer konkreten, gespeicherten Ritzlinie und den Breitendaten des Ritzlinienbildes in dem Bild der Referenzabstand des Bildes gesetzt.
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Als nächstes werden unter Verwendung der Positionsdaten und der Größendaten des Strukturdefektbildes in dem Bild und des Referenzabstandes Abstandsdaten eines konkreten Strukturdefekts von dem Substratreferenzpunkt und Größendaten eines konkreten Strukturdefekts erstellt.
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Nachfolgend werden Laserbestrahlungspositionsdaten, die zum Ausbilden der den Strukturdefekt D umschließenden Ausbesserungslinie R verwendet werden, basierend auf den Abstandsdaten des konkreten Strukturdefekts und den Größendaten des konkreten Strukturdefekts erstellt.
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Bewegungsdaten eines X-Y-Koordinatentisches 31 werden basierend auf den Laserbestrahlungspositionsdaten bereitgestellt.
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Wie in den 7A und 7B gezeigt, weisen der Defektpositionsspezifizierungsteil 52 und der Ausbesserungsteil 53 ein gemeinsames optisches System auf.
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D. h., da die optischen Pfade Q1 und Q2 in der Linse 41a und dem Halbspiegel 42 miteinander übereinstimmen, kann der zu dem Bildreferenzpunkt korrespondierende Punkt auf dem Substrat mit dem Punkt auf dem Substrat, der mit Laserlicht bestrahlt wird, übereinstimmen.
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Als nächstes wird das Kammerelement 21 basierend auf den Laserbestrahlungspositionsdaten mit Laserlicht bestrahlt während der X-Y-Koordinatentisch 31 basierend auf den Bewegungsdaten des X-Y-Koordinatentisches 31 bewegt wird.
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Wie oben beschrieben, ist es unter Verwendung des von dem Bildaufnahmegerät 32 erhaltenen Bildes (Bereichsbildes) möglich, die Position und die Größe eines konkreten, in dem photoelektrischen Wandler 12 auftretenden Strukturdefekts D zu berechnen.
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Zusätzlich ist es, da es möglich ist, den Bereich, in dem der Tisch 31 (Laserbestrahlungspositionstransferteil) relativ zu der Position des Lasergeräts 33 mit Bezug zu den Bilddaten bewegt wird, zu bestimmen, nicht notwendig, die Koordinaten des Substrates in Gänze zu bestimmen.
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Das Lasergerät 33 bestrahlt das Kammerelement 21 mit Laserlicht während der Tisch 31 so bewegt wird, dass die Position auf dem Kammerelement 21 (Position, an der die Ausbesserungslinie R ausgebildet wird), die mit Laserlicht bestrahlt wird, mit dem Laserbestrahlungszielpunkt (Bildreferenzpunkt) auf dem Bild (Bereichsbild) übereinstimmt.
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Als ein Ergebnis wird die Ausbesserungslinie R ausgebildet und die Schichten (photoelektrischer Wandler) von der ersten Elektrodenschicht (untere Elektrode) 13 zu der zweiten Elektrodenschicht (obere Elektrode) 15 werden entfernt.
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Gewerbliche Anwendbarkeit
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Wie oben im Detail beschrieben, ist die vorliegende Erfindung nützlich für ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und eine Vorrichtung zur Herstellung einer Solarzelle, wobei ein Bereich, in dem der Strukturdefekt vorhanden ist, akkurat von einem Bereich, in dem der Strukturdefekt nicht vorhanden ist, getrennt wird, und wobei es möglich ist, den Strukturdefekt zuverlässig zu entfernen, selbst in einem Fall, in dem ein preiswerter Transfertisch mit einem geringen Maß an Bewegungspräzision verwendet wird.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- JP 2008-283166 [0002]
- JP 9-266322 [0019]
- JP 2008-66453 [0020]
