JPH09266322A - 光電変換素子のリーク箇所検出リペア装置 - Google Patents
光電変換素子のリーク箇所検出リペア装置Info
- Publication number
- JPH09266322A JPH09266322A JP8072816A JP7281696A JPH09266322A JP H09266322 A JPH09266322 A JP H09266322A JP 8072816 A JP8072816 A JP 8072816A JP 7281696 A JP7281696 A JP 7281696A JP H09266322 A JPH09266322 A JP H09266322A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conversion element
- photoelectric conversion
- laser light
- leak
- detecting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】大面積の光電変換素子について、そのリーク箇
所を検出し、効率良く、かつ高精度でリペアする。 【解決手段】逆バイアス印加手段２により逆バイアスさ
れた光電変換素子１の被測定面から出射される赤外線の
２次元座標を赤外線検知手段３で検知し、この２次元座
標上の各赤外線のエネルギー強度を基準値と比較してリ
ーク箇所であるか否かをリーク箇所判別手段４で判別す
る。次にリーク箇所であると判別された箇所の２次元座
標情報を記憶手段５で記憶する。記憶手段５に記憶され
たリーク箇所の２次元座標に基づき、光電変換素子１に
対してレーザ光照射位置制御手段６によりレーザ光照射
位置を判定し、そこへレーザ光照射手段７によりレーザ
光を照射してリペアする。
所を検出し、効率良く、かつ高精度でリペアする。 【解決手段】逆バイアス印加手段２により逆バイアスさ
れた光電変換素子１の被測定面から出射される赤外線の
２次元座標を赤外線検知手段３で検知し、この２次元座
標上の各赤外線のエネルギー強度を基準値と比較してリ
ーク箇所であるか否かをリーク箇所判別手段４で判別す
る。次にリーク箇所であると判別された箇所の２次元座
標情報を記憶手段５で記憶する。記憶手段５に記憶され
たリーク箇所の２次元座標に基づき、光電変換素子１に
対してレーザ光照射位置制御手段６によりレーザ光照射
位置を判定し、そこへレーザ光照射手段７によりレーザ
光を照射してリペアする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非晶質シリコン太
陽電池などの薄膜光電変換素子の欠陥であるリーク箇所
を検出しリペアする装置に関するものである。
陽電池などの薄膜光電変換素子の欠陥であるリーク箇所
を検出しリペアする装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】非晶質シリコン太陽電池等の薄膜光電変
換素子の製造においては、薄膜形成の際にピンホールま
たはコンタミネーション等が必然的に発生し、このよう
な欠陥のために電極間における短絡または微細な電流の
リークが生じる。これらの欠陥は出力特性を低下させる
ものであるため、例えばレーザ照射やエッチング等によ
り欠陥箇所の一方の電極を除去することによりリペアが
行われている。
換素子の製造においては、薄膜形成の際にピンホールま
たはコンタミネーション等が必然的に発生し、このよう
な欠陥のために電極間における短絡または微細な電流の
リークが生じる。これらの欠陥は出力特性を低下させる
ものであるため、例えばレーザ照射やエッチング等によ
り欠陥箇所の一方の電極を除去することによりリペアが
行われている。
【０００３】リーク箇所の検出は、全面にわたって顕微
鏡等で観察したり、あるいは光電変換素子に逆バイアス
を印加し、欠陥箇所に発熱を生じさせ、この時の発光を
肉眼で観察するなどの方法により行われている。また発
熱箇所の特定のため、赤外線を検知するいわゆるサーモ
ビュアを用い、逆バイアス印加時の発熱箇所の特定等も
行われている。このようにしてリーク箇所を発見した後
には、手動によりマーキング等を行い、次にリペア用レ
ーザ照射装置を用いて、マーキングした部分に一定の大
きさ及び形状を有するレーザ光を照射しリペアを行って
いる。
鏡等で観察したり、あるいは光電変換素子に逆バイアス
を印加し、欠陥箇所に発熱を生じさせ、この時の発光を
肉眼で観察するなどの方法により行われている。また発
熱箇所の特定のため、赤外線を検知するいわゆるサーモ
ビュアを用い、逆バイアス印加時の発熱箇所の特定等も
行われている。このようにしてリーク箇所を発見した後
には、手動によりマーキング等を行い、次にリペア用レ
ーザ照射装置を用いて、マーキングした部分に一定の大
きさ及び形状を有するレーザ光を照射しリペアを行って
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光電変
換素子の大面積化が進むにつれて、上記のような従来の
リーク箇所の発見及びリペアでは対処することができな
くなってきている。すなわち、光電変換素子が大面積化
するに伴い、リーク箇所の発生する確率が高くなると共
に、１つの光電変換素子において多数のリーク箇所が存
在するようになり、顕微鏡等を用いての肉眼による検出
や、サーモビュアを利用した肉眼による検出では精度の
良い検出及びリペアを行うことができなくなっている。
特に、逆バイアスを印加させて発熱による発光を検知す
る場合に、発光が瞬時になされるため、発光箇所が多く
なると欠陥箇所の検出を精度良く行うことができないと
いう問題があった。
換素子の大面積化が進むにつれて、上記のような従来の
リーク箇所の発見及びリペアでは対処することができな
くなってきている。すなわち、光電変換素子が大面積化
するに伴い、リーク箇所の発生する確率が高くなると共
に、１つの光電変換素子において多数のリーク箇所が存
在するようになり、顕微鏡等を用いての肉眼による検出
や、サーモビュアを利用した肉眼による検出では精度の
良い検出及びリペアを行うことができなくなっている。
特に、逆バイアスを印加させて発熱による発光を検知す
る場合に、発光が瞬時になされるため、発光箇所が多く
なると欠陥箇所の検出を精度良く行うことができないと
いう問題があった。
【０００５】本発明の目的は、大きな面積を有する光電
変換素子のリーク箇所をリペアすることができ、かつ効
率よく精度の高いリペアを実現することにより不良品の
発生を低減することができる光電変換素子のリーク箇所
検出リペア装置を提供することにある。
変換素子のリーク箇所をリペアすることができ、かつ効
率よく精度の高いリペアを実現することにより不良品の
発生を低減することができる光電変換素子のリーク箇所
検出リペア装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の光電変換素子の
リーク箇所検出リペア装置は、光電変換素子に逆バイア
スを印加する逆バイアス印加手段と、逆バイアスを印加
された光電変換素子の被測定面から出射される赤外線を
被測定面の２次元座標で特定して検知する赤外線検知手
段と、赤外線検知手段で検知した２次元座標上の各赤外
線のエネルギ強度を基準値と比較しリーク箇所であるか
否かを判別するリーク箇所判別手段と、リーク箇所判別
手段でリーク箇所であると判別された箇所の２次元座標
情報を記憶する記憶手段と、光電変換素子のリーク箇所
に対してレーザ光を出射するため記憶手段に記憶された
リーク箇所の２次元座標情報に基づき光電変換素子に対
するレーザ光照射位置を制御するレーザ光照射位置制御
手段と、レーザ光照射位置制御手段によって位置決めさ
れた光電変換素子のリーク箇所にレーザ光を照射するレ
ーザ光照射手段とを備えている。
リーク箇所検出リペア装置は、光電変換素子に逆バイア
スを印加する逆バイアス印加手段と、逆バイアスを印加
された光電変換素子の被測定面から出射される赤外線を
被測定面の２次元座標で特定して検知する赤外線検知手
段と、赤外線検知手段で検知した２次元座標上の各赤外
線のエネルギ強度を基準値と比較しリーク箇所であるか
否かを判別するリーク箇所判別手段と、リーク箇所判別
手段でリーク箇所であると判別された箇所の２次元座標
情報を記憶する記憶手段と、光電変換素子のリーク箇所
に対してレーザ光を出射するため記憶手段に記憶された
リーク箇所の２次元座標情報に基づき光電変換素子に対
するレーザ光照射位置を制御するレーザ光照射位置制御
手段と、レーザ光照射位置制御手段によって位置決めさ
れた光電変換素子のリーク箇所にレーザ光を照射するレ
ーザ光照射手段とを備えている。
【０００７】本発明において、レーザ光照射位置制御手
段は、好ましくは、少なくとも２次元方向に移動する、
光電変換素子を載せるための駆動テーブルを有してい
る。このような駆動テーブルの駆動を制御することによ
り光電変換素子に対するレーザ光照射位置を制御するこ
とができる。
段は、好ましくは、少なくとも２次元方向に移動する、
光電変換素子を載せるための駆動テーブルを有してい
る。このような駆動テーブルの駆動を制御することによ
り光電変換素子に対するレーザ光照射位置を制御するこ
とができる。
【０００８】また、本発明においてリーク箇所判別手段
は、例えば、検知した赤外線のエネルギ強度に対応する
絶対温度と、基準値としての室温とを比較することによ
り、リーク箇所であるか否かを判別する。このような温
度による比較では、例えば１０Ｋ以上の差が室温との間
である場合に、リーク箇所であると判別する。
は、例えば、検知した赤外線のエネルギ強度に対応する
絶対温度と、基準値としての室温とを比較することによ
り、リーク箇所であるか否かを判別する。このような温
度による比較では、例えば１０Ｋ以上の差が室温との間
である場合に、リーク箇所であると判別する。
【０００９】本発明における好ましい一実施形態では、
レーザ光照射位置制御手段が、光電変換素子の被測定面
の２次元座標に対応して光透過領域を制御することがで
きる透過領域可変マスクを有している。このような透過
領域可変マスクとしては、例えば液晶マスクが挙げられ
る。このような液晶マスクでは、液晶を挟む電極間に電
圧を印加することにより、液晶分子を配向させ、透過状
態または不透過状態を実現することができる。このよう
な透過領域可変マスクを用いることにより、検知したリ
ーク箇所の２次元座標上の位置に対応して透過領域可変
マスクの光透過領域を制御し、これによってレーザ光照
射位置を制御することができる。また、このような透過
領域可変マスクを用いることにより、リーク箇所の形状
及び寸法に合わせてレーザ光ビームの寸法及び形状を制
御することができ、リペアに伴う無効面積の増加を抑制
することができ、効率の良いリペアを実現することがで
きる。
レーザ光照射位置制御手段が、光電変換素子の被測定面
の２次元座標に対応して光透過領域を制御することがで
きる透過領域可変マスクを有している。このような透過
領域可変マスクとしては、例えば液晶マスクが挙げられ
る。このような液晶マスクでは、液晶を挟む電極間に電
圧を印加することにより、液晶分子を配向させ、透過状
態または不透過状態を実現することができる。このよう
な透過領域可変マスクを用いることにより、検知したリ
ーク箇所の２次元座標上の位置に対応して透過領域可変
マスクの光透過領域を制御し、これによってレーザ光照
射位置を制御することができる。また、このような透過
領域可変マスクを用いることにより、リーク箇所の形状
及び寸法に合わせてレーザ光ビームの寸法及び形状を制
御することができ、リペアに伴う無効面積の増加を抑制
することができ、効率の良いリペアを実現することがで
きる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明のリーク箇所検出
リペア装置の基本的構成を示す機能ブロック図である。
本発明に従えば、光電変換素子１の半導体層を挟む電極
間に、逆バイアス印加手段２により逆バイアスが印加さ
れる。これによりリーク箇所で電流が短絡し発熱するこ
とによって、赤外線が出射される。この出射された赤外
線は、赤外線検知手段３により検知される。この際、光
電変換素子１の被測定面における赤外線出射箇所の２次
元座標を特定して赤外線が検知される。赤外線検知手段
３で検知した２次元座標上の各赤外線のエネルギ強度
は、リーク箇所判別手段４により、基準値と比較され、
リーク箇所であるか否かが判別される。上述のように、
例えば、赤外線のエネルギ強度をプランクの熱放射の法
則に従い絶対温度に変換し、この絶対温度と室温との差
を算出することによってリーク箇所であるか否かを判別
することができる。
リペア装置の基本的構成を示す機能ブロック図である。
本発明に従えば、光電変換素子１の半導体層を挟む電極
間に、逆バイアス印加手段２により逆バイアスが印加さ
れる。これによりリーク箇所で電流が短絡し発熱するこ
とによって、赤外線が出射される。この出射された赤外
線は、赤外線検知手段３により検知される。この際、光
電変換素子１の被測定面における赤外線出射箇所の２次
元座標を特定して赤外線が検知される。赤外線検知手段
３で検知した２次元座標上の各赤外線のエネルギ強度
は、リーク箇所判別手段４により、基準値と比較され、
リーク箇所であるか否かが判別される。上述のように、
例えば、赤外線のエネルギ強度をプランクの熱放射の法
則に従い絶対温度に変換し、この絶対温度と室温との差
を算出することによってリーク箇所であるか否かを判別
することができる。
【００１１】リーク箇所判別手段４でリーク箇所である
と判別された場合には、このリーク箇所の２次元座標情
報が記憶手段５に記憶される。次に、記憶手段５に記憶
されたリーク箇所の２次元座標情報に基づき、レーザ光
照射位置制御手段６により、レーザ光照射手段７から照
射されるレーザ光がリーク箇所に照射されるように、レ
ーザ光照射位置が位置決めされる。具体的には、例えば
光電変換素子１の位置を移動することにより位置決めし
てもよいし、あるいはレーザ光出射手段７から出射され
るレーザ光の光路を変更させることにより位置決めして
もよい。また、これらの両方の方法を併用して位置決め
してもよい。さらに、上述のように液晶マスクなどの透
過領域可変マスクを用いる場合には、これによりレーザ
光照射手段７からのレーザ光の照射位置、及びレーザ光
のビーム形状及び寸法を制御して位置決めしてもよい。
と判別された場合には、このリーク箇所の２次元座標情
報が記憶手段５に記憶される。次に、記憶手段５に記憶
されたリーク箇所の２次元座標情報に基づき、レーザ光
照射位置制御手段６により、レーザ光照射手段７から照
射されるレーザ光がリーク箇所に照射されるように、レ
ーザ光照射位置が位置決めされる。具体的には、例えば
光電変換素子１の位置を移動することにより位置決めし
てもよいし、あるいはレーザ光出射手段７から出射され
るレーザ光の光路を変更させることにより位置決めして
もよい。また、これらの両方の方法を併用して位置決め
してもよい。さらに、上述のように液晶マスクなどの透
過領域可変マスクを用いる場合には、これによりレーザ
光照射手段７からのレーザ光の照射位置、及びレーザ光
のビーム形状及び寸法を制御して位置決めしてもよい。
【００１２】以上のようにして、光電変換素子１のリー
ク箇所にレーザ光を照射し、例えばリーク箇所の一方の
電極を除去するなどにより、リーク箇所をリペアするこ
とができる。
ク箇所にレーザ光を照射し、例えばリーク箇所の一方の
電極を除去するなどにより、リーク箇所をリペアするこ
とができる。
【００１３】図２は、本発明に従う一実施形態のリーク
箇所検出リペア装置を示す構成図である。図２を参照し
て、被加工物駆動テーブル１７の上には、光電変換素子
１０が載せられている。光電変換素子１０は、基板上
に、第１電極層、半導体層、及び第２電極層を積層する
ことにより形成されている。この光電変換素子１０の半
導体層には、ピンホール１０ａが存在しており、このピ
ンホール１０ａがリーク箇所となる。光電変換素子１０
の第１電極層と第２電極層にバイアス印加装置１１によ
り逆バイアスを印加することによりピンホール１０ａの
部分が発熱し、この部分から赤外線が出射される。逆バ
イアスは、通常０．１〜５．０Ｖ程度の電圧が印加され
る。
箇所検出リペア装置を示す構成図である。図２を参照し
て、被加工物駆動テーブル１７の上には、光電変換素子
１０が載せられている。光電変換素子１０は、基板上
に、第１電極層、半導体層、及び第２電極層を積層する
ことにより形成されている。この光電変換素子１０の半
導体層には、ピンホール１０ａが存在しており、このピ
ンホール１０ａがリーク箇所となる。光電変換素子１０
の第１電極層と第２電極層にバイアス印加装置１１によ
り逆バイアスを印加することによりピンホール１０ａの
部分が発熱し、この部分から赤外線が出射される。逆バ
イアスは、通常０．１〜５．０Ｖ程度の電圧が印加され
る。
【００１４】ピンホール１０ａから出射された赤外線
は、赤外線センサー１２により検知される。赤外線セン
サーは、２次元座標を特定して赤外線のエネルギ強度を
測定できるものであれば特に限定されるものではない。
このような赤外線センサーとしては、走査型赤外線セン
サーまたはＩＲＣＣＤ等の被測定面の２次元座標を特定
可能な赤外線センサーを挙げることができ、さらには熱
電型放射温度計、光電型放射温度計、またはこれらをア
レー状に配置したアレーセンサーなどが挙げられる。
は、赤外線センサー１２により検知される。赤外線セン
サーは、２次元座標を特定して赤外線のエネルギ強度を
測定できるものであれば特に限定されるものではない。
このような赤外線センサーとしては、走査型赤外線セン
サーまたはＩＲＣＣＤ等の被測定面の２次元座標を特定
可能な赤外線センサーを挙げることができ、さらには熱
電型放射温度計、光電型放射温度計、またはこれらをア
レー状に配置したアレーセンサーなどが挙げられる。
【００１５】赤外線センサー１２により検知された信号
は、制御用コンピュータ１３に送られる。本実施形態で
は、バイアス印加装置１１も制御用コンピュータ１３に
接続されており、制御用コンピュータ１３により逆バイ
アスの印加のタイミングが制御されている。赤外線セン
サー１２から送られる検知信号は、光電変換素子１０の
２次元座標としての検知箇所のＸ軸座標情報及びＹ軸座
標情報とともに検知した赤外線のエネルギ強度の情報が
含まれており、これらの情報信号が制御用コンピュータ
１３に送られる。制御コンピュータ１３では、赤外線の
エネルギ強度からこれに対応する温度を算出し、この温
度と室温との差が所定の値以上の場合にリーク箇所とし
て判別し、リーク箇所の２次元座標情報、すなわちＸ軸
及びＹ軸の座標情報が記憶される。これにより、光電変
換素子１０のリーク箇所の全ての２次元座標情報が記憶
され、この２次元座標情報に基づいて、リペアが行われ
る。
は、制御用コンピュータ１３に送られる。本実施形態で
は、バイアス印加装置１１も制御用コンピュータ１３に
接続されており、制御用コンピュータ１３により逆バイ
アスの印加のタイミングが制御されている。赤外線セン
サー１２から送られる検知信号は、光電変換素子１０の
２次元座標としての検知箇所のＸ軸座標情報及びＹ軸座
標情報とともに検知した赤外線のエネルギ強度の情報が
含まれており、これらの情報信号が制御用コンピュータ
１３に送られる。制御コンピュータ１３では、赤外線の
エネルギ強度からこれに対応する温度を算出し、この温
度と室温との差が所定の値以上の場合にリーク箇所とし
て判別し、リーク箇所の２次元座標情報、すなわちＸ軸
及びＹ軸の座標情報が記憶される。これにより、光電変
換素子１０のリーク箇所の全ての２次元座標情報が記憶
され、この２次元座標情報に基づいて、リペアが行われ
る。
【００１６】リペアにおいては、まず制御用コンピュー
タ１３から被加工物駆動テーブル１７に、２次元座標情
報に基づいて駆動テーブルを移動させる信号が送られ
る。これにより、被加工物駆動テーブル１７が移動す
る。被加工物駆動テーブル１７は、エキシマレーザ１４
から金属マスク１５を通りミラー１６で反射されたレー
ザ光が照射される位置に、リーク箇所であるピンホール
１０ａが位置する位置まで移動する。移動が完了する
と、制御用コンピュータ１３からエキシマレーザ１４に
信号が送られ、エキシマレーザ１４からレーザ光が照射
される。照射されたレーザ光は金属マスク１５を通りミ
ラー１６で反射され、ピンホール１０ａ上の第２電極層
の部分に照射される。このレーザ光の照射により、ピン
ホール１０ａの上方の第２電極層が取り除かれ、リーク
箇所がリペアされる。このようにして、制御用コンピュ
ータ１３に蓄えられたリーク箇所の２次元座標情報に基
づき、順次被加工物駆動テーブル１７を移動させ、レー
ザ光を照射してリーク箇所をリペアする。
タ１３から被加工物駆動テーブル１７に、２次元座標情
報に基づいて駆動テーブルを移動させる信号が送られ
る。これにより、被加工物駆動テーブル１７が移動す
る。被加工物駆動テーブル１７は、エキシマレーザ１４
から金属マスク１５を通りミラー１６で反射されたレー
ザ光が照射される位置に、リーク箇所であるピンホール
１０ａが位置する位置まで移動する。移動が完了する
と、制御用コンピュータ１３からエキシマレーザ１４に
信号が送られ、エキシマレーザ１４からレーザ光が照射
される。照射されたレーザ光は金属マスク１５を通りミ
ラー１６で反射され、ピンホール１０ａ上の第２電極層
の部分に照射される。このレーザ光の照射により、ピン
ホール１０ａの上方の第２電極層が取り除かれ、リーク
箇所がリペアされる。このようにして、制御用コンピュ
ータ１３に蓄えられたリーク箇所の２次元座標情報に基
づき、順次被加工物駆動テーブル１７を移動させ、レー
ザ光を照射してリーク箇所をリペアする。
【００１７】図３は、図２に示す装置の動作を説明する
ためのフローチャートである。図３を参照して、まず光
電変換素子に逆バイアス電圧が印加される（Ｓ１）。次
に、逆バイアス電圧の印加により、光電変換素子から赤
外線が放射される。ｚは全欠陥数を示している（Ｓ
２）。光電変換素子から放射された赤外線は、赤外線セ
ンサーにより、光電変換素子の２次元座標情報とともに
そのエネルギ強度が検出される。本実施形態では、この
エネルギ強度に対応する温度として測定される（Ｓ
３）。
ためのフローチャートである。図３を参照して、まず光
電変換素子に逆バイアス電圧が印加される（Ｓ１）。次
に、逆バイアス電圧の印加により、光電変換素子から赤
外線が放射される。ｚは全欠陥数を示している（Ｓ
２）。光電変換素子から放射された赤外線は、赤外線セ
ンサーにより、光電変換素子の２次元座標情報とともに
そのエネルギ強度が検出される。本実施形態では、この
エネルギ強度に対応する温度として測定される（Ｓ
３）。
【００１８】次に、赤外線センサーにより測定された温
度は、制御用コンピュータにおいて室温との差が１０Ｋ
以上であるか否かが判定され、１０Ｋ以上である場合に
は、リーク箇所、すなわち欠陥であるとして欠陥が存在
する座標情報が記録される。次に、赤外線センサーによ
る検知が、光電変換素子の被測定面の全面を走査したか
否かが判断される。全面走査が完了していない場合に
は、再び赤外線センサーによる検知が繰り返される（Ｓ
４）。
度は、制御用コンピュータにおいて室温との差が１０Ｋ
以上であるか否かが判定され、１０Ｋ以上である場合に
は、リーク箇所、すなわち欠陥であるとして欠陥が存在
する座標情報が記録される。次に、赤外線センサーによ
る検知が、光電変換素子の被測定面の全面を走査したか
否かが判断される。全面走査が完了していない場合に
は、再び赤外線センサーによる検知が繰り返される（Ｓ
４）。
【００１９】光電変換素子の被測定面の全面におけるリ
ーク箇所の２次元座標情報、すなわち欠陥存在座標情報
が記録された後、リーク箇所のリペアが行われる。記録
された欠陥存在座標データに基づき、被加工物駆動テー
ブルがレーザを照射すべき位置状態まで移動する（Ｓ
５）。移動が完了すると、レーザ発振器よりレーザ光が
発振され、光電変換素子の欠陥箇所にレーザ光が照射さ
れ、欠陥がリペアされる（Ｓ６）。
ーク箇所の２次元座標情報、すなわち欠陥存在座標情報
が記録された後、リーク箇所のリペアが行われる。記録
された欠陥存在座標データに基づき、被加工物駆動テー
ブルがレーザを照射すべき位置状態まで移動する（Ｓ
５）。移動が完了すると、レーザ発振器よりレーザ光が
発振され、光電変換素子の欠陥箇所にレーザ光が照射さ
れ、欠陥がリペアされる（Ｓ６）。
【００２０】制御用コンピュータで全欠陥がリペアされ
たか否かを判断し、全欠陥がリペアされていない場合に
は、被加工物駆動テーブルの移動とレーザ照射によるリ
ペアが繰り返される。全欠陥のリペアを完了することに
より動作が終了する（Ｓ７）。
たか否かを判断し、全欠陥がリペアされていない場合に
は、被加工物駆動テーブルの移動とレーザ照射によるリ
ペアが繰り返される。全欠陥のリペアを完了することに
より動作が終了する（Ｓ７）。
【００２１】上記フローチャートに示す実施形態では、
赤外線のエネルギ強度から対応する温度を測定している
が、本発明は、これに限定されるものではなく、赤外線
のエネルギ強度を直接エネルギ強度の基準値と比較しリ
ーク箇所か否かを判別してもよい。
赤外線のエネルギ強度から対応する温度を測定している
が、本発明は、これに限定されるものではなく、赤外線
のエネルギ強度を直接エネルギ強度の基準値と比較しリ
ーク箇所か否かを判別してもよい。
【００２２】図４は、２次元座標のＸ軸方向及びＹ軸方
向のサンプリング間隔について説明するための平面図で
ある。図４に示すように、サンプリング間隔Ｔがレーザ
スポット３１の直径に相当すれば、サンプリング間隔Ｔ
内にある欠陥３０をレーザスポット３１で包括すること
ができる。従って、サンプリング間隔Ｔはレーザスポッ
トの直径以下であることが好ましい。なお、図４に示す
欠陥３０は、引っかき傷によりできた欠陥を示してい
る。
向のサンプリング間隔について説明するための平面図で
ある。図４に示すように、サンプリング間隔Ｔがレーザ
スポット３１の直径に相当すれば、サンプリング間隔Ｔ
内にある欠陥３０をレーザスポット３１で包括すること
ができる。従って、サンプリング間隔Ｔはレーザスポッ
トの直径以下であることが好ましい。なお、図４に示す
欠陥３０は、引っかき傷によりできた欠陥を示してい
る。
【００２３】図５は、本発明に従う他の実施形態のリー
ク箇所検出リペア装置を示す構成図である。図５におい
ては、光電変換素子１０の基板が上方に位置し第２電極
層が下方に位置するように、光電変換素子１０が被加工
物駆動テーブル１７上に載せられている。ここで示す光
電変換素子１０においては、半導体層に微結晶化部１０
ｂが存在しており、この部分がリーク箇所となってい
る。また本実施形態では、エキシマレーザ１８の出射側
前方にビームエキスパンダー１９が設けられており、こ
のビームエキスパンダー１９からのレーザ光が液晶マス
ク２０を通り、ミラー１６に反射されて、光電変換素子
１０上に照射される。液晶マスク２０は光透過領域、す
なわち開口部の寸法及び形状を自由に制御できるもので
あり、図５に示すように、該当領域に複数のリーク箇所
が存在する場合には、複数の開口部を形成し、同時に複
数のレーザビームを光電変換素子１０上に照射しリペア
を行うことができる。
ク箇所検出リペア装置を示す構成図である。図５におい
ては、光電変換素子１０の基板が上方に位置し第２電極
層が下方に位置するように、光電変換素子１０が被加工
物駆動テーブル１７上に載せられている。ここで示す光
電変換素子１０においては、半導体層に微結晶化部１０
ｂが存在しており、この部分がリーク箇所となってい
る。また本実施形態では、エキシマレーザ１８の出射側
前方にビームエキスパンダー１９が設けられており、こ
のビームエキスパンダー１９からのレーザ光が液晶マス
ク２０を通り、ミラー１６に反射されて、光電変換素子
１０上に照射される。液晶マスク２０は光透過領域、す
なわち開口部の寸法及び形状を自由に制御できるもので
あり、図５に示すように、該当領域に複数のリーク箇所
が存在する場合には、複数の開口部を形成し、同時に複
数のレーザビームを光電変換素子１０上に照射しリペア
を行うことができる。
【００２４】図６は、液晶マスク２０によるレーザ照射
領域の制御を説明するための斜視図である。光電変換素
子に対応する２次元座標４０において、リーク箇所、す
なわち欠陥と判定された座標は、ハッチングを付して図
示している。また液晶マスク２０の各画素は、それぞれ
の座標に対応して設けられており、ここでは座標４０に
おいてハッチングを付した、欠陥として判定された座標
にレーザ光を照射するため、図示するように最下段の右
側の２つを開口状態としてレーザ光を照射している。ハ
ッチングを付した画素は閉状態の画素である。このよう
に、液晶マスク等の光透過領域を制御できるマスクを用
いることにより、欠陥箇所の寸法及び形状等に応じてレ
ーザ光の照射領域を制御することができる。従って、欠
陥がないにもかかわらずレーザ照射により無効となって
しまう領域を低減することができる。液晶マスクの画素
サイズ（ドットサイズ）としては、通常数百μｍであ
り、１００μｍ〜１．０ｍｍの範囲のものが一般的であ
る。
領域の制御を説明するための斜視図である。光電変換素
子に対応する２次元座標４０において、リーク箇所、す
なわち欠陥と判定された座標は、ハッチングを付して図
示している。また液晶マスク２０の各画素は、それぞれ
の座標に対応して設けられており、ここでは座標４０に
おいてハッチングを付した、欠陥として判定された座標
にレーザ光を照射するため、図示するように最下段の右
側の２つを開口状態としてレーザ光を照射している。ハ
ッチングを付した画素は閉状態の画素である。このよう
に、液晶マスク等の光透過領域を制御できるマスクを用
いることにより、欠陥箇所の寸法及び形状等に応じてレ
ーザ光の照射領域を制御することができる。従って、欠
陥がないにもかかわらずレーザ照射により無効となって
しまう領域を低減することができる。液晶マスクの画素
サイズ（ドットサイズ）としては、通常数百μｍであ
り、１００μｍ〜１．０ｍｍの範囲のものが一般的であ
る。
【００２５】図６に示す液晶マスク２０は、ＴＦＴ駆動
の液晶素子を用いているが、液晶マスクとしてはこれに
限定されるものではなく、単純マトリクス駆動等の液晶
マスクも使用することができる。さらには、透過領域可
変マスクは液晶マスクに限定されるものではなく、照射
領域を制御できるマスクであれば、その他のマスクを用
いることができる。
の液晶素子を用いているが、液晶マスクとしてはこれに
限定されるものではなく、単純マトリクス駆動等の液晶
マスクも使用することができる。さらには、透過領域可
変マスクは液晶マスクに限定されるものではなく、照射
領域を制御できるマスクであれば、その他のマスクを用
いることができる。
【００２６】図２及び図５に示す実施形態では、被加工
物駆動テーブルを用いて光電変換素子を移動させること
によりレーザ光照射位置を制御しているが、本発明はこ
れに限定されるものではない。例えば、液晶マスクなど
の透過領域可変マスクにより光電変換素子の全面をカバ
ーすることができれば、このような透過領域可変マスク
のみでレーザ光の照射領域を制御することが可能であ
る。
物駆動テーブルを用いて光電変換素子を移動させること
によりレーザ光照射位置を制御しているが、本発明はこ
れに限定されるものではない。例えば、液晶マスクなど
の透過領域可変マスクにより光電変換素子の全面をカバ
ーすることができれば、このような透過領域可変マスク
のみでレーザ光の照射領域を制御することが可能であ
る。
【００２７】上記実施形態では、リーク箇所をリペアす
るためのレーザとしてエキシマレーザを用いたが、本発
明はこれに限定されるものではなく、リペア箇所の構成
材料に応じてＹＡＧレーザ等その他のレーザも用いるこ
とができる。
るためのレーザとしてエキシマレーザを用いたが、本発
明はこれに限定されるものではなく、リペア箇所の構成
材料に応じてＹＡＧレーザ等その他のレーザも用いるこ
とができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明に従えば、リーク箇所が多数存在
しても、光電変換素子に逆バイアスを印加して発光させ
る僅かな時間内に、全てのリーク箇所を測定することが
でき、また測定後レーザ光を照射してリペアすることが
できる。従って、効率良くかつ精度の高いリペアを実現
することができ、不良品の発生を著しく低減させること
ができる。
しても、光電変換素子に逆バイアスを印加して発光させ
る僅かな時間内に、全てのリーク箇所を測定することが
でき、また測定後レーザ光を照射してリペアすることが
できる。従って、効率良くかつ精度の高いリペアを実現
することができ、不良品の発生を著しく低減させること
ができる。
【図１】本発明の基本的な構成を示す機能ブロック図。
【図２】本発明に従う一実施形態のリーク箇所検出リペ
ア装置を示す構成図。
ア装置を示す構成図。
【図３】図２に示す実施形態における動作を示すフロー
チャート図。
チャート図。
【図４】本発明におけるサンプリング間隔を説明するた
めの平面図。
めの平面図。
【図５】本発明に従う他の実施形態のリーク箇所検出リ
ペア装置を示す構成図。
ペア装置を示す構成図。
【図６】図５に示す実施形態において用いる液晶マスク
の光透過領域の制御を説明するための斜視図。
の光透過領域の制御を説明するための斜視図。
１…光電変換素子 ２…逆バイアス印加手段 ３…赤外線検知手段 ４…リーク箇所判別手段 ５…記憶手段 ６…レーザ光照射位置制御手段 ７…レーザ光照射手段 １０…光電変換素子 １０ａ…ピンホール １１…バイアス印加装置 １２…赤外線センサー １３…制御用コンピュータ １４…エキシマレーザ １５…金属マスク １６…ミラー １７…被加工物駆動テーブル １８…エキシマレーザ １９…ビームエキスパンダー ２０…液晶マスク ３０…欠陥 ３１…レーザビームスポット ４０…光電変換素子に対応する２次元座標
Claims (5)
- 【請求項１】 光電変換素子のリーク箇所を検出しリペ
アするための装置であって、 前記光電変換素子に逆バイアスを印加する逆バイアス印
加手段と、 逆バイアスを印加された前記光電変換素子の被測定面か
ら出射される赤外線を前記被測定面の２次元座標で特定
して検知する赤外線検知手段と、 前記赤外線検知手段で検知した２次元座標上の各赤外線
のエネルギ強度を基準値と比較してリーク箇所であるか
否かを判別するリーク箇所判別手段と、 前記リーク箇所判別手段でリーク箇所であると判別され
た箇所の２次元座標情報を記憶する記憶手段と、 前記光電変換素子のリーク箇所に対してレーザ光を照射
するため、前記記憶手段に記憶された前記リーク箇所の
２次元座標情報に基づき前記光電変換素子に対するレー
ザ光照射位置を制御するレーザ光照射位置制御手段と、 前記レーザ光照射位置制御手段によって位置決めされた
前記光電変換素子のリーク箇所にレーザ光を照射するレ
ーザ光照射手段とを備える光電変換素子のリーク箇所検
出リペア装置。 - 【請求項２】 前記レーザ光照射位置制御手段が、少な
くとも２次元方向に移動する、前記光電変換素子を載せ
るための駆動テーブルを有しており、該駆動テーブルの
駆動を制御することにより前記光電変換素子に対するレ
ーザ光照射位置を制御する請求項１に記載の光電変換素
子のリーク箇所検出リペア装置。 - 【請求項３】 前記リーク箇所判別手段が、検知した赤
外線のエネルギ強度に対応する絶対温度と基準値として
の室温とを比較し、１０Ｋ以上の差がある２次元座標上
の箇所をリーク箇所であると判別する請求項１または２
に記載の光電変換素子のリーク箇所検出リペア装置。 - 【請求項４】 前記レーザ光照射位置制御手段が、前記
光電変換素子の被測定面の２次元座標に対応させて光透
過領域を制御することができる透過領域可変マスクを有
しており、検出したリーク箇所の２次元座標上の位置に
対応して前記透過領域可変マスクの光透過領域を制御す
ることによりレーザ光照射位置を制御する請求項１〜３
のいずれか１項に記載の光電変換素子のリーク箇所検出
リペア装置。 - 【請求項５】 前記透過領域可変マスクが液晶マスクで
ある請求項４に記載の光電変換素子のリーク箇所検出リ
ペア装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08072816A JP3098950B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 光電変換素子のリーク箇所検出リペア装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08072816A JP3098950B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 光電変換素子のリーク箇所検出リペア装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266322A true JPH09266322A (ja) | 1997-10-07 |
| JP3098950B2 JP3098950B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=13500328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08072816A Expired - Fee Related JP3098950B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 光電変換素子のリーク箇所検出リペア装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3098950B2 (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002260857A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法および薄膜形成装置 |
| WO2006059615A1 (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-08 | National University Corporation NARA Institute of Science and Technology | 太陽電池の評価方法及び評価装置並びにその利用 |
| JP2006323032A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Sony Corp | フラットパネルディスプレイディバイスの欠陥画素リペア装置及びその欠陥画素リペア方法 |
| US7285428B2 (en) | 2004-02-02 | 2007-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Production method of electron source and image display |
| JP2008306129A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Clean Venture 21 Corp | 光電変換装置の製造方法 |
| DE102007045830A1 (de) * | 2007-09-25 | 2009-04-02 | Kühn, Thomas | Verfahren und Apparatur zur Überprüfung elektrisch verbundener Solarzellen |
| JP2009193970A (ja) * | 2000-12-28 | 2009-08-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| WO2009123040A1 (ja) | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 株式会社アルバック | 太陽電池の製造方法，太陽電池の製造装置，及び太陽電池 |
| WO2009123039A1 (ja) | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 株式会社アルバック | 太陽電池の製造方法および太陽電池の製造装置 |
| JP2009288090A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体素子の発熱解析方法 |
| WO2010052884A1 (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-14 | 株式会社アルバック | 太陽電池の製造方法及び製造装置 |
| JP2010153552A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 太陽電池アレイの地絡試験方法 |
| WO2010146698A1 (ja) | 2009-06-18 | 2010-12-23 | 株式会社アルバック | 太陽電池の製造方法および太陽電池の製造装置 |
| WO2011001962A1 (ja) | 2009-06-29 | 2011-01-06 | 京セラ株式会社 | 光電変換素子の製造方法、光電変換素子の製造装置および光電変換素子 |
| KR20110068219A (ko) * | 2009-12-15 | 2011-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 태양전지의 리페어장치 및 리페어방법 |
| JP2012142337A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Kyocera Corp | 光電変換モジュールの製造方法 |
| KR101358884B1 (ko) * | 2011-09-14 | 2014-02-06 | (주)에이앤아이 | 펨 기능을 구비한 평판디스플레이 리페어 장치 |
| JP2021527942A (ja) * | 2019-04-10 | 2021-10-14 | グーグル エルエルシーＧｏｏｇｌｅ ＬＬＣ | 携帯型急速大面積薄膜光焼結装置 |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP08072816A patent/JP3098950B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8273583B2 (en) | 2000-12-28 | 2012-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| US7871930B2 (en) | 2000-12-28 | 2011-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| JP2011044439A (ja) * | 2000-12-28 | 2011-03-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| JP2011071142A (ja) * | 2000-12-28 | 2011-04-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| US9412948B2 (en) | 2000-12-28 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| US8980660B2 (en) | 2000-12-28 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| JP2009193970A (ja) * | 2000-12-28 | 2009-08-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| JP2009193969A (ja) * | 2000-12-28 | 2009-08-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の修理方法、発光装置及びその作製方法 |
| JP2009200059A (ja) * | 2000-12-28 | 2009-09-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の欠陥部の検出方法 |
| JP2009206103A (ja) * | 2000-12-28 | 2009-09-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | リペア装置、リペア方法、発光装置及びその作製方法 |
| JP2014197564A (ja) * | 2000-12-28 | 2014-10-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| JP2014044959A (ja) * | 2000-12-28 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| US8367439B2 (en) | 2000-12-28 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| JP2002260857A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法および薄膜形成装置 |
| JP4694636B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2011-06-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | リペア装置、リペア方法及び発光装置の作製方法 |
| JP2011071143A (ja) * | 2000-12-28 | 2011-04-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| JP4694649B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2011-06-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| JP4669555B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2011-04-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の欠陥部の検出方法 |
| JP2011009231A (ja) * | 2000-12-28 | 2011-01-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| US7285428B2 (en) | 2004-02-02 | 2007-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Production method of electron source and image display |
| WO2006059615A1 (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-08 | National University Corporation NARA Institute of Science and Technology | 太陽電池の評価方法及び評価装置並びにその利用 |
| US7601941B2 (en) | 2004-11-30 | 2009-10-13 | National University Corporation NARA Institute of Science and Technology | Method and apparatus for evaluating solar cell and use thereof |
| JP2006323032A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Sony Corp | フラットパネルディスプレイディバイスの欠陥画素リペア装置及びその欠陥画素リペア方法 |
| JP2008306129A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Clean Venture 21 Corp | 光電変換装置の製造方法 |
| DE102007045830A1 (de) * | 2007-09-25 | 2009-04-02 | Kühn, Thomas | Verfahren und Apparatur zur Überprüfung elektrisch verbundener Solarzellen |
| WO2009123040A1 (ja) | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 株式会社アルバック | 太陽電池の製造方法，太陽電池の製造装置，及び太陽電池 |
| WO2009123039A1 (ja) | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 株式会社アルバック | 太陽電池の製造方法および太陽電池の製造装置 |
| JP5144747B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-02-13 | 株式会社アルバック | 太陽電池の製造方法，太陽電池の製造装置，及び太陽電池 |
| JP2009288090A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体素子の発熱解析方法 |
| WO2010052884A1 (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-14 | 株式会社アルバック | 太陽電池の製造方法及び製造装置 |
| JP5193309B2 (ja) * | 2008-11-04 | 2013-05-08 | 株式会社アルバック | 太陽電池の製造方法及び製造装置 |
| DE112009002647T5 (de) | 2008-11-04 | 2012-06-14 | Ulvac, Inc. | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Vorrichtung zur Herstellung einer Solarzelle |
| KR101232816B1 (ko) * | 2008-11-04 | 2013-02-15 | 가부시키가이샤 아루박 | 태양 전지의 제조 방법 및 제조 장치 |
| JP2010153552A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 太陽電池アレイの地絡試験方法 |
| WO2010146698A1 (ja) | 2009-06-18 | 2010-12-23 | 株式会社アルバック | 太陽電池の製造方法および太陽電池の製造装置 |
| JP5295369B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2013-09-18 | 京セラ株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
| WO2011001962A1 (ja) | 2009-06-29 | 2011-01-06 | 京セラ株式会社 | 光電変換素子の製造方法、光電変換素子の製造装置および光電変換素子 |
| CN102334193A (zh) * | 2009-06-29 | 2012-01-25 | 京瓷株式会社 | 光电转换元件的制造方法、光电转换元件的制造装置及光电转换元件 |
| KR20110068219A (ko) * | 2009-12-15 | 2011-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 태양전지의 리페어장치 및 리페어방법 |
| JP2012142337A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Kyocera Corp | 光電変換モジュールの製造方法 |
| KR101358884B1 (ko) * | 2011-09-14 | 2014-02-06 | (주)에이앤아이 | 펨 기능을 구비한 평판디스플레이 리페어 장치 |
| JP2021527942A (ja) * | 2019-04-10 | 2021-10-14 | グーグル エルエルシーＧｏｏｇｌｅ ＬＬＣ | 携帯型急速大面積薄膜光焼結装置 |
| US11935983B2 (en) | 2019-04-10 | 2024-03-19 | Google Llc | Portable rapid large area thin film photosinterer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3098950B2 (ja) | 2000-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3098950B2 (ja) | 光電変換素子のリーク箇所検出リペア装置 | |
| US6878900B2 (en) | Method and apparatus for repair of defects in materials with short laser pulses | |
| US6549022B1 (en) | Apparatus and method for analyzing functional failures in integrated circuits | |
| JP5202026B2 (ja) | レーザスクライブ装置 | |
| US4652757A (en) | Method and apparatus for optically determining defects in a semiconductor material | |
| JP5187843B2 (ja) | 半導体検査装置及び検査方法 | |
| CN1215543C (zh) | 用于评估多晶硅薄膜的装置 | |
| JP2006323032A (ja) | フラットパネルディスプレイディバイスの欠陥画素リペア装置及びその欠陥画素リペア方法 | |
| JPH07109848B2 (ja) | 加工物上の所望の区域を指定して試験する方法および装置 | |
| JPH0330085B2 (ja) | ||
| JP2010149146A (ja) | レーザ加工装置 | |
| US7307727B2 (en) | Method and apparatus for forming substrate for semiconductor or the like | |
| KR20020092231A (ko) | 막질 검사 방법과 막질 검사 장치 | |
| EP1482293B1 (en) | Method of evaluating non-linear optical crystal and device therefor and wavelength conversion method and device therefor | |
| JP2001284281A (ja) | レーザ加工装置及び方法 | |
| JP3410989B2 (ja) | 精密レーザ照射装置及び制御方法 | |
| CN111433892B (zh) | 卡盘板、退火装置及退火方法 | |
| TWI433196B (zh) | 真空環境中加熱基板的方法及系統 | |
| JP2010145540A (ja) | 封止装置、封止方法、およびフラットパネルディスプレイの製造方法 | |
| JP5816793B2 (ja) | 欠陥検出方法 | |
| JP2006185933A (ja) | レーザアニール方法およびレーザアニール装置 | |
| JP2518533B2 (ja) | 半導体集積回路内部相互配線の検査装置 | |
| JP2007096011A (ja) | 試料検査方法 | |
| CN216208676U (zh) | 检测设备 | |
| JP2002340990A (ja) | 半導体デバイスの評価方法及び装置。 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090811 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090811 Year of fee payment: 9 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090811 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100811 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100811 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110811 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110811 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120811 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130811 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |