DE112009001144T5 - Organische Leuchtdiode - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 93
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 180
- 230000006870 function Effects 0.000 description 37
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 32
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 16
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 14
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 10
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 8
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- -1 poly (p-phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 6
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 3
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 3
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 3
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 3
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical class [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 description 2
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001136792 Alle Species 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001553 barium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HVQAJTFOCKOKIN-UHFFFAOYSA-N flavonol Chemical compound O1C2=CC=CC=C2C(=O)C(O)=C1C1=CC=CC=C1 HVQAJTFOCKOKIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 2
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 2
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004001 thioalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- FASQVICVMDAZLR-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-benzothiadiazole;thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1.C=1C=CSC=1.C1=CC=C2SN=NC2=C1 FASQVICVMDAZLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHBIKXOBLZWFKM-UHFFFAOYSA-N 8-hydroxy-2-quinolinecarboxylic acid Chemical compound C1=CC=C(O)C2=NC(C(=O)O)=CC=C21 UHBIKXOBLZWFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical class C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical group CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000557 Nafion® Polymers 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002262 Schiff base Substances 0.000 description 1
- 150000004753 Schiff bases Chemical class 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N [N].[O] Chemical compound [N].[O] OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRSFFHRCBYCWBS-UHFFFAOYSA-N [O].[O] Chemical compound [O].[O] QRSFFHRCBYCWBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical class OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004777 chromones Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004446 heteroarylalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- PJULCNAVAGQLAT-UHFFFAOYSA-N indeno[2,1-a]fluorene Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4=CC5=CC=CC=C5C4=CC=C3C2=C1 PJULCNAVAGQLAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000250 methylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000006069 physical mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 150000007519 polyprotic acids Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000010020 roller printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-b]thiophene Chemical compound S1C=CC2=C1C=CS2 VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000005490 tosylate group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M triflate Chemical group [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- H10K50/82—Cathodes
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Abstract
Abscheiden einer ersten Schicht mit einem Elektroneninjektionsmaterial.
Abscheiden einer zweiten Schicht auf der ersten Schicht, wobei die zweite Schicht ein Metallmaterial einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV umfasst, und
Abscheiden einer dritten Schicht auf der zweiten Schicht, wobei die dritte Schicht ein Metallmaterial einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV umfasst.
Description
- Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf organische Leuchtdioden und neue Kathodenstrukturen zur Anwendung darin.
- Hintergrund der Erfindung
- Organische Leuchtdioden (OLEDs) umfassen im Allgemeinen eine Kathode, eine Anode und einen organischen Lichtemissionsbereich zwischen der Kathode und der Anode. Licht emittierende organische Materialien können kleinmolekülige Materialien wie die in der
US 4539507 beschriebenen oder Polymermaterialien wie die in derPCT/WO90/13148 -
1 stellt den Querschnitt einer typischen OLED-Struktur dar. Die OLED ist typischerweise auf einem mit einer lichtdurchlässigen Anode2 , z. B. einer Indiumzinnoxid(ITO)-Schicht überzogenen Glas- oder Kunststoffsubstrat1 , hergestellt. Das ITO-beschichtete Substrat ist mit mindestens einer Schicht eines Dünnfilms aus einem elektrolumineszierenden organischen Material3 und dem Kathodenmaterial4 beschichtet. Der Vorrichtung können weitere Schichten hinzugefügt werden, z. B. zur Verbesserung des Ladungstransports zwischen den Elektroden und dem elektrolumineszierenden Material. - In einer Anordnung (
1 ) sind das Substrat1 und die Anode2 lichtdurchlässig, damit das von der elektrolumineszierenden organischen Schicht3 emittierte Licht hindurchtreten kann. Eine solche Anordnung ist als Bottom-Emitter bekannt. In einer anderen Anordnung ist die Kathode4 lichtdurchlässig, damit das von der elektrolumineszierenden organischen Schicht3 emittierte Licht hindurchtreten kann. Eine solche Anordnung ist als Top-Emitter bekannt. - Aufgrund ihrer potentiellen Vorteile gegenüber herkömmlichen Displays besteht ein zunehmendes Interesse am Einsatz von OLEDs bei Display-Anwendungen. OLEDs weisen eine relativ geringe Betriebsspannung und einen relativ geringen Stromverbrauch auf und lassen sich leicht zu großflächigen Displays verarbeiten. In der Praxis besteht Bedarf an OLEDs, die hell sind und effizient arbeiten, aber auch zuverlässig herzustellen und in der Anwendung stabil sind.
- Die Struktur der Kathode in OLEDs ist einer der in diesem Fachgebiet zur Diskussion stehenden Aspekte. Im Falle einer monochromen OLED kann die Kathode für eine optimale Leistung mit einem einzigen elektrolumineszierenden organischen Material ausgewählt werden. Eine Vollfarben-OLED dagegen umfasst rot, grün und blau emittierende organische Materialien. Eine solche Vorrichtung erfordert eine Kathode, die Elektronen in alle drei Emissionsmaterialien injizieren kann, d. h. eine ”gemeinsame Elektrode”.
- Die Kathode
4 kann aus Materialien ausgewählt sein, deren Austrittsarbeit die Injektion von Elektronen in die elektrolumineszierende Schicht erlaubt. Auch andere Faktoren beeinflussen die Auswahl der Kathode, beispielsweise die Möglichkeit ungünstiger Wechselwirkungen zwischen der Kathode und dem elektrolumineszierenden Material. Die Kathode kann aus einem einzigen Material, z. B. einer Aluminiumschicht bestehen. Alternativ kann sie eine Vielzahl von Metallen umfassen, z. B. eine Doppelschicht von Kalzium und Aluminium (wie in derWO 98/10621 WO 98/57381 WO 02/84759 WO 00/48258 - Eine Schicht aus einem Metallfluorid zwischen der organischen Emissionsschicht (oder ggf. der organischen Elektronentransportschicht) und der Metallkathode kann zu einer Verbesserung des Wirkungsgrades der Vorrichtung führen (siehe z. B. Appl. Phys. Lett. 70, 152, 1997). Diese Verbesserung resultiert vermutlich aus einer Reduktion der Barrierehöhe an der Grenzfläche zwischen dem Polymer und der Kathode, was eine verbesserte Elektroneninjektion in die organische(n) Schicht(en) erlaubt. In Appl. Phys. Lett. 79(5), 563–565, 2001 wird ein Mechanismus zur Degradierung der Vorrichtung unter Anwendung der LiF/Al-Kathode vorgeschlagen; die hier bei der Reaktion von LiF und Al freigesetzten Li-Atome können in die elektrolumineszierende Schicht wandern und das elektrolumineszierende Material dotieren. Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben jedoch festgestellt, dass die LiF/Al-Kathode zwar relativ stabil ist, ihr Hauptnachteil aber in ihrem relativ geringen Wirkungsgrad liegt (insbesondere bei Verwendung als gemeinsame Kathode). Bei einer effizienteren Anordnung kommt eine in Synth. Metals 2000, 111–112, S. 125–128 als gemeinsame Elektrode beschriebene dreilagige Schicht aus LiF/Ca/Al zum Einsatz. In der
WO 03/019696 WO 03/019696 WO 03/019696 - Die
US 6,563,262 schlägt die Anwendung einer Doppelschicht aus einem Metalloxid (z. B: BaO) und Aluminium für fluoreszierende PPV-Emissionsmaterialien (PPV = Poly(p-phenylenvinylen)) vor. Die Metalloxidschicht weist offenbarungsgemäß eine Dicke im Bereich von 1,5 bis 20 nm auf. - Aus dem zuvor Genannten geht hervor, dass es verschiedene Offenbarungen bezüglich der Anwendung dünner Schichten aus Metallverbindungen als Elektroneninjektionsschichten in einer Kathode einer organischen Leuchtdiode gibt. Daher bieten diese Schichten den darunter liegenden Schichten z. B. im Falle der Abscheidung einer darüber liegenden Schicht mittels eines Hochenergieverfahrens wie dem Sputtern keinen guten Schutz.
- Die
WO 2006/016153 - Die
US 6,576,093 offenbart eine Doppelschichtkathode aus einer Schicht eines Materials mit einer geringen Austrittsarbeit wie z. B. Ca und einer Schicht eines Materials mit einer höheren Austrittsarbeit wie z. B. Aluminium. Es wird beschrieben, dass eine Kathodenschicht typischerweise mittels Vakuumverdampfen oder einer Sputtertechnik wie beispielsweise HF-Sputtern oder DC-Magnetron-Sputtern abgeschieden wird. Es wird beschrieben, dass Vakuumverdampfen dann, wenn die darunter liegende Schicht eine Schicht aus einem relativ empfindlichen Material wie z. B. einem löslichen konjugierten Polymer ist, häufig die bevorzugte Technik zur Abscheidung der ersten Schicht ist, da es sich um einen relativ niederenergetischen Prozess handelt, wodurch die darunter liegende Schicht aus dem organischen Material weniger beschädigt wird. Es wird weiterhin beschrieben, dass mit herkömmlichen Vakuumverdampfungstechniken abgeschiedene Kathodenschichten kleine Löcher enthalten, durch die Wasser und Sauerstoff in die Vorrichtung gelangen und Reaktionen an der Grenzfläche zwischen der organischen Schicht und der Kathode auslösen können. Diese Reaktionen führen zur Bildung schwarzer Flecken, die kein Licht emittieren, und damit zu einer Leistungsminderung der Vorrichtung. Dementsprechend wird vorgeschlagen, die Kathode durch Abscheidung einer ersten Schicht eines Materials mit einer geringen Austrittsarbeit mittels einer Niedrigenergie-Abscheidungstechnik wie z. B. Vakuumverdampfen und Abscheidung einer zweiten Schicht eines Materials mit einer höheren Austrittsarbeit mittels einer entsprechenden Abscheidungstechnik, z. B. einer Sputtertechnik herzustellen. - Eine Aufgabe der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer alternativen Lösung für das zuvor genannte Problem der kleinen Löcher in den Kathodenschichten, die zu einer ungleichmäßigen Lichtemission führen. Eine weitere Aufgabe ist die Bereitstellung einer organischen Leuchtdiode mit verbessertem optoelektrischem Wirkungsgrad. Eine weitere Aufgabe ist die Bereitstellung einer organischen Leuchtdiodenstruktur mit einer niedrigeren initialen Antriebsspannung und einer besseren Stabilität der Antriebsspannung während Lagerung und Wärmebehandlung. Eine weitere Aufgabe ist die Bereitstellung einer organischen Leuchtdiode mit einer verbesserten Lebensdauer, insbesondere bei erhöhter Betriebstemperatur.
- Zusammenfassung der Erfindung
- Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode bereitgestellt, das Folgendes umfasst: Abscheiden einer organischen Lichtemissionsschicht auf einer Anode und Abscheiden einer Kathode auf der organischen Lichtemissionsschicht, wobei die Kathode eine dreilagige Struktur umfasst, die wie folgt gebildet wird: Abscheiden einer ersten Schicht aus einem Elektroneninjektionsmaterial, Abscheiden einer zweiten Schicht auf der ersten Schicht, wobei die zweite Schicht ein Metallmaterial mit einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV umfasst, und Abscheiden einer dritten Schicht auf der zweiten Schicht, wobei die dritte Schicht ein Metallmaterial mit einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV umfasst.
- Es hat sich überraschenderweise herausgestellt, dass die Bereitstellung einer dritten Schicht aus einem Metallmaterial einer hohen Austrittsarbeit auf einer Doppelschicht aus einer Elektroneninjektionsschicht einer geringen Austrittsarbeit und einer Metallschicht einer hohen Austrittsarbeit den optoelektrischen Wirkungsgrad erhöht, die initiale Antriebsspannung reduziert, die Lebensdauer verbessert (insbesondere bei erhöhter Temperatur) und zu einer besseren Stabilität der Antriebsspannung während Lagerung und Wärmebehandlung führt. Weiterhin ist das Problem der ungleichmäßigen Lichtemission aufgrund der kleinen Löcher selbst dann gelöst, wenn Niedrigenergie-Abscheidungstechniken wie Vakuumverdampfen für die Kathodenschichten angewandt werden.
- Frühere mehrschichtige Kathodenstrukturen bestanden entweder aus einer Doppelschicht mit einer Elektroneninjektionsschicht einer geringen Austrittsarbeit und einer Deckschicht einer hohen Austrittsarbeit oder alternativ aus einer dreilagigen Struktur mit zwei Schichten einer geringen Austrittsarbeit und einer darauf befindlichen Deckschicht einer hohen Austrittsarbeit (z. B. Li/Ca/Al) oder aus einer dreilagigen Struktur aus einer Schicht einer Metallverbindung, einer Schicht mit einer geringen Austrittsarbeit und einer Deckschicht mit einer hohen Austrittsarbeit (z. B. LiF/Ca/Al). Man ging davon aus, dass die ersten beiden Schichten in einer solchen dreilagigen Struktur miteinander in Wechselwirkung treten könnten, sodass sich die Elektroneninjektion verbessert.
- Die Zunahme des optoelektischen Wirkungsgrades und die Reduktion der Antriebsspannung infolge der erfindungsgemäßen Kathodenstruktur können insofern als überraschend gelten, da man oberflächlich betrachtet nicht erwarten würde, dass das Hinzufügen einer weiteren Metallschicht einer hohen Austrittsarbeit (auf einer Doppelschicht aus einer Elektroneninjektionsschicht einer geringen Austrittsarbeit und einer Metallschicht einer hohen Austrittsarbeit) die Elektroneninjektionseigenschaften der Kathodenstruktur signifikant verändert. Dass die dritte Schicht von der Elektroneninjektionsgrenzfläche erheblich beabstandet ist und eine hohe Austrittsarbeit aufweist, könnte darauf hindeuten, dass sie nur eine geringe Auswirkung auf den Wirkungsgrad und die Antriebsspannung der Vorrichtung hat. Der Anmelder der vorliegenden Anmeldung hat jedoch herausgefunden, dass dies nicht der Fall ist und die Bereitstellung einer solchen dritten Schicht im Vergleich zu einer zweilagigen Kathodenstruktur ohne dritte Schicht überraschenderweise den optoelektischen Wirkungsgrad erhöht, die initiale Antriebsspannung reduziert und zu einer besseren Stabilität der Antriebsspannung während Lagerung und Wärmebehandlung führt.
- Weiterhin ist das Problem der ungleichmäßigen Lichtemission infolge der kleinen Löcher gelöst, ohne dass die Anwendung einer entsprechenden Hochenergie-Abscheidungstechnik wie z. B. einer Sputtertechnik wie in der
US 6,576,093 beschrieben erforderlich ist. Dementsprechend können zumindest die erste und zweite Schicht und selbst die dritte Schicht mittels einer Niedrigenergie-Abscheidungstechnik wie z. B. Vakuumverdampfen abgeschieden werden. Es wird postuliert, dass die dritte Schicht die kleinen Löcher in der zweiten Schicht füllt, sodass die zweite und dritte Schicht gemeinsam eine glatte und von kleinen Löchern relativ freie Struktur bilden, die gegenüber dem Eindringen von Wasser und Sauerstoff wesentlich beständiger sind als die zweite Schicht alleine. - Der elektrische Anschluss der Kathode kann direkt an die dritte Schicht erfolgen. Alternativ kann der elektrische Anschluss direkt an die zweite Schicht erfolgen. In jedem Fall ist es von Vorteil, wenn sowohl die zweite als auch die dritte Schicht zumindest indirekt an die Stromquelle, mit der die Vorrichtung betrieben wird, angeschlossen sind.
- Vorzugsweise sind die zweite und dritte Schicht einfache Metalle oder Legierungen, die keine größere Menge eines Materials mit geringer Austrittsarbeit enthalten. Wie zuvor beschrieben werden die vorteilhaften funktionellen Auswirkungen wie Reduktion der Antriebsspannung und Erhöhung des Wirkungsgrades überraschenderweise dadurch erzielt, dass für die zweite und dritte Schicht Materialien mit hoher Austrittsarbeit verwendet werden, ohne dass weitere Materialien mi geringer Austrittsarbeit erforderlich sind. Dadurch lassen sich gleichzeitige Abscheidungsprozesse zur Bildung solcher Verbundschichten (die teurer und schwieriger zu steuern sind) vermeiden.
- Vorzugsweise werden die zweite und dritte Schicht in einer Vakuumkammer gebildet, wobei das Vakuum zwischen der Abscheidung der zweiten und dritten Schicht nicht unterbrochen wird. Auf diese Weise können die zweite und dritte Schicht eine ”primäre” Verkapselung bilden, die die Vorrichtung vor dem Aufbringen weiterer Verkapselungsschichten vor einem möglichen Eindringen von Feuchtigkeit und Sauerstoff schützt.
- Auf der dritten Schicht kann ein Verkapselungsüberzug aus einer oder mehreren Polymerschichten und/oder einer oder mehreren dielektrischen Schichten abgeschieden werden. Vorzugsweise umfasst der Verkapselungsüberzug abwechselnd Polymer- und dielektrische Schichten. Alternativ kann die Vorrichtung mittels eines Gehäuses wie beispielsweise einer Glas- oder Metall ”hülle”, die auf die Vorrichtung aufgebracht und mit dem Substrat verklebt wird, verkapselt werden, um die Vorrichtung einzuschließen.
- Die Austrittsarbeit des Materials der ersten Schicht kann weniger als 3,5 eV, weniger als 3,3 eV oder noch bevorzugter weniger als 3,1 eV betragen. Die Austrittsarbeit des Materials der zweiten und/oder dritten Schicht kann mehr als 3,7 eV und noch bevorzugter mehr als 3,9 eV betragen.
- Das Material der ersten Schicht kann aus einem Metall der Gruppe I oder II, einer Legierung eines Metalls der Gruppe I oder II und einer Verbindung eines Metalls der Gruppe I oder II, z. B. einem Oxid oder einem Fluorid ausgewählt sein. Beispiele für geeignete Materialien sind Ba, BaO und NaF.
- Vorzugsweise besitzt die erste Schicht eine Dicke von bis zu 10 nm, noch bevorzugter von bis zu 5 nm.
- Vorzugsweise besitzen die zweite und dritte Schicht jeweils unabhängig voneinander eine Dicke im Bereich von 20 bis 500 nm. Die zweite Schicht besitzt noch bevorzugter eine Dicke im Bereich von 100 bis 300 nm und die dritte Schicht besitzt noch bevorzugter eine Dicke im Bereich von 50 bis 200 nm.
- Beispiele für geeignete Materialien für die zweite und/oder dritte Schicht sind Al, Ag und NiCr. Das Material der dritten Schicht unterscheidet sich vorzugsweise von dem der zweiten Schicht. In einer bevorzugten Ausführungsform besteht die zweite Schicht aus Aluminium, die dritte Schicht aus Ag oder NiCr. Es ist jedoch möglich, dass die dritte Schicht zwar aus demselben Material besteht wie die zweite Schicht, aber separat von der zweiten Schicht in einem eigenen Abscheidungsschritt abgeschieden wird, sodass eine deutliche Grenzfläche zwischen der zweiten und dritten Schicht entsteht. In diesem Fall lässt sich das Vorliegen zweier separater Schichten mit einer dazwischen befindlichen Grenzfläche durch Analyse der Mikrostruktur der zweiten und dritten Schicht ermitteln.
- Entsprechend einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine organische Leuchtdiode bereitgestellt, die Folgendes umfasst: eine Anode, eine Kathode und eine organische Lichtemissionsschicht zwischen der Anode und der Kathode, wobei die Kathode aus einer dreilagigen Struktur besteht, die Folgendes umfasst: eine erste Schicht mit einem Material einer Austrittsarbeit von 3,5 eV oder weniger, eine auf der ersten Schicht befindliche zweite Schicht mit einem Material einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV und eine auf der zweiten Schicht befindliche dritte Schicht ebenfalls mit einem Material einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV. Die organische Leuchtdiode lässt sich mit einem oder mehreren der Merkmale, wie sie im Zusammenhang mit dem ersten Aspekt der Erfindung beschrieben wurden, herstellen.
- Entsprechend einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine organische Leuchtdiode bereitgestellt, die Folgendes umfasst: eine Anode, eine Kathode und eine organische Lichtemissionsschicht zwischen der Anode und der Kathode, wobei die Kathode eine zweilagige Struktur umfasst, die Folgendes umfasst: eine erste Schicht aus einem Material einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV und eine auf der ersten Schicht befindliche zweite Schicht ebenfalls bestehend aus einem Material einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV.
- Entsprechend einem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode bereitgestellt, das Folgendes umfasst: Abscheiden einer organischen Lichtemissionsschicht auf einer Anode und Abscheiden einer Kathode auf der organischen Lichtemissionsschicht, wobei die Kathode eine zweilagige Struktur umfasst, die wie folgt gebildet wird: Abscheiden einer ersten Schicht mit einem Metallmaterial einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV und Abscheiden einer zweiten Schicht auf der ersten Schicht, wobei die zweite Schicht ebenfalls ein Metallmaterial einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV umfasst, wobei die erste und die zweite Schicht mittels Vakuumverdampfen abgeschieden werden.
- Der dritte bzw. vierte Aspekt kann jeweils ein oder mehrere der Merkmale, wie sie im Zusammenhang mit dem ersten und zweiten Aspekt beschrieben wurden, aufweisen, erfordert aber nicht die Bereitstellung einer separaten Elektroneninjektionsschicht. Diese Aspekte können bei Vorrichtungen nützlich sein, die nicht notwendigerweise eine optimale Elektroneninjektion erfordern.
- Kurzbeschreibung der Zeichnungen
- Die vorliegende Erfindung wird nun mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen ausschließlich anhand von Beispielen näher beschrieben. In den Zeichnungen zeigen:
-
1 schematisch den Querschnitt einer typischen OLED-Struktur; -
2 den Querschnitt einer OLED-Struktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; -
3(a) und3(b) die Elektrolumineszenz einer Vorrichtung nach Wärmebehandlung/Lagerung bei Vorrichtungen mit einer Standardkathodenstruktur; -
4(a) und4(b) die Elektrolumineszenz einer Vorrichtung nach Wärmebehandlung/Lagerung bei Vorrichtungen mit einer Kathodenstruktur gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung; -
5 die Wirkungsgradkurve einer Vorrichtung mit einer Kathodenstruktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung (obere Linie) im Vergleich zu einer Vorrichtung mit einer Standardkathodenstruktur (untere Linie); und -
6 die initiale Antriebsspannung von zwei Vorrichtungen mit Kathodenstrukturen gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung (unterste und zweitunterste Linie) im Vergleich zu einer Vorrichtung mit einer Standardkathodenstruktur (oberste Linie). - Detaillierte Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen
-
1 wurde bereits beschrieben und stellt schematisch den Querschnitt einer typischen OLED-Struktur dar.2 stellt den Querschnitt einer OLED-Struktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar. Um die Struktur der Ausführungsform im Vergleich zu der in1 dargestellten Standardstruktur noch klarer darzustellen, wurden für gleiche Bauteile gleiche Bezugszeichen verwendet. Die OLED umfasst ein Substrat1 , eine Anode2 , eine organische Lichtemissionsschicht3 und eine Kathode4 . Erfindungsgemäß umfasst die Kathode4 eine erste Schicht4a mit einem Elektroneninjektionsmaterial, eine auf der ersten Schicht befindliche zweite Schicht4b mit einem Material einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV und eine auf der zweiten Schicht befindliche dritte Schicht4c ebenfalls mit einem Material einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV. - Es hat sich herausgestellt, dass Standardvorrichtungen bei Lagerung oder Wärmebehandlung Leuchtflecken bzw. ein fleckiges Aussehen entwickeln.
3(a) stellt beispielsweise die Elektrolumineszenz nach Wärmebehandlung/Lagerung einer Vorrichtung mit einer zweilagigen Kathode aus NaF/Al dar,3(b) die Elektrolumineszenz nach Wärmebehandlung/Lagerung einer Vorrichtung mit einer zweilagigen Kathode aus BaO/Al. Wie ersichtlich weisen beide Vorrichtungen ein fleckiges Aussehen mit ungleichmäßiger Lichtemission auf. - Es hat sich herausgestellt, dass eine zusätzliche Deckschicht aus einem Metall mit hoher Austrittsarbeit das Aussehen der Emissionsvorrichtung nach Lagerung und/oder Wärmebehandlung verbessert.
4(a) stellt beispielsweise die Elektrolumineszenz nach Wärmebehandlung/Lagerung einer Vorrichtung mit einer dreilagigen Kathode aus NaF/Al/Ag dar,4(b) die Elektrolumineszenz nach Wärmebehandlung/Lagerung einer Vorrichtung mit einer dreilagigen Kathode aus BaO/Al/Ag. Wie ersichtlich weisen beide Vorrichtungen eine gleichmäßige Lichtemission auf. - Darüber hinaus hat sich herausgestellt, dass eine zusätzliche Deckschicht aus einem Metall mit hoher Austrittsarbeit die Elektroneninjektion an der Kathode verbessert. Dies zeigt sich in dem verbesserten Wirkungsgrad bei niedriger Antriebsspannung. Ein Beispiel ist in
5 (Wirkungsgradkurve einer Vorrichtung mit der Kathodenstruktur BaO/Al/Ag (obere Linie) im Vergleich zu einer Vorrichtung mit der Standardkathodenstruktur BaO/Al (untere Linie)) dargestellt. Wie ersichtlich weisen die mit einer Ag-Deckschicht überzogenen Vorrichtungen einen höheren Wirkungsgrad bei niedriger Antriebsspannung auf als die Standard-BaO/Al-Kathodenstruktur. - Weiterhin hat sich herausgestellt, dass eine zusätzliche Deckschicht aus einem Metall mit hoher Austrittsarbeit bei der Vorrichtung zu einer erheblichen Verbesserung sowohl der initialen Leitfähigkeit und Stabilität der Leitfähigkeit als auch der Antriebsspannung bei Lagerung und Wärmebehandlung führt. Beispiele sind in
6 (initiale Antriebsspannung von zwei Vorrichtungen mit Kathodenstrukturen gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung (unterste und zweitunterste Linie) im Vergleich zu einer Vorrichtung mit einer Standardkathodenstruktur (oberste Linie)) dargestellt. Die Vorrichtung der untersten Linie besitzt die Kathodenstruktur NaF/Al/Ag. Die Vorrichtung der zweituntersten Linie besitzt die Kathodenstruktur NaF/Al/NiCr. Im Gegensatz dazu besitzt die Vorrichtung der obersten Linie der Kurve von6 die Kathodenstruktur NaF/Al. Wie ersichtlich ist die initiale Antriebsspannung der mit einer NaF-Deckschicht überzogenen Vorrichtungen niedriger als die der Vorrichtung ohne Deckschicht, und die Stabilität der Leitfähigkeit der Vorrichtung während der Wärmebehandlung ist durch die Deckschicht verbessert. - Weitere Merkmale der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind nachfolgend mit Bezug auf
2 beschrieben. - Ladungstransportschichten
- Zwischen der Anode
2 und der Kathode3 können sich weitere Schichten befinden, z. B. Ladungstransport-, Ladungsinjektions- oder Ladungsblockierungsschichten. - Es ist insbesondere wünschenswert, eine leitfähige Lochinjektionsschicht aus einem leitfähigen organischen oder anorganischen Material zwischen der Anode
2 und der elektrolumineszierenden Schicht3 bereitzustellen, um die Lochinjektion von der Anode in die Schicht(en) aus halbleitendem Polymer zu unterstützen. Beispiele für dotierte organische Lochinjektionsmaterialien sind dotiertes Poly(ethylendioxythiophen) (PEDT), insbesondere PEDT, das mit einer ladungsausgleichenden mehrbasigen Säure wie Polystyrolsulfonat (PSS) (wie in derEP 0901176 und derEP 0947123 offenbart), Polyacrylsäure oder einer fluorierten Sulfonsäure, z. B. Nafion®, Polyanilin (wie in derUS 5723873 und derUS 5798170 offenbart) und Poly(thienothiophen) dotiert ist. Beispiele für leitfähige anorganische Materialien sind Übergangsmetalloxide wie VOx, MoOx und RuOx (wie im Journal of Physics D: Applied Physics (1996), 29(11), 2750–2753 offenbart). - Eine etwaige Lochtransportschicht zwischen der Anode
2 und der elektrolumineszierenden Schicht3 besitzt vorzugsweise ein HOMO-Niveau von weniger als oder gleich 5,5 eV und noch bevorzugter von etwa 4,8 bis 5,5 eV. Die HOMO-Niveaus lassen sich z. B. durch zyklische Voltammetrie messen. Eine etwaige Elektronentransportschicht zwischen der elektrolumineszierenden Schicht3 und der Kathode4 besitzt vorzugsweise ein LUMO-Niveau von etwa 3 bis 3,5 eV. - Elektrolumineszierende Schicht
- Die elektrolumineszierende Schicht
3 kann aus dem elektrolumineszierenden Material alleine bestehen oder das elektrolumineszierende Material in Kombination mit einem oder mehreren weiteren Materialien umfassen. Insbesondere kann das elektrolumineszierende Material mit Loch- und/oder Elektronentransportmaterialien (wie z. B. in derWO 99/48160 - Die elektrolumineszierende Schicht
3 kann ein Muster aufweisen oder nicht. Eine Vorrichtung mit einer Schicht ohne Muster kann beispielsweise als Beleuchtungsquelle verwendet werden. Eine weißes Licht emittierende Vorrichtung eignet sich für diesen Zweck besonders. Eine Vorrichtung mit einer gemusterten Schicht kann z. B. ein Aktiv- oder Passivmatrix-Display sein. Im Falle eines Aktivmatrix-Displays wird eine gemusterte elektrolumineszierende Schicht typischerweise in Kombination mit einer gemusterten Anodenschicht und einer Kathode ohne Muster verwendet. Im Falle eines Passivmatrix-Displays besteht die Anodenschicht aus parallelen Streifen des Anodenmaterials und senkrecht dazu angeordneten parallelen Streifen des elektrolumineszierenden Materials und des Kathodenmaterials, wobei die Streifen des elektrolumineszierenden Materials und des Kathodenmaterials typischerweise durch Streifen eines mittels Photolithographie gebildeten Isoliermaterials (”Kathodenseparatoren”) voneinander getrennt sind. - Geeignete Materialien zur Verwendung in Schicht
3 sind z. B. kleinmolekülige, Polymer- und Dendrimermaterialien sowie Zusammensetzungen daraus. Geeignete elektrolumineszierende Polymere zur Verwendung in Schicht3 sind z. B. Poly(arylenvinylene) wie Poly(p-phenylenvinylene) und Polyarylene, z. B. Polyfluorene, insbesondere 2,7-verbundene 9,9-Dialkylpolyfluorene oder 2,7-verbundene 9,9-Diarylpolyfluorene, Polyspirofluorene, insbesondere 2,7-verbundenes Poly-9,9-spirofluoren, Polyindenofluorene, insbesondere 2,7-verbundene Polyindenofluorene, Polyphenylene, insbesondere Alkyl- oder Alkoxy-substituertes Poly-1,4-phenylen. Solche Polymere sind z. B. in Adv. Mater. 2000 12(23) 1737–1750 und der darin aufgeführten Literatur offenbart. Geeignete elektrolumineszierende Dendrimere zur Verwendung in Schicht3 sind z. B. elektrolumineszierende Metallkomplexe mit Dendrimergruppen, wie sie z. B. in derWO 02/066552 - Kathode
- Die Kathode
4 umfasst eine dreilagige Struktur gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Die Kathode kann lichtundurchlässig oder lichtdurchlässig sein. Lichtdurchlässige Kathoden sind für Aktivmatrix-Vorrichtungen besonders vorteilhaft, da die Emission durch eine lichtdurchlässige Anode in solchen Vorrichtungen zumindest teilweise durch einen Antriebsstromkreis unterhalb der Licht emittierenden Pixel blockiert wird. Bei einer lichtdurchlässigen Kathode besteht die dritte Kathodenschicht vorzugsweise aus einem Material, das lichtdurchlässiger ist als das Material der zweiten Kathodenschicht. Die zweite Schicht kann beispielsweise aus Al und die dritte Schicht aus Ag bestehen. - Verkapselung
- Optische Vorrichtungen sind häufig anfällig für Feuchtigkeit und Sauerstoff. Dementsprechend weist das Substrat vorzugweise gute Barriereeigenschaften zum Schutz vor dem Eindringen von Feuchtigkeit und Sauerstoff in die Vorrichtung auf. Das Substrat ist für gewöhnlich Glas, es können aber auch andere Substrate verwendet werden, insbesondere dann, wenn die Vorrichtung flexibel sein soll. Das Substrat kann z. B. einen Kunststoff umfassen (siehe
US 6268695 , in der ein Substrat aus abwechselnd Kunststoff- und Barriereschichten offenbart wird, undEP 0949850 , in der ein Laminat aus dünnem Glas und Kunststoff offenbart wird). - Die Vorrichtung ist vorzugsweise mit einem Einbettmaterial (nicht dargestellt) verkapselt, um das Eindringen von Feuchtigkeit und Sauerstoff zu verhindern. Geeignete Einbettmaterialien sind Glasplatten, Filme mit geeigneten Barriereeigenschaften wie z. B. abwechselnd übereinander liegende Polymer- und Nichtleiterschichten, wie sie z. B. in der
WO 01/81649 WO 01/19142 - Konjugierte Polymere (fluoreszierende und/oder Ladungstransportpolymere)
- Geeignete elektrolumineszierende und/oder Ladungstransportpolymere sind beispielsweise Poly(arylenvinylene) wie z. B. Poly(p-phenylenvinylene) und Polyarylene.
- Die Polymere umfassen vorzugsweise eine erste, aus Arylen-Grundeinheiten ausgewählte Grundeinheit (siehe z. B. Adv. Mater. 2000 12(23) 1737–1750 und die darin aufgeführte Literatur). Beispiele für erste Grundeinheiten sind 1,4-Phenylen-Grundeinheiten (wie in J. Appi. Phys. 1996, 79, 934 offenbart), Fluoren-Grundeinheiten (wie in der
EP 0842208 offenbart), Indenofluoren-Grundeinheiten (wie z. B. in Macromolecules 2000, 33(6), 2016–2020 offenbart) und Spirofluoren-Grundeinheiten (wie z. B. in derEP 0707020 offenbart). Jede dieser Grundeinheiten ist wahlweise substituiert. Beispiele für Substituenten sind löslich machende Gruppen wie z. B. C1-20-Alkyl oder -Alkoxy, Elektronen abziehende Gruppen wie z. B. Fluor, Nitro oder Cyano und Substituenten zur Erhöhung der Glasübergangstemperatur (Tg) des Polymers. - Besonders bevorzugte Polymere umfassen wahlweise substituierte, 2,7-verbundene Fluorene, am bevorzugtesten Grundeinheiten der Formel I: worin R1 und R2 unabhängig voneinander ausgewählt sind aus Wasserstoff und wahlweise substituiertem Alkyl, Alkoxy, Aryl, Arylalkyl, Heteroaryl und Heteroarylalkyl. Noch bevorzugter umfasst mindestens eine der Gruppen R1 und R2 eine wahlweise substituierte C4-C20-Alkyl oder -Arylgruppe.
- Die Polymere können je nachdem, in welcher Schicht der Vorrichtung sie eingesetzt werden und wie die anderen Grundeinheiten beschaffen sind, eine oder mehrere der Funktionen Lochtransport, Elektronentransport und Emission bereitstellen. Insbesondere:
- – kann ein Homopolymer aus Fluoren-Grundeinheiten, z. B. ein Homopolymer aus 9,9-Dialkylfluoren-2,7-diyl für den Elektronentransport verwendet werden;
- – kann ein Copolymer aus Triarylamin-Grundeinheiten, insbesondere einer Grundeinheit II: als Lochtransportmaterial verwendet werden, worin Ar1 und Ar2 wahlweise substituierte Aryl- oder Heteroaryl-Gruppen sind, n größer als oder gleich 1, vorzugsweise 1 oder 2 ist, und R H oder ein Substituent, vorzugsweise ein Substituent ist. R ist vorzugsweise Alkyl oder Aryl oder Heteroaryl, am bevorzugtesten Aryl oder Heteroaryl. Alle Aryl- oder Heteroarylgruppen in der Grundeinheit von Formel 1 können substituiert sein. Bevorzugte Substituenten sind z. B. Alkyl- und Alkoxygruppen. Alle Aryl- oder Heteroarylgruppen in der Grundeinheit von Formel 1 können über eine direkte Bindung oder über ein zweiwertiges Verbindungsatom oder eine zweiwertige Verbindungsgruppe verknüpft sein. Bevorzugte zweiwertige Verbindungsatome und -gruppen sind z. B. O, S, substituiertes N und substituiertes C.
-
- Besonders bevorzugte Lochtransportpolymere dieses Typs sind Copolymere aus der ersten Grundeinheit und einer Triarylamin-Grundeinheit.
- – kann ein Copolymer aus einer ersten Grundeinheit und einer Heteroarylen-Grundeinheit für Ladungstransport oder Emission verwendet werden. Bevorzugte Heteroarylen-Grundeinheiten sind aus den Formeln 7 bis 21 ausgewählt: worin R6 und R7 gleich oder verschieden und jeweils unabhängig voneinander Wasserstoff oder eine Substituentengruppe, vorzugsweise Alkyl, Aryl, Perfluoralkyl, Thioalkyl, Cyano, Alkoxy, Heteroaryl, Alkylaryl oder Arylalkyl sind. Für eine leichtere Herstellung sind R6 und R7 vorzugsweise gleich. Noch bevorzugter sind sie gleich und jeweils eine Phenylgruppe.
- Wie z. B. in der
WO 00/55927 US 6353083 offenbart, können elektrolumineszierende Copolymere einen elektrolumineszierenden Bereich und mindestens entweder einen Lochtransport- oder einen Elektronentransportbereich aufweisen. Wird nur entweder der Lochtransport- oder der Elektronentransportbereich bereitgestellt, kann der elektrolumineszierende Bereich auch die jeweils andere Funktionalität (Lochtransport- oder Elektronentransportbereich) bereitstellen. Alternativ kann ein elektrolumineszierendes Polymer mit einem Lochtransportmaterial und/oder einem Elektronentransportmaterial gemischt sein. Polymere mit einer oder mehreren Lochtransport-, Elektronentransport- und Emissionsgrundeinheiten können diese Einheiten in ihrer Hauptkette oder einer Seitenkette bereitstellen. - Die unterschiedlichen Bereiche innerhalb eines solchen Polymers können entlang des Polymergrundgerüsts (siehe
US 6353083 ) oder als am Polymergrundgerüst hängende Gruppen (WO 01/62869 - Polymerisationsverfahren
- Bevorzugte Verfahren zur Herstellung dieser Polymere sind die Suzuki-Polymerisation (wie z. B. in der
WO 00/53656 - Bei der Synthese eines linearen Polymers mittels Yamamoto-Polymerisation wird beispielsweise ein Monomer mit zwei reaktiven Halogengruppen verwendet. In ähnlicher Weise ist bei dem Verfahren der Suzuki-Polymerisation mindestens eine reaktive Gruppe eine Borderivatgruppe wie z. B. Borsäure oder Borsäureester und die andere reaktive Gruppe ein Halogen. Bevorzugte Halogene sind Chlor, Brom und Iod, am bevorzugtesten Brom.
- Es wird daher darauf Wert gelegt, dass die Arylgruppen enthaltenden Grundeinheiten und endständigen Gruppen, wie sie in dieser Anmeldung durchgehend dargestellt sind, von einem Monomer mit einer geeigneten Austrittsgruppe abgeleitet sind.
- Die Suzuki-Polymerisation kann zur Herstellung von regioregulären, Block- und Zufallscopolymeren eingesetzt werden. Insbesondere können Homopolymere oder Zufallscopolymere hergestellt werden, wenn eine reaktive Gruppe ein Halogen und die andere reaktive Gruppe eine Borderivatgruppe ist. Alternativ lassen sich Block- oder regioreguläre, insbesondere AB-Copolymere herstellen, wenn beide reaktiven Gruppen eines ersten Monomers Bor und beide reaktiven Gruppen eines zweiten Monomers Halogene sind.
- Als Alternative zu Halogeniden schließen andere Austrittsgruppen, die an dem Metalleinschub beteiligt sind, Gruppen wie Tosylat, Mesylat und Triflat ein.
- Verarbeitung mittels Lösungstechnologie
- Zur Bildung der Schicht
3 kann ein einzelnes Polymer oder eine Vielzahl von Polymeren aus einer Lösung abgeschieden werden. Geeignete Lösungsmittel für Polyarylene, insbesondere Polyfluorene sind Mono- oder Polyalkylbenzole wie Toluol und Xylol. Besonders bevorzugte Lösungsabscheidungstechniken sind Schleuderbeschichten und Tintenstrahldrucken. - Schleuderbeschichten eignet sich besonders für Vorrichtungen, bei denen keine Musterung des elektrolumineszierenden Materials notwendig ist – z. B. bei Beleuchtungsanwendungen oder einfachen monochromen, segmentierten Displays.
- Tintenstrahldrucken eignet sich besonders für Displays mit hohem Informationsinhalt, insbesondere Vollfarben-Displays. Das Tintenstrahldrucken von OLEDs ist z. B. in der
EP 0880303 beschrieben. Andere Lösungsabscheidungstechniken sind z. B. Tauchbeschichten, Walzendruck und Siebdruck. - Werden mehrere Schichten der Vorrichtung durch Verarbeitung in Lösung gebildet, kennt der Fachmann Techniken, die verhindern, dass sich die angrenzenden Schichten mischen, z. B. indem eine Schicht vor Abscheidung einer drauf folgenden Schicht vernetzt oder die Materialien für die angrenzenden Schichten so ausgewählt werden, dass das Material, aus dem die erste dieser Schichten besteht, in dem zur Abscheidung der zweiten Schicht verwendeten Lösungsmittel nicht löslich ist.
- Emissionsfarben
- Mit ”rot lumineszierendem Material” ist ein organisches Material gemeint, das mittels Elektrolumineszenz Strahlung einer Wellenlänge im Bereich von 600 bis 750 nm, vorzugsweise 600 bis 700 nm, noch bevorzugter 610 bis 650 nm und am bevorzugtesten Strahlung mit einem Emissionspeak bei etwa 650 bis 660 nm emittiert.
- Mit ”grün lumineszierendem Material” ist ein organisches Material gemeint, das mittels Elektrolumineszenz Strahlung einer Wellenlänge im Bereich von 510 bis 580 nm, vorzugsweise 510 bis 570 nm emittiert.
- Mit ”blau lumineszierendem Material” ist ein organisches Material gemeint, das mittels Elektrolumineszenz Strahlung einer Wellenlänge im Bereich von 400 bis 500 nm, noch bevorzugter 430 bis 500 nm emittiert.
- Wirte für phosphoreszierende Emitter
- Im Stand der Technik sind zahlreiche Wirte wie beispielsweise ”kleinmolekülige” Wirte, z. B. 4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl), bekannt als CBP, (4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)triphenylamin), bekannt als TCTA (offenbart in Ikai et al., Appl. Phys. Lett., 79 Nr. 2, 2001, 156) und Triarylamine wie z. B. Tris-4-(N-3-methylphenyl-N-phenyl)phenylamin, bekannt als MTDATA beschrieben. Polymere sind ebenfalls als Wirte bekannt, insbesondere Homopolymere wie z. B. Poly(vinylcarbazol) (z. B. offenbart in Appl. Phys. Lett. 2000, 77(15), 2280), Polyfluorene (offenbart in Synth. Met. 2001, 116, 379, Phys. Rev. B 2001, 63, 235206 und Appl. Phys. Lett. 2003, 82(7), 1006), Poly[4-(N-4-vinylbenzyloxyethyl, N-methylamino)-N-(2,5-di-tert-butylphenylnapthalimid] (offenbart in Adv. Mater. 1999, 11(4), 285) und Poly(paraphenylene) (offenbart in J. Mater. Chem. 2003, 13, 50–55). Copolymere sind ebenfalls als Wirte bekannt.
- Metallkomplexe (meistens phosphoreszierend, aber auch endständig fluoreszierend)
- Bevorzugte Metallkomplexe umfassen wahlweise substituierte Komplexe der Formel (V):
ML1 qL2 rL3 s (V) - Die schweren Elemente M induzieren eine starke Spin-Bahn-Kopplung, was eine rasches Intersystem-Crossing und eine rasche Emission aus Triplett- oder höheren Zuständen (Phosphoreszenz) erlaubt. Geeignete Schwermetalle M sind z. B.:
- – Lanthanidmetalle wie Cer, Samarium, Europium, Terbium, Dysprosium, Thulium, Erbium und Neodym sowie
- – d-Block-Metalle, insbesondere die der Reihen
2 und3 , d. h. die Elemente39 bis48 und72 bis80 , insbesondere Ruthenium, Rhodium, Palladium, Rhenium, Osmium, Iridium, Platin und Gold. - Geeignete Koordinationsgruppen für die f-Block-Metalle sind z. B. Sauerstoff- oder Stickstoffdonatorsysteme wie Carbonsäuren, 1,3-Diketonate, Hydroxycarbonsäuren, Schiff'sche Basen, z. B. Acylphenole und Iminoacylgruppen. Bekanntermaßen erfordern lumineszierende Lanthanmetallkomplexe (eine) sensibilisierende Gruppe(n), deren angeregte Triplettenergie höher ist als der erste angeregte Zustand des Metallions. Die Emission entstammt einem f-f-Übergang des Metalls, sodass die Emissionsfarbe durch die Wahl des Metalls bestimmt wird. Die scharfe Emission ist im Allgemeinen schmalbandig und führt zu einer für Display-Anwendungen nützlichen Reinfarbenemission.
- Die d-Block-Metalle eignen sich besonders für eine Emission aus angeregten Triplettzuständen. Diese Metalle bilden organometallische Komplexe mit Kohlenstoff- oder Stickstoffdonatoren wie z. B. Porphyrin oder zweizähnigen Liganden der Formel (VI): worin Ar4 und Ar5 gleich oder verschieden sein können und unabhängig voneinander aus wahlweise substituiertem Aryl oder Heteroaryl ausgewählt sind, X1 und Y1 gleich oder verschieden sein können und unabhängig voneinander aus Kohlenstoff oder Stickstoff ausgewählt sind, und Ar4 und Ar5 anneliert sein können. Liganden, bei denen X1 Kohlenstoff und Y1 Stickstoff ist, sind besonders bevorzugt.
-
- Ar4 und Ar5 können jeweils einen oder mehrere Substituenten aufweisen. Zwei oder mehr dieser Substituenten können zu einem Ring, z. B. einem aromatischen Ring verknüpft sein. Besonders bevorzugte Substituenten sind z. B. Fluor oder Trifluormethyl, die für eine Blauverschiebung der Emission des Komplexes eingesetzt werden können (wie in der
WO 02/45466 WO 02/44189 US 2002-117662 und derUS 2002-182441 offenbart), Alkyl- oder Alkoxygruppen (wie in derJP 2002-324679 WO 02/81448 WO 02/68435 EP 1245659 offenbart), sowie Dendrone, die zur Erzielung oder Verbesserung der Verarbeitbarkeit des Metallkomplexes in Lösung eingesetzt werden können (wie in derWO 02/66552 - Ein Lichtemissionsdendrimer umfasst typischerweise einen an ein oder mehrere Dendrone gebundenen Kern, wobei die Dendrone jeweils einen Verzweigungspunkt und zwei oder mehr dendritische Verzweigungen umfassen. Vorzugweise ist das Dendron zumindest teilweise konjugiert, und der Kern und/oder die dendritischen Verzweigungen umfassen eine Aryl- oder Heteroarylgruppe. Andere, zur Anwendung bei d-Block-Elementen geeignete Liganden sind z. B. Diketonate, insbesondere Acetylacetonat (acac), Triarylphosphine und Pyridin, die jeweils substituiert sein können.
- Hauptgruppenmetallkomplexe weisen eine liganden-basierte oder Ladungsübertragungsemission auf. Bei diesen Komplexen wird die Emissionsfarbe durch die Wahl des Liganden und des Metalls bestimmt.
- Das Wirtsmaterial und der Metallkomplex können in Form einer physikalischen Mischung kombiniert sein. Alternativ kann der Metallkomplex chemisch an das Wirtsmaterial gebunden sein. Im Falle eines Polymerwirts kann der Metallkomplex als ein an dem Polymergrundgerüst hängender Substituent chemisch gebunden sein, als Grundeinheit im Polymergrundgerüst eingebaut sein oder als endständige Gruppe des Polymers vorliegen (wie z. B. in der
EP 1245659 , derWO 02/31896 WO 03/18653 WO 03/22908 - Eine breite Palette an fluoreszierenden, niedermolekularen Metallkomplexen ist bekannt, die auch für organische Leuchtdioden eingesetzt wurden [siehe z. B. Macromol. Sym. 125 (1997) 1–48,
US-A 5,150,006 ,US-A 6,083,634 undUS-A 5,432,014 ]. Geeignete Liganden für zwei- oder dreiwertige Metalle sind beispielsweise Oxinoide, z. B. mit Sauerstoff-Stickstoff- oder Sauerstoff-Sauerstoff-Donatoratomen, im Allgemeinen mit einem Ringstickstoffatom und einem Sauerstoffatom-Substituenten oder mit einem Stickstoffatom- oder Sauerstoffatom-Substituenten und einem Sauerstoffatom-Substituenten, wie z. B. 8-Hydroxychinolat und Hydroxychinoxalinol-10-hydroxybenzo(h)chinolinato (II), Benzazole (III), Schiff'sche Basen, Azoindole, Chromonderivate, 3-Hydroxyflavon und Carbonsäuren wie z. B. Salicylato-Aminocarboxylate und -Estercarboxylate. Wahlweise einsetzbare Substituenten wie z. B. Halogen, Alkyl, Alkoxy, Haloalkyl, Cyano, Amino, Amido, Sulfonyl, Carbonyl, Aryl oder Heteroaryl an den (hetero-)aromatischen Ringen können die Emissionsfarbe modifizieren. - Die Erfindung wurde zwar insbesondere mit Bezug auf die bevorzugten Ausführungsformen dargelegt und beschrieben, der Fachmann ist sich aber darüber im Klaren, dass verschiedene Änderungen in Form und Detail vorgenommen werden können, ohne vom Umfang der Erfindung, wie er in den beigefügten Ansprüchen definiert ist, abzuweichen.
- ZUSAMMENFASSUNG
- Organische Leuchtdiode
- Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode, das Folgendes umfasst: Abscheiden einer organischen Lichtemissionsschicht auf einer Anode und Abscheiden einer Kathode auf der organischen Lichtemissionsschicht, wobei die Kathode eine dreilagige Struktur umfasst, die wie folgt gebildet wird: Abscheiden einer ersten Schicht mit einem Elektroneninjektionsmaterial, Abscheiden einer zweiten Schicht auf der ersten Schicht, wobei die zweite Schicht ein Metallmaterial einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV umfasst, und Abscheiden einer dritten Schicht auf der zweiten Schicht, wobei die dritte Schicht ein Metallmaterial einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV umfasst.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
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Claims (22)
- Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode, das Folgendes umfasst: Abscheiden einer organischen Lichtemissionsschicht auf einer Anode und Abscheiden einer Kathode auf der organischen Lichtemissionsschicht, wobei die Kathode eine dreilagige Struktur umfasst, die wie folgt gebildet wird: Abscheiden einer ersten Schicht mit einem Elektroneninjektionsmaterial. Abscheiden einer zweiten Schicht auf der ersten Schicht, wobei die zweite Schicht ein Metallmaterial einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV umfasst, und Abscheiden einer dritten Schicht auf der zweiten Schicht, wobei die dritte Schicht ein Metallmaterial einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 1, bei dem zumindest die erste und zweite Schicht durch Vakuumverdampfen abgeschieden werden.
- Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die dritte Schicht ebenfalls durch Vakuumverdampfen abgeschieden wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die zweite und dritte Schicht keine größere Menge eines Materials mit geringer Austrittsarbeit enthalten.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Austrittsarbeit des Materials der zweiten und/oder dritten Schicht größer als 3,7 eV, noch bevorzugter größer als 3,9 eV ist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Material der ersten Schicht aus einem Metall der Gruppe I oder II, einer Legierung eines Metalls der Gruppe I oder II und einer Verbindung eines Metalls der Gruppe I oder II ausgewählt ist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Material der ersten Schicht ein Oxid oder Fluorid umfasst.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Material der ersten Schicht aus Ba, Ca, BaO und NaF ausgewählt ist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Material der zweiten und/oder dritten Schicht aus Al, Ag und NiCr ausgewählt ist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Material der zweiten Schicht Al ist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem sich das Material der dritten Schicht von dem der zweiten Schicht unterscheidet.
- Organische Leuchtdiode, die Folgendes umfasst: eine Anode. eine Kathode und eine organische Lichtemissionsschicht zwischen der Anode und der Kathode, wobei die Kathode eine dreilagige Struktur umfasst, die Folgendes umfasst: eine erste Schicht mit einem Elektroneninjektionsmaterial, eine auf der ersten Schicht befindliche zweite Schicht mit einem Material einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV und eine auf der zweiten Schicht befindliche dritte Schicht ebenfalls mit einem Material einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV.
- Organische Leuchtdiode nach Anspruch 12, bei der die zweite und dritte Schicht keine größere Menge eines Materials mit geringer Austrittsarbeit enthalten.
- Organische Leuchtiode nach Anspruch 12 oder 13, bei der die Austrittsarbeit des Materials der zweiten und/oder dritten Schicht größer als 3,7 eV, noch bevorzugter größer als 3,9 eV ist.
- Organische Leuchtiode nach einem der Ansprüche 12 bis 14, bei der das Material der ersten Schicht aus einem Metall der Gruppe I oder II, einer Legierung eines Metalls der Gruppe I oder II und einer Verbindung eines Metalls der Gruppe I oder II ausgewählt ist.
- Organische Leuchtiode nach einem der Ansprüche 12 bis 15, bei der das Material der ersten Schicht ein Oxid oder Fluorid umfasst.
- Organische Leuchtiode nach einem der Ansprüche 12 bis 16, bei der das Material der ersten Schicht aus Ba, Ca, BaO und NaF ausgewählt ist.
- Organische Leuchtiode nach einem der Ansprüche 12 bis 17, bei der das Material der zweiten und/oder dritten Schicht aus Al, Ag und NiCr ausgewählt ist.
- Organische Leuchtiode nach einem der Ansprüche 12 bis 18, bei der das Material der zweiten Schicht Al ist.
- Organische Leuchtiode nach einem der Ansprüche 12 bis 19, bei der sich das Material der dritten Schicht von dem der zweiten Schicht unterscheidet.
- Organische Leuchtdiode, die Folgendes umfasst: eine Anode, eine Kathode und eine organische Lichtemissionsschicht zwischen der Anode und der Kathode, wobei die Kathode eine zweilagige Struktur umfasst, die Folgendes umfasst: eine erste Schicht aus einem Material einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV und eine auf der ersten Schicht befindliche zweite Schicht, die ebenfalls aus einem Material einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV besteht.
- Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode, das Folgendes umfasst: Abscheiden einer organischen Lichtemissionsschicht auf einer Anode und Abscheiden einer Kathode auf der organischen Lichtemissionsschicht, wobei die Kathode eine zweilagige Struktur umfasst, die wie folgt gebildet wird: Abscheiden einer ersten Schicht mit einem Metallmaterial einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV und Abscheiden einer zweiten Schicht auf der ersten Schicht, wobei die zweiten Schicht ebenfalls ein Metallmaterial einer Austrittsarbeit von mehr als 3,5 eV umfasst, wobei die erste und zweite Schicht mittels Vakuumverdampfen abgeschieden werden.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0808455A GB2459895B (en) | 2008-05-09 | 2008-05-09 | Organic light emissive device |
GB0808455.0 | 2008-05-09 | ||
PCT/GB2009/000858 WO2009136133A1 (en) | 2008-05-09 | 2009-03-31 | Organic light emissive device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112009001144T5 true DE112009001144T5 (de) | 2011-03-10 |
Family
ID=39571078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112009001144T Withdrawn DE112009001144T5 (de) | 2008-05-09 | 2009-03-31 | Organische Leuchtdiode |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8648334B2 (de) |
JP (1) | JP5242772B2 (de) |
KR (1) | KR101632087B1 (de) |
CN (1) | CN102057515A (de) |
DE (1) | DE112009001144T5 (de) |
GB (1) | GB2459895B (de) |
WO (1) | WO2009136133A1 (de) |
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WO2009136133A1 (en) | 2009-11-12 |
US20140103326A1 (en) | 2014-04-17 |
KR20110030450A (ko) | 2011-03-23 |
CN102057515A (zh) | 2011-05-11 |
US8981365B2 (en) | 2015-03-17 |
JP2012508945A (ja) | 2012-04-12 |
KR101632087B1 (ko) | 2016-06-20 |
GB2459895B (en) | 2011-04-27 |
US8648334B2 (en) | 2014-02-11 |
GB2459895A (en) | 2009-11-11 |
GB0808455D0 (en) | 2008-06-18 |
JP5242772B2 (ja) | 2013-07-24 |
US20110057229A1 (en) | 2011-03-10 |
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R082 | Change of representative |
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R081 | Change of applicant/patentee |
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