DE112006001738T5 - Verfahren, Vorrichtung und System zum Zeitabgleich von Halbbytes - Google Patents

Verfahren, Vorrichtung und System zum Zeitabgleich von Halbbytes Download PDF

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Abstract

Verfahren, das folgendes umfaßt:
Empfangen eines Taktsignals;
Empfangen einer ersten Trainingssequenz bei einer ersten Halbbyte-Schnittstelle in einer Speichervorrichtung;
Empfangen einer zweiten Trainingssequenz bei einer zweiten Halbbyte-Schnittstelle in der Speichervorrichtung;
Ermitteln einer ersten Taktphase, um Daten an der ersten Halbbyte-Schnittstelle zu takten; und
Ermitteln einer zweiten Taktphase, um Daten an der zweiten Halbbyte-Schnittstelle zu takten.

Description

  • Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen Eingang/Ausgang-Schaltungen (E/A-Schaltungen) und genauer E/A-Schaltungen mit zeitlichem Abgleich.
  • Hintergrund
  • Speichervorrichtungen werden schneller. Eingang/Ausgang-Vorrichtungen (E/A-Vorrichtungen) in Speichervorrichtungen und E/A-Schaltungen, die zwischen Speichervorrichtungen übertragen, sollten schnell genug sei, um die Geschwindigkeit der Speichervorrichtungen zu unterstützen. Skew (Schwankungen in der Phase) zwischen einzelnen Bits in einer Schnittstelle ist ein Problem, das zu verhindern droht, daß E/A-Schaltungen die ständig wachsenden Geschwindigkeiten von Speichervorrichtungen unterstützen.
  • Skew ist üblicherweise gehandhabt worden, indem das Layout von integrierten Schaltkreisen und Leiterplatten genau angepaßt wurde, um den Skew zwischen allen Daten-Signalleiterbahnen, die mit einer einzelnen Speichervorrichtung gekoppelt sind, zu verringern. Aller übrige Skew zwischen den Datensignalen und einem empfangenen Taktsignal wird dann gehandhabt, indem der Takt relativ zu allen Datensignalen als einer Gruppe zeitlich abgeglichen wird.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 und 2 zeigen Diagramme von zwei gekoppelten integrierten Schaltkreisen;
  • 3 zeigt ein Grundriß-Diagramm einer Speichervorrichtung;
  • 4 zeigt ein Flußdiagramm nach verschiedenen Ausführungen der vorliegenden Erfindung; und
  • 5 zeigt eine Diagramm eines elektronischen Systems nach verschiedenen Ausführungen der vorliegenden Erfindung.
  • Beschreibung der Ausführungen
  • In der folgenden detaillierten Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die zum Zweck der Erläuterung spezielle Ausführungen zeigen, durch die die Erfindung angewandt werden kann. Diese Ausführungen werden ausreichend detailliert beschrieben, um es dem Fachmann zu erlauben, die Erfindung anzuwenden. Es versteht sich, daß die verschiedenen Ausführungen der Erfindung, obwohl sie unterschiedlich sind, sich nicht notwendigerweise gegenseitig ausschließen. Ein bestimmtes Merkmal, eine bestimmte Struktur oder Charakteristik, das oder die hier in Zusammenhang mit einer Ausführung beschrieben wurde, kann in anderen Ausführungen implementiert werden, ohne vom Geist und Schutzumfang der Erfindung abzuweichen. Es versteht sich außerdem, daß der Ort oder die Anordnung von einzelnen Elementen in jeder der offenbarten Ausführungen modifiziert werden kann, ohne von dem Geist und Schutzumfang der Erfindung abzuweichen. Die folgende detaillierte Beschreibung sollte somit nicht in einem einschränkenden Sinn aufgefaßt werden, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird nur durch die angefügten Ansprüche definiert, wenn sie angemessen interpretiert werden, zusammen mit der vollen Bandbreite an Äquivalenten, zu denen die Ansprüche Berechtigung geben. In den Zeichnungen beziehen sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche oder ähnliche Funktionalitäten in den verschiedenen Ansichten.
  • Die 1 zeigt ein Diagramm von zwei gekoppelten integrierten Schaltkreisen. Jede der integrierten Schaltkreise 110 und 150 kann ein Speichercontroller oder eine Speichervorrichtung sein. Der integrierte Schaltkreis 110 kann beispielsweise ein Speichercontroller in einem Computersystem sein, oder kann eine Speichervorrichtung sein, wie etwa eine DRAM-Vorrichtung (dynamic random access memory). Ebenso kann beispielsweise der integrierte Schaltkreis 150 ein Speichercontroller oder eine Speichervorrichtung sein, wie etwa ein DRAM.
  • Der integrierte Schaltkreis 110 umfaßt E/A-Schaltungen 112 und 114, einen Taktschaltkreis 118 und einen Takttreiber 116. In manchen Ausführungen kann der Taktschaltkreis 118 eine phasenverriegelte Schleife (PLL) umfassen, um einen oder mehrere Takte zu erzeugen. In anderen Ausführungen kann der Taktschaltkreis 118 ein oder mehrere Taktsignale von einer Quelle empfangen, die außerhalb des integrierten Schaltkreises 110 liegt. Der Takttreiber 116 empfängt ein Taktsignal von dem Taktschaltkreis 118 und treibt ein Taktsignal aus dem integrierten Schaltkreis 110 heraus.
  • Die E/A-Schaltkreise 112 und 114 bilden einen E/A-Schaltkreis, der Segmente umfaßt. Beispielsweise ist der E/A-Schaltkreis 112 ein Segment und der E/A-Schaltkreis 114 ein anderes Segment. Die E/A-Schaltkreise können jede Anzahl von Segmenten umfassen, ohne vom Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
  • Die E/A-Schaltkreise 112 und 114 empfangen Daten von anderen Logikschaltungen (nicht gezeigt) in dem integrierten Schaltkreis 110 und treiben diese Daten auf die Leitungen 120 und 140. Die E/A-Schaltkreise 112 und 114 werden so gezeigt, daß sie vier Bits an Daten treiben, obwohl dies nicht eine Einschränkung der vorliegenden Erfindung ist. In manchen Ausführungen operiert jeder der E/A-Schaltkreise auf mehr oder weniger als vier Bits an Daten. Der Taktpuffer 116 und die E/A-Schaltkreise 112 und 114 werden auch so gezeigt, daß sie unsymmetrische Signale auf den Leitungen 130, 120 bzw. 140 treiben. In manchen Ausführungen treiben der Taktpuffer 116 und die E/A-Schaltkreise 112 und 114 unterschiedliche Signale, und die Anzahl der physischen Leitungen ist doppelt so groß wie die, die in der 1 gezeigt ist.
  • In manchen Ausführungen bilden die E/A-Schaltkreise 112 und 114 Leitungsschaltungen aus seriellen Hochgeschwindigkeits-Standleitungen. In manchen Ausführungen können die die E/A-Schaltkreise 112 und 114 beispielsweise so arbeiten, daß sie einen seriellen Hochgeschwindigkeits-Leitungsstandard, wie etwa einen PCI-Express-Standard (peripheral component interconnect), erfüllen oder teilweise erfüllen.
  • Die E/A-Schaltkreise 112 und 114 empfangen ein gemeinsames Taktsignal von dem Taktschaltkreis 118 und verwenden dieses Taktsignal, um digitale Daten zu takten, um die Leitungen 120 und 140 zu treiben. In manchen Ausführungen ist sowohl der E/A-Schaltkreis 112 als auch 114 entworfen, um den Skew zwischen den verschiedenen Signalpfaden in dem E/A-Schaltkreis zu minimieren. Der E/A-Schaltkreis 112 kann beispielsweise entworfen sein, um den Skew zwischen den Signalen zu minimieren, die auf den Leitungen 120 getrieben werden, und der E/A-Schaltkreis 114 kann entworfen sein, um den Skew zwischen den Signalen auf den Leitungen 140 zu minimieren.
  • Die Leitungen 120, 130 und 140 können als Signalleiterbahnen auf einer Leiterplatte, als Drähte, Kabel oder Leiterbahnen auf einem integrierten Schaltkreis implementiert sein. Diese Leitungen können Skew in die verschiedenen Signale einführen. Skew kann beispielsweise zwischen einem Taktsignal auf der Leitung 130 und Datensignalen auf den Leitungen 120 eingeführt werden, oder Skew kann zwischen einem Taktsignal auf der Leitung 130 und Datensignalen auf den Leitungen 140 eingeführt werden. Des weiteren kann Skew zwischen den Datensignalen auf den Leitungen 120 und Datensignalen auf den Leitungen 140 eingeführt werden.
  • In manchen Ausführungen können die Leitungen 120 geführt werden, um Skew zwischen den Signalen auf den Leitungen 120 zu minimieren, und die Leitungen 140 werden geführt, um Skew zwischen den Signalen auf den Leitungen 140 zu minimieren. Demnach wird der Skew zwischen den Datensignalen, die an dem integrierten Schaltkreis 150 auf den Leitungen 120 ankommen, vorzugsweise gering gehalten. Des weiteren wird der Skew zwischen den Datensignalen, die an dem integrierten Schaltkreis 150 auf den Leitungen 140 ankommen, vorzugsweise gering gehalten.
  • Der integrierte Schaltkreis 150 umfaßt E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise 160 und 170, einen Halbbyte-Zeitabgleich-Steuerschaltkreis 180 und Verzögerungsleitungs- und Interpolationsschaltkreise 162 und 172. Der integrierte Schaltkreis 150 kann viele andere Schaltkreise (nicht gezeigt) umfassen, wie etwa Speicherarrays oder andere Logikschaltungen. Darüber hinaus kann der integrierte Schaltkreis 150 Treiberschaltungen in jedem der E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise 160 und 170 umfassen, um Daten zurück zu dem integrierten Schaltkreis 110 zu treiben. Diese Treiberschaltungen und andere Schaltungen werden mit Absicht in der 1 ausgelassen, um das, was gezeigt wird, nicht zu verdunkeln.
  • Im Betrieb empfangen die E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise 160 und 170 Daten auf den Leitungen 120 bzw. 140. Wie oben beschrieben können die Daten auf den Leitungen 120 relativ zu den Daten auf den Leitungen 140 sowie relativ zu dem Taktsignal auf der Leitung 130 zeitlich verschoben sein. Die Kombination aus dem Halbbyte-Zeitabgleich-Steuerschaltkreis 180 und den Verzögerungsleitungs- und Interpolationsschaltkreisen 162 und 172 arbeitet, um eine geeignete Taktphase zu ermitteln, um Daten in die E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise 160 und 170 zu takten. Beispielsweise empfangt der Verzögerungsleitungs- und Interpolationsschaltkreis 162 ein Taktsignal von der Leitung 130 und Steuersignale von dem Halbbyte-Zeitabgleich-Steuerschaltkreis 180, und stellt ein Taktsignal an den E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreis 160 zur Verfügung. Der Verzögerungsleitungs- und Interpolationsschaltkreis 162 kann eine Verzögerungsleitung mit Abgriff umfassen, die Taktsignale mit verschiedenen Phasen bereitstellt, und kann eines der Taktsignale aus der Verzögerungsleitung mit Abgriff auswählen, um es dem E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreis 160 zur Verfügung zu stellen. Des weiteren kann der Verzögerungsleitungs- und Interpolationsschaltkreis 162 auch einen oder mehrere Phaseninterpolationsschaltkreise umfassen, um zwei oder mehrere Taktsignale aus einer Verzögerungsleitung mit Abgriff zu kombinieren, um ein Taktsignal mit einer geeigneten Phase zu erzeugen, um es dem E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreis 160 bereitzustellen. Der Verzögerungsleitungs- und Interpolationsschaltkreis 172 stellt ähnliche Funktionalitäten für den E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreis 170 bereit.
  • Der integrierte Schaltkreis 110 kann eine oder mehrere Trainingssequenzen von Daten dem integrierten Schaltkreis 150 senden, um es zu ermöglichen, daß geeignete Taktphasen ermittelt werden. Bei einem System-Hochfahr- oder Reset-Ereignis kann beispielsweise der E/A-Schaltkreis 112 eine erste Trainingssequenz auf den Leitungen 120 übertragen. Während des Empfangs der Trainingssequenz kann der Halbbyte-Zeitabgleich-Steuerschaltkreis 180 bewirken, daß der Verzögerungsleitungs- und Interpolationsschaltkreis 162 die Phase des Taktsignals durchläuft, das dem E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreis 160 bereitgestellt wird. Ebenso kann beispielsweise der E/A-Schaltkreis 114 eine zweite Trainingssequenz auf den Leitungen 140 übertragen. Während des Empfangs der Trainingssequenz kann der Halbbyte-Zeitabgleich-Steuerschaltkreis 180 bewirken, daß der Verzögerungsleitungs- und Interpolationsschaltkreis 172 die Phase des Taktsignals durchlauft, das dem E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreis 170 bereitgestellt wird. Die E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise 160 und 170 stellen dem Halbbyte-Zeitabgleich-Steuerschaltkreis 180 Feedback zur Verfügung, der dann eine geeignete Phase für jede der E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise 160 und 170 ermittelt.
  • Die E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise 160 und 170 werden so gezeigt, daß sie jeweils vier Bits an Daten empfangen, aber dies ist keine Einschränkung der vorliegenden Erfindung. Die E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise 160 und 170 können beide auf mehr oder weniger als vier Bits an Daten operieren. Demnach ist der Begriff „Halbbyte", wie er hier verwendet wird, nicht auf vier Bits beschränkt. Im Gegenteil wird der Begriff „Halbbyte" verwendet, um weniger als alle Bits zu beschreiben, die von einer Vorrichtung gehandhabt werden. Der integrierte Schaltkreis 150 kann beispielsweise eine Acht-Bit-Speichervorrichtung sein, und jeder der E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise 160 und 170 kann auf vier Bits operieren. Ebenso kann der integrierte Schaltkreis 150 beispielsweise eine 16-Bit-Speichervorrichtung sein, und jeder der E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise 160 und 170 kann auf acht Bits operieren. Darüber hinaus kann der integrierte Schaltkreis 150 mehr als vier E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise umfassen, ohne vom Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
  • Die E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise 160 und 170 können über ein Integrierter-Schaltkreis-Die verteilt sein. Der E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreis 160 kann an einem Ende eines Integrierter-Schaltkreis-Die liegen, und der E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreis 170 kann an einem anderen Ende des selben Integrierter-Schaltkreis-Die liegen. Das Verteilen der E/A-Halbbyte- Schnittstellenschaltkreise über einen Integrierter-Schaltkreis-Die kann es ermöglichen, daß die E/A-Schaltungen eng mit anderen Schaltungen in dem integrierten Schaltkreis (z. B. Speicherarrays) gekoppelt sind, und können auch Leitungsführungsressourcen in dem integrierten Schaltkreis einsparen. In manchen Ausführungen kann der Halbbyte-Zeitabgleich-Steuerschaltkreis 180 zentral angeordnet sein, wie es in der 1 gezeigt ist, oder kann zusammen mit den E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreisen verteilt sein.
  • Wie in der 1 gezeigt ist, wird der zeitliche Abgleich auf einer per Halbbyte Basis ausgeführt, oder ein „Halbbyte-Zeitabgleich" wird ausgeführt. In Ausführungen, die durch die 1 dargestellt werden, werden Leitungslängen in einem Halbbyte (sowohl auf wie entfernt von den integrierten Schaltkreisen) genau abgeglichen, um Skew in einem Halbbyte zu minimieren. Um Chip-Chip-Leitungsführungsbeschränkungen zu erleichtern und daneben etwas Halbbyte-Halbbyte-Skew auf dem Chip zu berücksichtigen, wird ein beliebiger Skew aus Halbbyte-Halbbyte toleriert. Zeitlicher Halbbyte-Abgleich wird ausgeführt, um jeden Zeitsteuerungsfehler zu korrigieren, der durch Halbbyte-Halbbyte-Skew erzeugt wird. Zeitlicher Halbbyte-Abgleich ermöglicht eine höhere Leistung, während er die Leistungszunahme, die durch zusätzliche Zeitabgleichsschaltungen hervorgerufen wird, zu begrenzen. Es ist ein Kompromiß zwischen Zeitabgleich auf Bitebene und Zeitabgleich auf dem gesamten Chip.
  • Die 2 zeigt zwei gekoppelte integrierte Schaltkreise. Die integrierten Schaltkreise 210 und 250 können wie die integrierten Schaltkreise 110 und 150 (1) Speichercontroller oder Speichervorrichtungen sein. Die Schnittstelle zwischen zwei integrierten Schaltkreisen, die in der 2 gezeigt wird, kann eine Schnittstelle zwischen einem Speichercontroller und einer Speichervorrichtung, eine Schnittstelle zwischen zwei Speichercontrollern oder eine Schnittstelle zwischen zwei Speichervorrichtungen darstellen.
  • Der integrierte Schaltkreis 210 umfaßt Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise 212 und 214, Verzögerungsleitungs- und Interpolationsschaltkreise 220 und 240 und eine Halbbyte-Zeitabgleich-Steuerung 242. In Ausführungen, die durch die 2 dargestellt werden, wird der Halbbyte-Zeitabgleich ausgeführt, indem eine Taktphase für ein Taktsignal ermittelt wird, das verwendet wird, um Daten zu übertragen anstatt Daten zu empfangen. Der Verzögerungsleitungs- und Interpolationsschaltkreis 220 wird beispielsweise verwendet, um eine Phase eines Taktsignals zu ermitteln, das Daten aus dem E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreis 212 taktet, und der Verzögerungsleitungs- und Interpolationsschaltkreis 240 wird verwendet, um eine Phase eines Taktsignals zu ermitteln, das Daten aus dem E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreis 214 taktet. Die E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise 212 und 214 umfassen Sender, um Daten in die Leitungen 120 und 140 zu übertragen.
  • Der integrierte Schaltkreis 250 umfaßt E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise 260 und 270. Jeder der E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise 260 und 270 empfängt Daten und eine Taktsignal. Da die Daten Halbbyte-zeitabgeglichen werden, bevor sie durch den integrierten Schaltkreis 210 übertragen werden, ist ein weiterer Halbbyte-Zeitabgleich am integrierten Schaltkreis 250 nicht notwendig.
  • In manchen Ausführungen wird eine oder mehrere Trainingssequenzen durch den integrierten Schaltkreis 210 übertragen, und der integrierte Schaltkreis 250 mißt den Skew auf Halbbyte-Basis. Der integrierte Schaltkreis 250 kann Skew-Information zurück zu dem integrierten Schaltkreis 210 übertragen, damit der Halbbyte-Zeitabgleich-Steuerschaltkreis 242 die Phase des Taktsignals einstellen kann, die verwendet wird, um Daten aus den E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreisen 212 und 214 zu takten.
  • Die 3 zeigt ein Grundriß-Diagramm einer Speichervorrichtung. Der Grundriß 300 zeigt vier Speicherarrays 310, 320, 330 und 340; vier E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreisen 312 und 322, 332 und 342; und vier Halbbyte-Zeitabgleich-Steuerschaltkreise 314, 324, 334 und 344. Jeder der Speicherarrays ist mit einem der E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise gekoppelt, der wiederum mit einem Halbbyte-Zeitabgleich-Steuerschaltkreis gekoppelt ist. Der Speicherarray 310 und der Halbbyte-Zeitabgleich-Steuerschaltkreis 314 sind beispielsweise mit dem E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreis 312 gekoppelt; der Speicherarray 320 und der Halbbyte-Zeitabgleich-Steuerschaltkreis 324 sind mit dem E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreis 322 gekoppelt; der Speicherarray 330 und der Halbbyte-Zeitabgleich-Steuerschaltkreis 334 sind mit dem E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreis 332 gekoppelt; und der Speicherarray 340 und der Halbbyte-Zeitabgleich-Steuerschaltkreis 344 sind mit dem E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreis 342 gekoppelt.
  • Wie in der 3 gezeigt ist, können die E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise um einen Integrierter-Schaltkreis-Die verteilt sein. Jeder der E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise bildet ein Segment eines größeren E/A-Schaltkreises, bei dem Zeitabgleich auf einer Segment-für-Segment-Basis ausgeführt wird. Die Speichervorrichtung, die durch den Grundriß 300 dargestellt ist, führt beispielsweise Halbbyte-Zeitabgleich aus.
  • Durch das Verteilen der E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise um einen Integrierter-Schaltkreis-Die und durch die Durchführung von Halbbyte-Zeitabgleich können Designbeschränkungen gelockert werden, während die angestrebte Speicher-E/A-Leistung immer noch beibehalten wird. In Ausführungen, die durch die 3 dargestellt werden, kann ein Designer beispielsweise eingeschränkt sein, um Skew in einem Halbbyte niedrig zu halten, ist aber frei, ein gewisses Maß an Skew zwischen den Halbbytes zu erlauben.
  • Die 4 zeigt ein Flußdiagramm nach verschiedenen Ausführungen der vorliegenden Erfindung. In manchen Ausführungen kann das Verfahren 400 verwendet werden, um Halbbyte-Zeitabgleich auszuführen. In manchen Ausführungen wird das Verfahren 400, oder Teile davon, durch einen Halbbyte-Zeitabgleich-Steuerschaltkreis ausgeführt, Ausführung desselben in den verschiedenen Figuren gezeigt sind. In anderen Ausführungen wird das Verfahren 400 durch einen Speichercontroller oder einen Chipsatz ausgeführt. Das Verfahren 400 ist nicht durch die besondere Art von Vorrichtung begrenzt, die das Verfahren ausführt. Die verschiedenen Aktionen in dem Verfahren 400 können in der angegebenen Reihenfolge ausgeführt werden, oder sie können in einer anderen Reihenfolge ausgeführt werden. Des weiteren werden in manchen Ausführungen manche der Aktionen, die in der 4 aufgelistet sind, in dem Verfahren 400 ausgelassen.
  • Das Verfahren 400 beginnt bei 410, wo eine erste Trainingssequenz an einer ersten Halbbyte-Schnittstelle in einer Speichervorrichtung empfangen wird. In manchen Ausführungen entspricht dies einem Speichercontroller, der eine Trainingssequenz an eine Speichervorrichtung während eines Hochfahr- oder Reset-Ereignisses überträgt. Die Trainingssequenz kann eine Sequenz von digitalen Daten umfassen, die sowohl dem Speichercontroller wie der Speichervorrichtung bekannt ist. Die Trainingssequenz kann beispielsweise eine Sequenz von abwechselnden Einsen und Nullen umfassen.
  • Bei 420 wird eine zweite Trainingssequenz an einer zweiten Halbbyte-Schnittstelle in der Speichervorrichtung empfangen. Die Handlungen von 410 und 420 können dem Empfangen einer Trainingssequenz von dem integrierten Schaltkreis 150 (1) bei den E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreisen 160 und 170 entsprechen.
  • Bei 430 wird ein Taktsignal empfangen. In manchen Ausführungen wird der Takt von der selben Quelle empfangen, wie die Trainingssequenzen, die bei 410 und 420 empfangen wurden. Ein Speichercontroller mit einer quellensynchronen Schnittstelle kann beispielsweise sowohl die Trainingssequenzen als auch das Taktsignal übertragen.
  • Bei 440 wird eine erste Taktphase ermittelt, um Daten an der ersten Halbbyte-Schnittstelle zu takten, und bei 450 wird eine zweite Taktphase ermittelt, um Daten an der zweiten Halbbyte-Schnittstelle zu takten. Sowohl die erste Taktphase als auch die zweite Taktphase können durch eine oder mehrere Halbbyte-Zeitabgleich-Steuerschaltkreise, wie etwa die, die in den vorhergehenden Figuren gezeigt sind, ermittelt werden.
  • Bei der Beendigung der Handlungen, die in dem Verfahren 400 gezeigt sind, wurde Halbbyte-Zeitabgleich für zwei E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise ausgeführt. In manchen Ausführungen wird Halbbyte-Zeitabgleich für mehr als zwei E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise ausgeführt. Des weiteren können, nachdem der Halbbyte-Zeitabgleich ausgeführt wurde, Daten in einer Halbbyte-Schnittstelle mittels eines Taktsignals mit der Taktphase, die bei 440 oder 450 ermittelt wurde, getaktet werden.
  • Die 5 zeigt ein System-Diagramm in Übereinstimmung mit verschiedenen Ausführungen der vorliegenden Erfindung. Die 5 zeigt eine System 500, das einen Chipsatz 510, einen Hochfrequenz-Schaltkreis (HF-Schaltkreis) 560, Antennen 570, eine Speichervorrichtung 550 und einen Leiter 502 umfaßt. Der Chipsatz 510 umfaßt einen Prozessor 520, einen Eingang/Ausgang-Controller (E/A-Controller) 530 und einen Speichercontroller 540. Im Betrieb sendet und empfangt das System 500 Signale mittels der Antenne 570, und diese Signale werden durch die verschiedenen in der 5 gezeigten Elemente verarbeitet. Die Antenne 570 kann eine Richtantenne oder eine Rundstrahlantenne sein. Der Begriff Rundstrahlantenne, wie er hier verwendet wird, bezeichnet eine Antenne mit einem im wesentlichen gleichförmigen Muster in zumindest einer Ebene. In manchen Ausführungen kann die Antenne 570 beispielsweise eine Rundstrahlantenne, wie etwa eine Dipolantenne oder eine Viertelwellenantenne sein. In manchen Ausführungen kann die Antenne 570 auch beispielsweise eine Richtantenne, wie etwa eine Parabolantenne, eine Patch-Antenne oder eine Yagi-Antenne sein. In manchen Ausführungen kann die Antenne 570 mehrere physische Antennen umfassen.
  • Der Hochfrequenz-Schaltkreis 560 kommuniziert mit den Antennen 570 und dem E/A-Controller 530. In manchen Ausführungen kann der HF-Schaltkreis 560 eine physikalischen Schnittstelle (PHY) umfassen, die zu einem Kommunikationsprotokoll gehört. Der HF-Schaltkreis 560 kann beispielsweise Modulatoren, Demodulatoren, Mixer, Frequenzsynthesizer, rauscharme Verstärker, Leistungsverstärker und ähnliches umfassen. In manchen Ausführungen kann der HF-Schaltkreis 560 einen Heterodyn-Empfänger umfassen, und in anderen Ausführungen kann der HF-Schaltkreis 560 einen Empfänger mit direkter Umwandlung umfassen. In manchen Ausführungen kann der HF-Schaltkreis 560 mehrere Empfänger umfassen. In Ausführungen mit mehreren Antennen 570 kann beispielsweise jede der Antennen mit einem zugehörigen Empfänger gekoppelt sein. Im Betrieb empfängt der HF-Schaltkreis 560 Kommunikationssignale von der Antenne 570 und stellt analoge oder digitale Signale an den E/A-Controller 530 bereit. Des weiteren kann der E/A-Controller 530 Signale an den HF-Schaltkreis 560 bereitstellen, der die Signale verarbeitet und sie dann zur Antenne 570 überträgt.
  • Der Speichercontroller 540 sieht eine Schnittstelle zwischen dem Chipsatz 510 und den Speichervorrichtungen vor, wie etwa der Speichervorrichtung 550. Der Speichercontroller 540 umfaßt einen E/A-Schaltkreis 542, um mit der Speichervorrichtung 550 zu kommunizieren. Der gezeigte E/A-Schaltkreis 542 wird beispielsweise so gezeigt, daß er mit der Speichervorrichtung über die Leitung 502 gekoppelt ist. Die Leitung 502 repräsentiert mehrere Leitungen, die eine Mehrzahl von Halbbytes unterstützen. Die Leitung 502 kann beispielsweise die Leitungen 120, 130 und 140 (1, 2) umfassen. Der E/A-Schaltkreis 542 kann eine Mehrzahl von Segmenten umfassen. Der E/A-Schaltkreis 542 kann beispielsweise eine Mehrzahl von E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreisen umfassen, die mit Bezug auf die vorhergehenden Figuren beschrieben wurden. Der E/A-Schaltkreis 542 kann auch einen oder mehrere Halbbyte-Zeitabgleich-Steuerschaltkreise umfassen. Der E/A-Schaltkreis 542 kann jede der Halbbyte-Zeitabgleich-Ausführungen, die hier beschrieben wurden, umfassen.
  • Die Speichervorrichtung 550 kann jede der Halbbyte-Zeitabgleich-Ausführungen umfassen, die hier beschrieben wurden. Die Speichervorrichtung 550 kann beispielsweise mehrere Segmente eines E/A-Schaltkreises umfassen, bei dem jedes der Segmente einen Halbbyte-Zeitabgleich-Schaltkreis umfaßt. Des weiteren kann die Speichervorrichtung 550 mehrere Speichervorrichtungen umfassen, wobei jede der Speichervorrichtungen mehrere E/A-Halbbyte-Schnittstellenschaltkreise und einen oder mehrere Halbbyte-Zeitabgleich-Steuerschaltkreise umfaßt.
  • Der Chipsatz 510 kann jede Anzahl von integrierten Schaltkreisen, oder „Chips", umfassen und kann jeden Integrationsgrad aufweisen. In manchen Ausführungen umfaßt der Chipsatz 510 beispielsweise den Prozessor 520 und den Speichercontroller 540 in getrennten Packages. In manchen Ausführungen kann der Chipsatz beispielsweise auch den Prozessor 520 und den Speichercontroller 540 auf dem selben Integrierter-Schaltkreis-Die oder auf einem getrennten Integrierter-Schaltkreis-Die, der gemeinsam gepackt ist, umfassen.
  • Beispielssysteme, die durch die 5 dargestellt werden, umfassen Mobiltelefone, Personal Digital Assistants, WLAN-Schnittstellen (drahtloses lokales Netzwerk) oder jedes andere geeignete System. Viele andere Verwendungen in Systemen für Halbbyte-Zeitabgleich existieren. Der Chipsatz 510 kann beispielsweise in einem Desktop-Computer, einer Netzwerk-Brücke oder einem Netzwerk-Router oder anderen Systemen ohne eine Antenne verwendet werden.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung im Zusammenhang mit bestimmten Ausführungen beschrieben wurde, versteht es sich, daß Modifikationen und Variationen verwendet werden können, ohne vom Geist und Schutzumfang der Erfindung abzuweichen, wie der Fachmann leicht einsehen wird. Solche Modifikationen und Variationen werden als innerhalb des Schutzumfangs der Erfindung und der angefügten Ansprüche angesehen.
  • Zusammenfassung
  • Zeitabgleich wird auf einer Per-Halbbyte-Basis ausgeführt, wobei ein Halbbyte nicht auf vier Bits beschränkt ist.

Claims (20)

  1. Verfahren, das folgendes umfaßt: Empfangen eines Taktsignals; Empfangen einer ersten Trainingssequenz bei einer ersten Halbbyte-Schnittstelle in einer Speichervorrichtung; Empfangen einer zweiten Trainingssequenz bei einer zweiten Halbbyte-Schnittstelle in der Speichervorrichtung; Ermitteln einer ersten Taktphase, um Daten an der ersten Halbbyte-Schnittstelle zu takten; und Ermitteln einer zweiten Taktphase, um Daten an der zweiten Halbbyte-Schnittstelle zu takten.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Ermitteln einer ersten Taktphase das Auswählen eines Taktsignals, um alle Daten an der ersten Halbbyte-Schnittstelle zu takten, umfaßt.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, das weiter das Empfangen von Daten an der ersten Halbbyte-Schnittstelle und das Takten der Daten mittels des Taktsignals umfaßt.
  4. Speichercontroller, der folgendes umfaßt: einen segmentierten Eingang/Ausgang-Schaltkreis (E/A-Schaltkreis), der eine Mehrzahl von Segmenten umfaßt, wobei jedes der Mehrzahl von Segmenten Sender für mindestens zwei Bits an Daten umfaßt; einen Taktschaltkreis; und eine Mehrzahl von Interpolationsschaltkreisen, wobei jeder der Mehrzahl von Interpolationsschaltkreisen gekoppelt ist, um ein Taktsignal von dem Taktschaltkreis zu empfangen und um einen Takt für eines der Mehrzahl von Segmenten abzugeben.
  5. Speichercontroller nach Anspruch 4, bei dem jedes der Mehrzahl von Segmenten Sender für vier Bits an Daten umfaßt.
  6. Speichercontroller nach Anspruch 4, bei dem der E/A-Schaltkreis einen seriellen Verbindungsschaltkreis, der PCI-Express-kompatibel ist, umfaßt.
  7. Speichercontroller nach Anspruch 4, der weiter einen Steuerschaltkreis umfaßt, um den Betrieb einer Mehrzahl von Interpolationsschaltkreisen zu beeinflussen.
  8. Speichercontroller nach Anspruch 7, bei dem der Steuerschaltkreis gekoppelt ist, um Interpolationswerte in jedem der Mehrzahl von Interpolationsschaltkreisen zu setzen, in Antwort auf ein Feedback, das von einer Speichervorrichtung, die mit den E/A-Schaltkreisen gekoppelt ist, empfangen wird.
  9. Speichercontroller nach Anspruch 4, bei dem die Mehrzahl von Segmenten mindestens zwei Segmente umfaßt, die mit einer ersten Speichervorrichtung gekoppelt sind, und mindestens zwei Segmente umfaßt, die mit einer zweiten Speichervorrichtung gekoppelt sind.
  10. Speichervorrichtung, die folgendes umfaßt: eine Mehrzahl von Eingang/Ausgang-Schaltkreisen (E/A-Schaltkreisen), die über eine Speichervorrichtung verteilt sind; und eine Mehrzahl von Zeitabgleich-Schaltungen, bei denen jede der Mehrzahl von Zeitabgleich-Schaltkreisen mit einem zugehörigen der Mehrzahl von E/A-Schaltkreisen gekoppelt ist.
  11. Speichervorrichtung nach Anspruch 10, bei der die Speichervorrichtung eine Speichervorrichtung mit acht Bit Breite ist, und die Mehrzahl von E/A-Schaltkreisen zwei Vier-Bit-E/A-Schaltkreisen umfaßt.
  12. Speichervorrichtung nach Anspruch 11, bei der jede der Mehrzahl von Zeitabgleich-Schaltkreisen einen Taktinterpolator umfaßt, um ein einzelnes Taktsignal an einen zugehörigen Vier-Bit-E/A-Schaltkreis abzugeben.
  13. Speichervorrichtung nach Anspruch 10, die einen Takt-Empfängerschaltkreis umfaßt, um ein Taktsignal zu empfangen und um das Taktsignal an die Mehrzahl von Zeitabgleich-Schaltkreisen abzugeben.
  14. Speichervorrichtung nach Anspruch 13, die weiter einen Steuerschaltkreis umfaßt, der gekoppelt ist, um den Betrieb der Mehrzahl von Zeitabgleich-Schaltkreisen zu beeinflussen.
  15. Speichervorrichtung nach Anspruch 10, bei der jeder der Mehrzahl von Zeitabgleich-Schaltkreisen einen Taktinterpolator umfaßt, um ein einzelnes Taktsignal an einem Zugehörigen der Mehrzahl von E/A-Schaltkreisen abzugeben.
  16. Elektronisches System, das folgendes umfaßt: eine Antenne; einen Hochfrequenz-Schaltkreis, der mit der Antenne gekoppelt ist; einen Chipsatz, der mit dem Hochfrequenz-Schaltkreis gekoppelt ist, wobei der Chipsatz einen Prozessor und einen Speichercontroller umfaßt, und eine Speichervorrichtung mit einer Mehrzahl von Eingang/Ausgang-Schaltkreisen (E/A-Schaltkreisen), die mit dem Speichercontroller gekoppelt sind, wobei die Mehrzahl von E/A-Schaltkreisen über die Speichervorrichtung verteilt sind, und eine Mehrzahl von Zeitabgleich-Schaltkreisen, wobei jeder der Mehrzahl von Zeitabgleich-Schaltkreisen mit einem Zugehörigen einer Mehrzahl von E/A-Schaltkreisen gekoppelt ist.
  17. Elektronisches System nach Anspruch 16, bei dem die Speichervorrichtung eine acht Bit breite Speichervorrichtung ist und die Mehrzahl von E/A-Schaltkreisen zwei Vier-Bit-E/A-Schaltkreise umfaßt.
  18. Elektronisches System nach Anspruch 17, bei dem die Mehrzahl von Zeitabgleich-Schaltkreisen einen Taktinterpolator umfaßt, um ein einzelnes Taktsignal an einen zugehörigen Vier-Bit-E/A-Schaltkreis abzugeben.
  19. Elektronisches System nach Anspruch 16, bei dem die Speichervorrichtung weiter einen Takt-Empfängerschaltkreis umfaßt, um ein Taktsignal von dem Speichercontrol ler zu empfangen und das Taktsignal an die Mehrzahl von Zeitabgleich-Schaltungen abzugeben.
  20. Elektronisches System nach Anspruch 19, bei dem die Speichervorrichtung weiter einen Steuerschaltkreis umfaßt, der gekoppelt ist, um den Betrieb der Mehrzahl von Zeitabgleich-Schaltkreisen zu beeinflussen.
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