DE112006000452T5 - Rastersondenmikroskop und Messverfahren damit - Google Patents

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Ken Tsuchiura Murayama
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    • G01QSCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
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    • GPHYSICS
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    • G01Q10/06Circuits or algorithms therefor
    • G01Q10/065Feedback mechanisms, i.e. wherein the signal for driving the probe is modified by a signal coming from the probe itself

Abstract

Messverfahren eines Rastersondenmikroskops, das ausgestattet ist mit einem Cantilever (21) mit einer Sonde (20), die gegenüber einer Probe (12) angeordnet ist, mit einem XYZ-Feinbewegungsmechanismus (29) zum Durchführen von Verschiebung in jede Richtung der drei Achsen (zwei Achsen X und Y parallel zu einer Probenoberfläche, und eine Achse Z in eine Höhenrichtung zu der Probenoberfläche), die sich entsprechend einer Positionsbeziehung zwischen der Sonde (20) und der Probe (12) senkrecht schneiden, mit einem Bewegungsmechanismus (11) zum Ändern einer relativen Position der Sonde zu der Probe, mit einer Messeinrichtung (24, 42, 43, 44 und 46) zum Messen von Oberflächeneigenschaften der Probe auf Basis der physikalischen Größe, die zwischen der Sonde und der Probe erzeugt wird, wenn bewirkt wird, dass die Sonde die Oberfläche die Probe abtastet, und mit einer Verschiebungserfassungseinrichtung (31, 32, 33) zum Erfassen der Verschiebung des Cantilevers, wobei die Oberflächeneigenschaften der Probe gemessen werden, indem bewirkt wird, dass die Sonde die...

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Rastersondenmikroskop und ein Messverfahren damit, insbesondere betrifft sie ein Rastersondenmikroskop, das für Formmessung und Größemessung an Formen usw. geeignet ist, die Seitenwände oder Schrägen aufweisen, und ein Messverfahren, das mit dem Rastersondenmikroskop ausgeführt wird.
  • Zu Grunde liegende Technik
  • Ein Rastersondenmikroskop ist gewöhnlich als Messeinheit mit einer Messauflösung bekannt, die die Beobachtung von feinen Objekten in der Größenordnung oder Größe von Atomen ermöglicht. In den vergangenen Jahren wurden Rastersondenmikroskope in einer Vielzahl von Bereichen angewendet, wie etwa für die Messung von feinen Reliefs oder von unebenen Formen der Oberfläche eines Substrats oder Wafers, auf dem Halbleiterbauteile hergestellt werden. Es gibt verschiedene Typen von Rastersondenmikroskopen, die für verschiedene physikalische Größen zur Erfassung, die für die Messung genutzt werden, konzipiert sind. Zum Beispiel gibt es Rastertunnelmikroskope (STM, Scanning Tunnel Microscopes), die den Tunnelstrom nutzen, Rasterkraftmikroskope (AFM, Atomic Force Microscope), die die atomare Kraftwechselwirkung nutzen, Magnetkraftmikroskope (MFM, Magnetic Force Microscope), die Magnetkräfte nutzen und dergleichen. Ihr Anwendungsbereich wächst ebenso.
  • Von den Rastersondenmikroskopen oben sind die Rasterkraftmikroskope für die Erfassung der feinen Reliefformen einer Probenoberflä che mit einer hohen Auflösung geeignet, und werden im Bereich der Halbleiterherstellungstechnik usw. verwendet.
  • Ein Rasterkraftmikroskop hat einen Teil der Messeinheit für die Durchführung einer Messung auf Basis des Prinzips von Rasterkraftmikroskopen als Ausgangskonfiguration. Gewöhnlich hat das Rasterkraftmikroskop einen XYZ-Feinbewegungsmechanismus in Tripod- oder Rohrbauart, der mit piezoelektrischen Elementen aufgebaut ist. Am unteren Ende des XYZ-Feinbewegungsmechanismus ist ein Cantilever befestigt, an dessen vorderen Ende eine Sonde ausgebildet ist. Die Spitze der Sonde ist auf die Oberfläche der Probe gerichtet. Der oben erwähnte Cantilever ist zum Beispiel mit einer optischen Erfassungseinrichtung mit Hebel ausgerüstet. Das heißt, ein Laserstrahl, der von einer Laserstrahlquelle (Laseroszillator) ausgesendet wird, der oberhalb von einem Cantilever angeordnet ist, wird an der rückseitigen Oberfläche des Cantilevers reflektiert und von einem Fotodetektor erfasst. Wenn in dem Cantilever Verdrillung oder Biegung auftreten, verändert sich die Position auf der lichtempfangenden Oberfläche des Fotodetektors, auf die der Laserstrahl trifft. Wenn in der Sonde und dem Cantilever Verschiebung auftritt, ist es deshalb möglich, die Richtung und die Größe durch das Detektorsignal zu erfassen, das von dem Fotodetektor ausgegeben wird.
  • Es sei der Aufbau des oben erwähnten Rasterkraftmikroskops betrachtet, normalerweise wird es mit einem Komparator und einer Steuerung als ein Regelsystem ausgestattet. Der Komparator vergleicht das Spannungssignal des Detektors, das aus dem Fotodetektor ausgegeben wird, und die Referenzspannung, und gibt ein Fehlersignal aus. Die Steuerung erzeugt ein Steuersignal, sodass das Fehlersignal Null wird und gibt dieses Steuersignal auf den Z-Feinbewegungsmechanismus in dem XYZ-Feinbewegungsmechanismus. Auf diese Weise wird ein rückgekoppeltes Servo-Regelsystem zur Aufrechterhaltung des Abstands zwischen der Sonde und der Probe auf einer bestimmten Entfernung aufgebaut. Auf Grund der obigen Anordnung kann die Sonde dazu gebracht werden, feinen Reliefformen usw. auf der Probenoberfläche entlang zu folgen und diese abzutasten, und die Formen usw. können gemessen werden.
  • Das Rasterkraftmikroskop, das für die Vermessung von Halbleiter-Wafern verwendet wird, hat den AFM-Systemcontroller, der automatisch eine Reihe von Prozessen durchführen kann, wie etwa die Festlegung von Beobachtungsstellen, Messungen mit dem AFM, Verarbeitung von Daten, die von den AFM-Messungen erhalten wurden, und dergleichen.
  • Hier wird ein herkömmliches und allgemeines Verfahren zur Bewegung der Sonde für einen Abtastvorgang mit Bezug auf 15 erklärt, und auf übliche Probleme wird hingewiesen. In 15 bezeichnet 101 die Sonde, 102 bezeichnet eine Probe und 102a bezeichnet die Probenoberfläche.
  • 15(A) zeigt ein kontinuierliches Verfahren zum kontinuierlichen Bewegen der Sonde. Bei dem kontinuierlichen Verfahren wird die Sonde 101 entlang der Probenoberfläche 102a bewegt, sodass sie kontinuierlich verfolgt wird. Eine gestrichelte Linie 103 zeigt die Bewegungskurve des Spitzenabschnitts der Sonde 101. Für die kontinuierlichen Verfahren werden im Allgemeinen zwei Verfahren verwendet. Ein Verfahren (ein statisch berührendes Verfahren) besteht darin, dass bewirkt wird, dass die Sonde in die Richtungen der Probenoberfläche (X- und Y-Richtung) abtastet, während eine Biegung des Cantilevers in einem konstanten statischen Zustand gehalten wird, und ein anderes Verfahren (ein dynamisch berührendes Verfah ren: auf Patentdokument 1 wird Bezug genommen) besteht darin, eine Oszillationsamplitude und eine Änderung der Anzahl der Oszillationen auf Grund einer atomaren Kraftwechselwirkung zu erfassen, indem der Cantilever (die Sonde) an einer Resonanzstelle des Cantilevers geringfügig in Schwingung versetzt wird. Im Grunde genommen ist die Regelrichtung der Sonde 101 nur eine Höhenrichtung (die Z-Richtung) zu der Probenoberfläche 102a, wie durch einen Pfeil 104 gezeigt ist. Das kontinuierliche Verfahren kann die Form der Seite des Grabens, der in die Oberfläche der Probe 102 eingebracht ist, der eine Wandoberfläche im rechten Winkel hat, wegen Begrenzungen auf Grund des Spitzenradius oder des Spitzenwinkels der Sonde 101 nicht messen, wie in 15(A) gezeigt ist. Darüber hinaus hat es das Problem, dass der Verschleiß an der Spitze der Sonde 101 groß wird, weil es ein System verwendet, das die Probenoberfläche 102a kontinuierlich abtastet. Im Falle der Messung der Oberfläche mit Teilen mit starker Neigung kann insbesondere die Sonde 101 der Form der Teile mit Neigung nicht folgen, und der Verschleiß der Sonde 101 wird größer. Deshalb hat das kontinuierliche Verfahren das Problem, dass es für die Messung der Teile der Probenoberfläche mit starker Neigung nicht geeignet ist.
  • 15(B) zeigt ein diskretes (diskontinuierliches) Verfahren zum diskreten Bewegen der Sonde (auf Patentdokument 2 wird Bezug genommen). Bei dem diskreten Verfahren, wie es durch viele gestrichelte oder gepunktete Linien 105 in der Figur gezeigt ist, wird die Sonde 101 der Probenoberfläche 102a nur an Messpunkten angenähert, an denen die Messung der Oberflächenform auf der Probenoberfläche 102a durchgeführt wird, während die Sonde 101 von der Probenoberfläche 102a entfernt ist, wenn die Abtastbewegung in X- und V-Richtung ausgeführt wird. Es ist für das diskrete Verfahren ebenso schwierig, die seitliche Form der steilen Wand mit einem Winkel von 90° zusammen mit der Probenform 101 zu messen, wie bei dem kontinuierlichen Verfahren. Das diskrete Verfahren kann jedoch den Verschleiß der Sonde 101 verringern, weil eine laterale Kraft, die mit der Abtastbewegung der Sonde einhergeht, nicht auf die Sonde wirkt, und die Kontaktzeit zwischen der Sonde und der Probenoberfläche kurz ist. Das diskrete Verfahren ist deshalb in technischen Gebieten verwendet worden, in denen hochgradig zuverlässige Messungen gefordert sind, wie etwa bei Verwendung zur Prüfung eines Halbleiters in der Fertigungsstraße und dergleichen.
  • 15(C) zeigt ein Beispiel des Regelungsverfahrens für zwei Richtungen gleichzeitig (auf Patentdokument 3 wird Bezug genommen). Die Sonde 106, die einen vergrößerten Teil mit einer Form hat, die sich in Richtung des Endes an ihrer Spitze verbreitert, wird so gesteuert, dass sie sich in zwei Richtungen der horizontalen (lateralen) Richtung (X-Richtung: Pfeil 107) und in senkrechte (longitudinale) Richtung (Z-Richtung: Pfeil 108) in 15(C) bewegt. Entsprechend dem Regelverfahren für zwei Richtungen gleichzeitig wird der Spitzenabschnitt der Sonde 106 in X- und Y-Richtung in Schwingung versetzt und geregelt, sodass Schwingungsamplituden und Frequenzänderungen stabil werden, und dadurch ermöglicht das Verfahren die Durchführung der Messung an Seitenwänden, wie die von Gräben und dergleichen, die auf der Probenoberfläche ausgebildet sind. Da jedoch das obige Verfahren grundsätzlich das Merkmal aufweist, dass die Sonde die unebenen Formen der Probenoberfläche 102a kontinuierlich verfolgt, wird der große Verschleiß der Sonde 106 nicht verbessert.
  • Da die gleichzeitige Regelung für zwei Richtungen die Schwingung in horizontaler Richtung erfordert (Pfeil 107), unterliegt sie darüber hinaus der Begrenzung bezüglich der messbaren Breite der Gräben.
  • Wenn „d" der Durchmesser der Sondenspitze, „a" die Schwingungsamplitude und „W" die Grabenbreite ist, ist es erforderlich, dass die Beziehung von W > d + a erfüllt ist. Mit dem Fortschritt der Verkleinerung von Halbleiterbauteilen wird die Grabenbreite (oder der Lochdurchmesser) kleiner gestaltet, und aktuell wird die Größe von 30-60nm gefordert. Die Größe von 20nm ist aktuell die technische Grenze, und wenn der Durchmesser der Sonde allzu klein ausgeführt wird, wird die Sonde leichter biegbar und die Grenze ihrer Nutzung liegt in der Steifigkeit. Darüber hinaus glaubt man, dass die Amplitude der Schwingung in horizontaler Richtung wenigstens Dutzende von nm (Nanometer) braucht. Wie oben erwähnt ist das System, das die Schwingungen horizontaler Richtung erfordert, nachteilig hinsichtlich der Verkleinerung der Proben. Um die Oberfläche der Probe mit den Gräben kontinuierlich zu verfolgen, ist es außerdem immer erforderlich, einer rechten und einer linken Seitenwand von beiden in dem Graben zu folgen, und deshalb wird die Bewegungsregelung der Sonde kompliziert, und daraus entsteht das Problem, dass die Messzeit lang wird.
    • Patentdokument 1: Das Patent Nr. 2732771 ( JP A 7-270434 )
    • Patentdokument 2: Das Patent Nr. 2936545 ( JP A 2-5340 )
    • Patentdokument 3: Das Patent Nr. 2501282 ( JP A 6-82248 )
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Das Problem, das durch die Erfindung gelöst werden soll Im Falle der Messung von unebenen Formen und dergleichen auf der Oberfläche der Probe durch das Rastersondenmikroskop nach den herkömmlichen Verfahren für die Sondenbewegung entstehen die folgenden Probleme. Das heißt, wenn Abschnitte mit Steigung und Seitenwände usw. gemessen werden, wie etwa winzige Gräben und Löcher in der unebenen oder rauen Form der Probenoberfläche, tritt schwerer Verschleiß der Spitzenabschnitts der Sonde auf, wodurch die Verlässlichkeit der Messung gering wird, und außerdem wird die Bewegungsregelung für den Abtastvorgang der Sonde kompliziert, und die Abtastzeit für die Messung wird insgesamt lang.
  • Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist es, ein Rastersondenmikroskop und ein Messverfahren damit zu schaffen, das den Verschleiß des Spitzenabschnitts der Sonde verringert, das die Zuverlässigkeit der Messung erhöht, die Bewegungsregelung für den Abtastvorgang der Sonde leicht ausführt und die Probenoberfläche in einer kurzen Zeit mit der Sonde abtastet, während die Abschnitte mit Neigung und Seitenwände usw. in winzigen Gräben und Löchern auf der Probenoberfläche gemessen werden.
  • Die Einrichtung zum Lösen des Problems
  • Ein Rastersondenmikroskop und Messverfahren damit nach der vorliegenden Erfindung sind wie folgt aufgebaut, um den oben erwähnten Gegenstand zu erreichen.
  • Ein Messverfahren eines Rastersondenmikroskops nach der vorliegenden Erfindung wird angewendet auf das Rastersondenmikroskop mit einem Cantilever mit einer Sonde, die gegenüber einer Probe angeordnet ist, mit einem XYZ-Feinbewegungsmechanismus zum Durchführen von Verschiebung in jeder Richtung der drei Achsen (zwei Achsen X und Y parallel zu einer Probenoberfläche und eine Z-Achse einer Höhenrichtung zu der Probenoberfläche), die sich entsprechend einer Positionsbeziehung zwischen Sonde und Probe senkrecht schneiden, mit einem Bewegungsmechanismus zur Veränderung der Relativposition der Sonde zu der Probe, mit einem Messteilsystem zur Messung der Oberflächeneigenschaften der Probe auf Basis der physikalischen Größe, die zwischen der Sonde und der Probe erzeugt wird, wenn bewirkt wird, dass die Sonde die Probenoberfläche abtastet, und mit einer Verschiebungserfassungseinrichtung zur Erfassung der Verschiebung des Cantilevers. In dem Rastersondenmikroskop werden die Oberflächeneigenschaften der Probe gemessen, indem man die Sonde die Probenoberfläche abtasten lässt, während die physikalische Größe konstant gehalten wird. Das Messverfahren umfasst einen ersten Schritt der Ausführung einer Abtastbewegung des Tasters zu einem ersten Zeitpunkt in beide oder eine der X- und Y-Richtungen entlang der Oberfläche der Probe, während die Position der Sonde in einer Z-Richtung über der Probe entsprechend einem zuvor festgelegten Weg für die Bewegung der Sonde mit dem Bewegungsmechanismus und dem XYZ-Feinbewegungsmechanismus gesteuert wird, einen zweiten Schritt der Erfassung von Messinformationen über die Oberfläche der Probe durch das Messteilsystem und das Teilsystem für die Erfassung der Verschiebung während des ersten Schrittes, einen dritten Schritt der Festlegung eines Weges für die Bewegung der Sonde für ein Abtasten zu einem zweiten Zeitpunkt und einer Messstelle, an der eine Messung, die eine Komponente in parallele Richtung zur Oberfläche der Probe enthält, in dem Weg der Bewegung der Sonde auf Basis der Messinformationen über die Oberfläche der Probe, die im zweiten Schritt erhalten wurden, ausgeführt wird, und einen vierten Schritt der Durchführung der Messung, die die Komponente in paralleler Richtung enthält, die auf dem Abtasten zu dem zweiten Zeitpunkt beruht.
  • Bei dem Messverfahren eines Rastersondenmikroskops weist die Messstelle, an der die Messung ausgeführt wird, die die Komponente in paralleler Richtung zur Oberfläche der Probe enthält, vorzugsweise eine Stelle mit einer Neigung auf der Oberfläche der Probe auf.
  • Bei dem Messverfahren eines Rastersondenmikroskops ist die Sonde von der Oberfläche der Probe in einem Bereich vorzugsweise entfernt, wovon die Messstelle auf der Oberfläche der Probe in dem Weg der Sondenbewegung, der auf der Abtastbewegung beruht, ausgenommen ist.
  • Bei dem Messverfahren eines Rastersondenmikroskops hat die Sonde vorzugsweise spitze Enden, die in beide oder eine der parallelen und senkrechten Richtungen zur Oberfläche der Probe zeigen.
  • Bei dem Messverfahren eines Rastersondenmikroskops ist die Sonde vorzugsweise derart angeordnet, dass eine Achse der Sonde zu der Oberfläche der Probe geneigt ist.
  • Bei dem Messverfahren eines Rastersondenmikroskops wird die Messung, die die Komponente in paralleler Richtung zur Oberfläche der Probe im vierten Schritt enthält, vorzugsweise an wenigstens einer Messstelle oder an einem erforderlichen Minimum von Messstellen durchgeführt, an denen Größenmessung erforderlich ist.
  • Bei dem Messverfahren eines Rastersondenmikroskops verwendet die Messung, die die Komponente in paralleler Richtung zu der Oberfläche der Probe enthält, vorzugsweise ein Verdrillungssignal, das erzeugt wird, wenn der Cantilever verdrillt wird.
  • Bei dem Messverfahren eines Rastersondenmikroskops wird, wenn die Oberfläche der Probe so geformt ist, dass sie Gräben aufweist, die Messung, die die Komponente in paralleler Richtung zur Oberfläche der Probe in dem vierten Schritt enthält, vorzugsweise parallel zu den Gräben ausgeführt.
  • Bei dem Messverfahren eines Rastersondenmikroskops wird, wenn die Oberfläche der Probe so geformt ist, dass sie Löcher aufweist, die Messung, die die Komponente in paralleler Richtung zur Oberfläche der Probe in dem vierten Schritt enthält, vorzugsweise entlang einer Umfangsrichtung der Löcher ausgeführt.
  • Bei dem Messverfahren eines Rastersondenmikroskops wird, wenn der erste Schritt und der vierte Schritt in einer Vorwärts- und Rückwärts-Abtastbewegung ausgeführt werden, vorzugsweise der erste Schritt auf dem Hinweg und der vierte Schritt auf dem Rückweg ausgeführt.
  • Bei dem Messverfahren eines Rastersondenmikroskops wird die Abtastbewegung in dem vierten Schritt vorzugsweise gegen die Oberfläche der Probe auf Basis von Messinformationen über die Oberfläche der Probe, die von dem ersten und zweiten Schritt erhalten wurden, durchgeführt, sodass eine Bewegungsrichtung an jedem der Messpunkte in einer Normalrichtung zur Probenoberfläche liegt.
  • Bei dem Messverfahren eines Rastersondenmikroskops sieht das Verfahren vorzugsweise weiter einen fünften Schritt vor, in dem die Messinformationen, die von dem zweiten Schritt erhalten wurden, und die Messinformationen, die von dem vierten Schritt erhalten wurden, zusammengestellt werden.
  • Bei dem Messverfahren eines Rastersondenmikroskops wird vorzugsweise beide oder eines von einem Verdrillungssignal und einem Biegungssignal des Cantilevers verwendet, um den Kontakt zwischen der Sonde und der Probe in der Messung, die die Komponente in paralleler Richtung enthält, die auf dem vierten Schritt beruht, zu erfassen.
  • Bei dem Messverfahren eines Rastersondenmikroskops ist ein erstes Abtasten, das in dem ersten Schritt durchgeführt wird, vorzugsweise ein Abtasten auf einer Linie in X-Richtung (oder Y-Richtung), und ein Weg der Sondenbewegung und eine Messstelle, die in dem dritten Schritt festgelegt werden, werden erstellt, indem wiederholt ein Weg der Sondenbewegung und eine Messstelle, die auf Basis von Informationen festgelegt wurden, die durch den zweiten Schritt erhalten wurden, in Y-Richtung (oder X-Richtung) verschoben werden.
  • Bei dem Messverfahren eines Rastersondenmikroskops sind vorzugsweise ein oder mehrere Punkte als Punkte zum Erhalten von Messinformationen während des ersten Abtastens in dem zweiten Schritt ausgewählt, wobei der Weg für die Sondenbewegung, der in dem dritten Schritt festgelegt wird, eine gerade Linie ist, die durch die Messinformationen festgelegt wird, die an einem oder mehreren Punkten erhalten wurden, und die Messung, die die Komponente in paralleler Richtung zur Probenoberfläche in dem vierten Schritt enthält, wird entlang der geraden Linie durchgeführt.
  • Ein Rastersondenmikroskop nach der vorliegenden Erfindung ist mit einem Cantilever mit einer Sonde ausgerüstet, der gegenüber einer Probe angeordnet ist, mit einem XYZ-Feinbewegungsmechanismus zum Verschieben in jeder Richtung der drei Achsen (zwei Achsen X und Y parallel zu einer Probenoberfläche, und eine Achse Z in einer Höhenrichtung zu der Probenoberfläche), die sich entsprechend einer Positionsbeziehung zwischen der Sonde und der Probe senkrecht schneiden, mit einem Bewegungsmechanismus zum Verändern einer relativen Position der Sonde und der Probe, mit einem Messteilsystem zum Messen von Oberflächeneigenschaften der Probe auf Basis der physikalischen Größe, die zwischen der Sonde und der Probe erzeugt wird, wenn bewirkt wird, dass die Sonde die Oberfläche der Probe ab tastet, und mit einem Erfassungsteilsystem für die Verschiebung, der die Verschiebung des Cantilevers erfasst, und mit einem Steuercomputer (40) zum Ändern einer Positionsbeziehung zwischen der Sonde und der Probe durch den XYZ-Feinbewegungsmechanismus und die Bewegungsmechanismus. Durch die obige Struktur können die Oberflächeneigenschaften der Probe gemessen werden, indem bewirkt wird, dass die Sonde die Oberfläche der Probe abtastet, während die physikalische Größe konstant gehalten wird. In dem Rastersondenmikroskop nach der vorliegenden Erfindung ist auf dem Steuercomputer ein Programm installiert, das eine erste Funktion, die eine Abtastbewegung der Sonde zu einem ersten Zeitpunkt in beide oder eine der X- und Y-Richtungen entlang einer Oberfläche der Probe durchführt, während die Position der Sonde in einer Z-Richtung auf der Probe entsprechend einem zuvor festgelegten Weg für die Sondenbewegung durch den Bewegungsmechanismus und den XYZ-Feinbewegungsmechanismus gesteuert wird, eine zweite Funktion zum Erhalten von Informationen über die Oberfläche der Probe durch das Messteilsystem und das Verschiebungserfassungsteilsystem während des Abtastens, eine dritte Funktion zum Festlegen eines Weges für die Sondenbewegung für ein Abtasten zu einem zweiten Zeitpunkt und einer Messstelle, an der eine Messung, die eine Komponente in paralleler Richtung zu der Oberfläche der Probe enthält, auf dem Weg der Sondenbewegung auf Basis der Messinformationen über die Oberfläche der Probe, die bei der Messung erhalten wurden, ausgeführt wird, und eine vierte Funktion zum Durchführen der Messung, die die Komponente in paralleler Richtung enthält, auf Basis des Abtastens zu dem zweiten Zeitpunkt umsetzt.
  • Die nutzbringenden Effekte der Erfindung
  • Diese Erfindung hat die folgenden nutzbringenden Effekte. Da eine Abtastbewegung zweimal ausgeführt wird, indem die gesamte Abtast bewegung in eine Abtastbewegung auf Basis einer Regelung in Z-Richtung und eine Abtastbewegung der Messung in horizontaler Richtung unterteilt wird, kann der Verschleiß an der Spitze am Ende der Sonde verringert werden, die Zuverlässigkeit der Messung kann verbessert werden, die Bewegungssteuerung des Abtastens mit der Sonde kann vereinfacht werden, und die Abtastzeit kann verkürzt werden, wenn Neigungen oder Seitenwände usw. gemessen werden, wie etwa feine Gräben und Löcher usw. auf der Probenoberfläche.
  • Darüber hinaus wird entsprechend dem Rastersondenmikroskop und seinem Messverfahren nach der vorliegenden Erfindung die Messzeit verringert, da die zweidimensionale Verfolgungsregelung, die ausgeführt wird, wenn die Abtastbewegung entlang sowohl von Seitenwänden von Gräben als auch ähnlichem auf der Probenoberfläche durchgeführt wird, nicht erforderlich ist. Außerdem ist es in dem Fall, in dem die horizontale Größe in einem Abschnitt zwischen beiden Seitenwänden in Gräben und dergleichen benötigt wird, ausreichend, nur einen Punkt zu messen, der die horizontale Größe betrifft, und deshalb sind die Verfahren von Nutzen im Vergleich zu herkömmlichen Verfahren nicht begrenzt und die Messung kann in kurzer Zeit und mit hoher Präzision durchgeführt werden. Da das Verfahren nach dieser Erfindung keine Schwingung in lateraler Richtung für die kontinuierliche Verfolgungsregelung enthält, ist es im Vergleich mit herkömmlichen Verfahren zusätzlich vorteilhaft, wenn feine Gräben oder Löcher oder dergleichen gemessen werden.
  • Beste Art und Weise, die Erfindung auszuführen
  • Im Folgenden werden bevorzugte Ausführungen der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die Figuren im Anhang beschrieben.
  • Die Struktur und die grundlegende Funktionsweise eines Rastersondenmikroskops in der Ausführung nach der vorliegenden Erfindung werden mit Bezug auf 1 erklärt. Dieses Rastersondenmikroskop ist als ein typisches Beispiel ein Rasterkraftmikroskop (AFM).
  • Ein Probentisch 11 ist im unteren Teil des Rastersondenmikroskops angeordnet. Eine Probe 12 ist auf dem Probentisch 11 platziert. Der Probentisch 11 hat einen Mechanismus zum Ändern der Position der Probe 12 in dem dreidimensionalen Koordinatensystem 13, das aus einer X-Achse, Y-Achse und einer Z-Achse zusammengesetzt ist, die sich senkrecht schneiden. Der Probentisch 11 besteht aus einem XY-Tisch 14, einem Z-Tisch 15 und einem Probenhalter 16. Der Probentisch 11 stellt gewöhnlich ein Grobmechanismus-Teilsystem zum Bewirken von Verschiebung (Positionsänderung) auf einer Probenseite dar. Die oben erwähnte Probe 12 mit einer relativ großen Fläche und der Form einer dünnen Platte ist auf der oberen Oberfläche des Probenhalters 16 auf dem Probentisch 11 angeordnet und wird außerdem auf der oberen Oberfläche gehalten. Die Probe ist zum Beispiel ein Substrat oder ein Wafer, auf dessen Oberfläche Strukturen von integrierten Schaltkreisen von Halbleiterbauteilen hergestellt sind. Die Probe 12 ist auf dem Probenhalter 16 befestigt. Der Probenhalter 16 hat einen Spannfuttermechanismus zum Befestigen der Probe.
  • Ein optisches Mikroskop 18 mit einem Verfahrmechanismus 17 ist an einer Position oberhalb der Probe 12 angeordnet. Das optische Mikroskop 18 wird von einem Verfahrmechanismus 17 getragen. Der Verfahrmechanismus 17 besteht aus einem Stellantrieb in Z-Richtung zur Nutzung bei der Fokussierung und zum Bewegen des optischen Mikroskops in einer Z-Achsenrichtung und aus einem Stellantrieb in XY-Richtung, um es in eine XY-Achsenrichtung zu bewegen. Der Verfahrmechanismus 17 ist an einem Teil des Rahmens be festigt. Die Darstellung des Teils des Rahmens ist in 1 jedoch weggelassen.
  • Das optische Mikroskop 18 mit einem Objektiv 18a, das nach unten zeigt, ist an einer höheren Position angeordnet, sodass es der Oberfläche der Probe 12 direkt von oben gegenübersteht. Eine Fernsehkamera (Bildgebungseinheit) 19 ist am oberen Ende des optischen Mikroskops 18 befestigt. Die Fernsehkamera 19 nimmt ein Bild eines bestimmten Bereichs auf der Probenoberfläche auf, der durch das Objektiv 18a erhalten wird, und gibt die Daten des Bildes aus.
  • Ein Cantilever 21 mit einer Sonde 20 an dessen Spitze ist an einer Position oberhalb der Probe 12 angeordnet, um sich der Oberfläche der Probe anzunähern. Der Cantilever 21 ist an einer Aufnahme 22 befestigt. Die Aufnahme 22 ist zum Beispiel mit einem Luftansaugteilsystem (nicht gezeigt) ausgerüstet, das mit einer Luftansaugeinrichtung (nicht gezeigt) verbunden ist. Ein Halteelement mit einer großen Fläche an dem Cantilever 21 wird von dem Luftansaugteilsystem der Aufnahme 22 angesaugt, und dadurch wird der Cantilever 21 an der Aufnahme 22 befestigt. Die Aufnahme 22 ist an ihrer Rückseite mit einem vorstehenden Teil 23 ausgestattet.
  • Die oben erwähnte Aufnahme 22 ist an der unteren Oberfläche eines Halterahmens 25 befestigt, der ein Erfassungsteilsystem für die Verschiebung des Cantilevers 24 trägt.
  • Das Erfassungsteilsystem für die Verschiebung des Cantilevers 24 ist derart eingerichtet, dass eine Laserlichtquelle 26 und ein Fotodetektor 27 an dem Halterahmen 25 entsprechend einer zuvor festgelegten Beziehung ihrer Anordnung zueinander befestigt sind. Das Erfassungsteilsystem für die Verschiebung des Cantilevers 24 und der Cantilever 21 werden im einer konstanten Positionsbeziehung zueinander gehalten, und ein Laserstrahl 28, der von der Laserlichtquelle 26 ausgesendet wird, wird auf der Rückseite des Cantilevers 21 reflektiert, sodass er in den Fotodetektor 27 eintritt. Das Erfassungsteilsystem für die Verschiebung des Cantilevers 24 bildet eine optische Fotodetektoreinrichtung der Bauart mit Hebel. Wenn Verformungen, wie etwa Verdrillung, Biegung usw. in dem Cantilever 21 erzeugt werden, kann die optische Fotodetektoreinrichtung der Bauart mit Hebel die Verschiebung auf Grund der Verformung erfassen.
  • Das Erfassungsteilsystem für die Verschiebung des Cantilevers 24 ist an einem XYZ-Feinbewegungsmechanismus 29 befestigt. Der XYZ-Feinbewegungsmechanismus 29 bewegt den Cantilever 21 mit der Sonde 20 in jeder der X, Y und Z-Richtungen auf einer kleinen Strecke. Zu diesem Zeitpunkt wird die Erfassungseinheit für die Verschiebung des Cantilevers 24 gleichzeitig zusammen mit dem Cantilever 21 bewegt und die Positionsbeziehung zwischen dem Cantilever 21 und dem Erfassungsteilsystem für die Verschiebung des Cantilever 24 bleibt unverändert.
  • In der Anordnung oben ist der XYZ-Feinbewegungsmechanismus 29 aus einem Parallelplatten-Feder-Mechanismus mit Piezoelementen, einem Mechanismus in Rohrbauart, oder einem Antrieb mit Schwingspulen usw. aufgebaut. Der XYZ-Feinbewegungsmechanismus 29 bewirkt, dass die Sonde 20 in jede Richtung der X-Achse, der Y-Achse und der Z-Achse auf einer kleinen Strecke (z. B. einige μm bis 10μm und einem Maximum von 100μm) verschoben wird.
  • Der XYZ-Feinbewegungsmechanismus 29 oben ist mit dem oben erwähnten Teil des Rahmens 30 verbunden, woran die Einheit, die das optische Mikroskop 18 enthält, befestigt ist.
  • Entsprechend der Positionsbeziehung, die auf der Befestigung beruht, kann der spezielle Bereich der Oberfläche der Probe 12 und der Teil mit der Spitze (Rückseite) des Cantilevers 21, der die Sonde aufweist, durch das optische Mikroskop beobachtet und in einem Beobachtungsfeld davon gezeigt werden.
  • Außerdem ist der vorstehende Teil 23 der oben erwähnten Aufnahme 22 mit einem hochgenauen Verschiebungsdetektor in Richtung der X-Achse 31, einem hochgenauen Verschiebungsdetektor in Richtung der Y-Achse 32 und einem hochgenauen Verschiebungsdetektor in Richtung der Z-Achse 33 ausgestattet. Als Verschiebungsdetektoren 31-33 werden Detektoren der elektrostatischen kapazitiven Bauart, der Bauart mit Differentialtransformator oder der Bauart Laserinterferometer verwendet.
  • Als nächstes wird das Regelsystem des Rastersondenmikroskops erklärt. Das Regelsystem hat einen AFM-Systemcontroller 40, der im Wesentlichen aus Computern besteht.
  • Der AFM-Systemcontroller 40 hat ein Regelteilsystem für das optische Mikroskop 41, ein Teilsystem für die Formmessung 42, ein Vergleichsteilsystem (oder Subtraktionsteilsystem) 43, ein Regelteilsystem 44, ein XYZ-Anweisungsteilsystem 45, ein XYZ-Ansteuerungsteilsystem 46, ein XYZ-Tisch-Regelteilsystem 47 und ein Speicherteilsystem 48 als seine funktionsbezogenen Teile. Weiter sind eine Anzeigeeinrichtung 52 und eine Eingabeeinrichtung 53 über das Schnittstellenteilsystem 51 für den AFM-Systemcontroller 40 eingerichtet.
  • Das Vergleichsteilsystem 43 und das Regelteilsystem 44 werden prinzipiell für die Realisierung des Messmechanismus des Rasterkraftmikroskops (AFM) verwendet. Das Vergleichsteilsystem 43 vergleicht das Spannungssignal der Biegung in Z-Richtung Va, das aus dem Fotodetektor 27 ausgegeben wird, mit einer Referenzspannung (Vref), die vorab eingestellt wurde, und gibt ein Regelabweichungssignal s1 aus. Das Regelteilsystem 44 erzeugt ein Steuersignal s2, sodass das Regelabweichungssignal s1 Null werden kann, und liefert das Steuersignal s2 an einen Anschluss 61a eines Schaltteilsystems 61 in dem XYZ-Ansteuerungsteilsystem 46.
  • Außerdem wird das Spannungssignal für die Verdrillung Vb in den Signalen, die aus dem Fotodetektor 27 ausgegeben werden, in das Formmessungsteilsystem 42 eingegeben.
  • Eine Vier-Quadranten-Fotodiode usw. wird für den oben erwähnten Fotodetektor 27 verwendet. Der Fotodetektor 27 gibt das oben erwähnte Spannungssignal für Biegung Va und das Spannungssignal für Verdrillung Vb bezüglich des Cantilevers 21 aus.
  • Der Verfahrmechanismus 17, der den Stellantrieb in Z-Richtung zur Nutzung bei der Fokussierung und den Stellantrieb in XY-Richtung umfasst, ändert die Position des optischen Mikroskops 18. Das oben erwähnte Regelteilsystem des optischen Mikroskops 41 regelt die Tätigkeit des Verfahrmechanismus 17, der den Stellantrieb in Z-Richtung zur Nutzung bei der Fokussierung und den Stellantrieb in XY-Richtung umfasst.
  • Die Fernsehkamera 19 nimmt das Bild der Probenoberfläche oder des Cantilevers 2 auf, die von dem optischen Mikroskop 18 erhalten werden, und gibt die Daten des Bildes aus. Die Bilddaten, die von der Fernsehkamera 19 des optischen Mikroskops 18 erhalten werden, werden in dem Regelteilsystem für das optische Mikroskop 41 verarbeitet.
  • Das oben erwähnte XYZ-Anweisungsteilsystem 45 gibt Signale (zum Schluss Vx, Vy, Vz) aus, die die Größe der Feinbewegung in X-Richtung, der Feinbewegung im Y-Richtung und der Feinbewegung in Z-Richtung des XYZ-Feinbewegungsmechanismus 29 vorgeben. Das Signal, das die Größe der Feinbewegung in Z-Richtung betrifft, das von dem XYZ-Anweisungsteilsystem 45 ausgegeben wird, wird zu einem Anschluss 61b des Schaltteilsystems 61 des XYZ-Ansteuerungsteilsystems 46 geleitet. Ein beweglicher Anschluss 61c des Schaltteilsystems 61 wird wahlweise mit dem oben erwähnten Anschluss 61a oder mit dem Anschluss 61b verbunden. Das Signal, das von dem beweglichen Anschluss 61c des Schaltteilsystems 61 ausgegeben wird, wird über einen Regelverstärker 62 als ein Signal Vz an das Z-Feinbewegungsteilsystem des XYZ-Feinbewegungsmechanismus 29 geleitet. Außerdem wird das Signal, das die Größe der Feinbewegung in X-Richtung betrifft, das aus dem XYZ-Anweisungsteilsystem 45 ausgegeben wird, als ein Signal Vx über einen Regelverstärker 63 des XYZ-Ansteuerungsteilsystems 46 an das X-Feinbewegungsteilsystem des XYZ-Feinbewegungsmechanismus 29 gegeben. Weiter wird das Signal, das die Größe der Feinbewegung in Y-Richtung betrifft, das aus dem XYZ-Anweisungsteilsystem 45 ausgegeben wird, als ein Signal Vy über einen Regelverstärker 64 des XYZ-Ansteuerungsteilsystems 46 an das Y-Feinbewegungsteilsystem des XYZ-Feinbewegungsmechanismus 29 gegeben.
  • Ein Messsignal Uz von dem Verschiebungsdetektor in Z-Achsenrichtung 33 wird in den Regelverstärker 62 eingegeben, ein Messsignal Ux von dem Verschiebungsdetektor in X-Achsenrichtung 31 wird in den Regelverstärker 63 eingegeben und ein Messsignal Uy von dem Verschiebungsdetektor in Y-Achsenrichtung 32 wird in den Regelverstärker 64 eingegeben. Jedes der Signale Ux, Uy und Uz von den Verschiebungsdetektoren für die X-Achse, die Y-Achse und die Z- Achse 31, 32 und 33 wird außerdem zu dem Speicherteilsystem 48 geleitet und darin als Verschiebungsdaten von jeder Richtung gespeichert.
  • Es ist derart aufgebaut, dass benötigte Daten über die Regelung zwischen dem Formmessungsteilsystem 42, dem XYZ-Anweisungsteilsystem 45 und dem Speicherteilsystem 41 ausgetauscht werden können.
  • Darüber hinaus gibt das Regelteilsystem des XYZ-Tischs 47 die Signale Sx, Sy und Sz aus und steuert dadurch jede Tätigkeit des XY-Tisches 14 und des Z-Tisches 15 in dem Probentisch 11.
  • Wenn in der oben erwähnten Anordnung der bewegliche Anschluss 61c des Schaltteilsystems 61 mit dem Anschluss 61a verbunden wird, stellt der XYZ-Feinbewegungsmechanismus 29, der das Signal (Vz) empfängt, auf Basis des Regelsignals s2 die Höhenposition des Cantilevers 21 ein, und hält den Abstand zwischen dem Taster 20 und der Oberfläche der Probe mit der festen Entfernung aufrecht, die von der Referenzspannung (Vref) festgelegt wird. Wenn die Probenoberfläche von der Sonde 20 abgetastet wird, ist der Regelkreis von dem Fotodetektor 27 zu dem XYZ-Feinbewegungsmechanismus 29 über das Spannungssignal für die Biegung in Z-Richtung Va ein Servo-Regelkreis mit Rückkopplung zum Halten des Abstands zwischen der Sonde 20 und der Probe 12 auf einer zuvor festgelegten konstanten Entfernung, die von der Referenzspannung (Vref) festgelegt wird, wobei die Verformung des Cantilevers 21 von dem Fotodetektor mit dem Hebel erfasst wird. Wenn die Sonde 20 durch den Regelkreis in einem festen Abstand von der Oberfläche der Probe 12 gehalten wird, und die Oberfläche der Probe 12 in diesem Zustand abgetastet wird, kann die unebene Form der Probenoberfläche gewöhnlich gemessen werden.
  • In der oben erwähnten Servo-Regelschleife, die das Vergleichsteilsystem 43 und das Regelteilsystem 44 und dergleichen enthält, bedeutet das Steuersignal (s2), das aus dem Regelteilsystem 44 ausgegeben wird, das Höhensignal der Sonde 20 in dem Rastersondenmikroskop (Rasterkraftmikroskop).
  • Die Abtastbewegung der Sonde wird im Bereich der Messung auf der Oberfläche der Probe 12 ausgeführt, indem das X-Feinbewegungsteilsystem und das Y-Feinbewegungsteilsystem des XYZ-Feinbewegungsmechanismus 29 betätigt werden. Das XYZ-Anweisungsteilsystem 45 steuert den XYZ-Feinbewegungsmechanismus 29 mit dem Signal für die X-Richtung Vx und dem Signal für die Y-Richtung Vy.
  • Das Speicherteilsystem 48 speichert die gewöhnlichen Messprogramme und Messbedingungen, das Messprogramm zum Ausführen des Messverfahrens nach den vorliegenden Ausführungen, und Messdaten usw. Insbesondere umfasst das Messprogramm im Falle der vorliegenden Erfindung bei der automatischen Messung einen Teil des Messprozesses zum Bewegen der Sonde an Seitenwände oder geneigte Teile usw., wie etwa Gräben oder Löcher, die auf die Probenoberfläche eingebracht sind. Folglich speichert das Speicherteilsystem 48 das Programm zum Messen der Seitenwände usw.
  • Darüber hinaus kann der AFM-Systemcontroller 40 Messbilder auf der Anzeigeeinrichtung 52 anzeigen, die auf Messdaten basieren, die ihm durch das Schnittstellenteilsystem 51 geliefert werden, und kann weiter Messprogramme, Messbedingungen oder Daten usw. durch die Eingabeeinrichtung 53 einstellen oder ändern.
  • Als nächstes wird das Messverfahren erklärt, das mit dem Rastersondenmikroskop mit der oben erwähnten Anordnung ausgeführt wird. Mit Bezug auf die 2 bis 4 wird zuerst eine erste Ausführung der vorliegenden Erfindung erklärt.
  • 2 zeigt ein Beispiel der Form der Spitze der Sonde 20, die in der vorliegenden Ausführung verwendet wird. In diesem Beispiel ist die Form der Spitze der Sonde in Frontansicht übertrieben dargestellt. In 2 hat die Sonde 20 spitze Teile 20a und 20b in der horizontalen Richtung (XY-Richtung) in 1 parallel zu der Oberfläche der Probe 12, und hat außerdem einen spitzen Teil 20c in senkrechter Richtung (Z-Richtung oder Höhenrichtung), der senkrecht zu der Probenoberfläche steht.
  • Als nächstes zeigt 3 Positionsverlaufskurven der Bewegung der Sonde 20. In 3 sind die Positionsverlaufskurven (A) und (B) von zwei verschiedenen Bewegungsvorgängen gezeigt. Das Messverfahren von diesem Rastersondenmikroskop beruht darauf, dass die Durchführung der Messungen zweimal ausgeführt wird. In 3 zeigt (A) die Bewegungskurve der Sonde bei der ersten Messung und (B) zeigt die Bewegungskurve der Sonde bei der zweiten Messung. Ein Pfeil 70 von (A) nach (B) bedeutet den Ablauf der Messung.
  • In 3(A) wird die Sonde 20 bewegt, um sie der Oberfläche der Probe 12 an Messpunkten anzunähern und sie zu berühren, die in konstanten Intervallen während des Abtastvorgangs mit der Sonde 20 von links nach rechts im X-Richtung in der Figur vorgesehen sind. Dieses Bewegungsverfahren entspricht dem Messverfahren auf Basis des diskreten Verfahrens, das im Teil mit der zu Grunde liegenden Technik erklärt ist. Wenn die Sonde 20 die Abtastbewegung in X-Richtung ausführt, wird die Position der Spitze der Sonde 20 als eine feste Höhenposition (H) festgelegt, und die Sonde 20 nähert sich der Probenoberfläche nur an jedem der Messpunkte an. In 3 zeigen viele gestrichelte Linien 71, die in Z-Richtung zeigen, die Annäherungsbewegungen an die Probenoberfläche und die Entfernungsbewegungen von der Probenoberfläche. Zusätzlich seien zum Beispiel Gräben 12a mit festem Intervall in die Oberfläche der Probe 12 eingebracht. Deshalb weicht die Länge der gestrichelten Linien 71 an der Oberfläche der Probe 12 von der am Boden der Gräben 12a ab. Außerdem können statt der Gräben 12a Hohlräume 12a wie etwa Löcher der Gegenstand sein.
  • Wie in (A) in 3 gezeigt ist, wird auf Basis des Anweisungssignals, das von dem XYZ-Anweisungsteilsystem 45 beim Abtasten zu dem ersten Zeitpunkt ausgegeben wird, die unebene Form der Oberfläche der Probe 12 in Bezug auf einen gewissen Bereich, der die Messpunkte enthält, durch das diskrete Verfahren gemessen. Der bewegliche Anschluss 61c ist zu diesem Zeitpunkt mit dem Anschluss 61a in dem Schaltteilsystem 61 verbunden. Die Verschiebungsdetektoren 31-33 erfassen die Koordinaten der Positionen der Bewegungskurve, die bei der Messung zum ersten Zeitpunkt erhalten werden, und Daten der unebenen Form der Oberfläche der Probe, und das Speicherteilsystem 48 speichert sie. Als nächstes wird die Messung zum zweiten Zeitpunkt wie in (B) in 3 gezeigt durchgeführt. Die Bewegungsrichtung der Abtastbewegung zum zweiten Zeitpunkt ist identisch mit der der Abtastbewegung zu dem ersten Zeitpunkt. In diesem Fall der Messung zum zweiten Zeitpunkt sind die Koordinaten der Positionen, die die Seitenwände 72 und 73 in den Gräben 12a und dergleichen betreffen, aus der Messung zum ersten Zeitpunkt bekannt. Für die Messung der Seitenwand 72 wird die Abtastbewegung dann umgeschaltet, sodass die Messung durch das diskrete Verfahren in der horizontalen Richtung (X-Richtung) in dem Intervall von dem Punkt A zu dem Punkt B entlang der Oberfläche der Seitenwand 72 durchgeführt wird. Außerdem wird die Abtastbewegung für die Messung einer anderen Seitenwand 73 derart umgeschaltet, dass die Messung mit dem diskreten Verfahren in der horizontalen Richtung (X-Richtung) in dem Intervall von Punkt C zu dem Punkt D entlang der Oberfläche der Seitenwand 73 durchgeführt wird. Die Annäherungsrichtung im Falle der Messung der Seitenwand 72 ist der Annäherungsrichtung im Fall der Messung der Seitenwand 73 entgegengesetzt.
  • Außerdem wird bei der Messung zu dem zweiten Zeitpunkt, die in (B) in 3 gezeigt ist, das diskrete Verfahren, in dem die Annäherungs-/Entfernungsbewegung der Sonde in X-Richtung durchgeführt wird, nur auf die Wandoberfläche der Seitenwände 72 und 73 in dem Graben 12a und dergleichen angewendet. Da die Messdaten über die andere Probenoberfläche der Probe 12 schon bei der Abtastbewegung zum ersten Zeitpunkt erhalten wurden, wird die Messung bezüglich der anderen Probenoberfläche bei der Messung zum zweiten Zeitpunkt gewöhnlich weggelassen. Deshalb enthält in (B) in 3 die Messung zum zweiten Zeitpunkt nicht die Messung durch das diskrete Verfahren, bei dem die Annäherungs-/Entfernungsbewegung in Z-Richtung durchgeführt wird.
  • Indem die Messung zum ersten Zeitpunkt und die Messung zum zweiten Zeitpunkt, die oben dargelegt wurden, wiederholt werden, wird es möglich, die Form der Seitenwände 72 und 73 als beide Seiten in dem Graben 12a, der in die Oberfläche der Probe 12 eingebracht ist, richtig zu messen. Darüber hinaus wird die Gesamtzeit, die für die Messung erforderlich ist, verkürzt. Obwohl ein Beispiel der Messung entlang einer Linie in der oben erwähnten Ausführung er klärt wurde, kann eine Oberfläche auch vermessen werden, indem die Messung entlang einer Linie wiederholt wird.
  • Als nächstes werden die zweifachen Messbewegungen auf Basis des obigen Umschaltvorgangs im Detail mit Bezug auf die Beziehung zwischen der Anordnung des Systems, die in 1 gezeigt ist, und dem Flussdiagramm, das in 4 gezeigt ist, erklärt.
  • Wie oben erwähnt werden die Verschiebungssignale (Ux, Uy, Uz), die aus den hochgenauen Verschiebungsdetektoren 31-33 für die Richtungen der X-Achse, der Y-Achse und der Z-Achse ausgegeben werden, jeweils in die Regelverstärker 62, 63 und 64 für jede der XYZ-Richtungen in dem XYZ-Stellantrieb 29 zurückgeführt. Obwohl ein Mechanismus, der Piezoelemente verwendet, weit verbreitet als XYZ-Feinbewegungsmechanismus 29 verwendet wird, kann die nichtlineare Arbeitsweise der Piezoelemente durch die Rückkopplung der Erfassungssignale kompensiert werden, die aus den hochgenauen Verschiebungsdetektoren 31-33 ausgegeben werden. Bei der Messung auf Grund der Abtastbewegung zum ersten Zeitpunkt wird die Sonde so gesteuert, dass sie sich in der Z-Richtung bewegt, indem der bewegliche Anschluss 61c mit dem Anschluss 61a. in dem Schaltteilsystem 61 verbunden wird, während man die Sonde in der XY-Richtung (Schritt S11) abtasten lässt. Das Speicherteilsystem 48 speichert das Ergebnis der Formmessung des diskreten Verfahrens zu dem ersten Zeitpunkt und die Positionskoordinaten, die dann erhalten werden (Schritt S12).
  • Bei der Messung zum zweiten Zeitpunkt wird die Positionsbestimmung auf Basis der Informationen durchgeführt, die in dem Speicherteilsystem 48 gespeichert sind (Schritt S13). In diesem Schritt S13 wird der Abtastweg (BewegungsWeg) für die Messungen zum zweiten Zeitpunkt erstellt und die Regelpositionen zur Messung der Komponenten in horizontaler Richtung werden erstellt. Wenn die Komponenten in horizontaler Richtung von dem diskreten Verfahren entlang der Wandoberfläche der Wandabschnitte 72 und 73 der Gräben 12a und dergleichen gemessen werden, wird für die Steuerung in Richtung der Z-Achse wie beim Rasterkraftmikroskop (AFM) bewirkt, dass sie ausgeschaltet wird, indem der bewegliche Anschluss 61c mit dem Anschluss 61b in dem Schaltteilsystem 61 verbunden wird. Wenn die Sonde den Messpunkt für die Messung der Komponenten in horizontaler Richtung erreicht, wird der XYZ-Feinbewegungsmechanismus 29 derart betrieben, dass er Bewegungen in horizontale Richtung (X- oder Y-Richtung) ausführt, und die Positionen der Sonde 20, an denen zum Beispiel das Spannungssignal für Verdrillung Vb auf ein bestimmtes Niveau kommt, werden im Speicherteilsystem 48 gespeichert (Schritt S14). Das Formmessungsteilsystem 42 erstellt Forminformationen, indem es den Messwert, der durch die Messung zum ersten Zeitpunkt erhalten wurde, und den Messwert, der durch die Messung zum zweiten Zeitpunkt erhalten wurde, zusammenführt (Schritt S15). Die Forminformationen werden über das Schnittstellenteilsystem 51 als Bilder auf dem Bildschirm der Anzeigeeinrichtung 52 angezeigt (Schritt S16).
  • Entsprechend dem Messverfahren für das Rastersondenmikroskop nach der vorliegenden Ausführung können die Forminformationen, die erhalten werden, indem die Sonde 20 in der Z-Richtung geregelt wird, und die Forminformationen, die erhalten werden, indem die Sonde 20 in horizontaler Richtung (XY-Richtung) geregelt wird, separat gemessen werden, und die Kombination der zwei Forminformationen ermöglicht es, eine richtige Messung bezüglich der Probenoberfläche durchzuführen, und die Messung in einer kurzen Zeit auszuführen. Außerdem wird der Verschleiß der Sonde verringert.
  • 5 zeigt die zweite Ausführung des Messverfahrens für das Rastersondenmikroskop nach der vorliegenden Erfindung. 5 entspricht 3 in der ersten Ausführung, und in 5 sind den Elementen, die im wesentlichen identisch mit den Elementen sind, die in 3 dargestellt sind, jeweils dieselben Bezugnummern gegeben. Die Messung zum ersten Zeitpunkt, die in (A) in 5 gezeigt ist, ist dieselbe, wie die, die durch (A) in 3 erklärt wurde. Bei der Messung zum zweiten Zeitpunkt zum Messen der Komponenten in horizontaler Richtung bezüglich der Seitenwände 72 und 73 der Gräben 12a und dergleichen, die in (B) in 5 gezeigt sind, wird nur ein Punkt (E, F) gemessen. Dieses Messverfahren ist in dem Fall effektiv, in dem der Wert der horizontalen Größe an dem einem Punkt (E, F) in den Gräben 12a und dergleichen erforderlicher ist, als die detaillierten Informationen über die Oberflächenform der Seitenwände 72 und 73.
  • Nach dem Messverfahren nach der zweiten Ausführung kann die hohe Zuverlässigkeit bezüglich der Größenmessung realisiert werden, indem der Mittelwert der gemessenen Daten berechnet wird, die erhalten werden, indem einige Messungen wiederholt an derselben Stelle ausgeführt werden, oder indem die Sonde in der Nähe der Punkte E und F fein bewegt wird. Darüber hinaus kann nach der vorliegenden Ausführung die Messzeit weiter verkürzt werden, da die Anzahl von Messpunkten geringer wird.
  • Obwohl die Abtastrichtung der Sonde 20 bei der Messung zum zweiten Zeitpunkt die gleiche sein kann, wie im Falle der Messungen zum ersten Zeitpunkt, kann sie bei dem Messverfahren nach der zweiten Ausführung zusätzlich die entgegengesetzte Richtung sein, sodass sie eine Rückwärtsrichtung ist.
  • Die 6 und 7 zeigen die dritte Ausführung des Messverfahrens des Rastersondenmikroskops nach der vorliegenden Erfindung. 6 entspricht 2 der ersten Ausführung und 7 entspricht der 3 der ersten Ausführung. In den 6 und 7 sind Elementen, die im wesentlichen mit den Elementen identisch sind, die in den 2 und 3 erklärt wurden, jeweils dieselben Bezugsnummern gegeben. Wie in 6 gezeigt ist, hat die Sonde 20 des Rastersondenmikroskops in horizontaler Richtung nur an einer Seite einen spitzen Teil (20a) als Form der Sonde.
  • Eine Abtastbewegung der Messung zum ersten Zeitpunkt, die in (A) in 7 gezeigt ist, ist dieselbe wie die, die in (A) in 3 gezeigt ist. Bei der Messung der Komponente in horizontaler Richtung bei der Messung zum zweiten Zeitpunkt, die die Seitenwände der Gräben 12a und dergleichen betrifft, die in (B) in 7 gezeigt sind, wird von dem diskreten Verfahren nur eine Seitenwand 72 auf der linken Seite gemessen. Dieses Messverfahren wird in dem Fall effektiv, dass die Form der Seitenwand detailliert betrachtet werden soll, eine Messung in kurzer Zeit erforderlich ist, oder die Breite des Grabens (Lochdurchmesser) W winzig ist.
  • Die 8 und 9 zeigen die vierte Ausführung des Messverfahrens des Rastersondenmikroskops nach der vorliegenden Erfindung. 8 entspricht 3 der ersten Ausführung und 9 zeigt die Modifikationen der vierten Ausführung. In den 8 und 9 sind den Elementen, die den Elementen ähnlich sind, die in 3 erklärt sind, jeweils dieselben Bezugsnummern gegeben. Die Sonde 20, die in der vierten Ausführung verwendet wird, ist dieselbe, wie die herkömmliche Sonde, und nur deren Spitze ist spitz, und sie hat nicht die besonderen spitzen Teile (20a usw.), die in der ersten Ausführung gezeigt sind.
  • Wie in (A) usw. in 8 gezeigt ist, ist die Sonde 20 in einem Zustand, in dem sie geneigt wurde. Bei der Messung zum ersten Zeitpunkt wird die Sonde 20 nach dem diskreten Verfahren, das in (A) in 8 gezeigt ist, so gesteuert, dass sie sich nur in die Z-Richtung bewegt, während die Abtastbewegung in X-Richtung ausgeführt wird. Die Messung zum zweiten Zeitpunkt, die in (B) in 8 gezeigt ist, zeigt den Fall der Sonde 20 in einem geneigten Zustand an der Seitenwand 72 auf der linken Seite in dem Graben 12a usw. der Probe 12. Obwohl das System, das die geneigte Sonde 20 verwendet, komplizierte Technik ist, kann es bei der Messung von Seitenwänden in einer Reihe von Algorithmen nach der vorliegenden Erfindung effektiv verwendet werden.
  • Wie in 9 gezeigt ist, kann darüber hinaus der Messvorgang der Komponente in horizontaler Richtung an der Seitenwand 72 des Grabens usw. 12a in den Vorgang in Richtung der Achse der Sonde 20 geändert werden.
  • Die Messung der Seitenwand 72 kann, ohne die Sonde 20 mit komplizierter Form entsprechend dem Messverfahren nach der vierten Ausführung zu verwenden, nur erreicht werden, indem die Sonde 20 geneigt wird.
  • 10 zeigt die fünfte Ausführung des Messverfahrens des Rastersondenmikroskops nach der vorliegenden Erfindung. In 10 zeigt (A) die Messung zum ersten Zeitpunkt und (B) zeigt die Messung zum zweiten Zeitpunkt. 10 ist grundsätzlich dieselbe wie 3 der ersten Ausführung. In 10 sind Komponenten, die mit Komponenten identisch sind, die in 3 erklärt wurden, dieselben Bezugsnummern gegeben. Die Sonde 20, die für die fünfte Ausführung verwendet wird, ist dieselbe, wie die Sonde, die in der ersten Ausführung verwendet wird. Die Darstellung der Sonde 20 ist in 10 weggelassen.
  • Die fünfte Ausführung, die in 10 gezeigt ist, zeigt ein Beispiel der Messung der Gräben 12a usw., die in die Oberfläche der Probe 12 eingebracht sind, deren Breite mit zunehmender Tiefe allmählich zunimmt. Sogar wenn die Messung auf die Oberfläche der Seitenwand an beiden Seiten solcher Gräben 12a usw. angewendet wird, macht das Messverfahren nach der Ausführung die Messung leicht möglich. Nach dieser Messung wird jedoch bei der Messung zum ersten Zeitpunkt, die durch (A) gezeigt ist, die Höhe der Sonde 20 so eingestellt, sodass sie über der Oberfläche der Probe 12 und der Bodenfläche der Gräben 12a usw. konstant ist. In 10 zeigt eine gestrichelte Linie 81 die Bewegungskurve (BewegungsWeg) der Sonde 20, und Pfeile 82 und 83 zeigen eine Annäherungsbewegung der Sonde 20.
  • 11 zeigt die sechste Ausführung des Messverfahrens des Rastersondenmikroskops nach der vorliegenden Erfindung. 11 ist dieselbe wie 3, und (A) davon zeigt die Messung zum ersten Zeitpunkt, und (B) davon zeigt die Messung zum zweiten Zeitpunkt. In 11 sind Komponenten, die mit den Komponenten, die in 3 erklärt wurden, identisch sind, jeweils dieselben Bezugsnummern gegeben. Die Sonde 20, die in der fünften Ausführung verwendet wird, ist dieselbe, wie die Sonde, die in der ersten Ausführung verwendet wird.
  • Nach dem Messverfahren der sechsten Ausführung wird der Messvorgang bei der Messung zum zweiten Zeitpunkt auf einen Modus geändert, der die Messung entlang der Seitenwand 72 des Grabens 12 in dessen Längsrichtung ausführt. Das Messverfahren nach der vor liegenden Ausführung ermöglicht, die Form der Seitenwand 72 (73) entlang ihrer Längsrichtung zu messen.
  • 12 zeigt die siebte Ausführung des Messverfahrens des Rastersondenmikroskops nach der vorliegenden Erfindung. 12 entspricht 3 und 3(A) zeigt die Messung zum ersten Zeitpunkt und (B) zeigt die Messung zum zweiten Zeitpunkt. In 12 sind Komponenten, die mit Komponenten, die in 3 erklärt wurden, identisch sind, jeweils dieselben Bezugsnummern gegeben. Die Sonde 20, die in der siebten Ausführung verwendet wird, ist dieselbe, wie die Sonde, die in der ersten Ausführung verwendet wird.
  • Nach dem Messverfahren der siebten Ausführung wird dieses Verfahren in dem Fall angewendet, in dem die Form, die in die Oberfläche der Probe 12 eingebracht ist, ein Loch 12a ist. Die Messung zum ersten Zeitpunkt ist die gleiche wie die, die in der ersten Ausführung erklärt wurde. Jedoch wird die Sonde 20 in Umfangsrichtung des Lochs 12a bewegt, um die Form des Lochs 12a zu messen.
  • 13 zeigt die achte Ausführung ist des Messverfahrens des Rastersondenmikroskops nach der vorliegenden Erfindung. 13 entspricht 3, und (A) zeigt die Messung zum ersten Zeitpunkt und (B) zeigt die Messung zum zweiten Zeitpunkt. In 13 sind Komponenten, die mit den Komponenten, die in 3 erklärt wurden, identisch sind, jeweils dieselben Bezugsnummern gegeben. Bei der Messung in dieser Ausführung wird bei der Messung zum ersten Zeitpunkt die Abtastbewegung in die Vorwärts-Richtung (ein Weg, um sich vorwärts zu bewegen) durchgeführt, während bei der Messung zum zweiten Zeitpunkt die Abtastbewegung in Rückwärts-Richtung (ein Weg, um sich rückwärts zu bewegen) durchgeführt wird. Das Messverfahren der achten Ausführung kann die Abtastzeit um die Hälfte verringern.
  • 14 zeigt die neunte Ausführung des Messverfahrens des Rastersondenmikroskops nach der vorliegenden Erfindung. 14 entspricht 3, und (A) zeigt die Messungen zum ersten Zeitpunkt und (B) zeigt die Messungen zum zweiten Zeitpunkt. In 14 sind Komponenten, die mit Komponenten, in 3 erklärt wurden, identisch sind, dieselben Bezugsnummern gegeben. Nach dem Messverfahren dieser Ausführung verwendet es die Sonde ohne besondere Teile der Spitze als die Sonde 20. Dieses Messverfahren zeigt den Fall, in dem mehrere Vorsprünge 12b einer Oberflächenform mit Kurven auf die Oberfläche der Probe 12 aufgebracht sind. Bei der Messung zum ersten Zeitpunkt, wie sie in (A) in 14 gezeigt ist, ist die Oberflächenform der Probe als eine Kurve gezeichnet. Bei der Messung zum zweiten Zeitpunkt wird die Abtastbewegung derart gesteuert, dass die Messung in einer normalen Richtung zu dem kurvenförmigen Vorsprung 12b auf der Oberfläche der Probe 12 mit der Oberflächenform mit Kurven ausgeführt wird. Das Messverfahren der neunten Ausführung ermöglicht eine hochgenaue Messung, weil es keine lateralen Kräfte zwischen der Sonde 20 und der Probe 12 gibt, und deswegen ein Gleitphänomen usw. zwischen ihnen verringert werden kann.
  • Bei dem Messverfahren der neunten Ausführung wird die Annäherungsbewegung der Sonde 20 in der Normalrichtung auf die kurvenförmigen Vorsprünge 12b auf der Oberfläche der Probe 12 durch die Kombination der Anweisungssignale in X- und Z-Richtung durchgeführt, die von dem XYZ-Anweisungsteilsystem 45 ausgegeben werden. Die horizontale Komponente der X-Richtung ist in dem Abtast vorgang auf Grund des kontinuierlichen Verfahrens für die kurvenförmigen Vorsprünge 12b enthalten.
  • Obwohl in den oben erwähnten Ausführungen bezüglich der Bauart des Rasterkraftmikroskops erklärt wurde, ist es außerdem klar, dass die vorliegende Erfindung auf verschiedene Rastersondenmikroskope einschließlich eines Rastertunnelmikroskops angewendet werden kann. Obwohl die Messungen zum ersten und zum zweiten Zeitpunkt mit dem diskreten Verfahren erklärt wurden, ist es darüber hinaus klar, dass das kontinuierliche Verfahren verwendet werden kann, und verschiedene Arten von Modifikationen auch durch die Kombination der beiden Verfahren zusammen mit der Verwendung von verschiedenen Formen der Sonde möglich sind.
  • Obwohl der Fall erklärt wurde, in dem die Messbewegung der Messung zum zweiten Zeitpunkt (2(B), 5(B), usw.) horizontal ausgeführt wird, kann außerdem die Sonde in der schräggestellten Richtung bewegt werden, wie in 9 gezeigt ist, um den Kontakt der Sonde mit der Probenoberfläche, was den Cantilevers betrifft, sowohl mit dem Verdrillungssignal als auch dem Biegungssignal zu erfassen.
  • Wenn die Form des Grabens und dergleichen gemessen wird, ist es weiter außerdem möglich, eine Messung derart auszuführen, dass die Messung zum ersten Zeitpunkt auf nur einer Linie ausgeführt wird, die in X-Richtung ausgerichtet ist, während die Messungen auf mehreren Linien ausgeführt werden, indem die Sonde für die Messung zum zweiten Zeitpunkt in der Y-Richtung verschoben wird.
  • Bei der Messung zum ersten Zeitpunkt kann darüber hinaus der Messvorgang an nur einem Punkt oder mehreren Punkten ausgeführt werden, die sehr wenige auf einer Abtastlinie statt einem langen kontinuierlichen Bereich oder in regelmäßigen Intervallen auf der Abtastlinie sind. Bezüglich der Messung, die in 9 gezeigt ist, wird zum Beispiel die Messung zu dem ersten Zeitpunkt an einem Punkt oder mehreren Punkten ausgeführt, um die Höhe der Probenoberfläche zu messen und eine gerade Linie auf Basis der gemessenen Höhe zu definieren, und die Messung zum zweiten Zeitpunkt kann derart ausgeführt werden, dass die geneigte Sonde in einer geneigten Richtung von der geraden Linie aus auf den gesamten Probenbereich, der entlang der geraden Linie liegt, bewegt wird.
  • In der obigen Erklärung wurde außerdem die Verschiebungserfassung des Cantilevers mit dem optischen Erfassungsverfahren mit Hebel durchgeführt. Es ist jedoch möglich, das System unter Ausnutzung des piezoresisitiven Effekts zu verwenden, der den verdrillten Zustand und den gebogenen Zustand des Cantilevers gleichzeitig erfassen kann.
  • Obwohl das oben erwähnte Messverfahren nur bezüglich der Messung der Probenform erklärt wurde, kann es außerdem auf die Messung der Sondenform angewendet werden, indem die Messung zum zweiten Zeitpunkt zum Beispiel gegen eine Probe mit einer Kante in der Nähe des Randes ausgeführt wird.
  • Industrielle Verfügbarkeit
  • Die vorliegende Erfindung wird verwendet, um Seitenwände und dergleichen von Gräben usw. auf der Probenoberfläche in einer kurzen Zeit richtig zu messen, wenn die Probenoberfläche mit dem Rastersondenmikroskop gemessen wird.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • 1: Eine Ansicht des Aufbaus, die die gesamte Anordnung eines Rastersondenmikroskops nach der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 2: Eine Vorderansicht, die eine Form der Sonde zeigt, die für das Messverfahren der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
  • 3: Eine Ansicht, die einen Bewegungszustand der Sonde in der ersten Ausführung des Messverfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 4: Ein Flussdiagramm, das die erste Ausführung des Messverfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 5: Eine Ansicht, die einen Bewegungszustand der Sonde in der zweiten Ausführung des Messverfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 6: Eine Vorderansicht, die eine Form einer anderen Sonde zeigt, die für das Messverfahren der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
  • 7: Eine Ansicht, die einen Bewegungszustand der Sonde in der dritten Ausführung des Messverfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 8: Eine Ansicht, die einen Bewegungszustand der Sonde in der vierten Ausführung des Messverfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 9: Eine Ansicht, die einen Bewegungszustand der Sonde in der vierten Ausführung des Messverfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 10: Eine Ansicht, die einen Bewegungszustand der Sonde in der fünften Ausführung des Messverfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 11: Eine Ansicht, die einen Bewegungszustand der Sonde in der sechsten Ausführung des Messverfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 12: Eine Ansicht, die einen Bewegungszustand der Sonde in der siebten Ausführung des Messverfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 13: Eine Ansicht, die einen Bewegungszustand der Sonde in der achten Ausführung des Messverfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 14: Eine Ansicht, die einen Bewegungszustand der Sonde in der neunten Ausführung des Messverfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 15: Eine Ansicht, die einen Bewegungszustand der Sonde für die Erklärung des herkömmlichen Messverfahrens des herkömmlichen Rastersondenmikroskops zeigt.
  • Kurzfassung der Veröffentlichung
  • Das Messverfahren dieses Rastersondenmikroskops besteht aus einem ersten Schritt (S11) der Durchführung einer Abtastbewegung einer Sonde (20) in beide oder eine der X- und Y-Richtungen entlang einer Oberfläche der Probe, während die Position der Sonde in einer Z-Richtung auf die Probe (12) durch den XYZ-Feinbewegungsmechanismus (29) und dergleichen geregelt wird, einen zweiten Schritt (S12) des Erhaltens von Messinformationen über die Probenoberfläche durch ein Messteilsystem und ein Verschiebungserfassungsteilsystem während des ersten Schrittes, einen dritten Schritt (S13) der Festlegung eines Weges für die Bewegung der Probe für ein Abtasten zu einem zweiten Zeitpunkt und einer Messstelle, an der eine Messung, die eine Komponente in parallele Richtung zu der Oberfläche der Probe enthält, auf dem Weg für die Bewegung der Sonde auf Basis der Messinformationen über die Oberfläche der Probe, die in dem zweiten Schritt erhalten wurden, durchgeführt wird, und einen vierten Schritt (S14) der Durchführung der Messung, die die Komponente in paralleler Richtung enthält, auf Basis der Abtastung zum zweiten Zeitpunkt. Dieses Verfahren ermöglicht es, den Verschleiß der Sonde zu senken, die Zuverlässigkeit der Messung zu verbessern und die Bewegungssteuerung beim Abtasten mit der Sonde zu vereinfachen.
    (5)
  • Erklärung der Notation:
  • 11
    Probentisch
    12
    Probe
    17
    Verfahrmechanismus
    18
    Optisches Mikroskop
    19
    Fernsehkamera
    20
    Sonde
    21
    Cantilever
    22
    Aufnahme
    24
    Erfassungsteilsystem für die Verschiebung des Cantilevers
    29
    XYZ-Feinbewegungsmechanismus
    40
    AFM-Systemcontroller

Claims (16)

  1. Messverfahren eines Rastersondenmikroskops, das ausgestattet ist mit einem Cantilever (21) mit einer Sonde (20), die gegenüber einer Probe (12) angeordnet ist, mit einem XYZ-Feinbewegungsmechanismus (29) zum Durchführen von Verschiebung in jede Richtung der drei Achsen (zwei Achsen X und Y parallel zu einer Probenoberfläche, und eine Achse Z in eine Höhenrichtung zu der Probenoberfläche), die sich entsprechend einer Positionsbeziehung zwischen der Sonde (20) und der Probe (12) senkrecht schneiden, mit einem Bewegungsmechanismus (11) zum Ändern einer relativen Position der Sonde zu der Probe, mit einer Messeinrichtung (24, 42, 43, 44 und 46) zum Messen von Oberflächeneigenschaften der Probe auf Basis der physikalischen Größe, die zwischen der Sonde und der Probe erzeugt wird, wenn bewirkt wird, dass die Sonde die Oberfläche die Probe abtastet, und mit einer Verschiebungserfassungseinrichtung (31, 32, 33) zum Erfassen der Verschiebung des Cantilevers, wobei die Oberflächeneigenschaften der Probe gemessen werden, indem bewirkt wird, dass die Sonde die Oberfläche der Probe abtastet, während die physikalische Größe konstant gehalten wird, wobei das Messverfahren dadurch gekennzeichnet ist, dass es folgendes umfasst: einen ersten Schritt (S11) der Durchführung einer Abtastbewegung der Sonde zu einem ersten Zeitpunkt in beide oder eine der X- und Y-Richtungen entlang einer Oberfläche der Probe, während die Position der Sonde in einer Z-Richtung auf der Probe entsprechend einem zuvor festgelegten Weg für die Bewegung der Sonde durch den Bewegungsmechanismus (11) und den XYZ-Feinbewegungsmechanismus (29) geregelt wird, einen zweiten Schritt (S12) des Erhaltens von Messeinformationen über die Oberfläche der Probe durch die Messeinrichtung und die Verschiebungserfassungseinrichtung während des ersten Schrittes, einen dritten Schritt (S13) der Festlegung eines Weges für die Bewegung der Probe für ein Abtasten zu einem zweiten Zeitpunkt und einer Messstelle, an der eine Messung, die eine Komponente in parallele Richtung zu der Oberfläche der Probe enthält, auf dem Weg für die Bewegung der Sonde durchgeführt wird, auf Basis der Messinformationen über die Oberfläche der Probe, die in dem zweiten Schritt erhalten wurden, und einen vierten Schritt (S14) der Durchführung der Messung, die Komponenten in paralleler Richtung enthält, auf Basis der Abtastung zum zweiten Zeitpunkt.
  2. Messverfahren eines Rastersondenmikroskops nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Messstelle, an der die Messung, die die Komponente in parallele Richtung zur Oberfläche der Probe enthält, durchgeführt wird, eine Stelle mit einer Neigung auf der Oberfläche der Probe aufweist.
  3. Messverfahren eines Rastersondenmikroskops nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Sonde von der Oberfläche der Probe in einem Bereich entfernt ist, wovon die Messstelle auf der Oberfläche der Probe in dem Weg der Sondenbewegung, der auf der Abtastbewegung beruht, ausgenommen ist.
  4. Messverfahren eines Rastersondenmikroskops nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Sonde spitze Enden (20a, 20b, 20c) hat, die in beide oder eine der parallelen und senkrechten Richtungen zu der Oberfläche der Probe zeigen.
  5. Messverfahren eines Rastersondenmikroskops nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Sonde derart angeordnet ist, dass eine Achse der Sonde zu der Oberfläche der Probe geneigt ist.
  6. Messverfahren eines Rastersondenmikroskops nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Messung, die die Komponente in paralleler Richtung zu der Oberfläche der Probe enthält, in dem vierten Schritt (S14) an wenigstens einer Messstelle oder an einem erforderlichen Minimum von Messstellen, an denen Größenmessung erforderlich ist, durchgeführt wird.
  7. Messverfahren eines Rastersondenmikroskops nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Messung, die die Komponente in paralleler Richtung zu der Oberfläche der Probe enthält, ein Verdrillungssignal verwendet, das erzeugt wird, wenn der Cantilever verdrillt wird.
  8. Messverfahren eines Rastersondenmikroskops nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass, wenn die Oberfläche der Probe eine Form mit Gräben (12a) hat, die Messung, die die Komponente in paralleler Richtung zu der Oberfläche der Probe enthält, in dem vierten Schritt (S14) parallel zu den Gräben ausgeführt wird.
  9. Messverfahren eines Rastersondenmikroskops nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass, wenn die Oberfläche der Probe eine Form mit Löchern (12a) hat, die Messung, die die Komponente in paralleler Richtung zu der Oberfläche der Probe enthält, in dem vierten Schritt (S14) entlang einer Umfangsrichtung der Löcher ausgeführt wird.
  10. Messverfahren eines Rastersondenmikroskops nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass, wenn der erste Schritt (S11) und der vierte Schritt (S14) in einer Vorwärts- und Rückwärts-Abtastbewegung durchgeführt werden, der erste Schritt auf dem Hinweg und der vierte Schritt auf dem Rückweg durchgeführt werden.
  11. Messverfahren eines Rastersondenmikroskops nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Abtastbewegung in dem vierten Schritt (S14) gegen die Oberfläche der Probe auf Basis der Messinformationen über die Oberfläche der Probe, die von dem ersten und zweiten Schritt (S11, S12) erhalten wurden, ausgeführt wird, sodass eine Bewegungsrichtung an jeder der Messstellen in eine Normalrichtung zu der Probenoberfläche liegt.
  12. Messverfahren eines Rastersondenmikroskops nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein fünfter Schritt bereitgestellt wird, der die Messinformationen, die von dem zweiten Schritt (S12) erhalten wurden, und die Messinformationen, die von dem vierten Schritt (S14) erhalten wurden, zusammenführt.
  13. Messverfahren eines Rastersondenmikroskops nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass beide oder eines von einem Signal der Verdrillung und einem Signal der Biegung in dem Cantilever zur Erfassung des Kontakts zwischen der Sonde und der Probe bei der Messung, die die Komponente in parallele Richtung enthält, die auf dem vierten Schritt (S14) beruht, verwendet wird.
  14. Messverfahren eines Rastersondenmikroskops nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein erstes Abtasten, das in dem ersten Schritt (S11) durchgeführt wird, ein Abtasten auf einer Linie in X-Richtung (oder Y-Richtung) ist, und ein Weg für die Bewegung der Sonde und eine Messstelle, die in dem dritten Schritt festgelegt werden, erstellt werden, indem wiederholt ein Weg der Bewegung der Sonde und eine Messstelle, die auf Basis von Informationen festgelegt werden, die von dem zweiten Schritt (S12) erhalten wurden, in Y-Richtung (oder in der X-Richtung) verschoben werden.
  15. Messverfahren eines Rastersondenmikroskops nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Punkt oder mehrere Punkte als Punkte zum Erhalten von Messinformationen während des ersten Abtastens in dem zweiten Schritt (S12) ausgewählt werden, der Weg für die Bewegung der Sonde, der in dem dritten Schritt (S13) festgelegt wird, eine gerade Linie ist, die durch die Messinformationen festgelegt wird, die an dem einen Punkt oder den mehreren Punkten erhalten werden, und die Messung, die die Komponente in paralleler Richtung zu der Probenoberfläche enthält, in dem vierten Schritt (S14) entlang der geraden Linie durchgeführt wird.
  16. Rastersondenmikroskop, das ausgestattet ist mit einem Cantilever (21) mit einer Sonde (20), die gegenüber einer Probe (12) angeordnet ist, mit einem XYZ-Feinbewegungsmechanismus (29) zum Durchführen von Verschiebungen in jede Richtung der drei Achsen (zwei Achsen X und Y parallel zu einer Probenoberfläche, und eine Achse Z in eine Höhenrichtung zu der Probenoberfläche), die sich entsprechend einer Positionsbeziehung zwischen der Sonde (20) und der Probe (12) senkrecht schneiden, mit ei nem Bewegungsmechanismus (11) zum Ändern einer relativen Position der Sonde zu der Probe, mit einer Messeinrichtung (24, 42, 43, 44 und 46) zum Messen von Oberflächeneigenschaften der Probe auf Basis der physikalischen Größe, die zwischen der Sonde und der Probe erzeugt wird, wenn bewirkt wird, dass die Sonde die Oberfläche der Probe abtastet, und mit einer Verschiebungserfassungseinrichtung (31, 32, 33) zum Erfassen der Verschiebung des Cantilevers, und einem Steuercomputer (40) zum Verändern der Positionsbeziehung zwischen der Sonde und der Probe durch den XYZ-Feinbewegungsmechanismus und den Bewegungsmechanismus, wobei die Oberflächeneigenschaften der Probe gemessen werden, indem bewirkt wird, dass die Sonde die Oberfläche der Probe abtastet, während die physikalische Größe konstant gehalten wird, wobei das Rastersondenmikroskop dadurch gekennzeichnet ist, dass auf dem Steuercomputer (40) ein Programm installiert ist, das folgendes umsetzt: eine erste Funktion zum Durchführen einer Abtastbewegung der Sonde zu einem ersten Zeitpunkt in beide oder eine der X- und Y-Richtungen entlang einer Oberfläche der Probe, während die Position der Sonde in einer Z-Richtung zu der Probe entsprechend einem zuvor festgelegten Weg für die Bewegung der Sonde durch den Bewegungsmechanismus und den XYZ-Feinbewegungsmechanismus gesteuert wird, eine zweite Funktion zum Erhalten von Messinformationen über die Oberfläche der Probe durch die Messeinrichtung und die Verschiebungserfassungseinrichtung während des Abtastens, eine dritte Funktion zum Festlegen eines Weges für die Bewegung der Sonde für ein Abtasten zu einem zweiten Zeitpunkt und einer Messstelle, an der eine Messung, die die Komponente in paralleler Richtung zu der Oberfläche der Probe enthält, auf dem Weg für die Bewegung der Sonde auf Basis der Messinformationen über die Oberfläche der Probe, die bei der Messung erhalten wurden, durchgeführt wird, und eine vierte Funktion zum Durchführen der Messung, die die Komponente in paralleler Richtung enthält, auf Basis des Abtastens zum zweiten Zeitpunkt.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2894671B1 (fr) * 2005-12-13 2008-07-04 Commissariat Energie Atomique Outil pour la determination de forme de pointe de microscope a force atomique
US7770439B2 (en) * 2006-10-17 2010-08-10 Veeco Instruments Inc. Method and apparatus of scanning a sample using a scanning probe microscope
JP2016017862A (ja) * 2014-07-09 2016-02-01 株式会社日立ハイテクサイエンス 3次元微動装置
JP6584113B2 (ja) * 2015-03-30 2019-10-02 株式会社日立ハイテクサイエンス 広がり抵抗測定方法及び広がり抵抗顕微鏡
KR101580269B1 (ko) 2015-05-19 2015-12-24 한국과학기술원 3차원 탐침 및 그 제조 방법
KR101885455B1 (ko) * 2017-01-09 2018-08-06 세종대학교산학협력단 Afm을 이용한 3차원 스캔 방법
KR102461639B1 (ko) * 2017-12-06 2022-10-31 삼성전자주식회사 주사 탐침 검사기
JP6631650B2 (ja) * 2018-04-18 2020-01-15 株式会社島津製作所 走査型プローブ顕微鏡
JP6735382B2 (ja) * 2019-04-03 2020-08-05 株式会社日立ハイテクサイエンス 3次元微動測定装置
CN110736715B (zh) * 2019-10-25 2022-05-24 深圳市太赫兹科技创新研究院有限公司 探针防误触方法、装置及系统
KR102344697B1 (ko) * 2020-01-14 2021-12-30 파크시스템스 주식회사 기울어진 팁을 이용하여 측정 대상의 표면의 특성을 얻는 방법, 이 방법이 수행되기 위한 원자 현미경 및 이 방법이 수행되기 위해 저장 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5412980A (en) * 1992-08-07 1995-05-09 Digital Instruments, Inc. Tapping atomic force microscope
US5308974B1 (en) * 1992-11-30 1998-01-06 Digital Instr Inc Scanning probe microscope using stored data for vertical probe positioning
US6520005B2 (en) * 1994-12-22 2003-02-18 Kla-Tencor Corporation System for sensing a sample
JPH09171029A (ja) * 1995-12-20 1997-06-30 Casio Comput Co Ltd 走査型探針測定方法およびその装置
JPH09292400A (ja) * 1996-04-30 1997-11-11 Jeol Ltd 原子間力顕微鏡
JPH1123589A (ja) * 1997-07-07 1999-01-29 Nikon Corp 力検出装置並びにそれを用いた走査型プローブ顕微鏡
JPH1151946A (ja) * 1997-08-08 1999-02-26 Fuji Xerox Co Ltd 形状計測装置
US6094971A (en) * 1997-09-24 2000-08-01 Texas Instruments Incorporated Scanning-probe microscope including non-optical means for detecting normal tip-sample interactions
US6169281B1 (en) * 1998-07-29 2001-01-02 International Business Machines Corporation Apparatus and method for determining side wall profiles using a scanning probe microscope having a probe dithered in lateral directions
JP2001249067A (ja) * 2000-01-18 2001-09-14 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 走査型プローブ顕微鏡を用いて輪郭走査を実行する装置および方法
JP4076792B2 (ja) * 2001-06-19 2008-04-16 独立行政法人科学技術振興機構 カンチレバーアレイ、その製造方法及びその装置
JP2003014605A (ja) * 2001-06-29 2003-01-15 Olympus Optical Co Ltd 走査型プローブ顕微鏡
JP2003227788A (ja) * 2002-02-05 2003-08-15 Inst Of Physical & Chemical Res 走査型プローブ顕微鏡及び試料の表面構造測定方法

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