DE1100178B - Verfahren zur Herstellung von anlegierten Elektroden an Halbleiter-koerpern aus Silizium oder Germanium - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von anlegierten Elektroden an Halbleiter-koerpern aus Silizium oder Germanium

Info

Publication number
DE1100178B
DE1100178B DEW22106A DEW0022106A DE1100178B DE 1100178 B DE1100178 B DE 1100178B DE W22106 A DEW22106 A DE W22106A DE W0022106 A DEW0022106 A DE W0022106A DE 1100178 B DE1100178 B DE 1100178B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
antimony
solution
gold
semiconductor
plating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEW22106A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
John Francis Pudvin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Publication of DE1100178B publication Critical patent/DE1100178B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
    • H10P14/46—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a liquid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/54—Contact plating, i.e. electroless electrochemical plating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
DEW22106A 1957-01-02 1957-10-26 Verfahren zur Herstellung von anlegierten Elektroden an Halbleiter-koerpern aus Silizium oder Germanium Pending DE1100178B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US632228A US2916806A (en) 1957-01-02 1957-01-02 Plating method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1100178B true DE1100178B (de) 1961-02-23

Family

ID=24534632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEW22106A Pending DE1100178B (de) 1957-01-02 1957-10-26 Verfahren zur Herstellung von anlegierten Elektroden an Halbleiter-koerpern aus Silizium oder Germanium

Country Status (6)

Country Link
US (1) US2916806A (https=)
BE (1) BE562375A (https=)
CH (1) CH359483A (https=)
DE (1) DE1100178B (https=)
FR (1) FR1190078A (https=)
GB (1) GB833828A (https=)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1194504B (de) * 1962-09-14 1965-06-10 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-anordnungen
DE1271838B (de) 1959-01-12 1968-07-04 Siemens Ag Verfahren zur Dotierung von Halbleiterkoerpern

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3031747A (en) * 1957-12-31 1962-05-01 Tung Sol Electric Inc Method of forming ohmic contact to silicon
US3124868A (en) * 1960-04-18 1964-03-17 Method of making semiconductor devices
US3172829A (en) * 1961-01-24 1965-03-09 Of an alloy to a support
US3349476A (en) * 1963-11-26 1967-10-31 Ibm Formation of large area contacts to semiconductor devices
US3325702A (en) * 1964-04-21 1967-06-13 Texas Instruments Inc High temperature electrical contacts for silicon devices
US3421206A (en) * 1965-10-19 1969-01-14 Sylvania Electric Prod Method of forming leads on semiconductor devices
US3438121A (en) * 1966-07-21 1969-04-15 Gen Instrument Corp Method of making a phosphorous-protected semiconductor device
US3465428A (en) * 1966-10-27 1969-09-09 Trw Inc Method of fabricating semiconductor devices and the like
JPS5946415B2 (ja) * 1978-04-28 1984-11-12 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL82014C (https=) * 1949-11-30
BE506280A (https=) * 1950-10-10

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1271838B (de) 1959-01-12 1968-07-04 Siemens Ag Verfahren zur Dotierung von Halbleiterkoerpern
DE1194504B (de) * 1962-09-14 1965-06-10 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-anordnungen
DE1194504C2 (de) * 1962-09-14 1966-03-03 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-anordnungen

Also Published As

Publication number Publication date
US2916806A (en) 1959-12-15
BE562375A (https=)
GB833828A (en) 1960-04-27
FR1190078A (fr) 1959-10-09
CH359483A (de) 1962-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AT271127B (de) Verfahren und Bad zur Herstellung eines Iridiumüberzuges
DE2041463A1 (de) Verfahren zum Aufbringen von Kupfer auf Stahl- oder Zinklegierungsoberflaechen
DE1259174B (de) Verbessertes Verfahren und ein Oberflaechenbehandlungsmittel zur Herstellung tiefschwarzer Kupferoxydoberflaechen
DE2014285B2 (de) Verfahren fuer die vorbereitung von aluminium oder aluminiumlegierungsflaechen zur stromlosen vernickelung
DE1100178B (de) Verfahren zur Herstellung von anlegierten Elektroden an Halbleiter-koerpern aus Silizium oder Germanium
DE973445C (de) Verfahren zur Herstellung von mit Selen bedeckten Platten aus Metall fuer Gleichrichter, Fotoelemente u. dgl.
DE1614306C3 (de) Verfahren zur Herstellung elektrischer Anschlüsse auf einer Oberfläche eines elektronischen Bauelementes und durch Anwendung dieses Verfahrens hergestelltes Bauelement
DE1090327B (de) Verfahren zur Herstellung von Elektrodenanschluessen bei Halbleiteranordnungen mit wenigstens einer Legierungselektrode
DE2012846A1 (de) Elektroplattierlösung und Elektroplattierverfahren
DE2659680C2 (de) Verfahren zum Aktivieren von Oberflächen
DE3400670A1 (de) Waessriges goldsulfit enthaltendes galvanisches bad und verfahren zur galvanischen abscheidung von gold unter verwendung dieses bades
DE2025670A1 (de) Kontinuierlich durchgeführtes Plattierungsverfahren
DE2211439A1 (de) Goldbad
DE2254857B2 (de) Verfahren zur Herstellung von abnutzungsfesten Nickeldispersionsüberzügen
DE1521080A1 (de) Verfahren zur Aufbringung von metallischen Oberflaechenschichten auf Werkstuecke aus Titan
DE1167726B (de) Verfahren zur Herstellung von Kupferplattierungen auf begrenzten Flaechenbereichen keramischer Koerper
DE2327878C3 (de) Verfahren zum Ätzen von mit Elektroden versehenen Halbleiterscheiben für Halbleiterbauelemente
DE2046449B2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von Schutzüberzügen auf Metallgegenständen sowie Anwendung des Verfahrens
AT200622B (de) Verfahren zur Herstellung eines Überzuges an der Oberfläche eines Halbleiterkörpers
DE2807564C2 (de) Verfahren zur stromlosen Abscheidung einer Gold-Nickel-Legierung
DE854473C (de) Verfahren zur Herstellung festhaftender loetfaehiger Kupferschichten auf keramischenKoerpern
DE3339946C2 (https=)
DE1196793B (de) Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiter-koerpern fuer Halbleiterbauelemente
DE1271493B (de) Verfahren zur stromlosen Tauchvergoldung von Zinn-Nickel-Oberflaechen
AT236734B (de) Verfahren zum Emaillieren von Eisengegenständen mit Glasemails