DE1099648B - Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit mehreren Elektroden, z.B. von Transistoren - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit mehreren Elektroden, z.B. von Transistoren

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DE1099648B
DE1099648B DES64588A DES0064588A DE1099648B DE 1099648 B DE1099648 B DE 1099648B DE S64588 A DES64588 A DE S64588A DE S0064588 A DES0064588 A DE S0064588A DE 1099648 B DE1099648 B DE 1099648B
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DE
Germany
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semiconductor
electrodes
transistors
semiconductor devices
cut
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DES64588A
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German (de)
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Dr Ludwig Grassl
Dr Karl Siebertz
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Siemens AG
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Siemens AG
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    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
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BE594177A BE594177A (fr) 1959-08-26 1960-08-18 Procédé de fabrication d'éléments constructifs semi-conducteurs et éléments obtenus
US149798A US3212159A (en) 1959-08-26 1960-08-22 Method of producing miniature semiconductor structures
FR836735A FR1270790A (fr) 1959-08-26 1960-08-25 Procédé pour fabriquer des éléments à semi-conducteur
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CH (1) CH379000A (fr)
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NL (1) NL255158A (fr)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH209915A (de) * 1938-05-07 1940-05-15 Hermes Patentverwertungs Gmbh Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern.
DE702235C (de) * 1938-02-04 1941-02-03 Philips Patentverwaltung Verfahren zur Herstellung von zu Gruppen zusammenzuschaltenden, aus Schichten bestehenden Elektrodensystemen mit gleichen Eigenschaften, insbesondere Trockengleichrichtern
DE1036391B (de) * 1955-04-04 1958-08-14 Hughes Aircraft Co Verfahren zur Herstellung von Flaechen-Halbleiterkristalloden mit mindestens zwei verschmolzenen Halbleiterteilen von entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyp

Patent Citations (3)

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CH209915A (de) * 1938-05-07 1940-05-15 Hermes Patentverwertungs Gmbh Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern.
DE1036391B (de) * 1955-04-04 1958-08-14 Hughes Aircraft Co Verfahren zur Herstellung von Flaechen-Halbleiterkristalloden mit mindestens zwei verschmolzenen Halbleiterteilen von entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyp

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CH379000A (de) 1964-06-30
BE594177A (fr) 1960-12-16
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GB931109A (en) 1963-07-10

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