DE1066395B - Verfahren zur Herstellung von Markasitimitationen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von MarkasitimitationenInfo
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Description
DEUTSCHES /3BSVf^ PATENTAMT
kl 48 b 11/03
IMERNAT KL C 23 C
B41108VI/48b
ANMELDETAG 20.JULI1956
UiKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UND AUSGABE DER
AUSLEGLSCHRIFT
!.OKTOBER 1959
Vorliegende Erfindung betrifft cm Vtrfahnen zur
Herstellung von Markasitimitationen durch Bedampfung von Fotmkorpern
mit markasitahnlich erscheinenden
"Überzügen Es ist bekannt, durch Aufbringen
einer Vielzahl von sehr dünnen Schichten auf Unterlaejen. beispielsweise auf
ΓγΙη 1I[Ifrlp-" verschiedenartigste
Färbungen durch Lichtmttrferenzen hei vorzurufen
Es werden hierfui häufig alternierende metallische
und nichtmetallische Schichten verwendet, um brillierende Effekte 7U erzielen Die Verfahren, welche
fur das Aufbringen einer Vielzahl von Schichten er forderlich sind, ergeben aber ein teures Produkt
Außerdem ist es schwierig, die fur eine ganz bestimmte
Imitation erforderlichen Farbtone durch Interferenzschichten zuverlässig zu erreichen, denn die
Zahl der Variationsmoghchkeiten 111 bezug auf die
Schichtdicken und Materialien ist bei Vielschichtan
Ordnungen ungeheuer groß Die fur eine bestimmte Imitation erfordti liehe .Anordnung der Schichten laßt
sich m der Praxis nur durch Probieren zufallig finden
und kaum vorausberechnen Die auf dem Markte erhaltlichen Schmucksteine mit Interferenzschichten
stellen daher meist nicht eine Imitation vorgegebener naturlicher Schmucksteine dar, sondern weisen Färb
effekte eigenen Gepräges auf, wobei eine bei der Her-Stellung
zustande kommende zufallige oder absichtliche geringfügige Änderung der Schichtdicke auch
nur einer einzelnen Teilschicht unter Umstanden eine
vollige Änderung des Farbcharakters hervorbringen kann Es ist daher bei Interferenzschichtanordnungen
sehr schwer, den Farbcharakter stets gleichmaßig zu reproduzieren
Es ist weiter bekannt, Schmucksteine, vorzugsweise Halbedelsteine, mit einer dünnen Schicht zu verguten,
die als Reflexionsverminderung ausgebildet ist und die Aufgabe hat, einen möglichst großen Teil des auftreffenden
Lichtes in den Schmuckstein eindringen und im Inneren des Steines reflektieren zu lassen, wo
mit eine größere Farbtiefe erzielt werden soll
Die Erfindung offenbart dagegen eine einfache
Schichtanordnung, welche eine Imitation eines ganz bestimmten Schmucksteines, nämlich Alarkasit, hefert
Es wurde schon früher versucht, mit Chrom plattierte Formkörper als Imitationen fur Markasit
zu verwenden, doch konnten diese vorbekannten Imi tationen wegen ihres »kalten« metallischen Aussehens,
die den Eindruck billigen Metallschmuckes nicht zu vermeiden vermochten, keinen Erfolg erzielen
Wie dieser nachteilige Eindruck behoben und damit em vollwertigei Kunstschmuckstein geschaffen
werden kann, zeigt die vorliegende Erfindung Es wurde gefunden, daß es zur Erzielung eines sehr
naturgetreuen markasitahnhchen Aussehens genügt,
auf formkörper zunächst markasitahnlich erschei-Verfahren
zur Herstellung von Markasitimitationen
Anmelder:
Balzers Vakuum Gesellschaft
mit beschrankter Haftung, Frankfurt/M.-Sud 10, Seehofstr. 11
Dr Albert Ross, Balzers (Liechtenstein), ist als Erfinder genannt worden
nende Überzuge in an sich bekannter Weihe aufzubringen
und diese Überzuge anschließend gemäß Erfindung mit einer dünnen, unter A/4 Dicke liegenden
Deckschicht aus SiO zu bedampfen Vorzugsweise wird auf die zu vergütenden Flachen des Schmucksteins
zuerst eine dünne Schicht aus Chrom_ (welche
bekanntlich markasitahnlich reflektiert) und darauf die Silizium Monoxyd-Schicht aufgebracht, aber auch
verchromte Formkörper können als Unterlage dienen Die Silizium Monox\d-Schicht wird so dünn gewählt,
daß sie noch keine mit freiem Auge feststellbaren intensiven
Interferenzfarben zeigt Die optisch wirksame Schichtdicke der SiO-Schicht muß deshalb kleiner als
λ'4 der mittleren Wellenlange λ = 550 ηιμ sichtbaren
Lichtes sein Sie durfte bei //8 dieser Wellenlange
liegen, ihre genaue Kenntnis ist nicht erforderlich,
weil bei der Herstellung erhndungsgemaßer
Schmucksteine die Schichtdicke nicht gemessen zu werden braucht Ganz schwache, durch mehr oder
weniger große Schichtdicke erzielbare Interferenzeffekte konneu zusatzlich dazu verwendet werden, um
den Reflex der Steine leicht zivVanieren, wenn dies
erwünscht ist Die sehr harfe Sihzium-Monoxyd
Schicht gibt dem schon markasitahnhchen Reflex der Unterlage zusätzlich jene gewisse Nuance, welche 111
ihrer Wirkung natürlichem Markasit sehr nahe kommt, und wirkt nebenbei auch als Schutzschicht
Es sei erwähnt, daß es an sich zwar bekannt war,
SiO fur Schichten fur andere Zwecke, namheh fur
Ultraviolett-Sperrfilter und Ultraviolett-Schutzbrillenglaser
zu verwenden Auch fur reflexionsv ermindernde Schichten wurde SiO bereits vorgeschlagen Daraus
konnte aber nicht entnommen oder als naheliegend hergeleitet werden, daß man mit SiO Schichten auf
markasitahnlich reflektierenden Unterlagen eine noch
Claims (3)
1. Verfahren zum Herstellen von Markasitimitationen, wobei Formkörper mit markasitähnlich
erscheinenden Überzügen versehen werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Überzüge mit einer
dünnen, unter A/4 Dicke liegenden Deckschicht von SiO bedampft werden.
2. Schmuckstein nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf Flächen des Schmucksteins
zuerst eine dünne Schicht aus Chrom und darauffolgend eine Silizium - Monoxyd - Schicht aufgebracht
ist.
3. Schmuckstein nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Unterlage verchromte Formkörper
dienen.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsches Gebrauchsmuster Nr. 1 725 589.
Deutsches Gebrauchsmuster Nr. 1 725 589.
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1066395B true DE1066395B (de) | 1959-10-01 |
Family
ID=592498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DENDAT1066395D Pending DE1066395B (de) | Verfahren zur Herstellung von Markasitimitationen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1066395B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3091555A (en) * | 1960-09-08 | 1963-05-28 | Texas Instruments Inc | Method for forming low reflectance coatings of critical thickness on silicon solar energy converters |
-
0
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3091555A (en) * | 1960-09-08 | 1963-05-28 | Texas Instruments Inc | Method for forming low reflectance coatings of critical thickness on silicon solar energy converters |
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