DE1051985B - Verfahren zur elektrolytischen Behandlung eines Halbleiterkoerpers fuer Halbleiteranordnungen - Google Patents
Verfahren zur elektrolytischen Behandlung eines Halbleiterkoerpers fuer HalbleiteranordnungenInfo
- Publication number
- DE1051985B DE1051985B DEP17335A DEP0017335A DE1051985B DE 1051985 B DE1051985 B DE 1051985B DE P17335 A DEP17335 A DE P17335A DE P0017335 A DEP0017335 A DE P0017335A DE 1051985 B DE1051985 B DE 1051985B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor body
- electroplating
- semiconductor
- electrolyte
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
- H10P14/46—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a liquid
- H10P14/47—Electrolytic deposition, i.e. electroplating; Electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/12—Etching of semiconducting materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US352055XA | 1955-11-04 | 1955-11-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1051985B true DE1051985B (de) | 1959-03-05 |
Family
ID=21881286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEP17335A Pending DE1051985B (de) | 1955-11-04 | 1956-11-05 | Verfahren zur elektrolytischen Behandlung eines Halbleiterkoerpers fuer Halbleiteranordnungen |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH352055A (oth) |
| DE (1) | DE1051985B (oth) |
| FR (1) | FR1159064A (oth) |
| GB (1) | GB847930A (oth) |
| NL (2) | NL211922A (oth) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1144403B (de) * | 1959-05-13 | 1963-02-28 | Ass Elect Ind | Leistungstransistor |
| DE1146982B (de) * | 1959-05-28 | 1963-04-11 | Ibm | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterzonen mit genauer Dicke zwischen flaechenhaften PN-UEbergaengen in einkristallinen Halbleiterkoerpern von Halbleiterbauelementen,insbesondere von Dreizonentransistoren |
| DE1221363B (de) * | 1964-04-25 | 1966-07-21 | Telefunken Patent | Verfahren zum Verringern des Bahnwiderstands von Halbleiterbauelementen |
| DE1253825B (de) * | 1960-06-07 | 1967-11-09 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Halbleiterkoerper aus Galliumarsenid durch AEtzen |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2497770A (en) * | 1948-12-29 | 1950-02-14 | Bell Telephone Labor Inc | Transistor-microphone |
-
0
- NL NL105577D patent/NL105577C/xx active
- NL NL211922D patent/NL211922A/xx unknown
-
1956
- 1956-10-12 FR FR1159064D patent/FR1159064A/fr not_active Expired
- 1956-11-03 CH CH352055D patent/CH352055A/de unknown
- 1956-11-05 DE DEP17335A patent/DE1051985B/de active Pending
- 1956-11-05 GB GB33678/56A patent/GB847930A/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2497770A (en) * | 1948-12-29 | 1950-02-14 | Bell Telephone Labor Inc | Transistor-microphone |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1144403B (de) * | 1959-05-13 | 1963-02-28 | Ass Elect Ind | Leistungstransistor |
| DE1146982B (de) * | 1959-05-28 | 1963-04-11 | Ibm | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterzonen mit genauer Dicke zwischen flaechenhaften PN-UEbergaengen in einkristallinen Halbleiterkoerpern von Halbleiterbauelementen,insbesondere von Dreizonentransistoren |
| DE1253825B (de) * | 1960-06-07 | 1967-11-09 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Halbleiterkoerper aus Galliumarsenid durch AEtzen |
| DE1221363B (de) * | 1964-04-25 | 1966-07-21 | Telefunken Patent | Verfahren zum Verringern des Bahnwiderstands von Halbleiterbauelementen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CH352055A (de) | 1961-02-15 |
| FR1159064A (fr) | 1958-06-23 |
| NL105577C (oth) | |
| NL211922A (oth) | |
| GB847930A (en) | 1960-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE10065454B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Aluminiumoxidfilms zur Verwendung in einem Halbleitergerät | |
| DE1025025B (de) | In alkalischen Primaerelementen verwendbare, korrosionsgeschuetzte Nickelelektrode | |
| DE2741638C3 (de) | Präparattrager mit Elektrodenanordnung fur die Zelluntersuchung, sowie seine Herstellung | |
| DE112010004990T5 (de) | Bipolarplatte für eine Brennstoffzelle und Verfahren zur Herstellung derselben | |
| Paseka | Hydrogen evolution reaction on amorphous Ni–P and Ni–S electrodes and the internal stress in a layer of these electrodes | |
| DE60204198T2 (de) | Sprühbeschichtung von elektrischen Kontakten auf leitende Substrate | |
| DE1051985B (de) | Verfahren zur elektrolytischen Behandlung eines Halbleiterkoerpers fuer Halbleiteranordnungen | |
| DE69832380T2 (de) | Herstellungsmethode für die verdrahtung von halbleiteranordnungen | |
| DE3132079A1 (de) | Ionen-modulationselektrode | |
| DE102009051688A1 (de) | Verfahren zur lichtinduzierten galvanischen Pulsabscheidung zur Ausbildung einer Saatschicht für einen Metallkontakt einer Solarzelle und zur nachfolgenden Verstärkung dieser Saatschicht bzw. dieses Metallkontakts sowie Anordnung zur Durchführung des Verfahrens | |
| DE102010024835A1 (de) | Method for fabrication of a back side contact solar cell | |
| DE2516393A1 (de) | Verfahren zum herstellen von metall- oxyd-halbleiter-schaltungen | |
| DE2427502B2 (de) | Galvanische knopf-zelle | |
| DE69804267T2 (de) | Schutzbeschichtung für Metallteile mit einem guten Widerstand gegen Korrosion in einer salzhaltigen Atmosphäre und Metallteile mit einer solchen Schutzbeschichtung | |
| DE2707372C2 (de) | Verfahren zum Ätzen von Silicium unter Anlegung einer elektrischen Spannung | |
| DE2234679C3 (de) | Verfahren zur Herstellung der Elektroden einer Gasentladungs-Anzeigevorrichtung | |
| DE2045304A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer lokalisierten Zone in einem Halbleiter korper | |
| DE2805810A1 (de) | Beschichtung von silizium-eisenmaterial | |
| DE2039514A1 (de) | Methode fuer den Niederschlag von Gallium-phosphid-Widerstandsschichten durch kathodische Zerstaeubung | |
| EP0054695A1 (de) | Verfahren zum Erzeugen von Dendriten durch Galvanisieren und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
| DE887847C (de) | Verfahren zur Verbesserung des Sperrwiderstandes an Selengleichrichtern | |
| DE2540999A1 (de) | Elektrischer steckkontakt | |
| DE2216338A1 (de) | Feld-Effekt Transistor mit einer Gate-Elektrode aus Polysilizium mit geringem elektrischem Widerstand | |
| DE508973C (de) | Wirksame Masse fuer Primaer- und Sekundaerelemente, insbesondere der alkalischen Sammler | |
| DE2437197A1 (de) | Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung derselben |