DE2741638C3

DE2741638C3 - Präparattrager mit Elektrodenanordnung fur die Zelluntersuchung, sowie seine Herstellung

Info

Publication number: DE2741638C3
Application number: DE2741638A
Authority: DE
Inventors: Guenther Dr. 8000 Muenchen Gross; Andreas Dr. 8011 Zorneding Meyer; Ernst Dipl.-Phys. Dr. 8000 Muenchen Remy; Ellen Dr. 8131 Berg Rieske
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1977-09-15
Filing date: 1977-09-15
Publication date: 1980-03-27
Also published as: DE2741638B2; US4231660A; DE2741638A1

Description

Erfindungsgegenstand ist der im Patentanspruch 1 angegebene Präparatträger und das im Patentanspruch 8 genannte Verfahren zu seiner Herstellung. Die Ansprüche 2—7 nennen Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Präparatträgers; die Ansprüche 9 und 10 beinhalten Ausgestaltungen des Verfahrens zur Herstellung dieses Präparatträgers.

Für die Untersuchung der elektrophysiologischen Aktivität von lebenden Nervenzellen in vitro müssen elektrische Potentiale, Ströme, Impulse usw. den einzelnen Zellen oder bestimmten Teilen einer Zelle, z. B. den ZelJenfortsälzen (Neuriten) mittels geeigneter, in deren unmittelbarer Nähe gebrachter Elektroden gezielt zugeführt bzw. von ihnen abgegriffen werden. Man benötigt dafür Elektroden mit einer Kontaktfläche von mikroskopischen Abmessungen, z. B. 1 —10 μΐη und einer hinreichend geringen Kontaktimpedanz zur Zelle, sowie andererseits geeignete Verfahren, um derartige Elektroden an die gewünschten Zellen oder Zellbereiche heranzubringen. Für beides gibt es bis heute noch keine befriedigende Lösung, insbesondere für den Fall, daß mehrere simultane Ableitungen von verschiedenen Stellen eines kleinen Gewebevolumens erforderlich sind.

Bekannt sind z. B. Elektroden, die aus einem in einem Glasröhrchen angeordneten, sehr dünnen Draht aus hartem Material, z. B. Wolfram, bestehen, dessen am Ende des Glasröhrchens freiliegendes bzw. etwas vorstehendes Ende durch Manipulation der Elektrode unter dem Mikroskop in die Nähe der Zelle gebracht werden kann. Die Herstellung solcher Elektroden ist umständlich und zeitaufwendig, in der Regel müssen aus einer Vielzahl von hergestellten Elektroden die brauchbaren erst ausgesucht werden. Die dreidimensionale Manipulation solcher Elektroden unter dem Mikroskop ist umständlich, und das gleichzeitige Handhaben von mehreren Elektroden für den gleichzeitigen Abgriff von verschiedenen Zellen oder Teilen einer Zelle ist in der Praxis kaum durchführbar. Auch liegt ein schwerwiegender Nachteil dieser Elektroden darin, daß beim Manipulieren ein unvermeidliches Vibrieren derselben zum raschen Absterben der untersuchten Zelle führen kann. Entsprechendes gilt auch von bekannten, mit Elektrolyt gefüllten Pipettenelektroden.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Präparatträger mit Elektrodenanordnung zu schaffen, der in einfacher Weise einen gezielten elektrischen Zugriff zu gewünschten Zellen oder Zellenbereichen, und zwar insbesondere gleichzeitig an zahlreichen Zugriffsstellen, ermöglicht.

Diese Aufgabe wird mit dem im Patentanspruch 1 genannten Präparatträger gelöst.

Durch die erfindungsgemäße Lösung wird erreicht.

daß sich die Zellen gezielt an bestimmten Stellen des Präparatträgers anlagern bzw. auch ein durch die Anlagerungszonen räumlich vorgeschriebenes Wachstum zeigen und sich dadurch von vorneherein in bestimmter räumlicher Korrelation zu den Leiterbahnen bzw. ihren Kontaktstellen befinden. Man muß also nicht den Kontakt einer Elektrode mit einer Zelle durch Manipulieren unter dem Mikroskop herstellen, sondern man braucht lediglich unter dem Mikroskop die an einer Anlagerungszone angewachsenen Zellen zu beobachten und kann dann die zu der Zelle oder zu Teilen der Zelle gehörende Leiterbahn oder Leiterbahnen identifizieren und als Elektrode für den elektrischen Zugriff benutzen. Gleichzeitiger elektrischer Zugriff an mehreren Zugriffsstellen an einer oder mehreren Zellen ist hierdurch ohne Schwierigkeiten möglich.

Der mit der Erfindung erzielbare Vortei' geht aber noch weiter. Wenn die Anlagerungszonen in Form eines netzartigen Musters von die Kontaktstellen verbindenden Bahnen ausgebildet werden, kann man erreichen, daß eine angelagerte Zelle, z. B. Nervenzelle, nur in durch die Ainlagerungsbahnen vorgeschriebenen Richtungen wächst, d. h. ihre Fortsätze (Neuriten) gerichtet aussendet Man kann damit gezielt räumliche Korrelierungen nicht nur einer Zelle mit den Kontaktpunkten, sondern auch mehrerer Zellen miteinander schaffen.

Für die Herstellung eines erfindungsgemäßen Präparatträgers mit Elektrodenanordnung kann man sich zur Herstellung der die Leiterbahnen freilegenden Durcnbrechungen in der Deckschicht und/oder der Anlagerungszonen vorzugsweise entweder des aus der Halbleitertechnik bekannten Photoätzverfahrens oder der Bearbeitung mittels Laser bedienen.

Insbesondere das nicht leicht zu lösende Problem, die Leiterbahnen im Bereich jeder Durchbrechung der Deckschicht derart hinreichend blank freizulegen, daß die Übergangsimpedanz zu einer später dort angelagerten Zelle genügend klein ist, wird gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung dadurch gelöst, daß man die Durchbrechungen mittels eines Lasers erzeugt, indem man mit dem durch die Deckschicht hindurch auf die Leiterbahn fokussierten Laserstrahl einen Teil des Materials der Leiterbahn verdampft und durch den Dampfdruck die darüber befindliche Deckschicht zum Abplatzen bringt. Es hat sich gezeigt, daß man hierdurch in einfachster Weise Durchbrechungen von genügend kleinen Abmessungen, z.B. 3—10 um, herstellen kann, die das darunter befindliche Metall völlig freilegen.

Auch die Anlagerungszonen kann man mit Hilfe eines Lasers erzeugen, indem man bei Verwendung einer Deckschicht aus einem hydrophoben Kunstharz, z. B. Silikonharz, durch Laserbestrahlung an der Oberfläche freie Radikale erzeugt und an diesen Bereichen aus einer darüber befindlichen Lösung polarisierte oder geladene Molekülgruppen zur Anlagerung bringt, so daß diese Bereiche dann hydrophile Eigenschaften haben und dadurch die Anlagerung von Zellen begünstigen. Ferner kann mit H?r<i Laser auch eine Zeil-abstoßende Schicht von einer Zeil-anziehenden Isolationsschicht in gewünschten Mustern abgetragen werden oder umgekehrt.

Statt dessen kann man aber auch das Photoätzverfahren verwenden, bei dem jeweils auf der zu bearbeitenden Schicht ein Photolack aufgebracht, dieser durch Belichten und Entwickeln teilweise entfernt und dadurch eine Maske hergestellt und durch diese Maske hindurch gewünschte Bereiche der darunter befindlichen Schicht chemisch entfernt werden. Auf diese Weise können in aufeinanderfolgenden, weitgehend automatisierten Arbeitsgängen die Leiterbahnen, die Durchbrechungen in der darüber aufgebrachten Deckschicht und die Anlagerungszonen durch teilweises Entfernen einer dü"-5uf aufgebrachten hydrophilen oder hydrophoben Schicht ausgebildet weiden. Mit ähnlichen Verfahren kann man auch in einfacher Weise Halbleiteranordnungen, mit denen die Leiterbahnen verbunden sind, insbesondere Eingangsstufen mit FET-Transistoren als Impedanzwandler, mit auf dem Präparatträger in der gleichen Ebene wie die Leiterbahnen ausbilden.

Ausführungsformen der Erfindung werden anhand der Zeichnung näher erläutert

F i g. 1 zeigt schematisch eine Draufsicht auf einen stark vergrößerten Teilbereich des Präparatträgers;

F i g. 2 zeigt eine Draufsicht auf einen Präparatträger in natürlicher Größe;

F i g. 3 bis 5 erläutern schematisch die Herstellung der Kontaktstellen mittels Laserstrahl;

Fig.6 und 7 dienen schematisch zur Erläuterung zweier verschiedener Möglichkeiten der Herstellung der Anlagerungszonen.

Der in F i g. 1 ausschnittsweise und stark vergrößert dargestellte Präparatträger besteht aus einer Grundplatte 1, die z. B. aus Glas, Quarz, Saphir, Silizium oder auch aus 3-5-Verbindungen, wie z. B. GaP, bestehen kann. Auf der Grundplatte 1 ist ein Muster von metallischen Leiterbahnen 2 aufgebracht, die vorzugsweise aus aufgedampften und/oder nach der Photoätztechnik ausgebildeten Goldstreifen bestehen, die z. B. ΙΟμίτι breit und 2μπι dick sein können. Zwischen der Goldschicht und der Grundplatte 1 kann sich eine Haftvermittlungsschicht, z. B. Titan, befinden. Über den Leiterbahnen befindet sich eine Deckschicht 3 aus einem Material, das elektrisch ausreichend isoliert und im übrigen für die Bearbeitung sowie für die Anlagerung der Zellen geeignete Eigenschaften haben muß, auf die noch eingegangen wird. In der Deckschicht 3 sind Durchbrechungen 4 von mikroskopisch kleinen Abmessungen ausgebildet, durch die die darunter befindlichen Enden 5 der Leiterbahnen 2 freigelegt sind. Diese Enden 5 bilden auf der Grundplatte 1 eine matrixartige Elektrodenanordnung mit gegenseitigen Abständen, die zweckmäßig im Bereich von 20—200 μΐη liegen und z. B. 100 μίτι nach beiden Richtungen betragen können.

Bei der dargestellten Ausführungsform sind Durchbrechungen 4 größer als die Breite der Leiterbahnen 2. Selbstverständlich können die Leiterbahnen 2 auch breiter sein als die Durchbrechungen 4, da es nur auf die freigelegte Fläche der Leiterbahnen 2 ankommt. Auch brauchen die Durchbrechungen 4 nicht auf den Endpunkten der Leiterbahn 2 zu liegen, sondern die Leiterbahn 2 kann sich jenseits einer Durchbrechung 4 fortsetzen. Voraussetzung ist nur, daß jeder Leiterbahn 2 eine Durchbrechung 4 zugeordnet ist.

Auf der Oberfläche der Deckschicht 4 sind Anlagerungszonen 6, 7 ausgebildet, bei denen sich es um Oberflächenbereiche handelt, die eine höhere Affinität bezüglich der Anlagerung von Zellen aufweisen, als die übrigen Bereiche der Deckschicht 3. Insbesondere hande't es sich bei den Anlagerungszonen 6, 7 um hydrophile Oberflächenbereiche, während die übrigen Bereiche der Deckschicht 3 hydrophob sind. Die Anlagerungszonen bilden einerseits ringförmige Höfe 7 um jede Durchbrechung 4 herum, und andererseits schmale Bahnen 6, die die einzelnen Durchbrechungen 4 netzartig miteinander verbinden. Auf diese Weise wird

ein Muster von Anlagerungszonen 6, 7 in räumlicher Korrelation zu den die Kontaktstellen darstellenden Durchbrechungen 4 geschaffen.

Selbstverständlich sind auch andere Muster von Anlagerungszonen möglich, z. B. können entweder die Bahnen 6 oder die ringförmigen Höfe 7 weggelassen werden, oder die Bahnen 6 können so verlaufen, daß die Durchbrechungen 4 nicht an den Eckpunkten von Quadraten oder Rechtecken, sondern z. B. auf den Seitenmitten sitzen. Auch Dreiecks- oder Sechsecksnetze sind möglich.

Gemäß F i g. 2 ist die Grundplatte 1 ein quadratisches Plättchen, und die einzelnen Leiterbahnen 2 verlaufen von den im Randbereich der Platte 1 vorgesehenen Anschlußkontakten 10 zu einem durch die Kreislinie 11 umgrenzten zentralen Bereich in diesem eigentlichen Arbeitsbereich bilden die Leiterbahnen 2 die in F i g. 1 angedeutete matrixartige Anordnung und sind in der Deckschicht 3 die Durchbrechungen 4 und die Anlagerungszonen 6, 7 ausgebildet. Die Dicke der Deckschicht 3 sollte innerhalb der Kreislinie 11 möglichst gering sein (z. B. ca. 2 μπι) und gerade ausreichen, um außerhalb der Durchbrechungen 4 eine ausreichende Isolierung der Leiterbahnen 2 von einem darüber befindlichen Elektrolyten zu gewährleisten (zweckmäßig mit einer Impedanz von mindestens 30 ΜΩ, bei 1 kHz gemessen). Außerhalb der Kreislinie 11 kann und sollte die Deckschicht 3 dagegen wesentlich dicker ausgebildet sein und hat keine Durchbrechungen und Anlagerungszonen. Die Leiterbahnen 2 sind am besten so ausgebildet, daß sie von ihren äußeren Anschlußstellen 10 bis zu ihren End- bzw. Kontaktpunkten innerhalb der Kreislinie 11 alle etwa gleiche Länge haben und in etwa gleichen Abständen voneinander verlaufen, so daß sie sich in ihrer Abgriffsimpedanz nicht voneinander unterscheiden. Die Grundplatte 1 trägt ferner eine großflächige Referenzelektrode 12. An jedem Anschlußpunkt 10 für eine Leiterbahn 2 kann in integrierter Technik eine Eingangsstufe mit Impedanzwandler, insbesondere mit einem FET-Transistor ausgebildet sein. Ein auf dem Präparatträger aufgesetzter erhöhter Ring 13 umgrenzt den Bereich des Präparatträgers, auf den Zellkulturen mit Nährflüssigkeit aufgebracht werden, und verhindert deren Auseinanderlauf.

Die Herstellung der Durchbrechungen 4 in der Deckschicht erfolgt gemäß Fig.3 bis 5 in folgender Weise. Ein Laserstrahl 20 wird durch ein Mikroskopobjektiv 21 durch die für die Laserstrahlung durchlässige Deckschicht 3 hindurch auf den Endbereich einer Leiterbahn 2 fokussiert. Die Laserstrahlung wird vom Metall der Leiterbahn 2 absorbiert, und dieses Metall wird aufgeheizt und teilweise verdampft (Fig.4). Energiedichte und Dauer des Laserimpulses werden so bemessen, daß durch den sich sehr plötzlich aufbauenden Dampfdruck ein unmittelbar über der bestrahlten Stelle der Leiterbahn 2 liegendes Stück 3' der Deckschicht 3 herausgesprengt wird, bevor mehr als die Hälfte der z. B. 2 μηι betragenden Dicke der Leiterbahn 3 verdampft ist (F i g. 5). In der kurzen Zeit kann sich das Material der Deckschicht 3 selbst nicht ausreichend aufheizen, um zu schmelzen oder zu verdampfen. Es entsteht durch rein mechanisches Absprengen eine sauber begrenzte Durchbrechung 4, in der das Metall der Leiterbahn 2 völlig freiliegt

Durch Verändern der Dauer bzw. Energiedichte des Laserstrahls und seiner Fokussierung kann die Menge des verdampften Metalls und damit auch die Größe der erzeugten Durchbrechung beeinflußt werden, so daß die erzeugte Durchbrechung 4 etwa gleichen oder kleineren Durchmesser wie die Breite der Leiterbahn 2 haben kann oder aber durch einen etwas kräftigeren Laserimpuls eine größere Durchbrechung 4 von z. B. 20 μίτι erzeugt werden kann, in welcher der gesamte Endbereich 5 der Leiterbahn 2 freiliegt, wie in Fig. 1 gezeigt.

Für die speziellen Zwecke der Anwendung in der Zellenforschung muß das Material der Deckschicht insbesondere folgenden Anforderungen genügen: Es muß in sehr dünner Schicht gut elektrisch isolieren, es sollte eine niedrige Dielektrizitätskonstante haben, um auch die kapazitive Nebenschiußimpedanz möglichst hoch zu halten. Das Material muß chemisch völlig neutral sein und soll durch UV-Bestrahlung oder durch Erhitzen auf 200⁰C sterilisierbar sein. Es soll gut am Glas haften, möglichst gleiches thermisches Ausdehnungsverhalten zeigen wie das Glas und für die Zwecke der mikroskopischen Beobachtung durchsichtig sein.

Für die in F i g. 3 und 5 dargestellte Herstellung der Durchbrechungen ist von dem Material der Deckschicht 3 weiter zu fordern, daß es nach dem Aushärten eine große Härte und Sprödigkeit und eine geringe Elastizität aufweist, so daß das durch den Gasdruck des verdampften Metalls bewirkte Ausbrechen auf einen kleinen Bereich erfolgt und sich die Deckschicht nicht in einer großflächigen Blase kurzzeitig elastisch vom Untergrund abhebt. Wie klein die erzeugte Durchbrechung sein muß, hängt im Einzelfall von der gewünschten Impedanz ab.

Es wurde gefunden, daß ein geeignetes Material für die Deckschicht 3 das am Anmeldetag unter dem Handelsnamen »Dow Corning 648« erhältliche Material ist und mit dem am Anmeldetag unter dem Handelsnamen DC 1200 bekannten Haftvermittler gut an Glas haftet. Hierbei handelt es sich um ein Silikonharz mit den folgenden chemischen und physikalischen Eigenschaften: Viskosität während des Auftragens bis 100 cP bei geeigneter Verdünnung, Dielektrizitätskonstante bei 3, Durchschlagfestigkeit 1800 V/mm, spezifischer Widerstand 10¹⁵ßcm, farblos, Bruchdehnung in der Größenordnung von ca. 0,5 bis 5%, am besten ca. 1 bis 2%.

Eine Lösung von DC 648 in Xylol (6 :4) wird mittels einer Zentrifuge auf der Grundplatte 1 in solcher Stärke verteilt, daß sich nach dem Trocknen und Härten bei 200⁰C eine Schichtdicke zwischen 2 bis 4 μπι über den Leiterbahnen ergibt Die zwischen der Grundplatte und der Deckschicht befindlichen Leiterbahnen 2 bestehen aus Gold und haben eine Schichtdicke von 2 μπι. Es wurde gefunden, daß mittels z. B. eines Stickstofflasers, dessen Emissionswellenlänge 337,1 mm ist durch Einzelimpulse von 10 ns Dauer und einer Leistungsdichte pro Impuls von ca. 10¹⁰ bis 10^l2W/cm² die gewünschten Durchbrechungen hergestellt werden können. Bei allen für die Deckschicht 3 verwendbaren Materialien ist die Forderung zu stellen, daß die Bruchdehnung im Bereich von einigen Prozent bis ι Promille liegt Nur Bruchdehnungen in der Gegend von Prozent gewährleisten ein sauberes Absprengen des Materials mit dem Laser, während erst oberhalb der Promillegrenze gewährleistet ist daß die thermische unterschiedliche Ausdehnung von Deckmaterial und ι Träger zu keiner Rißbildung führt

Die Ausbildung der Anlagerungszonen 6, 7 kann z. B. gemäß Fig. 6 dadurch erfolgen, daß die gewünschten Bereiche mit einem Laserstrahl 20 bestrahlt und

dadurch photochemisch aktiviert werden, so daß an der Oberfläche freie Radikale gebildet werden. Die Bestrahlung erfolgt durch eine über der Deckschicht 3 befindliche Lösung 22 hindurch, die z. B. Allylalkohol oder AUylamin enthalten kann und aus der sich an die freien Radikale der bestrahlten Oberflächenbereiche polarisierte oder geladene Molekülgruppen anlagern und dadurch eine hydrophile Oberflächenschicht als Anlagerungszone 7 bilden.

Statt mittels Laser können die Durchbrechungen in der Deckschicht und/oder die Anlagerungszonen auch

nach dem Photoätzverfahren hergestellt werden. Ein besonders geeignetes Material für die Deckschicht 3 ist in diesem Fall Siliziumoxyd. Da dieses bereits hydrophile Eigenschaften hat, werden die Anlagerungszonen 6,7 zweckmäßig in der Weise ausgebildet, daß die Deckschicht 3 gemäß Fig.7 mit einer hydrophoben 1—2 μπι dicken Oberflächenschicht 9 (z. B. aus Silikonharz) abgedeckt und diese nach dem Photoätzverfahren teilweise abgetragen wird, so daß Bereiche der Oberfläche der Deckschicht 3 wieder freigelegt werden, die dann die Anlagerungszonen 6,7 bilden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Präparatträger mit Elektrodenanordnung für die Zellenuntersuchung, insbesondere an Neuronenzellen, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Präparatträger (1) Anlagerungszonen (6, 7) bildende Oberflächenbereiche mit gegenüber den Nachbarbereichen erhöhter Affinität für die Zellenanlagerung und elektrische Leiterbahnen (2) in einer diesen Anlagerungszonen (6, 7) zugeordneten Anordnung ausgebildet sind.

2. Präparatträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine die Leiterbahnen (2) abdeckende isolierende Deckschicht (3) vorgesehen ist, die den einzelnen Leiterbahnen (2) zugeordnete, deren Oberfläche zur Bildung von Kontaktstellen freilegende Durchbrechungen (4) von mikroskopischen Abmessungen aufweist, und daß die Anlagerungszonen (6, 7) an der Oberfläche der Deckschicht (3) in einem den Durchbrechungen (4) zugeordneten Muster ausgebildet sind.

3. Präparatträger nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Anlagerungszonen (6) als die Durchbrechungen (4) verbindende Bahnen ausgebildet sind.

4. Präparatträger nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Anlagerungszonen (6, 7) von einer auf der hydrophoben Deckschicht (3) bereichsweise aufgebrachten oder durch photochernische Aktivierung gebildeten hydrophilen Schicht bestehen.

5. Präparatträger nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf die hydrophile Deckschicht (3) bereichsweise eine hydrophobe Abdeckschicht (9) aufgebracht ist und durch die freiliegenden Bereiche der Deckschicht (3) die Anlagerungszonen (6,7)gebildet sind.

6. Präparatträger nach einem der Ansprüche 1 bis

5, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterbahnen (2) von äußeren Anschlußstellen (10) des Präparatträgers (1) ausgehend in einem zentralen Bereich (11) zusammenlaufend und dort mit ihren Endpunkten eine matrixartige Anordnung bildend gestaltet sind, der die Durchbrechungen (4) der Deckschicht (3) und die Anlagerungszonen (6,7) zugeordnet sind.

7. Präparatträger nach einem der Ansprüche 1 bis

6, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Leiterbahn (2) ein Impedanzwandler als Eingangsstufe zugeordnet ist, der in integrierter Technik auf dem Präparatträger (1) in gleicher Ebene wie die Leiterbahn (2) ausgebildet ist und einen FET-Transistor aufweist.

8. Verfahren zur Herstellung eines Präparatträgers mit Elektrodenanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß man auf einer Trägerplatte (1) ein Muster von Leitungsbahnen (2) aufbringt, diese mit einer Deckschicht (3) abdeckt, in der Deckschicht (3) den Leiterbahnen zugeordnete Durchbrechungen (4) und auf der Oberfläche der Deckschicht (3) Anlagerungszonen (6,7) von erhöhter Affinität für die Zellenanlagerung ausbildet.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß man die Durchbrechungen (4) mittels eines Lasers erzeugt, indem man mit dem durch die Deckschicht (3) eines Lasers erzeugt, indem man mit dem durch die Deckschicht (3) hindurch auf die Leiterbahn (2) fokussieren Laserstrahl (20) einen Teil des Materials der Leiterbahn (2) verdampft und durch den Dampfdruck die darüber befindliche Deckschicht (3) zum Abplatzen bringt.

10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß man die Anlagerungszonen (S, 7) von erhöhter Affinität für die Zellenanlagerung dadurch herstellt, daß man in Oberflächenbereichen der Deckschicht (3) durch Laserbestrahlung photochemisch freie Radikale bildet und daran aus einer Lösung elektrisch geladene bzw. polarisierte Molekülgruppen zur Anlagerung bringt