DE1051985B - Verfahren zur elektrolytischen Behandlung eines Halbleiterkoerpers fuer Halbleiteranordnungen - Google Patents

Description

DEUTSCFfKS

Dk I rtiii'lunji Iu trifft \ t Π.ιΐιΐ,ι,η /um ikktrohtt sch< Ii At/in mi'! (iah, mi-it im von t i alhk it«, rkoi pt πι uiu! ms!>( sonde π \ ι ι lalm π /ur \ ι rst irl uni; und IU scli!(uiiij,nii_s' 'Ί >· At/ l>/\\ (i.ih.intsn. r\<»rn,uin-. und /ur Lokalisii iiiiifi (Ii r (kktroh tischt ti lit handling ,iut Ix stiniint( I'.t rutin von I !,Ut)It itt rkorpc rn Bu dir I Ii !--killing \on I!.ill)lt ltt ranoidnun^i η

WIf l)tls|llt 1-.Wt IM ( )1κ rfl<irlllll l'\ ^lll'cllt Ί I ausist!) rc ti. Ilochlruiuin/transistoriii nut 1c^i<rtir (mn/ ichicln (>f It ι I l(it_lifrt(|iu n/kri--tallfli')flt η litsHlH \itl iacli d.is liidiiini-. flu ortliilu I.ap und I οπή dt r geat/tin 11/\\ ^aK ,misu rtt η Hi rc κ hi Ionian liistim mm uiifl ko.itiolht tin /u loniiin, sow η in \ λ le ti I <il Ien, du Ätzung li/w f j.ihamsit rung nut möglichst firofiir (i(schwnirlij;kiit austulmn /u kontu π W ntc ι ist t-s \iilf.ich (lwiiiisclit dali du flurih At/in In rt;t stil'tiii \t tuli'ti^tn tun η möglichst die tun liodin •int\\ι ist η t'ii i dall <ln \ t rtu fun^ Ii ui \il t in« ι .in dt in F f. !!»Ic lU -korjn ι ,UiJiIfIIfIm tui ir-ttn t^ten/ ilmlit IdIfIi mit η I Itktiodi rlirtkt tfi ^i nullt rln ^t Ktit dii-c Wi ι t ui"l t UiOt(IiC¹I di r irstui ^n n/-Jiichtliilde π i'cti i lc'\tif"!i flinlt fjitee iuiIk rluyc ik!i ui'd im wc. siiifliilun [i!a ijiai.iMt I fl<i/u iitu /wiiti f^ri ii/schichthil 1( tid< 1 lc'tinf'i .tn/uordnt μ dt !in line Λ um bt ι ■i|ii(lsuii < .ils I imtti r inifl flittn ,κ !ι π <ιΚ kollik tor t im s I i.ttisistors \.i«tnd(t «(ldtnkaiili

I >i * I 1¹IiIfIiIiIf; li'/xht »idi tut fiii \irfalirtn /ur (!t kl roh D-C Iu i) 15« Iiandhini; > im » 11 tll>l* itt ι K»>i |*t · fm 11,i'lih lit ranoidünnet η ah 1 jansiston η od flyl 1 rlin'lniiffsjfi ηι.ιί! wiifl fla^ \titalmii so ati^^'t !>ildt t daß an t in« η ())« ι flacln n)>« μ ich fl« s | IaIIiU it« ■ korpi r> (IPt MinontatslafluiiL,'sti aLfi r iiiji/n it ndi I hktiodi •uiifi In .it ht um! flafl du l>it!-.< di s I IaIKIi itt ι koij» ι s untti du μ ι I hktiodt i,'t ι mu't ι al· di( Diffusions Ι.ιρι,ί flii \lmoi itatsl.uluii^sii [L;_t ι ί,Ί w dilt wild dall f|n flii I Ii kttodi s't^'i nuht rlit iu udc ( )1n rtl teilt d s I [iillili itt tkorji« is iintui /Uli \t/< η Dilii (iiUaiiisit Π ti ^t ι ιi^iIi te Ii I It klrol\ tt η aii^i,'i ι l/t wild i.n I dall /Wi ilitu di ι I liktmdi und dim I liktioKnn um l'oti iiti ildillt It ii/ soli ht ι l'olalilit ilii;c U u'i wild flalt Miiioi it itsladmi^stid^i ι \ondii Mtl'iodi m ■!■ u I IaIMi πι ι koi|H ι iiiji/itit wtidiii und dal» ι ι im '» \oi/u^'tt ι It ktioh tist lit lit Ii uulliiu,; dt - dt ι I likimdi W tu mil ii ι In ),' mit η ( >l« tfi.ulu uiu u η Iu s ₍ ι /u Ii wild

I im Mn Ii illi Uli \uMulii uii^sfoi ni d< ι I il'inluiu: I» sit Iu dann dal'i du I It kl loh t /tun < 11 ktiuh Um Im η Ai/i π J4« ι ιι,ίμ t μι\\.ι!ιΙΐ und dall du 11 illili ii< ikoi I ni aiisiiium V I lalMuti t In ιιί-(■ Hl wild und I i'i du l'iil.nilat (Iu Ι'ιιΙι utlaldlllui ii/ so ^t wählt wii I da M du I Ii K11 mit ^i '-ί¹ miln ι Ίι in I It kl ι oh ti ιι \> <> iti\

I im uiitut \ii lulu mit;-|iM in du Ι'ΐΙιιιιΙιιιι^' ι ι ΊικΙιιιι Ii t;< Im iui/i u In 11 < 1.11Ί d> ι I Ii kiioU ι /uiu 11 d iItIi κ* * ·Μ'·« t ^'iwalill wild, di ι I IaIIiIuIi il m Verfahren zur olektrolytischcn

Behandlung eines Hdll)loiterkorpers

fur Halbleiteranordnunyen

Anmelder·

Phiko Corporation,

Philadelphia, Pa. (V St A )

Vertreter Dipl -Ing C Wallach Patentanwalt, München 2, Kaufmcjtr&'r 8

Bfdnspru hte Pnoriidt V St ν Amerika vom ! November 1955

Walter Leonard Do Ip jun Doylos'own Pa und Gerald Könnt thCl> ii< r S( ilersv lllo Pa |V St \), sind als Frfirdrr genannt

j κ r au^ um ι ι I' 11 dhh itt ι hu^'i >ti lh ν lid ud d ill (In 'ΌΙ ιι it ti dt ι I 'iiti litt ihlilti rt η/ ι u'i w ili't mi I d iii du I ' kti ι U -,ί l;i 'ml» ι di ip I U ' ti il\ It η m ^ ι in ι t

/tu ι Ii ktmh tise! ii l!i ιι m llmu I ^!| ι 1* ι Il ill»

11 it, ι k H ι ιι 1 ti »ι 11 'Ut ΐΊ ι ιι im Μ. ' 11 h lh id ι tu jL,'i 1 nt ht w ιι di 11 iidt r 111 in k inn iut d 11 d< t I Ii ktrodi ^i'<! iiilhulii Ui iidt 11 ( )'« 1 Il it I ι iiliu utli di s llilhlii lilkol|MI t Uli Il I llktloht ti llll I It litt 11 \iiI/U'4- \Mi~i ι htit/t man d tin 1 Iu I h ' im K 1 'id du uuiiiit hl¹ ii aii^'i 1 n/i π Κ (»liulluln di 11 i'lilt iie ik n|»i-111 j> ui;i itu \\tii \ ί I in\« 11 'vUiu' hm h di 11 I Ii k imh te ti

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«01 7(iMOI

Ät7stralil Fk riilirtt ii Hin ich unmittelbar gtgiuubtr liegt in Ikrulirung gdiraitit wird«, η

Durch du I rhndung wird im iinfaihis liisbison dirt zur M issitilit rstt llung Rt ι ι^ικ ti s \ «. t f.timn tur du Herstellung \on llalblt Mt ikorpiru geschalten, bii der du iliktroh ti-clit lkhandhing (At/in oder Galvanisieren) an vorbestimmten beliebig geformten Borucliiii dir 1 lalbhiti rohe rtl ulit genau lokalisiert und atißt rt kiir//iitig gestaltet wird» η kann Im Fallt dir Atzung li-sin sidi nut dt in \irfaliuu gtmafl dt ι Hriindmig \ irtn fuiigen mit tbeiiti und bt lspukwiise dir g(gimibi rhi guide ti f I ilhh itirohi ι flache paialk ler Hodiiiflacht herstellen Insbisoiidip kann man nach dtm \crf ihren giinih dt ι J ι limiting At/\<_rtit füllten odt ι g.dvanisihi Kbsduidungin in ciiitm is Obt rtlaihtnbtuieh dts Il.ilbltitt in ii/tugtn dir einei mit dim 1 lalblt ltukoipu diitkt veibundeiiin grin/ schic'nbildindcn I Kktroilt direkt gegenüberliegt

\trfahrcn /um ckktroh tischen \t/en und Galvani sicren in \irandi rliilui \hstufiwR sind Ix kannt So ist es beispielsweise nach dir IfSA Patentschrift 2 497 770 bikannt, einen korpu aus \^T Sih/niui an seimr eiiun Obirflache mit einem metallischen Über zug aus Ku))Hr oder Gold \on geringem Widcistand zu \ersehen wahrend cm Tropfen eines riektrolvtcn, wie Ghkolborat, auf die gegenüberliegende Flache aufgebracht wird Der obm sehe. Überzug wnd sodinn gegenüber dem Gl>kolborattropfen positiv vorge spannt Fine Injektion von Minoritatsladungsti i<gcrn ist bei dem bekannten \ erfahren nicht vorgesehen und auch nicht möglich

Es ist ferner bekannt, 711m elektronischen \t?en bzw zum Galvanisieren eines Ilalbkiteikotpei s /wei Strahlen /u verwenden an die beide dasselbe Poten tial gelegt w rd Hierbei ist eine Iuiel-tlon vom I a dungstragirn 111 geringem Lmtange möglich jedoch derart daß die jeweiligen mji/ieiten I aduii'gsti ige r (Loche 1 h/w I kktronen) den mit den da/ugdiouge η Vorspannungsveihiltnissen vertragl chen ekktrolvti sehen Pro/ei"» (Galvanisieren b/w Atzen) nicht be y> schleunigen können

Die bekannten Verfahren sind somit fm die /weike der rrtmdung tueht verwend' a sie sind zur Massen herstellung von Halblciteranordnungen ungeeignet du durch die 1 iliuduug ir/ielteii \ 01 teile die aut dei Injektion \ou λΓιηοΐ it it-ladungstragcrn walmnd du ckktrolx tischen Ikh.iudlung beruhen lassen sieh mit dtn bekannte 11 \erfahien nicht er/ieltn

Wctteic \01te1k und 1 iu/elhi ltin du litindi'ig eigtbeii sich aus (kr folgenden Ik hIiii lining von 51, Ausfuliriingslieispitleii an Hand de 1 /dehnung In diesel /e Igt

Tlg 1 teils scheinttiseh teils im Schnitt eine /111 Ausübung iiiui I oim del I ilmduiig geiignete \ 01 riehtung

du I-ig 2\ 21'. unl 2C It il<|uiisihnntt Im eh mien HaIbIi ite ι koijn 1 11 auft in mdt 1 lolgt 1 dt 11 st ι dien wählend (Ut \11wt n<l mg de s \ e 1 fall ie ils

die l'ig 3 und 4 teils -1 Iu inati-,ch tills im Silmitt andeie \iis|uhi viugst κ min von \ 011 lclitiingi 11 /in Anwendung di 1 I ilmduiig

lllslii Mindi Ie /t IgI I Ig I < 111 11 tlhlt ld ill lüellt Ii das .»ii eiiiei (U 1 giolKiiu (iIkiIIhIhii nut ι nn ι gie n/siliulitbi|(li IKIi η I U kl ι ο l· 111 I ·>ι in ι im s ( )|m ι il.ielun I¹V Schicht kunt.ikts 12 mim hin ist und m ein I It ktiol)thiid 14 tu uiiiin giiigiieuii Gt 1 dl 16 eint.nnhl wahitnd gUiili/iitig inituU tiiui l'attiiu und etui s ('ni|io|seli iltt is22 1 iiu |Ί>ΐι uiialdillt n n/ gutgiltti ΙΌΙ tiii.it und (iiiiltt /w ist Iu η dt 111 kuiitakt und tint 1 111 dt η I.It ktn >1> te in ml.im In ndt unit 1U η 7» riektrodt 18 hirgisttllt wnd ^₁₁ i^t dt 1 koni ii 1 12 mit d(in until liugt Ikont.ikt dt s /we lpolwnhst I ι Im' ters22 verbunden w duend die 1 Uktiodi 18 mit Ii sin anderem Rügt Ikontakt ulxi tun 11 \t 1 nidt iluli 1 W iil«. 1 stand 24 ν t llnnidt 11 1-1 du dt 11 I K kitok t*t! auf ι men btliibigtti W t rt t iii/u-u lit 11 „^rt>tattit I >i gt gtmibt ringt ndt 11 IOh dt 1 liitttin 20 sin I 111 1 obt ri Kontaktp ι u di-. s_th_l||,r-22 uu'tstlil ~ <> dtsMtiobtri und iinttii kmit iktt 111 >lu ^i/cieliiui W t lsi. ki t u/w t Is₁ mitt m in dt r \ t ib'iu Kn ~ind Ii ι 11 rl ill 111 du obi κ η I u'i K '-sill iltlu l>t K dt 1 kcmiil 12 in be/ng auf dt 11 I kkttoh ti η 14 ρ >-ι ti\ 111 dt ι im Him Selialtiistillung iit^itn ist \ ii/ii,m\um w ι ι dt ι kout ikt 12 und du mimittt Ib ir ιΐ'ΐΐί,Ί btndt ( )bi 1 flache des UaIbIt Mi 1 s mit ι int 111 schut/i ndt η Ititli entfernbau η ^ibut/ubi 1 /114 25 wit W ielis odt ι l'ohstyrol versehen um in dit^un liirtich tide tltk tro!\tischt \11ki1ng /u vnhindtin

Iu Hingt 1 Fallen wuidi i'idi Im luwtgim^ de ~ 1 kktrolvten gt sorgt etwa diluuh dall m u> t 111 inertes Gas an dtm körper 10 ν 01 In lpe rli 11 lul> Πι ermittelt wurde ΛλΆ man /uti itdt nstdkndis Vt/ui und Galvanisieren ohne luiindtim /iisit/lulu l'u wegung ti/iilt ist in der veumtiehiiii \oniehtun^ der 1 i£f 1 keine gt/eigt

Zur I l/euguiig einer \ ertn Hing 111 dt 111 11 dbk Mt 1 korj)ei 10 gegenüber dem Kont ikt 12 bistdit dt IIalbkiterkor]>tr gewohnlich aus \ SI ill>U ite 111 w 1 Germanium odei Sih/uim Der I kkti <! t 14 i^t um ekktrolv tischt At/flussitjkiit wie etwa eint Mt till saMosung und dt r Schalter 22 belindet sieh 111 S₁IiIiI oberen Stellung bei de 1 der kont ikt 12 111 be/ 1; ml e'en I kktrolvten posiii· ist Unter diesen de¹' „ί ,ι gen ist Λ s \t/en schart auf einen dem Obeitlicheii I'\ Schicht kont,ikt 12 unimttelbai yegen n« 1 In yen den Oberfl ichcniKrcich begren/t Π is kommt ottiii sichtlich daher d i(> 111 das Wtik-nuk 10 null 's di ^ in Durchlaluiehtitng an <kn Obei flieht 11 l'\ ^dueht kontakt 12 ingekgtin l'ottmi i'> I oeliti 1111 /hu weiden die /u dem unnuttilbai gigiiinbiilitgt nde 11 Obcrflaehenbeii ich des !!littehtiis 10 \ .ndt 11 um' den Obt rfl lehmhi ί ich sonnt mit I oeiu in im t iiln 1 u woduithdei \ t/voig mg m d't-<tiii Iki uhwis 1 tilth veist. ikt ν ird

\Λ η im ein/einen η den I ig 2 \ und 2Ii d u ge stellt 111 denen ents] r eilend liili mit den gleichen lii/ugs/ciclun "n m dt 1 1 ig I I» zeichnet -md ist vor Vnwtndung dt-- I hktioKtsti >nis die (lein k >n t ikt 12 'gt Jt 111 ι« 1 In gt η It (»In'!licht Λ- llilbl Mti koipc 1 s 10 iiii we si ntIk κ η ι In η (s I ig 2 \ > w \\\ rti 1 nach dein 111 dt ι ob 11 beschriebt >kh Uum \ n genommtiitn \t/tn <ltiii kout ikt 12 unmiittlbn ^i ge niibt 1 um \ t 1 tu 1111 u 30 mit n.i \\t si ntIi luiiiluiiu !!odt nil it ht ~ehtitll t 1/t ugi wild (- I ig 2 Hi

Al ml 11 h In gt 11 du \ ι lh ihn -m Unn (iii\ uibiutii obwohl m du st m I dl d is W ι ikstutk 10 im _si ä«Iiii IuIi 1111 I' Il ι IbIi Mt ι si in wild und du ^t h 11 ti 1 2?. 11 si 1111 itntiit I igi gi bi ulit wild bi 1 dt <U 1 kiuitdi odi 1 t mi in Ii η gn n/sihiihtbil Ii η Κ I Id Ίο U 12 11 lii/i'g .ml di 11 I liktiohttii iitgiti\ 1 t I nlt 1 'In ti lit dltl'gllll'gt 11 blldll sldl UiehdllU (In < 1 ll\ Uli 't IHlI^ ι ItK Itft/t /( i( st ttigi iniidi π Ii U ill < im πι Will still d s ,ml mglidi du < it stall I« 1.1 itu Iu 11- 10 !

I ig 2\ h tlti inn nn t tllisdii \l> du idun-, 3? Ί

II kl gtgi nubi t di 111 kontakt 12 im \st s» ntluln 11 ii dt 1 >,t /t (igt» η \it Im di 11 I ill dtl> amh η I 11 lh dii I IaIbIi Mt lobt illatbi g« 1 mgiugiu nut \U 1 ib K »lit Il tlbt /OgI Il stm S₁₁]ItUl k Ulli d Is W t I k tilt k U) ml t It ktiolv tisiln in oi|i 1 aiii du η 11 ι In m W 1 gi 1 hi< 1 Km/tu Atzung null 1/ogi η νμκΙμι um so d is m an

Claims (11)

1. deren als dein Kontakt 12 direkt gegenüberliegenden Bereichen aufsahani-ierte Material wieder zu entfernen.

   Beim Galvanisieren dürfte die Lokalisierung und Beschleunigung der Galvanisiertingswirkung daher rühren, dal.» Minoritätsträgcr in 1·Όπιι von Leitiähigkeitselektronen in den P-I lalbleitcr injiziert werden, die eine hohe Konzentration an negativen Ladungsträgern in dem dem Kontakt unmittelbar gegenüberliegenden Obertläehenbcreich erzeugen, in dem dann verstärktes und beschleunigtes Galvanisieren vor sich geht.

   Während die Erfindung häufig besonders vorteilhaft bei Verwendung zum (ialvani.-iereii und Atzen im elektrolytischen Had i.»t. i>t sie auch in einigen An- »5 Wendungen von Bedeutung. bei denen elektrolvtisches Strahlätzeii oder Strahlgalvanisieren verwendet wird. Unter Bezugnahme auf Fig. 3. in der entsprechende Teile mit den gleichen Bczugszeichen wie in Fig. 1 bezeichnet sind, kann man beispielsweise den Halbleiterkörpcr 10 mit dem daran befestigten grcnzschichtbildenden Element 12 so anordnen, daß er von einem Elektrolvtstrahl 40 getroffen wird, der von einer strahlbildenden I)üse42 auf die Oberfläche gegegenüber dem Kontakt gerichtet ist. während geeignete umpolbare. Potentiale von der Batterie 20 über den Kommutatorschalter 22, die Elektrode 18 und den veränderlichen Widerstand 24 angelegt werden wie in dem vorhergehenden Beispiel. Es wurde ermittelt, daß das Atzen bzw. Galvanisieren in diesem EaIl in dem von dem Strahl getroffenen Bereich des Halbleiterkörper beträchtlich beschleunigt wird, und zwar über die sonst bei Strahlelektrolytverfahren erreichte Geschwindigkeit hinaus, infolge der großen Anzahl von Löchern, die im Falle des Ätzens eines X-HaIbleiters bzw. der großen Anzahl vor. !elektronen, die im Fall des Galvanisierens eines !""-Halbleiters hier zur Verfügung stellen, fliese Zunahme der Geschwindigkeit der elektrolytischen Einwirkung ist von großer praktischer Bedeutung bei der Massenherstellung von Halbleiteranordnungen, da die zur Herstellung eines einzelnen Exemplars benötigte Zeit weitgellend .-eine endgültigen Kosten bestimme.

   Selbstverständlich braucht das zur Injektion der Minoritätsträger dienende greiizschichtbildcnde ICIement nicht unbedingt ein >' )berflächcn-PX-Schicht-Kontakt zu sein, sondern es kommen dafür auch ebensogut andere Formen in Frage. Beispielsweise kann es eine legierte Grenzschicht sein, wie sie etwa auf eine dem Fachmann bekannte Art erhalten wird, wvnn man ein l)onator- oder Akzeptornu tall in einen Bereich de> Halhlt'iterkörpcrs einlegten und die Anordnung hierauf abkühlt. Ferner kann man die Potcntialschwelle durch eine mit der Oberfläche de- I IaIb leiterköfper- in Verbindung stehende FHi--igkeit her stellen; Fig. 4 zeigt eine derartige Anordnung, bei derein Elektrolyt-tr.dll als Minoritätst|-äger<|tielle für einen anderen Strahl dient, der zur Bewirkung di·> Atzen,- auf der gegenüberliegenden ( Mierflächi· de-I lalbleiterkiMpi ι- angewandt wird.

   In Fig. 4, in welcher entsprechende 'l'eile mit den gleichen Bezugs/eichen wie in Fig. 3 bezeiclinel -ind. wird der \-1 lalbleiterkörper 10 von einem elekirnl«,
   tischen At/.Ntrahl 40 au- einer I >ü-e 42 -owie von einem gegenüberliegenden Minorität-träger iiiji/ie renden Strahl 50 ati- einer Dü-c 52 bespült. Eine Bai
   teiie 20 hält die Elektrode 56 und damit den Strahl 50 auf einem bezüglich der Elektrode 18 und dein Al/ strahl 40 positiven Potential, ImV so /wischen den bei
   den Strahlen über den I llllbleiteiköiper 10 iillHeU'gte Fotentialdiffereiiz gibt dem Strahl 40 ein negatives Potential in bezug auf ilen Halbleiterkörper 10 welches die Atzung bewirkt, sowie ein positives Potential zwi-cheti dem Strahl 50 und dem I lalbleiterkörper 10. welches bewirkt, daß Löcher in den durch den Strahl 40 getroffenen Bereich de- Halbleiterkörper 10 injiziert werden und damit die Atzwirkimg die-e- Strahles wesentlich beschleunigt wird. I-t in die-em !"all Galvanisicrung dtrvh den Strahl 50 nicht erwüu-cht. so verwendet man einen Elektrolyten, der keine leicht abscheidbaren Metallionen enthält, beispielsweise Xa triumhvdroxyd.

   L'm in gleicher Weise die Geschwindigkeit de-Strahlgalvanisieren- eines P-I lalhleitcrwcrk-tückc-ZU erhöhen, kann mau die Batterie 20 umpolen und eine geeignete Galvani-icrung-lö-ung al- Elektrolyt verwenden. Es scheidet sich dann schnell Metall auf der Oberfläche des I Ialblcitcrkörper- 10 unter dem Strahl 40 ab.

   Obwohl schnelles und lokalisierte- At/en und ι IaI-vauisieren gemäß der Erfindung bei Verwendung eines Strahls als injizierendem Element erreicht wird. wurde festgestellt, daß insbesondere bei hohen Strömen die geätzte Fläche bzw. die aiifgalvam-ii-rt·- \1> scheidung weniger glatt ti 11 · 1 einheitlich al- bei \ erwenduug eines Metallkontakt- oder einer FX-Givu/ schicht ist, so daß die letztgenannten Arten von grenzschichtbildenden Elementen in einigen Anwendungen bevorzugt werden.

   Ohne daß dies eine Beschränkung bedeuten -oll. wird zur vollständigeren Offenbarung im folgenden beispielshalber eine bestimmte Au-fülirtingsforin der Erfindung im einzelnen beschrieben.

   Ein rechteckiges Blättchen aus X-Gcrmanium ml: 1.1.1 Kristallorieiitierung. einem spezifischen Widerstand von etwa 3 Ohm ■ cm. einer Minoritätsträger Lebensdauer von' etwa 200 M ikro-ckunden. einer Dicke von etwa 0,178 mm und Flächcna'.isdehniingcii von etwa 1.9x3.2 mn kann um den Mittelpunkt einer der größeren Oberflächen herum mit einer kreisförmigen .Abscheidung von Indium von etwa 0.7(> nun Durchmesser versehen werden. Falls dies erwün-cht ist. kann man das so abgeschiedene Indium auf eine dem Fachmann bekannte Art ein wenig dein ( icrma nium einlegieren und -o eine legiert·.- P.V-Greiiz- chicht innerhalb de- i !alblciterkörpers herstellen und einen geeigneten Leitung-an-ehluß vor-ehen. Mau kann dairei liegende Indium und die unmittelbar umgehende Halbleiteroberfläche mit einem Tr »pt'en tlü--igeu l'olystvrois veiseher und dieses dann erhärten la--eii. Das einstehende (ie-'iihle kann man zti-anmieii mit einer Kohlekathode η ein Bad von Siionualer Ka liuiuhydroxydlö-ung ι intauclieii, da- auf einer Temperatur von etwa S.S^ce' gehalten wird. Der mit dem Indium verbundene Kontakt wild dann auf etwa + 2.7 Y bezüglich der Kohlekathoile gehalten, wo durch ein Strom von typisch etwa 0.3 A cr/cugt wird.

   Xach Anwendung die-es Verfahren- während etwa 2Fi bis 30 Sekunden hat -ich eine etwa 0.1 \n\i\ tiefe Wr tiefling mit im We-elltliehell ebener l!o<lcllllache ge bildet, die auf den ιler legierten PX < ireii/.-chich' direkt gegenüberliegenden .Bereich he-chränki und die-er im we-i'iitlicheii parallel i-t. Die >eiteuu ande dieser Vertiefung -iud -teil, und die Gi uudllacln· i-t -■ι glatt, daß -ic ein -piegelartig hochglän/eiide.- Au- -ilieii hat,

   1'.Vi¹I-: st λ s.s ι·» rc ii U:

   I. Verfahren zur elektrolytisclien Behandlung eines I lalblcitevkön.crs für | lulbleitcraiioriliiuu

   gen wie Transistoren od. Mgl., dadurch gekennzeichnet, dall an einen Obertlächenbereieli des Halbleiterkörpers eine Minoritätsladung-träger injizierende Klektrode angebracht wiril. dall die Dicke des Halbleiterkörpers ιιπίιτ dic-cr Elektrode geringer als die Diffusionsläiige der Minoritätsladungsträger gewählt wird, da(t die der !Elektrode gegenüberliegende ()bcrfläehe des Halbleiterkörpern einem /.um Ätzen oder Galvanisieren geeigneten I'llfktrolytfii au-ge-etzt wird und daß zwi-.sehen der Elektrode und dem Elektrolyten eine Potentialdiitercuz solcher I'olarität angelegt wird, daß Minoritätsladiing-tiäger von der Elektrode in den Hall)leiterkör|)er injiziert werden und dabei eine bevorzugte elektroly tische Behandlung des der Klektrode gegenüberliegenden Oberflächenbereiches erzielt wird.
2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, Maß der Elektrolyt zum elektronischen Ätzen geeignet gewählt wird, daß der Halbleiterkörper aus einem X-Halblciter hergestellt wird und daß die I'olarität der Potentialdiffjrenz so gewählt wird, daß die Elektrode gegenüber dem Elektrolyten positiv ist.
3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekeniizeichnet, daß der Elektrolyt zum Galvanisieren geeignet gewählt wird, der Halbleiterkörper aus einem P-Halbleiter hergestellt wird und dall die I'olarität der Potentialdiffercnz so gewählt wird, daß die Elektrode gegenüber dem Elektrolyten negativ ist.
4. 4. Verfahren nach einem tier Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der I halbleiterkörper in ein Elektrolytbad eingetaucht wird.
5. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf den der Elektrode gegenüberliegenden Oberll.ichenbereich rI. Halbleiterkörper ein Elektroh t-trahl gericht!¹ wird.
6. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche I bi* 5 dadurch gekennzeichnet. Mali die Elektrode t;i: ^: die unmittelbar angrenzende Oberfläche de- I IaI' leiterkörper- gegenüber dem Elektrolyten t. schützt werden.
7. 7. Verfahren nach An-piuchf), dadurch gekeh zi ichnet. daß der Elektrode eine l'X-Sehicht Halbleiterkörper \orgelagert wird.
8. S. Verfahren nach Au-pruch o, dadurch gekeir zeichnet, dali der Elektrode eine I \\-< iren/.schic' vorgelagert w ird.
9. '). Verfahren nach Aii-pruch 2 und 5, Maduii gekennzeichnet, dall zur Beschleunigung des elei trolytisihen Strahlat/eii- de- X-I lalhleiterkörpi · in diesem die Elektrode in einem -olclicn Obe· fläclienl.ereich erzeugt wird, der dem -trail' geatzten Oberllächeiibereich gegenüberliegt.
10. 10. Verfahren nach An-pi uch ⁽>. dadurch gi kennzeichnet, dali die Elektrode in Form eine I'.lektrolytstrahles n»it fleinjenigen Oberflach ■ bereich des Halbleiterkörper- in !!eniliriniL, _ bracht wird, der dem von dem Ai/.strahl '■ rührten Bereich unmittelbar gegenüberliegt.
11. 11. Verfahren nach Anspruch 3. dadurch m kennzeichnet, daß der Oberflacheiibereich und ii¹ ihn umgebenden Oberfliichenteile de- Halbleite¹ körpers nach dem (ialvanisieren zusätzlich ge.it/ werden.

    in l'-etracht gezogene Druckschriften: l'SA.-Patentschrift Xr. 2 497 770: Zeitschr. f. Elektrochemie. UM. 58. 1954. Xr. 5. S. 283 bis 321.

    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen