DE1051985B - Verfahren zur elektrolytischen Behandlung eines Halbleiterkoerpers fuer Halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zur elektrolytischen Behandlung eines Halbleiterkoerpers fuer Halbleiteranordnungen

Info

Publication number
DE1051985B
DE1051985B DEP17335A DEP0017335A DE1051985B DE 1051985 B DE1051985 B DE 1051985B DE P17335 A DEP17335 A DE P17335A DE P0017335 A DEP0017335 A DE P0017335A DE 1051985 B DE1051985 B DE 1051985B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
semiconductor body
electroplating
semiconductor
electrolyte
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEP17335A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Gerald Kenneth Clymer
Walter Leonard Doelp Jun
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Maxar Space LLC
Original Assignee
Philco Ford Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philco Ford Corp filed Critical Philco Ford Corp
Publication of DE1051985B publication Critical patent/DE1051985B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • H10P14/47—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02—Etching
    • C25F3/12—Etching of semiconducting materials
    • H10P95/00—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
DEP17335A 1955-11-04 1956-11-05 Verfahren zur elektrolytischen Behandlung eines Halbleiterkoerpers fuer Halbleiteranordnungen Pending DE1051985B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US352055XA 1955-11-04 1955-11-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1051985B true DE1051985B (de) 1959-03-05

Family

ID=21881286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEP17335A Pending DE1051985B (de) 1955-11-04 1956-11-05 Verfahren zur elektrolytischen Behandlung eines Halbleiterkoerpers fuer Halbleiteranordnungen

Country Status (5)

Country Link
CH (1) CH352055A (index.php)
DE (1) DE1051985B (index.php)
FR (1) FR1159064A (index.php)
GB (1) GB847930A (index.php)
NL (2) NL105577C (index.php)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1144403B (de) * 1959-05-13 1963-02-28 Ass Elect Ind Leistungstransistor
DE1146982B (de) * 1959-05-28 1963-04-11 Ibm Verfahren zur Herstellung von Halbleiterzonen mit genauer Dicke zwischen flaechenhaften PN-UEbergaengen in einkristallinen Halbleiterkoerpern von Halbleiterbauelementen,insbesondere von Dreizonentransistoren
DE1221363B (de) * 1964-04-25 1966-07-21 Telefunken Patent Verfahren zum Verringern des Bahnwiderstands von Halbleiterbauelementen
DE1253825B (de) * 1960-06-07 1967-11-09 Philips Nv Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Halbleiterkoerper aus Galliumarsenid durch AEtzen

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2497770A (en) * 1948-12-29 1950-02-14 Bell Telephone Labor Inc Transistor-microphone

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2497770A (en) * 1948-12-29 1950-02-14 Bell Telephone Labor Inc Transistor-microphone

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1144403B (de) * 1959-05-13 1963-02-28 Ass Elect Ind Leistungstransistor
DE1146982B (de) * 1959-05-28 1963-04-11 Ibm Verfahren zur Herstellung von Halbleiterzonen mit genauer Dicke zwischen flaechenhaften PN-UEbergaengen in einkristallinen Halbleiterkoerpern von Halbleiterbauelementen,insbesondere von Dreizonentransistoren
DE1253825B (de) * 1960-06-07 1967-11-09 Philips Nv Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Halbleiterkoerper aus Galliumarsenid durch AEtzen
DE1221363B (de) * 1964-04-25 1966-07-21 Telefunken Patent Verfahren zum Verringern des Bahnwiderstands von Halbleiterbauelementen

Also Published As

Publication number Publication date
FR1159064A (fr) 1958-06-23
GB847930A (en) 1960-09-14
NL105577C (index.php)
NL211922A (index.php)
CH352055A (de) 1961-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10065454B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Aluminiumoxidfilms zur Verwendung in einem Halbleitergerät
DE823468C (de) Elektrische UEbertragungsvorrichtung mit einem aus Silizium bestehenden Kontakt-Gleichrichterelement
DE2741638C3 (de) Präparattrager mit Elektrodenanordnung fur die Zelluntersuchung, sowie seine Herstellung
DE112010004990T5 (de) Bipolarplatte für eine Brennstoffzelle und Verfahren zur Herstellung derselben
Paseka Hydrogen evolution reaction on amorphous Ni–P and Ni–S electrodes and the internal stress in a layer of these electrodes
DE19529371A1 (de) Mikroelektroden-Anordnung
DE1806835C3 (de) Solarzelle und Verfahren zur Herstellung ihrer Kontakte
DE1765164C3 (de) Verfahren zur Bindung von Stromleitern
DE1051985B (de) Verfahren zur elektrolytischen Behandlung eines Halbleiterkoerpers fuer Halbleiteranordnungen
DE69832380T2 (de) Herstellungsmethode für die verdrahtung von halbleiteranordnungen
DE3132079A1 (de) Ionen-modulationselektrode
DE102010024835A1 (de) Method for fabrication of a back side contact solar cell
DE2516393A1 (de) Verfahren zum herstellen von metall- oxyd-halbleiter-schaltungen
DE2427502B2 (de) Galvanische knopf-zelle
DE2355626A1 (de) Verfahren zur herstellung integrierter schaltkreise mit hoher packungsdichte in einem einkristall-substrat
DE2707372C2 (de) Verfahren zum Ätzen von Silicium unter Anlegung einer elektrischen Spannung
DE2234679C3 (de) Verfahren zur Herstellung der Elektroden einer Gasentladungs-Anzeigevorrichtung
DE1762462A1 (de) Logisches Schaltungselement
DE2232175A1 (de) Anzeigevorrichtung und verfahren zu deren herstellung
DE2045304A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer lokalisierten Zone in einem Halbleiter korper
DE3046855A1 (de) Grenzschichtfeldeffekttransistor und verfahren zu dessen herstellung
DE3874896T2 (de) Ablagerungsapparatur.
DE2805810A1 (de) Beschichtung von silizium-eisenmaterial
DE2039514A1 (de) Methode fuer den Niederschlag von Gallium-phosphid-Widerstandsschichten durch kathodische Zerstaeubung
DE887847C (de) Verfahren zur Verbesserung des Sperrwiderstandes an Selengleichrichtern