DE10340643A1 - Polymergemische für gedruckte Polymerelektronik-Schaltungen - Google Patents

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Abstract

Um die Viskosität halbleitender Polymere in Lösung zu erhöhen, werden diese mit nicht-halbleitenden Polymeren gemischt.

Description

  • Kunststoffe (Polymere) sind als Isolatoren bekannt. Es gibt aber auch einige bemerkenswerte Polymere mit leitenden und sogar halbleitenden Eigenschaften. Alle drei Eigenschaften zusammen genommen ermöglichen die Herstellung voll funktionierender integrierter Schaltungen aus Polymeren. Der Reiz der Polymerelektronik liegt in ihrer einfachen Herstellbarkeit, weil die Polymere aus der Lösung zu Schichten abscheidbar sind. Das heißt, dass insbesondere kostengünstige Drucktechniken einsetzbar sind, mit denen die einzelnen strukturierten Schichten integrierter Schaltungen hergestellt werden können. Jedes Druckverfahren stellt jedoch spezielle Anforderungen an die zu verdruckenden Stoffe, also hier die Polymerlösungen. Selten stimmen die Eigenschaften der Polymerlösungen von vorneherein mit den drucktechnischen Anforderungen überein. So ist beispielsweise die Viskosität der Polymerlösungen für die meisten Druckverfahren erheblich zu niedrig. Das trifft besonders auf polymeres Halbleitermaterial zu.
  • Aus Nalwa H. S. (Herausgeber): "Organic Conductive Molecules and Polymers", Band 2, 1997, Seiten 334 bis 335 ist eine Tintenstrahltechnik zum Drucken niederviskosen Halbleitermaterials bekannt. Tintenstrahldruck wird aber für die Massenproduktion am wenigsten favorisiert.
    •
  • Davon ausgehend liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, halbleitende Polymere Standard-Druckverfahren zugänglich zu machen.
  • Dieser Aufgabe wird durch die in den unabhängigen Ansprüchen angegebenen Erfindungen gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Dementsprechend enthält ein Polymergemisch, insbesondere eine Polymerlösung, ein oder mehrere halbleitende Polymere und ein oder mehrere nicht-halbleitende, also isolierende und/oder leitende, Polymere.
  • Als halbleitendes Polymer hat sich Polythiophen, insbesondere Poly(3-hexylthiophen) (P3HT) als besonders vorteilhaft herausgestellt. Möglich ist aber auch der Einsatz von Polyfluoren oder Polythienylenvinylen sowie einer Mischung zweier oder dreier der genannte halbleitenden Polymere.
  • Als nicht-halbleitende Polymere haben sich Polystyrol(PS), Polymethylmethacrylat (PMMA), Cymel und Polyisobutyl (PIB) oder Mischungen daraus als besonders geeignet herausgestellt.
  • Um eine Polymerlösung zu ergeben, können im Polymergemisch auch noch Lösungsmittel vorhanden sein, insbesondere Chloroform, Toluol, Ketone, Dioxan und/oder Heptan.
  • Daneben kann das Polymergemisch leitende Polymere, Oligomere, leitende Moleküle und/oder halbleitende Moleküle (Monomere, „small molecules", insbesondere Pentacen und/oder C60), Partikel sowie sonstige nichtlösbare Materialien enthalten bzw. aus einer Auswahl der genannten Stoffe und eventuell üblichen Zusatzstoffen bestehen.
  • Durch die genannte Vermischung von halbleitenden und nicht-halbleitenden Polymeren lässt sich die gewünschte Viskosität der Polymerlösung einstellen. Vorzugsweise wird eine Viskosität von mehr als 8 mPas eingestellt, insbesondere mehr als 80 mPas. Dadurch ist die Polymerlösung für den Sieb- bzw. Tampondruck und weitere Standarddruckverfahren geeignet.
  • Ein Polymergemisch der beschriebenen Art kann bevorzugt in einem Druckverfahren, insbesondere in einem Sieb-, Flexo-, Offset-, Tief- und/oder Tampondruckverfahren, verwendet werden.
  • Durch ein Polymergemisch der beschriebenen Art lässt sich eine Doppelschicht herstellen, die in ihrer ersten Schicht ein oder mehrere halbleitende Polymere enthält und in ihrer zweiten Schicht ein oder mehrere nicht-halbleitende Polymere.
  • Dies kann beispielsweise in einem Verfahren zur Herstellung der Doppelschicht geschehen, bei dem ein Polymergemisch der beschriebenen Art verwendet wird, das sich beim Abscheiden aus der Lösung entmischt und dadurch die Doppelschicht bildet.
  • Mit einem Polymergemisch der beschriebenen Art lässt sich eine gedruckte elektronische Schaltung herstellen, wobei bei der Herstellung halbleitende Polymerstrukturen im Sieb- und/oder Tampondruck erstellt werden können. Alternativ oder ergänzend lässt sich das Polymergemisch auch allgemein zur Herstellung von elektrischen Bauelementen einsetzen, beispielsweise für organische Transistoren, Dioden, Kondensatoren, Widerstände, Leuchtdioden, Fotovoltaikzellen, Fotodetektoren, Anzeige-Elemente etc.
  • Bevorzugte Ausgestaltungen des Druckverfahrens, der Doppelschicht, des Verfahrens zur Herstellung der Doppelschicht und der elektronischen Schaltung ergeben sich aus den bevorzugten Ausgestaltungen des Polymergemisches und umgekehrt.
  • Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung. Dabei zeigt:
    •
  • 1 die Kennlinie eines organischen Feldeffekt-Transistors mit einer halbleitenden Schicht, die rein aus halbleitendem Polymer besteht;
  • 2 die Kennlinie eines organischen Feldeffekt-Transistors mit einer halbleitenden Schicht, die aus nicht-halbleitendem Polymer und halbleitendem Polymer im Gewichtsverhältnis 1:3 besteht;
  • 3 die Kennlinie eines organischen Feldeffekt-Transistors mit einer halbleitenden Schicht, die aus nicht-halbleitendem und halbleitendem Polymer im Gewichtsverhältnis 1:1 besteht.
  • Es wird vorgeschlagen, die funktionalen, also halbleitenden, Polymere mit anderen Polymeren zu mischen, um auf diese Weise eine Anpassung an einen weiten Bereich drucktechnischer Anforderungen zu erzielen. Die Mischung von Polymeren (Polymerblends) ist ein gebräuchliches Verfahren zur Erzielung bestimmter Eigenschaftskombinationen. Jedoch sind im Fall der Halbleiterpolymere solche Mischungen noch nicht angedacht worden. Würde man sich eine solche Mischung theoretisch vorstellen, so würde man für Halbleiterpolymere durch Zugabe anderer Materialien ein nahezu vollständiges Verschwinden der halbleitenden Eigenschaften erwarten. Eigene Versuche zeigen jedoch, dass dies nicht der Fall ist.
  • Es wurde Polythiophen, als halbleitendes Polymer, mit Polystyrol und Polymethylmethacrylat gemischt. Es zeigt sich, dass auch in dem gemischten Polymersystem die Halbleiterfunktion noch erhalten ist. Gleichzeitig besitzt die entsprechende Polymerlösung eine erhöhte Viskosität, was sie besser druckfähig macht.
  • Die Ursache, warum die halbleitenden Eigenschaften so gut erhalten bleiben, ist nicht genau bekannt, aber zwei Argumente lassen dies möglich erscheinen. Einmal ist Polyanilin ein leitfähiges Polymer. Ebenso wie Polythiophen gehört es zur Klasse der konjugierten Polymere. In Polymergemischen behält es seine leitende Funktion in hohem Grade, wie dies in Speakman S. P. et al.: "Organic Electronics 2 (2)", 2001, Seiten 65 bis 73 beschrieben ist. Was hier für Polyanilin gilt, kann anscheinend auch für Polythiophen herangezogen werden. Zum zweiten ist es ein bekanntes Phänomen, dass Polymergemische nach dem Abscheiden aus der Lösung zur Entmischung neigen. Dies ist beispielsweise in Garbassi F. et al.: "Polymer Surfaces", 1998, Seiten 289 bis 300 beschrieben. Das Polymersystem minimiert seine Gesamtenergie dadurch, dass das Material mit der niedrigeren Oberflächenenergie die oberste Schicht bildet.
  • In unserem Fall entstehen zwei Schichten, von denen die erste im Wesentlichen aus dem beigemischten Polymer (PS oder PMMA) besteht. Die zweite Schicht ist eine nahezu reine Polythiophenschicht. Sie verleiht dem System die Halbleitereigenschaft. Was hier am Beispiel des Polythiophens gezeigt ist, ist auch mit anderen halbleitenden Polymeren möglich, beispielsweise Polyfluoren und Polythienylenvinylen.
  • Die 1 bis 3 zeigen die Kennlinien von drei organischen Feldeffekt-Transistoren (OFETs) mit unterschiedlichen Massenverhältnissen von Polystyrol (PS) und Poly(3-hexylthiophen)(P3HT) in der halbleitenden Schicht. In 1 ist das Verhältnis von PS zu P3HT 0:100, in 2 ist das Verhältnis von PS zu P3HT 25:75 und in 3 ist das Verhältnis von PS zu P3HT 50:50. Die Schichtdicken sind zum besseren Vergleich unverändert.
  • Die OFETs mit PS und P3HT, deren Kennlinien in den 2 und 3 dargestellt ist, funktionieren ebenso gut wie der OFET mit P3HT, dessen Kennlinien in 1 dargestellt sind, nur dass der Strom mit zunehmenden PS-Anteil abnimmt. Da aber der OFF-Strom stärker abnimmt als der ON-Strom, verbessert sich sogar der Transistorkennwert des ON-/OFF-Verhältnisses.
  • Ein weiteres getestetes Ausführungsbeispiel ist das System P3HT und Polyisobutyl (PIB). P3HT hat bei maximaler Löslichkeitsmenge von 2,5 % Polymerfeststoff in Chloroform eine Viskosität von 2 mPas. Durch Zugabe von PIB gelöst in Heptan kann die Viskosität je nach Mischungsverhältnis auf Werte bis zu 100 mPas erhöht werden. Das erfüllt die Anforderungen von Siebdruck, bei dem die Viskosität größer oder gleich 10 mPas sein muss, und von Tampondruck, bei dem die Viskosität größer gleich 100 mPas sein muss. In Versuchen sind auch mit diesem Halbleitergemisch funktionstüchtige OFETs hergestellt worden.
  • Durch die Erfindung werden die Eigenschaften verschiedener Polymere miteinander kombiniert. Beispielsweise bringt Polythiophen die halbleitende Eigenschaft und Polystyrol die höhere Viskosität in der Polymerlösung. Das Polythiophen allein in Lösung wäre aufgrund der zu niedrigen Viskosität schlecht druckbar, während die Zugabe von Polystyrol der Lösung höhere Viskosität verleiht, was sie besser druckbar macht. Weitere Vorteile sind für den Fall der oben erwähnten Entmischung zu sehen. Sie betreffen die nach dem Verdampfen des Lösungsmittels zurückbleibende feste Doppelschicht, beispielsweise von Isolator und Halbleiter. Im Einzelnen sind es folgende Vorteile:
    • – Einsparung eines Arbeitsschritts durch simultane Erzeugung beider Schichten,
    • – Erzeugung einer extrem dünnen Halbleiterschicht, was durch direktes Drucken lediglich der Halbleiterlösung nicht möglich ist,
    • – perfekte Verbindung (Haftung) beider Schichten untereinander,
    • – die Schichten liegen exakt passgenau aufeinander, insbesondere in gedruckten Strukturen (Self-Alignment),
    • – die Lösungsmittelkompatibilität spielt keine Rolle, das heißt, es gibt kein Anlösen der unteren Schicht beim Aufbringen der oberen Schicht,
    • – es ist zu erwarten, dass die spezielle Art der Schichtbildung durch Entmischung einen positiven Einfluss auf die Schichtqualität hat, beispielsweise in der Art niedriger Defektdichte und hoher struktureller Ordnung der (konjugierten) Polymere.

Claims (11)

  1. Polymergemisch enthaltend – ein oder mehrere halbleitende Polymere, – ein oder mehrere nicht-halbleitende Polymere.
  2. Polymergemisch nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das halbleitende Polymer/die halbleitenden Polymere Polythiophen, Polyfluoren oder/und Polythienylenvinylen ist/sind.
  3. Polymergemisch nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das nicht-halbleitende Polymer/die nicht-halbleitenden Polymere Polystyrol, Polymethylmethacrylat, Cymel oder/und Polyisobutyl ist/sind.
  4. Polymergemisch nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es Lösungsmittel enthält, insbesondere Chloroform, Toluol, Ketone, Dioxan und/oder Heptan.
  5. Polymergemisch nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es kleiner Moleküle als Polymere enthält, insbesondere Oligomere, leitende Moleküle und/oder halbleitende Moleküle
  6. Polymergemisch nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es aus den genannten Stoffen und üblichen Zusatzstoffen besteht.
  7. Polymergemisch nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es eine Viskosität von mehr als 8 mPas aufweist, insbesondere mehr als 80 mPas.
  8. Druckverfahren, insbesondere Sieb-, Flexo-, Offset-, Tief- und/oder Tampondruckverfahren, bei dem ein Polymergemisch nach einem der vorhergehenden Ansprüche verwendet wird.
  9. Doppelschicht enthaltend – in ihrer einen Schicht ein oder mehrere halbleitende Polymere, – in ihrer anderen Schicht ein oder mehrere nicht-halbleitende Polymere.
  10. Verfahren zur Herstellung einer Doppelschicht nach Anspruch 9, bei dem ein Polymergemisch nach einem der Ansprüche 1 bis 7 verwendet wird.
  11. Elektronisches Bauelement, insbesondere Schaltung, das mit einem Polymergemisch nach einem der Ansprüche 1 bis 7 hergestellt ist und/oder eine Doppelschicht nach Anspruch 9 aufweist.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7488834B2 (en) 2005-09-30 2009-02-10 Alcatel-Lucent Usa Inc. Organic semiconductors
US7569415B2 (en) 2005-09-30 2009-08-04 Alcatel-Lucent Usa Inc. Liquid phase fabrication of active devices including organic semiconductors

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7560301B2 (en) * 2004-08-20 2009-07-14 Panasonic Corporation Coating liquid for forming organic layered film, method of manufacturing field effect transistor, and field effect transistor
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
DE102006006412A1 (de) * 2006-02-13 2007-08-16 Merck Patent Gmbh Elektronisches Bauteil, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
GB0612929D0 (en) 2006-06-29 2006-08-09 Univ Cambridge Tech High-performance organic field-effect transistors based on dilute, crystalline-crystalline polymer blends and block copolymers
US9356240B1 (en) 2011-11-21 2016-05-31 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Tetraamino pyrazine based ladder polymer for electroactive applications
US8951828B1 (en) * 2011-11-21 2015-02-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Thin-film electro devices based on derivatized poly(benao-isimidazobenzophenanthroline) ladder polymers

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0690457B1 (de) * 1994-05-23 1999-12-22 Al-Coat Ltd. Polyaniline-Lösung, damit beschichtete Gegenstände und Verfahren zur Herstellung derselben
DE10120686A1 (de) * 2001-04-27 2002-11-07 Siemens Ag Verfahren zur Erzeugung dünner homogener Schichten mit Hilfe der Siebdrucktechnik, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahren und ihre Verwendung

Family Cites Families (160)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB723598A (en) 1951-09-07 1955-02-09 Philips Nv Improvements in or relating to methods of producing electrically conductive mouldings from plastics
US3512052A (en) 1968-01-11 1970-05-12 Gen Motors Corp Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric
US3769096A (en) 1971-03-12 1973-10-30 Bell Telephone Labor Inc Pyroelectric devices
JPS543594B2 (de) 1973-10-12 1979-02-24
DE2407110C3 (de) 1974-02-14 1981-04-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit einthaltenen Substanz
JPS54101176A (en) 1978-01-26 1979-08-09 Shinetsu Polymer Co Contact member for push switch
US4442019A (en) 1978-05-26 1984-04-10 Marks Alvin M Electroordered dipole suspension
US4246298A (en) 1979-03-14 1981-01-20 American Can Company Rapid curing of epoxy resin coating compositions by combination of photoinitiation and controlled heat application
JPS5641938U (de) 1979-09-10 1981-04-17
US4340057A (en) 1980-12-24 1982-07-20 S. C. Johnson & Son, Inc. Radiation induced graft polymerization
JPS59145576A (ja) 1982-11-09 1984-08-21 ザイトレツクス・コ−ポレ−シヨン プログラム可能なｍｏｓトランジスタ
DE3321071A1 (de) 1983-06-10 1984-12-13 Basf Ag Druckschalter
DE3338597A1 (de) 1983-10-24 1985-05-02 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben
US4554229A (en) 1984-04-06 1985-11-19 At&T Technologies, Inc. Multilayer hybrid integrated circuit
JPS6265472A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Toshiba Corp Ｍｉｓ型半導体素子
EP0239808B1 (de) 1986-03-03 1991-02-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Strahlungsdetektor
EP0268370B1 (de) 1986-10-13 1995-06-28 Canon Kabushiki Kaisha Schaltungselement
GB2215307B (en) 1988-03-04 1991-10-09 Unisys Corp Electronic component transportation container
EP0350179B1 (de) 1988-06-21 1994-01-19 Gec Avery Limited Herstellung von tragbaren elektronischen Karten
US5364735A (en) 1988-07-01 1994-11-15 Sony Corporation Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same
US4937119A (en) 1988-12-15 1990-06-26 Hoechst Celanese Corp. Textured organic optical data storage media and methods of preparation
US5892244A (en) 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
US6331356B1 (en) 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
EP0418504B1 (de) 1989-07-25 1995-04-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Speicherbauelement aus organischem Halbleiter mit einer MISFET-Struktur und sein Kontrollverfahren
FI84862C (fi) 1989-08-11 1992-01-27 Vaisala Oy Kapacitiv fuktighetsgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav.
US5206525A (en) 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
FI91573C (sv) 1990-01-04 1994-07-11 Neste Oy Sätt att framställa elektroniska och elektro-optiska komponenter och kretsar
JP2969184B2 (ja) 1990-04-09 1999-11-02 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタメモリ
FR2664430B1 (fr) 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
FR2673041A1 (fr) 1991-02-19 1992-08-21 Gemplus Card Int Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant.
EP0501456A3 (de) 1991-02-26 1992-09-09 Sony Corporation Mit eine optischen Plattenantrieb ausgerüsteter Videospielcomputer
US5408109A (en) 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
US5332315A (en) 1991-04-27 1994-07-26 Gec Avery Limited Apparatus and sensor unit for monitoring changes in a physical quantity with time
JP3224829B2 (ja) 1991-08-15 2001-11-05 株式会社東芝 有機電界効果型素子
JPH0580530A (ja) 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5173835A (en) 1991-10-15 1992-12-22 Motorola, Inc. Voltage variable capacitor
US5486851A (en) 1991-10-30 1996-01-23 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device using a pulsed laser source a Schlieren optical system and a matrix addressable surface light modulator for producing images with undifracted light
JP2709223B2 (ja) 1992-01-30 1998-02-04 三菱電機株式会社 非接触形携帯記憶装置
EP0603939B1 (de) 1992-12-21 1999-06-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Leitfähiges N-Typ-Polymer und Methode zur Herstellung desselben
DE4243832A1 (de) 1992-12-23 1994-06-30 Daimler Benz Ag Tastsensoranordnung
JP3457348B2 (ja) 1993-01-15 2003-10-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
FR2701117B1 (fr) 1993-02-04 1995-03-10 Asulab Sa Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose.
EP0615256B1 (de) 1993-03-09 1998-09-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Herstellungsverfahren eines Musters von einem elektrisch leitfähigen Polymer auf einer Substratoberfläche und Metallisierung eines solchen Musters
US5567550A (en) 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
JPH0722669A (ja) 1993-07-01 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 可塑性機能素子
AU7563294A (en) 1993-08-24 1995-03-21 Metrika Laboratories, Inc. Novel disposable electronic assay device
JP3460863B2 (ja) 1993-09-17 2003-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
FR2710413B1 (fr) 1993-09-21 1995-11-03 Asulab Sa Dispositif de mesure pour capteurs amovibles.
US5556706A (en) 1993-10-06 1996-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive layered product and method of manufacturing the same
IL111151A (en) 1994-10-03 1998-09-24 News Datacom Ltd Secure access systems
JP4392057B2 (ja) 1994-05-16 2009-12-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機半導体物質を有する半導体装置
US5684884A (en) 1994-05-31 1997-11-04 Hitachi Metals, Ltd. Piezoelectric loudspeaker and a method for manufacturing the same
JP3246189B2 (ja) 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US5574291A (en) 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
US5630986A (en) 1995-01-13 1997-05-20 Bayer Corporation Dispensing instrument for fluid monitoring sensors
JP3068430B2 (ja) 1995-04-25 2000-07-24 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US5652645A (en) 1995-07-24 1997-07-29 Anvik Corporation High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates
US5625199A (en) 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
US6326640B1 (en) 1996-01-29 2001-12-04 Motorola, Inc. Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility
GB2310493B (en) 1996-02-26 2000-08-02 Unilever Plc Determination of the characteristics of fluid
JP3080579B2 (ja) 1996-03-06 2000-08-28 富士機工電子株式会社 エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法
DE19629656A1 (de) 1996-07-23 1998-01-29 Boehringer Mannheim Gmbh Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe
US5693956A (en) 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
US6344662B1 (en) 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
US5946551A (en) 1997-03-25 1999-08-31 Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric
KR100248392B1 (ko) 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
JP4509228B2 (ja) 1997-08-22 2010-07-21 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機材料から成る電界効果トランジスタ及びその製造方法
ES2199705T1 (es) 1997-09-11 2004-03-01 Prec Dynamics Corp Transpondor de identificacion con circuito integrado consistente de materiales organicos.
US6251513B1 (en) 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
JPH11142810A (ja) 1997-11-12 1999-05-28 Nintendo Co Ltd 携帯型情報処理装置
EP0958663A1 (de) 1997-12-05 1999-11-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Zwischenverstärker zur identifikation
US5997817A (en) 1997-12-05 1999-12-07 Roche Diagnostics Corporation Electrochemical biosensor test strip
US5998805A (en) 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
US6083104A (en) 1998-01-16 2000-07-04 Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. Programmable toy with an independent game cartridge
CN1171301C (zh) 1998-01-28 2004-10-13 薄膜电子有限公司 产生和擦除导电和半导电结构的方法及电场发生器调制器
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6045977A (en) 1998-02-19 2000-04-04 Lucent Technologies Inc. Process for patterning conductive polyaniline films
DE19816860A1 (de) 1998-03-06 1999-11-18 Deutsche Telekom Ag Chipkarte, insbesondere Guthabenkarte
US6033202A (en) 1998-03-27 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures
JP4664501B2 (ja) 1998-04-10 2011-04-06 イー インク コーポレイション 有機系電界効果トランジスタを用いる電子ディスプレイ
GB9808061D0 (en) 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
GB9808806D0 (en) 1998-04-24 1998-06-24 Cambridge Display Tech Ltd Selective deposition of polymer films
TW410478B (en) 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US5967048A (en) 1998-06-12 1999-10-19 Howard A. Fromson Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web
KR100282393B1 (ko) 1998-06-17 2001-02-15 구자홍 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법
DE19836174C2 (de) 1998-08-10 2000-10-12 Illig Maschinenbau Adolf Heizung zum Erwärmen von thermoplastischen Kunststoffplatten und Verfahren zum Einstellen der Temperatur dieser Heizung
US6215130B1 (en) 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
CN102226766B (zh) 1998-08-26 2017-03-01 医药及科学传感器公司 基于光学的感测装置
JP4493741B2 (ja) 1998-09-04 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE19851703A1 (de) 1998-10-30 2000-05-04 Inst Halbleiterphysik Gmbh Verfahren zur Herstellung von elektronischen Strukturen
US6384804B1 (en) 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
US6506438B2 (en) 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6321571B1 (en) 1998-12-21 2001-11-27 Corning Incorporated Method of making glass structures for flat panel displays
US6114088A (en) 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
GB2347013A (en) 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
KR100441413B1 (ko) 1999-02-22 2004-07-27 신닛뽄세이테쯔 카부시키카이샤 도금 밀착성 및 프레스 성형성이 우수한 고강도 용융 아연도금 강판과 고강도 합금화 용융 아연 도금 강판 및 그제조방법
AU5646800A (en) 1999-03-02 2000-09-21 Helix Biopharma Corporation Card-based biosensor device
US6180956B1 (en) 1999-03-03 2001-01-30 International Business Machine Corp. Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels
US6207472B1 (en) 1999-03-09 2001-03-27 International Business Machines Corporation Low temperature thin film transistor fabrication
CN1310930A (zh) 1999-03-29 2001-08-29 精工爱普生株式会社 组合物及膜的制造方法以及功能元件及其制造方法
US6514801B1 (en) 1999-03-30 2003-02-04 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing thin-film transistor
US6498114B1 (en) 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6072716A (en) 1999-04-14 2000-06-06 Massachusetts Institute Of Technology Memory structures and methods of making same
FR2793089B3 (fr) 1999-04-28 2001-06-08 Rene Liger Transpondeur a antenne integree
DE19919448A1 (de) 1999-04-29 2000-11-02 Miele & Cie Kühlgerät und Verfahren zur Verkeimungsindikation
DE19921024C2 (de) 1999-05-06 2001-03-08 Wolfgang Eichelmann Videospielanlage
US6383664B2 (en) 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
EP1052594A1 (de) 1999-05-14 2000-11-15 Sokymat S.A. Transponder und Spritzgussteil sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
TW556357B (en) 1999-06-28 2003-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
JP2001085272A (ja) 1999-07-14 2001-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 可変容量コンデンサ
DE19933757A1 (de) 1999-07-19 2001-01-25 Giesecke & Devrient Gmbh Chipkarte mit integrierter Batterie
DE19935527A1 (de) 1999-07-28 2001-02-08 Giesecke & Devrient Gmbh Aktive Folie für Chipkarten mit Display
DE19937262A1 (de) 1999-08-06 2001-03-01 Siemens Ag Anordnung mit Transistor-Funktion
US6593690B1 (en) 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
EP1085320A1 (de) 1999-09-13 2001-03-21 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Vorrichtung auf Basis von organischem Material zur Erfassung eines Probenanalyts
US6517995B1 (en) 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
KR100477146B1 (ko) 1999-09-28 2005-03-17 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 레이저천공 가공방법 및 가공장치
US6340822B1 (en) 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
EP1149420B1 (de) 1999-10-11 2015-03-04 Creator Technology B.V. Integrierter schaltkreis
US6335539B1 (en) 1999-11-05 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure
US6284562B1 (en) 1999-11-17 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Thin film transistors
EP1103916A1 (de) 1999-11-24 2001-05-30 Infineon Technologies AG Chipkarte
US6136702A (en) 1999-11-29 2000-10-24 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US6621098B1 (en) 1999-11-29 2003-09-16 The Penn State Research Foundation Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material
US6197663B1 (en) 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
JP5073141B2 (ja) 1999-12-21 2012-11-14 プラスティック ロジック リミテッド 内部接続の形成方法
WO2001046987A2 (en) 1999-12-21 2001-06-28 Plastic Logic Limited Inkjet-fabricated integrated circuits
US6706159B2 (en) 2000-03-02 2004-03-16 Diabetes Diagnostics Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus
TW497120B (en) 2000-03-06 2002-08-01 Toshiba Corp Transistor, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
DE10012204A1 (de) 2000-03-13 2001-09-20 Siemens Ag Einrichtung zum Kennzeichnen von Stückgut
EP1134694A1 (de) 2000-03-16 2001-09-19 Infineon Technologies AG Dokument mit integrierter elektronischer Schaltung
AU2001249601B2 (en) 2000-03-28 2005-09-15 Diabetes Diagnostics, Inc. Continuous process for manufacture of disposable electro-chemical sensor
US6329226B1 (en) 2000-06-01 2001-12-11 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabricating a thin-film transistor
DE10033112C2 (de) 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
WO2002015264A2 (de) 2000-08-18 2002-02-21 Siemens Aktiengesellschaft Verkapseltes organisch-elektronisches bauteil, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung
DE10120687A1 (de) 2001-04-27 2002-10-31 Siemens Ag Verkapseltes organisch-elektronisches Bauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
JP2002068324A (ja) 2000-08-30 2002-03-08 Nippon Sanso Corp 断熱容器
DE10043204A1 (de) 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
DE10045192A1 (de) 2000-09-13 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers
DE10047171A1 (de) 2000-09-22 2002-04-18 Siemens Ag Elektrode und/oder Leiterbahn für organische Bauelemente und Herstellungverfahren dazu
KR20020036916A (ko) 2000-11-11 2002-05-17 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자
DE10058559A1 (de) 2000-11-24 2002-05-29 Interactiva Biotechnologie Gmb System zur Abwicklung eines Warentransfers und Warenvorrats-Behälter
KR100390522B1 (ko) 2000-12-01 2003-07-07 피티플러스(주) 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법
DE10061297C2 (de) 2000-12-08 2003-05-28 Siemens Ag Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs
DE10105914C1 (de) 2001-02-09 2002-10-10 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung
US6767807B2 (en) 2001-03-02 2004-07-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for producing organic thin film device and transfer material used therein
DE10117663B4 (de) 2001-04-09 2004-09-02 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien
US20020170897A1 (en) 2001-05-21 2002-11-21 Hall Frank L. Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser
EP1393389B1 (de) 2001-05-23 2018-12-05 Flexenable Limited Musterung von anordnungen mittels laser
US6870180B2 (en) 2001-06-08 2005-03-22 Lucent Technologies Inc. Organic polarizable gate transistor apparatus and method
JP2003089259A (ja) 2001-09-18 2003-03-25 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
US7351660B2 (en) 2001-09-28 2008-04-01 Hrl Laboratories, Llc Process for producing high performance interconnects
US6621294B2 (en) * 2002-01-03 2003-09-16 Ibm Corporation Pad system for an integrated circuit or device
GB0207134D0 (en) * 2002-03-27 2002-05-08 Cambridge Display Tech Ltd Method of preparation of organic optoelectronic and electronic devices and devices thereby obtained
DE10219905B4 (de) 2002-05-03 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Optoelektronisches Bauelement mit organischen funktionellen Schichten und zwei Trägern sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements
US6812509B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Palo Alto Research Center Inc. Organic ferroelectric memory cells
US6870183B2 (en) 2002-11-04 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating
WO2004042837A2 (de) 2002-11-05 2004-05-21 Siemens Aktiengesellschaft Organisches elektronisches bauteil mit hochaufgelöster strukturierung und herstellungsverfahren dazu
WO2004047144A2 (de) 2002-11-19 2004-06-03 Polyic Gmbh & Co.Kg Organisches elektronisches bauelement mit stukturierter halbleitender funktionsschicht und herstellungsverfahren dazu
US7351606B2 (en) * 2004-06-24 2008-04-01 Palo Alto Research Center Incorporated Method for forming a bottom gate thin film transistor using a blend solution to form a semiconducting layer and an insulating layer

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0690457B1 (de) * 1994-05-23 1999-12-22 Al-Coat Ltd. Polyaniline-Lösung, damit beschichtete Gegenstände und Verfahren zur Herstellung derselben
DE10120686A1 (de) * 2001-04-27 2002-11-07 Siemens Ag Verfahren zur Erzeugung dünner homogener Schichten mit Hilfe der Siebdrucktechnik, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahren und ihre Verwendung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7488834B2 (en) 2005-09-30 2009-02-10 Alcatel-Lucent Usa Inc. Organic semiconductors
US7569415B2 (en) 2005-09-30 2009-08-04 Alcatel-Lucent Usa Inc. Liquid phase fabrication of active devices including organic semiconductors

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005024895A2 (de) 2005-03-17
WO2005024895A3 (de) 2005-06-09
DE10340643B4 (de) 2009-04-16
US7678857B2 (en) 2010-03-16
US20070017401A1 (en) 2007-01-25

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