DE10329646A1 - Elektronisches Bauelement - Google Patents
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Abstract
Es ist ein elektronisches Bauelement vorgesehen, das zumindest zwei gleiche parallel geschaltete elektronische Schaltungseinheiten aufweist, die jeweils einen Anschlußkontakt aufweisen. Schließlich sind Kontakte vorgesehen, über die dem Bauelement ein Auswahlsignal zugeführt wird. Es ist eine Auswahllogik vorgesehen, mit der einer der beiden parallel geschalteten elektronischen Schaltungseinheiten abschaltbar ist.
Description
- Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement mit zumindest zwei gleichen parallel geschalteten elektronischen Schaltungseinheiten und ein Verfahren zum Betreiben eines solchen Bauelementes gemäß den nebengeordneten Patentansprüchen.
- Elektronische Bauelemente, sogenannte integrierte Schaltungen, weisen heutzutage zunehmend mehrere elektronische Schaltungseinheiten, sogenannte Chips auf. Besonders häufig erfolgt dies bei der Herstellung sogenannter Speicherbausteine. Hierbei sind mehrere Speicherbausteine beispielsweise "SDRs", "DDRs" etc. zum Beispiel in der Bauform eines FBGA als sogenannte Stacked-Speicherbausteine verwendet. Bei einer solchen Bauform sind in einem Speicherbaustein gleich mehrere Speicherchips vorhanden, wobei jeder Chip eine Speicherbank darstellt, die mit ihren Anschlußpads beispielsweise parallel an den Adreßleitungen, Datenleitungen, Kommandoleitungen etc. angeschlossen sind. Weiterhin weist jeder Chip sogenannte Auswahleingänge auf. Dies sind unter anderem der sogenannte "clock enable" (CKE)-Eingang und der sogenannte "chip select"-Eingang (CS). Das bietet folgende Möglichkeiten, daß mit diesen Eingängen, die parallel beispielsweise an den Datenleitungen bzw. Adreßleitungen liegenden Chips selektiv angesprochen werden können. Das bedeutet, daß der Adreßdecoder auf dem jeweiligen Chip allgemein aufgebaut ist, unabhängig davon, ob er alleine in einem Baustein oder mit Mehreren zusammengefaßt Teil einer Speicherbausteingruppe ist.
- Derartige Speicherbausteine, die aus mehreren Chips zusammengesetzt, wie beispielsweise in der
EP0736903A2 beschrieben hergestellt sind, können leider während der Herstellung Ausfälle aufweisen. Dies führt zu erhöhten Fertigungskosten, da einzelne Bausteine später nicht mehr reparierbar sind. - Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein elektronisches Bauelement mit zumindest zwei gleichen parallel geschalteten elektronischen Schaltungseinheiten vorzusehen und ein Verfahren zu dessen Betreibung, das auch dann weiterhin verwendbar ist, wenn eine der parallel geschalteten elektronischen Schaltungseinheiten einen Funktionsausfall aufweist.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den in den nebengeordneten Patentansprüchen angegebenen Maßnahmen gelöst. Insbesondere durch das Vorsehen einer Auswahllogik ist es ermöglicht, daß auch dann, wenn eine der parallel geschalteten elektronischen Schaltungseinheiten einen Funktionsverlust aufweist, die zumindest eine verbleibende elektronische Schaltungseinheit so auswählbar ist, daß sie auch allein einen funktionsfähigen Betrieb gewährleistet.
- Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den untergeordneten Ansprüchen angegeben. Insbesondere durch das Vorsehen einer Umprogrammierung derart, daß eine zuvor abgeschaltete elektronische Schaltungseinheit eingeschaltet und eine zuvor eingeschaltete elektronische Schaltungseinheit abgeschaltet wird, ist die Herstellung eines elektronischen Bauelementes mit sehr hoher Zuverlässigkeit gewährleistet.
- Nachfolgend wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung im einzelnen erläutert.
- Es zeigen:
-
1 den grundsätzlichen Aufbau eines Bauelementes gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel, -
2 den mechanischen Aufbau eines solchen Bauelementes mit mehreren elektronischen Schaltungseinheiten, -
3 eine Logiktabelle, die die Umprogrammierung von einer "Master"-Funktion eines Chips verdeutlicht, -
4a bisc Programmierungsschritte in mehreren Test-Modi und -
5 den bisher üblichen Aufbau eines Speicherbausteins mit mehreren Chips. -
5 zeigt eine übliche Speicheranordnung eines Speichermoduls mit einem ersten Chip1 und einem zweiten Chip2 . Diese sind an gemeinsamen Leitungen30 angeschlossen, wobei beispielsweise hierfür Adreßleitungen ADD, Befehlsleitungen CMD und Datenleitungen DQ vorgesehen sind. Die Chips als solche sind identisch aufgebaut und weisen, um sie selektiv ansprechen zu können, funktionell zumindest einen Taktfreigabeanschluß CKE und einen Chip-Auswahlanschluß CS auf. Gemäß5 weist somit der erste Chip1 einen Taktfreigabeanschluß11 (CKE) und einen Chip-Auswahlanschluß12 (CS) auf. Der zweite Chip2 weist einen Taktfreigabeanschluß21 (CKE) und einen Chipauswahlanschluß22 (CS) auf. - Weiterhin hängen beide Chips an einer gemeinsamen Spannungsversorgung
41 (VDD) und42 (VSS). Fällt einer der Chips aus, so ist er weiterhin grundsätzlich ansprechbar und hängt ebenfalls als Last an den gemeinsamen Datenleitungen30 wie auch an der gemeinsamen Versorgungsspannung. - Dem gegenüber ist beim ersten Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Anordnung gemäß
1 , in der auf die gemeinsamen Anschlüsse Versorgungsleitung und den Datenleitungen30 gemäß5 der besseren Übersicht halber verzichtet wurde, für das Modul zwei Chipselectanschlüsse12 und22 vorgesehen. - Damit ändert sich nach außen für den Einsatz zunächst nichts. Innerhalb des Moduls weist jedoch nunmehr jeder Chip
2 Chipselectanschlüsse, nämlich jeweils einen ersten Chipselectanschluß CS1 und einen zweiten Chipselectanschluß CS2 auf. Innerhalb des Moduls sind nunmehr jeweils Chipauswahlanschluß CS1 und ein zweiter Chipauswahlanschluß CS2 miteinander verbunden und diese wiederum jeweils einmal als erster Chipauswahlanschluß12 und als zweiter Chipauswahlanschluß22 aus dem Bauelement11 herausgeführt. Die jeweiligen ersten und zweiten Chipauswahlanschlüsse CS1 und CS2 sind nunmehr mit einer Chipauswahllogik3 verbunden, deren Auswahlsignal das eigentliche Chipauswahlsignal CS ergibt. - Grundsätzlich ist nunmehr vorgesehen, daß gemäß dem Ausführungsbeispiel jeweils der erste Auswahlanschluß CS1 der Leit- bzw. Master-Anschluß und der zweite Auswahlanschluß CS2 der Nachfolge- bzw. slave-Anschluß ist. Durch diese doppelte Ausführung mit einem ersten und einen zweiten Chipauswahlanschluß und einer Auswahllogik
3 ist es nunmehr möglich, insgesamt im Modul bzw. Bauelement11 eine Umverdrahtung vorzusehen. Dazu weist der Chip eine Auswahllogik3 und eine sogenannte E-Fuse4 auf, die der Auswahllogik signalisiert, daß eine Normalverdrahtung oder eine Umverdrahtung vorgesehen ist. Dieser E-Fuse4 kann tatsächlich als sogenannte E-Fuse jedoch auch als sogenannte Anti-Fuse mit umgekehrter Logik ausgeführt werden. Die E-Fuse bzw. Anti-Fuse sind in unterschiedlichsten Ausgestaltungen möglich und im wesentlichen dadurch ausgeprägt, daß sie nur einmal und nicht reversibel programmierbar sind. - Zunächst ist vorgesehen, daß bei jedem Chip
1 und2 der erste Chipauswahlanschluß CS1 den "Master"-Anschluß darstellt und der zweite Auswahlanschluß CS2 den "Slave"-Anschluß darstellt. Aus der Verdrahtung des ersten Auswahlanschlusses12 und des zweiten Auswahlanschlusses22 ergibt sich somit, daß, wie in der Tabelle gemäß3 zu entnehmen ist, nach einem Anlegen eines Signals, das eine logische "1" symbolisiert am ersten Auswahlanschluß12 , am Chip1 den ersten Chipauswahlanschluß CS1 diese logische "1" zugeführt wird und am zweiten Chip2 diese am zweiten Chipauswahlanschluß CS2 zugeführt wird. Dies führt dazu, daß auf diese Weise der Chip1 durch die Auswahllogik3 das Chipauswahlsignal CS am Anschluß12 erhält. Dem gegenüber ergibt sich für den Chip2 das Chipauswahlsignal CS mit dem logischen Wert "0" am Anschuß12 . Soll der zweite Chip2 angesprochen werden, muß dementsprechend am Auswahlanschluß22 ein Signal mit dem logischen Wert "1" angelegt werden, so daß dem ersten Chipauswahlanschluß CS1 des zweiten Chips2 der logische Wert "1" zugeführt und dementsprechend angesprochen wird. So ist zunächst einmal die bisherige Grundfunktion eines aus mehreren Chips zusammengesetzten Moduls11 gewährleistet. - Wird bei einem Bauelement-Test festgestellt, daß einer der beiden Chips nicht mehr funktioniert, so kann durch ein Umprogrammieren der Fuse
4 jeweils von der "Master"-Funktion auf die "Slave"-Funktion umgeschaltet werden. Damit ist dann das Signal am zweiten Chipauswahlanschluß CS2 maßgeblich. Ist eine derartige Umprogrammierung erfolgt, was gemäß4a in einem Testmodus A vorgenommen wird, kann in einem Testmodus8 gemäßb ebenfalls mittels Durchbrennen der E-Fuse die Verbindung der Chips mit den Datenleitungen DQ, CMD, ADD, etc. getrennt werden. Schließlich kann bei dem defekten Chip in einem Testmodus C dieser durch das Durchbrennen einer E-Fuse4 gemäß4c von der Versorgungsspannung abgetrennt werden. - Gemäß
2 ist zu erkennen, daß in einem Modul der erste Chip1 und der zweite Chip2 über einen Abstandsträger35 übereinander liegend angeordnet sind, und über Drahtbondverbindungen37 mit Umverdrahtungspads36 verbunden sind. Diese sind in einem FBGA-Gehäuse11 auf einem Träger34 angeordnet, der eine Umverdrahtungsschicht aufweist, die mit dem kugelförmigen Rnschlußbällen, den sogenannten "solder balls"33 in Verbindung stehen, um mit einer Anschlußmetallisierung32 , die auf einem Träger31 einer elektronischen Platine3 angeordnet ist, vorhanden zu sein. Dabei sind, wie bereits unter Bezugnahme auf5 beschrieben, wie es in2 angedeutet ist, gemeinsame Anschlüsse, z.B. die Datenleitungen und auch die Versorgungsspannung an beide Chips geführt. - Durch das selektive Abtrennen nach der vorgenommenen vorhergehenden Umprogrammierung ist es nunmehr möglich, daß sowohl die Belastung als auch die Energieversorgung mit einem derartigen Modul, das zwar intern zwei Chips aufweist, aber nur die Leistungsfähigkeit eines einzigen Chips enthält, auch nur den Stromverbrauch und die Belastung erzeugt, wie ein Bauelement
11 mit einem einzigen Chip. - Durch das Vorsehen von Kombinationen von Fuses und sogenannten "Anti-Fuses" ist es nunmehr möglich, Sicherheitsbauelemente herzustellen, so daß grundsätzlich zwei oder mehr Chips parallel in einem Gehäuse angeordnet sind, aber nur jeweils einer in Betrieb ist. Hier würde bereits in einem Grundzustand der beiden Chips eine Versorgungsspannung und von den Datenleitungen abgetrennt sein. Sobald im Betrieb eines solchen Bauelementes festgestellt wird, daß es einen Defekt aufweist, wird es in der Form umprogrammiert, daß bestehende Unterbrechungen durch sogenannte Anti-Fuses wieder hergestellt werden und bestehende Verbindungen durch das Durchbrennen von sogenannten Fuses unterbrochen werden. Hierbei ist die Erfindung bzw. die zuvor beschriebene Maßnahme nicht auf zwei Chips beschränkt, sondern vielmehr können beliebig viele Chips parallel geschaltet sein.
- Zusätzlich ist es nunmehr möglich, daß zur Erhöhung der Leistungsfähigkeit bzw. Zuverlässigkeit eines solchen Bauelementes grundsätzlich zwei Chips parallel betrieben werden, und jeweils zumindest ein weiterer für jeden Chip als Redundanz vorgesehen ist.
Claims (7)
- Elektronisches Bauelement mit zumindest zwei gleichen parallel geschalteten elektronischen Schaltungseinheiten (
1 ,2 ), die jeweils einen ersten und einen zweiten (CS1, CS2) Anschlußkontakt die der Schaltungseinheit (1 ,2 ) ein erstes und ein zweites Auswahlsignal zuführt, Auswahlkontakten (12 ,22 ), über die dem Bauelement (11 ) die Auswahlsignale zugeführt werden, und eine Auswahllogik (3 ) aufweist, mit der eine jeweilige der beiden Einheiten abschaltbar ist. - Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, bei dem die gleichen parallel geschalteten elektronischen Schaltungseinheiten Speicherchips sind.
- Elektronisches Bauelement nach Anspruch 2, wobei die Abschaltmöglichkeit mittels einer "E-Fuse" (4) realisiert ist.
- Verfahren zum Betreiben eines Bauelements nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei in einem ersten Testzustand (A) die Funktionsfähigkeit der gleichen parallel geschalteten Schaltungseinheiten überprüft wird und bei Vorliegen eines Funktionsausfalls eine, aber nicht alle parallel geschalteten elektronischen Schaltungseinheiten in einem zweiten Testzustand die elektronischen Schaltungseinheiten, bei denen der Funktionsausfall festgestellt wird, abgeschaltet wird.
- Verfahren nach Anspruch 4, bei dem eine der parallel geschalteten Schaltungseinheiten nicht abgeschaltet ist und bei einem Feststellen eines Funktionsausfalls diese abgeschaltet und eine andere der parallel geschalteten Schaltungseinheiten eingeschaltet wird.
- Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, bei dem das Abschalten bzw. Einschalten durch Aktivieren von E-Fuses (
4 ) bzw. E-Antifuses (5 ) betrieben wird. - Elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die von mehreren funktionsfähigen parallel geschalteten elektronischen Schaltungseinheiten mehrere abgeschaltet sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2003129646 DE10329646A1 (de) | 2003-07-01 | 2003-07-01 | Elektronisches Bauelement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2003129646 DE10329646A1 (de) | 2003-07-01 | 2003-07-01 | Elektronisches Bauelement |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10329646A1 true DE10329646A1 (de) | 2004-09-16 |
Family
ID=32864516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2003129646 Ceased DE10329646A1 (de) | 2003-07-01 | 2003-07-01 | Elektronisches Bauelement |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10329646A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7170157B2 (en) | 2003-07-02 | 2007-01-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package having multiple embedded chips |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0736903A2 (de) * | 1995-04-07 | 1996-10-09 | Nec Corporation | Dreidimensionaler Mehrchipmodul mit gestapelten Halbleiterchips und Herstellungsverfahren |
DE19745678A1 (de) * | 1997-10-07 | 1999-04-08 | Optosys Gmbh Berlin | Verfahren zur Fertigung von Multi-Chip-Modulen in COB-Bauweise, insbesondere von Speichermodulen auf Leiterplattenboards |
DE19947041A1 (de) * | 1999-09-30 | 2001-04-05 | Infineon Technologies Ag | Integrierter dynamischer Halbleiterspeicher mit redundanten Einheiten von Speicherzellen und Verfahren zur Selbstreparatur |
DE10135812C1 (de) * | 2001-07-23 | 2002-10-24 | Infineon Technologies Ag | Integrierter Halbleiterschaltkreis mit Kontaktstellen und Anordnung mit mindestens zwei solchen Schaltkreisen |
-
2003
- 2003-07-01 DE DE2003129646 patent/DE10329646A1/de not_active Ceased
Patent Citations (4)
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