DE10310740A1 - Verfahren zur Herstellung einer spannungsrelaxierten Schichtstruktur auf einem nicht gitterangepassten Substrat, sowie Verwendung eines solchen Schichtsystems in elektronischen und/oder optoelektronischen Bauelementen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer spannungsrelaxierten Schichtstruktur auf einem nicht gitterangepassten Substrat, sowie Verwendung eines solchen Schichtsystems in elektronischen und/oder optoelektronischen Bauelementen Download PDF

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Title
LIED.Y.C et al: Dependence of damage and strain on the temperature of S: irradiation in epitaxial Ge 010 bi090 films on bi (100). In: Journ. Of App, Phys., Vol.77, Issue 6 pp, 2326-2338 Epitaxial growtn and optical proputics of II-VI compornd semiconductors for optrelectronic deviues. In: ITEE Seminar, 8.6.2000
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