DE1030471B - Verfahren zur Herstellung von leitenden Schichten auf Isolierteilen elektrischer Entladungsgefaesse - Google Patents

Description

• Verfahren zur Herstellung von leitenden Schichten auf Isolierteilen elektrischer Entladungsgefäße Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Zinnoxyd enthaltenden leitenden Schichten hoher Lichtdurchlässigkeit auf Isolierteilen auf Silika,tbasis elektrischer Entladungsgefäße, insbesondere auf der Innenseite von aus Glas oder Quarz bestehenden Wandungsteilen, in dem eine konzentrierte Lösung von Zinnchlorür in feiner Vernebelung auf die zu bedeckende Unterlage gesprüht wird.
• Bei Röhren mit Leuchtschirmen, z. B. nach Art von Abstimmanzeigeröhren, hat es sich vielfach als notwendig erwiesen, die Glasglocke an ihrer Innenseite vor Aufladungen durch die Elektronen zu schützen. Zu diesem Zweck ist eine dünne leitende Schicht erwünscht, welche bei genügend großer Leitfähigkeit eine möglichst geringe lichtabsorbierende Wirkung aufweist. Weiterhin sind bei Kathodenstrahlröhren oder auch bei solchen Anzeigeröhren, bei denen ein Leuchtschirm auf der Glaswandung selbst aufgebracht ist, vielfach Unterlageschichten notwendig, welche einerseits eine hohe Leitfähigkeit aufweisen, dabei aber andererseits das durchtretende Licht nicht oder in nur geringem Umfang absorbieren dürfen.
• Es ist bereits bekannt, leitende Beläge .durch Aufdampfen von dünnen Schichten von Metallen, wie z. B. Silber oder Aluminium, oder auch als Verbindungon von Metallen herzustellen, wobei sich beispielsweise Walframoxyd und Cadmiumverl)indungen als geeignet erwiesen haben. Die Herstellung solcher Schichten bedingt aber eine komplizierte Apparatur. Außerdem sind die Schichten meist nicht genügend lichtdurchlässig, so daß die gewünschten Wirkungen nicht in vollem Umfange eintreten.
• Es ist weiteVhiin bekannt, Ziinnioxyd:sdh.idh:ten dadurch herzustellen, daß als Ausgangsrnaterial Zinntetrachlorid verwendet wird. Dieses Verfahren ist insofern mit erheblichen Nachteilen verbunden, als die Ausgangsverbindung stark an der Luft raucht und pro Molekül 4 Moleküle Salzsäure bildet.
• Es ist aber auch bekannt, für diesen Zweck an Stelle von Zinntetrachlorid Zinnchlorür zu verwenden. Als Ausgangssubstanz dient bei einem solchen bekannten Verfahnmeine konzentrierte Azetonlösung, die z. B. auf eine mit einem Leuchtschirm versehene, auf 640° C erwärmte Glasunterlage gesprüht wird. Die dabei entstehende leitende Schicht besteht aus einem Oxyd des vierwertigen Zinns, nämlich Sn 02. Die An@i-endundieses Verfahrens ist insofern stark beschränkt. als bei einer großen Anzahl von Gläsern bereits bei 640° C eine Verformung eintritt.
• Es ist zwar möglich, Sn0 ab 240° C in Sn0, überzuführen, aber nur unter ganz besonderen Bedingungen, nämlich dadurch, daß unter anderem von SnO in feinster Verteilung, z. B. in Form von sehr feinem Pulver ausgegangen wird, so daß dabei auf Grund seiner erheblich großen Oberfläche das Zinnoxyd ein mit dem von Pyrophoren vergleichbares Verhalten zeigt.
• Beim Besprühen von Glasunterlagen, insbesondere von Innenwandungen von Glasgefäßen, herrschen sehr viel ungünstigere Verhältnisse, so daß zur BiQ,-dung von Sn02-Schichten eine wesentlich höhere Temperatur, nämlich etwa 640° C, erforderlich ist.
• Diesem Bekannten gegenüber wird bei dem Verfahren zur Herstellung von Zinnoxyd enthaltenden leitenden Schichten hoher Lichtdurchlässigkeit auf Silikatb.asis elektrischer Entladungsgefäße, insbesondere auf der Innenseite von aus Glas oder Quarz bestehenden Wandungsteilen, in dem eine konzentrierte Lösung von Zinnchlorür in feiner Vernebelung auf die zu bedeckende Unterlage gesprüht wird gemäß der Erfindung die zu bedeckende Unterlage mit einer konzentrierten, wäßrigen Zinnchlorürlösung besprüht und dabei auf 300 bis 400° C erwärmt. Die Erfindung beruht dabei auf der Erkenntnis, daß Zinnchlorürlösungen in dünnster Schicht auf Glas absorbiert werden. Das Verfahren nach der Erfindung kann in der Weise ausgeführt werden, daß eine konzentrierte wäßrige Lösung von Zininchlorür in fein vernebeltem "Zustand auf die Unterlage, welche zu bedecken ist und eine Temperatur von etwa 300 bis 400° C aufweist, aufgesprüht wird. Dabei setzt sich das Zinnchlorür unter Abspaltung von Salzsäure und vorübergehender Bildung voll, Zin.nhydroxyd zu Zinnoxyd um, das mit der Glasunterlage unter Bildung der gewünschten Leitschicht in folgender Weise reagiert: SnCl+21-120-*Sn(OH)2+2HCl Sn (OH),--->- Sn O + H20 Bei dem beschriebenen Verfahren werden pro Molekül des Zinni(II)-Chlori,ds nur 2 Moleküle Salzsäure frei. Die wäßrige Lösung des Zinnchlorürs ist geruchlos und weniger aggressiv, also, angenehmer zu verarbeiten als das bisher als Ausgangsstoff verwendete Zimntetrachlori:d und benetzt außerdem besser die silikatischen Isolierteile als die ebenfalls benutzte konzentrische Azetonlösung von Zinnch1.o-rür. Wesentlich vorteilhaft für dass Verfahren ist die relativ niedrige, aber ausreichende Umwandlungstemperatur von 300 bis 400° C, bei der keinerlei Verformungsgefahr für die Unterlage, z. B. im Falle von Glasteilen, besteht.

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung von Zinnoxyd enthaltenden leitenden Schichten hoher Lichtdurchlässigkeit auf Isolierteilen auf Silikathasis elektrischer Entladungsgefäße, insbesondere auf der Innenseite von aus Glas oder Quarz bestehenden Wandungsteilen, in dem eine konzentrierte Lösung von Zinnchlorür in feiner Vernebelung auf die zu bedeckende Unterlage gesprüht wird, dadurch gekennzeichnet, daß die zu bedeckende Unterlage mit einer konzentrierten wäßrigen Zinnchlorürlösung besprüht und dabei auf 300 bis 400° C erwärmt wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 663 990, 715 655, 856 672, 893 292; USA.-Patentschrift Nr. 2 666 864; britische Patentschrift Nr. 680 404; K. A. Hofmann und U. R. Hofmann, »Anorganische Chemie«, 13. Auflage, 1949, S.547; »The Journal of Physical Chemistry«, 1928, Bd. 32, 1, S. 103 bis 112.