DE10296331B4

DE10296331B4 - Speichersystem zum Speichern von Daten und Verfahren zum Liefern von Leistung innerhalb eines Speichersystems

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Publication number: DE10296331B4
Application number: DE10296331T
Authority: DE
Inventors: John H. Santa Clara Pasternak
Original assignee: SanDisk Corp
Current assignee: SanDisk Technologies LLC
Priority date: 2001-02-16
Filing date: 2002-02-08
Publication date: 2008-07-24
Anticipated expiration: 2022-02-09
Also published as: WO2002067269B1; DE10296331T1; US20020141238A1; WO2002067269A3; GB2388692B; TW550571B; WO2002067269A2; US6577535B2; JP2004526239A; GB0318968D0; GB2388692A; JP3755764B2

Abstract

Speichersystem zum Speichern von Daten, wobei das Speichersystem folgende Merkmale aufweist:
eine Speichersteuerung (202; 302);
eine Mehrzahl von Speicherblöcken (204–206; 304–310), die wirksam mit der Speichersteuerung (202; 302) verbunden sind, wobei jeder der Speicherblöcke (204–206; 304–310) zumindest Datenspeicherungselemente und ein Spannungserzeugungssystem (208–210; 312–318) umfasst; und
einen Leistungsbus (211; 319), der wirksam mit dem Spannungserzeugungssystem (208–210; 312–318) für jeden der Speicherblöcke (204–206; 304–310) verbunden ist,
wobei während des Betriebs des Speichersystems, wenn einer der Speicherblöcke (204–206; 304–310) aktiviert ist, das Spannungserzeugungssystem (208–210; 312–318) innerhalb des einen der Speicherblöcke (204–206; 304–310) deaktiviert ist und statt dessen ein anderes der Spannungserzeugungssysteme (208–210; 312–318), das einem anderen der Speicherblöcke (204–206; 304–310) zugeordnet ist, aktiviert ist, um verschiedene unterschiedliche Spannungspegelsignale zu dem einem der Speicherblöcke (204–206; 304–310) zu liefern, der über den Leistungsbus (211; 319) aktiviert wird.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Speichersystem zum Speichern von Daten und auf ein Verfahren zum Liefern von Leistung innerhalb eines Speichersystems und insbesondere auf eine Spannungserzeugung innerhalb von Speichersystemen.
Speicherkarten werden üblicherweise verwendet, um digitale Daten zur Verwendung mit verschiedenen Produkten zu speichern (z. B. elektronischen Produkten). Beispiele von Speicherkarten sind Flashkarten, die Flash-Typ- oder EEPROM-Typ-Speicherzellen verwenden, um die Daten zu speichern. Flashkarten weisen einen relativ niedrigen Formfaktor auf und wurden verwendet, um digitale Daten für Produkte zu speichern, wie z. B. Kameras, Hand-gehaltener Computer, Set-Top-Boxen, Hand-gehaltene oder andere kleine Audio-Player/Recorder (z. B. MP3-Geräte) und medizinische Überwachungsvorrichtungen.
1 ist ein Blockdiagramm eines herkömmlichen Speichersystems 100. Das herkömmliche Speichersystem 100 stellt z. B. eine Speicherkarte (z. B. Flashkarte) dar. Das herkömmliche Speichersystem 100 umfaßt eine Speichersteuerung 102 und Speicherchips 104–110. Die Anzahl von Speicherchips 104–110 hängt von der Speicherungskapazität ab, die durch das herkömmliche Speichersystem 100 geliefert werden soll.
Die Speichersteuerung 102 empfängt eine Eingangsspannung (V_IN) 112 und einen Eingabe-/Ausgabe-(I/O)Bus 114. Die Speichersteuerung 102 ist wirksam, um einen Adreß-/Daten-/Steuerungs-Bus 116 zu jedem der Speicherchips 104–110 zu liefern. Zusätzlich dazu erzeugt die Speichersteuerung 102 Chipauswahlsignale (CS-Signale; CS = chip select) 118, die zu Chipaktivierungsanschlüssen (CE-Anschlüssen; CE = chip enable) von jedem der Speicherchips 104–110 geliefert werden. Die Speichersteuerung 102 verwendet die Chipauswahlsignale 118, um einen der Speicherchips 104–110 selektiv zu aktivieren, auf den für eine Daten-Speicherung oder -Wiedergewinnung zugegriffen werden soll. Zusätzlich dazu, da die Speicherchips 104–110 verschiedene Spannungspegel für eine Operation erfordern, umfaßt die Speichersteuerung 102 eine Ladungspumpen- und Reglerschaltung 120. Die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 120 ist zentral in der Speichersteuerung 102 bereitgestellt und erzeugt verschiedene unterschiedliche Ausgangsspannungspegel, die zu jedem der Speicherchips 104–110 über eine Spannungsversorgung 122 geliefert werden. Als ein Beispiel könnte die Eingangsspannung (V_IN) 112 3,3 oder 1,8 Volt betragen, und die unterschiedlichen Ausgangsspannungspegel könnten 3 Volt, 6 Volt, 12 Volt und 24 Volt betragen.
Obwohl das Speichersystem 100, das in 1 gezeigt ist, für eine Hochgeschwindigkeits- und Hochkapazitäts-Verwendung geeignet ist, bestanden Probleme beim Herstellen der Speichersteuerung 102 des Speichersystems 100. Genauer gesagt existiert nur eine begrenzte Anzahl von Halbleiterherstellungsfabriken, die in der Lage sind und Willens sind, die Speichersteuerung 102 mit eingelagerter Ladungspumpe und Regler 120 herzustellen. Die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 120 erfordert Hochspannungsvorrichtungen, und somit ist ein weiter entwickelter Herstellungsprozeß beim Herstellen der Halbleitersteuerung 102 erforderlich. In Anbetracht der eingeschränkten Verfügbarkeit von Fabriken zum Herstellen der Speichersteuerung 102 ist es wünschenswert, alternative Möglichkeiten zum Herstellen eines Speichersystems zu finden, das mit hoher Geschwindigkeit und hoher Kapazität arbeitet, jedoch den Bedarf nach einem hochentwickeltem Verarbeiten der Speichersteuerung 102 verhindert, so daß mehr Herstellungsfabriken verfügbar sind.
Eine Lösung ist es, die Ladungspumpe und den Regler 120 aus der Speichersteuerung 102 zu entfernen. Dies führt dazu, daß die Speichersteuerung 102 wesentlich leichter herzustellen ist und somit ihre Herstellung zahlreichen verfügbaren Fabriken ermöglicht. Die Ladungspumpen- und Reglerschaltung muß daher anderswo innerhalb des Speichersystems vorgesehen sein. Bei einem Lösungsansatz kann die Ladungspumpen- und Reglerschaltungsanordnung innerhalb jedes Speicherchips vorgesehen sein. Das Bereitstellen der Ladungspumpen- und Reglerschaltungsanordnung innerhalb der Speicherchips ist jedoch nicht umständlich, da der Speicherchip bereits eine hochentwickelte integrierte Schaltungsvorrichtung ist, die ein hochentwickeltes Verarbeiten verwendet, genauer gesagt nicht flüchtige (z. B. FLASH-)Speicher. Während der Operation entsteht jedoch ein Problem aus dem Rauschen, das durch die Hochspannungsvorrichtungen innerhalb der Ladungspumpen- und Reglerschaltung erzeugt wird. Folglich wird die empfindliche analoge Schaltungsanordnung innerhalb der Speicherchips durch dieses Rauschen gestört und verursacht daher, daß das Verhalten des Speicherchips verlangsamt wird, um das zusätzliche Rauschen zu kompensieren.
Die US-A-5,563,825 beschreibt eine programmierbare Leistungserzeugungsschaltung für Flash-EEPROM-Speichersysteme. Das Speichersystem umfasst zumindest ein EEPROM-Speichermodul, welches seinerseits zumindest einen Flash-EEPROM-Chip aufweist, der eine auf dem Chip angeordnete, programmierbare Leistungserzeugungsschaltung umfasst, die eine Hochspannungs-Generatorschaltung aufweist, die in der Lage ist, eine hohe Spannung ausgehend von einer Logikspannung, die dem Chip bereitgestellt wird, zu erzeugen. Neben den erforderlichen Elementen für das Speicherelement ist ferner ein Multi-Spannungs-Generator/Regler vorgesehen, der eine Mehrzahl von Registern aufweist und die Programmierungs-, Lese- und Lösch-Spannung bereitstellt, die für den ordnungsgemäßen Betrieb des Systems erforderlich sind. Die erforderlichen Spannungen werden aus digitalen Werten, die in der Mehrzahl von Registern gespeichert sind, durch die Steuerung erzeugt. Die Hochspannungs-Generatorschaltung umfasst sowohl eine Hochstrom-Spannungspumpe als auch eine Niedrigstrom-Spannungspumpe, um die Hochspannung zu erzeugen. Die Hochstrom-Spannungspumpe ist mit einer großen, außerhalb des Chips befindlichen Ladungsspeichereinheit verbunden, und die Niedrigstrom-Spannungspumpe ist mit einer kleinen, auf dem Chip befindlichen Ladungsspeichereinheit verbunden. Die Steuerung kann über entsprechende Steuersignale eine der Ladungspumpen aktivieren, wobei auch beide Ladungspumpen deaktiviert werden können, um die hohe Spannung von einem anderen EEPROM-Chip zu erhalten, der sich innerhalb des Flash-Moduls befindet.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen verbesserten Lösungsansatz zum Einlagern einer Ladungspumpen- und Reglerschaltungsanordnung innerhalb von Speichersystemen zu schaffen, die die Fabrikverfügbarkeit nicht einschränken und die das Verhalten nicht kompromittieren.
Diese Aufgabe wird durch ein Speichersystem nach Anspruch 1 und ein Verfahren nach Anspruch 22 gelöst.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Allgemein ausgedrückt bezieht sich die Erfindung auf Techniken zum Herstellen und Liefern verschiedener Spannungspegel innerhalb eines Speichersystems, das verschiedene Speicherblöcke (z. B. Speicherchips) und einen Steuerungschip aufweist. Die verschiedenen Spannungspegel können durch eine Ladungspumpen- und Reglerschaltungsanordnung innerhalb des Speichersystems erzeugt werden. Die verschiedenen Spannungspegel können zu den mehreren Speicherblöcken durch einen Leistungsbus geliefert werden. Das Speichersystem ist geeignet für eine Hochleistungsoperation und eine Fabrikverfügbarkeit für Steuerungsherstellung wird nicht durch das Vorhandensein einer Spannungs-(Versorgungs-)Erzeugungsschaltungsanordnung behindert.
Die Erfindung kann auf zahlreiche Weisen implementiert werden, einschließlich einem System, einer Vorrichtung oder einem Verfahren. Verschiedene Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend erörtert.
Als ein Speichersystem zum Speichern von Daten umfaßt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung zumindest: eine Speichersteuerung; eine Mehrzahl von Speicherblöcken, die wirksam mit der Speichersteuerung verbunden sind, wobei jeder der Speicherblöcke zumindest Datenspeicherungselemente und ein Spannungserzeugungssystem umfaßt; und einen Leistungsbus, der wirksam mit der Ladungspumpenschaltung für jeden der Speicherblöcke verbunden ist. Während des Betreibens des Speichersystems, wenn einer der Speicherblöcke aktiviert ist, wird die Spannungserzeugungssystemschaltung innerhalb des einen der Speicherblöcke deaktiviert und statt dessen wird ein anderes der Spannungserzeugungssysteme, das einem anderen der Speicherblöcke zugeordnet ist, aktiviert, um unterschiedliche Spannungspegelsignale zu dem einen der Speicherblöcke über den Leistungsbus zu liefern. Als ein Speichersystem umfaßt ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung zumindest: einen ersten Speicherblock, der zumin dest erste Datenspeicherungselemente und eine erste Ladungspumpenschaltung umfaßt; einen zweiten Speicherblock, der zumindest zweite Datenspeicherungselemente und eine zweite Ladungspumpenschaltung umfaßt; eine Speichersteuerung, die operativ mit dem ersten Speicherblock und dem zweiten Speicherblock verbunden ist, wobei die Speichersteuerung zumindest ein Auswahlsignal erzeugt, wobei das zumindest eine Auswahlsignal bei der selektiven Aktivierung des ersten und des zweiten Speicherblocks verwendet wird; und einen Leistungsbus, der die erste Ladungspumpenschaltung und die zweite Ladungspumpenschaltung operativ verbindet.
Als ein Verfahren zur Leistungserzeugung innerhalb eines Speichersystems, das eine Mehrzahl von Speicherblöcken aufweist, wobei jeder der Speicherblöcke eine Leistungserzeugungsschaltung umfaßt, umfaßt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung zumindest folgende Schritte: Aktivieren von einem der Speicherblöcke für einen Datenzugriff, während der andere der Speicherblöcke deaktiviert ist; Aktivieren von einer der Leistungserzeugungsschaltungen, die in einem der Speicherblöcke vorliegt, der deaktiviert ist; und Liefern von Leistung von einer der Leistungserzeugungsschaltungen, die aktiviert ist, zu einem der Speicherblöcke, der aktiviert ist.
Als ein Speicherchip umfaßt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung zumindest: eine Mehrzahl von Datenspeicherungselementen zur Speicherung von Daten; und eine Leistungserzeugungsschaltung zum Erzeugen von Leistungssignalen. Der Speicherchip umfaßt eine Chipfreigabe zum Freigeben/Sperren der Datenspeicherungselemente des Speicherchips, und der Speicherchip umfaßt eine Ladungspumpenfreigabe zum Freigeben/Sperren der Leistungserzeugungsschaltung.
Als ein Speichersystem umfaßt ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung zumindest: eine erste Speicherblockeinrichtung zum Speichern von Daten in ersten Datenspeiche rungselementen und zum Erzeugen von ersten Leistungssignalen; eine zweite Speicherblockeinrichtung zum Speichern von Daten in zweiten Datenspeicherungselementen und zum Erzeugen von zweiten Leistungssignalen; eine Speichersteuerung, die wirksam mit der ersten Speicherblockeinrichtung und der zweiten Speicherblockeinrichtung verbunden ist, wobei die Speichersteuerung zumindest ein Auswahlsignal erzeugt, wobei das zumindest eine Auswahlsignal bei der selektiven Aktivierung der ersten und der zweiten Speicherblockeinrichtung verwendet wird; und einen Leistungsbus zum Liefern von entweder den ersten Leistungssignalen zu der zweiten Speicherblockeinrichtung oder den zweiten Leistungssignalen zu der ersten Speicherblockeinrichtung.
Als ein elektronisches System umfaßt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung zumindest: eine Datenerfassungsvorrichtung; und eine Datenspeicherungsvorrichtung, die abnehmbar mit der Datenerfassungseinheit gekoppelt ist. Die Datenspeicherungsvorrichtung speichert Daten, die durch die Datenerfassungsvorrichtung erfaßt wurden. Die Datenspeicherungsvorrichtung umfaßt zumindest: eine Speichersteuerung; eine Mehrzahl von Speicherblöcken, die wirksam mit der Speichersteuerung verbunden sind, wobei jeder der Speicherblöcke zumindest Datenspeicherungselemente und ein Spannungserzeugungssystem umfaßt; und einen Leistungsbus, der wirksam mit der Ladungspumpenschaltung für jeden der Speicherblöcke verbunden ist. Während des Betriebs der Datenspeicherungsvorrichtung, wenn einer der Speicherblöcke aktiviert ist, ist das Spannungserzeugungssystem innerhalb von einem der Speicherblöcke deaktiviert und statt dessen ist ein anderes der Spannungserzeugungssysteme, das einem anderen der Speicherblöcke zugeordnet ist, aktiviert, um unterschiedliche Spannungspegelsignale zu dem einen der Speicherblöcke über den Leistungsbus zu liefern.
Andere Aspekte und Vorteile der Erfindung werden aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen offensichtlich, die beispielhafte Prinzipien der Erfindung darstellen.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die Erfindung ist ohne weiteres durch die nachfolgende detaillierte Beschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen verständlich, wobei gleiche Bezugszeichen gleiche strukturelle Elemente bezeichnen, und wobei:
1 ein Blockdiagramm eines herkömmlichen Speichersystems ist;
2A ein Blockdiagramm eines Speichersystems gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist;
2B ein Blockdiagramm eines Speichersystems gemäß einer alternativen Anordnung für das Ausführungsbeispiel ist, das in 2A gezeigt ist;
3A ein Blockdiagramm eines Speichersystems gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung ist;
3B ein schematisches Diagramm einer Logikschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist;
4 ein Blockdiagramm eines Speichersystems gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung ist; und
5 ein Blockdiagramm einer Speicherkarte gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
Die Erfindung bezieht sich auf Techniken zum Erzeugen und Liefern verschiedener Spannungspegel innerhalb eines Speichersystems, das mehrere Speicherblöcke (z. B. Speicherchips) und einen Steuerungschip aufweist. Die verschiedenen Spannungspegel können durch eine Ladungspumpen- und Reglerschaltungsanordnung innerhalb des Speichersystems erzeugt werden. Die verschiedenen Spannungspegel können zu den mehreren Speicherblöcken durch einen Leistungsbus geliefert werden. Das Speichersystem ist geeignet für eine Hochleistungsoperation und die Fabrikverfügbarkeit für eine Steuerungsherstellung wird durch das Vorhandensein einer Spannungs-(Versorgungs-)Erzeugungsschaltungsanordnung nicht eingeschränkt.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung sind Ladungspumpen- und Reglerschaltungen (allgemein ausgedrückt Spannungserzeugungsschaltungen) innerhalb von jedem der Speicherblöcke eines Speichersystems bereitgestellt. Ferner werden die Ladungspumpen- und Reglerschaltungen selektiv freigegeben, um Spannungssignale zu anderen Speicherblöcken als ihren eigenen Speicherblöcken zu liefern. Folglich stört ein Rauschen, das durch eine Ladungspumpen- und Reglerschaltung erzeugt wird, die Operation des aktiven Speicherblocks nicht wesentlich, der für einen Zugriff ausgewählt ist, da die Ladungspumpen- und Reglerschaltung, die verwendet wird, einem anderen Speicherblock zugeordnet ist.
Ausführungsbeispiele dieses Aspekts der Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf 2–5 erörtert. Fachleute auf dem Gebiet werden jedoch ohne weiteres erkennen, daß die hierin gegebene detaillierte Beschreibung im Hinblick auf diese Figuren zu Erklärungszwecken dient, da sich die Erfindung über diese beschränkten Ausführungsbeispiele erstreckt.
2A ist ein Blockdiagramm eines Speichersystems 200 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das Speichersystem 200 ist z. B. einer Speicherkarte (wie z. B. einer Steckkarte), einem Speicherstab oder einem anderen Halbleiterspeicherprodukt zugeordnet. Beispiele von Speicherkarten umfassen eine PC-Karte (früher PCMCIA-Vorrichtung), eine Flashkarte, eine Flash-Platte, eine Multimediakarte und eine ATA-Karte.
Das Speichersystem 200 umfaßt eine Steuerung 202, einen Speicherblock A 204 und einen Speicherblock B 206. Der Speicherblock A 204 umfaßt eine Ladungs-Pumpen und -Regler-Schaltung 208. Der Speicherblock B 206 umfaßt eine Ladungspumpen- und Reglerschaltung 210. Die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 210 und die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 208 sind miteinander über einen Leistungsbus 211 gekoppelt. Jede der Ladungspumpen- und Reglerschaltungen 208 und 210 erzeugt eine Mehrzahl von unterschiedlichen Spannungspegelsignalen, die auf dem Leistungsbus 211 zur Verwendung durch den Speicherblock A 204 oder den Speicherblock B 206 geliefert werden.
Die Steuerung 202 empfängt eine Eingangsspannung (V_IN) 212 und einen Eingangs-/Ausgangs-Bus (I/O-Bus) 214. Die Steuerung 202 gibt ferner eine Ausgangsspannung (V_OUT) 213 aus. Die Ausgangsspannung (V_OUT) 213 wird zu dem Speicherblock A 204 und dem Speicherblock B 206 geliefert. Die Steuerung 202 ist ferner mit dem Speicherblock A 204 und dem Speicherblock B 206 mit einem Adreß-/Daten-/Steuerungs-Bus 216 und einem Chipauswahlsignal (CS-Signal) 218 gekoppelt. Der Adreß-/Daten-/Steuerungs-Bus 216 ist wirksam, um Adreß- und Daten-Signale zwischen der Steuerung 202 und den Speicherblöcken 204 und 206 zu liefern. Das Chipauswahlsignal 218 wird durch die Steuerung 202 erzeugt, um einen der Speicherblöcke 204 und 206 durch ein Chipfreigabeeingang (CE-Eingang) selektiv zu aktivieren. Zusätzlich dazu wird das Chipauswahlsignal 218 zu einem Pumpenfreigabeeingang (PE-Eingang) geliefert und wird verwendet, um eine der Ladungs pumpen- und Reglerschaltungen 208 und 210 selektiv zu aktivieren.
Es sollte darauf hingewiesen werden, daß die Steuerung 202 keine Ladungspumpen- und Reglerschaltungsanordnung umfaßt, was somit deren Herstellung erleichtert und Fabriken verfügbarer macht. Gemäß der Erfindung umfaßt jeder der Speicherblöcke 204 und 206 die Ladungspumpen- und Reglerschaltungen 208 bzw. 210. In Anbetracht, daß die Speicherblöcke 204 und 206 bereits anderweitig eine komplexe Herstellungsverarbeitung erfordern, führt die Hinzufügung der Ladungspumpen- und Reglerschaltungen 208 und 210 nicht zu einem Fabrikverfügbarkeitsproblem. Da jedoch die Ladungspumpen- und Reglerschaltungen 208 und 210 ein bedeutendes Rauschen beim Erzeugen mehrerer unterschiedlicher Spannungen erzeugen, ist die Erfindung ferner wirksam, um ihre Verwendung zu steuern, um die Auswirkung des Rauschens auf die Fähigkeit zum Zugreifen auf und Betreiben der Speicherblöcke 204 und 206 zu verringern.
Genauer gesagt, wenn der Speicherblock A 204 durch das Chipauswahlsignal 218 freigegeben (aktiviert) wird, dann wird der Speicherblock B 206 durch das Chipauswahlsignal 218 gesperrt (deaktiviert). Ein Inverter 220 dient zum Invertieren des Chipsauswahlsignals 218, bevor dasselbe an dem Chipfreigabeeingang (CE-Eingang) des Speicherblocks B 206 empfangen wird. Ferner, wenn der Speicherblock A 204 freigegeben ist, ist die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 208 innerhalb des Speicherblocks A 204 gesperrt und die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 204 innerhalb des Speicherblocks B 206 ist freigegeben. Ein Inverter 222 dient zum Invertieren des Chipfreigabesignals 218, bevor dasselbe an dem Pumpenfreigabeeingang (PE-Eingang) des Speicherblocks A 204 empfangen wird. Somit, wenn der Speicherblock A 204 freigegeben ist, erzeugt die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 210 (innerhalb des Speicherblocks B 206) die Spannungssignale zur Verwendung durch den Speicherblock A (nämlich die Speicherzellen in demselben) 204 über den Leistungsbus 211.
Alternativ dazu, wenn der Speicherblock B 206 durch das Chipauswahlsignal 218 (nach der Inversion durch den Inverter 220) freigegeben (aktiviert) ist, ist der Speicherblock A 204 durch das Chipauswahlsignal 218 gesperrt (deaktiviert). Ferner, wenn der Speicherblock B 206 freigegeben ist, ist die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 210 innerhalb des Speicherblocks B 206 gesperrt und die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 208 innerhalb des Speicherblocks A 204 ist freigegeben. Somit, wenn der Speicherblock B 206 freigegeben ist, erzeugt die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 208 (innerhalb des Speicherblocks A 204) die Spannungssignale zur Verwendung durch den Speicherblock B (nämlich die Speicherzellen innerhalb desselben) 206 über den Leistungsbus 211.
Bei diesem Ausführungsbeispiel liefert das Chipauswahlsignal 218 den Chipfreigabeeingang (CE-Eingang) sowie den Pumpenfreigabeeingang (PE-Eingang). Die Inverter 220 und 222 sind Logikvorrichtungen, die bei diesem Ausführungsbeispiel dazu dienen, sicherzustellen, daß nicht nur nur ein Speicherblock und nur eine Ladungspumpen- und Reglerschaltung gleichzeitig freigegeben sind, sondern ferner, daß die Ladungspumpen- und Reglerschaltung, die freigegeben ist, innerhalb eines unterschiedlichen Speicherblocks vorliegt als dem Speicherblock, der freigegeben ist. Andere Logik-Vorrichtungen und -Signale können zusätzlich oder alternativ verwendet werden, um die Speicherblöcke und die Ladungspumpen- und Reglerschaltungen zu aktivieren/deaktivieren. Diese Logikvorrichtungen (einschließlich der Inverter 220 und 222) können entweder in der Steuerung 202 oder den Speicherblöcken 204 und 206 integriert sein.
Die Ausgangsspannung (V_OUT) 213 kann die Eingangsspannung (V_IN) 212 sein, wie sie durch die Steuerung 202 empfangen und zu den Speicherblöcken 204 und 206 (z. B. ungeregelt) weitergeleitet wird. Die Ladungspumpen- und Reglerschaltungen 208 und 210 erzeugen die Spannungssignale zur Verwendung durch die Speicherblöcke 204 und 206 unter Verwendung der Ausgangsspannung (V_OUT) 213. Eine solche Anordnung folgt, wenn wie oben erwähnt die Steuerung 202 keine Ladungspumpen- und Reglerschaltungsanordnung umfaßt. Trotzdem ist es möglich, daß die Steuerung 202 eine Reglerschaltungsanordnung umfaßt, um die Eingangsspannung (V_IN) 212 zu regeln, um die Ausgangsspannung (V_OUT) 213 auf einen bestimmten Spannungspegel zu erzeugen. Die Einlagerung der Reglerschaltungsanordnung würde jedoch die Herstellung etwas komplizierter und Fabriken weniger verfügbar machen.
Es sollte ferner darauf hingewiesen werden, daß bei anderen Ausführungsbeispielen die Ausgangsspannung (V_OUT) 213 nicht verwendet werden muß; statt dessen könnte die Eingangsspannung (V_IN) 212 direkt oder indirekt zu den Speicherblöcken 205 und 206 geliefert werden. Zusätzliche Details über solche Ausführungsbeispiele oder Konfigurationen sind ersichtlich in der U.S.-Patentanmeldung Nummer 09/788,120 mit dem Titel „Verfahren und System zur Erzeugung und Verteilung von Versorgungsspannungen in Speichersystemen", eingereicht am selben Tag und veröffentlicht als US 6 434 044 B1 .
2B ist ein Blockdiagramm eines Speichersystems 250 gemäß einer alternativen Anordnung für das Ausführungsbeispiel, das in 2A gezeigt ist. Obwohl es allgemein ähnlich zu dem Speichersystem in 2A ist, liefert das Speichersystem 250 die Eingangsspannung (V_IN) 212 direkt zu den Speicherblöcken 206 und 208. Zusätzlich dazu, um eine Versorgungsspannung zu der Steuerung 202 zu liefern, erzeugen die Ladungspumpen- und Reglerschaltungen 208 und 210 eine geregelte Spannung (VR), die zu der Steuerung über den Leistungsbus 211 geliefert werden kann. Somit empfängt die Steuerung bei dieser Anordnung die geregelte Spannung (VR) im Gegensatz zu der Eingangsspannung (V_IN) 212.
3A ist ein Blockdiagramm eines Speichersystems 300 gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das Speichersystem 300 ist z. B. einer Speicherkarte (wie z. B. eine Steckkarte), einem Speicherstab oder einem anderen Halbleiterspeicherprodukt zugeordnet.
Das Speichersystem 300 umfaßt eine Speichersteuerung 302 und Speicherblöcke 304–310. Bei diesem Ausführungsbeispiel umfaßt das Speichersystem 300 vier separate Speicherblöcke, nämlich Speicherblöcke 304–310. Es sollte jedoch darauf hingewiesen werden, daß das Speichersystem 300 allgemein zwei oder mehr Speicherblöcke umfassen kann. Jeder der Speicherblöcke 304–310 umfaßt eine Ladungspumpen- und Reglerschaltung 312–318. Die Ladungspumpen- und Reglerschaltungen 312–318 sind parallel durch einen Leistungsbus 319 verbunden. Jeder der Speicherblöcke 304–310 umfaßt ferner ein Array aus Speicherzellen, die eine nicht flüchtige, digitale Datenspeicherung liefern. Die Speicherzellen sind elektrisch programmierbar und elektrisch löschbar. Allgemein sind Speicherzellen Datenspeicherungselemente. Die Speicherblöcke können z. B. EEPROM- oder FLASH-Vorrichtungen sein. Die Speicherblöcke 304–310 sind jeweils separate Halbleiter-Formen, -Chips oder -Produkte. Die Speichersteuerung 302 ist ferner eine separate Halbleiter-Form, ein -Chip oder ein -Produkt.
Die Speichersteuerung 302 empfängt eine Eingangsspannung (V_IN) 320. Zusätzlich dazu ist die Speichersteuerung 302 mit einem Eingangs-/Ausgangs-Bus (I/O-Bus) 322 gekoppelt. Die Speichersteuerung 302 liefert einen Adreß-/Daten/Steuerungs-Bus 324 zu jedem der Speicherblöcke 304–310. Zusätzlich dazu erzeugt die Speichersteuerung 302 ein Chipauswahlsignal (CS0) 326 und ein Chipauswahlsignal (CS1) 328. Das Chipauswahlsignal 326 und das Chipauswahlsignal 328 werden zu einer Logikschaltung 330 geliefert. Die Logikschaltung 330 erzeugt ein Chipfreigabesignal und ein Pumpenfreigabesignal für jeden der Speicherblöcke 304–310. Genauer gesagt erzeugt die Logikschaltung 330 Chip freigabesignale CE0, CE1, CE2 und CE3, die jeweils zu Chipfreigabeeingängen (CE-Eingängen) (z. B. Eingangsanschlüssen) der Speicherblöcke 304–310 geliefert werden. Diese Chipfreigabesignale C0, C1, C2 und C3 bestimmen somit jeweils, ob die Speicherblöcke 304–310 freigegeben (aktiviert) oder gesperrt (deaktiviert) werden. Während der Operation wird normalerweise nur einer der Speicherblöcke 304–310 zu einer Zeit freigegeben. Ferner erzeugt die Logikschaltung 330 Pumpenfreigabesignale PE0, PE1, PE2 und PE3, die jeweils zu den Pumpenfreigabeeingängen (PE-Eingängen) (z. B. Eingangsanschlüssen) der Speicherblöcke 304–310 geliefert werden. Diese Pumpenfreigabesignale PE0, PE1, PE2 und PE3 bestimmen somit jeweils, ob die Ladungspumpen- und Reglerschaltungen 312–318 freigegeben (aktiviert) oder gesperrt (deaktiviert) werden. Während der Operation wird normalerweise nur eine der Ladungspumpen- und Reglerschaltungen 312–318 gleichzeitig freigegeben (aktiviert). Wiederum weiterhin befindet sich die nur eine der Ladungspumpen- und Reglerschaltungen 312–318, die freigegeben ist, in einem unterschiedlichen Speicherblock 304–310 als dem Speicherblock 304–310, der freigegeben ist.
Anders ausgedrückt wird der Chipfreigabeeingang (CE-Eingang) verwendet, um die Speicherblöcke 304–310 freizugeben/zu sperren. Als solches wird die Fähigkeit, auf die Speicherzellen innerhalb der Speicherblöcke 304–310 zuzugreifen (z. B. Lesen, Programmieren oder Löschen) durch die Chipfreigabesignale gesteuert, die durch die Logikschaltung 330 geliefert werden. Wenn der Chipfreigabeeingang (CE-Eingang) „hoch" (oder logischer Pegel „1") ist, sind die Speicherzellen innerhalb des zugeordneten Speicherblocks mit dem Adreß-/Daten-/Steuerungs-Bus 324 gekoppelt und können daher zugegriffen werden. Alternativ dazu, wenn der Chipfreigabeeingang (CE-Eingang) „niedrig" (oder logischer Pegel „0") ist, sind die Speicherzellen innerhalb des Speicherblocks von dem Adreß-/Daten-/Steuerungs-Bus 324 isoliert. Zusätzlich dazu, wenn der Pumpenfreigabeeingang (PE-Eingang) „hoch" ist, ist die zugeordnete Ladungspumpen- und Reglerschaltung freigegeben (aktiv), um verschiedene Spannungssignale zu erzeugen. Andererseits, wenn der Pumpenfreigabeeingang (PE-Eingang) „niedrig" ist, ist die Ladungspumpen- und Reglerschaltung gesperrt (inaktiv).
Gemäß dem Decodieren der Chipauswahlsignale 326 und 328 durch die Logikschaltung 330 wird nur einer der Speicherblöcke 304–310 und nur eine der Ladungspumpen- und Reglerschaltungen 312–318 zu einem gegebenen Zeitpunkt freigegeben. Die eine der Ladungspumpen- und Reglerschaltungen 312–318 jedoch, die freigegeben ist, liegt innerhalb eines unterschiedlichen Speicherblocks zu dem der Speicherblöcke 304–310, der aktiviert ist, so daß die Speicherzellen in demselben ohne Rauschhinderung von der aktiven Ladungspumpen- und Reglerschaltung zugegriffen werden können. Wenn die Chipauswahlsignale 326 und 328 z. B. verursachen, daß der Chipfreigabeeingang (CE-Eingang) für den Speicherblock 304 „hoch" ist, dann wird der Speicherblock 304 (genauer gesagt die Speicherzellen in demselben) freigegeben. Gleichzeitig jedoch wird die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 312 für den Speicherblock 304 gesperrt. Statt dessen kann eine der Ladungspumpen- und Reglerschaltungen 314, 316 und 318 freigegeben werden, um die benötigten Spannungssignale zu dem Speicherblock 304 über den Leistungsbus 319 zu liefern. Folglich ist das Rauschen, das durch die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 314, 316 oder 318 erzeugt wird, weitgehend von dem Speicherblock 304 isoliert, in dem auf die Speicherzellen zugegriffen wird.
Tabelle 1 stellt ein exemplarisches Ausführungsbeispiel zum Freigeben der Speicherblöcke und ihrer Ladungspumpen- und Reglerschaltungen dar. Tabelle 1 reflektiert eine exemplarische Operation der Logikschaltung 330, wo die Chipauswahlsignale (CS0 und CS1) 326 und 328 Eingangssignale sind und die Chipfreigabesignale (CE0, CE1, CE2 und CE3) und die Pumpenfreigabesignale (PE0, PE1, PE2 und PE3) für die Speicherblöcke 304–310 Ausgangssignale sind. Tabelle 1

Chipauswahl Chipfreigabe und Pumpenfreigabe

CS1 CS0 CE0 PE0 CE1 PE1 CE2 PE2 CE3 PE3

0 0 1 0 0 0 0 0 0 1

1 0 0 0 1 0 0 1 0 0

0 1 0 0 0 1 1 0 0 0

1 1 0 1 0 0 0 0 1 0
Die exemplarische Operation der Logikschaltung 330 gemäß Tabelle 1 wird weiter wie folgt erklärt. Wenn die Chipauswahlsignale 326 und 328 beide „niedrig" sind, dann ist der Chipfreigabeeingang (CE-Eingang) des Speicherblocks 304 „hoch" und der Pumpenfreigabeeingang (PE-Eingang) für die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 318 innerhalb des Speicherblocks 310 ist freigegeben. In diesem Fall sind die Speicherzellen innerhalb des Speicherblocks 304 freigegeben, während die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 318, die dem Speicherblock 310 zugeordnet ist, freigegeben ist, um die Spannungssignale zu dem Speicherblock 304 über den Leistungsbus 319 zu liefern. In diesem Fall werden ferner die anderen der Speicherblöcke 306–310 und die anderen der Ladungspumpen- und Reglerschaltungen 312–316 alle gesperrt. Auf ähnliche Weise, wenn das Chipauswahlsignal 326 „niedrig" ist, und das Chipauswahlsignal 328 „hoch" ist, dann ist der Chipfreigabeeingang (CE-Eingang) für den Speicherblock 306 „hoch" und der Pumpenfreigabeeingang (PE-Eingangssignal) für die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 316 innerhalb des Speicherblocks 308 ist freigegeben. Auf ähnliche Weise, wenn das Chipauswahlsignal 326 „hoch" ist, und das Chipauswahlsignal 328 „niedrig" ist, dann ist der Chipfreigabeeingang (PE-Eingang) für den Speicherblock 2 308 „hoch" und der Pumpenfreigabeeingang (PE-Eingang) für die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 314 ist „hoch". Schließlich, wenn das Chipauswahlsignal 326 und das Chipauswahlsignal 238 beide „hoch" sind, dann ist der Chipfreigabeeingang (CE-Eingang) für den Speicherblock 310 „hoch" und der Pumpenfreigabeeingang (PE-Eingang) für die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 312 ist „hoch".
3B ist ein schematisches Diagramm einer Logikschaltung 350 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. Die Logikschaltung 350 stellt ein Ausführungsbeispiel für die Logikschaltung 330 dar, die in 3A dargestellt ist. Genauer gesagt erzeugt die Logikschaltung 350 Chipfreigabesignale (CE-Signale) und Pumpenfreigabesignale (PE-Signale) für vier (4) separate Speicherblöcke. Die Logikschaltung 350 empfängt die Chipauswahlsignale CS0 und CS1 als Eingänge und gibt Chipfreigabesignale CE0–CE3 und Pumpenfreigabesignale PE0–PE3 aus. Die Logikschaltung 350 umfaßt AND-Gatter 352–358 und Inverter 360–364.
Die Anordnung für die Logikschaltung 350, die in 3B gezeigt ist, stellt ein Ausführungsbeispiel für die Logikschaltung 330 dar. Fachleute auf dem Gebiet sollten erkennen, daß verschiedene andere Implementierungen und Anordnungen für die Logikschaltung 330 verwendet werden können. Ferner, wie oben erwähnt wurde, kann die Verwendung einer bestimmten Ladungspumpen- und Reglerschaltung innerhalb eines anderen der Speicherblöcke zum Liefern von Spannungssignalen zu einem freigegebenen Speicherblock ferner von der abweichen, die in 3B gezeigt ist.
4 ist ein Blockdiagramm eines Speichersystems 400 gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das Speichersystem 400 ist allgemein ähnlich zu dem Speichersystem 300, das in 3A dargestellt ist. Das Speichersystem 400 umfaßt jedoch eine Speichersteuerung 404, die direkt ein Chipfreigabesignal (CE-Signal) und ein Pumpenfreigabesignal (PE-Signal) für jeden der Speicherblöcke 304–310 erzeugt. Im Vergleich mit dem Speichersystem 300 umfaßt die Speichersteuerung 404 eine Logik zum Freigeben/Sperren von nicht nur jedem der Speicherblöcke 304–310, sondern ferner jeder der Ladungspumpen- und Aktivierungs-Schaltungen 312–318. Die Chipfreigabesignale (CE- Signale) werden zu den Speicherblöcken 304–310 über einen CE-Bus 406 geliefert. Die Pumpenfreigabesignale (PE-Signale) werden zu den Speicherblöcken 304–310 über einen PE-Bus 408 geliefert. Genauer gesagt trägt der CE-Bus 406 Chipfreigabesignale (CE0, CE1, CE2 und CE3), und der PE-Bus 408 trägt Pumpenfreigabesignale (PE0, PE1, PE2 und PE3).
5 ist ein Blockdiagramm einer Speicherkarte 500 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. Die Speicherkarte 500 ist z. B. ein gehäustes Datenspeicherungsprodukt. Die Speicherkarte 500 stellt ein repräsentatives Layout für die Mehrzahl von Speicherblöcken dar, die der Speicherkarte 500 zugeordnet und innerhalb derselben vorgesehen sind. Genauer gesagt umfaßt die repräsentative Speicherkarte 500 einen Speicherblock 504, einen Speicherblock 506, einen Speicherblock 508 und einen Speicherblock 510. Jeder der Speicherblöcke 504–510 umfaßt eine Ladungspumpen- und Reglerschaltung 512, 514, 516 bzw. 518. Die Speicherblöcke 504–510 sind auf der Speicherkarte 500 derart ausgelegt, daß jeder einzelne der Speicherblöcke in der Nähe einer Ecke der Speicherkarte vorgesehen ist. In diesem Fall ermöglicht das Layout eine Trennung der Ladungspumpen- und Reglerschaltungen 512–518 von anderen der Speicherblöcke 504–518. Wie bei anderen Ausführungsbeispielen steuert die Steuerung 502, welche der Speicherblöcke und der Ladungspumpen- und Reglerschaltungen zu einem gegebenen Zeitpunkt freigegeben (aktiviert) sind. Gemäß der Erfindung verursacht die Steuerung 502, daß die Ladungspumpen- und Reglerschaltung, die einem unterschiedlichen Speicherblock zugeordnet ist, freigegeben (aktiviert) wird. Gemäß der Erfindung verursacht die Steuerung 502, daß die Ladungspumpen- und Reglerschaltung, die einem unterschiedlichen Speicherblock zugeordnet ist, freigegeben wird, um verschiedene unterschiedliche Spannungen zu dem bestimmten Speicherblock zu liefern, der aktiviert ist, um auf dessen Speicherzellen zuzugreifen. Wenn z. B. der Speicherblock 504 freigegeben wird, um auf dessen Speicherzellen zuzugreifen, kann die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 518 innerhalb des Spei cherblocks 510 freigegeben werden, um die benötigten Spannungssignale zu dem Speicherblock 504 zu liefern. Auf ähnliche Weise, wenn der Speicherblock 510 freigegeben wird, um auf dessen Speicherzellen zuzugreifen, kann die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 512 innerhalb des Speicherblocks 504 freigegeben werden, um die benötigten Spannungssignale zu dem Speicherblock 510 zu liefern. Auf ähnliche Weise, wenn der Speicherblock 506 freigegeben wird, um auf dessen Speicherzellen zuzugreifen, wird die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 516 innerhalb des Speicherblocks 508 freigegeben. Ferner, wenn der Speicherblock 508 freigegeben wird, um auf dessen Speicherzellen zuzugreifen, wird die Ladungspumpen- und Reglerschaltung 514, die dem Speicherblock 506 zugeordnet ist, freigegeben. Die Spannungssignale sind mit einem Leistungsbus gekoppelt, der mit jeder der Ladungspumpen- und Reglerschaltungen 512–518 gekoppelt ist. Obwohl der Leistungsbus in 5 nicht dargestellt ist, könnte der Leistungsbus bei einem Ausführungsbeispiel um den Umfang der Speicherkarte 500 bereitgestellt sein und mit jeder der Ladungspumpen- und Reglerschaltungen 512–518 gekoppelt sein.
Die Erfindung ist geeignet zur Verwendung sowohl mit Einfachpegelspeichern als auch mit Mehrfachpegelspeichern. Bei Mehrfachpegelspeichern speichert jede Speicherzelle zwei oder mehr Datenbits.
Die Erfindung kann sich ferner auf ein elektronisches System beziehen, das ein Speichersystem umfaßt, wie oben erörtert wurde. Speichersysteme (d. h. Speicherkarten) werden üblicherweise verwendet, um digitale Daten zur Verwendung mit verschiedenen elektronischen Produkten zu speichern. Häufig ist das Speichersystem von dem elektronischen System abnehmbar, so daß die gespeicherten digitalen Daten tragbar sind. Die Speichersysteme gemäß der Erfindung können einen relativ geringen Formfaktor aufweisen und können verwendet werden, um digitale Daten für elektronische Produkte zu speichern, wie z. B. Kameras, Hand gehaltene oder Notebook-Computer, Netzwerkkarten, Netzwerkanwendungen, Set-Top-Boxes, Hand-gehaltene oder andere kleine Radio-Player/Recorder (z. B. MP3-Geräte) und medizinische Überwachungsvorrichtungen.
Die Vorteile der Erfindung sind zahlreich. Unterschiedliche Ausführungsbeispiele oder Implementierungen können einen oder mehrere der nachfolgenden Vorteile ergeben. Ein Vorteil der Erfindung ist, daß eine Herstellung von Steuerungen für Speichersysteme leichter einzurichten ist. Ein anderer Vorteil der Erfindung ist, daß ein Rauschen von der Erzeugung unterschiedlicher Spannungspegel das Speicherzugriffsverhalten nicht behindert. Ein wiederum anderer Vorteil der Erfindung ist, daß zuverlässige Hochleistungsspeichersysteme erhalten werden können.

Claims

Speichersystem zum Speichern von Daten, wobei das Speichersystem folgende Merkmale aufweist: eine Speichersteuerung (202; 302); eine Mehrzahl von Speicherblöcken (204–206; 304–310), die wirksam mit der Speichersteuerung (202; 302) verbunden sind, wobei jeder der Speicherblöcke (204–206; 304–310) zumindest Datenspeicherungselemente und ein Spannungserzeugungssystem (208–210; 312–318) umfasst; und einen Leistungsbus (211; 319), der wirksam mit dem Spannungserzeugungssystem (208–210; 312–318) für jeden der Speicherblöcke (204–206; 304–310) verbunden ist, wobei während des Betriebs des Speichersystems, wenn einer der Speicherblöcke (204–206; 304–310) aktiviert ist, das Spannungserzeugungssystem (208–210; 312–318) innerhalb des einen der Speicherblöcke (204–206; 304–310) deaktiviert ist und statt dessen ein anderes der Spannungserzeugungssysteme (208–210; 312–318), das einem anderen der Speicherblöcke (204–206; 304–310) zugeordnet ist, aktiviert ist, um verschiedene unterschiedliche Spannungspegelsignale zu dem einem der Speicherblöcke (204–206; 304–310) zu liefern, der über den Leistungsbus (211; 319) aktiviert wird.
Speichersystem gemäß Anspruch 1, bei dem das Spannungserzeugungssystem (208–210; 312–318), das aktiviert ist, die verschiedenen unterschiedlichen Spannungspegelsignale erzeugt.
Speichersystem gemäß Anspruch 1, bei dem das Spannungserzeugungssystem eine Ladungspumpenschaltung (208–210; 312–318) und eine Reglerschaltung aufweist.
Speichersystem gemäß Anspruch 1, bei dem jeder der Speicherblöcke (204–206; 304–310) eine separate integrierte Schaltung ist.
Speichersystem gemäß Anspruch 1, bei dem die Speichersteuerung (202; 302) eine Mehrzahl von Auswahlsignalen erzeugt, und bei dem jeder der Speicherblöcke (204–206; 304–310) zumindest eines des ersten Auswahlsignals und des zweiten Auswahlsignals zum Steuern der Aktivierung oder Deaktivierung der Speicherblöcke (204–206; 304–310) empfängt.
Speichersystem gemäß Anspruch 1, bei dem die Speichersteuerung (202; 302) ein erstes Signal und ein zweites Signal erzeugt, bei dem jeder der Speicherblöcke (204–206; 304–310) das erste Signal zum Steuern einer Aktivierung oder Deaktivierung der Speicherblöcke (204–206; 304–310) empfängt und das zweite Signal für eine Aktivierung oder Deaktivierung der Spannungserzeugungssysteme (208–210; 312–318) empfängt, und wobei das Speichersystem ferner folgendes aufweist: eine Logikschaltung (220, 222; 330; 350), die wirksam mit der Speichersteuerung (202; 302) und den Speicherblöcken (204–206; 304–310) gekoppelt ist, wobei die Logikschaltung (220, 222; 330; 350) die Aktivierung und Deaktivierung der Speicherblöcke (204–206; 304–310) sowie der Spannungserzeugungssysteme (208–210; 312–318) basierend auf dem ersten und dem zweiten Sig nal steuert, die von der Speichersteuerung (202; 302) geliefert werden.
Speichersystem gemäß Anspruch 1, wobei das Speichersystem eine Speicherkarte ist.
Speichersystem gemäß Anspruch 1, bei dem zumindest eines der verschiedenen unterschiedlichen Spannungspegelsignale zu der Speichersteuerung (202) über den Leistungsbus (211) geliefert wird.
Speichersystem gemäß Anspruch 1, bei dem die Speichersteuerung (202) eine extern gelieferte Eingangsspannung (212) empfängt und eine geregelte Versorgungsspannung (213) aus derselben erzeugt, und wobei die Speicherblöcke (204–206) die geregelte Versorgungsspannung (213) von der Speichersteuerung (202) empfangen.
Speichersystem gemäß Anspruch 3, bei dem die Speichersteuerung (202) wirksam mit einem ersten Speicherblock (204) der Mehrzahl von Speicherblöcken (204–206) und einem zweiten Speicherblock (206) der Mehrzahl von Speicherblöcken (204–206) verbunden ist, wobei die Speichersteuerung (202) zumindest ein Auswahlsignal erzeugt, wobei das zumindest eine Auswahlsignal bei der selektiven Aktivierung des ersten und des zweiten Speicherblocks (204, 206) verwendet wird; und bei dem der Leistungsbus (211) die erste Ladungspumpenschaltung (208) des ersten Speicherblocks (204) und die zweite Ladungspumpenschaltung (210) des zweiten Speicherblocks (206) wirksam verbindet, wobei das zumindest eine Auswahlsignal verwendet wird, um einen von dem ersten und dem zweiten Speicherblock (204–206) und eine von der ersten und der zweiten Ladungspumpenschaltung (208–210) derart zu aktivieren, daß wenn der erste Speicherblock (204) aktiviert ist, die zweite Ladungspumpenschaltung (210) aktiviert ist, und wenn der zweite Speicherblock (206) aktiviert ist, die erste Ladungspumpenschaltung (208) aktiviert ist.
Speichersystem gemäß Anspruch 10, wobei das Speichersystem ferner folgendes Merkmal aufweist: eine erste Logikschaltung (222) zwischen dem zumindest einen Auswahlsignal und dem ersten Speicherblock (204).
Speichersystem gemäß Anspruch 11, wobei das Speichersystem ferner folgendes Merkmal aufweist: eine zweite Logikschaltung (220) zwischen dem zumindest einen Auswahlsignal und dem zweiten Speicherblock (206).
Speichersystem gemäß Anspruch 10, bei dem das Speichersystem eine Speicherkarte ist, und bei dem das erste Datenspeicherungselement des ersten Speicherblocks (204) und das zweite Datenspeicherungselement des zweiten Speicherblocks (206) ein EEPROM oder ein FLASH ist.
Speichersystem gemäß Anspruch 10, wobei das Speichersystem ferner folgendes Merkmal aufweist: eine Logikschaltung zwischen dem zumindest einen Auswahlsignal und dem ersten und dem zweiten Speicherblock.
Speichersystem gemäß Anspruch 10, wobei das Speichersystem ferner folgende Merkmale aufweist: eine Logikschaltung, die wirksam mit der Speichersteuerung und dem ersten und dem zweiten Speicherblock gekoppelt ist, wobei die Logikschaltung die Aktivierung und Deaktivierung des ersten und des zweiten Speicherblocks sowie der ersten und der zweiten Ladungspumpenschaltung steuert, die in derselben bereitgestellt sind, basierend auf dem zumindest einen Auswahlsignal, das von der Speichersteuerung geliefert wird.
Speichersystem gemäß Anspruch 10, wobei das Speichersystem eine Speicherkarte ist.
Speichersystem gemäß Anspruch 10, bei dem das erste Datenspeicherungselement des ersten Speicherblocks (204) und das zweite Datenspeicherungselement des zweiten Speicherblocks (206) eine halbleiterbasierte Datenspeicherung liefern.
Speichersystem gemäß Anspruch 17, bei dem das erste und das zweite Datenspeicherungselement ein EEPROM oder ein FLASH sind.
Speichersystem gemäß Anspruch 10, bei dem jeder der Speicherblöcke (204–206) ein separates Halbleiterprodukt ist.
Elektronisches System, das folgende Merkmale aufweist: eine Datenerfassungsvorrichtung; und eine Datenspeicherungsvorrichtung mit einem Speichersystem gemäß einem der Ansprüche 1 bis 19, wobei die Datenspeicherungsvorrichtung abnehmbar mit der Datenerfassungsvorrichtung gekoppelt ist, und wobei die Daten speicherungsvorrichtung Daten speichert, die durch die Datenerfassungsvorrichtung erfasst wurden
Elektronisches System gemäß Anspruch 20, bei dem die Datenerfassungsvorrichtung eine Kamera, eine Netzwerk-Karte oder -Anwendung, ein Hand-gehaltener- oder Notebook-Computer, eine Set-Top-Box, ein Hand-gehaltener- oder ein anderer kleiner Audio-Player/-Recorder oder eine medizinische Überwachungseinrichtung ist.
Verfahren zum Liefern von Leistung innerhalb eines Speichersystems (200; 300), das eine Mehrzahl von Speicherblöcken (204–206; 304–310) aufweist, wobei jeder der Speicherblöcke (204–206; 304–310) eine Leistungserzeugungsschaltung (208–210; 312–318) umfasst, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Aktivieren von einem der Speicherblöcke (204–206; 304–310) für einen Datenzugriff, während der andere der Speicherblöcke (204–206; 304–310) deaktiviert ist; Aktivieren von einer der Leistungserzeugungsschaltungen (208–210; 312–318), die in einem der Speicherblöcke (204–206; 304–310) vorliegt, der deaktiviert ist; und Liefern von Leistung von der einen der Leistungserzeugungsschaltungen (208–210; 312–318), die aktiviert ist, zu dem einen der Speicherblöcke (204–206; 304–310), der aktiviert ist, wobei das Liefern wirksam ist, um eine Mehrzahl von unterschiedlichen Spannungssignalen von der einen der Leistungserzeugungsschaltungen (208–210; 312–318), die aktiviert ist, zu dem einen der Speicherblöcke (204–206; 304–310) zu liefern, der aktiviert ist.
Verfahren gemäß Anspruch 22, bei dem die Leistungserzeugungsschaltungen (208–210; 312–318), wenn dieselben aktiviert sind, mehrere Spannungspegelsignale erzeugen.
Verfahren gemäß Anspruch 23, bei dem jeder der Speicherchips zumindest Datenspeicherungselemente zum Speichern von Daten umfaßt.
Verfahren gemäß Anspruch 24, bei dem die Datenspeicherungselemente eine halbleiterbasierte Datenspeicherung liefern.
Verfahren gemäß Anspruch 24, bei dem die Datenspeicherungselemente ein EEPROM oder ein FLASH sind.
Verfahren gemäß Anspruch 22, bei dem jeder der Speicherblöcke (204–206; 304–310) ein separates Halbleiterprodukt ist.
Verfahren gemäß Anspruch 27, bei dem die separaten Halbleiterprodukte eine Halbleiterform aufweisen.
Verfahren gemäß Anspruch 27, bei dem die separaten Halbleiterprodukte Halbleiterchips sind.
Verfahren gemäß Anspruch 22, bei dem das Speichersystem ferner einen Steuerungsblock umfaßt, der das Aktivieren des einen der Speicherblöcke (204–206; 304–310) für einen Datenzugriff und das Aktivieren der einen der Leistungserzeugungsschaltungen steuert.
Verfahren gemäß Anspruch 30, wobei das Verfahren ferner folgenden Schritt aufweist: Liefern von Leistung von der einen der Leistungserzeugungsschaltungen, die aktiviert ist, zu dem Steuerungsblock.
Verfahren gemäß Anspruch 22, bei dem ein Leistungsbus (211; 319) verwendet wird, um die Mehrzahl von unterschiedlichen Spannungssignalen von der einen der Leistungserzeugungsschaltungen, die aktiviert ist, zu dem einen der Speicherblöcke (204–206; 304–310) zu liefern, der aktiviert ist.