DE10257165A1 - Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtsolarzellen mit einer CuInSe2-Schicht auf einem metallischen, bandförmigen Substrat - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtsolarzellen mit einer CuInSe2-Schicht auf einem metallischen, bandförmigen Substrat Download PDFInfo
- Publication number
- DE10257165A1 DE10257165A1 DE10257165A DE10257165A DE10257165A1 DE 10257165 A1 DE10257165 A1 DE 10257165A1 DE 10257165 A DE10257165 A DE 10257165A DE 10257165 A DE10257165 A DE 10257165A DE 10257165 A1 DE10257165 A1 DE 10257165A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- laser
- carrier material
- manufacturing
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000009499 grossing Methods 0.000 title claims abstract 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 7
- 238000005255 carburizing Methods 0.000 claims description 5
- UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N chromium carbide Chemical compound [Cr]#C[Cr]C#[Cr] UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 4
- 239000005029 tin-free steel Substances 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 6
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GKMPTXZNGKKTDU-UHFFFAOYSA-L cadmium(2+);tellurite Chemical compound [Cd+2].[O-][Te]([O-])=O GKMPTXZNGKKTDU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 2
- 229910000669 Chrome steel Inorganic materials 0.000 description 1
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03923—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIBIIICVI compound materials, e.g. CIS, CIGS
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Vorgeschlagen wird die Verbesserung des Substrataufbaus für flexible CIS-Solarzellen, indem das metallische Trägermaterial durch Laserpolieren eine glasartig glatte Oberfläche erhält, wobei gleichzeitig eine dünne Oberflächenschicht des metallischen Trägermaterials nitriert, carburiert oder nitrocarburiert werden kann, indem der Vorgang des Laser-Polierens in einer mit Stickstoff- und/oder Ammoniak- und/oder Azetylen-haltigen Atmosphäre abläuft, so daß eine Diffusions-Sperrschicht gebildet wird, die das Einwandern von Verunreinigungen aus dem Trägermaterial in die Solarzelle verhindert oder verschwert.
Description
- Für die Herstellung photovoltaischer Zellen werden in zunehmendem Maß sogenannte Dünnschicht – Technologien eingesetzt, d. h. anstelle von kristallinem Silizium werden, üblicherweise im Hochvakuum, Schichten von amorphem Silizium (ASI) oder Cadmium – Tellurit (CdTe) oder Kupfer-Indium-Disulfid (CIS) mit wenigen um Dicke auf ein Trägermaterial, üblicherweise auf Glas, aufgebracht.
- Verfahren, diese Schichten nicht im Vakuum, sondern durch elektrochemische/galvanische Abscheidung zu erzeugen, sind bei CdTe und CIS ebenfalls bekannt geworden. Gelegentlich wird hierbei statt Glas ein flexibles Trägermaterial (Kunststoff oder Metallfolie) verwendet, um flexible Zellen herzustellen, wobei für bandgalvanische Abscheidungen im „roll-to-roll" – Prozeß wegen ihrer elektrischen Leitfähigkeit vorzugsweise dünne Edelstahl – oder Kupferbänder eingesetzt werden. Hierbei zeigt es, sich, dass in aller Regel die Solarzelle nicht direkt auf dem Trägermaterial abgeschieden werden kann, sondern eine oder mehrere Zwischenschichten erforderlich sind. Diese Zwischenschichten haben die Funktion,
- • den thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Trägermaterials an den der späteren, multikristallinen CIS-Schicht anzupassen („Anpass-Schicht")
- • die Einwanderung von Fremdatomen aus dem Trägermaterial in die CIS-Schicht hinein zu verhindern („Diffussions-Sperrschicht") und
- • einen geeigneten (ohm'schen) Rückkontakt mit der CIS-Schicht herzustellen, wobei wiederum ein Einwandern von Atomen aus dieser „Kontaktschicht" in die CIS-Schicht unenrwünscht ist.
- In fast allen Fällen findet für die Rück-Kontaktschicht Molybdän Verwendung, jedoch wurden in entsprechenden wissenschaftlichen Veröffentlichungen außerdem die Metalle Wolfram, Tantal und Vanadium sowie, mit Einschränkung in der Eignung, auch Chrom und Titan vorgeschlagen.
- Während beispielsweise Molybdän keine Sperre gegen das Hindurchwandern von Kupfer-, Eisen- u.a. Atomen aus dem Untergrund darstellt, sind andere Elemente für ihre Sperrwirkung bekannt, beispielsweise Chrom und Tantal. Sie finden daher zur Herstellung der Diffussionssperrschicht Verwendung.
- Als Anpassschicht zwischen dem Trägermaterial Kupfer und CIS hat sich beispielsweise Nickel bewährt.
- Es wird nun, im Idealfall, keine einzige Zwischenschicht benötigt, wenn das Trägermaterial zugleich den richtigen Ausdehnungskoeffizienten besitzt, keine Substanzen in das CIS hinein ausdiffundieren lässt und auch noch die Kontakteigenschaften zur CIS-Schicht vorteilhaft sind. Ein solches Trägermaterial ist Molybdänfolie, deren Verwendung für marktfähige Solarzellen sich jedoch aus Preisgründen verbietet.
- Im Regelfall werden jedoch, für fertigungsgeeignete Trägermaterialien wie Edelstahl oder Kupfer, eine, zwei oder alle 3 Schichten benötigt. Inwieweit dies der Fall ist, hängt u.a. entscheidend von der Oberflächen-Zusammensetzung und der strukturellen Oberflächen-Beschaffenheit des Trägermaterials ab. So kann beispielsweise eine hohe Rauhigkeit oder strukturelle Störungen der Oberfläche des Trägermaterials die Sperrwirkung einer Tantalschicht, die auf einem glatten Untergrund ausreichend gewesen wäre, reduzieren oder zunichte machen.
- Weiterhin hat sich gezeigt, dass durch die üblichen Verfahren des Schichten-Auftrags (Sputtern oder elektrochemische Deposition) die Rauhigkeit des Trägermaterials nicht eingeebnet wird, sondern dass bei den üblichen Dicken der Anpaß-, Sperr- und Kontaktschicht die Rauhigkeit unter der CIS-Schicht nahezu unverändert der Oberfläche des Trägermaterials entspricht. Hieraus resultieren wiederum verschiedene Nachteile für den Aufbau der CIS-Schicht, die sich durch einen niedrigen Wirkungsgrad der Solarzelle bemerkbar machen. Auch scheint es, dass der Eintrag von Spannungen in die CIS-Schicht bei unterschiedlichem Ausdehnungs-Koeffizienten des Trägermaterials mit der Rauhigkeit in Zusammenhang steht, sodass gelegentlich ein Abplatzen der CIS-Schicht während oder nach der Temperaturbeanspruchung durch den Temperprozess oder nachfolgend beobachtet wird, was die Unbrauchbarkeit der Solarzelle zur Folge hat.
- Aus den genannten Gründen ist es in aller Regel erforderlich, metallische Trägermaterialien, wie sie vom Handel zur Verfügung gestellt werden, vor dem Aufbringen der genannten Zwischenschichten zu glätten. Dies geschieht üblicherweise durch mechanisches Polieren, Elektropolieren oder durch Deposition einebnender, zusätzlicher Metallschichten. Die genannten Verfahren stellen einen erheblichen Kostenfaktor und eine Beeinträchtigung speziell bei der roll-to-roll-Fertigung von bandförmigen Solarzellen dar. Hinzu kommt, dass beim mechanischen Polieren Reste der Poliermittel und bei Glanz-Beschichtungen organische Zuschläge in die zu glättende Oberfläche auf genommen werden, die wiederum als Verunreinigungen von der Einwanderung in die CIS-Schicht gehindert werden müssen.
- Die sich hieraus ergebende Aufgabenstellung wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass als Verfahren „Laserpolieren" angewandt wird. Hierbei schmilzt die Oberfläche des Trägermaterials flächig auf und mikroskopisch kleine Spitzen verdampfen. Im Vergleich zu mechanischen Polierverfahren erweist sich das Laser-Polieren um den Faktor 10 bis 100 schneller. Fremdstoffe, die sich in die Oberfläche einlagern könnten, existieren nicht. – Die Verwendung des „Laser-Polierens" für metallische Trägermaterialien von CIS-Solarzellen ist also mit erheblichen Vorteilen verbunden, zumal dieses Verfahren gut automatisierbar und in einen kontinuierlichen Band-Fertigungsprozess einfügbar ist. Eine derartige Verwendung der Laser-Technologie ist bisher auch nicht bekannt geworden. Das beschriebene Verfahren und die hieraus resultierende Substrat-Stuktur sind Gegenstand von Anspruch 1.
- Es kann vorteilhaft sein, nicht das Trägermaterial selbst zu polieren, sondern die Anpaß- und/oder Sperr- und/oder Kontaktschicht zuerst (auf das „rauhe" Trägermaterial) abzuscheiden und dann erst die Laser-Polierung vorzunehmen. Hierdurch wird eine innige und haftfeste Verbindung zwischen Trägermaterial und der darauf befindlichen Schicht (beispielsweise Molybdän) und eine Struktur sowie Dichtheit der Schicht erzielt, wie sie durch Sputtern oder elektrochemische Deposition oder andere Abscheidungsmethoden nicht erreicht werden könnten. Diese Vorgehensweise und die hieraus resultierende Substratstruktur ist Gegenstand von Anspruch 2.
- Um bei den auftretenden, hohen Temperaturen an der Stelle des auftreffenden Laserstrahls eine Oxidation zu vermeiden, findet der Poliervorgang üblicherweise in einer Schutzgas-Atmosphäre statt. Es ist nun ein weiterer Teil der vorliegenden Erfindung, diesem Schutzgas Stickstoff, Ammoniak, Azetylen oder andere Gase, wie sie bei der Nitrierung, Carburierung und Nitrocarburierung von Werkzeugstählen üblich sind, zuzusetzen, sodaß sich bei dem Schmelzvorgang des Polierens zugleich Nitride/Carbide bilden.
- Während bei der üblichen Technologie des Nitrierens/Carburierens das Ziel eine Härtung der Werkstoff-Oberfläche ist, soll hier durch diesen Vorgang eine nichtmetallische, jedoch elektrisch leitende Diffussions-Sperrschicht erzeugt werden, wodurch die zuvor beschriebene, zusätzliche Diffusions-Sperrschicht ganz oder teilweise entfällt. Es ist sehr wohl möglich, dass durch die erzeugte Verbindungsschicht die andernfalls erforderliche Anpass-Schicht ebenfalls entfallen kann; schliesslich gibt es Hinweise, dass in einzelnen Fällen auch eine zusätzliche Kontaktschicht entfallen, kann: beispielsweise durch Laser-Carburieren von Chromstahl. Versuche haben ergeben, dass CrC als Kontaktschicht geeignet ist. – Ein Schutz der sehr vorteilhaften und innovativen Kombination von Laser-Polieren und Laser-Carbunitrieren wird daher in Anspruch 3 angemeldet.
- Einerseits ist bekannt, dass einige Nitride, z.B. Chrom-, Titan- und Tantalnitrid speziell bei erhöhten Temperaturen, wie sie bei dem Temperprozeß der CIS-Zelle auftreten, eine noch bessere Sperrwirkung aufweisen, als die entsprechenden Metalle Chrom, Titan oder Tantal. Andererseits ist speziell bei Kupfer der Vorgang des Carbunitrierens und die Substanz CuxCyNz gänzlich unbekannt. Soweit also bei der erfindungsgemäßen Kombination von Laserpolieren und Carbunitrieren nicht die bekannten Nitrid-Bildner wie Eisen oder Chrom vorliegen, sondern Kupfer als Trägermaterial ohne zusätzliche, aufgebrachte Schichten Verwendung findet, ist dies zweifellos ein zusätzlicher Erfindungsgedanke, zu welchem in Anspruch 4 ein Schutzbegehren gestellt wird.
- Soweit der hierbei erreichte Wirkungsgrad akzeptiert wird, können demnach bei Kupfer als Trägermaterial durch das erfindungsgemäße, kombinierte Laser-Polieren-Nitrocarburieren die Anpassschicht, die Sperrschicht und auch die Kontaktschicht ganz entfallen oder zumindest erheblich dünner ausgebildet werden.
- Ähnliche Verhältnisse ergeben sich bei Edelstahl als Trägermaterial: die hier zugleich mit dem Laser-Poliervorgang entstehende carbu-nitridische Oberflächenschicht kann die sonst erforderliche Sperr- und Kontaktschicht ganz oder teilweise ersetzen.
- Ein besonderer Vorteil entsteht bei der Verwendung von sog. Schwarzband mit ECCS-Oberfläche als Trägermaterial: es handelt sich hierbei um einen unlegierten Stahl, der als flexibles, metallisches Bandmaterial wegen seines günstigen Preises und seines an CIS bestens angepassten Ausdehnungskoeffizienten als Trägermaterial für CIS-Solarzellen hervorragend geeignet ist. Er wird allerdings aus Korrosionsschutzgründen üblicherweise mit einer geringen Chrom-Auflage (ECCS = electro chromium coated steel) gehandelt, außerdem ist seine Rauheit relativ hoch. Ein Poliervorgang ist also einerseits für die Verwendung als Trägermaterial unumgänglich, andererseits ist mechanisches Polieren wegen der einhergehenden Zerstörung der Chromschicht wenig sinnvoll. Beim Laserpolieren und Nitrieren kehren sich die Verhältnisse um: das Chrom wirkt als bekannter Nitridbildner nun vorteilhaft, das Produkt „Schwarzband ECCS" kann mittels Laser hervorragend poliert und zugleich nitriert bzw. nitrocarburiert werden (Anspruch 5).
- Ein weiterer Teil der Erfindung besteht darin, dass herausgefunden wurde, dass sich Chromcarbid-Schichten (ähnlich Molybdän) gut als Kontaktschichten für CIS eignen. Wenn nun also hoch chromhaltiger Edelstahl verwendet oder die auf Schwarzband befindliche Chromschicht durch zusätzliche galvanische Abscheidung von Chrom verstärkt oder Kupferband zunächst mit einer Chromschicht versehen wird und nachfolgend diese Materialien zugleich laserpoliert und laser-carburiert/nitrocarburiert werden, ist die hierdurch entstehende, sehr glatte Oberfläche aus Chrom-Carbid zur direkten Abscheidung einer CIS-Schicht geeignet. Anspruch 6 betrifft die Verwendung von Chromcarbid als Kontaktschicht und deren Herstellung durch kombiniertes Laserpolieren/carburieren.
- Eine Verbesserung des geoffenbarten Erfindungsgedankens besteht darin, den Prozeß des Laserpolierens und Laser-Carbunitrierens dadurch zu beschleunigen, dass das Substrat zugleich mit der Laserbestrahlung einem Erhitzungsprozeß unterworfen wird, beispielsweise durch Induktionserwärmung. Durch die zugeführte Wärmeenergie wird der Laser-Polierprozeß einerseits beschleunigt oder es lässt sich die Laserstrahl-Intensität vermindern; andererseits läuft auch der Prozeß der Carbunitrierung rascher ab, sodaß größere Schichtdicken erzeugt werden (Anspruch 7).
- Insgesamt wird durch den vorgeschlagenen Prozeß erreicht, dass eine relativ glasähnliche, jedoch flexible Struktur des Substrats auf vergleichsweise einfache und für einen Bandprozeß geeignete Weise zur Verfügung steht. Hiermit wird die Voraussetzung geschaffen, auf metallischen Trägermaterialien CIS-Solarzellen mit ähnlich hohen Wirkungsgraden abzuscheiden, wie dies derzeit auf Glas als Trägermaterial geschieht.
Claims (7)
- Substrat-Aufbau und Herstellungsverfahren für eine Dünnschicht-Solarzelle nach der CIS-Technologie, dadurch gekennzeichnet, – dass das metallische Trägermaterial einem Glättungsprozeß durch Laserpolieren unterzogen wird.
- Substrat-Aufbau und Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, – dass das Laserpolieren des Substrates erst nach der Abscheidung der Anpaß- und/oder Sperr- und/oder Kontaktschicht auf dem Trägermaterial erfolgt.
- Substrat-Aufbau und Herstellungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, – dass zugleich mit dem Laser-Polieren ein Laser-Nitrieren, -carburieren oder -carbunitrieren stattfindet
- Substrat-Aufbau und Herstellungsverfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, – dass das Substrat Kupfer ist und der Laser-Carbunitrierungsprozeß die Umwandlung der Kupfer-Oberfläche in CuxCyNz (Kupfercarbunitrid) zum Ziel hat
- Substrat-Aufbau und Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, – dass das Substrat unlegierter Stahl mit einer aufliegenden Chromschicht (ECCS) ist.
- Substrat-Aufbau und Herstellungsverfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, – dass das Trägermaterial Chromstahl ist oder andere Trägermetalle zunächst mit einer Chromschicht versehen werden, wobei der nachfolgende Laser-Carbu-nitrierungsprozeß die Umwandlung des Chroms in CrC (Chromcarbid) zum Ziel hat
- Substrat-Aufbau und Herstellungsverfahren nach Anspruch 1,2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, – dass zugleich mit der Laserbehandlung eine Erhitzung des Substrates, vorzugsweise durch Induktion, vorgenommen wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10257165A DE10257165B4 (de) | 2002-12-02 | 2002-12-02 | Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtsolarzellen mit einer CuInSe2-Schicht auf einem metallischen, bandförmigen Substrat |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10257165A DE10257165B4 (de) | 2002-12-02 | 2002-12-02 | Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtsolarzellen mit einer CuInSe2-Schicht auf einem metallischen, bandförmigen Substrat |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10257165A1 true DE10257165A1 (de) | 2004-06-24 |
DE10257165B4 DE10257165B4 (de) | 2004-09-23 |
Family
ID=32336078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10257165A Expired - Fee Related DE10257165B4 (de) | 2002-12-02 | 2002-12-02 | Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtsolarzellen mit einer CuInSe2-Schicht auf einem metallischen, bandförmigen Substrat |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10257165B4 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004039056A1 (de) * | 2004-08-11 | 2006-03-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung eines Substrats für Solarzellen, derartige Substrate sowie deren Verwendung |
DE102006049691A1 (de) * | 2006-10-14 | 2008-04-24 | Kalberlah, Klaus, Dr. | Flexibles Substrat für eine Chalkopyrit-Solarzelle und Verfahren zu seiner Herstellung |
WO2009109171A2 (de) * | 2008-03-01 | 2009-09-11 | Iss Innovative Solarsysteme Gmbh | Verfahren zur herstellung einer multikristallinen chromschicht als substratschicht für den aufbau von solarzellen auf einem metallischen träger |
EP3349266A4 (de) * | 2015-09-07 | 2018-09-05 | JFE Steel Corporation | Substrat für fotoelektrisches wandlerelement |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63258077A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
JPS6477970A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Sanyo Electric Co | Manufacture of photovoltaic device |
DE4241527A1 (de) * | 1992-12-10 | 1994-06-16 | Opel Adam Ag | Verfahren zum Aufhärten und ggf. Glätten von Maschinenbauteilen sowie nach diesem Verfahren hergestellten Maschinenbauteilen |
-
2002
- 2002-12-02 DE DE10257165A patent/DE10257165B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63258077A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
JPS6477970A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Sanyo Electric Co | Manufacture of photovoltaic device |
DE4241527A1 (de) * | 1992-12-10 | 1994-06-16 | Opel Adam Ag | Verfahren zum Aufhärten und ggf. Glätten von Maschinenbauteilen sowie nach diesem Verfahren hergestellten Maschinenbauteilen |
Non-Patent Citations (5)
Title |
---|
BASOL, B.M., KAPUR, V.K., HALANI, A., MINNICK, A., LEIDHOLM, C.: Modules and flexible cells of CulnSe2, in: Conference Record of the 23rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 1993, 10-14 May 1993, S. 426-430, ISSN 0-7803-1220 |
BASOL, B.M., KAPUR, V.K., HALANI, A., MINNICK, A.,LEIDHOLM, C.: Modules and flexible cells of CulnSe2, in: Conference Record of the 23rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 1993, 10-14 May 1993, S. 426-430, ISSN 0-7803-1220 * |
HERZ, K., KESSLER, F., WÄCHTER, R., POWALLA, M., (u.a.): Dielectric barriers for flexible CIGS solar modules, in: Thin Solid Films, ISSN 0040- 6090, 2002, Vol. 403-404, S. 384-389 * |
Laser Beam Homogenizer, Technisches Datenblatt, 1995, Laser Laboratorium Göttingen e.V. * |
YILBAS, B.S., ARIF, A.F.M.: Laser Short Pulse Heating and Elastic-Plastic Wave Generation, in: Jpn. J. Appl. Phys., 2000, Vol. 39, No. 10, S. 5879-5888 * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004039056A1 (de) * | 2004-08-11 | 2006-03-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung eines Substrats für Solarzellen, derartige Substrate sowie deren Verwendung |
DE102006049691A1 (de) * | 2006-10-14 | 2008-04-24 | Kalberlah, Klaus, Dr. | Flexibles Substrat für eine Chalkopyrit-Solarzelle und Verfahren zu seiner Herstellung |
WO2009109171A2 (de) * | 2008-03-01 | 2009-09-11 | Iss Innovative Solarsysteme Gmbh | Verfahren zur herstellung einer multikristallinen chromschicht als substratschicht für den aufbau von solarzellen auf einem metallischen träger |
WO2009109171A3 (de) * | 2008-03-01 | 2009-11-12 | Iss Innovative Solarsysteme Gmbh | Verfahren zur herstellung einer multikristallinen chromschicht als substratschicht für den aufbau von solarzellen auf einem metallischen träger |
EP3349266A4 (de) * | 2015-09-07 | 2018-09-05 | JFE Steel Corporation | Substrat für fotoelektrisches wandlerelement |
US10636985B2 (en) | 2015-09-07 | 2020-04-28 | Jfe Steel Corporation | Substrate for photoelectric conversion element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10257165B4 (de) | 2004-09-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2510329C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von korrosionsresistenten Formkörpern aus carburiertem Stahl | |
DE3839775C2 (de) | Kathoden-Zerstäubungstarget und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP0576733B1 (de) | Verfahren zu Herstellung eines Mehrlagenrohres aus Metall | |
EP1032721B1 (de) | Verschleissbeständiger, mechanisch hochbelastbarer und reibungsarmer randschichtaufbau für titan oder seine legierungen sowie verfahren zu seiner herstellung | |
DE102010048947A1 (de) | Diamantähnliches Kohlenstofffilmmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE19882178B4 (de) | Mit intermetallischer Verbindung beschichteter rostfreier Stahl und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE102004012463A1 (de) | Verfahren zur Bildung eines Belages aus Nanoverbundstoff | |
DE10257165B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtsolarzellen mit einer CuInSe2-Schicht auf einem metallischen, bandförmigen Substrat | |
EP0574294A1 (de) | Beschichtetes Blech und Verfahren zur Herstellung dieses Bleches | |
DE10362382B3 (de) | Harter Überzug mit hervorragender Haftung | |
DE3601439C1 (de) | Schichtverbundwerkstoff,insbesondere fuer Gleit- und Reibelemente,sowie Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP0670914B1 (de) | Gleitelement und verfahren zu seiner herstellung | |
DE10200445A1 (de) | Metallband für epitaktische Beschichtungen und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE4416525B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Beschichtung erhöhter Verschleißfestigkeit auf Werkstückoberflächen, und dessen Verwendung | |
DE60320658T2 (de) | Widerstandsheizelement auf metallbasis und verfahren zu seiner herstellung | |
EP0018432B1 (de) | Mit einer verschleiss- und korrosionsfesten Wolframkarbid-Schutzschicht versehener Metallteil | |
DE69631520T2 (de) | Gleitlager mit überlagerungsschichten | |
DE4026607A1 (de) | Verfahren zur erhoehung der standzeit eines werkzeuges zum schaelen von straengen und draehten aus aluminium | |
DE19822928C2 (de) | Verfahren zum haftenden Aufbringen einer Beschichtung auf eine tribologisch beanspruchte Oberfläche eines Kettenglieds sowie Kettenglied | |
DE3219071A1 (de) | Verfahren zum plattieren von titan mit einer harten schicht | |
DE102004042306B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Substrates für flexible Dünnschicht-Solarzellen nach der CIS-Technologie | |
CH671036A5 (de) | Verfahren zur herstellung eines mechanischen bauteils. | |
JPS6141760A (ja) | 耐熱・耐食性被覆鋼材およびその形成方法 | |
DE4235015C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Diamantschichten | |
DE4340073C2 (de) | Gleitelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: CIS SOLARTECHNIK GMBH & CO. KG, 27570 BREMERHAVEN, |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20140701 |