DE10235229A1

DE10235229A1 - Gegen eine elektrostatische Beschädigung (ESD) geschützte Photomaske

Info

Publication number: DE10235229A1
Application number: DE10235229A
Authority: DE
Inventors: Shahzad Akbar
Original assignee: Infineon Technologies Richmond LP
Current assignee: Infineon Technologies Richmond LP
Priority date: 2001-08-01
Filing date: 2002-08-01
Publication date: 2003-03-20
Also published as: US20030031934A1; US6803156B2

Abstract

Eine Photomaske (19), die gegen eine elektrostatische Beschädigung geschützt ist, und ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Photomaske sind offenbart. Die Photomaske (8) weist ein transparentes Substrat (10) auf, auf dem eine lichtundurchlässige Struktur, wie z. B. Linien (12), (14), (16) und (18), aufgebracht ist. Ein transparenter leitfähiger Film (30) ist über dem Substrat (10) und der Struktur derart aufgebracht, dass die verschiedenen Abschnitte der Struktur (Linien (12), (14), (16) und (18)) alle auf dem gleichen elektrischen Potential gehalten werden, wodurch eine Beschädigung aufgrund einer elektrostatischen Entladung verhindert wird.

Description

Technisches Gebiet

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Photolithographie und Photomasken, die bei der Fertigung von Halbleitermikrochips verwendet werden, und insbesondere auf das Verhindern oder Reduzieren einer Beschädigung, die durch die Entladung von elektrostatischen Feldern zwischen metallischen Strukturen auf der Retikelplatte oder Photomaske verursacht wird.

Hintergrund der Erfindung

Die elektrostatische Beschädigung (ESD; ESD = Electrostatic Damage) ist in der Mikroelektronik ein gut bekanntes und allgemein verstandenes Phänomen. Dieses Phänomen beeinflusst ernsthaft die Photomasken, die bei der Fertigung einer Mikroschaltungsanordnung verwendet werden, und führt zu unerwarteten und unentdeckten Defekten auf dem Retikel oder der Photomaske, die dann verwendet werden, um defekte Halbleiterchips zu drucken, was wesentliche Ausbeuteprobleme und photolithographische Herstellungsprobleme bei den Halbleiterfertigungslinien verursacht.
ESD-Ereignisse oder Entladungen können auf Retikeln auftreten, wenn sich eine aufgebaute Ladung in einem Abschnitt einer Struktur entlädt oder einen Strom verursacht, der von einem Abschnitt der Struktur zu einem umgebenden Punkt fließt, der sich nicht auf dem gleichen Potential befindet. Wenn die Potentialdifferenz ausreichend ist, um einen Durchbruch des dazwischenliegenden isolierenden Mediums zu verursachen, kann die Metallstruktur, wie z. B. Chrom oder Molybdän, schmelzen oder verdampfen, und die Dämpfe des geschmolzenen Metalls oder Material kann sich dann an Orten zwischen den beabsichtigen Strukturlinien oder -formen erneut ablagern. Dies erzeugt unerwünschte Effekte, die dann auf den Siliciumwafer gedruckt werden. Wie es für Fachleute offensichtlich ist, kann die defekte Photomaske verwendet werden, um Tausende und Abertausende von Mikrochips auf verschiedene Wafer bzw. Scheiben zu drucken, wenn die defekte Photomaske nicht zu dem Zeitpunkt erfasst wird, zu dem das ESD-Ereignis auftritt. Der Defekt wird spätestens beim Testen und bei der Qualitätskontrolle entdeckt. Bis dahin können Millionen von Dollars aufgrund der defekten Photomaske verloren gehen.
Es ist nicht das elektrostatische Aufladen alleine, das eine Beschädigung der Retikel verursacht, es ist vielmehr die tatsächliche Entladung zwischen zwei isolierten Abschnitten der Struktur (üblicherweise metallisch), die unterschiedliche Potentiale aufweisen, die eine Beschädigung der Retikel verursacht. Verschiedene Verfahren existieren bereits für das dissipative Entladen der Ladung auf der Maske und umfassen ionisierte Luft, ein leitfähiges Glühen, leitfähige Schuhe, Bodenmatten, Handbänder und die Verwendung von elektrisch leitfähigen Aufbaumaterialien der Retikelträger in Transporthülsen. Ungünstigerweise baut sich eine Ladung dennoch bei einer beträchtlichen Zahl von Fällen auf, und es ist die Entladung, die die Beschädigung verursacht.

Zusammenfassung der Erfindung

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht daher darin, eine kostengünstige Photomaske oder ein kostengünstiges Retikel und ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Retikels oder einer solchen Photomaske zu schaffen, die einen beträchtlichen Schutz gegen eine ESD-Beschädigung liefern.
Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen von Retikeln und Photomasken zu schaffen und ein resultierendes Retikel und eine resultierende Photomaske zu erzeugen, die die aufwändigen Verfahren zum Verhindern eines elektrostatischen Aufbaus auf einem Retikel oder einer Photomaske nicht erfordern.
Diese und weitere Aufgaben werden durch die vorliegende Erfindung gelöst, die eine Photomaske und ein Verfahren zum Herstellen einer Photomaske, die gegen eine ESD- (elektrostatische Entladung) Beschädigung oder eine elektrostatische Beschädigung geschützt ist, aufweist.
Gemäß der Erfindung wird ein Substrat, wie z. B. Quarzglas oder Silicium(IV)oxid-Glas verwendet, das gegenüber der Wellenlänge von Licht transparent ist, das zum Drucken von Schaltungen oder Mikrochips auf einem Wafer verwendet wird. Das Substrat weist eine vordere Fläche und eine hintere Fläche auf, wobei eine Struktur dauerhaft an der vorderen Fläche angebracht ist oder haftet. Die Struktur ist gegenüber der Wellenlänge von Licht, das zum Drucken verwendet wird, licht- undurchlässig und ist typischerweise ein Metall, wie z. B. Chrom und Molybdänsilicid. Ein leitfähiger Film, der ebenfalls gegenüber Licht transparent ist, das eine Wellenlänge aufweist, die zum Drucken verwendet wird, ist mindestens über jenen Abschnitten der vorderen Fläche des Substrats aufgebracht, die nicht durch die lichtundurchlässige Struktur bedeckt sind. Gemäß einem Ausführungsbeispiel bedeckt beispielsweise der leitfähige transparente Film die gesamte vordere Fläche, die eine vorher aufgebrachte Struktur aufweist. Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel wird jedoch der leitfähige transparente Film aufgebracht, bevor die Struktur aufgebracht wird und bedeckt die gesamte vordere Fläche. Die Struktur wird dann über der Kombination des Substrats und des leitfähigen transparenten Films aufgebracht. Der "transparente" leitfähige Film ist aus einer Gruppe von Materialien ausgewählt, die ITO (Indiumzinnoxid), Palladium, Platin, Gold und leitfähige Polymere abhängig von der Wellenlänge des für das Drucken ausgewählten Lichts aufweist. Die Dicke der aufgebrachten Filmschicht hängt zusätzlich ferner von der Wellenlänge des Lichts ab, das zum Drucken (Printen) verwendet wird.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Diese und weitere Merkmale der vorliegenden Erfindung sind vollständiger in Verbindung mit der folgenden detaillierten Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung offenbart, in denen:
Fig. 1 und 1a eine Darstellung eines Querschnitts eines bekannten Retikels oder einer bekannten Photomaske auf einem transparenten Substrat sind;
Fig. 2 einen Querschnitt und einen vergrößerten Querschnitt eines Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 3 einen Querschnitt und einen vergrößerten Querschnitt eines alternativen Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung zeigt.
Entsprechende Ziffern und Symbole in den unterschiedlichen Figuren beziehen sich auf entsprechende Teile, es sei denn, dass dies anders gezeigt ist. Die Figuren sind gezeichnet, um klar die relevanten Aspekte der bevorzugten Ausführungsbeispiele darzustellen, und sind nicht notwendigerweise maßstabsgerecht gezeichnet.

Detaillierte Beschreibung von bevorzugten Ausführungsbeispielen

Bezug nehmend nun auf Fig. 1 ist eine Photomaske 8 gezeigt, die ein Substrat 10 zum Tragen einer Struktur aufweist, die bei einem photolithographischen Verfahren zum Drucken von Schaltungen auf einen Siliciumwafer verwendet wird. Es ist für Fachleute offensichtlich, dass das Substrat 10 der Photomaske 8 aus einem transparenten Material, wie z. B. Quarzglas oder Silicium(IV)oxid-Glases hergestellt ist. Die Struktur, die andererseits zum Erzeugen von Leitungen oder Leitern (d. h. Schaltungen) auf dem Wafer oder Chip verwendet wird, ist aus einem Material hergestellt, das gegenüber Licht, das für das Druckverfahren verwendet wird, lichtundurchlässig ist. Die Strukturen sind typischerweise aus einem Metallmaterial, wie z. B. Chrom oder Molybdänsilicid, hergestellt. Wie in den Zeichnungen gezeigt, sind die Metallstrukturen 12, 14, 16 und 18 der Photomaske 8 auf dem transparenten Silicium(IV)oxid- Glas-Substrat 10 aufgebracht, derart dass, wenn Licht von einer Quelle 20 zu dem Retikel oder der Photomaske 8 gerichtet ist, das Licht ein Negativ des Bilds der Struktur auf einem Wafersubstrat 22, das eine Photoresistschicht bzw. eine Photolackschicht 24 aufweist, erzeugt.
In der Vergangenheit und vor der vorliegenden Erfindung trat oftmals eine Beschädigung an der Photomaske 8 auf, wenn sich eine elektrostatische Ladung auf einer der Leitungen oder Metallstreifen, die die Struktur, wie z. B. die Leitung 12, die in Fig. 1a gezeigt ist, aufweisen, aufbaute. Da es nicht unüblich ist, dass die angrenzende Leitung, die als Strukturabschnitt 14 gezeigt ist, von dem Strukturabschnitt 12 elektrisch isoliert ist, kann sich eine ähnliche Ladung nicht auf dem Strukturabschnitt 14 aufbauen. Ein Isolationsdurchbruch zwischen den zwei Abschnitten 12 und 14 tritt daher entweder oftmals durch die Luft, was dann als ein Funken zwischen den Abschnitten 12 und 14 sichtbar ist, oder entlang der Oberfläche des Halbleiters 10 auf. Obwohl die Entladung über eine extrem kurze Zeitdauer auftritt, ist die Potentialspannung zwischen den zwei Abschnitten 12 und 14 oftmals ausreichend groß, so dass ein bedeutsamer Strom tatsächlich für diese extrem kurze Zeitdauer fließt. Folglich verdampft das Metall der zwei Strukturabschnitte 12 und 14 oder schmilzt ausreichend, um tatsächlich einen Metallweg 26 zwischen den zwei Strukturabschnitten 12 und 14 zu verursachen. Wenn daher ein Weg 26 gebildet ist, ist es offensichtlich, dass die resultierende Belichtung durch die Photomaske 8 in den Siliciumwafer 22 nicht gleich der beabsichtigten Struktur ist.
Nun Bezug nehmend auf Fig. 2 ist ein erstes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung gezeigt. Es sei bemerkt, dass gemeinsame Abschnitte der in Fig. 2 gezeigten Erfindung, die gleich den Abschnitten der Fig. 1 zum Stand der Technik sind, die gleichen Bezugsziffern behalten. Wie gezeigt, sind die meisten der Struktur- und Figurenelemente ähnlich. Es ist jedoch ferner ein Dünnfilm 30 eines elektrisch leitfähigen Materials gezeigt, das gegenüber der Wellenlänge von Licht 21a, 21b und 21c transparent ist, das zum Drucken auf die Oberfläche des Wafers 22 verwendet wird. Es ist daher sichtbar, dass das nicht leitfähige oder isolierende Quarzglas oder das Silicium(IV)oxid-Glas-Substrat, das als Platte 10 gezeigt ist, auf der die lichtundurchlässigen Leitungsstrukturen (die typischerweise aus Chrom oder Molybdänsilicid hergestellt sind) aufgebracht sind, mit einem Ultradünnfilm eines elektrisch leitfähigen, jedoch optisch durchlässigen Materials 30 bedeckt sind. Alle lichtundurchlässigen Strukturen oder Leitungsspuren befinden sich daher auf dem gleichen elektrostatischen Oberflächenpotential. Dies bedeutet natürlich, dass keine hohen Spannungsdifferenzen zwischen benachbarten Strukturen erzeugt werden können. Dies verhindert eine Beschädigung aufgrund einer elektrostatischen Entladung.
Wie es für Fachleute offensichtlicht ist, werden verschiedene Typen von Licht mit unterschiedlichen Wellenlängen bei dem photolithographischen Verfahren verwendet. Es ist ferner offensichtlich, dass, wenn das Retikel oder die Photomaske 8 der vorliegenden Erfindung, die in Fig. 2 gezeigt ist, verwendet werden soll, der leitfähige Ultradünnfilm 30 gegenüber der Wellenlänge von Licht, das zum Drucken auf den Siliciumwafer verwendet wird, transparent sein muss. Die Auswahl und die Dicke des elektrisch leitfähigen, optisch durchlässigen Dünnfilms 30 wird daher von der Lichtwellenlänge abhängen, die für das photolithographische Verfahren verwendet wird.
Beispiele geeigneter Typen von Materialien, die für den Ul- tradünnfilm 30 verwendet werden sollen, wenn mit unterschiedlichen Lichtwellenlängen gedruckt wird, sind in Tabelle 1 gezeigt. Tabelle 1
Tests zeigen, dass abhängig von der Materialzusammensetzung und den Aufbringungsbedingungen die optische Durchlässigkeit in dem Ultradünnfilm 30 zwischen 85 und 90% der Betriebswellenlänge liegen kann, und die elektrische Leitfähigkeit kann ferner durch die Aufbringungsparameter, die Materialzusammensetzung und die Filmdicke gesteuert werden.
Es ist für Fachleute ferner offensichtlich, dass es verschiedene Typen von Photomasken gibt, die bei der Fertigung von Siliciumwafern verwendet werden. Diese umfassen lediglich beispielsweise den Standard von Chrom auf Glas (COG; COG = Chrome-On-Glass), die gedämpfte Phasenverschiebungsmaske (PSM; PSM = Phase Shift Mask), die Wechselphasenverschiebungsmaske (Alt-PSM; Alt-PSM = Alternating Phase Shift Mask), die optische Verfahrenskorrektur (OPC; OPC = Optical Process Correction) und Flachbildschirm- (FPD-; FPD = Flat Panel Display) Masken. Alle Photomasken können anfangs unter Verwendung von normalen Herstellungsverfahren gefertigt werden.
Nachdem die Maske hergestellt ist, jedoch bevor das Häutchen angebracht wird, wird gemäß diesem Ausführungsbeispiel der Erfindung jedoch die Photomaske mit dem geeigneten Dünnfilm beschichtet, der oben hinsichtlich Tabelle 1 erörtert ist. Vorgeschlagene Verfahren der Aufbringung dieser unterschiedlichen Materialien sind in Tabelle 2 gezeigt. Tabelle 2
Die elektrische Leitfähigkeit, die Filmunversehrtheit und die optische Durchlässigkeit des Dünnfilms können getestet werden, und wenn sich dieselben einmal als zufriedenstellend erwiesen haben, kann das Häutchen angebracht werden und die Maske in der photolithographischen Kamera verwendet werden.
Bezug nehmend nun auf Fig. 3 ist ein alternatives Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung gezeigt. Gemäß diesem Ausführungsbeispiel wird der elektrisch leitfähige, optisch durchlässige Dünnfilm 30 über dem Quarzglas- oder dem transparenten Silicium(IV)oxid-Glas-Substrat 10 vor der Aufbringung der Photomaskenlinien oder der Photomaskenstruktur aufgebracht. Der Chromdünnfilm wird dann durch Sputteraufbringung auf dem oberen Ende des mit dem Film 30 beschichteten Substrats 10 aufgebracht. Die Photomaske wird dann durch herkömmliche Verfahren unter Verwendung eines Elektronen- oder Laser-Strukturgenerators auf dem Photoresist gefertigt. Die Struktur wird dann in die Chromschicht geätzt. An diesem Punkt ist es jedoch notwendig, dass die Nassätzchemie oder Trockenätzchemie eingestellt ist, um dieselbe gegenüber den darunter liegenden, optisch durchlässigen Dünnfilm selektiv zu machen. In dieser Situation ist das Quarzglas- oder Silicium(IV)oxid-Glas-Photomaskensubstrat oder der bloße Wafer im Wesentlichen durch den eigenen Faraday-Käfig desselben während einer frühen Phase der Retikelfertigung umgeben und bietet daher durch die gesamte Herstellung, den Transport, die Lagerung und das verwendete Verfahren bei der Erzeugung eines Retikels oder einer Photomaske hindurch einen Schutz gegenüber einer elektrostatischen Beschädigung.
Obwohl die Erfindung unter Bezugnahme auf darstellende Ausführungsbeispiele beschrieben ist, soll diese Beschreibung nicht in einem begrenzenden Sinne aufgefasst werden. Verschiedene Modifikationen und Kombinationen der darstellenden Ausführungsbeispiele sowie andere Ausführungsbeispiele der Erfindung sind Fachleuten unter Bezugnahme auf die Beschreibung offensichtlich. Die Reihenfolge der Verfahrensschritte kann zusätzlich durch Fachleute neu angeordnet werden und sich dennoch innerhalb des Schutzbereichs der vorliegenden Erfindung befinden. Es ist daher beabsichtigt, dass die beigefügten Ansprüche alle solche Modifikationen oder Ausführungsbeispiele aufweisen. Der Schutzbereich der vorliegenden Anmeldung soll außerdem nicht auf die speziellen Ausführungsbeispiele des Prozesses, der Maschinen, der Herstellung, der Zusammensetzung der Materialien, der Einrichtungen, der Verfahren und der Schritte, die in der Beschreibung beschrieben sind, begrenzt sein. Die beigefügten Ansprüche sollen dementsprechend in dem Schutzbereich derselben solche Prozesse, Maschinen, eine solche Herstellung, Zusammensetzung der Materialien, solche Einrichtungen, Verfahren oder Schritte aufweisen.

Claims

1. Photomaske, die gegen eine elektrostatische Beschädigung geschützt ist, mit:
einem Substrat, das eine vordere Fläche und eine hintere Fläche aufweist, wobei das Substrat mindestens gegenüber Licht, das eine ausgewählte Wellenlänge aufweist, die zum Drucken verwendet wird, transparent ist;
einer Struktur, die dauerhaft über der vorderen Fläche des Substrats aufgebracht ist, wobei die Struktur gegenüber dem Licht, das die ausgewählte Wellenlänge aufweist, die zum Drucken verwendet wird, lichtundurchlässig ist; und
einem leitfähigen Film, der gegenüber dem Licht, das die ausgewählte Wellenlänge aufweist, die zum Drucken verwendet wird, transparent ist, wobei der leitfähige Film derart aufgebracht ist, um mindestens jene Abschnitte der vorderen Fläche des Substrats zu bedecken, die nicht durch die lichtundurchlässige Struktur bedeckt sind.

2. Photomaske nach Anspruch 1, bei der der leitfähige Film ferner die lichtundurchlässige Struktur bedeckt.

3. Photomaske nach Anspruch 2, bei der der leitfähige Film ferner die hintere Fläche des Substrats bedeckt, wodurch ein Faraday-Käfig um die Photomaske gebildet ist.

4. Photomaske nach Anspruch 1, bei der der leitfähige Film im Wesentlichen die gesamte vordere Fläche des Substrats bedeckt und die lichtundurchlässige Struktur dauerhaft an dem leitfähigen Film, der die vordere Fläche des Substrats bedeckt, befestigt ist.

5. Photomaske nach Anspruch 4, bei der der leitfähige Film ferner die hintere Fläche des Substrats bedeckt, wodurch ein Faraday-Käfig um die Photomaske gebildet ist.

6. Photomaske nach Anspruch 1, bei der das Substrat Silicium(IV)oxid-Glas ist.

7. Photomaske nach Anspruch 2, bei der das Substrat Silicium(IV)oxid-Glas ist.

8. Photomaske nach Anspruch 4, bei der das Substrat Silicium(IV)oxid-Glas ist.

9. Photomaske nach Anspruch 1, bei der die lichtundurchlässige Struktur aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Chrom und Molybdänsilicid aufweist.

10. Photomaske nach Anspruch 2, bei der die lichtundurchlässige Struktur aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Chrom und Molybdänsilicid aufweist.

11. Photomaske nach Anspruch 4, bei der die lichtundurchlässige Struktur aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Chrom und Molybdänsilicid aufweist.

12. Photomaske nach Anspruch 6, bei der die lichtundurchlässige Struktur aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Chrom und Molybdänsilicid aufweist.

13. Photomaske nach Anspruch 1, bei der der leitfähige Film aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die ITO (Indiumzinnoxid), Palladium, Platin, Gold und leitfähige Polymere aufweist.

14. Photomaske nach Anspruch 2, bei der der leitfähige Film aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die ITO (Indiumzinnoxid), Palladium, Platin, Gold und leitfähige Polymere aufweist.

15. Photomaske nach Anspruch 4, bei der der leitfähige Film aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die ITO (Indiumzinnoxid), Palladium, Platin, Gold und leitfähige Polymere aufweist.

16. Photomaske nach Anspruch 6, bei der der leitfähige Film aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die ITO (Indiumzinnoxid), Palladium, Platin, Gold und leitfähige Polymere aufweist.

17. Photomaske nach Anspruch 9, bei der der leitfähige Film aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die ITO (Indiumzinnoxid), Palladium, Platin, Gold und leitfähige Polymere aufweist.

18. Photomaske nach Anspruch 10, bei der der leitfähige Film aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die ITO (Indiumzinnoxid), Palladium, Platin, Gold und leitfähige Polymere aufweist.

19. Photomaske nach Anspruch 11, bei der der leitfähige Film aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die ITO (Indiumzinnoxid), Palladium, Platin, Gold und leitfähige Polymere aufweist.

20. Photomaske nach Anspruch 12, bei der der leitfähige Film aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die ITO (Indiumzinnoxid), Palladium, Platin, Gold und leitfähige Polymere aufweist.

21. Photomaske nach Anspruch 1, bei der das Licht, das zum Drucken verwendet wird, eine Wellenlänge von 436 nm (Nanometer) aufweist und bei der der leitfähige Film ITO ist, das mit einer Dicke von etwa 100 Ångström aufgebracht ist.

22. Photomaske nach Anspruch 2, bei der das Licht, das zum Drucken verwendet wird, eine Wellenlänge von 436 nm (Nanometer) aufweist und bei der der leitfähige Film ITO ist, das mit einer Dicke von etwa 100 Ångström aufgebracht ist.

23. Photomaske nach Anspruch 4, bei der das Licht, das zum Drucken verwendet wird, eine Wellenlänge von 436 nm (Nanometer) aufweist und bei der der leitfähige Film ITO ist, das mit einer Dicke von etwa 100 Ångström aufgebracht ist.

24. Photomaske nach Anspruch 6, bei der das Licht, das zum Drucken verwendet wird, eine Wellenlänge von 436 nm (Nanometer) aufweist und bei der der leitfähige Film ITO ist, das mit einer Dicke von etwa 100 Ångström aufgebracht ist.

25. Photomaske nach Anspruch 12, bei der das Licht, das zum Drucken verwendet wird, eine Wellenlänge von 436 nm (Nanometer) aufweist und bei der der leitfähige Film ITO ist, das mit einer Dicke von etwa 100 Ångström aufgebracht ist.

26. Photomaske nach Anspruch 1, bei der das Licht, das zum Drucken verwendet wird, eine Wellenlänge von etwa 248 nm (Nanometer) aufweist und bei der der leitfähige Film Palladium ist, das mit einer Dicke von etwa 30 Ångström aufgebracht ist.

27. Photomaske nach Anspruch 2, bei der das Licht, das zum Drucken verwendet wird, eine Wellenlänge von etwa 248 nm (Nanometer) aufweist und bei der der leitfähige Film Palladium ist, das mit einer Dicke von etwa 30 Ångström aufgebracht ist.

28. Photomaske nach Anspruch 4, bei der das Licht, das zum Drucken verwendet wird, eine Wellenlänge von etwa 248 nm (Nanometer) aufweist und bei der der leitfähige Film Palladium ist, das mit einer Dicke von etwa 30 Ångström aufgebracht ist.

29. Photomaske nach Anspruch 6, bei der das Licht, das zum Drucken verwendet wird, eine Wellenlänge von etwa 248 nm (Nanometer) aufweist und bei der der leitfähige Film Palladium ist, das mit einer Dicke von etwa 30 Ångström aufgebracht ist.

30. Photomaske nach Anspruch 12, bei der das Licht, das zum Drucken verwendet wird, eine Wellenlänge von etwa 248 nm (Nanometer) aufweist und bei der der leitfähige Film Palladium ist, das mit einer Dicke von etwa 30 Ångström aufgebracht ist.

31. Photomaske nach Anspruch 1, bei der das Licht, das zum Drucken verwendet wird, eine Wellenlänge von etwa 193 nm (Nanometer) aufweist und bei der der leitfähige Film ein Material ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Palladium, Platin, Gold und leitfähige Polymere aufweist, die mit einer Dicke zwischen etwa 30 Ångström und 100 Ångström aufgebracht sind.

32. Photomaske nach Anspruch 2, bei der das Licht, das zum Drucken verwendet wird, eine Wellenlänge von etwa 193 nm (Nanometer) aufweist und bei der der leitfähige Film ein Material aufweist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Palladium, Platin, Gold und leitfähige Polymere aufweist, die mit einer Dicke zwischen etwa 30 Ångström und 100 Ångström aufgebracht sind.

33. Photomaske nach Anspruch 4, bei der das Licht, das zum Drucken verwendet wird, eine Wellenlänge von etwa 193 nm (Nanometer) aufweist und bei der der leitfähige Film ein Material aufweist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Palladium, Platin, Gold und leitfähige Polymere aufweist, die mit einer Dicke zwischen etwa 30 Ångström und 100 Ångström aufgebracht sind.

34. Photomaske nach Anspruch 6, bei der das Licht, das zum Drucken verwendet wird, eine Wellenlänge von etwa 193 nm (Nanometer) aufweist und bei der der leitfähige Film ein Material aufweist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Palladium, Platin, Gold und leitfähige Polymere aufweist, die mit einer Dicke zwischen etwa 30 Ångström und 100 Ångström aufgebracht sind.

35. Photomaske nach Anspruch 12, bei der das Licht, das zum Drucken verwendet wird, eine Wellenlänge von etwa 193 nm (Nanometer) aufweist und bei der der leitfähige Film ein Material aufweist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Palladium, Platin, Gold und leitfähige Polymere aufweist, die mit einer Dicke zwischen etwa 30 Ångström und 100 Ångström aufgebracht sind.

36. Verfahren zum Herstellen einer Photomaske, die gegen eine elektrische Beschädigung geschützt ist, mit folgenden Schritten:
Bereitstellen eines Substrats, das eine vordere Fläche und eine hintere Fläche aufweist, wobei das Substrat gegenüber einer ausgewählten Lichtwellenlänge, die zum Drucken verwendet wird, transparent ist;
dauerhaftes Anbringen einer Struktur über der vorderen Fläche, die gegenüber dem Licht, das eine ausgewählte Wellenlänge aufweist, die zum Drucken verwendet wird, lichtundurchlässig ist;
Aufbringen eines leitfähigen Films, um mindestens jene Abschnitte der vorderen Fläche des Substrats zu bedecken, die nicht durch die lichtundurchlässige Struktur bedeckt sind, wobei der leitfähige Film gegenüber dem Licht, das eine ausgewählte Wellenlänge aufweist, die zum Drucken verwendet wird, transparent ist.

37. Verfahren nach Anspruch 36, bei dem der Schritt des Aufbringens das Aufbringen des leitfähigen Films aufweist, um die vordere Fläche des Substrats, das die Struktur aufweist, zu bedecken.

38. Verfahren nach Anspruch 36, bei dem der Schritt des Aufbringens vor dem Schritt des Anbringens der Struktur auftritt und mindestens im Wesentlichen die gesamte vordere Fläche des Substrats bedeckt.

39. Verfahren nach Anspruch 36, bei dem das Substrat Silicium(IV)oxid-Glas ist.

40. Verfahren nach Anspruch 37, bei dem das Substrat Silicium(IV)oxid-Glas ist.

41. Verfahren nach Anspruch 38, bei dem das Substrat Silicium(IV)oxid-Glas ist.

42. Verfahren nach Anspruch 36, bei dem die lichtundurchlässige Struktur aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Chrom und Molybdänsilicid aufweist.

43. Verfahren nach Anspruch 37, bei dem die lichtundurchlässige Struktur aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Chrom und Molybdänsilicid aufweist.

44. Verfahren nach Anspruch 38, bei dem die lichtundurchlässige Struktur aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Chrom und Molybdänsilicid aufweist.

45. Verfahren nach Anspruch 39, bei dem die lichtundurchlässige Struktur aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Chrom und Molybdänsilicid aufweist.

46. Verfahren nach Anspruch 40, bei dem die lichtundurchlässige Struktur aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Chrom und Molybdänsilicid aufweist.

47. Verfahren nach Anspruch 41, bei dem die lichtundurchlässige Struktur aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Chrom und Molybdänsilicid aufweist.

48. Verfahren nach Anspruch 38, bei dem der leitfähige Film aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die ITO (Indiumzinnoxid), Palladium, Platin, Gold und leitfähige Polymere aufweist.

49. Verfahren nach Anspruch 37, bei dem der leitfähige Film aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die ITO (Indiumzinnoxid), Palladium, Platin, Gold und leitfähige Polymere aufweist.

50. Verfahren nach Anspruch 38, bei dem der leitfähige Film aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die ITO (Indiumzinnoxid), Palladium, Platin, Gold und leitfähige Polymere aufweist.

51. Verfahren nach Anspruch 39, bei dem der leitfähige Film aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die ITO (Indiumzinnoxid), Palladium, Platin, Gold und leitfähige Polymere aufweist.

52. Verfahren nach Anspruch 48, bei dem der leitfähige Film ITO ist, das mit einer Dicke von etwa 100 Ångström aufgebracht ist.

53. Verfahren nach Anspruch 49, bei dem der leitfähige Film ITO ist, das mit einer Dicke von etwa 100 Ångström aufgebracht ist.

54. Verfahren nach Anspruch 50, bei dem der leitfähige Film ITO ist, das mit einer Dicke von etwa 100 Ångström aufgebracht ist.

55. Verfahren nach Anspruch 48, bei dem der leitfähige Film aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Palladium, Platin, Gold und leitfähiges Polymer aufweist, und mit einer Dicke zwischen etwa 30 Ångström und 100 Ångström aufgebracht ist.

56. Verfahren nach Anspruch 49, bei dem der leitfähige Film aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Palladium, Platin, Gold und leitfähiges Polymer aufweist, und mit einer Dicke zwischen etwa 30 Ångström und 100 Ångström aufgebracht ist.

57. Verfahren nach Anspruch 50, bei dem der leitfähige Film aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Palladium, Platin, Gold und leitfähiges Polymer aufweist, und mit einer Dicke zwischen etwa 30 Ångström und 100 Ångström aufgebracht ist.

58. Verfahren nach Anspruch 51, bei dem der leitfähige Film aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Palladium, Platin, Gold und leitfähiges Polymer aufweist, und mit einer Dicke zwischen etwa 30 Ångström und 100 Ångström aufgebracht ist.