DE19924076A1 - Maskenherstellungsverfahren - Google Patents

Abstract

Bei einem Photomasken-Herstellungverfahren werden dritte Daten erzeugt durch Multiplizieren der Größe der zweiten Daten mit x. Synthetische Daten werden erzeugt durch Synthetisierung erster Daten und dritter Daten unter Verwendung erster Verbindungsdaten von den ersten Daten und zweiter Verbindungsdaten von den dritten Daten. Es wird überprüft, ob eine Kombination von Transistoren und Verdrahtungen in den synthetischen Daten mit einer Schaltung übereinstimmt, auf der der Layoutentwurf beruht. Ein Abschnitt, in dem von der Überprüfung ein Fehler erfaßt wird, wird korrigiert. Erste EB-Zeichnungsmusterdaten werden aus den ersten Daten und den ersten Verbindungsdaten der korrigierten synthetischen Daten erzeugt. Zweite EB-Zeichnungsmusterdaten werden durch Multiplizieren der dritten Daten und der zweiten Verbindungsdaten der korrigierten synthetischen Daten mit 1/x erzeugt. Das EB-Zeichnungsmuster wird gebildet aus einem ersten EB-Zeichnungsmuster, das auf einer Photomaske ausgebildet wird durch Zeichnen/Belichten der ersten EB-Zeichnungsmusterdaten, und einem zweiten EB-Zeichnungsmuster, das auf der Photomaske gebildet wird durch Zeichnen/Belichten der zweiten EB-Zeichnungsmusterdaten, während die zweiten EB-Zeichnungsmusterdaten um das x-fache bezüglich der ersten EB-Zeichnungsmusterdaten vergrößert werden.

Description

Hintergrund der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Maskenher­ stellungsverfahren zum Ausbilden eines EB-Zeichnungsmu­ sters, das mit einem Elektronenstrahl auf einer Photo­ maske gezeichnet werden soll unter Verwendung von EB- Zeichnungsmusterdaten auf der Grundlage eines Layoutent­ wurfes.

Eine Photomaske wird in einer photolithographischen Technologie bei der Herstellung einer integrierten Schal­ tung verwendet. Diese Photomaske wird hergestellt durch Ausbilden eines EB-Zeichnungsmusters auf einem Glas­ substrat unter Verwendung eines metallischen Lichtab­ schirmungselements, das aus Chrom oder dergleichen be­ steht. Dieses EB-Zeichnungsmuster wird gebildet mittels einer lithographischen Technik unter Verwendung eines Elektronenstrahls und Verwendung einer Elektronenstrahl- (EB)-Lithographievorrichtung. Die EB-Lithographievor­ richtung zeichnet ein EB-Zeichnungsmuster unter Verwen­ dung von Musterdaten als Layoutentwurfsdaten, die aus den Entwurfsdaten einer integrierten Schaltung erhalten werden. Die Musterdaten umfassen eine Kombination recht­ winkliger Muster, die den Gateelektroden-Abschnitten, den Source/Drain-Abschnitten und dergleichen auf einer inte­ grierten Schaltung entsprechen.

In diesem Fall werden beim Layoutentwurf die Layoutdaten zum Ausbilden der Grundelemente wie z. B. Transistoren im voraus vorbereitet und kombiniert/angeordnet. Die durch Kombinieren mehrerer Layoutdaten und Verbinden derselben erhaltenen Daten werden als EB-Zeichnungsmusterdaten für die EB-Lithographievorrichtung verwendet.

Die im voraus vorbereiteten Layoutdaten umfassen Daten für alte und neue Prozesse in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung. Von diesen Daten können die Lay­ outdaten für einen alten Prozeß nicht direkt auf einer Maske verwendet werden, die für einen neuen Prozeß ver­ wendet wird. Für solche Daten ist daher eine Verarbei­ tung, wie z. B. die Musterabmessungsreduktion (Schrump­ fung), erforderlich.

Im folgenden wird die Ausbildung einer Gate-Elektrode beschrieben. Zuerst wird ein leitender Film, der aus einem Gateelektroden-Material besteht, auf einem Substrat ausgebildet, wobei ein Resistmuster in Form einer Gate- Elektrode auf dem leitenden Film mittels einer photoli­ thographischen Technik ausgebildet wird. Der leitende Film wird selektiv geätzt unter Verwendung des Resistmu­ sters als Maske, wodurch eine Gate-Elektrode ausgebildet wird. In diesem Fall wird eine Photomaske in der Litho­ graphie für die Ausbildung des Resistmusters verwendet. Jedoch sind eine Länge L1, die der Gate-Länge des EB- Zeichnungsmusters auf der Photomaske entspricht, eine Länge L2, die der Gate-Länge des Resistmusters ent­ spricht, und eine Gate-Länge L3 der gebildeten Gate- Elektrode voneinander verschieden. In vielen Fällen gilt L1 < L2 < L3.

Aus diesem Grund ist die Gate-Länge der Layoutdaten größer gewählt als die Gate-Länge der wirklichen Gate- Elektrode L3. Mit den Verbesserungen der Halbleitervor­ richtungs-Herstellungsprozesse hat der unterschied zwi­ schen den obenerwähnten Längen L1 und L3 abgenommen. Wenn somit Layoutdaten für einen alten Prozeß und Layoutdaten für einen neuen Prozeß miteinander verwendet werden sollen, müssen die Abmessungen eines Datensatzes verän­ dert werden.

Die Layoutdaten für einen alten Prozeß werden in einem reduzierten Zustand verwendet. Aus diesem Grund werden die Layoutdaten für einen neuen Prozeß vergrößert, wobei die vergrößerten Layoutdaten für den neuen Prozeß mit den Layoutdaten für den alten Prozeß vereinigt werden. Die EB-Lithographievorrichtung reduziert die vereinigten Daten gleichmäßig. Folglich werden die EB-Zeichnungsmu­ sterdaten für den alten Prozeß reduziert.

Als Layoutentwurfsdaten werden die entworfenen Daten für die EB-Zeichenoperation nicht ohne Änderung verwendet. Genauer wird eine Überprüfung mittels einer Simulation oder dergleichen durchgeführt, um auf das Vorhanden­ sein/Fehlen eines Fehlers in den Entwurfsdaten zu prüfen. Zum Beispiel wird eine Entwurfsregelprüfung (DRC) durch­ geführt, um zu prüfen, ob der Verdrahtungsraum und die Gate-Länge mit den vorgegebenen Spezifikationen überein­ stimmen, oder es wird ein Layout-Schaltbild-(LVS)-Ver­ gleich durchgeführt, um zu prüfen, ob die Verbindungen der Transistoren und Verdrahtungen mit der Schaltung übereinstimmen.

Wenn die vergrößerten Daten mit anderen Daten vereinigt werden, wird in einem Computer zur Verarbeitung der Daten eine Gitterrundungsverarbeitung durchgeführt. Dies liegt daran, daß die EB-Lithographievorrichtung keine Daten verwenden kann, die nicht auf Gitterpunkten gesetzt sind (liegen). Diese Kundungsverarbeitung erzeugt jedoch viele Schlitze und dergleichen.

Die Zwischengitterrundungsverarbeitung wird im folgenden kurz beschrieben. Die in der EB-Lithographievorrichtung verwendeten Musterdaten besitzen Scheitelpunkte und Musterursprünge, die auf Gitterpunkte gesetzt sind, auf der Grundlage des vom Computer gesetzten Koordinatensy­ stems.

Wie z. B. in Fig. 8A gezeigt, sind in den Musterdaten 800, die von den Mustern 801 und 802 gebildet werden, die Zellenmitten 803 und 804 und die Scheitel auf die Gitter­ punkte 810 gesetzt. Wenn die Musterdaten 800 um das 1,6fache vergrößert werden, sind die Scheitelpunkte der vergrößerten Muster 801 und 802 und die Zellenmitten 803 und 804 neben den Gitterpunkten 810 angeordnet, wie in Fig. 8B gezeigt ist.

In diesem Zustand können diese Musterdaten nicht in der EB-Lithographievorrichtung verwendet werden. Wie in Fig. 8C gezeigt, verschiebt daher der Computer die Zel­ lenmitten 803 und 804, um diese auf den Gitterpunkten 810 anzuordnen, und bewegt die Scheitel der Muster 801 und 802 auf die benachbarten Gitterpunkte 810 in diesem Zustand.

Mit dieser Operation werden die Zellenmitten 803 und 804 der beiden Muster 801 und 802 auf den Gitterpunkten 810 angeordnet, wobei die entsprechenden Scheitel ebenfalls auf den Gitterpunkten 810 angeordnet werden. Die resul­ tierenden Daten können somit in der EB-Lithographievor­ richtung verwendet werden.

Wie in Fig. 8C gezeigt, wird jedoch zwischen den Mustern 801 und 802 ein Schlitz (Spalt) 820 erzeugt, der in den ursprünglichen Daten nicht vorhanden ist. Mit diesen Daten werden Abschnitte, die verbunden werden müssen, nicht verbunden. Wenn außerdem das Muster 801 eine Gate- Elektrode ist, nimmt die Gate-Länge zu.

Diese Abschnitte werden in einer DEC oder dergleichen als Fehler erkannt. Diese Fehler können nicht automatisch korrigiert werden und müssen daher manuell korrigiert werden, bis das Prüfergebnis keinen Fehler anzeigt.

Bei dieser Korrektur wird z. B., wie in Fig. 8D gezeigt, das Muster 801 in der Länge gestreckt und in der Breite reduziert. Als Ergebnis verschwindet die Lücke zwischen den Mustern 801 und 802, wobei alle Muster auf Gitter­ punkte gesetzt werden. Diese Korrektur wird jedoch manu­ ell durchgeführt und kann vom einem Computer nicht auto­ matisch durchgeführt werden.

Es erfordert daher viel Zeit, um die Fehler zu korrigie­ ren, die verursacht werden, wenn die Muster geschrumpft werden, um in der EB-Lithographievorrichtung verwendet zu werden.

Zusammenfassung der Erfindung

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Photomaskenherstellungsverfahren zu schaffen, daß EB- Zeichnungsmusterdaten schneller erzeugen kann, selbst wenn die Layoutdaten, die zu EB-Zeichnungsmusterdaten mit unterschiedlichen Vergrößerungs/Verkleinerungs-Verhält­ nissen verarbeitet werden, zusammengefügt werden sollen.

Um die obige Aufgabe der vorliegenden Erfindung zu lösen, wird ein Photomaskenherstellungsverfahren geschaffen zum Ausbilden eines EB-Zeichnungsmusters auf einer Photomaske unter Verwendung von EB-Zeichnungsmusterdaten, die von einem Layoutentwurf erhalten werden und bestehen aus ersten Daten, die in einer hierarchischen Struktur aus mehreren Zellen gebildet werden, und zweiten Daten, die in einer hierarchischen Struktur aus mehreren Zellen gebildet werden, wobei die zweiten Daten auf einer Photo­ maske mit einem vorgegebenen Vergrößerungsverhältnis x bezüglich der ersten Daten verwendet werden; wobei das Verfahren umfaßt: den ersten Schritt des Erzeugens von dritten Daten durch Multiplizieren einer Größe der zweiten Daten mit x; den zweiten Schritt des Erzeugens synthetischer Daten durch Synthetisieren der ersten Daten und der dritten Daten unter Verwendung der ersten Verbindungsdaten von den ersten Daten und den zweiten Verbindungsdaten von den dritten Daten; den dritten Schritt des Überprüfens, ob eine Kombination von Zellen in den synthetischen Daten mit einer Schaltung überein­ stimmt, auf der der Layoutentwurf beruht, und des Korri­ gierens eines Abschnitts, in dem von der Überprüfung ein Fehler erfaßt wird; den vierten Schritt des Erzeugens erster EB-Zeichnungsmusterdaten aus den ersten Daten und ersten Verbindungsdaten der korrigierten synthetischen Daten; den fünften Schritt des Erzeugens zweiter EB- Zeichnungsmusterdaten durch Multiplizieren der dritten Daten und der zweiten Verbindungsdaten der korrigierten synthetischen Daten mit 1/x; und den sechsten Schritt des Ausbildens des EB-Zeichnungsmusters aus einem ersten EB- Zeichnungsmuster, das auf der Photomaske durch Zeich­ nen/Belichten der ersten EB-Zeichnungsmusterdaten gebil­ det worden ist, und einem zweiten EB-Zeichnungsmuster, das auf einer Photomaske durch Zeichnen/Belichten der zweiten EB-Zeichnungsmusterdaten gebildet worden ist, während die zweiten EB-Zeichnungsmusterdaten um das xfache bezüglich der ersten EB-Zeichnungsmusterdaten vergrößert werden.

Außerdem wird ein Maskenherstellungsverfahren geschaffen zum Ausbilden eines EB-Zeichnungsmusters auf einer Photo­ maske unter Verwendung der EB-Zeichnungsmusterdaten, die erhalten werden von einem Layoutentwurf und bestehen aus ersten Daten, die in hierarchischer Struktur aus mehreren Zellen gebildet worden sind, und zweiten Daten, die in einer hierarchischen Struktur aus mehreren Zellen gebil­ det worden sind, wobei die zweiten Daten auf der Photo­ maske mit einem vorgegebenen Vergrößerungsverhältnis x bezüglich der ersten Daten verwendet werden; wobei das Verfahren umfaßt: den ersten Schritt des Erzeugens von dritten Daten durch Multiplizieren einer Größe der zweiten Daten mit x; den zweiten Schritt des Erzeugens synthetischer Daten durch Synthetisieren der ersten Daten und der dritten Daten unter Verwendung der ersten Verbindungsdaten von den ersten Daten und den zweiten Verbindungsdaten von den dritten Daten; den dritten Schritt des Überprüfens, ob eine Kombination von Zellen in den synthetischen Daten mit einer Schaltung überein­ stimmt, auf der der Layoutentwurf beruht, und des Korri­ gierens eines Abschnitts, in dem von der Überprüfung ein Fehler erfaßt wird; den vierten Schritt des Erzeugens erster EB-Zeichnungsmusterdaten durch Multiplizieren der dritten Daten und ersten Verbindungsdaten der korrigier­ ten synthetischen Daten mit x; den fünften Schritt des Erzeugens zweiter EB-Zeichnungsmusterdaten auf den zwei­ ten Daten und den zweiten Verbindungsdaten der korrigier­ ten synthetischen Daten; und den sechsten Schritt des Ausbildens des EB-Zeichnungsmusters aus einem ersten EB- Zeichnungsmuster, das auf der Photomaske durch Zeich­ nen/Belichten der ersten EB-Zeichnungsmusterdaten gebil­ det worden ist, und einem zweiten EB-Zeichnungsmuster, das auf einer Photomaske durch Zeichnen/Belichten der zweiten EB-Zeichnungsmusterdaten gebildet worden ist, während die zweiten EB-Zeichnungsmusterdaten um das xfache bezüglich der ersten EB-Zeichnungsmusterdaten vergrößert werden.

Kurzbeschreibung der Zeichnung

Fig. 1 ist ein Flußdiagramm zur Erläuterung eines Verfah­ rens zur Herstellung von Musterdaten gemäß einer Ausfüh­ rungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2A und 2B sind Draufsichten, die jeweils neue und alte Zellen zeigen;

Fig. 3 ist eine Ansicht eines Layouts, die einen Zustand zeigt, in dem die 1,25fache neue Zelle mit der alten Zelle vereinigt ist;

Fig. 4 ist eine Ansicht eines Layouts, die einen Zustand zeigt, in der die Verdrahtung zwischen den neuen und alten Zellen ausgebildet wird;

Fig. 5 ist eine Ansicht zur Erläuterung der Erzeugung von Daten, die für eine EB-Lithographievorrichtung verwendet werden;

Fig. 6 ist eine Ansicht zur Erläuterung der Erzeugung von Daten, die für die EB-Lithographievorrichtung verwendet werden;

Fig. 7 ist eine Draufsicht, die einen Zustand zeigt, bei dem die alten und neuen Zellen angeordnet sind, wobei die alten Zellenabschnitte mit 0,8 multipliziert sind; und

Fig. 8A bis 8D sind Ansichten zur Erläuterung der Gitter­ rundungsverarbeitung.

Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform

Im folgenden wird die vorliegende Erfindung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.

Die Fig. 1 ist ein Flußdiagramm zur Erläuterung eines Photomaskenherstellungsverfahrens gemäß einer Ausfüh­ rungsform der vorliegenden Erfindung. Außerdem wird im folgenden ein Fall beschrieben, bei dem Layoutdaten (alte Zelle) für einen alten Prozeß und Layoutdaten (neue Zelle) für einen neuen Prozeß zu einem Layoutdatensatz vereinigt werden. Es sei angenommen, daß dann, wenn Layoutdaten für einen alten Prozeß in der Größe um den Faktor 0,8 vergrößert werden, die resultierenden Daten mit Daten für einen neuen Prozeß vereinigt werden können.

Wie in Fig. 1 gezeigt, werden zuerst im Schritt S101 alte und neue Zellen an vorgegebenen Positionen in einem Belichtungsbereich auf einer Maske plaziert. Im Schritt S102 wird die Größe der neuen Zelle um den Faktor 1,25 erhöht, wobei die alte Zelle mit der vergrößerten neuen Zelle zu einem neuen Layoutdatensatz vereinigt wird. Die Verdrahtungen werden zwischen den entsprechenden Zellen gesetzt, um Überprüfungsdaten zu erzeugen. Im Schritt S103 wird eine Überprüfung (DRC, LVS) auf der Grundlage der im Schritt S102 erzeugten Überprüfungsdaten durchge­ führt.

Anschließend wird im Schritt S104 geprüft, ob das Über­ prüfungsergebnis einen Fehler aufgedeckt hat. Wenn im Schritt S104 das Ergebnis gleich JA ist, wird der Feh­ lerabschnitt im Schritt S105 modifiziert. Nachdem der Fehlerabschnitt modifiziert worden ist, kehrt der Ablauf zum Schritt S103 zurück, um die Überprüfungsdaten zu prüfen, die durch die Korrektur des Fehlerabschnitts erhalten worden sind. Das heißt, die Modifikation wird durchgeführt, bis in der Überprüfungsverarbeitung im Schritt S103 kein Fehler erfaßt wird. Wenn im Schritt S104 festgestellt wird, daß kein Fehler erfaßt worden ist, rückt der Ablauf zum Schritt S106 vor, um die Über­ prüfungsdaten, die der Überprüfung unterzogen worden sind, als Photomaskenprüfdaten zu speichern.

Im Schritt S107 werden die Größen der neuen Zelle und der hinzugefügten Verdrahtungen der korrigierten Daten mit dem Faktor 0,8 vergrößert. Das heißt, die Größen der neuen Zelle und ihrer Verdrahtungen werden in die ur­ sprünglichen Größen zurückversetzt. Im Schritt S108 werden neue EB-Zeichnungsmusterdaten (erste EB-Zeich­ nungsmusterdaten) erzeugt durch Verwenden der neuen Zelle, die in die ursprüngliche Größe zurückversetzt wurde, zusammen mit den Verdrahtungsdaten. Im Schritt S109 werden EB-Zeichnungsmusterdaten der alten Zelle (zweite EB-Zeichnungsmusterdaten) erzeugt unter Verwen­ dung der alten Zelle, zu der die Verdrahtungen hinzuge­ führt werden, wobei die ursprüngliche Größe unverändert beibehalten wird.

Im Schritt S110 wird eine EB-Lithographievorrichtung verwendet, um die EB-Belichtung der EB-Zeichnungsmu­ sterdaten der neuen Zelle im Bereich des die Photomaske bildenden Glassubstrats durchzuführen, auf dem die neue Zelle plaziert werden soll. Im Schritt S111 wird die EB- Lithographievorrichtung verwendet, um die EB-Zeichnungs­ musterdaten der alten Zelle mit dem Faktor 0,8 im Bereich auf dem die Photomaske bildenden Glassubstrat zu schrump­ fen, auf dem die alte Zelle plaziert werden soll, und die EB-Belichtung durchzuführen.

Es ist zu beachten, daß als die Photomaske bildende Substrat z. B. ein 0,625 mm dickes Quarzsubstrat mit einer Größe von 6 Quadratzoll verwendet wird. Ein drei­ schichtiger Lichtabschirmungsfilm, der aus den Schichten Chromoxid, Chrom und Chromoxid besteht, wird auf der Hauptoberfläche des Quarzsubstrats durch Sputtern oder dergleichen ausgebildet. Der Lichtabschirmungsfilm wird mit einem EB-Belichtungsresist beschichtet.

Im Schritt S112 wird eine Photomaske hergestellt, indem eine Entwicklung und ein Ätzen für das die Photomaske bildende Substrat durchgeführt wird, das einer EB-Belich­ tung unterworfen worden ist. Im Schritt S113 wird die hergestellte Photomaske geprüft. Diese Prüfung wird durchgeführt mittels Vergleichen/Sammeln der Bilddaten des EB-Zeichnungsmusters, das durch Lesen eines optischen Bildes des EB-Zeichnungsmusters gebildet wird, das auf der Photomaske ausgebildet worden ist, mit den im Schritt S106 gespeicherten Prüfdaten.

Im Schritt S114 wird geprüft, ob bei der Überprüfung im Schritt S113 ein Fehler erfaßt worden ist. Wenn die Antwort im Schritt S114 gleich JA ist, wird im Schritt S115 geprüft, ob der Fehler korrigiert werden kann. Wenn die Antwort im Schritt S115 gleich NEIN ist, kehrt der Ablauf zum Schritt S110 zurück, um eine neue Photomaske zu erstellen. Wenn die Antwort im Schritt S115 gleich JA ist, wird der Fehler im Schritt S116 korrigiert.

Es sei angenommen, daß der Fehler z. B. das Anhaften einer fremden Substanz (Staub) und dergleichen umfaßt. Wenn ein Anhaften einer fremden Substanz auftritt, wird festgestellt, daß der Fehler korrigiert werden kann. In diesem Fall wird als Korrektur eine Reinigung der Photo­ maske durchgeführt. Wenn die Korrektur des Fehlers abge­ schlossen ist, kehrt der Ablauf zum Schritt S113 zurück. Wenn im Schritt S114 festgestellt wird, daß kein Fehler erfaßt worden ist, ist die Herstellung der Photomaske abgeschlossen.

Die Erzeugung der Überprüfungsdaten im Schritt S102 in Fig. 1 wird im folgenden mit Bezug auf die Fig. 2A und 2B genauer beschrieben.

Eine neue Zelle besitzt einen Transistor und einen Wider­ stand, die von einem Satz mehrerer Grundzellen gebildet werden. Genauer, wie in Fig. 2A gezeigt, besteht die neue Zelle aus Grundzellen, einschließlich einer Gateelektro­ den-Zelle 201, einen Source-Zelle 202, einer Drain-Zelle 203, einer Widerstandszelle 204, einer Verdrahtungszelle 205 und den Kontaktzellen 206 und 207. Eine Zellenmitte 200 ist nahezu der Mittelabschnitt einer neuen Zelle. Ein Rand 200a ist als Außengrenze der neuen Zelle festgelegt.

Wie in Fig. 2B gezeigt, enthält die alte Zelle eine Verdrahtungszelle 211, die mit einem (nicht gezeigten) Signaleingang verbunden ist, eine Verdrahtungszelle 212, die mit einem (nicht gezeigten) Signalausgang verbunden ist, eine Kontaktzelle 213, die mit einer Stromversorgung verbunden ist, sowie eine Kontaktzelle 214, die mit Masse verbunden ist. Eine Zellenmitte 210 ist nahezu im Mit­ telabschnitt der alten Zelle angeordnet. Obwohl nicht gezeigt, enthalten die Daten der alten Zelle nicht nur die obenerwähnten Daten, sondern auch viele Daten, die außerhalb der obenerwähnten Daten angeordnet sind. Ein Rand 210a ist als innerer Rand der alten Zelle gesetzt. Die alte Zelle enthält daher keine Daten innerhalb des Randes 210a.

Wie oben beschrieben worden ist, führt die EB-Lithogra­ phievorrichtung eine Belichtung durch unter Verwendung der neuen Zellendaten ohne Veränderung ihrer Größe. Im Gegensatz hierzu führt die EB-Lithographievorrichtung die Belichtung durch nach einer Multiplikation der Größe der alten Zellendaten mit 0,8. Aus diesem Grund werden dann, wenn z. B. die Größe des Randes 200a mit 1,25 multipli­ ziert wird, die Ränder 200a und 210a so gesetzt, daß sie einander überlappen.

Bei der Erzeugung der Überprüfungsdaten wird zuerst ein Vereinigungsrand 200b außerhalb des Randes 200a der neuen Zelle gesetzt. Dieser Vereinigungsrand 200 ist außerhalb eines Randes 200a z. B. in einem Abstand von 2 µm ge­ setzt. Ein Vereinigungsrand 210b ist innerhalb des Randes 210a der alten Zelle gesetzt. Dieser Vereinigungsrand 210b ist innerhalb des Randes 210a z. B. in einem Abstand von 2.1,25 (µm) gesetzt.

Die Daten der neuen Zelle werden anschließend um den Faktor 1,25 vergrößert, wobei die vergrößerte neue Zelle mit den Daten der alten Zelle vereinigt wird. Zu diesem Zeitpunkt sind die in den Fig. 2A und 2B gezeigten Zel­ lenmitten 200 und 210 an einem vorgegebenen Ursprung positioniert. Die 1,25fachen neuen Zellendaten sind nicht auf Gitterpunkte gesetzt, wie in Fig. 8 gezeigt. In diesem Fall werden die Daten in diesem Zustand belassen.

Die Fig. 3 zeigt einen Zustand, bei dem die 1,25fache neue Zelle und die 1fache alte Zelle miteinander verei­ nigt sind. Die Zellenzentren 200 und 210, die jeweils in den Fig. 2A und 2B gezeigt sind, werden an einem Ursprung 300 positioniert. Es ist zu beachten, daß die mit der gestrichelten Linie gezeigte Zelle die neue Zelle vor ihrer Multiplikation mit 1,25 ist.

Der Rand der 1,25fachen neuen Zelle überlappt den Rand 210a (Fig. 2B) der alten Zelle. Dieser Rand wird als Neu/Alt-Zellenrand 300a bezeichnet. Der Neu/Alt-Zellen­ rand 300a ist mit dem Rand 210a der alten Zelle iden­ tisch. Der Vereinigungsrand 210b ist innerhalb des Neu/Alt-Zellenrandes 300a vorhanden. Ein Vereinigungsrand 300b ist außerhalb des Neu/Alt-Zellenrandes 300a vorhan­ den. Der Vereinigungsrand 300b wird erhalten durch Multi­ plizieren der Größe des Vereinigungsrandes 200b (Fig. 2A) mit 1,25.

Wie in Fig. 4 gezeigt, erstrecken ausgehend von der neuen Zelle neue Zellenverdrahtungen 401 bis 404. Von der alten Zelle ausgehend erstrecken sich die alten Zellenverdrah­ tungen 411 bis 414. Die neuen Zellenverdrahtungen 401 bis 404 sind auf den Gitterpunkten angeordnet, die erhalten werden durch Multiplizieren des Anfangsgitters, 0,02 µm, d. h. es ergibt sich ein Gitter mit einer Breite von 0,025 µm. Dies verhindert das Runden aufgrund des Zwi­ schengitters beim Erzeugen der EB-Zeichnungsmusterdaten durch Multiplizieren der neuen Zellendaten mit 0,8.

Beim Verdrahtungsentwurf werden die Verdrahtungen so ausgelegt, daß jedes Paar von neuer Zellenverdrahtung 401 und alter Zellenverdrahtung 411, neuer Zellenverdrahtung 402 und alter Zellenverdrahtung 412, neuer Zellenverdrah­ tung 403 und alter Zellenverdrahtung 413 sowie neuer Zellenverdrahtung 404 und alter Zellenverdrahtung 414 jeweils zu einer Verdrahtung vereinigt wird.

In diesem Fall werden die neuen Zellenverdrahtungen 401 bis 404 so gesetzt, daß sie sich ausgehend vom Vereini­ gungsrand 200b nach außen zum Vereinigungsrand 300b erstrecken. Im Gegensatz hierzu werden die alten Zellen­ verdrahtungen 411 bis 414 so gesetzt, daß sie sich vom Vereinigungsrand 300b zum Vereinigungsrand 210b nach innen erstrecken. Folglich überlappen die neuen Zellen­ verdrahtungen 401 bis 404 entsprechend die alten Zellen­ verdrahtungen 411 bis 414 um 5 µm zwischen dem Vereini­ gungsrand 210b und dem Vereinigungsrand 300b.

Auf diese Weise werden die Vereinigungsdaten im Schritt S102 erzeugt (Fig. 1).

Wie oben beschrieben worden ist, wird die neue Zelle mit 1,25 multipliziert und verwendet, jedoch werden die Überprüfungsdaten nicht für die EB-Lithographievorrich­ tung verwendet. Aus diesem Grund können die Daten im Zwischengitterzustand gehalten werden, in welchem die Daten nicht auf den Gitterpunkten gesetzt sind. Da in dieser Ausführungsform die Daten im Zwischengitterzustand verwendet werden ohne Beseitigung des Zwischengitterzu­ stands, werden keine Schlitze und dergleichen erzeugt.

Im folgenden wird die Erzeugung der Prüfdaten beschrie­ ben.

Wenn die EB-Zeichnungsmusterdaten erzeugt werden sollen, werden eine Vergrößerungsverarbeitung für die Daten und eine Umsetzung für die EB-Zeichnungsmusterdaten mit der Schichtsyntheseverarbeitung auf einem Computer ausge­ führt. Mathematische Ausdrücke in dieser Schichtsynthese­ verarbeitung enthalten Ausdrücke für die Ausdün­ nungs/Verdickungsverarbeitung. Diese Ausdünnungs/Verdickungsverarbeitung wird für spezifische Muster wie z. B. die Verdrahtung, eine mit Verunreinigungen dotierte Schicht und für Diffusionsschichtmuster durchgeführt. Wenn Daten mit unterschiedlichen Belichtungsreduk­ tionsverhältnissen verarbeitet werden sollen, müssen die Ausdünnungs/Verdickungs-Maße entsprechend dem Verhältnis zwischen den Belichtungsreduktionsverhältnissen gesetzt sein, so daß die auf einem Wafer unter Verwendung einer Photomaske erzeugten Muster derselben Prozeßnorm entspre­ chen. Selbst wenn Daten mit unterschiedlichen Belich­ tungsreduktionsverhältnissen verarbeitet werden sollen, da das minimale Gitter von der Leistungsfähigkeit der EB- Lithographievorrichtung bestimmt wird, und diese Daten gleichmäßig auf das minimale Gitter gesetzt werden müs­ sen, stimmen außerdem die Ausdünnungs/Verdickungs-Maße nicht genau mit dem Verhältnis zwischen den Belichtungs­ reduktionsverhältnissen überein.

Bei dem Prozeß der Ausführung der Ausdünnungs/Ver­ dickungsverarbeitung mittels der Schichtsynthese bei der Erzeugung der Prüfdaten, wenn die EB-Zeichnungs­ musterdaten, die jeweils auf alten und neuen Zellen beruhen, erzeugt werden sollen, da die Ausdün­ nungs/Verdickungsmaße variieren, können die Prüfdaten nicht direkt aus den Layoutüberprüfungsdaten für die obenerwähnte EB-Belichtung erzeugt werden. In anderen Schritten, in denen keine Ausdünnungs/Verdickungs­ verarbeitung durchgeführt wird, können die Prüfdaten jedoch erzeugt werden durch einfaches Multiplizieren der Layoutüberprüfungsdaten für die obenerwähnte EB-Belich­ tung mit 0,8.

Die Erzeugung der Prüfdaten im Schritt der Ausführung der Ausdünnungs/Verdickungsverarbeitung mittels der Schicht­ syntheseverarbeitung wird im folgenden beschrieben.

Nachdem die Layoutüberprüfungsdaten für die EB-Belichtung auf die obenbeschriebene Weise erzeugt worden sind, wird die neue Zelle in ihre Ausgangsgröße zurückversetzt, wie in Fig. 5 gezeigt ist. Das heißt, der neue Zellenab­ schnitt der Layoutüberprüfungsdaten für die EB-Belichtung nach der Überprüfung wird um den Ursprung 300, der die Zellenmitte darstellt, mit 0,8 multipliziert.

Die Schichtsyntheseverarbeitung wird anschließend für die Layoutdaten der 0,8fachen neuen Zelle durchgeführt. Diese neue Zelle enthält die Verdrahtungen 401, 402, 403 und 404, die erhalten werden, wenn die neue Zelle vergrö­ ßert wird und mit der alten Zelle verbunden wird. In ähnlicher Weise wird die Schichtsyntheseverarbeitung für die Layoutdaten der alten Zelle durchgeführt. Diese alte Zelle enthält ebenfalls die Verdrahtungen 411, 412, 413 und 414, die erhalten werden, wenn die neue Zelle vergrö­ ßert und mit der alten Zelle verbunden wird.

Nachdem die Schichtsyntheseverarbeitung getrennt für die neuen und alten Zellen durchgeführt worden ist, wird die alte Zelle einfach mit 0,8 multipliziert. Schließlich werden die 0,8fache alte Zelle und die neue Zelle, die der Schichtsyntheseverarbeitung unterworfen worden sind, um ihre Ursprünge miteinander vereinigt.

In den auf diese Weise erzeugten Daten ist eine Fehler­ konvergenz bereits in den neuen und alten Zellen durchge­ führt worden, indem separat die DRC- und LVS-Überprüfung durchgeführt wurde, wobei die Fehlerkonvergenz in den Verbindungsabschnitten bereits mittels DRC durchgeführt wurde. Nur eine Gesamt-LVS-Überprüfung nach der Schicht­ syntheseverarbeitung ist noch nicht durchgeführt worden. Es entstehen jedoch keine Probleme, wenn die Verdrahtun­ gen an den Verbindungsabschnitten vor und nach der Schichtsyntheseverarbeitung nicht verändert werden.

Wenn die Verdrahtungen an den Verbindungsabschnitten vor und nach der Schichtsyntheseverarbeitung verändert wer­ den, muß eine LVS-Überprüfung nach der Korrektur der mathematischen Ausdrücke für die Schichtsyntheseverarbei­ tung für die neuen und alten Zellen zu mathematischen Ausdrücken für die Schichtsynthese auf der Grundlage einer Regeldatei durchgeführt werden, um die Überprü­ fungsdaten mit großen wirklichen Ausdünnungs/Ver­ dickungsmaßen zu verarbeiten.

Mit der obenerwähnten Operation werden die Prüfdaten erzeugt, die in allen Herstellungsprozessen verwendet werden.

Die Erzeugung der Daten, die für die EB-Lithographievor­ richtung verwendet werden, nach der Überprüfung der Überprüfungsdaten, wird im folgenden beschrieben.

Ein Verfahren zum Erzeugen von Daten, die für die EB- Lithographievorrichtung verwendet werden, unter Verwen­ dung einer neuen Zelle wird zuerst mit Bezug auf die Schritte S107 bis S113 in Fig. 1 beschrieben. Wie in Fig. 5 gezeigt, wird die neue Zelle in ihre ursprüngliche Größe zurückversetzt. Das heißt, die neue Zelle der Überprüfungsdaten nach der Überprüfung und die neuen Zellenverdrahtungsabschnitte werden um den Ursprung 300 als Zellenmitte mit 0,8 multipliziert (Schritt S107).

Die Daten außerhalb des Vereinigungsrandes 200b der 0,8fachen ursprünglichen neuen Zelle werden maskiert. Es sei angenommen, daß die EB-Lithographievorrichtung keine Elektronenstrahlbelichtung für die Daten außerhalb des Vereinigungsrandes 200b durchführt, die mit dem schraf­ fierten Abschnitt in Fig. 5 gezeigt sind. Außerdem werden die alten Zellenverdrahtungen 411 bis 414 gelöscht. Mit dieser Operation werden neue Zellen-EB-Zeichnungsmu­ sterdaten, die der Elektronenstrahlbelichtung unterworfen werden, erzeugt, indem nur die neue Zelle und die neuen Zellenverdrahtungen 401 bis 404 verwendet werden (Schritt S108).

Ein Verfahren zur Erzeugung von Daten, die für die EB- Lithographievorrichtung verwendet werden, unter Verwen­ dung einer alten Zelle wird im folgenden beschrieben. Wie in Fig. 6 gezeigt, werden die Daten innerhalb des Verei­ nigungsrandes 210b maskiert. Das heißt, die EB-Lithogra­ phievorrichtung führt keine Elektronenstrahlbelichtung für die Daten innerhalb des Vereinigungsrandes 210b aus, die mit dem schraffierten Abschnitt in Fig. 6 gezeigt sind. Außerdem werden die neuen Zellenverdrahtungen 401 bis 404 gelöscht. Mit dieser Operation werden die alten Zellen-EB-Zeichnungsmusterdaten, die der Elektronen­ strahlbelichtung unterworfen werden, erzeugt, indem nur die alte Zelle und die alten Zellenverdrahtungen 411 bis 414 verwendet werden (Schritt S109).

Die neuen Zellen-EB-Zeichnungsmusterdaten werden an­ schließend verwendet, um eine Elektronenstrahlbelichtung durchzuführen, deren Ursprung auf den Maskenursprung gesetzt ist, ohne die Vergrößerung zu verändern (Schritt S110). Im Gegensatz hierzu werden die alten Zellen-EB- Zeichnungsmusterdaten verwendet, um eine Elektronen­ strahlbelichtung durchzuführen, nachdem der Ursprung der Daten auf dem Maskenursprung positioniert worden ist, wobei die Daten mit 0,8 multipliziert werden (Schritt S110).

Mit dieser Operation werden die EB-Zeichnungsmuster, bei denen die 0,8fache alte Zelle und die neue Zelle ent­ sprechend angeordnet sind, wie mit den durchgezogenen Linien in Fig. 7 gezeigt, auf den entsprechenden Photo­ masken ausgebildet (Schritt S113).

Die Gateelektroden-Zelle 201, die Source-Zelle 202, die Drain-Zelle 203, die Widerstandszelle 204, die Verdrah­ tungszelle 205, die Kontaktzellen 206 und 207, die Ver­ drahtungszelle 211, die Verdrahtungszelle 212, die Kon­ taktzelle 213 und die Kontaktzelle 214 werden nicht alle auf derselben Photomaske ausgebildet. Von den auszubil­ denden integrierten Schaltungen werden die EB-Zeichnungs­ muster für die Ausbildung der auf derselben Schicht ausgebildeten Muster gleichzeitig auf derselben Photo­ maske plaziert.

In der obigen Ausführungsform werden die Überprüfungsda­ ten erzeugt durch Vergrößern der neuen Zellendaten um eine vorgegebene Vergrößerung (xmal) und Vereinigen derselben mit den alten Zellendaten. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Wenn das Datenvolumen der alten Zellendaten kleiner ist als dasje­ nige der neuen Zellendaten, kann die Größe der alten Zellendaten um einen vorgegebenen Vergrößerungsfaktor (1/x mal) reduziert werden, wobei die neuen Zellendaten mit den resultierenden Daten vereinigt werden können.

In diesem Fall werden die synthetischen Daten erzeugt durch Synthetisieren der xfachen alten Zellendaten mit den neuen Zellendaten. Zusätzlich werden die ersten EB- Zeichnungsmusterdaten erzeugt durch Multiplizieren der xfachen alten Zellendaten der korrigierten synthetischen Daten und der Verbindungsdaten von den synthetischen Daten mit x. Die zweiten EB-Zeichnungsmusterdaten werden erzeugt unter Verwendung der neuen Zellendaten der korri­ gierten Daten und der Verbindungsdaten von den neuen Zellendaten.

In der obenerwähnten Ausführungsform wird der neue Zel­ lenbereich zuerst der EB-Belichtung unterworfen. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht hierauf be­ schränkt. Die EB-Belichtung kann zuerst auf dem alten Zellenbereich durchgeführt werden.

Außerdem wird in der obenerwähnten Ausführungsform die vorliegende Erfindung auf die Herstellung der Photomasken angewendet. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Zum Beispiel kann die vorliegende Erfindung auf die Herstellung von Röntgenstrahlmasken angewendet werden.

Wie oben beschrieben worden ist, müssen gemäß der vorlie­ genden Erfindung die Layoutdaten nicht geschrumpft wer­ den, um für die EB-Lithographievorrichtung verwendet zu werden. Wenn bei den zweiten Daten kein Zwischengitter und dergleichen auftritt, sind auch die zweiten EB-Zeich­ nungsmusterdaten frei von einem Zwischengitter und der­ gleichen. Folglich können selbst dann, wenn Layoutdaten mit unterschiedlichen Vergrößerungs/Reduktionsverhält­ nissen für EB-Zeichnungsmusterdaten zum Vereinigen mit­ einander gesetzt sind, die EB-Zeichnungsmusterdaten schneller erzeugt werden.

Wenn eines oder beide der mit den ersten und zweiten EB- Zeichnungsmusterdaten gezeichneten Muster geschrumpft werden muß, werden die ersten und zweiten EB-Zeichnungs­ musterdaten nicht auf einem Computer geschrumpft, sondern die EB-Belichtung wird mit vorgegebenen Vergrößerungsfak­ toren bei der Zeichnungs/Belichtungs-Verarbeitung ausge­ führt. Dies kann die Rundung und die Erzeugung von Schlitzen aufgrund der Positionskorrektur für Zwischen­ gitter verhindern und erlaubt somit die Erzeugung einer idealen Photomaske ohne irgendwelche Musterverzerrungen.

Da außerdem Bereiche, in denen die Verdrahtungsdaten überlappen, zwischen den ersten Verbindungsdatenbereichen und den zweiten Verbindungsdatenbereichen auf der Photo­ maske ausgebildet werden, werden selbst dann keine Schlitze erzeugt, wenn die Layoutdaten separat mit unter­ schiedlichen Vergrößerungsfaktoren belichtet werden, wobei keine Verdrahtungsmustertrennung auftritt.

Claims (19)

1. Photomasken-Herstellungsverfahren zum Ausbilden eines EB-Zeichnungsmusters auf einer Photomaske unter Verwendung von EB-Zeichnungsmusterdaten, die von einem Layoutentwurf erhalten werden und bestehen aus ersten Daten (210, 210a), die in einer hierarchischen Struktur aus mehreren Zellen (211-214) gebildet werden, und zwei­ ten Daten (200, 200a), die in einer hierarchischen Struk­ tur aus mehreren Zellen (201-207) gebildet werden, wobei die zweiten Daten auf einer Photomaske mit einem vorgege­ benen Vergrößerungsverhältnis x bezüglich der ersten Daten verwendet werden, gekennzeichnet durch:
den ersten Schritt des Erzeugens von dritten Daten durch Multiplizieren einer Größe der zweiten Daten mit x;
den zweiten Schritt des Erzeugens synthetischer Daten durch Synthetisieren der ersten Daten und der dritten Daten unter Verwendung der ersten Verbindungsda­ ten von den ersten Daten und den zweiten Verbindungsdaten von den dritten Daten;
den dritten Schritt des Überprüfens, ob eine Kombination von Zellen in den synthetischen Daten mit einer Schaltung übereinstimmt, auf der der Layoutentwurf beruht, und des Korrigieren- eines Abschnitts, in dem von der Überprüfung ein Fehler erfaßt wird;
den vierten Schritt des Erzeugens erster EB- Zeichnungsmusterdaten aus den ersten Daten und ersten Verbindungsdaten der korrigierten synthetischen Daten:
den fünften Schritt des Erzeugens zweiter EB- Zeichnungsmusterdaten durch Multiplizieren der dritten Daten und der zweiten Verbindungsdaten der korrigierten synthetischen Daten mit 1/x; und
den sechsten Schritt des Ausbildens des EB-Zeich­ nungsmusters aus einem ersten EB-Zeichnungsmuster, das auf der Photomaske durch Zeichnen/Belichten der ersten EB-Zeichnungsmusterdaten gebildet worden ist, und einem zweiten EB-Zeichnungsmuster, das auf einer Photomaske durch Zeichnen/Belichten der zweiten EB-Zeichnungsmu­ sterdaten gebildet worden ist, während die zweiten EB- Zeichnungsmusterdaten um das xfache bezüglich der ersten EB-Zeichnungsmusterdaten vergrößert werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der sechste Schritt die Schritte umfaßt:
Ausbilden eines ersten EB-Zeichnungsmusters auf einer Photomaske durch Zeichnen/Belichten der ersten EB- Zeichnungsmusterdaten; und
Ausbilden eines zweiten EB-Zeichnungsmusters auf einer Photomaske zusätzlich zum ersten EB-Zeichnungsmu­ ster durch Zeichnen/Belichten der zweiten EB-Zeichnungs­ musterdaten, während die zweiten EB-Zeichnungsmusterdaten um das xfache bezüglich der ersten EB-Zeichnungsmu­ sterdaten vergrößert werden.

3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der sechste Schritt umfaßt:
Ausbilden eines zweiten EB-Zeichnungsmusters auf der Photomaske durch Zeichnen/Belichten der zweiten EB- Zeichnungsmusterdaten, während die zweiten EB-Zeichnungs­ musterdaten um das xfache bezüglich der ersten EB-Zeich­ nungsmusterdaten vergrößert werden; und
Ausbilden eines ersten EB-Zeichnungsmusters auf den Photomaske durch Zeichnen/Belichten der ersten EB- Zeichnungsmusterdaten und Ausbilden des EB-Zeichnungsmu­ sters durch Ausbilden des ersten EB-Zeichnungsmusters auf einer Photomaske zusätzlich zum zweiten EB-Zeichnungsmu­ ster.

4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der zweite Schritt den Schritt des Ausbildens der ersten und zweiten Verbindungsdaten umfaßt, so daß sie sich teilweise über­ lappen.

5. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die korrigier­ ten synthetischen Daten für eine Untersuchung einer Maske verwendet werden.

6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem ein Datensatz, der erhalten wird durch Reduzieren der synthetischen Daten mit einer Zeichnungs/Belichtungs-Vergrößerung und Ausführen der Schichtsynthese für die Daten, und der Datensatz, der erhalten wird durch Ausführen der Schicht­ synthese für die synthetischen Daten und Reduzieren der Daten mit der Zeichnungs/Belichtungs-Vergrößerung, für eine Untersuchung einer Photomaske verwendet werden.

7. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem die für eine Untersuchung einer Photomaske verwendeten synthetischen Daten erzeugt werden durch
entsprechendes Zurückversetzen der ersten und zweiten EB-Zeichnungsmusterdaten auf die ursprünglichen Vergrößerungen,
Durchführung der Schichtsyntheseverarbeitung mittels Verdickung/Ausdünnung eines vorgegebenen Musters der in den anfänglichen Vergrößerungen gespeicherten Daten,
Reduzieren der Daten, die der Schichtsynthesever­ arbeitung unterworfen worden sind, mit einer Zeich­ nungs/Belichtungs-Reduktionsvergrößerung, und
Synthetisieren der entsprechenden reduzierten Daten.

8. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das EB-Zeich­ nungsmuster mittels Elektronenstrahlbelichtung unter Verwendung eines Elektronenstrahls gezeichnet/belichtet wird.

9. Maskenherstellungsverfahren zum Ausbilden eines EB-Zeichnungsmusters auf einer Photomaske unter Verwen­ dung der EB-Zeichnungsmusterdaten, die erhalten werden von einem Layoutentwurf und bestehen aus ersten Daten (210, 210a), die in hierarchischer Struktur aus mehreren Zellen (211-214) gebildet worden sind, und zweiten Daten (200, 200a), die in einer hierarchischen Struktur aus mehreren Zellen (201-207) gebildet worden sind, wobei die zweiten Daten auf der Photomaske mit einem vorgegebenen Vergrößerungsverhältnis x bezüglich der ersten Daten verwendet werden, gekennzeichnet durch:
den ersten Schritt des Erzeugens von dritten Daten durch Multiplizieren einer Größe der zweiten Daten mit x;
den zweiten Schritt des Erzeugens synthetischer Daten durch Synthetisieren der ersten Daten und der dritten Daten unter Verwendung der ersten Verbindungsda­ ten von den ersten Daten und den zweiten Verbindungsdaten von den dritten Daten;
den dritten Schritt des Überprüfens, ob eine Kombination von Zellen in den synthetischen Daten mit einer Schaltung übereinstimmt, auf der der Layoutentwurf beruht, und des Korrigierens eines Abschnitts, in dem von der Überprüfung ein Fehler erfaßt wird;
den vierten Schritt des Erzeugens erster EB- Zeichnungsmusterdaten durch Multiplizieren der dritten Daten und ersten Verbindungsdaten der korrigierten syn­ thetischen Daten mit x;
den fünften Schritt des Erzeugens zweiter EB- Zeichnungsmusterdaten auf den zweiten Daten und den zweiten Verbindungsdaten der korrigierten synthetischen Daten; und
den sechsten Schritt des Ausbildens des EB-Zeich­ nungsmusters aus einem ersten EB-Zeichnungsmuster, das auf der Photomaske durch Zeichnen/Belichten der ersten EB-Zeichnungsmusterdaten gebildet worden ist, und einem zweiten EB-Zeichnungsmuster, das auf einer Photomaske durch Zeichnen/Belichten der zweiten EB-Zeichnungsmu­ sterdaten gebildet worden ist, während die zweiten EB- Zeichnungsmusterdaten um das xfache bezüglich der ersten EB-Zeichnungsmusterdaten vergrößert werden.

10. Verfahren nach Anspruch 91, bei dem der sechste Schritt die Schritte umfaßt:
Ausbilden eines ersten EB-Zeichnungsmusters auf einer Maske durch Zeichnen/Belichten der ersten EB-Zeich­ nungsmusterdaten; und
Ausbilden eines zweiten EB-Zeichnungsmusters auf einer Maske zusätzlich zum ersten EB-Zeichnungsmuster durch Zeichnen/Belichten der zweiten EB-Zeichnungsmu­ sterdaten, während die zweiten EB-Zeichnungsmusterdaten um das xfache bezüglich der ersten EB-Zeichnungsmu­ sterdaten vergrößert werden.

11. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem der sechste Schritt umfaßt:
Ausbilden eines zweiten EB-Zeichnungsmusters auf der Maske durch Zeichnen/Belichten der zweiten EB-Zeich­ nungsmusterdaten, während die zweiten EB-Zeichnungsmu­ sterdaten um das xfache bezüglich der ersten EB-Zeich­ nungsmusterdaten vergrößert werden; und
Ausbilden eines ersten EB-Zeichnungsmusters auf den Maske durch Zeichnen/Belichten der ersten EB-Zeich­ nungsmusterdaten und Ausbilden des EB-Zeichnungsmusters durch Ausbilden des ersten EB-Zeichnungsmusters auf einer Maske zusätzlich zum zweiten EB-Zeichnungsmuster.

12. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem der zweite Schritt den Schritt des Ausbildens der ersten und zweiten Verbindungsdaten umfaßt, so daß sie sich teilweise über­ lappen.

13. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die korrigier­ ten synthetischen Daten für eine Untersuchung einer Maske verwendet werden.

14. Verfahren nach Anspruch 13, bei dem ein Daten­ satz, der erhalten wird durch Reduzieren der syntheti­ schen Daten mit einer Zeichnungs/Belichtungs-Vergrößerung und Ausführen der Schichtsynthese für die Daten, und der Datensatz, der erhalten wird durch Ausführen der Schicht­ synthese für die synthetischen Daten und Reduzieren der Daten mit der Zeichnungs/Belichtungs-Vergrößerung, für eine Untersuchung einer Maske verwendet werden.

15. Verfahren nach Anspruch 13, bei dem die für eine Untersuchung einer Maske verwendeten synthetischen Daten erzeugt werden durch
entsprechendes Zurückversetzen der ersten und zweiten EB-Zeichnungsmusterdaten auf die ursprünglichen Vergrößerungen,
Durchführung der Schichtsyntheseverarbeitung mittels Verdickung/Ausdünnung eines vorgegebenen Musters der in den anfänglichen Vergrößerungen gespeicherten Daten,
Reduzieren der Daten, die der Schichtsynthesever­ arbeitung unterworfen worden sind, mit einer Zeich­ nungs/Belichtungs-Reduktionsvergrößerung, und
Synthetisieren der entsprechenden reduzierten Daten.

16. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem das EB-Zeich­ nungsmuster mittels Elektronenstrahlbelichtung unter Verwendung eines Elektronenstrahls gezeichnet/belichtet wird.

17. Maskenherstellungsverfahren, gekennzeichnet durch:
den ersten Schritt des Erzeugens erster und zweiter EB-Zeichnungsmusterdaten, die jeweils eine hier­ archische Struktur aus mehreren Zellen besitzen; und
den zweiten Schritt des Ausbildens eines EB- Zeichnungsmusters auf einer Photomaske durch Zeich­ nen/Belichten der ersten und zweiten EB-Zeichnungsmu­ sterdaten in ersten und zweiten Bereichen auf einer Photomaske mit unterschiedlichen Vergrößerungen.

18. Verfahren nach Anspruch 17, bei dem der zweite Schritt die Schritte umfaßt
Ausbilden eines drittens Bereichs auf einer Photomaske, in dem die ersten und zweiten Bereiche über­ lappen; und
Ausbilden eines EB-Zeichnungsmusters auf der Photomaske mittels Durchführen der Zeichnung/Belichtung im dritten Bereich unter Verwendung der ersten und zwei­ ten EB-Zeichnungsmusterdaten.

19. Verfahren nach Anspruch 18, bei dem der zweite Schritt die Schritte umfaßt:
Maskieren der zweiten EB-Zeichnungsmusterdaten mit Ausnahme der Daten im dritten Bereich bei der Zeich­ nung/Belichtung der ersten EB-Zeichnungsmusterdaten; und
Maskieren der ersten EB-Zeichnungsmusterdaten mit Ausnahme der Daten im dritten Bereich bei der Zeich­ nung/Belichtung der zweiten EB-Zeichnungsmusterdaten.