DE10226066B4 - Pegelschieberschaltung und Leistungshalbleitervorrichtung - Google Patents

Pegelschieberschaltung und Leistungshalbleitervorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE10226066B4
DE10226066B4 DE10226066A DE10226066A DE10226066B4 DE 10226066 B4 DE10226066 B4 DE 10226066B4 DE 10226066 A DE10226066 A DE 10226066A DE 10226066 A DE10226066 A DE 10226066A DE 10226066 B4 DE10226066 B4 DE 10226066B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
current
potential
signal
voltage
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE10226066A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10226066A1 (de
Inventor
Shouichi Orita
Yoshikazu Tanaka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE10226066A1 publication Critical patent/DE10226066A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10226066B4 publication Critical patent/DE10226066B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018507Interface arrangements
    • H03K19/018521Interface arrangements of complementary type, e.g. CMOS
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/18Modifications for indicating state of switch
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0063High side switches, i.e. the higher potential [DC] or life wire [AC] being directly connected to the switch and not via the load

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Pegelschieberschaltung, die ein Eingangsspannungssignal <VIN> unter Verwendung eines ersten Potentials <HGND> als Bezugspotential in ein Ausgangsspannungssignal <VOUT> unter Verwendung eines zweiten Potentials <GND> als Bezugspotential umwandelt, das niedriger ist als das erste Potential, und dann das Ausgangsspannungssignal ausgibt,
wobei die Pegelschieberschaltung ein basierend auf dem ersten Potential arbeitendes Spannungs-Strom-Wandlerteil <CV1> umfasst, das das Eingangsspannungssignal in ein entsprechendes Stromsignal umwandelt und dann dieses Stromsignal ausgibt;
ein basierend auf dem zweiten Potential arbeitendes Strom-Spannungs-Wandlerteil <CV2> umfasst, das einen Strom in ein Spannungssignal umwandelt,
gekennzeichnet durch
einen Nch-MOS-Transistor <ND1> mit einer Source, an die das zweite Potential über eine Last <N2> angelegt wird, einem auf das Stromsignal aus dem Spannungs-Strom-Wandlerteil ansprechenden Drain, und einem Gate, an das ein festes Potential angelegt wird, wobei
das basierend auf dem zweiten Potential arbeitende Strom-Spannungs-Wandlerteil <CV2> Strom aus der Source des Nch-MOS-Transistors in ein Spannungssignal umwandelt, das einem Wert des Stroms entspricht,...

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Pegelschieberschaltung zum Umwandeln eines hochspannungsseitigen Spannungssignals in ein niederspannungsseitiges Spannungssignal, welches in einer Leistungshalbleitervorrichtung zum Einsatz kommt.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • In einer HVIC (Hochspannungs-IC), bei der zum Beispiel ein Inverter, dessen Steuerkreis und Schutzschaltung auf einem einzelnen Chip enthalten sind, gibt es im allgemeinen eine Auswerteschaltung zum Identifizieren von Spannungssignalen. Diese Auswerteschaltung erkennt, ob ein von der Norm abweichender Spannungsanstieg in den jeweiligen Schaltungselementen auf der Hochspannungsseite und Niederspannungsseite der Halbbrücke jeder Phase auftritt.
  • 6 ist ein Schema, das eine beispielhafte Konfiguration einer Leistungshalbleitervorrichtung darstellt, die eine Schaltung enthält, um zu erfassen, ob ein von der Norm abweichender Spannungsanstieg in einem Schaltungselement auf der Hochspannungsseite einer einphasigen Halbbrücke auftritt. In dieser Schaltung sind beispielsweise Schaltelemente SW1 und SW2, wie ein IGBT (Isolierschicht-Bipolartransistor) in Reihe geschaltet, und Freilaufdioden D1 und D2 sind einer inversparallelen Verbindung mit den Schaltelementen SW1 bzw. SW2 unterworfen. Diese Teile bilden eine Halbbrücke für eine Phase. Das Schaltelement SW1 auf der Hochspannungsseite dient als Mehremitter, wobei an eines seiner Ausgangsterminals ein Anschluß eines Parallelwiderstands SH angeschlossen ist. Durch Überwachen des Spannungsabfallwerts im Parallelwiderstand SH kann erfaßt werden, ob ein von der Norm abweichender Spannungsanstieg im Schaltelement SW1 auftritt. Der andere Anschluß des Parallelwiderstands SH ist an einen Anschlußpunkt MP der Schaltelemente SW1 und SW2 angeschlossen.
  • Ein Ausgangssignal eines Spannungsabfalls im Parallelwiderstand SH wird beispielsweise durch eine AD-Wandlerschaltung (analog zu digital) AD in ein digitales Signal umgewandelt und dann in eine Pegelschieberschaltung IS eingegeben. Hierbei bewirkt die Pegelschieberschaltung IS die Übertragung einer Spannungsabfallssignalveränderung (d.h., VIN-HGND) in dem Parallelwiderstand SH, während sie sein Bezugspotential vom Potential HGND im Anschlußpunkt MP auf Erdpotential GND absenkt, das ein Bezugspotential der anderen Schaltung ist.
  • Das Potential HGND am Anschlußpunkt MP ist hoch und in einem Schwebezustand. Zum Erfassen von Ausgangssignalen ist es deshalb wünschenswert, daß das Bezugspotential auf das Erdpotential GND abgesenkt wird. Insbesondere im Falle von Mehrphasenschaltungen, wie einer Dreiphasenschaltung, erfaßt ein in einer HVIC vorhandener Mikroprozessor ein Ausgangssignal jeder Phase und beurteilt, ob es von der Norm abweicht oder nicht (z.B. wird es als abweichend eingestuft, wenn Spannungsanstiege im Parallelwiderstand in zwei Phasen vorhanden sind). Von daher sollten also alle Bezugspotentiale der Ausgangssignale auf das Erdpotential GND abgesenkt werden, und das ist auch der Grund für das Vorhandensein der Pegelschieberschaltung IS.
  • Ein Ausgangssignal der Pegelschieberschaltung IS (VOUT-GND) wird in eine Signalausgangsschaltung DT zum Erfassen/Stoppen von Abweichungen eingegeben, die gleichwertig mit dem oben erwähnten Mikroprozessor ist. In dieser Schaltung DT wird erfaßt, ob es einen von der Norm abweichenden Spannungsabfall am Parallelwiderstand SH in jeder Phase gibt, und wenn ein Abweichen von der Norm festgestellt wird, wird ein Stoppsignal Sc ausgegeben, um den Betrieb des Schaltelements SW1 zu stoppen.
  • Das Stoppsignal Sc wird über eine Pegelverschiebungsschaltung LS und eine Ausgangsschaltung OU an eine Steuerelektrode des Schaltelements SW1 angelegt. Die Pegelverschiebungsschaltung LS bewirkt die Übertragung des Stoppsignals Sc, während sie ihr Bezugspotential vom Erdpotential GND auf das Potential HGND des Anschlußpunkts MP anhebt. Die Ausgangsschaltung OU bewirkt die Verstärkung des Ausgangs der Pegelverschiebungsschaltung LS.
  • In der vorstehenden Beschreibung ist es nicht von Bedeutung, ob ein Spannungsabfallausgangssignal am Parallelwiderstand SH durch die AD-Wandlerschaltung AD in ein digitales Signal umgewandelt wird. Wenn beispielsweise die Pegelschieberschaltung IS oder die Signalausgangsschaltung DT zum Erfassen/Stoppen von Abweichungen Signale eines analogen Eingangs verarbeiten kann, kann die AD-Wandlerschaltung AD entfallen und eine Spannungsabfallsignaländerung direkt in die Pegelschieberschaltung IS eingegeben werden.
  • 7 ist ein Schema, das eine herkömmliche Konfiguration einer Pegelschieberschaltung IS darstellt. In einer Pegelschieberschaltung IS4 empfängt eine hochspannungsseitige Signalauswerteschaltung HD, die einen Komparator etc. umfaßt, ein Eingangssignal VIN und beurteilt, ob der Spannungsabfallwert an einem Parallelwiderstand SH größer ist als ein vorbestimmter Wert. Wenn ersterer größer als zweiterer ist, aktiviert die hochspannungsseitige Signalauswerteschaltung HD einen Ausgang.
  • Der Ausgang der hochspannungsseitigen Signalauswerteschaltung HD wird über einen Inverter IV6 an den Steueranschluß eines Pch-DMOS-Transistors PD1 angelegt (Pch-DMOS: P-channel double diffusion metal oxide semiconductor). Wird der Ausgang der hochspannungsseitigen Signalauswerteschaltung HD aktiviert, eröffnet der Pch-DMOS-Transistor PD1 den Betriebsstatus, damit Strom zwischen seinem Drain und seiner Source fließt. Jede Schaltung auf der Hochspannungsseite wird durch eine HVCC höheren Potentials gesteuert, das eine Energiequelle V1 aus dem Erdpotential HGND erzeugt.
  • Da der Pch-DMOS-Transistor PD1 eine hohe Durchbruchspannung und eine Durchbruchspannungskennlinie einer Höhe von mehreren hundert Volt hat, arbeitet er als ein Hochspannungsdurchbruchwiderstand, um eine Pegelverschiebungsumkehr von Signalen zwischen dem Potential HVCC, das hoch ist, und dem Erdpotential GND, das niedrig ist, durchzuführen. Strom, der durch den Pch-DMOS-Transistor PD1 läuft, fließt zu einem Widerstand R5 auf der Niederspannungsseite, auf der der Strom in ein Spannungssignal umgewandelt wird. Ein Spannungsabfall am Widerstand R5 wird an einen Inverter IV7 und eine Ausgangsschaltung OUT übertragen, die einen Verstärker, etc. umfaßt, und wird dann als ein Ausgangssignal VOUT ausgegeben. Jede Schaltung auf der Niederspannungsseite wird durch eine VCC höheren Potentials gesteuert, das eine Energiequelle V2 aus dem Erdpotential GND erzeugt.
  • Auf diese Weise wird der Pch-DMOS-Transistor PD1 in der Pegelschieberschaltung IS4 genutzt. Vom Gesichtspunkt der Spannungssteuerung zwischen Source und Gate her wird ein Pch-Transistor im allgemeinen in einer Pegelschieberschaltung genutzt, und ein Nch-Transistor wird in einer Pegelverschiebungsschaltung verwendet. Wenn man dementsprechend eine Pegelverschiebungsschaltung und eine Pegelschieberschaltung gemeinsam vorkommen lässt, ist es notwendig, Nch- und Pch-DMOS-Transistoren in einer HVIC auszubilden.
  • Bei der Herstellung von DMOS-Transistoren ist es jedoch schwierig, beide, also Nch- und Pch-Transistoren, in die HVIC einzubauen und gleichzeitig die Kennlinien, wie beispielsweise die Schwellenwerte beider Transistoren, auf deren jeweilige Sollwerte einzustellen. Es ist insbesondere schwierig, einen Pch-DMOS-Transistor in einem Substrat auszubilden, auf dem bereits ein Nch-DMOS-Transistor vorhanden ist. Von daher ist es wünschenswert, eine Pegelschieberschaltung auszubilden, ohne einen Pch-DMOS-Transistor zu verwenden.
  • Es kann auch in Betracht gezogen werden, eine Pegelschieberschaltung unter Verwendung von Optokopplern auszubilden aber ohne DMOS-Transistor. Die Verwendung von Optokopplern erhöht jedoch die Teileanzahl, was die losten erhöht und bei hohen Temperaturen zu schlechter Betriebssicherheit führt. Vom Standpunkt der Gesamtanordnung her enthält die Konfiguration vorzugsweise einen elektrisch arbeitenden Transistor.
  • Ferner ist aus der DE 196 17 358 A1 eine Pegelschieberschaltung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 bekannt, welche ein Eingangsspannungssignal unter Verwendung eines ersten Potentials als Bezugspotential in ein Ausgangsspannungssignal unter Verwendung eines zweiten Potentials als Bezugspotential umwandelt, wobei das zweite Potential niedriger ist als das erste Potential, und dann das Ausgangsspannungssignal ausgibt. Die Pegelschieberschaltung gemäß der DE 196 17 358 A1 umfasst ein erstes Spannungs-Strom-Wandlerteil, das basierend auf einem ersten Potential arbeitet und das ein Eingangsspannungssignal in ein entsprechendes Stromsignal umwandelt und dann dieses Stromsignal ausgibt, sowie ein basierend auf dem zweiten Potential arbeitendes Strom-Spannungs-Wandlerteil, das einen Strom in ein Spannungssignal umwandelt. Der Gegenstand der DE 196 17 358 A1 ist jedoch schaltungstechnisch relativ aufwendig aufgebaut, was zu hohen Kosten in der Herstellung führt.
  • Aus der US 6,130,556 A ist eine integrierte Pufferschaltung bekannt, welche einen Nch-MOS-Transistor in einer dort umfassten Pegelschieberschaltung aufweist. Der Gegenstand der US 6,130,556 A beeinflusst jedoch die Ausgangsimpedanz des Spannungs-Strom-Wandlerteils und die Eingangsimpedanz des Strom-Spannungs-Wandlerteils ungünstig, wodurch das Ausgangsspannungssignal die Änderung des Eingangsspannungssignals nicht präzise bzw. nur ungenau wiedergibt.
  • Aus der DE 690 33 248 T2 letztendlich ist eine Schaltung zur Leistungsabgabe mit Stromerfassung bekannt, wobei die Vorrichtung zur Stromerfassung zum Erfassen von Überstromzuständen geeignet ist. Auch der Gegenstand der DE 690 33 248 T2 ist schaltungstechnisch relativ kompliziert aufgebaut und somit teuer in der Herstellung.
  • Ausgehend vom vorstehend näher erläuterten Stand der Technik ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Pegelschieberschaltung anzugeben, die einerseits schaltungstechnisch einfach aufgebaut und demnach kostengünstig in der Herstellung ist und auf der anderen Seite gleichzeitig im Ausgangssignal Änderungen des Eingangsspannungssignals unverfälscht bzw. unverzerrt wiedergeben kann.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Nach einem ersten Aspekt der Erfindung umfasst eine Pegelschieberschaltung, die ein Eingangsspannungssignal unter Verwendung eines ersten Potentials als Bezugspotential in ein Ausgangsspannungssignal unter Verwendung eines zweiten Potentials als Bezugspotential umwandelt, das niedriger ist als das erste Potential, und dann das Ausgangsspannungssignal ausgibt: ein basierend auf dem ersten Potential arbeitendes Spannungs-Strom-Wandlerteil, welches das Eingangsspannungssignal in ein Stromsignal umwandelt, das einem Wert des Eingangsspannungssignals entspricht, dann das Stromsignal ausgibt; einen Nch-MOS-Transistor mit einer Source, an die das zweite Potential über eine Last angelegt wird, einem Drain, der auf das Stromsignal aus dem Spannungs-Strom-Wandlerteil anspricht, und einem Gate, an das ein festes Potential angelegt wird; und ein basierend auf dem zweiten Potential arbeitendes Strom-Spannungs-Wandlerteil, das den Strom aus der Source des Nch-MOS-Transistors in ein Spannungssignal umwandelt, das einem Wert des Stroms entspricht, und dann das Spannungssignal als Ausgangsspannungssignal ausgibt. Die Pegelschieberschaltung umfasst weiterhin: eine erste, basierend auf dem ersten Potential arbeitende Stromquelle, die Strom entsprechend dem Stromsignal aus dem Spannungs-Strom-Wandlerteil an den Drain des Nch-DMOS-Transistors ausgibt; und eine zweite, basierend auf dem zweiten Potential arbeitende Stromquelle, welche die Last enthält und ein dem Strom aus der Source des Nch-MOS-Transistors entsprechendes Stromsignal an das Strom-Spannungs-Wandlerteil ausgibt.
  • In einer ersten bevorzugten Variante der Erfindung ist die Pegelschieberschaltung dadurch gekennzeichnet, dass das Spannungs-Strom-Wandlerteil einen ersten Widerstand enthält, an den das Eingangsspannungssignal angelegt wird, um ein Stromsignal zu erzeugen; dass die erste Stromquelle eine erste Stromspiegelschaltung enthält, die das Stromsignal aus dem Spannungs-Strom-Wandlerteil empfängt und entsprechend dem Stromsignal Strom ausgibt; dass die zweite Stromquelle eine zweite Stromspiegelschaltung enthält, die als Last dient, welche den Strom aus der Source des Nch-MOS-Transistors empfängt und ein dem Strom entsprechendes Stromsignal ausgibt; und dass das Strom-Spannungs-Wandlerteil einen zweiten Widerstand enthält, der das Stromsignal aus der zweiten Stromquelle empfängt, um zur Erzeugung des Ausgangsspannungssignals einen Spannungsabfall hervorzurufen.
  • Gemäß einer zweiten bevorzugten Variante der Erfindung ist die Pegelschieberschaltung der ersten bevorzugten Variante dadurch gekennzeichnet, dass das Spannungs-Strom-Wandlerteil darüber hinaus einen Operationsverstärker mit einem negativen Eingangsanschluß und einem positiven Eingangsanschluß enthält, an welche das Eingangsspannungssignal angelegt wird, und einen ersten Transistor mit (a) einer ersten Stromelektrode, (b) einer zweiten Stromelektrode, die sowohl an den negativen Eingangsanschluß des Operationsverstärkers als auch einen Anschluß des ersten Widerstands angeschlossen ist, und (c) eine Steuerelektrode, an deren Ausgang der Operationsverstärker angelegt ist, wobei das erste Potential an den anderen Anschluß des ersten Widerstands angelegt ist; dass im Strom-Spannungs-Wandlerteil ein drittes Potential, das um einen festen Wert höher ist als das zweite Potential, an einen Anschluß des zweiten Widerstands angelegt wird; dass die erste Stromspiegelschaltung einen zweiten Transistor umfasst mit (d) einer ersten Stromelektrode, die an die erste Stromelektrode des ersten Transistors angeschlossen ist, (e) einer zweiten Stromelektrode, an die ein viertes Potential angelegt wird, das um einen festen Wert höher ist als das erste Potential, und (f) einer an die erste Stromelektrode angeschlossenen Steuerelektrode, und einen dritten Transistor mit (g) einer ersten Stromelektrode, die an den Drain des Nch-MOS-Transistors angeschlossen ist, (h) einer zweiten Stromelektrode, an die das vierte Potential angelegt wird, und (i) einer an die Steuerelektrode des zweiten Transistors angeschlossenen Steuerelektrode; und dass die zweite Stromspiegelschaltung einen vierten Transistor umfasst mit (j) einer ersten an die Source des Nch-MOS-Transistor angeschlossenen Stromelektrode, (k) einer zweiten Stromelektrode, an die das zweite Potential angelegt wird, und (l) einer an die erste Stromelektrode angeschlossenen Steuerelektrode, und einen fünften Transistor mit (m) einer ersten Stromelektrode, die an den anderen Anschluß des zweiten Widerstands angeschlossen ist, (n) einer zweiten Stromelektrode, an die das zweite Potential angelegt wird, und (o) einer an die Steuerelektrode des vierten Transistors angeschlossenen Steuerelektrode.
  • Nach einer dritten bevorzugten Variante der Erfindung ist die Pegelschieberschaltung der zweiten bevorzugten Variante dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Stromquelle darüber hinaus eine dritte Stromspiegelspannung enthält, die basierend auf einem dritten Potential arbeitet, das um einen festen Wert höher ist als das zweite Potential, welche ein Stromsignal aus der zweiten Stromspiegelschaltung empfängt und dann ein Stromsignal entsprechend dem Stromsignal an einen Anschluß des zweiten Widerstands des Strom-Spannungs-Wandlerteils ausgibt; und dass das zweite Potential an den anderen Anschluß des zweiten Widerstands angelegt wird.
  • Nach einer vierten bevorzugten Variante der Erfindung ist die Pegelschieberschaltung der dritten bevorzugten Variante dadurch gekennzeichnet, dass das Spannungs-Strom-Wandlerteil darüber hinaus einen Operationsverstärker mit einem negativen Eingangsanschluß und einem positiven Eingangsanschluß enthält, an welche das Eingangsspannungssignal angelegt wird, und einen ersten Transistor mit (a) einer ersten Stromelektrode, (b) einer zweiten Stromelektrode, die sowohl an den negativen Eingangsanschluß des Operationsverstärkers als auch an einen Anschluß des ersten Widerstands angeschlossen ist, und (c) einer Steuerelektrode, an die ein Ausgang des Operationsverstärkers angelegt wird, wobei das erste Potential an den anderen Anschluß des ersten Widerstands angelegt wird; dass die erste Stromspiegelspannung einen zweiten Transistor umfasst mit (d) einer ersten an die erste Stromelektrode des ersten Transistors angeschlossenen Stromelektrode, (e) einer zweiten Stromelektrode, an die ein viertes Potential angelegt wird, das um einen festen Wert höher ist als das erste Potential, und (f) einer an die erste Stromelektrode angeschlossenen Steuerelektrode, und einen dritten Transistor mit (g) einer ersten Stromelektrode, die an den Drain des Nch-MOS-Transistors angeschlossen ist, (h) einer zweiten Stromelektrode, an die das vierte Potential angelegt wird, und (i) einer an die Steuerelektrode des zweiten Transistors angeschlossenen Steuerelektrode; dass die zweite Stromspiegelschaltung einen vierten Transistor umfasst mit (j) einer ersten Stromelektrode, die an die Source des Nch-MOS-Transistors angeschlossen ist, (k) einer zweiten Stromelektrode, an die das zweite Potential angelegt wird, und (l) einer an die erste Stromelektrode angeschlossenen Steuerelektrode, und einen fünften Transistor mit (m) einer ersten Stromelektrode, (n) einer zweiten Stromelektrode, an die das zweite Potential angelegt wird, und (o) einer an die Steuerelektrode des vierten Transistors angeschlossenen Steuerelektrode; dass die dritte Stromspiegelschaltung einen sechsten Transistor umfasst mit (p) einer ersten Stromelektrode, die an die erste Stromelektrode des fünften Transistors angeschlossen ist, (q) einer zweiten Stromelektrode, an die das dritte Potential angelegt wird, und (r) einer an die erste Stromelektrode angeschlossenen Steuerelektrode, und einen siebten Transistor mit (s) einer ersten Stromelektrode, (t) einer zweiten Stromelektrode, an die das dritte Potential angelegt wird, und (u) einer an die Steuerelektrode des sechsten Transistors angeschlossenen Steuerelektrode; und dass im Strom-Spannungs-Wandlerteil die erste Stromelektrode des siebten Transistors an einen Anschluß des zweiten Widerstands angeschlossen ist, und das zweite Potential an den anderen Anschluß des zweiten Widerstands angelegt wird.
  • Nach einer fünften bevorzugten Variante der Erfindung ist die Pegelschieberschaltung des ersten Aspekts dadurch gekennzeichnet, dass das Eingangsspannungssignal ein Pulsdauermodulationssignal (PWM-Signal) ist, und dass sie darüber hinaus ein Integrierglied umfasst, das das Spannungssignal aus dem Strom-Spannungs-Wandlerteil integriert und das Ergebnis als Ausgangsspannungssignal ausgibt.
  • Nach einer sechsten bevorzugten Variante der Erfindung umfasst die Pegelschieberschaltung des ersten Aspekts darüber hinaus ein Signalausgabeteil, das basierend auf dem Eigangsspannungssignal ein anderes Ausgangsspannungssignal erzeugt und ausgibt, wobei es das erste Potential als Bezugspotential verwendet.
  • Nach einer siebten bevorzugten Variante der Erfindung ist die Pegelschieberschaltung der sechsten bevorzugten Variante dadurch gekennzeichnet, dass das Signalausgabeteil einen RS-Flipflop enthält, der an seinem Solleingangsanschluß das Eingangsspannungssignal empfängt und das erwähnte andere Ausgangsspannungssignal ausgibt.
  • Nach einer achten bevorzugten Variante der Erfindung umfasst die Pegelschieberschaltung des ersten Aspekts darüber hinaus ein Steuerteil, das den Nch-MOS-Transistor entsprechend einer Änderung im Ausgangsspannungssignal aus dem Strom-Spannungs-Wandlerteil sperrt.
  • Nach einer neunten bevorzugten Variante der Erfindung ist die Pegelschieberschaltung der achten bevorzugten Variante dadurch gekennzeichnet, dass das Steuerteil einen RS-Flipflop enthält, der an seinem Solleingangsanschluß das Ausgangsspannungssignal aus dem Strom- Spannungs-Wandlerteil empfängt, und einen Schalter, der das zweite Potential an das Gate des Nch-MOS-Transistors anlegt, wenn der RS-Flipflop aktiviert ist.
  • Nach einem zweiten Aspekt der Erfindung umfasst eine Leistungshalbleitervorrichtung: eine Pegelschieberschaltung nach dem ersten Aspekt; in Reihe geschaltete hochspannungsseitige und niederspannungsseitige Schaltelemente; eine Stoppsignal-Ausgabeschaltung, die das Ausgangsspannungssignal der Pegelschieberschaltung empfängt und ein Stoppsignal ausgibt, um den Betrieb des hochspannungsseitigen Schaltelements zu stoppen, wobei eine Ausgangsspannung des hochspannungsseitigen Schaltelements als Eingangsspannungssignal verwendet wird, das an die Pegelschieberschaltung angelegt wird.
  • Bei dem ersten Aspekt der Erfindung ist der Nch-MOS-Transistor vorhanden mit der Source, an die das zweite Potential über die Last angelegt wird, dem Drain, der auf das Stromsignal aus dem Spannungs-Strom-Wandlerteil anspricht, und dem Gate, an das das feste Potential angelegt wird. Da der Nch-MOS-Transistor im Gate-Schaltungsaufbau eingesetzt ist, beträgt der Wert der Stromverstärkung zwischen dem Drain und der Source 1, so dass das Stromsignal aus dem Spannungs-Strom-Wandlerteil auf der Hochspannungsseite direkt an das Strom-Spannungs-Wandlerteil auf der Niederspannungsseite übertragen werden kann. Dadurch kann eine Pegelschieberschaltung ohne Verwendung eines Pch-DMOS-Transistors ausgebildet werden. Selbst wenn deshalb eine Pegelverschiebungsschaltung und eine Pegelschieberschaltung gleichzeitig in einem einzelnen HVIC bestehen können, ist es unnötig, zusätzlich zu einem Nch-DMOS-Transistor noch einen Pch-DMOS-Transistor auszubilden, was die Herstellung des HVIC vereinfacht.
  • Ferner kann durch die Anwesenheit der ersten und zweiten Stromquelle der negative Effekt auf die Ausgangsimpedanz des Spannungs-Strom-Wandlerteils und die Eingangsimpedanz des Strom-Spannungs-Wandlerteils verringert werden, im Gegensatz zu dem Fall, bei dem das Spannungs-Strom-Wandlerteil und das Strom-Spannungs-Wandlerteil direkt an den Nch-MOS-Transistor angeschlossen sind. Dies führt dazu, dass das Ausgangsspannungssignal die Änderung des Eingangsspannungssignals getreu wiedergibt.
  • Bei der ersten oder zweiten bevorzugten Variante der Erfindung enthalten das Spannungs-Strom-Wandlerteil und das Strom-Spannungs-Wandlerteil die Widerstände, und die erste und zweite Stromquelle enthalten die Stromspiegelschaltungen. Deshalb kann eine Pegelschieberschaltung leicht unter Verwendung dieser Transistoren und Widerstände ausgebildet werden.
  • Bei der dritten oder vierten bevorzugten Variante der Erfindung enthält die zweite Stromquelle darüber hinaus die dritte Stromspiegelschaltung. Der Ausgang der dritten Stromspiegelschaltung wird an einen Anschluß des zweiten Widerstands des Strom-Spannungs-Wandlerteils angelegt, und das zweite Potential wird an den anderen Anschluß des zweiten Widerstands angelegt. Dies stellt ein Ausgangsspannungssignal bereit, das das zweite Potential als Bezugspotential verwendet.
  • Bei der fünften bevorzugten Variante der Erfindung ist das Eingangsspannungssignal ein PWM-Signal und es ist ein Integrierglied hinzugefügt. Da das Eingangsspannungssignal eine Pulskette ist, deren Amplitude konstant ist, ist es weniger störanfällig für den Einfluß des Kanallängenmodulationseffekts des Nch-MOS-Transistors. Deshalb ist es möglich, ein Ausgangsspannungssignal abzugeben, das die Signaländerung vor der PWM-Signalmodulation (der Eingangsspannungssignalmodulation) getreuer wiedergibt, indem im Integrierglied ein Spannungssignal aus dem Strom-Spannungs-Wandlerteil integriert wird.
  • Bei der sechsten oder siebten bevorzugten Variante der Erfindung erzeugt und gibt das Signalausgabeteil ein anderes Ausgangsspannungssignal ab, indem es das erste Potential als Bezugspotential verwendet. Dadurch kann solch ein anderes Ausgangsspannungssignal als Steuersignal an die Schaltung angelegt werden, die das erste Potential als Bezugspotential verwendet.
  • Bei der achten oder neunten bevorzugten Variante der Erfindung stoppt das Steuerteil den Betrieb des Nch-MOS-Transistors in Übereinstimmung mit einer Änderung des Ausgangsspannungssignals aus dem Strom-Spannungs-Wandlerteil. Deshalb kann der Energieverbrauch gesenkt werden, indem vorgesehen wird, dass das Steuerteil den durch den Nch-MOS-Transistor fließenden Strom stoppt, wenn die Änderung des Ausgangsspannungssignals bei ihm eingeht.
  • Bei dem zweiten Aspekt der Erfindung stoppt die Stoppsignal-Ausgabeschaltung den Betrieb des hochspannungsseitigen Schaltelements, wenn sie das Ausgangsspannungssignal der Pegelschieberschaltung empfängt. Dies ermöglicht eine Leistungshalbleitervorrichtung von niedrigen Herstellungskosten und hervorragender Betriebssicherheit.
  • Weitere Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung der vorliegenden Erfindung im Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen deutlicher.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist ein Schema, das eine Pegelschieberschaltung nach einer ersten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
  • die 2 und 3 sind Schemata, die die Konfiguration der Pegelschieberschaltung der ersten bevorzugten Ausführungsform ausführlicher darstellen;
  • 4 ist ein Schema, das eine Pegelschieberschaltung nach einer zweiten bevorzugten Ausführungsform darstellt,
  • 5 ist ein Schema, das eine Pegelschieberschaltung nach einer dritten bevorzugten Ausführungsform darstellt,
  • 6 ist ein Schema, das eine Leistungshalbleitervorrichtung darstellt, die eine Pegelschieberschaltung enthält; und
  • 7 ist ein Schema, das eine herkömmliche Pegelschieberschaltung darstellt.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Eine erste bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zielt darauf ab, eine Pegelschieberschaltung zu realisieren, die ein hochspannungsseitiges Eigangsspannungssignal in ein Stromsignal umwandelt und es an die Niederspannungsseite überträgt, indem ein Nch-DMOS-Transistor im Gate-Schaltungsaufbau als Hochspannungsdurchbruchwiderstand verwendet wird, wodurch das Stromsignal in ein Ausgangsspannungssignal umgewandelt wird. Dies ermöglicht eine Pegelschieberschaltung, die von niedrigen Kosten und hervorragender Betriebssicherheit ist, ohne einen Pch-DMOS-Transistor zu verwenden.
  • 1 ist ein Schema, das die Konfiguration einer Pegelschieberschaltung IS1 nach einer ersten bevorzugten Ausführungsform darstellt. In der Schaltung IS1 wird ein Eingangsspannungssignal VIN, dessen Bezugspotential so hoch ist wie das Potential HGND des Anschlußpunkts MP in 6, in ein Ausgangsspannungssignal VOUT umgewandelt, dessen Bezugspotential so niedrig ist wie das Erdpotential GND in 6, und dann wird das Signal VOUT ausgegeben.
  • Mit Bezug auf 1 umfaßt die Pegelschieberschaltung IS1 eine hochspannungsseitige Schaltung, eine Spannungs-Strom-Wandlerschaltung CV1, die ein Eingangsspannungssignal VIN in ein seinem Wert entsprechendes Stromsignal umwandelt und dann das Stromsignal ausgibt, und eine Stromquelle CS1, die entsprechend dem Stromsignal aus der Spannungs-Strom-Wandlerschaltung CV1 Strom abgibt.
  • Sowohl die Spannungs-Strom-Wandlerschaltung CV1 als auch die Stromquelle CS1 arbeiten basierend auf dem Potential HGND und einem höheren Potential HVCC, das eine Energiequelle V1 aus dem Potential HGND erzeugt.
  • Ein Nch-DMOS-Transistor ND1 ist in der Pegelschieberschaltung IS1 angeordnet. Der von der Stromquelle CS1 abgegebene Strom wird an den Drain des Nch-DMOS-Transistors ND1 angelegt, und ein festes Potential, das eine DC-Vorspannungseinrichtung BI aus dem Erdpotential GND erzeugt, wird an das Gate des Transistors ND1 angelegt.
  • Darüber hinaus umfaßt die Pegelschieberschaltung IS1 eine niederspannungsseitige Schaltung, eine Stromquelle CS2, die entsprechend einem Stromsignal aus der Source des Nch-DMOS-Transistors ND1 Strom abgibt, und eine Strom-Spannungs-Wandlerschaltung CV2, die von der Stromquelle CS2 abgegebenen Strom in ein dem Stromwert entsprechendes Spannungssignal umwandelt und dieses dann ausgibt.
  • Sowohl die Strom-Spannungs-Wandlerschaltung CV2 als auch die Stromquelle CS2 arbeiten basierend auf dem Erdpotential GND und einem höheren Potential VCC, das eine Energiequelle V2 aus dem Erdpotential GND erzeugt.
  • Die Stromquelle CS2 fungiert auch als eine an die Source des Nch-DMOS-Transistors ND1 angeschlossene Last.
  • Als nächstes wird der Betrieb der Pegelschieberschaltung IS1 beschrieben. Ein Eingangsspannungssignal VIN (ein digitales Signal mit binärem Puls oder ein analoges Signal, das kontinuierlich variiert) wird in der Spannungs-Strom-Wandlerschaltung CV1 in ein Stromsignal umgewandelt, und das Stromsignal dann über die Stromquelle CS2 an den Nch-DMOS-Transistor angelegt.
  • Da der Nch-DMOS-Transistor ND1 eine hohe Durchbruchspannung und eine Durchbruchsspannungskennlinie von mehreren hundert Volt besitzt, kann er als Hochspannungsdurchbruchwiderstand fungieren, um Signalpegelumkehrverschiebungen zwischen dem Potential HVCC, das hoch ist, und dem Erdpotential GND, das niedrig ist, vorzunehmen.
  • Ein festes Potential wird an das Gate des Nch-DMOS-Transistors ND1 angelegt, ein Signal, das variiert, wird aus der Stromquelle CS1 an seinen Drain angelegt, und die Stromquelle CS2 wird als Last an seine Source angeschlossen. Das heißt, der Nch-DMOS- Transistor ND1 ist Teil des Gate-Schaltungsaufbaus. Deshalb beträgt der Wert der Stromverstärkung zwischen Drain und Source 1.
  • Ein von der Source des Nch-DMOS-Transistors ND1 abgegebenes Stromsignal wird über die Stromquelle CS1 an die Strom-Spannungs-Wandlerschaltung CV2 angelegt. Das Stromsignal wird entsprechend dem Wert des Stromsignals in ein Spannungssignal umgewandelt und dann als Ausgangsspannungssignal VOUT ausgegeben.
  • Da auf diese Weise der Nch-DMOS-Transistor ND1 als Teil des Gate-Schaltungsaufbaus verwendet wird, kann der Wert der Stromverstärkung zwischen Drain und Source 1 betragen. Als Ergebnis kann das aus der hochspannungsseitigen Spannungs-Strom-Wandlerschaltung CV1 ausgegebene Stromsignal direkt an die niederspannungsseitige Strom-Spannungs-Wandlerschaltung CV2 übertragen werden. Deshalb kann die Pegelschieberschaltung ohne einen Pch-DMOS-Transistor zu verwenden ausgebildet werden. Selbst wenn eine Pegelverschiebungsschaltung und eine Pegelschieberschaltung gemeinsam in einem einzelnen HVIC vorkommen können, ist es unnötig, zusätzlich zu einem Nch-MOS-Transistor einen Pch-DMOS-Transistor auszubilden, wodurch der HVIC leicht hergestellt werden kann.
  • Darüber hinaus ist in der Pegelschieberschaltung IS1 die Spannungs-Strom-Wandlerschaltung CV1 bzw. Strom-Spannungs-Wandlerschaltung CV2 nicht direkt an den Nch-DMOS-Transistor ND1 angeschlossen, und die Stromquellen CS1 und CS2 sind jeweils dazwischen angeordnet. Dadurch kann der negative Effekt auf die Ausgangsimpedanz der Spannungs-Strom-Wandlerschaltung CV1 und die Eingangsimpedanz der Strom-Spannungs-Wandlerschaltung CV2 verringert werden, im Gegensatz zu dem Fall, bei dem Schaltungen CV1 und CV2 direkt an den Nch-MOS-Transistor ND1 angeschlossen sind. Dies führt dazu, daß das Ausgangsspannungssignal VOUT eine Änderung des Eingangsspannungssignals VIN getreu wiedergibt.
  • Die Anwendung der Pegelschieberschaltung IS1 in der Leistungshalbleitervorrichtung von 6 resultiert in einer Leistungshalbleitervorrichtung, die von niedrigen Herstellungskosten und hervorragender Betriebssicherheit ist.
  • Die 2 und 3 sind Schemata, die die Konfiguration der Pegelschieberschaltung IS1 ausführlicher unter der Annahme darstellen, daß ein Eingangsspannungssignal VIN der Wert des Spannungsabfalls selbst im Parallelwiderstand SH von 6 ist, nämlich ein analoges Signal.
  • In einer Pegelverschiebungsunkehrschaltung IS1a von 2 besteht eine Spannungs-Strom-Wandlerschaltung CV1 aus einem Operationsverstärker PO1, einem Nch-MOS-Transistor N1, und einem Widerstand R1. Ein Eingangsspannungssignal VIN wird an den positiven Eingangs Anschluß eines Operationsverstärkers OP1 angelegt. Ein Anschluß des Widerstands R1 und die Source des Nch-MOS-Transistors N1 werden gemeinsam an den negativen EingangsAnschluß des Operationsverstärkers OP1 angeschlossen. Der Ausgang des Operationsverstärkers OP1 wird an das Gate des Nch-MOS-Transistors N1 angelegt. Das Potential HGND wird an den anderen Anschluß des Widerstands R1 angelegt.
  • Der Widerstand R1, der Operationsverstärker OP1 und der Nch-MOS-Transistor N1 bilden die sogenannte anziehende Konstantstromschaltung. In der anziehenden Konstantstromschaltung wird ein in den positiven EingangsAnschluß des Operationsverstärkers OP1 einzugebendes Eingangsspannungssignal durch einen imaginären Kurzschluss an den Widerstand R1 angelegt, und eine Änderung des Eingangsspannungssignals VIN wird in ein Stromsignal umgewandelt, das durch den Widerstand R1 läuft. Der Wert des Stromsignals ist proportional zum Wert des Eingangsspannungssignals VIN. Dann wird Strom, der denselben Wert wie dieses Stromsignal hat, aus dem Drain des Nch-MOS-Transistors N1 abgeleitet. Das heißt, die anziehende Konstantstromschaltung fungiert als Spannungs-Strom-Wandlerschaltung.
  • Die Stromquelle CS1 besteht aus einer Stromspiegelschaltung, die die Pch-MOS-Transistoren P1 und P2 enthält. Bei Empfang eines Stromsignals, das die Spannungs-Strom-Wandlerschaltung CV1 ausgibt, gibt die Stromspiegelschaltung einen Strom ab, der einen dem Stromsignal entsprechenden Wert hat.
  • Die Stromspiegelschaltung ist beispielsweise wie folgt aufgebaut. Ein Potential HVCC wird gemeinsam an die Sources der Pch-MOS-Transistoren P1 und P2 angelegt. Das Gate des Pch-MOS-Transistors P1 wird an dessen Drain angeschlossen. Der Drain des Nch-MOS-Transistors N1 der Spannungs-Strom-Wandlerschaltung CV1 wird auch an den Drain des Pch-MOS-Transistors P1 angeschlossen. Das Gate des Pch-MOS-Transistors P2 wird an das Gate des Pch-MOS-Transistors P1 angeschlossen. Der Drain des Pch-MOS-Transistors P2 wird an den Drain des Nch-DMOS-Transistors ND1 angeschlossen, wodurch Stromsignale übertragen werden.
  • Die DC-Vorspannungseinrichtung BI, die ein festes Potential an das Gate des Nch-DMOS-Transistors ND1 anlegt, besteht zum Beispiel aus einer DC-Spannungsquelle V3.
  • Eine Stromquelle CS2 besteht aus einer Stromspiegelschaltung, die die Nch-MOS-Transistoren N2 und N3 enthält (die als Last des Gate-Schaltungsaufbaus dient) und einer Stromspiegelspannung, die die Pch-MOS-Transistoren P3 und P4 enthält. Die die Nch-MOS-Transistoren N2 und N3 enthaltende Stromspiegelschaltung empfängt ein Stromsignal aus dem Nch-DMOS-Transistor ND1 und gibt dann Strom ab, der einen dem Stromsignal entsprechenden Wert hat. Diese Abgabe wird dann an die die Transistoren P3 und P4 enthaltende Stromspiegelschaltung übertragen, von der dann wiederum Strom abgegeben wird, der einen dieser Abgabe entsprechenden Wert hat.
  • Die die Transistoren N2 und N3 enthaltende Stromspiegelschaltung ist beispielsweise wie folgt aufgebaut. Ein Potential GND wird gemeinsam an die Sources der Nch-MOS-Transistoren N2 und N3 angelegt. Das Gate des Nch-MOS-Transistor N2 wird an dessen Drain angeschlossen. Die Source des Nch-DMOS-Transistors ND1 wird auch an den Drain des Nch-MOS-Transistors N2 angeschlossen. Das Gate des Nch-MOS-Transistors N3 wird an das Gate des Nch-MOS-Transistors N2 angeschlossen.
  • Die die Transistoren P3 und P4 enthaltende Stromspiegelschaltung ist beispielsweise wie folgt aufgebaut. Ein Potential VCC wird gemeinsam an die Sources der Pch-MOS-Transistoren P3 und P4 angelegt. Das Gate des Pch-MOS-Transistors P3 wird an dessen Drain angeschlossen. Der Drain des Nch-MOS-Transistors N3 wird auch an den Drain des Pch-MOS-Transistors P3 angeschlossen. Das Gate des Pch-MOS-Transistors P4 wird an das Gate des Pch-MOS-Transistors P3 angeschlossen. Ein vom Drain des Pch-MOS-Transistors P2 ausgegebenes Stromsignal wird an eine Strom-Spannungs-Wandlerschaltung CV2 angelegt.
  • Die Strom-Spannungs-Wandlerschaltung CV2 besteht aus einem Widerstand R2. Ein Stromsignal aus der Stromquelle CS2 wird an den Widerstand R2 angelegt und ein Spannungsabfall im Widerstand R2 wird zu einem Ausgangsspannungssignal VOUT.
  • So kann mit einer derartigen Anordnung, daß die Spannungs-Strom-Wandlerschaltung CV1 und die Strom-Spannungs-Wandlerschaltung CV2 die jeweiligen Widerstände enthalten, und die Stromquellen CS1 und CS2 die jeweiligen Stromspiegelschaltungen enthalten, eine Pegelschieberschaltung unter Verwendung dieser Transistoren und Widerstände leicht aufgebaut werden.
  • Die Schaltung IS1b in 3 ist eine Abänderung der Schaltung von 2. Insbesondere ist die die Transistoren P3 und P4 enthaltende Stromspiegelschaltung entfallen, und der die Transistoren N2 und N3 enthaltende Ausgang der Stromspiegelschaltung ist an einen Anschluß des Widerstands R2 angeschlossen, um ein Potential VCC an den anderen Anschluß des Widerstands R2 anzulegen. Obwohl bei dieser Konfiguration ein Ausgangsspannungssignal VOUT zu einem Signal wird, das das Potential VCC als Bezugspotential verwendet, kann die Anzahl an Transistoren gesenkt werden.
  • Obwohl andererseits bei der Konfiguration von 2 die Anzahl an Transistoren erhöht ist, kann sie das Ausgangsspannungssignal unter Verwendung des Erdpotentials GND als Bezugspotential bereitstellen.
  • Die vorstehende Beschreibung erfolgte, indem der Nch-DMOS-Transistor als Beispiel genommen wurde. Alternativ können andere Nch-MOS-Transistoren mit einer hohen Durchbruchspannung verwendet werden, z.B. ein VMOS-Transistor, dessen Gate-Elektrode in einer V-förmigen Rille ausgebildet ist.
  • Die 2 und 3 zeigen die Schaltungskonfigurationen, bei denen das Eingangsspannungssignal VIN ein analoges Signal ist. Wenn zum Beispiel das Eingangsspannungssignal VIN ein digitales Signal ist, kann die Spannungs-Strom-Wandlerschaltung CV1 eine DA- (digital zu analog) Wandlerschaltung enthalten, um ein analoges Spannungssignal an den Widerstand R1 anzulegen.
  • Eine zweite bevorzugte Ausführungsform ist eine Modifikation der Pegelschieberschaltung der ersten bevorzugten Ausführungsform. Unter der Annahme, daß ein Eingangsspannungssignal VIN ein PWM-Signal, also ein Pulsbreitenmodulationssignal ist, wird ein Integrierglied hinzugefügt, das ein Spannungssignal aus der Strom-Spannungs-Wandlerschaltung CV2 integriert und es dann als Ausgangsspannungssignal VOUT ausgibt.
  • Das Eingangsspannungssignal VIN kann als verschiedene Signale auftreten, wie beispielsweise als digitales Signal, das die AD-Wandlerschaltung AD ausgibt, wie in 6 gezeigt ist, oder als analoges Signal, wie es im Hinblick auf die Schaltungen der 2 und 3 in der ersten bevorzugten Ausführungsform beschrieben ist. Die zweite bevorzugte Ausführungsform wird hinsichtlich dessen beschrieben, daß das Eingangsspannungssignal VIN ein PWM-(Pulsbreitenmodulations-)Signal ist, dessen Pulsbreite moduliert wird.
  • Wenn ein Eingangsspannungssignal VIN ein analoges Signal ist, kann beispielsweise die Schaltung von 2 oder 3 der ersten bevorzugten Ausführungsform ein Signal abgeben, das eine Signalveränderung des Eingangsspannungssignals VIN gewissermaßen als ein Ausgangsspannungssignal VOUT getreu wiedergibt.
  • Genaugenommen jedoch kann in Betracht gezogen werden, daß, da die Signalveränderung des Eingangsspannungssignals VIN dem Einfluss des Kanallängenmodulationseffekts des Nch-DMOS-Transistors ND1 unterliegt, die Signalveränderung nicht genau auf das Ausgangsspannungssignal VOUT übertragen werden kann.
  • Ist andererseits das Eingangsspannungssignal VIN ein PWM-Signal, ist seine Spannungsamplitude konstant und sein Puls hat unterschiedliche Längen. Dadurch ist in der Schaltung von 2 oder 3 der Wert des durch den Widerstand R1 fließenden Stroms konstant, und die Länge der Zeit, während der der Strom fließt, ist unterschiedlich für unterschiedliche Pulse. Da der Strom einen konstanten Wert hat, ist er in diesem Fall weniger anfällig für die Einflüsse des Kanallängenmodulationseffekts des Nch-DMOS-Transistors ND1.
  • Auch ist der Wert eines Spannungsabfalls im Widerstand R2 konstant, und es wird ein PWM-Spannungssignal abgegeben, bei dem nur die Länge der Zeit, während der Spannung erzeugt wird, für unterschiedliche Pulse anders ist. Indem ein Integrierglied hinzugefügt wird, das einen Spannungsabfall im Widerstand R2 zeitlich integriert, kann dementsprechend eine Spannungssignalform, die das Integrierglied ausgibt, die Signalveränderung vor der PWM-Signalmodulation getreu wiedergeben.
  • Bei der Leistungshalbleitervorrichtung von 6 kann zum Beispiel eine Modulation am PWM-Signal mit einer PWM-Modulationsschaltung anstelle der AD-Wandlerschaltung AD leicht durchgeführt werden.
  • 4 ist ein Schema, das die Pegelschieberschaltung IS2 nach der zweiten bevorzugten Ausführungsform darstellt. In 4 haben dieselben Teile wie in der Pegelschieberschaltung IS1 der ersten Ausführungsform gleiche Bezugszeichen. Wie in 4 gezeigt ist, wird die Pegelschieberschaltung IS2 erhalten, indem der Pegelschieberschaltung IS1 ein Integrierglied IN hinzugefügt wird. Eine bekannte CR-Schaltung oder eine einen Operationsverstärker enthaltende Schaltung kann als Integrierglied IN verwendet werden.
  • Ansonsten ist die Konfiguration dieselbe wie bei der Pegelschieberschaltung der ersten bevorzugten Ausführungsform, weshalb deren Beschreibung entfallen kann.
  • Eine dritte bevorzugte Ausführungsform ist eine Modifikation der Pegelschieberschaltung der ersten bevorzugten Ausführungsform. Insbesondere ist ein Signalausgangsteil vorgesehen, das ein anderes Ausgangsspannungssignal unter Verwendung des Potentials HGND als Bezugspotential auf der Hochspannungsseite ausgeben kann. Die Pegelschieberschaltung dieser Ausführungsform kann auch den Betrieb des Nch-DMOS-Transistors ND1 übereinstimmend mit einer Änderung eines Ausgangsspannungssignals aus der Strom-Spannungs-Wandlerschaltung CV2 stoppen.
  • Nun wird er Fall betrachtet, daß es bei der Leistungshalbleitervorrichtung von 6 eine andere Schaltung gibt, die der Abweichungs-Erfassungs-/Stopp-Signalausgangsschaltung DT ähnelt, die unter Verwendung des Potentials HGND auf der Hochspannungsseite als Bezugspotential arbeitet. Sie kann dergestalt angeordnet werden, daß die Pegelschieberschaltung IS unter Verwendung des Potentials HGND als Bezugspotential ein neues Ausgangssignal erzeugt und es als Steuersignal an die andere Schaltung anlegt, um das hochspannungsseitige Schaltelement SW1 zu steuern. Beispielsweise kann das Stoppsignal Sc der Abweichungs-Erfassungs-/Stopp-Signalausgangsschaltung DT so angeordnet werden, daß es in die Steuerelektrode des niederspannungsseitigen Schaltelements SW2 eingegeben wird, ohne die Pegelverschiebungsschaltung LS zu durchlaufen. Dazu ist es notwendig, daß in der Pegelschieberschaltung IS ein neues Ausgangsspannungssignal als hochspannungsseitiges Stoppsignal erzeugt wird, das das hochspannungsseitige Potential HGND als Bezugspotential verwendet.
  • In der Pegelschieberschaltung der ersten bevorzugten Ausführungsform lässt der Nch-DMOS-Transistor ND1 es zu, daß Strom während der Zeit weiterfließt, während der das Eingangsspannungssignal VIN eingegeben wird. Wohingegen im Falle der Leistungshalbleitervorrichtung von 6 zu erwägen ist, daß, wenn einmal eine Abweichung von der Norm erfaßt wurde, von diesem Zeitpunkt an kein Strom mehr im Nch-DMOS-Transistor ND1 benötigt wird. In diesem Fall kann der Energieverbrauch durch Vorsehen eines Steuerteils reduziert werden, das keinen Strom mehr durch den Nch-DMOS-Transistor ND1 fließen lässt, wenn es eine Änderung eines Ausgangsspannungssignals VOUT empfängt.
  • Die dritte bevorzugte Ausführungsform zielt darauf ab, eine Pegelschieberschaltung zu realisieren, die diesen Anforderungen gerecht wird.
  • 5 ist ein Schema, das eine Pegelschieberschaltung IS3 nach der dritten bevorzugten Ausführungsform darstellt. In 5 sind dieselben Teile wie in der Pegelschieberschaltung IS1 der ersten bevorzugten Ausführungsform mit denselben Bezugszahlen versehen.
  • Mit Bezug auf 5 gibt es auf der Hochspannungsseite der Pegelschieberschaltung IS3 Widerstände R3 und R4, die zwischen einem Potential HVCC und einem Potential HGND in Reihe geschaltet sind, und der Spannungswert geteilt durch beide Widerstände in den negativen EingangsAnschluß eines Operationsverstärkers OP1 eingegeben wird. Das heißt, der Operationsverstärker OP1 wird als Komparator verwendet, der den Spannungswert geteilt durch die Widerstände mit einem Eingangsspannungssignal VIN vergleicht und dann ein Ausgangssignal auslöst, wenn das Eingangsspannungssignal VIN größer ist.
  • Das Ausgangssignal des Operationsverstärkers OP1 wird über in Reihe geschaltete Inverter IV1 und IV2 an einen Nch-MOS-Transistor N1 übertragen. Hierbei fungiert der Nch-MOS-Transistor N1 als Schalter.
  • Bei der dritten bevorzugten Ausführungsform unterscheiden sich die Funktionen des Operationsverstärkers OP1 und Nch-MOS-Transistors N1 von denjenigen der ersten bevorzugten Ausführungsform, wohingegen die Funktion der Spannungs-Strom-Wandlerschaltung CV1 dieselbe bleibt. Das heißt, es gibt keine Änderung bei der Funktion, ein Eingangsspannungssignal VIN in einem Widerstand R1 in ein Stromsignal umzuwandeln.
  • Das Ausgangssignal des Inverters IV1 wird über eine Inverter IV3 in einen Solleingangsanschluß eines RS-Flipflops FF1 unter Verwendung eines Potentials HGND als Bezugspotential eingegeben. Der RS-Flipflop FF1 entspricht dem zu Anfang dieser Ausführungsform beschriebenen Signalausgangsteil, und sein Ausgangsspannungssignal HVOUT entspricht dem erwähnten anderen Ausgangsspannungssignal. Die Verzögerungszeit in jedem der Inverter IV1 und IV3 ist so ausgelegt, daß sie einen für den gewünschten Vorgang geeigneten Wert hat. Ein von außen kommendes Rücksetzsignal Sr1 wird in einen Rücksetzeingangsanschluß des RS-Flipflops FF1 eingegeben.
  • Dadurch, daß man den RS-Flipflop FF1, nämlich ein Signalausgangsteil, ein Ausgangsspannungssignal HVOUT unter Verwendung des Potentials HVOUT als Bezugspotential erzeugen und abgeben lässt, ist es möglich, das Ausgangsspannungssignal HVOUT als Steuersignal an die Schaltung auszugeben, die unter Verwendung des Potentials HGND als Bezugspotential arbeitet.
  • Zusätzlich ist auf der Niederspannungsseite der Pegelschieberschaltung IS3 ein als Schalter dienender Nch-MOS-Transistor N4 zwischen dem Gate des Nch-DMOS-Transistors ND1 und dem Erdpotential GND angeordnet. Durch Steuerung der Gate-Spannung des Transistors N4 wird das Erdpotential GND an das Gate des Nch-DMOS-Transistors ND1 angelegt, um den Strom zu sperren, der durch den Nch-DMOS-Transistor ND1 fließt.
  • Der RS-Flipflop FF2 ist angeordnet, um die Gate-Spannung des Nch-MOS-Transistors N4 durch seine Ausgabe zu steuern. Ein Ausgangssteuersignal aus einer Strom-Spannungs-Wandlerschaltung CV2 wird in einen Solleingangsanschluß des RS-Flipflops FF2 eingegeben, und ein Rücksetzsignal St2 wird in seinen Rücksetzeingangsanschluß eingegeben.
  • Das Ausgangssignal des RS-Flipflops FF2 wird zu einem Ausgangsspannungssignal VOUT, das dann über die Inverter IV4 und IV5 an das Gate des Nch-MOS-Transistors N4 angelegt wird. Die Verzögerungszeit in jedem der Inverter IV4 und IV5 ist so ausgelegt, dass sie in für den gewünschten Vorgang geeigneter Wert ist.
  • Der Nch-MOS-Transistor N4 und der RS-Flipflop FF2 entsprechen dem zu Beginn dieser Ausführungsform beschriebenen Steuerteil und funktionieren so, dass sie den Betrieb des Nch-DMOS-Transistors ND1 übereinstimmend mit einer Veränderung des Ausgangsspannungssignals aus der Strom-Spannungs-Wandlerschaltung CV2 anhalten. Deshalb kann der Energieverbrauch gesenkt werden, indem vorgesehen wird, dass das Steuerteil keinen Strom mehr durch den Nch-DMOS-Transistor ND1 fließen lässt, wenn es eine Änderung beim Ausgangsspannungssignal VOUT empfängt.

Claims (11)

  1. Pegelschieberschaltung, die ein Eingangsspannungssignal <VIN> unter Verwendung eines ersten Potentials <HGND> als Bezugspotential in ein Ausgangsspannungssignal <VOUT> unter Verwendung eines zweiten Potentials <GND> als Bezugspotential umwandelt, das niedriger ist als das erste Potential, und dann das Ausgangsspannungssignal ausgibt, wobei die Pegelschieberschaltung ein basierend auf dem ersten Potential arbeitendes Spannungs-Strom-Wandlerteil <CV1> umfasst, das das Eingangsspannungssignal in ein entsprechendes Stromsignal umwandelt und dann dieses Stromsignal ausgibt; ein basierend auf dem zweiten Potential arbeitendes Strom-Spannungs-Wandlerteil <CV2> umfasst, das einen Strom in ein Spannungssignal umwandelt, gekennzeichnet durch einen Nch-MOS-Transistor <ND1> mit einer Source, an die das zweite Potential über eine Last <N2> angelegt wird, einem auf das Stromsignal aus dem Spannungs-Strom-Wandlerteil ansprechenden Drain, und einem Gate, an das ein festes Potential angelegt wird, wobei das basierend auf dem zweiten Potential arbeitende Strom-Spannungs-Wandlerteil <CV2> Strom aus der Source des Nch-MOS-Transistors in ein Spannungssignal umwandelt, das einem Wert des Stroms entspricht, und dann das Spannungssignal als Ausgangsspannungssignal ausgibt; eine erste, basierend auf dem ersten Potential arbeitende Stromquelle <CS1>, die Strom entsprechend dem Stromsignal aus dem Spannungs-Strom-Wandlerteil an den Drain des Nch-MOS-Transistors ausgibt; und eine zweite, basierend auf dem zweiten Potential arbeitende Stromquelle <CS2>, welche die Last enthält und ein dem Strom aus der Source des Nch-MOS-Transistors entsprechendes Stromsignal an das Strom-Spannungs-Wandlerteil <CV2> ausgibt.
  2. Pegelschieberschaltung nach Anspruch 1, bei der das Spannungs-Strom-Wandlerteil einen ersten Widerstand <R1> enthält, an den das Eingangsspannungssignal angelegt wird, um das Stromsignal zu erzeugen; die erste Stromquelle eine erste Stromspiegelschaltung <P1, P2> enthält, die das Stromsignal aus dem Spannungs-Strom-Wandlerteil empfängt und entsprechend dem Stromsignal Strom abgibt; die zweite Stromquelle eine zweite Stromspiegelschaltung <N2, N3> enthält, die als Last dient, welche den Strom aus der Source des Nch-MOS-Transistors empfängt und ein dem Strom entsprechendes Stromsignal ausgibt; und das Strom-Spannungs-Wandlerteil einen zweiten Widerstand <R2> enthält, der das Stromsignal aus der zweiten Stromquelle empfängt, um zur Erzeugung des Ausgangsspannungssignals einen Spannungsabfall hervorzurufen.
  3. Pegelschieberschaltung nach Anspruch 2, bei der das Spannungs-Strom-Wandlerteil darüber hinaus enthält: einen Operationsverstärker <OP1> mit einem negativen Eingangsanschluss und einem positiven Eingangsanschluss, an welche das Eingangsspannungssignal angelegt wird, und einen ersten Transistor <N1> mit (a) einer ersten Stromelektrode, (b) einer zweiten Stromelektrode, die sowohl an den negativen Eingangsanschluss des Operationsverstärkers als auch an einen Anschluss des ersten Widerstands angeschlossen ist, und (c) einer Steuerelektrode, an die ein Ausgang des Operationsverstärkers angelegt wird, wobei das erste Potential an den anderen Anschluß des ersten Widerstands angelegt wird; wobei in dem Strom-Spannungs-Wandlerteil ein drittes Potential <VCC>, das um einen festen Wert höher ist als das zweite Potential, an einen Anschluß des zweiten Widerstands angelegt wird; wobei die erste Stromspiegelspannung umfaßt: einen zweiten Transistor <P1> mit (d) einer ersten an die erste Stromelektrode des ersten Transistors angeschlossenen Stromelektrode, (e) einer zweiten Stromelektrode, an die ein viertes Potential <HVCC> angelegt wird, das um einen festen Wert höher ist als das erste Potential, und (f) einer an die erste Stromelektrode angeschlossenen Steuerelektrode, und einen dritten Transistor <P2> mit (g) einer ersten Stromelektrode, die an den Drain des Nch-MOS-Transistors angeschlossen ist, (h) einer zweiten Stromelektrode, an die das vierte Potential angelegt wird, und (i) einer an die Steuerelektrode des zweiten Transistors angeschlossenen Steuerelektrode; und wobei die zweite Stromspiegelschaltung umfaßt: einen vierten Transistor <N2> mit (j) einer ersten Stromelektrode, die an die Source des Nch-MOS-Transistors angeschlossen ist, (k) einer zweiten Stromelektrode, an die das zweite Potential angelegt wird, und (l) einer an die erste Stromelektrode angeschlossenen Steuerelektrode, und einen fünften Transistor <N3> mit (m) einer ersten Stromelektrode, die an den anderen Anschluß des zweiten Widerstands angeschlossen ist, (n) einer zweiten Stromelektrode, an die das zweite Potential angelegt wird, und (o) einer an die Steuerelektrode des vierten Transistors angeschlossenen Steuerelektrode.
  4. Pegelschieberschaltung nach Anspruch 2, bei der die zweite Stromquelle darüber hinaus eine dritte Stromspiegelschaltung <P3, P4> enthält, die basierend auf einem dritten Potential <VCC> arbeitet, das um einen festen Wert höher ist als das zweite Potential, wobei die dritte Stromspiegelschaltung ein Stromsignal aus der zweiten Stromspiegelschaltung erhält und ein diesem Stromsignal entsprechendes Stromsignal an einen Anschluß des zweiten Widerstands des Strom-Spannungs-Wandlerteils ausgibt; und das zweite Potential an den anderen Anschluß des zweiten Widerstands angelegt wird.
  5. Pegelschieberschaltung nach Anspruch 4, bei der das Spannungs-Strom-Wandlerteil darüber hinaus enthält: einen Operationsverstärker <OP1> mir einem negativen Eingangsanschluß und einem positiven Eingangsanschluß, an welche das Eingangsspannungssignal angelegt wird, und einen ersten Transistor <N1> mit (a) einer ersten Stromelektrode, (b) einer zweiten Stromelektrode, die sowohl an den negativen Eingangsanschluß des Operationsverstärkers als auch an einen Anschluß des ersten Widerstands angeschlossen ist, und (c) einer Steuerelektrode, an die ein Ausgang des Operationsverstärkers angelegt wird, wobei das erste Potential an den anderen Anschluß des ersten Widerstands angelegt wird; wobei die erste Stromspiegelspannung umfaßt: einen zweiten Transistor <P1> mit (d) einer ersten an die erste Stromelektrode des ersten Transistors angeschlossenen Stromelektrode, (e) einer zweiten Stromelektrode, an die ein viertes Potential <HVCC> angelegt wird, das um einen festen Wert höher ist als das erste Potential, und (f) einer an die erste Stromelektrode angeschlossenen Steuerelektrode, und einen dritten Transistor <P2> mit (g) einer ersten Stromelektrode, die an den Drain des Nch-MOS-Transistors angeschlossen ist, (h) einer zweiten Stromelektrode, an die das vierte Potential angelegt wird, und (i) einer an die Steuerelektrode des zweiten Transistors angeschlossenen Steuerelektrode; wobei die zweite Stromspiegelschaltung umfaßt: einen vierten Transistor <N2> mit (j) einer ersten Stromelektrode, die an die Source des Nch-MOS-Transistors angeschlossen ist, (k) einer zweiten Stromelektrode, an die das zweite Potential angelegt wird, und (l) einer an die erste Stromelektrode angeschlossenen Steuerelektrode, und einen fünften Transistor <N3> mit (m) einer ersten Stromelektrode, (n) einer zweiten Stromelektrode, an die das zweite Potential angelegt wird, und (o) einer an die Steuerelektrode des vierten Transistors angeschlossenen Steuerelektrode; wobei die dritte Stromspiegelschaltung umfaßt: einen sechsten Transistor <P3> mit (p) einer ersten Stromelektrode, die an die erste Stromelektrode des fünften Transistors angeschlossen ist, (q) einer zweiten Strom elektrode, an die das dritte Potential <VCC> angelegt wird, und (r) einer an die erste Stromelektrode angeschlossenen Steuerelektrode, und einen siebten Transistor <P4> mit (s) einer ersten Stromelektrode, (t) einer zweiten Stromelektrode, an die das dritte Potential angelegt wird, und (u) einer an die Steuerelektrode des sechsten Transistors angeschlossenen Steuerelektrode; und im Strom-Spannungs-Wandlerteil die erste Stromelektrode des siebten Transistors an einen Anschluß des zweiten Widerstands angeschlossen ist, und das zweite Potential an den anderen Anschluß des zweiten Widerstands angelegt wird.
  6. Pegelschieberschaltung nach Anspruch 1, bei der das Eingangsspannungssignal ein Pulsbreitenmodulationssignal ist, wobei die Pegelschieberschaltung darüber hinaus umfaßt: ein Integrierglied <IN>, das das von dem Strom-Spannungs-Wandlerteil ausgegebene Spannungssignal integriert und das Ergebnis als Ausgangsspannungssignal ausgibt.
  7. Pegelschieberschaltung nach Anspruch 1, darüber hinaus umfassend: ein Signalausgabeteil <IV1, IV3, FF1>, das basierend auf dem Eingangsspannungssignal ein anderes Ausgangsspannungssignal <HVOUT> unter Verwendung des ersten Potentials als Bezugspotential erzeugt und ausgibt.
  8. Pegelschieberschaltung nach Anspruch 7, bei der das Signalausgabeteil einen RS-Flipflop <FF1> enthält, der an seinem Solleingangsanschluss das Eingangsspannungssignal empfängt und das andere Ausgangsspannungssignal ausgibt.
  9. Pegelschieberschaltung nach Anspruch 1, darüber hinaus umfassend: ein Steuerteil <FF2, IV4, IV5, N4>, das den Nch-MOS-Transistor übereinstimmend mit einer Änderung im Ausgangsspannungssignal aus dem Strom-Spannungs-Wandlerteil sperrt.
  10. Pegelschieberschaltung nach Anspruch 9, wobei das Steuerteil enthält: einen RS-Flipflop <FF2>, der an seinem Solleingangsanschluss das Ausgangsspannungssignal aus dem Strom-Spannungs-Wandlerteil empfängt; und einen Schalter <N4>, der das zweite Potential an das Gate des Nch-MOS-Transistors anlegt, wenn der Ausgang des RS-Flipflop aktiviert ist.
  11. Leistungshalbleitervorrichtung, folgendes umfassend: eine Pegelschieberschaltung nach Anspruch 1; in Reihe geschaltete Schaltelemente <SW1, SW2> auf einer Hochspannungsseite und einer Niederspannungsseite; und eine Stoppsignal-Ausgabeschaltung <DT>, die das Ausgangsspannungssignal von der Pegelschieberschaltung empfängt und ein Stoppsignal ausgibt, um den Betrieb des hochspannungsseitigen Schaltelements zu stoppen; wobei eine Ausgangsspannung des hochspannungsseitigen Schaltelements als das Eingangsspannungssignal verwendet wird, das an die Pegelschieberschaltung angelegt wird.
DE10226066A 2001-07-12 2002-06-12 Pegelschieberschaltung und Leistungshalbleitervorrichtung Expired - Lifetime DE10226066B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001212022A JP4319362B2 (ja) 2001-07-12 2001-07-12 逆レベルシフト回路およびパワー用半導体装置
JP212022/01 2001-07-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10226066A1 DE10226066A1 (de) 2003-02-06
DE10226066B4 true DE10226066B4 (de) 2007-06-28

Family

ID=19047250

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10226066A Expired - Lifetime DE10226066B4 (de) 2001-07-12 2002-06-12 Pegelschieberschaltung und Leistungshalbleitervorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6498738B1 (de)
JP (1) JP4319362B2 (de)
KR (1) KR100432327B1 (de)
DE (1) DE10226066B4 (de)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4094984B2 (ja) * 2003-04-24 2008-06-04 三菱電機株式会社 半導体装置
US7253391B2 (en) * 2003-09-19 2007-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Optical sensor device and electronic apparatus
JP2007509592A (ja) 2003-09-30 2007-04-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 集積vrmパワー電界効果トランジスタ用の集積インタフェース回路構造
JP3930498B2 (ja) * 2003-11-25 2007-06-13 株式会社東芝 レベルシフト回路
JP4397697B2 (ja) 2004-01-15 2010-01-13 三菱電機株式会社 出力回路
TW200624826A (en) * 2004-10-29 2006-07-16 Koninkl Philips Electronics Nv System for diagnosing impedances having accurate current source and accurate voltage level-shift
US7378895B2 (en) * 2004-11-23 2008-05-27 International Business Machines Corporation On-chip electrically alterable resistor
JP4681911B2 (ja) * 2005-02-25 2011-05-11 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
JP4845427B2 (ja) * 2005-06-06 2011-12-28 株式会社東芝 半導体集積回路
JP4858378B2 (ja) * 2007-09-14 2012-01-18 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 多セル直列電池用のセル電圧監視装置
DE102007051313B3 (de) * 2007-10-26 2009-04-16 Austriamicrosystems Ag Schaltungsanordnung und Verfahren zur Verschiebung eines Spannungspegels
JP2009159111A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Sanyo Electric Co Ltd レベルシフト回路
DE102008011603B4 (de) 2008-02-28 2009-12-31 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Schaltung und Verfahren zur Signalspannungsübertragung innerhalb eines Treibers eines Leistungshalbleiterschalters
DE102008011602B4 (de) * 2008-02-28 2010-01-14 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Schaltung und Verfahren zur Signalspannungsübertragung innerhalb eines Treibers eines Leistungshalbleiterschalters
JP2010021712A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Denso Corp レベルシフト回路
US9367711B1 (en) 2008-09-04 2016-06-14 Intelleflex Corporation Battery assisted RFID tag with square-law receiver and optional part time active behavior
JP5287270B2 (ja) * 2009-01-12 2013-09-11 株式会社デンソー レベルシフト回路
JP5411843B2 (ja) * 2010-12-17 2014-02-12 株式会社アドバンテスト 駆動装置、スイッチ装置、および試験装置
JP5972555B2 (ja) * 2011-07-04 2016-08-17 ローム株式会社 駆動電流生成回路、led電源モジュール、ledランプ
CN102790516B (zh) * 2012-08-02 2014-09-17 电子科技大学 用于电源管理的反馈箝位功率mos管驱动电路
US8633745B1 (en) * 2012-08-30 2014-01-21 Allegro Microsystems, Llc Circuits and related techniques for driving a high side of a half bridge circuit
JP5862520B2 (ja) 2012-08-31 2016-02-16 三菱電機株式会社 逆レベルシフト回路
JP2014104248A (ja) * 2012-11-29 2014-06-09 Nidek Co Ltd 半導体回路及び該半導体回路を備える生体組織刺激装置
CN105191135B (zh) 2013-06-14 2018-01-02 富士电机株式会社 栅极驱动电路
JP6015858B2 (ja) 2013-06-25 2016-10-26 富士電機株式会社 信号伝達回路
US9331865B2 (en) * 2013-12-03 2016-05-03 Nxp B.V. Comparator circuit
JP6127990B2 (ja) * 2014-01-16 2017-05-17 三菱電機株式会社 逆レベルシフト回路
CN104158386B (zh) * 2014-08-07 2016-09-14 上海灿瑞科技股份有限公司 一种钳位驱动电路
CN105187047B (zh) * 2015-08-13 2017-11-14 电子科技大学 一种用于igbt驱动芯片的特高压电平位移电路
CN106452399B (zh) * 2016-07-25 2024-06-18 中国船舶集团有限公司第七一六研究所 一种应用于全控型电力电子器件的驱动保护电路
WO2018055666A1 (ja) * 2016-09-20 2018-03-29 三菱電機株式会社 インターフェース回路
IT201600096568A1 (it) * 2016-09-27 2018-03-27 St Microelectronics Srl Comparatore di tensione hv con bassa sensibilita' alle variazioni di processi/temperatura e di alimentazione
US10230356B2 (en) 2017-02-27 2019-03-12 Allegro Microsystems, Llc High-side output transistor circuit
DE112019000111T5 (de) * 2018-04-03 2020-09-24 Fuji Electric Co., Ltd. Treiberschaltung, treiberverfahren und halbleitersystem
EP3686558B1 (de) * 2019-01-28 2022-07-13 Melexis Bulgaria Ltd. Sensorvorrichtung
US11239831B2 (en) * 2020-06-24 2022-02-01 Texas Instruments Incorporated Level shifter
WO2022000774A1 (zh) * 2020-06-29 2022-01-06 上海汇瑞半导体科技有限公司 一种二极管电流旁路控制电路及其控制方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19617358A1 (de) * 1995-05-04 1996-11-07 Int Rectifier Corp Verfahren und Schaltung zur Ansteuerung von Leistungstransistoren in einer Halbbrücken-Konfiguration
DE69033248T2 (de) * 1989-05-09 2000-03-16 Ut Automotive Dearborn Inc Schaltung zur Leistungsabgabe mit Stromerfassung
US6130556A (en) * 1998-06-16 2000-10-10 Lsi Logic Corporation Integrated circuit I/O buffer with 5V well and passive gate voltage

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0831789B2 (ja) * 1985-09-04 1996-03-27 沖電気工業株式会社 出力回路
JP2543872B2 (ja) * 1986-08-13 1996-10-16 株式会社東芝 増幅回路
KR900015148A (ko) * 1989-03-09 1990-10-26 미다 가쓰시게 반도체장치
JP3022010B2 (ja) * 1992-10-28 2000-03-15 三菱電機株式会社 レベルシフト回路を用いたピーク値検出装置,及びレベルシフト回路を用いたモニタ装置
US5920215A (en) * 1997-06-30 1999-07-06 Sun Microsystems, Inc. Time-to-charge converter circuit
US6259302B1 (en) * 1998-10-22 2001-07-10 National Semiconductor Corporation Gain control signal generator that tracks operating variations due to variations in manufacturing processes and operating conditions by tracking variations in DC biasing
US6246351B1 (en) * 1999-10-07 2001-06-12 Burr-Brown Corporation LSB interpolation circuit and method for segmented digital-to-analog converter
JP2001147243A (ja) * 1999-11-24 2001-05-29 Mitsubishi Electric Corp アナログ信号検出回路及び半導体電力変換装置の交流側電流検出器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69033248T2 (de) * 1989-05-09 2000-03-16 Ut Automotive Dearborn Inc Schaltung zur Leistungsabgabe mit Stromerfassung
DE19617358A1 (de) * 1995-05-04 1996-11-07 Int Rectifier Corp Verfahren und Schaltung zur Ansteuerung von Leistungstransistoren in einer Halbbrücken-Konfiguration
US6130556A (en) * 1998-06-16 2000-10-10 Lsi Logic Corporation Integrated circuit I/O buffer with 5V well and passive gate voltage

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030006984A (ko) 2003-01-23
DE10226066A1 (de) 2003-02-06
JP4319362B2 (ja) 2009-08-26
KR100432327B1 (ko) 2004-05-20
JP2003032102A (ja) 2003-01-31
US6498738B1 (en) 2002-12-24
US20030012040A1 (en) 2003-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10226066B4 (de) Pegelschieberschaltung und Leistungshalbleitervorrichtung
DE3627681C2 (de)
DE69731501T2 (de) Lastbetätigungsschaltung
DE10258766B4 (de) Schaltungsanordnung zur Steuerung und Erfassung des Laststroms durch eine Last
DE19525237A1 (de) Pegelschieberschaltung
DE112017003368T5 (de) Treiberschaltung und leistungsmodul mit derselben
DE102005003643B4 (de) Schaltungsvorrichtung mit einem Strombegrenzer eines Ausgangstransistors
EP0766395A2 (de) Leistungstransistor mit Kurzschlussschutz
DE3026951A1 (de) Treiberstufe in integrierter mos-schaltkreistechnik mit grossem ausgangssignalverhaeltnis
DE112014002021T5 (de) Schaltelement-Ansteuerkreis
DE10152930B4 (de) Stromrichter und Signalpegelumsetzer
DE4444623A1 (de) Schaltungsanordnung zur Laststromregelung eines Leistungs-MOSFET
DE3227296C2 (de) Pulsbreitenmodulatorschaltung mit steuerbarer Einschaltverzögerung
DE10223977C1 (de) Messschaltung
DE19829487C1 (de) Ausgangstreiber eines integrierten Halbleiterchips
EP0544143B1 (de) Integrierte Komparatorschaltung
EP0753754A2 (de) Integrierte Komparatorschaltung
EP0369055A1 (de) Schaltungsanordnung zur Kompensation von Rauschsignalen
DE102008016632A1 (de) Schaltsteuerung in DC-DC-Wandlern
DE19620034C2 (de) Schaltnetzgerät
DE2935465A1 (de) Ttl-pegelumsetzer zur ansteuerung von feldeffekttransistoren
EP1432125B1 (de) Ein Konverter von ECL nach CMOS für ein digitales Netzwerk
DE4012914C2 (de)
DE19918042A1 (de) Schaltungsanordnung zur Unterstromerkennung an einem MOS-Leistungstransistor
DE69908237T2 (de) Digital-Analog-Wandler

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
R071 Expiry of right