JP2010021712A - レベルシフト回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】パワーグランドとシグナルグランドとの差電圧がそれほど大きくない場合に、回路規模を大きくせずに信号のレベルシフトを行うことができるようにする。
【解決手段】入力部1は、一定電流が流れるバイアス部5と、一定電流に比例した比例電流を出力部2に流すための差動対回路部7とを備えている。一方、出力部2は、差動対回路部7を介して流れ込む比例電流によって信号のレベル変換を行う第1変換部17および第2変換部18を備えている。このような回路構成によると、入力部1側のシグナル電源電位SVDDと出力部2側のパワーグランド16の電位PGNDとの間に電位差を設けることができ、入力部1から出力部2に比例電流を流すことができる。こうして、信号のレベル変換が可能となる。
【選択図】図1
【解決手段】入力部1は、一定電流が流れるバイアス部5と、一定電流に比例した比例電流を出力部2に流すための差動対回路部7とを備えている。一方、出力部2は、差動対回路部7を介して流れ込む比例電流によって信号のレベル変換を行う第1変換部17および第2変換部18を備えている。このような回路構成によると、入力部1側のシグナル電源電位SVDDと出力部2側のパワーグランド16の電位PGNDとの間に電位差を設けることができ、入力部1から出力部2に比例電流を流すことができる。こうして、信号のレベル変換が可能となる。
【選択図】図1
Description
本発明は、第1グランド電位を基準とした入力信号を第2グランド電位を基準とした出力信号にレベル変換するレベルシフト回路に関する。
従来より、絶縁信号伝送素子を用いてグランド電位のレベルシフトを行っているインバータ装置が、例えば特許文献1で提案されている。具体的に、特許文献1では、制御回路と、絶縁信号伝送素子と、異常信号の判定回路と、駆動回路・保護回路と、IGBTとを備えたインバータ装置が提案されている。
このようなインバータ装置では、制御回路側のシグナルグランドと、駆動回路・保護回路や負荷をスイッチングするIGBT側のパワーグランドとの電位差が大きくなっている。このため、制御回路側と駆動回路・保護回路側との信号のレベルシフトを行うべく、制御回路と異常信号の判定回路との間に、フォトカプラ等の絶縁信号伝送素子が接続されている。
また、絶縁信号伝送素子の信号伝送精度を確保すべく、異常信号の判定回路を介して制御回路から出力された信号を駆動回路・保護回路に入力している。このため、異常信号の判定回路は、ローパスフィルタやバンドパスフィルタ等を備えた回路構成になっている。
以上のようなレベルシフトを行う回路構成では、絶縁信号伝送素子によって制御回路側と駆動回路・保護回路側とが電気的に絶縁されている。このため、パワーグランドとシグナルグランドとが干渉することはなく、パワーグランドとシグナルグランドとの差電圧が大きい場合の信号伝送に有効になっている。
特開2006−54933号公報
しかしながら、上記従来の技術では、パワーグランドとシグナルグランドとの差電圧がそれほど大きくない、例えば±2V程度の場合、パワーグランド側で駆動回路・保護回路を並列に多数並べようとすると回路規模が大きくなってしまうという問題がある。
これは、負荷をスイッチングするためのIGBTを増やす場合にIGBTに対応した駆動回路・保護回路も必要になり、さらに駆動回路・保護回路の数に応じてフォトカプラ等の絶縁信号伝送素子が必要になるからである。また、絶縁信号伝送素子に対応した異常信号の判定回路もそれぞれ必要になる。このため、回路規模が大きくなってしまう。
本発明は、上記点に鑑み、パワーグランドとシグナルグランドとの差電圧がそれほど大きくない場合に、回路規模を大きくせずに信号のレベルシフトを行うことができるようにすることを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、第1グランド電位(SGND)を基準とした入力信号(SIN)を、第2グランド電位(PGND)を基準とした信号にレベル変換するレベルシフト回路であって、第1の電源電位(SVDD)に基づいて、一定電流を第1グランド電位(SGND)に流すバイアス部(5)と、入力信号(SIN)が反転した第1信号を入力する第1トランジスタ(14)と、第1信号が反転した第2信号を入力する第2トランジスタ(15)とを有し、第1信号および第2信号に従って第1トランジスタ(14)および第2トランジスタ(15)のいずれかに一定電流に比例した比例電流を流す差動対回路部(7)とを有する入力部(1)と、第1の電源電位(SVDD)と第2グランド電位(PGND)との電位差によって第1トランジスタ(14)に流れる比例電流を第2グランド電位(PGND)に流すことにより、入力信号(SIN)を第2グランド電位(PGND)を基準とした信号にレベル変換する第1変換部(17)と、第1の電源電位(SVDD)と第2グランド電位(PGND)との電位差によって第2トランジスタ(15)に流れる比例電流を第2グランド電位(PGND)に流すことにより、入力信号(SIN)を第2グランド電位(PGND)を基準とした信号にレベル変換する第2変換部(18)とを有する出力部(2)とを備えていることを特徴とする。
これによると、入力部(1)から出力部(2)に信号を出力する手段としてトランジスタ素子を用いている。このため、第1の電源電位(SVDD)と第2グランド電位(PGND)とに電位差を確保できる。したがって、第1グランド電位(SGND)と第2グランド電位(PGND)との差電圧が小さい場合であっても、入力部(1)から出力部(2)に必ず比例電流を流すことができ、信号のレベル変換を行うことができる。
また、バイアス部(5)に流れる一定電流に比例した比例電流を出力部(2)に流すことになる。このため、入力部(1)から出力部(2)に入力される信号がノイズ等の影響を受けにくい。したがって、ローパスフィルタ等の回路を設ける必要はないので、レベルシフト回路の回路規模が大きくならないようにすることができる。
請求項2に記載の発明では、入力部(1)は、入力信号(SIN)を入力すると共に入力信号(SIN)を反転させて第1信号を生成する第1反転部(9)と、第1信号を入力すると共に第1信号を反転させて第2信号を生成する第2反転部(10)とを有する信号入力部(4)を備えていることを特徴とする。
これにより、入力部(1)において入力信号(SIN)から第1信号および第2信号を生成することができ、外部から第1信号および第2信号を入力しなくて済む。
請求項3に記載の発明では、出力部(2)は、第1変換部(17)または第2変換部(18)で得られた第2グランド電位(PGND)を基準とした信号と閾値(Vth)とを比較し、比較結果を第2グランド電位(PGND)を基準とした出力信号(Z)として出力するバッファ回路部(21)を備えていることを特徴とする。
これにより、第1変換部(17)または第2変換部(18)で得られた第2グランド電位(PGND)を基準とした信号をデジタル信号の出力信号(Z)として出力することができる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
(第1実施形態)
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。本実施形態で示されるレベルシフト回路は、例えばエンジンECUから出力される制御信号をレベル変換し、レベル変換した信号によって燃料噴射のためのインジェクタのピエゾ素子を駆動する場合などに適用される。
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。本実施形態で示されるレベルシフト回路は、例えばエンジンECUから出力される制御信号をレベル変換し、レベル変換した信号によって燃料噴射のためのインジェクタのピエゾ素子を駆動する場合などに適用される。
図1は、本発明の一実施形態に係るレベルシフト回路の全体回路図である。この図に示されるように、レベルシフト回路は入力部1と出力部2とを備えている。
入力部1は、シグナルグランド3を基準として構成された回路部である。すなわち、入力部1は、シグナルグランド3の電位SGNDを基準として動作するようになっている。
この入力部1は、信号入力部4と、バイアス部5と、トランジスタ6と、差動対回路部7とを備えた構成になっている。
この入力部1は、信号入力部4と、バイアス部5と、トランジスタ6と、差動対回路部7とを備えた構成になっている。
信号入力部4は、入力部1の入力端子8に入力された入力信号SINを入力すると共に該入力信号SINを反転させた第1信号を生成する第1反転部9と、第1信号を入力すると共に該第1信号を反転させた第2信号を生成する第2反転部10とを備えている。
これら第1反転部9および第2反転部10は、シグナル電源端子11に入力されるシグナル電源電位SVDDとシグナルグランド3の電位SGNDとに基づいて動作するNOT回路である。すなわち、第1反転部9および第2反転部10はNOT回路が直列に接続された回路形態になっている。
入力端子8には、入力信号SINを生成する制御回路等の図示しないロジック回路が接続されている。また、ロジック回路にてシグナルグランド3を基準としたデジタル信号としての入力信号SINが生成され、該入力信号SINが入力端子8に入力される。
シグナル電源端子11には、ロジック回路等が動作するレベルのシグナル電源電位SVDDが入力される。ロジック回路等が動作するレベルの電位とは、例えば5V程度である。
バイアス部5は、シグナル電源端子11に入力されるシグナル電源電位SVDDに基づいて一定電流を生成する電流源である。このバイアス部5は、シグナル電源端子11にPch型のトランジスタ12のドレインが接続され、該トランジスタ12のソースとシグナルグランド3との間に抵抗13が接続されて構成されている。また、トランジスタ12のゲート−ソース間が短絡されている。この構成により、トランジスタ12および抵抗13には一定電流がシグナルグランド3に流れることとなる。
トランジスタ6は、バイアス部5にカレントミラー接続されたPch型のものである。このトランジスタ6には、トランジスタ12に流れる一定電流に比例した比例電流が流れる。
差動対回路部7は、トランジスタ6に流れる比例電流を出力部2に出力するものである。この差動対回路部7は、Pch型のトランジスタ14とPch型のトランジスタ15とで構成された差動対を有している。
トランジスタ14およびトランジスタ15の各ドレインは、トランジスタ6のソースに接続されている。また、トランジスタ14のゲートは第1反転部9の出力端子に接続され、トランジスタ15のゲートは第2反転部10の出力端子に接続されている。
これにより、トランジスタ14は第1反転部9から入力される第1信号によってオン/オフし、トランジスタ15は第2反転部10から入力される第2信号によってオン/オフする。したがって、差動対回路部7では、第1信号および第2信号に従ってトランジスタ14およびトランジスタ15のいずれかがオンし、いずれかに一定電流に比例した比例電流が流れることとなる。
なお、トランジスタ14のソース電位をOUTPとし、トランジスタ15のソース電位をOUTNとする。
上記の入力部1に備えられた各トランジスタ6、12、14、15は、シグナル電源端子11に入力されるシグナル電源電位SVDDに応じて耐えられる耐圧のものが採用される。
出力部2は、パワーグランド16を基準として構成された回路部である。すなわち、出力部2は、パワーグランド16の電位PGNDを基準として動作するようになっている、このパワーグランド16の電位PGNDは、シグナルグランド3の電位SGNDに対して例えば±3V程度の電位差を持っている。したがって、パワーグランド16の電位PGNDとシグナルグランド3の電位SGNDの電位との差電圧はそれほど大きくない。
この出力部2は、第1変換部17と、第2変換部18と、トランジスタ19と、トランジスタ20と、バッファ回路部21とを備えた構成になっている。
第1変換部17は、トランジスタ14をオンさせた第1信号に係る入力信号SINを、パワーグランド16を基準とした信号にレベル変換するものである。具体的には、第1変換部17は、シグナル電源端子11のシグナル電源電位SVDDとパワーグランド16の電位PGNDとの電位差によってトランジスタ14に流れる比例電流をパワーグランド16に流すことにより、レベル変換を行う。
このような第1変換部17は、Nch型のトランジスタ22およびトランジスタ23によって構成されたカレントミラー回路をなしている。各トランジスタ22、23のゲート同士が接続され、ソース同士が接続されている。各トランジスタ22、23のソースはそれぞれパワーグランド16に接続されている。さらに、トランジスタ22のゲート−ドレイン間が短絡されている。したがって、トランジスタ22に電流が流れれば、トランジスタ23に電流が流れることとなる。
また、トランジスタ22のドレインが差動対回路部7のトランジスタ14のソースに接続されている。これにより、差動対回路部7のトランジスタ14に流れた比例電流が第1変換部17のトランジスタ22に流れる。
第2変換部18は、第1変換部17と同様に、トランジスタ15をオンさせた第2信号に係る入力信号SINを、パワーグランド16の電位PGNDを基準とした信号にレベル変換するものである。すなわち、第2変換部18は、シグナル電源端子11のシグナル電源電位SVDDとパワーグランド16の電位PGNDとの電位差によってトランジスタ15に流れる比例電流をパワーグランド16に流すことにより、レベル変換を行う。
第2変換部18は、Nch型のトランジスタ24およびトランジスタ25によって構成されたカレントミラー回路をなしている。各トランジスタ24、25のゲート同士が接続され、ソース同士が接続されている。各トランジスタ24、25のソースはそれぞれパワーグランド16に接続されている。さらに、トランジスタ24のゲート−ドレイン間が短絡されている。したがって、トランジスタ24に電流が流れれば、トランジスタ25に電流が流れることとなる。
また、トランジスタ24のドレインが差動対回路部7のトランジスタ15のソースに接続されている。これにより、差動対回路部7のトランジスタ15に流れた比例電流が第2変換部18のトランジスタ24に流れる。
トランジスタ19は、トランジスタ20と共にカレントミラー回路を構成するものである。トランジスタ19およびトランジスタ20は、共にPch型のものである。
トランジスタ19のソースが、第1変換部17のトランジスタ23のドレインに接続されている。また、トランジスタ20のソースが第2変換部18のトランジスタ25のドレインに接続されている。そして、トランジスタ19のゲートとトランジスタ20のゲートが接続され、トランジスタ19のゲート−ソース間が短絡されてカレントミラー回路が構成されている。したがって、トランジスタ19に電流が流れれば、トランジスタ20にも電流が流れることとなる。
これらトランジスタ19およびトランジスタ20の各ドレインは、パワー電源端子26に接続されている。パワー電源端子26には、シグナル電源電位SVDDよりも高いパワー電源電位PVDDが印加される。パワー電源電位PVDDとは、例えば12V程度である。
バッファ回路部21は、第1変換部17または第2変換部18で得られたパワーグランド16の電位PGNDを基準とした信号をデジタル信号として出力する役割を果たすものである。このため、バッファ回路部21は電位に対する閾値Vthを有しており、トランジスタ20とトランジスタ25との間の電位と閾値Vthとを比較し、比較結果を出力信号Zとして出力する。
本実施形態では、トランジスタ20とトランジスタ25とが同じ配線によって互いに接続されている部分をノードAとする。後で詳しく説明するが、ノードAは、第1変換部17または第2変換部18で得られたパワーグランド16を基準とした信号に応じて変化する。バッファ回路部21は、このノードAの電位が閾値Vthを超えた場合にハイレベルに相当する出力信号Zを出力し、ノードAの電位が閾値Vthを下回る場合にローレベルに相当する出力信号Zを出力する。この出力信号Zは、パワーグランド16の電位PGNDを基準としたデジタル信号としてバッファ回路部21から出力される。
バッファ回路部21は、出力部2に設けられた出力端子27に接続されている。したがって、出力信号Zは出力端子27を介してレベルシフト回路から外部に出力される。
上記の出力部2に備えられた各トランジスタ19、20、22〜25は、パワー電源端子26に入力されるパワー電源電位PVDDに応じて耐えられる耐圧のものが採用される。この場合、入力部1で用いられているものよりも耐圧が高いものが採用される。
以上が、本実施形態に係るレベルシフト回路の全体構成である。出力端子27には、例えば駆動回路等が接続され、該駆動回路によってピエゾ素子等の負荷が駆動されるようになっている。
次に、シグナルグランド3の電位を基準とした入力信号SINを、パワーグランド16の電位PGNDを基準とした信号にレベル変換する作動について、図2を参照して説明する。以下では、デジタル信号である入力信号SINが「1」または「0」のときの各場合について、それぞれ説明する。
図2は、入力信号SIN、トランジスタ14のソース電位OUTP、トランジスタ15のソース電位OUTN、ノードAの電位、および出力信号Zのタイミングチャートである。
まず、入力信号SINが「1」の場合、すなわちハイレベルに相当する信号が入力端子8に入力された場合について説明する。この場合、図2に示されるように、入力信号SINは、シグナルグランド3の電位SGNDからシグナル電源電位SVDDまで立ち上がる。該シグナル電源電位SVDDは、例えば4.8Vである。
このような入力信号SINは、第1反転部9によって「0」とされ、この「0」が第1信号として差動対回路部7のトランジスタ14に入力される。一方、第1信号は第2反転部10にも入力されて反転され、「1」が第2信号としてトランジスタ15に入力される。これにより、トランジスタ14はオン状態となり、トランジスタ15はオフ状態となる。図2に示されるように、トランジスタ14のソース電位OUTPは、最初に低下した後に増加し、その後はほぼ一定値となる。
したがって、バイアス部5に流れる一定電流に比例した比例電流がカレントミラー接続されたトランジスタ6およびトランジスタ14を介して出力部2の第1変換部17のトランジスタ22に流れる。その結果、トランジスタ22にカレントミラー接続されたトランジスタ23がオンする。
これに伴ってトランジスタ19がオンし、該トランジスタ19にカレントミラー接続されたトランジスタ20のゲート電位がパワーグランド16の電位PGNDとなる。したがって、バッファ回路部21への入力電圧はパワー電源電位PVDDとなり、ノードAの電位はバイアス部5で決められた一定電流による傾きで立ち上がる。そして、図2に示されるように、ノードAの電位がバッファ回路部21の閾値Vthを超えると、出力信号Zは「1」出力となる。
このとき、シグナル電源電位SVDDとパワーグランド16の電位PGNDとの差が例えば1.8V程度となるが、この電位差が確保されるため、入力部1から出力部2に比例電流を流すことができるようになっている。
このようして、シグナルグランド3の電位SGNDを基準とした「1」の入力信号SINが、第1変換部17によってパワーグランド16の電位PGNDを基準とした「1」の出力信号Zにレベル変換される。
続いて、入力信号SINが「0」の場合、すなわちローレベルに相当する信号が入力端子8に入力された場合について説明する。この場合、上記と逆転した作動となるため、差動対回路部7のトランジスタ14がオフ状態となり、トランジスタ15がオン状態となる。図2に示されるように、トランジスタ15のソース電位OUTNは、最初に低下した後に増加するが、再び低下してその後はほぼ一定値となる。
その結果、第2変換部18のトランジスタ24がオン状態となる。これに伴って、トランジスタ24にカレントミラー接続されたトランジスタ25がオン状態となると、ノードAの電位はパワーグランド16の電位PGNDとなる。このため、バッファ回路部21への入力電圧がパワーグランド16の電位PGNDとなり、ノードAの電位はバッファ回路部21の閾値Vthを超えることはなく、出力信号Zは「0」出力となる。
なお、差動対回路部7のトランジスタ14がオフ状態であるので、出力部2の第1変換部17もオフ状態であるし、トランジスタ19およびトランジスタ20もオフ状態になっている。
このようして、シグナルグランド3の電位を基準とした「0」の入力信号SINが、第2変換部18によってパワーグランド16の電位PGNDを基準とした「0」の出力信号Zにレベル変換される。
以上説明したように、本実施形態では、入力部1から出力部2に比例電流を流す手段としてトランジスタ14、15で構成された差動対回路部7を用いていることが特徴となっている。
これにより、シグナルグランド3の電位SGNDとパワーグランド16の電位PGNDとの差電圧が小さい場合であっても、シグナル電源電位SVDDとパワーグランド16の電位PGNDとに電位差を確保できる。したがって、入力部1から出力部2に必ず比例電流を流すことができ、信号のレベル変換を行うことができる。
また、差動対回路部7を介して比例電流を流す構成であるため、入力部1から出力部2に入力される信号がノイズ等の影響を受けにくくすることができる。したがって、ノイズ除去のためのローパスフィルタ等の回路は必要ないため、レベルシフト回路の回路規模が大きくならないようにすることができる。
すなわち、回路規模を大きくしなくても、シグナルグランド3の電位SGNDの変動による干渉やラッチアップによる誤動作等を防止できる。
そして、バイアス部5に流れる一定電流の大きさを調整することで、ノードAの電位の時間変化を調整することができる。バイアス部5に流れる一定電流が大きくなると、ノードAの電位の時間に対する傾きが急峻になる。したがって、バイアス部5に流れる一定電流を大きくすることで、入力信号SINに対する出力信号Zの遅延時間が短くなるため、レベルシフト回路の応答特性を良くすることができる。このように、バイアス部5の電流制御によって入力信号SINに対する出力信号Zの遅延時間の変更も容易に行うことができる。
また、本実施形態では、レベルシフト回路は入力部1に信号入力部1が設けられ、出力部2にバッファ回路部21が設けられた構成になっている。すなわち、入力部1において入力信号SINが入力される箇所を一箇所にすることができ、出力部2において出力信号Zが出力される箇所を一箇所にすることができる。このように、信号の入出力経路が一対の構成になっているため、レベルシフト回路と外部回路との接続形態を容易にすることができる。
なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、シグナル電源電位SVDDが特許請求の範囲の第1の電源電位に対応し、シグナルグランド3の電位SGNDが特許請求の範囲の第1グランド電位に相当する。また、トランジスタ14が特許請求の範囲の第1トランジスタに相当し、トランジスタ15が特許請求の範囲の第2トランジスタに相当する。さらに、パワーグランド16の電位PGNDが特許請求の範囲の第2グランド電位に相当する。
(他の実施形態)
上記第1実施形態では、出力部2にバッファ回路部21が備えられた構成について説明したが、バッファ回路部21はレベルシフト回路の外部に設けられていても良い。同様に、信号入力部1は入力部1の外部に設けられていても良い。
上記第1実施形態では、出力部2にバッファ回路部21が備えられた構成について説明したが、バッファ回路部21はレベルシフト回路の外部に設けられていても良い。同様に、信号入力部1は入力部1の外部に設けられていても良い。
上記第1実施形態では、バッファ回路部21はノードAの電位と閾値Vthとを比較していたが、ノードAの電位が振れる場合を考慮してバッファ回路部21にシュミット機能を追加しても良い。これにより、出力信号Zの信頼性を向上させることができ、駆動回路等の誤動作を防止できる。
上記第1実施形態では、入力部1の基準電位がシグナルグランド3の電位SGNDであり、出力部2の基準電位が電位SGNDよりも高いパワーグランド16の電位PGNDであった。しかし、入力部1の基準電位がパワーグランド16の電位PGNDであり、出力部2がシグナルグランド3の電位SGNDである場合の信号のレベル変換を行っても良い。
上記第1実施形態では、1つの信号入力に対して1つの信号出力を行うレベルシフト回路が示されているが、入力部1および出力部2を複数設けて複数の信号入力に対する複数の信号出力を行う構成であっても良い。この場合、バイアス部5については、複数の入力部1で共通にすることができる。
1 入力部
2 出力部
4 信号入力部
5 バイアス部
7 差動対回路部
9 第1反転部
10 第2反転部
14、15 トランジスタ
17 第1変換部
18 第2変換部
21 バッファ回路部
2 出力部
4 信号入力部
5 バイアス部
7 差動対回路部
9 第1反転部
10 第2反転部
14、15 トランジスタ
17 第1変換部
18 第2変換部
21 バッファ回路部
Claims (3)
- 第1グランド電位(SGND)を基準とした入力信号(SIN)を、第2グランド電位(PGND)を基準とした信号にレベル変換するレベルシフト回路であって、
第1の電源電位(SVDD)に基づいて、一定電流を前記第1グランド電位(SGND)に流すバイアス部(5)と、
前記入力信号(SIN)が反転した第1信号を入力する第1トランジスタ(14)と、前記第1信号が反転した第2信号を入力する第2トランジスタ(15)とを有し、前記第1信号および前記第2信号に従って前記第1トランジスタ(14)および前記第2トランジスタ(15)のいずれかに前記一定電流に比例した比例電流を流す差動対回路部(7)とを有する入力部(1)と、
前記第1の電源電位(SVDD)と前記第2グランド電位(PGND)との電位差によって前記第1トランジスタ(14)に流れる前記比例電流を前記第2グランド電位(PGND)に流すことにより、前記入力信号(SIN)を前記第2グランド電位(PGND)を基準とした信号にレベル変換する第1変換部(17)と、
前記第1の電源電位(SVDD)と前記第2グランド電位(PGND)との電位差によって前記第2トランジスタ(15)に流れる前記比例電流を前記第2グランド電位(PGND)に流すことにより、前記入力信号(SIN)を前記第2グランド電位(PGND)を基準とした信号にレベル変換する第2変換部(18)とを有する出力部(2)とを備えていることを特徴とするレベルシフト回路。 - 前記入力部(1)は、前記入力信号(SIN)を入力すると共に前記入力信号(SIN)を反転させて前記第1信号を生成する第1反転部(9)と、前記第1信号を入力すると共に前記第1信号を反転させて前記第2信号を生成する第2反転部(10)とを有する信号入力部(4)を備えていることを特徴とする請求項1に記載のレベルシフト回路。
- 前記出力部(2)は、前記第1変換部(17)または前記第2変換部(18)で得られた前記第2グランド電位(PGND)を基準とした信号と閾値(Vth)とを比較し、比較結果を前記第2グランド電位(PGND)を基準とした出力信号(Z)として出力するバッファ回路部(21)を備えていることを特徴とする請求項1または2に記載のレベルシフト回路。
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