DE102023119773A1 - Lichtemissionsanzeigevorrichtung - Google Patents

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DE102023119773A1
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Hyeon-Hoon Shin
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LG Display Co Ltd
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Abstract

Eine Anzeigevorrichtung (100) weist auf: ein Substrat (110), das Lichtemissionsabschnitte (EA) und einen Nicht-Emissionsabschnitt (NEA) zwischen den Lichtemissionsabschnitten (EA) aufweist, ein erstes Subpixel (SP_1) und ein zweites Subpixel (SP_2), die an den Lichtemissionsabschnitten (EA) angeordnet sind, erste Elektroden, die in zugeordneter Weise an dem ersten Subpixel (SP_1) und dem zweiten Subpixel (SP_2) angeordnet sind und auf dem Substrat (110) angeordnet sind, eine Bank (420), die auf den ersten Elektroden angeordnet ist und an dem Nicht-Emissionsabschnitt (NEA) angeordnet ist und mindestens einen Vorsprung (420p) aufweist, der an einer oberen Fläche der Bank (420) vorsteht, eine Lichtemissionselementschicht (430), die auf den ersten Elektroden der Lichtemissionsabschnitte (EA) und dem Nicht-Emissionsabschnitt (NEA) und der Bank (420) angeordnet ist, und mehrere Lichtemissionseinheiten (431, 433) und eine Ladungserzeugungsschicht (432) zwischen den mehreren Lichtemissionseinheiten (431, 433) aufweist, und eine zweite Elektrode, die auf der Lichtemissionselementschicht (430) angeordnet ist.

Description

  • QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
  • Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2022-0094561 , die am 29. Juli 2022 in der Republik Korea eingereicht wurde.
  • HINTERGRUND
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Lichtemissionsanzeigevorrichtung.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • In letzter Zeit hat mit der Entwicklung von Multimedia die Bedeutung einer flachen Anzeigevorrichtung zugenommen. Als Reaktion darauf wurden flache Anzeigevorrichtungen, wie Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen, Plasma-Anzeigevorrichtungen und organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtungen, auf den Markt gebracht. Unter diesen flachen Anzeigevorrichtungen ist eine organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung derzeit weit verbreitet, da sie eine hohe Reaktionsgeschwindigkeit, eine hohe Leuchtdichte und einen guten Betrachtungswinkel aufweist.
  • Verschiedene Größen, verschiedene Formen und verschiedene Funktionen sind für die neueren Anzeigevorrichtungen erforderlich, die in der Lage sind, verschiedene Arten von Informationen anzuzeigen und mit den Benutzern, die die entsprechenden Informationen betrachten, zu interagieren.
  • Solche Anzeigevorrichtungen schließen eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung, eine elektrophoretische Anzeigevorrichtung und eine Lichtemissionsanzeigevorrichtung ein.
  • Die Lichtemissionsanzeigevorrichtung ist eine selbstemittierende Anzeigevorrichtung und benötigt im Gegensatz zu einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung keine separate Lichtquelle und kann so hergestellt werden, dass sie leicht und dünn ist. Darüber hinaus ist die Lichtemissionsanzeigevorrichtung nicht nur vorteilhaft im Hinblick auf den Leistungsverbrauch aufgrund der Niederspannungsansteuerung, sondern auch hervorragend in Bezug auf die Farbimplementierung, die Reaktionsgeschwindigkeit, den Betrachtungswinkel und das Kontrastverhältnis (CR), sodass sie als Anzeigevorrichtung der nächsten Generation untersucht wurde.
  • Obwohl die Erklärung unter der Annahme erfolgt, dass die Lichtemissionsanzeigevorrichtung eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung ist, ist die Art der Lichtemissionselementschicht nicht darauf beschränkt.
  • Die Lichtemissionsanzeigevorrichtung zeigt Informationen auf einem Bildschirm durch Emittieren von Licht von mehreren Pixeln an, die eine Lichtemissionselementschicht aufweisen, und kann in eine Lichtemissionsanzeigevorrichtung vom Aktivmatrixtyp und eine Lichtemissionsanzeigevorrichtung vom Passivmatrixtyp entsprechend einem Verfahren zum Ansteuern der Pixel unterteilt werden.
  • Die Lichtemissionsanzeigevorrichtung vom Aktivmatrixtyp zeigt ein Bild an, indem sie einen Strom, der durch eine Leuchtdiode fließt, unter Verwendung eines Dünnschichttransistors (TFT) steuert.
  • Die Lichtemissionsanzeigevorrichtung weist eine Anode, eine Lichtemissionsschicht und eine Kathode auf. Wenn Spannungen an die Anode bzw. die Kathode angelegt werden, bewegen sich Löcher von der Anode und Elektronen von der Kathode zur Lichtemissionsschicht. Wenn die Löcher und Elektronen in der Lichtemissionsschicht kombiniert werden, werden in einem Anregungsprozess Exzitonen gebildet, und Licht wird aufgrund der Energie der Exzitonen erzeugt.
  • Um qualitativ hochwertige Bildinformationen bereitzustellen, wird eine Auflösung der Lichtemissionsanzeigevorrichtung schrittweise erhöht.
  • ÜBERBLICK
  • Die Offenbarung stellt eine Lichtemissionsanzeigevorrichtung bereit, die eine Struktur zur Verhinderung eines Leckstroms zwischen benachbarten Subpixeln aufweist. Die vorliegende Offenbarung löst unter anderem Sichtbarkeitsfehler aufgrund eines Leckstroms zwischen benachbarten Subpixeln, der durch die Verengung eines Abstands zwischen Subpixeln bei hoher Auflösung verursacht wird, und betrifft eine Lichtemissionsanzeigevorrichtung, die eine Farbwiedergabe durch Blockieren des zwischen benachbarten Subpixeln erzeugten Leckstroms verbessert.
  • Mit zunehmender Auflösung einer Lichtemissionsanzeigevorrichtung wird ein Abstand zwischen den Subpixeln geringer. Die Erfinder haben erkannt, dass ein Problem darin besteht, dass die Bildinformation durch einen Strom, der in seitlicher Richtung zwischen benachbarten Subpixeln entweicht, verzerrt wird. Die vorliegende Offenbarung ist auf eine Lichtemissionsanzeigevorrichtung gerichtet, die unter anderem eines oder mehrere der Probleme des Leckstroms im Wesentlichen vermeidet.
  • Die vorliegende Offenbarung stellt eine Lichtemissionsanzeigevorrichtung bereit, die eine Bank aufweist, die mindestens einen Vorsprung aufweist, um einen seitlichen Leckstrom zu blockieren, der zunimmt, wenn ein Abstand zwischen benachbarten Subpixeln abnimmt.
  • Die vorliegende Offenbarung stellt eine Lichtemissionsanzeigevorrichtung bereit, die einen Abstand vergrößert, in dem sich Elektronen zu benachbarten Subpixeln bewegen, indem eine Lichtemissionselementschicht entlang einer Unebenheit angeordnet wird, die an einem oberen Abschnitt einer Bank ausgebildet ist und die verhindert, dass sich Elektronen, die innerhalb einer Lichtemissionselementschicht erzeugt werden, zu benachbarten Pixeln bewegen.
  • Die vorliegende Offenbarung stellt eine Lichtemissionsanzeigevorrichtung bereit, die einen Sichtbarkeitsdefekt behebt, bei dem ein benachbartes Subpixel Licht in einer niedrigen Graustufe emittiert, und die eine Struktur zum Blockieren eines seitlichen Leckstroms aufweist, was eine Farbwiedergabe-Rate verbessert.
  • Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Offenbarung werden in der folgenden Beschreibung dargelegt und sind zum Teil aus der Beschreibung ersichtlich oder können durch Umsetzen der Offenbarung in die Praxis gelernt werden. Diese und andere Vorteile der Offenbarung werden durch die in der schriftlichen Beschreibung und den Ansprüchen sowie in den beigefügten Zeichnungen besonders hervorgehobene Struktur realisiert und erreicht.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine Lichtemissionsanzeigevorrichtung nach Anspruch 1 bereitgestellt. Weitere Aspekte sind in den Unteransprüchen beschrieben. Eine Anzeigevorrichtung weist auf: ein Substrat, das Lichtemissionsabschnitte und einen Nicht-Emissionsabschnitt zwischen den Lichtemissionsabschnitten aufweist, ein erstes Subpixel und ein zweites Subpixel, die an den Lichtemissionsabschnitten angeordnet sind, erste Elektroden, die in zugeordneter Weise an dem ersten Subpixel und dem zweiten Subpixel angeordnet sind und auf dem Substrat angeordnet sind, eine Bank, die auf den ersten Elektroden angeordnet ist und an dem Nicht-Emissionsabschnitt angeordnet ist und mindestens einen Vorsprung aufweist, der an einer oberen Fläche der Bank vorsteht, eine Lichtemissionselementschicht, die auf den ersten Elektroden der Lichtemissionsabschnitte und des Nicht-Emissionsabschnitts und der Bank angeordnet ist und mehrere Lichtemissionseinheiten und eine Ladungserzeugungsschicht zwischen den mehreren Lichtemissionseinheiten aufweist, und eine zweite Elektrode, die auf der Lichtemissionselementschicht angeordnet ist.
  • Es versteht sich, dass sowohl die vorangehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung Beispiele und Erläuterungen sind.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER VERSCHIEDENEN ANSICHTEN DER ZEICHNUNGEN
  • Die beiliegenden Zeichnungen, die beigefügt sind, um ein weiteres Verständnis der Offenbarung bereitzustellen und Teil dieser Beschreibung sind, zeigen Ausführungsformen der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Offenbarung zu erklären. In den Zeichnungen ist/sind:
    • 1 eine Draufsicht auf eine Lichtemissionsanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 2 ein Schaltungsdiagramm eines Subpixels einer Lichtemissionsanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 3A bis 3C Ansichten, die Anordnungen von Subpixeln einer Lichtemissionsanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigen;
    • 4 eine Querschnittsansicht einer Lichtemissionsanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 5 eine vergrößerte Querschnittsansicht einer Lichtemissionselementschicht von 4;
    • 6 eine Querschnittsansicht, die eine Kapselungsschicht und eine Berührungssensorschicht zeigt, die auf einem Substrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung angeordnet sind; und
    • 7 eine Querschnittsansicht, die eine Farbfilterschicht zeigt, die auf einem Substrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung angeordnet ist.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Die technischen Vorteile und Merkmale der vorliegenden Offenbarung und die Verfahren zu ihrer Verwirklichung werden unter Bezugnahme auf die unten im Detail beschriebenen Ausführungsformen mit den begleitenden Zeichnungen deutlich. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf die nachstehend offenbarten Ausführungsformen beschränkt, sondern kann in einer Mehrzahl verschiedener Formen realisiert werden, und nur diese Ausführungsformen machen die vorliegende Offenbarung vollständig. Die vorliegende Offenbarung wird bereitgestellt, um die Fachleute über den Umfang der Offenbarung der vorliegenden Offenbarung vollständig zu informieren.
  • Die Formen, Größen, Proportionen, Winkel, Zahlen und dergleichen, die in den Zeichnungen zur Erläuterung der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung angegeben sind, dienen der Veranschaulichung, und die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die gezeigten Gegenstände beschränkt. Die gleichen Bezugszahlen beziehen sich in der gesamten Beschreibung auf die gleichen Komponenten.
  • Wenn bei der Beschreibung der vorliegenden Offenbarung festgestellt wird, dass eine detaillierte Beschreibung der verwandten bekannten Technologie den Gegenstand der vorliegenden Offenbarung unnötig verschleiert, kann die detaillierte Beschreibung weggelassen werden. Wenn in dieser Offenbarung die Begriffe „umfassend“, „einschließlich“, „mit“, „bestehend“ und dergleichen verwendet werden, können andere Teile hinzugefügt werden, sofern nicht „nur“ verwendet wird. Wenn ein Bestandteil in der Einzahl ausgedrückt wird, sind Fälle, die die Mehrzahl einschließen, umfasst, sofern nichts Spezielles angegeben ist.
  • Bei der Auslegung der Bestandteile wird, auch wenn keine gesonderte ausdrückliche Beschreibung vorliegt, davon ausgegangen, dass sie einen Randbereich aufweisen.
  • Im Falle einer Beschreibung einer Positionsbeziehung, z.B. wenn die Positionsbeziehung zweier Teile als „auf“, „über“, „oberhalb“, „unter“, „neben“, „unterhalb“ und dergleichen beschrieben wird, können ein oder mehrere andere Teile zwischen diesen beiden Teilen positioniert sein, es sei denn, es wird „unmittelbar“ oder „direkt“ verwendet.
  • Bei der Beschreibung einer zeitlichen Beziehung, z.B. wenn ein zeitlicher Vorrang mit „nachdem“, „nach“, „vor“ und dergleichen beschrieben wird, können Fälle, die nicht kontinuierlich sind, umfasst sein, sofern nicht „direkt“ oder „unmittelbar“ verwendet wird.
  • Entsprechende Merkmale verschiedener Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder ganz miteinander verbunden oder kombiniert werden und können technisch miteinander verzahnt und unterschiedlich gesteuert werden, und die jeweiligen Ausführungsformen können unabhängig voneinander oder zusammen mit einer verwandten Beziehung implementiert werden.
  • Bei der Beschreibung von Komponenten der vorliegenden Offenbarung können Begriffe wie erste/erster/erstes, zweite/zweiter/zweites, A, B, (a), (b) und dergleichen verwendet werden. Diese Begriffe dienen nur zur Unterscheidung der Komponenten von anderen Komponenten, und ein Wesen, eine Reihenfolge, Ordnung oder Anzahl der Komponenten wird durch die Begriffe nicht eingeschränkt. Wenn beschrieben wird, dass ein Bauteil mit einem anderen Bauteil „verbunden“, „gekoppelt“ oder „in Kontakt“ ist, kann das Bauteil direkt mit dem anderen Bauteil verbunden sein oder es berühren, aber es sollte verstanden werden, dass ein anderes Bauteil zwischen den Bauteilen „angeordnet“ sein kann.
  • „Mindestens ein“ sollte so verstanden werden, dass es alle Kombinationen von einem oder mehreren der zugehörigen Bauteile aufweist. Beispielsweise bedeutet „mindestens eine von der ersten, zweiten und dritten Komponente“ nicht nur die erste, zweite oder dritte Komponente, sondern auch alle Kombinationen von zwei oder mehr der ersten, zweiten und dritten Komponente.
  • In dieser Offenbarung kann eine „Vorrichtung“ eine Anzeigevorrichtung aufweisen, wie z.B. ein Flüssigkristallmodul (LCM), ein organisches Lichtemissionsanzeigemodul (OLED-Modul) oder ähnliches, einschließlich eines Anzeigepaneels und eines Ansteuerungsabschnitts zum Ansteuern des Anzeigepaneels. Darüber hinaus kann die „Vorrichtung“ ein komplettes Produkt oder Endprodukt aufweisen, das ein Notebook, ein Fernseher, ein Computermonitor, eine Vorrichtung oder eine Vorrichtungsanzeige für ein Fahrzeug, einschließlich einer anderen Art von Fahrzeug, oder eine elektronische Set-Vorrichtung oder eine Set-Vorrichtung oder ein Set-Gerät, wie eine mobile elektronische Vorrichtung, die ein Smartphone, ein elektronisches Pad oder dergleichen ist, einschließlich des LCM, OLED-Moduls oder dergleichen.
  • Daher kann die Vorrichtung dieser Offenbarung eine Anzeigevorrichtung selbst aufweisen, wie das LCM, OLED oder dergleichen, und/oder ein Anwendungsprodukt oder eine Set-Vorrichtung, die eine Endbenutzervorrichtung ist, die das LCM, OLED-Modul oder dergleichen aufweist.
  • Ferner kann in einigen Ausführungsformen das LCM, OLED-Modul oder dergleichen, das mit einem Anzeigepaneel und einem Ansteuerungsabschnitt konfiguriert ist, als „Anzeigevorrichtung“ bezeichnet werden, und eine elektronische Vorrichtung als Endprodukt, das das LCM, OLED-Modul oder dergleichen aufweist, kann unterschieden und als „Set-Vorrichtung“ bezeichnet werden. Die Anzeigevorrichtung kann z.B. ein Flüssigkristall- oder Organische-Leuchtdiode(OLED)-Anzeigepaneel und eine Source-Leiterplatte aufweisen, die einen Steuerabschnitt zur Ansteuerung des Anzeigepaneels darstellt. Die Set-Vorrichtung kann ferner eine Set-Leiterplatte aufweisen, die ein Set-Steuerungsabschnitt ist, der mit der Source-Leiterplatte elektrisch verbunden ist, um die gesamte Set-Vorrichtung zu steuern.
  • Das in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung verwendete Anzeigepaneel kann alle Arten von Anzeigepaneelen verwenden, wie z. B. ein Flüssigkristall-Anzeigepaneel, ein Organische-Leuchtdiode(OLED)-Anzeigepaneel und ein elektrolumineszentes Anzeigepaneel, aber die Ausführungsformen sind nicht darauf beschränkt. Beispielsweise kann das Anzeigepaneel ein Anzeigepaneel sein, das in der Lage ist, Ton zu erzeugen, indem es durch eine vibrierende Vorrichtung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung in Schwingung versetzt wird. Das Anzeigepaneel, das in der Anzeigevorrichtung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung verwendet wird, ist nicht auf eine Form oder Größe des Anzeigepaneels beschränkt.
  • Merkmale verschiedener Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder ganz miteinander kombiniert werden, technisch sind verschiedene Verriegelungen und Ansteuerungen möglich, und Ausführungsformen können unabhängig voneinander oder zusammen in einer verwandten Beziehung implementiert werden.
  • Nachfolgend werden Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf begleitende Zeichnungen beschrieben. Die Maßstäbe der in den Zeichnungen gezeigten Komponenten können sich von den Maßstäben der tatsächlichen Komponenten unterscheiden, um die Beschreibung zu erleichtern, und sind daher nicht auf die in den Zeichnungen gezeigten Größen beschränkt.
  • Nachfolgend werden verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen im Detail beschrieben.
  • 1 ist eine Draufsicht auf eine Lichtemissionsanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 2 ist ein Schaltungsdiagramm eines Subpixels einer Lichtemissionsanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Unter Bezugnahme auf 1 und 2 kann die Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 verschiedene zusätzliche Elemente zur Erzeugung verschiedener Signale oder zur Ansteuerung mehrerer Subpixel SP in einem aktiven Bereich (oder einem Anzeigebereich) AA aufweisen. Beispielsweise kann die Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 eine oder mehrere Ansteuerungsschaltungen zur Ansteuerung eines Anzeigepaneels aufweisen. Die Ansteuerungsschaltung zur Steuerung (oder Ansteuerung) der Subpixel SP kann einen Gate-Treiber, Daten-Signalleitungen, einen Multiplexer MUX, einen Elektrostatische-Entladung-Schaltungsabschnitt ESD, eine Hochpotential-Spannungsleitung VDD, eine Niedrigpotential-Spannungsleitung VSS, eine Wechselrichterschaltung und dergleichen aufweisen. Die Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 kann neben den Funktionen zur Ansteuerung der Subpixel SP auch weitere Elemente aufweisen. Beispielsweise kann die Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 zusätzliche Elemente aufweisen, die eine Berührungserkennungsfunktion, eine Benutzerauthentifizierungsfunktion (z.B. Fingerabdruckerkennung), eine mehrstufige Druckerkennungsfunktion, eine taktile Rückkopplungsfunktion und dergleichen bereitstellen. Die vorgenannten zusätzlichen Elemente können sich in einem nicht-aktiven Bereich (oder einem Nicht-Anzeigebereich) NA oder einer externen Schaltung befinden, die mit der Verbindungsschnittstelle verbunden ist.
  • Ein Substrat 110 kann den aktiven Bereich AA und den nicht-aktiven Bereich NA aufweisen. Der aktive Bereich AA des Substrats 110 kann ein Bereich sein, in dem mehrere Pixel P angeordnet sind, um ein Bild anzuzeigen. Der nicht-aktive Bereich NA des Substrats 110 kann ein Bereich sein, in dem kein Bild angezeigt wird. Beispielsweise kann der nicht-aktive Bereich NA ein Blendenbereich sein, ist aber nicht auf diesen Begriff beschränkt. Der nicht-aktive Bereich NA kann an den aktiven Bereich AA angrenzen und außerhalb des aktiven Bereichs AA angeordnet sein. Alternativ kann der nicht-aktive Bereich NA so angeordnet sein, dass er den aktiven Bereich AA ganz oder teilweise umgibt. Alternativ kann der Nicht-Anzeigebereich NA ein Bereich sein, in dem die mehreren Subpixel SP nicht angeordnet sind, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Das im aktiven Bereich AA angeordnete Pixel P kann die mehreren Subpixel SP aufweisen. Das Subpixel SP ist eine individuelle Einheit, die Licht emittiert, und die mehreren Subpixel SP können ein erstes Subpixel SP_1, ein zweites Subpixel SP_2, ein drittes Subpixel SP_3 und/oder ein weißes Subpixel aufweisen, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Jedes Subpixel SP kann mit einem Lichtemissionselement, z.B. einer organischen Leuchtdiode, und einer Ansteuerungsschaltung gebildet sein. Beispielsweise können ein Anzeigeelement zur Anzeige eines Bildes und eine Ansteuerungsschaltung zur Ansteuerung (oder Steuerung) des Anzeigeelements in den mehreren Subpixeln SP angeordnet sein.
  • Ein Subpixel SP kann mehrere Transistoren, mindestens einen Kondensator und mehrere Leitungen (oder Drähte) aufweisen. Beispielsweise kann das Subpixel SP zwei Transistoren und einen Kondensator aufweisen, was eine 2T1C-Struktur ist, ist aber nicht darauf beschränkt und kann eine 3T1 C-, 4T1 C-, 5T1 C-, 6T1C-, 7T1 C-, 3T2C-, 4T2C-, 5T2C-, 6T2C-, 7T2C-, 8T2C-Struktur oder dergleichen aufweisen.
  • Der nicht-aktive Bereich NA kann ein Bereich sein, in dem verschiedene Leitungen, Ansteuerungsschaltungen usw. zum Ansteuern der mehreren im aktiven Bereich AA angeordneten Subpixel SP angeordnet sind. Beispielsweise können verschiedene ICs und Ansteuerungsschaltungen, wie z.B. ein Gate-Treiber und ein Datentreiber, im nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sein.
  • Obwohl 1 zeigt, dass der nicht-aktive Bereich NA den rechteckigen aktiven Bereich AA umgibt, ist die Form des aktiven Bereichs AA und die Form und Anordnung des nicht-aktiven Bereichs NA neben dem aktiven Bereich AA nicht auf das in 1 dargestellte Beispiel beschränkt. Der aktive Bereich AA und der nicht-aktive Bereich NA können Formen aufweisen, die für das Design einer elektronischen Vorrichtung geeignet sind, in der die Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 montiert ist. Im Falle einer Anzeigevorrichtung einer vom Benutzer tragbaren Vorrichtung kann sie eine kreisförmige Form wie eine allgemeine Armbanduhr aufweisen, und die Konzepte der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können auch auf eine Freiform-Anzeigevorrichtung angewandt werden, die für ein Fahrzeugarmaturenbrett geeignet ist. Eine Beispielform des aktiven Bereichs AA kann fünfeckig, sechseckig, achteckig, kreisförmig, elliptisch oder ähnlich sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Ein Biegebereich BA kann in einem Abschnitt des nicht-aktiven Bereichs NA bereitgestellt sein. Der Biegebereich BA kann zwischen dem aktiven Bereich AA und einem Kontaktstellenbereich 114 bereitgestellt sein, der sich in dem nicht-aktiven Bereich NA befindet. Außerdem kann der Biegebereich BA ein Bereich sein, in dem ein Abschnitt einer Verbindungsverdrahtung (oder ein Abschnitt einer Verbindungsleitung) ausgebildet ist.
  • Der Biegebereich BA kann ein Bereich sein, in dem ein Abschnitt des Substrats 110 gebogen ist, um den Kontaktstellenbereich 114 und ein externes Modul, das mit dem Kontaktstellenbereich 114 verbunden ist, auf einer hinteren Fläche des Substrats 110 anzuordnen. Wenn z.B. der Biegebereich BA in Richtung der hinteren Fläche des Substrats 110 gebogen wird, bewegt sich das externe Modul, das mit dem Kontaktstellenbereich 114 des Substrats 110 verbunden ist, in Richtung der hinteren Fläche des Substrats 110, und das externe Modul ist möglicherweise nicht zu erkennen, wenn es von oberhalb des Substrats 110 betrachtet wird. Da der Biegebereich BA gebogen ist, wird auch die Größe des nicht-aktiven Bereichs NA, der von oberhalb des Substrats 110 erkannt wird, reduziert, sodass eine schmale Blende realisiert werden kann. In der vorliegenden Offenbarung wird gezeigt, dass der Biegebereich BA in dem nicht-aktiven Bereich NA enthalten ist, aber nicht darauf beschränkt ist. Beispielsweise kann sich der Biegebereich BA im aktiven Bereich AA befinden, und der aktive Bereich AA selbst kann in verschiedene Richtungen gebogen sein, sodass der Biegebereich BA, der sich im aktiven Bereich AA befindet, auch die in der vorliegenden Offenbarung erwähnten Effekte aufweisen kann.
  • Der Kontaktstellenbereich 114 kann auf einer Seite des nicht-aktiven Bereichs NA angeordnet sein. Der Kontaktstellenbereich 114 kann ein Metallmuster sein, mit dem das externe Modul, z.B. eine flexible Leiterplatte (FPCB), ein Chip auf Folie (COF) oder ähnliches, verbunden ist. Obwohl der Kontaktstellenbereich 114 so gezeigt ist, dass er auf einer Seite des Substrats 110 angeordnet ist, sind die Form und die Anordnung des Kontaktstellenbereichs 114 nicht darauf beschränkt.
  • Ein Gate-Treiber 112, der ein Gate-Signal für einen Dünnschichttransistor bereitstellt, kann auf einer anderen Seite des nicht-aktiven Bereichs NA angeordnet sein. Der Gate-Treiber 112 kann verschiedene Gate-Ansteuerungsschaltungen aufweisen, und die Gate-Ansteuerungsschaltungen können direkt auf dem Substrat 110 ausgebildet sein. In diesem Fall kann der Gate-Treiber 112 ein Treiber vom Gate-in-Panel-Typ sein.
  • Der Gate-Treiber 112 kann zwischen dem aktiven Bereich AA und einem Damm DAM angeordnet sein, der sich im nicht-aktiven Bereich NA des Substrats 110 befindet.
  • Die Hochpotential-Spannungsleitung VDD, die Niedrigpotential-Spannungsleitung VSS, der Multiplexer MUX und der Elektrostatische-Entladung-Schaltungsabschnitt ESD sowie mehrere Verbindungsverdrahtungsabschnitte können zwischen dem aktiven Bereich AA und dem Kontaktstellenbereich 114 in dem nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sein.
  • Die Hochpotential-Spannungsleitung VDD, die Niedrigpotential-Spannungsleitung VSS, der Multiplexer MUX und der Elektrostatische-Entladung-Schaltungsabschnitt ESD können zwischen dem aktiven Bereich AA und dem Biegebereich BA angeordnet sein.
  • Der Verbindungsverdrahtungsabschnitt kann in dem nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sein. Beispielsweise kann der Verbindungsverdrahtungsabschnitt in dem Biegebereich BA angeordnet sein, in dem das Substrat 110 zwischen dem nicht-aktiven Bereich NA gebogen ist. Der Verbindungsverdrahtungsabschnitt kann eine Komponente sein, die ein Signal (oder eine Spannung) von dem externen Modul, das mit dem Kontaktstellenbereich 114 verbunden ist, an den aktiven Bereich AA oder einen Schaltungsabschnitt, wie den Gate-Treiber 112, überträgt. Beispielsweise können verschiedene Signale, wie z.B. Signale zur Ansteuerung des Gate-Treibers 112, Datensignale, eine Hochpotential-Spannung und eine Niedrigpotential-Spannung über den Verbindungsleitungsabschnitt übertragen werden.
  • Der Damm DAM kann in dem nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sein, um den gesamten aktiven Bereich AA oder einen Teil davon zu umgeben. Der Damm DAM kann angrenzend an den aktiven Bereich AA und außerhalb des aktiven Bereichs AA angeordnet sein.
  • Der Damm DAM kann entlang eines peripheren Abschnitts des aktiven Bereichs AA angeordnet sein, um das Strömen einer organischen Schicht zu steuern, die ein Material einer zweiten Kapselungsschicht unter den auf einer Lichtemissionselementschicht angeordneten Kapselungsschichten ist. Eine Anzahl von Dämmen DAM kann eine oder mehrere sein.
  • Der Damm DAM kann zwischen dem aktiven Bereich AA und einer Hochpotential-Spannungsleitung VDD, einer Niedrigpotential-Spannungsleitung VSS, einem Multiplexer MUX oder einem Elektrostatische-Entladung-Schaltungsabschnitt ESD angeordnet sein.
  • Ein Paneelrissdetektor (oder eine Risserkennungsleitung) PCD kann ferner auf einem Abschnitt des nicht-aktiven Bereichs NA des Substrats 110 angeordnet sein.
  • Der Paneelrissdetektor PCD kann zwischen einem Endpunkt (oder Ende) des Substrats 110 und dem Damm DAM angeordnet sein. Alternativ dazu kann der Paneelrissdetektor PCD unter dem Damm DAM angeordnet sein und den Damm DAM zumindest teilweise überlappen.
  • Unter Bezugnahme auf 2 wird die Lichtemissionsanzeigevorrichtung, die eine 3T1C-Struktur mit drei Dünnschichttransistoren und einem Speicherkondensator aufweist, als Beispiel beschrieben, aber die Lichtemissionsanzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung ist nicht auf diese Struktur beschränkt und kann auf verschiedene Strukturen, wie 4T1 C, 5T1 C, 6T1C, 7T1C, 8T1C, 4T2C, 5T2C, 6T2C, 7T2C und 8T2C, angewendet werden.
  • Bezugnehmend auf 2 kann die Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Gate-Leitung GL, eine Datenleitung DL, eine Stromleitung PL und eine Erfassungsleitung SL aufweisen. Jedes Subpixel SP kann einen ersten Schaltdünnschichttransistor ST1, einen zweiten Schaltdünnschichttransistor ST2, einen Ansteuerungsdünnschichttransistor DT, ein Lichtemissionselement D und einen Speicherkondensator Cst aufweisen.
  • Das Lichtemissionselement D kann aufweisen: eine Anode, die mit einem zweiten Knoten N2 verbunden ist, eine Kathode, die mit einem Eingangsanschluss einer Niedrigpotential-Ansteuerungsspannung EVSS verbunden ist, und eine Lichtemissionselementschicht, die zwischen der Anode und der Kathode angeordnet ist.
  • Der Ansteuerungsdünnschichttransistor DT kann einen Strom Id, der durch das Lichtemissionselement D fließt, gemäß dessen Gate-Source-Spannung Vgs steuern. Der Ansteuerungsdünnschichttransistor DT kann aufweisen: eine Gate-Elektrode, die mit einem ersten Knoten N1 verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Stromleitung PL verbunden ist, um eine Hochpotential-Ansteuerungsspannung EVDD zu empfangen, und eine Source-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist.
  • Der Speicherkondensator Cst kann zwischen dem ersten Knoten N1 und dem zweiten Knoten N2 angeschlossen sein. Der Speicherkondensator Cst kann eine konstante Spannung für ein Frame aufrechterhalten.
  • Beim Ansteuern kann der erste Schaltdünnschichttransistor ST1 in Reaktion auf ein Gate-Signal SCAN die in der Datenleitung DL geladene Datenspannung Vdata an den ersten Knoten N1 anlegen, um den Ansteuerungsdünnschichttransistor DT zu schalten. Der erste Schaltdünnschichttransistor ST1 kann aufweisen: eine Gate-Elektrode, die mit der Gate-Leitung GL verbunden ist, um das Gate-Signal SCAN zu empfangen, eine Drain-Elektrode, die mit der Datenleitung DL verbunden ist, um die Datenspannung Vdata zu empfangen, und eine Source-Elektrode, die mit dem ersten Knoten N1 verbunden ist.
  • Als Reaktion auf ein Erfassungssignal SEN kann der zweite Schaltdünnschichttransistor ST2 einen Strom zwischen dem zweiten Knoten N2 und einer Erfassungsspannungsausleseleitung SRL schalten, um eine Source-Spannung des zweiten Knotens N2 in einem Erfassungskondensator Cx der Spannungsausleseleitung SRL zu speichern. Wenn ein Anzeigepaneel angesteuert wird, kann der zweite Schaltdünnschichttransistor ST2 als Reaktion auf das Erfassungssignal SEN den Strom zwischen dem zweiten Knoten N2 und der Erfassungsspannungsausleseleitung SRL schalten, um die Source-Spannung des Ansteuerungsdünnschichttransistors DT auf eine Initialisierungsspannung zurückzusetzen. Zu diesem Zeitpunkt kann eine Gate-Elektrode des zweiten Schaltdünnschichttransistors ST2 mit der Erfassungsleitung SL verbunden sein, kann eine Drain-Elektrode des zweiten Schaltdünnschichttransistors ST2 mit dem zweiten Knoten N2 verbunden sein, und kann die Source-Elektrode des zweiten Schaltdünnschichttransistors ST2 mit der Erfassungsspannungsausleseleitung SRL verbunden sein.
  • 3A bis 3C sind Ansichten, die Anordnungen von Subpixeln einer Lichtemissionsanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigen.
  • Gemäß 3A bis 3C kann das Substrat 110 Lichtemissionsabschnitte EA und einen Nicht-Emissionsabschnitt NEA aufweisen, der zwischen den Lichtemissionsabschnitten EA angeordnet ist. Mehrere Lichtemissionsabschnitte EA können auf dem Substrat angeordnet und voneinander im Abstand angeordnet sein. Der Nicht-Emissionsabschnitt NEA kann um die Lichtemissionsabschnitte EA herum angeordnet sein.
  • Der Lichtemissionsabschnitt EA kann ein Bereich in einer Lichtemissionsschicht sein, in dem Licht nach außen emittiert wird, und unter Bezugnahme auf 4 kann es ein Bereich sein, in dem keine Bank 420 angeordnet ist.
  • Der Nicht-Emissionsabschnitt NEA kann ein Bereich in der Lichtemissionsschicht sein, in dem kein Licht nach außen emittiert wird, und unter Bezugnahme auf 4 kann es ein Bereich sein, in dem die Bank 420 angeordnet ist.
  • Die mehreren Pixel P, die in dem Lichtemissionsabschnitt EA angeordnet sind, können das erste Subpixel SP_1, das zweite Subpixel SP_2 und das dritte Subpixel SP_3 aufweisen.
  • Jedes der ersten bis dritten Subpixel SP_1, SP_2 und SP_3 kann einen Lichtemissionsabschnitt EA aufweisen.
  • In einem Pixel P, wie in den 3A bis 3C gezeigt, können die Subpixel SP, die unterschiedliche Farben emittieren, einzeln angeordnet sein. Beispielsweise kann das Pixel P das erste Subpixel SP_1, das zweite Subpixel SP_2 und das dritte Subpixel SP_3 aufweisen.
  • Eine beispielhafte Form des ersten Subpixels SP_1, des zweiten Subpixels SP_2 und des dritten Subpixels SP_3 kann ein Viereck, Fünfeck, Sechseck, Achteck, Kreis oder eine Ellipse sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • In einem Pixel P kann mindestens eines der Subpixel SP, die verschiedene Farben emittieren, in einer Mehrzahl angeordnet sein, wie in 3C gezeigt. Beispielsweise kann eine Mehrzahl von Subpixeln SP_2, die die gleiche Farbe emittieren, in dem Pixel P gebildet sein.
  • Das erste Subpixel SP_1 bis zum dritten Subpixel SP_3 kann Licht in verschiedenen Farben emittieren. Obwohl die vorliegende Offenbarung unter der Annahme beschrieben wird, dass das erste Subpixel SP_1 rotes Licht, das zweite Subpixel SP_2 grünes Licht und das dritte Subpixel SP_3 blaues Licht emittiert, sind die von den Lichtemissionsschichten emittierten Farben hierauf nicht beschränkt.
  • Das dritte Subpixel SP_3 kann eine größere Fläche aufweisen als andere Subpixel. Ein Abstand zwischen dem dritten Subpixel SP_3 und einem anderen benachbarten Subpixel kann kleiner sein als ein Abstand zwischen dem ersten Subpixel SP_1 und dem zweiten Subpixel SP_2.
  • Unter Bezugnahme auf die 3A bis 3C kann ein drittes Subpixel SP_3 über anderen Subpixeln in Bezug auf eine Richtung in der Ebene angeordnet sein.
  • Da das erste Subpixel SP_1 bis dritte Subpixel SP_3 eine hohe Auflösung der Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 realisieren, verringert sich der Abstand zwischen den Subpixeln.
  • Die Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 kann eine Lichtemissionselementschicht aufweisen, die mehrere Lichtemissionseinheiten enthält. Die Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 kann ferner eine Ladungserzeugungsschicht zwischen den mehreren Lichtemissionseinheiten aufweisen. Die Ladungserzeugungsschicht kann einen Ladungsausgleich zwischen den mehreren Lichtemissionseinheiten einstellen.
  • Die Ladungserzeugungsschicht kann mehrere Schichten aufweisen, einschließlich einer ersten Ladungserzeugungsschicht und einer zweiten Ladungserzeugungsschicht. Die erste Ladungserzeugungsschicht kann eine n-Typ-Ladungserzeugungsschicht und eine p-Typ-Ladungserzeugungsschicht aufweisen. Die erste Ladungserzeugungsschicht kann aus einer organischen Schicht gebildet sein, die mit einem Alkalimetall, wie Lithium (Li), Natrium (Na), Kalium (K) oder Cäsium (Cs), oder einem Erdalkalimetall, wie Magnesium (Mg), Strontium (Sr), Barium (Ba) oder Radium (Ra), dotiert ist. Zu diesem Zeitpunkt verursacht das Metall, das in der ersten Ladungserzeugungsschicht enthalten ist, einen seitlichen Leckstrom (LLC).
  • Wenn z.B. ein bestimmtes Subpixel betrieben wird, emittiert ein benachbartes Subpixel aufgrund eines Stroms, der zwischen benachbarten Pixeln in einer seitlichen Richtung entweicht, schwach Licht, was zu einer Verzerrung der Bildinformationen führt.
  • Eine Ansteuerungsspannung, die erforderlich ist, damit das dritte Subpixel SP_3 blaues Licht emittiert, kann höher sein als eine Ansteuerungsspannung, die erforderlich ist, damit anderes rotes oder grünes Licht emittiert wird.
  • Bei der Ansteuerung des dritten Subpixels SP_3 werden benachbarte Subpixel schwach angesteuert. In dieser Hinsicht bewegen sich Elektronen des dritten Subpixels SP_3 zum benachbarten Subpixel durch die erste Ladungserzeugungsschicht, die kontinuierlich zwischen den benachbarten Pixeln angeordnet ist, und so wird die schwache Ansteuerung vorgenommen. Dementsprechend treten benachbarte Subpixel in einem Nicht-Ansteuerungszustand in einen Zustand ein, der einem Ansteuerungszustand ähnlich ist, und emittieren schwaches Licht. In diesem Fall wird die Farbreinheit verringert, was zu einem Problem führt, da die Farbreproduktionsrate verringert wird. In vielen Fällen ist dieses Phänomen an niedrigen Graustufen zu erkennen.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht einer Lichtemissionsanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 4 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie I-I' der 3A bis 3C. 5 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht einer Lichtemissionselementschicht von 4.
  • Unter Bezugnahme auf 4 kann die Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat 110, eine Bank 420, eine erste Lichtemissionseinheit 431, eine Ladungserzeugungsschicht 432 und eine zweite Lichtemissionseinheit 433 aufweisen.
  • Das Substrat 110 kann verschiedene Komponenten der Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 tragen. Das Substrat 110 kann aus Glas oder einem Kunststoffmaterial gebildet sein, das Flexibilität aufweist.
  • Das Substrat 110 kann z.B. aus mindestens einem der folgenden Materialien gebildet sein: Polyimid (PI), Polymethylmethacrylat (PMMA), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon und Polycarbonat, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Wenn das Substrat 110 aus einem Kunststoffmaterial hergestellt ist, z.B. wenn das Substrat 110 aus Polyimid hergestellt ist, kann ein Verfahren zur Herstellung der Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 in einer Situation durchgeführt werden, in der ein Trägersubstrat aus Glas unter dem Substrat 110 angeordnet ist, und nachdem das Herstellungsverfahren der Lichtemissionsanzeigevorrichtung abgeschlossen ist, kann das Trägersubstrat freigegeben oder mit einem Laser beschnitten werden. Nachdem das Trägersubstrat freigegeben ist, kann auch eine Rückplatte zur Unterstützung des Substrats 110 unter dem Substrat 110 angeordnet werden.
  • Wenn das Substrat 110 aus Polyimid gebildet ist, dringt Feuchtigkeit in das aus Polyimid gebildete Substrat 110 ein und dringt in die Dünnschichttransistor- oder Lichtemissionselementschicht ein, wodurch die Leistung der Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 beeinträchtigt wird. Die Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann so konfiguriert sein, dass sie zwei Polyimidteile aufweist, um eine Verschlechterung der Leistung der Anzeigevorrichtung aufgrund des Eindringens von Feuchtigkeit zu verhindern. Durch die Bildung einer anorganischen Schicht zwischen den beiden Polyimidteilen ist es außerdem möglich, das Eindringen von Feuchtigkeit in das untere Polyimid zu verhindern und dadurch die Zuverlässigkeit der Produktleistung zu verbessern. Die anorganische Schicht kann aus einer einzelnen Schicht aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx) oder aus mehreren Schichten davon gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Das Substrat 110 kann auch als ein Bauteil bezeichnet werden, das Elemente und Funktionsschichten aufweist, die auf dem Substrat 110 ausgebildet sind, z.B. einen Schaltdünnschichttransistor, einen Ansteuerungsdünnschichttransistor, der mit dem Schaltdünnschichttransistor verbunden ist, ein organisches Lichtemissionselement, das mit dem Ansteuerungsdünnschichttransistor verbunden ist, eine Passivierungsschicht und dergleichen, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die Pufferschicht 120 kann auf der gesamten Fläche des Substrats 110 angeordnet sein. Die Pufferschicht 120 kann dazu dienen, die Adhäsion zwischen den auf der Pufferschicht gebildeten Schichten und dem Substrat 110 zu verbessern und verschiedene Arten von Defekten, wie z. B. aus dem Substrat 110 strömende Alkalibestandteile, zu blockieren. Außerdem kann die Pufferschicht 120 die Diffusion von Feuchtigkeit oder Sauerstoff, die in das Substrat 110 eindringen, verzögern.
  • Die Pufferschicht 120 kann aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx) gebildet sein. Wenn die Pufferschicht 120 aus mehreren Schichten gebildet ist, können Siliziumoxid (SiOx) und Siliziumnitrid (SiNx) abwechselnd gebildet sein.
  • Die Pufferschicht 120 kann basierend auf Typ und Material des Substrats 110, Struktur und Typ des Dünnschichttransistors und dergleichen weggelassen werden.
  • Ein erster Dünnschichttransistor 200 und ein zweiter Dünnschichttransistor 300 können auf der Pufferschicht 120 angeordnet sein. Der erste Dünnschichttransistor 200 und der zweite Dünnschichttransistor 300 können jeweils ein Halbleitermuster, eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode aufweisen.
  • Der Einfachheit halber wird nur ein Ansteuerungsdünnschichttransistor unter den verschiedenen Dünnschichttransistoren, die in der Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 enthalten sein können, gezeigt, aber andere Dünnschichttransistoren, wie z.B. ein Schaltdünnschichttransistor, können ebenfalls in der Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 enthalten sein. Der Einfachheit halber wird der Dünnschichttransistor so beschrieben, dass er eine Oberseite-Gate-Struktur aufweist, ist aber nicht auf diese Struktur beschränkt und kann auch in einer anderen Struktur, wie z.B. einer Unterseite-Gate-Struktur, implementiert sein.
  • Ein erstes Halbleitermuster 210 des ersten Dünnschichttransistors 200 und ein zweites Halbleitermuster 310 des zweiten Dünnschichttransistors 300 können auf der Pufferschicht 120 angeordnet sein.
  • Das erste Halbleitermuster 210 und das zweite Halbleitermuster 310 können aus einem polykristallinen Halbleiter gebildet sein. Beispielsweise kann der polykristalline Halbleiter aus Niedertemperatur-Polysilizium (LTPS) gebildet sein, das eine hohe Mobilität aufweist, ist aber nicht darauf beschränkt. Wenn die Halbleitermuster 210 und 310 aus einem polykristallinen Halbleiter hergestellt sind, ist die Leistung des Energieverbrauchs niedrig und die Zuverlässigkeit ausgezeichnet.
  • In einigen Ausführungsformen können das erste Halbleitermuster 210 und das zweite Halbleitermuster 310 aus einem Oxid-Halbleiter gebildet sein. Sie können z.B. aus Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO), Indium-Zink-Oxid (IZO), Indium-Gallium-Zinn-Oxid (IGTO) und Indium-Gallium-Oxid (IGO) gebildet sein, sind aber nicht darauf beschränkt. Wenn das erste Halbleitermuster 210 und das zweite Halbleitermuster 310 aus einem Oxid-Halbleiter gebildet sind, ist die Wirkung des Blockierens von Leckstrom ausgezeichnet, und daher kann eine Änderung der Leuchtdichte eines Subpixels während der Ansteuerung mit niedriger Geschwindigkeit minimiert werden.
  • Wenn das erste Halbleitermuster 210 und das zweite Halbleitermuster 310 aus einem polykristallinen Halbleiter oder einem Oxid-Halbleiter gebildet sind, kann ein Abschnitt sowohl des ersten Halbleitermusters 210 als auch des zweiten Halbleitermusters 310 mit Verunreinigungen dotiert sein.
  • In einigen Ausführungsformen können das erste Halbleitermuster 210 und das zweite Halbleitermuster 310 aus amorphem Silizium (a-Si) oder verschiedenen organischen Halbleitermaterialien, wie Pentacen, hergestellt sein, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Eine erste Isolierschicht 130 kann auf dem ersten Halbleitermuster 210 und dem zweiten Halbleitermuster 310 angeordnet sein.
  • Die erste Isolierschicht 130 kann zwischen dem ersten und zweiten Halbleitermuster 210 und 310 sowie einer ersten Gate-Elektrode 230 und einer zweiten Gate-Elektrode 330 angeordnet sein.
  • Die erste Isolierschicht 130 kann das erste Halbleitermuster 210 und die erste Gate-Elektrode 230 isolieren. Die erste Isolierschicht 130 kann das zweite Halbleitermuster 310 und die zweite Gate-Elektrode 330 isolieren.
  • Die erste Isolierschicht 130 kann aus einem anorganischen Isolator, wie z.B. Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx), oder aus einem organischen Isolator gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Isolierschicht 130 kann ein Loch aufweisen, um sowohl die erste Source-Elektrode 250 als auch die erste Drain-Elektrode 270 mit dem ersten Halbleitermuster 210 elektrisch zu verbinden. Auch kann die erste Isolierschicht 130 ein Loch aufweisen, um jede von der zweiten Source-Elektrode 350 und der zweiten Drain-Elektrode 370 mit dem zweiten Halbleitermuster 310 elektrisch zu verbinden.
  • Die erste Gate-Elektrode 230 des ersten Dünnschichttransistors 200 und die zweite Gate-Elektrode 330 des zweiten Dünnschichttransistors 300 können auf der ersten Isolierschicht 130 angeordnet sein.
  • Die erste Gate-Elektrode 230 kann so angeordnet sein, dass sie das erste Halbleitermuster 210 überlappt, und die zweite Gate-Elektrode 330 kann so angeordnet sein, dass sie das zweite Halbleitermuster 310 überlappt.
  • Die erste Gate-Elektrode 230 und die zweite Gate-Elektrode 330 können aus einer einzelnen Schicht gebildet sein, die aus Molybdän (Mo), Kupfer (Cu), Titan (Ti), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au) oder Nickel (Ni), Neodym (Nd), Wolfram (W), Gold (Au), einem transparenten leitfähigen Oxid (TCO) und einer Legierung davon gebildet ist, oder aus mehreren Schichten, die aus mindestens zwei der oben genannten Materialien gebildet sind, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Eine zweite Isolierschicht 140 kann auf der ersten Gate-Elektrode 230 und der zweiten Gate-Elektrode 330 angeordnet sein.
  • Die zweite Isolierschicht 140 kann zwischen der ersten Gate-Elektrode 230 und der zweiten Gate-Elektrode 330 sowie der ersten Source-Elektrode 250, der ersten Drain-Elektrode 270, der zweiten Source-Elektrode 350 und der zweiten Drain-Elektrode 370 angeordnet sein.
  • Die zweite Isolierschicht 140 kann die erste Gate-Elektrode 230 von der ersten Source-Elektrode 250 und der zweiten Drain-Elektrode 270 isolieren. Ebenso kann die zweite Isolierschicht 140 die zweite Gate-Elektrode 330 von der zweiten Source-Elektrode 350 und der zweiten Drain-Elektrode 370 isolieren.
  • Die zweite Isolierschicht 140 kann aus einem anorganischen Isoliermaterial, wie Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx), gebildet sein und kann aus einem organischen Isoliermaterial gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die zweite Isolierschicht 140 kann ein Loch aufweisen, um jede der ersten Source-Elektrode 250 und der ersten Drain-Elektrode 270 mit dem ersten Halbleitermuster 210 elektrisch zu verbinden. Außerdem kann die zweite Isolierschicht 140 ein Loch aufweisen, um jede der zweiten Source-Elektrode 350 und der zweiten Drain-Elektrode 370 mit dem zweiten Halbleitermuster 310 elektrisch zu verbinden.
  • Die erste Source-Elektrode 250 und die erste Drain-Elektrode 270 des ersten Dünnschichttransistors 200 können auf der zweiten Isolierschicht 140 angeordnet sein. Die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 370 des zweiten Dünnschichttransistors 300 können auf der zweiten Isolierschicht 140 angeordnet sein.
  • Die erste Source-Elektrode 250 und die erste Drain-Elektrode 270 können mit dem ersten Halbleitermuster 210 durch entsprechende Löcher in der ersten Isolierschicht 130 und der zweiten Isolierschicht 140 elektrisch verbunden sein.
  • Die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 370 können mit dem zweiten Halbleitermuster 310 durch entsprechende Löcher in der ersten Isolierschicht 130 und der zweiten Isolierschicht 140 elektrisch verbunden sein.
  • Die erste Source-Elektrode 250, die erste Drain-Elektrode 270, die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 370 können aus einer Signalschicht aus Molybdän (Mo), Kupfer (Cu), Titan (Ti), Aluminium (Al) oder Chrom (Cr), Gold (Au), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Wolfram (W), Gold (Au), transparentem leitfähigem Oxid (TCO) oder einer Legierung davon gebildet sein, oder kann aus mehreren Schichten aus mindestens zwei der oben genannten Materialien gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Beispielsweise sind die erste Source-Elektrode 250, die erste Drain-Elektrode 270, die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 370 aus Dreifachschichten aus Titan (Ti)/Aluminium (Al)/Titan (Ti) gebildet, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Eine Datenleitung DL und/oder eine Stromleitung PL kann ferner in dem Nicht-Emissionsabschnitt NEA auf der zweiten Isolierschicht 140 angeordnet sein. In diesem Fall kann/können die Datenleitung DL und/oder die Stromleitung PL aus dem gleichen Material, der gleichen Struktur oder dem gleichen Herstellungsverfahren wie die erste Source-Elektrode 250, die erste Drain-Elektrode 270, die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 370 gebildet sein.
  • Die Datenleitung DL und/oder die Stromleitung PL können zwischen benachbarten Subpixeln angeordnet sein. Die Stromleitung PL kann parallel zu der Datenleitung DL angeordnet sein. Die Stromleitung PL kann zusammen gebildet sein, wenn eine später beschriebene Verbindungselektrode angeordnet wird.
  • Die Stromleitung PL kann eine Leitung sein, die von einer Hochpotential-Spannungsleitung VDD abgezweigt ist, die in dem Nicht-Emissionsabschnitt NEA und in dem Lichtemissionsabschnitt EA angeordnet ist, und kann mit einer Hochpotential-Ansteuerungsspannung EVDD bereitgestellt sein.
  • Die Stromleitung PL kann parallel zu der Gate-Leitung oder der Datenleitung DL verlaufen oder diese kreuzen. Alternativ kann die Stromleitung PL in einem Maschenmuster konfiguriert sein, das durch sich kreuzende Metallleitungen gebildet ist, die eine geringe Leitungsbreite aufweisen. Eine Form des Maschenmusters kann ein Viereck, ein Fünfeck, ein Sechseck, ein Kreis, eine Ellipse usw. sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Eine Passivierungsschicht 150 kann auf der ersten Source-Elektrode 250, der ersten Drain-Elektrode 270, der zweiten Source-Elektrode 350 und der zweiten Drain-Elektrode 370 angeordnet sein.
  • Die Passivierungsschicht 150 kann den ersten Dünnschichttransistor 200 und den zweiten Dünnschichttransistor 300 schützen. Die Passivierungsschicht 150 kann aus einem anorganischen Isoliermaterial, wie Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx), oder aus einem organischen Isoliermaterial gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die Passivierungsschicht 150 kann ein Loch aufweisen, um eine erste Anode 410_A mit dem ersten Dünnschichttransistor 200 elektrisch zu verbinden. Außerdem kann die Passivierungsschicht 150 ein Loch aufweisen, um eine zweite Anode 410_B mit dem zweiten Dünnschichttransistor 300 elektrisch zu verbinden. Die Passivierungsschicht 150 kann je nach Ausgestaltung der Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 weggelassen werden.
  • Eine Planarisierungsschicht 160 kann auf der Passivierungsschicht 150 angeordnet sein. Alternativ dazu kann die Planarisierungsschicht 160 auf dem ersten Dünnschichttransistor 200 und dem zweiten Dünnschichttransistor 300 angeordnet sein.
  • Die Planarisierungsschicht 160 kann die unter der Planarisierungsschicht 160 angeordneten Dünnschichttransistoren schützen und durch verschiedene Muster verursachte Stufen abmildern oder planarisieren.
  • Die Planarisierungsschicht 160 kann aus mindestens einem organischen Isolator gebildet sein, z.B., aber nicht beschränkt auf, Benzocyclobuten (BCB), Acrylharz, Epoxidharz, Phenolharz, Polyamidharz und Polyimidharz.
  • Die Planarisierungsschicht 160 kann aus einer einzigen Schicht gebildet sein, aber auch aus zwei oder mehr Schichten, um die Anordnung der Elektroden zu berücksichtigen.
  • Mit der Entwicklung der Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 zu höheren Auflösungen hin nehmen die verschiedenen Signalleitungen zu, sodass es schwierig ist, alle Leitungen auf einer Schicht anzuordnen und gleichzeitig einen Mindestabstand zu gewährleisten, sodass eine oder mehrere zusätzliche Schichten gebildet sein können. Durch diese zusätzliche Schicht wird das Layout der Verdrahtung freier, sodass das Layout der Drähte/Elektroden einfacher gestaltet werden kann. Wenn ein dielektrisches Material für eine Planarisierungsschicht verwendet wird, die mit mehreren Schichten konfiguriert ist, kann die Planarisierungsschicht 160 außerdem zur Bildung von Kapazitäten zwischen Metallschichten verwendet werden.
  • Wenn die Planarisierungsschicht 160 als zwei Schichten ausgebildet ist, kann sie eine untere Planarisierungsschicht und eine obere Planarisierungsschicht aufweisen.
  • Beispielsweise kann ein Loch in der oberen Planarisierungsschicht gebildet sein und eine Anschlusselektrode kann in dem Loch angeordnet sein, sodass der Dünnschichttransistor und die Lichtemissionselementschicht durch die Anschlusselektrode elektrisch verbunden werden können.
  • Ein Ende (oder ein Teil) der Anschlusselektrode kann mit dem Dünnschichttransistor verbunden sein und das andere Ende (oder ein anderer Teil) der Anschlusselektrode kann mit der Lichtemissionselementschicht verbunden sein.
  • Die erste Anode 410-A und die zweite Anode 410-B können auf der Planarisierungsschicht 160 angeordnet sein.
  • Die erste Anode 410-A kann mit der ersten Drain-Elektrode 270 durch ein Loch in der Planarisierungsschicht 160 elektrisch verbunden sein. Die zweite Anode 410-B kann mit der zweiten Drain-Elektrode 370 durch ein Loch in der Planarisierungsschicht 160 elektrisch verbunden sein. Alternativ, wenn die Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 ferner eine Verbindungselektrode aufweist, kann jede der ersten Anode 410-A und der zweiten Anode 410-B elektrisch mit der entsprechenden Drain-Elektrode durch die Verbindungselektrode verbunden sein.
  • Wenn es sich bei der Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 um einen Oberseitenemissionstyp handelt, können die erste Anode 410-A und die zweite Anode 410-B als reflektierende Elektroden, die Licht reflektieren, unter Verwendung eines undurchsichtigen leitfähigen Materials ausgebildet sein. Die erste Anode 410-A und die zweite Anode 410-B können aus mindestens einem der Materialien Silber (Ag), Aluminium (Al), Gold (Au), Molybdän (Mo), Wolfram (W), Chrom (Cr) und einer Legierung davon hergestellt sein. Die erste Anode 410-A und die zweite Anode 410-B können z.B. jeweils eine Dreischichtstruktur aus Silber (Ag)/Blei (Pb)/Kupfer (Cu) aufweisen, sind aber nicht darauf beschränkt. Darüber hinaus können die erste Anode 410-A und die zweite Anode 410-B eine transparente leitfähige Materialschicht aufweisen, die eine hohe Austrittsarbeit aufweist, wie z.B. Indium-Zinn-Oxid (ITO).
  • Wenn es sich bei der Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 um einen Unterseitenemissionstyp handelt, können die erste Anode 410-A und die zweite Anode 410-B unter Verwendung eines transparenten leitfähigen Materials gebildet sein, das Licht durchlässt. Beispielsweise sind die erste Anode 410-A und die zweite Anode 410-B aus mindestens einem von Indiumzinnoxid (ITO) und Indiumzinkoxid (IZO) hergestellt.
  • Eine Bank 420 kann auf der ersten Anode 410-A, der zweiten Anode 410-B und der Planarisierungsschicht 160 angeordnet sein.
  • Die Bank 420 kann mehrere Subpixel SP trennen (oder unterteilen), ein Lichtverwischungsphänomen minimieren und eine Farbmischung bei verschiedenen Betrachtungswinkeln verhindern.
  • Die Bank 420 kann den Lichtemissionsabschnitt EA und den Nicht-Emissionsabschnitt NEA trennen, und die Bank 420 kann in dem Nicht-Emissionsabschnitt NEA angeordnet sein.
  • Die Bank 420 kann ein Bankloch (oder eine Öffnung) aufweisen, das die erste Anode 410-A und die zweite Anode 410-B freilegt.
  • Die Bank 420 kann aus mindestens einem anorganischen Isolator, wie z.B. Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx), einem organischen Isolator, wie z.B. Benzocyclobuten (BCB), Acrylharz, Epoxidharz, Phenolharz, Polyamidharz oder Polyimidharz, und einem Photosensibilisator, der ein schwarzes Pigment aufweist, gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die Bank 420 kann transparent, schwarz oder farbig sein.
  • Die Bank 420 kann so angeordnet sein, dass sie die Enden der ersten Anode 410-A und der zweiten Anode 410-B abdeckt.
  • Die Bank 420 kann mindestens zwei Dicken aufweisen. Aufgrund der mindestens zwei Dicken kann die obere Fläche der Bank 420 uneben sein.
  • Die Bank 420 kann mindestens einen Vorsprung 420p aufweisen. Die Vorsprünge der Bank 420 können durch Entfernen von Abschnitten der Bank 420 gebildet sein. Der Vorsprung der Bank 420 kann eine erste Dicke T1 aufweisen. Ein Bereich mit Ausnahme des Bereichs, in dem der Vorsprung ausgebildet ist, kann eine zweite Dicke T2 aufweisen, deren Wert sich von der ersten Dicke T1 unterscheidet. Das heißt, in einem Abschnitt 420nea der Bank 420 zwischen zwei benachbarten Subpixeln weist die Bank 420 eine unebene Fläche und unterschiedliche Höhen auf.
  • Die erste Dicke T1 der Bank 420 kann größer sein als die zweite Dicke T2. Die zweite Dicke T2 der Bank 420 kann eine Dicke von 1/2 bis 1/3 der ersten Dicke T1 der Bank 420 aufweisen.
  • Der Vorsprung 420p der Bank 420 kann in einem Bereich ausgebildet sein, der die Datenleitung DL oder die Stromleitung PL überlappt. Eine Breite W1 des Vorsprungs kann größer sein als eine Breite W2 der Datenleitung DL oder der Stromleitung PL. Dementsprechend wird verhindert, dass externes Licht von der Datenleitung DL oder der Stromleitung PL reflektiert wird und von einem Benutzer erkannt werden kann.
  • Die zweite Dicke T2 der Bank 420 kann durch Entfernen eines Abschnitts der Bank 420 gebildet sein. Wie gezeigt, können die Unebenheiten oder unebenen Abschnitte der Bank 420 in einer Form gebildet sein, die schräg von einer oberen Fläche geschnitten wird, ist aber nicht darauf beschränkt, sie können in verschiedenen Formen gebildet sein.
  • Aufgrund der Vorsprünge oder unebenen Abschnitte, die in der Bank 420 ausgebildet sind, kann sich die Länge der Lichtemissionselementschicht, die auf der Bank angeordnet ist, vergrößern. Beispielsweise ist die Lichtemissionselementschicht entlang der in der Bank 420 gebildeten Vorsprünge und der Einbuchtungen, in denen die Vorsprünge nicht gebildet sind, angeordnet, was einen Abstand vergrößert, in dem sich Elektronen zu benachbarten Subpixeln in der Lichtemissionselementschicht bewegen, und daher können die in der Lichtemissionselementschicht gebildeten Elektronen beim Ansteuern daran gehindert werden, sich zu den benachbarten Subpixeln zu bewegen. Das heißt, ein Elektronenübertragungspfad zwischen zwei benachbarten Subpixeln wird entlang des unebenen Abschnitts der oberen Fläche der Bank 420 gebildet, z. B. entlang der Vorsprünge und Einbuchtungen. Infolgedessen ist ein Abstand des Elektronenübertragungspfades für ein Elektron, das sich von einem Subpixel zu einem anderen von zwei benachbarten Subpixeln bewegt, größer als der Abstand zwischen den beiden benachbarten Subpixeln.
  • Die Lichtemissionselementschicht 430 kann auf der Bank 420 und der ersten Anode 410-A und der zweiten Anode 410-B angeordnet sein.
  • Die Lichtemissionselementschicht 430 kann eine erste Lichtemissionseinheit 431, eine Ladungserzeugungsschicht 432 und eine zweite Lichtemissionseinheit 433 aufweisen.
  • Die Lichtemissionselementschicht 430 kann entlang der an der oberen Fläche der Bank 420 gebildeten Unebenheit angeordnet sein.
  • Zur Vereinfachung der Erklärungen sind nur zwei Lichtemissionseinheiten dargestellt, aber drei oder mehr Lichtemissionseinheiten und zwei oder mehr Ladungserzeugungsschichten zwischen den drei oder mehr Lichtemissionseinheiten können ferner enthalten sein.
  • Nachfolgend wird die Lichtemissionselementschicht der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf 5 im Detail beschrieben. 5 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht der Lichtemissionselementschicht von 4.
  • Bezugnehmend auf 5 kann die erste Lichtemissionseinheit 431 auf der Bank 420 und der ersten Anode 410-A und der zweiten Anode 410-B angeordnet sein.
  • Die erste Lichtemissionseinheit 431 kann eine Lochinjektionsschicht HIL, eine erste Lochtransportschicht HTL-1, eine erste Lichtemissionsschicht EML-1 und eine erste Elektrontransportschicht ETL-1 aufweisen.
  • Die erste Lichtemissionsschicht EML-1 kann mehrere Lichtemissionsteilschichten aufweisen, wie eine erste Lichtemissionsteilschicht EML-1A und eine zweite Lichtemissionsteilschicht EML-1B, wie in 5 gezeigt.
  • Die Lochinjektionsschicht HIL, die erste Lochtransportschicht HTL-1 und die erste Elektrontransportschicht ETL-1 können so angeordnet sein, dass sie mit allen Subpixeln korrespondieren. Beispielsweise können sie kontinuierlich auf jedem Subpixel und zwischen benachbarten Subpixeln ohne Unterbrechung angeordnet sein. In einigen Implementierungen können sie diskontinuierlich auf jedem Subpixel angeordnet sein, wobei zumindest ein Teil zwischen benachbarten Subpixeln unterbrochen ist.
  • Die Lochinjektionsschicht HIL kann auf der Bank 420, der ersten Anode 410-A und der zweiten Anode 410-B angeordnet sein. Die Lochinjektionsschicht HIL kann entlang der an der oberen Fläche der Bank 420 gebildeten Unebenheiten angeordnet sein.
  • Die Lochinjektionsschicht HIL kann dazu dienen, eine Lochinjektion zu erleichtern, und kann aus mindestens einem Material gebildet sein, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus HATCN (1,4,5,8,9,11-Hexaazatriphenylen-hexanitril) und CuPc (Kupferphthalocyanin), PEDOT (Poly(3,4)-Ethylendioxythiophen), PANI (Polyanilin) und NPD (N,N-Dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidin) besteht, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Lochtransportschicht HTL-1 kann auf der Lochinjektionsschicht HIL angeordnet sein. Die erste Lochtransportschicht HTL-1 kann entlang der an der oberen Fläche der Bank 420 gebildeten Unebenheiten angeordnet sein.
  • Die erste Lochtransportschicht HTL-1 kann dazu dienen, den Transport von Löchern zu erleichtern, und kann aus mindestens einem Material gebildet sein, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus NPD (N,N-Dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidin), TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl) )-N,N'-bis(phenyl)-benzidin), s-TAD und MTDATA (4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamin) besteht, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Lichtemissionsteilschicht EML-1A und die zweite Lichtemissionsteilschicht EML-1B können auf der ersten Lochtransportschicht HTL-1 angeordnet sein.
  • Die erste Lichtemissionsteilschicht EML-1A und die zweite Lichtemissionsteilschicht EML-1B können die Bank 420 zumindest teilweise überlappen und können so ausgebildet sein, dass sie in einem Bereich zwischen benachbarten Subpixeln getrennt sind. Beispielsweise können die erste Lichtemissionsteilschicht EML-1A und die zweite Lichtemissionsteilschicht EML-1B auf jedes Subpixel unter Verwendung einer Feinmetallmaske (FMM) aufgebracht sein.
  • Die erste Lichtemissionsteilschicht EML-1A kann eine dritte Lichtemissionsteilschicht EML-2A überlappen, die in einer zweiten Lichtemissionsschicht EML-2 in der zweiten Lichtemissionseinheit 433 enthalten ist. Die erste Lichtemissionsteilschicht EML-1A kann Licht der gleichen Farbe wie die dritte Lichtemissionsteilschicht EML-2A, die in der zweiten Lichtemissionseinheit 433 enthalten ist, emittieren. Die erste Lichtemissionsteilschicht EML-1A kann Licht der gleichen Wellenlänge emittieren wie die dritte Lichtemissionsteilschicht EML-2A, die in der zweiten Lichtemissionseinheit 433 enthalten ist.
  • Die zweite Lichtemissionsteilschicht EML-1B kann eine vierte Lichtemissionsteilschicht EML-2B überlappen, die in der zweiten Lichtemissionsschicht EML-2 in der zweiten Lichtemissionseinheit 433 enthalten ist. Die zweite Lichtemissionsteilschicht EML-1B kann Licht der gleichen Farbe wie die vierte Lichtemissionsteilschicht EML-2B, die in der zweiten Lichtemissionseinheit 433 enthalten ist, emittieren. Die zweite Lichtemissionsteilschicht EML-1B kann Licht der gleichen Wellenlänge emittieren wie die vierte Lichtemissionsteilschicht EML-2B, die in der zweiten Lichtemissionseinheit 433 enthalten ist.
  • Die erste Lichtemissionsteilschicht EML-1A und die zweite Lichtemissionsteilschicht EML-1B können jeweils lichtemittierende Materialien aufweisen, die unterschiedliche Farben emittieren und unterschiedliche Anteile von rotem, grünem und blauem Licht emittieren, und das lichtemittierende Material jeder der ersten Lichtemissionsteilschicht EML-1A und der zweiten Lichtemissionsteilschicht EML-1B kann unter Verwendung eines phosphoreszierenden Materials oder eines fluoreszierenden Materials gebildet sein.
  • Beispielsweise kann die erste Emissionsteilschicht EML-1A rotes oder grünes Licht emittieren, und die zweite Emissionsteilschicht EML-1B kann blaues Licht emittieren.
  • Wenn z.B. die erste Lichtemissionsteilschicht EML-1A rotes Licht emittiert, kann die erste Lichtemissionsteilschicht EML-1A gebildet sein aus einem phosphoreszierenden Material, das aufweist: ein Wirtsmaterial, das CBP (Carbazolbiphenyl) oder mCP (1,3-Bis(carbazol-9-yl), und ein Dotiermittel, das eines oder mehrere enthält, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die aus PIQIr(acac) (Bis[1-phenylisochinolin](acetylacetonat)iridium), PQIr(acac) (Bis[1-phenylchinolin](acetylacetonat)iridium), PQIr (Tris(1-phenylchinolin)iridium) und PtOEP (Octaethylporphyrin-platin) besteht, oder einem fluoreszierenden Material, das PBD:Eu(DBM)3(Phen) oder Perylen enthält, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Wenn die erste Emissionsteilschicht EML-1A grünes Licht emittiert, kann die erste Emissionsteilschicht EML-1A gebildet sein aus einem phosphoreszierenden Material, das ein CBP- oder mCP-haltiges Wirtsmaterial und ein Dotiermaterial, wie z.B. einen Ir-Komplex, der Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridin)iridium) aufweist, oder einem fluoreszierenden Material, das Alq3 (Tris(8-hydroxychinolin)aluminium) aufweist, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Wenn die zweite Lichtemissionsteilschicht EML-1B blaues Licht emittiert, kann die zweite Lichtemissionsteilschicht EML-1B gebildet sein aus einem phosphoreszierenden Material, das ein CBP oder mCP enthaltendes Wirtsmaterial und ein (4,6-F2ppy)2lrpic enthaltendes Dotiermaterial aufweist. Alternativ kann die zweite Lichtemissionsteilschicht EML-1B aus einem fluoreszierenden Material gebildet sein, das ein Material aufweist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Spiro-DPVBi, Spiro-6P, Distylbenzol (DSB), Distrylarylen (DSA), PFO-basiertem Polymer und PPVbasiertem Polymer besteht, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Lichtemissionsteilschicht EML-1A und die zweite Lichtemissionsteilschicht EML-1B können ferner eine Lichtemissionshilfsschicht aufweisen. Beispielsweise kann die Lichtemissionshilfsschicht unter oder auf der ersten Lichtemissionsteilschicht EML-1A angeordnet sein. Die Lichtemissionshilfsschicht kann Licht derselben Farbe oder einer anderen Farbe als die der ersten Lichtemissionsteilschicht EML-1A emittieren. Alternativ oder zusätzlich kann die Lichtemissionshilfsschicht unter oder auf der zweiten Lichtemissionsteilschicht EML-1B angeordnet sein. Die Lichtemissionshilfsschicht kann Licht derselben Farbe oder einer anderen Farbe als die der zweiten Lichtemissionsteilschicht EML-1B emittieren.
  • Eine erste Elektrontransportschicht ETL-1 kann auf der ersten Lichtemissionsteilschicht EML-1A, der zweiten Lichtemissionsteilschicht EML-1B und der ersten Lochtransportschicht HTL-1 angeordnet sein.
  • Die erste Elektrontransportschicht ETL-1 kann dazu dienen, den Transport von Elektronen zu erleichtern, und kann aus einem oder mehreren gebildet sein, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die aus Alq3(Tris(8-hydroxychinolin)aluminium), PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol), TAZ, Spiro-PBD, BAlq und SAlq besteht, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Eine Elektroninjektionsschicht EIL kann ferner auf der ersten Elektrontransportschicht ETL-1 angeordnet sein.
  • Eine Ladungserzeugungsschicht 432 kann auf der ersten Lichtemissionseinheit 431 angeordnet sein. Die Ladungserzeugungsschicht 432 kann auf der ersten Elektrontransportschicht ETL-1 der ersten Lichtemissionseinheit 431 angeordnet sein. Die Ladungserzeugungsschicht 432 kann entlang der Vorsprünge oder Unebenheiten angeordnet sein, die an der oberen Fläche der Bank 420 ausgebildet sind.
  • Die Ladungserzeugungsschicht 432 kann aufweisen: eine n-Typ-Ladungserzeugungsschicht n-CGL, die hilft, Elektronen in die erste Lichtemissionseinheit 431 zu injizieren, und eine p-Typ-Ladungserzeugungsschicht p-CGL, die hilft, Löcher in die zweite Lichtemissionseinheit 433 zu injizieren.
  • Die n-Typ-Ladungserzeugungsschicht n-CGL kann aus einem Alkalimetall, einer Alkalimetallverbindung oder einem organischen Material oder einer Verbindung davon gebildet sein, die als Elektroneninjektion dient. Beispielsweise kann die n-Typ-Ladungserzeugungsschicht n-CGL aus einer gemischten Schicht eines n-Typ-Materials, wie z.B. einem mit Lithium (Li) oder Cäsium (Cs) dotierten Anthracenderivat, gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die p-Typ-Ladungserzeugungsschicht p-CGL kann aus einem organischen Material gebildet sein, das als Material für eine Lochinjektionsschicht verwendet wird. Beispielsweise kann die p-Typ-Ladungserzeugungsschicht p-CGL aus einer einzelnen Schicht eines p-Typ-Materials, wie HATCN oder F4-TCNQ, gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die n-Typ-Ladungserzeugungsschicht n-CGL und die p-Typ-Ladungserzeugungsschicht p-CGL können entlang der an der oberen Fläche der Bank 420 gebildeten Unebenheiten angeordnet sein.
  • In der Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist, da die Lichtemissionselementschicht entlang der Vorsprünge oder Unebenheiten, die am oberen Abschnitt der Bank ausgebildet sind, der Abstand, über den sich Elektronen zu benachbarten Subpixeln bewegen, vergrößert, wodurch der seitliche Leckstrom blockiert wird. Das heißt, es ist möglich zu verhindern, dass Elektronen, die innerhalb der Lichtemissionselementschicht gebildet werden, sich während der Ansteuerung zu benachbarten Pixeln bewegen.
  • Darüber hinaus kann der seitliche Leckstrom blockiert werden, selbst wenn der Abstand zwischen benachbarten Subpixeln verringert wird. Insbesondere ist es möglich, einen Sichtbarkeitsfehler zu beheben, bei dem benachbarte Subpixel Licht bei niedrigen Graustufen emittieren, und die Farbreproduktionsrate zu verbessern.
  • Die zweite Lichtemissionseinheit 433 kann auf der Ladungserzeugungsschicht 432 angeordnet sein.
  • Die zweite Lichtemissionseinheit 433 kann eine zweite Lochtransportschicht HTL-2, eine zweite Lichtemissionsschicht, eine zweite Elektrontransportschicht ETL-2 und eine zweite Elektroninjektionsschicht EIL aufweisen.
  • Die zweite Lochtransportschicht HTL-2 kann auf der Ladungserzeugungsschicht 432 angeordnet sein. Die zweite Lochtransportschicht HTL-2 kann auf der p-Typ-Ladungserzeugungsschicht p-CGL angeordnet sein.
  • Die zweite Lochtransportschicht HTL-2 kann entlang der an der oberen Fläche der Bank 420 gebildeten Unebenheit angeordnet sein.
  • Die Lochinjektionsschicht HIL kann ferner zwischen der p-Typ-Ladungserzeugungsschicht p-CGL und der zweiten Lochtransportschicht HTL-2 angeordnet sein.
  • Die zweite Lochtransportschicht HTL-2 kann dazu dienen, den Transport von Löchern zu erleichtern, und kann aus einem oder mehreren gebildet sein, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die aus NPD (N,N-Dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidin), TPD (N,N'-Bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin), s-TAD und MTDATA (4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)triphenylamin) besteht, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die dritte Lichtemissionsteilschicht EML-2A und die vierte Lichtemissionsteilschicht EML-2B können auf der zweiten Lochtransportschicht HTL-2 angeordnet sein.
  • Die dritte Lichtemissionsteilschicht EML-2A und die vierte Lichtemissionsteilschicht EML-2B können die Bank 420 zumindest teilweise überlappen und können in einem Bereich zwischen benachbarten Subpixeln getrennt sein. Beispielsweise können die dritte Lichtemissionsteilschicht EML-2A und die vierte Lichtemissionsteilschicht EML-2B auf jedem Subpixel unter Verwendung einer feinen Metallmaske (FMM) abgeschieden werden.
  • Die dritte Lichtemissionsteilschicht EML-2A kann die erste Lichtemissionsteilschicht EML-1A überlappen, die in der ersten Lichtemissionseinheit 431 enthalten ist. Die dritte Lichtemissionsteilschicht EML-2A kann Licht derselben Farbe wie die erste Lichtemissionsteilschicht EML-1A emittieren, die in der ersten Lichtemissionseinheit 431 enthalten ist. Die dritte Lichtemissionsteilschicht EML-2A kann Licht derselben Wellenlänge emittieren wie die erste Lichtemissionsteilschicht EML-1A, die in der ersten Lichtemissionseinheit 431 enthalten ist.
  • Die vierte Lichtemissionsteilschicht EML-2B kann die zweite Lichtemissionsteilschicht EML-1B, die in der ersten Lichtemissionseinheit 431 enthalten ist, überlappen. Die vierte Lichtemissionsteilschicht EML-2B kann Licht der gleichen Farbe wie die zweite Lichtemissionsteilschicht EML-1B, die in der ersten Lichtemissionseinheit 431 enthalten ist, emittieren. Die vierte Lichtemissionsteilschicht EML-2B kann Licht der gleichen Wellenlänge emittieren wie die zweite Lichtemissionsteilschicht EML-1B, die in der ersten Lichtemissionseinheit 431 enthalten ist.
  • Die dritte Lichtemissionsteilschicht EML-2A und die vierte Lichtemissionsteilschicht EML-2B können entsprechende lichtemittierende Materialien aufweisen, die unterschiedliche Farben emittieren und unterschiedliche Farben aus rotem, grünem und blauem Licht emittieren, und das lichtemittierende Material der dritten Lichtemissionsteilschicht EML-2A und der vierten Lichtemissionsteilschicht EML-2B kann unter Verwendung eines phosphoreszierenden Materials oder eines fluoreszierenden Materials gebildet sein.
  • Beispielsweise kann die dritte Lichtemissionsteilschicht EML-2A rotes oder grünes Licht emittieren, und die vierte Lichtemissionsteilschicht EML-2B kann blaues Licht emittieren.
  • In einigen Ausführungsformen kann, wenn die dritte Lichtemissionsteilschicht EML-2A rotes Licht emittiert, die dritte Lichtemissionsteilschicht EML-2A aus einem phosphoreszierenden Material gebildet sein, das aufweist: ein Wirtsmaterial, das CBP (Carbazolbiphenyl) oder mCP (1,3-Bis(carbazol-9-yl), und ein Dotiermittel, das eines oder mehrere enthält, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die aus PIQIr(acac)(Bis[1-phenylisochinolin](acetylacetonat)iridium), PQIr(acac)(Bis[1 - phenylchinolin](acetylacetonat)iridium), PQIr(Tris(1-phenylchinolin)iridium) und PtOEP (Octaethylporphyrin-Platin) besteht, oder ein fluoreszierendes Material, das PBD: Eu(DBM)3(Phen) oder Perylen enthält, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Wenn die dritte Lichtemissionsteilschicht EML-2A grünes Licht emittiert, kann die dritte Lichtemissionsteilschicht EML-2A gebildet sein aus einem phosphoreszierenden Material, das aufweist: ein CBP- oder mCP-haltiges Wirtsmaterial und ein Dotierungsmaterial wie einen Ir-Komplex, der Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridin)iridium) aufweist, oder einem fluoreszierenden Material, das Alq3(Tris(8-hydroxychinolin)aluminium) aufweist, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Wenn die vierte Lichtemissionsteilschicht EML-2B blaues Licht emittiert, kann die vierte Lichtemissionsteilschicht EML-2B gebildet sein aus einem phosphoreszierenden Material, das aufweist: ein CBP oder mCP enthaltendes Wirtsmaterial und ein (4,6-F2ppy)2lrpic enthaltendes Dotierungsmaterial. Alternativ kann die vierte Lichtemissionsteilschicht EML-2B aus einem fluoreszierenden Material gebildet sein, das ein Material aufweist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Spiro-DPVBi, Spiro-6P, Distylbenzol (DSB), Distrylarylen (DSA), einem PFO-basiertem Polymer und einem PPV-basierten Polymer besteht, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die dritte Lichtemissionsteilschicht EML-2A und die vierte Lichtemissionsteilschicht EML-2B können ferner eine Lichtemissionshilfsschicht aufweisen. Beispielsweise kann sich die Lichtemissionshilfsschicht unter oder auf der dritten Lichtemissionsteilschicht EML-2A befinden. Die Lichtemissionshilfsschicht kann Licht der gleichen oder einer anderen Farbe als die der dritten Lichtemissionsteilschicht EML-2A emittieren. Alternativ kann die Lichtemissionshilfsschicht unter oder auf der vierten Lichtemissionsteilschicht EML-2B angeordnet sein. Die Lichtemissionshilfsschicht kann Licht der gleichen Farbe wie die vierte Lichtemissionsteilschicht EML-2B oder einer anderen Farbe als diese emittieren.
  • Eine zweite Elektronentransportschicht ETL-2 kann auf der dritten Lichtemissionsteilschicht EML-2A, der vierten Lichtemissionsteilschicht EML-2B und der zweiten Lochtransportschicht HTL-2 angeordnet sein.
  • Die zweite Elektronentransportschicht ETL-2 kann dazu dienen, den Transport von Elektronen zu erleichtern, und kann aus einem oder mehreren gebildet sein, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die aus Alq3(Tris(8-hydroxychinolin)aluminium), PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol), TAZ, spiro-PBD, BAlq und SAlq besteht, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Eine Elektroninjektionsschicht EIL kann auf der zweiten Elektrontransportschicht ETL-2 angeordnet sein.
  • Die Elektroninjektionsschicht EIL kann dazu dienen, die Injektion von Elektronen zu erleichtern, und kann unter Verwendung von Alq3(Tris(8-hydroxychinolin)aluminium), PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol), TAZ, Spiro-PBD, BAlq oder SAlq gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die Komponenten, die in der ersten Lichtemissionseinheit 431 und der zweiten Lichtemissionseinheit 433 enthalten sind, können in einer Mehrzahl von zwei oder mehr gebildet sein oder können je nach den Umständen weggelassen werden.
  • Eine Kathode 440 kann an der zweiten Lichtemissionseinheit 433 angeordnet sein. Die Kathode 440 kann auf der Elektroninjektionsschicht EIL angeordnet sein.
  • Die Kathode 440 kann entlang der Vorsprünge oder Unebenheiten angeordnet sein, die an der oberen Fläche der Bank 420 ausgebildet sind.
  • Die Kathode 440 kann der Lichtemissionselementschicht Elektronen zuführen und kann aus einem leitfähigen Material gebildet sein, das eine niedrige Austrittsarbeit aufweist.
  • Wenn es sich bei der Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 um einen Oberseitenemissionstyp handelt, kann die Kathode 440 unter Verwendung eines transparenten leitfähigen Materials gebildet sein, das Licht durchlässt. Beispielsweise kann die Kathode 440 aus mindestens einem von Indium-Zinn-Oxid (ITO) und Indium-Zink-Oxid (IZO) gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Darüber hinaus kann die Kathode 440 aus einem lichtdurchlässigen, leitfähigen Material gebildet sein, das Licht durchlässt. Die Kathode kann z.B. aus mindestens einer der Legierungen LiF/Al, CsF/Al, Mg:Ag, Ca/Ag, Ca:Ag, LiF/Mg:Ag, LiF/Ca/Ag und LiF/Ca:Ag gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Wenn es sich bei der Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 um einen Unterseitenemissionstyp handelt, kann die Kathode 440 als reflektierende Elektrode, die Licht reflektiert, unter Verwendung eines undurchsichtigen leitfähigen Materials ausgebildet sein. Beispielsweise kann die Kathode 440 aus mindestens einem von Silber (Ag), Aluminium (Al), Gold (Au), Molybdän (Mo), Wolfram (W), Chrom (Cr) und einer Legierung davon gebildet sein.
  • Eine Abdeckschicht 450 kann auf der Kathode 440 angeordnet sein.
  • Die Abdeckschicht 450 kann dazu dienen, einen Lichtextraktionseffekt der organischen Lichtemissionsvorrichtung 100 zu erhöhen, und die Abdeckschicht 450 kann aus jedem Material hergestellt sein, das die Lichtemissionselementschicht 400 bildet. Die Abdeckschicht 450 kann aus zwei oder mehr Schichten gebildet sein oder kann weggelassen werden.
  • Nachfolgend wird eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf 6 beschrieben.
  • Die in 6 gezeigte Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 ist im Wesentlichen identisch mit der Anzeigevorrichtung von 4, mit Ausnahme einer Kapselungsschicht 500 und einer Berührungssensorschicht 600, sodass redundante Erläuterungen weggelassen werden. Beispielsweise zeigt 6 der Einfachheit halber nicht die erste und zweite Lichtemissionsschicht EML-1, EML-2 von 5.
  • 6 ist eine Querschnittsansicht, die eine Kapselungsschicht und eine Berührungssensorschicht zeigt, die auf einem Substrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung angeordnet sind.
  • Die Kapselungsschicht 500 kann auf der Kathode 440 oder der Abdeckschicht 450 angeordnet sein. Die Kapselungsschicht 500 kann die Lichtemissionselementschicht 400 vor äußerer Feuchtigkeit, Sauerstoff oder Fremdstoffen schützen. Beispielsweise kann das Eindringen von Sauerstoff und Feuchtigkeit von außen verhindert werden, um eine Oxidation des lichtemittierenden Materials und des Elektrodenmaterials zu verhindern.
  • Die Kapselungsschicht 500 kann aus einem transparenten Material gebildet sein, sodass das von der Lichtemissionsschicht emittierte Licht durchgelassen wird.
  • Die Kapselungsschicht 500 kann eine erste Kapselungsschicht 510, eine zweite Kapselungsschicht 520 und eine dritte Kapselungsschicht 530 aufweisen, die das Eindringen von Feuchtigkeit oder Sauerstoff verhindern. Die erste Kapselungsschicht 510, die zweite Kapselungsschicht 520 und die dritte Kapselungsschicht 530 können eine Struktur aufweisen, in der sie abwechselnd gestapelt sind.
  • Die erste Kapselungsschicht 510 und die dritte Kapselungsschicht 530 können aus mindestens einem anorganischen Material gebildet sein, das aus Siliziumnitrid (SiNx), Siliziumoxid (SiOx) und Aluminiumoxid (AlyOz) ausgewählt ist, sind aber nicht darauf beschränkt. Die erste Kapselungsschicht 510 und die dritte Kapselungsschicht 530 können unter Verwendung eines Vakuumabscheidungsverfahrens, wie z.B. chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) oder Atomlagenabscheidung (ALD), gebildet sein, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Jede der ersten Kapselungsschicht 510 und der dritten Kapselungsschicht 530 kann aus mindestens zwei oder mehr Schichten gebildet sein. Beispielsweise kann die erste Kapselungsschicht 510 eine dreischichtige Struktur aus Siliziumoxid (SiOx)/Siliziumnitrid (SiNx)/Siliziumoxid (SiOx) aufweisen, ist aber nicht darauf beschränkt. Beispielsweise kann die dritte Kapselungsschicht 530 eine doppelschichtige Struktur aus Siliziumoxid (SiOx)/Siliziumnitrid (SiNx) aufweisen, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die zweite Kapselungsschicht 520 kann Fremdstoffe oder Partikel abdecken, die beim Herstellungsprozess entstehen können. Darüber hinaus kann die zweite Kapselungsschicht 520 die Oberfläche der ersten Kapselungsschicht 510 planarisieren. Beispielsweise kann die zweite Kapselungsschicht 520 eine Partikelabdeckungsschicht sein, ist aber nicht auf diesen Begriff beschränkt.
  • Die zweite Kapselungsschicht 520 kann ein organisches Material sein, z.B. ein Polymer, wie Siliziumoxycarbon(SiOCz)epoxid, Polyimid, Polyethylen oder Acrylat, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die zweite Kapselungsschicht 520 kann aus einem wärme- oder lichtaushärtbaren Material gebildet sein, das durch Wärme oder Licht ausgehärtet wird.
  • Die Berührungssensorschicht 600 kann auf der Kapselungsschicht 500 angeordnet sein.
  • Die Berührungssensorschicht 600 kann eine erste Berührungselektrode 640_R, eine erste Berührungsverbindungselektrode 620, eine zweite Berührungselektrode und eine zweite Berührungsverbindungselektrode 640_C aufweisen.
  • Ein Abschnitt der ersten Berührungselektrode 640_R, der ersten Berührungsverbindungselektrode 620, der zweiten Berührungselektrode und der zweiten Berührungsverbindungselektrode 640_C kann so angeordnet sein, dass er die Bank 420, die Stromleitung oder die Datenleitung überlappt.
  • Die erste Berührungselektrode 640_R, die zweite Berührungselektrode, die erste Berührungsverbindungselektrode 620 und die zweite Verbindungselektrode 620_C können in einem Maschenmuster ausgebildet sein, das durch sich kreuzende Metallleitungen gebildet ist, die geringe Leitungsbreiten aufweisen. Das Maschenmuster kann die Form eines Rhombus aufweisen. Alternativ kann die Form des Maschenmusters auch ein Viereck, Fünfeck, Sechseck, Kreis, eine Ellipse usw. sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Berührungselektrode 640_R, die zweite Berührungselektrode, die erste Berührungsverbindungselektrode 620 und die zweite Berührungsverbindungselektrode 640_C können unter Verwendung eines undurchsichtigen leitfähigen Materials, das einen geringen Widerstand aufweist, gebildet sein. Beispielsweise können die erste Berührungselektrode 640_R, die zweite Berührungselektrode, die erste Berührungsverbindungselektrode 620 und die zweite Berührungsverbindungselektrode 640_C aus einer einzelnen Schicht aus Molybdän (Mo), Kupfer (Cu), Titan (Ti), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Wolfram (W), transparentem leitfähigem Oxid (TCO) oder einer Legierung davon oder aus mehreren Schichten aus mindestens zwei der oben genannten Materialien gebildet sein, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Beispielsweise sind die erste Berührungselektrode 640_R, die zweite Berührungselektrode, die erste Berührungsverbindungselektrode 620 und die zweite Berührungsverbindungselektrode 640_C aus einer dreischichtigen Struktur aus Titan (Ti)/Aluminium (Al)/Titan (Ti) gebildet, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Berührungselektrode 640_R, die zweite Berührungselektrode, die erste Berührungsverbindungselektrode 620 und die zweite Berührungsverbindungselektrode 640_C können aus dem gleichen Material wie die erste Source-Elektrode 250, die erste Drain-Elektrode 270, die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 370 gebildet sein.
  • Eine Berührungspufferschicht 610 kann auf der Kapselungsschicht 500 angeordnet sein. Die Berührungspufferschicht 610 kann das Eindringen einer beim Herstellungsprozess der Berührungssensorschicht 600 verwendeten chemischen Lösung (z.B. Entwickler, Ätzmittel usw.) oder von Feuchtigkeit von außen in die Lichtemissionselementschicht 400, die ein organisches Material enthält, verhindern. Darüber hinaus kann die Berührungspufferschicht 610 ein Problem verhindern, bei dem mehrere Berührungssensormetalle, die auf der Berührungspufferschicht 610 angeordnet sind, aufgrund einer externen Einwirkung getrennt werden, und kann Interferenzsignale blockieren, die während der Ansteuerung der Berührungssensorschicht auftreten können.
  • Die Berührungspufferschicht 610 kann als eine einzelne Schicht oder mehrere Schichten aus einem oder mehreren von Siliziumoxid (SiOx) und Siliziumnitrid (SiNx) gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Alternativ kann die Berührungspufferschicht 610 aus einem organischen Material wie Acrylharz, Epoxidharz, Phenolharz, Polyamidharz oder Polyimidharz gebildet sein.
  • Die erste Berührungsverbindungselektrode 620 kann auf der Berührungspufferschicht 610 angeordnet sein.
  • Beispielsweise kann die erste Berührungsverbindungselektrode 620 zwischen benachbarten ersten Berührungselektroden 640_R in einer ersten Richtung (oder X-Achse-Richtung) angeordnet sein. Die erste Berührungsverbindungselektrode 620 kann mehrere erste Berührungselektroden 640_R, die in der ersten Richtung (oder der X-Achse-Richtung) nebeneinander und voneinander im Abstand angeordnet sind, elektrisch verbinden, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Berührungsverbindungselektrode 620 kann so angeordnet sein, dass sie die zweite Berührungsverbindungselektrode 640_C überlappt, die die zweiten Berührungselektroden, die nebeneinander in einer zweiten Richtung (oder einer Y-Achse-Richtung) sind, verbindet. Da die erste Berührungsverbindungselektrode 620 und die zweite Berührungsverbindungselektrode 640_C auf unterschiedlichen Schichten ausgebildet sind, können sie elektrisch voneinander isoliert sein.
  • Eine Berührungsisolierschicht 630 kann auf der Berührungspufferschicht 610 und der ersten Berührungsverbindungselektrode 620 angeordnet sein.
  • Die Berührungsisolierschicht 630 kann ein Loch aufweisen, um die erste Berührungselektrode 640_R und die erste Berührungsverbindungselektrode 620 elektrisch zu verbinden.
  • Die Berührungsisolierschicht 630 kann die zweite Berührungselektrode und die zweite Berührungsverbindungselektrode 640_C elektrisch isolieren.
  • Die Berührungsisolierschicht 630 kann aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten aus Siliziumnitrid (SiNx) und/oder Siliziumoxid (SiOx) gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Berührungselektrode 640_R, die zweite Berührungselektrode und die zweite Berührungsverbindungselektrode 640_C können auf der Berührungsisolierschicht 630 angeordnet sein.
  • Die erste Berührungselektrode 640_R und die zweite Berührungselektrode können um einen vorbestimmten Abstand voneinander im Abstand angeordnet sein. Mindestens eine oder mehrere erste Berührungselektroden 640_R, die in der ersten Richtung (oder X-Achse-Richtung) benachbart sind, können voneinander im Abstand angeordnet sein. Mindestens eine erste Berührungselektrode 640_R, die in der ersten Richtung (oder X-Achse-Richtung) benachbart ist, kann mit der ersten Berührungsverbindungselektrode 620 verbunden sein, die zwischen den mehreren ersten Berührungselektroden 640_R angeordnet ist. Beispielsweise können die mehreren benachbarten ersten Berührungselektroden 640_R mit der ersten Berührungsverbindungselektrode 620 durch das Loch in der Berührungsisolierschicht 630 verbunden sein.
  • Die zweiten Berührungselektroden, die in der zweiten Richtung (oder Y-Achse-Richtung) benachbart sind, können durch die zweite Berührungsverbindungselektrode 640_C verbunden sein. Die zweite Berührungselektrode und die zweite Berührungsverbindungselektrode 640_C können auf der gleichen Schicht ausgebildet sein. Beispielsweise kann die zweite Berührungsverbindungselektrode 640_C auf der gleichen Schicht wie die zweite Berührungselektrode und zwischen mehreren zweiten Berührungselektroden angeordnet sein. Die zweite Berührungsverbindungselektrode 640_C kann so ausgebildet sein, dass sie sich von der zweiten Berührungselektrode aus erstreckt.
  • Die erste Berührungselektrode 640_R, die zweite Berührungselektrode und die zweite Berührungsverbindungselektrode 640_C können durch denselben Prozess gebildet sein.
  • Eine Berührungsplanarisierungsschicht 650 kann auf der ersten Berührungselektrode 640_R, der zweiten Berührungselektrode und der zweiten Berührungsverbindungselektrode 640_C angeordnet sein.
  • Eine Berührungsansteuerungsschaltung kann ein Berührungserfassungssignal von der ersten Berührungselektrode 640_R empfangen. Außerdem kann die Berührungsansteuerungsschaltung ein Berührungsansteuerungssignal an die zweite Berührungselektrode übertragen. Die Berührungsansteuerungsschaltung kann die Berührung eines Benutzers unter Verwendung der wechselseitigen Kapazität zwischen den mehreren ersten Berührungselektroden 640_R und den mehreren zweiten Berührungselektroden detektieren. Beispielsweise kann bei einem Berührungsvorgang an der Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 eine Kapazitätsänderung zwischen der ersten Berührungselektrode 640_R und der zweiten Berührungselektrode auftreten. Die Berührungsansteuerungsschaltung kann eine Berührungskoordinate durch Erfassen der Kapazitätsänderung detektieren.
  • Nachfolgend wird eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf 7 beschrieben.
  • 7 ist eine Querschnittsansicht, die eine Farbfilterschicht zeigt, die auf einem Substrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung angeordnet ist.
  • Die in 7 gezeigte Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 ist im Wesentlichen die gleiche wie die Vorrichtung aus 6, mit Ausnahme einer Farbfilterschicht 700, sodass redundante Erklärungen weggelassen werden.
  • Eine Farbfilterschicht 700 kann auf der Berührungssensorschicht 600 angeordnet sein.
  • Wenn es sich bei der Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 um einen Oberseitenemissionstyp handelt, breitet sich das von der Lichtemissionsschicht emittierte Licht in Richtung eines oberen Substrats aus und zeigt ein Bild durch einen Farbfilter 730 an. Die Farbfilterschicht 700 kann eine Anzeigevorrichtung mit verbesserter Farbreinheit bereitstellen, indem in jedem Subpixel die gleiche Farbe wie die von der Lichtemissionsschicht jedes Subpixels emittierte Farbe angeordnet wird. Darüber hinaus kann durch die Anordnung der Farbfilterschicht 700 neben einem zweiten Substrat die Reflexion von externem Licht reduziert werden, um die Lichteffizienz zu verbessern. Da keine polarisierende Platte verwendet wird, können außerdem die Kosten gesenkt werden.
  • Eine Farbfilterpufferschicht 710 kann auf der Berührungsplanarisierungsschicht 650 angeordnet sein.
  • Die Farbfilterpufferschicht 710 kann das Eindringen einer chemischen Lösung (z. B. Entwickler, Ätzlösung usw.), die beim Herstellungsprozess der Farbfilterschicht verwendet wird, oder von Feuchtigkeit von außen in die Lichtemissionselementschicht, die ein organisches Material enthält, verhindern.
  • Eine schwarze Matrix 720 kann auf der Farbfilterpufferschicht 710 angeordnet sein.
  • Die schwarze Matrix 720 ist eine schwarze Isolierschicht und kann zwischen Farbfiltern 730 angeordnet sein, um eine Farbmischung zwischen benachbarten Farbfiltern 730 zu verhindern. Außerdem kann die schwarze Matrix 720 verhindern, dass Komponenten außerhalb der Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 gesehen werden.
  • Die schwarze Matrix 720 kann die Bank 420 überlappen. Die Breite der schwarzen Matrix 720 kann kleiner als die der Bank 420 sein.
  • Der Farbfilter 730 kann auf der schwarzen Matrix 720 angeordnet sein.
  • Der Farbfilter 730 kann einen ersten Farbfilter 730-A und einen zweiten Farbfilter 730-B aufweisen. Der erste Farbfilter 730-A und der zweite Farbfilter 730-B können auf entsprechenden Subpixeln SP aufgebracht sein.
  • Der erste Farbfilter 730-A und der zweite Farbfilter 730-B können so ausgebildet sein, dass sie zwischen benachbarten Subpixeln SP voneinander im Abstand angeordnet sind. Beispielsweise können der erste Farbfilter 730-A und der zweite Farbfilter 730-B auf den jeweiligen Subpixeln SP aufgebracht sein. Zumindest ein Abschnitt des ersten Farbfilters 730-A und des zweiten Farbfilters 730-B kann auf der schwarzen Matrix 720 angeordnet sein, und ein Trennbereich zwischen dem ersten Farbfilter 730-A und dem zweiten Farbfilter 730-B B) kann auf der schwarzen Matrix 720 gebildet sein.
  • Der erste Farbfilter 730-A und der zweite Farbfilter 730-B können unterschiedliche Farben aufweisen. Der erste Farbfilter 730-A und der zweite Farbfilter 730-B können aus verschiedenen roten, grünen und blauen Farbstoffen oder Pigmenten gebildet sein.
  • Der erste Farbfilter 730-A kann die gleiche Farbe aufweisen wie das von der ersten Lichtemissionsteilschicht EML-1A oder der dritten Lichtemissionsteilschicht EML-2A emittierte Licht, und der zweite Farbfilter 730-B kann die gleiche Farbe aufweisen wie das von der zweiten Lichtemissionsteilschicht EML-1B oder der vierten Lichtemissionsteilschicht EML-2B emittierte Licht. Beispielsweise kann der erste Farbfilter 730-A rotes oder grünes Licht emittieren, und der zweite Farbfilter 730-B kann blaues Licht emittieren.
  • Alternativ kann der erste Farbfilter 730-A eine Farbe aufweisen, die sich von der des Lichts unterscheidet, das von der ersten Lichtemissionsteilschicht EML-1A oder der dritten Lichtemissionsteilschicht EML-2A emittiert wird, und der zweite Farbfilter 730-A B) kann eine andere Farbe aufweisen als das Licht, das von der zweiten Lichtemissionsteilschicht EML-1B oder der vierten Lichtemissionsteilschicht EML-2B emittiert wird.
  • Der erste Farbfilter 730-A und der zweite Farbfilter 730-B können die schwarze Matrix 720 zumindest teilweise überlappen. Der erste Farbfilter 730-A und der zweite Farbfilter 730-B können so angeordnet sein, dass sie zumindest einen Abschnitt der schwarzen Matrix 720 abdecken.
  • Der erste Farbfilter 730-A und der zweite Farbfilter 730-B können zumindest einen Abschnitt der Bank 420 überlappen.
  • Mindestens ein Abschnitt des ersten Farbfilters 730-A und des zweiten Farbfilters 730-B kann eine größere Dicke als die der schwarzen Matrix 720 aufweisen.
  • Eine Deckschicht 740 kann auf dem Farbfilter 730 und der schwarzen Matrix 720 angeordnet sein.
  • Die Deckschicht 740 kann so angeordnet sein, dass sie den Farbfilter 730 und die schwarze Matrix 720 abdeckt.
  • Die Deckschicht 740 kann aus mindestens einem oder mehreren organischen Isolatoren, wie Benzocyclobuten (BCB), Acrylharz, Epoxidharz, Phenolharz, Polyamidharz und Polyimidharz, gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Eine Haftmittelschicht 800 kann auf dem Substrat angeordnet sein, auf dem die Berührungssensorschicht 600 oder die Farbfilterschicht 700 angeordnet ist. Beispielsweise kann die Haftmittelschicht 800 die Berührungssensorschicht 600 oder die Farbfilterschicht 700 mit dem zweiten Substrat 900 verbinden (oder befestigen).
  • Die Haftmittelschicht 800 kann aus einem haftenden Material hergestellt sein. Beispielsweise kann die Haftmittelschicht 800 aus OCA (Optical Clear Adhesive), PSA (Pressure Sensitive Adhesive), etc. gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Das zweite Substrat 900 kann auf der Haftmittelschicht 800 angeordnet sein. Das zweite Substrat 900 kann aus Glas oder Kunststoffmaterial gebildet sein, das eine gewisse Flexibilität aufweist.
  • Das zweite Substrat 900 kann z.B. aus mindestens einem der folgenden Materialien gebildet sein: Polyimid (PI), Polymethylmethacrylat (PMMA), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon und Polycarbonat, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Obwohl in den Zeichnungen der vorliegenden Offenbarung nicht gezeigt, kann ferner eine Schicht, die Quantenpunkte (QDs) aufweist, enthalten sein.
  • In der Lichtemissionsanzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann durch Anordnen einer Bank, die mindestens einen Vorsprung aufweist, ein seitlicher Leckstrom blockiert werden, der mit abnehmendem Abstand zwischen benachbarten Subpixeln zunimmt.
  • In der Lichtemissionsanzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird durch Anordnen der Lichtemissionselementschicht entlang der an der oberen Fläche der Bank gebildeten Unebenheit der Abstand, über den sich Elektronen zu benachbarten Subpixeln bewegen, vergrößert, sodass Elektronen, die während der Ansteuerung innerhalb der Lichtemissionselementschicht gebildet werden, daran gehindert werden können, sich zu einem benachbarten Subpixel zu bewegen.
  • In der Lichtemissionsanzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ein Sichtbarkeitsdefekt, bei dem benachbarte Pixel Licht bei niedrigen Graustufen emittieren, behoben und die Farbwiedergaberate verbessert werden.
  • Die Wirkungen der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben erwähnten Wirkungen beschränkt, und andere nicht erwähnte Wirkungen werden von Fachleuten aus der obigen Beschreibung klar verstanden.
  • Eine Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann wie folgt beschrieben werden.
  • Eine Lichtemissionsanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann aufweisen: ein Substrat, das Lichtemissionsabschnitte und einen Nicht-Emissionsabschnitt zwischen den Lichtemissionsabschnitten aufweist, ein erstes Subpixel und ein zweites Subpixel, die an den Lichtemissionsabschnitten angeordnet sind, erste Elektroden, die in zugeordneter Weise an dem ersten Subpixel und dem zweiten Subpixel angeordnet und auf dem Substrat angeordnet sind, eine Bank, die auf den ersten Elektroden angeordnet ist und an dem Nicht-Emissionsabschnitt angeordnet ist und mindestens einen Vorsprung aufweist, der an einer oberen Fläche der Bank vorsteht, eine Lichtemissionselementschicht, die auf den ersten Elektroden der Lichtemissionsabschnitte und des Nicht-Emissionsabschnitts und der Bank angeordnet ist und mehrere Lichtemissionseinheiten und eine Ladungserzeugungsschicht zwischen den mehreren Lichtemissionseinheiten aufweist, und eine zweite Elektrode, die auf der Lichtemissionselementschicht angeordnet ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist eine Dicke eines Bereichs der Bank, in dem der Vorsprung bereitgestellt ist, größer als Dicken anderer Bereiche der Bank.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann eine obere Fläche der Bank eine Unebenheit aufweisen.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Lichtemissionselementschicht entlang der Unebenheit der oberen Fläche der Bank angeordnet sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können Ansteuerungsspannungen des ersten Subpixels und des zweiten Subpixels voneinander verschieden sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ferner ein drittes Subpixel enthalten sein, und mindestens zwei der Abstände zwischen benachbarten Subpixeln können voneinander verschieden sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist ein Abstand zwischen einem Subpixel, das die größte Ansteuerungsspannung unter den ersten bis dritten Subpixeln aufweist, und einem anderen Subpixel kleiner als ein Abstand zwischen den anderen Subpixeln.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Ladungserzeugungsschicht eine erste Ladungserzeugungsschicht und eine zweite Ladungserzeugungsschicht aufweisen.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die erste Ladungserzeugungsschicht ein oder mehrere Alkalimetalle, wie Lithium (Li), Natrium (Na), Kalium (K) oder Cäsium (Cs), und Erdalkalimetalle, wie Magnesium (Mg), Strontium (Sr), Barium (Ba) oder Radium (Ra), aufweisen.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die erste Ladungserzeugungsschicht einen n-Typ-Dotierstoff aufweisen, und die zweite Ladungserzeugungsschicht kann einen p-Typ-Dotierstoff aufweisen.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können die mehreren Lichtemissionseinheiten entsprechende Lichtemissionsschichten aufweisen.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann mindestens eine der Lichtemissionsschichten, die in den mehreren Lichtemissionseinheiten enthalten sind, blaues Licht emittieren.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können die mehreren Lichtemissionseinheiten mindestens drei Lichtemissionseinheiten aufweisen, und die mindestens drei Lichtemissionseinheiten emittieren Licht derselben Farbe.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können die mindestens drei Lichtemissionseinheiten blaues Licht emittieren.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können die Lichtemissionsschichten jeweils im ersten Subpixel und im zweiten Subpixel angeordnet sein und voneinander im Abstand angeordnet sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können die Lichtemissionsschichten, die jeweils im ersten Subpixel und im zweiten Subpixel angeordnet sind, Licht derselben Farbe im selben Subpixel emittieren.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können ferner eine Datenleitung und eine Stromleitung, die unterhalb der Bank angeordnet sind, enthalten sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können die Datenleitung und die Stromleitung den Vorsprung der Bank überlappen.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ferner eine Kapselungsschicht auf der zweiten Elektrode und eine Berührungssensorschicht, die auf der Kapselungsschicht angeordnet ist, enthalten sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ferner eine Farbfilterschicht, die auf der Berührungssensorschicht angeordnet ist, enthalten sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Farbfilterschicht eine schwarze Matrix und einen Farbfilter aufweisen, der auf der schwarzen Matrix angeordnet ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann eine Dicke des Farbfilters größer sein als eine Dicke der schwarzen Matrix.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die schwarze Matrix die Bank überlappen.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann eine Breite der Bank größer sein als eine Breite der schwarzen Matrix.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann der Farbfilter einen ersten Farbfilter, der auf dem ersten Subpixel angeordnet ist, und einen zweiten Farbfilter, der auf dem zweiten Subpixel angeordnet ist, aufweisen und der erste Farbfilter und der zweite Farbfilter können auf der schwarzen Matrix voneinander im Abstand angeordnet sein.
  • Obwohl die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung oben unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen detaillierter beschrieben sind, ist die vorliegende Offenbarung nicht notwendigerweise auf diese Ausführungsformen beschränkt und kann auf verschiedene Weise modifiziert und implementiert werden, ohne von der technischen Idee der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Daher sind die in der vorliegenden Offenbarung offenbarten Ausführungsformen nicht dazu gedacht, die technische Idee der vorliegenden Offenbarung einzuschränken, sondern zu erläutern, und der Umfang der technischen Idee der vorliegenden Offenbarung wird durch diese Ausführungsformen nicht eingeschränkt. Es sollte daher verstanden werden, dass die oben beschriebenen Ausführungsformen in jeder Hinsicht illustrativ und nicht restriktiv sind. Der Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung kann nach dem Umfang der Ansprüche ausgelegt werden, und alle technischen Ideen innerhalb des dazu äquivalenten Umfangs sollten so ausgelegt werden, dass sie im Umfang der vorliegenden Offenbarung enthalten sind.
  • Die verschiedenen oben beschriebenen Ausführungsformen können kombiniert werden, um weitere Ausführungsformen bereitzustellen.
  • Diese und andere Änderungen können an den Ausführungsformen im Lichte der obigen detaillierten Beschreibung vorgenommen werden. Im Allgemeinen sollten die in den folgenden Ansprüchen verwendeten Begriffe nicht so ausgelegt werden, dass sie die Ansprüche auf die in der Beschreibung und den Ansprüchen offengelegten spezifischen Ausführungsformen beschränken, sondern so, dass sie alle möglichen Ausführungsformen umfassen. Dementsprechend sind die Ansprüche nicht durch die Offenbarung beschränkt.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 1020220094561 [0001]

Claims (20)

  1. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100), aufweisend: ein Substrat (110), das Lichtemissionsabschnitte (EA) und einen Nicht-Emissionsabschnitt (NEA) zwischen den Lichtemissionsabschnitten (EA) aufweist; ein erstes Subpixel (SP_1) und ein zweites Subpixel (SP_2), die in den Lichtemissionsabschnitten (EA) angeordnet sind; erste Elektroden, die in zugeordneter Weise an dem ersten Subpixel (SP_1) und dem zweiten Subpixel (SP_2) und auf dem Substrat (110) angeordnet sind; eine Bank (420), die auf den ersten Elektroden angeordnet ist und auf dem Nicht-Emissionsabschnitt (NEA) angeordnet ist und mindestens einen Vorsprung (420p) aufweist, der an einer oberen Fläche der Bank (420) nach oben vorsteht; eine Lichtemissionselementschicht (430), die auf den ersten Elektroden der Lichtemissionsabschnitte (EA) und auf der Bank (420) angeordnet ist und mehrere Lichtemissionseinheiten (431, 433) und eine Ladungserzeugungsschicht (432) zwischen zwei benachbarten Lichtemissionseinheiten der mehreren Lichtemissionseinheiten (431, 433) aufweist; und eine zweite Elektrode, die auf der Lichtemissionselementschicht (430) angeordnet ist.
  2. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100) nach Anspruch 1, wobei eine erste Dicke (T1) eines ersten Bereichs der Bank (420), in dem der mindestens eine Vorsprung (420p) bereitgestellt ist, größer ist als eine zweite Dicke (T2) eines zweiten Bereichs der Bank (420), der an den ersten Bereich angrenzt.
  3. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100) nach Anspruch 1 oder 2, wobei eine obere Fläche der Bank (420) einen unebenen Abschnitt aufweist.
  4. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100) nach Anspruch 3, wobei die Lichtemissionselementschicht (430) entlang des unebenen Abschnitts der oberen Fläche der Bank (420) angeordnet ist.
  5. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das erste Subpixel (SP_1) und das zweite Subpixel (SP_2) so konfiguriert sind, dass sie voneinander verschiedene Ansteuerungsspannungen aufweisen.
  6. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, die ferner ein drittes Subpixel (SP_3) aufweist, wobei mindestens zwei Abstände zwischen benachbarten Subpixeln des ersten Subpixels (SP_1), des zweiten Subpixels (SP_2) und des dritten Subpixels (SP_3) voneinander verschieden sind.
  7. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100) nach Anspruch 6, wobei unter dem ersten, zweiten und dritten Subpixel (SP_1, SP_2, SP_3) ein Abstand zwischen einem Subpixel, das so konfiguriert ist, dass es eine größte Ansteuerungsspannung aufweist, und einem anderen Subpixel kleiner ist als ein Abstand zwischen anderen Subpixeln.
  8. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Ladungserzeugungsschicht (432) eine erste Ladungserzeugungsschicht und eine zweite Ladungserzeugungsschicht aufweist.
  9. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100) nach Anspruch 8, wobei die erste Ladungserzeugungsschicht eines oder mehrere aus einem Alkalimetall, wie Lithium, Natrium, Kalium oder Cäsium, und einem Erdalkalimetall, wie Magnesium, Strontium, Barium oder Radium, aufweist.
  10. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100) nach Anspruch 8 oder 9, wobei die erste Ladungserzeugungsschicht einen n-Typ-Dotierstoff aufweist und die zweite Ladungserzeugungsschicht einen p-Typ-Dotierstoff aufweist.
  11. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die mehreren Lichtemissionseinheiten (431, 433) entsprechende Lichtemissionsschichten aufweisen.
  12. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100) nach Anspruch 11, wobei mindestens eine der Lichtemissionsschichten, die in den mehreren Lichtemissionseinheiten (431, 433) enthalten sind, blaues Licht emittiert.
  13. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100) nach Anspruch 11 oder 12, wobei die mehreren Lichtemissionseinheiten (431, 433) mindestens drei Lichtemissionseinheiten aufweisen, und wobei die mindestens drei Lichtemissionseinheiten Licht einer gleichen Farbe emittieren.
  14. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100) nach Anspruch 13, wobei die mindestens drei Lichtemissionseinheiten blaues Licht emittieren.
  15. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei die Lichtemissionsschichten in jedem von dem ersten Subpixel (SP_1) und dem zweiten Subpixel (SP_2) angeordnet sind und voneinander im Abstand angeordnet sind.
  16. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100) nach Anspruch 15, wobei die Lichtemissionsschichten in jedem von dem ersten Subpixel (SP_1) und dem zweiten Subpixel (SP_2) angeordnet sind und Licht einer gleichen Farbe in einem gleichen Subpixel emittieren.
  17. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 16, die ferner eine Datenleitung (DL) und eine Stromleitung (PL) aufweist, die in dem Nicht-Emissionsabschnitt (NEA) angeordnet sind, wobei die Datenleitung (DL) und die Stromleitung (PL) jeweils den mindestens einen Vorsprung (420p) der Bank (420) überlappen.
  18. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 17, die ferner eine Berührungssensorschicht (600) und eine Farbfilterschicht (700), die auf der Berührungssensorschicht (600) angeordnet ist, aufweist, wobei die Farbfilterschicht (700) eine schwarze Matrix (720) und einen Farbfilter (730), der auf der schwarzen Matrix (720) angeordnet ist, aufweist, wobei eine Dicke des Farbfilters (730) größer ist als eine Dicke der schwarzen Matrix (720).
  19. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100), die aufweist: ein Substrat (110), das Lichtemissionsabschnitte (EA) und einen zwischen den Lichtemissionsabschnitten (EA) angeordneten Nicht-Emissionsabschnitt (NEA) aufweist; mehrere Subpixel (SP_1, SP_2, SP_3), die an den Lichtemissionsabschnitten (EA) angeordnet sind; erste Elektroden, die in zugeordneter Weise an den mehreren Subpixeln (SP_1, SP_2, SP_3) und auf dem Substrat (110) angeordnet sind; eine Bank (420), die an den ersten Elektroden und zwischen benachbarten Subpixeln angeordnet ist; eine Lichtemissionselementschicht (430), die auf den ersten Elektroden der Lichtemissionsabschnitte (EA) und auf der Bank (420) angeordnet ist und mehrere Lichtemissionseinheiten (431, 433) und eine Ladungserzeugungsschicht (432) zwischen zwei benachbarten Lichtemissionseinheiten der mehreren Lichtemissionseinheiten (431, 433) aufweist; und eine zweite Elektrode, die auf der Lichtemissionselementschicht (430) angeordnet ist, wobei in der Lichtemissionselementschicht (430) zwischen den benachbarten Subpixeln ein Elektronenübertragungspfad ausgebildet ist, durch den sich Elektronen bewegen, und wobei eine Länge des Elektronenübertragungspfads größer ist als ein Abstand zwischen den benachbarten Subpixeln.
  20. Lichtemissionsanzeigevorrichtung (100), die aufweist: ein Substrat (110), das Lichtemissionsabschnitte (EA) und einen Nicht-Emissionsabschnitt (NEA) zwischen den Lichtemissionsabschnitten (EA) aufweist; mehrere Subpixel (SP_1, SP_2, SP_3), die an den Lichtemissionsabschnitten (EA) angeordnet sind, wobei jedes der mehreren Subpixel (SP_1, SP_2, SP_3) eine erste Elektrode aufweist; eine Bank (420), die auf den ersten Elektroden angeordnet ist und an dem Nicht-Emissionsabschnitt (NEA) angeordnet ist, wobei die Bank (420) unterschiedliche Höhen in einem Abschnitt zwischen zwei benachbarten Subpixeln aufweist; eine Lichtemissionselementschicht (430), die auf dem Abschnitt der Bank (420) angeordnet ist, der unterschiedliche Höhen aufweist; und eine zweite Elektrode, die auf der Lichtemissionselementschicht (430) angeordnet ist.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220094561A (ko) 2020-12-29 2022-07-06 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치 및 그의 동작 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102594346B1 (ko) * 2016-08-31 2023-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치와 그의 제조방법
KR102350397B1 (ko) * 2019-12-26 2022-01-14 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20220020166A (ko) * 2020-08-11 2022-02-18 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
US20230345766A1 (en) * 2022-04-25 2023-10-26 Samsung Display Co., Ltd. Display device and electronic device including the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220094561A (ko) 2020-12-29 2022-07-06 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치 및 그의 동작 방법

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