TW202406136A - 發光顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種顯示裝置包括：基板，包含發光部分及發光部分之間的非發光部分；第一子像素和第二子像素，設置在發光部分；第一電極，分別設置在第一子像素和第二子像素，並設置在基板上；堤部，設置在第一電極上並設置在非發光部分，且包含至少一個在堤部的上表面上突出的突起；發光元件層，設置在發光部分的第一電極和非發光部分以及堤部上，並包含複數個發光單元以及位於該複數個發光單元之間的電荷產生層；以及第二電極，設置在發光元件層上。

Description

發光顯示裝置
本發明涉及一種發光顯示裝置。
近來，隨著多媒體的發展，平板顯示裝置的重要性增加。因應於此，諸如液晶顯示裝置、電漿顯示裝置和有機電致發光顯示裝置的平板顯示裝置已經被商業化。在此些平板顯示裝置中，有機電致發光顯示裝置目前被廣泛使用，因為其具有高反應速度、高亮度和良好的視角。
近來的顯示裝置需要各種尺寸、各種形狀和各種功能來顯示各種類型的資訊並與觀看相應資訊的使用者互動。
此類顯示裝置包含液晶顯示裝置、電泳顯示裝置和發光二極體顯示裝置。
發光顯示裝置是一種自發光顯示裝置，與液晶顯示裝置不同，不需要獨立的光源並可以製造成輕且薄。此外，發光顯示裝置不僅由於低電壓驅動而在功耗方面具有優勢，而且在色彩實現、反應速度、視角和對比度（CR）方面也很優異，因此其已被研究作為下一代顯示裝置。
儘管假設發光顯示裝置是有機發光顯示裝置來進行說明，但是發光元件層的類型不限於此。
發光顯示裝置藉由從包含具有發光層的發光元件層的複數個像素發光來在螢幕上顯示資訊，並可以根據驅動像素的方法分為主動矩陣式發光顯示裝置和被動矩陣式發光顯示裝置。
主動矩陣式發光顯示裝置透過使用薄膜電晶體（TFT）控制流經發光二極體的電流來顯示影像。
發光顯示裝置具有陽極、發光層和陰極。當電壓分別施加到陽極和陰極時，來自陽極的電洞和來自陰極的電子會移動到發光層。當電洞和電子在發光層中結合時，在激發過程中形成激子，並且由於來自激子的能量而產生光。
為了提供高品質的影像資訊，發光顯示裝置的解析度正在逐漸提高。
本發明提供一種具有用於防止相鄰的子像素之間的漏電流的結構的發光顯示裝置。本發明尤其解決了由於在高解析度下子像素之間的距離變窄而導致的相鄰的子像素之間的漏電流引起的可視性缺陷，並且涉及一種藉由阻擋相鄰的子像素之間所產生的漏電流來提高色彩再現率的發光顯示裝置。
隨著發光顯示裝置的解析度提高，子像素之間的間隔距離變得更窄。發明人認識到存在影像資訊因相鄰的子像素之間的橫向漏電流而失真的問題。本發明尤其涉及一種發光顯示裝置，其基本上消除了漏電流的一個或多個問題。
本發明提供一種發光顯示裝置，其包含具有至少一個突起的堤部，以阻擋隨著相鄰的子像素之間的距離減小而增加的橫向漏電流。
本發明提供一種發光顯示裝置，其藉由沿著在堤部的上部形成的不平坦部分佈置發光元件層來增加電子移動到相鄰的子像素的距離，從而防止形成在發光元件層內部的電子移動到相鄰的像素。
本發明提供一種發光顯示裝置，其解決了相鄰的子像素以低灰階發光的可視性缺陷，並包含用於阻擋橫向漏電流的結構，其提高了色彩再現率。
本發明的附加特徵和優點將在下文的描述中闡述，並且部分內容從描述中將顯而易見，或者可以透過本發明的實踐而了解到。本發明的這些和其他優點將透過說明書和申請專利範圍以及所附圖式中特別指出的結構來實現和獲得。
一種顯示裝置包括：基板，包含發光部分及發光部分之間的非發光部分；第一子像素和第二子像素，設置在發光部分；第一電極，分別設置在第一子像素和第二子像素，並設置在基板上；堤部，設置在第一電極上並設置在非發光部分，且包含至少一個在堤部的上表面突出的突起；發光元件層，設置在發光部分的第一電極和非發光部分以及堤部上，並包含複數個發光單元以及位於該複數個發光單元之間的電荷產生層；以及第二電極，設置在發光元件層上。
應當理解，上文的一般描述和下文的詳細描述都是示例和說明性的。
參照下文結合所附圖式詳細描述的實施例，本發明的技術優點和特徵以及實現這些優點和特徵的方法將顯而易見。然而，本發明不限於下文所揭示的實施例，而是可以以各種不同的形式實現，並且只有這些實施例才使本發明完整。提供本發明是為了向所屬技術領域中具有通常知識者充分告知本發明的範圍。
在所附圖式中用於解釋本發明實施例而揭示的形狀、尺寸、比例、角度、數量等是說明性的，並且本發明不限於所示出的內容。在整個說明書中相同的參考符號代表相同的組件。
此外，在描述本發明時，若確定對相關已知技術的詳細描述不必要地模糊了本發明的主題，則可以省略其詳細描述。當在本發明中使用「包括」、「包含」、「具有」、「組成」等時，除非使用「僅」，否則可以添加其他部分。當組件以單數表示時，除非特別說明，否則包括包含複數的情況。
在解釋組件時，即使沒有單獨的明確描述，也會解釋為包含邊界範圍。
在描述位置關係的情況下，例如，當兩個部件的位置關係描述為「上」、「上方」、「之上」、「下方」、「旁邊」、「下」等時，除非使用「正好」或「直接」，否則一個或多個其他部件可以位於在此兩個部件之間。
在描述時間關係的情況下，例如，當時間先後順序描述為「之後」、「隨後」、「之前」等時，除非使用「直接」或「立即」，否則可以包含不連續的情況。
本發明的各種實施例的各個特徵可以部分或全部地彼此連接或組合，並可以在技術上以各種方式連鎖和驅動，且各個實施例可以彼此獨立地實施或者可以以相關關係一起實施。
在說明本發明的組件時，可以使用如第一、第二、A、B、（a）、（b）等的術語。此些術語僅用於將該些組件與其他組件區分開，並且該些組件的本質、順序、次序或數量不受該些術語的限制。此外，當描述一個組件「連接」、「耦接」或「接觸」到另一個組件時，該組件可以直接連接或接觸另一個組件，但是應理解的是，其他組件可以「插入」該些組件之間。
「至少一個」應理解為包含一個或多個相關組件的所有組合。例如，「第一、第二和第三組件中的至少一個」的含義不僅指第一、第二或第三組件，還指第一、第二和第三組件中的兩個或更多個的所有組合。
在本發明中，「裝置」可以包括諸如液晶模組（LCM）、有機發光顯示模組（OLED模組）等的顯示裝置，其包含顯示面板和用於驅動面板的驅動部分。此外，「裝置」可以包括完整的產品或包含LCM、OLED模組等的最終產品，其為筆記型電腦、電視、電腦顯示器、包含其他類型的車輛的車用設備或裝備顯示器、或成套電子設備或成套設備或成套裝置，諸如智慧型手機、平板電腦等行動電子設備。
因此，本發明的裝置可以包含顯示裝置本身，諸如LCM、OLED等，及/或作為最終使用者設備之包含LCM、OLED模組等的應用產品或成套設備。
另外，在一些實施例中，配置有顯示面板和驅動部分的LCM、OLED模組等可以表示為「顯示裝置」，而作為包含LCM、OLED模組等的最終產品的電子裝置可以區分並表示為「成套設備」。例如，顯示裝置可以包含：液晶或有機發光二極體（OLED）顯示面板、以及作為驅動顯示面板的控制部分的源極PCB。成套設備可以進一步包含成套PCB，其是電性連接到源極PCB以驅動整個成套設備的成套控制部分。
在本發明實施例中所使用的顯示面板可以採用所有類型的顯示面板，諸如液晶顯示面板、有機發光二極體（OLED）顯示面板、及電致發光顯示面板，但實施例不限於此。例如，顯示面板可以是根據本發明實施例之能夠透過振動設備振動而產生聲音的顯示面板。應用於本發明實施例的顯示裝置的顯示面板不受限於顯示面板的形狀或尺寸。
本發明各種實施例的特徵可以部分或全部地彼此組合，可以在技術上以各種方式連鎖和驅動，並且實施例可以彼此獨立地實施或者可以以相關關係一起實施。
下文參照所附圖式描述本發明的實施例。為了便於描述，圖式中所示組件的比例可以與實際組件的比例不同，因此不限於圖式中所示的尺寸。
下文參照圖式詳細描述本發明的各種實施例。
圖1是根據本發明一實施例的發光顯示裝置的平面圖。圖2是根據本發明一實施例的發光顯示裝置的子像素的電路圖。
參照圖1和圖2，發光顯示裝置100可以包含各種附加元件，用於產生各種信號或驅動主動區域（或顯示區域）AA中的複數個子像素SP。例如，用於控制顯示面板的一個或多個驅動電路可以包含在發光顯示裝置100中。用於控制（或驅動）子像素SP的驅動電路可以包含閘極驅動器、資料信號線、多工器MUX、靜電放電電路部分ESD、高電位電壓線VDD、低電位電壓線VSS、反相器電路等。發光顯示裝置100還可以包含除了用於驅動子像素SP的功能之外的附加元件。舉例來說，發光顯示裝置100可以包含提供觸控感測功能、使用者認證功能（例如，指紋辨識）、多級壓力感測功能、觸覺回饋功能等的附加元件。前述附加元件可以位於非主動區域（或非顯示區域）NA中，或位於與連接介面連接的外部電路中。
基板110可以包含：主動區域AA；以及非主動區域NA。基板110的主動區域AA可以是設置有複數個像素P以顯示影像的區域。基板110的非主動區域NA可以是其上不顯示影像的區域。例如，非主動區域NA可以是邊框區域，但不限於此。非主動區域NA可以與主動區域AA相鄰並設置在主動區域AA外部。或者，非主動區域NA可以設置以圍繞主動區域AA的全部或部分。或者，非顯示區域NA可以是其中未設置複數個子像素SP的區域，但不限於此。
設置在主動區域AA中的像素P可以包含複數個子像素SP。子像素SP是發光的獨立單元，並且，該複數個子像素SP可以包含第一子像素SP_1、第二子像素SP_2、第三子像素SP_3、及/或白色子像素，但不限於此。
每個子像素SP可以形成有發光元件如有機發光二極體、以及驅動電路。例如，用於顯示影像的顯示元件和用於驅動（或控制）顯示元件的驅動電路可以設置在複數個子像素SP中。
一個子像素SP可以包含複數個電晶體、至少一個電容器、以及複數條線路（或導線）。舉例來說，子像素SP可以包含兩個電晶體和一個電容器，其為2T1C結構，但不限於此，並可以具有3T1C、4T1C、5T1C、6T1C、7T1C、3T2C、4T2C、5T2C、6T2C、7T2C、8T2C等的結構。
非主動區域NA可以是設置有用於驅動設置在主動區域AA中的複數個子像素SP的各種線路、驅動電路等的區域。例如，諸如閘極驅動器和資料驅動器的各種IC和驅動電路可以設置在非主動區域NA中。
儘管圖1示出了非主動區域NA圍繞矩形主動區域AA，但是主動區域AA的形狀以及與主動區域AA相鄰的非主動區域NA的形狀和佈置不限於圖1所示的示例。主動區域AA和非主動區域NA可以具有適合於安裝有發光顯示裝置100的電子裝置的設計的形狀。在使用者可穿戴設備的顯示裝置的情況下，其可以具有像一般手錶一樣的圓形形狀，並且本發明的實施例的構思也可以應用於適用於車輛儀表板的自由形式的顯示裝置。主動區域AA的示例形狀可以是五邊形、六邊形、八邊形、圓形、橢圓形等，但不限於此。
彎折區域BA可以設置在非主動區域NA的一部分中。彎折區域BA可以設置在主動區域AA與位於非主動區域NA中的接墊部分114之間。此外，彎折區域BA可以是其中形成有連接佈線部分（或連接線部分）的區域。
彎折區域BA可以是其中基板110的一部分被彎折的區域，以便在基板110的後表面上設置接墊部分114和接合到接墊部分114的外部模組。舉例來說，當彎折區域BA朝基板110的後表面彎折時，接合到基板110的接墊部分114的外部模組朝基板110的後表面移動，並且當從基板110上方觀察時，可能無法識別出外部模組。此外，隨著彎折區域BA的彎折，從基板110上方識別到的非主動區域NA的尺寸減小，從而可以實現窄邊框。在本發明中，示出了彎折區域BA存在於非主動區域NA中，但不限於此。舉例來說，彎折區域BA可以位於主動區域AA中，並且主動區域AA本身可以向各個方向彎折，使得位於主動區域AA中的彎折區域BA也可以具有本發明中所提到的效果。
接墊部分114可以設置在非主動區域NA的一側。接墊部分114可以是與外部模組，例如可撓性印刷電路板（FPCB）、覆晶薄膜（COF）等接合到的金屬圖案。儘管接墊部分114示出為設置在基板110的一側上，但是接墊部分114的形狀和佈置不限於此。
向薄膜電晶體提供閘極信號的閘極驅動器112可以設置在非主動區域NA的另一側。閘極驅動器112可以包含各種閘極驅動電路，並且閘極驅動電路可以直接形成在基板110上。在此種情況下，閘極驅動器112可以是閘極內崁面板（GIP）型驅動器。
閘極驅動器112可以設置在主動區域AA與在基板110的非主動區域NA所設置的壩部DAM之間。
高電位電壓線VDD、低電位電壓線VSS、多工器MUX、靜電放電電路部分ESD、以及複數個連接佈線部分可以設置在主動區域AA與非主動區域NA中的接墊部分114之間。
高電位電壓線VDD、低電位電壓線VSS、多工器MUX、以及靜電放電電路部分ESD可以設置在主動區域AA與彎折區域BA之間。
連接佈線部分可以設置在非主動區域NA中。例如，連接佈線部分可以設置在其中基板110在非主動區域NA中彎折的彎折區域BA中。連接佈線部分可以是將信號（或電壓）從接合到接墊部分114的外部模組傳遞到主動區域AA或諸如閘極驅動器112的電路部分的組件。例如，各種信號諸如用於驅動閘極驅動器112的信號、資料信號、高電位電壓和低電位電壓可以透過連接佈線部分傳遞。
壩部DAM可以設置在非主動區域NA中以圍繞主動區域AA的全部或部分。壩部DAM可以設置相鄰於主動區域AA並位於主動區域AA外部。
壩部DAM可以沿著主動區域AA的外圍部分設置以便控制有機層的流動，其中，有機層是設置在發光元件層上封裝層之中的第二封裝層的材料。壩部DAM的數量可以是一個或多個。
壩部DAM可以設置在主動區域AA與高電位電壓線VDD、低電位電壓線VSS、多工器MUX或靜電放電電路部分ESD之間。
可以在基板110的非主動區域NA的一部分上進一步設置面板裂紋檢測器（或裂紋檢測線）PCD。
面板裂紋檢測器PCD可以設置在基板110的端點（或端部）與壩部DAM之間。或者，面板裂紋檢測器PCD可以設置在壩部DAM下方並至少部分地與壩部DAM重疊。
參照圖2，作為示例描述了具有包含三個薄膜電晶體和一個儲存電容器的3T1C結構的發光顯示裝置，但是本發明的發光顯示裝置不限於該結構，並可以應用於各種結構，諸如4T1C、5T1C、6T1C、7T1C、8T1C、4T2C、5T2C、6T2C、7T2C和8T2C。
參照圖2，根據本發明實施例的發光顯示裝置100可以包含：閘極線GL：資料線DL；電源線PL；以及感測線SL。每個子像素SP可以包含：第一開關薄膜電晶體ST1；第二開關薄膜電晶體ST2；驅動薄膜電晶體DT；發光元件D；以及儲存電容器Cst。
發光元件D可以包含：陽極、連接到第二節點N2；陰極，連接到低電位驅動電壓EVSS的輸入端子：以發光元件層，位於陽極與陰極之間。
驅動薄膜電晶體DT可以根據其閘極-源極電壓Vgs控制流經發光元件D的電流Id。驅動薄膜電晶體DT可以具有：閘極電極，連接到第一節點N1；汲極電極，連接到電源線PL以接收高電位驅動電壓EVDD；以及源極電極，連接到第二節點N2。
儲存電容器Cst可以連接在第一節點N1與第二節點N2之間。儲存電容器Cst可以在一幀內維持恆定電壓。
當驅動時，回應於閘極信號SCAN，第一開關薄膜電晶體ST1可將充入資料線DL中的資料電壓Vdata施加到第一節點N1，以導通驅動薄膜電晶體DT。第一開關薄膜電晶體ST1可以包含：閘極電極，連接到閘極線GL以接收閘極信號SCAN；汲極電極，連接到資料線DL以接收資料電壓Vdata；以及源極電極，連接到第一節點N1。
回應感測信號SEN，第二開關薄膜電晶體ST2可以切換第二節點N2與感測電壓讀出線SRL之間的電流，以將第二節點N2的源極電壓儲存在感測電壓讀出線SRL的感測電容器Cx中。當顯示面板被驅動時，回應感測信號SEN，第二開關薄膜電晶體ST2可以切換第二節點N2與感測電壓讀出線SRL之間的電流，以將驅動薄膜電晶體DT的源極電壓重置為初始化電壓。此時，第二開關薄膜電晶體ST2的閘極電極可以連接到感測線SL，第二開關薄膜電晶體ST2的汲極電極可以連接到第二節點N2，且第二開關薄膜電晶體ST2的源極電極可以連接到感測電壓讀出線SRL。
圖3A至圖3C是示出根據本發明一實施例的發光顯示裝置的子像素的佈置的視圖。
參照圖3A至圖3C，基板110可以包含：發光部分EA；以及非發光部分NEA，設置在該些發光部分EA之間。複數個發光部分EA可以設置在基板110上並且彼此間隔開。非發光部分NEA可以設置圍繞發光部分EA。
發光部分EA可以是發光層中向外部發光的區域，並且參照圖4，其可以是未設置堤部420的區域。
非發光部分NEA可以是發光層中不向外部發光的區域，並且參照圖4，其可以是設置堤部420的區域。
設置在發光部分EA中的複數個像素P可以包含：第一子像素SP_1；第二子像素SP_2和；以及第三子像素SP_3。
第一子像素SP_1、第二子像素SP_2和第三子像素SP_3中的每一個可以包含發光部分EA。
在一個像素P中，如圖3A至圖3C所示，可以逐一設置發出不同顏色光的子像素SP。例如，像素P可以包含：第一子像素SP_1；第二子像素SP_2；以及第三子像素SP_3。
第一子像素SP_1、第二子像素SP_2和第三子像素SP_3的示例形狀可以是四邊形、五邊形、六邊形、八邊形、圓形或橢圓形，但不限於此。
在一個像素P中，發出不同顏色光的子像素SP中的至少一個可以設置為複數個，如圖3C所示。例如，發出相同顏色光的複數個子像素SP_2可以形成在像素P中。
第一子像素SP_1至第三子像素SP_3可以發出不同顏色的光。儘管本發明以第一子像素SP_1發出紅光、第二子像素SP_2發出綠光且第三子像素SP_3發出藍光的假設來描述，但從發光層發出的光的顏色不限於此。
第三子像素SP_3可以具有比其他子像素更大的面積。第三子像素SP_3與另一相鄰的子像素之間的距離可以小於第一子像素SP_1與第二子像素SP_2之間的距離。
參照圖3A至圖3C，第三子像素SP_3可以相對於平面方向設置在其他子像素上方。
當第一子像素SP_1至第三子像素SP_3實現發光顯示裝置100的高解析度時，子像素之間的間隔距離減小。
發光顯示裝置100可以包括包含複數個發光單元的發光元件層。發光顯示裝置100可以進一步包括位於該複數個發光單元之間的電荷產生層。該電荷產生層可以調節複數個發光單元之間的電荷平衡。
電荷產生層可以包括複數個包含第一電荷產生層和第二電荷產生層的層。第一電荷產生層可以包含：N型電荷產生層；以及P型電荷產生層。第一電荷產生層可以由摻雜有鹼金屬諸如鋰（Li）、鈉（Na）、鉀（K）或銫（Cs）、或鹼土金屬諸如鎂（Mg）、鍶（Sr）、鋇（Ba）或鐳（Ra）的有機層形成。此時，包含在第一電荷產生層中的金屬引起橫向漏電流（LLC）。
舉例來說，當特定子像素運作時，由於在橫向上相鄰的像素之間洩漏的電流，相鄰的子像素發光較弱，其導致影像資訊失真。
第三子像素SP_3發出藍光所需的驅動電壓可以高於發出其他紅光或綠光所需的驅動電壓。
當驅動第三子像素SP_3時，相鄰的子像素被較弱地驅動。就此而言，第三子像素SP_3的電子通過連續設置在相鄰的像素之間的第一電荷產生層移動到相鄰的子像素，因而進行了弱驅動。因此，非驅動狀態下之相鄰的子像素進入與驅動狀態類似的狀態並發出微弱的光。在此種情況下，色純度降低，導致色彩再現率降低的問題。在許多情況下，此種現象識別為低灰階識別出來。
圖4是根據本發明一實施例的發光顯示裝置的剖面圖。圖4是沿圖3A至圖3C的I-I′線所截取的剖面圖。圖5是圖4的發光元件層的放大剖面圖。
參照圖4，根據本發明一實施例的發光顯示裝置100可以包含：基板110；堤部420；第一發光單元431；電荷產生層432；以及第二發光單元433。
基板110可以支撐發光顯示裝置100的各種組件。基板110可以由玻璃或具有可撓性的塑膠材料製成。
例如，基板110可以由聚醯亞胺（PI）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚醚碸和聚碳酸酯中的至少一種形成，但不限於此。
當基板110由塑膠材料製成時，例如，當基板110由聚醯亞胺製成時，可以在由玻璃製成的支撐基板設置在基板110下方的情況下進行發光顯示裝置100的製造過程，並且在發光顯示裝置100的製造過程完成之後，可以移除或雷射修整支撐基板。此外，在移除支撐基板之後，可以將用於支撐基板110的背板設置在基板110下方。
當基板110由聚醯亞胺製成時，濕氣滲透由聚醯亞胺製成的基板110並進入薄膜電晶體或發光元件層，從而降低了發光顯示裝置100的性能。根據本發明一實施例的發光顯示裝置100可以配置以包含兩片聚醯亞胺，以防止顯示裝置的性能由於濕氣滲透而劣化。另外，藉由在兩片聚醯亞胺之間形成無機膜，可以阻止濕氣滲透到下層聚醯亞胺中，從而提高產品性能的可靠性。無機層可以由單層的氮化矽（SiNx）或氧化矽（SiOx）或它們的多層形成，但不限於此。
基板110也可以指包含形成在基板110上的元件和功能層的組件，例如，開關薄膜電晶體、連接到開關薄膜電晶體的驅動薄膜電晶體、連接到驅動薄膜電晶體的有機發光元件、鈍化層等，但不限於此。
緩衝層120可以設置在基板110的整個表面上。緩衝層120可以用於提高形成在緩衝層120和基板110上各層之間的黏著力，並阻擋各種類型的缺陷，諸如從基板110流出的鹼性成分。另外，緩衝層120可以延遲滲透到基板110中的濕氣或氧氣的擴散。
緩衝層120可以由單層或多層的氮化矽（SiNx）或氧化矽（SiOx）形成。當緩衝層120由多層形成時，可以交錯地形成氧化矽（SiOx）和氮化矽（SiNx）。
基於基板110的類型和材料、薄膜電晶體的結構和類型等可以省略緩衝層120。
第一薄膜電晶體200和第二薄膜電晶體300可以設置在緩衝層120上。第一薄膜電晶體200和第二薄膜電晶體300可以各自包含半導體圖案、閘極電極、源極電極和汲極電極。
為了便於解釋，僅示出了可以包含在發光顯示裝置100中的各種薄膜電晶體之中的驅動薄膜電晶體，但是其他薄膜電晶體諸如開關薄膜電晶體也可以包含在發光顯示裝置100中。另外，為了便於解釋，薄膜電晶體描述為具有頂閘極結構，但不限於該結構，並可以實施為諸如底閘極結構的其他結構。
第一薄膜電晶體200的第一半導體圖案210和第二薄膜電晶體300的第二半導體圖案310可以設置在緩衝層120上。
第一半導體圖案210和第二半導體圖案310可以由多晶半導體形成。例如，多晶半導體可以由具有高遷移率的低溫多晶矽（LTPS）製成，但不限於此。當第一半導體圖案210和第二半導體圖案310由多晶半導體製成時，能耗低且可靠性優異。
在一些實施方式中，第一半導體圖案210和第二半導體圖案310可以由氧化物半導體形成。例如，其可以由氧化銦鎵鋅（IGZO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化銦鎵錫（IGTO）和氧化銦鎵（IGO）中的一種製成，但不限於此。當第一半導體圖案210和第二半導體圖案310由氧化物半導體形成時，阻擋漏電流的效果優異，因此，可以在低速驅動期間使子像素的亮度變化最小化。
當第一半導體圖案210和第二半導體圖案310由多晶半導體或氧化物半導體形成時，第一半導體圖案210和第二半導體圖案310各自的一部分可以摻雜有雜質。
在一些實施方式中，第一半導體圖案210和第二半導體圖案310可以由非晶矽（a-Si）或諸如稠五苯（pentacene）的各種有機半導體材料製成，但不限於此。
第一絕緣層130可以設置在第一半導體圖案210和第二半導體圖案310上。
第一絕緣層130可以設置在第一半導體圖案210和第二半導體圖案310與第一閘極電極230和第二閘極電極330之間。
第一絕緣層130可以使第一半導體圖案210和第一閘極電極230絕緣。第一絕緣層130可以使第二半導體圖案310和第二閘極電極330絕緣。
第一絕緣層130可以由諸如氮化矽（SiNx）或氧化矽（SiOx）的無機絕緣材料形成，或者可以由有機絕緣材料形成，但不限於此。
第一絕緣層130可以具有將第一源極電極250和第一汲極電極270中的每一個電性連接到第一半導體圖案210的孔。此外，第一絕緣層130可以具有將第二源極電極350和第二汲極電極370中的每一個電性連接到第二半導體圖案310的孔。
第一薄膜電晶體200的第一閘極電極230和第二薄膜電晶體300的第二閘極電極330可以設置在第一絕緣層130上。
第一閘極電極230可以設置以與第一半導體圖案210重疊，而第二閘極電極330可以設置以與第二半導體圖案310重疊。
第一閘極電極230和第二閘極電極330可以由鉬（Mo）、銅（Cu）、鈦（Ti）、鋁（Al）、鉻（Cr）、金（Au）或鎳（Ni）、釹（Nd）、鎢（W）、金（Au）、透明導電氧化物（TCO）及其合金中的一種製成的單層形成，或由上述材料中的至少兩種製成的多層形成，但不限於此。
第二絕緣層140可以設置在第一閘極電極230和第二閘極電極330上。
第二絕緣層140可以設置在第一閘極電極230與第一源極電極250和第一汲極電極270之間、以及在第二閘極電極330與第二源極電極350和第二汲極電極370之間。
第二絕緣層140可以使第一閘極電極230與第一源極電極250和第一汲極電極270絕緣。而且，第二絕緣層140可以使第二閘極電極330與第二源極電極350和第二汲極電極370絕緣。
第二絕緣層140可以由諸如氮化矽（SiNx）或氧化矽（SiOx）的無機絕緣材料形成，並可以由有機絕緣材料形成，但不限於此。
第二絕緣層140可以具有將第一源極電極250和第一汲極電極270中的每一個電性連接到第一半導體圖案210的孔。而且，第二絕緣層140可以具有將第二源極電極350和第二汲極電極370中的每一個電性連接到第二半導體圖案310的孔。
第一薄膜電晶體200的第一源極電極250和第一汲極電極270可以設置在第二絕緣層140上。第二薄膜電晶體300的第二源極電極350和第二汲極電極370可以設置在第二絕緣層140上。
第一源極電極250和第一汲極電極270可以通過第一絕緣層130和第二絕緣層140中相應的孔電性連接到第一半導體圖案210。
第二源極電極350和第二汲極電極370可以通過第一絕緣層130和第二絕緣層140中相應的孔電性連接到第二半導體圖案310。
第一源極電極250、第一汲極電極270、第二源極電極350和第二汲極電極370可以由鉬（Mo）、銅（Cu）、鈦（Ti）、鋁（Al）、鉻（Cr）、金（Au）、鎳（Ni）、釹（Nd）、鎢（W）、金（Au）、透明導電氧化物（TCO）或其合金中的一種製成的單層形成，或由上述材料中的至少兩種製成的多層形成，但不限於此。
例如，第一源極電極250、第一汲極電極270、第二源極電極350和第二汲極電極370由鈦（Ti）/ 鋁（Al）/ 鈦（Ti）的三層形成，但不限於此。
可以在第二絕緣層140上的非發光區域NEA中進一步設置資料線DL及/或電源線PL。在此種情況下，資料線DL及/或電源線PL可以由與第一源極電極250、第一汲極電極270、第二源極電極350和第二汲極電極370相同的材料、結構或製造方法形成。
資料線DL及/或電源線PL可以設置在相鄰的子像素之間。電源線PL可以設置平行於資料線DL。當設置稍後將描述的連接電極時，電源線PL可以一起形成。
電源線PL可以是從設置在非發光部分NEA中的高電位電壓線VDD分支出來並設置在發光部分EA中的線，並可以被提供有高電位驅動電壓EVDD。
電源線PL可以延伸平行於或交叉於閘極線GL和資料線DL中的一個。或者，電源線PL可以配置為由具有小線寬的金屬線交叉形成的網格圖案。網格圖案的形狀可以是四邊形、五邊形、六邊形、圓形、橢圓形等，但不限於此。
鈍化層150可以設置在第一源極電極250、第一汲極電極270、第二源極電極350和第二汲極電極370上。
鈍化層150可以保護第一薄膜電晶體200和第二薄膜電晶體300。鈍化層150可以由諸如氮化矽（SiNx）或氧化矽（SiOx）的無機絕緣材料形成，或者可以由有機絕緣材料形成，但不限於此。
鈍化層150可以具有將第一陽極410-A電性連接到第一薄膜電晶體200的孔。此外，鈍化層150可以具有將第二陽極410-B電性連接到第二薄膜電晶體300的孔。根據發光顯示裝置100的設計，可以省略鈍化層150。
平坦化層160可以設置在鈍化層150上。或者，平坦化層160可以設置在第一薄膜電晶體200和第二薄膜電晶體300上。
平坦化層160可以保護設置在平坦化層160下方的薄膜電晶體，並可以減輕或平坦化由各種圖案引起的台階差。
平坦化層160可以由有機絕緣材料中的至少一種形成，例如但不限於苯環丁烯（BCB）、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂和聚醯亞胺樹脂。
平坦化層160可以配置有單層，或者考慮到電極的佈置可以配置有兩層或更多層。
隨著發光顯示裝置100發展到更高解析度，各種信號線增加，因此難以將所有線路佈置在一層上，同時確保最小間隔，因此可以形成（複數個）附加層。該附加層使佈線佈局更加自由，使佈線/電極佈局設計變得更加容易。此外，當將介電材料用於配置有多層的平坦化層時，平坦化層160可以用於在金屬層之間形成電容。
當平坦化層160形成為兩層時，其可以包含下平坦化層和上平坦化層。
舉例來說，可以在上平坦化層中形成孔，並可以在該孔中設置連接電極，使得薄膜電晶體和發光元件層可以透過連接電極電性連接。
連接電極的一端（或一部分）可以連接到薄膜電晶體，而連接電極的另一端（或另一部分）可以連接到發光元件層。
第一陽極410-A和第二陽極410-B可以設置在平坦化層160上。
第一陽極410-A可以通過平坦化層160中的孔電性連接到第一汲極電極270。第二陽極410-B可以通過平坦化層160中的孔電性連接到第二汲極電極370。或者，當發光顯示裝置100進一步包含連接電極時，第一陽極410-A和第二陽極410-B中的每一個可以透過連接電極電性連接到對應的汲極電極。
當發光顯示裝置100是頂部發光型時，第一陽極410-A和第二陽極410-B可以使用不透明導電材料形成為反射光的反射電極。第一陽極410-A和第二陽極410-B可以由銀（Ag）、鋁（Al）、金（Au）、鉬（Mo）、鎢（W）、鉻（Cr）、及其合金中的至少一種製成。例如，第一陽極410-A和第二陽極410-B中的每一個可以具有銀（Ag）/ 鉛（Pd）/ 銅（Cu）的三層結構，但不限於此。此外，第一陽極410-A和第二陽極410-B可以進一步包含具有高功函數的透明導電材料層，諸如氧化銦錫（ITO）。
當發光顯示裝置100是底部發光型時，第一陽極410-A和第二陽極410-B可以使用透射光的透明導電材料形成。例如，第一陽極410-A和第二陽極410-B由氧化銦錫（ITO）和氧化銦鋅（IZO）中的至少一種製成。
堤部420可以設置在第一陽極410-A、第二陽極410-B和平坦化層160上。
堤部420可以分隔（或劃分）複數個子像素SP，最小化光模糊現象，並防止在各種視角下發生混色。
堤部420可以將發光部分EA和非發光部分NEA分隔，並且堤部420可以設置在非發光部分NEA中。
堤部420可以具有暴露第一陽極410-A和第二陽極410-B的堤部孔（或開口）。
堤部420可以由無機絕緣材料，諸如氮化矽（SiNx）或氧化矽（SiOx）、有機絕緣材料，諸如苯環丁烯（BCB）、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂或聚醯亞胺樹脂、以及包含黑色顏料的光敏劑中的至少一種形成，但不限於此。
堤部420可以是透明的、黑色的或有色的。
堤部420可以設置以覆蓋第一陽極410-A和第二陽極410-B的端部。
堤部420可以具有至少兩種厚度。由於至少有兩種厚度，堤部420的頂表面可能是不平坦的。
堤部420可以具有至少一個突起420p。堤部420的突起可以透過去除堤部420的一部分來形成。堤部420的突起可以具有第一厚度T1。除了形成有突起的區域之外的區域可以具有與第一厚度T1不同的值的第二厚度T2。也就是說，在堤部420之位於兩個相鄰的子像素之間的部分420nea中，堤部420具有不平坦的表面和不同的高度。
堤部420的第一厚度T1可以大於第二厚度T2。堤部420的第二厚度T2可以具有堤部420的第一厚度T1的1/2至1/3的厚度。
堤部420的突起420p可以形成在與資料線DL或電源線PL重疊的區域。突起的寬度W1可以大於資料線DL或電源線PL的寬度W2。因此，具有防止資料線DL或電源線PL被外部光反射並被使用者識別的效果。
堤部420的第二厚度T2可以藉由去除堤部420的一部分來形成。如圖所示，堤部420的不平坦或不平坦部分可以形成為從頂表面傾斜切割的形狀，但不限於此，其可以形成為各種形狀。
由於形成在堤部420中的突起或不平坦/不平坦部分，設置在堤部420上的發光元件層的長度可能增加。舉例來說，發光元件層沿著形成在堤部420中的突起和未形成突起的凹部設置，增加了電子移動到發光元件層中相鄰的子像素的距離，因此，當驅動時，可以防止在發光元件層內部形成的電子移動到相鄰的子像素。也就是說，兩個相鄰的子像素之間的電子傳輸路徑是沿著堤部420的上表面的不平坦部分形成，例如沿著突起和凹部而形成。因此，電子從兩個相鄰的子像素中的一個子像素移動到另一個子像素的電子傳輸路徑的距離大於兩個相鄰的子像素之間的距離。
發光元件層430可以設置在堤部420以及第一陽極410-A和第二陽極410-B上。
發光元件層430可以包含；第一發光單元431：電荷產生層432：以及第二發光單元433。
發光元件層430可以沿著在堤部420的頂表面形成的不平坦部分設置。
為了便於解釋，僅示出了兩個發光單元，但是可以進一步包含三個或更多個發光單元、以及位於該三個或更多個發光單元之間的兩個或更多個電荷產生層。
下文中，進一步參照圖5對本發明的發光元件層進行詳細描述。圖5是圖4的發光元件層的放大剖面圖。
參照圖5，第一發光單元431可以設置在堤部420以及第一陽極410-A和第二陽極410-B上。
第一發光單元431可以包含：電洞注入層HIL；第一電洞傳輸層HTL-1；第一發光層EML-1；以及第一電子傳輸層ETL-1。
第一發光層EML-1可以包含複數個子發光層，例如圖5所示的第一子發光層EML-1A和第二子發光層EML-1B。
電洞注入層HIL、第一電洞傳輸層HTL-1和第一電子傳輸層ETL-1可以設置以對應於所有子像素。例如，該些層可以連續地設置在每個子像素上以及相鄰的子像素之間而不中斷。在一些實施方式中，該些層可以不連續地設置在每個子像素上，使得相鄰的子像素之間至少部分斷開。
電洞注入層HIL可以設置在堤部420、第一陽極410-A和第二陽極410-B上。電洞注入層HIL可以沿著在堤部420的頂表面形成的不平坦部分設置。
電洞注入層HIL可以用於促進電洞注入，並可以由選自由以下所組成的群組中的至少一種形成：HATCN（1,4,5,8,9,11-六氮雜聯三伸苯-六腈）和CuPc（銅酞菁）、PEDOT（聚(3,4)-乙烯基二氧噻吩）、PANI（聚苯胺）、及NPD（N,N-二萘基-N,N′-二苯基聯苯胺），但不限於此。
第一電洞傳輸層HTL-1可以設置在電洞注入層HIL上。第一電洞傳輸層HTL-1可以沿著在堤部420的頂表面形成的不平坦部分設置。
第一電洞傳輸層HTL-1可以用於促進電洞傳輸，並可以由選自由以下所組成的群組中的至少一種形成：NPD（N,N-二萘基-N,N′-二苯基聯苯胺）、TPD（N,N′-雙-(3-甲基苯基)-N,N′-雙-(苯基)-聯苯胺）、s-TAD、及MTDATA（4,4′,4′′-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-胺基)-三苯胺），但不限於此。
第一子發光層EML-1A和第二子發光層EML-1B可以設置在第一電洞傳輸層HTL-1上。
第一子發光層EML-1A和第二子發光層EML-1B可以至少部分地與堤部420重疊，並可以形成為在相鄰的子像素之間的區域處被分隔開。舉例來說，可以使用精細金屬遮罩（FMM）將第一子發光層EML-1A和第二子發光層EML-1B沉積在每個子像素上。
第一子發光層EML-1A可以與包含在第二發光單元433中之第二發光層EML-2中的第三子發光層EML-2A重疊。第一子發光層EML-1A可以發出與包含在第二發光單元433中的第三子發光層EML-2A相同顏色的光。第一子發光層EML-1A可以發出與包含在第二發光單元433中的第三子發光層EML-2A相同波長的光。
第二子發光層EML-1B可以與包含在第二發光單元433中之第二發光層EML-2中的第四子發光層EML-2B重疊。第二子發光層EML-1B可以發出與包含在第二發光單元433中的第四子發光層EML-2B相同顏色的光。第二子發光層EML-1B可以發出與包含在第二發光單元433中的第四子發光層EML-2B相同波長的光。
第一子發光層EML-1A和第二子發光層EML-1B可以包含各自發出不同顏色光的發光材料，並發出紅光、綠光和藍光中的不同光，並且，第一子發光層EML-1A和第二子發光層EML-1B各自的發光材料可以使用磷光材料或螢光材料形成。
例如，第一子發光層EML-1A可以發出紅光或綠光，而第二子發光層EML-1B可以發出藍光。
舉例來說，當第一子發光層EML-1A發出紅光時，第一子發光層EML-1A可以由磷光材料形成，該磷光材料包括：含有CBP（咔唑聯苯）或mCP（1,3-雙(咔唑-9-基）的主體材料、以及含有選自由PIQIr(acac)（雙(1-苯基異喹啉)乙醯丙酮銥）、PQIr(acac)（雙(1-苯基喹啉)乙醯丙酮)銥）、PQIr（三(1-苯基喹啉)銥）、及PtOEP（八乙基卟啉鉑）所組成的群組中的一種或多種的摻雜劑、或含有PBD:Eu(DBM)3(Phen)或苝的螢光材料，但不限於此。
當第一子發光層EML-1A發出綠光時，第一子發光層EML-1A可以由磷光材料形成，該磷光材料包括：含有CBP或mCP的主體材料、以及諸如包含Ir(ppy)3（fac-三(2-苯基吡啶)銥）的Ir錯合物的摻雜劑材料、或包含Alq3（三(8-羥基喹啉)鋁）的螢光材料，但不限於此。
當第二子發光層EML-1B發出藍光時，第二子發光層EML-1B可以由磷光材料形成，該磷光材料包括含有CBP或mCP的主體材料、以及含有(4,6-F2ppy)2Irpic的摻雜劑材料。或者，第二子發光層EML-1B可以由螢光材料形成，該螢光材料包括選自由螺-DPVBi、螺-6P、二苯乙烯基苯（DSB）、二苯乙烯基亞芳基（DSA）、PFO基聚合物、及PPV基聚合物所組成的群組中的一種，但不限於此。
第一子發光層EML-1A和第二子發光層EML-1B可以進一步包含輔助發光層。例如，輔助發光層可以設置在第一子發光層EML-1A之下或之上。輔助發光層可以發出與第一子發光層EML-1A發出的光相同顏色或不同顏色的光。替代地或附加地，輔助發光層可以設置在第二子發光層EML-1B之下或之上。輔助發光層可以發出與第二子發光層EML-1B發出的光相同顏色或不同顏色的光。
第一電子傳輸層ETL-1可以設置在第一子發光層EML-1A、第二子發光層EML-1B和第一電洞傳輸層HTL-1上。
第一電子傳輸層ETL-1可以用於促進電子傳輸，並可以由選自由以下所組成的群組中的一種或多種形成：Alq3（三(8-羥基喹啉)鋁）、PBD（2-(4-聯苯基)-5-(4-三級丁基苯基)-1,3,4-㗁二唑）、TAZ、螺-PBD、BAlq、及SAlq，但不限於此。
可以在第一電子傳輸層ETL-1上進一步設置電子注入層EIL。
電荷產生層432可以設置在第一發光單元431上。電荷產生層432可以設置在第一發光單元431的第一電子傳輸層ETL-1上。電荷產生層432可以沿著在堤部420的頂表面形成的突起或不平坦部分設置。
電荷產生層432可以包含：有助於將電子注入到第一發光單元431中的n型電荷產生層n-CGL；以及有助於將電洞注入到第二發光單元433中的p型電荷產生層p-CGL。
n型電荷產生層n-CGL可以由用於電子注入的鹼金屬、鹼金屬化合物、或有機材料或其化合物形成。例如，n型電荷產生層n-CGL可以由諸如摻雜有鋰（Li）或銫（Cs）的蒽衍生物的n型材料的混合層形成，但不限於此。
p型電荷產生層p-CGL可以由用作電洞注入層的材料的有機材料形成。例如，p型電荷產生層p-CGL可以由諸如HATCN或F4-TCNQ的p型材料的單層形成，但不限於此。
n型電荷產生層n-CGL和p型電荷產生層p-CGL可以沿著在堤部420的頂表面形成的不平坦部分設置。
在根據本發明一實施例的發光顯示裝置100中，由於發光元件層沿著在堤部420的頂部部分形成的突起或不平坦部分設置，所以電子移動到相鄰的子像素的距離增加，從而阻擋橫向漏電流。亦即，可以防止形成在發光元件層內部形成的電子在驅動期間移動到相鄰的像素。
此外，即使相鄰的子像素之間的距離減小，也可以阻擋橫向漏電流。具體而言，可以解決相鄰的子像素以低灰階發光的可視性缺陷，並提高色彩再現率。
第二發光單元433可以設置在電荷產生層432上。
第二發光單元433可以包含：第二電洞傳輸層HTL-2；第二發光層EML-2；第二電子傳輸層ETL-2；以及第二電子注入層EIL。
第二電洞傳輸層HTL-2可以設置在電荷產生層432上。第二電洞傳輸層HTL-2可以設置在p型電荷產生層p-CGL上。
第二電洞傳輸層HTL-2可以沿著在堤部420的頂表面形成的不平坦部分設置。
電洞注入層HIL可以進一步設置在p型電荷產生層p-CGL與第二電洞傳輸層HTL-2之間。
第二電洞傳輸層HTL-2可以用於促進電洞傳輸，並可以由選自由以下所組成的群組中的一種或多種形成：NPD（N,N-二萘基-N,N′-二苯基聯苯胺）、TPD（N,N′-雙-(3-甲基苯基)-N,N′-雙-(苯基)-聯苯胺）、s-TAD、及MTDATA（4,4′,4′′-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-胺基)-三苯胺），但不限於此。
第三子發光層EML-2A和第四子發光層EML-2B可以設置在第二電洞傳輸層HTL-2上。
第三子發光層EML-2A和第四子發光層EML-2B可以至少部分地與堤部420重疊，並可以在相鄰的子像素之間的區域處被分隔開。舉例來說，可以使用精細金屬遮罩（FMM）將第三子發光層EML-2A和第四子發光層EML-2B沉積在每個子像素上。
第三子發光層EML-2A可以與包含在第一發光單元431中的第一子發光層EML-1A重疊。第三子發光層EML-2A可以發出與包含在第一發光單元431中的第一子發光層EML-1A相同顏色的光。第三子發光層EML-2A可以發出與包含在第一發光單元431中的第一子發光層EML-1A相同波長的光。
第四子發光層EML-2B可以與包含在第一發光單元431中的第二子發光層EML-1B重疊。第四子發光層EML-2B可以發出與包含在第一發光單元431中的第二子發光層EML-1B相同顏色的光。第四子發光層EML-2B可以發出與包含在第一發光單元431中的第二子發光層EML-1B相同波長的光。
第三子發光層EML-2A和第四子發光層EML-2B可以包含各自發出不同顏色光的發光材料，並發出紅光、綠光和藍光中不同的光，並且，第三子發光層EML-2A和第四子發光層EML-2B的發光材料可以使用磷光材料或螢光材料形成。
例如，第三子發光層EML-2A可以發出紅光或綠光，而第四子發光層EML-2B可以發出藍光。
在一些實施方式中，當第三子發光層EML-2A發出紅光時，第三子發光層EML-2A可以由磷光材料形成，該磷光材料包括：含有CBP（咔唑聯苯）或mCP（1,3-雙(咔唑-9-基）的主體材料、以及含有選自由PIQIr(acac)（雙(1-苯基異喹啉)乙醯丙酮銥）、PQIr(acac)（雙(1-苯基喹啉)乙醯丙酮)銥）、PQIr（三(1-苯基喹啉)銥）、及PtOEP（八乙基卟啉鉑）所組成的群組中的一種或多種的摻雜劑、或含有PBD:Eu(DBM)3(Phen)或苝的螢光材料，但不限於此。
當第三子發光層EML-2A發出綠光時，第三子發光層EML-2A可以由磷光材料形成，該磷光材料包括：含有CBP或mCP的主體材料、以及諸如包含Ir(ppy)3（fac-三(2-苯基吡啶)銥）的Ir錯合物的摻雜劑材料、或包含Alq3（三(8-羥基喹啉)鋁）的螢光材料，但不限於此。
當第四子發光層EML-2B發出藍光時，第四子發光層EML-2B可以由磷光材料形成，該磷光材料包括含有CBP或mCP的主體材料、以及含有(4,6-F2ppy)2Irpic的摻雜劑材料。或者，第四子發光層EML-2B可以由螢光材料形成，該螢光材料包括選自由螺-DPVBi、螺-6P、二苯乙烯基苯（DSB）、二苯乙烯基亞芳基（DSA）、PFO基聚合物、及PPV基聚合物所組成的群組中的一種，但不限於此。
第三子發光層EML-2A和第四子發光層EML-2B可以進一步包含輔助發光層。例如，輔助發光層可以設置在第三子發光層EML-2A之下或之上。輔助發光層可以發出與第三子發光層EML-2A發出的光相同顏色或不同顏色的光。替代地，輔助發光層可以設置在第四子發光層EML-2B之下或之上。輔助發光層可以發出與第四子發光層EML-2B發出的光相同顏色或不同顏色的光。
第二電子傳輸層ETL-2可以設置在第三子發光層EML-2A、第四子發光層EML-2B和第二電洞傳輸層HTL-2上。
第二電子傳輸層ETL-2可以用於促進電子傳輸，並可以由選自由以下所組成的群組中的一種或多種形成：Alq3（三(8-羥基喹啉)鋁）、PBD（2-(4-聯苯基)-5-(4-三級丁基苯基)-1,3,4-㗁二唑）、TAZ、螺-PBD、BAlq、及SAlq，但不限於此。
電子注入層EIL可以設置在第二電子傳輸層ETL-2上。
電子注入層EIL可以用於促進電子注入，並可以由使用Alq3（三(8-羥基喹啉)鋁）、PBD（2-(4-聯苯基)-5-(4-三級丁基苯基)-1,3,4-㗁二唑）、TAZ、螺-PBD、BAlq或SAlq形成，但不限於此。
根據情況，包含在第一發光單元431和第二發光單元433中的組件可以形成為兩個或更多個的複數，或者可以被省略。
陰極440可以設置在第二發光單元433上。陰極440可以設置在電子注入層EIL上。
陰極440可以沿著在堤部420的頂表面形成的突起或不平坦部分設置。
陰極440可以向發光元件層供應電子，並可以由具有低功函數的導電材料製成。
當發光顯示裝置100是頂部發光型時，陰極440可以使用透射光的透明導電材料形成。例如，陰極440可以由氧化銦錫（ITO）和氧化銦鋅（IZO）中的至少一種形成，但不限於此。
此外，陰極440可以使用透射光的半透明導電材料形成。例如，陰極440可以由諸如LiF/Al、CsF/Al、Mg:Ag、Ca/Ag、Ca:Ag、LiF/Mg:Ag、LiF/Ca/Ag和LiF/Ca:Ag的合金中的至少一種形成，但不限於此。
當發光顯示裝置100是底部發光型時，陰極440可以使用不透明導電材料形成為反射光的反射電極。例如，陰極440可以由銀（Ag）、鋁（Al）、金（Au）、鉬（Mo）、鎢（W）、鉻（Cr）及其合金中的至少一種形成。
覆蓋層450可以設置在陰極440上。
覆蓋層450可以用於增加有機發光裝置100的光提取效果，並且覆蓋層450可以由構成發光元件層430的任何材料製成。覆蓋層450可以由兩層或更多層形成，或者可以被省略。
下文中，參照圖6描述本發明的一實施例。
除了封裝層500和觸控感測器層600之外，圖6中所示的發光顯示裝置100與圖4的顯示裝置基本相同，因此省略多餘說明。舉例來說，為了簡化，圖6未示出圖5的第一發光層EML-1和第二發光層EML-2。
圖6是示出根據本發明一實施例設置在基板上的封裝層和觸控感測器層的剖面圖。
封裝層500可以設置在陰極440或覆蓋層450上。封裝層500可以保護發光元件層430免受外部濕氣、氧氣或異物的影響。例如，可以防止氧氣和濕氣從外部滲透，以防止發光材料和電極材料的氧化。
封裝層500可以由透明材料製成，以透射從發光層發出的光。
封裝層500可以包含阻擋濕氣或氧氣滲透的第一封裝層510、第二封裝層520和第三封裝層530。第一封裝層510、第二封裝層520和第三封裝層530可以具有其等交錯堆疊的結構。
第一封裝層510和第三封裝層530可以由至少一種選自氮化矽（SiNx）、氧化矽（SiOx）和氧化鋁（AlyOz）的無機材料形成，但不限於此。第一封裝層510和第三封裝層530可以使用真空沉積方法諸如化學氣相沉積（CVD）或原子層沉積（ALD）形成，但不限於此。
第一封裝層510和第三封裝層530中的每一個可以由至少兩層或更多層形成。例如，第一封裝層510可以具有氧化矽（SiOx）/ 氮化矽（SiNx）/ 氧化矽（SiOx）的三層結構，但不限於此。例如，第三封裝層530可以具有氧化矽（SiOx）/ 氮化矽（SiNx）的雙層結構，但不限於此。
第二封裝層520可以覆蓋製造過程中可能出現的異物或顆粒。此外，第二封裝層520可以平坦化第一封裝層510的表面。例如，第二封裝層520可以是粒子被覆層，但不限於此。
第二封裝層520可以是有機材料，例如諸如碳氧化矽（SiOCz）環氧樹脂、聚醯亞胺、聚乙烯或丙烯酸酯的聚合物，但不限於此。
第二封裝層520可以由透過熱或光固化的熱固化或光固化材料製成。
觸控感測器層600可以設置在封裝層500上。
觸控感測器層600可以包含：第一觸控電極640_R；第一觸控連接電極620；第二觸控電極；以及第二觸控連接電極640_C。
第一觸控電極640_R、第一觸控連接電極620、第二觸控電極和第二觸控連接電極640_C的一部分可以設置以與堤部420、電源線PL或資料線DL重疊。
第一觸控電極640_R、第二觸控電極、第一觸控連接電極620和第二連接電極620_C可以形成為藉由交叉具有小線寬的金屬線而形成的網格圖案。網格圖案可以具有菱形形狀。或者，網格圖案的形狀可以是四邊形、五邊形、六邊形、圓形、橢圓形等，但不限於此。
第一觸控電極640_R、第二觸控電極、第一觸控連接電極620和第二觸控連接電極640_C可以使用具有低電阻的不透明導電材料形成。舉例來說，第一觸控電極640_R、第二觸控電極、第一觸控連接電極620和第二觸控連接電極640_C可以由鉬（Mo）、銅（Cu）、鈦（Ti）、鋁（Al）、鉻（Cr）、金（Au）、鎳（Ni）、釹（Nd）、鎢（W）、透明導電氧化物（TCO）、或其合金所製成的單層形成，或由上述材料中的至少兩種所製成的多層形成，但不限於此。
例如，第一觸控電極640_R、第二觸控電極、第一觸控連接電極620和第二觸控連接電極640_C由鈦（Ti）/ 鋁（Al）/ 鈦（Ti）的三層結構形成，但不限於此。
第一觸控電極640_R、第二觸控電極、第一觸控連接電極620和第二觸控連接電極640_C可以由與第一源極電極250、第一汲極電極270、第二源極電極350和第二汲極電極370相同的材料形成。
觸控緩衝層610可以設置在封裝層500上。觸控緩衝層610可以阻止在觸控感測器層600的製造過程中使用的化學溶液（例如顯影劑、蝕刻劑等）或濕氣從外部滲透到包含有機材料的發光元件層430中。此外，觸控緩衝層610可以防止設置在觸控緩衝層610上的複數個觸控感測器金屬由於外部衝擊而斷開的問題，並可以阻擋在觸控感測器層600的驅動期間可能出現的干擾信號。
觸控緩衝層610可以形成為由氧化矽（SiOx）和氮化矽（SiNx）中的一種或多種製成的單層或多層，但不限於此。或者，觸控緩衝層610可以由諸如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂或聚醯亞胺樹脂的有機材料形成。
第一觸控連接電極620可以設置在觸控緩衝層610上。
例如，第一觸控連接電極620可以設置在於第一方向（或X軸方向）上相鄰的第一觸控電極640_R之間。第一觸控連接電極620可以與在第一方向（或X軸方向）上相鄰設置並間隔開的複數個第一觸控電極640_R電性連接，但不限於此。
第一觸控連接電極620可以設置以與使在第二方向（或Y軸方向）上彼此相鄰的第二觸控電極連接的第二觸控連接電極640_C重疊。由於第一觸控連接電極620和第二觸控連接電極640_C形成在不同的層上，因此他們可以彼此電性絕緣。
觸控絕緣層630可以設置在觸控緩衝層610和第一觸控連接電極620上。
觸控絕緣層630可以包含用於使第一觸控電極640_R與第一觸控連接電極620電性連接的孔。
觸控絕緣層630可以使第二觸控電極與第二觸控連接電極640_C電性絕緣。
觸控絕緣層630可以由單層或多層的氮化矽（SiNx）及/或氧化矽（SiOx）形成，但不限於此。
第一觸控電極640_R、第二觸控電極和第二觸控連接電極640_C可以設置在觸控絕緣層630上。
第一觸控電極640_R和第二觸控電極可以彼此間隔開預定間隔。在第一方向（或X軸方向）上相鄰的至少一個或多個第一觸控電極640_R可以彼此間隔開。在第一方向（或X軸方向）上相鄰的至少一個第一觸控電極640_R可以連接到設置在複數個第一觸控電極640_R之間的第一觸控連接電極620。舉例來說，該複數個相鄰的第一觸控電極640_R可以通過觸控絕緣層630中的孔連接到第一觸控連接電極620。
在第二方向（或Y軸方向）上相鄰的第二觸控電極可以透過第二觸控連接電極640_C連接。第二觸控電極和第二觸控連接電極640_C可以形成在同一層上。舉例來說，第二觸控連接電極640_C可以設置在與第二觸控電極相同的層上，並且位於複數個第二觸控電極之間。第二觸控連接電極640_C可以形成以從第二觸控電極延伸。
第一觸控電極640_R、第二觸控電極和第二觸控連接電極640_C可以透過相同的製程形成。
觸控平坦化層650可以設置在第一觸控電極640_R、第二觸控電極和第二觸控連接電極640_C上。
觸控驅動電路可以從第一觸控電極640_R接收觸控感測信號。此外，觸控驅動電路可以向第二觸控電極傳遞觸控驅動信號。觸控驅動電路可以藉由使用複數個第一觸控電極640_R與複數個第二觸控電極之間的互電容來偵測使用者的觸控。舉例來說，當在發光顯示裝置100上執行觸控操作時，第一觸控電極640_R與第二觸控電極之間可能發生電容變化。觸控驅動電路可以藉由偵測電容變化來偵測觸控座標。
下文中，參照圖7描述本發明的一實施例。
圖7是示出根據本發明一實施例設置在基板上的濾色器層的剖面圖。
除了濾色器層700之外，圖7中所示的發光顯示裝置100與圖6的顯示裝置基本相同，因此省略多餘說明。
濾色器層700可以設置在觸控感測器層600上。
當發光顯示裝置100是頂部發光型時，從發光層發出的光通過濾色器730朝上基板傳播並顯示影像。濾色器層700可以藉由在每個子像素中設置與每個子像素的發光層發出的光的顏色相同的顏色來為顯示裝置提供改善的色純度。此外，藉由將濾色器層700設置為與第二基板相鄰，可以減少外部光的反射以提高光效率。另外，由於不使用偏光板，因此可以降低成本。
濾色器緩衝層710可以設置在觸控平坦化層650上。
濾色器緩衝層710可以阻止在濾色器層700的製造過程中使用的化學溶液（例如顯影劑、蝕刻溶液等）或濕氣從外部滲透到包含有機材料的發光元件層430中。
黑色矩陣720可以設置在濾色器緩衝層710上。
黑色矩陣720是黑色絕緣層並可以設置在各濾色器730之間，以防止相鄰的濾色器730之間的混色。此外，黑色矩陣720可以防止在發光顯示裝置100的外部觀看到組件。
黑色矩陣720可以與堤部420重疊。黑色矩陣720的寬度可以小於堤部420的寬度。
濾色器730可以設置在黑色矩陣720上。
濾色器730可以包含：第一濾色器730-A；以及第二濾色器730-B。第一濾色器730-A和第二濾色器730-B可以沉積在對應的子像素SP上。
第一濾色器730-A和第二濾色器730-B可以形成為在相鄰的子像素SP之間彼此間隔開。例如，第一濾色器730-A和第二濾色器730-B可以沉積在對應的子像素SP上。第一濾色器730-A和第二濾色器730-B的至少一部分可以設置在黑色矩陣720上，並且，第一濾色器730-A與第二濾色器730-B之間的分隔區域可以形成在黑色矩陣720上。
第一濾色器730-A和第二濾色器730-B可以具有不同的顏色。第一濾色器730-A和第二濾色器730-B可以由紅色、綠色和藍色染料或顏料中的不同染料或顏料形成。
第一濾色器730-A可以具有與從第一子發光層EML-1A或第三子發光層EML-2A發出的光相同的顏色，而第二濾色器730-B可以具有與從第二子發光層EML-1B或第四子發光層EML-2B發出的光相同的顏色。例如，第一濾色器730-A可以發出紅光或綠光，而第二濾色器730-B可以發出藍光。
或者，第一濾色器730-A可以具有與從第一子發光層EML-1A或第三子發光層EML-2A發出的光的顏色不同的顏色，而第二濾色器730-B可以具有與從第二子發光層EML-1B或第四子發光層EML-2B發出的光的顏色不同的顏色。
第一濾色器730-A和第二濾色器730-B可以至少部分地與黑色矩陣720重疊。第一濾色器730-A和第二濾色器730-B可以設置以覆蓋黑色矩陣720的至少一部分。
第一濾色器730-A和第二濾色器730-B可以與堤部420的至少一部分重疊。
第一濾色器730-A和第二濾色器730-B的至少一部分的厚度可以大於黑色矩陣720的厚度。
外覆層740可以設置在濾色器730和黑色矩陣720上。
外覆層740可以設置為覆蓋濾色器7以30和黑色矩陣720。
外覆層740可以由有機絕緣材料諸如苯環丁烯（BCB）、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂和聚醯亞胺樹脂中的至少一種或多種形成，但不限於此。
黏著層800可以設置在其上設置有觸控感測器層600或濾色器層700的基板900上。例如，黏著層800可以將觸控感測器層600或濾色器層700黏合（或附接）到第二基板900。
黏著層800可以由黏著劑材料製成。例如，黏著層800可以由OCA（光學膠）、PSA（壓敏膠）等製成，但不限於此。
第二基板900可以設置在黏著層800上。第二基板900可以由玻璃或具有可撓性的塑膠材料製成。
例如，第二基板900可以由聚醯亞胺（PI）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚醚碸和聚碳酸酯中的至少一種形成，但不限於此。
儘管在本發明的圖式中未示出，但可以進一步包括包含量子點（QD）的層。
在根據本發明實施例的發光顯示裝置中，藉由設置包含至少一個突起的堤部，可以阻擋隨著相鄰的子像素之間的距離減小而增加的橫向漏電流。
在根據本發明實施例的發光顯示裝置中，藉由沿著在堤部的頂表面形成的不平坦部分設置發光元件層，來增加了電子移動到相鄰的子像素的距離，從而可以防止在發光元件層內部形成的電子在驅動期間移動到相鄰的子像素。
在根據本發明實施例的發光顯示裝置中，可以解決相鄰的像素以低灰階發光的可視性缺陷，並可以提高色彩再現率。
本發明的效果不限於上述效果，所屬技術領域中具有通常知識者從上述描述中將清楚地理解未提及的其他效果。
根據本發明一實施例的顯示裝置可以描述如下。
根據本發明一實施例的發光顯示裝置可以包括：基板，包含發光部分及發光部分之間的非發光部分；第一子像素和第二子像素，設置在發光部分；第一電極，分別設置在第一子像素和第二子像素，並設置在基板上；堤部，設置在第一電極上並設置在非發光部分，且包含至少一個在堤部的上表面上突出的突起；發光元件層，設置在發光部分的第一電極和非發光部分以及堤部上，並包含複數個發光單元以及位於該複數個發光單元之間的電荷產生層；以及第二電極，其設置在發光元件層上。
根據本發明的一實施例，堤部設置有突起的區域的厚度大於堤部的其他區域的厚度。
根據本發明的一實施例，堤部的頂表面可以具有不平坦部分。
根據本發明的一實施例，發光元件層可以沿著堤部的頂表面的不平坦部分設置。
根據本發明的一實施例，第一子像素和第二子像素的驅動電壓可以彼此不同。
根據本發明的一實施例，可以進一步包含第三子像素，並且相鄰的子像素之間的距離中的至少兩個距離可以彼此不同。
根據本發明的一實施例，第一子像素至第三子像素之中具有最大驅動電壓的子像素與另一子像素之間的距離小於其他子像素之間的距離。
根據本發明的一實施例，電荷產生層可以包含第一電荷產生層和第二電荷產生層。
根據本發明的一實施例，第一電荷產生層可以包含鋰（Li）、鈉（Na）、鉀（K）或銫（Cs）的鹼金屬以及鎂（Mg）、鍶（Sr）、鋇（Ba）或鐳（Ra）的鹼土金屬中的一種或多種。
根據本發明的一實施例，第一電荷產生層可以包含N型摻雜劑，而第二電荷產生層可以包含P型摻雜劑。
根據本發明的一實施例，複數個發光單元可以包含各自的發光層。
根據本發明的一實施例，包含在複數個發光單元中的發光層的至少一個可以發出藍光。
根據本發明的一實施例，複數個發光單元可以包含至少三個發光單元，並且，該至少三個發光單元發出相同顏色的光。
根據本發明的一實施例，該至少三個發光單元可以發出藍光。
根據本發明的一實施例，發光層可以設置在第一子像素和第二子像素的每一個中，並且彼此間隔開。
根據本發明的一實施例，設置在第一子像素和第二子像素的每一個中的發光層可以在相同的子像素中發出相同顏色的光。
根據本發明的一實施例，可以進一步包含設置在堤部下方的資料線和電源線。
根據本發明的一實施例，資料線和電源線可以與堤部的突起重疊。
根據本發明的一實施例，可以進一步包含第二電極上的封裝層和設置在封裝層上的觸控感測器層。
根據本發明的一實施例，可以進一步包含設置在觸控感測器層上的濾色器層。
根據本發明的一實施例，濾色器層可以包含黑色矩陣和設置在黑色矩陣上的濾色器。
根據本發明的一實施例，濾色器的厚度可以大於黑色矩陣的厚度。
根據本發明的一實施例，黑色矩陣可以與堤部重疊。
根據本發明的一實施例，堤部的寬度可以大於黑色矩陣的寬度。
根據本發明的實施例，濾色器可以包含設置在第一子像素上的第一濾色器和設置在第二子像素上的第二濾色器，並且，第一濾色器和第二濾色器可以在黑色矩陣上彼此間隔開。
儘管上文參照所附圖式更詳細地描述了本發明的實施例，但是本發明不一定限於這些實施例，並可以在不脫離本發明的技術思想的情況下進行各種修改和實施。因此，揭露在本發明中的實施例並非旨在限制本發明的技術思想，而是為了說明本發明的技術思想，並且，本發明的技術思想的範圍不限於這些實施例。因此，應該了解上述實施例在所有方面上皆為說明性，而非限制性。本發明的保護範圍可以根據申請專利範圍的範圍來解釋，並且，在其均等範圍內的所有技術思想應當被解釋為包含在本發明的範圍內。
上述各種實施例可以被組合以提供進一步的實施例。本說明書中提到的及/或申請資料表中列出的所有美國專利、美國專利公開案、美國專利申請案、外國專利、外國專利申請案和非專利出版物，其全部內容作為參考文獻完整地併入本文中。如有需要，則可以對實施例的各方面進行修改，以採用各種專利、申請案和出版物的概念來提供進一步的實施例。
根據上文的詳細描述，可以對實施例進行這些和其他改變。一般而言，在所附申請專利範圍中，所使用的術語不應被解釋為將申請專利範圍限制於說明書和申請專利範圍中揭示的具體實施例，而應被解釋為包含所有可能的實施例以及此類申請專利範圍主張的均等物的完整範圍。因此，申請專利範圍不受本公開內容的限制。
本申請主張於2022年7月29日在大韓民國提交的韓國專利申請第10-2022-0094561號的優先權權益，如在本文中所充分闡述地將其全部內容透過引用完整地併入本文中。
100:發光顯示裝置 110:基板 112:閘極驅動器 114:接墊部分 120:緩衝層 130:第一絕緣層 140:第二絕緣層 150:鈍化層 160:平坦化層 200:第一薄膜電晶體 210:第一半導體圖案 230:第一閘極電極 250:第一源極電極 270:第一汲極電極 300:第二薄膜電晶體 310:第二半導體圖案 330:第二閘極電極 350:第二源極電極 370:第二汲極電極 410-A:第一陽極 410-B:第二陽極 420:堤部 420p:突起 420nea:兩個相鄰的子像素之間的部分 430:發光元件層 431:第一發光單元 432:電荷產生層 433:第二發光單元 440:陰極 450:覆蓋層 500:封裝層 510:第一封裝層 520:第二封裝層 530:第三封裝層 600:觸控感測器層 610:觸控緩衝層 620:第一觸控連接電極 630:觸控絕緣層 640_R:第一觸控電極 640_C:第二觸控連接電極 650:觸控平坦化層 700:濾色器層 710:濾色器緩衝層 720:黑色矩陣 730:濾色器 730-A:第一濾色器 730-B:第二濾色器 740:外覆層 800:黏著層 900:第二基板 AA:主動區域 BA:彎折區域 Cst:儲存電容器 Cx:感測電容器 DAM:壩部 DT:驅動薄膜電晶體 D:發光元件 DL:資料線 EA:發光部分 EML-1:第一發光層 EML-1A:第一子發光層 EML-1B:第二子發光層 EML-2:第二發光層 EML-2A:第三子發光層 EML-2B:第四子發光層 EIL:電子注入層、第二電子注入層 ESD:靜電放電電路部分 ETL-1:第一電子傳輸層 ETL-2:第二電子傳輸層 EVSS:低電位驅動電壓 EVDD:高電位驅動電壓 GL:閘極線 Id:電流 HIL:電洞注入層 HTL-1:第一電洞傳輸層 HTL-2:第二電洞傳輸層 N1:第一節點 N2:第二節點 NA:非主動區域 NEA:非發光部分 n-CGL:n型電荷產生層 p-CGL:p型電荷產生層 P:像素 PL:電源線 PCD:面板裂紋檢測器 MUX:多工器 SCAN:閘極信號 SP:子像素 SP_1:第一子像素 SP_2:第二子像素 SP_3:第三子像素 SEN:感測信號 SRL:感測電壓讀出線 SL:感測線 ST1:第一開關薄膜電晶體 ST2:第二開關薄膜電晶體 T1:第一厚度 T2:第二厚度 VDD:高電位電壓線 VSS:低電位電壓線 Vdata:資料電壓 W1,W2:寬度
所附圖式提供對本發明的進一步理解並併入本說明書中且構成本說明書的一部分，所附圖式示出了本發明的實施例並與說明書一起用於解釋本發明的原理。在所附圖式中： 圖1是根據本發明一實施例的發光顯示裝置的平面圖； 圖2是根據本發明一實施例的發光顯示裝置的子像素的電路圖； 圖3A至圖3C是示出根據本發明一實施例的發光顯示裝置的子像素的佈置的視圖； 圖4是根據本發明一實施例的發光顯示裝置的剖面圖； 圖5是圖4的發光元件層的放大剖面圖； 圖6是示出根據本發明一實施例設置在基板上的封裝層和觸控感測器層的剖面圖；以及 圖7是示出根據本發明一實施例設置在基板上的濾色器層的剖面圖。
410-A:第一陽極
410-B:第二陽極
420:堤部
431:第一發光單元
432:電荷產生層
433:第二發光單元
440:陰極
450:覆蓋層
EA:發光部分
EML-1:第一發光層
EML-1A:第一子發光層
EML-1B:第二子發光層
EML-2:第二發光層
EML-2A:第三子發光層
EML-2B:第四子發光層
EIL:電子注入層、第二電子注入層
ETL-1:第一電子傳輸層
ETL-2:第二電子傳輸層
HIL:電洞注入層
HTL-1:第一電洞傳輸層
HTL-2:第二電洞傳輸層
NEA:非發光部分
n-CGL:n型電荷產生層
p-CGL:p型電荷產生層
T1:第一厚度
T2:第二厚度

Claims (20)

  1. 一種發光顯示裝置，包括： 一基板，包含多個發光部分及該些發光部分之間的一非發光部分； 一第一子像素和一第二子像素，設置在該些發光部分中； 多個第一電極，分別設置在該第一子像素和該第二子像素，並設置在該基板上； 一堤部，設置在該些第一電極上並設置在該非發光部分上，且包含至少一個在該堤部的一上表面上向上突出的突起； 一發光元件層，設置在該些發光部分的該些第一電極上以及該堤部上，並包含複數個發光單元以及位於該複數個發光單元中兩個相鄰的發光單元之間的一電荷產生層；以及 一第二電極，設置在該發光元件層上。
  2. 如請求項1所述之發光顯示裝置，其中，該堤部設置該突起所在的一第一區域的第一厚度大於該堤部相鄰於該第一區域的一第二區域的第二厚度。
  3. 如請求項1所述之發光顯示裝置，其中，該堤部的一頂表面具有一不平坦部分。
  4. 如請求項3所述之發光顯示裝置，其中，該發光元件層沿著該堤部的該頂表面的該不平坦部分設置。
  5. 如請求項1所述之發光顯示裝置，其中，該第一子像素和該第二子像素配置以具有彼此不同的驅動電壓。
  6. 如請求項1所述之發光顯示裝置，進一步包括一第三子像素，其中，該第一子像素、該第二子像素和該第三子像素中相鄰的子像素之間的距離的至少兩個距離彼此不同。
  7. 如請求項6所述之發光顯示裝置，其中，在該第一子像素、該第二子像素和該第三子像素之中，配置以具有最大驅動電壓的一子像素與另一子像素之間的距離小於其他子像素之間的距離。
  8. 如請求項1所述之發光顯示裝置，其中，該電荷產生層包含：一第一電荷產生層、以及一第二電荷產生層。
  9. 如請求項8所述之發光顯示裝置，其中，該第一電荷產生層包含鋰（Li）、鈉（Na）、鉀（K）或銫（Cs）的鹼金屬以及鎂（Mg）、鍶（Sr）、鋇（Ba）或鐳（Ra）的鹼土金屬中的一種或多種。
  10. 如請求項8所述之發光顯示裝置，其中，該第一電荷產生層包含一N型摻雜劑，而該第二電荷產生層包含一P型摻雜劑。
  11. 如請求項1所述之發光顯示裝置，其中，該複數個發光單元包含各自的發光層。
  12. 如請求項11所述之發光顯示裝置，其中，包含在該複數個發光單元中的該些發光層的至少一個發出藍光。
  13. 如請求項11所述之發光顯示裝置，其中，該複數個發光單元包含至少三個發光單元，以及 其中，該至少三個發光單元發出相同顏色的光。
  14. 如請求項13所述之發光顯示裝置，其中，該至少三個發光單元發出藍光。
  15. 如請求項11所述之發光顯示裝置，其中，該些發光層設置在該第一子像素和該第二子像素的每一個中，並且彼此間隔開。
  16. 如請求項15所述之發光顯示裝置，其中，該些發光層設置在該第一子像素和該第二子像素的每一個中，並且在相同的子像素中發出相同顏色的光。
  17. 如請求項1所述之發光顯示裝置，進一步包括設置在該非發光部分中的一資料線和一電源線，其中，該資料線和該電源線各自與該堤部的該突起重疊。
  18. 如請求項1所述之發光顯示裝置，還包括設置在一觸控感測器層上的一濾色器層，該濾色器層包含一黑色矩陣和設置在該黑色矩陣上的一濾色器，其中，該濾色器的厚度大於該黑色矩陣的厚度。
  19. 一種發光顯示裝置，包括： 一基板，包含多個發光部分及該些發光部分之間的一非發光部分； 複數個子像素，位於該些發光部分； 多個第一電極，分別設置在該複數個子像素，並設置在該基板上； 一堤部，設置在該些第一電極上並位於相鄰的子像素之間； 一發光元件層，設置在該些發光部分的該些第一電極上以及該堤部上，並包含複數個發光單元以及位於該複數個發光單元中的兩個相鄰的發光單元之間的一電荷產生層；以及 一第二電極，設置在該發光元件層上， 其中，電子移動所通過的一電子傳輸路徑形成在該些相鄰的子像素之間的該發光元件層中，以及 其中，該電子傳輸路徑的長度大於該些相鄰的子像素之間的距離。
  20. 一種發光顯示裝置，包括： 一基板，包含多個發光部分及該些發光部分之間的一非發光部分； 複數個子像素，設置在該些發光部分，該複數個子像素中的每一個包含一第一電極， 一堤部，設置在該些第一電極上並設置在該非發光部分，且該堤部在相鄰的兩個子像素之間的部分中具有不同的高度； 一發光元件層，設置在該堤部之具有不同高度的該部分上；以及 一第二電極，設置在該發光元件層上。
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