CN117479660A - 发光显示设备 - Google Patents

发光显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN117479660A
CN117479660A CN202310905102.7A CN202310905102A CN117479660A CN 117479660 A CN117479660 A CN 117479660A CN 202310905102 A CN202310905102 A CN 202310905102A CN 117479660 A CN117479660 A CN 117479660A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
display device
protrusion
emitting display
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310905102.7A
Other languages
English (en)
Inventor
申铉勋
李元熙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN117479660A publication Critical patent/CN117479660A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本公开涉及发光显示设备。一种发光显示设备包括：基板，该基板包括发光区域和位于发光区域之间的非发光区域；多个子像素，多个子像素设置在发光区域中；第一电极，该第一电极设置在多个子像素中的每一个中；堤部，该堤部设置在第一电极上和非发光区域中；间隔件，该间隔件设置在堤部上；以及至少一个突出部，至少一个突出部设置在间隔件与发光区域之间，其中，多个子像素围绕间隔件，并且其中，发出相同颜色光的至少一对子像素相对于间隔件对称地设置。

Description

发光显示设备
技术领域
本公开涉及一种发光显示设备，具体地，涉及一种能够防止或至少减少由于异物或颗粒导致的离子穿透而损坏发光元件层的发光显示设备。更具体地，本公开涉及一种发光显示设备，其能够防止或至少减少由于发光元件层的劣化而导致的黑点缺陷，并且具有通过增加离子移动距离而获得的提高的可靠性。
背景技术
最近的显示装置需要各种尺寸、各种形状和各种功能来使得能够显示各种类型的信息并与观看对应信息的用户进行交互。
这样的显示装置包括液晶显示器(LCD)装置、电泳显示器(EPD)装置和发光二极管显示器(LED)设备。
发光显示设备是自发光显示设备，并且不需要单独的光源。因此，发光显示设备可以制造为轻质且薄的。另外，由于发光显示设备在功耗、色彩再现性、响应速度、视角和对比度(CR)方面是有利的，因此将发光显示设备作为下一代显示器进行研究。
尽管将在发光显示设备是有机发光显示设备的假设下进行描述，但是发光元件层的类型不限于此。
发光显示设备通过从包括具有发光层的发光元件层的多个像素发出光来在屏幕上显示信息。根据驱动像素的方法，发光显示设备可以分为有源矩阵型发光显示设备和无源矩阵型发光显示设备。
有源矩阵型发光显示设备通过使用薄膜晶体管(TFT)控制流过发光二极管的电流来显示图像。
发光显示设备包括阳极电极、发光元件层和阴极电极。当分别向阳极电极和阴极电极施加电压时，来自阳极电极的空穴和来自阴极电极的电子移动至发光层。当空穴和电子在发光层中结合时，在激发过程中形成激子，并且由于来自激子的能量而产生光。
在发光元件层的后续过程中，可能在包括在发光显示设备中的发光元件层中产生异物或颗粒，使得存在于发光显示设备中的离子可能穿透到发光元件层中。因此，发光元件层可能劣化。特别地，上述问题在高温条件下是显著的。为了提供高度可靠的发光显示设备，已经进行了各种研究以阻挡离子穿透进入发光元件层的移动路径，但是阻挡离子的移动路径的解决方案仍然不足。因此，需要用于阻挡离子的移动路径的新的解决方案。
发明内容
本公开涉及一种发光显示设备，其基本上消除了与现有技术的限制和缺点相关联的问题中的一个或更多个问题。
更具体地，本公开提供了一种能够防止或至少减少离子的穿透的发光显示设备。
本公开的附加特征和优点在下面的描述中阐述，并且将从描述中显而易见，或者通过实践本公开显而易见。通过本文所述的特征以及附图中描述的特征来实现和获得本公开的其它优点。
为了实现根据本公开的各方面的目的的这些优点和其它优点，如本文所述，本公开的一个实施方式是一种发光显示设备，所述发光显示设备包括：基板，基板包括多个发光区域和位于多个发光区域之间的非发光区域；多个子像素，所多个子像素在发光区域中；第一电极，第一电极设置在多个子像素中的子像素中；堤部，堤部设置在所述第一电极上，堤部在非发光区域中；以及间隔件，间隔件在非发光区域中的堤部上；以及至少一个突出部，至少一个突出部在间隔件与多个发光区域之间。多个子像素围绕间隔件，并且多个子像素中的发出相同颜色光的至少一对子像素相对于间隔件对称地设置。
在一个实施方式中，发光显示设备包括基板。基板包括多个发光区域和位于多个发光区域之间的非发光区域。发光显示设备还包括非发光区域中的间隔件；以及在非发光区域中从基板突出的一个或更多个突出部。在发光显示设备的平面图中一个或更多个突出部围绕间隔件。发光显示设备还包括发光区域中的多个子像素。在平面图中，多个子像素围绕间隔件和一个或更多个突出部。
在一个实施方式中，发光显示设备包括包含多个发光区域和位于多个发光区域之间的非发光区域的基板以及发光区域中的发光元件。发光元件包括第一电极，第一电极上的发光层和第二电极。发光层被配置为发出光。发光显示设备还包括连接到发光元件的第一电极的晶体管以及在非发光区域中并且在第一电极的延伸到非发光区域的部分上的堤部。堤部包括具有第一高度的第一突出部和具有小于第一高度的第二高度的一个或更多个第二突出部。一个或更多个第二突出部位于第一突出部和发光区域之间。
应理解，以上一般描述和以下具体描述是示例性和说明性的，并且旨在进一步解释要求保护的本公开。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的进一步理解并且被并入并且构成本说明书的一部分，附图例示了本公开的几个方面，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。
在附图中：
图1是根据本公开的一个实施方式的发光显示设备的示意性平面图；
图2是示出根据本公开的一个实施方式的发光显示设备中的间隔件和子像素的布置的图；
图3是根据本公开的一个实施方式的发光显示设备的示意性截面图；
图4是根据本公开的一个实施方式的图3所示的发光元件层的放大平面图；以及
图5是根据本公开的另一实施方式的发光显示设备的示意性截面图。
具体实施方式
参照以下结合附图详细描述的各方面，本公开的优点和特征以及实现它们的方法将是显而易见的。然而，本公开不限于以下公开的各方面，而是可以以多种不同的形式实现，并且仅这些方面允许完成本公开的公开内容。提供本公开以将本公开的范围完全告知本公开所属领域的技术人员。
附图中公开的用于解释本公开的各方面的形状、大小、比例、角度、数字等是例示性的，并且本公开不限于所例示的事项。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。另外，在描述本公开时，如果确定相关的已知技术的详细描述不必要地使本公开的主题模糊，则可以省略其详细描述。当在本说明书中使用“包括”、“具有”、“包含”等时，除非使用了“仅”，否则可以添加其它部件。当以单数形式表达组件时，除非描述了明确陈述，否则也包括包含复数的情况。
在构造元件时，尽管没有误差或公差范围的明确描述，元件也被解释为包括误差或公差范围。
在描述位置关系时，例如，当两个部件之间的位置关系被描述为例如“在……之上”、“在……上方”、“在……下方”和“与……邻近”时，除非使用诸如“恰好”或“直接”的更限制性的用语，否则一个或更多个其它部件可以设置在该两个部件之间。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为例如“之后”、“后续”、“下一”和“之前”时，除非使用诸如“恰好”、“立即”或“直接”的更限制性的术语，否则可以包括不连续的情况。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以用于描述各种元件，但是这些元件不应受到这些用语的限制。这些用语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不偏离本公开的范围的情况下，第一元件可以称为第二元件，并且类似地，第二元件可以称为第一元件。
用语“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(a)”、“(b)”等可以用于描述元件。
这些用语仅用于将元件与另一元件区分开，并且对应元件的性质、顺序、次序或数量不受用语的限制。当元件被描述为“连接”、“组合”或“联接”至另一元件时，除非另有明确说明，否则该元件不仅可以直接连接、组合或联接至另一元件，还可以利用“插置”于其间的其它元件间接地连接、组合或联接至另一元件。
“至少一个”应理解为包括关联元件中的一个或更多个关联元件的所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一者”不仅表示第一元件、第二元件或第三元件中的一个元件，还包括第一元件、第二元件和第三元件中的两个或更多个元件中的所有元件的组合。
在本公开中，“设备”可以包括诸如包括显示面板和用于驱动显示面板的驱动单元的有机发光模块(OLED模块)和液晶模块(LCM)的显示装置。另外，“设备”可以包括具有LCM模块和OLED模块的完整的产品或最终产品(例如，笔记本计算机、电视、计算机监视器、装备设备(例如，汽车设备或其它形式的交通工具)、移动电子设备(例如，智能电话或电子平板))。这些最终产品可以称为成套装置或成套设备。
因此，本公开中的设备可以包括诸如LCM、OLED模块等的狭义的显示装置，以及作为包括LCM、OLED模块等的应用产品或终端用户装置的成套装置。
在一些情况下，包括显示面板和驱动单元的LCM和OLED模块可以称为狭义的“显示装置”，并且作为包括LCM和OLED模块的最终产品的电子设备可以称为“成套装置”。例如，狭义的显示装置可以包括显示面板和作为用于驱动显示面板的控制单元的源PCB，并且成套装置还可以包括成套PCB作为连接至源PCB并控制整个成套装置的成套控制单元。
本公开所使用的显示面板包括所有类型的显示面板(例如，液晶显示面板、有机发光二极管(OLED)显示面板、电致发光显示面板等)。然而，本公开的各方面不限于此。
例如，根据本公开的一个实施方式，显示面板可以是能够通过由振动装置振动来产生声音的显示面板。根据本公开的一方面的应用于显示装置的显示面板不限于显示面板的形状或大小。
本领域技术人员可以充分理解，本公开的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此联接或组合，并且可以彼此多样地互操作并且在技术上驱动。本公开的各方面可以彼此独立地实现，或者可以按照相互依赖的关系一起实现。
为了便于解释，附图中所示的元件的比例与实际元件的比例不同，因此它们不限于附图中所示的比例。
现在将详细参照在附图中例示的一些示例和各个方面。
图1是根据本公开的一方面的发光显示设备的示意性平面图。
参照图1，本公开的发光显示设备100可以包括用于生成各种信号或驱动显示区域AA中的多个子像素SP的各种附加元件。例如，用于控制显示面板的一个或更多个驱动电路可以包括在发光显示设备100中。用于控制(或驱动)子像素SP_1、SP_2和SP_3的驱动电路可以包括选通驱动器、数据信号线、复用器(MUX)、静电放电(ESD)电路、高电位电压线(VDD)、低电位电压线(VSS)、反相器电路等。发光显示设备100还可以包括除了用于驱动子像素SP的功能之外的附加元件。例如，发光显示设备100可以包括提供触摸感测功能、用户认证功能(例如，指纹识别)、多级压力感测功能和触觉反馈功能的附加元件。上述附加元件可以位于非显示区域NA中或连接至连接接口的外部电路。
基板110可以包括显示区域AA和非显示区域NA。多个像素P布置在基板110的显示区域AA中，使得显示区域AA可以是图像显示区域。基板110的非显示区域NA可以是非图像显示区域。例如，非显示区域NA可以是边框区域(bezel area)，但不限于此。非显示区域NA可以与显示区域AA相邻，并且可以设置在显示区域AA之外的外侧。非显示区域NA可以设置为围绕显示区域AA的全部或一部分。也就是说，非显示区域NA可以设置为完全或部分地围绕显示区域AA。此外，非显示区域NA可以是不存在子像素SP_1、SP_2和SP_3的区域，但不限于此。
显示区域AA中的像素P可以包括多个子像素SP_1、SP_2和SP_3。子像素SP_1、SP_2和SP_3中的每一个是用于发光的单元。多个子像素SP_1、SP_2和SP_3可以是红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。像素P还可以包括白色子像素。然而，像素P中的子像素的数量和子像素的颜色不限于此。
子像素SP_1、SP_2和SP_3中的每一个包括有机发光二极管和驱动电路。例如，用于显示图像的显示元件和用于驱动(或控制)显示元件的驱动电路可以设置在子像素SP_1、SP_2和SP_3中的每一个中。
子像素SP_1、SP_2和SP_3中的每一个可以包括多个晶体管、一个或更多个电容器和多条线路。例如，子像素SP_1、SP_2和SP_3中的每一个可以包括两个晶体管和一个电容器，并且该子像素结构可以称为“2T1C”结构。子像素SP_1、SP_2和SP_3中的每一个可以具有“3T1C”、“4T1C”、“5T1C”、“6T1C”、“7T1C”、“3T2C”、“4T2C”、“5T2C”、“6T2C”、“7T2C”、“8T2C”等的结构。
用于驱动显示区域AA中的子像素SP_1、SP_2和SP_3的各种线路、驱动电路等设置在非显示区域NA中。例如，各种IC和诸如选通驱动器或数据驱动器的驱动电路可以设置在非显示区域NA中。
在图1中，非显示区域NA围绕具有矩形形状的显示区域AA。然而，显示区域AA的形状和与显示区域AA相邻的非显示区域NA的形状或布置不限于图1所示的形状或布置。显示区域AA和非显示区域NA可以具有适合于安装有发光显示设备100的电子设备的设计的形状。在用户的可穿戴设备的显示设备的情况下，显示区域AA和非显示区域NA可以具有如普通腕表的圆形形状，并且本公开的实施方式的概念也可以应用于适用于车辆仪表板的自由形式显示设备。显示区域AA的示例性形状可以是五边形、六边形、八边形、圆形或椭圆形，但不限于此。
非显示区域NA的一部分可以包括弯曲区域BA。弯曲区域BA可以位于显示区域AA与非显示区域NA中的焊盘部114之间。弯曲区域BA可以是形成连接线路的区域。
弯曲区域BA可以是基板110的一部分被弯曲以在基板110的后侧上设置焊盘部114和接合至焊盘部114的外部模块的区域。例如，当弯曲区域BA朝向基板110的后侧弯曲时，接合至基板110的焊盘部114的外部模块朝向基板110的后表面移动，使得当从顶部观察时外部模块可以不被识别到。
另外，当弯曲区域BA弯曲时，从基板110上方观察的非显示区域NA的大小被减小，使得实现窄边框。在本公开中，例示了弯曲区域BA存在于非显示区域NA中，但不限于此。例如，弯曲区域BA可以位于显示区域AA中。由于显示区域AA能够沿不同方向弯曲，因此，位于显示区域AA中的弯曲区域BA能够提供本公开的效果。
焊盘部114设置在非显示区域NA中。焊盘部114是金属图案，外部模块(例如，柔性印刷电路板(FPCB)或薄膜上芯片(COF))接合至该金属图案。焊盘部114被示出为设置在基板110的一侧，但是焊盘部114的形状或布置不限于此。
用于向TFT提供选通信号的选通驱动器112可以设置在非显示区域NA的一部分处。选通驱动器112包括各种选通驱动电路，并且选通驱动电路可以直接形成在基板110上。在这种情况下，选通驱动器112可以称为面板内栅极(GIP)结构。
选通驱动器112可以位于显示区域AA与非显示区域NA中的坝部“DAM”之间。
高电位电压线VDD、低电位电压线VSS、复用器MUX、ESD电路和连接线部可以设置在显示区域AA与非显示区域NA中的焊盘部114之间。
在非显示区域NA的一部分中，高电位电压线VDD、低电位电压线VSS、复用器MUX和ESD电路可以设置在显示区域AA与弯曲区域BA之间。
连接线部可以设置在非显示区域NA中。例如，连接线部可以设置在非显示区域NA的弯曲区域BA中。
连接线部可以被配置为将信号(电压)从接合至焊盘部114的外部模块传送至显示区域AA或诸如选通驱动器112的电路部。例如，可以通过连接线部传送用于驱动选通驱动器112的各种信号和诸如数据信号、高电位电压和低电位电压的各种信号。
坝部“DAM”可以被设置为围绕显示区域AA的整体或一部分。坝部“DAM”与显示区域AA相邻，并且被放置在显示区域AA之外的外侧。
坝部“DAM”可以被设置为沿着显示区域AA的外围以控制有机材料的流动，该有机材料是设置在发光元件层上的封装层的第二封装层的材料。可以形成一个或更多个坝部“DAM”。
坝部“DAM”可以设置在显示区域AA与高电位电压线VDD、低电位电压线VSS、复用器MUX和ESD电路中的每一者之间。
在基板110的非显示区域NA的一部分中，可以设置面板裂纹检测器PCD。
面板裂纹检测器PCD可以设置在基板110的一端与坝部“DAM”之间。另选地，面板裂纹检测器PCD可以以部分地或完全地与坝部“DAM”交叠的方式设置在坝部“DAM”下方。
图2是示出了根据本公开的一方面的发光显示设备中的间隔件和子像素的布置的图。
参照图2，基板110的显示区域AA包括发光区域EA和设置在相邻的发光区域EA之间的非发光区域NEA。发光区域EA可以被设置为彼此间隔开。非发光区域NEA可以被设置为围绕发光区域EA。
发光区域EA是发出来自发光层的光的区域。参照图3至图5，发光区域EA可以是不存在堤部320的区域。
非发光区域NEA是不发出来自发光层的光的区域。参照图3至图5，非发光区域NEA可以是存在堤部320的区域。
发出不同颜色光的多个子像素SP_1、SP_2和SP_3可以被放置在发光区域EA中。多个子像素SP_1、SP_2和SP_3分别可以是红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。尽管未示出，但是白色子像素还可以被包括在发光区域EA中。
在图2中，子像素R、G和B中的每一个可以具有特定形状并且可以以特定图案布置。然而，子像素R、G、B的形状以及子像素R、G、B的布置不限于此。例如，子像素R、G和B中的每一个可以具有矩形形状、五边形形状、六边形形状、八边形形状、圆形形状、椭圆形形状等。
蓝色子像素B的面积可以大于红色子像素R和绿色子像素G中的每一者。蓝色子像素B和设置在蓝色子像素B的一侧(例如，左侧)的红色子像素R和绿色子像素G可以构成一个像素。
蓝色子像素B可以设置在其它子像素上方。例如，蓝色子像素B可以与红色子像素R和绿色子像素G的至少一部分交叠。
蓝色子像素B中的相邻两个之间的距离可以大于发出不同颜色光的子像素中的相邻的两个子像素之间的距离。例如，蓝色子像素B中的相邻两个之间的距离可以大于蓝色子像素B与红色子像素R之间的距离、蓝色子像素B与绿色子像素G之间的距离以及红色子像素R与绿色子像素G之间的距离中的每一者。
间隔件340被设置为与子像素R、G和B具有预定距离。例如，间隔件340可以以与子像素R、G和B具有预定距离的方式被子像素R、G和B围绕。由于间隔件和突出部导致发光元件的长度增加，间隔件和突出部防止非发光区域中的发光元件的一部分中的杂质传播到发光区域中发光元件的部分。在图2所示的一个实施方式中，六个子像素可以围绕一个间隔件。
发出相同颜色光的至少一对子像素可以相对于间隔件340对称地设置。例如，蓝色子像素B可以被设置为彼此面对并且其间具有间隔件340。在图2中，两个红色子像素R设置在一个蓝色子像素B的两侧，并且两个绿色子像素G设置在另一蓝色子像素B的两侧。另选地，可以在蓝色子像素B的两侧设置一个红色子像素R和一个绿色子像素G，使得两个红色子像素R、两个绿色子像素G和两个蓝色子像素B可以分别相对于间隔件340对称地设置。
间隔件340可以设置在发出相同颜色光的至少一对子像素的中央处。
还可以设置与间隔件340具有预定距离并且围绕间隔件340的突出部330。
突出部330可以连续地形成为具有闭合曲线形状(或环状曲线形状)，或者可以不连续地形成为具有间隔部。
间隔件340可以缓冲形成有发光元件层350的基板110与上基板之间的空白空间，从而使来自外部的冲击对发光显示设备100的损坏最小化或至少减少外部的冲击对发光显示设备100的损坏。
另外，间隔件340可以保护发光元件层350。例如，当使用精细金属掩模(FMM)形成发光元件层350时，精细金属掩模可能在处理期间由于其重量而下垂。然而，由于设置了间隔件340并且精细金属掩模和间隔件340彼此接触，因此可以防止或至少减少由精细金属掩模与堤部320之间的直接接触引起的堤部320的变形或对堤部320的损坏。
另一方面，在发光元件层350的淀积工艺期间，保留在腔室中的异物或颗粒可能部分地保留在精细金属掩模上，并且一些异物或颗粒可能在精细金属掩模与间隔件接触的过程中转移至基板。因此，可能主要在间隔件的上表面观察到异物或颗粒。由于间隔件上的异物或颗粒，可能在发光元件层或封装层中产生裂纹，并且保留在发光显示设备中的离子可能通过裂纹渗入发光元件层中。例如，保留在第二封装层中的诸如F离子的杂质可能通过裂纹移动至发光元件层，使得发光元件层可能劣化。可能在离子穿透的子像素中产生黑点问题。具体地，由于杂质的移动速度在高温下增加，因此发光元件层的劣化被加速，并且存在发光显示设备的亮度和寿命的问题。
然而，在本公开的发光显示设备中，由于突出部330完全地或部分地围绕间隔件340，因此可以防止或至少减少离子通过由间隔件340的上表面上的异物或颗粒产生的裂纹向发光元件层移动。因此，可以防止或至少减少发光元件层的劣化。
在根据本公开的实施方式的发光显示设备中，通过由突出部形成的曲线延长了离子的移动路径，阻挡了黑点的出现，使得可以提高可靠性和显示品质。
在下文中，参照图3和图4，更详细地解释包括突出部330的发光显示设备。
图3是根据本公开的一方面的发光显示设备的示意性截面图，并且图4是图3所示的发光元件层的放大平面图。
图3是沿着线I-I’和线II-II’截取的截面图。
参照图3，根据本公开的发光显示设备100可以包括堤部320、突出部330和间隔件340。
基板110可以支承发光显示设备100的各种元件。基板110可以由具有柔性的塑料材料或玻璃形成。
例如，基板可以由聚酰亚胺(PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜和聚碳酸酯中的至少一者形成，但不限于此。
当基板110由PI形成时，基板110可以包括两层PI。在这种情况下，基板110还可以包括两层PI之间的有机层。
包括设置在基板110上或上方的元件和功能层(例如，开关TFT、连接至开关TFT的驱动TFT、连接至驱动TFT的有机发光二极管、钝化层等)的结构可以称为基板110，但不限于此。
缓冲层120可以设置在基板110的整个表面上。
缓冲层120可以由无机绝缘材料(例如，氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx))或有机绝缘材料形成，但不限于此。
缓冲层120可以具有氮化硅或氧化硅的单层结构或氮化硅和氧化硅的多层结构。当缓冲层120具有多层结构时，氧化硅层和氮化硅层可以交替层叠。
缓冲层120可以根据基板110的类型和材料以及薄膜晶体管的结构和类型而被省略。
TFT 200可以设置在缓冲层120上。TFT 200可以包括半导体图案、栅电极、源电极和漏电极。
为了便于描述，仅例示了可以包括在发光显示设备100中的各种TFT当中的驱动TFT，但是诸如开关TFT的其它TFT也可以被包括在发光显示设备100中。另外，为了便于描述，示出了具有顶栅结构的TFT，但不限于此。例如，TFT可以具有底栅结构。
TFT 200的半导体图案210可以设置在缓冲层120上。
半导体图案210可以由多晶半导体形成。例如，多晶半导体可以是具有高迁移率的低温多晶硅(LTPS)，但不限于此。当半导体图案210可以由多晶半导体形成时，能耗低并且可靠性优异。
另选地，半导体图案210可以由氧化物半导体形成。例如，半导体图案210可以由氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锡(IGTO)和氧化铟镓(IGO)中的一者形成，但不限于此。当半导体图案210可以由氧化物半导体形成时，半导体图案210具有阻挡漏电流的优异效果，并因此，可以在低速驱动期间使子像素的亮度改变最小化或至少减少子像素的亮度改变。
当半导体图案210由多晶半导体或氧化物半导体形成时，半导体图案210的一部分可以具有导电区域。
半导体图案210可以由非晶硅(a-Si)或诸如并五苯的各种有机半导体材料形成，但不限于此。
第一绝缘层130可以设置在半导体图案210上。
第一绝缘层130设置在半导体图案210与栅电极230之间，以使半导体图案210和栅电极230绝缘。
第一绝缘层130可以由无机绝缘材料(例如，氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx))或有机绝缘材料形成，但不限于此。
第一绝缘层130可以包括将源电极250和漏电极270中的每一者电连接至半导体图案210的孔。
TFT 200的栅电极230可以设置在第一绝缘层130上。
栅电极230可以设置为与半导体图案210交叠。
栅电极230可以由钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)或钨(W)、金(Au)、透明导电氧化物(TCO)及其合金中的一者形成，并且可以具有单层结构或多层结构，但不限于此。
第二绝缘层140可以设置在栅电极230上。
第二绝缘层140可以设置在栅电极230与源电极250和漏电极270中的每一者之间，以使栅电极230与源电极250和漏电极270中的每一者绝缘。
第二绝缘层140可以由无机绝缘材料(例如，氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx))或有机绝缘材料形成，但不限于此。
第二绝缘层140可以包括将源电极250和漏电极270中的每一者电连接至半导体图案210的孔。
源电极250和漏电极270可以设置在第二绝缘层140上。
源电极250和漏电极270可以分别通过第一绝缘层130和第二绝缘层140中的孔电连接至半导体图案210。
源电极250和漏电极270中的每一者可以由钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)或钨(W)、金(Au)、透明导电氧化物(TCO)及其合金中的一者形成，并且可以具有单层结构或多层结构，但不限于此。
例如，源电极250和漏电极270中的每一者可以具有Ti/Al/Ti的三层结构，但是不限于此。
数据线DL和/或电力线PL还可以设置在第二绝缘层140上以及相邻子像素之间。数据线DL和电力线PL可以由与源电极250和漏电极270相同的材料、相同的结构和相同的制造方法形成。
电力线PL可以与选通线和数据线中的一者平行，并且可以与选通线和数据线中的另一者交叉。
电力线PL可以形成为具有小线宽的金属线彼此交叉的网格图案。网格图案的形状可以是矩形、五边形、六边形、圆形、椭圆形等，但不限于此。
当设置稍后将描述的连接电极170时，也可以一起形成电力线PL。
钝化层150可以设置在源电极250和漏电极270上。
钝化层150可以保护TFT 200。钝化层150可以由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料或有机绝缘材料形成，但不限于此。
钝化层150可以包括用于电连接TFT 200和阳极电极310的孔。
根据TFT 200的结构或类型，可以省略钝化层150。
平坦化层160可以设置在钝化层150或TFT 200上。
平坦化层160可以保护TFT 200，并且可以减轻或平坦化由各种图案引起的阶梯差。
平坦化层160可以由有机绝缘材料形成。例如，平坦化层160可以由苯并环丁烯(BCB)、丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一者形成，但不限于此。
根据电极的布置，平坦化层160可以具有单层结构或多层结构。
随着发光显示设备100发展到较高分辨率，信号线的数量增加。因此，难以在确保最小间隔的同时在一个层上布置所有线，因此可能需要附加层。这种附加层释放了布线布局，从而使得线路/电极布局设计更容易。另外，当介电材料用作具有多层结构的平坦化层时，金属层之间的平坦化层160可以用于形成电容。
当平坦化层160具有双层结构时，平坦化层160可以包括第一平坦化层161和第二平坦化层162。
例如，可以在第一平坦化层161中形成孔，并且可以在孔中设置连接电极170。具有孔的第二平坦化层162可以设置在第一平坦化层161和连接电极170上。阳极电极310可以设置在第二平坦化层162的孔中。因此，薄膜晶体管200和阳极电极310可以通过连接电极170电连接。
连接电极170的一端(一部分)可以连接至TFT 200，并且连接电极170的另一端(另一部分)可以连接至阳极电极310。
连接电极170可以由钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)或钨(W)、金(Au)、透明导电氧化物(TCO)及其合金中的一者形成，并且可以具有单层结构或多层结构，但不限于此。
当设置连接电极170时，电力线PL可以由与连接电极170相同的材料、相同的结构和相同的制造方法形成。
根据发光显示设备的结构或类型，可以省略连接电极170。
阳极电极310可以设置在平坦化层160上。阳极电极310可以位于发光区域EA和非发光区域NEA的至少一部分中。
当发光显示设备100是顶部发光型时，阳极电极310是对光进行反射的反射电极，并且可以使用不透明导电材料设置。阳极电极310可以由银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、铅(Pd)、铜(Cu)及其合金中的至少一者形成。例如，阳极电极310可以具有Ag/Pd/Cu的三层结构，但不限于此。另选地，阳极电极310还可以包括具有高功函数的透明导电材料层(例如，氧化铟锡(ITO))。
当发光显示设备100是底部发光型时，阳极电极310可以使用透射光的透明导电材料来设置。例如，阳极电极310可以由氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)中的至少一者形成。
堤部320可以设置在阳极电极310和平坦化层160上。
堤部320可以限定多个子像素(SP)、使光模糊最小化或至少减少光模糊并且防止或至少减少在各种视角发生颜色混合。
堤部320可以限定(或区分)发光区域EA和非发光区域NEA，并且堤部320可以设置在非发光区域NEA中。
堤部320可以包括暴露阳极电极310的堤部孔。
堤部320可以由无机绝缘材料(例如，氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx))、有机绝缘材料(例如，苯并环丁烯(BCB)、丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂或聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂)中的至少一者形成，并且光敏剂包括黑色(或黑色)颜料，但不限于此。
堤部320可以是透明的、黑色的或有颜色的。
堤部320可以被设置为覆盖阳极电极310的一端。
至少一个间隔件340可以设置在堤部320上。间隔件340可以由与堤部320相同的材料形成，并且可以与堤部320同时形成，或者可以在单独的过程中形成。
间隔件340的高度可以大于堤部320的高度，并且间隔件340的厚度可以大于堤部320的厚度。例如，间隔件340的厚度可以是1um至2um。
可以设置位于间隔件340与堤部320的一端之间的至少一个突出部330。换句话说，至少一个突出部330可以设置在发光区域EA与间隔件340之间。
突出部330可以通过去除堤部320的一部分而形成。堤部320的一部分(从其移除一部分)的高度可以小于堤部320的高度。
突出部330可以与堤部320集成为一体。
突出部330可以由与堤部320和间隔件340相同的材料形成。突出部330可以具有单层结构或多层结构。
由于突出部330设置在堤部320上，因此堤部320的上表面可能不均匀。
参照图2和图3，间隔件340和突出部330存在于彼此相邻的第一蓝色子像素B与第二蓝色子像素B之间，但是间隔件340和突出部330不存在于彼此相邻的第二蓝色子像素B与第三蓝色子像素B之间。因此，由于从堤部的一部分的上表面突出的突出部330，第一蓝色子像素与第二蓝色子像素之间的堤部320的一部分具有不平坦的上表面，并且由于缺少第二蓝色子像素与第三蓝色子像素之间突出部，第二蓝色子像素与第三蓝色子像素之间的另一部分具有平坦的上表面。换句话说，堤部320具有位于发光区域EA与间隔件340之间的凹部，并且突出部330设置在该凹部中。
当从基板110至突出部330的高度等于或大于从基板110至间隔件340的高度时，精细金属掩模(FMM)和突出部330在发光元件层350的淀积工艺期间接触。因此，可能发生在突出部330上出现异物或颗粒的问题。然而，在本公开的发光显示设备中，从基板110至突出部330的高度小于从基板110至间隔件340的高度。因此，可以防止或至少减少上述问题。
与图3的沿线II-II’的截面相比，由于堤部的一部分被去除并且设置了突出部330，所以可以增加诸如设置在堤部320的上表面上的发光元件层的组件的长度。由于突出部330所形成的不均匀的形状，所以增加了离子到发光元件层的行进距离，使得可以避免或减少异物或颗粒的穿透而导致发光元件层的劣化的问题。另外，可以通过防止或减少类似的由于发光元件层的劣化而导致的在对应子像素SP中出现黑点来提高可靠性和显示质量。
发光元件层350可以设置在堤部320、间隔件340和突出部330上。
发光元件层350可以根据由堤部320、间隔件340和突出部330形成的曲线形状设置。
发光元件层350可以包括多个发光部。例如，发光元件层350可以包括第一发光部351、第二发光部353以及位于第一发光部351与第二发光部353之间的电荷生成层352。发光元件层350的详细结构将针对图4进行描述。
阴极电极360可以设置在发光元件层350上。阴极电极360向发光元件层350提供电子，并且可以由具有低功函数的导电材料形成。
当发光显示设备100是顶部发光型时，阴极电极360可以使用透射光的透明导电材料来设置。例如，阴极电极360可以由氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)中的至少一者形成，但不限于此。
另外，阴极电极360可以使用透射光的半透明导电材料来设置。例如，阴极电极360可以由诸如LiF/Al、CsF/Al、Mg:Ag、Ca/Ag、Ca:Ag、LiF/Mg:Ag、LiF/Ca/Ag和LiF/Ca:Ag的合金中的至少一者形成。
当发光显示设备100是底部发光类型时，阴极电极360是对光进行反射的反射电极，并且可以使用不透明导电材料来设置。例如，阴极电极360可以由银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)及其合金中的至少一者形成。
覆盖层(CPL)370可以设置在阴极电极360上。
覆盖层370保护阴极电极360并增加发光元件层的光提取效果。覆盖层370可以具有单层结构或多层结构。
根据发光显示设备100的结构和类型，可以省略覆盖层370。
封装层400可以设置在阴极电极360或覆盖层370上。封装层400可以保护阳极电极310、发光元件层350和阴极电极360免受外部湿气、氧气、异物或颗粒的影响。例如，可以防止或至少减少氧气和湿气从外部渗透，以防止或至少减少发光材料和电极材料的氧化。
封装层400可以由透明材料制成以透射从发光层发出的光。
封装层400可以包括阻挡湿气或氧气的渗透的第一封装层410、第二封装层420和第三封装层430。第一封装层410、第二封装层420和第三封装层430可以交替层叠。即，第三封装层430可以设置在第一封装层410上方，并且第二封装层420可以设置在第一封装层410与第三封装层430之间。
第一封装层410和第三封装层430可以由选自氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧化铝(AlyOz)的至少一种无机材料形成，但不限于此。第一封装层410和第三封装层430可以使用诸如化学气相淀积(CVD)或原子层淀积(ALD)的真空淀积方法形成，但不限于此。
第一封装层410和第三封装层430中的每一者可以由至少两个或更多个层形成。例如，第一封装层410可以具有SiOx/SiNx/SiOx的三层结构，但不限于此。另选地，第一封装层410可以具有SiOx/SiNx/SiOx/SiOx的四层结构，但不限于此。
第二封装层420可以覆盖在制造过程中可能出现的异物或颗粒。另外，第二封装层420可以使第一封装层410的表面平坦化。例如，第二封装层420可以是颗粒覆盖层，但是第二封装层420的功能不限于此。
第二封装层420可以由有机材料(例如，诸如碳氧化硅(SiOC，或碳氧化硅)环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯或丙烯酸酯的聚合物)形成，但不限于此。
第二封装层420可以由热固化材料或光固化材料形成。
参照图4，图4是将更详细地描述发光元件层的放大截面图。
根据本公开的实施方式的发光元件层350可以包括多个发光部。
为了便于解释，仅示出了两个发光部，但是可以包括两个或更多个发光部以及所述两个或更多个发光部之间的一个或更多个电荷生成层。
由于间隔件340、堤部320和突出部330设置在相邻子像素之间，因此多个发光部351和353以及电荷生成层352可以根据由间隔件340、堤部320和突出部330形成的不平坦顶部来设置。因此，增加了相邻子像素中的多个发光部351和353以及电荷生成层352的公共元件的长度，使得电子从一个子像素至另一子像素的行进距离也增加。结果，可以阻挡水平漏电流。即，当驱动发光显示设备100时，可以防止或至少减少形成在发光元件层内部的电子移动至相邻像素。
另外，即使相邻子像素之间的距离减小，也可以阻挡水平漏电流。具体地，可以解决相邻子像素在低灰度发出光的可见性缺陷，并且可以提高颜色再现性。
第一发光部351可以包括空穴注入层HIL、第一空穴传输层HTL-1、第一发光层EML-1和第一电子传输层ETL-1。
第二发光部353可以包括第二空穴传输层HTL-2、第二发光层EML-2、第二电子传输层ETL-2和电子注入层EIL。
电荷生成层352可以包括用于向第一发光部351注入电子的n型电荷生成层n-CGL和用于向第二发光部353注入空穴的p型电荷生成层p-CGL。
发光元件层的除了发光层之外的元件可以设置在基板110的显示区域AA的整个表面或基板110的显示区域AA的至少一部分上。
例如，空穴注入层HIL、第一空穴传输层HTL-1、第一电子传输层ETL-1、第二空穴传输层HTL-2、第二电子传输层ETL-2、电子注入层EIL、n型电荷生成层n-CGL和p型电荷生成层p-CGL可以设置在基板110的显示区域AA的整个表面上。
发光层EML-1和EML-2中的每一者可以设置为对应于每个子像素。即，发光层EML-1和EML-2中的每一者可以在每个子像素中具有岛形形状。例如，发光层EML-1和EML-2中的每一者可以设置在堤部孔中和堤部320的一端的至少一部分中。
形成空穴注入层HIL以有效注入空穴。空穴注入层可以由选自由HATCN(1,4,5,8,9,11--六氮杂苯甲腈)、CuPc(铜酞菁)、PEDOT(聚(3,4)-乙烯二氧噻吩)、PANI(聚苯胺)和NPD(N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺)组成的组中的至少一种形成，但不限于此。
形成第一空穴传输层HTL-1和第二空穴传输层HTL-2以有效地传送空穴。第一空穴传输层HTL-1和第二空穴传输层HTL-2中的每一者可以由选自包括NPD(N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺)、TPD(N,N'-双-(3-甲苯基)-N,N'-双-(苯基)-联苯胺)、螺-TAD(2,2',7,7'-四(N,N-二苯胺)-2,7-二氨基-9,9-螺二芴)和MTDATA(4,4',4”-三(N-甲苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺)的组中的至少一种形成，但不限于此。
形成第一电子传输层ETL-1和第二电子传输层ETL-2以有效地传送电子。第一电子传输层ETL-1和第二电子传输层ETL-2中的每一者可以由选自包括Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基酚)-1,3-4噁二唑)、TAZ(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基酚-1,2-4-三唑)、螺-PBD、BAlq(双(8-羟基-2-甲基喹啉)-(4-苯苯氧基)铝)和SAlq的组中的至少一种形成，但不限于此。
形成电子注入层EIL以有效地注入电子。电子注入层EIL可以由选自包括Alq3、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq和SAlq的组中的至少一种形成，但不限于此。电子注入层EIL的材料和第二电子传输层ETL-2的材料可以相同或不同。
第一发光层EML-1和第二发光层EML-2中的每一者设置在堤部孔中并且可以与堤部320的至少一部分交叠。一个子像素中的第一发光层EML-1和第二发光层EML-2以及相邻子像素中的第一发光层EML-1和第二发光层EML-2分别彼此间隔开。例如，第一发光层EML-1和第二发光层EML-2中的每一者可以通过使用精细金属掩模(FMM)淀积在每个子像素中。
第一发光层EML-1和第二发光层EML-2可以交叠。第一发光层EML-1和第二发光层EML-2可以发出相同的颜色光。例如，第一发光层EML-1和第二发光层EML-2可以发出具有相同波长范围的光。
第一发光层EML-1和第二发光层EM-2中的每一者可以包括发出红色、绿色和蓝色中的一种的发光材料，并且发光材料可以是磷光材料或荧光材料。
例如，红色子像素R中的第一发光层EML-1和第二发光层EML-2中的每一者可以包括作为CBP(咔唑联苯)或mCP(1,3-双(咔唑-9-基)的主材料和作为掺杂剂的磷光材料，所述掺杂剂是选自包括PIQIr(乙酰丙酮)(双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(乙酰丙酮)(双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(乙酰丙酮)(三(1-苯基异喹啉)铱)和PtOEP(八乙基卟啉铂)的组中的至少一种。另选地，掺杂剂可以是作为Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)的荧光材料，但不限于此。
例如，绿色子像素G中的第一发光层EML-1和第二发光层EML-2中的每一者可以包括作为CBP或mCBP的主材料和作为掺杂剂的铱配合物(例如，Ir(ppy)3(面式三(2-苯基吡啶)铱))。另选地，掺杂剂可以是作为PBD:Eu(DBM)3(苯酚)或苝(perylene)的荧光材料，但不限于此。
例如，蓝色子像素B中的第一发光层EML-1和第二发光层EML-2中的每一者可以包括作为CBP或mCBP的主材料和作为掺杂剂(其是(4,6-F2聚吡咯)2Irpic)的磷光材料。另选地，掺杂剂可以是作为螺-DPVBi、2,2',7,7'-四(联苯-4-基)-9,9'-螺二芴(螺-6P)、苯乙烯基苯(DSB)、苯乙烯基亚芳基(DSA)、PFO-基聚合物和PPV基聚合物中的一种的荧光材料，但不限于此。
第一发光层EML-1和第二发光层EML-2中的每一者还可以包括辅助发光层。例如，辅助发光层可以设置在第一发光层EML-1和第二发光层EML-2中的每一者的下方或上方。辅助发光层可以发出与第一发光层EML-1和第二发光层EML-2相同颜色的光或与第一发光层EML-1和第二发光层EML-2不同颜色的光。
n型电荷生成层n-CGL可以由碱金属、具有注入电子的功能的有机材料及其化合物中的至少一者形成。例如，n型电荷生成层n-CGL可以由包括掺杂有锂(Li)或铯(Cs)的蒽衍生物的n型材料形成，但不限于此。
p型电荷生成层p-CGL可以由用于空穴注入层的有机材料形成。例如，p型电荷生成层CGL可以由作为HATCN或F4-TCNQ的p型材料形成，并且可以具有单层结构。然而，不限于此。
包括在第一发光部351、第二发光部353和电荷生成层352中的元件可以形成为两者或更多者，或者可以被省略。
图5是根据本公开的另一方面的发光显示设备的示意性截面图。
图5中的发光显示设备除了突出部330之外与图3中的发光显示设备基本相同，因此省略了重复描述。
图5中的发光显示设备包括多个突出部330，并且多个突出部330的高度不同。即，多个突出部330包括第一突出部和第二突出部，并且第一突出部和第二突出部距基板110的高度不同。
至少一个突出部330距基板110的高度可以小于间隔件340距基板110的高度。
一个突出部330距基板110的高度可以等于堤部320距基板110的高度，并且另一突出部330距基板110的高度可以大于堤部320距基板110的高度。
由于突出部330具有不同的高度，因此堤部320可以具有不平坦的上表面。由于突出部330是通过去除堤部320的一部分而形成的，因此设置在堤部320上的元件(例如，发光元件层)的长度增加。
由于突出部330所形成的不均匀的形状，所以增加了离子到发光元件层的行进距离，使得可以避免或至少防止异物或颗粒的穿透而导致发光元件层的劣化的问题。另外，可以通过防止或至少减少类似的由于发光元件层的劣化而导致的在对应子像素SP中出现黑点来提高可靠性和显示质量。
下面可以例示根据本公开的一个实施方式的发光显示设备。
根据本公开的实施方式的发光显示设备可以包括：基板，该基板包括发光区域和位于发光区域之间的非发光区域；多个子像素，所述多个子像素设置在发光区域中；第一电极，该第一电极设置在多个子像素中的每一个中；堤部，该堤部设置在第一电极上和非发光区域中；间隔件，该间隔件设置在堤部上；以及至少一个突出部，所述至少一个突出部设置在间隔件与发光区域之间，其中，多个子像素围绕间隔件，并且其中，发出相同颜色光的至少一对子像素相对于间隔件对称地设置。
在根据本公开的发光显示设备中，至少一个突出部可以围绕间隔件。
在根据本公开的发光显示设备中，至少一个突出部可以包括与堤部和间隔件中的至少一者相同的材料。
在根据本公开的发光显示设备中，至少一个突出部可以与堤部集成在一起。
在根据本公开的发光显示设备中，堤部和/或间隔件中的至少一者可以是透明的、黑色的或彩色的。
在根据本公开的发光显示设备中，至少一个突出部距基板的高度可以小于间隔件距基板的高度。
在根据本公开的发光显示设备中，至少一个突出部距基板的高度可以等于堤部距基板的高度。
在根据本公开的发光显示设备中，至少一个突出部距基板的高度可以大于堤部距基板的高度。
在根据本公开的发光显示设备中，间隔件可以设置在至少一对子像素的中央。
在根据本公开的发光显示设备中，多个子像素可以包括六个或更多个子像素。
根据本公开的发光显示设备还可以包括：发光元件层，该发光元件层设置在第一电极、堤部、至少一个突出部和间隔件上，并且包括多个发光部和位于所述多个发光部之间的电荷生成层；以及第二电极，该第二电极设置在发光元件层上。
在根据本公开的发光显示设备中，多个发光部中的每一个可以包括发出相同颜色光的发光层。
根据本公开的发光显示设备还可以包括：封装层，该封装层位于第二电极上，其中，封装层包括第一封装层、第二封装层和第三封装层。
在根据本公开的发光显示设备中，第一封装层和第三封装层中的每一者可以包括无机材料，并且第二封装层可以包括有机材料。
在根据本公开的发光显示设备中，第一封装层可以包括至少三个层。
根据本公开的发光显示设备还可以包括：数据线与电力线，数据线与电力线设置在堤部或间隔件下方。
在根据本公开的发光显示设备中，数据线和电力线中的至少一者可以与至少一个突出部或间隔件交叠。
在根据本公开的发光显示设备中，多个子像素中的第一蓝色子像素与多个子像素中的第二蓝色子像素之间的堤部可以具有不平坦的上表面，并且第二蓝色子像素与多个子像素中的第三蓝色子像素之间的堤部可以具有平坦的上表面。
在根据本公开的发光显示设备中，至少一个突出部可以包括第一突出部和第二突出部，并且第一突出部和第二突出部距基板的高度可以相同。
在根据本公开的发光显示设备中，至少一个突出部可以包括第一突出部和第二突出部，并且第一突出部和第二突出部距基板的高度可以不同。
对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本公开的技术构思或范围的情况下，可以在本公开的各方面进行各种修改和变型。因此，只要修改和变型落在所附权利要求及其等同物的范围内，所述修改和变型的意图便是涵盖本公开。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年7月29日提交的韩国专利申请No.10-2022-0094560的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。

Claims (20)

1.一种发光显示设备，所述发光显示设备包括：
基板，所述基板包括多个发光区域和位于所述多个发光区域之间的非发光区域；
多个子像素，所述多个子像素在所述多个发光区域中；
第一电极，所述第一电极在所述多个子像素中的子像素中；
堤部，所述堤部在所述第一电极上，并且所述堤部在所述非发光区域中；
间隔件，所述间隔件在所述非发光区域中的所述堤部上；以及
至少一个突出部，所述至少一个突出部在所述间隔件与所述多个发光区域之间，
其中，所述多个子像素围绕所述间隔件，并且
其中，所述多个子像素中的发出相同颜色光的至少一对子像素相对于所述间隔件对称地设置。
2.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，在所述发光显示设备的平面图中，所述至少一个突出部围绕所述间隔件。
3.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述至少一个突出部包括与所述堤部或所述间隔件中的至少一者相同的材料。
4.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述至少一个突出部与所述堤部集成在一起。
5.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述堤部或所述间隔件中的至少一者是透明的、黑色的或彩色的。
6.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述至少一个突出部距所述基板的高度小于所述间隔件距所述基板的高度。
7.根据权利要求6所述的发光显示设备，其中，所述至少一个突出部距所述基板的高度等于所述堤部距所述基板的高度。
8.根据权利要求6所述的发光显示设备，其中，所述至少一个突出部距所述基板的高度大于所述堤部距所述基板的高度。
9.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，在所述发光显示设备的平面图中，所述间隔件在所述多个子像素的中央处。
10.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述多个子像素包括六个或更多个子像素。
11.根据权利要求1所述的发光显示设备，所述发光显示设备还包括：
发光元件层，所述发光元件层在所述第一电极、所述堤部、所述至少一个突出部和所述间隔件上，并且所述发光元件层包括多个发光部和位于所述多个发光部之间的电荷生成层；以及
第二电极，所述第二电极在所述发光元件层上。
12.根据权利要求11所述的发光显示设备，其中，所述多个发光部中的每一个包括发出相同颜色光的发光层。
13.根据权利要求11所述的发光显示设备，所述发光显示设备还包括：
封装层，所述封装层位于所述第二电极上，
其中，所述封装层包括第一封装层、第二封装层和第三封装层。
14.根据权利要求13所述的发光显示设备，其中，所述第一封装层和所述第三封装层中的每一者包括无机材料，并且所述第二封装层包括有机材料。
15.根据权利要求13所述的发光显示设备，其中，所述第一封装层包括至少三个层。
16.根据权利要求1所述的发光显示设备，所述发光显示设备还包括：
数据线与电力线，所述数据线与所述电力线在所述堤部或所述间隔件下方。
17.根据权利要求16所述的发光显示设备，其中，所述数据线和所述电力线中的至少一者与所述至少一个突出部或所述间隔件交叠。
18.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述至少一个突出部从所述多个子像素中的第一蓝色子像素与所述多个子像素中的第二蓝色子像素之间的所述堤部的一部分的上表面突出，并且所述第二蓝色子像素与所述多个子像素中的第三蓝色子像素之间的所述堤部缺少突出部。
19.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述至少一个突出部包括第一突出部和第二突出部，并且所述第一突出部和所述第二突出部距所述基板的高度相同。
20.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述至少一个突出部包括距所述基板的第一高度的第一突出部和距所述基板与所述第一高度不同的第二高度的第二突出部。
CN202310905102.7A 2022-07-29 2023-07-21 发光显示设备 Pending CN117479660A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2022-0094560 2022-07-29
KR1020220094560A KR20240016598A (ko) 2022-07-29 2022-07-29 발광 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117479660A true CN117479660A (zh) 2024-01-30

Family

ID=89508140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310905102.7A Pending CN117479660A (zh) 2022-07-29 2023-07-21 发光显示设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20240040851A1 (zh)
KR (1) KR20240016598A (zh)
CN (1) CN117479660A (zh)
DE (1) DE102023119888A1 (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220094560A (ko) 2020-12-29 2022-07-06 엘지디스플레이 주식회사 터치 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20240040851A1 (en) 2024-02-01
DE102023119888A1 (de) 2024-02-01
KR20240016598A (ko) 2024-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10319951B2 (en) Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same
US7944140B2 (en) Organic light emitting display and method of manufacturing the same
JP4206388B2 (ja) 平板ディスプレイ装置
US8344616B2 (en) Organic light emitting display device
KR101785043B1 (ko) 터치타입 유기전계 발광소자
CN101136427B (zh) 有机发光显示器
US20100193778A1 (en) Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
KR20110039061A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20120042438A (ko) 터치인식 유기전계 발광소자
US20110266535A1 (en) Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same
CN101567381A (zh) 有机电致发光装置及电子设备
US11508312B2 (en) Organic light emitting display device
CN113345933A (zh) 显示设备
US20240040851A1 (en) Light emitting display apparatus
KR20190026351A (ko) 전계 발광 표시 장치
US20240040850A1 (en) Light emitting display apparatus
KR20240061188A (ko) 발광 표시 장치
KR101939798B1 (ko) 유기전계발광표시장치
US20240164160A1 (en) Light-emitting display device
US20230413658A1 (en) Display device
US20230006013A1 (en) Display device
KR20240070048A (ko) 발광 표시 장치
KR20240030760A (ko) 발광 표시 장치
KR20240049110A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220071511A (ko) 유기발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination