KR20200059880A

KR20200059880A - 전계발광 표시장치 및 이의 제조방법

Info

Publication number: KR20200059880A
Application number: KR1020180145176A
Authority: KR
Inventors: 마은성
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2018-11-22
Filing date: 2018-11-22
Publication date: 2020-05-29

Abstract

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 박막 트랜지스터 및 발광소자를 포함하는 표시패널, 표시패널 상에 배치되는 위상차층, 위상차층 상에 배치되는 터치기판, 터치기판 상에 배치되는 편광판 및 편광판 상에 배치되는 커버 글라스를 포함하며, 위상차층은 +C플레이트 및 사분의일 파장판을 포함하고, 편광판은 선편광판을 포함한다.

Description

전계발광 표시장치 및 이의 제조방법{Electroluminescent Display Apparatus And Method of Manufacturing The Same}

본 명세서는 전계발광 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 보호필름을 이용한 전계발광 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

본격적인 정보화 시대로 접어들면서 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시장치 분야가 급속도로 발전하고 있으며, 여러가지 표시장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다.

대표적인 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display apparatus; LCD), 전계방출 표시장치(Field Emission Display apparatus; FED), 전기습윤 표시장치(Electro-Wetting Display apparatus; EWD) 및 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display apparatus; OLED) 등을 들 수 있다.

유기발광 표시장치를 포함하는 전계발광 표시장치는 자체 발광형 표시장치로서, 액정 표시장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조가 가능하다. 또한, 전계발광 표시장치는 저전압 구동에 의해 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상구현, 응답속도, 시야각, 명암 대비비(Contrast Ratio; CR)도 우수하여, 다양한 분야에서 활용이 기대되고 있다.

전계발광 표시장치는 애노드(Anode)와 캐소드(Cathode)로 된 두 개의 전극 사이에 유기물을 사용한 발광층(Emissive Layer; EML)을 배치한다. 애노드에서 정공(Hole)을 발광층으로 주입시키고, 캐소드에서 전자(Electron)를 발광층으로 주입시키면, 주입된 전자와 정공이 서로 재결합하면서 발광층에서 여기자(Exciton)를 형성하며 발광한다.

발광층에는 호스트(Host) 물질과 도펀트(Dopant) 물질이 포함되어 있으며, 두 물질 사이에서 상호작용이 발생한다. 호스트는 전자와 정공으로부터 여기자를 생성하여 도펀트로 에너지를 전달하는 역할을 하고, 도펀트는 소량으로 첨가되는 염료성 유기물로, 호스트로부터 에너지를 받아서 광으로 전환시키는 역할을 한다.

유기물로 이루어진 발광층을 포함하는 전계발광 표시장치는 유리(Glass), 금속(Metal) 또는 필름(Film)으로 전계발광 표시장치를 봉지(Encapsulation)하여 외부에서 전계발광 표시장치의 내부로 수분이나 산소의 유입을 차단함으로써 발광층 및 전극의 산화를 방지하고, 외부에서 가해지는 기계적 또는 물리적 충격으로부터 보호한다.

전계발광 표시장치는 봉지 후에 제조공정 중간에 외부로부터의 충격이나 오염으로부터 발생될 수 있는 결함(Defect)이 발생하는 것을 방지하기 위해서, 봉지부 상부에 접착부재를 이용하여 보호필름(Protective Film)을 부착한다. 이후, 제조공정이 진행되면서 전계발광 표시장치 상에 배치된 보호필름을 제거하고 봉지부 상에 터치기판, 편광판 및 커버 글라스 등을 순차적으로 배치한다.

편광판은 표시장치 상에서 외부 광의 반사를 억제하는 역할을 한다. 외부 자연 광이 유입되어 표시장치 내부의 구성요소에 반사될 수 있으며, 반사된 광들에 의해 영상이 시인되지 않을 수 있어 외부에서 유입된 광을 특정 방향으로 편광하며, 반사된 광이 다시 외부로 방출되지 못하게 한다.

그런데, 편광판은 고온으로 진행되는 제조공정에서 수축 및 변형이 발생되어 얼룩이 생기거나 시감이 변화하는 불량이 발생될 수 있다.

이에, 본 명세서의 발명자는 위에서 언급한 문제점을 인식하고, 편광판의 주요 구성요소들이 포함된 새로운 구조의 보호필름을 사용한 전계발광 표시장치를 발명하였다.

본 명세서의 실시에에 따른 해결과제는 보호필름의 구조를 개선하여 편광판에서 발생될 수 있는 불량을 방지할 수 있는 전계발광 표시장치 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.

본 명세서의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치 박막 트랜지스터 및 발광소자를 포함하는 표시패널을 형성하는 단계, 표시패널 상에 위상차층 및 보호층을 포함하는 보호필름을 배치하는 단계, 보호필름에서 보호층을 제거하는 단계, 위상차층 상에 터치기판을 배치하는 단계, 터치기판 상에 편광판을 배치하는 단계 및 편광판 상에 커버 글라스를 배치하는 단계를 포함하며, 위상차층은 +C플레이트 및 사분의일 파장판을 포함하고, 편광판은 선편광판을 포함하도록 제조한다.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 보호필름의 구조를 개선하여 편광판에서 발생될 수 있는 불량을 방지하고, 박형화된 표시장치를 제공할 수 있는 효과가 있다.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 명세서의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 명세서의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.

도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 블록도이다.
도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함되는 화소 회로도이다.
도 3은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함되는 표시패널 평면도이다.
도 4는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함되는 표시패널 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치 제조방법 단면도이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.

도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 블록도이다.

도 1을 참조하면, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(100)는 영상처리부(110), 타이밍 컨트롤러(120), 데이터 구동부(130), 게이트 구동부(140) 및 표시패널(150)을 포함한다.

영상처리부(110)는 외부로부터 공급된 데이터 신호(DATA)와 더불어 데이터 인에이블 신호(DE) 등을 출력한다. 영상처리부(110)는 데이터 인에이블 신호(DE) 외에도 수직동기신호, 수평동기신호 및 클럭신호 중 하나 이상을 출력할 수 있다.

타이밍 컨트롤러(120)는 영상처리부(110)로부터 데이터 인에이블 신호(DE) 또는 수직동기신호, 수평동기신호 및 클럭신호 등을 포함하는 구동신호와 더불어 데이터 신호(DATA)를 공급받아 데이터 구동부(130)로 출력한다. 타이밍 컨트롤러(120)는 구동신호에 기초하여 게이트 구동부(140)의 동작타이밍을 제어하기 위한 게이트타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(130)의 동작타이밍을 제어하기 위한 데이터타이밍 제어신호(DDC)를 출력한다.

데이터 구동부(130)는 타이밍 컨트롤러(120)로부터 공급된 데이터타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍 컨트롤러(120)로부터 공급되는 데이터 신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준전압으로 변환하여 출력한다. 데이터 구동부(130)는 데이터 라인들(DL1~DLn)을 통해 데이터 신호(DATA)를 출력한다.

게이트 구동부(140)는 타이밍 컨트롤러(120)로부터 공급된 게이트타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트 전압의 레벨을 시프트시키면서 게이트 신호를 출력한다. 게이트 구동부(140)는 게이트 라인들(GL1~GLm)을 통해 게이트 신호를 출력한다.

표시패널(150)은 데이터 구동부(130) 및 게이트 구동부(140)로부터 공급된 데이터 신호(DATA) 및 게이트 신호에 대응하여 화소(160)가 발광하면서 영상을 표시한다. 화소(160)의 상세구조는 도 2 및 도 3에서 설명한다.

도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함되는 화소 회로도이다.

도 2를 참조하면, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(200)의 화소는 스위칭 트랜지스터(240), 구동 트랜지스터(250), 보상회로(260) 및 발광소자(270)를 포함한다.

발광소자(270)는 구동 트랜지스터(250)에 의해 형성된 구동전류에 따라 발광하도록 동작한다.

스위칭 트랜지스터(240)는 게이트 라인(220)을 통해 공급된 게이트 신호에 대응하여 데이터 라인(230)을 통해 공급되는 데이터 신호가 보상회로(260)의 커패시터(Capacitor)에 데이터 전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다.

구동 트랜지스터(250)는 커패시터에 저장된 데이터 전압에 대응하여 고전위 전원라인(VDD)과 저전위 전원라인(GND) 사이로 일정한 구동전류가 흐르도록 동작한다.

보상회로(260)는 구동 트랜지스터(250)의 문턱전압 등을 보상하기 위한 회로이며, 보상회로(260)는 하나 이상의 박막 트랜지스터와 커패시터를 포함한다. 보상회로의 구성은 보상 방법에 따라 매우 다양할 수 있다.

그리고, 전계발광 표시장치(200)의 화소는 스위칭 트랜지스터(240), 구동 트랜지스터(250), 커패시터 및 발광소자(270)를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성되며, 보상회로(260)가 추가된 경우 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T1C, 6T2C, 7T1C, 7T2C 등으로 다양하게 구성할 수 있다.

도 3은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 표시패널 평면도이다.

도 3을 참조하면, 표시패널(300)에 포함되는 기판(310)은 박막 트랜지스터 및 발광소자를 통해서 실제로 광을 발광하는 화소가 배치되는 표시영역(Active Area; A/A) 및 표시영역(A/A)의 외곽을 둘러싸는 비표시영역(Non-active Area; N/A)을 포함한다.

기판(310)의 비표시영역(N/A)에는 전계발광 표시장치(300)의 구동을 위한 게이트 구동부(390) 등과 같은 회로 및 게이트 라인인 스캔 라인(Scan Line; S/L) 등과 같은 다양한 신호배선이 배치될 수 있다. 그리고, 전계발광 표시장치(300)의 구동을 위한 회로는 기판(310) 상에 GIP(Gate in Panel) 방식으로 배치되거나, TCP(Tape Carrier Package) 또는 COF(Chip on Film) 방식으로 기판(310)에 연결될 수도 있다.

기판(310)의 비표시영역(N/A)의 일측에는 패드(395)가 배치된다. 패드(395)는 외부 모듈이 본딩되는(Bonded) 금속 패턴이다.

기판(310)의 비표시영역(N/A)은 화면을 구동시키기 위한 배선 및 구동회로가 배치되며, 화상이 표시되는 영역이 아니므로, 기판(310)의 상면에서 시인되지 않는 영역이다. 따라서, 기판(310)의 비표시영역(N/A)의 일부영역을 벤딩함으로써 배선 및 구동회로를 위한 면적을 확보하면서도 베젤영역을 최소화할 수도 있다.

기판(310) 상에는 다양한 배선들이 형성된다. 배선은 기판(310)의 표시영역(A/A)에 배치될 수 있고, 비표시영역(N/A)에도 배치될 수 있다. 특히, 비표시영역(N/A)에 형성되는 회로배선(370)은 구동회로, 예를 들어, 게이트 구동부 또는 데이터 구동부 등에 연결되어 신호를 전달할 수 있다.

회로배선(370)은 도전성 물질로 형성되며, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu), 및 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금 등으로 구성되거나 다층구조로 구성될 수도 있으며, 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti)의 3층구조로 구성될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.

도 4는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함되는 표시패널 단면도이다.

도 4를 참조하면, 기판(410)은 상부에 배치되는 전계발광 표시장치에 포함되는 표시패널(400)의 구성요소들을 지지 및 보호하는 역할을 하며, 종래에는 유리나 금속과 같은 경성의 물질로 구성하였으나, 최근에는 플렉시블 특성을 가지는 연성의 물질을 적용한 플렉시블 기판도 적용되고 있다. 플렉시블 기판은 폴리에스터계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리올레핀계 고분자, 및 이들의 공중합체로 이루어진 군 중 하나를 포함하는 필름형태로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.

기판(410) 상에 버퍼층이 더 배치될 수 있다. 버퍼층은 기판(410)을 통한 수분이나 다른 불순물의 침투를 방지하며, 기판(410)의 표면을 평탄화할 수 있다. 이러한 버퍼층은 반드시 필요한 구성은 아니며, 기판(410)의 종류나 기판(410) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(420)의 종류에 따라 삭제될 수도 있다.

기판(410) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(420)는 게이트 전극(422), 소스 전극(424), 드레인 전극(426) 및 반도체층(428)을 포함한다.

반도체층(428)은 비정질실리콘(Amorphous Silicon) 또는 비정질 실리콘보다 우수한 이동도(Mobility)를 가져서 에너지 소비 전력이 낮고 신뢰성이 우수하여, 화소 내에서 구동 박막 트랜지스터에 적용할 수 있는 다결정실리콘(Polycrystalline Silicon)으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

그리고, 반도체층(428)은 산화물(Oxide) 반도체로 구성될 수도 있다. 산화물 반도체는 이동도와 균일도가 우수한 특성을 갖고 있다. 산화물 반도체는, 예를 들어, 4원계 금속 산화물인 인듐 주석 갈륨 아연 산화물(InSnGaZnO)계 재료, 3원계 금속 산화물인 인듐 갈륨 아연 산화물(InGaZnO)계 재료, 인듐 주석 아연 산화물(InSnZnO)계 재료, 인듐 알루미늄 아연 산화물(InAlZnO)계 재료, 주석 갈륨 아연 산화물(SnGaZnO)계 재료, 알루미늄 갈륨 아연 산화물(AlGaZnO)계 재료, 주석 알루미늄 아연 산화물(SnAlZnO)계 재료, 2원계 금속 산화물인 인듐 아연 산화물(InZnO)계 재료, 주석 아연 산화물(SnZnO)계 재료, 알루미늄 아연 산화물(AlZnO)계 재료, 아연 마그네슘 산화물(ZnMgO)계 재료, 주석 마그네슘 산화물(SnMgO)계 재료, 인듐 마그네슘 산화물(InMgO)계 재료, 인듐 갈륨 산화물(InGaO)계 재료, 인듐 산화물(InO)계 재료, 주석 산화물(SnO)계 재료, 아연 산화물(ZnO)계 재료 등으로 반도체층(428)을 구성할 수 있으며, 각각의 원소의 조성 비율은 제한되지 않는다.

반도체층(428)은 p형 또는 n형의 불순물을 포함하는 소스영역(Source Region), 드레인영역(Drain Region), 및 소스영역 및 드레인영역 사이에 채널(Channel)을 포함할 수 있고, 채널과 인접한 소스영역 및 드레인영역 사이에는 저농도 도핑영역을 포함할 수 있다.

소스영역 및 드레인영역은 불순물이 고농도로 도핑된 영역으로, 박막 트랜지스터(420)의 소스 전극(424) 및 드레인 전극(426)이 각각 접속되는 영역이다. 불순물 이온은 p형 불순물 또는 n형 불순물을 이용할 수 있는데, p형 불순물은, 예를 들어, 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 인듐(In) 중 하나일 수 있고, n형 불순물은, 예를 들어, 인(P), 비소(As) 및 안티몬(Sb) 등에서 하나일 수 있다.

반도체층(428)은 NMOS 또는 PMOS의 박막 트랜지스터 구조에 따라, 채널 영역은 n형 불순물 또는 p형 불순물로 도핑될 수 있으며, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함된 박막 트랜지스터는 NMOS 또는 PMOS의 박막 트랜지스터가 적용가능하다.

제1 절연층(431)은 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성된 절연층이며, 반도체층(428)에 흐르는 전류가 게이트 전극(422)으로 흘러가지 않도록 배치한다. 그리고, 실리콘산화물은 금속보다는 연성이 떨어지지만, 실리콘질화물에 비해서는 연성이 우수하며 그 특성에 따라 단일층 또는 복수층으로 형성할 수 있다.

게이트 전극(422)은 게이트 라인을 통해 외부에서 전달되는 전기 신호에 기초하여 박막 트랜지스터(420)를 턴-온(turn-on) 또는 턴-오프(turn-off)하는 스위치 역할을 하며, 예를 들어, 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등 또는 이들의 합금으로 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

소스 전극(424) 및 드레인 전극(426)은 데이터 라인과 연결되며 외부에서 전달되는 전기신호가 박막 트랜지스터(420)에서 발광소자(440)로 전달되도록 한다. 소스 전극(424) 및 드레인 전극(426)은, 예를 들어, 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등의 금속 재료나 이들의 합금으로 단일층 또는 다중층으로 구성할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

게이트 전극(422)과 소스 전극(424) 및 드레인 전극(426)을 서로 절연시키기 위해서 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)의 단일층이나 다중층으로 구성된 제2 절연층(433)을 게이트 전극(422)과 소스 전극(424) 및 드레인 전극(426) 사이에 배치할 수 있다.

박막 트랜지스터(420) 상에 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기절연층으로 구성된 패시베이션층을 더 배치할 수도 있다. 페시베이션층은, 패시베이션층 상, 하부의 구성요소들 사이의 불필요한 전기적 연결을 막고 외부로부터의 오염이나 손상 등을 막는 역할을 할 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략할 수도 있다.

박막 트랜지스터(420)는 박막 트랜지스터(420)를 구성하는 구성요소들의 위치에 따라 인버티드 스태거드(Inverted Staggered) 구조와 코플래너(Coplanar) 구조로 분류될 수 있다. 인버티드 스태거드 구조의 박막 트랜지스터는 반도체층을 기준으로 게이트 전극이 소스 전극 및 드레인 전극의 반대편에 위치한다. 코플래너 구조의 박막 트랜지스터(420)는, 도 4에서와 같이, 반도체층(428)을 기준으로 게이트 전극(422)이 소스 전극(424) 및 드레인 전극(426)과 같은편에 위치한다.

도 4에서는 코플래너 구조의 박막 트랜지스터(420)가 도시되었으나, 이에 제한되지 않고, 인버티드 스태거드 구조의 박막 트랜지스터를 포함할 수도 있다.

설명의 편의를 위해, 도 4에서는 다양한 박막 트랜지스터 중에서 구동 박막 트랜지스터만을 도시하였으며, 스위칭 박막 트랜지스터, 커패시터 등도 포함될 수 있다. 그리고, 스위칭 박막 트랜지스터는 게이트 라인으로부터 신호가 인가되면, 데이터 라인으로부터의 신호를 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극으로 전달한다. 구동 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터로부터 전달받은 신호에 의해 전원 배선을 통해 전달되는 전류를 애노드(442)로 전달하며, 애노드(442)로 전달되는 전류에 의해 발광을 제어한다.

박막 트랜지스터(420)를 보호하고 박막 트랜지스터(420)로 인해서 발생되는 단차를 완화시키며, 박막 트랜지스터(420)와 게이트 라인 및 데이터 라인, 발광소자(440)들 사이에 발생되는 기생정전용량(Parasitic-Capacitance)을 감소시키기 위해서 박막 트랜지스터(420) 상에 평탄화층(435, 437)을 배치한다.

평탄화층(435, 437)은, 예를 들어, 아크릴계 수지(Acrylic Resin), 에폭시 수지(Epoxy Resin), 페놀 수지(Phenolic Resin), 폴리아미드계 수지(Polyamides Resin), 폴리이미드계 수지(Polyimides Resin), 불포화 폴리에스테르계 수지(Unsaturated Polyesters Resin), 폴리페닐렌계 수지(Polyphenylene Resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(Polyphenylenesulfides Resin), 및 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene; BCB) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, 순차적으로 적층된 복수의 평탄화층(435, 437)인 제1 평탄화층(435) 및 제2 평탄화층(437)을 포함할 수도 있다.

예를 들면, 박막 트랜지스터(420) 상에는 제1 평탄화층(435)이 배치되고, 제1 평탄화층(435) 상에는 제2 평탄화층(437)이 배치될 수 있다.

그리고, 제1 평탄화층(435) 상에는 버퍼층이 배치될 수도 있다. 버퍼층은 제1 평탄화층(435) 상에 배치되는 구성요소를 보호하기 위해서 배치될 수 있으며, 예를 들어, 실리콘질화물(SiNx) 또는 실리콘산화물(SiOx)의 단일층 또는 실리콘질화물(SiNx) 또는 실리콘산화물(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략할 수도 있다.

제1 평탄화층(435)에 형성된 컨택홀(Contact Hole)을 통해서 중간전극(430)이 배치되고, 중간전극(430)은 박막 트랜지스터(420)와 전기적으로 연결된다.

제1 평탄화층(435) 및 중간전극(430) 상에는 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기절연층으로 구성된 패시베이션층이 더 배치될 수 있다. 패시베이션층은 구성요소들 사이의 불필요한 전기적 연결을 막고 외부로부터의 오염이나 손상 등을 막는 역할을 할 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략될 수도 있다.

제2 평탄화층(437) 상에는 발광소자(440)가 배치되고, 발광소자(440)는 애노드(442), 발광부(444) 및 캐소드(446)를 포함한다.

애노드(442)는 제2 평탄화층(437) 상에 배치될 수 있다. 애노드(442)는 발광부(444)에 정공을 공급하는 역할을 하는 전극으로, 제2 평탄화층(437)에 있는 컨택홀을 통해 중간전극(430)과 연결되고, 중간전극(430)을 통해 박막 트랜지스터(420)와 전기적으로 연결된다.

애노드(442)는, 예를 들어, 투명 도전성 물질인 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide; IZO) 등으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

캐소드(446)가 배치된 상부로 광을 발광하는 탑 에미션(Top Emission)일 경우 애노드(442)는 발광된 광이 애노드(442)에서 반사되어 보다 원활하게 캐소드(446)가 배치된 상부 방향으로 방출될 수 있도록 하는 반사층을 더 포함할 수 있다.

예를 들면, 애노드(442)는 투명 도전성 물질로 구성된 투명 도전층과 반사층이 차례로 적층된 2층 구조이거나, 투명 도전층, 반사층 및 투명 도전층이 차례로 적층된 3층 구조일 수 있으며, 반사층은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 합금일 수 있다.

애노드(442) 및 제2 평탄화층(437) 상에는 뱅크(450)가 배치된다. 뱅크(450)는 실제로 광을 발광하는 영역을 구획하여 각각의 화소를 정의할 수 있다. 뱅크(450)는 애노드(442) 상에 포토레지스트(Photoresist)를 형성한 후에 사진식각공정(Photolithography)에 의해 형성될 수 있다. 포토레지스트는 광의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화되는 감광성 수지를 말하며, 포토레지스트를 노광 및 현상하여 특정 패턴이 얻어질 수 있다. 포토레지스트는 포지티브형 포토레지스트(Positive Photoresist)와 네거티브형 포토레지스트(Negative photoresist)로 분류될 수 있다. 포지티브형 포토레지스트는 노광으로 노광부의 현상액에 대한 용해성이 증가되는 포토레지스트를 말하며, 포지티브형 포토레지스트를 현상하면 노광부가 제거된 패턴이 얻어진다. 그리고, 네거티브형 포토레지스트는 노광으로 노광부의 현상액에 대한 용해성이 크게 저하되는 포토레지스트를 말하며, 네거티브형 포토레지스트를 현상하면 비노광부가 제거된 패턴이 얻어진다.

발광소자(440)의 발광부(444)를 형성하기 위해서 증착마스크인 FMM(Fine Metal Mask)을 사용할 수 있다. 그리고, 뱅크(450) 상에 배치되는 증착마스크와 접촉하여 발생될 수 있는 손상을 방지하고, 뱅크(450)와 증착마스크 사이에 일정한 거리를 유지하기 위해서, 뱅크(450) 상부에 투명 유기물인 폴리이미드, 포토아크릴 및 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 하나로 구성되는 스페이서(Spacer; 452)를 배치할 수도 있다.

애노드(442)와 캐소드(446) 사이에는 발광부(444)가 배치된다. 발광부(444)는 광을 발광하는 역할을 하며, 정공주입층(Hole Injection Layer; HIL), 정공수송층(Hole Transport Layer; HTL), 발광층, 전자수송층(Electron Transport Layer; ETL), 전자주입층(Electron Injection Layer; EIL) 중 적어도 하나의 층을 포함할 수 있고, 발광부(444)의 일부 구성요소는 생략될 수도 있다. 여기서 발광층은 전계발광층 및 무기발광층을 적용하는 것도 가능하다.

정공주입층은 애노드(442) 상에 배치되어 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 한다. 정공주입층은, 예를 들어, HAT-CN(dipyrazino[2,3-f:2’,3’-h]quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc(phthalocyanine), 및 NPD(N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-2,2’-dimethylbenzidine) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.

정공수송층은 정공주입층 상에 배치되어 발광층으로 원활하게 정공을 전달하는 역할을 한다. 정공수송층은, 예를 들어, NPD(N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-2,2’-dimethylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD(2,2’,7,7’-tetrakis(N,N-dimethylamino)-9,9-spirofluorene), 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.

발광층은 정공수송층 상에 배치되며 특정 색의 광을 발광할 수 있는 물질을 포함하여 특정 색의 광을 발광할 수 있다. 그리고, 발광물질은 인광물질 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다.

발광층이 적색(Red)을 발광하는 경우, 발광하는 피크파장은 600㎚ 내지 650㎚ 범위가 될 수 있으며, CBP(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate) iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)(acetylacetonate) iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline) iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum) 중에서 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또는, PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.

여기서, 피크파장(λ은 EL(ElectroLuminescence)의 최대 파장을 말한다. 발광부를 구성하는 발광층들이 고유의 광을 내는 파장을 PL(PhotoLuminescence)이라 하며, 발광층들을 구성하는 층들의 두께나 광학적 특성의 영향을 받아 나오는 광을 에미턴스(Emittance)라 한다. 이때, EL(ElectroLuminescence)은 전계발광 표시장치가 최종적으로 방출하는 광을 말하며, PL(PhotoLuminescence) 및 에미턴스(Emittance)의 곱으로 표현될 수 있다.

발광층이 녹색(Green)을 발광하는 경우, 발광하는 피크 파장은 520nm 내지 540nm 범위가 될 수 있으며, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)₃(tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 Ir complex와 같은 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또한, Alq₃(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.

발광층이 청색(Blue)을 발광하는 경우, 발광하는 피크 파장은 440㎚ 내지 480㎚ 범위가 될 수 있으며, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, FIrPic(bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium)를 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또한, spiro-DPVBi(4,4'-Bis(2,2-diphenyl-ethen-1-yl)biphenyl), DSA(1-4-di-[4-(N,N-di-phenyl)amino]styryl-benzene), PFO(polyfluorene)계 고분자 및 PPV(polyphenylenevinylene)계 고분자 중 어느 하나를 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.

발광층 상에는 전자수송층이 배치되며, 전자수송층은 발광층으로 전자의 이동을 원활하게 하는 역할을 한다. 전자수송층은, 예를 들어, Liq(8-hydroxyquinolinolato-lithium), PBD(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), TAZ(3-(4-biphenyl)4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), spiro-PBD, BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 BAlq(bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminum) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.

전자수송층 상에는 전자주입층이 더 배치될 수 있다. 전자주입층은 캐소드(446)로부터 전자의 주입을 원활하게 하는 유기층으로, 생략될 수 있다. 전자주입층은 BaF₂, LiF, NaCl, CsF, Li₂O 및 BaO와 같은 금속 무기 화합물일 수 있고, HAT-CN(dipyrazino[2,3-f:2’,3’-h]quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc(phthalocyanine), 및 NPD(N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-2,2’-dimethylbenzidine) 중에서 어느 하나 이상의 유기 화합물일 수 있다.

발광층과 인접한 위치에 정공 또는 전자의 흐름을 저지하는 전자저지층(Electron Blocking Layer) 또는 정공저지층(Hole Blocking Layer)이 더 배치될 수 있다. 전자저지층 또는 정공저지층 각각은 전자가 발광층에 주입될 때 발광층에서 이동하여 인접한 정공수송층으로 통과하거나 정공이 발광층에 주입될 때 발광층에서 이동하여 인접한 전자수송층으로 통과하는 현상을 방지하여 발광효율을 향상시킬 수 있다.

캐소드(446)는 발광부(444) 상에 배치되어, 발광부(444)로 전자를 공급하는 역할을 한다. 캐소드(446)는 전자를 공급하여야 하므로 일함수가 낮은 도전성 물질인 마그네슘(Mg), 은-마그네슘(Ag-Mg) 등과 같은 금속 물질로 구성할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

탑 에미션 방식인 경우, 캐소드(446)는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide; ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide; ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide; TiO) 계열의 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있다.

발광소자(440) 상에는 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)가 외부에서 유입되는 수분, 산소 또는 불순물들로 인해서 산화 또는 손상되는 것을 방지하기 위한 봉지부(460)가 배치될 수 있다. 봉지부(460)는 순차적으로 적층되어 배치된 복수의 봉지층, 이물보상층 및 복수의 베리어필름(Barrier Film)을 포함할 수 있다.

봉지층은 박막 트렌지스터(420) 및 발광소자(440)의 상부 전면에 배치되며, 무기물인 실리콘질화물(SiNx) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 중 하나로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

봉지층 상에는 이물보상층이 배치되고, 이물보상층 상에는 봉지층이 더 배치될 수 있다.

이물보상층은, 예를 들어, 유기물인 실리콘옥시카본(SiOCz), 아크릴(Acryl) 또는 에폭시(Epoxy) 계열의 레진(Resin)으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 이물보상층은 공정 중에 발생될 수 있는 이물이나 파티클(Particle)에 의해서 발생된 크랙(Crack)에 의해 불량에 의해 발생된 굴곡 및 이물을 덮어 보상할 수 있다.

봉지층 및 이물보상층 상에는 베리어필름이 더 배치될 수 있다. 베리어 필름은 외부에서의 산소 및 수분의 침투를 지연시킬 수 있다. 베리어필름은 투광성 및 양면 접착성을 띠는 필름 형태로 구성되며, 예를 들어, 올레핀(Olefin) 계열, 아크릴(Acrylic) 계열 및 실리콘(Silicon) 계열 중 어느 하나의 절연재료로 구성될 수 있고, 또는 COP(Cyclolefin Polymer), COC(Cycloolefin Copolymer) 및 PC(Polycarbonate) 중 어느 하나의 재료로 구성된 베리어필름을 더 적층할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

봉지부(460)까지 기판(410) 상에 배치가 완료되어 표시패널(400)의 제조공정이 완료되면 후공정이 진행된다. 표시장치에 포함된 표시패널(400) 상부에 터치기판, 편광판 및 커버 글라스 등을 순차적으로 배치하기 전까지 표시패널(400)을 보호하기 위해서 임시 보호필름(Temporary Protective Film; TPF) 형태의 보호필름(470)을 봉지부(460) 상에 배치한다.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치에 포함되어 있는 표시패널(400)은 종래의 보호필름에 위상차층이 더 코팅되어 포함된 보호필름(470)을 제조공정에 적용하여 종래의 편광판에서 발생하고 있는 불량을 방지하고, 박형화된 표시장치를 제공할 수 있는 효과가 있다.

봉지부(460) 상에 배치되는 보호필름(470)은 접착층(472), 제1 위상차층(474), 제2 위상차층(476) 및 보호층(478)을 포함할 수 있다.

접착층(472)은 표시패널(400)의 봉지부(460)와 직접 접착하여 고정되며, 광학용 접착제(Optically Clear Adhesive; OCA), 광학용 접착수지(Optically Clear Resin; OCR), 및 감압접착제(Pressure Sensitive Adhesive; PSA) 중 하나일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.

접착층(472) 상에 배치되는 제1 위상차층(474)은 제2 위상차층(476)의 하면에 접하여 배치된다. 제1 위상차층(474)은 지연각도가 미리 설정된 지연축을 가지고 입사하는 광의 위상을 위상차 값만큼 지연시키며, +C플레이트(+C Plate)로 구현될 수 있다.

제2 위상차층(476)은 지연 각도가 미리 설정된 지연축(Retardation Axis)을 가지고 입사하는 광의 위상을 위상차 값만큼 지연시키며, 사분의 일 파장판(Quarter Wave Plate; QWP)으로 구현될 수 있다. 이때, 사분의 일 파장판의 위상차 값은 중심 파장의 4분의 1이며, 선편광된 광이 입사하는 경우, 선편광된 광을 원편광된 광으로 변화시킨 후, 원편광된 광을 출력하고, 원편광된 광이 입사하는 경우, 원편광된 광을 선편광된 광으로 변화시킨 후, 선편광된 광을 출력한다.

보호필름(470)의 최외곽에 배치되는 보호층(478)은 외부로부터 가해질 수 있는 충격이나 오염의 침투를 방지하여 하부에 배치되는 봉지부(460)를 포함하는 표시패널(400) 상부에 터치기판, 편광판 및 커버 글라스 등을 순차적으로 배치하는 공정 전까지 표시패널(400)을 보호한다.

제1 위상차층(474) 및 제2 위상차층(476)은 보호층(478)의 일 면에 전사 코팅(Coating) 후에 접착층(472)을 코팅하여 형성할 수 있다. 이때, 보호필름(470)에서 접착층(472), 제1 위상차층(474) 및 제2 위상차층(476)은 표시패널(400)의 봉지부(460) 상부에 배치되지만, 터치패널을 표시패널(400) 상에 배치하기 전에 보호필름(470)의 최외곽에 배치되는 보호층(478)은 제거된다. 보호층(478)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate; PET)로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.

도 5a 내지 도 5c는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치 제조방법 단면도이다.

도 5a를 참조하면, 도 1 내지 도 4에서 설명한 표시패널(510) 상의 봉지부 상에는 도 4에서 설명한 보호필름(520)에서 보호층(528)이 제거되고 남은 접착층(522), 제1 위상차층(524) 및 제2 위상차층(526)을 배치한다.

보호필름(520)은 표시패널(510) 상에 배치되는 접착층(522)과 직접 접착하여 고정되며, 접착층(522) 상에 제1 위상차층(524) 및 제2 위상차층(526)이 순차적으로 배치된다.

제1 위상차층(524)은 제2 위상차층(526)의 하면에 배치된다. 제1 위상차층(524)은 지연각도가 미리 설정된 지연축을 가지고 입사하는 광의 위상을 위상차 값만큼 지연시키며, +C플레이트(+C Plate)로 구현될 수 있다.

제2 위상차층(526)은 지연 각도가 미리 설정된 지연축(Retardation Axis)을 가지고 입사하는 광의 위상을 위상차 값만큼 지연시키며, 사분의 일 파장판(Quarter Wave Plate(λ//4 plate); QWP)으로 구현될 수 있다. 이때, 사분의 일 파장판의 위상차 값은 중심 파장의 4분의 1이며, 선편광된 광이 입사하는 경우, 선편광된 광을 원편광된 광으로 변화시킨 후, 원편광된 광을 출력하고, 원편광된 광이 입사하는 경우, 원편광된 광을 선편광된 광으로 변화시킨 후, 선편광된 광을 출력한다.

표시패널(510)을 보호하기 위해서 표시패널(510) 상에 배치되는 임시 보호필름(TPF) 형태의 보호필름(520)은 터치패널(530)을 표시패널(510) 상에 배치하기 전에 보호필름(520)의 최외곽에 배치되는 보호층(528)을 제거한다.

도 5b를 참조하면, 표시패널(510) 상에 배치되는 보호필름(520)에 포함되는 제2 위상차층(526) 상에 터치기판(530) 및 편광판(540)를 순차적으로 배치한다.

최근 사용되는 표시장치들은 입력수단으로서 이전의 마우스나 키보드와 같은 입력수단을 대체하여 사용자가 손가락이나 펜을 이용하여 표시장치의 화면에 직접 정보를 입력할 수 있는 터치기판(530)을 탑재하여 다양한 분야에서 활용이 늘어나고 있다.

전계발광 표시장치(500)에 포함되는 터치기판(530)은 사용자의 손이나 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적신호로 변환하며, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 받아들여지고 이를 전계발광 표시장치(500)를 통해서 화면에 나타낸다.

터치기판(530)은 복수의 터치구동전극 및 복수의 터치감지전극이 교차되도록 구성되는 상호-정전용량 방식(Mutual-Capacitance Type) 또는 복수의 터치감지전극으로만 배치되는 자기-정전용량 방식(Self-Capacitance Type)이 적용될 수 있으며, 상면 또는 하면에 접착층이 배치되어 상부 구성요소 또는 하부 구성요소와 접착하여 고정될 수 있다.

편광판(540)은 전계발광 표시장치(500)를 사용자가 외부에서 사용할 때 발생될 수 있는 외부광의 반사를 억제한다. 외부에서 자연광이 유입되어 발광소자의 애노드에 포함된 반사판에 의해 반사되거나, 발광소자 하부에 배치된 금속으로 구성된 전극에 의해 반사될 수 있으며, 반사된 광들에 의해 영상이 시인되지 않을 수 있다. 이를 보완하기 위해 편광판(540)은 외부에서 유입된 광을 특정 방향으로 편광하며, 반사된 광이 다시 전계발광 표시장치(500)의 외부로 방출되지 못하게 한다.

전계발광 표시장치에서 적용되던 기존의 편광판은 위상차판과 위상차판 상부에 선편광판을 배치하며, 외부광의 입사방향에 가깝도록 선편광판을 배치하지만, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(500)에 포함되어 있는 편광판(540)은 선편광판만을 포함하며, 위상차판의 역할은 하부에 배치되는 제1 위상차층(524) 및 제2 위상차층(526)에서 대체하여 편광판(540)에서 발생될 수 있는 불량을 방지하고, 박형화된 전계발광 표시장치(500)를 제공할 수 있는 효과가 있다.

편광판(540)은 외부로부터 입사되는 외부광의 편광특성을 변화시키는 편광층(546), 편광층(546)의 상면 및 하면에 배치되어 편광층(546)을 보호 및 지지하는 TAC(Triacetyl Cellulose)필름(544)를 포함하며, 편광판(540)의 상부 및 하부에 접착층(542) 및 편광판 보호층(548)을 더 포함할 수 있다.

편광층(546)은 흡수축에 평행한 선편광은 흡수하고, 흡수축과 수직한 선편광인 투과축에 평행한 선편광은 투과시키는 특성을 가진다. 편광층(546)은 요오드 이온(Iodine Ions)이나 이색성 염료(Dichroic Dyes)가 염착되어 연신된 폴리비닐알코올(Poly-Vinyl Alcohol; PVA)로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 편광층(546)을 통해서 편광된 외부광은 표시패널(510) 상에 배치되는 제1 위상차층(524) 및 제2 위상차층(526)을 통해서 외부에서 자연광이 유입되어 발광소자의 애노드에 포함된 반사판에 의해 반사되거나, 발광소자 하부에 배치된 금속으로 구성된 전극에 의해 반사될 때, 반사된 광이 다시 전계발광 표시장치(500)의 외부로 방출되지 못하게 한다.

기존의 편광판은 위상차판과 위상차판 상부에 선편광판을 배치한 일체형 구조이다. 이때, 표시장치가 고온에서는 상부에 위치한 편광판의 선편광판과 위상차판이 고온에 동시에 영향을 받으면서 서로 다른 열팽창 계수로 인해서 각각 서로 다른 수축 및 변형이 발생되며 외부에서 사용자가 사용을 했을 때 얼룩이 시인되거나 시감이 변화되는 불량이 발생하는 문제가 있었다. 특히, 위상차판이 더 큰 영향을 받으면서 문제가 발생되는 경우가 많았다.

이에, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(500)는 기존의 보호필름 및 편광판을 개선하여 보호필름(520)에 제1 위상차층(524) 및 제2 위상차층(526)을 전사코팅하여 표시패널(510) 상에 배치되도록 한다.

편광판(540)은 기존의 편광판 구조에서 위상차판이 포함되지 않은 션편광판 역할을 하는 편광층(546)만을 터치기판(530) 상에 배치하여, 최종적으로 선편광판과 위상차판이 터치기판(530)을 사이에 두고 층분리가 이루어지는 구조를 적용하였다.

전계발광 표시장치(500)가 제조공정이 진행되는 고온에서도 기존의 편광판이 선편광판과 위상차판이 고온에 동시에 영향을 받으면서 서로 다른 열팽창 계수로 각각 서로 다른 수축 및 변형이 발생되며 외부에서 사용자가 사용했을 때 얼룩이 시인되거나 시감이 변화되는 불량을 발생하게 되지만, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(500)는 선편광판인 편광판(540)의 편광층(546)과 위상차판인 표시패널(510) 상의 제1 위상차층(524) 및 제2 위상차층(526)이 터치기판(530)을 사이에 서로 이격하여 층분리가 이루어지는 구조로 고온에서도 제1 위상차층(524) 및 제2 위상차층(526)의 수축 및 변형을 방지하여 이로 인해서 발생될 수 있는 불량을 감소시키는 효과가 있다.

이와함께, 기존의 편광판과 대비하여 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(500)에 포함된 편광판(540)은 위상차판이 제거되어 있으므로, 편광판(540)을 간소화하여 단가를 낮출수 있으며, 별도의 층이 포함되지 않고 표시패널(510) 상에 제1 위상차층(524) 및 제2 위상차층(526)을 전사코팅하여 더 박형화된 전계발광 표시장치(500)를 구현할 수 있는 효과가 있다.

표시패널(510), 터치기판(530) 및 편광판(540) 사이에는 별도의 접착층을 배치해서, 서로 접착해서 고정시킬 수 있다. 이때, 접착층은 투명한 접착 레진(Optically Cleared Resin; OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Cleared film; OCA film) 재질로 구성될수 있으며, 이에 제한되지 않는다.

도 5c를 참조하면, 편광판(540) 상에는 전계발광 표시장치(500)의 외관을 보호하는 커버 글라스(Cover Glass; 550)를 배치하여, 전계발광 표시장치(500)가 외부로부터 받는 충격으로부터 내부 구성요소들을 보호할 수 있다. 강성이 우수한 유리나 열 성형이 가능하고 가공성이 좋은 플라스틱과 같은 물질 등의 유연성을 가지는 필름으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 유리 또는 강화유리는 예를 들면, 사파이어 글라스(Sapphire Glass) 및 고릴라 글라스(Gorilla Glass) 중 어느 하나 또는 이들의 접합 구조를 가질 수 있다.

편광판(540) 및 커버 글라스(550) 사이에는 별도의 접착층을 배치해서, 서로 접착해서 고정시킬 수 있다. 이때, 접착층은 투명한 접착 레진(Optically Cleared Resin; OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Cleared film; OCA film) 재질로 구성될수 있으며, 이에 제한되지 않는다.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 박막 트랜지스터 및 발광소자 상에 배치되는 봉지부를 더 포함한다.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 위상차층은 보호필름에 포함되는 보호층 상에 배치되고, 보호필름은 보호층이 제거되어 포함되지 않는 위상차층이 표시패널 상에 배치된다.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 위상차층과 표시패널 사이에는 접착층이 배치되고, 접착층에 의해 서로 접착된다.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 접착층은 광학용 접착제(Optically Clear Adhesive, OCA), 광학용 접착수지(Optically Clear Resin, OCR), 및 감압접착제(Pressure Sensitive Adhesive, PSA) 중 하나의 재질로 구성된다.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 편광판은 선편광판의 상면 및 하면에 배치되는 TAC 필름을 포함한다.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 터치기판, 편광판 및 커버 글라스 사이에는 접착층이 배치되고, 접착층에 의해 서로 접착된다.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 접착층은 투명한 접착 레진(Optically Cleared Resin, OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Cleared film, OCA film) 재질로 구성된다.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 박막 트랜지스터 및 발광소자 상에 봉지부를 더 배치하는 단계를 포함하여 제조한다.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 보호필름에 포함되는 보호층 상에 위상차층을 코팅하는 더 단계를 포함하여 제조한다.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 위상차층과 표시패널 사이에는 접착층이 배치되고, 접착층에 의해 서로 접착되는 단계를 포함하여 제조한다.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 접착층은 광학용 접착제(Optically Clear Adhesive, OCA), 광학용 접착수지(Optically Clear Resin, OCR), 및 감압접착제(Pressure Sensitive Adhesive, PSA) 중 하나의 재질로 구성되어 제조한다.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 보호층은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate, PET)로 구성되어 제조한다.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 편광판은 선편광판의 상면 및 하면에 배치되는 TAC 필름을 포함하여 제조한다.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 터치기판, 편광판 및 커버 글라스 사이에는 접착층이 배치되고, 접착층에 의해 서로 접착되는 단계를 포함하여 제조한다.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 접착층은 투명한 접착 레진(Optically Cleared Resin, OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Cleared film, OCA film) 재질로 구성되어 제조한다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

100, 200, 500: 전계발광 표시장치
110: 영상처리부
120: 타이밍 컨트롤러
130: 데이터 구동부
140: 게이트 구동부
150, 300, 400, 510: 표시패널
160: 화소
220: 게이트 라인
230: 데이터 라인
240: 스위칭트랜지스터
250: 구동트랜지스터
260: 보상회로
270, 440: 발광소자
310, 410: 기판
370: 회로배선
390: 게이트 구동부
395: 패드
420: 박막 트랜지스터
422: 게이트 전극
424: 소스 전극
426: 드레인 전극
428: 반도체층
431: 제1 절연층
433: 제2 절연층
435: 제1 평탄화층
437: 제2 평탄화층
442: 애노드
444: 발광부
446: 캐소드
450: 뱅크
452: 스페이서
460: 봉지부
470, 520: 보호필름
472, 522: 접착층
474, 524: 제1 위상차층
476, 526: 제2 위상차층
478, 528: 보호층
530: 터치기판
540: 편광판
542: 접착층
544: TAC필름
546: 편광층
548: 편광판 보호층
550: 커버 글라스
A/A: 표시영역
N/A: 비표시영역
B/A: 벤딩영역
S/L: 스캔라인

Claims

박막 트랜지스터 및 발광소자를 포함하는 표시패널;
상기 표시패널 상에 배치되는 위상차층;
상기 위상차층 상에 배치되는 터치기판;
상기 터치기판 상에 배치되는 편광판; 및
상기 편광판 상에 배치되는 커버 글라스를 포함하며,
상기 위상차층은 +C플레이트 및 사분의일 파장판을 포함하고,
상기 편광판은 선편광판을 포함하는, 전계발광 표시장치.
제1 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터 및 상기 발광소자 상에 배치되는 봉지부를 더 포함하는, 전계발광 표시장치.
제1 항에 있어서,
상기 위상차층은 보호필름에 포함되는 보호층 상에 배치되고,
상기 보호필름은 상기 보호층이 제거되어 포함되지 않는 상기 위상차층이 상기 표시패널 상에 배치되는, 전계발광 표시장치.
제1 항에 있어서,
상기 위상차층과 상기 표시패널 사이에는 접착층이 배치되고, 상기 접착층에 의해 서로 접착되는, 전계발광 표시장치.
제4 항에 있어서,
상기 접착층은 광학용 접착제(Optically Clear Adhesive; OCA), 광학용 접착수지(Optically Clear Resin; OCR), 및 감압접착제(Pressure Sensitive Adhesive; PSA) 중 하나의 재질로 구성되는, 전계발광 표시장치.
제1 항에 있어서,
상기 편광판은 상기 선편광판의 상면 및 하면에 배치되는 TAC 필름을 포함하는, 전계발광 표시장치.
제1 항에 있어서,
상기 터치기판, 편광판 및 상기 커버 글라스 사이에는 접착층이 배치되고, 상기 접착층에 의해 서로 접착되는, 전계발광 표시장치.
제7 항에 있어서,
상기 접착층은 투명한 접착 레진(Optically Cleared Resin; OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Cleared film; OCA film) 재질로 구성되는, 전계발광 표시장치.
박막 트랜지스터 및 발광소자를 포함하는 표시패널을 형성하는 단계;
상기 표시패널 상에 위상차층 및 보호층을 포함하는 보호필름을 배치하는 단계;
상기 보호필름에서 상기 보호층을 제거하는 단계;
상기 위상차층 상에 터치기판을 배치하는 단계;
상기 터치기판 상에 편광판을 배치하는 단계; 및
상기 편광판 상에 커버 글라스를 배치하는 단계를 포함하며,
상기 위상차층은 +C플레이트 및 사분의일 파장판을 포함하고,
상기 편광판은 선편광판을 포함하는, 전계발광 표시장치 제조방법.
제9 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터 및 상기 발광소자 상에 봉지부를 더 배치하는 단계를 포함하는, 전계발광 표시장치 제조방법.
제9 항에 있어서,
상기 보호필름에 포함되는 보호층 상에 상기 위상차층을 코팅하는 더 단계를 포함하는, 전계발광 표시장치 제조방법.
제9 항에 있어서,
상기 위상차층과 상기 표시패널 사이에는 접착층이 배치되고, 상기 접착층에 의해 서로 접착되는 단계를 포함하는, 전계발광 표시장치 제조방법.
제12 항에 있어서,
상기 접착층은 광학용 접착제(Optically Clear Adhesive; OCA), 광학용 접착수지(Optically Clear Resin; OCR), 및 감압접착제(Pressure Sensitive Adhesive; PSA) 중 하나의 재질로 구성되는, 전계발광 표시장치 제조방법.
제9 항에 있어서,
상기 보호층은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate; PET)로 구성되는, 전계발광 표시장치 제조방법.
제9 항에 있어서,
상기 편광판은 상기 선편광판의 상면 및 하면에 배치되는 TAC 필름을 포함하는, 전계발광 표시장치 제조방법.
제9 항에 있어서,
상기 터치기판, 편광판 및 상기 커버 글라스 사이에는 접착층이 배치되고, 상기 접착층에 의해 서로 접착되는 단계를 포함하는, 전계발광 표시장치 제조방법.
제9 항에 있어서,
상기 접착층은 투명한 접착 레진(Optically Cleared Resin; OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Cleared film; OCA film) 재질로 구성되는, 전계발광 표시장치 제조방법.