KR20220031280A

KR20220031280A - 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법

Info

Publication number: KR20220031280A
Application number: KR1020200113018A
Authority: KR
Inventors: 박세홍; 한경훈
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2020-09-04
Filing date: 2020-09-04
Publication date: 2022-03-11

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 발광 영역 및 비발광 영역으로 구성되는 복수의 서브 화소를 포함하는 표시 영역을 갖는 기판, 복수의 서브 화소에 배치되는 복수의 발광 소자, 표시 영역에서 복수의 발광 소자를 덮는 봉지부, 봉지부 상에 배치된 제1 무기 절연층, 제1 무기 절연층 상에 배치된 제1 터치부, 제1 터치부 상에 배치된 제2 무기 절연층, 제1 무기 절연층 및 제2 무기 절연층 상에 배치된 제2 터치부, 및 제2 터치부 상에 배치되고, 비발광 영역과 중첩하는 영역에 하나 이상의 패턴이 배치되는 유기 절연층을 포함할 수 있다.

Description

표시 장치 및 표시 장치 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD DISPLAY DEVICE USING THE SAME}

본 발명은 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 광 효율이 향상된 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법에 관한 것이다.

컴퓨터의 모니터나 TV, 핸드폰 등에 사용되는 표시 장치에는 스스로 광을 발광하는 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display; OLED) 등과 별도의 광원을 필요로 하는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD)등이 있다.

표시 장치는 컴퓨터의 모니터 및 TV 뿐만 아니라 개인 휴대 기기까지 그 적용 범위가 다양해지고 있으며, 넓은 표시 면적을 가지면서도 감소된 부피 및 무게를 갖는 표시 장치에 대한 연구가 진행되고 있다.

표시 장치 중 사용자의 터치를 인식할 수 있는 터치부를 포함하는 터치 스크린 일체형 표시 장치가 있다. 터치 스크린 일체형 표시 장치는 손가락이나 펜을 이용하여 직접 정보를 입력할 수 있어, 네비게이션(navigation), 휴대용 단말기 및 가전 제품 등에 널리 적용된다.

본 발명에서 해결하고자 하는 과제는 광 효율을 개선할 수 있는 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 공정 추가 없이 광 효율을 개선할 수 있는 패턴을 형성할 수 있는 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법은 발광 영역 및 비발광 영역이 정의된 기판 상에 복수의 발광 소자를 배치하는 단계, 복수의 발광 소자를 덮도록 봉지부를 배치하는 단계, 봉지부 상에 제1 무기 절연층을 배치하는 단계, 제1 무기 절연층 상에 제1 터치부를 배치하는 단계, 제1 터치부 상에 제2 무기 절연층을 배치하는 단계, 제1 무기 절연층 및 제2 무기 절연층 상에 제2 터치부를 배치하는 단계, 제2 터치부 상에 유기 절연층을 배치하는 단계, 및 유기 절연층 중 비발광 영역과 중첩하는 영역에 하나 이상의 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

본 발명은 발광 영역을 둘러싸도록 패턴을 배치하여, 표시 장치의 외곽으로 향하는 광이 표시 장치의 정면을 향하도록 함으로써, 표시 장치의 광 효율을 개선할 수 있다.

본 발명은 동일한 마스크를 사용하여 유기 절연층 및 패턴을 형성하여, 공정을 추가하지 않고 광 효율을 개선할 수 있는 패턴을 형성할 수 있다.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II’에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 A 영역에 대한 확대 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 하나의 서브 화소에 대한 확대 평면도이다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 공정도이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고, 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형상으로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 면적, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.

또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

도면에서 나타난 각 구성의 면적 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 면적 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 표시 장치(100)의 다양한 구성 요소 중 기판(110) 및 복수의 서브 화소(SP)만을 도시하였다.

기판(110)은 표시 장치(100)의 다른 구성 요소를 지지하기 위한 지지 부재로, 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 유리 또는 수지 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(110)은 고분자 또는 폴리이미드(PI) 등과 같은 플라스틱을 포함하여 이루어질 수도 있고, 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 물질로 이루어질 수도 있다.

기판(110)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함한다.

표시 영역(AA)은 영상을 표시하는 영역이다. 표시 영역(AA)에는 영상을 표시하기 위한 복수의 서브 화소(SP) 및 복수의 서브 화소(SP)를 구동하기 위한 회로부가 배치될 수 있다. 회로부는 서브 화소(SP)를 구동하기 위한 다양한 박막 트랜지스터, 커패시터 및 배선 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 회로부는 구동 박막 트랜지스터, 스위칭 박막 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 게이트 배선 및 데이터 배선 등과 같은 다양한 구성 요소로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역으로, 표시 영역(AA)에 배치된 서브 화소(SP)를 구동하기 위한 다양한 배선, 구동 IC 등이 배치되는 영역이다. 예를 들어, 비표시 영역(NA)에는 게이트 드라이버 IC, 데이터 드라이버 IC와 같은 다양한 구동 IC 등이 배치될 수 있다.

도 1에서는 비표시 영역(NA)이 표시 영역(AA)을 둘러싸는 것으로 도시되어 있으나, 비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)의 일측에서 연장된 영역일 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.

기판(110)의 표시 영역(AA)에 복수의 서브 화소(SP)가 배치된다. 복수의 서브 화소(SP) 각각은 빛을 발광하는 개별 단위로, 복수의 서브 화소(SP) 각각에는 발광 소자 및 구동 회로가 형성된다. 예를 들어, 복수의 서브 화소(SP)는 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 복수의 서브 화소(SP)는 백색 서브 화소를 더 포함할 수도 있다.

이하에서는 복수의 서브 화소(SP)에 대한 보다 상세한 설명을 위해 도 2를 함께 참조한다.

도 2는 도 1의 II-II’에 따른 단면도이다. 도 3은 도 1의 A 영역에 대한 확대 평면도이다.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 기판(110), 트랜지스터(TFT), 평탄화층(111), 발광 소자(120), 뱅크(112), 패드부(140), 댐(130), 봉지부(150) 및 터치부(160)를 포함한다.

기판(110) 상에 트랜지스터(TFT)가 배치된다. 트랜지스터(TFT)는 데이터 전압을 복수의 서브 화소(SP)로 전달한다.

트랜지스터(TFT)는 게이트 전극, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.

기판(110) 상에 액티브층이 배치될 수 있다. 액티브층은 산화물 반도체, 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘 등을 포함할 수 있다.

트랜지스터(TFT)의 구조에 따라, 액티브층의 상부 또는 하부에 게이트 전극이 배치될 수 있다. 게이트 전극은 도전성 물질, 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

액티브층과 게이트 전극 사이에 게이트 절연층이 배치될 수 있다. 게이트 절연층은 게이트 전극과 액티브층을 절연시키기 위한 층으로, 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단층이나 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

액티브층과 전기적으로 연결되고, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극이 배치될 수 있다. 소스 전극 및 드레인 전극은 도전성 물질, 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

트랜지스터(TFT)의 구조에 따라, 게이트 전극과 소스 전극 및 드레인 전극을 절연시키기 위해, 게이트 전극과 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 층간 절연층 등이 더 배치될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.

트랜지스터(TFT) 상에 평탄화층(111)이 배치된다. 평탄화층(111)은 기판(110)의 일부 영역의 상부를 평탄화시킨다. 예를 들면, 평탄화층(111)은 표시 영역(AA)에 배치될 수 있고, 평탄화층(111)은 비표시 영역(NA)의 전체 또는 일부 영역에 배치되지 않을 수 있다.

평탄화층(111)은 단층 또는 복층으로 구성될 수 있으며, 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 평탄화층(111)은 아크릴(acryl)계 유기 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 평탄화층(111)은 트랜지스터(TFT)와 발광 소자(120)를 전기적으로 연결시키기 위한 컨택홀(CH)을 포함한다.

평탄화층(111) 상에 발광 소자(120)가 배치된다. 발광 소자(120)는 광을 발광하는 자발광 소자로, 트랜지스터(TFT) 등으로부터 전압을 공급받아 구동될 수 있다. 발광 소자(120)는 애노드(121), 발광층(122) 및 캐소드(123)를 포함한다.

애노드(121)는 평탄화층(111) 상에서 각각의 서브 화소(SP) 별로 분리되어 배치된다. 애노드(121)는 평탄화층(111)에 형성된 컨택홀(CH)을 통해 트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결된다. 애노드(121)는 발광층(122)에 정공을 공급할 수 있는 도전성 물질로 이루어진다. 예를 들어, 애노드(121)는 주석 산화물(Tin Oxide; TO), 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide; IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Zinc Tin Oxide; ITZO) 등과 같은 투명 도전성 물질 및 은(Ag), 은 합금(Ag alloy)과 같은 반사성이 우수한 물질로 이루어지는 반사층으로 이루어질 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.

애노드(121) 및 평탄화층(111) 상에 뱅크(112)가 배치된다. 뱅크(112)는 서로 인접한 서브 화소(SP)를 구분하기 위한 절연층이다. 뱅크(112)는 애노드(121)의 일부를 개구시키도록 배치될 수 있으며, 뱅크(112)는 애노드(121)의 엣지를 덮도록 배치된 유기 절연 물질일 수 있다.

애노드(121) 상에 발광층(122)이 배치된다. 발광층(122)은 하나의 발광층(122)으로 구성될 수도 있고, 서로 다른 색의 광을 발광하는 복수의 발광층(122)이 적층된 구조일 수 있다. 예를 들면, 복수의 발광층(122)은 동일 색을 발광하는 발광층으로 구성된 적층된 구조일 수 있다. 예를 들면, 동일한 색은 적색, 녹색, 청색 중 하나일 수 있다. 다른 예로는, 복수의 발광층(122)은 다른 색을 발광하는 발광층으로 구성된 적층된 구조일 수 있다. 예를 들면, 제1 스택 이상의 적층된 구조를 가질 수 있다. 제1 스택의 발광층은 청색, 진청색, 및 스카이블루 중 하나 이상으로 구성할 수 있고, 제2 스택의 발광층은 노란색, 옐로우그린, 녹색, 및 적색 중 하나 이상으로 구성할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 제3 스택이 포함될 경우에는 발광층은 제1 스택의 발광층과 동일한 색으로 구성할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 발광 소자(120)는 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 도 2를 참조하면, 각각의 서브 화소(SP)에 배치된 발광층(122)은 서브 화소(SP) 별로 분리되어 배치된 것으로 도시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들면, 발광층(122)의 전체 또는 일부는 복수의 서브 화소(SP)에 걸쳐 하나의 층으로 형성될 수도 있다. 또한, 발광층(122)은 유기물로 이루어지는 유기 발광층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 발광층(122)은 양자점 발광층 또는 마이크로 LED일 수 있다.

발광층(122) 상에 캐소드(123)가 배치된다. 캐소드(123)는 발광층(122)에 전자를 공급할 수 있는 도전성 물질로 이루어진다. 예를 들어, 캐소드(123)는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide, ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide, ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide, TO) 계열의 투명 도전성 산화물 또는 이테르븀(Yb) 합금으로 이루어질 수 있다. 또는, 캐소드(123)는 매우 얇은 두께의 금속 물질로 이루어질 수도 있으나, 이에 제한되지 않는다. 도 2를 참조하면, 각각의 서브 화소(SP)에 배치된 캐소드(123)는 서로 연결된 것으로 도시되어 있으나, 애노드(121)와 같이 서브 화소(SP) 별로 분리되어 배치될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.

표시 영역(AA)은 복수의 발광 영역(EA) 및 복수의 발광 영역(EA) 사이의 비발광 영역(NEA)일 수 있다.

복수의 발광 소자(120) 각각이 배치된 영역은 복수의 발광 영역(EA)일 수 있다. 복수의 발광 영역(EA) 각각은 독립적으로 한가지 색의 광을 발광할 수 있는 영역으로, 복수의 서브 화소(SP)에 대응되는 영역일 수 있고, 뱅크(112)가 배치되지 않은 영역일 수 있다. 예를 들어, 복수의 발광 영역(EA)은 적색 발광 영역, 녹색 발광 영역 및 청색 발광 영역을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 복수의 발광 영역(EA)은 서로 이격되어 배치될 수 있고, 예를 들어, 행 방향 및 열 방향으로 배열되는 격자 형태로 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

복수의 발광 소자(120)가 배치되지 않은 영역은 비발광 영역(NEA)일 수 있다. 비발광 영역(NEA)은 복수의 발광 영역(EA) 사이에 배치된 영역으로, 뱅크(112)가 배치된 영역일 수 있다. 비발광 영역(NEA)은 복수의 발광 영역(EA)을 둘러싸도록 배치되므로, 메쉬(mesh) 형태로 이루어질 수 있다.

비표시 영역(NA)에 댐(130)이 배치된다. 예를 들면, 비표시 영역(NA)에서 기판(110) 상에 댐(130)이 배치된다. 댐(130)은 표시 영역(AA)을 덮도록 배치되는 봉지부(150) 중 유기 봉지층(152)의 퍼짐을 제어하기 위해 배치된다. 예를 들면, 댐(130)은 봉지부(150)의 유기 봉지층(152)의 오버플로우(overflow)를 억제할 수 있다. 댐(130)은 하나 이상 구성할 수 있으며, 배치되는 댐의 수에 제한되는 것은 아니다.

비표시 영역(NA)에 패드부(140)가 배치된다. 패드부(140)는 댐(130)의 외측에 배치될 수 있다. 패드부(140)를 통해 기판(110)에 형성된 회로부, 구동 IC 등에 신호를 입력할 수 있다. 예를 들어, 패드부(140)는 외부로부터 공급되는 신호를 기판(110)의 회로부, 구동 IC 등으로 공급할 수 있다. 예를 들어, 패드부(140)는 터치부(160)로 터치부(160)를 구동하기 위한 신호를 공급하고, 사용자의 터치 입력에 대한 신호를 터치부(160)으로부터 수신할 수 있다.

발광 소자(120) 상에 봉지부(150)가 배치된다. 봉지부(150)는 발광 소자(120)를 외부의 수분, 산소, 충격 등으로부터 보호하는 밀봉 부재이다. 봉지부(150)는 발광 소자(120)가 배치된 표시 영역(AA) 전체를 덮도록 배치될 수 있고, 봉지부(150)는 표시 영역(AA)으로부터 연장된 비표시 영역(NA)의 일부까지 덮도록 배치될 수 있다. 봉지부(150)는 무기물로 이루어진 제1 무기 봉지층(151), 제1 무기 봉지층(151) 상에 배치되고 유기물로 이루어진 유기 봉지층(152) 및 유기 봉지층(152) 상에 배치된 제2 무기 봉지층(153)을 포함할 수 있다.

제1 무기 봉지층(151)은 표시 영역(AA)을 밀봉하여 표시 영역(AA)으로 침투하는 산소 및 수분으로부터 발광 소자(120)를 보호한다. 제1 무기 봉지층(151)은 표시 영역(AA)만이 아니라, 표시 영역(AA)으로부터 연장된 비표시 영역(NA)에까지 배치될 수 있고, 비표시 영역(NA)의 댐(130) 등을 덮도록 배치될 수 있다. 제1 무기 봉지층(151)은 무기물로 이루어지며, 예를 들어, 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 산화질화물(SiON) 등과 같은 무기물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

제1 무기 봉지층(151) 상에 유기 봉지층(152)이 배치된다. 유기 봉지층(152)은 제1 무기 봉지층(151) 상부를 평탄화하기 위한 층으로, 제1 무기 봉지층(151)에 발생할 수 있는 크랙을 충진하고, 제1 무기 봉지층(151) 상에 이물질이 형성되는 경우, 이물질 상부를 평탄화할 수 있다. 유기 봉지층(152)은 표시 영역(AA) 및 표시 영역(AA)으로부터 연장된 비표시 영역(NA)의 일부까지 배치될 수 있고, 댐(130)의 내측으로 배치될 수 있다. 유기 봉지층(152)은 에폭시(Epoxy) 계열 또는 아크릴(Acryl) 계열의 폴리머가 사용될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

유기 봉지층(152) 상에 제2 무기 봉지층(153)이 배치된다. 제2 무기 봉지층(153)은 표시 장치(100)의 외곽부에서 제1 무기 봉지층(151)과 접하는 방식으로 제1 무기 봉지층(151)과 함께 유기 봉지층(152)을 밀봉할 수 있다. 제2 무기 봉지층(153)은 표시 영역(AA)으로부터 연장된 비표시 영역(NA) 일부까지 배치될 수 있고, 제2 무기 봉지층(153)은 비표시 영역(NA)에 배치된 제1 무기 봉지층(151)과 접하도록 배치될 수 있다. 제2 무기 봉지층(153)은 무기물로 이루어지며, 예를 들어, 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 산화질화물(SiON) 등과 같은 무기물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

도 2에서는 봉지부(150)가 제1 무기 봉지층(151), 유기 봉지층(152) 및 제2 무기 봉지층(153)을 포함하는 것으로 도시하였으나, 봉지부(150)에 포함되는 무기 봉지층(151, 153)의 개수 및 유기 봉지층(152)의 개수는 이에 제한되지 않는다.

봉지부(150) 상에 터치부(160)가 배치된다. 터치부(160)는 발광 소자(120)를 포함하는 표시 영역(AA)에 배치되어 터치 입력을 센싱할 수 있다. 터치부(160)는 사용자의 손가락 또는 터치펜 등을 이용한 외부의 터치 정보를 감지할 수 있다. 터치부(160)는 제1 무기 절연층(161), 제2 무기 절연층(162), 유기 절연층(163), 제1 터치부(164) 및 제2 터치부(165)를 포함한다.

봉지부(150) 상에 제1 무기 절연층(161)이 배치된다. 제1 무기 절연층(161)은 봉지부(150)의 제2 무기 봉지층(153) 상에 접한다. 제1 무기 절연층(161)은 무기물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 산화질화물(SiON) 등과 같은 무기물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

도 2를 참조하면, 제1 무기 절연층(161) 상에 제1 터치부(164)가 배치된다. 제1 터치부(164)는 제1 무기 절연층(161) 상에서, 비발광 영역(NEA)에 배치된다. 제1 터치부(164) 각각은 서로 이격되어 X축 방향 및 Y축 방향으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 터치부(164)는 서로 이격되어 X축 방향으로 배치되는 복수의 패턴 및 Y축 방향으로 배치되는 복수의 패턴을 포함할 수 있다. 제1 터치부(164)는 터치부(160)를 구동하기 위한 터치 구동 신호를 공급한다. 또한, 제1 터치부(164)는 터치부(160)에서 감지한 터치 정보를 구동 IC로 전달할 수 있다. 제1 터치부(164)는 메쉬 형태로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 터치부(164)는 금속 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

제1 터치부(164) 및 제1 무기 절연층(161) 상에 제2 무기 절연층(162)이 배치된다. 제2 무기 절연층(162)은 인접하게 배치된 제1 터치부(164)의 단락을 방지할 수 있다. 제2 무기 절연층(162)은 무기물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 산화질화물(SiON) 등과 같은 무기물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

표시 영역(AA)의 최외곽에 배치된 제2 터치부(165)는 비표시 영역(NA)의 패드부(140)에까지 연장되어, 패드부(140)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 터치부(165)는 표시 영역(AA) 상의 터치 위치를 감지할 수 있고, 제2 터치부(165)는 터치 위치를 포함하는 터치 정보를 패드부(140)로 전달할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다. 예를 들면, 제1 터치부(164) 및 제2 터치부(165)가 아닌 다른 부분을 통해 터치부(160)가 패드부(140)와 전기적으로 연결될 수도 있고, 제1 터치부(164)가 패드부(140)와 전기적으로 연결될 수도 있다.

제2 터치부(165) 및 제2 무기 절연층(162) 상에 유기 절연층(163)이 배치된다. 유기 절연층(163)은 제2 터치부(165)의 상부를 평탄화할 수 있고, 유기 절연층(163) 하부의 구성들을 보호할 수 있다. 유기 절연층(163)은 에폭시(Epoxy) 계열 또는 아크릴(Acryl) 계열의 폴리머가 사용될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

터치부(160) 상에 편광판이 더 배치될 수 있다. 편광판은 터치부(160) 상에 배치되어, 표시 장치(100)로 입사하는 외부 광의 반사를 저감할 수 있다. 또한, 터치부(160) 상에는 다양한 광학 필름이나 보호 필름 등이 더 배치될 수도 있다.

도 2 를 참조하면, 유기 절연층은 하나 이상의 패턴(163a)을 포함한다. 유기 절연층의 하나 이상의 패턴(163a)은 제2 터치부(165) 상에서 표시 영역(AA)의 비발광 영역(EA)과 중첩하는 영역에 배치된다. 이에, 하나 이상의 패턴(163a)은 표시 영역(AA)의 발광 영역(EA)에는 배치되지 않을 수 있다.

하나 이상의 패턴(163a)은 홈 형상으로 이루어진다. 도 2에서는 하나 이상의 패턴(163a)이 이루는 홈의 형상이 사다리꼴 형상인 것으로 도시되었으나, 이에 제한되지 않으며, 하나 이상의 패턴(163a)의 형상은 직사각형, 사각형, 원형 형상 등으로 이루어질 수 있다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 하나 이상의 패턴(163a)은 평면 상에서 발광 영역(EA)을 둘러싸도록 배치된다. 이때, 하나 이상의 패턴(163a)은 발광 영역(EA)의 형상과 동일한 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 발광 영역(EA)이 평면 상에서 사각형 형상인 경우, 하나 이상의 패턴(163a)은 사각형 형상으로 배치될 수 있고, 발광 영역(EA)이 평면 상에서 원형 형상인 경우, 하나 이상의 패턴(163a)은 원형 형상으로 배치될 수 있다.

하나 이상의 패턴(163a)은 복수의 서브 화소 각각에 배치된다. 하나 이상의 패턴(163a)은 복수의 서브 화소 각각의 발광 영역(EA)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이때, 복수의 서브 화소 각각에 배치되는 하나 이상의 패턴(163a)의 개수는 복수의 서브 화소 각각의 광 추출량에 따라 결정될 수 있다. 예를 들어, 복수의 서브 화소 중 청색 서브 화소(SP_B)에서 높은 광 추출량이 요구되는 경우, 청색 서브 화소(SP_B)에 배치되는 패턴(163a)의 개수를 증가시켜, 청색 서브 화소(SP_B)에서의 광 추출량을 증가시킬 수 있다. 반대로, 복수의 서브 화소 중 청색 서브 화소(SP_B)에서 낮은 광 추출량이 요구되는 경우, 청색 서브 화소(SP_B)에 배치되는 패턴(163a)의 개수를 감소시켜, 청색 서브 화소(SP_B)에서의 광 추출량을 감소시킬 수 있다. 이에, 도 3에 도시된 바와 같이, 청색 서브 화소(SP_B)에서의 하나 이상의 패턴(163a)의 개수와 녹색 서브 화소(SP_G)에서의 하나 이상의 패턴(163a)의 개수가 동일할 수 있고, 적색 서브 화소(SP_R)에 배치되는 하나 이상의 패턴(163a)의 개수는 청색 서브 화소(SP_B) 또는 녹색 서브 화소(SP_G)에 배치되는 하나 이상의 패턴(163a)의 개수보다 적을 수 있다.

복수의 서브 화소 각각에 배치되는 하나 이상의 패턴(163a)의 개수는 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 청색 서브 화소(SP_B)의 발광 영역(EA_B)을 둘러싸도록 배치되는 하나 이상의 패턴(163a)의 개수, 녹색 서브 화소(SP_G)의 발광 영역(EA_G)을 둘러싸도록 배치되는 하나 이상의 패턴(163a)의 개수 및 적색 서브 화소(SP_R)의 발광 영역(EA_R)을 둘러싸도록 배치되는 하나 이상의 패턴(163a)의 개수는 서로 상이할 수 있다.

하나 이상의 패턴(163a)은 복수로 구성될 수 있다. 복수의 패턴(163a) 각각은 평면 상에서 발광 영역(EA)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이때, 복수의 패턴(163a) 각각은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 복수의 패턴(163a) 중 서로 인접하는 두 개의 패턴(163a)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.

복수의 패턴(163a) 각각의 폭은 발광 영역(EA)에서 멀어질수록 감소한다. 구체적으로, 복수의 패턴(163a) 중 발광 영역(EA)과 가장 인접하게 배치되는 패턴(163a)의 폭은 복수의 패턴(163a) 각각의 폭 중 가장 클 수 있으며, 복수의 패턴(163a) 중 발광 영역(EA)과 가장 먼 위치에 배치되는 패턴(163a)의 폭은 복수의 패턴(163a) 각각의 폭 중 가장 작을 수 있다.

복수의 패턴(163a) 중 복수의 서브 화소 각각의 최외각에 배치되는 패턴(163a)은 서로 이격되어 배치된다. 예를 들어, 청색 서브 화소(SP_B)의 최외각에 배치되는 패턴(163a)과 녹색 서브 화소(SP_G)의 최외각에 배치되는 패턴(163a)은 서로 이격될 수 있고, 청색 서브 화소(SP_B)의 최외각에 배치되는 패턴(163a)과 적색 서브 화소(SP_R)의 최외각에 배치되는 패턴(163a)은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 녹색 서브 화소(SP_G)의 최외각에 배치되는 패턴(163a)과 적색 서브 화소(SP_R)의 최외각에 배치되는 패턴(163a) 또한 이격되어 배치될 수 있다.

복수의 패턴(163a) 중 동일한 서브 화소에 배치되는 패턴(163a)은 동일한 형상을 가진다. 예를 들어, 청색 서브 화소(SP_B)가 사각형 형상인 경우, 청색 서브 화소(SP_B)에 배치되는 복수의 패턴(163a) 각각은 모두 사각형 형상일 수 있고, 녹색 서브 화소(SP_G)가 원형 형상인 경우, 녹색 서브 화소(SP_G)에 배치되는 복수의 패턴(163a) 각각은 모두 원형 형상일 수 있다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 하나의 서브 화소에 대한 확대 평면도이다.

도 4를 참조하면, 하나 이상의 패턴(163a) 중 발광 영역(EA)과 가장 인접하는 패턴(163a)의 내측으로부터 가장 인접하는 패턴(163a)의 폭(w1)의 1/2만큼 내측에 위치한 지점과 발광 영역(EA)의 중심 사이의 거리(r1)는 하기의 수학식 1에 의해 결정된다. 여기서, m은 1이고, λ는 서브 화소에서 방출되는 광의 파장이고, 는 초점거리이며, ΔΦ=파장의 위상차이다.

[수학식1]

하나 이상의 패턴(163a) 중 서로 인접하는 패턴(163a) 사이의 가운데 지점과 발광 영역(EA)의 중심 사이의 거리(rm)는 하기의 수학식 2에 의해 결정된다. 여기서, m은 2 이상의 상수이고, λ는 서브 화소에서 방출되는 광의 파장이고, 는 초점거리이며, ΔΦ=파장의 위상차이다.

[수학식 2]

도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 제조 공정을 설명하기 위한 공정도이다.

먼저, 도 5a를 참조하면, 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(AA)이 정의되고, 표시 영역(AA)이 발광 영역(EA) 및 비발광 영역(EA)을 포함하도록 구성된 기판(110) 상에 박막 트랜지스터(TFT), 발광 소자(120) 및 봉지부(150)가 형성된다.

다음으로, 도 5b를 참조하면, 봉지부(150)가 형성된 기판 상에 제1 무기 절연층(161)이 형성된다. 제1 무기 절연층(161)은 무기물을 증착시켜 형성될 수 있다.

다음으로, 도 5c를 참조하면, 제1 무기 절연층(161) 상에 제1 터치부(164)가 형성된다. 제1 터치부(164)는 제1 무기 절연층(161) 상에 마스크를 배치한 후, 금속 물질을 증착시킴으로써 형성될 수 있다. 이에, 제1 터치부(164)를 형성할 때 사용되는 마스크는 제1 터치부(164)를 형성하려는 영역과 대응하는 위치에 개구부를 가질 수 있다.

다음으로, 도 5d를 참조하면, 제1 터치부(164) 상에 제2 무기 절연층(162)이 형성된다. 제2 무기 절연층(162)은 제1 무기 절연층(161) 및 제1 터치부(164) 상에 무기물층을 형성한 후, 제1 터치부(164)와 대응하는 일부에 홀을 형성하여 형성될 수 있다.

다음으로, 도 5e를 참조하면, 제2 무기 절연층(162) 및 제1 터치부(164) 상에 제2 터치부(165)가 형성된다. 제2 터치부(165)의 일부는 제2 무기 절연층(162) 상에 형성될 수 있고, 다른 일부는 제1 터치부(164) 상에 형성되어, 제1 터치부(164)와 전기적으로 연결될 수 있다.

마지막으로, 도 5f를 참조하면, 제2 터치부(165) 및 제2 무기 절연층(162) 상에 유기 절연층(163)이 형성된다. 유기 절연층(163)은 비표시 영역(NA)의 일부 및 표시 영역(AA)에 형성될 수 있다. 유기 절연층(163)이 형성됨과 동시에 유기 절연층(163)의 상면에는 하나 이상의 패턴(163a)이 형성된다. 구체적으로, 유기 절연층(163)은 포토 리소그래피(Photo Lithography) 공정을 통해 형성될 수 있다. 이때, 포토 리소그래피 공정에서 사용되는 마스크에 금속으로 패턴을 형성하여, 유기 절연층(163)을 형성함과 동시에, 유기 절연층(163)에 하나 이상의 패턴(163a)이 형성되도록 할 수 있다. 예를 들어, 마스크에 금속 패턴이 형성된 영역과 대응하는 영역에서는 유기 절연층(163)이 형성될 수 있고, 금속 패턴이 형성되지 않은 영역과 대응하는 영역에는 하나 이상의 패턴(163a)이 형성될 수 있다. 이에, 표시 장치(100) 제조 공정이 단순화되고, 제조 비용을 절감할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100) 및 표시 장치(100) 제조 방법에서는 유기 절연층(163)에 하나 이상의 패턴(163a)을 배치하여, 표시 장치(100)의 광 효율을 증가시킬 수 있다. 구체적으로, 발광 소자(120)에서 방출되는 광 중 일부는 표시 장치(100)의 정면으로 방출될 수 있으나, 다른 일부는 표시 장치(100)의 외곽으로 향할 수 있다. 표시 장치(100)의 외곽으로 향하는 광은 패턴(163a)에 의해 광의 경로가 변경될 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(100)의 외곽으로 향하는 광은 패턴(163a)이 형성된 영역을 통과하면서 회절이 발생할 수 있다. 이때, 패턴(163a)을 통과한 광은 인접한 패턴(163a)을 통과한 광과 패턴(163a)이 형성되지 않은 영역에서 보강 간섭을 일으키게 되고, 이에, 표시 장치(100)의 외곽에서 표시 장치(100)의 정면으로 향하는 광의 세기가 증가할 수 있다. 따라서, 유기 절연층(163)의 패턴(163a)을 통해 발광 소자(120)에서 방출되는 광의 회절 현상 및 보강 간섭을 유도함으로써, 표시 장치(100)의 광 효율을 증가시킬 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100) 및 표시 장치(100) 제조 방법에서는 패턴(163a)의 폭이 발광 영역(EA)에서 멀어질수록 감소하도록 구성하여, 표시 장치(100)의 광 효율을 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(100)의 외곽으로 향하는 광의 경로가 표시 장치(100)의 정면을 향하도록 변경되기 위해서는, 표시 장치(100)의 외곽으로 향하는 광 일수록 더욱 큰 각도로 광의 경로가 변경되어야 한다. 또한, 발광 소자(120)에서 방출되는 광의 회절 현상은 통과하는 패턴(163a)의 폭이 좁을수록 잘 발생하게 된다. 이에, 표시 장치(100)의 외곽으로 향하는 광이 상대적으로 좁은 폭을 가지는 패턴(163a)을 통과함으로써, 패턴(163a)을 통과한 광의 경로가 표시 장치(100)의 정면을 향하여 더 큰 각도로 변경될 수 있다. 따라서, 패턴(163a)의 폭이 발광 영역(EA)에서 멀어질수록 감소하도록 구성하여, 표시 장치(100)의 광 효율을 증가시킬 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100) 및 표시 장치(100) 제조 방법에서는 유기 절연층(163)과 하나 이상의 패턴(163a)을 동시에 형성함으로써, 표시 장치(100)의 제조 공정을 단순화하고 제조 비용을 절감할 수 있다. 구체적으로, 유기 절연층(163)을 형성 공정에서는 마스크가 사용된다. 이때, 금속 패턴이 형성된 마스크를 이용하여, 유기 절연층(163)을 형성함과 동시에, 유기 절연층(163)에 하나 이상의 패턴(163a)이 형성되도록 할 수 있다. 예를 들어, 마스크에 금속 패턴이 형성된 영역과 대응하는 영역에서는 유기 절연층(163)이 형성될 수 있고, 금속 패턴이 형성되지 않은 영역과 대응하는 영역에는 하나 이상의 패턴(163a)이 형성될 수 있다. 이에, 동일한 공정에서 유기 절연층(163) 및 패턴(163a)을 형성함으로써, 공정을 추가하거나 마스크를 추가하지 않고 유기 절연층(163) 및 패턴(163a)을 형성할 수 있으며, 이에, 표시 장치(100) 제조 공정이 단순화되고, 제조 비용을 절감할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 하나 이상의 패턴은 평면 상에서 발광 영역을 둘러싸도록 배치될 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 하나 이상의 패턴은 복수로 구성될 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 패턴 각각의 폭은 발광 영역에서 멀어질수록 감소할 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 패턴 각각은 서로 이격되어 배치될 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 하나 이상의 패턴은 복수의 서브 화소 각각의 발광 영역을 둘러싸도록 배치될 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 하나 이상의 패턴은 복수로 구성되고, 복수의 패턴 중 복수의 서브 화소 각각의 최외각에 배치되는 패턴은 서로 이격되어 배치될 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 서브 화소 각각에 배치되는 하나 이상의 패턴의 개수는 서로 상이할 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 하나 이상의 패턴은 복수로 구성되고, 복수의 패턴 중 동일한 서브 화소에 배치되는 패턴은 동일한 형상을 가질 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 하나 이상의 패턴은 홈 형상으로 이루어질 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 하나 이상의 패턴 중 발광 영역과 가장 인접하는 패턴의 내측으로부터 가장 인접하는 패턴의 폭의 1/2만큼 내측에 위치한 지점과 발광 영역의 중심 사이의 거리는 하기의 수학식 1에 의해 결정될 수 있다. [수학식 1]

(m=1, λ= 서브 화소에서 방출되는 광의 파장, =초점거리, ΔΦ=파장의 위상차)

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 하나 이상의 패턴은 복수로 구성되고, 하나 이상의 패턴 중 서로 인접하는 패턴 사이의 가운데 지점과 발광 영역의 중심 사이의 거리는 하기의 수학식 2에 의해 결정될 수 있다. [수학식 2]

(m=2 이상의 상수, λ=서브 화소에서 방출되는 광의 파장, =초점거리, ΔΦ=파장의 위상차)

본 발명의 다른 특징에 따르면, 유기 절연층을 배치하는 단계 및 하나 이상의 패턴을 형성하는 단계는 동일한 공정에서 이루어질 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 하나 이상의 패턴을 형성하는 단계는, 하나 이상의 패턴을 평면 상에서 발광 영역을 둘러싸도록 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 하나 이상의 패턴은 복수로 구성되고, 복수의 패턴 각각의 폭은 발광 영역에서 멀어질수록 감소할 수 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 제한하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 제한되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

100: 표시 장치
110: 기판
111: 평탄화층
112: 뱅크
120: 발광 소자
121: 애노드
122: 발광층
123: 캐소드
130: 댐
140: 패드부
150: 봉지부
151: 제1 무기 봉지층
152: 유기 봉지층
153: 제2 무기 봉지층
160: 터치부
161: 제1 무기 절연층
162: 제2 무기 절연층
163: 유기 절연층
163a: 하나 이상의 패턴
164: 제1 터치부
165: 제2 터치부
SP: 서브 화소
SP_R: 적색 화소
SP_G: 녹색 화소
SP_B: 청색 화소
AA: 표시 영역
NA: 비표시 영역
EA: 발광 영역
EA_R: 적색 화소의 발광 영역
EA_G: 녹색 화소의 발광 영역
EA_B: 청색 화소의 발광 영역
NEA: 비발광 영역
TFT: 트랜지스터
CH: 컨택홀

Claims

발광 영역 및 비발광 영역으로 구성되는 복수의 서브 화소를 포함하는 표시 영역을 갖는 기판;
상기 복수의 서브 화소에 배치되는 복수의 발광 소자;
상기 표시 영역에서 상기 복수의 발광 소자를 덮는 봉지부;
상기 봉지부 상에 배치된 제1 무기 절연층;
상기 제1 무기 절연층 상에 배치된 제1 터치부;
상기 제1 터치부 상에 배치된 제2 무기 절연층;
상기 제1 무기 절연층 및 상기 제2 무기 절연층 상에 배치된 제2 터치부; 및
상기 제2 터치부 상에 배치되고, 상기 비발광 영역과 중첩하는 영역에 하나 이상의 패턴이 배치되는 유기 절연층을 포함하는, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 패턴은 평면 상에서 상기 발광 영역을 둘러싸도록 배치되는, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 패턴은 복수로 구성되는, 표시 장치.
제3항에 있어서,
상기 복수의 패턴 각각의 폭은 상기 발광 영역에서 멀어질수록 감소하는, 표시 장치.
제3항에 있어서,
상기 복수의 패턴 각각은 서로 이격되어 배치되는, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 패턴은 상기 복수의 서브 화소 각각의 상기 발광 영역을 둘러싸도록 배치되는, 표시 장치.
제6항에 있어서,
상기 하나 이상의 패턴은 복수로 구성되고,
상기 복수의 패턴 중 상기 복수의 서브 화소 각각의 최외각에 배치되는 패턴은 서로 이격되어 배치되는, 표시 장치.
제6항에 있어서,
상기 복수의 서브 화소 각각에 배치되는 상기 하나 이상의 패턴의 개수는 서로 상이한, 표시 장치.
제6항에 있어서,
상기 하나 이상의 패턴은 복수로 구성되고,
상기 복수의 패턴 중 동일한 서브 화소에 배치되는 패턴은 동일한 형상을 갖는, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 패턴은 홈 형상으로 이루어지는, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 패턴 중 상기 발광 영역과 가장 인접하는 패턴의 내측으로부터 상기 가장 인접하는 패턴의 폭의 1/2만큼 내측에 위치한 지점과 상기 발광 영역의 중심 사이의 거리는 하기의 수학식 1에 의해 결정되는, 표시 장치. (m=1, λ= 서브 화소에서 방출되는 광의 파장, =초점거리, ΔΦ=파장의 위상차)
[수학식 1]
제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 패턴은 복수로 구성되고,
상기 하나 이상의 패턴 중 서로 인접하는 패턴 사이의 가운데 지점과 상기 발광 영역의 중심 사이의 거리는 하기의 수학식 2에 의해 결정되는, 표시 장치. (m=2 이상의 상수, λ=서브 화소에서 방출되는 광의 파장, =초점거리, ΔΦ=파장의 위상차)
[수학식 2]
발광 영역 및 비발광 영역이 정의된 기판 상에 복수의 발광 소자를 배치하는 단계;
상기 복수의 발광 소자를 덮도록 봉지부를 배치하는 단계;
상기 봉지부 상에 제1 무기 절연층을 배치하는 단계;
상기 제1 무기 절연층 상에 제1 터치부를 배치하는 단계;
상기 제1 터치부 상에 제2 무기 절연층을 배치하는 단계;
상기 제1 무기 절연층 및 상기 제2 무기 절연층 상에 제2 터치부를 배치하는 단계;
상기 제2 터치부 상에 유기 절연층을 배치하는 단계; 및
상기 유기 절연층 중 상기 비발광 영역과 중첩하는 영역에 하나 이상의 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 표시 장치 제조 방법.
제13항에 있어서,
상기 유기 절연층을 배치하는 단계 및 상기 하나 이상의 패턴을 형성하는 단계는 동일한 공정에서 이루어지는, 표시 장치 제조 방법.
제13항에 있어서,
상기 하나 이상의 패턴을 형성하는 단계는,
상기 하나 이상의 패턴을 평면 상에서 상기 발광 영역을 둘러싸도록 형성하는 단계를 더 포함하는, 표시 장치 제조 방법.
제13항에 있어서,
상기 하나 이상의 패턴은 복수로 구성되고,
상기 복수의 패턴 각각의 폭은 상기 발광 영역에서 멀어질수록 감소하는, 표시 장치 제조 방법.
제16항에 있어서,
상기 복수의 패턴 각각은 서로 이격되어 배치되는, 표시 장치 제조 방법.