JP2024019137A - 発光表示装置 - Google Patents

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Abstract

Figure 2024019137000001
【課題】隣り合うサブピクセル間の間隔が小さくなるにつれて増加する水平漏洩電流を遮断するために少なくとも一つの突起を含むバンクを含む発光表示装置を提供する。
【解決手段】発光表示装置は、発光部と発光部の間に位置する非発光部を含む基板、発光部に位置する第１サブピクセルおよび第２サブピクセル、基板上に第１サブピクセルおよび第２サブピクセルにそれぞれ配置される第１電極、第１電極上に位置し非発光部に配置され、少なくとも一つの突起を含むバンク、発光部の第１電極およびバンク上に配置され、複数の発光ユニットおよび複数の発光ユニットの隣接した２個の発光ユニットの間に配置される電荷生成層を含む発光素子層、発光素子層上に配置される第２電極を含むことができる。
【選択図】図５

Description

本発明は発光表示装置に関する。
多様な情報を表示するとともに該当情報を視聴する使用者と相互作用できる最近の表示装置は、多様な大きさ、多様な形態および多様な機能が要求されている。
このような表示装置は液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ：ＬＣＤ）、電気泳動表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ：ＦＰＤ）および発光表示装置（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ：ＬＥＤ）などがある。
発光表示装置は自体発光型表示装置であって、液晶表示装置（ＬＣＤ）とは異なって別途の光源が不要であるため軽量薄型に製造可能である。また、発光表示装置は低電圧駆動によって消費電力の側面で有利であるだけでなく、色相の具現、応答速度、視野角、明暗対比（ｃｏｎｔｒａｓｔ ｒａｔｉｏ；ＣＲ）も優秀であるため次世代ディスプレイとして研究されている。
発光表示装置が有機発光表示装置であると仮定して説明することにするが、発光素子層の種類はこれに限定されるものではない。
発光表示装置は発光層がある発光素子層を含む複数のピクセルを発光して情報を画面に表示するが、ピクセルを駆動する方式によりアクティブマトリクスタイプの発光表示装置またはパッシブマトリクスタイプの発光表示装置に分けることができる。
アクティブマトリクスタイプの発光表示装置は薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；あるいは「ＴＦＴ」）を利用して発光ダイオードに流れる電流を制御して画像を表示する。
発光表示装置はアノード電極、発光層、およびカソード電極を有する。アノード電極とカソード電極に電圧がそれぞれ印加されると、アノード電極では正孔がカソード電極では電子がそれぞれ発光層に移動する。発光層で正孔と電子が結合する時、励起過程で励起子（ｅｘｉｔｏｎ）が形成され、励起子からのエネルギーによって光が発生する。
高品質の映像情報を提供するために、発光表示装置の解像度がますます高くなっている。
発光表示装置の解像度が高くなるにつれてそれぞれのサブピクセル間の離隔距離が狭くなるが、隣り合うサブピクセル間に側面方向に漏洩した電流によって画像情報が歪曲される問題点がある。
本発明が解決しようとする課題は、隣り合うサブピクセル間の間隔が小さくなるにつれて増加する水平漏洩電流を遮断するために少なくとも一つの突起を含むバンクを含む発光表示装置を提供することである。
本発明が解決しようとする他の課題は、駆動時に発光素子層の内部に形成された電子が隣り合うピクセルに移動することを防止するために、発光素子層をバンクの上部に形成された屈曲に沿って配置して隣り合うサブピクセルに電子が移動する距離を増加させる発光表示装置を提供することである。
本発明が解決しようとする他の課題は、低諧調で隣り合うサブピクセルが発光する視認性不良を解決し、色再現率を向上させるために水平漏洩電流を遮断する構造を有する発光表示装置を提供する。
本発明の実施例に係る発光表示装置は、発光部と発光部の間に位置する非発光部を含む基板、発光部に位置する第１サブピクセルおよび第２サブピクセル、基板上であって、第１サブピクセルおよび第２サブピクセルにそれぞれ配置される第１電極、第１電極上および非発光部に配置され、上面に少なくとも一つの突起を含むバンク、発光部と非発光部の第１電極およびバンク上に配置され、複数の発光ユニットおよび複数の発光ユニットの隣接した２個の発光ユニットの間に配置される電荷生成層を含む発光素子層、発光素子層上に配置される第２電極を含む。
本発明の実施例に係る発光表示装置は、少なくとも一つの突起を含むバンクを配置することにより、隣り合うサブピクセル間の間隔が小さくなるにつれて増加する水平漏洩電流を遮断することができる。
本発明の実施例に係る発光表示装置は、発光素子層をバンクの上部に形成された屈曲に沿って配置するため、隣り合うサブピクセルに電子が移動する距離が増加し、駆動時に発光素子層の内部に形成された電子が隣り合うピクセルに移動することを防止することができる。
本発明の実施例に係る発光表示装置は、低諧調で隣り合うピクセルが発光する視認性不良を解決し、色再現率を向上させることができる。
本発明の効果は以上で言及した効果に制限されず、言及されていないさらに他の効果は以下の記載から当業者に明確に理解され得るであろう。
本発明の実施例に係る発光表示装置の平面図である。 本発明の実施例に係る発光表示装置のサブピクセルの回路図である。 本発明の実施例に係る発光表示装置のサブピクセルの配置を図示した図面である。 本発明の実施例に係る発光表示装置のサブピクセルの配置を図示した図面である。 本発明の実施例に係る発光表示装置のサブピクセルの配置を図示した図面である。 本発明の実施例に係る発光表示装置の断面図である。 図４の発光素子層を拡大した断面図である。 本発明の実施例に係る基板に配置された封止層およびタッチセンサ層を図示した断面図である。 本発明の実施例に係る基板に配置されたカラーフィルタ層を図示した断面図である。
本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付される図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すると明確になるであろう。しかし、本発明は以下で開示される実施例に限定されるものではなく互いに異なる多様な形態で具現され得、ただし本実施例は本発明の開示を完全なものとし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供される。
本発明の実施例を説明するための図面に開示された形状、大きさ、比率、角度、個数等は例示的なものに過ぎないため、本発明は図示された事項に限定されるものではない。明細書全体に亘って同一参照符号は同一構成要素を指し示す。また、本発明の説明において、関連した公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不要に曖昧にさせ得る恐れがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本発明上で言及した「含む」、「有する」、「からなる」等が使われる場合、「のみ」が使われない以上他部分が追加され得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り複数を含む場合を含む。
構成要素を解釈するにおいて、誤差範囲に対する別途の明示的記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。
位置関係に対する説明の場合、例えば、「上に」、「上部に」、「下部に」、「横に」などで両部分の位置関係が説明される場合、例えば、「すぐに」または「直接」が使われない以上両部分の間に一つ以上の他部分が位置することもある。
時間関係に対する説明である場合、「後に」、「に次いで」、「次に」、「前に」などで時間的な先後の関係が説明される場合、「すぐに」または「直接」が使われない以上連続的でない場合も含むことができる。
第１、第２等が多様な構成要素を叙述するために使われるが、これら構成要素はこれら用語によって制限されない。これら用語は単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使うものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素であってもよい。
本発明の構成要素を説明するにおいて、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）等の用語を使うことができる。このような用語はその構成要素を他の構成要素と区別するためのものに過ぎず、その用語によって該当構成要素の本質、順番、順序または個数などが限定されない。或る構成要素が他の構成要素に「連結」、「結合」または「接続」されると記載された場合、その構成要素はその他の構成要素に直接的に連結または接続され得るが、特に明示的な記載事項がない間接的に連結または接続され得る各構成要素の間に他の構成要素が「介在」されてもよいと理解されるべきである。
「少なくとも一つ」は関連した構成要素の一つ以上のすべての組み合わせを含むものと理解されるべきである。例えば、「第１、第２、および第３構成要素の少なくとも一つ」の意味は、第１、第２、または第３構成要素だけでなく、第１、第２、および第３構成要素の２個以上のすべての構成要素の組み合わせを含んでいると言える。
本発明で「装置」は、表示パネルと表示パネルを駆動するための駆動部を含む液晶モジュール（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｍｏｄｕｌｅ；ＬＣＭ）、有機発光表示モジュール（ＯＬＥＤ Ｍｏｄｕｌｅ）のような表示装置を含むことができる。そして、ＬＣＭ、ＯＬＥＤモジュールなどを含む完成品（ｃｏｍｐｌｅｔｅ ｐｒｏｄｕｃｔまたはｆｉｎａｌ ｐｒｏｄｕｃｔ）のノートパソコン、テレビ、コンピュータモニタ、車両用または自動車用装置（ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ ａｐｐａｒａｔｕｓ）または車両（ｖｅｈｉｃｌｅ）の他の形態などを含む電装装置（ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ａｐｐａｒａｔｕｓ）、スマートフォンまたは電子パッドなどのモバイル電子装置（ｍｏｂｉｌｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ａｐｐａｒａｔｕｓ）などのようなセット電子装置（ｓｅｔ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ａｐｐａｒａｔｕｓ）またはセット装置（ｓｅｔ ｄｅｖｉｃｅまたはｓｅｔ ａｐｐａｒａｔｕｓ）も含むことができる。
したがって、本発明での装置はＬＣＭ、ＯＬＥＤモジュールなどのようなディスプレイ装置自体、およびＬＣＭ、ＯＬＥＤモジュールなどを含む応用製品または最終消費者用装置であるセット装置まで含むことができる。
そして、いくつかの実施例では、表示パネルと駆動部などで構成されるＬＣＭ、ＯＬＥＤモジュールを「表示装置」で表現し、ＬＣＭ、ＯＬＥＤモジュールを含む完成品としての電子装置を「セット装置」で区別して表現することもある。例えば、表示装置は液晶（ＬＣＤ）または有機発光（ＯＬＥＤ）の表示パネルと、表示パネルを駆動するための制御部であるソースＰＣＢを含むことができる。セット装置はソースＰＣＢに電気的に連結されてセット装置全体を駆動するセット制御部であるセットＰＣＢをさらに含むことができる。
本発明の実施例に使われる発光表示装置は液晶表示装置、有機発光（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）表示装置、および電界発光表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅｌ）等のすべての形態の表示パネルが使われ得、実施例はこれに限定されるものではない。例えば、発光表示装置は本発明の実施例に係る振動装置によって振動することによって音響を発生できる発光表示装置であり得る。本発明に係る発光表示装置に適用される表示パネルは表示パネルの形態や大きさに限定されない。
本発明の多様な実施例のそれぞれの特徴が部分的にまたは全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に多様な連動および駆動が可能であり、各実施例が互いに対して独立的に実施可能であってもよく、関連関係で共に実施されてもよい。
以下、添付された図面および実施例を通じて本発明の実施例を詳察すると、次の通りである。図面に図示された構成要素のスケールは説明の便宜のために実際と異なるスケールを有するため、図面に図示されたスケールに限定されない。
以下では、図面を参照して本発明の多様な実施例を詳細に説明する。
図１は、本発明の実施例に係る発光表示装置の平面図である。図２は、本発明の実施例に係る発光表示装置のサブピクセルの回路図である。
図１および図２を参照すると、発光表示装置１００は多様な信号を生成したり、表示領域ＡＡ内の複数のサブピクセルＳＰを駆動するための、多様な付加要素を含むことができる。例えば、ディスプレイパネルを制御するための一つ以上の駆動回路が発光表示装置に含まれてもよい。サブピクセルＳＰを制御（または駆動）するための駆動回路はゲート駆動部、データ信号ライン、マルチプレクサー（Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ、ＭＵＸ）、静電気放電（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：ＥＳＤ）回路、高電位電圧配線ＶＤＤ、低電位電圧配線ＶＳＳ、インバータ回路などを含むことができる。発光表示装置１００はサブピクセルＳＰを駆動するための機能の他に付加要素も含むことができる。例えば、発光表示装置１００はタッチ感知機能、使用者認証機能（例：指紋認識）、マルチレベル圧力感知機能、触覚フィードバック（ｔａｃｔｉｌｅ ｆｅｅｄｂａｃｋ）機能などを提供する付加要素を含むことができる。前記言及された付加要素は非表示領域ＮＡまたは前記連結インターフェースと連結された外部回路に位置することができる。
基板１１０は表示領域（Ａｃｔｉｖｅ Ａｒｅａ、ＡＡ）および非表示領域（Ｎｏｎ ａｃｔｉｖｅ Ａｒｅａ、ＮＡ）を含むことができる。基板の表示領域ＡＡは複数のピクセルＰが配置されて映像が表示される領域であり得る。基板の非表示領域ＮＡは映像が表示されない領域であり得る。例えば、非表示領域ＮＡはベゼル領域であり得、用語に限定されるものではない。非表示領域ＮＡは表示領域ＡＡに隣接し、表示領域ＡＡより外側に配置され得る。または非表示領域ＮＡは表示領域ＡＡの全体または一部を囲むように配置され得る。または非表示領域ＮＡは複数のサブピクセルＳＰが配置されない領域であり得、これに制限されるものではない。
表示領域ＡＡに配置されたピクセルＰは複数のサブピクセルＳＰをさらに含むことができる。サブピクセルＳＰは光を発光する個別単位であって、複数のサブピクセルＳＰは第１サブピクセルＳＰ＿１、第２サブピクセルＳＰ＿２、第３サブピクセルＳＰ＿３および／または白色サブピクセルなどを含むことができ、これに制限されるものではない。
それぞれのサブピクセルＳＰは発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）および駆動回路が形成される。例えば、複数のサブピクセルＳＰには映像を表示するための表示素子と表示素子を駆動（または制御）するための駆動回路が配置され得る。
一個のサブピクセルＳＰは複数のトランジスタとキャパシタおよび複数の配線を含むことができる。例えば、サブピクセルＳＰは二つのトランジスタと一個のキャパシタ（２Ｔ１Ｃ）からなり得るが、これに限定されず、３Ｔ１Ｃ、４Ｔ１Ｃ、５Ｔ１Ｃ、６Ｔ１Ｃ、７Ｔ１Ｃ、３Ｔ２Ｃ、４Ｔ２Ｃ、５Ｔ２Ｃ、６Ｔ２Ｃ、７Ｔ２Ｃ、８Ｔ２Ｃなどを適用したサブピクセルで具現されてもよい。
非表示領域ＮＡは表示領域ＡＡに配置された複数のサブピクセルＳＰを駆動するための多様な配線、駆動回路などが配置される領域である。例えば、非表示領域ＮＡにはゲート駆動部、データ駆動部のような多様なＩＣおよび駆動回路などが配置され得る。
図１において、非表示領域ＮＡが四角形の形態の表示領域ＡＡを囲んでいるものとして図示したが、表示領域ＡＡの形態および表示領域ＡＡに隣接した非表示領域ＮＡの形態および配置は図１に図示された例に限定されない。表示領域ＡＡおよび非表示領域ＮＡは、発光表示装置１００を搭載した電子装置のデザインに適合な形態であり得る。使用者が着用可能な（ｗｅａｒａｂｌｅ）機器の表示装置である場合、一般の腕時計のような円（ｃｉｒｃｕｌａｒ）の形態を有してもよく、車両インストルメントパネルなどに応用可能な自由形（ｆｒｅｅ－ｆｏｒｍ）表示装置に本発明の実施例の概念が適用されてもよい。表示領域ＡＡの例示的な形態は五角形、六角形、八角形、円形、楕円形などであり得、これに限定されるものではない。
非表示領域ＮＡの一部分にベンディング領域（ｂｅｎｄｉｎｇ ａｒｅａ；ＢＡ）が設けられ得る。ベンディング領域ＢＡは表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡに位置したパッド部１１４の間に設けられ得る。また、ベンディング領域ＢＡは連結配線部が形成される領域であり得る。
ベンディング領域ＢＡはパッド部１１４およびパッド部１１４にボンディングされた外部モジュールを基板１１０の背面側に配置するために基板１１０の一部分が曲がった（ベンディングされた）領域であり得る。例えば、ベンディング領域ＢＡが基板１１０の背面方向にベンディングされることにより、基板１１０のパッド部１１４にボンディングされた外部モジュールが基板１１０の背面側に移動することになり、基板１１０の上部から見た時に外部モジュールが視認されなくてもよい。また、ベンディング領域ＢＡがベンディングされることにより、基板１１０の上部で視認される非表示領域ＮＡの大きさが減少して狭いベゼル（ｎａｒｒｏｗ ｂｅｚｅｌ）が具現され得る。本発明では非表示領域ＮＡにベンディング領域ＢＡがあるものとして図示したが、これに限定されない。例えば、ベンディング領域ＢＡは表示領域ＡＡに位置することができ、表示領域ＡＡ自体を多様な方向にベンディング可能であるため、表示領域ＡＡに位置したベンディング領域ＢＡも本発明で言及した効果を有することができる。
非表示領域ＮＡの一側にパッド部１１４が配置される。パッド部１１４は外部モジュール、例えば、ＦＰＣＢ（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）、およびＣＯＦ（ｃｈｉｐ ｏｎ ｆｉｌｍ）等がボンディングされる（ｂｏｎｄｅｄ）金属パターンである。パッド部１１４は基板１１０の一側に配置されるものとして図示されたが、パッド部１１４の形態および配置はこれに限定されない。
非表示領域ＮＡの他側に薄膜トランジスタにゲート信号を提供するゲート駆動部１１２が配置され得る。ゲート駆動部１１２は多様なゲート駆動回路を含み、ゲート駆動回路は基板１１０上に直接形成され得る。この場合、ゲート駆動部１１２はＧＩＰ（Ｇａｔｅ－Ｉｎ－Ｐａｎｅｌ）であり得る。
ゲート駆動部１１２は基板１１０の表示領域と非表示領域ＮＡに配置されたダムＤＡＭの間に配置され得る。
表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡのパッド部１１４の間に高電位電圧配線ＶＤＤ、低電位電圧配線ＶＳＳ、マルチプレクサー（ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ、ＭＵＸ）、静電気防止回路部（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ、ＥＳＤ）、および複数の連結配線部が配置され得る。
高電位電圧配線ＶＤＤ、低電位電圧配線ＶＳＳ、マルチプレクサー（ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ、ＭＵＸ）、静電気防止回路部（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ、ＥＳＤ）は、表示領域ＡＡとベンディング領域ＢＡの間に配置され得る。
連結配線部は非表示領域ＮＡに配置され得る。例えば、非表示領域ＮＡのうち基板が曲がるベンディング領域ＢＡに配置され得る。連結配線部はパッド部１１４とボンディングされる外部モジュールからの信号（電圧）を表示領域ＡＡまたはゲート駆動部１１２のような回路部に伝達するための構成であり得る。例えば、連結配線部を通じてゲート駆動部１１２を駆動するための多様な信号、データ信号、高電位電圧、および低電位電圧などのような多様な信号が伝達され得る。
表示領域ＡＡの全体または一部を囲むように非表示領域ＮＡにダムＤＡＭが配置され得る。ダムＤＡＭは表示領域ＡＡに隣接し、表示領域ＡＡより外側に配置され得る。
ダムＤＡＭは発光素子層上に配置される後述する封止層のうち第２封止層の材料である有機層の流れを制御するために、表示領域ＡＡの周辺部に沿って配置され得る。ダムＤＡＭの個数は一つまたは複数で構成され得る。
ダムＤＡＭは表示領域ＡＡと高電位電圧配線ＶＤＤ、低電位電圧配線ＶＳＳ、マルチプレクサー（ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ、ＭＵＸ）、または静電気防止回路部（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ、ＥＳＤ）の間に配置され得る。
基板１１０の非表示領域ＮＡの一部分にクラック感知配線（Ｐａｎｅｌ Ｃｒａｃｋ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ、ＰＣＤ）がさらに配置され得る。
クラック感知配線ＰＣＤは基板１１０の終端地点（または終端）とダムＤＡＭの間に配置され得る。またはクラック感知配線ＰＣＤはダムＤＡＭの下部に配置され、ダムＤＡＭと少なくとも一部分重なり得る。
図２を参照すると、図２は３個の薄膜トランジスタと１個のストレージキャパシタを含む３Ｔ１Ｃ構造の発光表示装置を例示して説明したが、本発明の発光表示装置はこのような構造に限定されるものではなく、４Ｔ１Ｃ、５Ｔ１Ｃ、６Ｔ１Ｃ、７Ｔ１Ｃ、８Ｔ１Ｃ、４Ｔ２Ｃ、５Ｔ２Ｃ、６Ｔ２Ｃ、７Ｔ２Ｃ、８Ｔ２Ｃのような多様な構造に適用され得る。
図２を参照すると、本発明の実施例に係る発光表示装置１００はゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、電源ラインＰＬ、感知ラインＳＬを含み、それぞれのサブピクセルＳＰは第１スイッチング薄膜トランジスタＳＴ１、第２スイッチング薄膜トランジスタＳＴ２、駆動薄膜トランジスタＤＴ、発光素子Ｄ、およびストレージキャパシタＣｓｔを含む。
発光素子Ｄは第２ノードＮ２に接続されたアノード電極と、低電位駆動電圧ＶＳＳの入力端に接続されたカソード電極と、アノード電極とカソード電極の間に位置する発光素子層を含む。
駆動薄膜トランジスタＤＴはゲート－ソース間の電圧Ｖｇｓにより発光素子Ｄに流れる電流Ｉｄを制御することができる。駆動薄膜トランジスタＤＴは第１ノードＮ１に接続されたゲート電極、電源ラインＰＬに接続されて高電位駆動電圧ＥＶＤＤが提供されるドレイン電極および第２ノードＮ２に接続されたソース電極を具備することができる。
ストレージキャパシタＣｓｔは第１ノードＮ１と第２ノードＮ２の間に接続される。ストレージキャパシタＣｓｔは一フレームの間一定の電圧を維持できるようにする。
第１スイッチング薄膜トランジスタＳＴ１は、駆動時にゲート信号ＳＣＡＮに応答してデータラインＤＬに充電されたデータ電圧Ｖｄａｔａを第１ノードＮ１に印加して駆動薄膜トランジスタＤＴをターンオンさせる。この時、第１スイッチング薄膜トランジスタＳＴ１は、ゲートラインＧＬに接続されてゲート信号ＳＣＡＮが入力されるゲート電極、データラインＤＬに接続されてデータ電圧Ｖｄａｔａが入力されるドレイン電極および第１ノードＮ１に接続されたソース電極を具備することができる。
第２スイッチング薄膜トランジスタＳＴ２は、感知信号ＳＥＮに応答して第２ノードＮ２と感知電圧リードアウトラインＳＲＬの間の電流をスイッチングすることによって、第２ノードＮ２のソース電圧を感知電圧リードアウトラインＳＲＬの感知キャパシタＣｘに貯蔵する。第２スイッチング薄膜トランジスタＳＴ２は表示パネルの駆動時感知信号ＳＥＮに応答して第２ノードＮ２と感知電圧リードアウトラインＳＲＬの間の電流をスイッチングすることによって、駆動薄膜トランジスタＤＴのソース電圧を初期化電圧Ｖｐｒｅにリセットする。この時、第２スイッチング薄膜トランジスタＳＴ２のゲート電極は感知ラインＳＬに接続され、ドレイン電極は第２ノードＮ２に接続され、ソース電極は感知電圧リードアウトラインＳＲＬに接続される。
図３ａ～３ｃは、本発明の実施例に係る発光表示装置のサブピクセルの配置を図示した図面である。
図３ａ～３ｃを参照すると、基板１１０は発光部ＥＡと発光部の間に配置される非発光部ＮＥＡを含むことができる。発光部ＥＡは基板上に複数個配置され、互いに離隔して配置され得る。非発光部ＮＥＡは発光部を囲んで配置され得る。
発光部ＥＡは発光層で光が外部に発光する領域であり、図４を参照すると、バンク４２０が配置されていない領域であり得る。
非発光部ＮＥＡは発光層で光が外部に発光しない領域であり、図４を参照すると、バンク４２０が配置された領域であり得る。
発光部ＥＡに配置された複数のピクセルＰは第１サブピクセルＳＰ＿１、第２サブピクセルＳＰ＿２、および第３サブピクセルＳＰ＿３を含むことができる。
第１～第３サブピクセルＳＰ＿１、ＳＰ＿２、ＳＰ＿３のそれぞれは発光部ＥＡを含むことができる。
一つのピクセルＰは、図３ａ～３ｃのように互いに異なる色を発光するサブピクセルＳＰがそれぞれ一つずつ配置され得る。例えば、第１サブピクセルＳＰ＿１、第２サブピクセルＳＰ＿２、および第３サブピクセルＳＰ＿３を含むことができる。
第１サブピクセルＳＰ＿１、第２サブピクセルＳＰ＿２、および第３サブピクセルＳＰ＿３の例示的形態は四角形、五角形、六角形、八角形、円形、楕円形などであり得、これに限定されるものではない。
一つのピクセルＰは、図３ｃのように互いに異なる色を発光するサブピクセルＳＰのうち少なくとも一つが複数個で配置され得る。例えば、少なくとも同じ色を発光するサブピクセルＳＰ＿２が複数個からなり得る。
第１サブピクセルＳＰ＿１～第３サブピクセルＳＰ＿３は互いに異なる色の光を発光することができる。本発明では第１サブピクセルＳＰ＿１は赤色、第２サブピクセルＳＰ＿２は緑色、第３サブピクセルＳＰ＿３は青色を発光するものと仮定して説明することにするが、発光層から発光する色はこれに限定されるものではない。
第３サブピクセルＳＰ＿３は他のサブピクセルより面積がさらに大きくてもよい。第３サブピクセルＳＰ＿３と他の隣接したサブピクセル間の距離は第１サブピクセルＳＰ＿１と第２サブピクセルＳＰ＿２の間の距離より小さくてもよい。
図３ａ～３ｃを参照すると、第３サブピクセルＳＰ＿３は他のサブピクセルにまたがって配置され得る。
第１サブピクセルＳＰ＿１～第３サブピクセルＳＰ＿３は発光表示装置で高解像度を具現することにより、サブピクセル間の離隔距離が小さくなる。
発光表示装置１００は複数個の発光ユニットを含む発光素子層を含むことができる。複数個の発光ユニットの間に電荷生成層をさらに含むことができる。電荷生成層は複数個の発光ユニットの間の電荷均衡を調節する。
電荷生成層は第１電荷生成層および第２電荷生成層を含んだ複数個の層で構成され得る。第１電荷生成層はＮ型電荷生成層とＰ型電荷生成層を含むことができる。第１電荷生成層はリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、またはセシウム（Ｃｓ）のようなアルカリ金属、またはマグネシウム（Ｍｇ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、またはラジウム（Ｒａ）のようなアルカリ土類金属でドープされた有機層からなり得る。この時、第１電荷生成層に含まれた金属が水平漏洩電流（Ｌａｔｅｒａｌ Ｌｅａｋａｇｅ Ｃｕｒｒｅｎｔ；ＬＬＣ）を起こす。
例えば、特定のサブピクセルを動作させる時、隣り合うピクセルの間に側面方向に漏洩した電流によって隣接したサブピクセルが弱く発光して画像情報が歪曲される問題点が発生する。
第３サブピクセルＳＰ＿３が青色の光を発光するために要求される駆動電圧が、他の赤色または緑色の光を発光するために要求される駆動電圧より大きくてもよい。
第３サブピクセルＳＰ＿３を駆動するが、隣り合うサブピクセルが弱く駆動される。これは隣り合うピクセルの間に連続して配置される第１電荷生成層を通じて第３サブピクセルＳＰ＿３の電子が隣接したサブピクセルに移動して弱く駆動させる。したがって、非駆動状態である隣り合うサブピクセルが駆動状態と類似する状態となって弱い光を発光する。この場合、色純度が低下して色再現率が低くなる問題を起こす。低諧調でこのような現象が視認される場合が多い。
図４は、本発明の実施例に係る発光表示装置の断面図である。図４は、図３ａ～３ｃに図示されたＩ－Ｉ’の断面図である。図５は、図４の発光素子層を拡大した断面図である。
図４を参照すると、本発明の実施例に係る発光表示装置１００は基板１１０、バンク４２０、第１発光ユニット４３１、電荷生成層４３２、および第２発光ユニット４３３を含むことができる。
基板１１０は発光表示装置の多様な構成要素を支持することができる。基板１１０はガラス、または柔軟性（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を有するプラスチック物質からなり得る。
例えば、基板１１０はポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、ポリメチルメタアクリレート（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ、ＰＭＭＡ）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、およびポリカーボネート（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）のうち少なくとも一つ以上で形成され得、これに限定されるものではない。
基板１１０がプラスチック物質からなる場合、例えば、基板１１０がポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）からなる場合、基板１１０の下部にガラスからなる支持基板が配置された状況で発光表示装置の製造工程が進行され、発光表示装置の製造工程が完了した後に支持基板がリリース（ｒｅｌｅａｓｅ）またはレーザートリミング（Ｌａｓｅｒ Ｔｒｉｍｍｉｎｇ）され得る。また、支持基板がリリースされた後、基板１１０を支持するためのバックプレート（ｂａｃｋ ｐｌａｔｅ）が基板１１０の下部に配置されてもよい。
基板１１０がポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）からなる場合、水分成分がポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）からなる基板１１０を浸透して、薄膜トランジスタまたは発光素子層まで透湿が進行されて発光表示装置の性能を低下させ得る。本発明の実施例に係る発光表示装置は、透湿による表示装置の性能が低下することを防止するために２個のポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）で構成することができる。そして、２個のポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）の間に無機膜を形成することによって、水分成分が下部のポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）を浸透することを遮断して製品の性能信頼性を向上させることができる。無機膜は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層またはこれらの多重層からなり得、これに限定されるものではない。
基板１１０は基板１１０上に形成された素子および機能層、例えばスイッチング薄膜トランジスタ、スイッチング薄膜トランジスタと連結された駆動薄膜トランジスタ、駆動薄膜トランジスタと連結された有機発光素子、保護層などを含む概念で指称されてもよく、これに限定されるものではない。
バッファー層１２０は基板１１０の全体表面上に配置され得る。バッファー層１２０はバッファー層上に形成される層と基板間の接着力を向上させ、基板１１０から流出するアルカリ成分などを多様な種類の欠陥を遮断する役割などを遂行できる。また、バッファー層１２０は基板１１０に浸透した水分または酸素が拡散することを遅延させることができる。
バッファー層１２０は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層またはこれらの多重層からなり得る。バッファー層１２０が多重層からなる場合、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）と窒化シリコン（ＳｉＮｘ）が交互に形成され得る。
バッファー層１２０は基板１１０の種類および物質、薄膜トランジスタの構造およびタイプなどに基づいて省略されてもよい。
バッファー層１２０上に第１薄膜トランジスタ２００および第２薄膜トランジスタ３００が配置され得る。第１薄膜トランジスタ２００および第２薄膜トランジスタ３００はそれぞれ半導体パターン、ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を含むことができる。
説明の便宜のために、発光表示装置１００に含まれ得る多様な薄膜トランジスタのうち駆動薄膜トランジスタのみを図示したが、スイッチング薄膜トランジスタなどのような他の薄膜トランジスタも発光表示装置１００に含まれ得る。また、説明の便宜のために、薄膜トランジスタがトップゲート（Ｔｏｐ Ｇａｔｅ）構造であるものとして説明したが、この構造に限定されず、ボトムゲート（Ｂｏｔｔｏｍ Ｇａｔｅ）構造などのような他の構造で具現されてもよい。
バッファー層１２０上に第１薄膜トランジスタ２００の第１半導体パターン２１０および第２薄膜トランジスタ３００の第２半導体パターン３１０が配置され得る。
第１半導体パターン２１０および第２半導体パターン３１０は多結晶半導体からなり得る。例えば、多結晶半導体は移動度が高い低温ポリシリコン（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ、ＬＴＰＳ）からなり得、これに限定されるものではない。半導体パターンが多結晶半導体からなる場合、エネルギー消費電力が低く信頼性が優秀である。
他の例として、第１半導体パターン２１０および第２半導体パターン３１０は酸化物半導体からなり得る。例えば、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ－ｇａｌｌｉｕｍ－ｚｉｎｃ－ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ－ｚｉｎｃ－ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ－ｇａｌｌｉｕｍ－ｔｉｎ－ｏｘｉｄｅ）、およびＩＧＯ（Ｉｎｄｉｕｍ－ｇａｌｌｉｕｍ－ｏｘｉｄｅ）のうちいずれか一つからなり得、これに限定されるものではない。第１半導体パターン２１０および第２半導体パターン３１０が酸化物半導体からなる場合、漏洩電流を遮断する効果が優秀であるため、低速駆動時にサブピクセルの輝度変化を最小化することができる。
第１半導体パターン２１０および第２半導体パターン３１０が多結晶半導体または酸化物半導体からなる場合、第１半導体パターン２１０および第２半導体パターン３１０の一部の領域が不純物でドープされ得る。
他の例として、第１半導体パターン２１０および第２半導体パターン３１０はアモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）からなってもよく、ペンタセンなどのような多様な有機半導体物質からなり得、これに限定されるものではない。
第１半導体パターン２１０および第２半導体パターン３１０上に第１絶縁層１３０が配置され得る。
第１絶縁層１３０は第１半導体パターン２１０および第２半導体パターン３１０と第１ゲート電極２３０および第２ゲート電極３３０の間に配置され得る。
第１絶縁層１３０は第１半導体パターン２１０と第１ゲート電極２３０を絶縁させることができる。第１絶縁層１３０は第２半導体パターン３１０と第２ゲート電極３３０を絶縁させることができる。
第１絶縁層１３０は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などのような絶縁性無機物質で形成され得、その他にも絶縁性有機物などで形成され得、これに限定されるものではない。
第１絶縁層１３０は第１ソース電極２５０および第１ドレイン電極２７０のそれぞれを第１半導体パターン２１０と電気的に連結するためにホールを具備することができる。また、第１絶縁層１３０は第２ソース電極３５０および第２ドレイン電極３７０のそれぞれを第２半導体パターン３１０と電気的に連結するためにホールを具備することができる。
第１絶縁層１３０上に第１薄膜トランジスタ２００の第１ゲート電極２３０および第２薄膜トランジスタ３００の第２ゲート電極３３０が配置され得る。
第１ゲート電極２３０は第１半導体パターン２１０と重なるように配置され得、第２ゲート電極３３０は第２半導体パターン３１０と重なるように配置され得る。
第１ゲート電極２３０および第２ゲート電極３３０はモリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、および透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ；ＴＣＯ）のうちいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成され得、これに限定されるものではない。
第１ゲート電極２３０および第２ゲート電極３３０上に第２絶縁層１４０が配置され得る。
第２絶縁層１４０は第１ゲート電極２３０および第２ゲート電極３３０と第１ソース電極２５０、第１ドレイン電極２７０、第２ソース電極３５０、および第２ドレイン電極３７０の間に配置され得る。
第２絶縁層１４０は第１ゲート電極２３０と第１ソース電極２５０および第２ドレイン電極２７０を絶縁させることができる。また、第２絶縁層１４０は第２ゲート電極３３０と第２ソース電極３５０および第２ドレイン電極３７０を絶縁させることができる。
第１絶縁層１４０は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などのような絶縁性無機物質で形成され得、その他にも絶縁性有機物などで形成され得、これに限定されるものではない。
第２絶縁層１４０は第１ソース電極２５０および第１ドレイン電極２７０のそれぞれを第１半導体パターン２１０と電気的に連結するためにホールを具備することができる。また、第２絶縁層１４０は第２ソース電極３５０および第２ドレイン電極３７０のそれぞれを第２半導体パターン３１０と電気的に連結するためにホールを具備することができる。
第２絶縁層１４０上に第１薄膜トランジスタ２００の第１ソース電極２５０および第１ドレイン電極２７０が配置され得る。第２絶縁層１４０上に第２薄膜トランジスタ３００の第２ソース電極３５０および第２ドレイン電極３７０が配置され得る。
第１ソース電極２５０および第１ドレイン電極２７０は第１絶縁層１３０、第２絶縁層１４０のホールを通じて第１半導体パターン２１０と電気的に連結され得る。
第２ソース電極３５０および第２ドレイン電極３７０は第１絶縁層１３０、第２絶縁層１４０のホールを通じて第２半導体パターン３１０と電気的に連結され得る。
第１ソース電極２５０、第１ドレイン電極２７０、第２ソース電極３５０、および第２ドレイン電極３７０はモリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、および透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ；ＴＣＯ）のうちいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成され得、これに限定されるものではない。
例えば、第１ソース電極２５０、第１ドレイン電極２７０、第２ソース電極３５０、および第２ドレイン電極３７０は導電性金属物質からなるチタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）の３層構造からなり得、これに限定されるものではない。
第２絶縁層１４０上に非発光領域ＮＥＡにデータラインＤＬまたは電源配線ＰＬがさらに配置され得る。この場合、データラインＤＬまたは電源配線ＰＬは第１ソース電極２５０、第１ドレイン電極２７０、第２ソース電極３５０および第２ドレイン電極３７０と同じ材料、構造、または製造方法で形成され得る。
データラインＤＬまたは電源配線ＰＬは隣り合うサブピクセル間に配置され得る。電源配線ＰＬはデータラインＤＬに沿って平行に配置され得る。電源配線ＰＬは後述する連結電極が配置される時に共に形成されてもよい。
電源配線ＰＬは非発光部ＮＥＡに配置された高電位電圧配線ＶＤＤで分岐されて発光部ＥＡに配置された配線であり得、高電位駆動電圧ＥＶＤＤが提供され得る。
電源配線ＰＬはゲート配線とデータ配線のうちいずれか一つと平行に延びるか、交差して配置され得る。または電源配線ＰＬは小さな線幅を有するメタルラインが互いに交差してなるメッシュパターンで形成され得る。メッシュパターンの形態は四角形、五角形、六角形、円形、楕円形などであり得、これに限定されるものではない。
第１ソース電極２５０、第１ドレイン電極２７０、第２ソース電極３５０、および第２ドレイン電極３７０上に保護層１５０が配置され得る。
保護層１５０は第１薄膜トランジスタ２００および第２薄膜トランジスタ３００を保護することができる。保護層１５０は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などのような絶縁性無機物質で形成され得、その他にも絶縁性有機物などで形成され得、これに限定されるものではない。
保護層１５０は第１薄膜トランジスタ２００の第１アノード電極４１０－Ａを電気的に連結するためにホールを具備することができる。または保護層１５０は第２薄膜トランジスタ３００の第２アノード電極４１０－Ｂを電気的に連結するためにホールを具備することができる。保護層１５０は発光表示装置１００の設計により省略されてもよい。
保護層１５０上に平坦化層１６０が配置され得る。または第１薄膜トランジスタ２００および第２薄膜トランジスタ３００上に平坦化層１６０が配置され得る。
平坦化層１６０は平坦化層１６０の下部に配置された薄膜トランジスタを保護し、多様なパターンによる段差を緩和または平坦化させることができる。
平坦化層１６０はＢＣＢ（ＢｅｎｚｏＣｙｃｌｏＢｕｔｅｎｅ）、アクリル系樹脂（Ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、またはポリイミド系樹脂（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）のような有機絶縁物質のうち少なくとも一つ以上の物質で形成され得、これに限定されるものではない。
平坦化層１６０は単一層で配置され得るが、電極の配置を考慮して２層以上の複数層で配置され得る。
発光表示装置１００が高解像度に進化するにつれて各種信号配線が増加することになるので、すべての配線を最小間隔を確保しながら１層に配置することが難しく、追加層を作ることもある。このような追加層により配線の配置に余裕ができるので、電線／電極の配置設計がさらに容易となる。また、多層で構成された平坦化層に誘電物質（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌ）が使われると、平坦化層１６０は金属層の間で静電容量（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）を形成する用途で活用してもよい。
平坦化層１６０が二つの層で配置される場合、下部平坦化層および上部平坦化層を含むことができる。
例えば、上部平坦化層にホールを形成し、ホール内に連結電極を配置して、連結電極を通じて薄膜トランジスタと発光素子層を電気的に連結することができる。
連結電極の一端（または一部分）は薄膜トランジスタと連結され、連結電極の他端（または他部分）は発光素子層と連結され得る。
平坦化層１６０上に第１アノード電極４１０－Ａおよび第２アノード電極４１０－Ｂが配置され得る。
第１アノード電極４１０－Ａは平坦化層１６０のホールを通じて第１ドレイン電極２７０と電気的に連結され得る。第２アノード電極４１０－Ｂは平坦化層１６０のホールを通じて第２ドレイン電極３７０と電気的に連結され得る。または発光表示装置１００が連結電極をさらに含む場合、第１アノード電極４１０－Ａおよび第２アノード電極４１０－Ｂは連結電極を通じてそれぞれのドレイン電極と電気的に連結され得る。
発光表示装置１００が上部発光方式（Ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）である場合、第１アノード電極４１０－Ａおよび第２アノード電極４１０－Ｂは光を反射する反射電極として不透明な導電性物質を利用して配置され得る。第１アノード電極４１０－Ａおよび第２アノード電極４１０－Ｂは銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）またはこれらの合金のうち少なくとも一つ以上で形成され得る。例えば、第１アノード電極４１０－Ａおよび第２アノード電極４１０－Ｂは銀（Ａｇ）／鉛（Ｐｄ）／銅（Ｃｕ）の３層構造からなり得、これに限定されはしない。または第１アノード電極４１０－Ａおよび第２アノード電極４１０－Ｂはインジウムティンオキサイド（ｉｎｄｉｕｍ－ｔｉｎ－ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）のように仕事関数が高い透明導電性物質層をさらに含むことができる。
発光表示装置１００が下部発光方式（Ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）である場合、第１アノード電極４１０－Ａおよび第２アノード電極４１０－Ｂは光を透過する透明な導電性物質を利用して配置され得る。例えば、第１アノード電極４１０－Ａおよび第２アノード電極４１０－Ｂはインジウムティンオキサイド（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（Ｉｎｄｕｉｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）のうち少なくとも一つ以上で形成され得る。
第１アノード電極４１０－Ａおよび第２アノード電極４１０－Ｂ、および平坦化層１６０上にバンク４２０が配置され得る。
バンク４２０は複数のサブピクセルＳＰを区分することができ、光にじみ現象を最小化し、多様な視野角で発生する混色を防止することができる。
バンク４２０は発光部ＥＡと非発光部ＮＥＡを区分することができ、バンク４２０は非発光部ＮＥＡに配置され得る。
バンク４２０は第１アノード電極４１０－Ａおよび第２アノード電極４１０－Ｂを露出させるバンクホールを有することができる。
バンク４２０は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）のような無機絶縁物質またはＢＣＢ（ＢｅｎｚｏＣｙｃｌｏＢｕｔｅｎｅ）、アクリル系樹脂（Ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、またはポリイミド系樹脂（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）のような有機絶縁物質、またはブラック（または黒色）顔料を含む感光剤のうち少なくとも一つ以上の物質からなり得、これに限定されるものではない。
バンク４２０は透明であるかブラック（または黒色）または有色で形成され得る。
バンク４２０は第１アノード電極４１０－Ａおよび第２アノード電極４１０－Ｂの終端を覆うかカバーして配置され得る。
バンク４２０は少なくとも二つの厚さを有することができる。少なくとも二つの厚さによってバンク４２０の上面は屈曲を有することができる。
バンク４２０は少なくとも一つ以上の突起４２０ｐを有することができる。バンク４２０の突起４２０ｐはバンク４２０の一部を除去して形成され得る。バンク４２０の突起４２０ｐは第１厚さＴ１を有することができる。突起４２０ｐが形成された領域を除いた領域は、第１厚さＴ１と異なる第２厚さＴ２を有することができる。すなわち、２個の隣接したサブピクセル間のバンク４２０部分４２０ｎｅａで、バンク４２０は屈曲を有するため異なる高さを有することができる。
バンク４２０の第１厚さＴ１は第２厚さＴ２より大きくてもよい。バンク４２０の第２厚さＴ２はバンク４２０の第１厚さ対比１／２～１／３の厚さを有することができる。
バンク４２０の突起４２０ｐはデータラインＤＬまたは電源配線ＰＬと重なる領域であり得る。突起４２０ｐの幅Ｗ１はデータラインＤＬまたは電源配線ＰＬの幅Ｗ２より大きくてもよい。したがって、データラインＤＬまたは電源配線ＰＬが外部光によって反射して使用者に視認されない効果がある。
バンク４２０の第２厚さＴ２はバンク４２０の一部を除去して形成され得る。図示された通り、バンク４２０の屈曲または屈曲部分は上面から斜めに掘られた形態で形成され得るが、これに限定されるものは多様な形態で形成され得る。
バンク４２０に形成された突起または屈曲（または屈曲部分）により、バンク４２０上に配置される発光素子層が配置される長さが長くなり得る。例えば、バンクに形成された突起４２０ｐおよび突起４２０ｐが形成されていない屈曲に沿って発光素子層が配置され、これは発光素子層内に電子が隣り合うサブピクセルに電子が移動する距離が増加し、駆動時に発光素子層の内部に形成された電子が隣り合うサブピクセルに移動することを防止することができる。すなわち、２個の隣り合うサブピクセル間の電子伝達経路はバンク４２０の上面の屈曲部分に沿って、例えば突起および凹入部に沿って形成される。したがって、２個の隣り合うサブピクセルのうち一つのサブピクセルから他の一つのサブピクセルに電子が移動する電子伝達経路（電子移動通路）の距離は、２個の隣り合うサブピクセル間の距離より大きい。
バンク４２０および第１アノード電極４１０－Ａおよび第２アノード電極４１０－Ｂ上に発光素子層４３０が配置され得る。
発光素子層４３０は第１発光ユニット４３１、電荷生成層４３２、および第２発光ユニット４３３を含むことができる。
発光素子層４３０はバンクの上面に形成された屈曲に沿って配置され得る。
説明の便宜のために、２個の発光ユニットのみ図示したが、２個以上の発光ユニットおよび２個以上の発光ユニットの間に含まれた１個以上の電荷生成層がさらに含まれ得る。
以下では、図５を参照して本発明の発光素子層を詳細に説明する。図５は、図４の発光素子層を拡大した断面図である。
図５を参照すると、バンク４２０および第１アノード電極４１０－Ａおよび第２アノード電極４１０－Ｂ上に第１発光ユニット４３１が配置され得る。
第１発光ユニット４３１は正孔注入層ＨＩＬ、第１正孔輸送層ＨＴＬ－１、第１発光層ＥＭＬ－１、および第１電子輸送層ＥＴＬ－１を含むことができる。
図５に図示した通り、第１発光層ＥＭＬ－１は第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａおよび第２サブ発光層ＥＭＬ－１Ｂのような複数のサブ発光層を含むことができる。
正孔注入層ＨＩＬ、第１正孔輸送層ＨＴＬ－１、および第１電子輸送層ＥＴＬ－１はサブピクセルのすべてに対応して配置され得る。例えば、それぞれのサブピクセルおよび隣り合うサブピクセル間に切れずに連続的に配置され得る。またはそれぞれのサブピクセルおよび隣り合うサブピクセル間に少なくとも一部分が切れて不連続的に配置され得る。
正孔注入層ＨＩＬはバンク４２０、第１アノード電極４１０－Ａおよび第２アノード電極４１０－Ｂ上に配置され得る。正孔注入層はバンクの上面に形成された屈曲に沿って配置され得る。
正孔注入層ＨＩＬは正孔の注入を円滑にする役割をし、ＨＡＴＣＮ（１，４，５，８，９，１１－ｈｅｘａａｚａｔｒｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ－ｈｅｘａｎｉｔｒｉｌｅ）およびＣｕＰｃ（ｃｕｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ（３，４）－ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＡＮＩ（ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ）およびＮＰＤ（Ｎ，Ｎ－ｄｉｎａｐｈｔｈｙｌ－Ｎ，Ｎ’－ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）からなる群から選択されたいずれか一つ以上からなり得るがこれに限定されない。
第１正孔輸送層ＨＴＬ－１は正孔注入層ＨＩＬ上に配置され得る。第１正孔輸送層ＨＴＬ－１はバンクの上面に形成された屈曲に沿って配置され得る。
第１正孔輸送層ＨＴＬ－１は正孔の輸送を円滑にする役割をし、ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ－ｄｉｎａｐｈｔｈｙｌ－Ｎ，Ｎ’－ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ｂｉｓ－（３－ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）－Ｎ，Ｎ’－ｂｉｓ－（ｐｈｅｎｙｌ）－ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）、ｓ－ＴＡＤおよびＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”－Ｔｒｉｓ（Ｎ－３－ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ－Ｎ－ｐｈｅｎｙｌ－ａｍｉｎｏ）－ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）からなる群から選択されたいずれか一つ以上からなり得るがこれに限定されない。
正孔輸送層ＨＴＬ－１上に第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａおよび第２サブピクセル発光層ＥＭＬ－１Ｂが配置され得る。
第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａおよび第２サブ発光層ＥＭＬ－１Ｂはバンク４２０と少なくとも一部分重なり得、隣り合うサブピクセル間に離隔して形成され得る。例えば、第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａおよび第２サブ発光層ＥＭＬ－１Ｂは掘られたメタルマスク（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ、ＦＭＭ）でそれぞれのサブピクセルに蒸着され得る。
第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａは第２発光ユニット４３３の第２発光層ＥＭＬ－２に含まれた第３サブ発光層ＥＭＬ－２Ａと重なり得る。第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａは第２発光ユニット４３３に含まれた第３サブ発光層ＥＭＬ－２Ａと同じ色を発光することができる。第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａは第２発光ユニット４３３に含まれた第３サブ発光層ＥＭＬ－２Ａと同じ波長帯の光を発光することができる。
第２サブ発光層ＥＭＬ－１Ｂは第２発光ユニット４３３の第２発光層ＥＭＬ－２に含まれた第４サブ発光層ＥＭＬ－２Ｂと重なり得る。第２サブ発光層ＥＭＬ－１Ｂは第２発光ユニット４３３に含まれた第４サブ発光層ＥＭＬ－２Ｂと同じ色を発光することができる。第２サブ発光層ＥＭＬ－１Ｂは第２発光ユニット４３３に含まれた第４サブ発光層ＥＭＬ－２Ｂと同じ波長帯の光を発光することができる。
第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａおよび第２サブ発光層ＥＭＬ－１Ｂは互いに異なる色を発光し、赤色、緑色、および青色を発光する発光物質をそれぞれ含むことができ、発光物質は燐光物質または蛍光物質を利用して形成することができる。
例えば、第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａは赤色または緑色を発光でき、第２サブピクセルＳＰ＿２は青色を発光することができる。
例えば、第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａが赤色を発光する場合、第１サブ発光層ＥＭＬ－１ＡはＣＢＰ（ｃａｒｂａｚｏｌｅ ｂｉｐｈｅｎｙｌ）またはｍＣＰ（１，３－ｂｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ－９－ｙｌ）を含むホスト物質を含み、ＰＩＱＩｒ（ａｃａｃ）（ｂｉｓ（１－ｐｈｅｎｙｌｉｓｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ ｉｒｉｄｉｕｍ）、ＰＱＩｒ（ａｃａｃ）（ｂｉｓ（１－ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ ｉｒｉｄｉｕｍ）、ＰＱＩｒ（ｔｒｉｓ（１－ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ）およびＰｔＯＥＰ（ｏｃｔａｅｔｈｙｌｐｏｒｐｈｙｒｉｎ ｐｌａｔｉｎｕｍ）からなる群から選択されたいずれか一つ以上を含むドーパントを含む燐光物質からなり得、これとは異なり、ＰＢＤ：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）またはＰｅｒｙｌｅｎｅを含む蛍光物質からなり得るがこれに限定されない。
第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａが緑色を発光する場合、第１サブ発光層ＥＭＬ－１ＡはＣＢＰまたはｍＣＰを含むホスト物質を含み、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｆａｃ ｔｒｉｓ（２－ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ）を含むＩｒ ｃｏｍｐｌｅｘのようなドーパント物質を含む燐光物質からなり得、これとは異なり、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）を含む蛍光物質からなり得るがこれに限定されない。
第２サブ発光層ＥＭＬ－１Ｂが青色を発光する場合、第２サブ発光層ＥＭＬ－１ＢはＣＢＰまたはｍＣＰを含むホスト物質を含み、（４，６－Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒｐｉｃを含むドーパント物質を含む燐光物質からなり得る。また、ｓｐｉｒｏ－ＤＰＶＢｉ、ｓｐｉｒｏ－６Ｐ、ジスチルベンゼン（ＤＳＢ）、ジスチリルアリーレン（ＤＳＡ）、ＰＦＯ系高分子およびＰＰＶ系高分子からなる群から選択されたいずれか一つを含む蛍光物質からなり得るがこれに限定されない。
第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａおよび第２サブ発光層ＥＭＬ－１Ｂは補助発光層をさらに含むことができる、例えば、補助発光層は第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａの下部または上部に配置され得る。補助発光層は第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａと同じ色を発光するか、異なる色を発光することができる。代案的または付加的に、補助発光層は第２サブ発光層ＥＭＬ－１Ｂの下部または上部に配置され得る。補助発光層は第２サブ発光層ＥＭＬ－１Ｂと同じ色を発光するか、異なる色を発光することができる。
第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａ、第２サブ発光層ＥＭＬ－１Ｂおよび第１正孔輸送層ＨＴＬ－１上に第１電子輸送層ＥＴＬ－１が配置され得る。

第１電子輸送層ＥＴＬ－１は電子の輸送を円滑にする役割をし、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＰＢＤ（２－（４－ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）－５－（４－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙ）－１，３，４ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、ＴＡＺ、ｓｐｉｒｏ－ＰＢＤ、ＢＡｌｑおよびＳＡｌｑからなる群から選択されたいずれか一つ以上からなり得るがこれに限定されない。
第１電子輸送層ＥＴＬ－１上に電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）が追加にさらに配置され得る。
第１発光ユニット４３１上に電荷生成層４３２が配置され得る。または第１発光ユニット４３１の第１電子輸送層ＥＴＬ－１上に電荷生成層４３２が配置され得る。電荷生成層４３２はバンクの上面に形成された突起または屈曲に沿って配置され得る。
電荷生成層４３２は第１発光ユニット４３１に電子の注入を助けるｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬと第２発光ユニット４３３に正孔注入を助けるｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬをさらに含むことができる。
ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬはアルカリ金属、アルカリ金属化合物または電子注入役割をする有機物またはこれらの化合物で形成することができる。例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）がドープされたアントラセン誘導体のようなｎ型（ｎ－ｔｙｐｅ）物質の混合層からなり得るがこれに限定されない。
ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬは正孔注入層の物質で使われる有機物で形成することが可能である。例えば、ＨＡＴＣＮ、Ｆ４－ＴＣＮＱのようなｐ型（ｐ－ｔｙｐｅ）物質の単一層からなり得るがこれに限定されない。
ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬおよびｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬはバンクの上面に形成された屈曲に沿って配置され得る。
本発明の実施例に係る発光表示装置は、発光素子層をバンクの上部に形成された突起または屈曲に沿って配置するため、隣り合うサブピクセルに電子が移動する距離が増加して水平漏洩電流を遮断することができる。すなわち、駆動時に発光素子層の内部に形成された電子が隣り合うピクセルに移動することを防止することができる。
また隣り合うサブピクセル間の間隔が小さくなっても水平漏洩電流を遮断することができる。特に低諧調で隣り合うサブピクセルが発光する視認性不良を解決し、色再現率を向上させることができる。
電荷生成層４３２上に第２発光ユニット４３３が配置され得る。
第２発光ユニット４３３は第２正孔輸送層ＨＴＬ－２、第２発光層、第２電子輸送層ＥＴＬ－２、および第２電子注入層ＥＩＬを含むことができる
電荷生成層４３２上に第２正孔輸送層ＨＴＬ－２が配置され得る。またはｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬ上に第２正孔輸送層ＨＴＬ－２が配置され得る。
第２正孔輸送層ＨＴＬ－２はバンクの上面に形成された屈曲に沿って配置され得る。
ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬと第２正孔輸送層ＨＴＬ－２の間に正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）が追加にさらに配置され得る。
第２正孔輸送層ＨＴＬ－２は正孔の輸送を円滑にする役割をし、ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ－ｄｉｎａｐｈｔｈｙｌ－Ｎ，Ｎ’－ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ｂｉｓ－（３－ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）－Ｎ，Ｎ’－ｂｉｓ－（ｐｈｅｎｙｌ）－ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）、ｓ－ＴＡＤおよびＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”－Ｔｒｉｓ（Ｎ－３－ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ－Ｎ－ｐｈｅｎｙｌ－ａｍｉｎｏ）－ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）からなる群から選択されたいずれか一つ以上からなり得るがこれに限定されない。
第２正孔輸送層ＨＴＬ－２上に第３サブ発光層ＥＭＬ－２Ａおよび第４サブ発光層ＥＭＬ－２Ｂが配置され得る。
第３サブ発光層ＥＭＬ－２Ａおよび第４サブ発光層ＥＭＬ－２Ｂはバンクと少なくとも一部分重なり得、隣り合うサブピクセル間に離隔して形成され得る。例えば、第３サブ発光層ＥＭＬ－２Ａおよび第４サブ発光層ＥＭＬ－２Ｂは掘られたメタルマスク（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ、ＦＭＭ）でそれぞれのサブピクセルに蒸着され得る。
第３サブ発光層ＥＭＬ－２Ａは第１発光ユニット４３１に含まれた第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａと重なり得る。第３サブ発光層ＥＭＬ－２Ａは第１発光ユニット４３１に含まれた第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａと同じ色を発光することができる。第３サブ発光層ＥＭＬ－２Ａは第１発光ユニット４３１に含まれた第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａと同じ波長帯の光を発光することができる。
第４サブ発光層ＥＭＬ－２Ｂは第１発光ユニット４３１に含まれた第２サブ発光層ＥＭＬ－１Ｂと重なり得る。第４サブ発光層ＥＭＬ－２Ｂは第１発光ユニット４３１に含まれた第２サブ発光層ＥＭＬ－１Ｂと同じ色を発光することができる。第４サブ発光層ＥＭＬ－２Ｂは第１発光ユニット４３１に含まれた第２サブ発光層ＥＭＬ－１Ｂと同じ波長帯の光を発光することができる。
第３サブ発光層ＥＭＬ－２Ａおよび第４サブ発光層ＥＭＬ－２Ｂは互いに異なる色を発光し、赤色、緑色、および青色を発光する発光物質をそれぞれ含むことができ、発光物質は燐光物質または蛍光物質を利用して形成することができる。
例えば、第３サブ発光層ＥＭＬ－２Ａは赤色または緑色を発光でき、第４サブ発光層ＥＭＬ－２Ｂは青色を発光することができる。
例えば、第３サブ発光層ＥＭＬ－２Ａが赤色を発光する場合、第３サブ発光層ＥＭＬ－２ＡはＣＢＰ（ｃａｒｂａｚｏｌｅ ｂｉｐｈｅｎｙｌ）またはｍＣＰ（１，３－ｂｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ－９－ｙｌ）を含むホスト物質を含み、ＰＩＱＩｒ（ａｃａｃ）（ｂｉｓ（１－ｐｈｅｎｙｌｉｓｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ ｉｒｉｄｉｕｍ）、ＰＱＩｒ（ａｃａｃ）（ｂｉｓ（１－ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ ｉｒｉｄｉｕｍ）、ＰＱＩｒ（ｔｒｉｓ（１－ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ）およびＰｔＯＥＰ（ｏｃｔａｅｔｈｙｌｐｏｒｐｈｙｒｉｎ ｐｌａｔｉｎｕｍ）からなる群から選択されたいずれか一つ以上を含むドーパントを含む燐光物質からなり得、これとは異なり、ＰＢＤ：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）またはＰｅｒｙｌｅｎｅを含む蛍光物質からなり得るがこれに限定されない。
第３サブ発光層ＥＭＬ－２Ａが緑色を発光する場合、第３サブ発光層ＥＭＬ－２ＡはＣＢＰまたはｍＣＰを含むホスト物質を含み、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｆａｃ ｔｒｉｓ（２－ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ）を含むＩｒ ｃｏｍｐｌｅｘのようなドーパント物質を含む燐光物質からなり得、これとは異なり、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）を含む蛍光物質からなり得るがこれに限定されない。
第４サブ発光層ＥＭＬ－２Ｂが青色を発光する場合、第４サブ発光層ＥＭＬ－２ＢはＣＢＰまたはｍＣＰを含むホスト物質を含み、（４，６－Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒｐｉｃを含むドーパント物質を含む燐光物質からなり得る。また、ｓｐｉｒｏ－ＤＰＶＢｉ、ｓｐｉｒｏ－６Ｐ、ジスチルベンゼン（ＤＳＢ）、ジスチリルアリーレン（ＤＳＡ）、ＰＦＯ系高分子およびＰＰＶ系高分子からなる群から選択されたいずれか一つを含む蛍光物質からなり得るがこれに限定されない。
第３サブ発光層ＥＭＬ－２Ａおよび第４サブ発光層ＥＭＬ－２Ｂは補助発光層をさらに含むことができる、例えば、補助発光層は第３サブ発光層ＥＭＬ－２Ａの下部または上部に配置され得る。補助発光層は第３サブ発光層ＥＭＬ－２Ａと同じ色を発光するか、異なる色を発光することができる。または補助発光層は第４サブ発光層ＥＭＬ－２Ｂの下部または上部に配置され得る。補助発光層は第４サブ発光層ＥＭＬ－２Ｂと同じ色を発光するか、異なる色を発光することができる。
第３サブ発光層ＥＭＬ－２Ａ、第４サブ発光層ＥＭＬ－２Ｂおよび第２正孔輸送層ＨＴＬ－２上に第２電子輸送層ＥＴＬ－２が配置され得る。
第２電子輸送層ＥＴＬ－２は電子の輸送を円滑にする役割をし、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＰＢＤ（２－（４－ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）－５－（４－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙ）－１，３，４ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、ＴＡＺ、ｓｐｉｒｏ－ＰＢＤ、ＢＡｌｑおよびＳＡｌｑからなる群から選択されたいずれか一つ以上からなり得るがこれに限定されない。
第２電子輸送層ＥＴＬ－２上に電子注入層ＥＩＬが配置され得る。
電子注入層ＥＩＬは電子の注入を円滑にする役割をし、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＰＢＤ（２－（４－ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）－５－（４－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙ）－１，３，４ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、ＴＡＺ、ｓｐｉｒｏ－ＰＢＤ、ＢＡｌｑまたはＳＡｌｑを使うことができるがこれに限定されない。
第１発光ユニット４３１および第２発光ユニット４３３に含まれた構成要素は場合により２つ以上の複数で形成されるか、省略され得る。
第２発光ユニット４３３上にカソード電極４４０が配置され得る。電子注入層ＥＩＬ上にカソード電極４４０が配置され得る。
カソード電極４４０はバンクの上面に形成された突起または屈曲に沿って配置され得る。
カソード電極４４０は発光素子層に電子を供給し、仕事関数が低い導電性物質からなり得る。
発光表示装置１００が上部発光方式（Ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）である場合、カソード電極４４０は光を透過する透明な導電性物質を利用して配置され得る。例えば、インジウムティンオキサイド（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）、およびインジウムジンクオキサイド（Ｉｎｄｕｉｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）のうち少なくとも一つ以上で形成され得、これに限定されるものではない。
また、光を透過する半透明な導電性物質を利用して配置され得る。例えば、ＬｉＦ／Ａｌ、ＣｓＦ／Ａｌ、Ｍｇ：Ａｇ、Ｃａ／Ａｇ、Ｃａ：Ａｇ、ＬｉＦ／Ｍｇ：Ａｇ、ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｇ、およびＬｉＦ／Ｃａ：Ａｇのような合金のうち少なくとも一つ以上で形成され得、これに限定されるものではない。
発光表示装置１００が下部発光方式（Ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）である場合、カソード電極４４０は光を反射する反射電極として不透明な導電性物質を利用して配置され得る。例えば、カソード電極４４０は銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）またはこれらの合金のうち少なくとも一つ以上で形成され得る。
カソード電極４４０上にキャッピング層４５０が配置され得る。
キャッピング層（ｃａｐｐｉｎｇ ｌａｙｅｒ：ＣＰＬ、４５０）は有機発光素子の光抽出効果を増加させるためのもので、キャッピング層４５０は発光素子層４００を構成する物質のうちいずれか一つからなり得る。キャッピング層４５０は２つ以上の複数の層で形成されるか、省略され得る。
以下では、図６を参照して、本発明の実施例を説明することにする。
図６に図示された発光表示装置１００は、図４の表示装置と比較して封止層５００およびタッチセンサ層６００を除いては実質的に同一であるため、重複説明は省略する。例えば、簡略化のために、図６は図５の第１および第２発光層ＥＭＬ－１、ＥＭＬ－２を図示していない。
図６は、本発明の実施例に係る基板に配置された封止層およびタッチセンサ層を図示した断面図である。
カソード電極４４０またはキャッピング層４５０上に封止層５００が配置され得る。封止層５００は外部の水分、酸素、または異物から発光素子層４００を保護することができる。例えば、発光物質と電極物質の酸化を防止するために外部からの酸素および水分の浸透を防止することができる。
封止層５００は発光層で発光する光が透過するように透明な物質からなり得る。
封止層５００は水分や酸素の浸透を遮断する第１封止層５１０、第２封止層５２０、および第３封止層５３０を含むことができる。第１封止層５１０、第２封止層５２０、および第３封止層５３０は交互に積層された構造を有することができる。封止層５００は発光層で発光する光が透過するように透明な物質からなり得る。
第１封止層５１０および第３封止層５３０は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）または酸化アルミニウム（ＡｌｙＯｚ）のうち少なくとも一つ以上の無機物からなり得、これに限定されるものではない。第１封止層５１０および第３封止層５３０は化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）または原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＡＬＤ）等の真空成膜法を使って形成され得、これに限定されるものではない。
第１封止層５１０および第３封止層５３０は少なくとも２つ以上の複数の層で形成され得る。例えば、第１封止層５１０は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）／窒化シリコン（ＳｉＮｘ）／酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の３層構造からなり得、これに限定されるものではない。例えば、第３封止層５３０は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）／窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の３層構造からなり得、これに限定されるものではない。
第２封止層５２０は製造工程上発生し得る異物またはパーティクル（Ｐａｒｔｉｃｌｅ）をカバーすることができる。また、第２封止層５２０は第１封止層５１０の表面を平坦化することができる。例えば、第２封止層５２０はパーティクルカバー層（Ｐａｒｔｉｂｌｅ Ｃｏｖｅｒ Ｌａｙｅｒ）であり得、用語に限定されるものではない。
第２封止層５２０は有機物、例えば、シリコンオキシカーボン（ＳｉＯＣｚ）エポキシ（ｅｐｏｘｙ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエチレン（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）、アクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）系列等の高分子（ｐｏｌｙｍｅｒ）であり得、これに限定されるものではない。
第２封止層５２０は熱または光によって硬化する熱硬化性物質または光硬化性物質からなり得る。
封止層５００上にタッチセンサ層６００が配置され得る。
タッチセンサ層６００は第１タッチ電極６４０＿Ｒ、第１タッチ連結電極６２０、第２タッチ電極、および第２タッチ連結電極６４０＿Ｃを含むことができる。
第１タッチ電極６４０＿Ｒ、第１タッチ連結電極６２０、第２タッチ電極、および第２タッチ連結電極６４０＿Ｃの一部分はバンク４２０、電源配線またはデータラインと重なって配置され得る。
第１タッチ電極６４０＿Ｒ、第２タッチ電極、第１タッチ連結電極６２０、および第２連結電極６２０＿Ｃは小さい線幅を有するメタルラインが互いに交差してなるメッシュパターンで形成され得る。メッシュパターンは菱形の形態を有することができる、またメッシュパターンの形態は四角形、五角形、六角形、円形、楕円形などであり得、これに限定されるものではない。
第１タッチ電極６４０＿Ｒ、第２タッチ電極、第１タッチ連結電極６２０、および第２タッチ連結電極６４０＿Ｃは材料の抵抗が低く、不透明な導電性物質を利用して配置され得る。例えば、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、および透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ；ＴＣＯ）のうちいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成され得、これに限定されるものではない。
例えば、第１タッチ電極６４０＿Ｒ、第２タッチ電極、第１タッチ連結電極６２０、および第２タッチ連結電極６４０＿Ｃは導電性金属物質からなるチタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）の３層構造からなり得、これに限定されるものではない。
第１タッチ電極６４０＿Ｒ、第２タッチ電極、第１タッチ連結電極６２０、および第２タッチ連結電極６４０＿Ｃは第１ソース電極２５０、第１ドレイン電極２７０、第２ソース電極３５０、および第２ドレイン電極３７０と同じ物質からなり得る。
封止層５００上にタッチバッファー層６１０が配置され得る。タッチバッファー層６１０はタッチセンサ層６００の製造工程時に利用される薬液（現像液またはエッチング液等）または外部からの水分などが有機物を含む発光素子層４００に浸透することを遮断することができる。また、タッチバッファー層６１０の上部に配置される多数のタッチセンサメタルが外部の衝撃で断線する問題を防止することができ、タッチセンサ層の駆動時に発生し得る干渉信号を遮断することができる。
タッチバッファー層６１０はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のうちいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成され得、これに限定されるものではない。またはタッチバッファー層６１０はアクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）等の有機物質で形成され得る。
タッチバッファー層６１０上に第１タッチ連結電極６２０が配置され得る。
例えば、第１タッチ連結電極６２０は第１方向（またはＸ軸方向）に隣接する第１タッチ電極６４０＿Ｒの間に配置され得る。第１タッチ連結電極６２０は第１方向（またはＸ軸方向）に離隔して隣接するように配置された複数の第１タッチ電極６４０＿Ｒを電気的に連結することができ、これに限定されるものではない。
第１タッチ連結電極６２０は第２方向（またはＹ軸方向）に隣接する第２タッチ電極を連結する第２タッチ連結電極６４０＿Ｃと重なるように配置され得る。第１タッチ連結電極６２０と第２タッチ連結電極６４０＿Ｃは互いに異なる層に形成されるので、電気的に絶縁され得る。
タッチバッファー層６１０および第１タッチ連結電極６２０上にタッチ絶縁層６３０が配置され得る。
タッチ絶縁層６３０は第１タッチ電極６４０＿Ｒと第１タッチ連結電極６２０を電気的に連結するためにホールを含むことができる。
タッチ絶縁層６３０は第２タッチ電極および第２タッチ連結電極６４０＿Ｃを電気的に絶縁させることができる。
タッチ絶縁層６３０は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層またはこれらの多重層からなり得、これに限定されるものではない。
タッチ絶縁層６３０上に第１タッチ電極６４０＿Ｒ、第２タッチ電極、および第２タッチ連結電極６４０＿Ｃが配置され得る。
第１タッチ電極６４０＿Ｒと第２タッチ電極は一定の間隔で離隔して配置され得る。第１方向（またはＸ軸方向）に隣接する少なくとも一つ以上の第１タッチ電極６４０＿Ｒは互いに離隔して形成され得る。第１方向（またはＸ軸方向）に隣接する少なくとも一つ以上の第１タッチ電極６４０＿Ｒは複数の第１タッチ電極７４０＿Ｒの間に配置された第１タッチ連結電極６２０と連結され得る。例えば、隣接した複数の第１タッチ電極６４０＿Ｒはタッチ絶縁層６３０のホールを通じて第１タッチ連結電極６２０と連結され得る。
第２方向（またはＹ軸方向）に隣接する第２タッチ電極は第２タッチ連結電極６４０＿Ｃにより連結され得る。第２タッチ電極および第２タッチ連結電極６４０＿Ｃは同じ層に形成され得る。例えば、第２タッチ連結電極６４０＿Ｃは第２タッチ電極と同じ層に複数の第２タッチ電極の間に配置され得る。第２タッチ連結電極６４０＿Ｃは第２タッチ電極から延びて形成され得る。
第１タッチ電極６４０＿Ｒ、第２タッチ電極、および第２タッチ連結電極６４０＿Ｃは同じ工程で形成され得る。
第１タッチ電極６４０＿Ｒ、第２タッチ電極、および第２タッチ連結電極６４０＿Ｃ上にタッチ平坦化層６５０が配置され得る。
タッチ駆動回路は第１タッチ電極６４０＿Ｒからタッチ感知信号を受信することができる。また、タッチ駆動回路は第２タッチ電極からタッチ駆動信号を伝送することができる。タッチ駆動回路は複数の第１タッチ電極６４０＿Ｒおよび第２タッチ電極の間の相互静電容量（ｍｕｔｕａｌ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）を利用して使用者のタッチを感知することができる。例えば、発光表示装置１００にタッチ動作がなされる場合、第１タッチ電極６４０＿Ｒと第２タッチ電極の間に静電容量（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）の変化が発生し得る。タッチ駆動回路はこのような静電容量の変化を感知してタッチ座標を検出することができる。
以下では、図７を参照して、本発明の実施例を説明することにする。
図７は、本発明の実施例に係る基板に配置されたカラーフィルタ層を図示した断面図である。
図７に図示された発光表示装置１００は図６の表示装置と比較してカラーフィルタ層７００を除いては実質的に同一であるため、重複説明は省略する。
タッチセンサ層６００上にカラーフィルタ層７００が配置され得る。
発光表示装置１００が上部発光方式（Ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）である場合、発光層で発光する光が上部基板方向に進行してカラーフィルタ７０２を通じて画像を表示することができる。カラーフィルタ層７００はそれぞれのサブピクセルの発光層で発光する色と同じ色をそれぞれのサブピクセルに配置して、色純度をさらに向上した表示装置を提供するものである。また、カラーフィルタ層７００を第２基板と隣接するように配置して、外光反射が低減されて光効率が向上し得る。また、偏光板を使用しなくなるため費用を節減できる。
タッチ平坦化層６５０上にカラーフィルタバッファー層７１０が配置され得る。
カラーフィルタバッファー層７１０は、カラーフィルタ層の製造工程時に利用される薬液（現像液またはエッチング液等）または外部からの水分などが有機物を含む発光素子層に浸透することを遮断することができる。
カラーフィルタバッファー層７１０上にブラックマトリクス７２０が配置され得る。
ブラックマトリクス７２０はブラック（または黒色）を帯びる絶縁層であって、それぞれのカラーフィルタ７３０の間に配置されて隣り合うカラーフィルタ７３０間の混色を防止することができる。または構成要素が発光表示装置１００の外部で視認されることを防止することができる。
ブラックマトリクス７２０はバンク４２０と重なり得る。ブラックマトリクス７２０の幅はバンク４２０の幅より小さくてもよい。
ブラックマトリクス７２０上にカラーフィルタ層７３０が配置され得る。
カラーフィルタ層７３０は第１カラーフィルタ７３０－Ａおよび第２カラーフィルタ層７３０－Ｂを含むことができる。第１カラーフィルタ７３０－Ａおよび第２カラーフィルタ７３０－ＢはそれぞれのサブピクセルＳＰに蒸着され得る。
第１カラーフィルタ７３０－Ａおよび第２カラーフィルタ７３０－Ｂは互いに隣り合うサブピクセルＳＰの間に離隔して形成され得る。例えば、第１カラーフィルタ７３０－Ａおよび第２カラーフィルタ７３０－ＢはそれぞれのサブピクセルＳＰに蒸着され得る。第１カラーフィルタ７３０－Ａおよび第２カラーフィルタ７３０－Ｂの少なくとも一部分はブラックマトリクス７２０の上部に配置され、第１カラーフィルタ７３０－Ａおよび第２カラーフィルタ７３０－Ｂ間の離隔する領域はブラックマトリクス７２０上に形成され得る。
第１カラーフィルタ７３０－Ａおよび第２カラーフィルタ７３０－Ｂは互いに異なる色からなり得る。第１カラーフィルタ７３０－Ａおよび第２カラーフィルタ７３０－Ｂは赤色、緑色、および青色の染料または顔料からなり得る。
第１カラーフィルタ７３０－Ａは第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａまたは第３サブ発光層ＥＭＬ－２Ａで発光する光と同じ色を有することができ、第２カラーフィルタ７３０－Ｂは第２サブ発光層ＥＭＬ－１Ｂまたは第４サブ発光層ＥＭＬ－２Ｂで発光する光と同じ色を有することができる。例えば、第１カラーフィルタ７３０－Ａは赤色または緑色を発光でき、第２カラーフィルタ７３０－Ｂは青色を発光することができる。
または第１カラーフィルタ７３０－Ａは第１サブ発光層ＥＭＬ－１Ａまたは第３サブ発光層ＥＭＬ－２Ａで発光する光と異なる色を有することができ、第２カラーフィルタ７３０－Ｂは第２サブ発光層ＥＭＬ－１Ｂまたは第４サブ発光層ＥＭＬ－２Ｂで発光する光と異なる色を有することができる。
第１カラーフィルタ７３０－Ａおよび第２カラーフィルタ７３０－Ｂはブラックマトリクス７２０と少なくとも一部分重なり得る。第１カラーフィルタ７３０－Ａおよび第２カラーフィルタ７３０－Ｂはブラックマトリクス７２０の少なくとも一部分を覆って配置され得る。
第１カラーフィルタ７３０－Ａおよび第２カラーフィルタ７３０－Ｂは少なくとも一部分バンク４２０と重なり得る。
第１カラーフィルタ７３０－Ａおよび第２カラーフィルタ７３０－Ｂの厚さは少なくとも一部分ブラックマトリクス７２０の厚さより大きくてもよい。
カラーフィルタ７３０およびブラックマトリクス７２０上にオーバーコート層７４０が配置され得る。
オーバーコート層７４０はカラーフィルタ７３０およびブラックマトリクス７２０を覆うように配置され得る。
オーバーコート層７４０はＢＣＢ（ＢｅｎｚｏＣｙｃｌｏＢｕｔｅｎｅ）、アクリル系樹脂（Ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、またはポリイミド系樹脂（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）のような有機絶縁物質のうち少なくとも一つ以上の物質で形成され得、これに限定されるものではない。
タッチセンサ層６００またはカラーフィルタ層７００が配置された基板上に接着層８００が配置され得る。例えば、接着層８００はタッチセンサ層６００またはカラーフィルタ層７００と第２基板９００を接着（または付着）することができる。
接着層８００は接着性を有する物質からなり得る。例えば、接着層８００はＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）、ＰＳＡ（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）等からなり得るが、これに制限されない。
接着層８００の上部に第２基板９００が配置され得る。第２基板９００はガラス、または柔軟性（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を有するプラスチック物質からなり得る。
例えば、第２基板９００はポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、ポリメチルメタアクリレート（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ、ＰＭＭＡ）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、およびポリカーボネート（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）のうち少なくとも一つ以上で形成され得、これに限定されるものではない。
本発明の図面には図示していないが、量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ、ＱＤ）を含んだ層がさらに含まれ得る。
本発明の実施例に係る表示装置は下記のように説明され得る。
本発明の実施例に係る発光表示装置は、発光部と発光部の間に位置する非発光部を含む基板、発光部に位置する第１サブピクセルおよび第２サブピクセル、基板上であって、第１サブピクセルおよび第２サブピクセルにそれぞれ配置される第１電極、第１電極と非発光部に配置され、上面に少なくとも一つの突起を含むバンク、発光部および非発光部の第１電極上およびバンク上に配置され、複数の発光ユニットおよび複数の発光ユニットの間に配置される電荷生成層を含む発光素子層、発光素子層上に配置される第２電極を含むことができる。
本発明の実施例によると、バンクは少なくとも二つの厚さを有し、突起の厚さが前記バンクの他の領域より厚さが大きくてもよい。
本発明の実施例によると、バンクの上面は屈曲を有することができる。
本発明の実施例によると、発光素子層はバンクの上面の屈曲に沿って配置され得る。
本発明の実施例によると、第１サブピクセルおよび前記第２サブピクセルの駆動電圧が互いに異なり得る。
本発明の実施例によると、第３サブピクセルをさらに含み、隣り合うサブピクセル間の距離が少なくとも一つが互いに異なり得る。
本発明の実施例によると、第１～第３サブピクセルのうち駆動電圧が最も小さいサブピクセルと他のサブピクセル間の距離は他のサブピクセル間の距離より小さくてもよい。
本発明の実施例によると、電荷生成層は第１電荷生成層および第２電荷生成層を含むことができる。
本発明の実施例によると、第１電荷生成層はリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、またはセシウム（Ｃｓ）のようなアルカリ金属、またはマグネシウム（Ｍｇ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、またはラジウム（Ｒａ）のようなアルカリ土類金属を含むことができる。
本発明の実施例によると、第１電荷生成層はＮ－タイプドーパントを含み、前記第２電荷生成層はＰ－タイプドーパントを含むことができる。
本発明の実施例によると、複数の発光ユニットのそれぞれは発光層を含むことができる。
本発明の実施例によると、複数の発光ユニットに含まれた発光層のうち少なくとも一つは青色を発光することができる。
本発明の実施例によると、複数の発光ユニットは少なくとも３個以上の発光ユニットを含み、３個以上の発光ユニットは同じ色を発光することができる。
本発明の実施例によると、３個以上の発光ユニットは青色を発光することができる。
本発明の実施例によると、発光層は第１サブピクセルにおよび第２サブピクセルにそれぞれ配置され、互いに離隔して配置され得る。
本発明の実施例によると、第１サブピクセルにおよび第２サブピクセルのそれぞれに配置された発光層は同じサブピクセルで同じ色を発光することができる。
本発明の実施例によると、バンクの下部に配置されるデータラインおよび電源配線をさらに含むことができる。
本発明の実施例によると、データラインおよび電源配線は前記バンクの突起と重なり得る。
本発明の実施例によると、第２電極上に封止層、封止層上に配置されるタッチセンサ層をさらに含むことができる。
本発明の実施例によると、タッチセンサ層上に配置されるカラーフィルタ層をさらに含むことができる。
本発明の実施例によると、カラーフィルタ層はブラックマトリクスおよびカラーフィルタをさらに含むことができる。
本発明の実施例によると、カラーフィルタの厚さはブラックマトリクスの厚さより大きくてもよい。
本発明の実施例によると、ブラックマトリクスは前記バンクと重なり得る。
本発明の実施例によると、バンクの幅は前記ブラックマトリクスの幅より大きくてもよい。
本発明の実施例によると、カラーフィルタは第１サブピクセルに配置される第１カラーフィルタおよび第２サブピクセルに配置される第２カラーフィルタを含み、第１カラーフィルタおよび第２カラーフィルタはブラックマトリクス上に互いに離隔して配置され得る。
以上、添付された図面を参照して本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で多様に変形実施され得る。したがって、本発明に開示された実施例は本発明の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。したがって、以上で記述した実施例はすべての面で例示的なものであり限定的ではないものと理解されるべきである。本発明の保護範囲は請求の範囲によって解釈されるべきであり、それと同等な範囲内にあるすべての技術思想は本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
１００：発光表示装置
１１０：基板
２００：第１薄膜トランジスタ
３００：第２薄膜トランジスタ
４２０：バンク
４３０：発光素子層
４３１：第１発光ユニット
４３２：電荷生成層
４３３：第２発光ユニット

Claims (20)

  1. 発光部と前記発光部の間に位置する非発光部を含む基板と、
    前記発光部に位置する第１サブピクセルおよび第２サブピクセルと、
    前記基板上であって、前記第１サブピクセルおよび第２サブピクセルにそれぞれ配置される第１電極と、
    前記第１電極上および前記非発光部上に配置され、上面から上部に突出した少なくとも一つの突起を含むバンクと、
    前記発光部の前記第１電極および前記バンク上に配置され、複数の発光ユニットおよび前記複数の発光ユニットの隣接した２個の発光ユニットの間に配置される電荷生成層を含む発光素子層と、
    前記発光素子層上に配置される第２電極を含む、発光表示装置。
  2. 前記突起が形成された前記バンクの第１領域の第１厚さが、前記第１領域に隣接した前記バンクの第２領域の第２厚さより大きい、請求項１に記載の発光表示装置。
  3. 前記バンクの上面は屈曲部分を有する、請求項１に記載の発光表示装置。
  4. 前記発光素子層は前記バンクの上面の屈曲部分に沿って配置される、請求項３に記載の発光表示装置。
  5. 前記第１サブピクセルおよび前記第２サブピクセルは互いに異なる駆動電圧を有するように構成される、請求項１に記載の発光表示装置。
  6. 第３サブピクセルをさらに含み、
    前記第１サブピクセルと第２サブピクセルと第３サブピクセルの隣り合う前記サブピクセル間の距離のうち少なくとも２つが互いに異なる、請求項１に記載の発光表示装置。
  7. 前記第１サブピクセル、第２サブピクセル、第３サブピクセルのうち最も大きい駆動電圧を有するように構成されるサブピクセルと他のサブピクセル間の距離は他のサブピクセル間の距離より小さい、請求項６に記載の発光表示装置。
  8. 前記電荷生成層は第１電荷生成層および第２電荷生成層を含む、請求項１に記載の発光表示装置。
  9. 前記第１電荷生成層はリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、またはセシウム（Ｃｓ）のアルカリ金属と、マグネシウム（Ｍｇ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、またはラジウム（Ｒａ）のアルカリ土類金属のうち一つ以上を含む、請求項８に記載の発光表示装置。
  10. 前記第１電荷生成層はＮ－タイプドーパントを含み、前記第２電荷生成層はＰ－タイプドーパントを含む、請求項８に記載の発光表示装置。
  11. 前記複数の発光ユニットはそれぞれ発光層を含む、請求項１に記載の発光表示装置。
  12. 前記複数の発光ユニットに含まれた発光層のうち少なくとも一つは青色を発光する、請求項１１に記載の発光表示装置。
  13. 前記複数の発光ユニットは少なくとも３個の発光ユニットを含み、
    前記少なくとも３個の発光ユニットは同じ色を発光する、請求項１に記載の発光表示装置。
  14. 前記少なくとも３個の発光ユニットは青色を発光する、請求項１３に記載の発光表示装置。
  15. 前記発光層は前記第１サブピクセルおよび第２サブピクセルにそれぞれ配置され、互いに離隔する、請求項１１に記載の発光表示装置。
  16. 前記第１サブピクセルおよび第２サブピクセルのそれぞれに配置された発光層は同じサブピクセルで同じ色を発光する、請求項１５に記載の発光表示装置。
  17. 前記非発光部に配置されるデータラインおよび電源配線をさらに含み、
    前記データラインおよび前記電源配線それぞれは前記バンクの突起と重なる、請求項１に記載の発光表示装置。
  18. タッチセンサ層上に配置されるカラーフィルタ層をさらに含み、
    前記カラーフィルタ層は、ブラックマトリクスおよび前記ブラックマトリクス上に配置されたカラーフィルタを含み、
    前記カラーフィルタの厚さは前記ブラックマトリクスの厚さより大きい、請求項１に記載の発光表示装置。
  19. 発光部と前記発光部の間に位置する非発光部を含む基板と、
    前記発光部に位置する複数のサブピクセルと、
    前記基板上に配置され、前記複数のサブピクセルそれぞれに配置される第１電極と、
    前記第１電極上であって、互いに隣接するサブピクセル間に配置されるバンクと、
    前記発光部の前記第１電極および前記バンク上に配置され、複数の発光ユニットおよび前記複数の発光ユニットの隣接した２個の発光ユニットの間に配置される電荷生成層を含む発光素子層と、
    前記発光素子層上に配置される第２電極を含み、
    前記隣接するサブピクセル間の前記発光素子層には電子が移動する電子移動通路が形成され、
    前記電子移動通路の長さは前記隣接するサブピクセル間の距離より長い、発光表示装置。
  20. 発光部と前記発光部の間に位置する非発光部を含む基板と、
    前記発光部に配置され、第１電極をそれぞれ含む複数のサブピクセルと、
    前記第１電極上であって、前記非発光部に配置され、隣接した２個のサブピクセルの間の部分で異なる高さを有するバンクと、
    異なる高さを有する前記バンク部分上に配置される発光素子層と、
    前記発光素子層上に配置される第２電極を含む、発光表示装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102594346B1 (ko) * 2016-08-31 2023-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치와 그의 제조방법
KR102350397B1 (ko) * 2019-12-26 2022-01-14 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20220020166A (ko) * 2020-08-11 2022-02-18 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
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US20230345766A1 (en) * 2022-04-25 2023-10-26 Samsung Display Co., Ltd. Display device and electronic device including the same

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