DE102022134256A1 - Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung - Google Patents

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DE102022134256A1
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LG Display Co Ltd
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Abstract

Eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ein Substrat (111), das in eine Mehrzahl von Subpixeln unterteilt ist, die einen Emissionsbereich (EA) und einen Nicht-Emissionsbereich (NEA) aufweisen, einen Oxid-Dünnschichttransistor (120a, 120b), der auf dem Substrat (111) angeordnet ist, eine Planarisierungsschicht (115e, 115f), die auf dem Oxid-Dünnschichttransistor (120a, 120b) angeordnet ist, eine Anode (131), die in dem Emissionsbereich (EA) auf der Planarisierungsschicht (115e, 115f) angeordnet ist, einen Damm (115g), der auf der Anode (131) und der Planarisierungsschicht (115e, 115f) angeordnet ist und eine Öffnung (OP) aufweist, die einen Abschnitt der Anode (131) freilegt, eine erste Wasserstoffadsorptionsschicht (165), die in dem Nicht-Emissionsbereich (EA) auf der Planarisierungsschicht (115e, 115f) angeordnet ist, einen Abstandshalter (160), der auf der ersten Wasserstoffadsorptionsschicht angeordnet ist, und eine lichtemittierende Struktur (132) und eine Kathode (133), die auf der freigelegten Anode (131), dem Damm und dem Abstandshalter angeordnet sind, aufweisen. Es ist möglich, Eigenschaften und Zuverlässigkeit des Dünnschichttransistors (120a, 120b) zu verbessern, indem ein Einströmen von Wasserstoff in den Oxid-Dünnschichttransistor (120a, 120b) blockiert wird.

Description

  • QUERVERWEIS AUF BEZOGENE ANMELDUNGEN
  • Diese Anmeldung beansprucht den Vorteil und die Priorität der Koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2021-0185317, eingereicht am 22. Dezember 2021 in der Republik Korea.
  • HINTERGRUND
  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung und betrifft insbesondere eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung, die einen Oxid-Dünnschichttransistor verwendet.
  • BESCHREIBUNG DER BEZOGENEN TECHNIK
  • In letzter Zeit hat sich mit der Entwicklung unserer Gesellschaft hin zu einer informationsorientierten Gesellschaft der Bereich der Anzeigegeräte zur visuellen Darstellung eines elektrischen Informationssignals rasch weiterentwickelt. Dementsprechend werden verschiedene Anzeigegeräte entwickelt, die eine hervorragende Leistung in Bezug auf Dünnheit, Leichtheit und geringen Stromverbrauch aufweisen.
  • Zu den stellvertretenden Anzeigevorrichtungen gehören eine FlüssigkristallAnzeigevorrichtung (LCD), eine Elektrobenetzungs-Anzeigevorrichtung (EWD), eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (OLED) und Ähnliches.
  • Unter diesen Anzeigevorrichtungen ist eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung, die eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung aufweist, eine selbstemittierende Anzeigevorrichtung und kann derart hergestellt werden, dass sie leicht und dünn ist, da sie in dem Gegensatz zu einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die eine separate Lichtquelle aufweist, keine separate Lichtquelle benötigt. Außerdem weist die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung aufgrund einer niedrigen Ansteuerungsspannung Vorteile in Bezug auf den Stromverbrauch auf und ist hervorragend in Bezug auf eine Farbimplementierung, eine Antwortgeschwindigkeit, einen Betrachtungswinkel und ein Kontrastverhältnis (CR). Daher wird erwartet, dass Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtungen in verschiedenen Bereichen eingesetzt werden.
  • Eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann durch Anordnen einer lichtemittierenden Schicht unter Verwendung eines organischen Materials zwischen zwei Elektroden, die als eine Anode und eine Kathode bezeichnet werden können, gebildet sein. Dann können, wenn Löcher von der Anode in die lichtemittierende Schicht injiziert werden und Elektronen von der Kathode in die lichtemittierende Schicht injiziert werden, die injizierten Elektronen und Löcher miteinander rekombinieren und Licht emittieren. Wenn ein Elektron in einem Exziton mit einem Loch rekombiniert, verschwindet das Exziton und die Energie des Exzitons kann in Licht umgewandelt werden.
  • KURZER ÜBERBLICK
  • Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist es, eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung, in der ein Einströmen von Wasserstoff in einen Oxid-Dünnschichttransistor verhindert ist, bereitzustellen.
  • Verschiedene beispielhafte Ausführungsformen stellen eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 und eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 25 bereit. Weitere beispielhafte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben. Eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ein Substrat, das in eine Mehrzahl von Subpixeln unterteilt ist, die einen Emissionsbereich und einen Nicht-Emissionsbereich aufweisen, einen Oxid-Dünnschichttransistor, der auf dem Substrat angeordnet ist, eine Planarisierungsschicht, die auf dem Oxid-Dünnschichttransistor angeordnet ist, eine Anode, die in dem Emissionsbereich auf der Planarisierungsschicht angeordnet ist, einen Damm, der auf der Anode und der Planarisierungsschicht angeordnet ist und eine Öffnung aufweist, die einen Abschnitt der Anode freilegt, eine erste Wasserstoffadsorptionsschicht, die in dem Nicht-Emissionsbereich auf der Planarisierungsschicht angeordnet ist, einen Abstandshalter, der auf der ersten Wasserstoffadsorptionsschicht angeordnet ist, und eine lichtemittierende Struktur und eine Kathode, die auf der freigelegten Anode, dem Damm und dem Abstandshalter angeordnet sind.
  • Weitere detaillierte Gegenstände der beispielhaften Ausführungsformen sind in der detaillierten Beschreibung und den Zeichnungen enthalten.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung wird ein Einströmen von Wasserstoff in einen Oxid-Dünnschichttransistor mittels Bildens einer Wasserstoff-Adsorptionsschicht in einem nicht-emittierenden Bereich, der kein Emissionsbereich ist, in dem eine Anode angeordnet ist, derart verhindert, dass Eigenschaften und Zuverlässigkeit des Oxid-Dünnschichttransistors verbessert sein können.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung ist es möglich, unter Verwendung einer Wasserstoffadsorptionsschicht mittels Umwandelns einer Richtung von seitlich austretendem Licht aus einer lichtemittierenden Struktur in eine Aufwärtsrichtung eine Lichtauskopplungseffizienz zu verbessern.
  • Die Wirkungen gemäß der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben beispielhaft aufgeführten Inhalte beschränkt, und weitere verschiedene Wirkungen sind in der vorliegenden Anmeldung enthalten.
  • Figurenliste
    • 1 ist ein Blockdiagramm einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 2 ist ein Schaltkreisdiagramm eines Subpixels der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung der 1.
    • 3 ist eine Draufsicht, die eine Pixelstruktur der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung der 1 darstellt.
    • 4 ist eine Querschnittsansicht entlang III-III' der 3.
    • 5A und 5B sind Tabellen, die jeweils die Zuverlässigkeitsergebnisse eines Anzeigepanels in Abhängigkeit von einer Dicke und einer Fläche einer Wasserstoffadsorptionsschicht darstellen.
    • 6 ist eine Draufsicht, die eine Pixelstruktur gemäß einer zweiten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 7 ist eine Querschnittsansicht entlang VI-VI' der 6.
    • 8 ist eine Querschnittsansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 9 ist eine Querschnittsansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer vierten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 10 ist eine Querschnittsansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer fünften beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Vorteile und Merkmale der vorliegenden Offenbarung und ein Verfahren zum Erreichen der Vorteile und Merkmale werden deutlich, wenn man sich auf die unten in dem Detail beschriebenen beispielhaften Ausführungsformen zusammen mit den beigefügten Zeichnungen bezieht. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf die hier offengelegten beispielhaften Ausführungsformen beschränkt, sondern kann in verschiedenen Formen implementiert sein. Die beispielhaften Ausführungsformen sind nur beispielhaft bereitgestellt, damit der Fachmann den Anwendungsbereich der vorliegenden Offenbarung vollständig verstehen kann.
  • Die Formen, Größen, Verhältnisse, Winkel, Anzahlen und Ähnliches, die in den begleitfähigen Zeichnungen zum Beschreiben der beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dargestellt sind, sind lediglich Beispiele, und die vorliegende Offenbarung ist nicht hierauf beschränkt. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen in dem Allgemeinen gleiche Elemente über die gesamte Beschreibung hinweg. Ferner kann in der folgenden Beschreibung der vorliegenden Offenbarung eine ausführliche Erläuterung bekannter verwandter Technologien weggelassen werden, um zu verhindern, dass der Gegenstand der vorliegenden Offenbarung nicht unnötig verschleiert wird. Es ist beabsichtigt, dass die hier verwendeten Begriffe, wie beispielsweise „einschließend“, „aufweisend“ und „bestehend aus“, in dem Allgemeinen das Hinzufügen anderer Komponenten erlauben, es sei denn, die Begriffe werden mit dem Begriff „nur“ verwendet. Alle Verweise auf die Einzahl können die Mehrzahl einschließen, sofern nicht ausdrücklich anders angegeben.
  • Komponenten werden derart interpretiert, dass sie einen gewöhnlichen Fehlerbereich aufweisen, auch wenn dies nicht ausdrücklich angegeben ist.
  • Wenn die räumliche Beziehung zwischen zwei Teilen unter Verwendung von Begriffen, wie beispielsweise „auf“, „über“, „unter“ und „neben“, beschrieben ist, können ein oder mehrere Teile zwischen den beiden Teilen angeordnet sein, es sei denn, die Begriffe werden mit dem Begriff „unmittelbar“ oder „direkt“ verwendet.
  • Wenn ein Element oder eine Schicht „auf“ einem anderen Element oder einer anderen Schicht angeordnet ist, kann eine andere Schicht oder ein anderes Element direkt auf dem anderen Element oder dazwischen angeordnet sein.
  • Obwohl die Begriffe „erste/r/s“, „zweite/r/s“ und Ähnliches zur Beschreibung verschiedener Komponenten verwendet werden, sind diese Komponenten nicht durch diese Begriffe eingeschränkt. Diese Begriffe werden lediglich zur Unterscheidung einer Komponente von den anderen Komponenten verwendet. Daher kann eine erste Komponente, die in dem Folgenden erwähnt ist, in einem technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung eine zweite Komponente sein.
  • Gleiche Bezugszeichen bezeichnen in dem Allgemeinen gleiche Elemente in der gesamten Anmeldung.
  • Eine Größe und eine Dicke von jeder in der Zeichnung dargestellten Komponente sind der Einfachheit halber dargestellt, und die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die Größe und die Dicke der dargestellten Komponente beschränkt.
  • Die Merkmale von verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder vollständig aneinander befestigt oder miteinander kombiniert werden und können auf technisch unterschiedliche Weise ineinandergreifen und betrieben werden, und die Ausführungsformen können unabhängig voneinander oder in Verbindung miteinander ausgeführt werden.
  • Nachfolgend werden beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen in dem Detail beschrieben werden.
  • 1 ist ein Blockdiagramm einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Bezugnehmend auf 1 kann eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung 100 gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen Bildprozessor 151, eine Zeitablaufsteuerung 152, einen Datentreiber 153, einen Gate-Treiber 154 und ein Anzeigepanel 110 aufweisen.
  • Der Bildprozessor 151 kann durch ein von außen zugeführtes Datensignal DATEN ein Datensignal DATEN und ein Datenfreigabesignal DE ausgeben.
  • Der Bildprozessor 151 kann zusätzlich zu dem Datenfreigabesignal DE ein oder mehrere vertikale Synchronisationssignale, ein horizontales Synchronisationssignal und ein Zeittaktsignal ausgeben.
  • Die Zeitablaufsteuerung 152 empfängt von dem Bildprozessor 151 das Datensignal DATEN zusammen mit dem Datenfreigabesignal DE oder Ansteuerungssignalen, die das vertikale Synchronisationssignal, das horizontale Synchronisationssignal und das Zeittaktsignal aufweisen. Die Zeitablaufsteuerung 152 kann auf der Grundlage der Treibersignale ein Gate-Zeitablauf-Steuersignal GDC zum Steuern eines Betriebs-Zeitablaufs des Gate-Treibers 154 und ein Daten-Zeitablauf-Steuersignal DDC zum Steuern eines Betriebs-Zeitablaufs des Datentreibers 153 ausgeben.
  • Der Datentreiber 153 tastet in Antwort auf das von der Zeitablaufsteuerung 152 zugeführte Daten-Zeitablauf-Steuersignal DDC das von der Zeitablaufsteuerung 152 zugeführte Datensignal DATEN ab und speichert es zwischen, und wandelt das Datensignal DATEN in eine Gamma-Referenzspannung um, um es hierdurch auszugeben. Der Datentreiber 153 kann das Datensignal DATEN durch Datenleitungen DL1 bis DLn ausgeben.
  • Der Gate-Treiber 154 gibt ein Gate-Signal aus, während er in Antwort auf das von der Zeitablaufsteuerung 152 zugeführte Gate-Zeitablauf-Steuersignal GDC einen Pegel der Gate-Spannung verschiebt. Der Gate-Treiber 154 kann das Gate-Signal durch Gate-Leitungen GL1 bis GLm ausgeben.
  • Das Anzeigepanel 110 kann ein Bild anzeigen, während Subpixel P in Antwort auf das Datensignal DATEN und das Gate-Signal, die von dem Datentreiber 153 und dem Gate-Treiber 154 zugeführt werden, Licht emittieren. Eine detaillierte Struktur des Subpixels P wird in 2 bis 4 ausführlich beschrieben werden.
  • 2 ist ein Schaltkreisdiagramm eines Subpixels der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung der 1.
  • Bezugnehmend auf 2 kann das Subpixel der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen Schalttransistor ST, einen Ansteuerungstransistor DT, einen Kompensationsschaltkreis 135 und ein lichtemittierendes Element 130 aufweisen.
  • Das lichtemittierende Element 130 kann derart arbeiten, dass es entsprechend einem Ansteuerungsstrom, der von dem Ansteuertransistor DT gebildet wird, Licht emittiert.
  • Der Schalttransistor ST kann derart einen Schaltvorgang durchführen, dass ein durch eine Datenleitung 117 zugeführtes Datensignal in Antwort auf das durch eine Gate-Leitung 116 zugeführte Gate-Signal als eine Datenspannung in einem Kondensator gespeichert wird.
  • Außerdem kann der Ansteuerungstransistor DT derart arbeiten, dass in Antwort auf die in dem Kondensator gespeicherte Datenspannung ein konstanter Ansteuerungsstrom zwischen einer Hohes-Potential-Stromleitung VDD und einer Niedriges-Potential-Stromleitung GND fließt.
  • Der Kompensationsschaltkreis 135 ist ein Schaltkreis zum Kompensieren einer Schwellenspannung oder Ähnliches des Ansteuerungstransistors DT, und der Kompensationsschaltkreis 135 kann einen oder mehrere Dünnschichttransistoren und Kondensatoren aufweisen. Eine Ausgestaltung des Kompensationsschaltkreises 135 kann entsprechend einem Kompensationsverfahren variieren.
  • Es ist dargestellt, dass das in 2 dargestellte Subpixel derart eingerichtet ist, dass es eine 2T(Transistor)1C(Kondensator)-Struktur aufweist, die den Schalttransistor ST, den Ansteuerungstransistor DT, den nicht dargestellten Kondensator und das lichtemittierende Element 130 aufweist. Das Subpixel kann jedoch verschiedene Strukturen aufweisen, wie beispielsweise 3T1 C, 4T2C, 5T2C, 6T1 C, 6T2C, 7T1C und 7T2C, wenn der Kompensationsschaltkreis 135 hinzugefügt ist.
  • 3 ist eine Draufsicht, die eine Pixelstruktur der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung der 1 darstellt.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht entlang III-III' der 3.
  • In 3 sind unter den Komponenten des lichtemittierenden Elements 130 zur Bequemlichkeit der Erklärung nur eine Anode 131 und Dämme 115g dargestellt. Die Dämme 115g können in anderen Bereichen als dem Bereich, der durch eine Öffnung OP freigelegt ist, angeordnet sein.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ein Anzeigepanel aufweisen, das in einen aktiven Bereich und einen nicht-aktiven Bereich unterteilt ist.
  • Das Anzeigepanel kann ein Panel zum Anzeigen eines Bildes für einen Anwender aufweisen.
  • In dem Anzeigepanel können Anzeigeelemente zum Anzeigen eines Bildes, ein Ansteuerungselement zum Ansteuern der Anzeigeelemente und Leitungen zum Übertragen verschiedener Signale an die Anzeigeelemente und das Ansteuerungselement angeordnet sein. Das Anzeigeelement kann entsprechend einem Typ des Anzeigepanels unterschiedlich definiert sein. Zum Beispiel kann, wenn das Anzeigepanel ein organisches lichtemittierendes Anzeigepanel ist, das Anzeigeelement ein organisches lichtemittierendes Element sein, das eine Anode, eine organische lichtemittierende Schicht und eine Kathode aufweist.
  • Im Folgenden wird davon ausgegangen, dass das Anzeigepanel ein organisches lichtemittierendes Anzeigepanel ist, aber das Anzeigepanel 110 ist nicht auf das organische lichtemittierende Anzeigepanel beschränkt.
  • Der aktive Bereich ist ein Bereich, in dem auf dem Anzeigepanel ein Bild angezeigt wird.
  • Eine Mehrzahl von Subpixeln SP, die eine Mehrzahl von Pixeln bilden, und Schaltkreise zum Ansteuern der Mehrzahl von Subpixeln SP können in dem aktiven Bereich angeordnet sein. In einigen Fällen sind die Mehrzahl von Subpixeln SP minimale Einheiten, die den aktiven Bereich bilden, und das Anzeigeelement kann in jedem von der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet sein, und die Mehrzahl von Subpixeln SP können das Pixel bilden. Zum Beispiel kann ein lichtemittierendes Element, das die Anode 131, eine organische lichtemittierende Schicht und eine Kathode aufweist, in jedem von der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Der Schaltkreis zum Ansteuern der Mehrzahl von Subpixeln SP kann ein Ansteuerungselement, Leitungen und Ähnliches aufweisen. Zum Beispiel kann der Schaltkreis aus einem Dünnschichttransistor, einem Speicherkondensator, einer Gate-Leitung, einer Datenleitung und Ähnlichem gebildet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Das bedeutet, dass die Mehrzahl von Subpixeln SP einzelne Einheiten aufweisen kann, die Licht emittieren, und das lichtemittierende Element kann in jedem von der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet sein. Die Mehrzahl von Subpixeln SP können ein erstes Subpixel SP1, ein zweites Subpixel SP2 und ein drittes Subpixel SP3 aufweisen, die Licht verschiedener Farben emittieren. Zum Beispiel kann das erste Subpixel SP1 ein grünes Subpixel sein, das zweite Subpixel SP2 kann ein rotes Subpixel sein, und das dritte Subpixel SP3 kann ein blaues Subpixel sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Eine Mehrzahl von ersten Subpixeln SP1 kann in einer Mehrzahl von Spalten angeordnet sein. Das bedeutet, dass die Mehrzahl von ersten Subpixeln SP1 in der gleichen Spalte angeordnet sein können. Außerdem können eine Mehrzahl von zweiten Subpixeln SP2 und eine Mehrzahl von dritten Subpixeln SP3 zwischen der Mehrzahl von jeweiligen Spalten angeordnet sein, in denen die Mehrzahl von ersten Subpixeln SP1 angeordnet sind. Zum Beispiel können die Mehrzahl von ersten Subpixeln SP1 in einer Spalte angeordnet sein, und die zweiten Subpixel SP2 und die dritten Subpixel SP3 können zusammen in einer daran angrenzenden Spalte angeordnet sein. Außerdem können die Mehrzahl von zweiten Subpixeln SP2 und die Mehrzahl von dritten Subpixeln SP3 in der gleichen Spalte abwechselnd angeordnet sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Außerdem können, obwohl in der vorliegenden Offenbarung beschrieben ist, dass die Mehrzahl von Subpixeln SP die ersten Subpixel SP1, die zweiten Subpixel SP2 und die dritten Subpixel SP3 aufweisen, die Anordnung, die Anzahl und die Farbkombination der Mehrzahl von Subpixeln SP entsprechend einer Ausgestaltung unterschiedlich geändert sein und sind nicht hierauf beschränkt.
  • Zum Beispiel sind Hohes-Potential-Spannungsleitungen VDD, die sich in einer Spaltenrichtung erstrecken, zwischen der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet. Eine Mehrzahl von Hohes-Potential-Spannungsleitungen VDD sind Leitungen, die eine Hohes-Potential-Spannung (beispielsweise 3,3 V) an jedes von der Mehrzahl von Subpixeln SP übertragen. Jede von der Mehrzahl von Hohes-Potential-Spannungsleitungen VDD kann zwischen dem ersten Subpixel SP1 und dem zweiten Subpixel SP2 sowie zwischen dem ersten Subpixel SP1 und dem dritten Subpixel SP3 angeordnet sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Eine Mehrzahl von Datenleitungen 117, die sich in der Spaltenrichtung in der gleichen Weise erstrecken wie die Mehrzahl von Hohes-Potential-Spannungsleitungen VDD, können angeordnet sein. Die Mehrzahl von Datenleitungen 117 sind Leitungen, die Datensignale an jedes von der Mehrzahl von Subpixeln SP übertragen. Zum Beispiel kann jede von den Datenleitungen 117 zwischen dem zweiten Subpixel SP2 und der Hohes-Potential-Spannungsleitung VDD und zwischen dem dritten Subpixel SP3 und der Hohes-Potential-Spannungsleitung VDD angeordnet sein oder können zwischen dem ersten Subpixel SP1 und der Hohes-Potential-Spannungsleitung VDD angeordnet sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Außerdem ist eine Mehrzahl von Abtastleitungen (Gate-Leitungen) 116 angeordnet, die sich in einer Zeilenrichtung erstrecken. Die Mehrzahl von Abtastleitungen 116 sind Leitungen, die Abtastsignale an jedes von der Mehrzahl von Subpixeln SP übertragen. Die Mehrzahl von Abtastleitungen 116 weisen erste Abtastleitungen und zweite Abtastleitungen auf. Die erste Abtastleitung kann derart angeordnet sein, dass sie sich in der Zeilenrichtung zwischen dem zweiten Subpixel SP2 und dem dritten Subpixel SP3 erstreckt, und die zweite Abtastleitung kann das erste Subpixel SP1 kreuzen und derart angeordnet sein, dass sie sich in der Zeilenrichtung erstreckt. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Eine Mehrzahl von Initialisierungssignalleitungen, die sich in gleicher Weise wie die Mehrzahl von Abtastleitungen 116 in der Zeilenrichtung erstrecken, können zwischen der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet sein. Die Mehrzahl von Initialisierungssignalleitungen sind Leitungen, die Initialisierungssignale an jedes von der Mehrzahl von Subpixeln SP übertragen. Jede von der Mehrzahl von Initialisierungssignalleitungen kann zwischen dem zweiten Subpixel SP2 und dem dritten Subpixel SP3 angeordnet sein. Die Mehrzahl von Initialisierungssignalleitungen können zwischen den ersten Abtastzeilen und den zweiten Abtastzeilen angeordnet sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Eine Mehrzahl von Emissionssteuersignalleitungen, die sich in gleicher Weise wie die Mehrzahl von Abtastzeilen 116 in Zeilenrichtung erstrecken, können angeordnet sein. Die Mehrzahl von Emissionssteuersignalleitungen sind Leitungen, die Emissionssteuersignale an jedes von der Mehrzahl von Subpixeln SP übertragen. Die Mehrzahl von Emissionssteuersignalleitungen können derart angeordnet sein, dass sie an die Mehrzahl von zweiten Abtastleitungen angrenzen. Außerdem können die Mehrzahl von Emissionssteuersignalleitungen derart angeordnet sein, dass sie die ersten Subpixel SP1 kreuzen und sich in Zeilenrichtung erstrecken. Die zweiten Abtastzeilen können zwischen der Mehrzahl von Emissionssteuersignalleitungen und der Mehrzahl von Initialisierungssignalleitungen angeordnet sein.
  • Die Mehrzahl von Leitungen kann in Gleichstromleitungen (DC), die ein Gleichstromsignal übertragen, und Wechselstromleitungen (AC), die ein Wechselstromsignal übertragen, unterteilt werden. Unter der Mehrzahl von Leitungen können die Hohes-Potential-Spannungsleitung VDD und die Initialisierungssignalleitung, die das Hohes-Potential-Spannungssignal oder das Initialisierungssignal, das ein Gleichstromsignal ist, übertragen, in den Gleichstromleitungen enthalten sein. Außerdem können unter der Mehrzahl von Leitungen die Abtastleitung 116 und die Datenleitung 117, die die Abtastsignale und das Datensignal übertragen, in einigen Fällen in den Wechselstromleitungen enthalten sein oder als Leitungen klassifiziert werden, in denen eine angelegte Spannung in dem Laufe der Zeit variieren kann.
  • Eine Mehrzahl von Abstandshaltern 160 können zwischen der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet sein. Wenn die lichtemittierenden Elemente 130 in der Mehrzahl von Subpixeln SP gebildet werden, kann eine feine Metallmaske (FMM), die eine Abscheidungsmaske ist, verwendet werden. In diesem Fall kann die Mehrzahl von Abstandshaltern 160 angeordnet sein, um Schäden zu verhindern, die durch den Kontakt mit der Abscheidungsmaske verursacht werden können, und um einen konstanten Abstand zwischen der Abscheidungsmaske und einem Substrat aufrechtzuerhalten.
  • Hierbei ist der nicht-aktive Bereich ein Bereich, in dem kein Bild angezeigt wird.
  • Der aktive Bereich und der nicht-aktive Bereich können eine Form aufweisen, die für die Gestaltung eines elektronischen Geräts geeignet ist, auf dem die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung montiert ist. Zum Beispiel kann eine Beispielform des aktiven Bereichs eine fünfeckige Form, eine sechseckige Form, eine kreisförmige Form oder eine ovale Form sein, zusätzlich zu einer viereckigen Form.
  • Verschiedene Leitungen und Schaltkreisen zum Ansteuern des lichtemittierenden Elements des aktiven Bereichs können in dem nicht-aktiven Bereich angeordnet sein. Zum Beispiel können in dem nicht-aktiven Bereich Treiber-ICs wie ein Gate-Treiber-IC und ein Daten-Treiber-IC oder Verbindungsleitungen zum Übertragen von Signalen an die Mehrzahl von Subpixeln SP und Schaltkreisen des aktiven Bereichs angeordnet sein, sind jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Der Gate-Treiber-IC kann unabhängig von dem Anzeigepanel gebildet sein und in einer Form eingerichtet sein, die in verschiedenen Weisen elektrisch mit dem Anzeigepanel verbunden sein kann, kann jedoch in einem Verfahren eines Gate-in-Panel (GIP) eingerichtet sein, das in dem Anzeigepanel montiert ist.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann verschiedene zusätzliche Elemente zum Erzeugen verschiedener Signale oder zum Ansteuern der Pixel in dem aktiven Bereich aufweisen. Die zusätzlichen Elemente zum Ansteuern der Pixel können einen Inverterschaltkreis, einen Multiplexer, einen Schaltkreis zur elektrostatischen Entladung (ESD) und Ähnliches aufweisen. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann zusätzliche Elemente aufweisen, die mit anderen Funktionen als der Ansteuerung der Pixel verbunden sind. Zum Beispiel kann die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung zusätzliche Elemente aufweisen, die eine Berührungserkennungsfunktion, eine Benutzerauthentifizierungsfunktion (beispielsweise Fingerabdruckerkennung), eine mehrstufige Druckerkennungsfunktion, eine taktile Rückkopplungsfunktion und Ähnliches bereitstellen. Ein solches zusätzliches Element kann in dem nicht-aktiven Bereich und/oder in einem externen Schaltkreis angeordnet sein, der mit einer Verbindungsschnittstelle verbunden ist.
  • Hierbei sind hervorragende Eigenschaften des Anzeigepanels durch die Verwendung eines Oxid-Dünnschichttransistors, der Eigenschaften einer hohen Beweglichkeit und niedrigem Ausschalt-Strom sichergestellt.
  • Das bedeutet, dass, wenn der Oxid-Dünnschichttransistor verwendet wird, er bei der Herstellung eines großflächigen Anzeigepanels sowie in Bezug auf geringen Stromverbrauch, Stabilität und Kostenreduzierung vorteilhaft ist. Der Oxid-Dünnschichttransistor hat jedoch einen Nachteil dahingehend, dass seine anfänglichen Eigenschaften aufgrund des in dem Anzeigepanel erzeugten Wasserstoffs variieren. Zum Beispiel kann eine Schwellenspannung Vth durch Wasserstoff in eine negative Richtung verschoben (negativ verschoben) werden.
  • Insbesondere in einer Top-Emissionsstruktur für eine hohe Auflösung einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung muss eine Dünnfilm-Verkapselungsstruktur (TFE) zum Blockieren von Feuchtigkeit als eine Verkapselungsstruktur verwendet werden, da eine lichtemittierende Oberfläche lichtdurchlässig sein sollte. In der TFE-Struktur wird, während der Zuverlässigkeitsbewertung, ein darunter liegender Oxid-Dünnschichttransistor durch Wasserstoff beeinträchtigt, der von primären Schutzschichten und sekundären Schutzschichten aus anorganischen Isolierenden Schichten erzeugt wird, und daher können Defekte wie eine erhöhte Leuchtdichte und helle Flecken auftreten. Das bedeutet, dass in einer bestehenden TFE-Struktur die primären Schutzschichten und sekundären Schutzschichten aus Siliziumnitrid gebildet sind, das eine ausgezeichnete Leistung zum Verhindern von Feuchtigkeitsdurchlässigkeit aufweist, um ein lichtemittierendes Element vor externer Feuchtigkeit und Sauerstoff zu schützen. Da die primären Schutzschichten und sekundären Schutzschichten eine große Menge an Wasserstoff in den Schichten aufweisen, kann sich der Wasserstoff während der Zuverlässigkeitsbewertung ausbreiten, wodurch sich Eigenschaften des Oxid-Dünnschichttransistors ändern.
  • Dementsprechend ist die vorliegende Offenbarung dadurch gekennzeichnet, dass Eigenschaften und Zuverlässigkeit des Dünnschichttransistors verbessert sind, indem ein Einströmen von Wasserstoff in den Oxid-Dünnschichttransistor blockiert ist.
  • Zu diesem Zweck ist die erste beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dadurch gekennzeichnet, dass eine Mehrzahl von Wasserstoffadsorptionsschichten 165 und 167 zwischen der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet sind.
  • In diesem Fall können die Wasserstoffadsorptionsschichten 165 und 167 beispielsweise eine erste Wasserstoffadsorptionsschicht 165, die zwischen dem ersten Subpixel SP1 und dem zweiten Subpixel SP2 angeordnet ist, und eine zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 167, die zwischen dem dritten Subpixel SP3 und dem ersten Subpixel SP1 angeordnet ist, aufweisen.
  • Die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 165 kann in der Spaltenrichtung zwischen dem ersten Subpixel SP1 und dem zweiten Subpixel SP2 angeordnet sein, und die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 167 kann in der Spaltenrichtung zwischen dem zweiten Subpixel SP2 und dem ersten Subpixel SP1 angeordnet sein, während sich ein Abschnitt der zweiten Wasserstoffadsorptionsschicht 167 in Zeilenrichtung zwischen dem zweiten Subpixel SP2 und dem dritten Subpixel SP3 erstrecken kann. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 165 kann unter dem Abstandshalter 160 angeordnet sein.
  • Wie oben beschrieben, sind in der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Wasserstoffadsorptionsschichten 165 und 167 auf den Dämmen 115g gebildet, mit Ausnahme eines Bereichs, in dem die Anode 131 positioniert ist, um dadurch ein Einfließen von Wasserstoff in den Oxid-Dünnschichttransistor zu blockieren, so dass Eigenschaften und Zuverlässigkeit des Oxid-Dünnschichttransistors verbessert sein können.
  • Insbesondere können, wie in 4 dargestellt, der erste Dünnschichttransistor 120a und der zweite Dünnschichttransistor 120b, das lichtemittierende Element 130 und eine Verkapselungsschicht 150 in dem aktiven Bereich eines Substrats 111 gebildet sein.
  • Das Substrat 111 dient dazu, die Komponenten der hierauf angeordneten Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung zu tragen und zu schützen.
  • In letzter Zeit kann das flexible Substrat 111 mit einem flexiblen Material verwendet werden, das flexible Eigenschaften aufweist, wie beispielsweise Kunststoff.
  • Das flexible Substrat 111 kann in Form eines Films vorliegen, der eines aus der Gruppe bestehend aus einem Polyester-basierten Polymer, einem Silikon-basierten Polymer, einem Acrylpolymer, einem Polyolefin-basierten Polymer und einem Copolymer davon aufweist.
  • Eine lichtblockierende Schicht 125 kann auf dem Substrat 111 angeordnet sein.
  • In diesem Fall kann die lichtblockierende Schicht 125 aus einem metallischen Material gebildet sein, das eine lichtblockierende Funktion aufweist, um zu verhindern, dass externes Licht in Halbleiterschichten 124a und 124b eindringt.
  • Die lichtblockierende Schicht 125 kann in einer einlagigen Struktur oder einer mehrlagigen Struktur aus einem von lichtundurchlässigen Metallen, wie beispielsweise Aluminium (Al), Chrom (Cr), Wolfram (W), Titan (Ti), Neodym (Nd), Nickel (Ni), Molybdän (Mo) und Kupfer (Cu) oder deren Legierungen gebildet sein.
  • Eine Pufferschicht 115a kann über dem Substrat 111 angeordnet sein, auf dem die lichtblockierende Schicht 125 angeordnet ist.
  • Die Pufferschicht 115a kann in einer Struktur gebildet sein, in der eine einzelne Isolierende Schicht oder eine Mehrzahl von Isolierenden Schichten gestapelt sind, um zu verhindern, dass Fremdmaterialien, die Feuchtigkeit, Sauerstoff und Ähnliches aufweisen, von dem Substrat 111 abfließen. Das bedeutet, dass die Pufferschicht 115a aus einer einlagigen Struktur oder einer mehrlagigen Struktur aus einem anorganischen isolierenden Material, wie beispielsweise Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx) oder Aluminiumoxid (AlOx), gebildet sein kann. Die Pufferschicht 115a kann entsprechend dem Typ der Dünnschichttransistoren 120a und 120b entfernt sein.
  • Die Pufferschicht 115a kann ein Kontaktloch aufweisen, das einen Abschnitt der lichtblockierenden Schicht 125 freilegt.
  • Die Dünnschichttransistoren 120a und 120b können auf der Pufferschicht 115a angeordnet sein.
  • Der erste Dünnschichttransistor 120a in dem aktiven Bereich kann ein Schalttransistor sein.
  • Der Schalttransistor wird durch einen Gate-Impuls, der einer Gate-Leitung zugeführt wird, eingeschaltet und überträgt eine Datenspannung, die einer Datenleitung zugeführt wird, an eine Gate-Elektrode eines Ansteuerungstransistors.
  • Zu diesem Zweck kann der erste Dünnschichttransistor 120a eine erste Gate-Elektrode 121 a, eine erste Source-Elektrode 122a, eine erste Drain-Elektrode 123a und eine erste Halbleiterschicht 124a aufweisen.
  • Der zweite Dünnschichttransistor 120b in dem aktiven Bereich kann ein Ansteuerungstransistor sein, von dem in 4 der Einfachheit halber nur ein Teil dargestellt ist. Weitere Ermittlungstransistoren und Kompensationsschaltkreise können ebenfalls in der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung enthalten sein.
  • Der Ansteuerungstransistor kann entsprechend einem von dem Schalttransistor empfangenen Signal einen Strom übertragen, der durch eine Stromleitung zu der Anode 131 übertragen wird, und kann durch den zu der Anode 131 übertragenen Strom eine Lichtemission steuern.
  • Zu diesem Zweck kann der zweite Dünnschichttransistor 120b eine zweite Gate-Elektrode, eine zweite Source-Elektrode, eine zweite Drain-Elektrode 123b und eine zweite Halbleiterschicht 124b aufweisen.
  • Die Halbleiterschichten 124a und 124b können aus einem Oxid-Halbleiter gebildet sein. Der Oxid-Halbleiter weist hervorragende Eigenschaften in Bezug auf Beweglichkeit und Einheitlichkeit auf. In diesem Fall kann der Oxid-Halbleiter aus einem vierzähligen Metalloxid, wie beispielsweise einem Indium-Zinn-Gallium-Zink-Oxid (InSnGaZnO)-basierten Material, einem dreizähligen Metalloxid, wie beispielsweise einem Indium-Gallium-Zink-Oxid (InGaZnO)-basierten Material, einem Indium-Zinn-Zinkoxid (InSnZnO)-basierten Material, einem Indium-Aluminium-Zinkoxid (lnAlZnO)-basierten Material, einem Zinn-Gallium-Zinkoxid (SnGaZnO)-basierten Material, einem Aluminium-Gallium-Zinkoxid (AIGaZnO)-basierten Material und einem Zinn-Aluminium-Zinkoxid (SnAIZnO)-basierten Material, oder einem zweizähligen Metalloxid, wie beispielsweise einem Indium-Zinkoxid (InZnO)-basierten Material, einem Zinn-Zinkoxid (SnZnO)-basierten Material, einem Aluminium-Zinkoxid (AlZnO)-basierten Material, einem Zink-Magnesiumoxid (ZnMgO)-basierten Material, einem Zinn-Magnesiumoxid (SnMgO)-basierten Material, einem Indiumoxid (InO)-basierten Material, einem Zinnoxid (SnO)-basierten Material, einem Indium-Galliumoxid (InGaO)-basierten Material, einem Indium-Magnesiumoxid (InMgO)-basierten Material und einem Zinkoxid (ZnO)-basierten Material gebildet sein.
  • Die Halbleiterschichten 124a und 124b können einen Source-Bereich, der p-Typ- Verunreinigungen oder n-Typ-Verunreinigungen aufweist, einen Drain-Bereich und einen Kanalbereich zwischen dem Source-Bereich und dem Drain-Bereich aufweisen und können ferner einen Bereich niedriger Dotierkonzentration zwischen dem Source-Bereich und dem Drain-Bereich angrenzend an den Kanalbereich aufweisen, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Der Source-Bereich und der Drain-Bereich sind Bereiche, die mit einer hohen Konzentration an Verunreinigungen dotiert sind, und können in zugeordneter Weise mit der Source-Elektrode 122a und den Drain-Elektroden 123a und 123b der Dünnschichttransistoren 120a und 120b verbunden sein.
  • Als ein Verunreinigungsion kann die p-Typ-Verunreinigung oder die n-Typ-Verunreinigung verwendet werden. Die p-Typ-Verunreinigung kann eines von Bor (B), Aluminium (AI), Gallium (Ga) und Indium (In) sein, und die n-Typ-Verunreinigung kann eines von Phosphor (P), Arsen (As) und Antimon (Sb) sein.
  • Der Kanalbereich kann entsprechend einer NMOS- oder PMOS-Transistorstruktur mit der n-Typ-Verunreinigung oder der p-Typ-Verunreinigung dotiert sein.
  • Eine erste isolierende Schicht 115b ist eine Gate-isolierende Schicht, die aus einer einlagigen Schicht aus Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) oder einer mehrlagigen Schicht daraus gebildet ist, und kann zwischen der Gate-Elektrode 121 a und den Halbleiterschichten 124a und 124b derart angeordnet sein, dass ein durch die Halbleiterschichten 124a und 124b fließender Strom nicht zu der Gate-Elektrode 121 a fließt. Siliziumoxid ist weniger verformbar als Metall, hat aber eine höhere Verformbarkeit als Siliziumnitrid und kann entsprechend seinen Eigenschaften als eine einlagige Schicht oder als mehrlagige Schichten gebildet sein.
  • Die Gate-Elektrode 121 a kann auf der ersten isolierenden Schicht 115b angeordnet sein.
  • In diesem Fall kann die Gate-Elektrode 121 a aus einer einlagigen Schicht oder mehrlagigen Schichten aus einem leitfähigen Metall, wie beispielsweise Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Molybdän (Mo), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) und Ähnliches oder deren Legierungen gebildet sein, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Eine zweite isolierende Schicht 115c kann auf der Gate-Elektrode 121a als Zwischenisolationsschicht angeordnet sein. Die zweite isolierende Schicht 115c kann aus einer einlagigen Schicht aus Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx) oder mehrlagigen Schichten daraus gebildet sein.
  • Die Source-Elektrode 122a und die Drain-Elektroden 123a und 123b können auf der zweiten isolierenden Schicht 115c angeordnet sein. Die Source-Elektrode 122a und die Drain-Elektroden 123a und 123b können aus einer einlagigen Schicht oder mehrlagigen Schichten aus einem leitfähigen Metall, wie beispielsweise Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Kupfer (Cu) und Ähnliches oder deren Legierungen gebildet sein, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • In diesem Fall kann eine Seite der zweiten Drain-Elektrode 123b elektrisch mit der zweiten Halbleiterschicht 124b verbunden sein, und die andere Seite der zweiten Drain-Elektrode 123b kann elektrisch mit der lichtblockierenden Schicht 125 verbunden sein.
  • Eine Passivierungsschicht 115d kann auf den Dünnschichttransistoren 120a und 120b angeordnet sein. Die Passivierungsschicht 115d kann aus einer einlagigen Schicht aus Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx) oder mehrlagigen Schichten daraus gebildet sein.
  • Die Passivierungsschicht 115d kann dazu dienen, eine unnötige elektrische Verbindung zwischen den hierauf und darunter angeordneten Komponenten zu verhindern und eine Verunreinigung oder Beschädigung von der Außenseite zu verhindern, und kann entsprechend Ausgestaltungen und Eigenschaften der Dünnschichttransistoren 120a und 120b und des lichtemittierenden Elements 130 weggelassen werden.
  • Die Dünnschichttransistoren 120a und 120b können entsprechend den Positionen der Komponenten, die die Dünnschichttransistoren 120a und 120b einrichten, in eine invertiert gestufte Struktur und eine koplanare Struktur unterteilt sein. Zum Beispiel kann in Bezug auf eine Halbleiterschicht in einem Dünnschichttransistor mit einer invertiert gestuften Struktur eine Gate-Elektrode auf einer gegenüberliegenden Seite einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode angeordnet sein. Zum Beispiel kann, wie in 4 dargestellt, in den Dünnschichttransistoren 120a und 120b mit koplanarer Struktur die Gate-Elektrode 121 a auf der gleichen Seite wie die Source-Elektrode 122a und die Drain-Elektroden 123a und 123b angeordnet sein.
  • 4 stellt die Dünnschichttransistoren 120a und 120b dar, die die koplanare Struktur aufweisen, aber die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann einen Dünnschichttransistor aufweisen, die die invertiert gestufte Struktur aufweist. Außerdem kann ein Abschnitt der Dünnschichttransistoren 120a und 120b die koplanare Struktur aufweisen, und der andere Abschnitt der Dünnschichttransistoren 120a und 120b kann die invertiert gestufte Struktur aufweisen.
  • Planarisierungsschichten 115e und 115f können zum Schützen der Dünnschichttransistoren 120a und 120b und Verringern einer durch sie verursachten Stufe und zum Reduzieren der parasitären Kapazität, die zwischen den Dünnschichttransistoren 120a und 120b, der Gate-Leitung und der Datenleitung und dem lichtemittierenden Element 130 auftritt, auf den Dünnschichttransistoren 120a und 120b angeordnet sein.
  • Die Planarisierungsschichten 115e und 115f können aus einem oder mehreren Materialien aus Acrylharz, Epoxidharz, Phenolharz, Polyamidharz, Polyimidharz, ungesättigtem Polyesterharz, Polyphenylenharz, Polyphenylensulfidharz und Benzocyclobuten gebildet sein, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Eine erste Planarisierungsschicht 115e kann auf den Dünnschichttransistoren 120a und 120b angeordnet sein, und eine zweite Planarisierungsschicht 115f kann auf der ersten Planarisierungsschicht 115e angeordnet sein.
  • Eine Pufferschicht kann auf der ersten Planarisierungsschicht 115e angeordnet sein. Die Pufferschicht kann zum Schützen der auf der ersten Planarisierungsschicht 115e angeordneten Komponenten aus mehrlagigen Schichten aus Siliziumoxid (SiOx) gebildet sein, und kann entsprechend Ausgestaltungen und Eigenschaften der Dünnschichttransistoren 120a und 120b und des lichtemittierenden Elements 130 weggelassen werden.
  • Eine Zwischenelektrode 126 kann über ein in der ersten Planarisierungsschicht 115e gebildetes Kontaktloch elektrisch mit dem zweiten Dünnschichttransistor 120b verbunden sein.
  • Wenn die Zwischenelektrode 126 als Wasserstoffadsorptionsschicht eingerichtet ist, kann sie dazu dienen, externen Wasserstoff oder Wasserstoff in der Verkapselungsschicht 150 zu adsorbieren, um dadurch den Zufluss von Wasserstoff in die darunter liegenden Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b zu blockieren.
  • Die Zwischenelektrode 126 kann aus einem Metall gebildet sein, das eine Wasserstoffadsorptionsfähigkeit aufweist, wie beispielsweise Ti oder eine Ti-Legierung aus Ti/Al/Ti.
  • Hierbei ist Ti ein Metall, das Wasserstoffadsorptionsfähigkeit aufweist und kann Wasserstoff in Strukturen der Verkapselungsschicht 150 und den Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b wirksam blockieren.
  • Ein Material, das die Zwischenelektrode 126 einrichtet, kann zusätzlich zu Ti auch Sc, V, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm, U und Ähnliches aufweisen, die eine ausgezeichnete Wasserstoffadsorptionsfähigkeit aufweisen.
  • Die Zwischenelektrode 126 kann derart angeordnet sein, dass sie die darunter liegenden Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b abschirmt.
  • Eine Passivierungsschicht, die eine anorganische isolierende Schicht, wie beispielsweise Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) aufweist, kann ferner auf der ersten Planarisierungsschicht 115e und der Zwischenelektrode 126 angeordnet sein. Die Passivierungsschicht kann dazu dienen, eine unnötige elektrische Verbindung zwischen den Komponenten zu verhindern und eine von der Außenseite eingebrachte Verunreinigung oder Beschädigung zu vermeiden, und kann in Abhängigkeit von Ausgestaltungen und Eigenschaften der Dünnschichttransistoren 120a und 120b und des lichtemittierenden Elements 130 weggelassen werden.
  • Hierbei kann das lichtemittierende Element 130, das die Anode 131, eine lichtemittierende Struktur 132 und eine Kathode 133 aufweist, auf der zweiten Planarisierungsschicht 115f angeordnet sein.
  • Die Anode 131 kann auf der zweiten Planarisierungsschicht 115f angeordnet sein.
  • Die Anode 131 ist eine Elektrode, die dazu dient, der lichtemittierenden Struktur 132 Löchern zuzuführen, und kann durch ein Kontaktloch in der zweiten Planarisierungsschicht 115f mit dem zweiten Dünnschichttransistor 120b verbunden sein.
  • In dem Falle eines Bottom-Emissions-Typs, in dem Licht zu einem unteren Abschnitt emittiert wird, in dem die Anode 131 angeordnet ist, kann die Anode 131 aus Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) oder Ähnlichem gebildet sein, das ein lichtdurchlässiges leitfähiges Material ist, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Andererseits kann in dem Falle eines Top-Emissions-Typs, in dem Licht in einen oberen Abschnitt emittiert wird, in dem die Kathode 133 angeordnet ist, die Anode 131 des Weiteren eine reflektierende Schicht aufweisen, derart, dass das emittierte Licht von der Anode 131 reflektiert wird und gleichmäßiger in einer Richtung in Richtung des oberen Abschnitts emittiert wird, in dem die Kathode 133 angeordnet ist.
  • Das bedeutet, dass die Anode 131 eine zweilagige Struktur, in der eine lichtdurchlässige leitfähige Schicht, die aus einem lichtdurchlässigen leitfähigen Material gebildet ist, und eine reflektierende Schicht nacheinander gestapelt sind, oder eine dreilagige Struktur, in der eine lichtdurchlässige leitfähige Schicht, eine reflektierende Schicht und eine lichtdurchlässige leitfähige Schicht nacheinander gestapelt sind, sein kann. Die reflektierende Schicht kann aus Silber (Ag) oder einer Silber aufweisenden Legierung gebildet sein.
  • Die Damm 115g kann auf der Anode 131 und der zweiten Planarisierungsschicht 115f angeordnet sein.
  • In einigen Fällen kann die Anode 131 über der zweiten Planarisierungsschicht 115f gebildet sein, und dann kann der Damm 115f über der Anode 131 oder über Abschnitten der Anode 131 gebildet sein.
  • Der Damm 115g, der auf der Anode 131 und der zweiten Planarisierungsschicht 115f angeordnet ist, kann mittels Unterteilens eines Bereichs, der tatsächlich Licht emittiert, das heißt eines Emissionsbereichs EA, Subpixel definieren.
  • Nachdem ein Photoresist auf der Anode 131 gebildet worden ist, kann der Damm 115g durch einen Photolithographieprozess gebildet werden.
  • In einigen Fällen kann eine Dammschicht über einer Anodenschicht gebildet sein. Die Dammschicht kann zum Bilden einer oder mehrerer Dammöffnungen, die einen Abschnitt der Anodenschicht freilegen, strukturiert und geätzt werden. Der freigelegte Abschnitt der Anodenschicht kann mit der Anode 131 übereinstimmen. Die Dammschicht kann unter Verwendung verschiedener Techniken, die Tintenstrahldruck, Siebdruck, Schleuderbeschichtung, physikalische Dampfabscheidung (PVD) und chemische Dampfabscheidung (CVD) aufweisen, abgeschieden oder gebildet werden. Die Dammschicht kann eine isolierende Schicht oder ein isolierendes Material aufweisen, wie beispielsweise Siliziumoxid oder Siliziumnitrid. In einem Beispiel kann die Dammschicht zunächst über der Anode 131 gebildet werden, und eine Schicht aus Photoresist kann über der Dammschicht angeordnet werden. Dann kann ein Ätzvorgang verwendet werden, um zum Freilegen der Anode 131 durch Abschnitte der Dammschicht zu ätzen. Eine lichtemittierende Struktur, wie beispielsweise die lichtemittierende Struktur 132 des lichtemittierenden Elements 130, kann eine lichtemittierende Schicht aufweisen, die Licht emittiert, und kann aus einem Nitrid-Halbleiter, wie beispielweise Indiumgalliumnitrid (InGaN), gebildet sein.
  • Der Photoresist bezieht sich auf ein lichtempfindliches Harz, dessen Löslichkeit in einem Entwickler durch Lichteinwirkung verändert wird, und eine spezifische Struktur kann durch Belichten und Entwickeln des Photoresists erzielt werden. Der Photoresist kann in einen Photoresist des positiven Typs und einen Photoresist des negativen Typs unterteilt werden. In diesem Fall bezieht sich der positive Photoresist auf einen Photoresist, dessen Löslichkeit in einem Entwickler für einen belichteten Abschnitt durch Belichtung erhöht wird, und wenn der positive Photoresist entwickelt wird, wird eine Struktur erzielt, in der der belichtete Abschnitt entfernt ist. Der negative Photoresist bezieht sich auf einen Photoresist, dessen Löslichkeit in einem Entwickler für einen belichteten Abschnitt durch Belichtung verringert wird, und wenn der negative Photoresist entwickelt wird, wird eine Struktur erzielt, in der ein unbelichteter Abschnitt entfernt ist.
  • Eine feine Metallmaske (FMM), die eine Abscheidungsmaske ist, kann zum Bilden der lichtemittierenden Struktur 132 des lichtemittierenden Elements 130 verwendet werden.
  • Außerdem kann, um Schäden zu vermeiden, die durch Kontakt mit der auf dem Damm 115g angeordneten Abscheidungsmaske verursacht werden können, und um einen konstanten Abstand zwischen dem Damm 115g und der Abscheidungsmaske aufrechtzuerhalten, der Abstandshalter 160, der aus einem von Benzocyclobuten, Photoacryl und Polyimid, einem lichtdurchlässigen organischen Material, gebildet ist, auf dem Damm 115g angeordnet sein.
  • Eine Öffnung OP, die einen Abschnitt der Anode 131 freilegt, kann mittels Entfernens eines Abschnitts des Damms 115g in dem Emissionsbereich EA gebildet sein.
  • Hierbei ist die erste beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dadurch gekennzeichnet, dass die Mehrzahl von Wasserstoffadsorptionsschichten 165 und 167 auf den Dämmen 115g zwischen der Mehrzahl von Subpixeln angeordnet sind. In diesem Fall kann die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 165 unter dem Abstandshalter 160 angeordnet sein, während die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 167 nicht unter dem Abstandshalter 160 angeordnet sein kann.
  • Wie oben beschrieben, sind in der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Wasserstoffadsorptionsschichten 165 und 167 auf oberen Abschnitten der Dämme 115g gebildet, abgesehen von dem Bereich, in dem die Anode 131 positioniert ist, das heißt dem Emissionsbereich EA, um dadurch einen Zufluss von Wasserstoff H in die Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b zu blockieren (siehe Pfeil in 4), derart, dass Eigenschaften und Zuverlässigkeit der Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b verbessert sein können.
  • Die Wasserstoffadsorptionsschichten 165 und 167 können aus einem Metall gebildet sein, das eine Wasserstoffadsorptionsfähigkeit aufweist, wie beispielsweise Ti oder eine Ti-Legierung aus Ti/Al/Ti.
  • Ein Material, das die Wasserstoffadsorptionsschichten 165 und 167 einrichtet, kann zusätzlich zu Ti auch Sc, V, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm, U und Ähnliches aufweisen, die eine ausgezeichnete Wasserstoffadsorptionsfähigkeit aufweisen. Zur Bezugnahme ist eine Wasserstofflöslichkeit von TiH besser als die von AIH, NiH, AgH, CuH und ZnH.
  • Betrachtet man ein Metallhydrid, beispielsweise ist das Hydrid von Ti TiH2.00, was bedeutet, dass zwei Wasserstoffe H in einem Ti gespeichert werden können, und es ist ersichtlich, dass seine Wasserstoffadsorptionsfähigkeit eine Million Mal besser ist als die von AlH<2,5×10-8. Das bedeutet, dass Ti eine Wasserstoffadsorptionskapazität aufweist, die 100.000-mal höher ist als die von Cu und eine Million Mal höher als die von Al.
  • Es ist ersichtlich, dass die Hydride von Sc, V, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm und U ScH>1,86, VH1,00, PdH0,724, NbH1,1, ZrH>1,70, YH>2,85, TaH0,79, CeH>2,5, LaH>2,03, SmH3,00 bzw. UH>3,00 sind.
  • Die Wasserstoffadsorptionsschichten 165 und 167 können in Nicht-Emissionsbereichen NEA, der verschieden ist von dem Emissionsbereich EA, gebildet sein, und aufgrund des Bildens der Wasserstoffadsorptionsschichten 165 und 167 aus Ti vergrößert sich ein reflektierender Bereich, so dass ein Umgebungskontrastverhältnis (ACR) vorteilhaft erhöht sein kann.
  • Um eine Grenzfläche zwischen Ti und den Wasserstoffadsorptionsschichten 165 und 167 zu verbessern, kann der Abstandshalter 160 breiter als ein bestehender Bereich davon gebildet sein.
  • 5A und 5B sind Tabellen, die in zugeordneter Weise die Zuverlässigkeitsergebnisse eines Anzeigepanels in Abhängigkeit von einer Dicke und einer Fläche einer Wasserstoffadsorptionsschicht darstellen.
  • 5A stellt die Zuverlässigkeitsergebnisse des Anzeigepanels entsprechend der Dicke der Wasserstoffadsorptionsschicht dar, und 5B stellt die Zuverlässigkeitsergebnisse des Anzeigepanels entsprechend der Fläche der Wasserstoffadsorptionsschicht dar.
  • 5A stellt die Zuverlässigkeitsergebnisse eines Anzeigepanels gemäß einem Beispiel dar, in dem eine Wasserstoffadsorptionsschicht eine Ti-Dicke aufweist, die 6,3-mal größer ist als die des Vergleichsbeispiels, indem das Beispiel und das Vergleichsbeispiel verglichen werden, und 5B stellt die Zuverlässigkeitsergebnisse eines Anzeigepanels gemäß dem Beispiel dar, in dem eine Wasserstoffadsorptionsschicht eine Ti-Fläche aufweist, die 2,7-mal größer ist als die des Vergleichsbeispiels, indem das Beispiel und das Vergleichsbeispiel verglichen werden.
  • Bezugnehmend auf 5A ist ersichtlich, dass in dem Falle des Vergleichsbeispiels Siliziumnitrid, das ungefähr 30 % Wasserstoff enthält, aufgrund einer Zunahme der Leuchtdichte und Auftretens von und 30 bis 40 hellen Flecken nicht in einer Verkapselungsschicht verwendet werden kann.
  • Andererseits ist in dem Fall des Beispiels, das die Wasserstoffadsorptionsschicht verwendet, die eine 6,3-mal größere Ti-Dicke als die des Vergleichsbeispiels aufweist, ersichtlich, dass Siliziumnitrid, das ungefähr 30 % Wasserstoff aufweist, in einer Verkapselungsschicht verwendet werden kann, da die Anzahl der hellen Punkte auf 10 bis 20 reduziert ist und es keinen Anstieg der Leuchtdichte gibt.
  • Bezugnehmend auf 5B ist in dem Fall des Beispiels, das die Wasserstoffadsorptionsschicht verwendet, die eine Ti-Fläche aufweist, die 2,7-mal größer ist als die des Vergleichsbeispiels, ersichtlich, dass Siliziumnitrid, das ungefähr 30 % Wasserstoff aufweist, in einer Verkapselungsschicht verwendet werden kann, da es keinen hellen Punkt und keine Erhöhung der Leuchtdichte gibt.
  • Dementsprechend ist ersichtlich, dass es möglich ist, die Wasserstoffadsorptionsschicht in einem breiten Bereich zu verwenden.
  • Somit ist ersichtlich, dass, wenn eine Schicht, die einen hohen Ti-Gehalt aufweist, gebildet wird, durch Wasserstoff verursachte Defekte reduziert sind.
  • Daher ist es möglich, eine Ausbeute einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung zu verbessern, auf die der Oxid-Dünnschichttransistor angewendet ist. Außerdem ist es möglich, ein Produkt mit geringem Stromverbrauch durch niederfrequentes (niedrige Hz) Ansteuern zu implementieren, und eine TFE-Verkapselungsstruktur kann unabhängig von einem Wasserstoffgehalt auf den Top-Emissions-Typ angewandt werden, so dass ein Grad der technischen Freiheit zunehmen kann.
  • Bezugnehmend wiederum auf 4 kann die lichtemittierende Struktur 132 zwischen der Anode 131 und der Kathode 133 angeordnet sein.
  • Die lichtemittierende Struktur 132, die dazu dient, Licht zu emittieren, kann mindestens eine Schicht von einer Lochinjektionsschicht (HIL), einer Lochtransportschicht (HTL), einer lichtemittierenden Schicht, einer Elektronentransportschicht (ETL) und einer Elektroneninjektionsschicht (EIL) aufweisen, und einige der Komponenten können entsprechend einer Struktur oder Eigenschaften der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung weggelassen werden. Hierbei können als lichtemittierende Schicht ebenso eine Elektrolumineszenzschicht und eine anorganische lichtemittierende Schicht verwendet werden.
  • Die Lochinjektionsschicht ist auf der Anode 131 angeordnet und dient zum Erleichtern der Lochinjektion.
  • Die Lochtransportschicht ist auf der Lochinjektionsschicht angeordnet und dient dazu, Löcher sanft zu der lichtemittierenden Schicht zu übertragen.
  • Die lichtemittierende Schicht ist auf der Lochtransportschicht angeordnet und kann ein Material aufweisen, das in der Lage ist, Licht einer bestimmten Farbe zu emittieren, um dadurch Licht einer bestimmten Farbe zu emittieren. Außerdem kann ein lichtemittierendes Material unter Verwendung eines phosphoreszierenden Materials oder eines fluoreszierenden Materials gebildet sein.
  • Die Elektroneninjektionsschicht kann des Weiteren auf der Elektronentransportschicht angeordnet sein. Die Elektroneninjektionsschicht ist eine organische Schicht, die das Injizieren von Elektronen von der Kathode 133 erleichtert und kann entsprechend der Struktur und den Eigenschaften der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung weggelassen werden.
  • Hierbei ist es, mittels weiteren Anordnens einer Elektronensperrschicht oder einer Lochsperrschicht zum Blockieren eines Flusses von Löchern oder Elektronen an einer Position angrenzend an die lichtemittierende Schicht möglich, ein Phänomen, bei dem sich die Elektronen von der lichtemittierenden Schicht weg bewegen, wenn sie in die lichtemittierende Schicht injiziert werden, und durch die daran angrenzende Lochtransportschicht hindurchtreten, oder ein Phänomen, in dem sich die Löcher von der lichtemittierenden Schicht weg bewegen, wenn sie in die lichtemittierende Schicht injiziert werden, und durch die daran angrenzende Elektronentransportschicht hindurchtreten, verhindert werden, so dass eine Lichtausbeute verbessert sein kann.
  • Die Kathode 133 ist auf der lichtemittierenden Struktur 132 angeordnet und dient dazu, der lichtemittierenden Struktur 132 Elektronen zuzuführen. In dem Bottom-Emissions-Typ kann, da die Kathode 133 Elektronen zuführen muss, sie aus einem metallischen Material, wie beispielsweise Magnesium oder Silber-Magnesium gebildet sein, das ein leitfähiges Material ist, das eine niedrige Austrittsarbeit aufweist, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Andererseits kann, in dem Falle des Top-Emissions-Typs, die Kathode 133 aus einem lichtdurchlässigen leitfähigen Oxid gebildet sein, wie beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO), Indiumzinnzinkoxid (ITZO), Zinkoxid (ZnO) und Zinnoxid (TO).
  • Die Einkapselungsschicht 150 kann auf der Kathode 133 angeordnet sein.
  • Beim spezifischen Beschreiben der Verkapselungsschicht 150 ist auf einer oberen Oberfläche des Substrats 111, auf der das lichtemittierende Element 130 gebildet ist, eine Abdeckschicht gebildet, und eine primäre Schutzschicht 150a, eine organische Schicht 150b und eine sekundäre Schutzschicht 150c sind zum Bilden der Verkapselungsschicht 150, die als ein Verkapselungsmittel dient, nacheinander gebildet. Jedoch ist die Anzahl von anorganischen Schichten und organischen Schichten, die die Verkapselungsschicht 150 einrichten, nicht hierauf beschränkt.
  • In dem Falle der primären Schutzschicht 150a ist, da sie aus einer anorganischen isolierenden Schicht gebildet ist, ihre Stapelüberdeckung aufgrund einer niedrigeren Stufe nicht gut. Jedoch ist, da die organische Schicht 150b dazu dient, Planarisierung durchzuführen, die sekundäre Schutzschicht 150c nicht von einer Stufe aufgrund einer unteren Schicht betroffen. Außerdem können, da eine Dicke der organischen Schicht 150b, die aus einem Polymer gebildet ist, ausreichend dick ist, Risse, die durch Fremdmaterialien verursacht werden, kompensiert werden.
  • Auf einer Vorderseite des Substrats 111, das die sekundäre Schutzschicht 150c aufweist, kann eine mehrlagige Schutzschicht derart positioniert sein, dass sie ihr zum Verkapseln zugewandt ist, und ein Adhäsionsmittel, das lichtdurchlässig ist und Klebeeigenschaften aufweist, kann zwischen der Verkapselungsschicht 150 und der Schutzschicht eingefügt sein.
  • Eine polarisierende Platte zum Verhindern von Reflexion von von der Außenseite einfallendem Licht kann auf der Schutzschicht angebracht sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Hierbei kann die Wasserstoffadsorptionsschicht der vorliegenden Offenbarung in einer „U“-Form in dem Damm gebildet sein, um die Reflexionseigenschaften zu verbessern, was unter Bezugnahme auf 6 und 7 beschrieben werden wird.
  • 6 ist eine Draufsicht, die eine Pixelstruktur gemäß einer zweiten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • 7 ist eine Querschnittsansicht entlang VI-VI' der 6.
  • Die zweite beispielhafte Ausführungsform der 6 und 7 ist von der ersten beispielhaften Ausführungsform der 3 und 4, die oben beschrieben ist, nur in Bezug auf Ausgestaltungen von Dämmen 215g und einer zweiten Wasserstoffadsorptionsschicht 267 verschieden, und andere Ausgestaltungen davon sind in dem Wesentlichen die gleichen, und daher wird eine doppelte Beschreibung weggelassen werden. Die gleichen Bezugszeichen werden für die gleichen Komponenten verwendet.
  • In 6 sind für eine Bequemlichkeit der Erläuterung von Komponenten des lichtemittierenden Elements 130 nur die Anode 131 und die Dämme 215g dargestellt. Der Damm 215g kann in einem verbleibenden Bereich, der verschieden ist von dem durch eine Öffnung OP freigelegten Bereich, angeordnet sein.
  • Unter Bezugnahme auf 6 und 7 kann eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Anzeigepanel 210 aufweisen, das in einen aktiven Bereich und einen nicht-aktiven Bereich unterteilt ist.
  • Eine Mehrzahl von Subpixeln SP, die eine Mehrzahl von Pixeln einrichten, und Schaltkreisen zum Ansteuern der Mehrzahl von Subpixeln SP können in dem aktiven Bereich angeordnet sein.
  • Die Mehrzahl von Abstandshaltern 160 können zwischen der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet sein.
  • Die zweite beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist dadurch gekennzeichnet, dass eine Mehrzahl von Wasserstoffadsorptionsschichten 165 und 267 zwischen der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet sind.
  • In diesem Fall können die Wasserstoffadsorptionsschichten 165 und 267 beispielsweise eine erste Wasserstoffadsorptionsschicht 165, die zwischen dem ersten Subpixel SP1 und dem zweiten Subpixel SP2 angeordnet ist, und eine zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267, die zwischen dem zweiten Subpixel SP2 / dem dritten Subpixel SP3 und dem ersten Subpixel SP1 angeordnet ist, aufweisen.
  • Die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 165 kann in Spaltenrichtung zwischen dem ersten Subpixel SP1 und dem zweiten Subpixel SP2 angeordnet sein, und die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 kann in Spaltenrichtung zwischen dem zweiten Subpixel SP2 / dem dritten Subpixel SP3 und dem ersten Subpixel SP1 angeordnet sein, während sich ein Abschnitt der zweiten Wasserstoffadsorptionsschicht 267 in Zeilenrichtung zwischen dem zweiten Subpixel SP2 und dem dritten Subpixel SP3 erstrecken kann. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 165 kann unter dem Abstandshalter 160 angeordnet sein.
  • Wie oben beschrieben, ist in der zweiten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 165 auf dem Damm 215g gebildet, abgesehen von einem Bereich, in dem die Anode 131 positioniert ist, und die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 ist innerhalb der zweiten Planarisierungsschicht 115f gebildet, um dadurch einen Zufluss von Wasserstoff in die Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b zu blockieren, so dass Eigenschaften und Zuverlässigkeit der Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b verbessert sein können.
  • Die Planarisierungsschichten 115e und 115f können auf den Dünnschichttransistoren 120a und 120b angeordnet sein.
  • Wie oben beschrieben, kann die Zwischenelektrode 126 auf der ersten Planarisierungsschicht 115e gebildet sein.
  • Wenn die Zwischenelektrode 126 als eine Wasserstoffadsorptionsschicht eingerichtet ist, kann die Zwischenelektrode 126 aus einem Metall gebildet sein, das eine Wasserstoffadsorptionsfähigkeit aufweist, wie beispielsweise Ti oder einer Ti-Legierung aus Ti/Al/Ti.
  • Ein Material, das die Zwischenelektrode 126 einrichtet, kann zusätzlich zu Ti Sc, V, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm, U und Ähnliches aufweisen, die eine ausgezeichnete Wasserstoffadsorptionsfähigkeit aufweisen.
  • Die Zwischenelektrode 126 kann derart angeordnet sein, dass sie die darunter liegenden Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b abschirmt.
  • Hierbei ist die zweite beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dadurch gekennzeichnet, dass ein Abschnitt der zweiten Planarisierungsschicht 115f zwischen der Mehrzahl von Subpixeln SP entfernt wird, um dadurch einen vorher festgelegten Graben H zu bilden. Der Graben H kann in dem Nicht-Emissionsbereich NEA gebildet sein, in dem die Anode 131 und die Zwischenelektrode 126 nicht angeordnet sind.
  • Der Graben H weist eine „U“-Form auf und kann eine Neigung aufweisen, bei der eine Seitenfläche davon in einer Aufwärtsrichtung nach außen geneigt ist.
  • Außerdem kann die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 auf einer Innenfläche des Grabens H angeordnet sein. In diesem Fall kann die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 eine Neigung aufweisen, in der eine Seitenfläche in der Aufwärtsrichtung entlang der Form des Grabens H nach außen geneigt ist.
  • Die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 kann aus einem Metall gebildet sein, das eine Wasserstoffadsorptionsfähigkeit aufweist, wie beispielsweise Ti oder eine Ti-Legierung aus Ti/Al/Ti.
  • Ein Material, das die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 einrichtet, kann zusätzlich zu Ti Sc, V, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm, U und Ähnliches aufweisen, die eine ausgezeichnete Wasserstoffadsorptionsfähigkeit aufweisen.
  • Da die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 eine „U“-Form aufweist und eine Neigung aufweist, bei der die Seitenfläche, wie oben beschrieben, in der Aufwärtsrichtung nach außen geneigt ist, kann das zwischen der Kathode 133 und der Anode 131 emittierte Licht, insbesondere eine Richtung des seitlich austretenden Lichts, in die Aufwärtsrichtung umgewandelt werden (siehe Pfeil der 7), wodurch eine Lichtauskopplungseffizienz verbessert sein kann.
  • In einigen Fällen ist es besser, wenn eine Dicke der zweiten Wasserstoffadsorptionsschicht 267 zunimmt; zum Beispiel kann die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 eine Dicke von mindestens 300 Å aufweisen.
  • Hierbei kann das lichtemittierende Element 130, das die Anode 131, die lichtemittierende Struktur 132 und die Kathode 133 aufweist, auf der zweiten Planarisierungsschicht 115f angeordnet sein.
  • In diesem Fall kann der Damm 215g auf der Anode 131 und der zweiten Planarisierungsschicht 115f angeordnet sein.
  • Der Damm 215g kann zum Füllen eines Inneren des Grabens H ebenso auf der zweiten Wasserstoffadsorptionsschicht 267 gebildet sein.
  • Die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 165 kann auf dem Damm 215g in dem Nicht-Emissionsbereich NEA gebildet sein. Außerdem kann der Abstandshalter 160, der aus einem von Photoacrylat und Benzocyclobuten gebildet ist, zum Überdecken der ersten Wasserstoffadsorptionsschicht 165 auf der ersten Wasserstoffadsorptionsschicht 165 gebildet sein.
  • Die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 165 kann aus einem Metall gebildet sein, das eine Wasserstoffadsorptionsfähigkeit aufweist, wie beispielsweise Ti oder eine Ti-Legierung aus Ti/Al/Ti.
  • Ein Material, das die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 165 einrichtet, kann zusätzlich zu Ti Sc, V, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm, U und Ähnliches aufweisen, die eine ausgezeichnete Wasserstoffadsorptionsfähigkeit aufweisen.
  • Es ist besser, wenn eine Dicke der ersten Wasserstoffadsorptionsschicht 165 zunimmt; in einigen Fällen kann die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 165 eine Dicke von mindestens 300 Å aufweisen.
  • Wie oben beschrieben, kann in der zweiten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, wenn die Zwischenelektrode 126 und die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 165 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 in den Nicht-Emissionsbereichen NEA gebildet sind, eine Fläche von Ti, das die Zwischenelektrode 126 und die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 165 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 einrichtet, wesentlich vergrößert sein, so dass ein Wasserstoffeinfangeffekt maximiert sein kann.
  • Wie oben beschrieben, ist in der zweiten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 165 auf dem Damm 215g in dem Nicht-Emissionsbereich NEA gebildet, abgesehen von dem Bereich, in dem die Anode 131 positioniert ist, das heißt dem Emissionsbereich EA, und gleichzeitig ist die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 innerhalb der zweiten Planarisierungsschicht 115f gebildet, um dadurch den Zufluss von Wasserstoff in die Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b zu blockieren, so dass Eigenschaften und Zuverlässigkeit der Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b verbessert sein können.
  • Die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 165 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 können in den Nicht-Emissionsbereichen NEA gebildet sein, die verschieden sind von dem Emissionsbereich EA, und aufgrund des Bildens der Wasserstoffadsorptionsschichten 165 und 267 aus Ti nimmt ein reflektierender Bereich zu, so dass ein Umgebungskontrastverhältnis (ACR) vorteilhaft erhöht sein kann.
  • Insbesondere in dem Fall der zweiten beispielhaften Ausführungsform kann, da die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 eine „U“-Form aufweist und eine Neigung aufweist, in der die Seitenfläche davon in der Aufwärtsrichtung nach außen geneigt ist, eine Richtung von Licht, das zwischen der Kathode 133 und der Anode 131 austritt, in die Aufwärtsrichtung umgewandelt werden, wodurch die Lichtauskopplungseffizienz verbessert sein kann.
  • Hierbei kann in der vorliegenden Offenbarung die erste Wasserstoffadsorptionsschicht in einer „U“-Form gebildet sein, die unter Bezugnahme auf 8 beschrieben werden wird.
  • 8 ist eine Querschnittsansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Die dritte beispielhafte Ausführungsform der 8 unterscheidet sich von der zweiten beispielhaften Ausführungsform der 6 und 7, die oben beschrieben ist, nur in Bezug auf die Ausgestaltungen eines Damms 315g und einer ersten Wasserstoffadsorptionsschicht 365, und andere Ausgestaltungen davon sind im Wesentlichen die gleichen, und daher wird eine doppelte Beschreibung weggelassen werden. Die gleichen Bezugszeichen werden für die gleichen Komponenten verwendet.
  • Bezugnehmend auf 8 kann die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der dritten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Anzeigepanel 310 aufweisen, das in einen aktiven Bereich und einen nicht-aktiven Bereich unterteilt ist.
  • Eine Mehrzahl von Abstandshaltern 360 können zwischen einer Mehrzahl von Subpixeln angeordnet sein.
  • Die dritte beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist dadurch gekennzeichnet, dass eine Mehrzahl von Wasserstoffadsorptionsschichten 365 und 267 zwischen der Mehrzahl von Subpixeln angeordnet ist.
  • Das bedeutet, dass die dritte beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dadurch gekennzeichnet ist, dass die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 in dem Nicht-Emissionsbereich NEA, der von dem Emissionsbereich EA, in dem die Anode 131 angeordnet ist, verschieden ist, in dem Damm 315g gebildet ist, und die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 innerhalb der Planarisierungsschicht 115f gebildet ist.
  • Außerdem ist sie dadurch gekennzeichnet, dass die aus einer Wasserstoffadsorptionsschicht gebildete Zwischenelektrode 126 zum Abschirmen der Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b auf der ersten Planarisierungsschicht 115e gebildet ist.
  • Dementsprechend ist es möglich, Eigenschaften und Zuverlässigkeit der Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b zu verbessern, indem der Zufluss von Wasserstoff in die Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b blockiert wird.
  • Insbesondere kann die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 unter dem Abstandshalter 360 angeordnet sein.
  • Wenn die Zwischenelektrode 126 als eine Wasserstoffadsorptionsschicht eingerichtet ist, kann die Zwischenelektrode 126 aus einem Metall gebildet sein, das eine Wasserstoffadsorptionsfähigkeit aufweist, wie beispielsweise Ti oder eine Ti-Legierung aus Ti/AllTi.
  • Außerdem können die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 365 aus einem Metall gebildet sein, das Wasserstoffadsorptionsfähigkeit aufweist, wie beispielsweise Ti oder eine Ti-Legierung aus Ti/AllTi.
  • Materialien, die die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 und die Zwischenelektrode 126 einrichten, können zusätzlich zu Ti Sc, V, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm, U und Ähnliches aufweisen, die ausgezeichnete Wasserstoffadsorptionsfähigkeit aufweisen.
  • Wie oben beschrieben, kann die Zwischenelektrode 126 derart angeordnet sein, dass die darunter liegenden Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b abschirmt.
  • Außerdem ist sie dadurch gekennzeichnet, dass ein Teilbereich des Damms 315g zwischen der Mehrzahl von Subpixeln entfernt ist, um dadurch einen ersten Graben H1 zu bilden, und ein Teilbereich der zweiten Planarisierungsschicht 115f zwischen der Mehrzahl von Subpixeln entfernt ist, um dadurch einen zweiten Graben H2 zu bilden. Der erste Graben H1 und zweite Graben H2 können in den Nicht-Emissionsbereichen NEA gebildet sein, in denen die Anode 131 und die Zwischenelektrode 126 nicht angeordnet sind.
  • Der erste Graben H1 und zweite Graben H2 weisen eine „U“-Form auf und können eine Neigung aufweisen, in der eine Seitenfläche davon in einer Aufwärtsrichtung nach außen geneigt ist.
  • Außerdem können die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 auf Innenflächen des ersten Grabens H1 bzw. des zweiten Grabens H2 angeordnet sein. In diesem Fall können die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 Neigungen aufweisen, in denen die Seitenflächen davon entlang den Formen des ersten Grabens H1 und zweiten Grabens H2 in der Aufwärtsrichtung nach außen geneigt sind.
  • Da die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 eine „U“-Form aufweisen und eine Neigung aufweisen, in der die Seitenfläche davon in der Aufwärtsrichtung nach außen geneigt ist, wie oben beschrieben, kann Licht, das zwischen der Kathode 133 und der Anode 131 emittiert wird, insbesondere einer Richtung des seitlich austretenden Lichts, in die Aufwärtsrichtung umgewandelt werden (siehe Pfeile der 8), wodurch eine Lichtauskopplungseffizienz weiter verbessert sein kann.
  • Sie ist besser, wenn eine Dicke der ersten Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweiten Wasserstoffadsorptionsschicht 267 zunimmt; in einigen Fällen können die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 eine Dicke von mindestens 300 Å aufweisen.
  • Der Damm 315g kann auf der Anode 131 und der zweiten Planarisierungsschicht 115f angeordnet sein.
  • Der Damm 315g kann zum Füllen eines Inneren des zweiten Grabens H2 ebenso auf der zweiten Wasserstoffadsorptionsschicht 267 gebildet sein.
  • Außerdem kann der Abstandshalter 360 auf dem Damm 315g angeordnet sein.
  • Der Abstandshalter 360, der aus einem von Photoacryl und Benzocyclobuten gebildet ist, kann zum Füllen des Inneren des ersten Grabens H1 ebenso auf der ersten Wasserstoffadsorptionsschicht 365 gebildet sein.
  • Wie oben beschrieben, kann in der dritten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, da die Zwischenelektrode 126 und die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 über eine Gesamtheit des Anzeigepanels 310 gebildet sind, ein Bereich von Ti, das die Zwischenelektrode 126 und die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 einrichtet, wesentlich vergrößert sein, so dass ein Wasserstoffeinfangeffekt maximiert sein kann.
  • Die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 können in den Nicht-Emissionsbereichen NEA, die verschieden sind von dem Emissionsbereich EA, gebildet sein, und aufgrund des Bildens der Wasserstoffadsorptionsschichten 365 und 267 aus Ti nimmt ein reflektierender Bereich zu, so dass ein Umgebungskontrastverhältnis (ACR) vorteilhaft erhöht sein kann.
  • Insbesondere in dem Fall der dritten beispielhaften Ausführungsform kann, da die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 eine „U“-Form aufweisen und eine Neigung aufweisen, in der die Seitenfläche davon in der Aufwärtsrichtung nach außen geneigt ist, eine Richtung von Licht, das zwischen der Kathode 133 und der Anode 131 austritt, in die Aufwärtsrichtung umgewandelt werden, wodurch eine Lichtauskopplungseffizienz weiter verbessert sein kann.
  • Hierbei kann ein Abstandshalter der vorliegenden Offenbarung eine umgekehrt konische Form aufweisen, die unter Bezugnahme auf 9 beschrieben werden wird.
  • 9 ist eine Querschnittsansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer vierten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Die in 9 dargestellte vierte beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist nur in Bezug auf eine Ausgestaltung eines Abstandshalters 460 verschieden von der oben beschriebenen dritten beispielhaften Ausführungsform der 8, und weitere Ausgestaltungen sind im Wesentlichen die gleichen, und somit wird eine doppelte Beschreibung weggelassen werden. Die gleichen Bezugszeichen werden für die gleichen Komponenten verwendet.
  • Bezugnehmend auf 9 kann die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der vierten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Anzeigepanel 410 aufweisen, das in einen aktiven Bereich und einen nicht-aktiven Bereich unterteilt ist.
  • Eine Mehrzahl von Abstandshaltern 460 können zwischen der Mehrzahl von Subpixeln angeordnet sein.
  • Der Abstandshalter 460 gemäß der vierten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist dadurch gekennzeichnet, dass er eine umgekehrt konische Form aufweist, in der eine obere Fläche breiter ist als eine untere Fläche. Dementsprechend kann ein Abschnitt einer lichtemittierenden Struktur 432 und einer Kathode 433, die auf dem Abstandshalter 460 gebildet sind, zwischen den Subpixeln unterbrochen (nicht durchgehend) sein, und ein seitlicher Leckstrom, der in einer Multistapelstruktur erzeugt wird, kann minimiert sein.
  • Insbesondere sind, um Qualität und Produktivität einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung zu verbessern, zum Verbessern von Effizienz, Lebensdauer und Stromverbrauch des lichtemittierenden Elements verschiedene lichtemittierende Elementstrukturen vorgeschlagen worden.
  • Dementsprechend sind neben einem lichtemittierenden Element, bei dem ein Stapel, das heißt eine lichtemittierende Struktur verwendet wird, zum Realisieren einer verbesserten Effizienz und Lebensdauer lichtemittierende Elemente vorgeschlagen worden, die eine Tandemstruktur aufweisen, bei der eine Mehrzahl von Stapeln, das heißt Stapeln einer Mehrzahl von lichtemittierenden Strukturen, verwendet werden.
  • In einem solchen lichtemittierenden Element der Tandemstruktur, das heißt einer Zweistapelstruktur unter Verwendung von Stapeln einer ersten lichtemittierenden Struktur und einer zweiten lichtemittierenden Struktur, ist ein Emissionsbereich, in dem Licht durch Rekombination von Elektronen und Löchern emittiert wird, in jeder von der ersten lichtemittierenden Struktur und der zweiten lichtemittierenden Struktur positioniert, und Licht, das von einer ersten Emissionsschicht der ersten Emissionsstruktur emittiert wird, und Licht, das von einer zweiten Emissionsschicht der zweiten Emissionsstruktur emittiert wird, können jeweils konstruktive Interferenz verursachen, so dass das lichtemittierende Element der Zweistapelstruktur im Vergleich zu einem lichtemittierenden Element einer Einstapelstruktur eine hohe Lichtausbeute bereitstellen kann.
  • Außerdem verringert sich ein Abstand zwischen einer Mehrzahl von Subpixeln, die ein Pixel in einem lichtemittierenden Element einrichten, wenn die lichtemittierende Anzeigevorrichtung eine höhere Auflösung aufweist. Organische Hilfsschichten, wie beispielsweise eine Lochinjektionsschicht EIL, eine Lochtransportschicht HTL, eine Ladungserzeugungsschicht CGL, eine Elektroneninjektionsschicht EIL, eine Elektronentransportschicht ETL und Ähnliches, abgesehen von einer Emissionsschicht, werden unter Verwendung einer gemeinsamen Maske derart abgeschieden, dass sie allen von der Mehrzahl von Subpixel entsprechen, und werden als gemeinsame Schichten gebildet, und die Emissionsschichten in den Mehrzahl von Subpixeln, die jeweils Licht unterschiedlicher Wellenlänge erzeugen, können einzeln abgeschieden und derart unter Verwendung einer Feinmaske gebildet werden, dass sie den jeweiligen Subpixeln entsprechen.
  • In dem Falle des oben beschriebenen lichtemittierenden Elements wird, wenn eine Spannung zwischen einer Anode und einer Kathode angelegt wird, durch die in dem lichtemittierenden Element gebildete gemeinsame Schicht ein seitlicher Leckstrom in einer seitlichen Richtung des lichtemittierenden Elements erzeugt. Dementsprechend tritt ein Farbmischfehler auf, da nicht nur Subpixel, bei denen eine Lichtemission erforderlich ist, sondern auch Subpixel, bei denen eine Lichtemission unerwünscht ist und die in deren Nähe angeordnet sind, Licht emittieren.
  • Ein solcher Farbmischungsfehler kann in dem lichtemittierenden Element der Zweistapelstruktur unter Verwendung von Stapeln der ersten lichtemittierenden Struktur und der zweiten lichtemittierenden Struktur, die konstruktive Interferenz von Licht verwendet, im Vergleich zu dem lichtemittierenden Element der Einstapelstruktur schwerwiegender sein.
  • Dementsprechend ist die vierte beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dadurch gekennzeichnet, dass ein Leckstrom aufgrund einer lichtemittierenden Struktur 432 zwischen benachbarten Subpixeln durch Anwenden des Abstandshalters 460, der eine umgekehrt konische Form aufweist, minimiert ist.
  • Außerdem ist die vierte beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dadurch gekennzeichnet, dass die Mehrzahl von Wasserstoffadsorptionsschichten 365 und 267 zwischen den Mehrzahl von Subpixeln angeordnet sind.
  • Das bedeutet, dass die vierte beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dadurch gekennzeichnet ist, dass die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 in dem Nicht-Emissionsbereich NEA, der verschieden ist von dem Emissionsbereich EA, in dem eine Anode 431 angeordnet ist, in dem Damm 315g gebildet ist, und die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 innerhalb der Planarisierungsschicht 115f gebildet ist.
  • Außerdem ist die Zwischenelektrode 126, die aus einer Wasserstoffadsorptionsschicht gebildet ist, zum Abschirmen der Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b auf der ersten Planarisierungsschicht 115e gebildet ist.
  • Dementsprechend ist es möglich, Eigenschaften und Zuverlässigkeit der Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b zu verbessern, indem der Zufluss von Wasserstoff in die Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b blockiert ist.
  • Insbesondere kann die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 unter dem Abstandshalter 460 angeordnet sein.
  • Wenn die Zwischenelektrode 126 als eine Wasserstoffadsorptionsschicht eingerichtet ist, kann die Zwischenelektrode 126 aus einem Metall gebildet sein, das eine Wasserstoffadsorptionsfähigkeit aufweist, wie beispielsweise Ti oder eine Ti-Legierung aus Ti/AllTi.
  • Außerdem können die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 aus einem Metall gebildet sein, das eine Wasserstoffadsorptionsfähigkeit aufweist, wie beispielsweise Ti oder eine Ti-Legierung aus Ti/AllTi.
  • Materialien, die die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 und die Zwischenelektrode 126 einrichten, können zusätzlich zu Ti Sc, V, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm, U und Ähnliches aufweisen, die eine ausgezeichnete Wasserstoffadsorptionsfähigkeit aufweisen.
  • Wie oben beschrieben, kann die Zwischenelektrode 126 derart angeordnet sein, dass die darunter liegenden Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b abgeschirmt sind.
  • Außerdem ist sie dadurch gekennzeichnet, dass ein Teilbereich des Damms 315g zwischen der Mehrzahl von Subpixeln entfernt ist, um dadurch den ersten Graben H1 zu bilden, und ein Teilbereich der zweiten Planarisierungsschicht 115f zwischen der Mehrzahl von Subpixeln entfernt ist, um dadurch den zweiten Graben H2 zu bilden. Der erste Graben H1 und zweite Graben H2 können in den Nicht-Emissionsbereichen NEA gebildet sein, in denen die Anode 431 und die Zwischenelektrode 126 nicht angeordnet sind.
  • Der erste Graben H1 und zweite Graben H2 können eine „U“-Form aufweisen und eine Neigung aufweisen, bei der die Seitenfläche in der Aufwärtsrichtung nach außen geneigt ist.
  • Außerdem können die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 in zugeordneter Weise auf Innenflächen des ersten Grabens H1 und des zweiten Grabens H2 angeordnet sein. In diesem Fall können die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 Neigungen aufweisen, deren Seitenflächen entlang der Formen des ersten Grabens H1 und des zweiten Grabens H2 in der Aufwärtsrichtung nach außen geneigt sind.
  • Da die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 eine „U“-Form aufweisen und eine Neigung aufweisen, bei der die Seitenfläche davon in der Aufwärtsrichtung nach außen geneigt ist, wie oben beschrieben, kann Licht, das zwischen der Kathode 433 und der Anode 431 emittiert wird, insbesondere eine Richtung des seitlich austretenden Lichts, in die Aufwärtsrichtung umgewandelt werden, wodurch die Lichtauskopplungseffizienz weiter verbessert sein kann.
  • Sie ist umso besser, je dicker die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 sind. In einigen Fällen können die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 eine Dicke von mindestens 300 Å aufweisen.
  • Wie oben beschrieben, kann der Damm 315g zum Füllen des Inneren des zweiten Grabens H2 ebenso auf der zweiten Wasserstoffadsorptionsschicht 267 gebildet sein.
  • Außerdem kann der Abstandshalter 460, der eine umgekehrt konische Form aufweist, zum Füllen des Inneren des ersten Grabens H1 ebenso auf der ersten Wasserstoffadsorptionsschicht 365 gebildet sein.
  • 10 ist eine Querschnittsansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer fünften beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Die fünfte beispielhafte Ausführungsform der 10 unterscheidet sich von der oben beschriebenen zweiten beispielhaften Ausführungsformen bis vierten beispielhaften Ausführungsform nur in Bezug auf Ausgestaltungen der Dämme 515g, einer Anode 531 und einer zweiten Planarisierungsschicht 115f, und andere Ausgestaltungen sind in dem Wesentlichen die gleichen, und somit wird eine doppelte Beschreibung weggelassen. Die gleichen Bezugszeichen werden für die gleichen Komponenten verwendet.
  • Bezugnehmend auf 10 kann die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der fünften beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Anzeigepanel 510 aufweisen, das in einen aktiven Bereich und einen nicht-aktiven Bereich unterteilt ist.
  • Es ist dadurch gekennzeichnet, dass Teilbereiche der zweiten Planarisierungsschicht 115f zwischen der Mehrzahl von Subpixeln entfernt sind, um dadurch einen ersten Graben H1 und einen zweiten Graben H2 zu bilden, und ein Teilbereich der zweiten Planarisierungsschicht 115f in dem Subpixel entfernt ist, um dadurch einen dritten Graben H3 zu bilden. Der erste Graben H1 und zweite Graben H2 können in Nicht-Emissionsbereichen NEA gebildet sein, in denen die Anode 531 und die Zwischenelektrode 126 nicht angeordnet sind, und der dritte Graben H3 kann in einem Emissionsbereich EA gebildet sein, in dem die Anode 531 und die Zwischenelektrode 126 angeordnet sind, das heißt, derart in dem Emissionsbereich EA gebildet sein, dass er die Anode 531 und die Zwischenelektrode 126 überlappt.
  • Der erste Graben bis dritte Graben H1, H2 und H3 können eine „U“-Form aufweisen und eine Neigung aufweisen, bei der eine Seitenfläche in einer Aufwärtsrichtung nach außen geneigt ist.
  • Außerdem können die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 in zugeordneter Weise auf den Innenflächen des ersten Grabens H1 und des zweiten Grabens H2 angeordnet sein, und die Anode 531 kann auf einer Innenfläche des dritten Grabens H3 angeordnet sein. Hierbei können die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 und die Anode 531 eine Neigung aufweisen, bei der die Seitenflächen davon entlang der Formen des ersten Grabens bis dritten Grabens H1, H2 und H3 in der Aufwärtsrichtung nach außen geneigt sind. Obwohl die fünfte beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, dass der erste Graben H1 und zweite Graben H2 gebildet sind und die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 jeweils auf den Innenflächen davon angeordnet sind, können die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 in Nicht-Öffnungsabschnitten der Dämme 515g auf der zweiten Planarisierungsschicht 115f angeordnet sein, ohne den ersten Graben H1 und zweiten Graben H2 zu bilden. In diesem Fall kann mindestens eine Wasserstoffadsorptionsschicht gleichzeitig mit der Anode 531 gebildet werden.
  • Da die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 und die Anode 531 eine „U“-Form aufweisen und eine Neigung aufweisen, bei der die Seitenfläche davon in der Aufwärtsrichtung nach außen geneigt ist, wie oben beschrieben, kann Licht, das zwischen der Kathode 133 und der Anode 531 emittiert wird, insbesondere eine Richtung des seitlich austretenden Lichts, in die Aufwärtsrichtung umgewandelt werden (siehe Pfeile der 10), wodurch eine Lichtauskopplung zu den Nicht-Emissionsbereichen NEA induziert wird, so dass die Lichtauskopplungseffizienz weiter verbessert sein kann.
  • Dies ist umso besser, je dicker die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 sind. In einigen Fällen können die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 eine Dicke von mindestens 300 Å aufweisen.
  • Die Dämme 515g können zum Füllen des Inneren des ersten Grabens H1 und des zweiten Grabens H2 auf der ersten Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweiten Wasserstoffadsorptionsschicht 267 gebildet sein. Jedoch kann in dem dritten Graben H3, der den Emissionsbereich EA überlappt, ein Abschnitt des Damms 515g entfernt sein, um dadurch eine Öffnung OP zu bilden, die einen Abschnitt der Anode 531 freilegt.
  • Mit anderen Worten, während der erste Graben bis dritte Graben H1, H2 und H3 in den Nicht-Emissionsbereichen NEA, die verschieden sind von dem Emissionsbereich EA, gebildet sind, das heißt in den Nicht-Öffnungsabschnitten der Dämme 515g ausgenommen die Öffnung OP, kann ein Abschnitt des dritten Grabens H3 durch die Öffnung OP freigelegt sein.
  • Wie oben beschrieben, sind in der fünften beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 365 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 in den Nicht-Emissionsbereichen NEAs in dem ersten Graben H1 und zweiten Graben H2 der zweiten Planarisierungsschicht 115f gebildet, um dadurch das Einströmen von Wasserstoff in die Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b zu blockieren, so dass Eigenschaften und Zuverlässigkeit der Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b verbessert sein können. Insbesondere kann, da der zweite Graben H2 eine größere Tiefe aufweist als der erste Graben H1, die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 derart angeordnet sein, dass sie entsprechend der Tiefe des zweiten Grabens H2 eine tiefere und größere Fläche aufweist, so dass es möglich ist, das Einströmen von Wasserstoff in die Oxid-Dünnschichttransistoren 120a und 120b weiter effektiv zu blockieren.
  • Außerdem nimmt, da die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 165 und zweite Wasserstoffadsorptionsschicht 267 aus Ti in den Nicht-Emissionsbereichen NEA, der verschieden ist von dem Emissionsbereich EA, gebildet sind, ein reflektierender Bereich zu, so dass ein Umgebungskontrastverhältnis (ACR) vorteilhaft erhöht sein kann. Außerdem nimmt, da die Anode 531 entlang der Form des dritten Grabens H3 der zweiten Planarisierungsschicht 115f, der den Emissionsbereich EA aufweist, gebildet ist, der reflektierende Bereich auf der geneigten Seitenfläche zu, so dass die Lichtauskopplungseffizienz weiter verbessert sein kann.
  • Obwohl nicht dargestellt, können im Vergleich zu den oben beschriebenen ersten beispielhaften Ausführungsform und zweiten beispielhaften Ausführungsform andere Ausgestaltungen der fünften beispielhaften Ausführungsform der 10 im Wesentlichen identisch angewendet werden, mit Ausnahme des dritten Grabens H3. Das bedeutet, dass in dem Nicht-Öffnungsabschnitt des Damms 515g die erste Wasserstoffadsorptionsschicht 167 oder zweiten Wasserstoffadsorptionsschicht 267 der ersten beispielhaften Ausführungsform oder zweiten beispielhaften Ausführungsform gebildet sein können, und in der Öffnung OP des Damm 515g, in dem der dritte Graben H3 angeordnet ist, kann die Anode 531 der fünften beispielhaften Ausführungsform gebildet sein. Mindestens eine Wasserstoffadsorptionsschicht kann gleichzeitig mit der Anode 531 gebildet werden.
  • In einigen Fällen können die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung auch wie folgt beschrieben werden:
    • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung bereitgestellt. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung weist ein Substrat, das in eine Mehrzahl von Subpixeln unterteilt ist, die einen Emissionsbereich und einem Nicht-Emissionsbereich aufweisen, einen Oxid-Dünnschichttransistor, der auf dem Substrat angeordnet ist, eine Planarisierungsschicht, die auf dem Oxid-Dünnschichttransistor angeordnet ist, eine Anode, die in dem Emissionsbereich auf der Planarisierungsschicht angeordnet ist, ein Damm, der auf der Anode und der Planarisierungsschicht angeordnet ist und eine Öffnung aufweist, die einen Abschnitt der Anode freilegt, eine erste Wasserstoff-Adsorptionsschicht, die in dem Nicht-Emissionsbereich auf der Planarisierungsschicht angeordnet ist; einen Abstandshalter, der auf der ersten Wasserstoffadsorptionsschicht angeordnet ist, und eine lichtemittierende Struktur und eine Kathode, die auf der freigelegten Anode, dem Damm und dem Abstandshalter angeordnet sind, auf.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann ferner eine auf der Kathode angeordnete Verkapselungsschicht aufweisen.
  • Der Abstandshalter kann derart angeordnet sein, dass er die erste Wasserstoffadsorptionsschicht überdeckt.
  • Die erste Wasserstoffadsorptionsschicht kann auf dem Damm angeordnet sein.
  • Der Damm unter dem Abstandshalter kann zum Bilden eines ersten Grabens entfernt sein, und die erste Wasserstoffadsorptionsschicht kann auf einer Innenfläche des ersten Grabens angeordnet sein.
  • Der Abstandshalter kann zum Füllen des Inneren des ersten Grabens auf der ersten Wasserstoffadsorptionsschicht angeordnet sein.
  • Der Abstandshalter kann eine umgekehrt konische Form aufweisen, bei der eine obere Fläche breiter ist als eine untere Fläche.
  • Ein Abschnitt der lichtemittierenden Struktur und der auf dem Abstandshalter angeordneten Kathode kann zwischen den Subpixeln unterbrochen (nichtdurchgehend) sein.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann ferner eine zweite Wasserstoffadsorptionsschicht aufweisen, die in dem Nicht-Emissionsbereich, der verschieden ist von dem Bereich, in dem die erste Wasserstoffadsorptionsschicht und der Abstandshalter angeordnet sind, auf dem Damm angeordnet ist.
  • Die erste Wasserstoffadsorptionsschicht und die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht können aus Ti oder einer Ti-Legierung aus Ti/Al/Ti gebildet sein.
  • Die erste Wasserstoffadsorptionsschicht und die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht können aus irgendeinem Metall aus Sc, V, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm und U gebildet sein.
  • Die Planarisierungsschicht kann eine erste Planarisierungsschicht, die auf dem Oxid-Dünnschichttransistor angeordnet ist, und eine zweite Planarisierungsschicht, die auf der ersten Planarisierungsschicht angeordnet ist, aufweisen.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann ferner eine Zwischenelektrode aufweisen, die auf der ersten Planarisierungsschicht angeordnet ist und die Anode und den Oxid-Dünnschichttransistor elektrisch verbindet.
  • Die Zwischenelektrode kann aus Ti oder einer Ti-Legierung aus Ti/Al/Tigebildet sein.
  • Die Zwischenelektrode kann aus irgendeinem Metall aus Sc, V, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm und U gebildet sein.
  • Die zweite Planarisierungsschicht in dem Nicht-Emissionsbereich kann entfernt sein, um dadurch einen zweiten Graben zu bilden, und die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann ferner eine zweite Wasserstoffadsorptionsschicht aufweisen, die auf einer Innenfläche des zweiten Grabens angeordnet ist.
  • Der zweite Graben kann durch Entfernen der zweiten Planarisierungsschicht in dem Nicht-Emissionsbereich, der verschieden ist von einem Bereich, in dem die Anode, die erste Wasserstoffadsorptionsschicht und die Zwischenelektrode angeordnet sind, eingerichtet sein.
  • Der erste Graben und der zweite Graben können eine „U“-Form aufweisen und eine Neigung aufweisen, in der eine Seitenfläche davon in einer Aufwärtsrichtung nach außen geneigt ist.
  • Die erste Wasserstoffadsorptionsschicht und die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht können eine „U“-Form aufweisen und eine Neigung aufweisen, in der die Seitenfläche außen in der Aufwärtsrichtung nach außen geneigt ist.
  • Der Damm kann auf der zweiten Wasserstoffadsorptionsschicht derart angeordnet sein, dass er das Innere des zweiten Grabens füllt.
  • Der Damm kann ferner einen Nicht-Öffnungsabschnitt aufweisen, der einen Abschnitt der Anode und die Planarisierungsschicht überdeckt, und die erste Wasserstoffadsorptionsschicht kann in dem Nicht-Öffnungsabschnitt des Damms angeordnet sein.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann ferner eine zweite Wasserstoffadsorptionsschicht aufweisen, die derart eingerichtet ist, dass sie eine größere Fläche oder eine größere Tiefe aufweist als die erste Wasserstoffadsorptionsschicht.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann ferner einen dritten Graben aufweisen, die durch Entfernen eines Teilbereichs der zweiten Planarisierungsschicht des Subpixels bereitgestellt ist, und die Anode kann auf einer Innenfläche des dritten Grabens angeordnet sein.
  • Der dritte Graben kann eine „U“-Form aufweisen und eine Neigung aufweisen, bei der eine Seitenfläche davon in einer Aufwärtsrichtung nach außen geneigt ist.
  • Obwohl die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen im Detail beschrieben worden sind, ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt und kann in vielen verschiedenen Formen ausgeführt werden, ohne von dem technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Daher sind die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung lediglich für illustrative Zwecke bereitgestellt, und es ist nicht beabsichtigt, dass das technische Konzept der vorliegenden Offenbarung darauf beschränk ist. Der Anwendungsbereich des technischen Konzepts der vorliegenden Offenbarung ist nicht hierauf beschränkt. Deshalb sollte es verstanden werden, dass die oben beschriebenen beispielhaften Ausführungsformen in alles Aspekten illustrativ sind und die vorliegende Offenbarung nicht einschränken.
  • Die verschiedenen oben beschriebenen Ausführungsformen können kombiniert werden, um weitere Ausführungsformen zu schaffen.
  • Diese und andere Änderungen können im Lichte der obigen detaillierten Beschreibung an den Ausführungsformen vorgenommen werden. Im Allgemeinen sollten die in den folgenden Ansprüchen verwendeten Begriffe nicht derart ausgelegt werden, dass sie die Ansprüche auf die in der Beschreibung und den Ansprüchen offengelegten spezifischen Ausführungsformen beschränken, sondern derart, dass sie alle möglichen Ausführungsformen aufweisen. Dementsprechend sind die Ansprüche nicht durch die Offenbarung beschränkt.

Claims (33)

  1. Eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100), aufweisend: ein Substrat (111), mit einer Mehrzahl von Subpixeln darauf, wobei das Substrat (111) einen Emissionsbereich (EA) und einen Nicht-Emissionsbereich (NEA) aufweist; einen Oxid-Dünnschichttransistor (120a, 120b), der auf dem Substrat (111) angeordnet ist; eine Planarisierungsschicht (115e, 115f), die auf dem Oxid-Dünnschichttransistor (120a, 120b) angeordnet ist; eine Anode (131), die in dem Emissionsbereich (EA) auf der Planarisierungsschicht (115e, 115f) angeordnet ist; einen Damm (115g), der auf der Anode (131) und der Planarisierungsschicht (115e, 115f) angeordnet ist und eine Öffnung (OP) aufweist, die einen Abschnitt der Anode (131) freilegt; eine erste Wasserstoffadsorptionsschicht (165), die in dem Nicht-Emissionsbereich (EA) auf der Planarisierungsschicht (115e, 115f) angeordnet ist; einen Abstandshalter (160), der auf der ersten Wasserstoffadsorptionsschicht (165) angeordnet ist; und eine lichtemittierende Struktur (132) und eine Kathode (133), die auf der freigelegten Anode (131), dem Damm (115g) und dem Abstandshalter (160) angeordnet sind.
  2. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, ferner aufweisend eine Verkapselungsschicht (150), die auf der Kathode (133) angeordnet ist.
  3. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei der Abstandshalter (160) derart angeordnet ist, dass er die erste Wasserstoffadsorptionsschicht (165) überdeckt.
  4. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 3, wobei die erste Wasserstoffadsorptionsschicht (165) auf dem Damm (115g) angeordnet ist.
  5. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Damm (315g) derart unter dem Abstandshalter (360) entfernt ist, dass dadurch ein erster Graben (H1) gebildet ist, wobei die erste Wasserstoffadsorptionsschicht (365) auf einer Innenfläche des ersten Grabens (H1) angeordnet ist.
  6. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 5, wobei der Abstandshalter (360) derart auf der ersten Wasserstoffadsorptionsschicht (365) angeordnet ist, dass ein Inneres des ersten Grabens (H1) gefüllt ist.
  7. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 5 oder 6, wobei der Abstandshalter (460) eine umgekehrt konische Form aufweist, bei der eine obere Fläche breiter ist als eine untere Fläche davon.
  8. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 7, wobei ein Abschnitt der lichtemittierenden Struktur (432) und der Kathode (433), die auf dem Abstandshalter (460) angeordnet sind, zwischen den Subpixeln unterbrochen sind.
  9. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 4, ferner aufweisend: eine zweite Wasserstoffadsorptionsschicht (167), die in dem Nicht-Emissionsbereich (NEA), der verschieden ist von einem Bereich, in dem die erste Wasserstoffadsorptionsschicht (165) und der Abstandshalter (160) angeordnet sind, auf dem Damm (115g) angeordnet ist.
  10. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 9, wobei die erste Wasserstoffadsorptionsschicht (165) und die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht (167) aus Ti oder einer Ti-Legierung aus Ti/Al/Ti gebildet sind.
  11. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 9, wobei die erste Wasserstoffadsorptionsschicht (165) und die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht (167) aus einem beliebigen Metall gebildet sind, das mindestens eines von Sc, V, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm und U aufweist.
  12. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 5 bis 8, wobei die Planarisierungsschicht (115e, 115f) aufweist, eine erste Planarisierungsschicht (115e), die auf dem Oxid-Dünnschichttransistor (120a, 120b) angeordnet ist; und eine zweite Planarisierungsschicht (115f), die auf der ersten Planarisierungsschicht (115e) angeordnet ist.
  13. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 12, ferner aufweisend: eine Zwischenelektrode (126), die auf der ersten Planarisierungsschicht (115e) angeordnet ist und die Anode (131) und den Oxid-Dünnschichttransistor (120a, 120b) elektrisch verbindet.
  14. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 13, wobei die Zwischenelektrode (126) aus Ti oder einer Ti-Legierung aus Ti/Al/Ti gebildet ist.
  15. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 13, wobei die Zwischenelektrode (126) aus einem beliebigen Metall gebildet ist, das mindestens von Sc, V, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm und U aufweist.
  16. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 12 bis 15, wobei die zweite Planarisierungsschicht (115f) in dem Nicht-Emissionsbereich (NEA) entfernt ist, um dadurch einen zweiten Graben (H2) zu bilden, wobei die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) ferner eine zweite Wasserstoffadsorptionsschicht (267) aufweist, die auf einer Innenfläche des zweiten Grabens (H2) angeordnet ist.
  17. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 16, wobei der zweite Graben (H2) durch Entfernen der zweiten Planarisierungsschicht (115f) in dem Nicht-Emissionsbereich (NEA) eingerichtet ist, der verschieden ist von einem Bereich, in dem die Anode (131), die erste Wasserstoffadsorptionsschicht (165) und die Zwischenelektrode (126) angeordnet sind.
  18. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 16 oder 17, wobei der erste Graben (H1) und der zweite Graben (H2) eine „U“-Form aufweisen und eine Neigung aufweisen, bei der eine Seitenfläche davon in einer Aufwärtsrichtung nach außen geneigt ist.
  19. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 18, wobei die erste Wasserstoffadsorptionsschicht (365) und die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht (267) eine „U“-Form aufweisen und eine Neigung aufweisen, bei der die Seitenfläche davon in der Aufwärtsrichtung nach außen geneigt ist.
  20. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 16 bis 19, wobei der Damm (315g) derart auf der zweiten Wasserstoffadsorptionsschicht (267) angeordnet ist, dass ein Inneres des zweiten Grabens (H2) gefüllt ist.
  21. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der Damm (515g) ferner einen Nicht-Öffnungsabschnitt aufweist, der einen Abschnitt der Anode (531) und der Planarisierungsschicht (115e, 115f) überdeckt, wobei die erste Wasserstoffadsorptionsschicht (365) in dem Nicht-Öffnungsabschnitt des Damms (515g) angeordnet ist.
  22. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 21, ferner aufweisend: eine zweite Wasserstoffadsorptionsschicht (167, 267), die derart eingerichtet ist, dass sie eine größere Fläche oder eine größere Tiefe aufweist als die erste Wasserstoffadsorptionsschicht (165, 365).
  23. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 12 bis 20, ferner aufweisend: einen dritten Graben (H3), der durch Entfernen eines Teilbereichs der zweiten Planarisierungsschicht (115f) des Subpixels bereitgestellt ist, wobei die Anode (531) auf einer Innenfläche des dritten Grabens (H3) angeordnet ist.
  24. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 23, wobei der dritte Graben (H3) eine „U“-Form aufweist und eine Neigung aufweist, in der eine Seitenfläche davon in einer Aufwärtsrichtung nach außen geneigt ist.
  25. Eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100), aufweisend: einen Dünnschichttransistor (120a, 120b), der über einem Substrat (111) angeordnet ist; eine Planarisierungsschicht (115e, 115f), die über dem Dünnschichttransistor (120a, 120b) angeordnet ist; eine Anodenschicht, die über der Planarisierungsschicht (115e, 115f) angeordnet ist; eine Dammschicht, die über der Planarisierungsschicht (115e, 115f) angeordnet ist, wobei die Dammschicht eine Öffnung (OP) aufweist, die einen Abschnitt der Anodenschicht freilegt; eine lichtemittierende Struktur (132), die über dem freigelegten Abschnitt der Anodenschicht angeordnet ist; und eine erste Wasserstoffadsorptionsschicht (126), die zwischen dem freigelegten Abschnitt der Anodenschicht und dem Dünnschichttransistor (120a, 120b) angeordnet ist.
  26. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 25, wobei: die erste Wasserstoffadsorptionsschicht (126) zwischen der lichtemittierenden Struktur (132) und dem Dünnschichttransistor (120a, 120b) angeordnet ist.
  27. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 25 oder 26, wobei: die erste Wasserstoffadsorptionsschicht (126) elektrisch mit einer Drain-Elektrode (123b) des Dünnschichttransistors (120a, 120b) verbunden ist.
  28. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 25 bis 27, wobei: die erste Wasserstoffadsorptionsschicht (126) eines von Ti oder einer Ti-Legierung aufweist.
  29. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 25 bis 28, ferner aufweisend: eine zweite Wasserstoffadsorptionsschicht (165, 167), die über der Planarisierungsschicht (115e, 115f) angeordnet ist.
  30. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 29, wobei: das Substrat (111) in eine Mehrzahl von Subpixeln unterteilt ist, die einen Emissionsbereich (EA) und einen Nicht-Emissionsbereich (NEA) aufweisen, wobei die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht (165, 167) in dem Nicht-Emissionsbereich (NEA) über der Planarisierungsschicht (115e, 115f) angeordnet ist.
  31. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 30, wobei: die zweite Wasserstoffadsorptionsschicht (165, 167) zwischen mindestens zwei der Mehrzahl von Subpixeln angeordnet ist.
  32. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 30 oder 31, wobei: die lichtemittierende Struktur (132) in dem Emissionsbereich (EA) über der Anodenschicht angeordnet ist.
  33. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 25 bis 32, wobei: der Dünnschichttransistor (120a, 120b) einen Oxid-Dünnschichttransistor (120a, 120b) aufweist.
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