DE102022122284A1 - Elektrolumineszenz-anzeigevorrichtung - Google Patents

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DE102022122284A1
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Yong-Il Kim
Byungjin Kim
Jinkwon Park
Wooseok JEONG
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Abstract

Eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) bereit, die ein Substrat (110), das in einen Anzeigebereich (AA) und einen Nicht-Anzeigebereich (NA) unterteilt ist, eine erste lichtblockierende Schicht (118) und eine Datenleitung (DL), die in dem Anzeigebereich (AA) auf dem Substrat (110) angeordnet sind, eine erste Pufferschicht (111), die auf der ersten lichtblockierenden Schicht (118) und der Datenleitung (DL) angeordnet ist, eine Halbleiterschicht (ACT1), die auf einem oberen Abschnitt der ersten Pufferschicht (111) angeordnet ist und aus einem Oxidhalbleiter gebildet ist, eine Gate-isolierende Schicht (113), die auf der Halbleiterschicht (ACT1) angeordnet ist, eine Gate-Elektrode (GE1), die auf der Gate-isolierenden Schicht (113) angeordnet ist, eine Schutzschicht (114) und eine erste Planarisierungsschicht (115), die auf einem oberen Abschnitt der Gate-Elektrode (GE1) angeordnet sind, eine Drain-Elektrode, die auf der Schutzschicht (114) angeordnet ist, die mittels Entfernens eines Teilbereichs der ersten Planarisierungsschicht (115) freigelegt ist, eine zweite Planarisierungsschicht (116), die auf der Drain-Elektrode und der ersten Planarisierungsschicht (115) angeordnet ist, und ein lichtemittierendes Element (120), das auf einem oberen Abschnitt der zweiten Planarisierungsschicht (116) angeordnet ist und eine Anode (121), einen lichtemittierenden Teil (122) und eine Kathode (123) aufweist, aufweist. Gemäß der vorliegenden Offenbarung kann die Anzahl von Maskenprozessen, die zum Herstellen eines Oxid-Dünnschichttransistors erforderlich sind, reduziert sein, wodurch eine Produktivität verbessert ist und die Anzahl von Prozessen und die Materialkosten reduziert sind.

Description

  • QUERVERWEIS AUF BEZOGENE ANMELDUNGEN
  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der Koreanischen Patentanmeldungen Nr. 10-2021-0117569, eingereicht am 3. September 2021, und Nr. 10-2021-0180509, eingereicht am 16. Dezember 2021 bei dem Koreanischen Patentamt.
  • HINTERGRUND
  • Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung und betrifft insbesondere eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung, die einen Oxid-Dünnschichttransistor verwendet.
  • Beschreibung der bezogenen Technik
  • In letzter Zeit werden Anzeigevorrichtungen, die elektrische Informationssignale visuell darstellen, in Übereinstimmung mit dem vollständigen Eintritt in das Informationszeitalter schnell weiterentwickelt. Verschiedene Studien werden fortlaufend durchgeführt, um eine Vielzahl von Anzeigevorrichtungen zu entwickeln, die dünn sind und ein geringes Gewicht, einen niedrigen Energieverbrauch und verbesserte Leistungsfähigkeit aufweisen.
  • Stellvertretend für Anzeigevorrichtungen sind Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen (LCD), eine Elektrobenetzung-Anzeigevorrichtung (EWD), eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (OLED) und Ähnliches genannt.
  • Unter den Anzeigevorrichtungen bezieht sich eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung, die die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung aufweist, auf eine Anzeigevorrichtung, die selbstständig Licht emittiert. Anders als eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung erfordert die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung keine separate Lichtquelle und kann somit als eine dünne Anzeigevorrichtung mit geringem Gewicht hergestellt werden. Außerdem ist die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung in Bezug auf den Energieverbrauch vorteilhaft, da die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung bei einer geringen Spannung betrieben wird. Des Weiteren ist davon auszugehen, dass die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung in verschiedenen Gebieten angenommen wird, da die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung auch beim Implementieren von Farben, in den Ansprechgeschwindigkeiten, Betrachtungswinkeln und Kontrastverhältnissen (CRs) hervorragend ist.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung ist derart eingerichtet, dass eine lichtemittierende Schicht, die aus einem organischen Material gebildet ist, zwischen zwei Elektroden angeordnet ist, die als Anode und Kathode bezeichnet werden. Des Weiteren werden, wenn positive Löcher von der Anode in die lichtemittierende Schicht injiziert werden und Elektronen von der Kathode in die lichtemittierende Schicht injiziert werden, die injizierten Elektronen und positiven Löcher rekombiniert und erzeugen in einer lichtemittierenden Schicht Exzitonen.
  • ÜBERBLICK
  • Ein mittels der vorliegenden Offenbarung zu erreichendes Ziel ist es, eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die einen Oxid-Dünnschichttransistor verwendet, der mittels einer reduzierten Anzahl von Maskenprozessen gebildet ist.
  • Ein weiteres mittels der vorliegenden Offenbarung zu erreichendes Ziel ist es, eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die einen Oxid-Dünnschichttransistor verwendet, der Eigenschaften aufweist, die durch das Blockieren von Wasserstoff aus einer Abdichtungsschicht oder der Außenseite verbessert sind.
  • Wiederum ein weiteres mittels der vorliegenden Offenbarung zu erreichendes Ziel ist es, eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die einen Oxid-Dünnschichttransistor verwendet, in dem eine Laderate eines Speicherkondensators mittels Absenkens einer parasitären Kapazität erhöht ist.
  • Ziele der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben genannten Ziele beschränkt, und andere Ziele, die oben nicht erwähnt sind, sind dem Fachmann aus den folgenden Beschreibungen klar verständlich.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung werden Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtungen gemäß den unabhängigen Ansprüchen bereitgestellt. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben. Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung ein Substrat, das in einen Anzeigebereich und einen Nicht-Anzeigebereich unterteilt ist, eine erste lichtblockierende Schicht und eine Datenleitung, die in dem Anzeigebereich auf dem Substrat angeordnet sind, eine erste Pufferschicht, die auf der ersten lichtblockierenden Schicht und der Datenleitung angeordnet ist, eine Halbeleiterschicht, die auf einem oberen Abschnitt der ersten Pufferschicht angeordnet ist und aus einem Oxidhalbleiter gebildet ist, eine Gate-isolierende Schicht, die auf der Halbleiterschicht angeordnet ist, eine Gate-Elektrode, die auf der Gate-isolierenden Schicht angeordnet ist, eine Schutzschicht und eine erste Planarisierungsschicht, die auf einem oberen Abschnitt der Gate-Elektrode angeordnet sind, eine Drain-Elektrode, die auf der Schutzschicht angeordnet ist, die mittels Entfernens eines Teilbereichs der ersten Planarisierungsschicht freigelegt ist, eine zweite Planarisierungsschicht, die auf der Drain-Elektrode und der ersten Planarisierungsschicht angeordnet ist, und ein lichtemittierendes Element, das auf einem oberen Abschnitt der zweiten Planarisierungsschicht angeordnet ist und eine Anode, einen lichtemittierenden Teil und eine Kathode aufweist, auf.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung ein Substrat, das in einen Anzeigebereich und einen Nicht-Anzeigebereich unterteilt ist, eine erste lichtblockierende Schicht und eine Datenleitung, die in dem Anzeigebereich auf dem Substrat angeordnet sind, eine erste Pufferschicht, die auf der ersten lichtblockierenden Schicht und der Datenleitung angeordnet ist, eine Halbleiterschicht, die auf einem oberen Abschnitt der ersten Pufferschicht angeordnet ist und aus einem Oxidhalbleiter gebildet ist, eine Gate-isolierende Schicht, die auf der Halbleiterschicht gebildet ist, eine Gate-Elektrode, die auf der Gate-isolierenden Schicht gebildet ist, eine erste Planarisierungsschicht, die auf der Gate-Elektrode angeordnet ist, eine Drain-Elektrode, die auf der Gate-isolierenden Schicht angeordnet ist, die mittels Entfernens eines Teilbereichs der ersten Planarisierungsschicht freigelegt ist, eine zweite Planarisierungsschicht, die auf der Drain-Elektrode und der ersten Planarisierungsschicht angeordnet ist, und ein lichtemittierendes Element, das auf einem oberen Abschnitt der zweiten Planarisierungsschicht angeordnet ist und das eine Anode, einen lichtemittierenden Teil und eine Kathode aufweist.
  • Andere detaillierte Gegenstände der beispielhaften Ausführungsformen sind in der detaillierten Beschreibung und den Zeichnungen enthalten.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung kann die Anzahl von Maskenprozessen, die zum Herstellen des Oxid-Dünnschichttransistors erforderlich sind, reduziert sein, wodurch eine Produktivität verbessert ist und die Anzahl von Prozessen und Materialkosten reduziert sind.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung sind die Drain-Elektroden, die dazu dienen, Wasserstoff abzufangen, über den Oxid-Dünnschichttransistoren gebildet, wodurch sie verhindern, dass Wasserstoff in die Oxid-Dünnschichttransistoren eindringt. Deshalb ist es möglich, Eigenschaften und Zuverlässigkeit der Transistoren zu verbessern.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung sind das Lichtblockierende-Schicht-Kontaktloch und das Drain-Kontaktloch derart angeordnet, dass sie einander überlappen, und der vertikale Niveauunterschied zwischen den identischen Typen von Elektroden ist derart gebildet, dass die parasitäre Kapazität reduziert sein kann, wodurch die Laderate des Speicherkondensators erhöht ist.
  • Die Effekte gemäß der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben beispielhaft aufgeführten Inhalte beschränkt, und verschiedene Effekte sind in der vorliegenden Anmeldung enthalten.
  • Figurenliste
  • Die oben genannten und weitere Aspekte, Merkmale und weitere Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden klarer verständlich werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung zusammen mit den begleitenden Zeichnungen, in denen:
    • 1 eine schematische Ausgestaltungsansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist;
    • 2 eine Draufsicht von oben der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung der 1 ist;
    • 3 eine Querschnittansicht ist, die einen Querschnitt entlang einer Linie III-III' der 2 aufweist;
    • 4 eine vergrößerte Ansicht eines Teils A der 3 ist;
    • 5 eine vergrößerte Ansicht eines Teils B der 3 ist;
    • 6 eine Querschnittansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist; und
    • 7 eine Querschnittansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORM
  • Vorteile und Eigenschaften der vorliegenden Offenbarung und eines Verfahrens zum Erzielen der Vorteile und Eigenschaften werden unter Bezugnahme auf folgende beispielhafte Ausführungsformen bekannt gemacht, die im Folgenden zusammen mit den beigefügten Zeichnungen im Detail beschrieben werden. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf die hierin offenbarten beispielhaften Ausführungsformen beschränkt, sondern wird in verschiedenen Formen implementiert. Die beispielhaften Ausführungsformen sind lediglich beispielhaft bereitgestellt, so dass der Fachmann die Offenbarungen der vorliegenden Offenbarung und den Anwendungsbereich der vorliegenden Offenbarung vollständig verstehen kann. Deshalb wird die vorliegende Offenbarung lediglich durch den Anwendungsbereich der angehängten Ansprüche definiert.
  • Die Formen, Größen, Verhältnisse, Winkel, Anzahlen und Ähnliches, die in den beigefügten Zeichnungen zum Beschreiben der beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dargestellt sind, sind lediglich Beispiele, und die vorliegende Offenbarung ist nicht hierauf beschränkt. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich im Allgemeinen über die Anmeldung hinweg auf gleiche Elemente. Des Weiteren kann in der folgenden Beschreibung der vorliegenden Offenbarung eine detaillierte Erläuterung von bekannten bezogenen Technologien weggelassen werden, um zu verhindern, dass der Gegenstand der vorliegenden Offenbarung unnötigerweise verschleiert wird. Die Begriffe, wie beispielsweise „aufweisen“, „haben“ und „bestehen aus“, wie hierin verwendet, sind im Allgemeinen dazu vorgesehen, dass weitere Komponenten hinzugefügt werden können, außer wenn die Begriffe mit dem Begriff „nur“ verwendet werden. Jegliche Bezeichnungen in der Einzahl können die Mehrzahl umfassen, außer wenn das Gegenteil ausdrücklich bestimmt ist.
  • Komponenten sind derart ausgelegt, dass sie einen gewöhnlichen Fehlerbereich aufweisen, auch wenn dies nicht ausdrücklich bestimmt ist.
  • Beim Beschreiben der räumlichen Beziehung zwischen zwei Teilen unter der Verwendung der Begriffe, wie beispielsweise „auf“, „über“, „unter“ und „neben“, können ein oder mehrere Teile zwischen den zwei Teilen angeordnet sein, außer wenn die Begriffe mit dem Begriff „unmittelbar“ oder „direkt“ verwendet werden.
  • Wenn ein Element oder eine Schicht „auf“ einem anderen Element oder einer anderen Schicht angeordnet ist, kann eine weitere Schicht oder ein weiteres Element direkt auf dem anderen Element oder dazwischen eingefügt sein.
  • Obwohl die Begriffe „erster“, „zweiter“ und Ähnliches zum Beschreiben von verschiedenen Komponenten verwendet werden, sind diese Komponenten durch diese Begriffe nicht eingeschränkt. Diese Begriffe werden lediglich dazu verwendet, eine Komponente von den anderen Komponenten zu unterscheiden. Deshalb kann eine im Folgenden genannte erste Komponente in einem technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung eine zweite Komponente sein.
  • Gleiche Bezugszeichen beziehen sich im Allgemeinen über die Anmeldung hinweg auf gleiche Elemente.
  • Eine Größe und eine Dicke von jeder in der Zeichnung dargestellten Komponente sind zur Bequemlichkeit der Beschreibung dargestellt, und die vorliegende Offenbarung ist durch die dargestellte Größe und Dicke der Komponente nicht eingeschränkt.
  • Die Merkmale verschiedener Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder vollständig aneinander befestigt oder miteinander kombiniert sein und können ineinandergreifen und in technisch verschiedenen Weisen miteinander betrieben werden, und die Ausführungsformen können unabhängig voneinander oder in Verbindung miteinander ausgeführt werden.
  • Im Folgenden werden verschiedene beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen im Detail beschrieben werden.
  • 1 ist eine schematische Ausgestaltungsansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Bezugnehmend auf 1 kann eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Anzeigepanel PN, das eine Mehrzahl von Subpixeln SP aufweist, einen Gate-Treiber GD und einen Datentreiber DD, die dazu eingerichtet sind, dem Anzeigepanel PN verschiedene Typen von Signalen zuzuführen, und eine Zeitablaufsteuerung TC, die dazu eingerichtet ist, den Gate-Treiber GD und den Datentreiber DD zu steuern, aufweisen.
  • Der Gate-Treiber GD kann einer Mehrzahl von Abtastleitungen SL basierend auf einer Mehrzahl von Gate-Steuersignalen GCS, die von der Zeitablaufsteuerung TC bereitgestellt werden, eine Mehrzahl von Abtastsignalen zuführen. Die Mehrzahl von Abtastsignalen können ein erstes Abtastsignal SCAN1 und ein zweites Abtastsignal SCAN2 aufweisen.
  • Der Datentreiber DD kann Bilddaten RGB, die von der Zeitablaufsteuerung TC eingegeben werden, basierend auf der Mehrzahl von Datensteuersignalen DCS, die von der Zeitablaufsteuerung TC bereitgestellt werden, unter Verwendung einer Referenzgammaspannung in ein Datensignal Vdaten umwandeln. Des Weiteren kann der Datentreiber DD das umgewandelte Datensignal Vdaten einer Mehrzahl von Datenleitungen DL zuführen.
  • Die Zeitablaufsteuerung TC kann die Bilddaten RGB, die von außen eingegeben werden, ausrichten und dem Datentreiber DD die ausgerichteten Bilddaten RGB zuführen. Die Zeitablaufsteuerung TC kann unter Verwendung eines von außen eingegebenen Synchronisationssignals SYNC ein Gate-Steuersignal GCS und ein Datensteuersignal DCS erzeugen.
  • Im Folgenden wird eine Pixelstruktur der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf 2 und 3 genauer beschrieben werden.
  • 2 ist eine Draufsicht von oben der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung der 1.
  • 3 ist eine Querschnittansicht, die einen Querschnitt entlang einer Linie III-III' der 2 aufweist.
  • 4 ist eine vergrößerte Ansicht eines Teils A der 3.
  • 5 ist eine vergrößerte Ansicht eines Teils B der 3.
  • 2 stellt eine Pixelstruktur eines einzelnen Subpixels SP dar. 3 stellt einen Teil eines Anzeigebereichs AA und einen Teil eines Nicht-Anzeigebereichs NA, der einen Pad-Bereich aufweist, dar.
  • Zur Bequemlichkeit stellt 2 lediglich eine Anode 121 eines lichtemittierenden Elements 120 dar.
  • Zunächst kann die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Anzeigepanel, einen flexiblen Film und eine Leiterplatte aufweisen.
  • Das Anzeigepanel ist ein Panel, das dazu eingerichtet ist, einem Anwender Bilder anzuzeigen.
  • Das Anzeigepanel kann ein Anzeigeelement, das dazu eingerichtet ist, Bilder anzuzeigen, ein Ansteuerungselement, das dazu eingerichtet ist, das Anzeigeelement zu betreiben, und Leitungen, die dazu eingerichtet sind, verschiedene Typen von Signalen zu dem Anzeigeelement und dem Ansteuerungselement zu übertragen. Verschiedene Anzeigeelemente können in Abhängigkeit von den Typen von Anzeigepanels definiert sein. Zum Beispiel kann in einem Fall, in dem das Anzeigepanel ein Elektrolumineszenz-Anzeigepanel ist, das Anzeigeelement ein lichtemittierendes Element sein, das eine Anode, eine organische lichtemittierende Schicht und eine Kathode aufweist.
  • Im Folgenden wird die Annahme getroffen, dass das Anzeigepanel das Elektrolumineszenz-Anzeigepanel ist. Jedoch ist das Anzeigepanel nicht auf das Elektrolumineszenz-Anzeigepanel beschränkt.
  • Bezugnehmend auf 2 und 3 kann das Anzeigepanel den Anzeigebereich AA und den Nicht-Anzeigebereich NA aufweisen.
  • Der Anzeigebereich AA ist ein Bereich des Anzeigepanels, in dem Bilder angezeigt werden.
  • Der Anzeigebereich AA kann eine Mehrzahl von Subpixeln SP, die die Mehrzahl von Pixeln einrichten, und einen Schaltkreis, der dazu eingerichtet ist, die Mehrzahl von Subpixeln SP zu betreiben, aufweisen. Die Mehrzahl von Subpixeln SP sind Minimaleinheiten, die den Anzeigebereich AA einrichten. Das Anzeigeelement kann in jedem von der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet sein. Die Mehrzahl von Subpixeln SP können das Pixel einrichten. Zum Beispiel können die Mehrzahl von Subpixeln SPjeweils das lichtemittierende Element 120 aufweisen, das die Anode 121, einen lichtemittierenden Teil 122 und eine Kathode 123 aufweist. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Außerdem kann der Schaltkreis, der dazu eingerichtet ist, die Mehrzahl von Subpixeln SP zu betreiben, Ansteuerungselemente, Leitungen und Ähnliches aufweisen. Zum Beispiel kann der Schaltkreis Dünnschichttransistoren T1 und T4, einen Speicherkondensator, eine Abtastleitung SL, eine Datenleitung DL und Ähnliches aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die Mehrzahl von Subpixeln SP können ein erstes Subpixel, ein zweites Subpixel und ein drittes Subpixel aufweisen, die Lichtstrahlen verschiedener Farben emittieren. Zum Beispiel kann das erste Subpixel ein grünes Subpixel sein, das zweite Subpixel kann ein rotes Subpixel sein, und das dritte Subpixel kann ein blaues Subpixel sein. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Die Anordnung der Mehrzahl von Subpixeln SP, die Anzahl von Subpixeln und die Farbkombination können in Übereinstimmung mit der Ausgestaltung verschieden geändert sein, und die vorliegende Offenbarung ist nicht hierauf beschränkt.
  • Der Nicht-Anzeigebereich NA ist ein Bereich, in dem kein Bild angezeigt wird.
  • Der Anzeigebereich AA und der Nicht-Anzeigebereich NA können für die Ausgestaltung einer elektronischen Vorrichtung, die mit der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung ausgestattet ist, geeignet sein.
  • Verschiedene Leitungen und Schaltkreise zum Betreiben des lichtemittierenden Elements 120 in dem Anzeigebereich AA können in dem Nicht-Anzeigebereich NA angeordnet sein. Zum Beispiel kann der Nicht-Anzeigebereich NA Pad-Leitungen PAD oder Verbindungsleitungen zum Übertragen von Signalen zu der Mehrzahl von Subpixeln SP und dem Schaltkreis in dem Anzeigebereich AA aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Der Nicht-Anzeigebereich NA kann einen Treiber-IC, wie beispielsweise einen Gate-Treiber-IC und einen Datentreiber-IC aufweisen.
  • In diesem Falle kann der Gate-Treiber-IC unabhängig von dem Anzeigepanel gebildet sein und in verschiedenen Weisen elektrisch mit dem Anzeigepanel verbunden sein. Jedoch kann der Gate-Treiber-IC in einer Gate-in-Panel (GIP)-Weise derart eingerichtet sein, dass er in dem Anzeigepanel angebracht ist.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann verschiedene zusätzliche Elemente aufweisen, die dazu eingerichtet sind, verschiedene Signale zu erzeugen oder die Pixel in dem Anzeigebereich AA zu betreiben. Die zusätzlichen Elemente zum Betreiben des Pixels können einen Inverterschaltkreis, einen Multiplexer, einen Elektrostatische-Entladung (ESD)-Schaltkreis und Ähnliches aufweisen. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann auch zusätzliche Elemente aufweisen, die mit anderen Funktionen in Beziehung stehen als die Funktion, das Pixel zu betreiben. Zum Beispiel kann die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung zusätzliche Elemente aufweisen, die eine Berührungsermittlungsfunktion, eine Anwender-Bestätigungsfunktion (beispielsweise eine Fingerabdruckerkennung), eine mehrstufige Druckerkennungsfunktion, eine Taktiles-Feedback-Funktion und Ähnliches aufweisen. Die zusätzlichen Elemente können in dem Nicht-Anzeigebereich NA und/oder einem externen Schaltkreis, der mit einer Verbindungsschnittstelle verbunden ist, positioniert sein.
  • Der flexible Film ist ein Film zum Zuführen von Signalen zu der Mehrzahl von Subpixeln SP und dem Schaltkreis in dem Anzeigebereich AA. Der flexible Film kann elektrisch mit dem Anzeigepanel verbunden sein. Der flexible Film ist an einem Ende des Nicht-Anzeigebereichs NA des Anzeigepanels angeordnet. Der flexible Film kann der Mehrzahl von Subpixeln SP und dem Schaltkreis in dem Anzeigebereich eine Netzspannung, eine Datenspannung und Ähnliches zuführen. Zum Beispiel kann der Treiber-IC, wie beispielsweise der Datentreiber-IC, auf dem flexiblen Film angeordnet sein.
  • Die Leiterplatte kann an einem Ende des flexiblen Films angeordnet und mit dem flexiblen Film verbunden sein. Die Leiterplatte ist eine Komponente, die dazu eingerichtet ist, dem Ansteuerungs-IC Signale zuzuführen. Die Leiterplatte kann dem Ansteuerungs-IC verschiedene Signale, wie beispielsweise Ansteuerungssignale, Datensignale und Ähnliches, zuführen.
  • Die Pixelstruktur wird ausdrücklich beschrieben werden. Ein Substrat 110 kann in den Anzeigebereich AA und den Nicht-Anzeigebereich NA, der außerhalb des Anzeigebereichs AA angeordnet ist, unterteilt sein.
  • Die Dünnschichttransistoren T1 und T4, das lichtemittierende Element 120 und eine Abdichtungsschicht (nicht dargestellt) können in dem Anzeigebereich AA auf einem oberen Abschnitt des Substrats 110 angeordnet sein.
  • Die Pad-Leitung PAD und die Abdichtungsschicht können in dem Nicht-Anzeigebereich NA auf dem oberen Abschnitt des Substrats 110 angeordnet sein.
  • Das Substrat 110 dient dazu, die Komponenten der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung, die auf dem oberen Abschnitt des Substrats 110 angeordnet sind, zu unterstützen und zu schützen.
  • In letzter Zeit kann das flexible Substrat 110 aus einem flexiblen Material, wie beispielsweise Kunststoff, der Flexibilität aufweist, gebildet sein.
  • Das flexible Substrat 110 kann in der Form eines Films bereitgestellt sein, der aus einem ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Polyester-basiertem Polymer, Silizium-basiertem Polymer, Acryl-Polymer, Polyolefin-basiertem Polymer und einem Copolymer daraus gebildet sein.
  • Erste lichtblockierende Schichten 118 und 119 können auf dem Substrat 110 angeordnet sein.
  • Die ersten lichtblockierenden Schichten 118 und 119 können in dem Anzeigebereich AA unter den Dünnschichttransistoren T1 und T4 angeordnet sein.
  • Die ersten lichtblockierenden Schichten 118 und 119 können aus einem metallischen Material gebildet sein, das eine lichtblockierende Funktion aufweist, um zu verhindern, dass Licht von außen in die Halbleiterschichten ACT1 und ACT4 der Dünnschichttransistoren T1 und T4 eindringt.
  • Die ersten lichtblockierenden Schichten 118 und 119 können als eine einzelne Schicht eingerichtet sein. Jedoch sind zur Bequemlichkeit die ersten lichtblockierenden Schichten 118 und 119 in eine rechte erste lichtblockierende Schicht 118 und eine linke erste lichtblockierende Schicht 119 unterteilt.
  • Die ersten lichtblockierenden Schichten 118 und 119 können jeweils als eine einzelne Schicht oder eine mehrlagige Schicht eingerichtet sein, die aus irgendeinem von lichtundurchlässigen Metallmaterialien, wie beispielsweise Aluminium (AI), Chrom (Cr), Wolfram (W), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Molybdän (Mo), Kupfer (Cu), und einer Legierung daraus gebildet ist.
  • Die Datenleitung DL, eine Hochpotential-Stromleitung HPPL und eine Niederpotential-Stromleitung LPPL können auf dem Substrat 110 des Anzeigebereichs AA angeordnet sein.
  • Außerdem kann die Pad-Leitung PAD in dem Nicht-Anzeigebereich NA auf dem Substrat 110 angeordnet sein.
  • Die Datenleitung DL, die Hochpotential-Stromleitung HPPL, die Niederpotential-Stromleitung LPPL, und die Pad-Leitung PAD können auf der gleichen Schicht und aus dem gleichen Material gebildet sein wie die ersten lichtblockierenden Schichten 118 und 119. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Eine erste Pufferschicht 111 kann auf dem Substrat 110 angeordnet sein, auf dem die ersten lichtblockierenden Schichten 118 und 119, die Datenleitung DL, die Hochpotential-Stromleitung HPPL, die Niederpotential-Stromleitung LPPL und die Pad-Leitung PAD angeordnet sind.
  • Die erste Pufferschicht 111 kann als eine einzelne isolierende Schicht eingerichtet sein oder kann eine Struktur aufweisen, in der eine Mehrzahl von isolierenden Schichten gestapelt sind, um ein Eindringen von Fremdmaterialien, die von dem Substrat 110 eingeführt werden, zu verhindern, die Feuchtigkeit oder Sauerstoff aufweisen. In diesem Falle kann die erste Pufferschicht 111 als eine einlagige Schicht oder eine mehrlagige Schicht eingerichtet sein, die aus einem anorganischen isolierenden Material, wie beispielsweise Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx) oder Aluminiumoxid (AlOx), gebildet ist. Die erste Pufferschicht 111 kann in Abhängigkeit der Typen der Dünnschichttransistoren T1 und T4 weggelassen werden.
  • Zweite lichtblockierende Schichten 128 und 129 können auf der ersten Pufferschicht 111 angeordnet sein.
  • Die zweiten lichtblockierenden Schichten 128 und 129 können in dem Anzeigebereich AA unter den Dünnschichttransistoren T1 und T4 angeordnet sein.
  • Die zweiten lichtblockierenden Schichten 128 und 129 können aus einem Metallmaterial gebildet sein, das eine lichtblockierende Funktion aufweist, um zu verhindern, dass von außen einfallendes Licht in die Halbleiterschichten ACT1 und ACT4 der Dünnschichttransistoren T1 und T4 eindringt.
  • Die zweiten lichtblockierenden Schichten 128 und 129 können als eine einzelne Schicht eingerichtet sein. Jedoch sind zur Bequemlichkeit die zweiten lichtblockierenden Schichten 128 und 129 in eine rechte zweite lichtblockierende Schicht 128 und eine linke zweite lichtblockierende Schichte 129 unterteilt.
  • Die rechte zweite lichtblockierende Schicht 128 und die linke zweite lichtblockierende Schicht 129 können in zugeordneter Weise über der rechten ersten lichtblockierenden Schicht 118 und der linken ersten lichtblockierenden Schicht 119 angeordnet sein und den Speicherkondensator ausbilden.
  • Die zweiten lichtblockierenden Schichten 128 und 129 können jeweils als eine einlagige Schicht oder eine mehrlagige Schicht aus irgendeinem lichtundurchlässigen Metallmaterial, wie beispielsweise Aluminium (AI), Chrom (Cr), Wolfram (W), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Molybdän (Mo), Kupfer (Cu), und einer Legierung daraus gebildet sein.
  • Hierbei können die ersten lichtblockierenden Schichten 118 und 119 und die zweiten lichtblockierenden Schichten 128 und 129 jeweils aus einem Metall, wie beispielsweise Ti, das ein Wasserstofffangvermögen aufweist, oder eine Ti-Legierung, wie beispielsweise Ti/Al/Ti, gebildet sein.
  • Die Materialien, die die ersten lichtblockierenden Schichten 118 und 119 und die zweiten lichtblockierenden Schichten 128 und 129 ausbilden, können Sc, V, Mn, Fe, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm, U und Ähnliches zusätzlich zu Ti aufweisen, die hervorragendes Wasserstofffangvermögen aufweisen.
  • Eine zweite Pufferschicht 112 kann auf den zweiten lichtblockierenden Schichten 128 und 129 angeordnet sein.
  • Die zweite Pufferschicht 112 kann als eine einzelne isolierende Schicht eingerichtet sein oder eine Struktur aufweisen, in der eine Mehrzahl von isolierenden Schichten gestapelt sind, um das Eindringen von von dem Substrat 110 eingeführten Fremdsubstanzen, die Feuchtigkeit oder Sauerstoff aufweisen, zu blockieren. Die zweite Pufferschicht 112 kann als eine einlagige Schicht oder eine mehrlagige Schicht eingerichtet sein, die aus einem anorganischen isolierenden Material, wie beispielsweise Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Aluminiumoxid, gebildet ist. Die zweite Pufferschicht 112 kann in Abhängigkeit von den Typen von Dünnschichttransistoren T1 und T4 weggelassen werden.
  • Ein erstes Kontaktloch 140a kann mittels Entfernens eines Teilbereichs der ersten Pufferschicht 111 und eines Teilbereichs der zweiten Pufferschicht 112 gebildet sein. Ein Teil der rechten ersten lichtblockierenden Schicht 118 ist durch das erste Kontaktloch 140a freigelegt.
  • Außerdem kann ein zweites Kontaktloch 140b mittels Entfernens eines Teilbereichs der ersten Pufferschicht 111 und eines Teilbereichs der zweiten Pufferschicht 112 gebildet sein. Ein Teil der Datenleitung DL kann durch das zweite Kontaktloch 140b freigelegt sein.
  • Ein drittes Kontaktloch 140c kann mittels Entfernens eines Teilbereichs der ersten Pufferschicht 111 und eines Teilbereichs der zweiten Pufferschicht 112 gebildet sein. Ein Teil der linken ersten lichtblockierenden Schicht 119 kann durch das dritte Kontaktloch 140c freigelegt sein.
  • Ein viertes Kontaktloch 140d kann mittels Entfernens eines Teilbereichs der ersten Pufferschicht 111 und eines Teilbereichs der zweiten Pufferschicht 112 gebildet sein. Ein Teil der Hochpotential-Stromleitung HPPL kann durch das vierte Kontaktloch 140d freigelegt sein.
  • Ein fünftes Kontaktloch kann mittels Entfernens eines Teilbereichs der ersten Pufferschicht 111 und eines Teilbereichs der zweiten Pufferschicht 112 gebildet sein. Ein Teil der Niederpotential-Stromleitung LPPL kann durch das fünfte Kontaktloch freigelegt sein.
  • Ein sechstes Kontaktloch kann mittels Entfernens eines Teilbereichs der ersten Pufferschicht 111 und eines Teilbereichs der zweiten Pufferschicht 112 gebildet sein. Ein Teil der Pad-Leitung PAD kann durch das sechste Kontaktloch freigelegt sein.
  • Die Dünnschichttransistoren T1 und T4 können auf einem oberen Abschnitt der zweiten Pufferschicht 112 angeordnet sein.
  • Der erste Dünnschichttransistor T1 in dem Anzeigebereich AA kann ein Schalttransistor sein. Der vierte Dünnschichttransistor T4 kann ein Ansteuerungstransistor sein. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung kann ebenso einen Ermittlungstransistor, einen Kompensationsschaltkreis und Ähnliches aufweisen.
  • Der erste Dünnschichttransistor T1 wird mittels eines Gate-Impulses, der durch die Abtastleitung SL zugeführt wird, eingeschaltet. Der erste Dünnschichttransistor T1 überträgt eine durch die Datenleitung DL zugeführte Datenspannung zu einer vierten Gate-Elektrode GE4 des Ansteuerungstransistors T4. Zu diesem Zweck kann der erste Dünnschichttransistor T1 eine erste Gate-Elektrode GE1, eine erste Halbleiterschicht ACT1, eine erste Source-Elektrode und eine erste Drain-Elektrode DE1 aufweisen.
  • In Antwort auf ein Signal, das von dem Schalttransistor T1 empfangen wird, kann der vierte Dünnschichttransistor T4 einen elektrischen Strom, der durch die Hochpotential-Stromleitung HPPL übertragen wird, zu der Anode 121 übertragen. Der vierte Dünnschichttransistor T4 kann auf der Basis des zu der Anode 121 übertragenen elektrischen Stroms eine Lichtemission steuern. Zu diesem Zweck kann der vierte Dünnschichttransistor T4 die vierte Gate-Elektrode GE4, die vierte Halbleiterschicht ACT4, eine vierte Source-Elektrode und eine vierte Drain-Elektrode DE4 aufweisen. Die vierte Gate-Elektrode GE4 kann hierin auch als eine „Ansteuerungs-Gate-Elektrode“ bezeichnet werden, die vierte Halbleiterschicht ACT4 kann hierin auch als eine „Ansteuerungshalbleiterschicht“ bezeichnet werden, und die vierte Drain-Elektrode DE4 kann hierin auch als eine „Ansteuerungs-Drain-Elektrode“ bezeichnet werden.
  • Die Halbleiterschichten ACT1 und ACT4 können jeweils aus einem Oxidhalbleiter gebildet sein. Es ist möglich, hervorragende Eigenschaften des Anzeigepanels sicherzustellen, indem ein Oxid-Dünnschichttransistor verwendet wird, der Eigenschaften einer hohen Beweglichkeit und eines geringen Leckagestroms (Aus-Stroms) aufweist. Insbesondere ist es möglich, wenn der Dünnschichttransistor in dem GIP-Bereich als ein Oxid-Dünnschichttransistor eingerichtet ist, wie der Anzeigebereich AA, die Anzahl von Prozessen und die Kosten zu reduzieren.
  • Der Oxidhalbleiter weist hervorragende Eigenschaften in der Beweglichkeit und Einheitlichkeit auf. Der Oxidhalbleiter kann aus Materialien, die auf Indiumzinngalliumzinkoxid (InSnGaZnO) basieren, das ein Vierstoff-Metalloxid ist, Materialien, die auf Indiumgalliumzinkoxid (InGaZnO), Indiumzinnzinkoxid (InSnZnO), Indiumaluminiumzinkoxid (InAIZnO), Zinngalliumzinkoxid (SnGaZnO), Aluminiumgalliumzinkoxid (AIGaZnO) und Zinnaluminiumzinkoxid (SnAIZnO) basieren, die Dreistoff-Metalloxide sind, Materialien, die auf Indiumzinkoxid (InZnO), Zinnzinkoxid (SnZnO), Aluminiumzinkoxid (AlZnO), Zinkmagnesiumoxid (ZnMgO), Zinnmagnesiumoxid (SnMgO) und Indiummagnesiumoxid (InMgO) basieren, die Zweistoff-Metalloxide sind, Materialien, die auf Indiumoxid (InO), Zinnoxid (SnO), Indiumgalliumoxid (InGaO) und Zinkoxid (ZnO) basieren, gebildet sein. Die vorliegende Offenbarung ist nicht auf ein Verbindungsverhältnis der entsprechenden Elemente beschränkt.
  • In diesem Falle kann ein Teil der ersten Halbleiterschicht ACT1 durch das erste Kontaktloch 140a elektrisch mit der rechten ersten lichtblockierenden Schicht 118 verbunden sein, und ein anderer Teil der ersten Halbleiterschicht ACT1 kann durch das zweite Kontaktloch 140b mit der Datenleitung DL elektrisch verbunden sein. In diesem Falle kann der Speicherkondensator zwischen der ersten Halbleiterschicht ACT1, der rechten ersten lichtblockierenden Schicht 118 und der rechten zweiten lichtblockierenden Schicht 128 bereitgestellt sein.
  • Des Weiteren kann ein Teil der vierten Halbleiterschicht ACT4 durch das dritte Kontaktloch 140c elektrisch mit der linken zweiten lichtblockierenden Schicht 129 verbunden sein, und ein anderer Teil der vierten Halbleiterschicht ACT4 kann durch das vierte Kontaktloch 140d elektrisch mit der Hochpotential-Stromleitung HPPL verbunden sein. In diesem Falle kann ein zusätzlicher Kondensator zwischen der vierten Halbleiterschicht ACT4, der linken zweiten lichtblockierenden Schicht 129 und der linken ersten lichtblockierenden Schicht 119 bereitgestellt sein.
  • Die Halbleiterschichten ACT1 und ACT4 können jeweils einen Source-Bereich und einen Drain-Bereich, die Verunreinigungen des P-Typs oder des N-Typs aufweisen, und einen Kanalbereich zwischen dem Source-Bereich und dem Drain-Bereich aufweisen. Die Halbleiterschichten ACT1 und ACT4 können jeweils des Weiteren einen Dotierungsbereich niedriger Konzentration zwischen dem Source-Bereich und dem Drain-Bereich angrenzend an den Kanalbereich aufweisen, Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Der Source-Bereich und Drain-Bereich sind Bereiche, in denen Verunreinigungen in hoher Konzentration dotiert sind. Die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode DE1 und DE4 der Dünnschichttransistoren T1 und T4 können in zugeordneter Weise mit dem Source-Bereich und dem Drain-Bereich verbunden sein.
  • Die Verunreinigungen des P-Typs oder die Verunreinigungen des N-Typs können als Fremdionen verwendet werden. Die Verunreinigung des P-Typs können eines von Bor (B), Aluminium (AI), Gallium (Ga) und Indium (In) sein. Die Verunreinigung des N-Typs kann eines von Phosphor (P), Arsen (As) und Antimon (Sb) sein.
  • Der Kanalbereich kann in Abhängigkeit von den Strukturen der Dünnschichttransistoren von NMOS oder PMOS mit Verunreinigungen des N-Typs oder der P-Typs dotiert sein.
  • Hierbei kann eine erste Verbindungselektrode 125 auf einem oberen Abschnitt der Niederpotential-Stromleitung LPPL angeordnet und durch das fünfte Kontaktloch elektrisch mit der Niederpotential-Stromleitung LPPL verbunden sein. Außerdem kann eine zweite Verbindungselektrode 126 auf einem oberen Abschnitt der Pad-Leitung PAD angeordnet sein und durch das sechste Kontaktloch elektrisch mit der Pad-Leitung PAD verbunden sein.
  • Die erste Verbindungselektrode 125 und die zweite Verbindungselektrode 126 können jeweils als eine leitfähige Halbleiterschicht eingerichtet sein. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Wenn notwendig, können die erste Verbindungselektrode 125 und die zweite Verbindungselektrode 126 weggelassen werden. Die leitfähige Halbleiterschicht kann als eine Dotierschicht eingerichtet sein, die mittels Dotierens einer Halbleiterschicht mit Fremdionen gebildet wird. Alternativ hierzu kann die leitfähige Halbleiterschicht als eine leitfähige Oxidhalbleiterschicht eingerichtet sein, die durch eine Plasmabehandlung gebildet wird.
  • Außerdem kann sich ein Teil der ersten Halbleiterschicht ACT1 in einer Richtung erstrecken, die die Datenleitung DL überkreuzt, und kann mit einer Initialisierungsspannung-Zuführungsleitung Vini verbunden sein. Hierbei kann eine Referenzspannungsleitung RVL auf der zweiten Pufferschicht 112 bereitgestellt und in einer Richtung parallel zu der Initialisierungsspannungs-Zuführungsleitung Vini angeordnet sein. Ein Teil der Referenzspannungsleitung RVL kann sich in einer Richtung parallel zu der Hochpotential-Stromleitung HPPL erstrecken. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Eine Gate-isolierende Schicht 113 kann auf den Halbleiterschichten ACT1 und ACT4, der ersten Verbindungselektrode 125 und der zweiten Verbindungselektrode 126 angeordnet sein.
  • Die Gate-isolierende Schicht 113 kann als eine einlagige Schicht oder eine mehrlagige Schicht, die aus Siliziumoxid (SiOx) und Siliziumnitrid (SiNx) gebildet ist, eingerichtet sein. Die Gate-isolierende Schicht 113 kann zwischen den Gate-Elektroden GE1 und GE4 und den Halbleiterschichten ACT1 und ACT4 angeordnet sein, so dass der elektrische Strom, der durch die Halbleiterschichten ACT1 und ACT4 fließt, nicht zu den Gate-Elektroden GE1 und GE4 fließt. Das Siliziumoxid weist eine geringere Leitfähigkeit auf als Metall, weist jedoch eine höhere Leitfähigkeit auf als Siliziumnitrid. Eine einlagige Schicht oder eine mehrlagige Schicht, die aus Siliziumoxid gebildet ist, kann in Übereinstimmung mit den Eigenschaften von Siliziumoxid gebildet sein. Zum Beispiel kann die Gate-isolierende Schicht 113 aus Siliziumoxid gebildet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Ein siebtes Kontaktloch kann mittels Entfernens eines Teilbereichs der Gate-isolierenden Schicht 113 gebildet sein. Ein Teil der ersten Verbindungselektrode 125 kann durch das siebte Kontaktloch freigelegt sein.
  • Außerdem kann ein achtes Kontaktloch mittels Entfernens eines Teilbereichs der Gate-isolierenden Schicht 113 gebildet sein. Ein Teil der zweiten Verbindungselektrode 126 kann durch das achte Kontaktloch freigelegt sein.
  • Die Gate-Elektroden GE1 und GE4 können auf der Gate-isolierenden Schicht 113 a geordnet sein.
  • Die Abtastleitung SL und eine Lichtemissions-Steuersignalleitung EML können auf der Gate-isolierenden Schicht 113 bereitgestellt sein und in einer Richtung angeordnet sein, die die Datenleitung DL überkreuzt. Außerdem können eine Ermittlungsleitung SSL und eine Initialisierungssignalleitung ISL auf der Gate-isolierenden Schicht 113 bereitgestellt sein und in einer Richtung parallel zu der Abtastleitung SL angeordnet sein.
  • Die Gate-Elektroden GE1 und GE4 können jeweils als eine einlagige Schicht oder eine mehrlagige Schicht aus einem leitfähigen Metallmaterial, wie beispielsweise Kupfer (Cu), Aluminium (AI), Chrom (Cr), Molybdän (Mo), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni) und Neodym (Nd), oder einer Legierung daraus gebildet sein. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Eine Schutzschicht 114 kann auf den Gate-Elektroden GE1 und GE4 angeordnet sein.
  • Die Schutzschicht 114 kann dazu dienen, eine nicht notwendige elektrische Verbindung zwischen den Komponenten, die über und unter der Schutzschicht 114 angeordnet sind, zu verhindern. Die Schutzschicht 114 kann ebenso dazu dienen, eine Beschädigung oder Verunreinigung von außen zu verhindern. Die Schutzschicht 114 kann als eine einlagige Schicht oder eine mehrlagige Schicht aus Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) gebildet sein.
  • In diesem Falle kann ein neuntes Kontaktloch 140i mittels Entfernens eines Teilbereichs der Gate-isolierenden Schicht 113 und eines Teilbereichs der Schutzschicht 114 gebildet sein. Ein Teil der ersten Halbleiterschicht ACT1 kann durch das neunte Kontaktloch 140i freigelegt sein.
  • Außerdem kann ein zehntes Kontaktloch 140j mittels Entfernens eines Teilbereichs der Schutzschicht 114 gebildet sein. Ein Teil der vierten Gate-Elektrode GE4 kann durch das zehnte Kontaktloch 140j freigelegt sein.
  • Außerdem kann ein elftes Kontaktloch 140k mittels Entfernens eines Teilbereichs der Gate-isolierenden Schicht 113 und eines Teilbereichs der Schutzschicht 114 gebildet sein. Ein Teil der vierten Halbleiterschicht ACT4 kann durch das elfte Kontaktloch 140k freigelegt sein.
  • Außerdem kann ein zwölftes Kontaktloch mittels Entfernens eines Teilbereichs der Gate-isolierenden Schicht 113 und eines Teilbereichs der Schutzschicht 114 gebildet sein. Ein Teil der ersten Verbindungselektrode 125 kann durch das zwölfte Kontaktloch freigelegt sein.
  • Außerdem kann ein dreizehntes Kontaktloch mittels Entfernens eines Teilbereichs der Gate-isolierenden Schicht 113 und eines Teilbereichs der Schutzschicht 114 gebildet sein. Ein Teil der zweiten Verbindungselektrode 126 kann durch das dreizehnte Kontaktloch freigelegt sein.
  • Insbesondere ist gemäß der vorliegenden Offenbarung das neunte Kontaktloch 140i an einer oberen Seite des ersten Kontaktlochs 140a gebildet und überlappt das erste Kontaktloch 140a, und das elfte Kontaktloch 140k ist an einer oberen Seite des dritten Kontaktlochs 140c gebildet und überlappt das dritte Kontaktloch 140c, wodurch eine Toleranz erhöht ist. Deshalb ist es möglich, eine parasitäre Kapazität mit der peripheren Datenleitung DL oder der Hochpotential-Stromleitung HPPL zu reduzieren, wodurch eine Laderate des Speicherkondensators erhöht ist (siehe 4). In diesem Falle ist in 4 zur Bequemlichkeit der Beschreibung die Darstellung der ersten Drain-Elektrode DE1, die in dem neunten Kontaktloch 140i gebildet ist, weggelassen. Bezugnehmend auf 4 ist ersichtlich, dass das neunte Kontaktloch 140i basierend auf der gepunkteten Linie an einer oberen Seite des ersten Kontaktlochs 140a gebildet ist und das erste Kontaktloch 140a überlappt.
  • Eine erste Planarisierungsschicht 115 kann auf der Schutzschicht 114 angeordnet sein.
  • Die erste Planarisierungsschicht 115 kann aus einem oder mehreren Materialien von Acrylharz, Epoxidharz, phenolischem Harz, Polyamid-basiertem Harz, Polyimid-basiertem Harz, ungesättigtem Polyester-basierten Harz, Polyphenylenbasiertem Harz, Polyphenylensulfid-basiertem Harz und Benzocyclobuten gebildet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • In diesem Falle kann mittels Entfernens eines Teilbereichs der ersten Planarisierungsschicht 115 ein offener Bereich gebildet sein. Ein Teil des neunten Kontaktlochs 140i, ein Teil des zehnten Kontaktlochs 140j und ein Teil der Schutzschicht 114 können durch den offenen Bereich freigelegt sein.
  • Außerdem kann ein vierzehntes Kontaktloch mittels Entfernens eines Teilbereichs der ersten Planarisierungsschicht 115 gebildet sein. Das elfte Kontaktloch 140k kann durch das fünfzehnte Kontaktloch freigelegt sein.
  • Ein fünfzehntes Kontaktloch kann mittels Entfernens eines Teilbereichs der ersten Planarisierungsschicht 115 gebildet sein. Das zwölfte Kontaktloch kann durch das fünfzehnte Kontaktloch freigelegt sein.
  • Das dreizehnte Kontaktloch kann mittels Entfernens eines Teilbereichs der ersten Planarisierungsschicht 115 in dem Nicht-Anzeigebereich NA freigelegt sein.
  • Die Source-Elektrode und Drain-Elektrode DE1 und DE4 können auf einem oberen Abschnitt der Schutzschicht 114 und einem oberen Abschnitt der ersten Planarisierungsschicht 115 angeordnet sein. Jedoch kann gemäß der vorliegenden Offenbarung die Source-Elektrode weggelassen werden, wenn ein Teil der Datenleitung DL oder ein Teil der Hochpotential-Stromleitung HPPL die Source-Elektrode einrichtet.
  • In diesem Falle kann die erste Drain-Elektrode DE1 auf der Schutzschicht 114 in dem offenen Bereich angeordnet sein. Ein Teil der ersten Drain-Elektrode DE1 kann durch das neunte Kontaktloch 140i elektrisch mit der ersten Halbleiterschicht ACT1 verbunden sein, und ein weiterer Teil der ersten Drain-Elektrode DE1 kann durch das zehnte Kontaktloch 140j elektrisch mit der vierten Gate-Elektrode GE4 verbunden sein.
  • Die vierte Drain-Elektrode DE4 kann auf der ersten Planarisierungsschicht 115 angeordnet sein und durch das vierzehnte Kontaktloch elektrisch mit der vierten Halbleiterschicht ACT4 verbunden sein.
  • Da die erste Drain-Elektrode DE1, wie oben beschrieben, in dem offenen Bereich auf der ersten Planarisierungsschicht 115 angeordnet ist, ist zwischen den identischen Typen von Elektroden, das heißt, zwischen der ersten Drain-Elektrode DE1 und der vierten Drain-Elektrode DE4, ein vertikaler Niveauunterschied gebildet. Deshalb ist es möglich, einen Kurzschlussdefekt zwischen den identischen Typen von Elektroden zu verhindern und die parasitäre Kapazität zu reduzieren, wodurch Abstände zwischen den identischen Typen von Elektroden reduziert sind (siehe 5). Außerdem können eine Fläche der ersten Drain-Elektrode DE1 und eine Fläche der vierten Drain-Elektrode DE4 zunehmen. Deshalb kann die Ladungsmenge zunehmen, derart, dass eine Prüfgenauigkeit verbessert sein kann. Außerdem kann ein Oxid-Dünnschichttransistor mit hoher Beweglichkeit sehr empfindlich gegenüber Wasserstoff aus der Abdichtungsschicht sein. Bezugnehmend auf 5 können in dem Fall der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die erste Drain-Elektrode DE1 und die vierte Drain-Elektrode DE4, die Wasserstofffangschichten sind, in dem offenen Bereich OA angeordnet sein, der mittels Entfernens der ersten Planarisierungsschicht 115 gebildet ist, wodurch ein Wasserstofffangeffekt verbessert ist. Das bedeutet, dass ein Teil der ersten Drain-Elektrode DE1 geöffnet ist, und die erste Drain-Elektrode DE1 und die vierte Drain-Elektrode DE4 auf der Schutzschicht 114 näher an den Oxid-Dünnschichttransistoren T1 und T4 angeordnet sein können, wodurch der Wasserstofffangeffekt weiter verbessert ist.
  • Eine zusätzliche Niederpotential-Stromleitung 135 kann auf der Schutzschicht 114 angeordnet sein. Die zusätzliche Niederpotential-Stromleitung 135 kann durch das fünfzehnte Kontaktloch elektrisch mit der ersten Verbindungselektrode 125 verbunden sein. Deshalb kann die zusätzliche Niederpotential-Stromleitung 135 elektrisch mit der Niederpotential-Stromleitung LPPL verbunden sein.
  • Die zusätzliche Niederpotential-Stromleitung 135 kann zusammen mit der Niederpotential-Stromleitung LPPL Niederpotential-Stromsignale zuführen, wodurch in einem großflächigen Anzeigepanel ein einheitlicher Strom aufrechterhalten wird.
  • Die zusätzliche Niederpotential-Stromleitung 135 kann um die Datenleitung DL herum bereitgestellt sein und in der Richtung parallel zu der Datenleitung DL angeordnet sein. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Eine Pad-Elektrode 136 kann auf der Schutzschicht 114 angeordnet sein. Die Pad-Elektrode 136 kann durch das freigelegte dreizehnte Kontaktloch elektrisch mit der zweiten Verbindungselektrode 126 verbunden sein.
  • Die zusätzliche Niederpotential-Stromleitung 135, die Pad-Elektrode 136 und die erste Drain-Elektrode DE1 und die vierte Drain-Elektrode DE4 können jeweils als eine einlagige Schicht oder eine mehrlagige Schicht eingerichtet sein, die aus einem leitfähigen Metallmaterial, wie beispielsweise Aluminium (AI), Molybdän (Mo), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Kupfer (Cu) oder Neodym (Nd), oder einer Legierung daraus gebildet sein. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Insbesondere können die erste Drain-Elektrode DE1 und die vierte Drain-Elektrode DE4 jeweils aus Metall, wie beispielsweise Ti, das ein hohes Wasserstofffangvermögen aufweist, oder einer Ti-Legierung, wie beispielsweise Ti/Al/Ti, gebildet sein.
  • Die Materialien, die die erste Drain-Elektrode DE1 und die vierte Drain-Elektrode DE4 einrichten, können zusätzlich zu Ti Sc, V, Mn, Fe, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm, U und Ähnliches aufweisen, die ausgezeichnete Wasserstofffangvermögen aufweisen.
  • Zur Information: TiH weist eine bessere Wasserstofflöslichkeit auf als AIH, NiH, AgH, CuH und ZnH.
  • In dem Falle von Metallhydrid, beispielsweise einem Hydrid von Ti, ist TiH2,00, und das bedeutet, dass zwei Wasserstoff (H)-Atome für jedes Titan (Ti)-Atom gespeichert werden können. Es ist ersichtlich, dass TiH2,00 ein millionenfach besseres Wasserstoffadsorptionsvermögen aufweist als AlH<2,5×10-8, was das Hydrid von Al ist.
  • Es ist ersichtlich, dass Hydride von Sc, V, Mn, Fe, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm und U ScH>1,86, VH1,0, PdH0,724, NbH1,1, ZrH>1,70, YH>2,85, TaH0,79, CeH>2,5, LaH>2,03, SmH3,00 bzw. UH>3,00 sind.
  • Wie oben beschrieben, sind gemäß der vorliegenden Offenbarung die Drain-Elektroden DE1 und DE4, die als Wasserstofffänger dienen, über den Oxid-Dünnschichttransistoren T1 und T4 gebildet, wodurch verhindert ist, dass Wasserstoff in die Oxid-Dünnschichttransistoren T1 und T4 eindringt. Deshalb ist es möglich, die Eigenschaften und die Zuverlässigkeit der Oxid-Dünnschichttransistoren T1 und T4 zu verbessern.
  • Hierbei kann eine zusätzliche Hochpotential-Stromleitung HPPL' auf der ersten Planarisierungsschicht 115 angeordnet sein. Die zusätzliche Hochpotential-Stromleitung HPPL' kann, zusammen mit der Hochpotential-Stromleitung HPPL, Hochpotential-Steuersignale zuführen, wodurch ein einheitlicher Strom in einem großflächigen Anzeigepanel aufrechterhalten wird.
  • Die zusätzliche Hochpotential-Stromleitung HPPL' kann um die Hochpotential-Stromleitung HPPL herum bereitgestellt sein und in der Richtung parallel zu der Hochpotential-Stromleitung HPPL angeordnet sein. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Die Dünnschichttransistoren T1 und T4 können in Abhängigkeit von den Positionen der Komponenten, die die Dünnschichttransistoren T1 und T4 einrichten, in eine koplanare Struktur und eine invertiert gestufte Struktur eingeteilt sein. In diesem Falle kann, beispielsweise in dem Fall, dass der Dünnschichttransistor die invertiert gestufte Struktur aufweist, die Gate-Elektrode im Verhältnis zu der Halbleiterschicht an einer Seite gegenüber der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode angeordnet sein. Wie in 3 dargestellt, können, in dem Fall, dass die Dünnschichttransistoren T1 und T4 jeweils die koplanare Struktur aufweisen, die Gate-Elektroden GE1 und GE4 im Verhältnis zu den Halbleiterschichten ACT1 und ACT4 auf den gleichen Seiten wie die erste Drain-Elektrode DE1 und die vierte Drain-Elektrode DE4 angeordnet sein.
  • 3 stellt die Dünnschichttransistoren T1 und T4, die jeweils die koplanare Struktur aufweise, als ein Beispiel dar. Jedoch kann die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ebenso den Dünnschichttransistor aufweisen, der die invertiert gestufte Struktur aufweist.
  • Zusätzlich kann einer der Dünnschichttransistoren T1 und T4 die koplanare Struktur aufweisen, und der andere der Dünnschichttransistoren T1 und T4 kann die invertiert gestufte Struktur aufweisen. Außerdem können die Dünnschichttransistoren T1 und T4 gemäß der vorliegenden Offenbarung eine Struktur aufweisen, die eine Kombination aus der koplanaren Struktur und der invertiert gestuften Struktur aufweist.
  • Eine Schutzschicht kann zusätzlich über den Dünnschichttransistoren T1 und T4 angeordnet sein.
  • Die Schutzschicht kann dazu dienen, eine unnötige elektrische Verbindung zwischen den Komponenten, die über und unter der Schutzschicht angeordnet sind, zu verhindern. Die Schutzschicht kann ebenso dazu dienen, eine Beschädigung oder Verunreinigung von außen zu verhindern.
  • Eine zweite Planarisierungsschicht 116 kann auf den Dünnschichttransistoren T1 und T4 angeordnet sein. Die zweite Planarisierungsschicht 116 kann derart über den Dünnschichttransistoren T1 und T4 angeordnet sein, dass die Dünnschichttransistoren T1 und T4 geschützt sind, ein Niveauunterschied dazwischen reduziert ist und eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Dünnschichttransistoren T1 und T4, der Abtastleitung SL, der Datenleitung DL und dem lichtemittierenden Element 120 auftritt, zu reduzieren.
  • Die zweite Planarisierungsschicht 116 kann aus einem oder mehreren Materialien von Acrylharz, Epoxidharz, phenolischem Harz, Polyamid-basiertem Harz, Polyimid-basiertem Harz, ungesättigtem Polyester-basierten Harz, Polyphenylenbasiertem Harz, Polyphenylensulfid-basiertem Harz und Benzocyclobuten gebildet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Die erste Planarisierungsschicht 115 und die zweite Planarisierungsschicht 116 können derart angeordnet sein, dass sie sich zu einem Teil des Nicht-Anzeigebereichs NA erstrecken. Außerdem können die erste Planarisierungsschicht 115 und die zweite Planarisierungsschicht 116 derart angeordnet sein, dass sie sich zu einem Teil des Nicht-Anzeigebereichs NA derart erstrecken, dass die Pad-Elektrode 136 freigelegt ist.
  • Ein sechzehntes Kontaktloch 140o kann mittels Entfernens eines Teilbereichs der zweiten Planarisierungsschicht 116 gebildet sein. Ein Teil der vierten Drain-Elektrode DE4 kann durch das sechzehnte Kontaktloch 140o freigelegt sein.
  • Das lichtemittierende Element 120, das die Anode 121, den lichtemittierenden Teil 122 und die Kathode 123 aufweist, kann auf der zweiten Planarisierungsschicht 116 angeordnet sein.
  • Die Anode 121 kann auf der zweiten Planarisierungsschicht 116 angeordnet sein.
  • Die Anode 121 ist eine Elektrode, die dazu dient, dem lichtemittierenden Teil 122 positive Löcher zuzuführen. Die Anode 121 kann durch das sechzehnte Kontaktloch 140o elektrisch mit dem vierten Dünnschichttransistor T4 verbunden sein.
  • In dem Falle eines Anzeigepanels des Bottom-Emissionstyps, das Licht in Richtung der Unterseite emittiert, an der die Anode 121 angeordnet ist, kann die Anode 121 aus Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) oder Ähnlichem gebildet sein, was ein lichtdurchlässiges, elektrisch leitfähiges Material ist, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Im Gegensatz dazu kann das Anzeigepanel, in dem Fall eines Anzeigepanels des Top-Emissionstyps, das Licht in Richtung der Oberseite emittiert, an der die Kathode 123 angeordnet ist, des Weiteren eine reflektierende Schicht aufweisen, so dass das emittierte Licht von der Anode 121 reflektiert werden und gleichmäßiger zu der Oberseite abgestrahlt werden, an der die Kathode 123 angeordnet ist.
  • Das bedeutet, dass die Anode 121 eine zweilagige Struktur aufweisen kann, in der eine reflektierende Schicht und eine lichtdurchlässige leitfähige Schicht, die aus einem lichtdurchlässigen, elektrisch leitfähigen Material gebildet ist, nacheinander gestapelt sind. Alternativ hierzu kann die Anode 121 eine dreilagige Struktur aufweisen, in der die lichtdurchlässige leitfähige Schicht, die reflektierende Schicht und die lichtdurchlässige leitfähige Schicht nacheinander gestapelt sind. Die reflektierende Schicht kann aus einer Legierung, die Silber (Ag) aufweist, gebildet sein.
  • Ein Damm 150 kann auf der Anode 121 und der zweiten Planarisierungsschicht 116 angeordnet sein.
  • Der Damm 150, der auf einem oberen Abschnitt der Anode 121 und einem oberen Abschnitt der zweiten Planarisierungsschicht 116 angeordnet ist, kann mittels Unterteilens eines Bereichs, in dem tatsächlich Licht emittiert wird, das heißt, eines lichtemittierenden Bereichs, das Subpixel SP definieren.
  • Der Damm 150 kann mittels Durchführens von Photolithographie gebildet werden, nachdem ein Photoresist auf dem oberen Abschnitt der Anode 121 gebildet ist. Der Photoresist bezieht sich auf ein photosensitives Harz, das eine Löslichkeit aufweist, die mittels der Einwirkung von Licht in Bezug auf einen Entwickler geändert ist. Eine spezifische Struktur kann mittels Exponierens und Entwickelns des Photoresists erzielt werden. Die Photoresists können in einen positiven Photoresist und einen negativen Photoresist unterteilt sein. In diesem Falle bezieht sich der positive Photoresist auf einen Photoresist, in dem eine Löslichkeit eines exponierten Teils gegenüber einem Entwickler durch Exposition zunimmt. Wenn der positive Photoresist entwickelt wird, wird eine Struktur erzielt, von der der exponierte Teil entfernt ist. Der negative Photoresist bezieht sich auf einen Photoresist, in dem eine Löslichkeit eines exponierten Teils gegenüber einem Entwickler durch Exposition abnimmt. Wenn der negative Photoresist entwickelt wird, wird eine Struktur erzielt, von der ein nichtexponierter Teil entfernt ist.
  • Eine feine Metallmaske (FMM), die eine Abscheidungsmaske ist, kann zum Bilden des lichtemittierenden Teils 122 des lichtemittierenden Elements 120 verwendet werden.
  • Außerdem kann ein Abstandshalter 156 auf einem oberen Abschnitt des Damms 150 angeordnet sein und kann aus einem von Polyimid, Photoacryl und Benzocyclobuten gebildet sein, was lichtdurchlässige organische Materialien sind. Der Abstandshalter 156 wird dazu verwendet, eine durch Kontakt mit der Abscheidungsmaske, die auf dem Damm 150 angeordnet ist, verursachte Beschädigung zu verhindern. Der Abstandshalter 156 dient dazu, einen vorher festgelegten Abstand zwischen dem Damm 150 und der Abscheidungsmaske aufrechtzuerhalten.
  • Ein Öffnungsabschnitt OP kann mittels Entfernens eines Teils des Damms 150 in dem lichtemittierenden Bereich gebildet sein. Ein Teil der Anode 121 kann durch den Öffnungsabschnitt OP freigelegt sein.
  • Hierbei können eine Mehrzahl von Grabenstrukturen 155 mittels Entfernens eines Teilbereichs des Damms 150 zwischen den Subpixeln SP gebildet werden.
  • Die Mehrzahl von Grabenstrukturen 155 können zwischen der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet sein. Die Grabenstruktur 155 kann mittels Entfernens eines Teils einer Dicke des oberen Abschnitts des Damms 119 gebildet werden, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Die Grabenstruktur 155 kann mittels Entfernens der gesamten Dicke des Damms 119 gebildet werden.
  • Die Grabenstruktur 155 reduziert eine Dicke des lichtemittierenden Teils 122 zwischen den angrenzenden Subpixeln SP oder verlängert einen Pfad. Alternativ hierzu unterbricht (durchschneidet) die Grabenstruktur 155 einen Teil des lichtemittierenden Teils 122 zwischen den angrenzenden Subpixeln SP. Deshalb ist es möglich, einen Leckagestrom, der mittels des lichtemittierenden Teils 122 hervorgerufen wird, zwischen den angrenzenden Subpixeln SP zu minimieren.
  • Die Grabenstruktur 155 kann einen seitlichen Leckagestrom, der in einer Mehrfach-Stapelstruktur auftritt, minimieren.
  • Das bedeutet, dass, um die Qualität und die Produktivität der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung zu verbessern, zum Verbessern der Ausbeute des lichtemittierenden Elements, Erhöhen der Lebensdauer und Absenken des Energieverbrauchs Strukturen von verschiedenen lichtemittierenden Elementen vorgeschlagen worden sind.
  • Deshalb ist die Struktur des lichtemittierenden Elements vorgeschlagen worden, in der ein einzelner Stapel, das heißt, eine einzelne lichtemittierende Einheit (eine Elektrolumineszenz (EL)-Einheit), angewendet ist. Des Weiteren ist ebenso das lichtemittierende Element vorgeschlagen worden, das eine Tandemstruktur aufweist, die eine Mehrzahl von Stapeln verwendet, zum Beispiel einen Stapel von einer Mehrzahl von lichtemittierenden Einheiten, um Eigenschaften einer verbesserten Ausbeute und Lebensdauer zu implementieren.
  • In dem Falle der Tandemstruktur, das heißt, des lichtemittierenden Elements, das eine Zwei-Stapel-Struktur aufweist, die einen Stapel einer ersten lichtemittierenden Einheit und einer zweiten lichtemittierenden Einheit verwendet, sind die lichtemittierenden Bereiche, in denen Licht mittels Rekombination von Elektronen und Löchern emittiert wird, in der ersten lichtemittierenden Einheit bzw. der zweiten lichtemittierenden Einheit positioniert. Als ein Ergebnis kann Licht, das von einer ersten lichtemittierenden Schicht in der ersten lichtemittierenden Einheit emittiert wird, und Licht, das von einer zweiten lichtemittierenden Schicht in der zweiten lichtemittierenden Einheit emittiert wird, Verstärkungsinterferenz erzeugen, wodurch im Vergleich zu einem lichtemittierenden Element, das eine Einzelstapelstruktur aufweist, eine höhere Helligkeit bereitgestellt ist.
  • Außerdem nimmt in dem lichtemittierenden Element ein Abstand zwischen der Mehrzahl von Subpixeln, die ein Pixel einrichten, ab, wenn die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung eine hohe Auflösung aufweist. Außer der lichtemittierenden Schicht (der Lichtemissionsschicht (EML)) sind organischen Hilfsschichten, wie beispielsweise eine Löcherinjektionsschicht (HIL), eine Löchertransportschicht (HTL), eine Ladungserzeugungsschicht (CGL), eine Elektroneninjektionsschicht (EIL) und eine Elektronentransportschicht (ETL) unter Verwendung einer gemeinsamen Maske mittels Abscheidens in der gemeinsamen Schicht derart gebildet, dass sie zu allen der Mehrzahl von Subpixeln korrespondieren. Die lichtemittierenden Schichten in der Mehrzahl von Subpixeln zum Erzeugen von Lichtstrahlen mit unterschiedlichen Wellenlängen können mittels Abscheidens unter Verwendung einer feinen Metallmaske derart individuell gebildet werden, dass sie zu den entsprechenden Subpixeln korrespondieren.
  • In dem Falle des oben genannten lichtemittierenden Elements tritt durch die gemeinsame Schicht, die in dem lichtemittierenden Element gebildet ist, in der horizontalen Richtung des lichtemittierenden Elements ein horizontaler Leckagestrom (seitlicher Leckagestrom) auf, wenn die Spannung zwischen der Anode und der Kathode angelegt wird. Aus diesem Grund tritt ein Farbmischungsfehler auf, da nicht nur das Subpixel Licht emittiert, das Licht emittieren soll, sondern auch ein unerwünschtes Subpixel Licht emittiert, das angrenzend an das Subpixel, das Licht emittieren soll, positioniert ist.
  • Der Farbmischungsfehler kann in dem lichtemittierenden Element, das die Zwei-Stapelstruktur aufweist, die den Stapel der ersten lichtemittierenden Einheit und der zweiten lichtemittierenden Einheit aufweist, die verstärkende Interferenz verwenden, im Vergleich zu dem lichtemittierenden Element, das die Einzelstapelstruktur aufweist, schwerwiegender werden.
  • Deshalb sind gemäß der vorliegenden Offenbarung, wie in 2 und 3 dargestellt, die Grabenstrukturen 155 zwischen der Mehrzahl von Subpixeln SP gebildet. Die Grabenstruktur 155 kann eine Dicke des lichtemittierenden Teils 122 zwischen den angrenzenden Subpixeln PS verringern oder den Pfad verlängern. Alternativ hierzu kann die Grabenstruktur 155 einen Teil des lichtemittierenden Teils 122 zwischen den angrenzenden Subpixeln SP unterbrechen (durchschneiden). Deshalb ist es möglich, einen zwischen den angrenzenden Subpixeln SP durch den lichtemittierenden Teil 122 hervorgerufenen Leckagestrom zu minimieren.
  • Der Damm 150 kann derart angeordnet sein, dass er sich zu einem Teil des Nicht-Anzeigebereichs NA erstreckt, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Der lichtemittierende Teil 122 kann zwischen der Anode 121 und der Kathode 123 angeordnet sein.
  • Der lichtemittierende Teil 122 dient dazu, Licht zu emittieren. Der lichtemittierende Teil 122 kann mindestens eines von einer Löcherinjektionsschicht (HIL), einer Löchertransportschicht (HTL), einer lichtemittierenden Schicht, einer Elektronentransportschicht (ETL) und einer Elektroneninjektionsschicht (EIL) aufweisen. Einige Komponenten können in Abhängigkeit von der Struktur oder Eigenschaften der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung weggelassen werden. In diesem Falle können eine Elektrolumineszenzschicht und eine anorganische lichtemittierende Schicht als die lichtemittierende Schicht angewendet sein.
  • Die Löcherinjektionsschicht ist auf der Anode 121 angeordnet und dient dazu, die Injektion von positiven Löchern zu unterstützen.
  • Die Löchertransportschicht ist auf der Löcherinjektionsschicht angeordnet und dient dazu, die positiven Löcher gleichmäßig zu der lichtemittierenden Schicht zu übertragen.
  • Die lichtemittierende Schicht ist auf der Löchertransportschicht angeordnet. Die lichtemittierende Schicht kann aus einem Material gebildet sein, das Licht einer bestimmten Farbe emittieren kann, wodurch Licht der bestimmten Farbe emittiert wird. Des Weiteren kann ein phosphoreszierendes Material oder ein fluoreszierendes Material als das lichtemittierende Material verwendet werden.
  • Die Elektroneninjektionsschicht kann des Weiteren auf der Elektronentransportschicht angeordnet sein. Die Elektroneninjektionsschicht ist eine organische Schicht, die die Injektion von Elektronen aus der Kathode unterstützt. Die Elektroneninjektionsschicht kann in Abhängigkeit von der Struktur und Eigenschaften der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung weggelassen werden.
  • Hierbei ist des Weiteren eine Elektronen-blockierende Schicht zum Blockieren eines Elektronenflusses oder eine Löcher-blockierende Schicht zum Blockieren eines Flusses von positiven Löchern an einer Position angrenzend an die lichtemittierende Schicht angeordnet sein. Deshalb ist es möglich zu verhindern, dass das Elektron sich von der lichtemittierenden Schicht weg bewegt und durch die angrenzende Löchertransportschicht hindurchtritt, wenn die Elektronen in die lichtemittierende Schicht injiziert werden, oder zu verhindern, dass das positive Loch sich von der lichtemittierenden Schicht weg bewegt und durch die angrenzende Elektronentransportschicht hindurchtritt, wenn die positiven Löcher in die lichtemittierende Schicht injiziert werden, wodurch eine Helligkeitsausbeute verbessert ist.
  • Die Kathode 123 ist auf dem lichtemittierenden Teil 122 angeordnet und dient dazu, dem lichtemittierenden Teil 122 die Elektronen zuzuführen. In dem Falle des Anzeigepanels des Bottom-Emissionstyps muss die Kathode 123 Elektronen zuführen. Deshalb kann die Kathode 123 aus einem Metallmaterial, wie beispielsweise Magnesium, Silber-Magnesium oder Ähnliches, gebildet sein, was ein elektrisch leitfähiges Material ist, das eine geringe Austrittsarbeit aufweist. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Im Gegensatz dazu kann, in dem Falle des Topemission-Anzeigepanels, die Kathode aus einem lichtdurchlässigen leitfähigen Oxid gebildet sein, wie beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO), Indiumzinnzinkoxid (ITZO), Zinkoxid (ZnO) und Zinnoxid (TO).
  • Eine Abdichtungsschicht (nicht dargestellt) kann auf der Kathode 123 angeordnet sein.
  • Die Abdichtungsschicht wird gesondert beschrieben. Eine Deckschicht ist auf einer oberen Oberfläche des Substrats 110 gebildet, das das lichtemittierende Element 120 aufweist, und eine primäre Schutzschicht, eine organische Schicht und eine sekundäre Schutzschicht sind nacheinander auf der Deckschicht gebildet, wodurch die Abdichtungsschicht eingerichtet wird, die ein Abdichtungsmittel ist. Jedoch ist die Anzahl von anorganischen Schichten und organischen Schichten, die die Abdichtungsschicht einrichten, nicht hierauf beschränkt.
  • Die primäre Schutzschicht ist als eine anorganische isolierende Schicht eingerichtet und weist deshalb aufgrund eines Niveauunterschieds an einer Unterseite davon keine gute Stapelabdeckung auf. Jedoch wird die Planarisierung an der organischen Schicht durchgeführt, so dass die sekundäre Schutzschicht nicht durch einen von einer unteren Schicht hervorgerufenen Niveauunterschied beeinträchtigt ist. Außerdem kann die aus einem Polymer gebildete organische Schicht eine ausreichend große Dicke aufweisen, wodurch ein Problem von durch Fremdsubstanzen hervorgerufenen Sprüngen gelöst ist.
  • Die zum Abdichten in mehrlagigen Schichten angeordneten Schutzschichten können auf einer Vorderseitenoberfläche des Substrats 110 positioniert sein, die die sekundäre Schutzschicht aufweist, derart, dass sie einander gegenüberliegen. Ein lichtdurchlässiges Adhäsionsmittel, das Adhäsionseigenschaften aufweist, kann zwischen der Abdichtungsschicht und der Schutzschicht eingefügt sein.
  • Eine Polarisationsplatte kann zum Verhindern der Reflexion von Licht, das von der Außenseite eindringt, an der Schutzschicht befestigt sein, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Hierbei kann gemäß der vorliegenden Offenbarung die Anzahl von Maskenprozessen, die zum Herstellen des Oxid-Dünnschichttransistors erforderlich sind, reduziert sein, wodurch eine Produktivität verbessert ist und die Anzahl von Prozessen und die Materialkosten reduziert sind. Das bedeutet, dass, in der bezogenen Technik, insgesamt dreizehn Maskenprozesse notwendig sind, um alle Prozesse von dem Prozess des Bildens der ersten lichtblockierenden Schicht bis zu dem Prozess des Bildens des lichtemittierenden Elements durchzuführen. Im Gegensatz dazu ist, gemäß der vorliegenden Offenbarung, die Datenleitung auf der gleichen Schicht gebildet wird die erste lichtblockierende Schicht, eine Zwischenelektrode zum elektrischen Verbinden der Anode ist eliminiert, und eine Schutzschicht ist eliminiert, so dass insgesamt elf bis zwölf Maskenprozesse für den Herstellungsprozess notwendig sind.
  • Hierbei kann, wie oben beschrieben, wenn notwendig, die zweite Verbindungselektrode in dem Nicht-Anzeigebereich weggelassen werden. Diese Ausgestaltung wird unter Bezugnahme auf 6 beschrieben werden.
  • 6 ist eine Querschnittansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Die in 6 dargestellte zweite Ausführungsform ist im Wesentlichen zu der Ausgestaltung der in 2 und 3 dargestellten ersten Ausführungsform identisch, unterscheidet sich jedoch von der ersten Ausführungsform dahingehend, dass die Pad-Leitung PAD ohne die zweite Verbindungselektrode direkt elektrisch mit einer Pad-Elektrode 236 verbunden ist. Deshalb werden wiederholte Beschreibungen der identischen Komponenten weggelassen werden. Die gleichen Bezugszeichen werden für die gleichen Komponenten verwendet.
  • Bezugnehmend auf 6 können die Dünnschichttransistoren T1 und T4, das lichtemittierende Elemente 120 und die Abdichtungsschicht (nicht dargestellt) in dem Anzeigebereich AA auf dem oberen Abschnitt des Substrats 110 angeordnet sein.
  • Die Pad-Leitung PAD und die Abdichtungsschicht können in dem Nicht-Anzeigebereich NA auf dem oberen Abschnitt des Substrats 110 angeordnet sein.
  • Die ersten lichtblockierenden Schichten 118 und 119 und die zweiten lichtblockierenden Schichten 128 und 129 können unter den Dünnschichttransistoren T1 und T4 in dem Anzeigebereich AA angeordnet sein.
  • Die ersten lichtblockierenden Schichten 118 und 119 und die zweiten lichtblockierenden Schichten 128 und 129 können jeweils aus einem Metall, wie beispielsweise TI, das ein Wasserstofffangvermögen aufweist, oder einer Ti-Legierung, wie beispielsweise Ti/Al/Ti, gebildet sein.
  • Die Materialien, die die ersten lichtblockierenden Schichten 118 und 119 und die zweiten lichtblockierenden Schichten 128 und 129 ausbilden, können zusätzlich zu Ti Sc, V, Mn, Fe, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm, U und Ähnliches aufweisen, die ausgezeichnete Wasserstofffangvermögen aufweisen.
  • Die Dünnschichttransistoren T1 und T4 können auf dem oberen Abschnitt der zweiten Pufferschicht 112 angeordnet sein.
  • Der erste Dünnschichttransistor T1 kann die erste Gate-Elektrode GE1, die erste Halbleiterschicht ACT1, die erste Source-Elektrode und die erste Drain-Elektrode DE1 aufweisen.
  • Der vierte Dünnschichttransistor T4 kann die vierte Gate-Elektrode GE4, die vierte Halbleiterschicht ACT4, die vierte Source-Elektrode und die vierte Drain-Elektrode DE4 aufweisen.
  • Die Dünnschichttransistoren T1 und T4 gemäß der vorliegenden Offenbarung können die Halbleiterschichten ACT1 und ACT4 aufweisen, die jeweils aus einem Oxidhalbleiter gebildet sind.
  • Die Drain-Elektroden DE1 und DE4 können auf dem oberen Abschnitt der Schutzschicht 114 und dem oberen Abschnitt der ersten Planarisierungsschicht 115 angeordnet sein.
  • Da die erste Drain-Elektrode DE1, wie oben beschrieben, in dem offenen Bereich auf der ersten Planarisierungsschicht 115 angeordnet ist, ist zwischen den identischen Typen von Elektroden, das heißt, zwischen der erste Drain-Elektrode DE1 und der vierten Drain-Elektrode DE4, ein vertikaler Niveauunterschied gebildet. Deshalb ist es möglich, einen Kurzschlussdefekt zwischen den identischen Typen von Elektroden zu verhindern und die parasitäre Kapazität zu reduzieren, wodurch Abstände zwischen den identischen Typen von Elektroden reduziert sind. Außerdem kann eine Fläche der ersten Drain-Elektrode DE1 und eine Fläche der vierten Drain-Elektrode DE4 zunehmen. Deshalb kann eine Ladungsmenge zunehmen, so dass eine Prüfgenauigkeit verbessert sein kann.
  • Außerdem kann die Pad-Elektrode 236 auf der Schutzschicht 114 angeordnet sein.
  • Die Pad-Elektrode 236 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ohne die zweite Verbindungselektrode gemäß der oben beschriebenen ersten Ausführungsform elektrisch mit der Pad-Leitung PAD verbunden sein. Das bedeutet, dass die Pad-Elektrode 236 durch mindestens ein Kontaktloch elektrisch mit der unter der Pad-Elektrode 236 angeordneten Pad-Leitung PAD verbunden sein kann.
  • Die Pad-Elektrode 236 und die erste Drain-Elektrode DE1 und die vierte Drain-Elektrode DE4 können jeweils aus einem Metall, wie beispielsweise Ti, das ein Wasserstofffangvermögen aufweist, oder einer Ti-Legierung, wie beispielsweise Ti/Al/Ti, gebildet sein.
  • Die die Pad-Elektrode 236 und die erste Drain-Elektrode DE1 und die vierte Drain-Elektrode DE4 ausbildenden Materialien können zusätzlich zu Ti Sc, V, Mn, Fe, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm, U und Ähnliches aufweisen, die ausgezeichnete Wasserstofffangvermögen aufweisen.
  • Die erste Planarisierungsschicht 115 und die zweite Planarisierungsschicht 116 können derart angeordnet sein, dass sie sich derart zu einem Teil des Nicht-Anzeigebereichs NA erstrecken, dass die Pad-Elektrode 236 freigelegt ist.
  • Außerdem kann der Damm 150 derart angeordnet sein, dass er sich derart zu einem Teil des Nicht-Anzeigebereichs NA erstreckt, dass ein Teil der oberen Oberfläche der Pad-Elektrode 236 überdeckt ist, während die erste Planarisierungsschicht 115 und die zweite Planarisierungsschicht 116 überdeckt sind.
  • Gemäß der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung sind insgesamt zwölf Maskenprozesse notwendig, um alle Prozesse von dem Prozess des Bildens der ersten lichtblockierenden Schicht bis zu dem Prozess des Bildens des lichtemittierenden Elements auszuführen. Deshalb ist es möglich, die Anzahl von Maskenprozessen um eins zu reduzieren. Als ein Ergebnis ist es möglich, die Produktivität zu verbessern und die Anzahl von Prozessen und die Materialkosten zu reduzieren. Insbesondere ist gemäß der zweiten Ausführungsform die Pad-Elektrode 236 ohne die zweite Verbindungselektrode elektrisch mit der Pad-Leitung PAD verbunden. Deshalb können die Prozesse des Bildens der zweiten Verbindungselektrode und des Leitfähig-Machens der zweiten Verbindungselektrode weggelassen werden, was es möglich macht, die Anzahl von Prozessen zu reduzieren.
  • Hierbei kann gemäß der vorliegenden Offenbarung die Schutzschicht, die auf der Gate-Elektrode angeordnet ist, weggelassen werden, es sei denn, dass die Gate-Elektrode aus Cu gebildet ist oder eine oberste Schicht davon aus Cu gebildet ist, so dass die Anzahl von Maskenprozessen weiter um eins reduziert sein kann. Diese Ausgestaltung wird unter Bezugnahme auf 7 beschrieben werden.
  • 7 ist eine Querschnittansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Die in 7 dargestellte dritte Ausführungsform ist im Wesentlichen identisch in der Ausgestaltung wie die oben genannte, in 2 und 3 dargestellte erste Ausführungsform, unterscheidet sich jedoch von der ersten Ausführungsform dahingehend, dass die Schutzschicht, die auf der ersten Gate-Elektrode GE1 und der vierten Gate-Elektrode GE4 angeordnet ist, weggelassen ist. Deshalb werden wiederholte Beschreibungen der identischen Komponenten weggelassen werden. Die gleichen Bezugszeichen werden für die gleichen Komponenten verwendet.
  • Bezugnehmend auf 7 können die Dünnschichttransistoren T1 und T4, das lichtemittierende Element 120 und die Abdichtungsschicht (nicht dargestellt) in dem Anzeigebereich AA auf dem oberen Abschnitt des Substrats 110 angeordnet sein.
  • Die Pad-Leitung PAD und die Abdichtungsschicht können in dem Nicht-Anzeigebereich NA auf dem oberen Abschnitt des Substrats 110 angeordnet sein.
  • Die ersten lichtblockierenden Schichten 118 und 119 und die zweiten lichtblockierenden Schichten 128 und 129 können unter den Dünnschichttransistoren T1 und T4 in dem Anzeigebereich AA angeordnet sein.
  • Zum Beispiel können die ersten lichtblockierenden Schichten 118 und 119 jeweils aus Cu/MoTi gebildet sein, und die zweiten lichtblockierenden Schichten 128 und 129 können jeweils aus MoTi oder ITO gebildet sein. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Außerdem können die ersten lichtblockierenden Schichten 118 und 119 und die zweiten lichtblockierenden Schichten 128 und 129 jeweils aus einem Metall, wie beispielsweise Ti, das ein Wasserstofffangvermögen aufweist, oder einer Ti-Legierung, wie beispielsweise Ti/Al/Ti, gebildet sein.
  • Die Materialien, die die ersten lichtblockierenden Schichten 118 und 119 und die zweiten lichtblockierenden Schichten 128 und 129 ausbilden, können zusätzlich zu Ti Sc, V, Mn, Fe, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm, U und Ähnliches aufweisen, die ausgezeichnete Wasserstofffangvermögen aufweisen.
  • Die erste Pufferschicht 111 kann auf den ersten lichtblockierenden Schichten 118 und 119 angeordnet sein, und die zweite Pufferschicht 112 kann auf den zweiten lichtblockierenden Schichten 128 und 129 angeordnet sein.
  • In diesem Falle können die erste Pufferschicht 111 und die zweite Pufferschicht 112 als eine einlagige Schicht oder eine mehrlagige Schicht ausgebildet sein, die aus Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) gebildet ist, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Die erste Halbleiterschicht ACT1 und die vierte Halbleiterschicht ACT4 können auf der zweiten Pufferschicht 112 angeordnet sein.
  • Die erste Halbleiterschicht ACT1 und die vierte Halbleiterschicht ACT4 können jeweils aus einem Oxidhalbleiter gebildet sein.
  • Die zweite Verbindungselektrode 126 kann auf der gleichen Schicht angeordnet sein wie die erste Halbleiterschicht ACT1 und die vierte Halbleiterschicht ACT4. Die zweite Verbindungselektrode 126 ist als eine leitfähige Halbleiterschicht eingerichtet und ist elektrisch mit der Pad-Leitung PAD verbunden. Jedoch kann die zweite Verbindungselektrode 126, wenn notwendig, weggelassen werden.
  • Die Gate-isolierende Schicht 113, die aus Siliziumoxid (SiOx) gebildet ist, kann auf der ersten Halbleiterschicht ACT1 und der vierten Halbleiterschicht ACT4 und der zweiten Verbindungselektrode 126 angeordnet sein. Eine Pad-Elektrode 336 kann auf der Gate-isolierenden Schicht 113 angeordnet sein. Die Pad-Elektrode 336 kann durch das freigelegte dreizehnte Kontaktloch elektrisch mit der zweiten Verbindungselektrode 126 verbunden sein.
  • Die erste Gate-Elektrode GE1 und die vierte Gate-Elektrode GE4 können auf der Gate-isolierenden Schicht 113 angeordnet sein.
  • Zum Beispiel können die erste Gate-Elektrode GE1 und die vierte Gate-Elektrode GE4 jeweils aus Mo, MoTi oder Ti/Al/Ti gebildet sein, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Insbesondere können die erste Gate-Elektrode GE1 und die vierte Gate-Elektrode GE4 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung als eine einlagige Schicht oder eine mehrlagige Schicht eingerichtet sein, die aus einem leitfähigen Material gebildet ist, außer, dass die erste Gate-Elektrode GE1 und die vierte Gate-Elektrode GE4 aus Cu gebildet sind oder ihre obersten Schichten aus Cu gebildet sind.
  • Deshalb kann die erste Planarisierungsschicht 115, die in der Form einer organischen Schicht bereitgestellt ist, auf der ersten Gate-Elektrode GE1 und der vierten Gate-Elektrode GE4 angeordnet sein.
  • Die erste Planarisierungsschicht 115 kann aus einem oder mehreren Materialien von Acrylharz, Epoxidharz, phenolischem Harz, Polyamid-basiertem Harz, Polyimid-basiertem Harz, ungesättigtem Polyester-basierten Harz, Polyphenylenbasiertem Harz, Polyphenylensulfid-basiertem Harz und Benzocyclobuten gebildet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können die erste Gate-Elektrode GE1 und die vierte Gate-Elektrode GE4 jeweils aus einem leitfähigen Material außer Cu gebildet sein. Deshalb ist die erste Planarisierungsschicht 115 in der Form einer organischen Schicht bereitgestellt, die direkt auf der ersten Gate-Elektrode GE1 und der vierten Gate-Elektrode GE4 angeordnet sein kann. Das bedeutet, dass Grenzflächeneigenschaften nicht gut sind, wenn eine organische Schicht auf Cu angeordnet ist. Deshalb wird, wenn die Gate-Elektrode aus Cu gebildet ist, die Schutzschicht, die in der Form einer anorganischen Schicht bereitgestellt ist, angeordnet, und dann wird die erste Planarisierungsschicht angeordnet.
  • Gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können die Drain-Elektroden DE1 und DE4 auf dem oberen Abschnitt der Gate-isolierenden Schicht 113 und dem oberen Abschnitt der ersten Planarisierungsschicht 115 angeordnet sein.
  • Das bedeutet, dass die erste Drain-Elektrode DE1 in dem offenen Bereich auf der Gate-isolierenden Schicht 113 angeordnet sein kann. Ein Teil der ersten Drain-Elektrode DE1 kann durch das Kontaktloch elektrisch mit der ersten Halbleiterschicht ACT1 verbunden sein, und ein anderer Teil der ersten Drain-Elektrode DE1 kann direkt mit der vierten Gate-Elektrode GE4 verbunden sein.
  • Außerdem kann die vierte Drain-Elektrode DE4 auf der ersten Planarisierungsschicht 115 angeordnet sein und durch das Kontaktloch elektrisch mit der vierten Halbleiterschicht ACT4 verbunden sein.
  • Da die erste Drain-Elektrode DE1, wie oben beschrieben, in dem offenen Bereich auf der Gate-isolierenden Schicht 113 angeordnet ist, ist zwischen den identischen Typen von Elektroden, das heißt, zwischen der ersten Drain-Elektrode DE1 und der vierten Drain-Elektrode DE4 ein vertikaler Niveauunterschied gebildet. Deshalb ist es möglich, einen Kurzschlussdefekt zwischen den identischen Typen von Elektroden zu verhindern und die parasitäre Kapazität zu reduzieren, wodurch Abstände zwischen den identischen Typen von Elektroden reduziert sind. Außerdem können eine Fläche der ersten Drain-Elektrode DE1 und eine Fläche der vierten Drain-Elektrode DE4 zunehmen. Deshalb kann eine Ladungsmenge zunehmen, so dass eine Prüfgenauigkeit verbessert sein kann.
  • Die erste Drain-Elektrode DE1 und die vierte Drain-Elektrode DE4 können jeweils aus einem Metall, wie beispielsweise Ti, das ein Wasserstofffangvermögen aufweist, oder einer Ti-Legierung, wie beispielsweise Ti/Al/Ti, gebildet sein.
  • Außerdem können die Materialien, die die erste Drain-Elektrode DE1 und die vierte Drain-Elektrode DE4 einrichten, zusätzlich zu Ti Sc, V, Mn, Fe, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm, U und Ähnliches aufweisen, die ausgezeichnete Wasserstofffangvermögen aufweisen.
  • Insbesondere ist gemäß der dritten Ausführungsform die Schutzschicht eliminiert, und ein Abstand zwischen der ersten Drain-Elektrode DE1 und der vierten Drain-Elektrode DE4 und den Oxid-Dünnschichttransistoren T1 und T4 ist gesenkt, was es möglich macht, den Wasserstofffangeffekt zu maximieren.
  • Außerdem ist gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Schutzschicht eliminiert, so dass insgesamt elf Maskenprozesse erforderlich sind, um alle Prozesse von dem Prozess des Bildens der ersten lichtblockierenden Schicht bis zu dem Prozess des Bildens des lichtemittierenden Elements durchzuführen. Deshalb ist es möglich, die Anzahl von Maskenprozessen im Vergleich zu der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform um eins zu reduzieren. Als ein Ergebnis ist es möglich, die Produktivität weiter zu verbessern und die Anzahl von Prozessen und Materialkosten weiter zu reduzieren.
  • Die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können auch wie folgt beschrieben werden:
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung bereitgestellt. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung weist ein Substrat, das in einen Anzeigebereich und einen Nicht-Anzeigebereich unterteilt ist, eine erste lichtblockierende Schicht und eine Datenleitung, die in dem Anzeigebereich auf dem Substrat angeordnet sind, eine erste Pufferschicht, die auf der ersten lichtblockierenden Schicht und der Datenleitung angeordnet ist, eine Halbleiterschicht, die auf einem oberen Abschnitt der ersten Pufferschicht angeordnet ist und aus einem Oxidhalbleiter gebildet ist, eine Gate-isolierende Schicht, die auf der Halbleiterschicht angeordnet ist, eine Gate-Elektrode, die auf der Gate-isolierenden Schicht angeordnet ist, eine Schutzschicht und eine erste Planarisierungsschicht, die auf einem oberen Abschnitt der Gate-Elektrode angeordnet sind, eine Drain-Elektrode, die auf der Schutzschicht, die mittels Entfernens eines Teilbereichs der ersten Planarisierungsschicht freigelegt ist, angeordnet ist, eine zweite Planarisierungsschicht, die auf der Drain-Elektrode und der ersten Planarisierungsschicht angeordnet ist, und ein lichtemittierendes Element, das auf einem oberen Abschnitt der zweiten Planarisierungsschicht angeordnet ist und eine Anode, einen lichtemittierenden Teil und eine Kathode aufweist, auf.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung bereitgestellt. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung weist ein Substrat, das in einen Anzeigebereich und einen Nicht-Anzeigebereich unterteilt ist, eine erste lichtblockierende Schicht und eine Datenleitung, die in dem Anzeigebereich auf dem Substrat angeordnet sind, eine erste Pufferschicht, die auf der ersten lichtblockierenden Schicht und der Datenleitung angeordnet ist, eine Halbleiterschicht auf einem oberen Abschnitt der ersten Pufferschicht, und die aus einem Oxidhalbleiter gebildet ist, eine Gate-isolierende Schicht, die auf der Halbleiterschicht angeordnet ist, eine Gate-Elektrode, die auf der Gate-isolierenden Schicht angeordnet ist, eine erste Planarisierungsschicht, die auf der Gate-Elektrode angeordnet ist, eine Drain-Elektrode, die auf der Gate-isolierenden Schicht, die mittels Entfernens eines Teilbereichs der ersten Planarisierungsschicht freigelegt ist, angeordnet ist, eine zweite Planarisierungsschicht, die auf der Drain-Elektrode und der ersten Planarisierungsschicht angeordnet ist, und ein lichtemittierendes Element, das auf einem oberen Abschnitt der zweiten Planarisierungsschicht angeordnet ist und eine Anode, einen lichtemittierendes Teil und eine Kathode aufweist, auf.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann des Weiteren eine zweite lichtblockierende Schicht, die auf der ersten Pufferschicht bereitgestellt ist und derart angeordnet ist, dass sie die erste lichtblockierende Schicht überlappt, und eine zweite Pufferschicht, die auf der zweiten lichtblockierenden Schicht angeordnet ist, aufweisen, wobei die Halbleiterschicht auf der zweiten Pufferschicht angeordnet sein kann.
  • Die erste lichtblockierende Schicht und die zweite lichtblockierende Schicht können aus Ti oder einer Ti-Legierung gebildet sein.
  • Ein Teil der Halbleiterschicht kann elektrisch mit der Datenleitung verbunden sein, und ein weiterer Teil der Halbleiterschicht kann elektrisch mit der ersten lichtblockierenden Schicht verbunden sein.
  • Die Halbleiterschicht kann durch ein Erste-lichtblockierende-Schicht-Kontaktloch mit der der ersten lichtblockierenden Schicht verbunden sein, die Drain-Elektrode kann durch ein Drain-Kontaktloch mit der Halbleiterschicht verbunden sein, und das Erste-lichtblockierende-Schicht-Kontaktloch und das Drain-Kontaktloch können einander überlappen.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann des Weiteren eine Hochpotential-Stromleitung, die auf dem Substrat angeordnet ist, eine zweite lichtblockierende Schicht, die auf der ersten Pufferschicht angeordnet ist, und eine Ansteuerungshalbleiterschicht, die auf der gleichen Schicht wie die Halbleiterschicht angeordnet ist und aus dem Oxidhalbleiter gebildet ist, aufweisen.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann des Weiteren eine Ansteuerungs-Gate-Elektrode, die auf einem oberen Abschnitt der Ansteuerungshalbleiterschicht angeordnet ist, aufweisen, wobei die Drain-Elektrode durch ein Kontaktloch elektrisch mit der Ansteuerungs-Gate-Elektrode verbunden sein kann.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann des Weiteren eine Ansteuerungs-Drain-Elektrode, die auf einem oberen Abschnitt der Schutzschicht und einem oberen Abschnitt der ersten Planarisierungsschicht angeordnet ist und elektrisch mit der Ansteuerungshalbleiterschicht verbunden ist, aufweisen.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann des Weiteren eine Hochpotential-Stromleitung, die auf dem Substrat angeordnet ist, eine zweite lichtblockierende Schicht, die auf der ersten Pufferschicht angeordnet ist, und eine Ansteuerungshalbleiterschicht, die auf der gleichen Schicht angeordnet ist wie die Halbleiterschicht und aus dem Oxidhalbleiter gebildet ist, aufweisen.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann des Weiteren eine Ansteuerungs-Gate-Elektrode aufweisen, die auf einem oberen Abschnitt der Ansteuerungshalbleiterschicht angeordnet ist, wobei die Drain-Elektrode direkt mit der Ansteuerungs-Gate-Elektrode verbunden sein kann.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann des Weiteren eine Ansteuerungs-Drain-Elektrode aufweisen, die auf der ersten Planarisierungsschicht angeordnet ist und elektrisch mit der Ansteuerungshalbleiterschicht verbunden ist.
  • Ein Teil der Ansteuerungshalbleiterschicht kann elektrisch mit der Hochpotential-Stromleitung verbunden sein, und ein weiterer Teil der Ansteuerungshalbleiterschicht kann elektrisch mit der zweiten lichtblockierenden Schicht verbunden sein.
  • Die Drain-Elektrode und die Ansteuerungs-Drain-Elektrode können aus Ti oder einer Ti-Legierung gebildet sein.
  • Die Ansteuerungshalbleiterschicht kann durch ein Zweitelichtblockierende-Schicht-Kontaktloch mit der zweiten lichtblockierenden Schicht verbunden sein, die Ansteuerungs-Drain-Elektrode kann durch ein Ansteuerungs-Drain-Kontaktloch mit der Ansteuerungshalbleiterschicht verbunden sein, und das Zweitelichtblockierende-Schicht-Kontaktloch und das Ansteuerungs-Drain-Kontaktloch können einander überlappen.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann das Weiteren eine Pad-Leitung aufweisen, die in dem Nicht-Anzeigebereich auf dem Substrat angeordnet ist.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann des Weiteren eine Verbindungselektrode aufweisen, die auf der zweiten Pufferschicht angeordnet ist und elektrisch mit der Pad-Leitung verbunden ist, wobei die Verbindungselektrode aus einem leitfähigen Halbleiter des Oxidhalbleiters gebildet sein kann.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann des Weiteren eine Pad-Elektrode aufweisen, die auf der Schutzschicht angeordnet ist und elektrisch mit der Verbindungselektrode verbunden ist, wobei die Pad-Elektrode auf der gleichen Schicht angeordnet sein kann wie die Drain-Elektrode und aus dem gleichen leitfähigen Material gebildet sein kann wie die Drain-Elektrode.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann des Weiteren eine Pad-Elektrode aufweisen, die auf der Schutzschicht angeordnet ist und elektrisch mit der Pad-Leitung verbunden ist, wobei die Pad-Elektrode auf der gleichen Schicht angeordnet sein kann wie die Drain-Elektrode und aus dem gleichen leitfähigen Material gebildet sein kann wie die Drain-Elektrode.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann des Weiteren einen Damm, der auf der zweiten Planarisierungsschicht angeordnet ist und einen Öffnungsabschnitt aufweist, durch den ein Teil der Anode freigelegt ist, und eine Grabenstruktur, die mittels Entfernens eines Teilbereichs des Damms eingerichtet ist, aufweisen.
  • Obwohl die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen im Detail beschrieben worden sind, ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt und kann in vielen verschiedenen Formen ausgeführt werden, ohne von dem technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Deshalb sind die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung lediglich zu illustrativen Zwecken bereitgestellt, und es ist nicht beabsichtigt, dass sie das technische Konzept der vorliegenden Offenbarung einschränken. Der Anwendungsbereich des technischen Konzepts der vorliegenden Offenbarung ist nicht hierauf beschränkt. Deshalb ist zu bemerken, dass die oben beschriebenen beispielhaften Ausführungsformen in allen Aspekten illustrativ sind und die vorliegende Offenbarung nicht einschränken. Der Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung sollte basierend auf den folgenden Ansprüchen ausgelegt werden.

Claims (20)

  1. Eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100), aufweisend: ein Substrat (110), das in einen Anzeigebereich (AA) und einen Nicht-Anzeigebereich (NA) unterteilt ist; eine erste lichtblockierende Schicht (118) und eine Datenleitung (DL), die in dem Anzeigebereich (AA) auf dem Substrat (110) angeordnet sind; eine erste Pufferschicht (111), die auf der ersten lichtblockierenden Schicht (118) und der Datenleitung (DL) angeordnet ist; eine Halbleiterschicht (ACT1), die auf einem oberen Abschnitt der ersten Pufferschicht (111) angeordnet ist und aus einem Oxidhalbleiter gebildet ist; eine Gate-isolierende Schicht (113), die auf der Halbleiterschicht (ACT1) angeordnet ist; eine Gate-Elektrode (GE1), die auf der Gate-isolierenden Schicht (113) angeordnet ist; eine Schutzschicht (114) und eine erste Planarisierungsschicht (115), die auf einem oberen Abschnitt der Gate-Elektrode (GE1) angeordnet sind; eine Drain-Elektrode (DE1), die auf einem freigelegten Teil der Schutzschicht (114) angeordnet ist, wo ein Teilbereich der ersten Planarisierungsschicht (115) entfernt ist; eine zweite Planarisierungsschicht (116), die auf der Drain-Elektrode (DE1) und der ersten Planarisierungsschicht (115) angeordnet ist; und ein lichtemittierendes Element (120), das auf einem oberen Abschnitt der zweiten Planarisierungsschicht (116) angeordnet ist und eine Anode (121), einen lichtemittierenden Teil (122) und eine Kathode (123) aufweist.
  2. Eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100), aufweisend: ein Substrat (110), das in einen Anzeigebereich (AA) und einen Nicht-Anzeigebereich (NA) unterteilt ist; eine erste lichtblockierende Schicht (118, 119) und eine Datenleitung (DL), die in dem Anzeigebereich (AA) auf dem Substrat (110) angeordnet sind; eine erste Pufferschicht (111), die auf der ersten lichtblockierenden Schicht (118, 119) und der Datenleitung (DL) angeordnet ist; eine Halbleiterschicht (ACT1) auf einem oberen Abschnitt der ersten Pufferschicht (111), und die aus einem Oxidhalbleiter gebildet ist; eine Gate-isolierende Schicht (113), die auf der Halbleiterschicht (ACT1) angeordnet ist; eine Gate-Elektrode (GE1), die auf der Gate-isolierenden Schicht (113) angeordnet ist; eine erste Planarisierungsschicht (115), die auf der Gate-Elektrode (GE1) angeordnet ist; eine Drain-Elektrode (DE1), die auf einem freigelegten Teil der Gate-isolierenden Schicht (113) angeordnet ist, wo ein Teilbereich der ersten Planarisierungsschicht (115) entfernt ist; eine zweite Planarisierungsschicht (116), die auf der Drain-Elektrode (DE1) und der ersten Planarisierungsschicht (115) angeordnet ist; und ein lichtemittierendes Element (120), das auf einem oberen Abschnitt der zweiten Planarisierungsschicht (116) angeordnet ist und eine Anode (121), einen lichtemittierenden Teil (122) und eine Kathode (123) aufweist.
  3. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 1 oder 2, ferner aufweisend: eine zweite lichtblockierende Schicht (128, 129), die auf der ersten Pufferschicht (111) angeordnet ist und die erste lichtblockierende Schicht (118, 119) überlappt; und eine zweite Pufferschicht (112), die auf der zweiten lichtblockierenden Schicht (128, 129) angeordnet ist, wobei die Halbleiterschicht (ACT1) auf der zweiten Pufferschicht (112) angeordnet ist.
  4. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 3, wobei die erste lichtblockierende Schicht (118, 119) und die zweite lichtblockierende Schicht (128, 129) aus Ti oder einer Ti-Legierung gebildet sind.
  5. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei ein Teil der Halbleiterschicht (ACT1) elektrisch mit der Datenleitung (DL) verbunden ist und ein weiterer Teil der Halbleiterschicht (ACT1) elektrisch mit der ersten lichtblockierenden Schicht (118) verbunden ist.
  6. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 5, wobei die Halbleiterschicht (ACT1) durch ein Erste-lichtblockierende-Schicht-Kontaktloch mit der der ersten lichtblockierenden Schicht (118, 119) verbunden ist, die Drain-Elektrode (DE1) durch ein Drain-Kontaktloch mit der Halbleiterschicht (ACT1) verbunden ist, und das Erste-lichtblockierende-Schicht-Kontaktloch und das Drain-Kontaktloch einander überlappen.
  7. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, ferner aufweisend: eine Hochpotential-Stromleitung (HPPL), die auf dem Substrat (110) angeordnet ist; eine zweite lichtblockierende Schicht (128, 129), die auf der ersten Pufferschicht (111) angeordnet ist; und eine Ansteuerungshalbleiterschicht (ACT4), die auf der gleichen Schicht wie die Halbleiterschicht (ACT1) angeordnet ist und aus dem Oxidhalbleiter gebildet ist.
  8. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 7, ferner aufweisend: eine Ansteuerungs-Gate-Elektrode (GE4), die auf einem oberen Abschnitt der Ansteuerungshalbleiterschicht (ACT4) angeordnet ist, wobei die Drain-Elektrode (DE1) durch ein Kontaktloch elektrisch mit der Ansteuerungs-Gate-Elektrode (GE4) verbunden ist.
  9. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 8, ferner aufweisend: eine Ansteuerungs-Drain-Elektrode (DE4), die auf einem oberen Abschnitt der Schutzschicht (114) und einem oberen Abschnitt der ersten Planarisierungsschicht (115) angeordnet ist und elektrisch mit der Ansteuerungshalbleiterschicht (ACT4) verbunden ist.
  10. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 2, ferner aufweisend: eine Hochpotential-Stromleitung (HPPL), die auf dem Substrat (110) angeordnet ist; eine zweite lichtblockierende Schicht (128, 129), die auf der ersten Pufferschicht (111) angeordnet ist; und eine Ansteuerungshalbleiterschicht (ACT4), die auf der gleichen Schicht angeordnet ist wie die Halbleiterschicht (ACT1) und aus dem Oxidhalbleiter gebildet ist.
  11. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 10, ferner aufweisend: eine Ansteuerungs-Gate-Elektrode (GE4), die auf einem oberen Abschnitt der Ansteuerungshalbleiterschicht (ACT4) angeordnet ist, wobei die Drain-Elektrode (DE1) direkt mit der Ansteuerungs-Gate-Elektrode (GE4) verbunden ist.
  12. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 11, ferner aufweisend: eine Ansteuerungs-Drain-Elektrode (DE4), die auf der ersten Planarisierungsschicht (115) angeordnet ist und elektrisch mit der Ansteuerungshalbleiterschicht (ACT4) verbunden ist.
  13. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 9 oder 12, wobei ein Teil der Ansteuerungshalbleiterschicht (ACT4) elektrisch mit der Hochpotential-Stromleitung (HPPL) verbunden ist, und ein weiterer Teil der Ansteuerungshalbleiterschicht (ACT4) elektrisch mit der zweiten lichtblockierenden Schicht (128, 129) verbunden ist.
  14. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 13, wobei die Drain-Elektrode (DE1) und die Ansteuerungs-Drain-Elektrode (DE4) aus Ti oder einer Ti-Legierung gebildet sind.
  15. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 13, wobei die Ansteuerungshalbleiterschicht (ACT4) durch ein Zweite-lichtblockierende-Schicht-Kontaktloch mit der zweiten lichtblockierenden Schicht (128, 129) verbunden ist, die Ansteuerungs-Drain-Elektrode (DE4) durch ein Ansteuerungs-Drain-Kontaktloch mit der Ansteuerungshalbleiterschicht (ACT4) verbunden ist, und das Zweitelichtblockierende-Schicht-Kontaktloch und das Ansteuerungs-Drain-Kontaktloch einander überlappen.
  16. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 3 bis 15, ferner aufweisend: eine Pad-Leitung (PAD), die in dem Nicht-Anzeigebereich (NA) auf dem Substrat (110) angeordnet ist.
  17. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 16, ferner aufweisend: eine Verbindungselektrode (126), die auf der zweiten Pufferschicht (112) angeordnet ist und elektrisch mit der Pad-Leitung (PAD) verbunden ist, wobei die Verbindungselektrode (126) aus einem leitfähigen Halbleiter des Oxidhalbleiters gebildet ist.
  18. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 17, ferner aufweisend: eine Pad-Elektrode (136), die auf der Schutzschicht (114) angeordnet ist und elektrisch mit der Verbindungselektrode (126) verbunden ist, wobei die Pad-Elektrode (136) auf einer gleichen Schicht angeordnet ist wie die Drain-Elektrode (DE1) und aus einem gleichen leitfähigen Material wie die Drain-Elektrode (DE1) gebildet ist.
  19. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 16, ferner aufweisend: eine Pad-Elektrode (236), die auf der Schutzschicht (114) angeordnet ist und elektrisch mit der Pad-Leitung (PAD) verbunden ist, wobei die Pad-Elektrode (236) auf einer gleichen Schicht angeordnet ist wie die Drain-Elektrode (DE1) und aus einem gleichen leitfähigen Material wie die Drain-Elektrode (DE1) gebildet ist.
  20. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 19, ferner aufweisend: einen Damm (150), der auf der zweiten Planarisierungsschicht (116) angeordnet ist und einen Öffnungsabschnitt (OP) aufweist, durch den ein Teil der Anode (121) freigelegt ist; und wobei ein Teilbereich des Damms (150) derart entfernt ist, dass eine Grabenstruktur (155) in dem Damm (150) gebildet ist.
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