DE102021210260A1 - Waferbearbeitungsverfahren - Google Patents

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Susumu Yokoo
Hiroyuki Takahashi
Kentaro Wada
Yoshio Watanabe
Kenji Okazaki
Yoshiteru Nishida
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Abstract

Ein Waferbearbeitungsverfahren beinhaltet: einen Beschichtungsschritt für einen Kunststofffilm zum Beschichten einer oberen Oberfläche eines Wafers mit einem wasserlöslichen Kunststoff und Beschichten eines Teilungsbands, das zwischen dem Wafer und einem Rahmen freiliegt, mit einem wasserlöslichen Kunststoff und Aushärten des wasserlöslichen Kunststoffs, um einen Kunststofffilm auszubilden, einen partiellen Kunststofffilm-Entfernungsschritt zum Entfernen des Kunststofffilms von Bereichen des Wafers, die geteilt werden sollen, um teilweise die obere Oberfläche des Wafers freizulegen, einen Ätzschritt zum Aussetzen der Bereiche des Wafers, die geteilt werden sollen, einem Plasmaätzen, um den Wafer in einzelne Bauelementchips zu teilen, und einen Entfernungsschritt für einen gesamten Kunststofffilm zum Reinigen einer Rahmeneinheit, um das Gesamte des Kunststofffilms zu entfernen.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers in einzelne Bauelementchips durch Plasmaätzen unter Verwendung eines Fluor-basierten Gases.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Ein Wafer, der an einer vorderen Oberfläche mit mehreren Bauelementen wie integrierten Schaltungen (ICs) und Largescale Integrations (LSIs) ausgebildet ist, während dieser durch mehrere sich kreuzende Straßen aufgeteilt ist, wird durch eine Teilungsvorrichtung in einzelne Bauelementchips geteilt und die geteilten Bauelementchips werden für elektrische Ausstattungen wie Mobiltelefone und Personalcomputer verwendet.
  • Zusätzlich, um die Festigkeit der Bauelementchips zu verbessern, wurde eine Technologie des Abdeckens einer oberen Oberfläche des Wafers mit einer Maske, Freilegen der Straßen und Aussetzen der Straßen einem Plasmaätzen unter Verwendung eines Fluor-basierten Gases durch den vorliegenden Anmelder vorgeschlagen, um den Wafer in einzelne Bauelementchips zu teilen (siehe japanische Offenlegungsschrift Nummer 2006 - 108428 ).
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Bei der Technologie, die in der japanischen Offenlegungsschrift Nummer 2006-108428 beschrieben ist, wird der Wafer an einer Öffnung eines ringförmigen Rahmens positioniert, der in dem Zentrum mit der Öffnung zum Aufnehmen des Wafers bereitgestellt ist, ein Teilungsband wird an einer unteren Oberfläche des Wafers und dem ringförmigen Rahmen angebracht, um eine Rahmeneinheit auszubilden, woraufhin die obere Oberfläche des Wafers mit einer Maske bedeckt wird und einem Plasmaätzen ausgesetzt wird, um den Wafer in Bauelementchips zu teilen. Als ein Ergebnis kann der Wafer, der in die einzelnen Bauelementchips geteilt wurde, effizient gefördert werden.
  • In dem Fall, in dem der Wafer durch die oben genannte Technologie geteilt wird, wird das Element Fluor, das erzeugt wird, wenn das Plasmaätzen durchgeführt wird, an dem Teilungsband abgeschieden und kann nicht vollständig entfernt werden, sogar wenn es gereinigt wird, sondern würde an dem Teilungsband überbleiben. Darum, wenn die Rahmeneinheit, die den Wafer durch das Teilungsband hält, zu einem späteren Schritt gefördert wird, existiert ein Problem, dass das Teilungsband als eine Kontaminationsquelle dient, die das Element Fluor beinhaltet.
  • Entsprechend ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Waferbearbeitungsverfahren bereitzustellen, mit dem sichergestellt wird, dass, sogar wenn Plasmaätzen angewendet wird, um den Wafer in Bauelementchips zu teilen, das Element Fluor nicht an dem Teilungsband überbleibt und ein Problem, dass das Teilungsband als eine Kontaminationsquelle in späteren Schritten wirkt, kann gelöst werden.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Waferbearbeitungsverfahren bereitgestellt, um einen Wafer in einzelne Bauelementchips durch Plasmaätzen, das ein Fluor-basiertes Gas verwendet, zu teilen, wobei das Waferbearbeitungsverfahren einen Ausbildungsschritt für eine Rahmeneinheit zum Positionieren des Wafers an einer Öffnung eines ringförmigen Rahmens, der in einem Zentrum mit der Öffnung zum Aufnehmen des Wafers bereitgestellt ist, und Anbringen eines Teilungsbands an einer unteren Oberfläche des Wafers und des ringförmigen Rahmens, um eine Rahmeneinheit auszubilden, einen Beschichtungsschritt für einen Kunststofffilm zum Beschichten einer oberen Oberfläche des Wafers mit einem wasserlöslichen Kunststoff und Beschichten des Teilungsbands, das zwischen dem Wafer und dem ringförmigen Rahmen freiliegt, mit einem wasserlöslichen Kunststoff und Aushärten des wasserlöslichen Kunststoffs, um einen Kunststofffilm auszubilden, einen partiellen Kunststofffilm-Entfernungsschritt zum Entfernen des Kunststofffilms von Bereichen des Wafers, die geteilt werden sollen, um die obere Oberfläche des Wafers teilweise freizulegen, einen Schritt zum Aussetzen der Bereiche des Wafers, die geteilt werden sollen, einem Plasmaätzen, um den Wafer in einzelne Bauelementchips zu teilen, und einen Entfernungsschritt für einen gesamten Kunststofffilm zum Reinigen der Rahmeneinheit, um den gesamten Kunststofffilm zu entfernen, beinhaltet.
  • Vorzugsweise wird das Fluor-basierte Gas aus einer Gruppe ausgewählt, die aus SF6, CF4, C2F6 und C2F4 besteht, und der Wafer weist mehrere Bauelemente auf, die an der oberen Oberfläche ausgebildet sind, die durch mehrere sich kreuzende Straßen geteilt ist.
  • Entsprechend dem Waferbearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung wird das Element Fluor durch den Kunststofffilm eingefangen und zusammen mit dem Kunststoff durch Reinigen entfernt und nicht an dem Teilungsband abgeschieden, sodass das Problem, dass die Rahmeneinheit als eine Kontaminationsquelle dient, gelöst wird.
  • Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art, diese zu realisieren, werden ersichtlicher und die Erfindung selbst wird am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und der angehängten Ansprüche unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, verstanden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Ausführungsform des Ausbildungsschritts für eine Rahmeneinheit darstellt;
    • 2 ist eine perspektivische Ansicht eines Drehbeschichters;
    • 3 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Ausführungsform eines Beschichtungsschritts für einen Kunststofffilm darstellt;
    • 4A ist eine perspektivische Ansicht, die eine Ausführungsform eines partiellen Kunststofffilm-Entfernungsschritts darstellt;
    • 4B ist eine vergrößerte Teilansicht im Querschnitt eines Wafers in einem Zustand, in dem der partielle Kunststofffilm-Entfernungsschritt, der in 4A dargestellt ist, ausgeführt wird;
    • 5A ist eine perspektivische Ansicht, die eine Ausführungsform eines Ätzschritts darstellt;
    • 5B ist eine vergrößerte Teilansicht im Querschnitt eines Wafers in einem Zustand, in dem der Ätzschritt, der in 5A dargestellt ist, ausgeführt wird; und
    • 6 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Ausführungsform des Entfernungsschritts für einen gesamten Kunststofffilm darstellt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Ein Waferbearbeitungsverfahren entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird detailliert im Folgenden mit Bezug zu den angehängten Figuren beschrieben. 1 stellt einen Wafer 10 als ein Werkstück in der vorliegenden Ausführungsform dar. Der Wafer 10 ist zum Beispiel ein Siliziumwafer, der an einer vorderen Oberfläche 10a mit mehreren Bauelementen wie zum Beispiel ICs und LSIs ausgebildet ist, während diese durch mehrere sich kreuzende Straßen 14 aufgeteilt sind. Beim Ausführen des Waferbearbeitungsverfahrens der vorliegenden Ausführungsform ist ein ringförmiger Rahmen (im Folgenden einfach als ein Rahmen bezeichnet) F in dem Zentrum mit einer Öffnung Fa zum Aufnehmen des Wafers 10 vorbereitet, der Wafer 10 ist an der Öffnung Fa des Rahmens F positioniert, ein Teilungsband ist an einer unteren Oberfläche 10b des Wafers 10 und des Rahmens F angebracht und sie sind integriert, um eine Rahmeneinheit 18 auszubilden (Ausbildungsschritt für eine Rahmeneinheit).
  • Als nächstes wird eine obere Oberfläche (in der vorliegenden Ausführungsform die vordere Oberfläche 10a) des Wafers 10 mit einem wasserlöslichen Kunststoff beschichtet, das Teilungsband T, das zwischen dem Wafer 10 und dem Rahmen F freiliegt, wird mit einem wasserlöslichen Kunststoff beschichtet und der wasserlösliche Kunststoff wird ausgehärtet, um einen Kunststofffilm auszubilden (Beschichtungsschritt für einen Kunststofffilm).
  • Der vorgenannte Beschichtungsschritt für einen Kunststofffilm wird genauer mit Bezug zu 2 und 3 beschrieben. Beim Ausführen des Beschichtungsschritts für einen Kunststofffilm wird die vorgenannte Rahmeneinheit 18 zu einem Drehbeschichter 20, der in 2 dargestellt ist, gefördert.
  • Wie in 2 dargestellt beinhaltet der Drehbeschichter 20 einen Tischmechanismus 21 und einen Abdeckabschnitt 30, der den Tischmechanismus 21 umgibt. Beachte, dass 2 eine perspektivische Ansicht des Drehbeschichters 20 ist und zur einfacheren Erklärung ein Teil an der Betrachterseite einer Flüssigkeitsabdeckung 31, welche den Abdeckabschnitt 30 ausbildet, in einem ausgeschnittenen Zustand dargestellt ist. Wie 2 entnommen werden kann, beinhaltet der Tischmechanismus 21 einen Tisch 22 zum Halten der Rahmeneinheit 18. Der Tisch 22 beinhaltet eine Saugeinspannung 221, die aus einem porösen Material ausgebildet ist, das gasdurchlässig ist, und einen Rahmenabschnitt 222, der die Saugeinspannung 221 umgibt, und die Saugeinspannung 221 ist mit einer Saugquelle (zur Darstellung ausgelassen) verbunden und wird mit einem negativen Saugdruck versorgt. Ferner beinhaltet der Tischmechanismus 21 einen Schaftabschnitt 24 und ist mit einer Antriebsquelle 25 durch eine Welle (in der Darstellung ausgelassen), die in dem Inneren des Schaftabschnitts 24 aufgenommen ist, verbunden. Die Welle wird durch einen elektrischen Motor (in der Darstellung ausgelassen), der in der Antriebsquelle 25 aufgenommen ist, angetrieben und treibt den Tisch 22 drehend an. Mehrere Luftkolben 26 sind in der Umgebung der Antriebsquelle 25 angeordnet und Stangen 26a werden in der vertikalen Richtung, die durch einen Pfeil in der Figur angegeben ist, vorgeschoben und zurückgezogen, wodurch der Tisch 22, der Schaftabschnitt 24 und die Antriebsquelle 25 zusammen angehoben und abgesenkt werden. Der Schaftabschnitt 24 und die Antriebsquelle 25 dienen als eine Basis zum Tragen des Tischs 22.
  • Ein Abflussloch 32 zum Ablassen der Flüssigkeit, die auf das Innere der Flüssigkeitsabdeckung 31 ausgestoßen wird, ist an einer unteren Oberfläche 31a in der Flüssigkeitsabdeckung 31 angeordnet und ein Abflussschlauch 33 zum Ablassen der Flüssigkeit zu einem Sammeltank (in der Darstellung ausgelassen), der außerhalb der Flüssigkeitsabdeckung 31 angeordnet ist, ist mit dem Abflussloch 32 verbunden. Ferner sind eine Zufuhrdüse 34 für einen wasserlöslichen Kunststoff, die einen wasserlöslichen Kunststoff (zum Beispiel Polyvinylalkohol (PVA)) in einem flüssigen Zustand zu einer oberen Oberfläche des Wafers 10, der an dem Einspanntisch 22 gehalten ist, zuführt, eine Luftausstoßdüse 35, die Luft zu der oberen Oberfläche des Wafers 10 ausstößt und eine Zufuhrdüse 36 für eine Reinigungsflüssigkeit, welche eine Reinigungsflüssigkeit von der oberen Seite des Wafers 10 ausstößt, an der unteren Oberfläche 31a der Flüssigkeitsabdeckung 31 in einer solchen Weise angeordnet, dass sie den Tisch 22 umgeben. Die vorgenannten Zufuhrdüse 34 für einen wasserlöslichen Kunststoff, Luftausstoßdüse 35 und Zufuhrdüse 36 für eine Reinigungsflüssigkeit weisen Düsenspitzenabschnitte auf, die dazu geeignet sind, in einer horizontalen Richtung an der oberen Seite des Tischs 22 durch Betätigen eines Antriebsmittels (in der Darstellung ausgelassen), das an der hinteren Oberflächenseite der unteren Oberfläche 31a der Flüssigkeitsabdeckung 31 angeordnet ist, bewegt zu werden. Wie in 2 dargestellt, in einem Zustand, in dem der Tisch 22 an einer Position positioniert ist (angehobene Position), wo der Wafer 10 eingebracht oder ausgebracht wird, werden die Zufuhrdüse 34 für einen wasserlöslichen Kunststoff, die Luftausstoßdüse 35 und die Zuführdüse 36 für eine Reinigungsflüssigkeit in zurückgezogenen Position in der Richtung der Umgebungsseite positioniert.
  • Wie in 3 dargestellt wird die Rahmeneinheit 18, die zu dem Drehbeschichter 20 gefördert wurde, an dem Tisch 22 befestigt und wird unter einem Saugen durch Betätigen der Saugquelle (in der Darstellung ausgelassen) gehalten. Nachdem die Rahmeneinheit 18 unter einem Saugen gehalten ist, werden die Luftkolben 26 betätigt, um die Rahmeneinheit 18 zu einer Bearbeitungsposition, wie in 3 dargestellt, abzusenken. Als nächstes wird der elektrische Motor, der in der Antriebsquelle 25 angeordnet ist, angetrieben, um die Rahmeneinheit 18 in der Richtung, die durch einen Pfeil R1 angegeben ist, mit einer vorbestimmten Drehgeschwindigkeit (zum Beispiel 300 Umdrehungen/min) zu drehen und, während die Zufuhrdüse 34 für einen wasserlöslichen Kunststoff in der Richtung (horizontaler Richtung), die durch einen Pfeil R2 in der Figur dargestellt ist, geschwenkt wird, wird ein wasserlöslicher Kunststoff P ausgestoßen, um eine vorbestimmte Menge des wasserlöslichen Kunststoffs P (zum Beispiel PVA) auf die obere Oberfläche (vordere Oberfläche 10a) des Wafers 10 und auf das Teilungsband T, das zwischen dem Wafer 10 und dem Rahmen F freiliegt, zuzuführen. Beachte, dass obwohl die Darstellung ausgelassen ist, ein Abdeckelement an der oberen Seite des Drehbeschichters 20 angeordnet ist und in dem Fall des Ausstoßens der Flüssigkeit, Luft und dergleichen von der Zufuhrdüse 34 für einen wasserlöslichen Kunststoff, der Luftausstoßdüse 35 und der Zufuhrdüse 36 für eine Reinigungsflüssigkeit die obere Seite des Abdeckabschnitts 30 mit dem Abdeckelement verschlossen ist.
  • Nachdem der wasserlösliche Kunststoff P an der oberen Oberfläche des Wafers 10 und dem Teilungsband T wie oben beschrieben aufgebracht wurde und gleichmäßig zu der gesamten oberen Oberfläche des Wafers 10 durch eine Zentrifugalkraft zugeführt wurde, verstreicht eine vorbestimmte Zeit, wodurch der flüssige wasserlösliche Kunststoff P aushärten kann, um einen Kunststofffilm P' auszubilden, der die obere Oberfläche des Wafers 10 und des Teilungsbands T, das zwischen dem Wafer 10 und den Rahmen F freiliegt, beschichtet, wie an der unteren Seite in 3 dargestellt. Durch das Vorgenannte ist der Beschichtungsschritt für einen Kunststofffilm abgeschlossen.
  • Als nächstes wird ein partieller Kunststofffilm-Entfernungsschritt ausgeführt, in dem der Kunststofffilm P' von den Bereichen des Wafers 10 entfernt wird, die geteilt werden sollen (in der vorliegenden Ausführungsform die Straßen 14), um die obere Oberfläche (vordere Oberfläche 10a) des Wafers 10 teilweise freizulegen. Der partielle Kunststofffilm-Entfernungsschritt wird mit Bezug zu 4A und 4B beschrieben.
  • Die Rahmeneinheit 18, die mit dem Kunststofffilm P' an der oberen Oberfläche des Wafers 10 und dem Teilungsband T durch Ausführen des Beschichtungsschritts für einen Kunststofffilm ausgebildet ist, wird zu einer Laserbearbeitungsvorrichtung 40 (nur ein Teil dieser ist dargestellt), die in 4A dargestellt ist, gefördert. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 40 beinhaltet mindestens einen Einspanntisch (in der Darstellung ausgelassen), der die Rahmeneinheit 18 hält, einen Bewegungsmechanismus (in der Darstellung ausgelassen), der den Einspanntisch drehend antreibt und den Einspanntisch in einer X-Achsenrichtung und einer Y-Achsenrichtung bewegt, eine Ausrichtungseinheit (in der Darstellung ausgelassen) und eine Aufbringungseinheit 41 für einen Laserstrahl. Die Aufbringungseinheit 41 für einen Laserstrahl emittiert einen Laserstrahl LB und beinhaltet ein optisches System (in der Darstellung ausgelassen), welches die Leistung des Laserstrahls LB anpasst und den Laserstrahl LB zu einer Lichtsammelvorrichtung 42 führt.
  • Die Rahmeneinheit 18, die zu der Laserbearbeitungsvorrichtung 40 gefördert wurde, ist an dem Einspanntisch befestigt und unter einem Saugen gehalten. Als nächstes wird der Bewegungsmechanismus betätigt, um den Wafer 10 der Rahmeneinheit 18 zu einer Position direkt unterhalb der Ausrichtungseinheit zu bewegen, der Wafer 10 wird durch die Ausrichtungseinheit aufgenommen und eine vorbestimmte Laserbearbeitungsposition (Straße 14) wird detektiert. Darauf folgend wird der Bewegungsmechanismus betätigt, um die Rahmeneinheit 18 zu einer Position unmittelbar unterhalb der Lichtsammelvorrichtung 42 der Aufbringungseinheit 41 für einen Laserstrahl zu bewegen, ein Fokuspunkt wird an einem Kunststofffilm P' positioniert, der die Straße 14 der vorderen Oberfläche 10a des Wafers 10 beschichtet, und während der Wafer 10 in der X-Achsenrichtung in der Figur bewegt wird, wird der Laserstrahl LB entlang der Straße 14 aufgebracht. Der Laserstrahl LB, der in diesem Fall aufgebracht wird, weist eine solche Wellenlänge auf, dass sie durch den Kunststofffilm P' absorbiert wird und ist so eingestellt, dass dieser eine Leistung aufweist, welche die vordere Oberfläche 10a des Wafers 10 keiner Ablation aussetzt.
  • Mit dem vorgenannten Laserstrahl LB aufgebracht, wie in 4B dargestellt, wird der Kunststofffilm P' von dem Bereich des Wafers 10, der geteilt werden soll, nämlich der Straße 14 entfernt, um eine freiliegende Nut 100 auszubilden, wo die vordere Oberfläche 10a des Wafers 10 entlang der Straße 14 freiliegt. Nachdem die freiliegende Nut 100 entlang der vorbestimmten Straße 14 ausgebildet ist, die in einer ersten Richtung ausgebildet ist, wird der Bewegungsmechanismus betätigt, um den Wafer 10 in einer Indexzufuhrrichtung in der Y-Achsenrichtung zu bewegen und der vorgenannte Laserstrahl LB wird aufgebracht, während die freiliegenden Nuten 100 entlang all der Straßen 14, die in der ersten Richtung ausgebildet sind, ausgebildet werden. Als nächstes wird der Einspanntisch um 90° gedreht, die Straße 14 entlang einer zweiten Richtung orthogonal zu den Straßen 14, die vorher mit den freiliegenden Nuten 100 ausgebildet wurden, ist mit der X-Achsenrichtung ausgerichtet und ähnlich wie vorher beschrieben, wird der Laserstrahl LB entlang all den Straßen 14 entlang der zweiten Richtung aufgebracht, um freiliegende Nuten 100 auszubilden. Durch das Vorgenannte werden freiliegende Nuten 100 entlang all den Straßen 14, die an der vorderen Oberfläche 10a des Wafers 10 ausgebildet sind, ausgebildet und der partielle Kunststofffilm-Entfernungsschritt ist abgeschlossen.
  • Nachdem der oben beschriebene partielle Kunststofffilm-Entfernungsschritt ausgeführt wurde, wird als nächstes ein Ätzschritt ausgeführt, in dem ein Plasmaätzen entlang der Bereiche des Wafers 10, die geteilt werden sollen, nämlich entlang der Straßen 14 ausgeführt wird. Der Ätzschritt wird genauer mit Bezug zu 5A und 5B beschrieben.
  • Nachdem der partielle Kunststofffilm-Entfernungsschritt wie oben beschrieben ausgeführt wurde, wird die Rahmeneinheit 18 zu einer Plasmavorrichtung 50 gefördert, die in der detaillierten Beschreibung ausgelassen ist, wie in 5A dargestellt. Als die Plasmavorrichtung 50 kann eine bekannte Plasmavorrichtung verwendet werden. Zum Beispiel beinhaltet die Plasmavorrichtung 50 eine Ätzkammer, die einen hermetisch abgeschlossenen Raum ausbildet, eine obere Elektrode und eine untere Elektrode, die in der Ätzkammer angeordnet sind, eine Gaszufuhreinheit, die ein Ätzgas von der oberen Elektrodenseite zu der unteren Elektrodenseite in der Ätzkammer ausstößt und dergleichen (diese Elemente sind alle in der Darstellung ausgelassen). Hier wird die Rahmeneinheit 18, welche den partiellen Kunststofffilm-Entfernungsschritt durchlaufen hat, zwischen der oberen Elektrode und der unteren Elektrode befestigt und gehalten, wobei die vordere Oberflächenseite 10a des Wafers 10 nach oben gerichtet ist, ein Fluor-basiertes Gas als ein Ätzgas wird zu dem Inneren der Ätzkammer zugeführt und eine elektrische Hochfrequenzleistung zum Erzeugen eines Plasmas wird an der oberen Elektrode angelegt. Beachte, dass das Fluor-basierte Gas zum Beispiel aus SF6, CF4, C2F6 und C2F4 ausgewählt ist.
  • Dann wird ein zum Plasma umgewandeltes Ätzgas in dem Raum zwischen der oberen Elektrode und der unteren Elektrode ausgebildet und das zum Plasma umgewandelte Ätzgas wird zu dem Wafer 10 zugeführt. Hier wird die Rahmeneinheit 18, die zu der Plasmavorrichtung 50 gefördert wurde, nachdem sie den oben beschriebenen partiellen Kunststofffilm-Entfernungsschritt durchlaufen hat, durch den Kunststofffilm P' in den Bereichen geschützt, mit Ausnahme der oben beschriebenen freiliegende Nuten 100. Als ein Ergebnis wird in der oben beschriebenen Plasmavorrichtung 50, wie in 5B dargestellt, ein Plasmaätzen nur an den freiliegenden Nuten 100 nämlich entlang der Straßen 14 ausgeführt, um Teilungslinien 110 auszubilden, welche das Teilungsband T erreichen, wodurch der Wafer 10 in einzelne Bauelementchips 12' geteilt wird, und der Ätzschritt ist abgeschlossen.
  • Nachdem der vorgenannte Ätzschritt ausgeführt wurde, wird ein Entfernungsschritt für einen gesamten Kunststofffilm ausgeführt, in dem die Rahmeneinheit 18 gereinigt wird, um den gesamten Kunststofffilm P' zu entfernen. Der Entfernungsschritt für einen gesamten Kunststofffilm wird genauer mit Bezug zu 6 beschrieben.
  • Die Rahmeneinheit 18, welche den Ätzschritt durchlaufen hat, die an der rechten oberen Seite in 6 dargestellt ist, wird zu dem vorgenannten Drehbeschichter 20 gefördert, an dem Tischmechanismus 21 befestigt, wobei die vordere Oberflächenseite 10a des Wafers 10 nach oben gerichtet ist, und unter einem Saugen gehalten. Als nächstes wird der elektrische Motor, der in der Antriebsquelle 25 angeordnet ist, angetrieben, um den Tischmechanismus 21 in der Richtung, die durch den Pfeil R3 angegeben ist, mit einer vorbestimmten Drehgeschwindigkeit (zum Beispiel 300 Umdrehungen/min) zu drehen und, während die Zuführdüse 36 für eine Reinigungsflüssigkeit in der Richtung (horizontale Richtung), die durch einen Pfeil R4 in der Figur dargestellt ist, geschwenkt wird, wird eine Reinigungsflüssigkeit L (zum Beispiel reines Wasser) zu der oberen Oberfläche (vordere Oberfläche 10a) des Wafers 10 und das Teilungsband T für einen vorbestimmten Zeitraum ausgestoßen. Als ein Ergebnis wird der Kunststofffilm P', der den Wafer 10 und das Teilungsband T beschichtet, aufgelöst und in die Flüssigkeitsabdeckung 31 abgelassen. Der Kunststofffilm P', der aufgelöst und abgelassen wurde, fließt zu der unteren Oberfläche 31a der Flüssigkeitsabdeckung 31 und wird in einem vorbestimmten Sammeltank durch das Ablassloch 32 und den Ablassschlauch 33 aufgenommen. Als nächstes wird die Zufuhrdüse 36 für eine Reinigungsflüssigkeit zu einer aufgenommenen Position zurückgezogen, die Luftausstoßdüse 35 betätigt, um eine Spitze der Luftausstoßdüse 35 zu einem zentralen Abschnitt des Wafers 10 zu bewegen, Luft wird zu der vorderen Oberflächenseite 10a des Wafers 10 ausgestoßen, und während die Spitze in einer horizontalen Richtung geschwenkt wird (in der Darstellung ausgelassen), wird der Tischmechanismus 21 mit einer hohen Geschwindigkeit (zum Beispiel 3000 Umdrehungen/min) gedreht und die obere Seite der Rahmeneinheit 18 inklusive der vorderen Oberfläche 10a des Wafers 10 wird getrocknet, um den Entfernungsschritt für einen gesamten Kunststofffilm abzuschließen. Mit dem Entfernungsschritt für einen gesamten Kunststofffilm ausgeführt, wird das Element Fluor, das an der Rahmeneinheit 18 überbleibt, durch den aufgelösten Kunststofffilm P' aufgenommen und zusammen mit dem flüssigen Kunststofffilm P' abgelassen und in dem Sammeltank durch den Ablassschlauch 33 aufgenommen, ohne an dem Teilungsband T abgeschieden zu werden.
  • Nachdem der Entfernungsschritt für einen gesamten Kunststofffilm wie oben beschrieben ausgeführt wurde, wird die Rahmeneinheit 18 von dem Drehbeschichter 20 ausgebracht und zu dem nächsten Schritt zum Beispiel einer Aufnahmevorrichtung gefördert, welche die Bauelementchips 12' einzeln von der Rahmeneinheit 18 aufnimmt, wie an der unteren rechten Seite in 6 dargestellt. In diesem Fall bleibt das Element Fluor nicht an dem Wafer 10 und dem Teilungsband T über, sodass das Problem, dass das überbleibende Element Fluor als eine Kontaminationsquelle zum Kontaminieren der Bereiche dient, die den späteren Schritten ausgesetzt werden, gelöst ist.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angehängten Patentansprüche definiert und alle Änderungen und Modifikationen, die in das Äquivalente des Schutzbereichs der Ansprüche fallen, sind daher von der Erfindung umfasst.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2006 [0003]
    • JP 108428 [0003]
    • JP 2006108428 [0004]

Claims (2)

  1. Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers in einzelne Bauelementchips durch Plasmaätzen unter Verwendung eines Fluor-basierten Gases, wobei das Waferbearbeitungsverfahren aufweist: einen Ausbildungsschritt für eine Rahmeneinheit zum Positionieren des Wafers in einer Öffnung eines ringförmigen Rahmens, der in seinem Zentrum mit einer Öffnung zum Aufnehmen des Wafers bereitgestellt ist, und Anbringen eines Teilungsbandes an einer unteren Oberfläche des Wafers und dem ringförmigen Rahmen, um eine Rahmeneinheit auszubilden; einen Beschichtungsschritt für einen Kunststofffilm zum Beschichten einer oberen Oberfläche des Wafers mit einem wasserlöslichen Kunststoff und Beschichten des Teilungsbandes, das zwischen dem Wafer und dem ringförmigen Rahmen freiliegt, mit einem wasserlöslichen Kunststoff und Aushärten des wasserlöslichen Kunststoffs, um einen Kunststofffilm auszubilden; einen partiellen Kunststofffilm-Entfernungsschritt zum Entfernen des Kunststofffilms von Bereichen des Wafers, die geteilt werden sollen, um die obere Oberfläche des Wafers teilweise freizulegen; einen Ätzschritt, um die Bereiche des Wafers, die geteilt werden sollen, einem Plasmaätzen auszusetzen, um den Wafer in einzelne Bauelementchips zu teilen; und einen Entfernungsschritt für einen gesamten Kunststofffilm zum Reinigen der Rahmeneinheit, um den gesamten Kunststofffilm zu entfernen.
  2. Waferbearbeitungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Fluor-basierte Gas aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus SF6, CF4, C2F6 und C2F4 besteht, und der Wafer mehrere Bauelemente aufweist, die an einer oberen Oberfläche ausgebildet sind, die durch Straßen aufgeteilt ist.
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