DE102019201165A1 - Laserbearbeitungsverfahren - Google Patents

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DE102019201165A1
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Yuji Hadano
Koichi Katayama
Keiji Nomaru
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Abstract

Ein Laserbearbeitungsverfahren zum Durchführen einer Nutbearbeitung durch Aufbringen eines Laserstrahls einer solchen Wellenlänge auf einem Werkstück, dass er in dem Werkstück absorbiert werden kann, beinhaltet: einen Anordnungsschritt für ein Schutzelement zum Anordnen eines Schutzelements an einer oberen Oberfläche des Werkstücks; einen Ausbildungsschritt für eine Flüssigkeit zum Ausbilden einer Flüssigkeitsschicht an einer oberen Oberfläche des Werkstücks; einen Aufbringungsschritt für einen Laserstrahl zum Aufbringen des Laserstrahls durch die Flüssigkeitsschicht, um die obere Oberfläche des Werkstücks eine Nutbearbeitung auszusetzen und kleine Blasen zu generieren; und einen Entfernungsschritt für Verunreinigung zum Entfernen von Verunreinigung aus dem Inneren der Nuten durch ein Platzen der Blasen.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Laserbearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks durch Aufbringen eines Laserstrahls einer solchen Wellenlänge auf dem Werkstück, dass er durch das Werkstück absorbiert werden kann.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Ein Wafer, bei dem mehrere Bauelemente wie integrierte Schaltung (ICs) und large-scale-integrated circuits (LSIs) an einer vorderen Oberfläche ausgebildet sind, während sie durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien (Straßen) aufgeteilt sind, wird in einzelne Bauelementchips unter Anwendung von Teilungsnuten aufgeteilt, die durch Aufbringen eines Laserstrahls auf dem Wafer entlang der Teilungslinien einer solchen Wellenlänge, dass sie in dem Wafer absorbiert wird, ausgebildet werden, und die Bauelementchips werden in elektrischen Vorrichtungen wie Mobiltelefonen, Personalcomputern und Beleuchtungsvorrichtungen eingesetzt.
  • Zusätzlich, wenn ein Laserstrahl einer solchen Wellenlänge, dass er in dem Wafer absorbiert werden kann, auf dem Wafer aufgebracht wird, wird Verunreinigung auftreten und haftet an der oberen Oberfläche des Wafers an, wodurch die Qualität der Bauelemente verringert wird; im Hinblick darauf kann ein Schutzelement an der oberen Oberfläche des Wafers angebracht werden (siehe zum Beispiel die japanische Offenlegungsschrift Nr. 2004-188475 ).
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Entsprechend der Technologie, die in der japanischen Offenlegungsschrift Nummer 2004-188475 offenbart ist, wird die generierte Verunreinigung daran gehindert, an der oberen Oberfläche des Wafers anzuhaften. Jedoch kann die Verunreinigung an den Seitenwänden anhaften, die innerhalb der Teilungsnuten ausgebildet sind, die durch Aufbringen des Laserstrahls ausgebildet werden, und die Verunreinigung kann an Seitenwänden der Bauelementchips überbleiben, die von dem Wafer einzeln abgeteilt werden. Dann kann ein Problem auftreten, dass die Verunreinigung, die an den Seitenwänden der Bauelementchips anhaftet, die Festigkeit der Bauelementchips absenkt, oder ein Problem auftreten, in dem ein Teil der Verunreinigung von den Seitenwänden der Bauelementchips zum Zeitpunkt des Herausnehmens des Bauelementchips abfällt, wodurch ein Verdrahten zum Zeitpunkt des Verwendens der Bauelementchips an einem Verdrahtungsrahmen behindert wird.
  • Ferner tritt das Problem, indem die Verunreinigungen an den Seitenwänden der Teilungsnuten anhaftet, die durch Aufbringen des Laserstrahls ausgebildet werden, auch in dem Fall auf, in dem eine Glasplatte durch ein Aufbringen eines Laserstrahls, um Abdeckplatte zu produzieren, geteilt wird, wodurch die Qualität des Abdeckglases verringert wird.
  • Es ist darum ein Ziel der vorliegenden Erfindung ein Laserbearbeitungsverfahren zum Ausbilden von Teilungsnuten in einem Werkstück durch Aufbringen eines Laserstrahls auf dem Werkstück auszubilden, durch welches das Anhaften der Verunreinigungen an den Seitenwänden der Teilungsnuten verhindert werden kann.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Laserbearbeitungsverfahren zum Durchführen einer Nutbearbeitung durch Aufbringen eines Laserstrahls auf einem Werkstück einer solchen Wellenlänge, dass er in dem Werkstück absorbiert werden kann, bereitgestellt, wobei das Laserbearbeitungsverfahren beinhaltet: einen Anordnungsschritt für ein Schutzelement zum Anordnen eines Schutzelements an einer oberen Oberfläche des Werkstücks; einen Ausbildungsschritt für eine Flüssigkeitsschicht zum Ausbilden einer Flüssigkeitsschicht an einer oberen Oberfläche des Schutzelements, das an der oberen Oberfläche des Werkstücks angeordnet ist, nachdem der Anordnungsschritt für ein Schutzelement durchgeführt wurde; einen Aufbringungsschritt für einen Laserstrahl zum Aufbringen des Laserstrahls durch die Flüssigkeitsschicht, um die obere Oberfläche des Werkstücks einer Nutbearbeitung auszusetzen und kleine Blasen herzustellen; und einen Entfernungsschritt für Verunreinigung zum Entfernen von Verunreinigung innerhalb der Nuten durch ein Platzen von Blasen.
  • Vorzugsweise ist das Werkstück ein Wafer, in dem mehrere Bauelemente an einer oberen Oberfläche ausgebildet werden, während diese durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien aufgeteilt sind, und der Aufbringungsschritt für einen Laserstrahl beinhaltet ein Aufbringen des Laserstrahls entlang der Teilungslinien. Vorzugsweise beinhaltet der Aufbringungsschritt für einen Laserstrahl ein Aufbringen des Laserstrahls durch eine transparente Platte, die an einer oberen Seite der Flüssigkeitsschicht angeordnet ist.
  • Entsprechend der vorliegenden Erfindung kann die Verunreinigung in dem Inneren der Nuten, die durch Aufbringen des Laserstrahls ausgebildet werden, entfernt werden, sodass die Verunreinigung nicht an den Wänden der Bauelemente überbleibt, und die Festigkeit der Bauelemente wird nicht gesenkt. Zusätzlich, da der Anordnungsschritt für ein Schutzelement zum Anordnen des Schutzelements an der oberen Oberfläche des Werkstücks vor dem Ausbildungsschritt für eine Flüssigkeitsschicht durchgeführt wird, kann eine Beschädigung von äußeren Umgebung der Bauelemente verhindert werden, sogar falls der Laserstrahl durch die hergestellten Blasen gestreut wird.
  • Die obigen Ziele und Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise des Realisierens dieser werden klarer und die Erfindung selbst am besten durch ein Studieren der folgenden Beschreibung und den beigefügten Ansprüchen mit Bezug zu den angehängten Figuren, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, verstanden.
  • Figurenliste
    • 1A und 1B sind perspektivische Ansichten, die einen Weg zum Ausführen eines Anordnungsschritts für ein Schutzelement in einem Laserbearbeitungsverfahren entsprechend einer Ausführung der vorliegenden Erfindung zeigen;
    • 2 ist eine allgemeine perspektivische Ansicht einer Laserbearbeitungsvorrichtung zum Ausführen Laserbearbeitungsverfahrens entsprechend der vorliegenden Ausführungsform;
    • 3 ist eine perspektivische Explosionsansicht, die einen Teil der Laserbearbeitungsvorrichtung, die in 2 dargestellt ist, in einem auseinandergebauten Zustand darstellt;
    • 4A ist eine perspektivische Ansicht einer Ausstoßeinheit für Flüssigkeit, die an der Laserbearbeitungsvorrichtung befestigt ist, die in 2 dargestellt ist;
    • 4B ist eine perspektivische Explosionsansicht der Ausstoßeinheit für Flüssigkeit;
    • 5 ist ein Blockdiagramm, das ein optisches System eines Aufbringungsmittels für einen Laserstrahl darstellt, das an der Laserbearbeitungsvorrichtung, die in 2 dargestellt ist, befestigt ist, und ist eine Schnittansicht der Ausstoßeinheit für Flüssigkeit, die entlang der X-Richtung gemacht wurde;
    • 6 eine perspektivische Ansicht zum Erklären eines Wegs zum Ausführen des Ausbildungsschritts für eine Flüssigkeitsschicht in dem Laserbearbeitungsverfahren entsprechend der vorliegenden Ausführungsform;
    • 7A ist eine Schnittansicht der Ausstoßeinheit für Flüssigkeit, die entlang der Y-Richtung gemacht wurde, die einen Weg zum Ausführen des Ausbildungsschritts für einen Laserstrahl darstellt;
    • 7B ist eine teilweise vergrößerte Schnittansicht der Ausstoßeinheit für Flüssigkeit, die einen Weg zum Ausführen eines Entfernungsschritts für Verunreinigung darstellt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Ein Laserbearbeitungsverfahren entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden mit Bezug zu den angehängten Figuren detailliert beschrieben. Das Laserbearbeitungsverfahren entsprechend der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet: einen Anordnungsschritt für ein Schutzelement zum Anordnen eines Schutzelements an einer oberen Oberfläche eines Werkstücks; einen Ausbildungsschritt für eine Flüssigkeitsschicht zum Ausbilden einer Flüssigkeitsschicht an der oberen Oberfläche des Werkstücks; einen Aufbringungsschritt für ein Laserstrahl zum Aufbringen eines Laserstrahls durch die Flüssigkeitsschicht, um die obere Oberfläche des Werkstücks einer Nutbearbeitung auszusetzen und kleine Blasen auszubilden; und einen Entfernungsschritt für Verunreinigung zum Entfernen von Verunreinigung von innerhalb der Nuten durch ein Platzen der Blasen. Die Schritte werden im Folgenden nacheinander beschrieben.
  • [Anordnungsschritt für Schutzelement]
  • Beim Durchführen des Anordnungsschritts für ein Schutzelement in der vorliegenden Ausführungsform wird zuerst ein Wafer 10 als ein Werkstück und ein Schutzelement 12 vorbereitet. Wie in der Mitte von 1A dargestellt beinhaltet der Wafer einen scheibenförmigen Halbleiter und Bauelemente 100, die jeweils in mehreren Bereichen, die durch Teilungslinien (Straßen) 102 aufgeteilt sind, die in einem Gittermuster an einer oberen Oberfläche 10a des Wafers 10 ausgebildet sind, angeordnet sind.
  • Das Schutzelement 12 ist zum Beispiel eine Polyvinylchloridfolie, die in einer Scheibenform in derselben Größe wie der Wafer 10 in einer Aufsicht ausgebildet ist und weist eine Dicke von 10-50 µm auf. Das Schutzelement 12 ist an der oberen Oberfläche 10a des vorbereiteten Wafers 10 angebracht, wodurch der Anordnungsschritt für ein Schutzelement abgeschlossen ist. Beachte, dass das Schutzelement 12 nicht auf eine Polyvinylchloridfolie beschränkt ist und aus Folienelementen zum Beispiel Polyethylenterephthalat (PET), Acrylkunststoff, Epoxidkunststoff, Polyimid oder dergleichen ausgebildet sein kann.
  • Als nächstes wird der Wafer 10 mit dem Schutzelement 12 an der oberen Oberfläche 10a anhaftend an dem Zentrum eines Bands T angeklebt, dessen äußerer Umfang durch einen Rahmen F gehalten wird, mit einer unteren Oberfläche 10b davon an der unteren Seite, wodurch der Wafer 10, das Schutzelement 12 und der Rahmen F miteinander verbunden werden (siehe 1B). Beachte, dass in dem Anordnungsschritt für ein Schutzelement der Wafer 10 zuerst an dem Band T, das durch den Rahmen F getragen wird, angebracht sein kann und danach das Schutzelement 12 an der oberen Oberfläche 10a des Wafers 10, der durch das Band T gehalten wird, angebracht werden kann. Der Wafer 10, der durch den Rahmen F durch das Band T in dieser Weise gehalten wird, wird in einem Kassettengehäuse (nicht dargestellt), in dem mehrere Wafer 10 aufgenommen werden können, aufgenommen.
  • Der Wafer 10, der dem Anordnungsschritt für ein Schutzelement ausgesetzt wurde, wird zu einer Laserbearbeitungsvorrichtung 2, die in 2 dargestellt ist, getragen, wo der Ausbildungsschritt für eine Flüssigkeitsschicht zum Ausbilden einer Flüssigkeitsschicht an der oberen Oberfläche 10a des Wafers 10, der Aufbringungsschritt für ein Laserstrahl zum Aufbringen eines Laserstrahls durch die Flüssigkeitsschicht, um die obere Oberfläche 10a des Wafers 10 einer Nutbearbeitung auszusetzen und kleine Blasen zu produzieren, und der Entfernungsschritt für eine Verunreinigung zum Entfernen von Verunreinigungen von innerhalb der Nuten durch ein Platzen der Blasen durchgeführt werden. Die Laserbearbeitungsvorrichtung wird detailliert beschrieben.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 beinhaltet: ein Haltemittel 22, das an einer Basis 21 angeordnet ist und den Wafer 10 hält; ein Bewegungsmittel 23 zum Bewegen des Haltemittels 22; einen Rahmenkörper 26, der einen vertikalen Wandabschnitt 261 beinhaltet, der aufgerichtet in einer Z-Richtung bereitgestellt ist, die durch einen Pfeil Z an einer lateralen Seite des Bewegungsmittels 23 an der Basis 21 angegeben ist, und einen horizontalen Wandabschnitt 262, der sich in einer horizontalen Richtung von einem oberen Endabschnitt des vertikalen Wandabschnitts 261 erstreckt; einen Zufuhrmechanismus 4 für Flüssigkeit; und ein Aufbringungsmittel 8 für einen Laserstrahl. Wie in der Figur dargestellt wird der Wafer 10 mit dem Schutzelement 12 daran angebracht an dem ringförmigen Rahmen 11 durch das Band T getragen und wird durch das Haltemittel 22 gehalten. Beachte, dass in einem tatsächlichen Bearbeitungszustand die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 wie oben beschrieben vollständig durch ein Gehäuse oder dergleichen abgedeckt ist, das zum Vereinfachen der Beschreibung ausgelassen ist, sodass Staub und dergleichen nicht in das Innere der Vorrichtung eindringen kann.
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht einer Laserbearbeitungsvorrichtung 2, die in 2 beschrieben ist, die einen Zustand zeigt, in dem ein Flüssigkeitsrückgewinnungsbecken 60, das ein Teil des Zufuhrmechanismus 4 für Flüssigkeit ausbildet, von der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 entfernt wurde und auseinandergenommen wurde.
  • Mit Bezug zu 3 wird die Bearbeitungsvorrichtung 2 detaillierter beschrieben. Ein optisches System, welches das Aufbringungsmittel 8 für einen Laserstrahl zum Aufbringen eines Laserstrahls auf dem Wafer 10, der durch das Haltemittel 22 durch das Schutzelement 12 gehalten wird, ist, ist in dem horizontalen Wandabschnitt 262 des Rahmenkörpers 26 angeordnet. Eine Fokuseinheit 86, die ein Teil des Aufbringungsmechanismus 8 für einen Laserstrahl ausbildet, ist an einer unteren Oberflächenseite des Endabschnitts des horizontalen Wandabschnitts 262 angeordnet und ein Ausrichtungsmittel 88 ist an einer Position benachbart zu der Fokuseinheit 86 in einer Richtung, die durch Pfeil X angegeben ist, angeordnet.
  • Das Ausrichtungsmittel 88 beinhaltet ein Bildaufnahmeelement (ladungsgekoppeltes Bauelement (CCD)), das sichtbares Licht zum Aufnehmen der oberen Oberfläche 10a des Wafers 10 durch das Schutzelement 12 verwendet. Beachte, dass in Abhängigkeit von den Materialien, die den Wafer 10 und das Schutzelement 12 ausbilden, das Ausrichtungsmittel 88 ein Aufbringungsmittel für Infrarotstrahlung (IR) zum Aufbringen von IR Strahlen, ein optisches System, das IR Strahlen, die durch das Aufbringungsmittel für IR Strahlen aufgebracht werden, einfängt, und ein Bildaufnahmeelement (IR CCD), das ein elektrisches Signal entsprechend den IR Strahlen, die durch das optische System 10 eingefangen werden, ausgibt.
  • Das Haltemittel 22 beinhaltet: eine rechteckige in X-Richtung bewegliche Platte 30, die an der Basis 21 befestigt ist, sodass sie in der X-Richtung bewegt werden kann, die durch Pfeil X in 2 angegeben ist; eine rechteckige in Y-Richtung bewegliche Platte 31, die an der in X-Richtung beweglichen Platte 30 befestigt ist, sodass sie in der Y-Richtung bewegt werden kann, die durch Pfeil Y angegeben ist; eine zylindrische Trägersäule 32, die an einer oberen Oberfläche der in Y-Richtung beweglichen Platte 31 fixiert ist; und eine rechteckige Abdeckplatte 33, die an einem oberen Ende der Trägersäule 32 fixiert ist. Ein Einspanntisch 34, der sich nach oben durch einen Schlitz, der über der Abdeckplatte 33 ausgebildet ist, erstreckt, ist an der Abdeckplatte 33 ausgebildet. Der Einspanntisch 34 ist so ausgebildet, dass er den Wafer 10 hält und durch ein Drehantriebsmittel (nicht dargestellt) gedreht werden kann. Eine kreisförmige Saugeinspannung 35, die aus einem porösen Material ausgebildet ist und sich im Wesentlichen horizontal erstreckt, ist an einer oberen Oberfläche des Einspanntischs 34 angeordnet. Die Saugeinspannung 35 ist mit einem Saugmittel (nicht dargestellt) durch einen Flussdurchgang, der durch die Trägersäule 32 läuft, verbunden und vier Klemmen 36 sind gleichmäßig in der Umgebung der Saugeinspannung 35 angeordnet. Die Klemmen 36 klemmen den Rahmen F, der den Wafer 10 hält. Die X-Richtung ist eine Richtung, die durch Pfeil X in 3 angegeben ist, die Y-Richtung ist die Richtung, die durch Pfeil Y angegeben ist und orthogonal zu der X-Richtung ist. Eine Ebene, die durch die X-Richtung und die Y-Richtung definiert ist, ist im Wesentlichen horizontal.
  • Das Bewegungsmittel 23 beinhaltet ein X-Richtungsbewegungsmittel 50 und ein Y-Richtungsbewegungsmittel 52. Das X-Richtungsbewegungsmittel 50 wandelt eine Drehbewegung eines Motors 50a in eine lineare Bewegung und überträgt die lineare Bewegung auf die in X-Richtung bewegliche Platte 30 durch eine Kugelrollspindel 50b, wodurch die in X-Richtung bewegliche Platte 30 dazu gebracht wird, sich in der X-Richtung entlang Führungsschienen 27 vor und zurück zu bewegen, Schienen 27 an der Basis 21. Das Y-Richtungsbewegungsmittel 52 wandelt eine Drehbewegung eines Motors 52a in eine lineare Bewegung und überträgt die lineare Bewegung auf die in Y-Richtung bewegliche Platte 31 durch eine Kugelrollspindel 52b, wodurch die in Y-Richtung bewegliche Platte 31 dazu gebracht wird, sich in der Y-Richtung entlang Führungsschienen 37 vor und zurück zu bewegen, Führungsschienen 37 an der in X-Richtung beweglichen Platte 30. Beachte, dass obwohl in der Darstellung ausgelassen, das X-Richtungsbewegungsmittel 50 und das Y-Richtungsbewegungsmittel 52 jeweils mit einem Detektionsmittel für eine Position bereitgestellt ist, sodass die X-Richtungsposition, die Y-Richtungsposition und die umfängliche Drehposition des Einspanntischs 34 genau detektiert werden können und durch Antreiben des X-Richtungsbewegungsmittels 50, das Y-Richtungsbewegungsmittels 52 und des Drehantriebsmittels (nicht dargestellt) der Einspanntisch 34 akkurat an einer beliebigen Position und einem beliebigen Winkel positioniert werden kann. Das X-Richtungsbewegungsmittel 50 wie oben ist ein Bearbeitungszufuhrmittel zum Bewegen des Haltemittels 22 in einer Bearbeitungszufuhrrichtung und das Y-Richtungsbewegungsmittel 52 wie oben ist ein Indexzufuhrmittel zum Bewegen des Haltemittels 22 in einer Indexzufuhrrichtung.
  • Mit Bezug zu 2 bis 4B wird die Konfiguration des Flüssigkeitszufuhrmechanismus 4 beschrieben. Wie in 2 dargestellt beinhaltet der Flüssigkeitszufuhrmechanismus 4: eine Ausstoßeinheit 40 für eine Flüssigkeit; eine Zufuhrpumpe 44 für eine Flüssigkeit; einen Filter 45; das Flüssigkeitsrückgewinnungsbecken 60; ein Rohr 46a, welches die Ausstoßeinheit 40 für eine Flüssigkeit und die Zufuhrpumpe 44 für eine Flüssigkeit verbindet; und ein Rohr 46b, welches das Flüssigkeitsrückgewinnungsbecken 60 und den Filter 45 verbindet. Beachte, dass das Rohr 46a und das Rohr 46b jeweils teilweise oder vollständig aus einem flexiblen Schlauch ausgebildet sein kann.
  • Wie in 4A dargestellt ist die Ausstoßeinheit 40 für eine Flüssigkeit an einem unteren Endabschnitt der Fokuseinheit 86 angeordnet. Eine Explosionsansicht der Ausstoßeinheit 40 für eine Flüssigkeit ist in 4B dargestellt. Wie in 4B gesehen werden kann, beinhaltet die Ausstoßeinheit 40 für eine Flüssigkeit ein Gehäuse 42 und einen Flüssigkeitszufuhrabschnitt 43. Das Gehäuse 42 ist im Wesentlichen rechteckig in einer Aufsicht und beinhaltet ein oberes Gehäuseelement 421 und ein unteres Gehäuseelement 422. Das obere Gehäuseelement 121 ist in einem zentralen Abschnitt einer oberen Oberfläche davon mit einer kreisförmigen Öffnung 121 zum Verbinden der Fokuseinheit 86 versehen. Zusätzlich ist eine transparente Platte 423, die ein Transmittieren eines Laserstrahls LB, der von der Fokuseinheit 86 aufgebracht wird, ermöglicht, an einer unteren Oberfläche 421c des oberen Gehäuseelements 121 angeordnet. Die transparente Platte 423 ist zum Beispiel aus einer Glasplatte ausgebildet, schließt die untere Oberflächenseite 421c des oberen Gehäuseelements 121 und ist an einer Position angeordnet, sodass sie der Öffnung 421a zugewandt ist. Das untere Gehäuseelement 122 beinhaltet Seitenwände 422b und eine untere Wand 422c. Die Seitenwände 422b und die untere Wand 422c bilden einen Raum 422a in dem unteren Gehäuseelement 422. Die untere Wand 422c ist in ihrem Zentrum mit einer Öffnung 422d, die sich in der X-Richtung erstreckt, die durch Pfeil X in der Fig. angegeben ist, versehen und ist mit geneigten Abschnitten 422e entlang beiden Seiten bezüglich der Längsrichtung der Öffnung 422d ausgebildet. Die Breite der Öffnung 422d ist bei ungefähr 1 bis 2 mm gesetzt. Die Seitenwand 422b an der Seite des Betrachters in der Y-Richtung, die durch Pfeil Y angegeben ist, an welcher der Flüssigkeitszufuhrabschnitt 43 verbunden ist, ist mit einem Flüssigkeitszufuhranschluss 422f ausgebildet. Das obere Gehäuseelement 422 für oben und das untere Gehäuseelement 422 für unten werden zusammen von der oberen und unteren Seite gekoppelt, wodurch das Gehäuse 442, das den Raum 422a aufweist, der durch eine Deckenwand, die aus der transparenten Platte 48 ausgebildet wird, den Seitenwänden 422b der unteren Wand 422 definiert wird, ausgestaltet wird.
  • Der Flüssigkeitszufuhrabschnitt 43 beinhaltet: eine Zufuhröffnung 43a, an welcher eine Flüssigkeit W zugeführt wird; eine Auslassöffnung (in der Darstellung ausgelassen), die an einer Position ausgebildet ist, sodass sie der Zufuhröffnung 422f zugewandt ist, die in dem Gehäuse 42 ausgebildet ist; und einen Verbindungsdurchgang (der in der Darstellung ausgelassen ist), der eine Verbindung zwischen der Zufuhröffnung 43a und der Auslassöffnung ausbildet. Der Flüssigkeitszufuhrabschnitt 43 ist an dem Gehäuse 42 an der Betrachterseite bezüglich der Y-Richtung angebracht, wodurch die Ausstoßeinheit 40 für eine Flüssigkeit ausgebildet wird.
  • In der Ausstoßeinheit 40 für eine Flüssigkeit, welche die oben beschriebene Konfiguration aufweist, wird die Flüssigkeit W, die von der Zufuhrpumpe 44 für eine Flüssigkeit ausgelassen wird, zu der Zufuhröffnung 43a des Flüssigkeitszufuhrabschnitts 43 zugeführt, wird durch den Verbindungsdurchgang in dem Flüssigkeitszufuhrabschnitt 43 und der Auslassöffnung zu der Flüssigkeitszuführöffnung 422f des Gehäuses 42 zugeführt und wird, indem es durch den Raum 422a des Gehäuses 42 läuft, von der Öffnung 422d, die in der unteren Wand 422c ausgebildet ist, ausgestoßen. Bei der Ausstoßeinheit für eine Flüssigkeit, wie in 2 dargestellt, werden der Flüssigkeitszufuhrabschnitt 43 und das Gehäuse 42 an einem unteren Abschnitt der Fokuseinheit 86 in einer solchen Weise befestigt, dass sie in der Y-Richtung ausgerichtet sind. Als ein Ergebnis ist die Öffnung 422d, die in der unteren Wand 422c des Gehäuses 42 ausgebildet ist, so positioniert, dass sie sich in der X-Richtung erstreckt, welche die Bearbeitungszufuhrrichtung ist.
  • Zurück zu 2 und 3, hier wird das Flüssigkeitsrückgewinnungsbecken 60 beschrieben. Wie in 3 dargestellt, beinhaltet das Flüssigkeitsrückgewinnungsbecken 60 einen äußeren Rahmenkörper 61 und zwei wasserdichte Abdeckungen 66.
  • Der äußere Rahmenkörper 61 beinhaltet äußere Wände 62a, die sich in der X-Richtung, die durch Pfeil X in der Figur dargestellt stellt ist, erstrecken; äußere Wände 62b, die sich in der Y-Richtung, die durch Pfeil Y in der Figur angegeben ist, erstrecken; innere Wände 63a und 63b, die an der inneren Seite der äußeren Wände 62a und 62b mit einem Abstand dazwischen und parallel zu den äußeren Wänden 62a und 62b angeordnet sind; und eine untere Wand 64, welche die unteren Kanten der äußeren Wände 62a und 62b und der inneren Wände 63a und 63b verbinden. Die äußeren Wände 62a und 62b, die inneren Wände 63a und 63b und die untere Wand 64 bilden einen Flüssigkeitsrückgewinnungsdurchgang 70, der eine rechteckige Form aufweist, deren langen Seiten sich in der X-Richtung erstrecken und deren kurzen Seiten sich in der Y-Richtung erstrecken. An der inneren Seite der inneren Wände 63a und 63b, welche den Flüssigkeitsrückgewinnungsdurchgang 70 ausbilden, ist eine Öffnung ausgebildet, welche in der vertikalen Richtung eindringt. Die untere Wand 64, die den Flüssigkeitsrückgewinnungsdurchgang 70 ausbildet, ist mit leichten Neigungen in der X-Richtung und Y-Richtung bereitgestellt und ein Ablassloch 65 ist in einem Eckabschnitt (der Eckabschnitt an der linken Seite in der Figur) angeordnet, welcher die unterste Position des Flüssigkeitsrückgewinnungsdurchgangs 70 ist. Ein Rohr 46b ist mit dem Ablassloch 65 zum Verbinden des Filters 45 durch das Rohr 46b verbunden. Beachte, dass der äußere Rahmenkörper 61 vorzugsweise aus einem Plattenmaterial aus Edelstahl ausgebildet ist, der resistent gegen Korrosion und Rost ist.
  • Die zwei wasserdichten Abdeckungen 66 beinhalten jeweils zwei torförmige metallische Befestigung 66a und ein aus Kunststoff hergestelltes Abdeckelement 66b in einer Balgform, das wasserdicht ist. Die metallischen Befestigungen 66a sind in einer solchen Größe ausgebildet, dass sie dazu geeignet sind, die zwei inneren Wände 63a zu überspannen, die so angeordnet sind, dass sie sich in der Y-Richtung des äußeren Rahmenkörpers 61 zugewandt sind und an beiden Endabschnitten des Abdeckelements 66b angebracht sind. Eine Seite der metallischen Befestigungen 66a der zwei wasserdichten Abdeckung 66 sind jeweils an den inneren Wänden 63b fixiert, die so angeordnet sind, dass sie einander in der X-Richtung des äußeren Rahmenkörpers 61 zugewandt sind. Das Flüssigkeitsrückgewinnungsbecken 60, das in dieser Weise ausgestaltet ist, ist an der Basis 21 der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 durch Befestigungen (nicht dargestellt) fixiert. Die Abdeckplatte 33 des Haltemittels 22 ist in der Weise befestigt, das es zwischen den metallischen Befestigungen 66a der zwei wasserdichten Abdeckungen 66 eingeklemmt ist. Beachte, dass Endflächen bezüglich der X-Richtung der Abdeckplatte 33 dieselbe Torform wie die metallischen Befestigungen 66a aufweisen und eine solche Größe aufweisen, dass sie die sich zugewandten inneren Wände 63a des äußeren Rahmenkörpers 61 in der Y-Richtung wie die metallischen Befestigungen 66a überspannen. Darum ist die Abdeckplatte 33 an den wasserdichten Abdeckungen 66 befestigt, nachdem der äußere Rahmenkörper 61 des Flüssigkeitsrückgewinnungsbeckens 60 an der Basis 21 angeordnet wurde. Entsprechend der oben beschriebenen Konfiguration, wenn die Abdeckplatte 33 in der X-Richtung durch das X-Richtungsbewegungsmittel 50 bewegt wird, wird die Abdeckplatte 33 entlang der inneren Wände 63a des Flüssigkeitsrückgewinnungsbeckens 60 bewegt. Beachte, dass das Verfahren zum Befestigen der wasserdichten Abdeckung 66 und der Abdeckplatte 33 nicht auf die oben beschriebene Prozedur beschränkt ist; zum Beispiel kann eine Prozedur angepasst werden, in welcher vor dem Befestigen der zwei wasserdichten Abdeckungen 66 an den inneren Wänden 63b des äußeren Rahmenkörpers 61 die Abdeckplatte 33 vorläufig montiert wird und die wasserdichten Abdeckungen 66 einem äußeren Rahmenkörper 61 vorher an der Basis 21 befestigt werden.
  • Zurück zu 2, um die Beschreibung des Zufuhrmechanismus 4 für eine Flüssigkeit fortzusetzen, der die oben beschriebene Konfiguration aufweist, wobei die Flüssigkeit W, die von der Auslassöffnung 44a der Zufuhrpumpe 44 für Flüssigkeit ausgelassen wird, durch das Rohr 46a zu der Ausstoßeinheit 40 für Flüssigkeit zugeführt wird. Die Flüssigkeit W, die zu der Ausstoßeinheit 40 für Flüssigkeit zugeführt wird, wird nach unten aus der Öffnung 422d, die in der unteren Wand des Gehäuses 42 der Ausstoßeinheit 40 für Flüssigkeit ausgebildet ist, ausgestoßen. Die Flüssigkeit W, die von der Ausstoßeinheit 40 für eine Flüssigkeit ausgestoßen wird, wird in dem Flüssigkeitsrückgewinnungsbecken 60 aufgefangen. Die Flüssigkeit W, die in dem Flüssigkeitsrückgewinnungsbecken 60 aufgefangen wurde, fließt durch den Flüssigkeitsrückgewinnungsdurchgang 70 und wird in dem Abflussloch 65, das in der untersten Position des Flüssigkeitsrückgewinnungsdurchgangs 70 angeordnet ist, gesammelt. Die Flüssigkeit W, die in dem Ablassloch 65 gesammelt wird, wird durch das Rohr 46b zu dem Filter 45 geführt, wodurch Laserbearbeitungsspäne (Verunreinigung) und Staub oder dergleichen aus der Flüssigkeit W entfernt werden und die Flüssigkeit W wird zu der Zufuhrpumpe 44 für Flüssigkeit zurückgeführt. In dieser Weise wird die Flüssigkeit W, die durch die Zufuhrpumpe 44 für Flüssigkeit in dem Zufuhrmechanismus 4 für Flüssigkeit ausgelassen wurde, im Kreis gepumpt.
  • 5 stellt ein Blockdiagramm eines optischen Systems eines Aufbringungsmittels 8 für einen Laserstrahl zum Führen des Laserstrahls LB zu der Ausstoßeinheit 40 für Flüssigkeit zusammen mit einem Schnitt, der entlang der X-Richtung gemacht wurde, da, sodass dieser durch die Fokuseinheit 86 läuft. Wie in 5 dargestellt beinhaltet das Aufbringungsmittel 8 für einen Laserstrahl: einen Oszillator 82, der einen gepulsten Laserstrahl LB oszilliert; einen Reflexionsspiegel 91, der den optischen Pfad des Laserstrahls LB, der durch den Oszillator 82 oszilliert wird, geeignet ändert; und die Fokuseinheit 86. Der Oszillator 82 oszilliert einen Laserstrahl LB einer solchen Wellenlänge, dass sie in dem Wafer 10 absorbiert werden kann und beinhaltet einen Dämpfer oder dergleichen (in der Darstellung ausgelassen) zum Anpassen der Leistung des oszillierten Laserstrahls LB. Der Laserstrahl LB, der durch den Oszillator 82 oszilliert wird, weist seinen optischen Pfad geändert durch den Reflexionsspiegel 91 auf, wird durch die Fokuslinse 86a, die in der Fokuseinheit 86 bereitgestellt ist, fokussiert und wird nach unten durch die transparente Platte 423, den Raum 422a in dem Gehäuse 42 und die Öffnung 422d aufgebracht. Beachte, dass ein Polygonspiegel mit einer hohen Geschwindigkeit gedreht anstelle des oben genannten Reflexionsspiegels 91 angeordnet sein kann. Wo der Laserstrahl LB durch das Drehen des Polygonspiegels in einer solchen Weise reflektiert wird, dass er in der Öffnung 422d hin und her bewegt wird, die ausgebildet ist, sodass sie sich in der X-Richtung erstreckt, kann eine Laserbearbeitung effizienter durchgeführt werden.
  • Ferner beinhaltet das Aufbringungsmittel 8 für einen Laserstrahl ein Anpassungsmittel für eine Fokusposition (nicht dargestellt). Obwohl eine bestimmte Konfiguration des Anpassungsmittels für eine Fokusposition in der Darstellung ausgelassen ist, beinhaltet es ein Antriebsmittel, durch welches die Position des Fokuspunkts des Laserstrahls LB, der durch die Fokuseinheit 86 fokussiert wird, in der vertikalen Richtung angepasst wird.
  • Zurück zu 2, um mit der Beschreibung fortsetzen, das Ausrichtungsmittel 88, das mit einem Abstand von der Fokuseinheit 86 in der X-Richtung befestigt ist, ist an einer unteren Oberfläche eines Endabschnitts des horizontalen Wandabschnitts 262 zusammen mit der Fokuseinheit 86 angeordnet. Das Ausrichtungsmittel 88 wird zum Aufnehmen des Werkstücks, das durch den Haltetisch 32 gehalten wird, Detektieren eines Bereichs, welcher der Laserbearbeitung ausgesetzt werden soll, und Ausrichten der Fokuseinheit 86 und einer Bearbeitungsposition für den Wafer 10 verwendet. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 weist generell die Konfiguration, die oben beschrieben wurde, auf und ein bestimmter Weg zum Ausführen der Schritte auf den Anordnungsschritt für ein Schutzelement folgend, der oben genannt ist, wird im Folgenden beschrieben.
  • [Ausbildungsschritt für Flüssigkeitsschicht]
  • Der Wafer 10 mit dem Schutzelement 12 ist daran durch den Anordnungsschritt für ein Schutzelement wie oben beschrieben an einer bestimmten Position der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 in dem Zustand befestigt, in dem dieser in dem Kassettengehäuse (nicht dargestellt) aufgenommen ist. Der Wafer 10 wird aus dem Kassettengehäuse genommen, wird an der Saugeinspannung 35 des Einspanntischs 34 in einem Zustand platziert, in dem die Oberfläche 10a mit dem Schutzelement 12 daran angeklebt an der oberen Seite ist und die Saugquelle (nicht dargestellt) wird betätigt, um eine Saugkraft zu generieren, wodurch der Wafer 10 an den Einspanntisch 34 unter einem Saugen gehalten wird. Ferner wird der Rahmen F, der den Wafer 10 hält, durch die Klemmen 36 oder dergleichen fixiert.
  • Nachdem der Wafer 10 durch die Saugeinspannung 35 gehalten wird, wird der Einspanntisch 34 geeignet in der X-Richtung und der Y-Richtung durch das Bewegungsmittel 23 bewegt, wodurch der Wafer 10 an dem Einspanntisch 34 direkt unterhalb des Ausrichtungsmittels 88 positioniert wird. Nachdem der Wafer 10 direkt unterhalb des Ausrichtungsmittels 88 positioniert wird, wird die obere Seite des Wafers 10 durch das Ausrichtungsmittel 88 aufgenommen. Als nächstes basierend auf dem Bild des Wafers 10, das durch das Ausrichtungsmittel 88 aufgenommen wurde, wird eine Ausrichtung des Wafers 10 und der Fokuseinheit 86 durch eine Technik wie ein Musterabgleichen durchgeführt. Basierend auf der Positionsinformation, die durch diese Ausrichtung erhalten wird, wird der Einspanntisch 34 bewegt, um die Fokuseinheit 86 an der oberen Seite einer Bearbeitungsstartposition an dem Wafer 10 zu positionieren. Als nächstes wird die Fokuseinheit 86 in der Z-Achsenrichtung durch das Anpassungsmittel für eine Fokuspunktposition (nicht dargestellt) bewegt, wodurch der Fokuspunkt an einer Oberflächenhöhe eines Endabschnitts der Teilungslinie positioniert wird, die eine Anwendungsstartposition für den Laserstrahl LB, der auf dem Wafer 10 aufgebracht wird, ist. Wie vorher genannt ist die Ausstoßeinheit 40 für eine Flüssigkeit des Flüssigkeitszufuhrmechanismus 4 an einem unteren Endabschnitt der Fokuseinheit 86 positioniert und ein Abstand zum Beispiel ungefähr 0,5-2 mm ist durch eine untere Oberfläche des unteren Gehäuseelements 422 ausgebildet, das eine Ausstoßeinheit 40 für eine Flüssigkeit ausbildet, und eine Oberfläche des Schutzelements 12, das an der oberen Oberfläche 10a des Wafers 10 angeklebt ist.
  • Nachdem die Ausrichtung der Fokuseinheit 86 und des Wafers 10 durch das Ausrichtungsmittel 88 durchgeführt wurde, wird der Flüssigkeitszufuhrmechanismus 4 mit einer notwendigen und ausreichenden Menge Flüssigkeit W durch den Flüssigkeitsrückgewinnungsdurchgang 70 des Flüssigkeitsrückgewinnungsbehälters 60 aufgefüllt und die Flüssigkeitszufuhrpumpe 44 wird betätigt. Als die Flüssigkeit W, die in dem Inneren des Flüssigkeitszufuhrmechanismus 4 im Kreis gepumpt wird, kann zum Beispiel reines Wasser verwendet werden.
  • In dem Flüssigkeitszufuhrmechanismus 4, der die oben genannte Konfiguration aufweist, wird die Flüssigkeit W, die von der Auslassöffnung 44a der Flüssigkeitszufuhrpumpe 44 ausgelassen wird, durch das Rohr 46a zu der Zufuhröffnung 43a der Ausstoßeinheit 40 für eine Flüssigkeit zugeführt. Wie in 6 dargestellt, wird die Flüssigkeit W, die zu der Zufuhröffnung 43a der Ausstoßeinheit 40 für eine Flüssigkeit zugeführt wird, nach unten aus dem unteren Gehäuseelement 422 der Ausstoßeinheit 40 für eine Flüssigkeit ausgestoßen. Die Flüssigkeit W, die von der Ausstoßeinheit 40 für eine Flüssigkeit ausgestoßen wird, wird auf das Schutzelement 12, das an der oberen Oberfläche 10a des Wafers 10 angebracht ist, zugeführt, und fließt an dem Schutzelement 12 auf dem Wafer 10. Durch Auffüllen des Bereichs zwischen der Ausstoßeinheit 40 für eine Flüssigkeit und dem Schutzelement 12 mit der Flüssigkeit W, wird eine Flüssigkeitsschicht 200 ausgebildet (siehe auch 7A).
  • Nach dem Fließen auf dem Schutzelement 12 an dem Wafer 10 fließt die Flüssigkeit W durch den Flüssigkeitsrückgewinnungsdurchgang 70 des Flüssigkeitsrückgewinnungsbehälters 60, um in dem Ablassloch 65, das an der untersten Position des Flüssigkeitsrückgewinnungsdurchgangs 70 bereitgestellt ist, gesammelt zu werden. Die Flüssigkeit W, die in dem Ablassloch 65 gesammelt wird, wird durch das Rohr 46b zu dem Filter 45 geführt, durch welchen die Flüssigkeit W gereinigt wird und wird dann zu der Flüssigkeitszufuhrpumpe 44 zurückgebracht. In dieser Weise wird die Flüssigkeit W, die durch die Flüssigkeitszufuhrpumpe 44 ausgelassen wird, in dem Flüssigkeitszufuhrmechanismus 4 im Kreis gepumpt und wird in dem Zustand gehalten, in dem die Flüssigkeitsschicht 200 zwischen der Ausstoßeinheit 40 für eine Flüssigkeit und dem Schutzelement 12 ausgebildet ist (Ausbildungsschritt für eine Flüssigkeitsschicht).
  • [Aufbringungsschritt für einen Laserstrahl]
  • In dem Zustand, in dem der Ausbildungsschritt für eine Flüssigkeit durch den Flüssigkeitszufuhrmechanismus 4 durchgeführt wird, um die Flüssigkeitsschicht 200 auszubilden, wie in 7A dargestellt, wird das X-Richtungsbewegungsmittel 50 betätigt, während die Aufbringungseinheit 8 für einen Laserstrahlstrahl betätigt wird. Dadurch wird der Einspanntisch 34 mit einer vorbestimmten Bewegungsgeschwindigkeit in der Bearbeitungszufuhrrichtung (X-Richtung) zugeführt. In diesem Fall, wie in 7A dargestellt, wird der Laserstrahl LB, der von der Fokuseinheit 86 aufgebracht wird, durch die transparente Platte 423 der Ausstoßeinheit 40 für eine Flüssigkeit, den Raum 422a und die Flüssigkeitsschicht 200 transmittiert und auf dem Wafer 10 durch die Öffnung 422d aufgebracht. Während ein Wasserfluss in dem Raum 422a aufgrund des Durchführens des Ausbildungsschritts für eine Flüssigkeitsschicht wie oben beschrieben generiert wird, stellt das Vorhandensein der transparenten Platte 423 sicher, dass der Laserstrahl LB, der von oben aufgebracht wird, auf der unteren Seite aufgebracht wird, ohne durch den Wasserfluss gestört zu werden.
  • Die Laserbearbeitung in der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 wie oben beschrieben kann zum Beispiel unter den folgenden Bedingungen durchgeführt werden.
    Wellenlänge des Laserstrahls: 355 nm
    durchschnittliche Leistung: 3 W
    Wiederholungsfrequenz: 50 kHz
    Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit: 100 mm/s
  • Während der Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 350 nm als eine solche Wellenlänge, die durch die Flüssigkeit W transmittiert werden kann und in dem Wafer 10 absorbiert wird, in den oben genannten Laserbearbeitungsbedingungen ausgewählt wurde, ist dies nicht beschränkend. Die Wellenlänge muss nur geeignet aus solchen Wellenlängen gewählt sein, dass sie in dem Material, das den Wafer 10 ausbildet, absorbiert werden kann und durch die Flüssigkeit W transmittiert werden kann, und kann aus Wellenlängen von 226 nm, 355 nm, 532 nm und dergleichen ausgewählt sein. Wie in 7A dargestellt, wird der Laserstrahl LB durch die Öffnung 422d, die in dem Gehäuse 42 ausgebildet ist, und dem Schutzelement 12 entlang der Teilungslinien 102, die an der oberen Oberfläche 10a des Wafers 10 ausgebildet ist, aufgebracht, wodurch eine Ablationsbearbeitung (Nutbearbeitung) zum Ausbilden einer Nut 110, die in 7B dargestellt ist, an dem Wafer 10 angewendet wird. Wenn diese Nutbearbeitung angewendet wird, werden kleine Blasen (Mikroblasen) B zusammen mit Verunreinigungen in der Nut 110 des Wafers 10 ausgebildet, auf welchen der Laserstrahl LB aufgebracht wird (Aufbringungsschritt für einen Laserstrahl). Beachte das die Mikroblasen B Blasen sind, die einen Durchmesser im Mikrometerbereich haben und die Durchmesser nicht gleichmäßig sind; zum Beispiel beinhalten die Mikroblasen Blasen mit Durchmessern von 50 µm oder weniger.
  • [Entfernungsschritt für Verunreinigung]
  • Die Mikroblasen B, die in der Nut 110 durch das Aufbringen des Laserstrahls LB generiert werden, bewegen das Innere der Nuten 110 und ein Platzen der Mikroblasen B entfernt die Verunreinigung, die wahrscheinlich an den inneren Wänden der Nut 110 anhaftet, in einer kavitationsähnlichen Weise (Entfernungsschritt für Verunreinigung). Darüber hinaus, wie in 7B dargestellt, wird die Flüssigkeit W konstant mit einer vorbestimmten Flussgeschwindigkeit zugeführt und die Flüssigkeitsschicht 200 wird in einem Spalt, der über dem Wafer 10 ausgebildet ist, ausgebildet. Dadurch werden die Mikroblasen B, die in der Nähe der Aufbringposition des Laserstrahls LB generiert werden, aus der Nut 110, die in dem Wafer 10 ausgebildet wird, nach draußen zusammen mit der Flüssigkeit W gedrückt. Nachdem der Aufbringungsschritt für einen Laserstrahl und der Entfernungsschritt für eine Verunreinigung von einer Bearbeitungsstartposition bis zu einer Bearbeitungsendposition einer vorbestimmten Teilungslinie durchgeführt werden, wird das Bewegungsmittel 23 betätigt, um eine Indexzufuhr in der Y-Richtung durchzuführen, und der Aufbringungsschritt für einen Laserstrahl und der Entfernungsschritt für eine Verunreinigung wie oben beschrieben werden bezüglich einer benachbarten unbearbeiteten Teilungslinie durchgeführt. Ferner wird der Wafer 10 um 90 Grad durch das Drehantriebsmittel (nicht dargestellt) gedreht, wodurch der oben beschriebene Aufbringungsschritt für einen Laserstrahl und Entfernungsschritt für eine Verunreinigung bezüglich allen Teilungslinien 102, die an dem Wafer ausgebildet sind, durchgeführt werden.
  • In der vorliegenden Ausführungsform wird das Schutzelement 12 an dem Wafer 10 durch Ausführen des Anordnungsschritts für ein Schutzelement angeordnet. Wie oben beschrieben, werden der Aufbringungsschritt für einen Laserstrahl und der Entfernungsschritt für eine Verunreinigung durchgeführt, während Flüssigkeit W konstant mit der vorbestimmten Flussgeschwindigkeit fließt, und die Flüssigkeitsschicht 200 wird in dem Spalt an dem Wafer 10 ausgebildet. Aus diesem Grund kann das Anhaften von Verunreinigung an der oberen Oberfläche 10a des Wafers 10 unterdrückt werden, ohne an dem Schutzelement 12 anzuhaften. Jedoch, wenn der Aufbringungsschritt für einen Laserstrahl zum Durchführen der Nutbearbeitung durch Ausbilden der Flüssigkeitsschicht 200 an der oberen Oberfläche 10a des Wafers 10 wie oben beschrieben durchgeführt wird, wird das Ausbilden der Nut 110 von einem Ausbilden von Mikroblasen B in der Nut 110, wie in 7B dargestellt, begleitet. Wenn aus der Nut 110 ausgelassen, kreuzen die Mikroblasen B den optischen Pfad des Laserstrahls LB und ein Teil des Laserstrahls kann durch die Mikroblasen B gestreut werden, wodurch eine äußere Umgebung an der oberen Oberflächenseite 10a der Bauelemente 100 beschädigt werden kann. In dem Laserbearbeitungsverfahren entsprechend der vorliegenden Ausführungsform hat das Vorhandensein des Schutzelements 12 an der oberen Oberfläche 10a des Wafers einen Effekt, dass das Problem des Beschädigens der äußeren Umgebung der Bauelemente 100 auftritt, verhindert wird, sogar falls die Mikroblasen B den optischen Pfad des Laserstrahls B kreuzen, und dadurch ein Streuen des Laserstrahls LB verursachen. Anders ausgedrückt, das Schutzelements 12 ist aus einem anderen Grund als der Technologie, die in der oben beschriebenen japanischen Offenlegungsschrift Nummer 2004-188475 beschrieben ist, angeordnet und stellt eine neue Anwendung und einen neuen Effekt dar.
  • Nachdem der Aufbringungsschritt für einen Laserstrahl und der Entfernungsschritt für eine Verunreinigung bezüglich all den Teilungslinien an dem Wafer 10 wie oben beschrieben durchgeführt wurden, kann der Wafer 10 zu der Kassette geförderten und in der Kassette aufgenommen werden oder kann zu einem folgenden Schritt zum Durchführen eines Teilungsschritts zum Teilen des Wafers 10 durch Aufbringen einer äußeren Kraft darauf gefördert werden.
  • Wie in 2 gesehen werden kann, fließt die Flüssigkeit W, welche die oben genannten Mikroblasen B und die Verunreinigung enthält, an der Abdeckplatte 33 und den wasserdichten Abdeckungen 66 und wird zu dem Flüssigkeitsrückgewinnungsdurchgang 70 geführt. Die Flüssigkeit W, die zu dem Flüssigkeitsrückgewinnungsdurchgang 70 geführt wurde, fließt durch den Flüssigkeitsrückgewinnungsdurchgang 70, während die Mikroblasen B, die durch eine Ablationsbearbeitung generiert werden, nach außen freigegeben werden, und wird durch das Ablassloch 65, das an dem untersten Abschnitt des Flüssigkeitsrückgewinnungsdurchgangs 70 angeordnet ist, abgelassen. Die Flüssigkeit W, die durch das Ablassloch 65 abgelassen wird, wird durch das Rohr 46b zu dem Filter 45 geführt und wird wieder zu der Flüssigkeitszufuhrpumpe 44 zugeführt. In dieser Weise wird die Flüssigkeit W in dem Flüssigkeitszufuhrmechanismus 4 im Kreis gepumpt, wodurch die Verunreinigungen und Staub und dergleichen geeignet durch den Filter 45 aufgenommen werden, und die Flüssigkeit W wird in einem sauberen Zustand gehalten und das oben beschriebene Laserbearbeitungsverfahren wird kontinuierlich durchgeführt.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angehängten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Modifikation, in das Äquivalente des Umfangs der Ansprüche fallen, werden dadurch durch die Erfindung umfasst.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2004188475 [0003, 0004, 0042]

Claims (3)

  1. Laserbearbeitungsverfahren zum Durchführen einer Nutbearbeitung durch Aufbringen eines Laserstrahls einer solchen Wellenlänge auf einem Werkstück, dass er in dem Werkstück absorbiert wird, wobei das Laserbearbeitungsverfahren aufweist: einen Anordnungsschritt für ein Schutzelement zum Anordnen eines Schutzelements an einer oberen Oberfläche des Werkstücks; einen Ausbildungsschritt für eine Flüssigkeitsschicht zum Ausbilden einer Flüssigkeitsschicht an einer oberen Oberfläche des Schutzelements, die an der oberen Oberfläche des Werkstücks angeordnet ist, nachdem der Anordnungsschritt für ein Schutzelement durchgeführt wurde; einen Aufbringungsschritt für einen Laserstrahl zum Aufbringen des Laserstrahls durch die Flüssigkeitsschicht, um die Oberfläche des Werkstücks einer Nutbearbeitung auszusetzen und kleine Blasen zu generieren; und einen Entfernungsschritt für Verunreinigung zum Entfernen von Verunreinigung von dem Inneren der Nuten durch ein Platzen von Blasen.
  2. Laserbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, wobei das Werkstück ein Wafer ist, an dem mehrere Bauelemente an einer oberen Oberfläche ausgebildet sind, die durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien aufgeteilt ist, und der Aufbringungsschritt für ein Laserstrahl aufbringen des Laserstrahls entlang der Teilungslinien beinhaltet.
  3. Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Aufbringungsschritt für ein Laserstrahl das Aufbringen des Laserstrahls durch eine transparente Platte beinhaltet, die an einer oberen Seite der Flüssigkeitsschicht angeordnet ist.
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