DE102018202620A1 - Verwendungsverfahren für einen elektrostatischen Einspanntisch - Google Patents

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Abstract

Hier offenbart ist ein Verwendungsverfahren für einen elektrostatischen Einspanntisch beinhaltend einen plattenförmigen Basisabschnitt, der dazu geeignet ist, einen Laserstrahl, der auf einem Werkstück aufgebracht werden soll, zu transmittieren, und einen Elektrodenabschnitt für eine elektrostatische Anziehung, der dazu geeignet ist, den Laserstrahl zu transmittieren. Der Basisabschnitt weist eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche auf. Der Elektrodenabschnitt ist an der ersten Oberfläche des Basisabschnitts ausgebildet. Das Verwendungsverfahren für den elektrostatischen Einspanntisch umfasst einen Halteschritt für ein Werkstück zum Anlegen einer Spannung an dem Elektrodenabschnitt, der an der ersten Oberfläche ausgebildet ist, um dadurch das Werkstück an der zweiten Oberfläche elektrostatisch zu halten; undeinen Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht zum Aufbringen des Laserstrahls durch die erste Oberfläche auf einer vorbestimmten Position innerhalb des Werkstücks, das an der zweiten Oberfläche gehalten ist, um dadurch eine modifizierte Schicht in dem Werkstück auszubilden.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verwendung eines elektrostatischen Einspanntischs, der dazu geeignet ist, einen Laserstrahl zu transmittieren.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Konventionell ist ein Bearbeitungsverfahren unter Verwendung einer Laserbearbeitungsvorrichtung zum Ausbilden einer modifizierten Schicht in einem Wafer bekannt, der Halbleiterbauelemente oder optische Bauelemente wie LEDs (Licht emittierende Dioden) aufweist, und danach Teilen des Wafers entlang der modifizierten Schicht als einen Startpunkt für ein Brechen (siehe zum Beispiel das japanische Patent Nr. 3408805 ) .
  • Im Vergleich mit einem Teilungsverfahren unter Verwendung einer Schneidklinge zum Schneiden eines Wafers während Schneidwasser zu der Schneidklinge zugeführt wird, ist das Bearbeitungsverfahren, das in dem japanische Patent Nr. 3408805 beschrieben wird, sehr nützlich für einen Wafer, der engere Straßen aufweist, weil eine Fugenbreite (Fugenverlust) entlang jeder Straße sehr klein ist. Ferner kann in diesem Bearbeitungsverfahren eine mechanische Belastung an dem Werkstück deutlich reduziert werden, sodass dieses Bearbeitungsverfahren sehr hilfreich für die Teilung eines Wafers ist, der kleine Aufbauten aufweist, die MEMS (mikro elektromechanische Systeme) aufweisen, weil der Wafer geteilt werden kann, ohne die MEMS zu zerstören.
  • Jedoch weist der Laserstrahl eine Wellenlänge aufs, sodass dieser durch den Wafer transmittiert werden kann, und kann nicht durch eine Metallschicht transmittiert werden, welche die Schaltungen der Bauelemente ausbildet. Entsprechend in dem Bearbeitungsverfahren, das in dem japanische Patent Nr. 3408805 beschrieben ist, werden die folgenden Maßnahmen benötigt. Und zwar muss die vordere Seite des Wafers, an welcher die Bauelemente ausgebildet sind, an einer Halteoberfläche gehalten ist, sodass der Laserstrahl auf der hinteren Seite des Wafers aufgebracht werden kann, an welcher die Metallschichten nicht ausgebildet sind. Als eine weitere Maßnahme ist ein spezielles Design der vorderen Seite des Wafers bereitgestellt, sodass ein TEG-Muster (Testelementgruppe-Muster) nicht an jeder Teilungslinie ausgebildet ist. Als eine weitere Maßnahme wird ein Schritt des Entfernens eines TEG Musters an jeder Teilungslinie vorher durchgeführt.
  • Um diese Notwendigkeiten zu eliminieren, wurde eine Laserbearbeitungsvorrichtung unter Verwendung eines Einspanntischs vorgeschlagen, der dazu in der Lage ist, einen Laserstrahl zu transmittieren, in welcher der Laserstrahl durch den Einspanntisch an der hinteren Seite des Wafers aufgebracht wird, an welcher kein Muster ausgebildet ist (siehe zum Beispiel das japanische Patent Nr. 5860219 ).
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Jedoch muss in der Laserbearbeitungsvorrichtung, die in dem japanische Patent Nr. 5860219 beschrieben ist, eine Leitung (Vakuumleitung) zum Aufbringen eines Vakuums an der Halteoberfläche des Einspanntischs in dem Einspanntisch ausgebildet sein. Ferner, da der Brechungsindex der Vakuumleitung in dem Einspanntisch sich von dem Brechungsindex des anderen Abschnitts des Einspanntischs unterscheidet, muss der Laserstrahl durch den Einspanntisch in einem Bereich aufgebracht werden, in welchem die Vakuumleitung nicht ausgebildet ist. Folglich existiert eine Beschränkung beim Bearbeiten des Werkstücks unter Verwendung dieser Laserbearbeitungsvorrichtung.
  • Es ist darum ein Ziel der vorliegenden Erfindung ein Verwendungsverfahren für einen elektrostatischen Einspanntisch bereitzustellen, welches eine Beschränkung beim Bearbeiten des Werkstücks unterdrücken kann.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verwendungsverfahren für einen elektrostatischen Einspanntisch zum Verwenden eines elektrostatischen Einspanntischs bereitgestellt, der einen plattenförmigen Basisabschnitt beinhaltet, der dazu geeignet ist, einen Laserstrahl zu transmittieren, der auf einem Werkstück aufgebracht wird, wobei der Laserstrahl eine Transmissionswellenlänge in dem Werkstück aufweist, der Basisabschnitt eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche aufweist und einen Elektrodenabschnitt für eine elektrostatische Anziehung aufweist, die dazu geeignet ist, den Laserstrahl zu transmittieren, wobei der Elektrodenabschnitt an der ersten Oberfläche des Basisabschnitts ausgebildet ist, wobei die Verwendung des elektrostatischen Einspanntischs einen Halteschritt für ein Werkstück zum Aufbringen einer Spannung an dem Elektrodenabschnitt, der an der ersten Oberfläche ausgebildet ist, um dadurch das Werkstück an der zweiten Oberfläche elektrostatisch zu halten; und einen Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht zum Aufbringen des Laserstrahls durch die erste Oberfläche auf einer vorbestimmten Position in dem Werkstück, das an der zweiten Oberfläche gehalten ist, um dadurch eine modifizierte Schicht in dem Werkstück auszubilden, beinhaltet.
  • Vorzugsweise ist die Transmissionswellenlänge des Laserstrahls in einem Bereich von 500-1400 nm gesetzt. Vorzugsweise beinhaltet das Werkstück einen Wafer, der eine vordere Seite, an welcher MEMS-Bauelemente ausgebildet sind, und eine hintere Seite aufweist, die in der zweiten Oberfläche des elektrostatischen Einspanntischs gehalten werden soll.
  • Entsprechend der Verwendung des elektrostatischen Einspanntischs der vorliegenden Erfindung ist es möglich, einen Effekt zu erhalten, dass eine Beschränkung beim Bearbeiten des Werkstücks unterdrückt werden kann.
  • Das obige und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise des Realisierens dieser wird klarer und die Erfindung selbst am besten durch ein Studieren der folgenden Beschreibung beigefügten Ansprüche mit Bezug zu den angehängten Figuren verstanden, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Schnittansicht eines Werkstücks, das an dem elektrostatischen Einspanntisch bei einer Verwendung eines elektrostatischen Einspanntischs entsprechend einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gehalten werden soll;
    • 2 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, in dem das Werkstück, das in 1 gezeigt ist, durch ein haftvermittelndes Band an einem ringförmigen Rahmen getragen ist;
    • 3 ist eine perspektivische Ansicht einer Laserbearbeitungsvorrichtung zum Durchführen des Verwendungsverfahrens für einen elektrostatischen Einspanntisch entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform;
    • 4 ist ein Querschnitt, der entlang der Linie IV - IV in 3 gemacht wurde;
    • 5 seine Aufsicht eines elektrostatischen Einspanntischs, der in der Laserbearbeitungsvorrichtung, die in 3 gezeigt ist, beinhaltet ist;
    • 6 ist ein Querschnitt, der entlang der Linie VI - VI in 5 gemacht wurde;
    • 7 ist eine vergrößerte Schnittansicht eines wesentlichen Teils des elektrostatischen Einspanntischs, der in 5 gezeigt ist;
    • 8 ist ein Flussdiagramm, das die Verwendung des elektrostatischen Einspanntischs entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 9 ist eine Schnittansicht, die einen Halteschritt für ein Werkstück bei der Verwendung eines elektrostatischen Einspanntischs entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform zeigt; und
    • 10 ist eine Schnittansicht, die einen Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht in dem elektrostatischen Einspanntisch unter Verwendung des Verfahrens entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform zeigt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird jetzt detailliert mit Bezug zu den Figuren beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf diese bevorzugte Ausführungsform beschränkt. Ferner können die Komponenten, die in dieser bevorzugten Ausführungsform verwendet werden, solche beinhalten, die einfach durch den Fachmann angenommen werden können, oder im Wesentlichen die gleiche Elemente, wie diese, die dem Fachmann bekannt sind. Ferner kann können die Konfigurationen, die im Folgenden beschrieben sind, geeignet kombiniert werden. Ferner können die Konfigurationen verschieden ausgelassen, ersetzt oder geändert werden, ohne von dem Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
  • Im Folgenden wird eine Verwendung eines elektrostatischen Einspanntischs entsprechend einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug zu den Figuren beschrieben. 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Werkstücks 201, das an einem elektrostatischen Einspanntisch in dem Verwendungsverfahren des elektrostatischen Einspanntischs entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform gehalten werden soll. 2 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, in dem das Werkstück 201, das in 1 gezeigt ist, durch ein haftvermittelndes Band 206 an einem ringförmigen Rahmen 207 getragen ist.
  • Das Verwendungserfahren für einen elektrostatischen Einspanntisch entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform ist auch ein Bearbeitungsverfahren des Werkstücks 201, das in 1 gezeigt ist. Das Werkstück 201, das in 1 gezeigt ist, ist ein scheibenförmiger Halbleiter-Wafer oder ein optischer Bauelementwafer, der aus Silizium, Saphir oder Galliumarsenid zum Beispiel als ein Basismaterial ausgebildet ist. Wie in 1 gezeigt, ist das Werkstück 201 ein plattenförmiges Element, das eine vordere Seite 202 und eine hintere Seite 205 gegenüber der vorderen Seite 202 aufweist. Mehrere, sich kreuzender Teilungslinie 203 sind an der vorderen Seite 202 des Werkstücks 201 ausgebildet, um mehrere getrennte Bereiche auszubilden, an denen mehrere Bauelemente 204 ausgebildet sind. Beispiele für jedes Bauelement 204 beinhalten IC (integrierte Schaltungen), LSI (Largescale-Integrations) und MEMS (mikro elektromechanische Systeme). Die Bauelemente 204 wie ICs, LSIs und MEMS-Bauelemente sind an der vorderen Seite 202 des Werkstücks 101 ausgebildet, sodass sie durch sich kreuzender Teilungslinie getrennt sind.
  • Wie in 2 ist das haftvermittelnde Band 206 an seinem zentralen Abschnitt an der hinteren Seite 205 des Werkstücks 201 angebracht und der umfängliche Abschnitt des haftvermittelnden Bands 206 ist an dem ringförmigen Rahmen 207 angebracht, der eine innere Öffnung aufweist. Entsprechend ist das Werkstück 201 durch das haftvermittelnde Band 206 an dem ringförmigen Rahmen 207 in dem Zustand getragen, in dem das Werkstück 201 in der inneren Öffnung des ringförmigen Rahmens 207 liegt. Das haftvermittelnde Band 206 kann einen Laserstrahl 300 (siehe 10), der durch die Laserbearbeitungsvorrichtung 10 aufgebracht werden soll (siehe 3), transmittieren. Das Bearbeitungsverfahren für ein Werkstück 201 wird in dem Zustand durchgeführt, in dem das Werkstück 201 durch das haftvermittelnde Band 206 an dem ringförmigen Rahmen getragen ist, wodurch das Werkstück 201 in einzelne Bauelementchips entsprechend den Bauelementen 204 aufgeteilt wird. In dieser bevorzugten Ausführungsform sind MEMS-Bauelemente als die Bauelemente 204 an der vorderen Seite 202 des Werkstücks 201 ausgebildet. Jedoch sind die Bauelemente 204 nicht auf die MEMS-Bauelemente beschränkt. Ferner in dem Fall, in dem die Bauelemente 204 ICs oder LSIs sind, weist jedes Bauelements 204 vorzugsweise Erhöhungen oder Chips an der vorderen Seite oder vorzugsweise Unebenheiten an der vorderen Seite auf.
  • Das Verwendungsverfahren für einen elektrostatischen Einspanntisch entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform, d. h. das Bearbeitungsverfahren für das Werkstück 201 wird durch die Laserbearbeitungsvorrichtung 10, die in 3 gezeigt ist, durchgeführt. Die Konfiguration der Laserbearbeitungsvorrichtung wird jetzt mit Bezug zu den 3-7 beschrieben. In 3 ist die Laserbearbeitungsvorrichtung 10 für eine Verwendung des elektrostatischen Einspanntischs unter Verwendung des Verfahrens entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform perspektivisch dargestellt. 4 ist eine Querschnittsansicht, die entlang der Linie IV - IV wie in 3 gemacht wurde. 5 seine Aufsicht eines elektrostatischen Einspanntischs 1, der in der Laserbearbeitungsvorrichtung 10, die in 3 gezeigt ist, beinhaltet ist. 6 ist eine Querschnittsansicht, die entlang Linie VI-VI in 5 gemacht wurde. 7 ist eine vergrößerte Schnittansicht eines wesentlichen Teils des elektrostatischen Einspanntisch 1, der in 5 gezeigt ist.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung 10 ist eine Vorrichtung zum Aufbringen eines Laserstrahls 300 (siehe 10), der eine Transmissionswellenlänge in dem Werkstück 201 aufweist, von der hinteren Seite 205 des Werkstücks 101 entlang jeder Teilungslinie 203, um dadurch eine modifizierte Schicht 301 (siehe 10) als einen Startpunkt für ein Brechen in dem Werkstück 201 entlang jeder Teilungslinie 203 auszubilden. Die modifizierte Schicht 301 bedeutet ein Bereich, in dem die physikalischen Eigenschaften wie Dichte, Brechungsindex und mechanische Festigkeit sich von denen des umgebenden Bereichs unterscheiden. Beispiel eines solchen Bereichs beinhalten einen geschmolzenen Bereich, einen gerissenen Bereich, einen Bereich mit dielektrischer Zersetzung, einen Bereich mit geänderten Brechungsindex und eine Mischung davon.
  • Wie in 3 gezeigt beinhaltet die Laserbearbeitungsvorrichtung 10 einen scheibenförmigen elektrostatischen Einspanntisch als einen Einspanntisch zum Halten des Werkstücks 201, eine Aufbringungseinheit 20 für einen Laserstrahl als eine Bearbeitungseinheit, eine X Bewegungseinheit 30 zum relativen Bewegen des elektrostatischen Einspanntischs 1 und der Aufbringungseinheit 20 für einen Laserstrahl in der X Richtung, die durch einen Pfeil X dargestellt ist, eine Y Bewegungseinheit 40 zum Relativ Bewegen des elektrostatischen Einspanntischs 1 und der Aufbringungseinheit 20 für einen Laserstrahl in der Y Richtung, die durch einen Pfeil Y dargestellt ist, eine Aufnahmeeinheit 50 zum bildlichen Aufnehmen des Werkstücks 201 und eine Steuerungseinheit zum Steuern dieser Komponenten. Die X Richtung und die Y Richtung sind in der horizontalen Ebene senkrecht zueinander.
  • Die Aufbringungseinheit 20 für einen Laserstrahl ist eine Einheit zum Aufbringen eines Laserstrahls 300, der eine vorbestimmte Transmissionswellenlänge in dem Werkstück 201 aufweist, von der hinteren Seite 205 des Werkstücks 201, das an dem elektrostatischen Einspanntisch 1 gehalten ist. Die Aufbringungseinheit 20 für einen Laserstrahl ist eine Einheit zum Ausbilden einer modifizierten Schicht 301 in dem Werkstück 201 durch Aufbringen des Laserstrahls 300. Die Wellenlänge des Laserstrahls 300, der durch die Aufbringungseinheit 20 für einen Laserstrahl aufgebracht werden soll, ist auf einem Bereich von 500-1400 nm gesetzt. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 10 weist ein Basisgehäuse 11, eine hintere Wand 12, die sich vertikal von dem Basisgehäuse 11 an seinem hinteren Ende erstreckt, und einen Trägerarm 13, der sich horizontal von der vorderen Oberfläche der hinteren Wand 12 zu seinem oberen Ende erstreckt, auf. Die Aufbringungseinheit 20 für einen Laserstrahl ist an dem vorderen Ende des Trägerarms 13 montiert. Die Aufbringungseinheit 20 für einen Laserstrahl beinhaltet ein Oszillatormittel (nicht dargestellt) zum Oszillieren des Laserstrahls 30 und ein Fokusmittel (nicht dargestellt) zum Fokussieren des Laserstrahls 300, der durch das Oszillatormittel oszilliert wird. Das Oszillatormittel ist so ausgestaltet, dass es geeignet die Frequenz des Laserstrahls 300 entsprechend der Art der Bearbeitungsform usw. des Werkstücks 201 anpasst. Das Fokusmittel beinhaltet einen Total-Reflexionsspiegel zum Ändern der Ausbreitungsrichtung des Laserstrahls 300, der durch das Oszillatormittel oszilliert wird, und eine Fokuslinse zum Fokussieren des Laserstrahls 300, der durch den Total-Reflexionsspiegel reflektiert wird. Das Fokusmittel ist dazu angepasst, den Fokuspunkt 302 (siehe 10) des Laserstrahls 300 in der Z Richtung, die durch einen Pfeil Z gezeigt ist, zu bewegen. Die Z Richtung ist parallel zu einer vertikalen Richtung und senkrecht zu beidem der X Richtung und der Y Richtung.
  • Die X Bewegungseinheit 30 ist ein Zufuhrmittel zum Bewegen des elektrostatischen Einspanntischs 1 in der X Richtung, um dadurch den elektrostatischen Einspanntisch 1 in der X Richtung zuzuführen, die parallel zu beidem einer horizontalen Richtung und der lateralen Richtung des Basisgehäuses 11 ist. Die Y Bewegungseinheit 40 ist ein Indexmittel zum Bewegen des elektrostatischen Einspanntischs 1 in der Y Richtung, um dadurch den elektrostatischen Einspanntisch 1 in der Y Richtung zu bewegen, die parallel zu einer horizontalen Richtung und senkrecht zu der X Richtung ist. Die X Bewegungseinheit 30 beinhaltet eine bekannte Kugelrollspindel 31, die um ihre Achse drehbar ist, die sich in der X Richtung erstreckt, einen bekannten Pulsmotor 32 zum Drehen der Kugelrollspindel 31 und ein Paar bekannter Führungsschienen 33 zum beweglichen Tragen des elektrostatischen Einspanntischs 1, sodass die Bewegung des elektrostatischen Einspanntischs 1 in der X Richtung ermöglicht wird. Ähnlich beinhaltet die Y Bewegungseinheit 40 eine bekannte Kugelrollspindel 41, die drehbar um ihre Achse ist, die sich in der Y Richtung erstreckt, einen bekannten Pulsmotor 42 zum Drehen der Kugelrollspindel 41 und ein Paar bekannter Führungsschienen 43 zum beweglichen Tragen des elektrostatischen Einspanntischs, sodass die Bewegung des elektrostatischen Einspanntischs 1 in der Y Richtung ermöglicht wird. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 10 beinhaltet ferner eine Drehantriebsquelle 60 zum Drehen des elektrostatischen Einspanntischs 1 um seine Achse, die sich in der Z Richtung erstreckt, parallel zu beidem der X Richtung und der Y Richtung. Die Drehantriebsquelle 60 ist an einem Bewegungstisch 14 beweglich in der X Richtung durch die X Bewegungseinheit 30 bereitgestellt.
  • Die Aufnahmeeinheit 50 dient dazu, das Werkstück 201, das an dem elektrostatischen Einspanntisch 1 gehalten ist, bildlich aufzunehmen. Die Aufnahmeeinheit 50 ist an dem vorderen Ende des Trägerarms 13 montiert, sodass sie an der Aufbringungseinheit 20 für einen Laserstrahl in der X Richtung eingefügt ist. Die Aufnahmeeinheit 50 ist durch ein CCD (ladungsgekoppeltes Bauelement) oder eine Infrarotkamera zum Aufnehmen des Werkstücks 201, das an dem elektrostatischen Einspanntisch 1 gehalten ist, ausgebildet.
  • Die Laserbearbeitung Vorrichtung 10 beinhaltet ferner eine Kassette 70 zum Aufnehmen mehrere Werkstücke 201 vor und nach einer Bearbeitung, einen Kassettenaufzug 75 zum entfernbaren Platzieren der Kassette 70 an der oberen Oberfläche und vertikalen Bewegen der Kassette 70, eine Transfereinheit 80 zum Entnehmen von einem der mehreren Werkstücke 201 aus der Kassette 70 vor einer Bearbeitung und Zurückbringen des Werkstücks 201 zu der Kassette 70 nach einer Bearbeitung und eine berührungsempfindliche Anzeige 90 zum Anzeigen von Informationen und auch ermöglichen, dass verschiedene Informationen für die Bearbeitung eingegeben werden.
  • Die Kassette 70 ist ein Behälter, der dazu in der Lage ist, mehrere Werkstücke 201 in dem Zustand aufzunehmen, in dem jedes Werkstück 201 durch das haftvermittelnde Band 206 an dem ringförmigen Rahmen 207 getragen ist. In der Kassette 70 ist die vordere Seite 202 von jedem Werkstück 201 nach oben orientiert. Der Kassettenaufzug 75 ist vertikal in der Z Richtung beweglich.
  • Die Transfereinheit 80 weist eine Funktion auf, eines der mehreren Werkstücke 201 vor einer Bearbeitung aus der Kassette 70 zu nehmen und danach das Werkstück 201 zu dem elektrostatischen Einspanntisch 1 zu transferieren, und weist eine Funktion auf, das Werkstück 201 von dem elektrostatischen Einspanntisch 1 zu der Kassette 70 nach einer Bearbeitung zu transferieren. Die Transfereinheit 80 beinhaltet einen beweglichen Arm 81, der mehrere Verbindungen aufweist, und einen Halteabschnitt 82, der an dem vorderen Ende des beweglichen Arms 81 zum Halten des Werkstücks 201 bereitgestellt ist.
  • Der Halteabschnitt 82 beinhaltet einen C-förmigen, plattenförmigen Körperabschnitt 83 und mehrere Saugpads 84, die an dem Körperabschnitt 83 zum Halten des ringförmigen Rahmens 207 unter einem Saugen, der das Werkstück 201 umgibt, bereitgestellt sind. Diese Saugpads 84 sind an der unteren Oberfläche des Körperabschnitts 83 bereitgestellt, sodass sie gegenüber der oberen Oberfläche des ringförmigen Rahmens 207, der jedes Werkstück 201 trägt, das in der Kassette 70 aufgenommen ist, sind. Jedes Saugpad 84 ist durch ein Auswahlventil 85 mit einer Vakuumquelle 86 verbunden. Folglich ist die obere Oberfläche des ringförmigen Rahmens 107, der jedes Werkstück 201 trägt, das in der Kassette 70 aufgenommen ist, dazu angepasst, unter einem Saugen durch die Saugpads 84, die an der unteren Oberfläche des Körperabschnitts 83 des Halteabschnitts 82 bereitgestellt sind, welche die Transfereinheit 80 ausbilden, gehalten zu werden. Entsprechend kann jedes Werkstück 201, das in der Kassette 70 aufgenommen ist, durch den Halteabschnitt 82 ohne einen kontakt damit in einer solchen Weise gehalten werden, dass jedes Werkstück 201 zu einer inneren Öffnung, die innerhalb des C förmigen Körperabschnitts 83 ausgebildet ist, freiliegt. Nach dem Nehmen eines der Werkstücke 201 aus der Kassette 70 wird der Halteabschnitt 82 umgedreht, um dadurch das Werkstück 201 umzudrehen, sodass das haftvermittelnde Band 206, das an der hinteren Seite 205 des Werkstücks 201 angebracht ist, nach oben orientiert ist. Danach wird das Werkstück 201 zu dem elektrostatischen Einspanntisch 1 durch den Halteabschnitt 82 der Transfereinheit 80 transferiert und das haftvermittelnde Band 206 ist angepasst, sodass es gegen die untere Oberfläche des elektrostatischen Einspanntischs 1 anliegt, und das Werkstück 201 wird elektrostatisch durch das haftvermittelnde Band 206 an der unteren Oberfläche des elektrostatischen Einspanntischs 1 gehalten. Umgekehrt in dem Fall des Transferierens des Werkstücks 201 von dem elektrostatischen Einspanntisch 1 zu der Kassette 70 nach einer Bearbeitung wird die Transfereinheit 80 betätigt, um das Werkstück 201 zu halten, indem die Saugpads 84 auf dem ringförmigen Rahmen 207 aufgebracht werden. Nachdem das Werkstück 201 von dem elektrostatischen Einspanntisch 1 getrennt wurde, wird der Halteabschnitt 82, der das Werkstück 201 trägt, umgedreht, um das Werkstück 201 umzudrehen, sodass die vordere Seite 202 des Werkstücks 201 noch oben orientiert ist. Danach wird das Werkstück, das durch das haftvermittelnde Band 206 an einem ringförmigen Rahmen 207 getragen ist, wieder in der Kassette 70 durch die Transfereinheit 80 gelegt.
  • Die berührungsempfindliche Anzeige 90 beinhaltet eine Flüssigkristallanzeige zum Anzeigen eines Betätigungszustands, eines Bilds usw. und eine berührungsempfindliche Fläche, die auf die Flüssigkristallanzeige aufgelegt ist. Die berührungsempfindliche Fläche ist dazu angepasst, den Kontakt oder die Nähe eines Fingers, Stifts oder Stylus zu detektieren. D. h., dass die berührungsempfindliche Fläche dazu angepasst ist, eine Position an der Flüssigkristallanzeige zu detektieren, an der ein Finger, Stift oder Stylus in Kontakt ist oder in deren Nähe er gekommen ist. Die berührungsempfindliche Fläche kann jedes Detektionsverfahren wie ein elektrostatischkapazitives Verfahren, ein Widerstandsfilmverfahren, ein Oberflächenakustikverfahren, ein Ultraschallverfahren, ein Infrarotverfahren, ein elektromagnetisch-induktives Verfahren und ein Lastdetektionsverfahren anwenden.
  • Der elektrostatische Einspanntisch 1 ist ein Einspanntisch zum elektrostatischen Halten des Werkstücks 201 beim Aufbringen des Laserstrahls 300 auf dem Werkstück 201, um die modifizierte Schicht 301 in dem Werkstück 201 entlang jeder Teilungslinie 203 auszubilden. Wie in 4 gezeigt, ist der elektrostatische Einspanntisch 1 durch ein Werkstückaufnahmegehäuse 110 an der Drehantriebsquelle 60 getragen. Das Werkstückaufnahmegehäuse 110 ist ein abgeflachtes rechteckiges Gehäuse und ist an der Drehantriebsquelle 60 montiert. Das Werkstückaufnahmegehäuse 110 ist dazu angepasst, das Werkstück 201, das durch das haftvermittelnde Band 206 an dem ringförmigen Rahmen 207 getragen ist, in dem Zustand aufzunehmen, in dem die vordere Seite 202 des Werkstücks 201 nach oben orientiert ist. Das Werkstückaufnahmegehäuse 110 beinhaltet ein Bodenelement 111, das an der Dreh Antriebswelle 60 montiert ist, ein Seitenwandelement 112, das an der oberen Oberfläche des Bodenelements 111 entlang der umfänglichen Kante davon montiert ist, und ein oberes Element 113, das an dem oberen Ende des Seitenwandelements 112 montiert ist. Wie in 3 dargestellt, ist das Seitenwandelement 112 mit einer Einlass/Auslassöffnung 114 ausgebildet, um das Durchführen des Werkstücks 101, das durch den Halteabschnitt 82 der Transfer 180 gehalten ist, zu ermöglichen. Das obere Element 113 ist so ausgestaltet, dass es den elektrostatischen Einspanntisch 1 an der zentralen Position trägt. Insbesondere weist das obere Element 113 ein kreisförmiges Loch 115 an an der zentralen Position auf und der äußere Umfang des kreisförmigen Einspanntischs 1 ist an dem inneren Umfang des oberen Elements 113, welches das kreisförmige Loch 115 ausbildet, montiert. Ferner sind mehrere Rahmenklemmen 116 zum Klemmen des ringförmigen Rahmens 207 in dem Werkstückaufnahme Gehäuse 110 bereitgestellt.
  • Wie in 5 und 6 gezeigt, beinhaltet der elektrostatische Einspanntisch einen plattenförmigen Basisabschnitt 2, der dazu in der Lage ist, den Laserstrahl 300 zu transmittieren, einen Elektrodenabschnitt 3 für eine elektrostatische Anziehung, der dazu in der Lage ist, den Laserstrahl 300 zu transmittieren, und eine Kunststoffschicht 4, die dazu in der Lage ist, den Laserstrahl 300 zu transmittieren. Der Elektrodenabschnitt 3 ist an der oberen Oberfläche des Basisabschnitts 2 ausgebildet und die Kunststoffschicht 4 ist so ausgebildet, dass sie den Elektroden Abschnitt 3 bedeckt. Der Basisabschnitt 2 ist aus einem Quarzglas zum Beispiel ausgebildet. Der Basisabschnitt 2 ist ein scheibenförmiges Element, das eine erste Oberfläche 21 als eine Oberfläche oder äußere Oberfläche, wie in 4 gezeigt, aufweist und eine zweite Oberfläche 22 als eine untere Oberfläche oder innere Oberfläche, wie in 4 gezeigt, aufweist. Die zweite Oberfläche 22 ist gegenüber der ersten Oberfläche 21. Der Basisabschnitt 2 weist eine Dicke von zum Beispiel 1 mm auf. Jedoch ist die Dicke des Basisabschnitts 2 nicht auf einen Millimeter beschränkt.
  • Wie in 4 und 6 gezeigt ist der Elektrodenabschnitt 3 an der ersten Oberfläche 21 des Basisabschnitts 2 gestapelt. Der Elektrodenabschnitt 3 ist zum Beispiel aus Indiumzinnoxid (ITO) ausgebildet.
  • Der Elektrodenabschnitt 3 beinhaltet eine positive Elektrode 6 und eine negative Elektrode 7. Die positive Elektrode 6 und die negative Elektrode 7 sind voneinander elektrisch isoliert. Die positive Elektrode 6 beinhaltet einen Halteabschnitt 61 und einen Anschlussabschnitt 62. Ähnlich beinhaltet die negative Elektrode 7 einen Halteabschnitt 71 und einen Anschlussabschnitt 72. Der Halteabschnitt 61 und der Halteabschnitt 71 sind beide halbkreisförmig in einer Aufsicht, wie in 5 gezeigt, und weisen die gleiche Größe auf. Beide Halteabschnitte 61 und 71 sind an der ersten Oberfläche des Basisabschnitts 2 gestapelt.
  • Der Umfang des halbkreisförmig Halteabschnitt 61 beinhaltet einen geraden Abschnitt 61-1 und einen gebogenen Abschnitt 61-2, der an seinen gegenüberliegenden Enden mit den gegenüberliegenden Enden des geraden Abschnitts 61-1 verbunden ist. Ähnlich beinhaltet der Umfang des halbkreisförmig Halteabschnitt 71 einen geraden Abschnitt 71-1 und einen gebogenen Abschnitt 71-2, der an seinen gegenüberliegenden Enden mit den gegenüberliegenden Enden des geraden Abschnitts 71 verbunden ist. Die gerade Abschnitte 61-1 und 71-1 sind parallel zueinander und voneinander beabstandet. Die gebogenen Abschnitte 61-2 und 71-2 erstrecken sich in der Nähe und entlang des äußeren Umfangs des Basisabschnitts 2. Folglich sind der Halteabschnitt 61 der positiven Elektrode 6 und der Halteabschnitt 71 der negativen Elektrode 7 nahezu an der gesamten ersten Oberfläche 21 des Basisabschnitts 2 in einer solchen Weise gestapelt, dass die geraden Abschnitte 61-1 und 71-1 in einem kleinen Abstand voneinander beabstandet sind und die gebogenen Abschnitte 61-2 und 71-2 sich in der Nähe und entlang des äußeren Umfangs des Basisabschnitts 2 erstrecken. Ferner sind der Raum zwischen den geraden Abschnitten 61-1 und 71-1 und der Raum zwischen dem gebogenen Abschnitt 61-2 und dem äußeren Umfang des Basisabschnitts 2 und der Raum zwischen dem gebogenen Abschnitt 71-2 und dem äußeren Umfang des Basisabschnitts 2 mit einem ultravioletten (UV) Haftvermittler 5 gefüllt, um einen Teil der Kunststoffschicht 4 auszubilden. Ferner sind die Halteabschnitte 61 und 71 vollständig mit dem UV Haftvermittler 5 bedeckt, um die Kunststoffschicht auszubilden. D. h., dass die Kunststoffschicht 4 aus dem UV Haftvermittler 5 ausgebildet ist. Der UV Haftvermittler 5 ist ein ultraviolett aushärtenden Kunststoff, der dazu geeignet ist, den Laserstrahl 300 zu transmittieren.
  • Der Anschlussabschnitt 62 erstreckt sich radial nach außen von dem Umfang des Halteabschnitts 61 und steht von dem äußeren Umfang des Basisabschnitts 2 hervor. Ähnlich erstreckt sich der Anschlussabschnitt 72 radial nach außen von dem Umfang des Halteabschnitts 71 und steht von dem äußeren Umfang des Basisabschnitts 2 hervor. Beide Anschlussabschnitte 62 und 72 sind mit einer Leistungsquelle 8 verbunden. Beim Halten des Werkstücks 201 in dem elektrostatischen Einspanntisch 1 ist eine positive Spannung von der Leistungsquelle 8 an dem Anschlussabschnitt 62 der positiven Elektrode 6 angelegt und eine negative Spannung ist von der Leistungsquelle 8 an dem Anschlussabschnitt 72 der negativen Elektrode 6 angelegt.
  • Die Kunststoffschicht 4 ist so ausgebildet, dass sie den Elektrodenabschnitt 3 vollständig bedeckt. Die Kunststoffschicht 4 ist aus einem UV Haftvermittler 5 ausgebildet. Der UV Haftvermittler 5 kann durch ein Bestrahlen mit ultraviolettem Licht ausgehärtet werden. Der UV Haftvermittler 5 weist eine isolierende Eigenschaft auf. Zum Beispiel kann Norland Optical Adhesive, der durch Norland Products, Inc. in den USA hergestellt wird, als der UV Haftvermittler 5 verwendet werden. Jedoch ist der UV Haftvermittler 5 nicht auf diesen Haftvermittler beschränkt. Der Brechungsindex des UV Haftvermittlers 5, der ausgehärtet ist, d. h. der der Kunststoffschicht 4 ist im Wesentlichen gleich zu dem Brechungsindex von Indiumzinnoxid, das den Elektroden Abschnitt 3 ausbildet. Der Ausdruck „der Brechungsindex ist im Wesentlichen gleich“ bedeutet, dass der Brechungsindex gleich ist und dass der Brechungsindex sich in einem solchen Maß unterscheidet, dass die modifizierte Schicht 301 an einer gewünschten Position durch den Laserstrahl 300 ausgebildet werden kann.
  • Beim Halten des Werkstücks 201 an dem elektrostatischen Einspanntisch 1 wird das Werkstück 201 in Anlage durch das haftvermittelnde Band 206 gegen die zweite Oberfläche 22 des Basisabschnitts 2 gebracht. In diesem Zustand wird eine positive Spannung von dem Anschlussabschnitt 62 an dem Halteabschnitt 61 der positiven Elektrode 6 angelegt und eine negative Spannung ist von dem Anschlussabschnitt 72 an dem Halteabschnitt 71 der negativen Elektrode 7 angelegt. Als ein Ergebnis wird eine elektrostatische Anziehungskraft zwischen den Halteabschnitten 61 und 71 generiert, um dadurch das Werkstück 201 an der zweiten Oberfläche 22 zu halten.
  • Die Steuerungseinheit 100 dient dazu, die Komponenten der Laserbearbeitungsvorrichtung 10 bei der Betätigung des Ausbildens der modifizierten Schicht 301 in dem Werkstück 201 zu steuern. Die Steuerungseinheit 200 beinhaltet ein Computersystem. D. h., dass die Steuerungseinheit 100 einen Berechnungsabschnitt, der einen Mikroprozessor wie eine CPU (zentrale Berechnungseinheit) aufweist, einen Speicherabschnitt, der einen Speicher wie ROM (Festwertspeicher) und RAM (Arbeitsspeicher) aufweist, und einen Eingabe-/Ausgabeschnittstellenabschnitt beinhaltet.
  • Der Berechnungsabschnitt der Steuerungseinheit 100 dient dazu, ein Computerprogramm, das in dem Speicherabschnitt gespeichert ist, auszuführen und danach ein Steuerungssignal durch den Eingabe-/Ausgabeschnittstellenabschnitt zu jeder Komponente der Laserbearbeitungsvorrichtung 10 auszugeben, um dadurch die Laserbearbeitungsvorrichtung 10 zu steuern. Die Steuerungseinheit 100 ist mit der berührungsempfindlichen Anzeige 90 und dem Auswahlventil 85 verbunden.
  • Jetzt werden die Zustände, die beim Aufbringen des Laserstrahls 300 durch den elektrostatischen Einspanntisch 1 auf dem Werkstück 201 gesetzt werden, mit Bezug zu 7 beschrieben. In 7 ist das haftvermittelnde Band 206 nicht gezeigt. Wie in 7 gezeigt, steuert die Steuerungseinheit 100 die Aufbringungseinheit 20 für einen Laserstrahl, um den Fokuspunkt 302 des Laserstrahls 300 innerhalb des Werkstücks 201 zu setzen. In 7 bezeichnet Bezugszeichen 210 ein Licht transmittierendes Element, das den Basisabschnitt 2 und das haftvermittelnde Band 206 beinhaltet. Wenn der Laserstrahl 300 von der Aufbringungseinheit 20 für einen Laserstrahl durch den elektrostatischen Einspanntisch 1 auf dem Werkstück 201 aufgebracht wird, wird der Laserstrahl 300 an der ersten Oberfläche 201 und der zweiten Oberfläche 202 des Basisabschnitts 2 gebrochen und teilweise zu der zweiten Oberfläche 22 reflektiert.
  • In dem Fall, dass der Fokuspunkt 302 (302-1) des Laserstrahls 300 (300-1) in einer geringen Tiefe nahe der zweiten Oberfläche 22, d. h. nahe der hinteren Seite 205 des Werkstücks 201 durch die Steuerungseinheit 100 gesetzt ist, läuft der Laserstrahl 300 durch die zweite Oberfläche 22 in einem Bereich 401, der in 7 gezeigt ist, und tritt in das Werkstück 201 einen. Gleichzeitig wird der Laserstrahl 300 teilweise an der zweiten Oberfläche 22 in diesem Bereich 401 reflektiert und läuft dann durch die erste Oberfläche 22 in einen Bereich 402, der in 7 gezeigt ist. In diesem Fall ist die Energiedichte des Laserstrahls 300 in dem Bereich 402 kleiner als die Energiedichte des Laserstrahls 300 in dem Bereich 401. Entsprechend ist es möglich, das Problem zu unterdrücken, dass der Elektrodenabschnitt 3, der an der ersten Oberfläche 21 ausgebildet ist, durch den Laserstrahl 300 beschädigt wird. Die Energiedichte des Laserstrahls 300 in dem Bereich 402 ist als ein minimaler Grenzwert für die Energiedichte des Laserstrahls 300 definiert, bei welcher der Elektrodenabschnitt 3, der in der ersten Oberfläche 21 ausgebildet ist, nicht beschädigt wird.
  • In dem Fall, dass der Fokuspunkt 302 (302-2) des Laserstrahls 300 (300-2) in einer Tiefe weit von der zweiten Oberfläche 22 Weg gesetzt wird, d. h. in der Nähe der vorderen Seite 202 des Werkstücks 201 durch die Steuerungseinheit 100, läuft der Laserstrahl 300, der in der zweiten Oberfläche 22 reflektiert wird, durch die erste Oberfläche 21 in einem Bereich 403, der in 7 gezeigt ist. In diesem Fall steuert die Steuerungseinheit 100 die Position des Fokuspunkts 302 (302-2) des Laserstrahls 300 oder senkt die Leistung des Laserstrahls 300, sodass die Energiedichte des Laserstrahls 300 in dem Bereich 403 kleiner als die Energiedichte des Laserstrahls in dem Bereich 402 ist. D. h., dass die Steuerungseinheit 100 in der Laserbearbeitungsvorrichtung 10 den Fokuspunkt 302 des Laserstrahls 300 an einer Tiefe 404 oder weniger (die Tiefe von der hinteren Seite 205 des Werkstücks 101) setzt, bei welcher die Energiedichte des Laserstrahls 300 in dem Bereich 403 kleiner als Energiedichte des Laserstrahls 300 in dem Bereich 402 ist.
  • Jetzt wird ein Verwendungsverfahren für einen elektrostatischen Einspanntisch oder das Verfahren zum Bearbeiten des Werkstücks 201 unter Verwendung der Laserbearbeitungsvorrichtung 10 mit Bezug zu den Figuren, die 8-10 beinhalten, beschrieben. 8 ist ein Flussdiagramm, welches das Verwendungsverfahren für einen elektrostatischen Einspanntisch entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform darstellt. 9 ist eine Schnittansicht, die einen Halteschritt für ein Werkstück in dem elektrostatischen Einspanntisch unter Verwendung des Verfahrens entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform zeigt. 10 ist eine Schnittansicht, die einen Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht in dem Verwendungsverfahren für einen elektrostatischen Einspanntisch entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform zeigt.
  • Vor dem Start des Verwendungsverfahrens für einen elektrostatischen Einspanntisch wird die Information bezüglich einer Bearbeitung in der Steuerungseinheit 100 der Laserbearbeitungsvorrichtung 10 durch einen Bediener eingegeben. Wenn der Bediener die Steuerungseinheit 100 instruiert, die Bearbeitungsbetätigung der Laserbearbeitungsvorrichtung 10 zu starten, wird das Verwendungsverfahren für einen elektrostatischen Einspanntisch durch die Steuerungseinheit 100 gestartet.
  • Wie in 8 gezeigt, beinhaltet das Verwendungsverfahren für einen elektrostatischen Einspanntisch (im Folgenden wird das Verfahren einfach als „Verwendungsverfahren“ bezeichnet) einen Halteschritt für ein Werkstück ST1, einen Ausbildungsschritt ST2 für eine modifizierte Schicht und einen Freigabeschritt ST3 für ein Werkstück. In dem Halteschritt ST1 für ein Werkstück betätigt die Steuerungseinheit 100 das Auswahlventil 85, um eine Saugkraft von der Vakuumquelle 86 an den Saugpads 84 des Halteabschnitts 82 der Transfereinheit 80 anzulegen. Der ringförmige Rahmen 207, der das Werkstück 201 trägt, das in der Kassette 70 aufgenommen ist, wird durch die Saugpads 84 unter einem Saugen in dem Zustand gehalten, in dem die vordere Seite 202 des Werkstücks 201 nach oben orientiert ist. Danach wird das Werkstück aus der Kassette 70 durch eine Betätigung der Transfereinheit 80 entnommen und in das Werkstückaufnahmegehäuse 110 eingeführt. Wie in 9 gezeigt, wird das Werkstück 201 in Anlage durch das Haftvermittler Band 206 gegen die zweite Oberfläche 22 des Basisabschnitts 2 des elektrostatischen Einspanntisch 1 gebracht. In diesem Zustand wird eine positive Spannung an dem Anschlussabschnitt 62 der positiven Elektrode 6 des Elektrodenabschnitts 3, der in der ersten Oberfläche 21 des Basisabschnitts 2 ausgebildet ist, angelegt und eine negative Spannung wird an dem Anschlussabschnitt 72 der negativen Elektrode 7 des Elektrodenabschnitts 3, angelegt, um dadurch das Werkstück 201 elektrostatischen an der zweiten Oberfläche 22 zu halten. Ferner wird der ringförmige Rahmen 207 durch die Rahmenklemmen 116 geklemmt. Danach wird das Auswahlventil 85 betätigt, um ein Aufbringen der Saugkraft von der Vakuumquelle 86 an den Saugpads 84 anzuhalten. D. h., dass das saugende Halten durch die Saugpads 84 abgebrochen wird. Danach wird die Prozedur mit dem Ausbildungsschritt ST2 für eine modifizierte Schicht fortgesetzt.
  • In dem Ausbildungsschritt ST2 für eine modifizierte Schicht steuert die Steuerungseinheit 100 die Aufnahmeeinheit 50, um das Werkstück 201 bildlich durch den elektrostatischen Einspanntisch 1 aufzunehmen, und führt dann eine Ausrichtung entsprechend dem Bild des Werkstücks 201 durch. Danach, wie in 10 gezeigt, wird der Laserstrahl 300 von der Aufbringungseinheit 20 für einen Laserstrahl durch den elektrostatischen Einspanntisch 1 und das haftvermittelnde Band 206 zu einem Ziel einer der Teilungslinie 203 des Werkstücks 201 in dem Zustand aufgebracht, in dem der Fokuspunkt 302 des Laserstrahls 300 in dem Werkstück 201 gesetzt ist. Gleichzeitig wird der elektrostatische Einspanntisch 1 in der X Richtung durch die X Bewegungseinheit 30 bewegt, um dadurch den Laserstrahl 300 entlang der Teilungslinie 203 aufzubringen. Danach wird der Laserstrahl 300 ähnlich entlang all den anderen Teilungslinien 203 durch ein Steuern der X Bewegungseinheit 30, der Y Bewegungseinheit 40 und der Drehantriebsquelle 60 ähnlich aufgebracht. Als ein Ergebnis sind mehrere modifizierte Schichten 301 in dem Inneren des Werkstücks 101 entlang all den sich kreuzenden Teilungslinien 203 in dem Zustand ausgebildet, in dem das Werkstück 201 elektrostatisch durch das haftvermittelndes Bands 206 an der zweiten Oberfläche 22 des Basisabschnitts 2 des elektrostatischen Einspanntischs 1 gehalten ist. In dieser Weise wird der elektrostatische Einspanntisch 1 beim Aufbringen des Laserstrahls 300 durch die erste Oberfläche 21 auf dem Werkstück 201, um die modifizierten Schichten 301 im Inneren des Werkstücks 201 auszubilden, in dem Zustand verwendet, in dem das Werkstück 201 elektrostatisch an der zweiten Oberfläche 22 durch Anlegen einer Spannung an dem Elektrodenabschnitt 3, der an der ersten Oberfläche 21 ausgebildet ist, gehalten ist. Danach fährt die Prozedur mit dem Freigabeschritt ST3 fort.
  • In dem Freigabeschritt ST3 für ein Werkstück steuert die Steuerungseinheit 100 den elektrostatischen Einspanntisch 1, das elektrostatische Halten des Werkstücks 201 abzubrechen, und steuert auch das Auswahlventil 85, um eine Saugkraft von der Vakuumquelle 86 an den Saugpads 84 anzulegen, um dadurch die untere Oberfläche des ringförmigen Rahmens 207, der das Werkstück 201 trägt, aufzubringen. Danach wird das Klemmen durch die Rahmenklemmen 116 auch abgebrochen. Danach wird die Transfereinheit 80 betätigt, um das Werkstück 201 aus dem Werkstückaufnahmegehäuse 110 zu nehmen. Danach wird der Halteabschnitt 82, der die Saugpads 84 aufweist, umgedreht, um das Werkstück 201, das durch das haftvermittelnde Band 206 an dem ringförmigen Rahmen 207 getragen ist, umzudrehen. Als ein Ergebnis wird das Werkstück 201 durch den Halteabschnitt 82 in dem Zustand gehalten, in dem die vordere Seite 202 des Werkstücks 201 nach oben orientiert ist. In diesem Zustand wird das Werkstück 201 in der Kassette 70 durch die Transfereinheit 80 aufgenommen. Danach wird das Halten unter einem Saugen durch die Saugpads 84 abgebrochen. In dem nächsten Schritt wird das Werkstück 201, in welchem die modifizierte Schicht 301 entlang allen Teilungslinie 203 ausgebildet wurde, in einzelne Bauelementchips entsprechend den Bauelementen 204 geteilt.
  • Wie oben beschrieben, können der Basisabschnitt 2, der Elektrodenabschnitt 3 und die Kunststoffschicht 4 des elektrostatischen Einspanntischs 1 alle den Laserstrahl 300 für eine Bearbeitung des Werkstücks 201 transmittieren. Entsprechend kann der Laserstrahl 300 durch den elektrostatischen Einspanntisch 1 auf dem Werkstück 201 in dem Zustand aufgebracht werden, in dem die hintere Seite 205 des Werkstücks 201 an der zweiten Oberfläche 22 des Basisabschnitts 2 des elektrostatischen Einspanntischs 1 gehalten ist, in dem eine Metallschicht und die Bauelemente 204 nicht an der hinteren Seite 205 ausgebildet sind. D. h. entsprechend diesem Verwendungsverfahren für einen elektrostatischen Einspanntisch ist es nicht notwendig die vordere Seite 202 des Werkstücks 201 zu halten, sodass keine Möglichkeit existiert, dass die Bauelemente 204, die Oberflächenunebenheiten haben, beschädigt werden. Ferner ist es nicht notwendig ein spezielles Design an der vorderen Seite 202 des Werkstücks 201 bereitzustellen oder vorher ein TEG-Muster von jeder Teilungslinie zu entfernen. Entsprechend kann jede Beschränkung beim Bearbeiten des Werkstücks 201 entsprechend dem Verwendungsverfahren für einen elektrostatischen Einspanntisch unterdrückt werden.
  • Ferner sind der Halteabschnitt 61 der positiven Elektrode 6 und der Halteabschnitt 71 der negativen Elektrode 7, welche den Elektroden Abschnitt 3 des elektrostatischen Einspanntischs 1 ausbilden, beide halbkreisförmig in einer Aufsicht ausgebildet und sind nahezu über die gesamte erste Oberfläche 21 des Basisabschnitts 2 ausgebildet. Entsprechend kann eine elektrostatische Anziehungskraft zwischen dem Halteabschnitt 61 der positiven Elektrode 6 und Halteabschnitt 71 der negativen Elektrode 7 generiert werden, wodurch das Werkstück 201 elektrostatisch gehalten wird. D. h., dass das Werkstück 201 elektrostatisch an nahezu der gesamten zweiten Oberfläche 22 des Basisabschnitts 2 durch die elektrostatische Anziehungskraft gehalten werden kann, die zwischen den Halteabschnitten 61 und 71 generiert wird. Entsprechend, im Vergleich zu einem Fall, in dem der umfängliche Abschnitt des Werkstücks 201 unter einem Saugen gehalten ist, kann das Werkstück 201 vollständig an nahezu der gesamten zweiten Oberfläche 22 des Basisabschnitts 2 gehalten sein. Ferner in dem Fall des Haltens des umfänglichen Abschnitts des Werkstücks 201 unter einem Saugen ist es notwendig eine Vakuumleitung oder dergleichen, die einen anderen Brechungsindex im Vergleich zu dem anderen Bereich in dem Einspanntisch aufweist, auszubilden, der ein Vakuum zum Halten eines Werkstücks verwendet. Im Gegensatz ist eine solche Vakuumleitung oder dergleichen in dem elektrostatischen Einspanntisch 1 nicht notwendig, weil das Werkstück 201 an nahezu der gesamten zweiten Oberfläche 22 durch die elektrostatische Anziehungskraft, die zwischen den Halteabschnitt 61 und 71 generiert wird, gehalten wird. Entsprechend kann der Laserstrahl ohne die Beachtung einer solchen Vakuumleitung aufgebracht werden. D. h., dass jede Beschränkung beim Bearbeiten des Werkstücks 201 entsprechend diesem Verwendungsverfahren für einen elektrostatischen Einspanntisch unterdrückt werden kann.
  • Ferner ist der Elektrodenabschnitt 3 an der ersten Oberfläche 21 gegenüber der zweiten Oberfläche 22 zum Halten des Werkstücks 101 in dem elektrostatischen Einspanntisch 1 gehalten. Entsprechend kann der Elektrodenabschnitt 3 weg von dem Fokuspunkt 102 des Laserstrahls 300 positioniert sein, um dadurch eine Beschädigung an dem Elektrodenabschnitt 3 aufgrund des Laserstrahls 300 zu unterdrücken. Folglich kann das Werkstück 201 elektrostatisch an nahezu der gesamten zweiten Oberfläche 22 des Basisabschnitts 2 gehalten werden, während eine Beschädigung des Elektrodenabschnitts 3 aufgrund des Laserstrahls 300 unterdrückt wird.
  • Ferner ist in dem elektrostatischen Einspanntisch 1 der Brechungsindex des Indiumzinnoxids, das den Elektrodenabschnitt 3 ausbildet, im Wesentlichen gleich zu dem Brechungsindex des UV Haftvermittler 5, der die Kunststoffschicht 4 ausbildet, sodass dieser einen Raum zwischen den geraden Abschnitten 61-1 und 71-1 füllt. Entsprechend kann eine modifizierte Schicht an einer gewünschten Position in dem Werkstück ausgebildet werden.
  • Entsprechend diesem Verwendungsverfahren für einen elektrostatischen Einspanntisch kann der folgende elektrostatische Einspanntisch erhalten werden.
  • (Anhang)
  • Ein elektrostatischer Einspanntisch zum Halten eines Werkstücks beim Aufbringen eines Laserstrahls, der eine Transmissionswellenlänge aufweist, auf dem Werkstück, um dadurch eine modifizierte Schicht in dem Werkstück auszubilden, wobei der elektrostatische Einspanntisch beinhaltet
    • einen plattenförmigen Basisabschnitt, der dazu geeignet ist, einen Laserstrahl zu transmittieren, wobei der Basisabschnitt eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche aufweist, und
    • einen Elektrodenabschnitt für eine elektrostatische Anziehung, die dazu in der Lage ist, den Laserstrahl zu transmittieren, wobei der Elektrodenanschluss an der ersten Oberfläche des Basisabschnitts ausgebildet wird,
    • in welchen der Laserstrahl durch die erste Oberfläche an einer vorbestimmten Position in dem Werkstück aufgebracht wird, um dadurch eine modifizierte Schicht in dem Werkstück in dem Zustand auszubilden, in dem eine Spannung an dem Elektrodenabschnitt angelegt ist, der an der ersten Oberfläche ausgebildet ist, um dadurch das Werkstück elektrostatische der zweiten Oberfläche zu halten.
  • In dem elektrostatischen Einspanntisch, der in dem Anhang beschrieben ist, können beide der Basisabschnitt und der Elektrodenabschnitt den Laserstrahl transmittieren. Entsprechend kann der Laserstrahl durch den elektrostatischen Einspanntisch an dem Werkstück in dem Zustand aufgebracht werden, in dem die hintere Seite des Werkstücks an der zweiten Oberfläche des Basisabschnitts gehalten ist, an welcher eine Metallschicht und Bauelemente nicht an der hinteren Seite des Werkstücks ausgebildet sind. D. h., dass es nicht notwendig ist, die vordere Seite des Werkstücks zu halten, an welcher die Metallschichten die Bauelemente ausgebildet sind, sodass keine Möglichkeit existiert, dass Bauelemente die Oberflächenunebenheiten aufweisen, beschädigt werden. Ferner ist es nicht notwendig, ein spezielles Design an der vorderen Seite des Werkstücks auszubilden oder vorher ein TEG-Muster von der vorderen Seite des Werkstücks zu entfernen. Entsprechend kann jede Beschränkung beim Bearbeiten des Werkstücks unter Verwendung des elektrostatischen Einspanntischs unterdrückt werden.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die oben beschriebene bevorzugte Ausführungsform beschränkt, sondern verschiedene Modifikationen können gemacht werden, ohne von dem Umfang der vorliegenden D Erfindung abzuweichen.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung ist durch die beigefügten Ansprüche definiert und alle Änderungen Modifikation, die in das äquivalente des Umfangs der Ansprüche fallen, werden dadurch durch die Erfindung umfasst.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 3408805 [0002, 0003, 0004]
    • JP 5860219 [0005, 0006]

Claims (3)

  1. Verwendungsverfahren für einen elektrostatischen Einspanntisch zum Verwenden eines elektrostatischen Einspanntischs, beinhaltend einen plattenförmigen Basisabschnitt, der dazu geeignet ist, einen Laserstrahl, der auf einem Werkstück aufgebracht werden soll, zu transmittieren, wobei der Laserstrahl eine Wellenlänge aufweist, die in dem Werkstück transmittiert wird, wobei der Basisabschnitt eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche aufweist, und einen Elektrodenabschnitt für eine elektrostatische Anziehung, der dazu geeignet ist, den Laserstrahl zu transmittieren, wobei der Elektrodenabschnitt an der ersten Oberfläche des Basisabschnitts ausgebildet ist, wobei das Verwendungsverfahren für den elektrostatischen Einspanntisch umfasst: einen Halteschritt für ein Werkstück zum Anlegen einer Spannung an dem Elektrodenabschnitt, der an der ersten Oberfläche ausgebildet ist, um dadurch das Werkstück an der zweiten Oberfläche elektrostatisch zu halten; und einen Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht zum Aufbringen des Laserstrahls durch die erste Oberfläche auf einer vorbestimmten Position innerhalb des Werkstücks, das an der zweiten Oberfläche gehalten ist, um dadurch eine modifizierte Schicht in dem Werkstück auszubilden.
  2. Verwendungsverfahren für einen elektrostatischen Einspanntisch nach Anspruch 1, wobei die Transmissionswellenlänge des Laserstrahls in einem Bereich von 500-1400 nm gesetzt ist.
  3. Verwendungsverfahren für einen elektrostatischen Einspanntisch nach Anspruch 1, wobei das Werkstück einen Wafer beinhaltet, der eine vordere Seite, an der MEMS Bauelemente ausgebildet sind, und eine hintere Seite aufweist, die an der zweiten Oberfläche des elektrostatischen Einspanntischs gehalten werden soll.
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